KR20230148116A - 적층체, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체, 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

적층체, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체, 전자 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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KR20230148116A
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가즈오 야마다
슈마 가와사키
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 지지 기판과, 상기 지지 기판 상의 적어도 일부 영역에 배치된 적층부를 갖는 적층체이며, 상기 적층부가, 상기 지지 기판측으로부터, 밀착층과, 폴리이미드층과, 무기층을 이 순으로 갖고, 상기 적층체 표면의 법선 방향에서 상기 적층체를 관찰했을 때, 상기 폴리이미드층의 외연이 상기 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한, 상기 무기층의 외연이 상기 밀착층의 외연과 일치하거나, 또는, 상기 무기층의 외연이 상기 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하거나, 또는, 상기 무기층의 외연의 일부가 상기 밀착층의 외연의 일부와 일치하고, 상기 무기층의 외연의 잔부가 상기 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하는 적층체에 관한 것이다.

Description

적층체, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체, 전자 디바이스의 제조 방법{LAMINATE, LAMINATE WITH MEMBER FOR ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 적층체, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지(PV); 액정 패널(LCD); 유기 EL 패널(OLED); 전자파, X선, 자외선, 가시광선, 적외선 등을 감지하는 수신 센서 패널; 등의 전자 디바이스의 박형화, 경량화가 진행되고 있다. 그것에 수반하여, 전자 디바이스에 사용하는 폴리이미드 기판 등의 기판의 박판화도 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강도가 부족하면, 기판의 핸들링성이 저하되어, 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정 등에서 문제가 생기는 경우가 있다.
그래서, 최근에는, 기판의 핸들링성을 양호하게 하기 위해서, 지지 기판 상에 폴리이미드 기판을 배치한 적층체를 사용하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1). 보다 구체적으로는, 특허문헌 1에서는, 열경화성 수지 조성물 경화체층 상에 폴리이미드 바니시를 도포하여, 수지 바니시 경화 필름(폴리이미드층에 해당)을 형성하고, 수지 바니시 경화 필름 상에 정밀 소자를 배치할 수 있는 것이 개시되어 있다.
즉, 특허문헌 1에는, 폴리이미드 바니시를 사용하여 폴리이미드층을 형성하고, 그 폴리이미드층 상에 정밀 소자(전자 디바이스에 해당)를 배치하는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 2018-193544호 공보
폴리이미드층 상에 전자 디바이스를 배치할 때, 폴리이미드층 상에 무기층을 배치한 후, 무기층 상에 전자 디바이스를 배치하는 시도가 이루어져 있다. 무기층은, 가스 배리어성이 우수하기 때문에, 전자 디바이스의 성능 유지 향상이 기대된다.
본 발명자가 특허문헌 1에 기재되는 기술로 열경화성 수지 조성물 경화체층인 밀착층 상에 폴리이미드층을 배치하고, 또한 폴리이미드층 상에 무기층을 배치하여 얻어지는 적층체의 특성에 대하여 검토한 결과, 적층체에 대하여 가열 처리(특히, 380℃ 정도의 온도에서의 가열 처리)를 실시하면, 폴리이미드층에서 발포 및 크랙의 발생이 확인되는 경우가 있었다. 이러한 발포 또는 크랙의 발생이 있으면, 전자 디바이스를 제조하는 공정에서 공정 오염을 야기하여, 전자 디바이스의 성능 열화를 야기할 우려가 있다.
본 발명은 가열 처리가 실시되었을 때, 폴리이미드층에서 발포 및 크랙의 발생이 억제된, 지지 기판, 밀착층, 폴리이미드층 및 무기층을 포함하는 적층체를 제공하는 것을 과제로 한다.
또한, 본 발명은 전자 디바이스용 부재 구비 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것도 과제로 한다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 이하의 구성에 의해 상술한 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다.
(1) 지지 기판과,
지지 기판 상의 적어도 일부 영역에 배치된 적층부를 갖는 적층체이며,
적층부가, 지지 기판측으로부터, 밀착층과, 폴리이미드층과, 무기층을 이 순으로 갖고,
적층체 표면의 법선 방향에서 적층체를 관찰했을 때,
폴리이미드층의 외연이 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한,
무기층의 외연이 밀착층의 외연과 일치하거나, 또는, 무기층의 외연이 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하거나, 또는, 무기층의 외연의 일부가 밀착층의 외연의 일부와 일치하고, 무기층의 외연의 잔부가 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하는, 적층체.
(2) 밀착층이, 실리콘 수지층인, (1)에 기재된 적층체.
(3) 무기층이, Si를 포함하는 질화물, 또는, Si를 포함하는 산화물을 포함하는, (1) 또는 (2)에 기재된 적층체.
(4) 지지 기판 상에 적층부가 2개 이상 배치되어 있는, (1) 내지 (3)의 어느 것에 기재된 적층체.
(5) 지지 기판이 유리 기판인, (1) 내지 (4)의 어느 것에 기재된 적층체.
(6) (1) 내지 (5)의 어느 것에 기재된 적층체와,
적층체 중의 무기층 상에 배치되는 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스용 부재 구비 적층체.
(7) (1) 내지 (5)의 어느 것에 기재된 적층체의 무기층 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,
전자 디바이스용 부재 구비 적층체로부터, 폴리이미드층, 무기층 및 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 가열 처리가 실시되었을 때, 폴리이미드층에서 발포 및 크랙의 발생이 억제된, 지지 기판, 밀착층, 폴리이미드층 및 무기층을 포함하는 적층체를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 폴리이미드층에서 발포 및 크랙이 발생하는 적층체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 적층체의 제1 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 적층체의 제1 실시 형태의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 적층체의 제2 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시하는 적층체의 제2 실시 형태의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 적층체의 제3 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시하는 적층체의 제3 실시 형태의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 적층체의 다른 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 부재 형성 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 절단 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 분리 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 예 11 및 12의 적층체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 13은 예 13 및 14의 적층체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 14는 예 15 및 16의 적층체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 단, 이하의 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시적인 것이며, 이하에 기재하는 실시 형태에 제한되지는 않는다. 또한, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
「내지」를 사용하여 표현되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 발명의 적층체의 특징점으로서는, 밀착층, 폴리이미드층 및 무기층의 배치 위치를 조정하고 있는 점을 들 수 있다.
본 발명자는, 폴리이미드층에서 발포 및 크랙의 발생이 보이는 원인에 대하여 검토한 결과, 밀착층 상에 위치하는 폴리이미드층에서는 발포 및 크랙이 생기지 않지만, 밀착층 상에 위치하지 않고, 또한, 무기층으로 덮힌 폴리이미드층에서는 발포 및 크랙이 생기는 것을 알아내었다.
