JP6965978B2 - ポリイミドフィルムと無機基板の積層体 - Google Patents
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Description
かかる手段により得られる高分子フィルムは、脆く裂けやすいため、高分子フィルム表面に形成された機能素子は支持体から剥離する際に破壊してしまう場合が多い。特に支持体から大面積のフィルムを剥離するのは極めて難しく、およそ工業的に成り立つ収率を得ることはできない。このような事情に鑑み、機能素子を形成するための高分子フィルムと支持体との積層体として、耐熱性に優れ強靭で薄膜化が可能なポリイミドフィルムを、シランカップリング剤を介して無機物からなる支持体(無機層)に貼り合わせてなる積層体が提案されている(特許文献4〜5)。
高分子フィルムと無機基板を比較的厚い接着剤層を介して貼り合わせる場合には、異物が接着材層に埋没してしまうために、比較的ブリスターは生じにくい。しかしながら、接着材層が薄い場合、特に異物の高さが接着材層よりも大なる場合にはブリスターが発生してしまう。
[1]ポリイミドフィルムと無機基板の積層体において、少なくとも(a)または(b)の条件を満たすことを特徴とするポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
(a)ブリスター欠点の個数密度50個/平方メートル以下であり、ブリスターの平均高さが2μm以下であり、ブリスター個数密度(個/平方メートル)とブリスターの平均高さ(μm)との積が20以下であること。
(b)ポリイミドフィルムと無機基板の積層体において、高さ3μm以上のブリスター個数が10個/平方mであること。
[2]面積が0.157平方メートル以上であることを特徴とする[1]記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
[3]前記ブリスターが、内部に炭化物粒子を内包する事を特徴とする[1]または[2]に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
[4]前記ポリイミドフィルムと無機基板の間に、厚さ5nm〜500nmのシランカップリング剤縮合物層が存在する事を特徴とする[1]から[3]のいずれかに記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
[5]ポリイミドフィルムと無機基板を積層体した後、350℃以上600℃未満の温度で熱処理することを特徴とする[1]から[4]のいずれかに記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
[6]ポリイミドフィルムと無機基板を積層体した後、350℃以上600℃未満の温度で熱処理し、熱処理後に10℃/分以上、90℃/分以下の速度で少なくとも200℃まで冷却することを特徴とする[5]に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
[7]ポリイミドと無機基板を積層する前工程として、あらかじめオゾンにて処理された超純水にてポリイミドフィルムを洗浄することを特徴とする請求項5または6に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
[8]前記冷却時に、ポリイミドフィルムと無機基板の積層体の無機基板側を、温度が180℃以下の金属板に接触させることにより冷却することを特徴とする[5]から[7]のいずれかに記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
しかしながら、粘着剤や環境由来の有機異物、生体由来の異物などは比較的柔軟であり、場合によっては粘着性を有するため単純な洗浄処理で完全に除去することは難しい。一方で、そのような柔軟性、粘着性を有する有機物は、本発明で用いるポリイミドフィルムおよび無機基板に比較し耐熱性に劣り、高温前処理にて熱分解させることによる除去ができると考えられる。
しかしながら実際の行程でそのような前処理行程を設ける事は加熱から冷却による製造時間の延長、ならびに、新たな異物付着ないしハンドリングに伴うキズの生成などのリスクが高く非現実的である。
サイズの大きな基板では加熱速度、冷却速度に斑が生じやすい。本発明では特に冷却速度の斑を小さくすることが肝要である。したがって本発明では冷却時に積層体を高比熱の物質、例えば金属板などに直接接触させることにより冷却することが好ましい。
オゾン処理は、例えばオゾナイザー等にて生成させた含オゾンクリーンエアに洗浄水を曝気する事により行うことができる。本発明では洗浄水中のオゾン濃度が3ppm以上、好ましくは6ppm以上、なお好ましくは9ppm以上、さらに好ましくは20ppm以上とする事が好ましい。オゾン濃度の上限は特に制限されないが、概ね200ppm程度である。
脂環式テトラカルボン酸類は、透明性を重視する場合には、例えば、全テトラカルボン酸類の80質量%以上が好ましく、より好ましくは90質量%以上、さらに好ましくは95質量%以上である。
本発明における脂環式ジアミン類としては、例えば、1,4−ジアミノシクロヘキサン、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルシクロヘキシルアミン)等が挙げられる。
