JP7255726B1 - 積層体、電子デバイス用部材付き積層体、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱処理が施された際に、ポリイミド層において発泡およびクラックの発生が抑制された、支持基板、密着層、ポリイミド層、および、無機層を含む積層体の提供。【解決手段】支持基板１２と、支持基板上の少なくとも一部の領域に配置された積層部１４Ａと、を有する積層体１０Ａであって、積層部１４Ａが、支持基板１２側から、密着層１６と、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順に有し、積層体表面の法線方向から前記積層体を観察した際に、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、かつ、無機層２０の外縁が密着層１６の外縁と一致する、または、無機層２０の外縁が密着層１６の外縁よりも内側に位置する、または、無機層２０の外縁の一部が密着層１６の外縁の一部と一致し、無機層２０の外縁の残部が密着層１６の外縁よりも内側に位置する、積層体。【選択図】図２

Description

本発明は、積層体、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法に関する。

太陽電池（ＰＶ）；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線などを感知する受信センサーパネル；などの電子デバイスの薄型化、軽量化が進行している。それに伴い、電子デバイスに用いるポリイミド基板などの基板の薄板化も進行している。薄板化により基板の強度が不足すると、基板のハンドリング性が低下し、基板上に電子デバイス用部材を形成する工程などにおいて問題が生じる場合がある。

そこで、最近では、基板のハンドリング性を良好にするため、支持基板上にポリイミド基板を配置した積層体を用いる技術が提案されている（特許文献１）。より具体的には、特許文献１では、熱硬化性樹脂組成物硬化体層上にポリイミドワニスを塗布して、樹脂ワニス硬化フィルム（ポリイミド層に該当）を形成して、樹脂ワニス硬化フィルム上に精密素子を配置できることが開示されている。
つまり、特許文献１には、ポリイミドワニスを用いてポリイミド層を形成して、そのポリイミド層上に精密素子（電子デバイスに該当）を配置する技術が開示されている。

特開２０１８－１９３５４４号公報

ポリイミド層上に電子デバイスを配置する際に、ポリイミド層上に無機層を配置した後、無機層上に電子デバイスを配置する試みがなされている。無機層は、ガスバリア性に優れるため、電子デバイスの性能維持向上が期待される。
本発明者が特許文献１に記載される技術で熱硬化性樹脂組成物硬化体層である密着層上にポリイミド層を配置し、さらにポリイミド層上に無機層を配置して得られる積層体の特性について検討したところ、積層体に対して加熱処理（特に、３８０℃程度の温度での加熱処理）を施すと、ポリイミド層において発泡およびクラックの発生が確認される場合があった。このような発泡またはクラックの発生があると、電子デバイスを製造する工程において工程汚染を引き起こし、電子デバイスの性能劣化を引き起こす懸念がある。

本発明は、加熱処理が施された際に、ポリイミド層において発泡およびクラックの発生が抑制された、支持基板、密着層、ポリイミド層、および、無機層を含む積層体を提供することを課題とする。
また、本発明は、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法を提供することも課題とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の課題を解決できることを見出した。

（１） 支持基板と、
支持基板上の少なくとも一部の領域に配置された積層部と、を有する積層体であって、
積層部が、支持基板側から、密着層と、ポリイミド層と、無機層とをこの順に有し、
積層体表面の法線方向から積層体を観察した際に、
ポリイミド層の外縁が密着層の外縁よりも外側に位置し、かつ、
無機層の外縁が密着層の外縁と一致する、または、無機層の外縁が密着層の外縁よりも内側に位置する、または、無機層の外縁の一部が密着層の外縁の一部と一致し、無機層の外縁の残部が密着層の外縁よりも内側に位置する、積層体。
（２） 密着層が、シリコーン樹脂層である、（１）に記載の積層体。
（３） 無機層が、Ｓｉを含む窒化物、または、Ｓｉを含む酸化物を含む、（１）または（２）に記載の積層体。
（４） 支持基板上に、積層部が２つ以上配置されている、（１）～（３）のいずれかに記載の積層体。
（５） 支持基板が、ガラス基板である、（１）～（４）のいずれかに記載の積層体。
（６） （１）～（５）のいずれかに記載の積層体と、
積層体中の無機層上に配置される電子デバイス用部材と、を有する電子デバイス用部材付き積層体。
（７） （１）～（５）のいずれかに記載の積層体の無機層上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
電子デバイス用部材付き積層体から、ポリイミド層、無機層、および、電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、加熱処理が施された際に、ポリイミド層において発泡およびクラックの発生が抑制された、支持基板、密着層、ポリイミド層、および、無機層を含む積層体を提供できる。
本発明によれば、電子デバイス用部材付き積層体、および、電子デバイスの製造方法を提供できる。

