JP2013168445A - 剥離層付き支持体、基板構造、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
剥離層付き支持体、基板構造、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる基板構造1は、支持体10と、剥離層11と、フレキシブル基板12とを備える。剥離層11は、支持体10上に形成されている。フレキシブル基板12は、支持体10および剥離層11上に形成される樹脂材料からなる。支持体10と剥離層11との密着力が、フレキシブル基板12と剥離層11との密着力よりも高い。
【選択図】図1
Description
1.支持体と、支持体上に形成された剥離層と、支持体および剥離層上に形成される樹脂材料からなるフレキシブル基板とを備え、支持体とフレキシブル基板との密着力が、フレキシブル基板と剥離層との密着力よりも高い密着力を有することを特徴とする基板構造。ここでいう密着力とは、ASTM D1876−01規格に準拠して、23℃55%RH条件下、引張速度20mm/minにて20mm引き剥がした場合のピール強度の平均値をいう。
2.剥離層がMo(モリブデン)、Ni(ニッケル)、Si3N4(窒化ケイ素)から選ばれる少なくとも1種の材料であることを特徴とする上記1に記載の基板構造。
3.フレキシブル基板となる樹脂材料がポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾールから選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする上記1または2に記載の基板構造。
4.支持体と、支持体上に形成された剥離層とを備え、剥離層の材料は、Mo(モリブデン)、Ni(ニッケル)、Si3N4(窒化ケイ素)から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする剥離層付き支持体。
5.支持体上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、支持体および剥離層の上に樹脂材料からなるフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程と、剥離層を支持体に保持させたまま、物理的な力を加えることによってフレキシブル基板を支持体および剥離層から分離する分離工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
6.フレキシブル基板形成工程では、フレキシブル基板の面積を剥離層の面積より大きく形成し、分離工程では、剥離層の周縁部に沿って、または剥離層の周縁部の内側でフレキシブル基板を切断し、フレキシブル基板を支持体および剥離層から分離することを特徴とする、上記5に記載の電子デバイスの製造方法。
7.上記5または6に記載の電子デバイスの製造方法により製造される電子デバイス。
<ポリイミド前駆体溶液の製造>
ポリテトラフルオロエチレン製シール栓付き攪拌器、攪拌翼、窒素導入管を備えた容積2Lのガラス製セパラブルフラスコに、モレキュラーシーブを用いて脱水したN,N−ジメチルアセトアミドを680g入れ、パラフェニレンジアミン(PDA)32.5gを加え、15分間攪拌した。溶液を水浴で25.0℃に冷却しながら、3,3’,4,4’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)43.9gを加え、原料が完全に溶解するまで10分間攪拌した。さらに溶液にBPDA43.4gを加え、2時間撹拌し、粘稠なポリアミド酸溶液PAA−1を得た。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応液に対して15重量%となっていた。以下の条件で重量平均分子量(Mw)を測定したところ、Mwは72,000であった。
支持体10である無アルカリガラス(コーニング社製EagleXG、8cm角、0.7mm厚)の周囲を1cm幅のテープによりマスキングし、中央部(6cm角)のガラス表面を剥き出しにした。そして、マスキングした支持体10をスパッタリング装置(大阪真空機器製作所製MSR303S)内に入れた。スパッタリングターゲットとしてSiを用い、支持体10の温度を100℃とし、Ar及びN2の流量をそれぞれ4ml/min、2ml/minとして、RF電源にて透過電力200W、反射電力2W、セルフバイアス(VDC)−0.51Vとなるように調整し、Siを製膜速度11.5nm/minにて反応性スパッタリングすることにより、支持体10上にSi3N4からなる剥離層11を積層し、剥離層付き支持体2を得た。マスキングしたテープを全て剥がし取り、レーザー顕微鏡により膜厚を計測した結果、支持体10上に形成された剥離層11の膜厚は100nmであった。また、剥離層11と支持体10との密着力を評価するために、剥離層11上に電気テープ(ニチバン製No.690、粘着力2.37N/cm)を貼り付けた後に、電気テープを引き剥がしたが、剥離層11は支持体10に貼り付いたまま剥がれることはなかった。