보다 구체적으로는, 도 1에 도시하는 적층체(100)는, 지지 기판(102)과, 적층부(104)를 갖고, 적층부(104)는, 지지 기판(102)측으로부터, 밀착층(106), 폴리이미드층(108), 무기층(110)이 이 순으로 배치되어 있다. 적층체(100)에서는, 폴리이미드층(108)이 밀착층(106)을 덮도록 배치되어 있고, 적층체(100) 표면의 법선 방향(도 1 중의 백색 화살표 방향. 적층체의 각 부재의 적층 방향에 해당)에서 적층체(100)를 관찰했을 때, 폴리이미드층(108)의 외연이 밀착층(106)의 외연보다도 외측에 위치하고 있다. 또한, 무기층(110)은, 폴리이미드층(108)의 전체면을 덮도록 배치되어 있다. 이러한 적층체(100)에 대하여 가열 처리를 실시하면, 파선으로 둘러싼, 지지 기판(102) 상에 위치하고, 무기층(110)으로 덮인, 폴리이미드층(108)의 영역에서 발포 및 크랙이 발생하였다. 한편, 밀착층(106) 상에 위치하는 폴리이미드층(108)의 영역에서는, 발포 및 크랙의 발생이 보이지 않았다. 상기 현상이 일어나는 이유의 상세는 불분명하지만, 밀착층(106)이 있음으로써 폴리이미드층(108)의 내열성이 향상되는, 또는, 폴리이미드층(108)에 포함되는 수분이 밀착층(106)에 흡수되어, 발포 및 크랙이 억제되는 것 등을 생각할 수 있다. 상기한 바와 같이 밀착층(106) 상에 위치하지 않고, 무기층(110)으로 덮인, 폴리이미드층(108)의 영역에서, 발포 및 크랙의 발생이 보인다.
그래서, 본 발명에서는, 후술하는 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 밀착층에 대한 무기층의 배치 영역을 조정함으로써, 상기와 같은 문제의 발생을 억제할 수 있음을 지견하였다. 특히, 적층체에 가열 처리를 실시했을 때, 폴리이미드층에 포함되는 수분 등의 휘발성 성분이 적층체의 밖으로 휘발할 수 있도록, 폴리이미드층 상의 무기층의 배치 영역을 조정하고 있다.
<적층체>
도 2는, 본 발명의 적층체의 제1 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
적층체(10A)는, 지지 기판(12)과, 지지 기판(12)의 일부 영역에 배치된 적층부(14A)를 갖는다. 적층부(14A)는, 지지 기판(12)측으로부터, 밀착층(16)과, 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)이 이 순으로 배치되어 있다.
도 3은, 적층체(10A) 표면의 법선 방향(도 2 중의 백색 화살표 방향. 적층체의 각 부재의 적층 방향에 해당하고, 적층체의 두께 방향에도 해당함)에서 적층체(10A)를 관찰했을 때(적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 평면으로 보았을 때)의 적층체(10A)의 평면도이다. 적층체(10A) 표면의 법선 방향(도 2 중의 백색 화살표 방향)에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 도 3에 도시한 바와 같이, 적층체(10A)에서는, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한, 무기층(20)의 외연이 밀착층(16)의 외연과 일치하고 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 폴리이미드층(18)의 외연이, 밀착층(16)의 외연으로 둘러싸인 영역보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연 위치와 밀착층(16)의 외연 위치가 중복되어 있다.
이러한 적층체(10A)에서는, 가열 처리를 실시한 후에도, 폴리이미드층(18)에서 발포 및 크랙의 발생이 억제된다.
제1 실시 형태에서는, 폴리이미드층(18)의 외연은, 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고 있으면 되며, 폴리이미드층(18)의 외연은 밀착층(16)의 외연으로부터 1㎜ 이상 이격되어 위치하는 것이 바람직하고, 3 내지 10㎜ 이격되어 위치하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 밀착층(16)의 외연 상의 점으로부터 가장 근접한 위치에 있는 폴리이미드층(18)의 외연 위치까지의 거리(D1)가 1㎜ 이상인 것이 바람직하고, 3 내지 10㎜인 것이 보다 바람직하다.
도 3에서는, 폴리이미드층(18)은 지지 기판(12)의 일부 영역에 배치되어 있지만, 지지 기판(12)의 전체면에 배치되어 있어도 된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 밀착층(16), 폴리이미드층(18) 및 무기층(20)의 형상은 사각 형상이지만, 그 형상은 상기 관계를 충족하고 있으면 특별히 제한되지 않는다.
또한, 적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 밀착층(16), 폴리이미드층(18)의 형상은, 상사 형상인 것이 바람직하다.
또한, 적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 밀착층(16)의 무게 중심, 폴리이미드층(18)의 무게 중심, 및 무기층(20)의 무게 중심은 일치하고 있지만, 이 형태에 한정되지는 않고, 본 발명의 적층체에서는 각 층의 무게 중심은 일치하지 않아도 된다.
또한, 폴리이미드층(18)은 무색 및 유색의 어느 것이어도 되며, 폴리이미드층(18)이 유색이고, 또한, 폴리이미드층(18)으로 덮인 밀착층(16)의 외연의 위치를 폴리이미드층(18)을 통하여 확인할 수 없는 경우에는, 적층체(10A)를 절단하여 그 단면을 관찰해서 밀착층(16)의 외연의 위치를 확인해도 된다. 적층체(10A)를 절단하여 그 단면을 관찰하는 것 이외에도, 필요에 따라, 폴리이미드층(18)을 깎아서, 밀착층(16)의 외연의 위치를 확인해도 된다.
또한, 무기층(20)은 무색 및 유색의 어느 것이어도 되며, 무기층(20)이 유색이고, 또한, 무기층(20)의 존재에 의해 밀착층(16)의 외연의 위치 및/또는 폴리이미드층(18)의 외연의 위치를 확인할 수 없는 경우에는, 적층체(10A)를 절단하여 그 단면을 관찰해서 밀착층(16) 및 폴리이미드층(18)의 외연의 위치를 확인해도 된다. 적층체(10A)를 절단하여 그 단면을 관찰하는 것 이외에도, 필요에 따라, 무기층(20)을 깎아서, 밀착층(16)이나 폴리이미드층(18)의 외연의 위치를 확인해도 된다.
적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 지지 기판(12)의 면적에 대한 밀착층(16)의 면적 비율은, 80 내지 99％가 바람직하고, 85 내지 98％가 보다 바람직하다. 적층체(10A) 표면의 법선 방향에서 적층체(10A)를 관찰했을 때, 지지 기판(12)의 면적에 대한 폴리이미드층(18)의 면적 비율은, 90 내지 100％가 바람직하고, 95 내지 100％가 보다 바람직하다.
도 4는, 본 발명의 적층체의 제2 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
적층체(10B)는, 지지 기판(12)과, 지지 기판(12)의 일부 영역에 배치된 적층부(14B)를 갖는다. 적층부(14B)는, 지지 기판(12)측으로부터, 밀착층(16)과, 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)이 이 순으로 배치되어 있다.
도 5는, 적층체(10B) 표면의 법선 방향(도 4 중의 백색 화살표 방향)에서 적층체(10B)를 관찰했을 때의 적층체(10B)의 평면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 적층체(10B)에서는, 적층체(10B) 표면의 법선 방향에서 적층체(10B)를 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한, 무기층(20)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 내측에 위치한다.
도 2에 도시하는 제1 실시 형태와, 도 4에 도시하는 제2 실시 형태는, 무기층의 배치 위치 이외에는 동일한 구성을 갖는다. 즉, 제2 실시 형태에서의, 폴리이미드층(18)의 외연과 밀착층(16)의 외연의 위치 관계는, 제1 실시 형태에서의, 폴리이미드층(18)의 외연과 밀착층(16)의 외연의 위치 관계와 동일하고, 도 5에 도시하는 D1의 크기의 적합 범위는, 도 3에 도시하는 D1의 크기의 적합 범위와 동일하다. 또한, 제2 실시 형태에서의, 지지 기판(12)의 면적에 대한 밀착층(16)의 면적의 비 및 지지 기판(12)의 면적에 대한 폴리이미드층(18)의 면적의 비의 적합 범위는, 제1 실시 형태에서 설명한 각 항목의 적합 범위와 동일하다.
