TWI658072B - 樹脂基板之製造方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之樹脂基板之製造方法，其特徵係具備下述步驟，前處理步驟：將矽烷偶合劑處理至由玻璃所構成的支撐體之至少一方之面；塗佈步驟：將包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末之溶液塗佈至支撐體中藉由前處理步驟之處理所施予而成之處理面；燒成步驟：塗佈步驟之後，藉由加熱支撐體來使由聚醯亞胺所構成的樹脂基板形成至支撐體；與剝離步驟：將樹脂基板自支撐體剝離。
Description
本發明為關於樹脂基板之製造方法及裝置。
本專利申請案係依據2014年6月30日於日本國提出專利申請的特願2014-134398號主張優先權，並將該內容援用於此。
近年，作為電子裝置用基板，具有以具可撓性的樹脂基板來取代玻璃基板之市場需求。為了製造如此般的樹脂基板，將樹脂基板形成於支撐基板(支撐體)後，支撐基板必須自樹脂基板剝離(參考例如專利文獻1)。
[專利文獻1]日本國特表2012-511173號公報
然而，以往技術中，自支撐基板進行剝離之際為使用雷射，因而具有所謂對於樹脂基板造成損傷(damage)之問題。因此，期望提供一種剝離性為優異且可抑制剝離時之損傷之產生之新技術。
本發明為有鑑於如此般之課題所完成者，目的為提供剝離性為優異且可抑制剝離時之損傷之產生之樹脂基板之製造方法及顯示裝置之製造方法。
為了達成上述目的，本發明之第一樣態相關的樹脂基板之製造方法，其特徵係具備下述步驟，前處理步驟：將矽烷偶合劑處理至由玻璃所構成的支撐體之至少一方之面；塗佈步驟：將包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末之溶液塗佈至前述支撐體中藉由前述前處理步驟之處理所施予而成之處理面；燒成步驟：前述塗佈步驟之後，藉由加熱前述支撐體來使由聚醯亞胺所構成的樹脂基板形成至前述支撐體；與剝離步驟：將前述樹脂基板自前述支撐體剝離。
依據本樣態相關的構成，由於藉由前處理而支撐體表面之羥基會被矽烷化，故可抑制構成樹脂基板之聚醯亞胺、與支撐體表面所形成的共價鍵。又，由於形成來自於矽烷偶合劑的矽烷基，故可提升由聚醯亞胺所構成的樹脂基板之剝離性。
因此，可製造剝離時之損傷之產生為經抑制的信賴性高的樹脂基板。
又，上述樹脂基板之製造方法中，前述剝離步驟中，以在前述支撐體及前述樹脂基板之界面之一部份形成於剝離時機能作為基點之切口(slit)為較佳。
藉由該構成，以切口作為起點發揮機能而可容易地將樹脂基板自支撐體剝離。
又，上述樹脂基板之製造方法中，前述前處理步驟中，以將前述矽烷偶合劑選擇性處理至前述支撐體之至少一方之面之指定部份為較佳。
藉由該構成，以支撐體之一部份為未經矽烷偶合劑之處理，而產生與樹脂基板之密著性為高之區域。因此，支撐體可良好地支撐樹脂基板，故即使是在製造支撐體與樹脂基板之層合體之步驟途中為被搬送之情形，亦可良好地保持樹脂基板。
又，上述樹脂基板之製造方法中，前述前處理步驟中，以使用噴墨法來將前述矽烷偶合劑選擇性塗佈至前述指定部份為較佳。
藉由噴墨法，可簡便且確實地選擇性塗佈矽烷偶合材。
又，上述樹脂基板之製造方法中，前述前處理步驟中，以使用蒸鍍法來將前述矽烷偶合劑選擇性處理至前述指定部份為較佳。
藉由蒸鍍法，可簡便且確實地選擇性處理矽烷偶合
材。
本發明之第二樣態相關的裝置，其特徵係包含藉由第一樣態之製造方法所製造的樹脂基板。
依據本樣態相關的裝置，由於具備剝離時之損傷之產生為經抑制的信賴性高的樹脂基板，故該裝置本身亦成為信賴性高者。
藉由本發明，剝離性為優異且可抑制剝離時之損傷之產生。
1‧‧‧支撐基板(支撐體)
2‧‧‧處理膜
3‧‧‧樹脂基板
11‧‧‧樹脂基板