ポリイミド層において発泡およびクラックが発生する積層体を模式的に示す断面図である。 本発明の積層体の第１実施形態を模式的に示す断面図である。 図２に示す積層体の第１実施形態の平面図である。 本発明の積層体の第２実施形態を模式的に示す断面図である。 図４に示す積層体の第２実施形態の平面図である。 本発明の積層体の第３実施形態を模式的に示す断面図である。 図６に示す積層体の第３実施形態の平面図である。 本発明の積層体の他の実施形態を模式的に示す断面図である。 部材形成工程を説明するための図である。 切断工程を説明するための図である。 分離工程を説明するための図である。 例１１および１２の積層体を模式的に示す断面図である。 例１３および１４の積層体を模式的に示す断面図である。 例１５および１６の積層体を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明の積層体の特徴点としては、密着層、ポリイミド層、および、無機層の配置位置を調整している点が挙げられる。
本発明者は、ポリイミド層において発泡およびクラックの発生がみられる原因について検討したところ、密着層上に位置するポリイミド層においては発泡およびクラックが生じないが、密着層上に位置せず、かつ、無機層で覆われたポリイミド層においては発泡およびクラックが生じることを見出した。
より具体的には、図１に示す積層体１００は、支持基板１０２と、積層部１０４とを有し、積層部１０４は、支持基板１０２側から、密着層１０６、ポリイミド層１０８、無機層１１０がこの順で配置されている。積層体１００においては、ポリイミド層１０８が密着層１０６を覆うように配置されており、積層体１００表面の法線方向（図１中の白抜き矢印方向。積層体の各部材の積層方向に該当。）から積層体１００を観察した際、ポリイミド層１０８の外縁が密着層１０６の外縁よりも外側に位置している。また、無機層１１０は、ポリイミド層１０８の全面を覆うように配置されている。このような積層体１００に対して加熱処理を施すと、破線で囲んだ、支持基板１０２上に位置し、無機層１１０で覆われた、ポリイミド層１０８の領域において発泡およびクラックが発生した。一方、密着層１０６上に位置するポリイミド層１０８の領域においては、発泡およびクラックの発生が見られなかった。上記現象が起きる理由の詳細は不明だが、密着層１０６があることによりポリイミド層１０８の耐熱性が向上する、または、ポリイミド層１０８に含まれる水分が密着層１０６に吸収され、発泡およびクラックが抑制される、などが考えられる。
上記のように、密着層１０６上に位置せず、無機層１１０で覆われた、ポリイミド層１０８の領域において、発泡およびクラックの発生がみられる。
そこで、本発明においては、後述する図２などに示されるように、密着層に対する無機層の配置領域を調整することにより、上記のような問題の発生が抑制できることを知見している。特に、積層体に加熱処理を施した際に、ポリイミド層に含まれる水分などの揮発性成分が積層体の外に揮発できるように、ポリイミド層上の無機層の配置領域を調整している。

＜積層体＞
図２は、本発明の積層体の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
積層体１０Ａは、支持基板１２と、支持基板１２の一部の領域に配置された積層部１４Ａとを有する。積層部１４Ａは、支持基板１２側から、密着層１６と、ポリイミド層１８と、無機層２０とがこの順に配置されている。
図３は、積層体１０Ａ表面の法線方向（図２中の白抜き矢印方向。積層体の各部材の積層方向に該当し、積層体の厚み方向にも該当する。）から積層体１０Ａを観察した際（積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを平面視した際）の積層体１０Ａの平面図である。積層体１０Ａ表面の法線方向（図２中の白抜き矢印方向）から積層体１０Ａを観察した際、図３に示すように、積層体１０Ａにおいては、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、かつ、無機層２０の外縁が密着層１６の外縁と一致している。つまり、図３に示すように、ポリイミド層１８の外縁が、密着層１６の外縁で囲まれた領域よりも外側に位置し、無機層２０の外縁の位置と密着層１６の外縁の位置とが重複している。
このような積層体１０Ａにおいては、加熱処理を施した後においても、ポリイミド層１８において発泡およびクラックの発生が抑制される。

第１実施形態においては、ポリイミド層１８の外縁は、密着層１６の外縁よりも外側に位置していればよく、ポリイミド層１８の外縁は密着層１６の外縁から１ｍｍ以上離れて位置することが好ましく、３～１０ｍｍ離れて位置することがより好ましい。つまり、図３に示すように、積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを観察した際、密着層１６の外縁上の点から最も近接した位置にあるポリイミド層１８の外縁の位置までの距離Ｄ１が１ｍｍ以上であることが好ましく、３～１０ｍｍであることがより好ましい。
図３においては、ポリイミド層１８は支持基板１２の一部の領域に配置されているが、支持基板１２の全面に配置されていてもよい。
図３に示すように、密着層１６、ポリイミド層１８、および、無機層２０の形状は、四角形状であるが、その形状は上記関係を満たしていれば特に制限されない。
なお、積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを観察した際、密着層１６、ポリイミド層１８の形状は、相似形状であることが好ましい。
また、積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを観察した際、密着層１６の重心、ポリイミド層１８の重心、および、無機層２０の重心は一致しているが、この形態には限定されず、本発明の積層体においては各層の重心は一致していなくてもよい。
また、ポリイミド層１８は無色および有色のいずれであってもよく、ポリイミド層１８が有色であり、かつ、ポリイミド層１８で覆われた密着層１６の外縁の位置がポリイミド層１８を介して確認できない場合には、積層体１０Ａを切断してその断面を観察して密着層１６の外縁の位置を確認してもよい。積層体１０Ａを切断してその断面を観察する以外にも、必要に応じて、ポリイミド層１８を削って、密着層１６の外縁の位置を確認してもよい。
なお、無機層２０は無色および有色のいずれであってもよく、無機層２０が有色であり、かつ、無機層２０の存在により密着層１６の外縁の位置および／またはポリイミド層１８の外縁の位置が確認できない場合には、積層体１０Ａを切断してその断面を観察して密着層１６およびポリイミド層１８の外縁の位置を確認してもよい。積層体１０Ａを切断してその断面を観察する以外にも、必要に応じて、無機層２０を削って、密着層１６やポリイミド層１８の外縁の位置を確認してもよい。