도 4에 도시하는 적층체(10B)에서는, 무기층(20)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 내측에 위치한다. 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, 무기층(20)의 외연이, 밀착층(16)의 외연과 중복되지 않고, 밀착층(16)의 외연으로 둘러싸인 영역 내부에 위치한다.
또한, 적층체(10B) 표면의 법선 방향에서 적층체(10B)를 관찰했을 때, 밀착층(16)의 무게 중심, 폴리이미드층(18)의 무게 중심, 및 무기층(20)의 무게 중심은 일치하고 있지만, 이 형태에 한정되지는 않고, 본 발명의 적층체에서는 각 층의 무게 중심은 일치하지 않아도 된다.
제2 실시 형태에서는, 무기층(20)의 외연은, 밀착층(16)의 외연보다도 내측에 위치하고 있으면 되며, 무기층(20)의 외연은 밀착층(16)의 외연으로부터 1㎜ 이상 이격되어 위치하는 것이 바람직하고, 2 내지 10㎜ 이격되어 위치하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, 적층체(10B) 표면의 법선 방향에서 적층체(10B)를 관찰했을 때, 무기층(20)의 외연 상의 점으로부터 가장 근접한 위치에 있는 밀착층(16)의 외연의 위치까지의 거리(D2)가 1㎜ 이상인 것이 바람직하고, 2 내지 10㎜인 것이 보다 바람직하다.
적층체(10B) 표면의 법선 방향에서 적층체(10B)를 관찰했을 때, 밀착층(16)의 면적에 대한 무기층(20)의 면적 비율은, 90％ 이상 100％ 미만이 바람직하고, 95％ 이상 100％ 미만이 보다 바람직하다.
도 5에 도시한 바와 같이, 밀착층(16), 폴리이미드층(18) 및 무기층(20)의 형상은 사각 형상이지만, 그 형상은 상기 관계를 충족하고 있으면 특별히 제한되지 않는다.
또한, 적층체(10B) 표면의 법선 방향에서 적층체(10B)를 관찰했을 때, 밀착층(16), 폴리이미드층(18) 및 무기층(20)의 형상은, 상사 형상인 것이 바람직하다.
도 6은, 본 발명의 적층체의 제3 실시 형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
적층체(10C)는, 지지 기판(12)과, 지지 기판(12)의 일부 영역에 배치된 적층부(14C)를 갖는다. 적층부(14C)는, 지지 기판(12)측으로부터, 밀착층(16)과, 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)이 이 순으로 배치되어 있다.
도 7은, 적층체(10C) 표면의 법선 방향(도 6 중의 백색 화살표 방향)에서 적층체(10C)를 관찰했을 때의 적층체(10C)의 평면도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 적층체(10C)에서는, 적층체(10C) 표면의 법선 방향에서 적층체(10C)를 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한, 무기층(20)의 외연의 일부가 밀착층(16)의 외연의 일부와 일치하고, 무기층(20)의 외연의 잔부가 밀착층(16)의 외연보다도 내측에 위치한다.
도 2에 도시하는 제1 실시 형태와, 도 6에 도시하는 제3 실시 형태는, 무기층의 배치 위치 이외에는 동일한 구성을 갖는다. 즉, 제3 실시 형태에서의, 폴리이미드층(18)의 외연과 밀착층(16)의 외연의 위치 관계는, 제1 실시 형태에서의, 폴리이미드층(18)의 외연과 밀착층(16)의 외연의 위치 관계와 동일하고, 도 7에 도시하는 D1의 크기의 적합 범위는, 도 3에 도시하는 D1의 크기의 적합 범위와 동일하다. 또한, 제3 실시 형태에서의, 지지 기판(12)의 면적에 대한 밀착층(16)의 면적의 비 및 지지 기판(12)의 면적에 대한 폴리이미드층(18)의 면적의 비의 적합 범위는, 제1 실시 형태에서 설명한 각 항목의 적합 범위와 동일하다.
도 6에 도시하는 적층체(10C)에서는, 무기층(20)의 외연의 일부가 밀착층(16)의 외연과 일치하고, 무기층(20)의 외연의 잔부가 밀착층(16)의 외연보다도 내측에 위치한다. 즉, 도 7에 도시하는 바와 같이, 무기층(20)의 외연의 일부와 밀착층(16)의 외연의 일부가 중복되어 있고, 무기층(20)의 외연의 잔부가, 밀착층(16)의 외연과 중복되지 않고, 밀착층(16)의 외연으로 둘러싸이는 영역 내부에 위치한다. 도 7에서는, 사각 형상의 무기층(20)의 외연을 구성하는 4변 중 3변이 밀착층(16)의 외연의 일부와 중복되고, 무기층(20)의 외연을 구성하는 4변 중 나머지 1변이 밀착층(16)의 외연으로 둘러싸이는 영역 내부에 위치한다.
무기층(20)의 외연과 밀착층(16)의 외연 중 서로 일치하는 범위는 특별히 제한되지 않는다.
적층체(10C) 표면의 법선 방향에서 적층체(10C)를 관찰했을 때, 밀착층(16)의 면적에 대한 무기층(20)의 면적 비율은, 90％ 이상 100％ 미만이 바람직하고, 95％ 이상 100％ 미만이 보다 바람직하다.
또한, 도 2 내지 7에서는, 지지 기판 상에 1개의 적층부가 배치된 형태를 나타냈지만, 지지 기판 상에 배치되는 적층부는 2개 이상이어도 된다. 예를 들어, 도 8에 도시하는 바와 같이, 적층체(10D)는, 지지 기판(12)과, 지지 기판(12)의 일부 영역에 배치된, 2개의 적층부(14A)를 갖는다. 적층부(14A)는, 제1 실시 형태에서 설명한 구성을 갖는다.
적층체가 복수의 적층부를 갖는 경우, 그 수는 특별히 제한되지 않으며, 2 내지 16이 바람직하고, 2 내지 4가 보다 바람직하다.
이하에서는, 상기 적층체를 구성하는 각 부재에 대하여 상세하게 설명한다.
(지지 기판)
지지 기판은, 적층부를 지지하여 보강하는 부재이다.
지지 기판으로서는, 예를 들어, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속판(예를 들어, SUS판)을 들 수 있다. 그 중에서도, 유리 기판이 바람직하다.
유리 기판을 구성하는 유리로서는, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량％인 유리가 바람직하다.
유리 기판으로서 보다 구체적으로는, 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리 기판(AGC 가부시키가이샤 제조 상품명 「AN100」)을 들 수 있다.
유리 기판의 제조 방법은, 통상적으로 유리 원료를 용융하여, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어, 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법을 들 수 있다.
지지 기판의 형상(주면의 형상)은 특별히 제한되지 않지만, 직사각 형상이 바람직하다.
지지 기판은, 플렉시블하지 않은 것이 바람직하다. 그 때문에, 지지 기판의 두께는, 0.3㎜ 이상이 바람직하고, 0.5㎜ 이상이 보다 바람직하다.
한편, 지지 기판의 두께는, 1.0㎜ 이하가 바람직하다.
(밀착층)
밀착층은, 지지 기판과 폴리이미드층의 사이에 배치되어, 그 위에 배치되는 폴리이미드층의 박리를 방지하기 위한 층이다. 즉, 밀착층은, 지지 기판과 폴리이미드층의 밀착성을 담보하기 위한 층이다.
밀착층은, 유기층이어도, 무기층이어도 된다.
