JP2021002622A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】省エネルギー性に優れた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス製の支持基材と、シリコーン樹脂層またはシランカップリング剤層である接着層と、ポリイミド樹脂基板と、電子デバイス用部材とをこの順に備える電子デバイス用部材付き積層体を準備し、上記電子デバイス用部材付き積層体に上記支持基材側からレーザー光を照射することにより、上記電子デバイス用部材付き積層体から、上記ポリイミド樹脂基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得て、上記レーザー光の照射エネルギー密度が、８０ｍＪ／ｃｍ２未満である、電子デバイスの製造方法。【選択図】図２

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。

従来、太陽電池（ＰＶ）；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線などを感知する受信センサーパネル；等の電子デバイスに、ポリイミド樹脂基板が用いられている。
近年、ポリイミド樹脂基板のハンドリング性を良好にするため、ガラス製の支持基材上にポリイミド樹脂基板を配置する技術が提案されている（特許文献１）。
この技術においては、ポリイミド樹脂基板上に電子デバイス用部材を形成し、その後、いわゆるレーザーリフトオフ方法によって、電子デバイス（ポリイミド樹脂基板および電子デバイス用部材）を、支持基材から剥離する。

特開２０１７−１８５８０７号公報

本発明者らは、特許文献１に記載された技術に基づいて、レーザーリフトオフ方法を検討した。
具体的には、まず、ガラス製の支持基材と、ポリイミド樹脂基板と、電子デバイス用部材（薄膜トランジスタ）とをこの順に備える電子デバイス用部材付き積層体を作製した。次いで、作製した電子デバイス用部材付き積層体に、支持基材側から、レーザー光を照射した。これにより、支持基材から、電子デバイス（ポリイミド樹脂基板および電子デバイス用部材）は剥離した。
しかし、省エネルギー性の観点からは、低い照射エネルギー密度のレーザー光を使用することが望まれる。

本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、省エネルギー性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記目的を達成できることを見出した。

［１］ガラス製の支持基材と、シリコーン樹脂層またはシランカップリング剤層である接着層と、ポリイミド樹脂基板と、電子デバイス用部材とをこの順に備える電子デバイス用部材付き積層体を準備し、上記電子デバイス用部材付き積層体に上記支持基材側からレーザー光を照射することにより、上記電子デバイス用部材付き積層体から、上記ポリイミド樹脂基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得て、上記レーザー光の照射エネルギー密度が、８０ｍＪ／ｃｍ^２未満である、電子デバイスの製造方法。
［２］上記レーザー光の照射エネルギー密度が、５５ｍＪ／ｃｍ^２未満である、上記［１］に記載の電子デバイスの製造方法。
［３］上記レーザー光の照射エネルギー密度が、５０ｍＪ／ｃｍ^２以下である、上記［２］に記載の電子デバイスの製造方法。
［４］上記レーザー光の照射エネルギー密度が、２０ｍＪ／ｃｍ^２以上である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
［５］上記レーザー光の照射エネルギー密度が、２５ｍＪ／ｃｍ^２以上である、上記［４］に記載の電子デバイスの製造方法。
［６］上記接着層が、上記シリコーン樹脂層である、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
［７］上記シリコーン樹脂層の厚さが、１００μｍ以下である、上記［６］に記載の電子デバイスの製造方法。
［８］上記ポリイミド樹脂基板に上記シリコーン樹脂層を形成し、形成した上記シリコーン樹脂層に上記支持基材を積層することにより積層体を得て、上記積層体における上記ポリイミド樹脂基板に上記電子デバイス用部材を形成することにより、上記電子デバイス用部材付き積層体を得る、上記［６］または［７］に記載の電子デバイスの製造方法。
［９］上記支持基材の厚さが、１．０ｍｍ以下である、上記［１］〜［８］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
［１０］エキシマレーザーから上記レーザー光を発生させる、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、省エネルギー性に優れた電子デバイスの製造方法を提供できる。

電子デバイス用部材付き積層体を模式的に示す断面図である。 電子デバイス用部材付き積層体にレーザー光を照射した状態を模式的に示す断面図である。 接着層付き支持基材と電子デバイスとに分離した状態を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図１〜図３を参照して説明する。
ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

［電子デバイスの製造方法］
まず、図１に示すように、電子デバイス用部材付き積層体２２を準備する。
電子デバイス用部材付き積層体２２は、ガラス製の支持基材１２と、シリコーン樹脂層またはシランカップリング剤層である接着層１４と、ポリイミド樹脂基板１６と、電子デバイス用部材２０とをこの順に備える。

次に、図２に示すように、電子デバイス用部材付き積層体２２に、支持基材１２側からレーザー光３０を照射する。レーザー光３０の照射エネルギー密度は、後述する。
レーザー光３０は、支持基材１２および接着層１４を透過して、ポリイミド樹脂基板１６（ポリイミド樹脂基板１６と接着層１４との界面）に照射される。
レーザー光３０は、ポリイミド樹脂基板１６（ポリイミド樹脂基板１６と接着層１４との界面）に全面的に照射されることが好ましい。