(a)芳香族テトラカルボン酸二無水物と、少なくともベンゾオキサゾール骨格を有するジアミンを含むジアミンとの縮合物のフィルム、
(b)芳香族テトラカルボン酸二無水物と、少なくとも分子内にエーテル結合を有するジアミンを含むジアミンとの縮合物のフィルム、
(c)芳香族テトラカルボン酸二無水物と、少なくともフェニレンジアミンを含むジアミンとの縮合物のフィルム、
(d)ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、芳香族ジアミンとの縮合物のフィルム、
から選択される少なくとも一種のポリイミドフィルムからなることが好ましい。
本発明におけるシランカップリング剤は、無機板とポリイミドフィルムとの間に物理的ないし化学的に介在し、両者間の接着力を高める作用を有する化合物を云う。
シランカップリング剤の好ましい具体例としては、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、2−(3,4−エポキシシクロへキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリス−(3−トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、クロロメチルフェネチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどが挙げられる。
本発明では、特に好ましいシランカップリング剤としては、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、2−(3,4−エポキシシクロへキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。プロセスで特に高い耐熱性が要求される場合、Siとアミノ基の間を芳香族基でつないだものが望ましい。
なお本発明では必要に応じて、リン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等を併用しても良い。
本発明ではこのシランカップリング剤塗布方法として、好ましくは気相を介する気相塗布法を用いる事ができる。気相塗布法とは、気化させたシランカップリング剤に無機基板を暴露することにより塗布を行う。シランカップリング剤塗布をシランカップリング剤処理と言い換えても良い。気化とはシランカップリング剤の蒸気、すなわち実質的に気体状態のシランカップリング剤あるいは、微粒子状態のシランカップリング剤が存在する状態を指す。暴露とは、前記の気化したはシランカップリング剤を含んだ気体あるいは真空状態に有機系高分子フィルムが接触していることを言う。
一方、生産効率向上および生産設備価格低減の観点からは、真空を使わない環境でのシランカップリング剤塗布が望ましい。例えば、チャンバー内に常圧下にて有機系高分子フィルムをセットし、チャンバー内を気化したシランカップリング剤を含む概ね常圧のキャリアガスを満たしてシランカップリング剤を堆積してから、再び気化したシランカップリング剤の無い状態に戻すまで、概略大気圧のままで行うことができる。
本発明のブリスターは肉眼で確認できる大きさの物を言う。より具体的には平面方向に観察したブリスターを円とした場合に直径が50μm以上のものを云う。なおここに直径はブリスターが歪んでいる場合には長径と短径の平均値である。
本発明ではさらに高さが2.2μm以上のブリスターの個数が、1平方mあたり10個以下であることが好ましく、7個以下である事がさらに好ましく、4個以下である事がさらに好ましく、2個以下である事がさらに好ましく。0個であることがなお好ましい。
本発明ではさらに高さが1.4μm以上のブリスターの個数が、1平方mあたり10個以下であることが好ましく、7個以下である事がさらに好ましく、4個以下である事がさらに好ましく、2個以下である事がさらに好ましく。0個であることがなお好ましい。
本発明ではさらに高さが0.8μm以上のブリスターの個数が、1平方mあたり10個以下であることが好ましく、7個以下である事がさらに好ましく、4個以下である事がさらに好ましく、2個以下である事がさらに好ましく。0個であることがなお好ましい。
本発明におけるブリスター総数の個数密度は50個/平方メートル以下である事が好ましい。
無機基板としてガラス板を用いた場合には、ガラス板側からの観察により内包される異物(粒子)の色を容易に識別できる。不透明な無機基板の場合には、フィルム側を切開して観察することができる。
熱処理の時間については加熱して所定温度に到達後に5秒以上保持、好ましくは30秒以上保持、さらに好ましくは100秒以上保持したのちに冷却すれば良い。必要以上に保持時間を延ばすと、ポリイミドフィルムの劣化が生じやすくなる。
昇温速度については、好ましくは5℃/分〜200℃/分の昇温速度で加熱すれば良い。なお200℃/分以上の速度で昇温すると、ブリスターの個数が増加する場合がある。
ポリマー濃度が0.2g/dlとなるようにN−メチル−2−ピロリドン(又は、N,N−ジメチルアセトアミド)に溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30℃で測定した。(ポリアミド酸溶液の調製に使用した溶媒がN,N−ジメチルアセトアミドの場合は、N,N−ジメチルアセトアミドを使用してポリマーを溶解し、測定した。)
ポリイミドフィルムについては、積層体断面のSEM断面観察により求めた。なお、特に断りの無い限り、各ポリイミドフィルムの端部から1mm以上内側の領域において、無作為に選択した5点の膜厚の平均値をポリイミドフィルムの膜厚とした。