유기층의 재질로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지, 불소 수지를 들 수 있다. 또한, 몇몇 종류의 수지를 혼합하여 밀착층을 구성할 수도 있다.
무기층의 재질로서는, 예를 들어, 산화물, 질화물, 산질화물, 탄화물, 탄질화물, 규화물, 불화물, 금속(반금속을 포함함)을 들 수 있다. 산화물(바람직하게는, 금속 산화물), 질화물(바람직하게는, 금속 질화물), 산질화물(바람직하게는, 금속 산질화물)로서는, 예를 들어, Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Y, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In 및 Ba에서 선택되는 1종 이상의 원소의 산화물, 질화물, 산질화물을 들 수 있다. 그 중에서도, Si(규소 원자)를 포함하는 질화물(예를 들어, 질화규소), 또는 Si를 포함하는 산화물(예를 들어, 산화규소)이 바람직하다.
탄화물(바람직하게는, 금속 탄화물), 탄질화물(바람직하게는, 금속 탄질화물)로서는, 예를 들어, Ti, W, Si, Zr 및 Nb에서 선택되는 1종 이상의 원소의 탄화물, 탄질화물을 들 수 있다.
규화물(바람직하게는, 금속 규화물)로서는, 예를 들어, Mo, W 및 Cr에서 선택되는 1종 이상의 원소의 규화물을 들 수 있다.
불화물(바람직하게는, 금속 불화물)로서는, 예를 들어, Mg, Y, La 및 Ba에서 선택되는 1종 이상의 원소의 불화물을 들 수 있다.
밀착층은, 플라스마 중합막이어도 된다.
밀착층이 플라스마 중합막일 경우, 플라스마 중합막을 형성하는 재료는, CF4, CHF3, C2F6, C3F6, C2F2, CH3F, C4F8 등의 플루오로카본 모노머, 메탄, 에탄, 프로판, 에틸렌, 프로필렌, 아세틸렌, 벤젠, 톨루엔 등의 하이드로카본 모노머, 수소, SF6 등을 들 수 있다.
밀착층은, 아몰퍼스 실리콘층이어도 된다.
그 중에서도, 내열성이나 박리성의 점에서, 밀착층의 재질로서, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지가 바람직하고, 실리콘 수지가 보다 바람직하고, 축합 경화형 실리콘으로 형성되는 실리콘 수지가 보다 바람직하다.
이하에서는, 밀착층이 실리콘 수지층인 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
실리콘 수지란, 소정의 오르가노실록시 단위를 포함하는 수지이며, 통상적으로 경화성 실리콘을 경화시켜서 얻어진다. 경화성 실리콘은, 그 경화 기구에 따라 부가 경화형 실리콘, 축합 경화형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되는데, 모두 사용할 수 있다. 그 중에서도, 축합 경화형 실리콘이 바람직하다.
축합 경화형 실리콘으로서는, 모노머인 가수 분해성 오르가노실란 화합물 혹은 그의 혼합물(모노머 혼합물), 또는, 모노머 또는 모노머 혼합물을 부분 가수 분해 축합 반응시켜서 얻어지는 부분 가수 분해 축합물(오르가노폴리실록산)을 적합하게 사용할 수 있다.
이 축합 경화형 실리콘을 사용하여, 가수 분해·축합 반응(졸겔 반응)을 진행시킴으로써, 실리콘 수지를 형성할 수 있다.
밀착층은, 경화성 실리콘을 포함하는 경화성 조성물을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 경화성 조성물은, 경화성 실리콘 외에, 용매, 백금 촉매(경화성 실리콘으로서 부가 반응형 실리콘을 사용하는 경우), 레벨링제, 금속 화합물 등을 포함하고 있어도 된다. 금속 화합물에 포함되는 금속 원소로서는, 예를 들어, 3d 전이 금속, 4d 전이 금속, 란타노이드계 금속, 비스무트(Bi), 알루미늄(Al), 주석(Sn)을 들 수 있다. 금속 화합물의 함유량은, 특별히 제한되지 않고, 적절히 조정된다.
밀착층의 평균 두께는 특별히 제한되지 않으며, 밀착층이 유기층인 경우, 50.0㎛ 이하가 바람직하고, 30.0㎛ 이하가 보다 바람직하고, 12.0㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 밀착층이 유기층인 경우, 밀착층의 평균 두께는, 1㎛ 이상이 바람직하고, 6.0㎛ 이상이 보다 바람직하다.
밀착층이 무기층인 경우, 1000㎚ 이하가 바람직하고, 500㎚ 이하가 보다 바람직하고, 200㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 밀착층이 무기층인 경우, 밀착층의 평균 두께는, 5㎚ 이상이 바람직하고, 10㎚ 이상이 보다 바람직하다.
상기 평균 두께는, 밀착층의 임의의 10점의 두께를 측정하여, 그것들을 산술 평균하여 구한다.
(폴리이미드층)
폴리이미드층은, 밀착층 상에 배치되고, 후술하는 박리 처리 시에 밀착층으로부터 박리된다. 폴리이미드층은, 후술하는 전자 디바이스의 일부를 구성하는 부재이다.
폴리이미드층은, 폴리이미드를 포함하는 층이다. 폴리이미드는, 통상적으로 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 중축합하여, 이미드화함으로써 얻어진다. 보다 구체적으로는, 폴리이미드는, 하기 식 (1)로 표시되는, 테트라카르복실산류의 잔기(X)와 디아민류의 잔기(A)를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
Figure pat00001
식 (1) 중, X는 테트라카르복실산류로부터 카르복시기를 제외한 테트라카르복실산 잔기를, A는 디아민류로부터 아미노기를 제외한 디아민 잔기를 나타낸다.
사용하는 테트라카르복실산 이무수물로서는, 방향족 테트라카르복실산 이무수물, 지방족 테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다. 사용하는 디아민으로서는, 방향족 디아민, 지방족 디아민을 들 수 있다.
방향족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 예를 들어, 무수 피로멜리트산(1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산 이무수물), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다.
지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 환식 또는 비환식의 지방족 테트라카르복실산 이무수물이 있고, 환식 지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있으며, 비환식 지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-펜탄테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다.
방향족 디아민으로서는, 예를 들어, 4,4'-옥시디아미노벤젠(4,4'-디아미노디페닐에테르), 1,3-비스-(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스-(3-아미노페녹시)비페닐, 1,4-디아미노벤젠, 1,3-디아미노벤젠을 들 수 있다.
지방족 디아민으로서는, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 폴리에틸렌글리콜비스(3-아미노프로필)에테르, 폴리프로필렌글리콜비스(3-아미노프로필)에테르 등의 비환식 지방족 디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 이소포론디아민, 노르보르난디아민 등의 환식 지방족 디아민을 들 수 있다.
폴리이미드층의 평균 두께는, 1㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 유연성의 점에서는, 1㎜ 이하가 바람직하고, 0.2㎜ 이하가 보다 바람직하다.
상기 평균 두께는, 폴리이미드층의 임의의 10점의 두께를 측정하여, 그것들을 산술 평균하여 구한다.
(무기층)
무기층은, 폴리이미드층 상에 배치되는 층이다. 무기층은, 소위 가스 배리어층으로서 기능하는 것이 바람직하다.
