CN114173474A - 能被精确剥除之多层基板结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种能被精确剥除之多层基板结构，包括：一基板；一第一软性介电层，形成于该基板上；一剥离层，形成于该第一软性介电层上；以及一待剥离单元，形成于该剥离层上；其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力；该基板、该第一软性介电层、该剥离层以及该待剥离单元共同形成该多层基板结构。还提供一种被精确剥除之多层基板结构的制造方法。

Description

能被精确剥除之多层基板结构及其制造方法
技术领域
本揭示涉及多层基板技术领域，特别是涉及一种能被精确剥除之多层基板结构及其制造方法。
背景技术
现有技术中，一多层基板可形成于一基板上，该基板可为一电路板或一玻璃基板，该多层基板为软性介电质或以软性介电质为主体之多层基板，该多层基板为金属层与介电层相互堆栈而成。若要部分去除在该基板上之该介电层或该多层基板，传统上会以蚀刻法来完成，而蚀刻法可分为湿蚀刻及干蚀刻，湿蚀刻以蚀刻液来浸泡，干蚀刻以离子蚀刻法如反应性离子蚀刻法(Reactive ion etching)或化学干式蚀刻(chemical dry etching)等等，但不管是干式蚀刻或湿式蚀刻均会有无法控制的情况出现，导致此部分去除充满了不确定性。
如图1所示，基板100上形成一软性介电层102，若欲去除该软性介电层102之右侧部分A，而虚线C为右侧部分A与左侧部分B(预定保留之部分)之分界线。首先，以抗蚀刻之物质104涂布于左侧部分B，藉此保护左侧部分B之软性介电层102，并以蚀刻液浸泡或以干蚀刻侵蚀以去除右侧部分A之软性介电层102。
如图2所示，蚀刻的过程是无方向性的，只要该软性介电层102有接触到湿式的蚀刻液或干式的带电荷之气体离子的部分均会与之反应，在蚀刻开始有了深度后，蚀刻除了往下之外亦会往左方蚀刻，导致左侧部分B之软性介电层102也遭到去除。
于另一例中，如图3所示，在一基板300上形成一金属层301，在该基板300与该金属层301上方形成一第一软性介电层302，该金属层301系介于该基板300及该第一软性介电层302之间，在该第一软性介电层302上方形成一第二软性介电层304，一金属探针303形成于该第二软性介电层304中，该金属探针303大部分均被该第二软性介电层304所包覆，仅露出一部分针头于该第二软性介电层304之上。若欲去除该第二软性介电层304以露出该金属探针303，必须保留该第二软性介电层302以防止该金属层301与该金属探针303发生短路。
如图4所示，以干蚀刻方式将带电荷之气体离子与该第二软性介电层304接触以去除该第二软性介电层304时，该带电荷之气体离子撞击该金属探针303时产生之热量会使得在蚀刻过程中该金属探针303之温度增高，从而导致靠近金属探针303附近之该第二软性介电层304之蚀刻速度变快，甚至将该第一软性介电层302亦去除，导致该金属探针303及该金属层301产生短路的风险。
故必须针对上述现有技术的问题提出解决方法。
发明内容
本揭示提供一种能被精确剥除之多层基板结构及其制造方法，其能解决现有技术中的问题。
本揭示之能被精确剥除之多层基板结构，包括：一基板；一第一软性介电层，形成于该基板上；一剥离层，形成于该第一软性介电层上；以及一待剥离单元，形成于该剥离层上；其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力；该基板、该第一软性介电层、该剥离层以及该待剥离单元共同形成该多层基板结构。
本揭示之一种能被精确剥除之多层基板结构的制造方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一第一软性介电层；于该第一软性介电层上形成一剥离层，其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力；以及于该剥离层上形成一待剥离单元。
本揭示之能被精确剥除之多层基板结构及其制造法中，由于该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力，因此可以通过剥离该剥离层而将位于该剥离层上方之膜层完全或部分且精确地移除。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1显示现有软性介电层之右侧部分未被去除前的示意图。
图2显示现有软性介电层之右侧部分被去除后的示意图。
图3显示现有第二软性介电层未被去除前的示意图。
图4显示现有第二软性介电层被去除后的示意图。
图5显示根据本揭示一实施例之能被精确剥除之多层基板结构的剖面图。
图6显示根据本揭示一实施例之能被精确剥除之多层基板结构的制造方法流程图。
图7A-7E显示图5之结构的制造方法详细流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。
为使本揭示的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照图式并举实施例对本揭示进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本揭示，本揭示说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证，并不用于限定本揭示。此外，本揭示说明书和所附申请专利范围中所使用的冠词「一」一般地可以被解释为意指「一个或多个」，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。并且，在所附图式中，结构、功能相似或相同的组件是以相同组件标号来表示。
请参阅图5，图5显示根据本揭示一实施例之能被精确剥除之多层基板结构的剖面图。
如图5所示，该多层基板结构包括一基板500、一第一软性介电层502、一剥离层504以及一待剥离单元506。
该基板500可以为一单层基板或一多层基板。该基板500可以为一电路板、一玻璃基板以及一陶瓷基板所构成群组中之其中一者。该基板500之材质可以为有机材料或无机材料。
该基板500包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。该至少一金属层可以为一金属线路层(signal layer)、一电能供应层(power layer)以及一接地层(groundlayer)所构成群组中之其中一者。该至少一介电层之材质可以为聚酰亚胺。
该第一软性介电层502形成于该基板500上。该第一软性介电层502之材质可以为聚酰亚胺。
该剥离层504形成于该第一软性介电层502上。该剥离层504与该第一软性介电层502之附着力小于该第一软性介电层502与该基板500之附着力，以使在该剥离层504之上之膜层易于经由撕开该剥离层504而顺利从该第一软性介电层502移除。更明确地说，可以通过剥除该剥离层504而将位于该剥离层504上方之膜层完全或部分且精确地移除。
该待剥离单元506形成于该剥离层504上。右侧部分A为预定去除之部分，左侧部分B为预定保留之部分，虚线C为右侧部分A与左侧部分B之分界线。
于一实施例中，该待剥离单元506包括至少一软性多层基板。该至少一软性多层基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。该至少一金属层可以为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。该至少一介电层之材质可以为聚酰亚胺。
于另一实施例中，该待剥离单元506包括至少一第二软性介电层。该至少一第二软性介电层之材质可以为聚酰亚胺。
如图5所示之结构，若要去除右侧部分A，可将该剥离层504从该第一软性介电层502间撕开，并撕开至虚线C，并以机械方法或其他方法将右侧部分A的剥离层504及待剥离单元506沿虚线C切开，达到精确剥除右侧部分A的剥离层504及待剥离单元506之目的。
若欲继续剥除该第一软性介电层502之右侧部分A，可将该第一软性介电层502做成极薄，然后以传统之湿式或干式方式剥除即可。
请参阅图6，图6显示根据本揭示一实施例之能被精确剥除之多层基板结构的制造方法流程图。
于步骤S60中，提供一基板。
步骤S62中，于该基板上形成第一软性介电层。
于步骤S64中，于该第一软性介电层上形成一剥离层，其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力。
于步骤S66中，于该剥离层上形成一待剥离单元。
请参阅图7A-7E，图7A-7E显示图5之结构的制造方法详细流程图。
于图7A中，提供一基板700。
该基板700可以为一单层基板或一多层基板。该基板700可以为一电路板、一玻璃基板以及一陶瓷基板所构成群组中之其中一者。该基板700之材质可以为有机材料或无机材料。
该基板700包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。该至少一金属层可以为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。该至少一介电层之材质可以为聚酰亚胺。
于图7B中，在该基板700上形成一第一软性介电层702。
该第一软性介电层702之材质可以为聚酰亚胺。
于图7C中，于该第一软性介电层702上形成一剥离层704。
该剥离层704与该第一软性介电层702之附着力小于该第一软性介电层702与该基板700之附着力，以使在该剥离层704之上之膜层易于经由撕开该剥离层704而顺利从该第一软性介电层702移除。更明确地说，可以通过剥除该剥离层704而将位于该剥离层704上方之膜层完全或部分且精确地移除。
于图7D中，于该剥离层704上形成一待剥离单元706。
于一实施例中，该待剥离单元706包括至少一软性多层基板。该至少一软性多层基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。该至少一金属层可以为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。该至少一介电层之材质可以为聚酰亚胺。
于另一实施例中，该待剥离单元706包括至少一第二软性介电层。该至少一第二软性介电层之材质可以为聚酰亚胺。
于图7E中，去除该待剥离单元706之右侧部分A，并保留左侧部分B部分，虚线C为右侧部分A与左侧部分B之分界线。
于图7E中，将右侧部分A的该剥离层704与该第一软性介电层702之间从右方撕开，并以机械方法或其他方法将右侧部分A的剥离层704及待剥离单元706沿虚线C切开，达到精确剥除右侧部分A的剥离层704及待剥离单元706之目的。
若欲继续剥除该第一软性介电层702之右侧部分A，可将该第一软性介电层702做成极薄，然后以传统之湿式或干式方式剥除即可。
本揭示之能被精确剥除之多层基板结构及其制造法中，由于该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力，因此可以通过剥离该剥离层而将位于该剥离层上方之膜层完全或部分且精确地移除。
综上所述，虽然本揭示已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (22)