3a‧‧‧切口
1a‧‧‧表面
3A‧‧‧溶液
10‧‧‧層合體
15‧‧‧切刀片
16‧‧‧噴墨噴嘴
20‧‧‧層合體
〔圖1〕表示樹脂基板之製造之步驟圖。
〔圖2〕表示在前處理步驟所產生的化學反應之圖。
〔圖3〕表示處理膜之剝離性提升之效果之實驗結果。
〔圖4〕(a)、(b)為表示切口之形成位置之圖。
〔圖5〕(a)、(b)為將處理膜形成至表面之一部份之情形之圖。
〔圖6〕(a)~(d)為表示接續於圖5的樹脂基板之製造步驟之圖。
以下，一邊參考圖面一邊對於本發明之一實施形態進行說明。本實施形態係將製造作為電子裝置用之基板所使用之樹脂基板之情形舉例進行說明。尚，以下的說明中所用的圖面，為了便於理解特徵，存在出於方便而將特徵部份放大進行表示之情況，但並不限定各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
本實施形態之樹脂基板之製造方法，其係具備下述步驟，前處理步驟：將矽烷偶合劑處理至支撐基板上；塗佈步驟：將樹脂基板形成用材料塗佈至支撐基板中之前處理面；燒成步驟：加熱支撐基板來使樹脂基板形成至支撐基板上；與剝離步驟：將樹脂基板自支撐基板剝離。
圖1為表示本實施形態相關的樹脂基板之製造之步驟圖。
首先，如圖1(a)所示般，進行將矽烷偶合劑處理至支撐基板1之表面(至少一方之面)1a之前處理(前處理步驟)。本實施形態中，支撐基板1為由玻璃所構成。
前處理中，將處理液藉由塗佈(包含噴塗)至支撐基板(支撐體)1之表面1a來進行。前處理之處理時間，較佳設為1~60秒。尚，以取代塗佈處理液，亦可藉由蒸鍍法來進行於支撐基板1之以矽烷偶合材之處理。藉由蒸鍍法之處理時間，以例如在80℃~120℃之烘
箱內進行1~15分鐘為較佳。
本實施形態中，使用於前處理之處理液為含有矽烷化劑及溶劑者。以下，對於各成分進行詳細說明。
作為矽烷化劑未特別限定，可使用以往習知的所有的矽烷化劑。具體而言可使用例如下述式(1)~(3)所表示的矽烷化劑。本說明書中，烷基為碳數1~5，環烷基為碳數5~10，烷氧基為碳數1~5，雜環烷基為碳數5~10。
(式(1)中，R1為表示氫原子、或飽和或不飽和烷基，R2為表示飽和或不飽和烷基、飽和或不飽和環烷基、或飽和或不飽和雜環烷基。R1及R2可相互鍵結而形成具有氮原子的飽和或不飽和雜環烷基)。
(式(2)中，R3為表示氫原子、甲基、三甲基矽烷基、或二甲基矽烷基，R4、R5分別獨立表示氫原子、烷基、或乙烯基)。
(式(3)中，X為表示O、CHR7、CHOR7、CR7R7、或NR8，R6、R7分別獨立表示氫原子、飽和或不飽和烷基、飽和或不飽和環烷基、三烷基矽烷基、三烷基矽烷基氧基、烷氧基、苯基、苯乙基、或乙醯基，R8為表示氫原子、烷基、或三烷基矽烷基)。
作為上述式(1)所表示的矽烷化劑，舉例如N,N-二甲基胺基三甲基矽烷、N,N-二乙基胺基三甲基矽烷、t-丁基胺基三甲基矽烷、烯丙基胺基三甲基矽烷、三甲基矽烷基乙醯胺、三甲基矽烷基哌啶、三甲基矽烷基咪唑、三甲基矽烷基嗎啉、3-三甲基矽烷基-2-噁唑林酮、三甲基矽烷基吡唑、三甲基矽烷基吡咯啶、2-三甲基矽烷基-1,2,3-三唑、1-三甲基矽烷基-1,2,4-三唑等。
又，作為上述式(2)所表示的矽烷化劑，舉例如六甲基二矽氮烷、N-甲基六甲基二矽氮烷、1,2-二-N-辛基四甲基二矽氮烷、1,2-二乙烯基四甲基二矽氮烷、八
甲基二矽氮烷、九甲基三矽氮烷、參(二甲基矽烷基)胺等。
又，作為上述式(3)所表示的矽烷化劑，舉例如三甲基矽烷基乙酸酯、三甲基矽烷基丙酸酯、三甲基矽烷基丁酸酯、三甲基矽烷基氧基-3-戊烯-2-酮等。
矽烷化劑之含有量，表面處理液中較佳為0.1~50質量%，又較佳為0.5~30質量%，更佳為1.0~20質量%。藉由設為上述範圍，除了可確保表面處理液之塗佈性以外，並可充分提高圖型表面之疏水性。
