JP7103163B2 - 積層体、導通チェック方法、および、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、積層体、導通チェック方法、および、電子デバイスの製造方法に関する。
太陽電池（ＰＶ）；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線などを感知する受信センサーパネル；等の電子デバイスの薄型化、軽量化が進行している。それに伴い、電子デバイスに用いるポリイミド樹脂基板などの基板の薄板化も進行している。薄板化により基板の強度が不足すると、基板のハンドリング性が低下し、基板上に電子デバイス用部材を形成する工程（部材形成工程）などにおいて問題が生じる場合がある。
そこで、最近では、基板のハンドリング性を良好にするため、支持基材上にポリイミド樹脂基板を配置した積層体を用いる技術が提案されている（特許文献１）。この技術においては、積層体のポリイミド樹脂基板上に電子デバイス用部材を形成し、その後、電子デバイス用部材が形成されたポリイミド樹脂基板（すなわち、電子デバイス）を分離する。
本発明者は、支持基材上にポリイミド樹脂基板が配置された積層体を用いて電子デバイスを製造する途中過程において、電子デバイス用部材が正常に作動するか否かを確認するために、導通チェックを行なった。
より具体的には、ポリイミド樹脂基板上の電子デバイス用部材から外部に延びる配線をスパッタにより形成し、テスタを用いて、導通チェックを行なった。
その結果、本発明者は、スパッタにより形成される配線がポリイミド樹脂基板の端面において薄くなったり断線したりしやすいこと、および、それにより、導通チェックが正確に行なわれず、精度が不十分である場合があることを見出した。
より具体的には、ポリイミド樹脂基板上の電子デバイス用部材から外部に延びる配線をスパッタにより形成し、テスタを用いて、導通チェックを行なった。
その結果、本発明者は、スパッタにより形成される配線がポリイミド樹脂基板の端面において薄くなったり断線したりしやすいこと、および、それにより、導通チェックが正確に行なわれず、精度が不十分である場合があることを見出した。
そこで、本発明は、ポリイミド樹脂基板上に形成される電子デバイス用部材の導通チェックを精度良く行なえる積層体を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、上記積層体を用いた導通チェック方法および電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
さらに、本発明は、上記積層体を用いた導通チェック方法および電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記目的を達成できることを見出した。
［１］ガラス製の支持基材と、上記支持基材の上に配置されるポリイミド樹脂基板と、を備え、上記ポリイミド樹脂基板は、上記支持基材側の第１主面と、上記第１主面とは反対側の第２主面と、上記第１主面と上記第２主面とに接続する端面とを有し、上記端面の少なくとも一部が、上記第２主面から上記第１主面に向かうに従い突出する傾斜面である、積層体。
［２］上記傾斜面と、上記第１主面とのなす角度が、１０°以上である、上記［１］に記載の積層体。
［３］上記支持基材の厚さが、０．３ｍｍ以上である、上記［１］または［２］に記載の積層体。
［４］上記支持基材と上記ポリイミド樹脂基板との間に、さらに、シリコーン樹脂層を備える、上記［１］～［３］のいずれかに記載の積層体。
［５］上記［１］～［４］のいずれかに記載の積層体の上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成する工程と、上記電子デバイス用部材から外部に延びる配線をスパッタまたは蒸着により形成する工程と、上記配線をテスタに接続し、上記電子デバイス用部材の導通チェックを行なう工程と、を備え、上記配線は、上記電子デバイス用部材から延びて、上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面、上記ポリイミド樹脂基板の上記傾斜面、および、上記支持基材の表面に沿って形成される、導通チェック方法。
［６］上記［１］～［４］のいずれかに記載の積層体の上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、上記電子デバイス用部材付き積層体から、上記ポリイミド樹脂基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
［２］上記傾斜面と、上記第１主面とのなす角度が、１０°以上である、上記［１］に記載の積層体。
［３］上記支持基材の厚さが、０．３ｍｍ以上である、上記［１］または［２］に記載の積層体。
［４］上記支持基材と上記ポリイミド樹脂基板との間に、さらに、シリコーン樹脂層を備える、上記［１］～［３］のいずれかに記載の積層体。
［５］上記［１］～［４］のいずれかに記載の積層体の上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成する工程と、上記電子デバイス用部材から外部に延びる配線をスパッタまたは蒸着により形成する工程と、上記配線をテスタに接続し、上記電子デバイス用部材の導通チェックを行なう工程と、を備え、上記配線は、上記電子デバイス用部材から延びて、上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面、上記ポリイミド樹脂基板の上記傾斜面、および、上記支持基材の表面に沿って形成される、導通チェック方法。
［６］上記［１］～［４］のいずれかに記載の積層体の上記ポリイミド樹脂基板の上記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、上記電子デバイス用部材付き積層体から、上記ポリイミド樹脂基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
本発明によれば、ポリイミド樹脂基板上に形成される電子デバイス用部材の導通チェックを精度良く行なえる積層体を提供することができる。
さらに、本発明によれば、上記積層体を用いた導通チェック方法および電子デバイスの製造方法を提供することもできる。
さらに、本発明によれば、上記積層体を用いた導通チェック方法および電子デバイスの製造方法を提供することもできる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
＜積層体＞
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の積層体１０を模式的に示す断面図である。
第１の実施形態の積層体１０は、ガラス製の支持基材１２、および、支持基材１２の上に配置されるポリイミド樹脂基板１６（以下、単に「基板１６」と記載する場合がある）を備える。
基板１６は、支持基材１２側の第１主面１６ａ、第１主面１６ａとは反対側の第２主面１６ｂ、および、第１主面１６ａと第２主面１６ｂとに接続する端面１６ｃを有する。
基板１６の端面１６ｃの少なくとも一部は、第２主面１６ｂから第１主面１６ａに向かうに従い突出する傾斜面１６ｄである。
第１の実施形態の積層体１０においては、基板１６の第１主面１６ａが、支持基材１２に接する。支持基材１２は、基板１６を補強する補強板として機能する。第１の実施形態の積層体１０に、支持基材１２と基板１６とを引き剥がす方向の応力を加えると、支持基材１２と基板１６とに分離する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の積層体１０を模式的に示す断面図である。
第１の実施形態の積層体１０は、ガラス製の支持基材１２、および、支持基材１２の上に配置されるポリイミド樹脂基板１６（以下、単に「基板１６」と記載する場合がある）を備える。
基板１６は、支持基材１２側の第１主面１６ａ、第１主面１６ａとは反対側の第２主面１６ｂ、および、第１主面１６ａと第２主面１６ｂとに接続する端面１６ｃを有する。
基板１６の端面１６ｃの少なくとも一部は、第２主面１６ｂから第１主面１６ａに向かうに従い突出する傾斜面１６ｄである。
第１の実施形態の積層体１０においては、基板１６の第１主面１６ａが、支持基材１２に接する。支持基材１２は、基板１６を補強する補強板として機能する。第１の実施形態の積層体１０に、支持基材１２と基板１６とを引き剥がす方向の応力を加えると、支持基材１２と基板１６とに分離する。
詳細は後述するが、積層体１０の基板１６の第２主面１６ｂの上に、電子デバイス用部材を形成し、その後、電子デバイス用部材が形成された基板１６（すなわち、電子デバイス）を分離する。こうして、電子デバイスを製造する。