レーザー光３０の照射によって、図３に示すように、ポリイミド樹脂基板１６と接着層１４とを剥離する。すなわち、支持基材１２および接着層１４からなる接着層付き支持基材１８と、ポリイミド樹脂基板１６および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイス２４とに分離する。
これは、レーザー光３０の照射によって、ポリイミド樹脂基板１６を構成するポリイミドが破壊されることにより、ポリイミド樹脂基板１６と接着層１４との化学的または物理的な結合が解消されるためと考えられる。
こうして、電子デバイス用部材付き積層体２２から、ポリイミド樹脂基板１６および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイス２４が得られる。

本実施形態において、レーザー光３０の照射エネルギー密度は、８０ｍＪ／ｃｍ^２未満であり、比較的低い。このため、省エネルギー性に優れる。
上述したように、従来は、接着層１４が無く、ポリイミド樹脂基板１６は支持基材１２に直接接触していた（特許文献１）。
これに対して、本実施形態においては、接着層１４を設けており、ポリイミド樹脂基板１６は、接着層１４に接している。これにより、従来よりも、ポリイミド樹脂基板１６の剥離に必要なレーザー光３０の照射エネルギー密度を低減できると推測される。

ところで、照射エネルギー密度が高いレーザー光３０をポリイミド樹脂基板１６に照射すると、ポリイミド樹脂基板１６に焦げによる着色が生じる場合がある。
このため、ポリイミド樹脂基板１６の着色（焦げ）を抑制する観点からも、レーザー光３０の照射エネルギー密度は低いことが好ましい。
具体的には、レーザー光３０の照射エネルギー密度は、接着層１４の種類にもよるが、５５ｍＪ／ｃｍ^２未満が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましく、４５ｍＪ／ｃｍ^２以下が更に好ましい。

更に、レーザー光３０の照射エネルギー密度が低いことにより、レーザー光３０による電子デバイス用部材２０の損傷が抑制される。すなわち、得られる電子デバイス２４の損傷も抑制される。

もっとも、レーザー光３０の照射エネルギー密度が低すぎると、ポリイミド樹脂基板１６の剥離が困難になる場合がある。
ポリイミド樹脂基板１６の剥離しやすさの観点からは、レーザー光３０の照射エネルギー密度は、接着層１４の種類にもよるが、例えば２０ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、２５ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましく、３５ｍＪ／ｃｍ^２以上が更に好ましい。

ポリイミド樹脂基板１６の着色を抑制しつつ、かつ、電子デバイス２４を完全に剥離できるレーザー光３０の照射エネルギー密度について、下限値に対する上限値の割合を、エネルギー有効率（単位：％）と呼ぶ。
本実施形態においては、エネルギー有効率の値が大きい。
エネルギー有効率の値が大きいほど、レーザー光３０の出力変動による剥離性および着色性の変化が少ないことを意味し、剥離性および着色性の場所依存性が小さい。
すなわち、エネルギー有効率の値が大きい場合には、電子デバイス用部材付き積層体２２（特に、大面積の電子デバイス用部材付き積層体２２）にレーザー光３０を照射した際に、レーザー光３０の照射場所ごとに剥離性および着色性が異なることが少ない。
具体的には、エネルギー有効率の値は、１２０％以上が好ましく、１３０％以上がより好ましく、１４０％以上が更に好ましい。

レーザー光３０の照射エネルギー密度（単位：ｍＪ／ｃｍ^２）は、レーザー光３０を発生させる装置において設定される値である。

レーザー光３０を発生させる装置としては、例えば、希ガスやハロゲンなどの混合ガスを用いてレーザー光を発生させるエキシマレーザーが挙げられる。
エキシマレーザーの具体例としては、ＡｒＦエキシマレーザー（発振波長：１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（発振波長：２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（発振波長：３０８ｎｍ）が挙げられ、ＸｅＣｌエキシマレーザーが好ましい。
レーザー光３０の照射条件は、特に限定されないが、例えば、レーザー光３０の繰返し周波数は５〜４００Ｈｚが好ましく、レーザー光３０の照射形状のオーバーラップ率（重なり率）は５〜９０％が好ましい。

本実施形態においては、レーザー光３０を発生させる装置のランニングコストを低減する効果も得られる。例えば、レーザー光３０の出力は同じでも、１ショットの照射面積を増やせるため、ショット数が減り、その結果、ガス交換の回数を減らしたり、ダウンタイムを減らしたり（タクトタイムを向上させたり）できる。