作為溶劑，只要是可溶解矽烷化劑、且對於成為表面處理對象之樹脂圖型或被蝕刻圖型之損傷為少者即可，未特別限定可使用以往習知的溶劑。
具體而言，舉例如二甲基亞碸等之亞碸類；二甲基碸、二乙基碸、雙(2-羥基乙基)碸、四亞甲基碸等之碸類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等之醯胺類；N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-丙基-2-吡咯啶酮、N-羥基甲基-2-吡咯啶酮、N-羥基乙基-2-吡咯啶酮等之內醯胺類；1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二乙基-2-咪唑啉酮、1,3-二異丙基-2-咪唑啉酮等之咪唑啉酮類；二甲基醚、二乙基醚、甲基乙基醚、二丙基醚、二異丙基醚、二丁基醚等之二烷基醚類；二甲基乙二醇(dimethyl
glycol)、二甲基二乙二醇、二甲基三乙二醇、甲基乙基二乙二醇、二乙基乙二醇等之二烷基乙二醇醚類；甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮等之酮類；p-薄荷烷、二苯基薄荷烷、檸檬烯、萜品烯、莰烷、降莰烷、松茚烷等之萜烯類等。
藉由上述前處理，如圖1(b)所示般，支撐基板1之表面1a上來自於矽烷偶合材(矽烷化劑)的處理膜2會形成於表面1a之整體。
在此，對於在前處理步驟中於處理膜2與支撐基板1之表面1a之間所產生的化學反應進行說明。圖2為表示在前處理步驟中，在處理膜2與支撐基板1之表面1a之間所產生的化學反應之圖。以下之說明為舉例上述式(2)所表示的矽烷化劑(HMDS(六甲基二矽氮烷))來進行說明。
由玻璃所構成的支撐基板1，OH基(羥基)為存在於表面1a。因此，藉由矽烷偶合材來進行前處理時，HMDS會分解而鍵結於2個羥基，而產生氨(NH3)。藉此，支撐基板1之表面1a中的OH基(羥基)將被矽烷化，如圖2所示般，來自於矽烷化劑的包含矽烷基的處理膜2會被形成於表面1a。因而，支撐基板1係藉由處理膜2(矽烷基)之形成於表面1a，而成為OHH基(羥基)為不存在之狀態。
接著，如圖1(c)所示般，將作為樹脂基板形成用材料的包含聚醯胺酸的溶液3A塗佈至藉由前處理
步驟之處理所施予而成之處理面(亦即，處理膜2)上。以下，對於使用於本實施形態的聚醯胺酸進行說明。
本實施形態中，由聚醯亞胺所構成的樹脂基板之生成時所使用的聚醯胺酸未特別限定，可從以往已知作為聚醯亞胺樹脂之前驅物的聚醯胺酸中予以適當選擇。
作為合適的聚醯胺酸，列舉例如由下式(4)所表示的構成單位所構成的聚醯胺酸。
(式(4)中，R9為四價有機基，R10為二價有機基，n為式(1)所表示的構成單位之重複數)。
式(4)中，R9為四價有機基，R10為二價有機基，該等之碳數較佳為2~50，又較佳為2~30。R1及R2分別可為脂肪族基，亦可為芳香族基，亦可為組合該等構造之基。R9及R10，除了碳原子、及氫原子以外，亦可包含鹵素原子、氧原子、及硫原子。當R9及R10為包含氧原子、氮原子、或硫原子時，氧原子、氮原子、或硫原子可以作為選自含氮雜環基、-CONH-、-NH-、-N=N-、
-CH=N-、-COO-、-O-、-CO-、-SO-、-SO2-、-S-、及-S-S-之基而包含於R9及R10中，又較佳作為選自-O-、-CO-、-SO-、-SO2-、-S-、及-S-S-之基而包含於R9及R10中。
藉由加熱由上述式(4)所表示的構成單位所構成的聚醯胺酸，可得到由下式(5)所表示的構成單位所構成的聚醯亞胺樹脂。
(式(5)中，R1及R2與式(4)為同義，n為式(5)所表示的構成單位之重複數)。
以下，對於聚醯胺酸之調製時所使用的四羧酸二酐成分、二胺成分、及N,N,N’,N’-四甲基脲、與聚醯胺酸之製造方法進行說明。