무기층을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 산화물, 질화물, 산질화물, 탄화물, 탄질화물, 규화물, 불화물을 들 수 있다. 산화물(바람직하게는, 금속 산화물), 질화물(바람직하게는, 금속 질화물), 산질화물(바람직하게는, 금속 산질화물)로서는, 예를 들어, Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Y, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In 및 Ba에서 선택되는 1종 이상의 원소의 산화물, 질화물, 산질화물을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 질화 실리콘(SiN), Al2O3, SiO2, SiON 등을 들 수 있다. 그 중에서도, Si를 포함하는 질화물(예를 들어, 질화규소), 또는, Si를 포함하는 산화물(예를 들어, 산화규소)이 바람직하다.
무기층의 평균 두께는, 10 내지 5000㎚가 바람직하고, 50 내지 1000㎚가 보다 바람직하다.
<적층체의 제조 방법>
적층체의 제조 방법은, 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 들 수 있다.
예를 들어, 지지 기판 상의 소정의 영역의 밀착층을 형성하고, 그 후, 밀착층 상에 폴리이미드층을 형성하고, 그 후, 폴리이미드층 상에 무기층을 형성하는 방법을 들 수 있다.
이하, 각 층의 제조 수순에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 지지 기판 상의 소정의 영역의 밀착층을 형성한다.
밀착층의 형성 방법은, 밀착층의 재료에 따라서 적절히 최적의 방법이 선택된다. 예를 들어, 밀착층으로서 실리콘 수지층을 형성하는 경우, 상술한, 경화성 실리콘을 포함하는 경화성 조성물을 지지 기판 상의 소정의 영역에 도포하고, 도막에 대하여 가열 처리를 실시하는 방법을 들 수 있다.
또한, 밀착층으로서 무기층을 형성하는 경우, 플라스마 CVD, 스퍼터의 방법을 들 수 있다.
그 중에서도, 밀착층으로서 실리콘 수지층을 사용하는 경우, 생산성이 우수한 경우, 임시 지지체와 임시 지지체 상에 배치된 가열 처리 후에 실리콘 수지층이 되는 전구체막을 갖는 전사 필름을 준비해서, 전사 필름 중의 전구체막을 지지 기판 상의 소정의 위치에 접합하여, 얻어진 지지 기판, 전구체막 및 임시 지지체를 갖는 적층체에 대하여 가열 처리를 실시하는 방법을 들 수 있다. 가열 처리를 실시함으로써 실리콘 수지층이 형성된다.
이하, 상기 수순에 대하여 상세하게 설명한다.
상기에서는, 먼저, 임시 지지체와 가열 처리 후에 실리콘 수지층이 되는 전구체막을 갖는 전사 필름을 준비해서, 전사 필름 중의 전구체막을 지지 기판 상의 소정의 위치에 접합한다.
상기 전사 필름을 지지 기판에 접합한 후에, 얻어진 적층체를 알칼리 세제로 세정해도 된다. 또한, 알칼리 세제로 세정한 후, 필요에 따라, 순수로 린스해도 된다. 또한, 순수로 린스한 후, 필요에 따라, 에어 나이프로 수분 제거해도 된다.
실리콘 수지층을 형성하기 위한 가열 처리 시에는, 압력을 가하면서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 오토클레이브를 사용하여 가열 처리 및 가압 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
가열 처리 시의 가열 온도로서는, 50 내지 350℃가 바람직하고, 55 내지 300℃가 보다 바람직하고, 60 내지 250℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간으로서는, 10 내지 60분간이 바람직하고, 20 내지 40분간이 보다 바람직하다.
가압 처리 시의 압력으로서는, 0.5 내지 1.5MPa이 바람직하고, 0.8 내지 1.0MPa이 보다 바람직하다.
또한, 가열 처리는, 복수회 행해도 된다. 가열 처리를 복수회 실시하는 경우, 각각의 가열 조건은 변경해도 된다.
이어서, 얻어진 지지 기판의 밀착층측의 소정의 위치에, 폴리이미드 또는 그 전구체 및 용매를 포함하는 폴리이미드 바니시를 도포하여, 폴리이미드층을 형성한다.
폴리이미드 바니시는, 폴리이미드 또는 그 전구체 및 용매를 포함한다.
폴리이미드는, 통상적으로 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 중축합하여, 이미드화함으로써 얻어진다. 폴리이미드로서는, 용제 가용성을 갖는 것이 바람직하다.
사용하는 테트라카르복실산 이무수물과 디아민은, 필름화한 후의 기계 물성을 고려하면 방향족기를 갖는 것이 바람직하다.
테트라카르복실산 이무수물 및 디아민의 구체예는, 폴리이미드층에서 예시한 화합물을 들 수 있다.
폴리이미드의 전구체란, 이미드화하기 전의 상태인 폴리아미드산(소위, 폴리아믹산 및/또는 폴리아믹산에스테르)을 의미한다.
용매는, 폴리이미드 또는 그 전구체를 용해하는 용매이면 되며, 예를 들어, 페놀계 용매(예를 들어, m-크레졸), 아미드계 용매(예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드), 락톤계 용매(예를 들어, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤, ε-카프로락톤, γ-크로토노락톤, γ-헥사노락톤, α-메틸-γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤, δ-헥사노락톤), 술폭시드계 용매(예를 들어, 디메틸술폭시드), 케톤계 용매(예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논), 에스테르계 용매(예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 탄산디메틸)를 들 수 있다.
폴리이미드 바니시를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법을 들 수 있다.
도포 후, 필요에 따라 가열 처리를 실시해도 된다.
가열 처리의 조건으로서, 온도 조건은, 50 내지 500℃가 바람직하고, 50 내지 450℃가 보다 바람직하다. 가열 시간은, 10 내지 300분간이 바람직하고, 20 내지 200분간이 보다 바람직하다.
또한, 가열 처리는, 복수회 행해도 된다. 가열 처리를 복수회 실시하는 경우, 각각의 가열 조건은 변경해도 된다.
그 후, 폴리이미드층 상의 소정의 위치에, 무기층을 형성한다.
무기층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않으며, 플라스마 CVD, 스퍼터의 방법을 들 수 있다.
적층체는, 다양한 용도로 사용할 수 있으며, 예를 들어, 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼, 수신 센서 패널 등의 전자 부품을 제조하는 용도를 들 수 있다. 이들 용도에서는, 적층체가 대기 분위기 하에서, 고온 조건(예를 들어, 450℃ 이상)에서 노출되는(예를 들어, 20분 이상) 경우도 있다.
표시 장치용 패널은, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라스마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, 마이크로 LED 디스플레이 패널, MEMS 셔터 패널 등을 포함한다.
수신 센서 패널은, 전자파 수신 센서 패널, X선 수광 센서 패널, 자외선 수광 센서 패널, 가시광선 수광 센서 패널, 적외선 수광 센서 패널 등을 포함한다. 수신 센서 패널에 사용하는 기판은, 수지 등의 보강 시트 등에 의해 보강되어 있어도 된다.
<전자 디바이스의 제조 방법>
적층체를 사용하여, 폴리이미드층, 무기층 및 후술하는 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스가 제조된다.
전자 디바이스의 제조 방법으로서 적층체(10A)를 사용하는 경우, 예를 들어, 도 9 내지 11에 도시하는 바와 같이, 적층체(10A)의 무기층(20) 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하여, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)를 얻는 부재 형성 공정과, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)의 일부를 절단하는 절단 공정과, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)로부터, 폴리이미드층(18), 무기층(20) 및 전자 디바이스용 부재(22)를 갖는 전자 디바이스(26)를 얻는 분리 공정을 구비하는 방법이다.
이하, 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하는 공정을 「부재 형성 공정」, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)의 일부를 절단하는 공정을 「절단 공정」, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)를 전자 디바이스(26)와 밀착층 구비 지지 기판으로 분리하는 공정을 「분리 공정」이라고 한다.