［電子デバイス用部材付き積層体］
次に、図１に基づいて、電子デバイス用部材付き積層体２２を詳細に説明する。
図１に示すように、電子デバイス用部材付き積層体２２は、積層体１０を含む。
積層体１０は、支持基材１２と、接着層１４と、ポリイミド樹脂基板１６と、をこの順で備える。換言すれば、積層体１０は、支持基材１２およびポリイミド樹脂基板１６と、それらの間に配置された接着層１４とを含む。
接着層１４は、一方の面が支持基材１２に接し、他方の面（表面１４ａ）がポリイミド樹脂基板１６の第１主面１６ａに接している。
支持基材１２および接着層１４からなる接着層付き支持基材１８は、ポリイミド樹脂基板１６を補強する補強板として機能する。
電子デバイス用部材付き積層体２２は、積層体１０におけるポリイミド樹脂基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を有する。

積層体１０を含む電子デバイス用部材付き積層体２２を上面から見たときの形状は、例えば、四角形である。この場合、電子デバイス用部材付き積層体２２の大きさは、短辺８５０ｍｍ以上、長辺１１００ｍｍ以上が好ましく、短辺１２００ｍｍ以上、長辺１３００ｍｍ以上がより好ましく、短辺１４００ｍｍ以上、長辺１７００ｍｍ以上が更に好ましい。電子デバイス用部材付き積層体２２の大きさの上限は、例えば、３０００ｍｍ×３０００ｍｍである。

＜支持基材＞
支持基材１２は、ポリイミド樹脂基板１６を支持して補強するガラス製の部材である。
ガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板の製造方法は特に限定されず、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法等が挙げられる。
支持基材１２の厚さは、ポリイミド樹脂基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。積層体１０の取り扱い性の点からは、支持基材１２の厚さはポリイミド樹脂基板１６よりも厚いことが好ましい。
支持基材１２は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚さは、０．３ｍｍ以上が好ましい。
一方、支持基材１２の厚さは、１．０ｍｍ以下が好ましい。

＜ポリイミド樹脂基板＞
ポリイミド樹脂基板１６は、ポリイミド樹脂からなる基板であり、例えば、ポリイミドフィルムが用いられ、その市販品としては、東洋紡社製の「ゼノマックス」、宇部興産社製の「ユーピレックス２５Ｓ」などが挙げられる。
ポリイミド樹脂基板１６の厚さは、ハンドリング性の観点から、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上が更に好ましい。柔軟性の観点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド樹脂基板１６の上に高精細な配線等を形成するために、ポリイミド樹脂基板１６の表面は平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂基板１６の表面粗さＲａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が更に好ましい。
積層体１０の反りを抑制できるという理由から、ポリイミド樹脂基板１６と支持基材１２との熱膨張係数の差は、０〜９０×１０^−６／℃が好ましく、０〜３０×１０^−６／℃がより好ましい。
ポリイミド樹脂基板１６の面積（第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂの面積）は、特に限定されないが、電子デバイス２４の生産性の点から、３００ｃｍ^２以上が好ましい。
ポリイミド樹脂基板１６の形状も特に限定されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。

＜接着層＞
接着層１４は、シリコーン樹脂層またはシランカップリング剤層である。
以下、シリコーン樹脂層およびシランカップリング剤層を順に説明する。

《シリコーン樹脂層》
シリコーン樹脂層の厚さは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下が更に好ましい。一方、下限に関して、シリコーン樹脂層の厚さは、１μｍ以上が好ましく、１μｍ超がより好ましく、４μｍ以上が更に好ましい。
上記厚さは、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層の厚さを、接触式膜厚測定装置を用いて測定し、それらを算術平均したものである。

（シリコーン樹脂）
シリコーン樹脂層は、主に、シリコーン樹脂からなる。
一般的に、オルガノシロキシ単位には、Ｍ単位（１官能オルガノシロキシ単位）、Ｄ単位（２官能オルガノシロキシ単位）、Ｔ単位（３官能オルガノシロキシ単位）、および、Ｑ単位（４官能オルガノシロキシ単位）がある。Ｑ単位はケイ素原子に結合した有機基（ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基）を有しない単位であるが、本発明においてはオルガノシロキシ単位（含ケイ素結合単位）とみなす。
全オルガノシロキシ単位とは、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の合計を意味する。Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の数（モル量）の割合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算できる。

Ｍ単位とは、（Ｒ）₃ＳｉＯ_1/2で表されるオルガノシロキシ単位を意味する。
Ｄ単位とは、（Ｒ）₂ＳｉＯ_2/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意味する。
Ｔ単位とは、ＲＳｉＯ_3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意味する。
Ｑ単位とは、ＳｉＯ₂で表されるオルガノシロキシ単位を意味する。
有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基などのアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などのアリール基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；ハロゲン化アルキル基（例えば、クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基）などのハロゲン置換の一価の炭化水素基；等が挙げられる。有機基としては、炭素数１〜１２（好ましくは炭素数１〜１０程度）の、非置換またはハロゲン置換の一価の炭化水素基が好ましい。