第2のポリイミドフィルムにおいては、ラミネート前のポリイミドフィルムないしは第2のポリイミドフィルムを積層体から90度剥離した後のフィルムの無作為に選択した10点の算術平均値を求め、膜厚とした。また、任意の10点の膜厚の最大値、最小値、算術平均値から、以下の式により膜厚斑[%]を算出した。
膜厚斑=100×(最大値−最小値)/算術平均値 [%]
なお第2のポリイミドフィルムであるポリイミドフィルムの厚さは触針式膜厚計で測定される。
また、良好に剥離できた場合には、剥離後のポリイミドフィルム、膜厚斑と、ラミネート前のポリイミドフィルムの膜厚および膜厚斑はほぼ一致した。
積層板から剥離したポリイミドフィルム(ポリイミドフィルム)を試料とし、150℃にて30分間乾燥した後に、下記条件で熱天秤測定(TGA)を行い、試料の質量が5%減る温度を熱分解温度とした。
装置名 :MACサイエンス社製TG−DTA2000S
パン :アルミパン(非気密型)
試料質量 :10mg
昇温開始温度:30℃
昇温速度 :20℃/min
雰囲気 :アルゴン
ポリイミドフィルム(フィルム)として得られた試料において、下記条件にて伸縮率を測定し、30℃〜45℃、45℃〜60℃、・・・と15℃の間隔での伸縮率/温度を測定し、この測定を300℃まで行い、全測定値の平均値をCTEとして算出した。
機器名 : MACサイエンス社製TMA4000S
試料長さ : 20mm
試料幅 : 2mm
昇温開始温度: 25℃
昇温終了温度: 400℃
昇温速度 : 5℃/min
雰囲気 : アルゴン
肉眼にて確認できるブリスター個数を計数した。検知できるブリスターのサイズは平均径で50μm以上である。
<ブリスター欠点の高さ測定>
ポリイミドフィルムと無機基板の積層体のブリスター部分(凸欠点)の高さは、キーエンス製カラー3Dレーザー顕微鏡VK9710による高さ測定機能により計測した。
ポリイミドフィルムと無機基板の積層体の断面の電子顕微鏡写真により厚さを計測した。
内部に異物を含むブリスター部分の、ポリイミドフィルムを切開し、異物の顕微IR測定を行い、得られたIRスペクトルの吸収が全体的に緩やかで幅広く、1000−3500cm−1の領域で樹脂由来の特徴的な吸収が確認できないことをもってして、炭化物である事を確認した。
[ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)溶液PV1の製造]
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール223質量部、N,N−ジメチルアセトアミド4416質量部を加えて完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物217質量部、25℃の反応温度で24時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液[PV1」を得た。
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、テトラカルボン酸二無水物として3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物398質量部、パラフェニレンジアミン132質量部、4,4'ジアミノジフェニルエーテル30質量部を4600質量部のN、N−ジメチルアセトアミドに溶解し、25℃の反応温度で24時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液[PV2]を得た。
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ピロメリット酸無水物545質量部、4,4'ジアミノジフェニルエーテル500質量部を8000質量部のN、N−ジメチルアセトアミドに溶解し、温度を20℃以下に保ちながら同様に反応させてポリアミド酸溶液[PV3]を得た。
[ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)溶液PV4の製造]
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ピロメリット酸二無水物545質量部、パラフェニレンジアミン153質量部、4,4'ジアミノジフェニルエーテル200質量部を8000質量部のN、N−ジメチルアセトアミドに溶解し、温度を20℃以下に保ちながら同様に反応させてポリアミド酸溶液[PV4]を得た。
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル155.9質量部とN,N−ジメチルアセトアミド1200質量部を仕込んで溶解させた後、反応容器を冷却しながらシクロブタンテトラカルボン酸二無水物142.9質量部を固体のまま分割添加し、室温で5時間攪拌した。その後N,N−ジメチルアセトアミド1000質量部で希釈し、還元粘度4.20dl/gのポリアミド酸溶液[PV5]を得た。