積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを観察した際、支持基板１２の面積に対する密着層１６の面積割合は、８０～９９％が好ましく、８５～９８％がより好ましい。
積層体１０Ａ表面の法線方向から積層体１０Ａを観察した際、支持基板１２の面積に対するポリイミド層１８の面積割合は、９０～１００％が好ましく、９５～１００％がより好ましい。

図４は、本発明の積層体の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
積層体１０Ｂは、支持基板１２と、支持基板１２の一部の領域に配置された積層部１４Ｂとを有する。積層部１４Ｂは、支持基板１２側から、密着層１６と、ポリイミド層１８と、無機層２０とがこの順に配置されている。
図５は、積層体１０Ｂ表面の法線方向（図４中の白抜き矢印方向）から積層体１０Ｂを観察した際の積層体１０Ｂの平面図である。図５に示すように、積層体１０Ｂにおいては、積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、かつ、無機層２０の外縁が密着層１６の外縁よりも内側に位置する。

図２に示す第１実施形態と、図４に示す第２実施形態とは、無機層の配置位置以外は同じ構成を有する。つまり、第２実施形態における、ポリイミド層１８の外縁と密着層１６の外縁との位置関係は、第１実施形態における、ポリイミド層１８の外縁と密着層１６の外縁との位置関係と同じであり、図５に示すＤ１の大きさの好適範囲は、図３に示すＤ１の大きさの好適範囲と同じである。また、第２実施形態における、支持基板１２の面積に対する密着層１６の面積の比、および、支持基板１２の面積に対するポリイミド層１８の面積の比の好適範囲は、第１実施形態で述べた各項目の好適範囲と同じである。
図４に示す積層体１０Ｂにおいては、無機層２０の外縁が密着層１６の外縁よりも内側に位置する。つまり、図５に示すように、無機層２０の外縁が、密着層１６の外縁と重複せずに、密着層１６の外縁で囲まれた領域内部に位置する。
また、積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、密着層１６の重心、ポリイミド層１８の重心、および、無機層２０の重心は一致しているが、この形態には限定されず、本発明の積層体においては各層の重心は一致していなくてもよい。

第２実施形態においては、無機層２０の外縁は、密着層１６の外縁よりも内側に位置していればよく、無機層２０の外縁は密着層１６の外縁から１ｍｍ以上離れて位置することが好ましく、２～１０ｍｍ離れて位置することがより好ましい。つまり、図５に示すように、積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、無機層２０の外縁上の点から最も近接した位置にある密着層１６の外縁の位置までの距離Ｄ２が１ｍｍ以上であることが好ましく、２～１０ｍｍであることがより好ましい。

積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、密着層１６の面積に対する無機層２０の面積割合は、９０％以上１００％未満が好ましく、９５％以上１００％未満がより好ましい。

図５に示すように、密着層１６、ポリイミド層１８、および、無機層２０の形状は、四角形状であるが、その形状は上記関係を満たしていれば特に制限されない。
なお、積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、密着層１６、ポリイミド層１８、および、無機層２０の形状は、相似形状であることが好ましい。

図６は、本発明の積層体の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
積層体１０Ｃは、支持基板１２と、支持基板１２の一部の領域に配置された積層部１４Ｃとを有する。積層部１４Ｃは、支持基板１２側から、密着層１６と、ポリイミド層１８と、無機層２０とがこの順に配置されている。
図７は、積層体１０Ｃ表面の法線方向（図６中の白抜き矢印方向）から積層体１０Ｃを観察した際の積層体１０Ｃの平面図である。図７に示すように、積層体１０Ｃにおいては、積層体１０Ｃ表面の法線方向から積層体１０Ｃを観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、かつ、無機層２０の外縁の一部が密着層１６の外縁の一部と一致し、無機層２０の外縁の残部が密着層１６の外縁よりも内側に位置する。

図２に示す第１実施形態と、図６に示す第３実施形態とは、無機層の配置位置以外は同じ構成を有する。つまり、第３実施形態における、ポリイミド層１８の外縁と密着層１６の外縁との位置関係は、第１実施形態における、ポリイミド層１８の外縁と密着層１６の外縁との位置関係と同じであり、図７に示すＤ１の大きさの好適範囲は、図３に示すＤ１の大きさの好適範囲と同じである。また、第３実施形態における、支持基板１２の面積に対する密着層１６の面積の比、および、支持基板１２の面積に対するポリイミド層１８の面積の比の好適範囲は、第１実施形態で述べた各項目の好適範囲と同じである。
図６に示す積層体１０Ｃにおいては、無機層２０の外縁の一部が密着層１６の外縁と一致し、無機層２０の外縁の残部が密着層１６の外縁よりも内側に位置する。つまり、図７に示すように、無機層２０の外縁の一部と密着層１６の外縁の一部が重複しており、無機層２０の外縁の残部が、密着層１６の外縁と重複せずに、密着層１６の外縁で囲まれる領域内部に位置する。図７においては、四角形状の無機層２０の外縁を構成する４辺のうち３辺が密着層１６の外縁の一部と重複し、無機層２０の外縁を構成する４辺のうち残りの１辺が密着層１６の外縁で囲まれる領域内部に位置する。
無機層２０の外縁と密着層１６の外縁とのうち互いに一致する範囲は特に制限されない。

積層体１０Ｂ表面の法線方向から積層体１０Ｂを観察した際、密着層１６の面積に対する無機層２０の面積割合は、９０％以上１００％未満が好ましく、９５％以上１００％未満がより好ましい。