シリコーン樹脂は、Ｍ単位およびＴ単位からなる群から選択される少なくとも１種のオルガノシロキシ単位（以下、「特定オルガノシロキシ単位」ともいう）を含むことが好ましい。
特定オルガノシロキシ単位の割合は、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましい。上限は特に限定されないが、１００モル％以下の場合が多い。

（硬化性シリコーン）
シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。つまり、シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンの硬化物に相当する。
硬化性シリコーンとしては、縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーン、電子線硬化型シリコーンが挙げられ、いずれも使用できる。
以下、代表的に、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを説明する。

縮合反応型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物もしくはその混合物（モノマー混合物）、または、モノマーもしくはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に使用できる。
縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成できる。
縮合反応型シリコーンとしては、反応の制御や取り扱いの面から、加水分解性オルガノシラン化合物から得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）が好ましい。
加水分解性オルガノシラン化合物としては、アルコキシシランが好適に挙げられる。

付加反応型シリコーンは、主剤および架橋剤を含み、白金触媒等の触媒の存在下で硬化する。すなわち、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱により促進される。
付加反応型シリコーン中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基等）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。直鎖状が好ましい）が好ましい。
付加反応型シリコーン中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。直鎖状が好ましい）が好ましい。
オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比は、０．５〜２が好ましい。

硬化性シリコーンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒への溶解性、塗布性の観点から、５，０００〜６０，０００が好ましく、５，０００〜３０，０００がより好ましい。

（硬化性組成物）
シリコーン樹脂層の製造方法としては、ポリイミド樹脂基板１６の第１主面１６ａに硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、塗膜を形成して、塗膜中の硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層とする方法が好ましい。

硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合、硬化性組成物は、金属化合物として、白金触媒を含んでいてもよい。

硬化性組成物には溶媒が含まれていてもよい。その場合、硬化性組成物中における硬化性シリコーンの含有量は、１〜８０質量％が好ましく、１〜５０質量％がより好ましい。
溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。
更に、溶媒としては、「Ｉｓｏｐｅｒ Ｇ」（東燃ゼネラル石油社製）などの市販品も使用できる。

硬化性組成物には、レベリング剤などの添加剤が含まれていてもよい。

硬化性組成物には、添加剤として、金属化合物が含まれていてもよい。
金属化合物に含まれる金属元素としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、および、スズ（Ｓｎ）などが挙げられる。
３ｄ遷移金属としては、周期表第４周期の遷移金属、すなわち、スカンジウム（Ｓｒ）〜銅（Ｃｕ）の金属が挙げられる。具体的には、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、および、銅（Ｃｕ）が挙げられる。
４ｄ遷移金属としては、周期表第５周期の遷移金属、すなわち、イットリウム（Ｙ）〜銀（Ａｇ）の金属が挙げられる。具体的には、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、および、銀（Ａｇ）が挙げられる。
ランタノイド系金属としては、ランタン（Ｌａ）〜ルテチウム（Ｌｕ）の金属が挙げられる。具体的には、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、および、ルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。
金属化合物は、錯体が好ましい。錯体とは、金属元素の原子またはイオンを中心として、これに配位子（原子・原子団・分子またはイオン）が結合した集団体である。錯体中に含まれる配位子の種類は特に限定されないが、例えば、β−ジケトン、カルボン酸、アルコキシド、および、アルコールからなる群から選択される配位子が挙げられる。
β−ジケトンとしては、例えば、アセチルアセトン、メチルアセトアセテート、エチルアセトアセテート、ベンゾイルアセトンが挙げられる。
カルボン酸としては、例えば、酢酸、２−エチルヘキサン酸、ナフテン酸、ネオデカン酸が挙げられる。
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、ノルマルプロポキシド（ｎ−プロポキシド）、イソプロポキシド、ノルマルブトキシド（ｎ−ブトキシド）が挙げられる。
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノールが挙げられる。
硬化性組成物中における金属化合物の含有量は、特に限定されず、適宜調整される。

《シランカップリング剤層》
シランカップリング剤層は、シランカップリング剤を支持基材１２の表面上に塗布し、乾燥（加熱）することにより、形成される。

シランカップリング剤層の厚さは、５０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましい。ただし、シランカップリング剤層の厚さが１ｎｍ未満である場合、シランカップリング剤層の剥離強度が低下したり、シランカップリング剤層が部分的に付かなかったりするおそれがある。このため、シランカップリング剤層の厚さは、１ｎｍ以上が好ましい。
シランカップリング剤層の厚さは、エリプソメトリー法により、または、塗布するカップリング剤の濃度および塗布量から計算することにより、求められる。