電子デバイスを製造する途中過程において、電子デバイス用部材が正常に作動するか否かを確認するために、導通チェックを行なう。
電子デバイスを製造する途中過程において、電子デバイス用部材が正常に作動するか否かを確認するために、導通チェックを行なう。
図２は、導通チェックの一例を示す断面図である。まず、基板１６の第２主面１６ｂの上に、電子デバイス用部材２０を形成する。次いで、電子デバイス用部材２０から外部に延びる配線４０を、スパッタ；ＣＶＤ（chemical vapor deposition）などの蒸着；等（以下、これらをまとめて「スパッタ等」ともいう）により形成する。スパッタ等はスパッタまたは蒸着が好ましい。配線４０は、例えば、導電性を有する金属からなる。
配線４０は、より詳細には、図２に示すように、電子デバイス用部材２０から延びて、基板１６の第２主面１６ｂ、傾斜面１６ｄ、および、支持基材１２の表面に沿って形成される。配線４０を、図示しないテスタに接続し、電子デバイス用部材２０の導通チェックを行なう。
配線４０は、より詳細には、図２に示すように、電子デバイス用部材２０から延びて、基板１６の第２主面１６ｂ、傾斜面１６ｄ、および、支持基材１２の表面に沿って形成される。配線４０を、図示しないテスタに接続し、電子デバイス用部材２０の導通チェックを行なう。
ところで、基板１６の端面１６ｃが傾斜していない垂直面であり、かつ、この垂直面に沿って配線４０をスパッタ等により形成する場合がある。
図３は、導通チェックの別の一例を示す断面図である。図３に示すように、垂直面である端面１６ｃに沿って、配線４０をスパッタ等により形成する場合がある。この場合、図３に示すように、垂直面である端面１６ｃに対しては、配線４０が付着しにくく、配線４０が部分的に薄くなったり断線したりしやすい。配線４０が部分的に薄くなったり断線したりした状態においては、電子デバイス用部材２０の導通チェックが正確に行なわれず、精度が不十分となる場合がある。
図３は、導通チェックの別の一例を示す断面図である。図３に示すように、垂直面である端面１６ｃに沿って、配線４０をスパッタ等により形成する場合がある。この場合、図３に示すように、垂直面である端面１６ｃに対しては、配線４０が付着しにくく、配線４０が部分的に薄くなったり断線したりしやすい。配線４０が部分的に薄くなったり断線したりした状態においては、電子デバイス用部材２０の導通チェックが正確に行なわれず、精度が不十分となる場合がある。
しかしながら、図２に基づいて説明したように、第１の実施形態においては、配線４０は、垂直面ではない傾斜面１６ｄに沿って形成されるので、部分的に薄くなったり断線したりしにくい。このため、電子デバイス用部材２０の導通チェックは正確に行なわれ、精度は良好となる。
基板１６の形状（主面の形状）が矩形状である場合、４つある端面１６ｃの全てが傾斜面１６ｄであることが好ましい。これにより、どの傾斜面１６ｄに配線４０を形成する場合であっても、導通チェックの精度が良好となる。
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態の積層体１０を模式的に示す断面図である。第１の実施形態と同じ部分については、同じ符号で示し、説明も省略する（以下、同様）。
第２の実施形態の積層体１０は、支持基材１２と、シリコーン樹脂層１４と、基板１６と、をこの順で備える。換言すれば、第２の実施形態の積層体１０は、支持基材１２と基板１６との間に、さらに、シリコーン樹脂層１４を備える。シリコーン樹脂層１４は、一方の面（第１主面１４ａ）が支持基材１２に接し、他方の面（第２主面１４ｂ）が基板１６の第１主面１６ａに接する。
図４は、第２の実施形態の積層体１０を模式的に示す断面図である。第１の実施形態と同じ部分については、同じ符号で示し、説明も省略する（以下、同様）。
第２の実施形態の積層体１０は、支持基材１２と、シリコーン樹脂層１４と、基板１６と、をこの順で備える。換言すれば、第２の実施形態の積層体１０は、支持基材１２と基板１６との間に、さらに、シリコーン樹脂層１４を備える。シリコーン樹脂層１４は、一方の面（第１主面１４ａ）が支持基材１２に接し、他方の面（第２主面１４ｂ）が基板１６の第１主面１６ａに接する。
以下、シリコーン樹脂層１４を有する積層体１０について言及する場合は、特に断わりの無い限り、第２の実施形態の積層体１０を意味する。
第２の実施形態の積層体１０においても、基板１６の端面１６ｃの少なくとも一部は、第２主面１６ｂから第１主面１６ａに向かうに従い突出する傾斜面１６ｄである。
図４に示すように、シリコーン樹脂層１４の端面についても、基板１６の傾斜面１６ｄと連続する端面である場合には、傾斜面１６ｄと同様に傾斜した傾斜面１４ｄであることが好ましい。
第２の実施形態においても、配線４０は、垂直面ではない傾斜面１６ｄに沿って形成されるので、部分的に薄くなったり断線したりしにくい。このため、電子デバイス用部材２０の導通チェックは正確に行なわれ、精度は良好となる。
図４に示すように、シリコーン樹脂層１４の端面についても、基板１６の傾斜面１６ｄと連続する端面である場合には、傾斜面１６ｄと同様に傾斜した傾斜面１４ｄであることが好ましい。
第２の実施形態においても、配線４０は、垂直面ではない傾斜面１６ｄに沿って形成されるので、部分的に薄くなったり断線したりしにくい。このため、電子デバイス用部材２０の導通チェックは正確に行なわれ、精度は良好となる。
第２の実施形態の積層体１０においては、支持基材１２およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分（以下、「シリコーン樹脂層付き支持基材１８」ともいう）は、基板１６を補強する補強板として機能する。
積層体１０に加熱処理が施されることにより、シリコーン樹脂層１４と基板１６との間の剥離強度よりも、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との間の剥離強度の方が大きくなることが好ましい。これは、加熱処理によって、支持基材１２のヒドロキシ基とシリコーン樹脂層１４のヒドロキシ基とが結合すること等によって生じ得る。
その結果、支持基材１２と基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４と基板１６との間で剥離する。
その結果、支持基材１２と基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４と基板１６との間で剥離する。
（傾斜面の角度）
図５は、ポリイミド樹脂基板１６の端部を拡大して示す断面図である。基板１６において、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度θ１は、傾斜面１６ｄは垂直面ではないことから、当然に、９０°未満である。
図５は、ポリイミド樹脂基板１６の端部を拡大して示す断面図である。基板１６において、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度θ１は、傾斜面１６ｄは垂直面ではないことから、当然に、９０°未満である。
一方、傾斜面１６ｄの角度θ１が鋭角すぎると、支持基材１２から基板１６を分離する際に、支持基材１２と基板１６との間に、鋭利な刃物状のものを差し込みにくい場合がある。このため、支持基材１２と基板１６との間に鋭利な刃物状のものを差し込みやすく、剥離性に優れるという理由から、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度θ１は、１０°以上が好ましく、３０°以上がより好ましく、５０°以上がさらに好ましい。
なお、基板１６の傾斜面１６ｄは、刃物を用いて基板１６を切断して形成される切断面であることが好ましい。この場合、例えば、塗布液が平面上で広がって形成される面と比較して、上記角度が得られやすい。
なお、基板１６の傾斜面１６ｄは、刃物を用いて基板１６を切断して形成される切断面であることが好ましい。この場合、例えば、塗布液が平面上で広がって形成される面と比較して、上記角度が得られやすい。
基板１６における、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度θ１は、三鷹光器株式会社社製の非接触表面性状測定装置「ＰＦ－６０」を用いて、基板１６の断面形状から求める。より詳細には、図５に示すように、基板１６の断面図から、線分ＡＢの長さ、および、線分ＡＣの長さを測定し、下記式から、角度θ１を算出する。
θ１＝ａｒｃｔａｎ（ＡＣ／ＡＢ）
θ１＝ａｒｃｔａｎ（ＡＣ／ＡＢ）
なお、シリコーン樹脂層１４の傾斜面１４ｄは、図５に示すように、基板１６の傾斜面１６ｄと連続した面であることが好ましい。このとき、シリコーン樹脂層１４において、傾斜面１４ｄと第１主面１４ａとのなす角度θ２は、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度θ１と同じであることが好ましい。角度θ２の測定方法は、角度θ１と同様である。