また、図２～７においては、基板上に１つの積層部が配置された形態を示したが、支持基板上に配置される積層部は２つ以上であってもよい。例えば、図８に示すように、積層体１０Ｄは、支持基板１２と、支持基板１２の一部の領域に配置された、２つの積層部１４Ａとを有する。積層部１４Ａは、第１実施形態で説明した構成を有する。
積層体が複数の積層部を有する場合、その数は特に制限されず、２～１６が好ましく、２～４がより好ましい。

以下では、上記積層体を構成する各部材について詳述する。

（支持基板）
支持基板は、積層部を支持して補強する部材である。
支持基板としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属板（例えば、ＳＵＳ板）が挙げられる。なかでも、ガラス基板が好ましい。
ガラス基板を構成するガラスとしては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス基板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス基板の製造方法は、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法が挙げられる。

支持基板の形状（主面の形状）は特に制限されないが、矩形状が好ましい。

支持基板は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、支持基板の厚みは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、支持基板の厚みは、１．０ｍｍ以下が好ましい。

（密着層）
密着層は、支持基板とポリイミド層との間に配置され、その上に配置されるポリイミド層の剥離を防止するための層である。つまり、密着層は、支持基板とポリイミド層との密着性を担保するための層である。
密着層は、有機層であっても、無機層であってもよい。
有機層の材質としては、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。また、いくつかの種類の樹脂を混合して密着層を構成することもできる。
無機層の材質としては、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物、弗化物、金属（半金属を含む）が挙げられる。酸化物（好ましくは、金属酸化物）、窒化物（好ましくは、金属窒化物）、酸窒化物（好ましくは、金属酸窒化物）としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、ＩｎおよびＢａから選ばれる１種以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。なかでも、Ｓｉ（ケイ素原子）を含む窒化物（例えば、窒化ケイ素）、または、Ｓｉを含む酸化物（例えば、酸化ケイ素）が好ましい。
炭化物（好ましくは、金属炭化物）、炭窒化物（好ましくは、金属炭窒化物）としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、および、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物が挙げられる。
珪化物（好ましくは、金属珪化物）としては、例えば、Ｍｏ、Ｗ、および、Ｃｒから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物（好ましくは、金属弗化物）としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、および、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。

密着層は、プラズマ重合膜であってもよい。
密着層がプラズマ重合膜である場合、プラズマ重合膜を形成する材料は、ＣＦ₄、ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₃Ｆ、Ｃ₄Ｈ₈などのフルオロカーボンモノマー、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ベンゼン、トルエンなどのハイドロカーボンモノマー、水素、ＳＦ₆などが挙げられる。
密着層は、アモルファスシリコン層であってもよい。

なかでも、耐熱性や剥離性の点から、密着層の材質として、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましく、シリコーン樹脂がより好ましく、縮合硬化型シリコーンより形成されるシリコーン樹脂がより好ましい。
以下では、密着層がシリコーン樹脂層である形態について詳述する。

シリコーン樹脂とは、所定のオルガノシロキシ単位を含む樹脂であり、通常、硬化性シリコーンを硬化させて得られる。硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加硬化型シリコーン、縮合硬化型シリコーン、紫外線硬化型シリコーン、および、電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用できる。なかでも、縮合硬化型シリコーンが好ましい。
縮合硬化型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物若しくはその混合物（モノマー混合物）、または、モノマーまたはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に用いることができる。
この縮合硬化型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成できる。

密着層は、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を用いて形成されることが好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンのほかに、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、金属化合物などを含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素としては、例えば、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）が挙げられる。金属化合物の含有量は、特に制限されず、適宜調整される。

密着層の平均厚みは特に制限されず、密着層が有機層である場合、５０．０μｍ以下が好ましく、３０．０μｍ以下がより好ましく、１２．０μｍ以下がさらに好ましい。一方、密着層が有機層である場合、密着層の平均厚みは、１μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましい。
密着層が無機層である場合、１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下がさらに好ましい。一方、密着層が無機層である場合、密着層の平均厚みは、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。
上記平均厚みは、密着層の任意の１０点の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

（ポリイミド層）
ポリイミド層は、密着層上に配置され、後述する剥離処理の際に密着層から剥離される。ポリイミド層は、後述する電子デバイスの一部を構成する部材である。
ポリイミド層は、ポリイミドを含む層である。ポリイミドは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重縮合し、イミド化することにより得られる。より具体的には、ポリイミドは、下記式（１）で表される、テトラカルボン酸類の残基（Ｘ）とジアミン類の残基（Ａ）とを有する繰り返し単位からなることが好ましい。

式（１）中、Ｘはテトラカルボン酸類からカルボキシ基を除いたテトラカルボン酸残基を、Ａはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を表す。
用いるテトラカルボン酸二無水物としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。用いるジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンが挙げられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸（１，２，４，５－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物）、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、環式または非環式の脂肪族テトラカルボン酸二無水物があり、環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物が挙げられ、非環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－ペンタンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’－オキシジアミノベンゼン（４，４’－ジアミノジフェニルエーテル）、１，３－ビス－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス－（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４－ジアミノベンゼン、１，３－ジアミノベンゼンが挙げられる。
脂肪族ジアミンとしては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテルなどの非環式脂肪族ジアミン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジアミンなどの環式脂肪族ジアミンが挙げられる。

ポリイミド層の平均厚みは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。柔軟性の点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
上記平均厚みは、ポリイミド層の任意の１０点の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