シランカップリング剤としては、アルコキシシランが好適に用いられる。
アルコキシシランが有するアルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜５のアルコキシ基が挙げられ、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基などが挙げられる。
アルコキシシランは、例えば、アルキル基、フェニル基、エポキシ基、ビニル基、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などの官能基を有していてもよい。複数の官能基は組み合わせられていてもよい（例えば、アミノアルキル基）。アルキル基としては、例えば、炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が挙げられる。

アルコキシシランとしては、具体的には、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン；トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

［電子デバイス用部材付き積層体の製造方法］
次に、電子デバイス用部材付き積層体２２を製造する方法を説明する。
まず、以下では、電子デバイス用部材付き積層体２２に用いる積層体１０を製造する方法を説明する。

＜積層体の製造（接着層がシリコーン樹脂層である場合の１）＞
まず、ポリイミド樹脂基板１６の第１主面１６ａに接着層１４としてシリコーン樹脂層を形成し、次いで、接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面に支持基材１２を積層して積層体１０を得ることが好ましい。

《シリコーン樹脂層の形成》
硬化性シリコーンの層をポリイミド樹脂基板１６の第１主面１６ａに形成することが好ましい。硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、ポリイミド樹脂基板１６の第１主面１６ａに塗布する。塗布方法は特に限定されず、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。
次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことによりシリコーン樹脂層を形成することが好ましい。
硬化処理は特に限定されず、使用される硬化性シリコーンの種類によって適宜最適な処理が実施される。例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを用いる場合は、硬化処理としては熱硬化処理が好ましい。
熱硬化処理の条件は、ポリイミド樹脂基板１６の耐熱性の範囲内で実施され、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０〜４００℃が好ましく、１００〜３００℃がより好ましい。加熱時間は、通常、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。
形成されるシリコーン樹脂層の態様は、上述した通りである。

《支持基材の積層》
接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面に支持基材１２を積層することにより積層体１０を得る。
支持基材１２を接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面に積層する方法は特に限定されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、常圧環境下で接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面上に支持基材１２を重ねる方法が挙げられる。接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面上に支持基材１２を重ねた後、ロールやプレスを用いて接着層１４（シリコーン樹脂層）に支持基材１２を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、接着層１４（シリコーン樹脂層）と支持基材１２との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、量良好な密着が実現でき、好ましい。

＜積層体の製造（接着層がシリコーン樹脂層である場合の２）＞
まず、支持基材１２の表面上に接着層１４としてシリコーン樹脂層を形成し、次いで、形成した接着層１４（シリコーン樹脂層）の表面に、ポリイミドまたはポリイミド前駆体が溶剤中に溶解または分散した溶液を用いてポリイミド樹脂基板１６を形成してもよい。これにより、積層体１０が得られる。

《シリコーン樹脂層の形成》
硬化性シリコーンの層を支持基材１２の表面上に形成することが好ましい。硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、支持基材１２の表面に塗布する。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ポリイミド樹脂基板１６の表面に塗布する方法として挙げた方法と同じ方法が挙げられる。
次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことによりシリコーン樹脂層を形成することが好ましい。硬化処理としては、特に限定されず、例えば、ポリイミド樹脂基板１６上の硬化性シリコーンの層に施す硬化処理と同じ硬化処理が挙げられる。

《ポリイミド樹脂基板の形成》
次に、シリコーン樹脂層の表面１４ａに、ポリイミド前駆体の溶液（以下、本段落において、単に「溶液」ともいう）を塗布し、得られる塗膜を加熱してポリイミド樹脂基板１６を形成することが好ましい。
ポリイミドは、例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸をイミド化して得られる。ポリアミック酸は、原料であるジアミンと、テトラカルボン酸二無水物および／またはトリカルボン酸無水物とを、実質的に等モル使用し、有機溶媒中で反応させることによって得ることが好ましい。具体的には、例えば、窒素気流下において、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの有機極性溶媒にジアミンを溶解させた後、テトラカルボン酸二無水物および／またはトリカルボン酸無水物を加えて、室温で５時間程度反応させることにより得られる。得られるポリアミック酸の重量平均分子量は、１万〜３０万が好ましい。
溶液の塗布方法は、特に限定されず、例えば、スピンコーター、スプレーコーター、バーコーター、ロールコーター、ナイフコーター、スリットダイコーターなどを用いる方法；インクジェット印刷法；スクリーン印刷法；スリット状ノズルから押し出す方法；等が挙げられる。
塗膜の加熱温度は、５００℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましい。このような加熱により、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）をイミド化し、ポリイミドに変換する。加熱時間は、例えば１分〜５時間であり、２分〜９０分が好ましい。段階的に温度を上げてもよい。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、窒素雰囲気であってもよい。

＜積層体の製造（接着層がシランカップリング剤層である場合）＞
まず、支持基材１２の表面上に接着層１４としてシランカップリング剤層を形成し、次いで、接着層１４（シランカップリング剤層）の表面にポリイミド樹脂基板１６を積層して積層体１０を得ることが好ましい。