以下では、まず、積層体１０を構成する各層（支持基材１２、基板１６、シリコーン樹脂層１４）について詳述し、その後、積層体１０の製造方法について詳述する。
＜支持基材＞
支持基材１２は、基板１６を支持して補強する部材であり、例えば、ガラス板である。
支持基材１２は、ガラス製であることから、表面にヒドロキシ基を有する。
ガラスの種類は特に制限されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法は特に制限されず、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法等が挙げられる。
支持基材１２は、基板１６を支持して補強する部材であり、例えば、ガラス板である。
支持基材１２は、ガラス製であることから、表面にヒドロキシ基を有する。
ガラスの種類は特に制限されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法は特に制限されず、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法等が挙げられる。
支持基材１２の厚さは、基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。積層体１０の取り扱い性の点からは、支持基材１２の厚さは基板１６よりも厚いことが好ましい。
支持基材１２は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚さは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、支持基材１２の厚さは、１．０ｍｍ以下が好ましい。
支持基材１２は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚さは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、支持基材１２の厚さは、１．０ｍｍ以下が好ましい。
＜基板（ポリイミド樹脂基板）＞
基板１６は、ポリイミド樹脂基板である。
ポリイミド樹脂基板は、ポリイミド樹脂からなる基板であり、例えば、ポリイミドフィルムが用いられ、その市販品としては、東洋紡株式会社製の「ゼノマックス」、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス２５Ｓ」などが挙げられる。
ポリイミド樹脂基板上に電子デバイスの高精細な配線等を形成するために、ポリイミド樹脂基板の表面は平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂基板の表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
ポリイミド樹脂基板の厚さは、製造工程でのハンドリング性の観点から、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。柔軟性の観点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド樹脂基板の熱膨張係数は、電子デバイスや支持基材との熱膨張係数差が小さい方が加熱後または冷却後の積層体の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂基板と支持基材との熱膨張係数の差は、０～９０×１０-６／℃が好ましく、０～３０×１０-６／℃がより好ましい。
基板１６は、ポリイミド樹脂基板である。
ポリイミド樹脂基板は、ポリイミド樹脂からなる基板であり、例えば、ポリイミドフィルムが用いられ、その市販品としては、東洋紡株式会社製の「ゼノマックス」、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス２５Ｓ」などが挙げられる。
ポリイミド樹脂基板上に電子デバイスの高精細な配線等を形成するために、ポリイミド樹脂基板の表面は平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂基板の表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
ポリイミド樹脂基板の厚さは、製造工程でのハンドリング性の観点から、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。柔軟性の観点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド樹脂基板の熱膨張係数は、電子デバイスや支持基材との熱膨張係数差が小さい方が加熱後または冷却後の積層体の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂基板と支持基材との熱膨張係数の差は、０～９０×１０-６／℃が好ましく、０～３０×１０-６／℃がより好ましい。
基板１６の面積（第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂの面積）は、特に制限されないが、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ２以上が好ましい。
基板１６の形状も特に制限されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。基板１６には、オリエンテーションフラット（いわゆるオリフラ。基板の外周に形成された平坦部分）や、ノッチ（基板の外周縁に形成された一つまたはそれ以上のＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。
基板１６の形状も特に制限されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。基板１６には、オリエンテーションフラット（いわゆるオリフラ。基板の外周に形成された平坦部分）や、ノッチ（基板の外周縁に形成された一つまたはそれ以上のＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。
ただし、上述したように、基板１６の端面１６ｃの少なくとも一部は、第２主面１６ｂから第１主面１６ａに向かうに従い突出する傾斜面１６ｄである。端面１６ｃの全部が傾斜面１６ｄであることが好ましい。
基板１６において、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度についても、上述したとおりである。
基板１６において、傾斜面１６ｄと第１主面１６ａとのなす角度についても、上述したとおりである。
＜シリコーン樹脂層＞
シリコーン樹脂層１４は、主に、シリコーン樹脂からなる。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。硬化性シリコーンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。
シリコーン樹脂層１４は、主に、シリコーン樹脂からなる。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。硬化性シリコーンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。
シリコーン樹脂層１４の製造方法としては、基板１６の第１主面１６ａに上記シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、塗膜を形成して、塗膜中の硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層１４とすることが好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンのほかに、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、金属化合物などを含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、および、スズ（Ｓｎ）などが挙げられる。金属化合物の含有量は、特に制限されず、適宜調整される。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンのほかに、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、金属化合物などを含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、および、スズ（Ｓｎ）などが挙げられる。金属化合物の含有量は、特に制限されず、適宜調整される。