成為聚醯胺酸之合成原料之四羧酸二酐成分，只要是藉由與二胺成分反應而可形成聚醯胺酸者即可，未特別限定。四羧酸二酐成分可自以往以來作為聚醯胺酸之合成原料所使用的四羧酸二酐中適當選擇。四羧酸二酐成分可為芳香族四羧酸二酐，亦可為脂肪族四羧酸二酐，但就所得
到的聚醯亞胺樹脂之耐熱性之方面而言，較佳為芳香族四羧酸二酐。四羧酸二酐成分亦可組合2種以上使用。
作為芳香族四羧酸二酐之合適之具體例，舉例如苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸酐、及3,3’,4,4’-二苯碸四羧酸二酐等。該等之中，就價格、易取得性等，較佳為3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、及苯均四酸二酐。
成為聚醯胺酸之合成原料之二胺成分，只要是藉由與四羧酸二酐成分反應而可形成聚醯胺酸者即可，未特別限定。二胺成分可自以往以來作為聚醯胺酸之合成原料所使用的二胺中適當選擇。二胺成分可為芳香族二胺，亦可為脂肪族二胺，但就所得到的聚醯亞胺樹脂之耐熱性之方面而言，較佳為芳香族二胺。二胺成分亦可組合2種以上使用。
作為芳香族二胺之合適之具體例，舉例如p-苯二胺、m-苯二胺、2,4-二胺基甲苯、4,4’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基-2,2’-雙(三氟甲基)聯苯、3,3’-二胺基二苯碸、4,4’-二胺基二苯碸、4,4’-二胺基二苯硫醚、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、3,3’-二胺基二苯醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、4,4’-
雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、及2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷等。該等之中，就價格、易取得性等，較佳為p-苯二胺、m-苯二胺、2,4-二胺基甲苯、及4,4’-二胺基二苯醚。
四羧酸二酐成分與二胺成分，係使用N,N,N’,N’-四甲基脲作為溶劑所合成。將N,N,N’,N’-四甲基脲使用作為溶劑所合成的聚醯胺酸，加熱該聚醯胺酸使生成聚醯亞胺樹脂時，容易得到拉伸伸度及耐熱性為優異的聚醯亞胺樹脂。
將以上所說明的四羧酸二酐成分、二胺成分，使用N,N,N’,N’-四甲基脲作為溶劑來進行反應而合成聚醯胺酸。合成聚醯胺酸之際，四羧酸二酐成分及二胺成分之使用量未特別限定，但相對於四羧酸二酐成分1莫耳，較佳為使用二胺成分0.50~1.50莫耳，又較佳為使用0.60~1.30莫耳，特佳為使用0.70~1.20莫耳。
N,N,N’,N’-四甲基脲之使用量，只要是不阻礙本發明之目的之範圍內，未特別限定。典型而言，N,N,N’,N’-四甲基脲之使用量，相對於四羧酸二酐成分之
量與二胺成分之量之合計100質量份，較佳為100~4000質量份，又較佳為150~2000質量份。
又，合成聚醯胺酸之際，作為溶劑最佳僅使用N,N,N’,N’-四甲基脲。但，在不阻礙本發明之目的之範圍內，可與N,N,N’,N’-四甲基脲一起使用N,N,N’,N’-四甲基脲以外之溶劑。N,N,N’,N’-四甲基脲以外之溶劑，可自以往以來使用於聚醯胺酸之合成的溶劑中適當選擇。作為N,N,N’,N’-四甲基脲以外之溶劑之合適例，可列舉例如N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺、及1,3-二甲基-2-咪唑啉酮等。當與N,N,N’,N’-四甲基脲一起使用N,N,N’,N’-四甲基脲以外之溶劑時，其他溶劑之使用量，相對於使用於聚醯胺酸之合成之溶劑之總質量，較佳為20質量%以下，又較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下。