《シランカップリング剤層の形成》
支持基材１２の表面上に、シランカップリング剤として、上述したアルコキシシランを塗布することが好ましい。塗布方法は特に限定されず、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。
次いで、塗布したシランカップリング剤（アルコキシシラン）を乾燥（加熱）することが好ましい。乾燥条件は、５０〜３００℃が好ましく、１００〜２００℃がより好ましい。乾燥時間は、１〜６０分が好ましく、１〜１０分がより好ましい。
こうして、支持基材１２の表面上に、接着層１４として、シランカップリング剤層が形成される。

《ポリイミド樹脂基板の積層》
接着層１４（シランカップリング剤層）の表面にポリイミド樹脂基板１６を積層することにより積層体１０を得る。
ポリイミド樹脂基板１６を接着層１４（シランカップリング剤層）の表面に積層する方法は特に限定されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、常圧環境下で接着層１４（シランカップリング剤層）の表面上にポリイミド樹脂基板１６を重ねる方法が挙げられる。接着層１４（シランカップリング剤層）の表面上にポリイミド樹脂基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いて接着層１４（シランカップリング剤層）にポリイミド樹脂基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、接着層１４（シランカップリング剤層）とポリイミド樹脂基板１６との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
なお、接着層１４（シランカップリング剤層）の表面に、上述した樹脂溶液を塗布し、得られる塗膜を加熱してポリイミド樹脂基板１６を形成してもよい。

＜電子デバイス用部材の形成＞
次に、積層体１０を用いて、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
図１に示すように、ポリイミド樹脂基板１６の第２主面１６ｂ上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得ることが好ましい。

電子デバイス用部材２０としては、特に限定されず、ＬＴＰＳなどの表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路、受信センサー用部材などが挙げられる。
この場合、得られる電子デバイス２４（ポリイミド樹脂基板１６および電子デバイス用部材２０）としては、表示装置用部材を有する表示装置用パネル、太陽電池用部材を有する太陽電池、薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、受信センサー用部材を有する受信センサーパネルなどが挙げられる。
表示装置用パネルは、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネルなどを含む。

電子デバイス用部材２０は、ポリイミド樹脂基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（全部材）ではなく、全部材の一部（部分部材）であってもよい。
電子デバイス用部材２０が部分部材である場合も、電子デバイス用部材付き積層体２２得られるものを電子デバイス２４と呼ぶ。

電子デバイス用部材２０を形成する方法としては、特に限定されず、電子デバイス用部材２０の種類に応じて、従来公知の方法にて、積層体１０のポリイミド樹脂基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合は、透明電極を形成する、更に透明電極を形成した面上にホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理を行なう。これらの層形成や処理として、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ＬＴＰＳ等の材料を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、別の積層体１０のポリイミド樹脂基板１６に、レジスト液を用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成し、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とを積層（貼合わせ）する。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイを製造する場合は、ＬＴＰＳ等の材料を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、形成したＴＦＴ上に、ＬＥＤチップを実装する。それ以外に、平坦化、配線形成、封止などを実施してもよい。

以下に、実施例により本発明を具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されない。

以下、例１〜例８は実施例であり、例９〜例１３は比較例である。

＜硬化性シリコーン１および硬化性組成物１の調製＞
《硬化性シリコーン１の調製》
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１の組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。

《硬化性組成物１の調製》
硬化性シリコーン１に、Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（CAS No. 68478-92-2）を白金元素の含有量が６０ｐｐｍとなるように加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａ（２００ｇ）と、２−エチルヘキサン酸ビスマス（「プキャット２５」、日本化学産業社製、金属含有率２５％）（０．０８ｇ）と、溶媒としてジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業社製）（８４．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物１を得た。

＜硬化性シリコーン２および硬化性組成物２の調製＞
《硬化性シリコーン２の調製》
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、および、酢酸（５ｇ）を加えて混合物を得た。得られた混合物を、２５℃で２０分間撹拌し、その後、６０℃に加熱して１２時間反応させることにより、反応粗液１を得た。得られた反応粗液１を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液１を３回洗浄した。洗浄された反応粗液１にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、２５℃で２０分間撹拌し、その後、５０℃に加熱して１２時間反応させて反応粗液２を得た。得られた反応粗液２を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液２を３回洗浄した。洗浄された反応粗液２からトルエンを減圧留去し、スラリーを得た。得られたスラリーを、真空乾燥機を用いて終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーン２を得た。硬化性シリコーン２は、Ｍ単位、Ｔ単位のモル比が１３：８７、有機基は全てメチル基、平均ＯＸ基数が０．０２であった。