이하에, 각 공정에서 사용되는 재료 및 수순에 대하여 상세하게 설명한다.
(부재 형성 공정)
부재 형성 공정은, 적층체(10A)의 무기층(20) 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 무기층(20) 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하여, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)를 얻는다.
먼저, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(22)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.
(전자 디바이스용 부재)
전자 디바이스용 부재(22)는, 적층체(10A)의 무기층(20) 상에 형성되는 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재(22)로서는, 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지, 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품, 수신 센서 패널 등에 사용되는 부재(예를 들어, LTPS(low temperature polysilicon) 등의 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로, 수신 센서용 부재)를 들 수 있으며, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2018/0178492호 명세서의 단락 [0192]에 기재된 태양 전지용 부재, 동 명세서의 단락 [0193]에 기재된 박막 2차 전지용 부재, 동 명세서의 단락 [0194]에 기재된 전자 부품용 회로를 들 수 있다.
(공정의 수순)
상술한 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지된 방법으로, 적층체(10A)의 무기층(20) 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성한다.
전자 디바이스용 부재(22)는, 무기층(20) 상에 최종적으로 형성되는 부재 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)이어도 된다. 밀착층(16)으로부터 박리된 부분 부재 구비 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재 구비 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.
밀착층(16)으로부터 박리된 전체 부재 구비 기판에는, 그 박리면에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 2매의 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)의 전자 디바이스용 부재(22)끼리를 대향시켜서, 양자를 접합해서 전체 부재 구비 적층체를 조립하고, 그 후, 전체 부재 구비 적층체로부터 2매의 밀착층 구비 지지 기판을 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.
예를 들어, OLED(Organic Light Emitting Diode)를 제조하는 경우를 예로 들면, 적층체(10A)의 무기층(20) 상에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해서, 투명 전극을 형성하거나, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하거나, 이면 전극을 형성하거나, 밀봉판을 사용하여 밀봉하거나 하는 등의 각종 층 형성이나 처리가 행해진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는, 예를 들어, 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리를 들 수 있다.
(절단 공정)
절단 공정은, 도 10에 도시하는 바와 같이, 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)로부터 일부를 절단하는 공정이다.
절단하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 레이저 빔으로 절단하는 방법, 다이싱 쏘 등의 절단 가공 기계로 절단하는 방법을 들 수 있다.
(분리 공정)
분리 공정은, 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 절단 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)로부터, 밀착층(16)과 폴리이미드층(18)의 계면을 박리면으로 해서, 전자 디바이스용 부재(22)가 적층된 폴리이미드층(18)과, 밀착층(16) 구비 지지 기판(12)으로 분리하여, 전자 디바이스용 부재(22), 무기층(20) 및 폴리이미드층(18)을 포함하는 전자 디바이스(26)를 얻는 공정이다.
박리된 무기층(20) 상의 전자 디바이스용 부재(22)가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부일 경우에는, 분리 후, 나머지 구성 부재를 더 형성할 수도 있다.
폴리이미드층(18)과 밀착층(16)을 박리하는 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 폴리이미드층(18)과 밀착층(16)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하여 박리 계기를 부여한 상태에서, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 또한, 레이저 리프트오프법을 사용해도 된다.
바람직하게는, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)를, 지지 기판(12)측이 상측, 전자 디바이스용 부재(22)측이 하측으로 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(22)측을 정반 상에 진공 흡착하여, 이 상태에서 먼저 칼날 형상의 것을 폴리이미드층(18)과 밀착층(16)의 계면에 침입시킨다. 그 후, 지지 기판(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하여, 칼날 형상의 것을 삽입한 개소 부근으로부터 차례로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면, 밀착층(16) 구비 지지 기판(12)(도 11 참조)을 용이하게 박리할 수 있다.
또한, 폴리이미드층(18)과 밀착층(16)을 박리할 때, 전자 디바이스용 부재(22)가 복수의 셀마다 제작되어 있는 경우, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)를 셀마다 절단한 후, 절단된 셀마다 폴리이미드층(18)과 밀착층(16)의 사이를 박리해도 된다. 셀마다 절단하는 방법으로서는, 레이저 빔으로 절단하는 방법, 다이싱 쏘 등의 절단 가공 기계로 절단하는 방법을 들 수 있다.
전자 디바이스용 부재 구비 적층체(24)로부터 전자 디바이스(26)를 분리할 때에 있어서는, 이오나이저에 의한 분사 또는 습도를 제어함으로써, 밀착층(16)의 조각이 전자 디바이스(26)에 정전 흡착되는 것을 보다 억제할 수 있다.
상술한 전자 디바이스의 제조 방법은, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2018/0178492호 명세서의 단락 [0210]에 기재된 표시 장치의 제조에 적합하며, 전자 디바이스(26)로서는, 예를 들어, 동 명세서의 단락 [0211]에 기재된 것을 들 수 있다.
분리된 전자 디바이스(26)의 전자 디바이스용 부재(22)의 폴리이미드층(18)측과는 반대측의 표면에는, 보호 필름이 접합되어도 된다.
[실시예]
이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다.
이하에서는, 지지 기판으로서, 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리 기판(선팽창 계수 39×10-7/℃, AGC 가부시키가이샤 제조 상품명 「AN Wizus」(등록 상표), 두께 0.5㎜, 크기 470㎜×370㎜)을 사용하였다.
이하, 예 1 내지 예 10은 실시예이며, 예 11 내지 예 16은 비교예이다.
(경화성 실리콘 1의 조제)
오르가노하이드로겐실록산과 알케닐기 함유 실록산을 혼합함으로써, 경화성 실리콘 1을 얻었다. 경화성 실리콘 1의 조성은, M 단위, D 단위, T 단위의 몰비가 9:59:32, 유기기의 메틸기와 페닐기의 몰비가 44:56, 전체 알케닐기와 전체 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비(수소 원자/알케닐기)가 0.7, 평균 OX기수가 0.1이었다.
(경화성 조성물 1의 조제)
경화성 실리콘 1에, Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane(CAS No.68478-92-2)을 백금 원소의 함유량이 120ppm으로 되도록 가해서, 혼합물 A를 얻었다. 혼합물 A(200g)에 용매로서 디에틸렌글리콜디에틸에테르(「하이솔브 EDE」, 도호가가쿠고교사 제조)(84.7g)를 혼합하여 얻어진 혼합액을, 구멍 직경 0.45㎛의 필터를 사용해서 여과함으로써, 경화성 조성물 1을 얻었다.
경화성 조성물 1은, 부가 경화형 실리콘 조성물에 해당한다.