（無機層）
無機層は、ポリイミド層上に配置される層である。無機層は、いわゆるガスバリア層として機能することが好ましい。
無機層を構成する材料は特に制限されず、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物、弗化物が挙げられる。酸化物（好ましくは、金属酸化物）、窒化物（好ましくは、金属窒化物）、酸窒化物（好ましくは、金属酸窒化物）としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、ＩｎおよびＢａから選ばれる１種以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。より具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮ）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮなどが挙げられる。なかでも、Ｓｉを含む窒化物（例えば、窒化ケイ素）、または、Ｓｉを含む酸化物（例えば、酸化ケイ素）が好ましい。

無機層の平均厚みは、１０～５０００ｎｍが好ましく、５０～１０００ｎｍがより好ましい。

＜積層基板の製造方法＞
積層体の製造方法は、特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、支持基板上の所定の領域の密着層を形成し、その後、密着層上にポリイミド層を形成して、その後、ポリイミド層上に無機層を形成する方法が挙げられる。
以下、各層の製造手順について詳述する。

まず、支持基板上の所定の領域の密着層を形成する。
密着層の形成方法は、密着層の材料によって適宜最適な方法が選択される。例えば、密着層としてシリコーン樹脂層を形成する場合、上述した、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を支持基板上の所定の領域に塗布して、塗膜に対して加熱処理を施す方法が挙げられる。
また、密着層として無機層を形成する場合、プラズマＣＶＤ、スパッタの方法が挙げられる。

なかでも、密着層としてシリコーン樹脂層を用いる場合、生産性が優れる場合、仮支持体と仮支持体上に配置された加熱処理後にシリコーン樹脂層となる前駆体膜とを有する転写フィルムを用意して、転写フィルム中の前駆体膜を支持基板上の所定の位置に貼り合わせて、得られた支持基板、前駆体膜、および、仮支持体を有する積層体に対して加熱処理を施す方法が挙げられる。加熱処理を施すことによりシリコーン樹脂層が形成される。
以下、上記手順について詳述する。

上記では、まず、加熱処理後にシリコーン樹脂層となる前駆体膜とを有する転写フィルムを用意して、転写フィルム中の前駆体膜を支持基板上の所定の位置に貼り合わせる。
上記の転写フィルムを支持基板に貼り合わせた後に、得られた積層体をアルカリ洗剤で洗浄してもよい。また、アルカリ洗剤で洗浄した後、必要に応じて、純水でリンスしてもよい。さらに、純水でリンスした後、必要に応じて、エアナイフで水切りしてもよい。

シリコーン樹脂層を形成するための加熱処理の際には、圧力をかけながら実施することが好ましい。具体的には、オートクレーブを用いて加熱処理および加圧処理を実施することが好ましい。
加熱処理の際の加熱温度としては、５０～３５０℃が好ましく、５５～３００℃がより好ましく、６０～２５０℃がさらに好ましい。加熱時間としては、１０～６０分間が好ましく、２０～４０分間がより好ましい。
加圧処理の際の圧力としては、０．５～１．５ＭＰａが好ましく、０．８～１．０ＭＰａがより好ましい。

また、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。

次に、得られた支持基板の密着層側の所定の位置に、ポリイミドまたはその前駆体、および、溶媒を含むポリイミドワニスを塗布して、ポリイミド層を形成する。

ポリイミドワニスは、ポリイミドまたはその前駆体および溶媒を含む。
ポリイミドは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重縮合し、イミド化することにより得られる。ポリイミドとしては、溶剤可溶性を有することが好ましい。
用いるテトラカルボン酸二無水物とジアミンは、フィルム化した後の機械物性を考慮すると芳香族基を有することが望ましい。
テトラカルボン酸二無水物およびジアミンの具体例は、ポリイミド層で例示した化合物が挙げられる。

ポリイミドの前駆体とは、イミド化する前の状態であるポリアミド酸（いわゆる、ポリアミック酸および／またはポリアミック酸エステル）を意味する。

溶媒は、ポリイミドまたはその前駆体を溶解する溶媒であればよく、例えば、フェノール系溶媒（例えば、ｍ－クレゾール）、アミド系溶媒（例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド）、ラクトン系溶媒（例えば、γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－クロトノラクトン、γ－ヘキサノラクトン、α－メチル－γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、δ－ヘキサノラクトン）、スルホキシド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルスルホキシド）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸ジメチル）が挙げられる。

ポリイミドワニスを塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。

塗布後、必要に応じて、加熱処理を実施してもよい。
加熱処理の条件として、温度条件は、５０～５００℃が好ましく、５０～４５０℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分間が好ましく、２０～２００分間がより好ましい。
また、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。

その後、ポリイミド層上の所定の位置に、無機層を形成する。
無機層の形成方法は特に制限されず、プラズマＣＶＤ、スパッタの方法が挙げられる。

積層体は、種々の用途に使用でき、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウエハ、受信センサーパネルなどの電子部品を製造する用途が挙げられる。これらの用途では、積層体が大気雰囲気下にて、高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合もある。
表示装置用パネルは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、ＭＥＭＳシャッターパネルなどを含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネルなどを含む。受信センサーパネルに用いる基板は、樹脂などの補強シートなどによって補強されていてもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
積層体を用いて、ポリイミド層、無機層、および後述する電子デバイス用部材を含む電子デバイスが製造される。
電子デバイスの製造方法として積層体１０Ａを用いる場合、例えば、図９～１１に示すように、積層体１０Ａの無機層２０上に電子デバイス用部材２２を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２４を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体２４の一部を切断する切断工程と、電子デバイス用部材付き積層体２４から、ポリイミド層１８、無機層２０および電子デバイス用部材２２を有する電子デバイス２６を得る分離工程と、を備える方法である。