使四羧酸二酐成分與二胺成分反應之際之溫度，只要是反應可良好進行，未特別限定。典型而言，四羧酸二酐成分與二胺成分之反應溫度較佳為-5~150℃，又較佳為0~120℃，特佳為0~70℃。又，使四羧酸二酐成分與二胺成分反應之時間，雖然會依反應溫度而異，但典型而言較佳為1~50小時，又較佳為2~40小時，特佳為5~30小時。
藉由以上說明之方法，可得到聚醯胺酸溶液。尚，亦可使用包含聚醯亞胺粉末之溶液來進行前處理。
接著，如圖1(d)所示般，藉由將塗佈有溶液3A的支撐基板1加熱並燒成，使由聚醯亞胺所構成的樹脂基板3形成至支撐基板1而形成層合體10(燒成步驟)。
燒成步驟時，例如將支撐基板1加熱至120℃~350℃，較佳加熱至150℃~350℃。藉由以如此般的溫度範圍進行加熱，藉以抑制所生成的聚醯亞胺(樹脂基板3)之熱劣化或熱分解，而可製造優質品。又，使聚醯胺酸之加熱於高溫下進行時，由於會消耗大量的能量、或具有促進處理設備在高溫下之經時劣化之情形，故較佳以較低溫度來進行聚醯胺酸之加熱。具體而言，加熱聚醯胺酸之溫度之上限，以設為250℃以下為較佳，以設為220℃以下為又較佳，以設為200℃以下為特佳。
本實施形態中，在支撐基板1之表面1a與樹脂基板3之間存在著處理膜2。表面1a係藉由處理膜2而形成矽烷基，由於不存在OH基(羥基)，故與構成樹脂基板3的聚醯亞胺不會形成共價鍵。又，藉由形成矽烷基，而聚醯亞胺與處理膜2之密著性會降低，使樹脂基板3之剝離性提升。
圖3為表示處理膜2之剝離性提升之效果之實驗結果。圖3中，橫軸表示將樹脂基板形成至支撐基板上起所經過之時間(經過天數)，縱軸表示聚醯亞胺(樹脂基板)與支撐基板之密著強度(單位：g)。又，圖3中，作為比較，將使用未藉由矽烷偶合劑進行處理之支撐
基板之情形，表示為「未處理」；將使用藉由矽烷偶合劑進行處理之支撐基板之情形，表示為「已處理1」、「已處理2」。尚，「已處理1」及「已處理2」為處理時所使用的矽烷偶合劑為相異。
如圖3所示般，無論是藉由矽烷偶合劑進行處理之情形(已處理1、2)或未進行之情形(未處理)，皆於將樹脂基板形成至支撐基板上後隨時間之經過而密著強度為降低。當經過天數超過3天時，在藉由矽烷偶合劑進行處理之情形或未進行之情形之間，密著強度變得未有太大之差異。此原因為，隨著時間之經過，由於構成樹脂基板的聚醯亞胺之吸附水分，因而使得在支撐基板之界面的密著強度降低之故。
通常，在形成樹脂基板後立即進行自支撐基板之剝離。因此，在經過時間為短之情形中，使密著強度降低為重要。
由圖3可確認到，藉由矽烷偶合劑進行處理之情形(已處理1、2)，在經過時間為短，亦即，即使未產生聚醯亞胺之水分吸附，能以低密著力而自樹脂基板剝離。
接著，將因應用途的電子裝置(未示圖)層合至樹脂基板3之上面。例如，在樹脂基板3上形成TFT元件，進而層合或貼合顯示元件，藉此可形成液晶顯示器、有機EL顯示器、電子紙等之顯示裝置。
形成未示圖的電子裝置後，如圖1(e)所示
般，將樹脂基板3自支撐基板1剝離(剝離步驟)。
本實施形態中，剝離步驟時，在支撐基板1及樹脂基板3之界面之一部份形成於剝離時機能作為基點之切口。圖4(a)、(b)為表示形成切口之位置之圖。
切口3a之形成位置，例如如圖4(a)所示般，在俯視狀態下，較佳設為支撐基板1之四角。又，切口3a之形成位置，例如如圖4(b)所示般，在俯視狀態下，亦可設為支撐基板1之外周緣部之整周。尚，切口3a之形成，例如可使用旋轉的圓盤狀切刀片15。