《硬化性組成物２の調製》
硬化性シリコーン２（５０ｇ）と、金属化合物としてジルコニウムテトラノルマルプロポキシド（「オルガチックスＺＡ−４５」、マツモトファインケミカル社製、金属含有率２１．１％）（０．２４ｇ）と、２−エチルヘキサン酸セリウム（III）（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、金属含有率１２％）（０．４２ｇ）と、溶媒としてＩｓｏｐｅｒＧ（東燃ゼネラル石油社製）（７５ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物２を得た。

＜例１〜例４＞
《積層体の作製》
ポリイミド樹脂基板として、厚さ０．０１５ｍｍのポリイミドフィルム（「ゼノマックス」、東洋紡社製）を準備した。
調製した硬化性組成物１を、ポリイミド樹脂基板に塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、厚さ８μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
続いて、支持基材として、２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス板（「ＡＮＷｉｚｕｓ」、ＡＧＣ社製）を準備した。準備した支持基材を、水系ガラス洗浄剤（「ＰＫ−ＬＣＧ２１３」、パーカーコーポレーション社製）を用いて洗浄し、その後、純水で洗浄した。
洗浄した支持基材を、ポリイミド樹脂基板上に形成したシリコーン樹脂層上に置き、貼合装置を用いて貼り合わせ、積層体を作製した。

《電子デバイス用部材付き積層体の作製》
作製した積層体のポリイミド樹脂基板上に、プラズマＣＶＤを用いて、膜厚５００ｎｍの窒化ケイ素薄膜を形成した。次いで、窒化ケイ素薄膜の上に、ＬＴＰＳ（Low-Temperature Polycrystalline-Silicon）を用いて、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成した。こうして、電子デバイス用部材付き積層体を作製した。

＜例５〜例８＞
硬化性組成物１に代えて、硬化性組成物２を用いた以外は、例１〜例４と同様にして、電子デバイス用部材付き積層体を作製した。

＜例９〜例１３＞
《積層体の作製》
支持基材として、２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス板（「ＡＮＷｉｚｕｓ」、ＡＧＣ社製）を準備した。準備した支持基材を、水系ガラス洗浄剤（パーカーコーポレーション社製「ＰＫ−ＬＣＧ２１３」）を用いて洗浄し、その後、純水で洗浄した。
洗浄した支持基材上に、市販のワニス（「Ｕワニス−Ａ」、宇部興産社製、溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を塗布し、加熱後の膜厚が１０μｍとなるように塗膜を形成した。
塗膜を形成した支持基材を、６０℃のホットプレート上に載せて、２時間静置することにより、塗膜から溶媒を蒸発させて除去した。続いて、窒素雰囲気のオーブンにて、８０℃で０．５時間加熱し、その後、３００℃で０．５時間加熱し、更に３７０℃で０．５時間加熱することにより、塗膜を硬化させた。
こうして、支持基材上にポリイミドからなる薄膜（ポリイミド樹脂基板）を有する積層体を得た。

《電子デバイス用部材付き積層体の作製》
得られた積層体を用いて、例１〜例４と同様にして、ポリイミド樹脂基板上にＴＦＴを形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得た。

＜評価＞
各例の電子デバイス用部材付き積層体に、支持基材側から、下記表１に示す照射エネルギー密度（単位：ｍＪ／ｃｍ^２）のレーザー光を照射した。
より詳細には、レーザー発振装置として、LIGHTEC社製のエキシマレーザー装置（発振ガス：ＸｅＣｌ、波長：３０８ｎｍ、最大レーザー出力：５Ｗ、最大パルスエネルギー：６００ｍＪ、パルス幅：２０ｎｍ）を用いた。
レーザー光の照射条件は、ビームサイズを３０ｍｍ×０．７ｍｍ、レーザー光の繰返し周波数を１０Ｈｚ、レーザー光の照射形状のオーバーラップ率（重なり率）を５０％とした。
レーザー光の照射後、以下の評価を行なった。

《省エネルギー性》
電子デバイス用部材付き積層体に照射したレーザー光の照射エネルギー密度（単位：ｍＪ／ｃｍ^２）に基づいて、下記基準にて評価した。
Ａ：レーザー光の照射エネルギー密度が８０ｍＪ／ｃｍ^２未満であった。
Ｃ：レーザー光の照射エネルギー密度が８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であった。

《剥離性》
電子デバイス（ポリイミド樹脂基板および電子デバイス用部材）の支持基材（シリコーン樹脂層付き支持基材）からの剥離の状態を目視により確認し、下記基準にて評価した。
Ａ：電子デバイスが完全に剥離した。
Ｂ：電子デバイスが部分的に剥離した。
Ｃ：電子デバイスが剥離しなかった。

《着色性》
ポリイミド樹脂基板の着色の有無を、目視により確認し、下記基準にて評価した。
Ａ：ポリイミド樹脂基板に焦げによる着色が生じなかった。
Ｂ：ポリイミド樹脂基板に焦げによる着色が生じた。