以下、電子デバイス用部材２２を形成する工程を「部材形成工程」、電子デバイス用部材２２の一部を切断する工程を「切断工程」、電子デバイス２６と密着層付き支持基板２８とに分離する工程を「分離工程」という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、積層体１０Ａの無機層２０上に電子デバイス用部材２２を形成する工程である。より具体的には、図９に示すように、無機層２０上に電子デバイス用部材２２を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２４を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２２について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材）
電子デバイス用部材２２は、積層体１０Ａの無機層２０上に形成される電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２２としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または表面に回路が形成された半導体ウエハなどの電子部品、受信センサーパネルなどに用いられる部材（例えば、ＬＴＰＳ（low temperature polysilicon）などの表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路、受信センサー用部材）が挙げられ、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０１９２］に記載された太陽電池用部材、同段落［０１９３］に記載された薄膜２次電池用部材、同段落［０１９４］に記載された電子部品用回路が挙げられる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２４の製造方法は特に制限されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１０Ａの無機層２０上に、電子デバイス用部材２２を形成する。
電子デバイス用部材２２は、無機層２０上に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。密着層１６から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
密着層１６から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。さらに、２枚の電子デバイス用部材付き積層体２４の電子デバイス用部材２２同士を対向させて、両者を貼り合わせて全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の密着層付き支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を製造する場合を例にとると、積層体１０Ａの無機層２０上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層などを蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、などの各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理が挙げられる。

（切断工程）
切断工程は、図１０に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２４から、一部を切断する公知である。
切断する方法は特に制限されず、レーザービームで切断する方法、ダイシングソーなどの切断加工機械で切断する方法が挙げられる。

（分離工程）
分離工程は、図１１に示すように、上記切断工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２４から、密着層１６とポリイミド層１８との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２２が積層したポリイミド層１８と、密着層１６付き支持基板１２とに分離して、電子デバイス用部材２２、無機層２０およびポリイミド層１８を含む電子デバイス２６を得る工程である。

剥離された無機層２０上の電子デバイス用部材２２が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をさらに形成することもできる。

ポリイミド層１８と密着層１６とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、ポリイミド層１８と密着層１６との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。また、レーザーリフトオフ法を用いてもよい。
好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２４を、支持基板１２が上側、電子デバイス用部材２２側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２２側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物状のものをポリイミド層１８と密着層１６との界面に侵入させる。その後、支持基板１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物状のものを差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、密着層１６付き支持基板１２（図１１参照）を容易に剥離できる。

また、ポリイミド層１８と密着層１６とを剥離する際、電子デバイス用部材２２が複数のセル毎に作製されている場合、電子デバイス用部材付き積層体２４をセル毎に切断した後、切断されたセル毎にポリイミド層１８と密着層１６との間を剥離してもよい。セル毎に切断する方法としては、レーザービームで切断する方法、ダイシングソーなどの切断加工機械で切断する方法が挙げられる。

電子デバイス用部材付き積層体２４から電子デバイス２６を分離する際においては、イオナイザーによる吹き付けまたは湿度を制御することにより、密着層１６の欠片が電子デバイス２６に静電吸着することをより抑制できる。
上述した電子デバイスの製造方法は、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０２１０］に記載された表示装置の製造に好適であり、電子デバイス２６としては、例えば、同段落［０２１１］に記載されたものが挙げられる。

分離された電子デバイス２６の電子デバイス用部材２２のポリイミド層１８側とは反対側の表面には、保護フィルムが貼合されてもよい。

以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
以下では、支持基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（線膨張係数３９×１０^-７／℃、ＡＧＣ株式会社製 商品名「ＡＮ Ｗｉｚｕｓ」（登録商標）、厚み０．５ｍｍ、大きさ４７０ｍｍ×３７０ｍｍ）を使用した。
以下、例１～例１０は実施例であり、例１１～例１６は比較例である。

（硬化性シリコーン１の調製）
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１の組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。

（硬化性組成物１の調製）
硬化性シリコーン１に、Ｐｌａｔｉｎｕｍ（０）－１，３－ｄｉｖｉｎｙｌ－１，１，３，３－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ（ＣＡＳ Ｎｏ． ６８４７８－９２－２）を白金元素の含有量が１２０ｐｐｍとなるように加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａ（２００ｇ）に溶媒としてジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業社製）（８４．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物１を得た。
硬化性組成物１は、付加硬化型シリコーン組成物に該当する。

（硬化性シリコーン２の調製）
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、酢酸（５ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、６０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、５０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液からトルエンを減圧留去し、スラリー状態にした後、真空乾燥機で終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーン２を得た。硬化性シリコーン２は、Ｔ単位の個数：Ｍ単位の個数＝８７：１３（モル比）であった。硬化性シリコーン２は、Ｍ単位、Ｔ単位のモル比が１３：８７、有機基は全てメチル基、平均ＯＸ基数が０．０２であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。なお、Ｍ単位は、（Ｒ）₃ＳｉＯ_1/2で表される１官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｔ単位は、ＲＳｉＯ_3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される３官能オルガノシロキシ単位を意味する。

（硬化性組成物２の調製）
硬化性シリコーン２（２０ｇ）と、金属化合物としてオクチル酸ジルコニウム化合物（「オルガチックスＺＣ－２００」、マツモトファインケミカル株式会社製）（０．１６ｇ）と、２－エチルヘキサン酸セリウム（ＩＩＩ）（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、金属含有率１２％）（０．１７ｇ）、溶媒としてＩｓｏｐｅｒ Ｇ（東燃ゼネラル石油株式会社製）（１９．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物２を得た。
硬化性組成物２は、縮合硬化型シリコーン組成物に該当する。