下記以外は、実施例1と同様にして、基板構造1を得た。支持体10である無アルカリガラス(8cm角、0.7mm厚)の周囲を1cm幅のテープによりマスキングし、中央(6cm角)のガラス表面を剥き出しにした後、スパッタリング装置(大阪真空機器製作所製MSR303S)内に支持体10を入れた。スパッタリングターゲットとしてMoを用い、支持体10の温度を100℃とし、Arの流量を6ml/minとして、DC電源にて200Wの印加電力にて、Moを製膜速度33nm/minにてスパッタリングすることにより、支持体10上に剥離層11を積層した。マスキングしたテープを全て剥がし取り、レーザー顕微鏡により膜厚を計測した結果、支持体10上に形成されたMoからなる剥離層11の膜厚は100nmであった。また、剥離層11と支持体10との密着力を評価するために、剥離層11上に電気テープ(ニチバン製No.690、粘着力2.37N/cm)を貼り付けた後に、電気テープを引き剥がしたが、剥離層11は支持体10に貼り付いたまま剥がれることはなかった。
下記以外は、実施例1と同様にして、基板構造1を得た。支持体10である無アルカリガラス(8cm角、0.7mm厚)の周囲を1cm幅のテープによりマスキングし、中央(6cm角)のガラス表面を剥き出しにした後、スパッタリング装置(昭和真空製NSP−6)内に支持体10を入れた。スパッタリングターゲットとしてNiを用い、支持体10の温度を50℃とし、Arの流量を17sccm、DC電源にて900Wの印加電力にて、Niを製膜速度28nm/minにてスパッタリングすることにより、支持体10上に剥離層11を積層した。マスキングしたテープを全て剥がし取り、レーザー顕微鏡により膜厚を計測した結果、支持体10上に形成されたNiからなる剥離層11の膜厚は100nmであった。また、剥離層11と支持体10との密着力を評価するために、剥離層11上に電気テープ(ニチバン製No.690、粘着力2.37N/cm)を貼り付けた後に、電気テープを引き剥がしたが、剥離層11は支持体10に貼り付いたまま剥がれることはなかった。
下記以外は、実施例3と同様にして、基板構造を得た。スパッタリングターゲットがCuであり、スパッタリングの条件は、支持体10の温度を50℃とし、Arの流量を17sccm、DC電源にて400Wの印加電力、Cu製膜速度は24nm/minであり、Cuの積層膜厚は100nmであった。剥離層11と支持体10との密着力を評価するために、剥離層11上に電気テープ(ニチバン製No.690、粘着力2.37N/cm)を貼り付けた後に、電気テープを引き剥がしたところ、剥離層11は支持体10から剥がれる結果となった。実施例1と同様の手順にてフレキシブル基板12の剥離を試みたところ、剥離層11がフレキシブル基板12に張り付いた状態で、フレキシブル基板12は剥離層11と支持体10との界面で剥離した。
下記以外は、実施例3と同様にして、基板構造を得た。スパッタリングターゲットがCrであり、スパッタリングの条件は、支持体10の温度を50℃とし、Arの流量を17sccm、DC電源にて800Wの印加電力、Cr製膜速度は18nm/minであり、Crの積層膜厚は100nmであった。剥離層11と支持体10との密着力を評価するために、剥離層11上に電気テープ(ニチバン製No.690、粘着力2.37N/cm)を貼り付けた後に、電気テープを引き剥がしたが、剥離層11は支持体10に貼り付いたままであった。実施例1と同様の手順にてフレキシブル基板12のみを剥離することは可能であったが、剥離層11との密着力が非常に高く、剥離後のフレキシブル基板12はカールした。フレキシブル基板12の剥離強度は90°ピール強度によって評価した。評価結果を表2に記載した。
2 剥離層付き支持体
10 支持体
11 剥離層
12 フレキシブル基板
13 不要部
Claims (7)
- 支持体と、
前記支持体上に形成された剥離層と、
前記支持体および前記剥離層上に形成される樹脂材料からなるフレキシブル基板とを備え、
前記支持体と前記剥離層との密着力が、前記フレキシブル基板と前記剥離層との密着力よりも高いことを特徴とする基板構造。 - 前記剥離層の材料は、Mo(モリブデン)、Ni(ニッケル)、Si3N4(窒化ケイ素)から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
- 前記フレキシブル基板となる樹脂材料は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾールから選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板構造。
- 支持体と、
前記支持体上に形成された剥離層とを備え、
前記剥離層の材料は、Mo(モリブデン)、Ni(ニッケル)、Si3N4(窒化ケイ素)から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする剥離層付き支持体。 - 支持体上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記支持体および前記剥離層の上に樹脂材料からなるフレキシブル基板を形成するフレキシブル基板形成工程と、
前記剥離層を前記支持体に保持させたまま、物理的な力を加えることによって前記フレキシブル基板を前記剥離層から分離する分離工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記フレキシブル基板形成工程では、前記フレキシブル基板の面積を前記剥離層の面積より大きく形成し、
前記分離工程では、前記剥離層の周縁部に沿って、または前記剥離層の周縁部の内側で前記フレキシブル基板を切断し、前記フレキシブル基板を前記剥離層から分離することを特徴とする、請求項5に記載の電子デバイスの製造方法。 - 請求項5または6に記載の電子デバイスの製造方法により製造される電子デバイス。
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