(경화성 실리콘 2의 조제)
1L의 플라스크에, 트리에톡시메틸실란(179g), 톨루엔(300g), 아세트산(5g)을 첨가하여, 혼합물을 25℃에서 20분간 교반 후, 또한, 60℃로 가열하여 12시간 반응시켰다. 얻어진 반응 조액(粗液)을 25℃로 냉각 후, 물(300g)을 사용하여 반응 조액을 3회 세정하였다. 세정된 반응 조액에 클로로트리메틸실란(70g)을 첨가하여, 혼합물을 25℃에서 20분간 교반 후, 또한, 50℃로 가열하여 12시간 반응시켰다. 얻어진 반응 조액을 25℃로 냉각 후, 물(300g)을 사용하여 반응 조액을 3회 세정하였다. 세정된 반응 조액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여, 슬러리 상태로 한 후, 진공 건조기로 철야 건조함으로써, 백색의 오르가노폴리실록산 화합물인 경화성 실리콘 2를 얻었다. 경화성 실리콘 2는, T 단위의 개수:M 단위의 개수=87:13(몰비)이었다. 경화성 실리콘 2는, M 단위, T 단위의 몰비가 13:87, 유기기는 모두 메틸기, 평균 OX기수가 0.02이었다. 평균 OX기수는, Si 원자 하나에 평균 몇개의 OX기(X는 수소 원자 또는 탄화수소기)가 결합하고 있는지를 나타낸 수치이다. 또한, M 단위는, (R)3SiO1/2로 나타내지는 1관능 오르가노실록시 단위를 의미한다. T 단위는, RSiO3/2(R은, 수소 원자 또는 유기기를 나타냄)로 나타내지는 3관능 오르가노실록시 단위를 의미한다.
(경화성 조성물 2의 조제)
경화성 실리콘 2(20g)와, 금속 화합물로서 옥틸산지르코늄 화합물(「오르가틱스 ZC-200」, 마쯔모토 파인케미컬 가부시키가이샤 제조)(0.16g)과, 2-에틸헥산산세륨(III)(Alfa Aesar사 제조, 금속 함유율 12％)(0.17g), 용매로서 Isoper G(도넨 제너럴 세키유 가부시키가이샤 제조)(19.7g)를 혼합하여 얻어진 혼합액을, 구멍 직경 0.45㎛의 필터를 사용해서 여과함으로써, 경화성 조성물 2를 얻었다.
경화성 조성물 2는, 축합 경화형 실리콘 조성물에 해당한다.
<예 1>
(실리콘 수지층의 형성)
지지 기판인 유리 기판을, 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션 제조 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정하였다.
이어서, 슬릿 코터를 사용하여, 경화성 조성물 1을 유리 기판 상의 소정의 위치에 도포하였다. 핫 플레이트를 사용하여 120℃에서 10분간 가열한 후, 클린 오븐을 사용하여 대기 분위기 하에서 250℃에서 30분간 가열함으로써, 실리콘 수지층(두께: 6.5㎛)을 형성하였다. 또한, 실리콘 수지층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같았다.
(폴리이미드층의 형성)
상기에서 얻어진 실리콘 수지층에 코로나 처리를 실시한 후, 무색 폴리이미드 바니시(미쯔비시 가스 가가꾸 가부시키가이샤 제조 「네오풀림 H230」)를 도포한 후, 핫 플레이트를 사용하여 80℃에서 20분간 가열하였다. 계속해서, 이너트 가스 오븐을 사용하여 질소 분위기 하 400℃에서 30분간 가열하여(큐어 공정), 유리 기판, 실리콘 수지층, 폴리이미드층(두께: 7㎛)을 이 순으로 갖는 적층체를 제작하였다. 또한, 폴리이미드층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같으며, 도 4 및 5에 도시하는 바와 같이, 폴리이미드층의 외연은 실리콘 수지층의 외연보다도 외측에 위치하고 있었다.
(무기층의 형성)
상기에서 얻어진 폴리이미드층 표면에 플라스마 CVD 장치를 사용하여 두께 100㎚의 질화규소층을 형성하여, 유리 기판, 실리콘 수지층, 폴리이미드층, 무기층을 이 순으로 갖는 적층체 1을 제작하였다. 또한, 무기층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같으며, 도 4 및 5에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연은 실리콘 수지층의 외연보다도 내측에 위치하고 있었다.
또한, 적층체 1 표면의 법선 방향에서 적층체 1을 관찰했을 때, 실리콘 수지층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 2>
경화성 조성물 1 대신에 경화성 조성물 2를 사용하고, 실리콘 수지층 형성 시의 가열 조건을 120℃에서 10분간 가열한 후, 클린 오븐을 사용하여 대기 분위기 하에서 300℃에서 30분간 가열로 변경한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 2를 제작하였다.
<예 3>
(실리콘 수지층의 형성) 대신에 후술하는 (산화규소층의 형성)의 수순을 실시한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 3을 제작하였다.
(산화규소층의 형성)
지지 기판인 유리 기판을, 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션 제조 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정하였다.
이어서, 플라스마 CVD 장치를 사용하여, 유리 기판 상의 소정의 위치에 두께 100㎚의 산화규소층을 제작하였다. 또한, 산화규소층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같았다.
<예 4>
(실리콘 수지층의 형성) 대신에 후술하는 (질화규소층의 형성)의 수순을 실시한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 4를 제작하였다.
(질화규소층의 형성)
지지 기판인 유리 기판을, 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션 제조 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정하였다.
이어서, 플라스마 CVD 장치를 사용하여, 유리 기판 상의 소정의 위치에 두께 100㎚의 질화규소층을 제작하였다. 또한, 질화규소층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같았다.
<예 5>
(실리콘 수지층의 형성) 대신에 후술하는 (아몰퍼스 실리콘층의 형성)의 수순을 실시한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 5를 제작하였다.
(아몰퍼스 실리콘층의 형성)
지지 기판인 유리 기판을, 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션 제조 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정하였다.
이어서, 플라스마 CVD 장치에 의해, 유리 기판 상의 소정의 위치에 두께 50㎚의 아몰퍼스 실리콘층을 제작하였다. 또한, 아몰퍼스 실리콘층의 형성 면적은, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같았다.
<예 6>
(무기층의 형성)에서, 도 2 및 3에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연이 실리콘 수지층의 외연과 일치하도록 무기층을 형성한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 6을 제작하였다.
<예 7>
(무기층의 형성)에서, 도 2 및 3에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연이 실리콘 수지층의 외연과 일치하도록 무기층을 형성한 것 이외에는, 예 2와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 7을 제작하였다.
<예 8>
(무기층의 형성)에서, 도 2 및 3에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연이 실리콘 수지층의 외연과 일치하도록 무기층을 형성한 것 이외에는, 예 3과 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 8을 제작하였다.
<예 9>
(무기층의 형성)에서, 도 2 및 3에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연이 실리콘 수지층의 외연과 일치하도록 무기층을 형성한 것 이외에는, 예 4와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 9를 제작하였다.
<예 10>
(무기층의 형성)에서, 도 2 및 3에 도시하는 바와 같이, 무기층의 외연이 실리콘 수지층의 외연과 일치하도록 무기층을 형성한 것 이외에는, 예 5와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 10을 제작하였다.
<예 11>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 2와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 11을 제작하였다.
또한, 적층체 11의 구성은, 도 12에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(실리콘 수지층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 11 표면의 법선 방향에서 적층체 11을 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연이 폴리이미드층(18)의 외연보다도 외측에 위치하고 있었다.
또한, 적층체 11 표면의 법선 방향에서 적층체 11을 관찰했을 때, 실리콘 수지층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 12>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 4와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 12를 제작하였다.
또한, 적층체 12의 구성은, 도 12에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(질화규소층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 12 표면의 법선 방향에서 적층체 12를 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연이 폴리이미드층(18)의 외연보다도 외측에 위치하고 있었다.
또한, 적층체 12 표면의 법선 방향에서 적층체 12를 관찰했을 때, 질화규소층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 13>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 2와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 13을 제작하였다.
또한, 적층체 13의 구성은, 도 13에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(실리콘 수지층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 13 표면의 법선 방향에서 적층체 13을 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연과 폴리이미드층(18)의 외연은 일치하고 있었다. 또한, 적층체 13 표면의 법선 방향에서 적층체 13을 관찰했을 때, 실리콘 수지층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 14>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 4와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 14를 제작하였다.