＜例１＞
（シリコーン樹脂層の形成）
支持基板であるガラス基板を、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。
次に、スリットコーターを用いて、硬化性組成物１をガラス基板上の所定の位置に塗布した。ホットプレートを用いて１２０℃で１０分間加熱した後、クリーンオーブンを用いて大気雰囲気下にて２５０℃で３０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層（厚み：６．５μｍ）を形成した。なお、シリコーン樹脂層の形成面積は、後述する表１に示す通りであった。

（ポリイミド層の形成）
上記で得られたシリコーン樹脂層にコロナ処理を施した後、無色ポリイミドワニス（三菱ガス化学株式会社製「ネオプリムＨ２３０」）を塗布した後、ホットプレートを用いて８０℃で２０分間加熱した。続いて、イナートガスオーブンを用いて窒素雰囲気下４００℃で３０分間加熱し（キュア工程）、ガラス基板、シリコーン樹脂層、ポリイミド層（厚み：７μｍ）をこの順に有する積層体を作製した。なお、ポリイミド層の形成面積は、後述する表１に示す通りであり、図４および５に示すように、ポリイミド層の外縁はシリコーン樹脂層の外縁よりも外側に位置していた。

（無機層の形成）
上記で得られたポリイミド層表面にプラズマＣＶＤ装置を用いて厚み１００ｎｍの窒化ケイ素層を形成し、ガラス基板、シリコーン樹脂層、ポリイミド層、無機層をこの順で有する積層体１を作製した。なお、無機層の形成面積は、後述する表１に示す通りであり、図４および５に示すように、無機層の外縁はシリコーン樹脂層の外縁よりも内側に位置していた。
また、積層体１表面の法線方向から積層体１を観察した際、シリコーン樹脂層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例２＞
硬化性組成物１のかわりに硬化性組成物２を用い、シリコーン樹脂層形成時の加熱条件を１２０℃で１０分間加熱した後、クリーンオーブンを用いて大気雰囲気下にて３００℃で３０分間加熱に変更した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体２を作製した。

＜例３＞
（シリコーン樹脂層の形成）のかわりに後述する（酸化ケイ素層の形成）の手順を実施した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体３を作製した。

（酸化ケイ素層の形成）
支持基板であるガラス基板を、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。
次に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、ガラス基板上の所定の位置に厚み１００ｎｍの酸化ケイ素層を作製した。なお、酸化ケイ素層の形成面積は、後述する表１に示す通りであった。

＜例４＞
（シリコーン樹脂層の形成）のかわりに後述する（窒化ケイ素層の形成）の手順を実施した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体４を作製した。

（窒化ケイ素層の形成）
支持基板であるガラス基板を、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。
次に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、ガラス基板上の所定の位置に厚み１００ｎｍの窒化ケイ素層を作製した。なお、窒化ケイ素層の形成面積は、後述する表１に示す通りであった。

＜例５＞
（シリコーン樹脂層の形成）のかわりに後述する（アモルファスシリコン層の形成）の手順を実施した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体５を作製した。

（アモルファスシリコン層の形成）
支持基板であるガラス基板を、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。
次に、プラズマＣＶＤ装置により、ガラス基板上の所定の位置に厚み５０ｎｍのアモルファスシリコン層を作製した。なお、アモルファスシリコン層の形成面積は、後述する表１に示す通りであった。

＜例６＞
（無機層の形成）において、図２および３に示すように、無機層の外縁がシリコーン樹脂層の外縁と一致するように、無機層を形成した以外は、例１と同様の手順に従って、積層体６を作製した。

＜例７＞
（無機層の形成）において、図２および３に示すように、無機層の外縁がシリコーン樹脂層の外縁と一致するように、無機層を形成した以外は、例２と同様の手順に従って、積層体７を作製した。

＜例８＞
（無機層の形成）において、図２および３に示すように、無機層の外縁がシリコーン樹脂層の外縁と一致するように、無機層を形成した以外は、例３と同様の手順に従って、積層体８を作製した。

＜例９＞
（無機層の形成）において、図２および３に示すように、無機層の外縁がシリコーン樹脂層の外縁と一致するように、無機層を形成した以外は、例４と同様の手順に従って、積層体９を作製した。

＜例１０＞
（無機層の形成）において、図２および３に示すように、無機層の外縁がシリコーン樹脂層の外縁と一致するように、無機層を形成した以外は、例３と同様の手順に従って、積層体１０を作製した。