1.一种能被精确剥除之多层基板结构，其特征在于，包括：
一基板；
一第一软性介电层，形成于该基板上；
一剥离层，形成于该第一软性介电层上；以及
一待剥离单元，形成于该剥离层上；
其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力；
该基板、该第一软性介电层、该剥离层以及该待剥离单元共同形成该多层基板结构。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该基板为一单层基板或一多层基板。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该基板为一电路板、一玻璃基板以及一陶瓷基板所构成群组中之其中一者。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，该至少一金属层为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。
6.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，该基板之该至少一介电层之材质为聚酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该待剥离单元包括至少一软性多层基板。
8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，该至少一软性多层基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。
9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，该至少一金属层为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。
10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该待剥离单元包括至少一第二软性介电层。
11.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一软性介电层之材质为聚酰亚胺。
12.一种能被精确剥除之多层基板结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
于该基板上形成一第一软性介电层；
于该第一软性介电层上形成一剥离层，其中该剥离层与该第一软性介电层之附着力小于该第一软性介电层与该基板之附着力；以及
于该剥离层上形成一待剥离单元。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该基板为一电路板、一玻璃基板以及一陶瓷基板所构成群组中之其中一者。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该基板之材质为有机材料或无机材料。
15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，该至少一金属层为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。
17.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，该基板之该至少一介电层之材质为聚酰亚胺。
18.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该待剥离单元包括至少一软性多层基板。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，该至少一软性多层基板包括至少一介电层与至少一金属层相互堆栈而成。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于，该至少一金属层为一金属线路层、一电能供应层以及一接地层所构成群组中之其中一者。
21.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该待剥离单元包括至少一第二软性介电层。
22.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该第一软性介电层之材质为聚酰亚胺。
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Citations (11)

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