シリコーン樹脂層１４は、ヒドロキシ基を有することが好ましい。シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂を構成するＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合の一部が切れて、ヒドロキシ基が現れ得る。また、縮合反応型シリコーンを用いる場合には、そのヒドロキシ基が、シリコーン樹脂層１４のヒドロキシ基になり得る。
シリコーン樹脂層１４の厚さは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、シリコーン樹脂層１４の厚さは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上記厚さは、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層１４の厚さを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
そして、上述したように、シリコーン樹脂層１４の端面についても、基板１６の傾斜面１６ｄと連続する端面である場合には、傾斜面１６ｄと同様に傾斜した傾斜面であることが好ましい。
＜第１の実施形態の積層体の製造方法＞
第１の実施形態の積層体１０を製造する方法は、支持基材１２の表面上に、基板１６を積層させる方法が好ましい。
このとき、例えば、支持基材１２上に基板１６を積層させてから、支持基材１２上の基板１６の端部を斜めに切断（刃を傾けて切断）することにより、基板１６の傾斜面１６ｄを形成する（態様Ａ）。態様Ａの場合、支持基材１２に固定された状態で基板１６を切断するため、良好な寸法精度を得やすい。
また、あらかじめ基板１６に傾斜面１６ｄを形成しておき、傾斜面１６ｄが形成された基板１６を、支持基材１２の表面上に積層させてもよい（態様Ｂ）。態様Ｂの場合、切断した基板１６の端材（捨て材）を処理する工程を途中に設ける必要がないため、時間的な制約を受けにくい。
なお、態様Ａであっても態様Ｂであっても、支持基材１２に基板１６を積層させる前に、支持基材１２の表面上に公知のシランカップリング剤を塗布し、その後、シランカップリング剤が塗布された支持基材１２の表面上に基板１６を積層できる。
第１の実施形態の積層体１０を製造する方法は、支持基材１２の表面上に、基板１６を積層させる方法が好ましい。
このとき、例えば、支持基材１２上に基板１６を積層させてから、支持基材１２上の基板１６の端部を斜めに切断（刃を傾けて切断）することにより、基板１６の傾斜面１６ｄを形成する（態様Ａ）。態様Ａの場合、支持基材１２に固定された状態で基板１６を切断するため、良好な寸法精度を得やすい。
また、あらかじめ基板１６に傾斜面１６ｄを形成しておき、傾斜面１６ｄが形成された基板１６を、支持基材１２の表面上に積層させてもよい（態様Ｂ）。態様Ｂの場合、切断した基板１６の端材（捨て材）を処理する工程を途中に設ける必要がないため、時間的な制約を受けにくい。
なお、態様Ａであっても態様Ｂであっても、支持基材１２に基板１６を積層させる前に、支持基材１２の表面上に公知のシランカップリング剤を塗布し、その後、シランカップリング剤が塗布された支持基材１２の表面上に基板１６を積層できる。
＜第２の実施形態の積層体の製造方法＞
第２の実施形態の積層体１０を製造する方法は、基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。
具体的には、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を基板１６の第１主面１６ａに塗布し、得られた塗膜に対して硬化処理を施してシリコーン樹脂層１４を得た後、シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層して、積層体１０を製造する方法が好ましい。
第２の実施形態の積層体１０を製造する方法は、基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。
具体的には、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を基板１６の第１主面１６ａに塗布し、得られた塗膜に対して硬化処理を施してシリコーン樹脂層１４を得た後、シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層して、積層体１０を製造する方法が好ましい。
より詳細には、第２の実施形態の積層体１０を製造する方法は、硬化性シリコーンの層を基板１６の第１主面１６ａに形成し、基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成する工程（樹脂層形成工程）と、シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層して積層体１０を得る工程（積層工程）とを少なくとも有する。
以下、上記各工程の手順について詳述する。
以下、上記各工程の手順について詳述する。
（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程は、硬化性シリコーンの層を基板１６の第１主面１６ａに形成し、基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成する工程である。本工程によって、基板１６とシリコーン樹脂層１４とをこの順で備えるシリコーン樹脂層付き基板が得られる。
シリコーン樹脂層付き基板は、ロール状に巻いた基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成してから再びロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式での製造が可能であり、生産効率に優れる。
本工程において、基板１６の第１主面１６ａに硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、基板１６の第１主面１６ａに塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことにより硬化層を形成することが好ましい。
基板１６の第１主面１６ａに硬化性組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。
次いで、基板１６の第１主面１６ａにおける硬化性シリコーンを硬化させて、硬化層（シリコーン樹脂層１４）を形成する。
硬化の方法は特に制限されず、使用される硬化性シリコーンの種類によって適宜最適な処理が実施される。例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを用いる場合は、硬化処理としては熱硬化処理が好ましい。
熱硬化処理の条件は、基板１６の耐熱性の範囲内で実施され、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、通常、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
形成されるシリコーン樹脂層１４の態様は、上述した通りである。
樹脂層形成工程は、硬化性シリコーンの層を基板１６の第１主面１６ａに形成し、基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成する工程である。本工程によって、基板１６とシリコーン樹脂層１４とをこの順で備えるシリコーン樹脂層付き基板が得られる。
シリコーン樹脂層付き基板は、ロール状に巻いた基板１６の第１主面１６ａにシリコーン樹脂層１４を形成してから再びロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Roll to Roll）方式での製造が可能であり、生産効率に優れる。
本工程において、基板１６の第１主面１６ａに硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、基板１６の第１主面１６ａに塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことにより硬化層を形成することが好ましい。
基板１６の第１主面１６ａに硬化性組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。
次いで、基板１６の第１主面１６ａにおける硬化性シリコーンを硬化させて、硬化層（シリコーン樹脂層１４）を形成する。