以上の評価結果を、下記表１にまとめた。
下記表１の「ポリイミド樹脂基板」の欄には、ポリイミドフィルム（ゼノマックス）を用いた場合は「１」を、市販のワニス（Ｕワニス−Ａ）の硬化膜を用いた場合は「２」を記載した。
下記表１の「硬化性組成物」の欄には、硬化性組成物１を用いた場合は「１」を、硬化性組成物２を用いた場合は「２」を記載した。接着層（シリコーン樹脂層）を形成しなかった場合は「なし」を記載した。

《エネルギー有効率》
例１〜例４、例５〜例８、および、例９〜例１３ごとに、ポリイミド樹脂基板が着色することなく電子デバイスが完全に剥離できたレーザー光の照射エネルギー密度について、下限値に対する上限値の割合（単位：％）を算出し、下記表１に記載した。この割合を、便宜的に、「エネルギー有効率」と表記する。
下記表１における「エネルギー有効率」の列において、「エネルギー有効率」の算出に無関係であった「照射エネルギー密度」に対応するセルには、「−」を記載した。

＜評価結果のまとめ＞
上記表１に示すように、接着層（シリコーン樹脂層）を設けなかった例９〜例１３は、レーザー光の照射エネルギー密度が８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、省エネルギー性が不十分であった。
これに対して、接着層（シリコーン樹脂層）を形成した例１〜例４および例５〜例８は、いずれも、照射エネルギー密度が８０ｍＪ／ｃｍ^２未満のレーザー光で電子デバイスが剥離しており、省エネルギー性に優れていた。

硬化性組成物１を用いてシリコーン樹脂層を形成した例１〜例４を対比する。
例１は、電子デバイスが部分的にしか剥離しなかったのに対して、例２〜例４は、電子デバイスが完全に剥離した。
例４は、ポリイミド樹脂基板に着色が生じたのに対して、例１〜例３は、ポリイミド樹脂基板に着色が生じなかった。

硬化性組成物２を用いてシリコーン樹脂層を形成した例５〜例８を対比する。
例５は、電子デバイスが部分的にしか剥離しなかったのに対して、例６〜例８は、電子デバイスが完全に剥離した。
例８は、ポリイミド樹脂基板に着色が生じたのに対して、例５〜例７は、ポリイミド樹脂基板に着色が生じなかった。

例１〜例４、例５〜例８、および、例９〜例１３について、エネルギー有効率を対比する。
その結果、例１〜例４では「１４３％」（下限値：例２、上限値：例３）、例５〜例８では「１５０％」（下限値：例６、上限値：例７）、例９〜例１３では「１１０％」（下限値：例１１、上限値：例１２）であった。
例１〜例４および例５〜例８は、例９〜例１３よりも、エネルギー有効率の値が大きいため、剥離性および着色性の場所依存性が小さい。すなわち、電子デバイス用部材付き積層体（特に、大面積の電子デバイス用部材付き積層体）にレーザー光を照射した場合に、レーザー光の照射場所ごとに、剥離性および着色性が異なることが少ない。

１０ 積層体
１２ 支持基材
１４ 接着層
１４ａ 接着層の表面
１６ ポリイミド樹脂基板
１６ａ ポリイミド樹脂基板の第１主面
１６ｂ ポリイミド樹脂基板の第２主面
１８ 接着層付き支持基材
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 電子デバイス
３０ レーザー光

Claims (10)

1. ガラス製の支持基材と、シリコーン樹脂層またはシランカップリング剤層である接着層と、ポリイミド樹脂基板と、電子デバイス用部材とをこの順に備える電子デバイス用部材付き積層体を準備し、
   前記電子デバイス用部材付き積層体に前記支持基材側からレーザー光を照射することにより、前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記ポリイミド樹脂基板および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得て、
   前記レーザー光の照射エネルギー密度が、８０ｍＪ／ｃｍ^２未満である、電子デバイスの製造方法。
2. 前記レーザー光の照射エネルギー密度が、５５ｍＪ／ｃｍ^２未満である、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記レーザー光の照射エネルギー密度が、５０ｍＪ／ｃｍ^２以下である、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記レーザー光の照射エネルギー密度が、２０ｍＪ／ｃｍ^２以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記レーザー光の照射エネルギー密度が、２５ｍＪ／ｃｍ^２以上である、請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記接着層が、前記シリコーン樹脂層である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記シリコーン樹脂層の厚さが、１００μｍ以下である、請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 前記ポリイミド樹脂基板に前記シリコーン樹脂層を形成し、形成した前記シリコーン樹脂層に前記支持基材を積層することにより積層体を得て、
   前記積層体における前記ポリイミド樹脂基板に前記電子デバイス用部材を形成することにより、前記電子デバイス用部材付き積層体を得る、請求項６または７に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 前記支持基材の厚さが、１．０ｍｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
10. エキシマレーザーから前記レーザー光を発生させる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。