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、2,2’−ジトリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル176.5質量部とN,N−ジメチルアセトアミド1200質量部を仕込んで溶解させた後、反応容器を冷却しながら1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物122.9質量部を固体のまま分割添加し、室温で18時間攪拌した。その後N,N−ジメチルアセトアミド500質量部で希釈し、還元粘度3.26dl/gのポリアミド酸溶液[PV6]を得た。
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、テトラカルボン酸二無水物として3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物398質量部、パラフェニレンジアミン148質量部、4600質量部のN、N−ジメチルアセトアミドに溶解し、25℃の反応温度で24時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液[PV7]を得た。
製造例にて得られたポリアミド酸溶液[PV1]を脱泡後にコンマコーターを用いて、東洋紡株式会社製ポリエステルフィルムA4100の平滑面に塗布し、連続式乾燥機にて乾燥温度を95℃にて5分、110℃にて10分間乾燥しポリアミド酸フィルムとした。次いで得られたポリアミド酸フィルムをポリエステルフィルムから剥離し、フィルムの両端をピンにて把持し、連続式の熱処理炉にて250℃にて3分、485℃にて3分間熱処理を行ない、室温まで冷却してポリイミドフィルム[PF1a]を得た。得られたポリイミドフィルムの評価結果を表1に示す。表中の「フィルム成膜」はこの方法によって得られたポリイミドフィルムを用いた事を示す。
以下同様にポリアミド酸溶液、成膜方法、塗布膜厚、乾燥、熱処理条件,を代えて溶液成膜を行い表1に示すポリイミドフィルムを得た。結果を表1に示す。
基板[G1]として370mm×470mm、厚さ0.7mmの液晶ディスプレイ用ガラス板を用いた。
基板[G2]として550mm×650mm、厚さ0.7mmの液晶ディスプレイ用ガラス板を用いた。
ランテクニカルサービス社製UV/オゾン洗浄改質装置を用い、ランプと無機基板との距離を30mmとして無機基板に1分間のUV/オゾン処理を行った。
ホットプレートと無機基板の支持台とを備えたチャンバーをクリーンな乾燥窒素で置換した後、UV/オゾン処理を行った無機基板を支持台に設置し、無機基板の200mm下方に液面が位置するようにシランカップリング剤(3−アミノプロピルトリメトキシシラン)を満たしたシャーレを置き、シャーレをホットプレートにて100℃に加熱し、無機基板の下面をシランカップリング剤蒸気に3分間暴露した後にチャンバーから取り出し、クリーンベンチ内に設置し、120℃に調温されたホットプレートに無機基板の暴露面とは逆側を熱板に接するように乗せ、1分間の熱処理を行い、シランカップリング剤処理とした。
得られたポリイミドフィルムを、連続式の湿式フィルム洗浄装置を用いて洗浄し、さらに搬送しつつ120℃のクリーンドライエア中にて5分間保持して再乾燥を行った。なお湿式洗浄装置にて用いた洗浄液は、比抵抗が15MΩ・cm以上となるまで膜濾過により精製した後、オゾナイザーにて生成させた含オゾンクリーンエア2より曝気し、オゾン濃度が10ppm以上となるよう調整された。
<フィルムのプラズマ処理>
ポリイミドフィルムを、ガラス基板の長辺、短辺より各々10mm小さいサイズに裁断し、枚葉式の真空プラズマ装置により処理を行った。真空プラズマ処理としては、平行平板型の電極を使ったRIEモード、RFプラズマによる処理を採用し、真空チャンバー内に窒素ガスを導入し、13.54MHzの高周波電力を導入するようにし、処理時間は3分間とした。
一般的なプラズマCVD装置を用いて、以下の手法によりガスバリア層を形成した。原料ガスとしてシランガス(SiH4),アンモニアガス(NH3),窒素ガス(N2),および水素ガス(H2)を用いた。各種ガスの供給量は、シランガスが100sccm、アンモニアガスが200sccm、窒素ガスが500sccm、水素ガスが500sccmとした成膜圧力は60Paとした。供給するプラズマは、13.58MHzで3000Wとした。成膜中は、ガラス板(基板ホルダ)に、周波数400kHzで500Wのバイアス電力を供給した。
PMDA:ピロメリット酸二無水物、
BPDA:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
CBA:シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、
CHA:1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、
ODA:4,4’ジアミノジフェニルエーテル、
PDA:フェニレンジアミン、
DAMBO:5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール、
BPA:2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
FA:2,2’−ジトリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
CTE :線膨張係数、