硬化の方法は特に制限されず、使用される硬化性シリコーンの種類によって適宜最適な処理が実施される。例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを用いる場合は、硬化処理としては熱硬化処理が好ましい。
熱硬化処理の条件は、基板１６の耐熱性の範囲内で実施され、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、通常、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
形成されるシリコーン樹脂層１４の態様は、上述した通りである。
（積層工程）
積層工程は、シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層することにより積層体１０を得る工程である。積層工程は、シリコーン樹脂層付き基板と、支持基材１２とを用いて積層体１０を形成する工程である。
支持基材１２をシリコーン樹脂層１４の表面上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上に支持基材１２を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上に支持基材１２を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４に支持基材１２を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、量良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
支持基材１２を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触する支持基材１２の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。
積層工程は、シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層することにより積層体１０を得る工程である。積層工程は、シリコーン樹脂層付き基板と、支持基材１２とを用いて積層体１０を形成する工程である。
支持基材１２をシリコーン樹脂層１４の表面上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上に支持基材１２を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上に支持基材１２を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４に支持基材１２を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、量良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
支持基材１２を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触する支持基材１２の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。
（切断）
第２の実施形態の積層体１０を製造する際には、例えば、シリコーン樹脂層１４が形成された基板１６と、支持基材１２とを積層させてから、支持基材１２上の基板１６およびシリコーン樹脂層１４の端部を斜めに切断（刃を傾けて切断）することにより、基板１６の傾斜面１６ｄおよびシリコーン樹脂層１４の傾斜面１４ｄを形成する。この場合、支持基材１２に固定された状態で基板１６およびシリコーン樹脂層１４を切断するため、良好な寸法精度を得やすい。
また、あらかじめ、シリコーン樹脂層１４が形成された基板１６について、基板１６の傾斜面１６ｄおよびシリコーン樹脂層１４の傾斜面１４ｄを形成しておき、これを、支持基材１２に積層させてもよい。この場合、切断した基板１６およびシリコーン樹脂層１４の端材（捨て材）を処理する工程を途中に設ける必要がないため、時間的な制約を受けにくい。
第２の実施形態の積層体１０を製造する際には、例えば、シリコーン樹脂層１４が形成された基板１６と、支持基材１２とを積層させてから、支持基材１２上の基板１６およびシリコーン樹脂層１４の端部を斜めに切断（刃を傾けて切断）することにより、基板１６の傾斜面１６ｄおよびシリコーン樹脂層１４の傾斜面１４ｄを形成する。この場合、支持基材１２に固定された状態で基板１６およびシリコーン樹脂層１４を切断するため、良好な寸法精度を得やすい。
また、あらかじめ、シリコーン樹脂層１４が形成された基板１６について、基板１６の傾斜面１６ｄおよびシリコーン樹脂層１４の傾斜面１４ｄを形成しておき、これを、支持基材１２に積層させてもよい。この場合、切断した基板１６およびシリコーン樹脂層１４の端材（捨て材）を処理する工程を途中に設ける必要がないため、時間的な制約を受けにくい。
＜積層体の用途＞
積層体１０は、種々の用途に使用でき、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウエハ、受信センサーパネル等の電子部品を製造する用途が挙げられる。これらの用途では、積層体が大気雰囲気下にて、高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合もある。
表示装置用パネルは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等を含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネル等を含む。受信センサーパネルに用いる基板は、樹脂などの補強シートなどによって補強されていてもよい。
積層体１０は、種々の用途に使用でき、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウエハ、受信センサーパネル等の電子部品を製造する用途が挙げられる。これらの用途では、積層体が大気雰囲気下にて、高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合もある。
表示装置用パネルは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等を含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネル等を含む。受信センサーパネルに用いる基板は、樹脂などの補強シートなどによって補強されていてもよい。
＜電子デバイスの製造方法＞
積層体１０を用いて、基板１６および電子デバイス用部材２０を含む電子デバイスが製造される。
電子デバイスの製造方法は、例えば、積層体１０の基板１６の第２主面１６ｂの上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から、基板１６および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える方法である。
積層体１０を用いて、基板１６および電子デバイス用部材２０を含む電子デバイスが製造される。
電子デバイスの製造方法は、例えば、積層体１０の基板１６の第２主面１６ｂの上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から、基板１６および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える方法である。
以下では、第２の実施形態の積層体１０を用いる場合を例に挙げて、より詳細に説明するが、第１の実施形態の積層体１０を用いる場合も同様である。
電子デバイスの製造方法は、積層体１０の基板１６上に電子デバイス用部材２０を形成して電子デバイス用部材付き積層体２２を得た後、得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、シリコーン樹脂層１４と基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス（部材付き基板２４）とシリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離する方法が好ましい。
以下、電子デバイス用部材２０を形成する工程を「部材形成工程」、部材付き基板２４とシリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離する工程を「分離工程」という。
以下、電子デバイス用部材２０を形成する工程を「部材形成工程」、部材付き基板２４とシリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離する工程を「分離工程」という。