또한, 적층체 14의 구성은, 도 13에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(질화규소층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 14 표면의 법선 방향에서 적층체 14를 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연과 폴리이미드층(18)의 외연은 일치하고 있었다.
또한, 적층체 14 표면의 법선 방향에서 적층체 14를 관찰했을 때, 질화규소층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 15>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 2와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 15를 제작하였다.
또한, 적층체 15의 구성은, 도 14에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(실리콘 수지층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 15 표면의 법선 방향에서 적층체 15를 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연은 폴리이미드층(18)의 외연보다도 내측에 위치하고, 밀착층(16)의 외연보다는 외측에 위치하고 있었다.
또한, 적층체 15 표면의 법선 방향에서 적층체 15를 관찰했을 때, 실리콘 수지층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<예 16>
(무기층의 형성)에서, 후술하는 표 1에 나타내는 무기층의 형성 면적으로 변경한 것 이외에는, 예 4와 마찬가지의 수순에 따라서 적층체 16을 제작하였다.
또한, 적층체 16의 구성은, 도 14에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(12)과, 밀착층(16)(질화규소층에 해당), 폴리이미드층(18)과, 무기층(20)을 이 순으로 갖고, 적층체 16 표면의 법선 방향에서 적층체 16을 관찰했을 때, 폴리이미드층(18)의 외연이 밀착층(16)의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층(20)의 외연은 폴리이미드층(18)의 외연보다도 내측에 위치하고, 밀착층(16)의 외연보다는 외측에 위치하고 있었다.
또한, 적층체 16 표면의 법선 방향에서 적층체 16을 관찰했을 때, 질화규소층의 무게 중심, 폴리이미드층의 무게 중심 및 무기층의 무게 중심은 일치하고 있었다.
<내열 평가>
각 예에서 제작한 적층체를, 질소 분위기 하에서, 380℃에서 1시간 가열하여, 내열 시험을 실시하였다. 내열 시험 후의 적층체의 외관을 눈으로 보아 확인하여, 폴리이미드층에서 발포 및 크랙이 발생했는지 여부를 평가하였다. 발포 및 크랙 양쪽이 발생하지 않은 경우를 「없음」, 발포 및 크랙의 적어도 한쪽이 발생한 경우를 「있음」으로 하였다. 또한, 380℃라는 온도를 400℃ 또는 420℃로 변경하여, 상기와 마찬가지의 평가를 실시하였다.
표 1 중, 「각층 외연의 사이즈 관계」란은, 각 예의 적층체를 그 표면의 법선 방향에서 관찰했을 때의 각 층의 외연의 위치 관계를 나타내며, 「=」는 2개의 층의 외연이 일치하는 것을 의미하고, 「A>B」는 A의 외연이 B의 외연보다도 외측에 위치하는 것을 의미한다. 「PI」는 폴리이미드층을 의미한다. 예를 들어, 예 1의 「PI>밀착층=무기층」은, 폴리이미드층의 외연은 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하고, 밀착층의 외연과 무기층의 외연이 일치하는 것을 의미한다.
표 1 중, 「적층체 구성」란은, 적층체 중의 각 층의 배치 관계를 도시하는 도면을 나타낸다. 예를 들어, 예 1의 적층체는, 상술한 도 4 및 5에 도시되는 적층체의 구성을 갖는다.
Figure pat00002
예 1 내지 10의 380℃ 내열 시험의 결과에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 적층체는, 원하는 효과를 발휘하는 것이 확인되었다.
그 중에서도, 400℃ 및 420℃의 내열 시험 결과로부터, 밀착층으로서 실리콘 수지층을 사용한 경우가 보다 우수한 효과가 얻어졌고, 축합 경화형 실리콘 수지층을 사용한 경우가 더욱 우수한 효과가 얻어졌다.
또한, 예 11 내지 14에서는, 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하는 폴리이미드층에서 발포 및 크랙의 적어도 한쪽이 관찰되었다.
또한, 예 15 내지 16에서는, 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하고, 무기층의 외연보다도 내측에 위치하는, 폴리이미드층의 영역에서 발포 및 크랙의 적어도 한쪽이 관찰되었다.
본 발명을 상세하게, 또한 특정 실시 양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 수정이나 변경을 가할 수 있는 것은, 당업자에게 있어서 명확하다. 본 출원은, 2022년 4월 15일 출원된 일본 특허 출원 제2022-067597에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.
10A, 10B, 10C, 10D: 적층체
12: 지지 기판
14A, 14B, 14C: 적층부
16: 밀착층
18: 폴리이미드층
20: 무기층
22: 전자 디바이스용 부재
24: 전자 디바이스용 부재 구비 적층체
26: 전자 디바이스

Claims (7)

  1. 지지 기판과,
    상기 지지 기판 상의 적어도 일부 영역에 배치된 적층부를 갖는 적층체이며,
    상기 적층부가, 상기 지지 기판측으로부터, 밀착층과, 폴리이미드층과, 무기층을 이 순으로 갖고,
    상기 적층체 표면의 법선 방향에서 상기 적층체를 관찰했을 때,
    상기 폴리이미드층의 외연이 상기 밀착층의 외연보다도 외측에 위치하고, 또한,
    상기 무기층의 외연이 상기 밀착층의 외연과 일치하거나, 또는, 상기 무기층의 외연이 상기 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하거나, 또는, 상기 무기층의 외연의 일부가 상기 밀착층의 외연의 일부와 일치하고, 상기 무기층의 외연의 잔부가 상기 밀착층의 외연보다도 내측에 위치하는, 적층체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밀착층이 실리콘 수지층인, 적층체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무기층이, Si를 포함하는 질화물, 또는, Si를 포함하는 산화물을 포함하는, 적층체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 지지 기판 상에 상기 적층부가 2개 이상 배치되어 있는, 적층체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지 기판이 유리 기판인, 적층체.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 적층체와,
    상기 적층체 중의 상기 무기층 상에 배치되는 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스용 부재 구비 적층체.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 적층체의 상기 무기층 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재 구비 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,
    상기 전자 디바이스용 부재 구비 적층체로부터, 상기 폴리이미드층, 상기 무기층 및 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018193544A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 協立化学産業株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び加工樹脂ワニス硬化フィルムの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5964607B2 (ja) * 2012-02-14 2016-08-03 株式会社カネカ 剥離層付き支持体、基板構造、および電子デバイスの製造方法
JP6363077B2 (ja) * 2013-07-24 2018-07-25 ユニチカ株式会社 積層体およびその処理法ならびにフレキシブルデバイスの製造方法
CN104512075B (zh) * 2013-10-04 2017-06-23 财团法人工业技术研究院 离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺
JP6946901B2 (ja) * 2016-12-28 2021-10-13 Ａｇｃ株式会社 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材、シリコーン樹脂層付き樹脂基板、電子デバイスの製造方法
JP2019144347A (ja) * 2018-02-19 2019-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 表示装置の製造方法
JP2021002622A (ja) * 2019-06-24 2021-01-07 Ａｇｃ株式会社 電子デバイスの製造方法
JP7140158B2 (ja) * 2020-01-31 2022-09-21 Ａｇｃ株式会社 積層基板、積層体の製造方法、積層体、電子デバイス用部材付き積層体、電子デバイスの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018193544A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 協立化学産業株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び加工樹脂ワニス硬化フィルムの製造方法

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