藉由本實施形態，由於處理膜2為形成至支撐基板1之表面1a，故如上述般，聚醯亞胺與處理膜2之密著性會降低。因此，將上述切口3a作為起點，可容易將形成有電子裝置的樹脂基板3自支撐基板1予以剝離。因而，剝離時不會對於樹脂基板3造成損傷，並可容易自支撐基板1剝離。
以上為對於本發明之一實施形態進行說明，但本發明並不限定於上述內容，在不超出本發明之宗旨之範圍內可適當予以變更。例如，上述實施形態為舉出將處理膜2形成至支撐基板1之表面1a之整面之情形為例子，但本發明並不限定於此。
例如，亦可選擇性形成至支撐基板1之表面1a之指定部份(例如，除了外周緣部以外的中心部)。將處理膜2選擇性形成至表面1a上時，可使用噴墨法或蒸鍍法。例如，如圖5(a)所示般，可將滴液材料(矽
烷偶合劑)從噴墨噴嘴16選擇性滴下至支撐基板1之表面1a。尚，使用蒸鍍法時，只要將不要之部份(外周緣部)予以遮罩(mask)即可。
將處理膜2選擇性形成至表面1a上後，如圖6(a)所示般，藉由將聚醯胺酸溶液塗佈至支撐基板1之表面1a上並進行燒成，而形成由聚醯亞胺所構成的樹脂層13。因此，形成由支撐基板1及樹脂層13所構成的層合體20。
接著，將因應用途的電子裝置(未示圖)層合至樹脂層13之上面(包含成為後述樹脂基板11之區域之面)。例如，在樹脂基板13上形成TFT元件，進而層合或貼合顯示元件，藉此可形成液晶顯示器、有機EL顯示器、電子紙等之顯示裝置。
然而，及於樹脂層13之整體若因處理膜2而使得密著性降低時，在途中使層合體20移動之情形時，因振動或衝撃而有自支撐基板1剝離之虞。
對此，如圖6(a)所示樣態，使樹脂層13僅在外周緣部中與支撐基板1之表面1a為密著。因此，樹脂層13之外周緣部可良好地保持於支撐基板1，外周緣部之內側則藉由處理膜2而對於支撐基板1之密著性為降低。
因此，例如即使在途中使層合體20移動，亦可防止因振動或衝撃等而自支撐基板1之剝離。
接著，如圖6(b)所示般，藉由切刀片15沿
著處理膜2之形成區域來切斷樹脂層13。之後，如圖6(c)、(d)所示般，沿著藉由切刀片15所切斷的開口13a，將樹脂基板11自樹脂層13取出。由於樹脂基板11為形成至處理膜2上，故與支撐基板1之密著性為降低。
因此，樹脂基板11，例如藉由掀起角落部而可容易地自處理膜2被剝離，自殘留於支撐基板1上的樹脂層13透過開口13a而被取出。藉由以上，可製造樹脂基板11。
又，上述實施形態為舉出將矽烷偶合劑僅處理至支撐基板1之一方之面(表面1a)來形成處理膜2之情形為例子，但亦可將處理膜2形成至支撐基板1之另一方之面(與表面1a相反之背面)來形成樹脂基板。亦即，可將樹脂基板3、11形成至支撐基板1之兩面。
Claims (5)
- 一種樹脂基板之製造方法，其特徵係具備下述步驟，前處理步驟：將矽烷偶合劑處理至由玻璃所構成的支撐體之至少一方之面；塗佈步驟：將包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末之溶液塗佈至前述支撐體中藉由前述前處理步驟之處理所施予而成之處理面；燒成步驟：前述塗佈步驟之後，藉由加熱前述支撐體來使由聚醯亞胺所構成的樹脂基板形成至前述支撐體；與剝離步驟：將前述樹脂基板自前述支撐體剝離，前述剝離步驟係使用旋轉的圓盤狀切刀片，在前述支撐體及前述樹脂基板之界面以涵蓋前述支撐體之外周緣部之整周來形成切口。
- 如請求項1之樹脂基板之製造方法，其中，前述前處理步驟中，將前述矽烷偶合劑選擇性處理至前述支撐體之至少一方之面之指定部份。
- 如請求項2之樹脂基板之製造方法，其中，前述前處理步驟中，使用噴墨法來將前述矽烷偶合劑選擇性塗佈至前述指定部份。
- 如請求項2之樹脂基板之製造方法，其中，前述前處理步驟中，使用蒸鍍法來將前述矽烷偶合劑選擇性處理至前述指定部份。