部材形成工程の途中、または、部材形成工程の後に、基板１６上の電子デバイス用部材２０について、導通チェックしてもよい。導通チェック用の配線４０は傾斜面１６ｄに沿って形成されるので（図２参照）、導通チェックの精度は良好となる。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
（部材形成工程）
部材形成工程は、積層体１０の基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図６に示すように、基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
部材形成工程は、積層体１０の基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図６に示すように、基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
（電子デバイス用部材）
電子デバイス用部材２０は、積層体１０中の基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウエハ等の電子部品、受信センサーパネル等に用いられる部材（例えば、ＬＴＰＳなどの表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路、受信センサー用部材）が挙げられ、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０１９２］に記載された太陽電池用部材、同段落［０１９３］に記載された薄膜２次電池用部材、同段落［０１９４］に記載された電子部品用回路が挙げられる。
電子デバイス用部材２０は、積層体１０中の基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウエハ等の電子部品、受信センサーパネル等に用いられる部材（例えば、ＬＴＰＳなどの表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路、受信センサー用部材）が挙げられ、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０１９２］に記載された太陽電池用部材、同段落［０１９３］に記載された薄膜２次電池用部材、同段落［０１９４］に記載された電子部品用回路が挙げられる。
（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に制限されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１０の基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
電子デバイス用部材２０は、基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚のシリコーン樹脂層付き支持基材１８を剥離して、２枚の部材付き基板２４を製造することもできる。
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に制限されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１０の基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
電子デバイス用部材２０は、基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚のシリコーン樹脂層付き支持基材１８を剥離して、２枚の部材付き基板２４を製造することもできる。
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層体１０の基板１６のシリコーン樹脂層１４側とは反対側の表面（第２主面１６ｂ）上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行なわれる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
（分離工程）
分離工程は、図７に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、シリコーン樹脂層１４と基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層した基板１６（部材付き基板２４）と、シリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離して、電子デバイス用部材２０および基板１６を含む部材付き基板２４（電子デバイス）を得る工程である。
分離工程は、図７に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、シリコーン樹脂層１４と基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層した基板１６（部材付き基板２４）と、シリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離して、電子デバイス用部材２０および基板１６を含む部材付き基板２４（電子デバイス）を得る工程である。
剥離された基板１６上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材を基板１６上に形成することもできる。
基板１６とシリコーン樹脂層１４とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。
好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２を、支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物状のものを基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に侵入させる。その後、支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物状のものを差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、シリコーン樹脂層付き支持基材１８を容易に剥離できる。
好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２を、支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物状のものを基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に侵入させる。その後、支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物状のものを差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、シリコーン樹脂層付き支持基材１８を容易に剥離できる。
電子デバイス用部材付き積層体２２から部材付き基板２４を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１４の欠片が部材付き基板２４に静電吸着することをより抑制できる。
上述した電子デバイス（部材付き基板２４）の製造方法は、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０２１０］に記載された表示装置の製造に好適であり、部材付き基板２４としては、例えば、同段落［０２１１］に記載されたものが挙げられる。
上述した電子デバイス（部材付き基板２４）の製造方法は、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０２１０］に記載された表示装置の製造に好適であり、部材付き基板２４としては、例えば、同段落［０２１１］に記載されたものが挙げられる。
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
以下では、支持基材として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（線膨張係数３８×１０-７／℃、ＡＧＣ株式会社製 商品名「ＡＮ１００」）を使用した。積層前のガラス板の表面には、顕微赤外分光分析により、ヒドロキシ基（ＯＨ基）が存在することが確認された。