＜例１１＞
（無機層の形成）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例２と同様の手順に従って、積層体１１を作製した。
なお、積層体１１の構成は、図１２に示すように、支持基板１２と、密着層１６（シリコーン樹脂層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１１表面の法線方向から積層体１１を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁がポリイミド層１８の外縁よりも外側に位置していた。
また、積層体１１表面の法線方向から積層体１１を観察した際、シリコーン樹脂層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例１２＞
（無機層の作製）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例４と同様の手順に従って、積層体１２を作製した。
なお、積層体１２の構成は、図１２に示すように、支持基板１２と、密着層１６（窒化ケイ素層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１２表面の法線方向から積層体１２を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁がポリイミド層１８の外縁よりも外側に位置していた。
また、積層体１２表面の法線方向から積層体１２を観察した際、窒化ケイ素層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例１３＞
（無機層の作製）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例２と同様の手順に従って、積層体１３を作製した。
なお、積層体１３の構成は、図１３に示すように、支持基板１２と、密着層１６（シリコーン樹脂層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１３表面の法線方向から積層体１３を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁とポリイミド層１８の外縁とは一致していた。
また、積層体１３表面の法線方向から積層体１３を観察した際、シリコーン樹脂層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例１４＞
（無機層の作製）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例４と同様の手順に従って、積層体１４を作製した。
なお、積層体１４の構成は、図１３に示すように、支持基板１２と、密着層１６（窒化ケイ素層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１４表面の法線方向から積層体１４を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁とポリイミド層１８の外縁とは一致していた。
また、積層体１４表面の法線方向から積層体１４を観察した際、窒化ケイ素層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例１５＞
（無機層の作製）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例２と同様の手順に従って、積層体１５を作製した。
なお、積層体１５の構成は、図１４に示すように、支持基板１２と、密着層１６（シリコーン樹脂層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１５表面の法線方向から積層体１５を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁はポリイミド層１８の外縁よりも内側に位置し、密着層１６の外縁よりは外側に位置していた。
また、積層体１５表面の法線方向から積層体１５を観察した際、シリコーン樹脂層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜例１６＞
（無機層の作製）において、後述する表１に示す無機層の形成面積に変更した以外は、例４と同様の手順に従って、積層体１６を作製した。
なお、積層体１６の構成は、図１４に示すように、支持基板１２と、密着層１６（窒化ケイ素層に該当）、ポリイミド層１８と、無機層２０とをこの順で有し、積層体１６表面の法線方向から積層体１１を観察した際、ポリイミド層１８の外縁が密着層１６の外縁よりも外側に位置し、無機層２０の外縁はポリイミド層１８の外縁よりも内側に位置し、密着層１６の外縁よりは外側に位置していた。
また、積層体１６表面の法線方向から積層体１６を観察した際、窒化ケイ素層の重心、ポリイミド層の重心、および、無機層の重心は一致していた。

＜耐熱評価＞
各例で作製した積層体を、窒素雰囲気下にて、３８０℃で１時間加熱して、耐熱試験を実施した。耐熱試験後の積層体の外観を目視で確認し、ポリイミド層において発泡およびクラックが発生したかどうかを評価した。発泡およびクラックの両方が発生しなかった場合を「なし」、発泡およびクラックの少なくとも一方が発生した場合を「あり」とした。
なお、３８０℃という温度を４００℃または４２０℃に変更して、上記と同様の評価を実施した。

表１中、「各層外縁のサイズ関係」欄は、各例の積層体をその表面の法線方向から観察した際の各層の外縁の位置関係を表し、「＝」は２つの層の外縁が一致することを意味し、「Ａ＞Ｂ」はＡの外縁がＢの外縁よりも外側に位置することを意味する。「ＰＩ」はポリイミド層を意味する。例えば、例１の「ＰＩ＞密着層＝無機層」は、ポリイミド層の外縁は密着層の外縁よりも外側に位置し、密着層の外縁と無機層の外縁とが一致することを意味する。
表１中、「積層体構成」欄は、積層体中の各層の配置関係を示す図面を示す。例えば、例１の積層体は、上述した図４および５に示される積層体の構成を有する。

例１～１０の３８０℃耐熱試験の結果に示すように、本発明の積層体は、所望の効果を奏することが確認された。
なかでも、４００℃および４２０℃の耐熱試験結果より、密着層としてシリコーン樹脂層を用いた場合により優れた効果が得られ、縮合硬化型シリコーン樹脂層を用いた場合にさらに優れた効果が得られた。
なお、例１０～１４においては、密着層の外縁よりも外側に位置するポリイミド層において発泡およびクラックの少なくとも一方が観察された。
また、例１５～１６においては、密着層の外縁よりも外側に位置し、無機層の外縁よりも内側に位置する、ポリイミド層の領域において発泡およびクラックの少なくとも一方が観察された。

１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 積層体
１２ 支持基板
１４ 積層部
１６ 密着層
１８ ポリイミド層
２０ 無機層
２２ 電子デバイス用部材
２４ 電子デバイス用部材付き積層体
２６ 電子デバイス

Claims (6)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上の少なくとも一部の領域に配置された積層部と、を有する積層体であって、
   前記積層部が、前記支持基板側から、密着層と、ポリイミド層と、無機層とをこの順に有し、前記密着層が、シリコーン樹脂層であり、
   前記積層体表面の法線方向から前記積層体を観察した際に、
   前記ポリイミド層の外縁が前記密着層の外縁よりも外側に位置し、かつ、
   前記無機層の外縁が前記密着層の外縁と一致する、または、前記無機層の外縁が前記密着層の外縁よりも内側に位置する、または、前記無機層の外縁の一部が前記密着層の外縁の一部と一致し、前記無機層の外縁の残部が前記密着層の外縁よりも内側に位置する、積層体。
2. 前記無機層が、Ｓｉを含む窒化物、または、Ｓｉを含む酸化物を含む、請求項１に記載の積層体。
3. 前記支持基板上に、前記積層部が２つ以上配置されている、請求項１に記載の積層体。
4. 前記支持基板が、ガラス基板である、請求項１に記載の積層体。
5. 請求項１～４のいずれか１項に記載の積層体と、
   前記積層体中の前記無機層上に配置される電子デバイス用部材と、を有する電子デバイス用部材付き積層体。
6. 請求項１～４のいずれか１項に記載の積層体の前記無機層上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
   前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記ポリイミド層、前記無機層、および、前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

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