ポリイミドフィルムとなるポリイミドフィルム[PF1a]に、プラズマ処理を行い、シランカップリング剤処理を行った無機基板のシランカップリング剤処理面に重なるようにポリイミドフィルムを重ね、ロールラミネータにて仮圧着した後、クリーンベンチ内に設置し、150℃に調温されたホットプレートに無機基板側を熱板に接するように乗せ、3分間熱処理を行い、ポリイミドフィルムと無機基板の積層体を得た。得られたポリイミドフィルムと無機基板の積層体を、温度20〜25℃、相対湿度65±30%の環境下で12時間以上保管した。
以上の結果を表2に示す。なお表2、表3、表4においてイナートは窒素置換した雰囲気下での処理を示す。またサイズ50μm−1mmは、50μm以上1mm未満、サイズ1−2mmは1mm以上2mm未満、サイズ2−3mmは2mm以上3mm以下を意味する。
以下、無機基板、ポリイミドフィルム、各々の処理条件、等を適宜替えて実験を行い表2、表3、表4、に示す実施例2〜実施例9、比較例1〜6のポリイミドと無機基板の積層体を得た。各々の積層体に存在するブリスターの高さ分布を表2、表3、表4に示す。なお、実施例1と同様に各積層体毎に任意のブリスター5点を選択し、ブリスターの内包物の分析を行いいずれも内包物が炭化物粒子である事を確認した。
実施例1〜9、比較例1〜6にて得られたポリイミドと無機基板との積層体を100℃で1時間乾燥させたのち、ガスバリア層を形成する真空装置にセットし減圧した。所定の真空度に達したことを確認した後にポリイミドフィルムの表面に、ガスバリア層として窒化珪素薄膜を形成した。次いで、積相体のガスバリア層の表面に、10-5Paオーダーの真空度にて各薄膜を蒸着して積層した。先ず成膜温度400℃にて、膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極を形成した。その後、ITO上にN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン)を30nmの厚さに形成し、この上に、1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼンを10nmの厚さに形成した。次に、下記の化合物1と4,4’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニルを異なる蒸着源から共蒸着し、20nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、化合物1の濃度は10重量%とした。次に、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼンを40nmの厚さに形成し、この上にフッ化リチウムを0.8nm真空蒸着した。さらに、同様にITOを形成し陰極とした。その上からさらにガスバリア層を形成した。最後にガラス板から剥がすことで、フレキシブルな有機EL素子を作製した。
得られた有機EL素子について発光素子の品位を目視判定し、一辺が10cmの正方形換算にて黒点(無発光点)が1個以下である場合を◎、3個以下である場合を○、4個以上である場合を×とした。
結果を表2、表3、表4に示す。
結果から明らかなように、本発明のポリイミドと無機基板の積層体を使うと、良好なデバイスを作製することができることが示された。
2:ポリイミドフィルム
3:異物(炭化物粒子)
h:ブリスター高さ(凸欠点高さ)
w:ブリスターサイズ(ブリスター径)
Claims (7)
- ポリイミドフィルムと無機基板の積層体において、少なくとも(a)または(b)の条件を満たすことを特徴とするポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
(a)ブリスター欠点の個数密度50個/平方メートル以下であり、ブリスターの平均高さが2μm以下であり、ブリスター個数密度(個/平方メートル)とブリスターの平均高さ(μm)との積が20以下であること。
(b)ポリイミドフィルムと無機基板の積層体において、高さ3μm以上のブリスター個数が10個/平方m以下であること。 - 面積が0.157平方メートル以上であることを特徴とする請求項1記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
- 前記ブリスターが、内部に炭化物粒子を内包する事を特徴とする請求項1または請求項2に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
- 前記ポリイミドフィルムと無機基板の間に、厚さ5nm〜500nmのシランカップリング剤縮合物層が存在する事を特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体。
- ポリイミドフィルムと無機基板を積層体した後、350℃以上600℃未満の温度で熱処理することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
- ポリイミドフィルムと無機基板を積層体した後、350℃以上600℃未満の温度で熱処理し、熱処理後に10℃/分以上、90℃/分以下の速度で少なくとも200℃まで冷却することを特徴とする請求項5に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
- ポリイミドフィルムと無機基板を積層する前工程として、あらかじめオゾンにて処理された超純水にてポリイミドフィルムを洗浄することを特徴とする請求項5または6に記載のポリイミドフィルムと無機基板の積層体の製造方法。
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