また、以下では、基板（ポリイミド樹脂基板）として、ポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）を使用した。
以下、例１～例２は実施例であり、例３は比較例である。
また、以下では、基板（ポリイミド樹脂基板）として、ポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）を使用した。
以下、例１～例２は実施例であり、例３は比較例である。
＜例１＞
（硬化性シリコーン１の調製）
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１の組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。
なお、Ｍ単位は、（Ｒ）3ＳｉＯ1/2で表される１官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｄ単位は、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される２官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｔ単位は、ＲＳｉＯ3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される３官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｍ単位、Ｄ単位およびＴ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ－ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算した。
（硬化性シリコーン１の調製）
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１の組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。
なお、Ｍ単位は、（Ｒ）3ＳｉＯ1/2で表される１官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｄ単位は、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される２官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｔ単位は、ＲＳｉＯ3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される３官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｍ単位、Ｄ単位およびＴ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ－ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算した。
（硬化性組成物１の調製）
硬化性シリコーン１に、Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（CAS No. 68478-92-2）を白金元素の含有量が６０ｐｐｍとなるように加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａ（２００ｇ）と、２－エチルヘキサン酸ビスマス（「プキャット２５」、日本化学産業株式会社製、金属含有率２５％）（０．０８ｇ）と、溶媒としてジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業株式会社製）（８４．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物１を得た。
硬化性シリコーン１に、Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（CAS No. 68478-92-2）を白金元素の含有量が６０ｐｐｍとなるように加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａ（２００ｇ）と、２－エチルヘキサン酸ビスマス（「プキャット２５」、日本化学産業株式会社製、金属含有率２５％）（０．０８ｇ）と、溶媒としてジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業株式会社製）（８４．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物１を得た。
（積層体の作製）
調製した硬化性組成物１を、ポリイミド樹脂基板としての厚さ０．０３８ｍｍのポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）に塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層を形成した。シリコーン樹脂層の厚さは、１０μｍであった。
続いて、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＧＣ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した２００×２００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ１００」（支持基材）をシリコーン樹脂層上に置き、貼合装置を用いて貼り合わせ、積層体を作製した。
なお、顕微赤外分光分析により硬化後のシリコーン樹脂層にヒドロキシ基（ＯＨ基）が存在することを確認した。
調製した硬化性組成物１を、ポリイミド樹脂基板としての厚さ０．０３８ｍｍのポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）に塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層を形成した。シリコーン樹脂層の厚さは、１０μｍであった。
続いて、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＧＣ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した２００×２００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ１００」（支持基材）をシリコーン樹脂層上に置き、貼合装置を用いて貼り合わせ、積層体を作製した。
なお、顕微赤外分光分析により硬化後のシリコーン樹脂層にヒドロキシ基（ＯＨ基）が存在することを確認した。
（傾斜面の形成）
作製した積層体において、支持基材（ガラス板）上のポリイミド樹脂基板およびシリコーン樹脂層の端部を、刃物を傾けて斜めに切断することにより、傾斜面を形成した。ポリイミド樹脂基板の傾斜面と、シリコーン樹脂層の傾斜面とを、互いに連続した連続面とした。ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２を、ともに１０°とした。
作製した積層体において、支持基材（ガラス板）上のポリイミド樹脂基板およびシリコーン樹脂層の端部を、刃物を傾けて斜めに切断することにより、傾斜面を形成した。ポリイミド樹脂基板の傾斜面と、シリコーン樹脂層の傾斜面とを、互いに連続した連続面とした。ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２を、ともに１０°とした。
＜例２＞
ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２をともに６０°とした。これ以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２をともに６０°とした。これ以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
＜例３＞
ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２をともに９０°とした。これ以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２をともに９０°とした。これ以外は、例１と同様にして、積層体を作製した。
＜評価＞
作製した積層体を用いて、以下の評価を行なった。評価結果を下記表１に示す。
作製した積層体を用いて、以下の評価を行なった。評価結果を下記表１に示す。
（導通チェック）
作製した積層体において、ポリイミド樹脂基板の第２主面上に形成される電子デバイス用部材の導通チェックを模擬した試験を行なった。