- 一種顯示裝置之製造方法，其特徵係具備下述步驟，前處理步驟：將矽烷偶合劑處理至由玻璃所構成的支撐體之至少一方之面；塗佈步驟：將包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末之溶液塗佈至前述支撐體中藉由前述前處理步驟之處理所施予而成之處理面；燒成步驟：前述塗佈步驟之後，藉由加熱前述支撐體來使由聚醯亞胺所構成的樹脂基板形成至前述支撐體；顯示裝置形成步驟：藉由將顯示元件層合至前述樹脂基板上來形成顯示裝置；與剝離步驟：將前述顯示裝置自前述支撐體剝離，前述剝離步驟係使用旋轉的圓盤狀切刀片，在前述支撐體與前述顯示裝置的前述樹脂基板之界面以涵蓋前述支撐體之外周緣部之整周來形成切口。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168445A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Kaneka Corp | 剥離層付き支持体、基板構造、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
| JP2014100702A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-06-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層体の製造方法、積層体、デバイス積層体及びデバイスフィルム |
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Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP4330525B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2009-09-16 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 大型ペリクルの成膜方法 |
| JP2013226784A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-11-07 | Toyobo Co Ltd | 積層体とその製造方法及びそれを用いたデバイス構造体の製造方法 |
| JP6217631B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2017-10-25 | 東洋紡株式会社 | 積層体の作成方法および、積層体および、この積層体を利用したデバイス付き積層体の作成方法および、デバイス付き積層体 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168445A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Kaneka Corp | 剥離層付き支持体、基板構造、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
| JP2014100702A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-06-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層体の製造方法、積層体、デバイス積層体及びデバイスフィルム |
| WO2014092015A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法およびガラス積層体の製造方法 |
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