具体的には、ポリイミド樹脂基板の第２主面、ポリイミド樹脂基板の傾斜面（例３では傾斜面ではない垂直面である端面）、および、支持基材（ガラス板）の表面に連続して沿う線状の配線（金属種：Ａｌ／Ｎｄ合金、線幅：１００μｍ、厚さ：５０ｎｍ）を、積層体ごとに１００本ずつ形成した。
各配線について、市販のテスタを用いて導通チェックを行なった。全ての配線で導通が確認された場合には「Ａ」を、配線が１本でも導通しなかった場合には「Ｂ」を、下記表１に記載した。
「Ａ」であれば、実際に、ポリイミド樹脂基板の第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、この電子デバイス用部材から延びる配線をスパッタ等により形成して導通チェックを行なう場合にも、精度良く行なうことができると評価できる。
作製した積層体において、ポリイミド樹脂基板の第２主面上に形成される電子デバイス用部材の導通チェックを模擬した試験を行なった。
具体的には、ポリイミド樹脂基板の第２主面、ポリイミド樹脂基板の傾斜面（例３では傾斜面ではない垂直面である端面）、および、支持基材（ガラス板）の表面に連続して沿う線状の配線（金属種：Ａｌ／Ｎｄ合金、線幅：１００μｍ、厚さ：５０ｎｍ）を、積層体ごとに１００本ずつ形成した。
各配線について、市販のテスタを用いて導通チェックを行なった。全ての配線で導通が確認された場合には「Ａ」を、配線が１本でも導通しなかった場合には「Ｂ」を、下記表１に記載した。
「Ａ」であれば、実際に、ポリイミド樹脂基板の第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、この電子デバイス用部材から延びる配線をスパッタ等により形成して導通チェックを行なう場合にも、精度良く行なうことができると評価できる。
（剥離性）
作製した積層体において、ポリイミド樹脂基板と支持基材（ガラス板）との間に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製の刃物を差し込む作業を１０回行なった。なお、刃物を差し込む位置は、各回で異ならせた。
全ての作業回で刃物がポリイミド樹脂基板と支持基材との間に入り込んだ場合には「Ａ」を、１回でも刃物がポリイミド樹脂基板と支持基材との間に入り込まなかった場合には「Ｂ」を下記表１に記載した。
「Ａ」であれば、支持基材からポリイミド樹脂基板を分離（剥離）する際に、支持基材とポリイミド樹脂基板との間に刃物を差し込みやすく、剥離性に優れると評価できる。
作製した積層体において、ポリイミド樹脂基板と支持基材（ガラス板）との間に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製の刃物を差し込む作業を１０回行なった。なお、刃物を差し込む位置は、各回で異ならせた。
全ての作業回で刃物がポリイミド樹脂基板と支持基材との間に入り込んだ場合には「Ａ」を、１回でも刃物がポリイミド樹脂基板と支持基材との間に入り込まなかった場合には「Ｂ」を下記表１に記載した。
「Ａ」であれば、支持基材からポリイミド樹脂基板を分離（剥離）する際に、支持基材とポリイミド樹脂基板との間に刃物を差し込みやすく、剥離性に優れると評価できる。
＜評価結果のまとめ＞
上記表１に示すように、例１～例２では、導通チェックの精度は良好であったが、例３では、導通チェックの精度は不十分であった。
上記表１に示すように、例１～例２では、導通チェックの精度は良好であったが、例３では、導通チェックの精度は不十分であった。
例１～例２を対比すると、ポリイミド樹脂基板における傾斜面と第１主面とのなす角度θ１、および、シリコーン樹脂層における傾斜面と第１主面とのなす角度θ２が６０°である例２は、同角度が１０°である例１よりも、剥離性が良好であった。
１０ 積層体
１２ 支持基材
１４ シリコーン樹脂層
１４ａ シリコーン樹脂層の第１主面
１４ｂ シリコーン樹脂層の第２主面
１４ｄ シリコーン樹脂層の傾斜面
１６ 基板（ポリイミド樹脂基板）
１６ａ 基板の第１主面
１６ｂ 基板の第２主面
１６ｃ 基板の端面
１６ｄ 基板の傾斜面
１８ シリコーン樹脂層付き支持基材
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 部材付き基板（電子デバイス）
４０ 配線
１２ 支持基材
１４ シリコーン樹脂層
１４ａ シリコーン樹脂層の第１主面
１４ｂ シリコーン樹脂層の第２主面
１４ｄ シリコーン樹脂層の傾斜面
１６ 基板（ポリイミド樹脂基板）
１６ａ 基板の第１主面
１６ｂ 基板の第２主面
１６ｃ 基板の端面
１６ｄ 基板の傾斜面
１８ シリコーン樹脂層付き支持基材
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 部材付き基板（電子デバイス）
４０ 配線
Claims (5)
- ガラス製の支持基材と、前記支持基材の上に配置されるシリコーン樹脂層と、前記シリコーン樹脂層上に配置されるポリイミド樹脂基板と、を備え、
前記シリコーン樹脂層は、前記支持基材側の第１主面と、前記ポリイミド樹脂基板側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とに接続する端面とを有し、
前記ポリイミド樹脂基板は、前記シリコーン樹脂層側の第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とに接続する端面とを有し、
前記シリコーン樹脂層の前記端面と前記ポリイミド樹脂基板の前記端面は同一平面を形成し、
前記同一平面を形成する前記シリコーン樹脂層の前記端面と前記ポリイミド樹脂基板の前記端面は、前記ポリイミド樹脂基板の前記第２主面から前記シリコーン樹脂層の前記第１主面に向かうに従い突出する傾斜面である、積層体。 - 前記傾斜面と、前記シリコーン樹脂層の前記第１主面とのなす角度が、１０°以上である、請求項１に記載の積層体。
- 前記支持基材の厚さが、０．３ｍｍ以上である、請求項１または２に記載の積層体。
- 請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の前記ポリイミド樹脂基板の前記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成する工程と、
前記電子デバイス用部材から外部に延びる配線をスパッタまたは蒸着により形成する工程と、
前記配線をテスタに接続し、前記電子デバイス用部材の導通チェックを行なう工程と、
を備え、
前記配線は、前記電子デバイス用部材から延びて、前記ポリイミド樹脂基板の前記第２主面、前記ポリイミド樹脂基板の前記傾斜面、前記シリコーン樹脂層の前記傾斜面、および、前記支持基材の表面に沿って形成される、導通チェック方法。 - 請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の前記ポリイミド樹脂基板の前記第２主面の上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記ポリイミド樹脂基板および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
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| JP2015104843A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 積層体とその製造方法、及び該積層体を用いた電子デバイスの製造方法 |
| CN106489121B (zh) * | 2014-09-08 | 2019-07-30 | 富士胶片株式会社 | 触摸面板用导电膜及触摸面板 |
| CN116330766A (zh) * | 2016-12-28 | 2023-06-27 | Ａｇｃ株式会社 | 层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法 |
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- 2018-10-31 JP JP2018204918A patent/JP7103163B2/ja active Active
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| WO2019142750A1 (ja) | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Ａｇｃ株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイスの製造方法 |
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