JPWO2020039928A1 - 積層体、及び、積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような事情に鑑み、機能素子を形成するための高分子フィルムと無機基板との積層体として、耐熱性に優れ強靭で薄膜化が可能なポリイミドフィルムを、シランカップリング剤を介して無機基板に貼り合わせた積層体が提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
耐熱高分子フィルムと、
無機基板と、
多価アミン化合物を用いて形成された多価アミン化合物層と
を有し、
前記多価アミン化合物層が、前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との間に形成されていることを特徴とする。
無機基板に、多価アミン化合物層を形成する工程Aと、
前記多価アミン化合物層に、耐熱高分子フィルムを貼り合わせる工程Bと
を有することを特徴とする。
本実施形態に係る積層体は、
耐熱高分子フィルムと、
無機基板と、
多価アミン化合物を用いて形成された多価アミン化合物層と
を有し、
前記多価アミン化合物層が、前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との間に形成されている。
本明細書において、前記90°初期剥離強度は、前記積層体を、大気雰囲気下、200℃1時間熱処理した後の無機基板と耐熱高分子フィルムとの間の90°剥離強度をいう。
無機基板に対して耐熱高分子フィルムを90°の角度で引き剥がす。
5回測定を行い、平均値を測定値とする。
測定温度 ; 室温(25℃)
剥離速度 ; 100mm/min
雰囲気 ; 大気
測定サンプル幅 ; 2.5cm
より詳細には、実施例に記載の方法による。
本明細書において、耐熱高分子とは、融点が400℃以上、好ましくは500℃以上であり、ガラス転移温度が250℃以上、好ましくは320℃以上、さらに好ましくは380℃以上の高分子である。以下、煩雑さを避けるために単に高分子とも称する。本明細書において、融点、及び、ガラス転移温度は、示差熱分析(DSC)により求めるものである。なお、融点が500℃を越える場合には、該当温度にて加熱した際の熱変形挙動を目し観察することで融点に達しているか否かを判断して良い。
ただし、前記高分子フィルムは、450℃以上の熱処理を伴うプロセスに用いられることが前提であるため、例示された高分子フィルムの中から実際に適用できる物は限られる。前記高分子フィルムのなかでも好ましくは、所謂スーパーエンジニアリングプラスチックを用いたフィルムであり、より具体的には、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族アミドフィルム、芳香族アミドイミドフィルム、芳香族ベンゾオキサゾールフィルム、芳香族ベンゾチアゾールフィルム、芳香族ベンゾイミダゾールフィルム等が挙げられる。
前記脂環式ジアミン類としては、例えば、1,4−ジアミノシクロヘキサン、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルシクロヘキシルアミン)等が挙げられる。
芳香族ジアミン類以外のジアミン(脂肪族ジアミン類および脂環式ジアミン類)の合計量は、全ジアミン類の20質量%以下が好ましく、より好ましくは10質量%以下、さらに好ましくは5質量%以下である。換言すれば、芳香族ジアミン類は全ジアミン類の80質量%以上が好ましく、より好ましくは90質量%以上、さらに好ましくは95質量%以上である。
脂環式テトラカルボン酸類は、透明性を重視する場合には、例えば、全テトラカルボン酸類の80質量%以上が好ましく、より好ましくは90質量%以上、さらに好ましくは95質量%以上である。
芳香族テトラカルボン酸類は、耐熱性を重視する場合には、例えば、全テトラカルボン酸類の80質量%以上が好ましく、より好ましくは90質量%以上、さらに好ましくは95質量%以上である。
フィルムの厚さ斑(%)
=100×(最大フィルム厚−最小フィルム厚)÷平均フィルム厚
多価アミン化合物層は、多価アミン化合物を用いて形成された層である。多価アミン化合物層は、無機基板に多価アミン化合物を塗布することより形成された層であってもく、高分子フィルムに多価アミン化合物を塗布することより形成された層であってもよい。多価アミン化合物層の形成方法の詳細は、後に、積層体の製造方法の項にて説明する。
本明細書において、多価アミン化合物層とは、高分子フィルムよりも窒素原子が多い部分が存在すればそれが「多価アミン化合物層」である。すなわち、仮に、高分子フィルムと多価アミン化合物層との明確な境界線が不明な場合であっても、高分子フィルムよりも窒素原子が多い部分が存在すれば、「多価アミン化合物層」が存在することを意味する。
多価アミン化合物層が存在するか否かは、X線光電子分光装置(ESCA)を用いた窒素原子の分析により判断する。具体的には、多価アミン化合物層が存在すると思われる箇所の表面の窒素含有率Aを計測する。次に、高分子フィルムの厚み方向中央部分までアルゴンエッチングを行った後、その部分の窒素含有率Bを計測する。そして、窒素含有率Bと窒素含有率Aとを比較し、窒素含有率Aが窒素含有率Bよりも0.5原子%以上大きければ、多価アミン化合物層が存在すると判断する。
前記無機基板としては無機物からなる基板として用いることのできる板状のものであればよく、例えば、ガラス板、セラミック板、半導体ウエハ、金属等を主体としているもの、および、これらガラス板、セラミック板、半導体ウエハ、金属の複合体として、これらを積層したもの、これらが分散されているもの、これらの繊維が含有されているものなどが挙げられる。
前記無機基板の厚さは特に制限されないが、取り扱い性の観点より10mm以下の厚さが好ましく、3mm以下がより好ましく、1.3mm以下がさらに好ましい。厚さの下限については特に制限されないが、好ましくは0.07mm以上、より好ましくは0.15mm以上、さらに好ましくは0.3mm以上である。
上記積層体は、先に無機基板に多価アミン化合物層を形成し、その後、多価アミン化合物層に高分子フィルムを貼り合わせることにより、製造することができる。以下、この製方法を第1実施形態に係る積層体の製造方法ともいう。
また、上記積層体は、先に高分子フィルムに多価アミン化合物層を形成し、その後、多価アミン化合物層に無機基板を貼り合わせて製造することもできる。以下、この製方法を2実施形態に係る積層体の製造方法ともいう。
第1実施形態に係る積層体の製造方法は、
無機基板に、多価アミン化合物層を形成する工程Aと、
前記多価アミン化合物層に、耐熱高分子フィルムを貼り合わせる工程Bと
を少なくとも有する。
工程Aにおいては、無機基板に多価アミン化合物を塗布することより多価アミン化合物層を形成する。
前記多価アミン化合物は、2以上のアミンを有する化合物であれば特に限定されない。なお、本明細書において、前記アミンは、第一級アミンをいう。つまり、本明細書において、多価アミン化合物が有するアミンの数を数える場合、第一級アミンの数を数える。例えば、トリエチレンテトラミンは、2つの第一級アミンと、2つの第二級アミンとを有するが、第一級アミンが2つであるので、テトラミンではなく、ジアミンに分類される。
多価アミン化合物溶液を塗布する方法としては、多価アミン化合物をアルコールなどの溶媒で希釈した溶液を用いて、スピンコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スリットダイコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法、アプリケーター法、スクリーン印刷法、スプレーコート法等の従来公知の溶液の塗布手段を適宜用いることができる。
多価アミン化合物を加温する環境は、加圧下、常圧下、減圧下のいずれでも構わないが、多価アミン化合物の気化を促進する場合には常圧下ないし減圧下が好ましい。
前記高分子フィルムを多価アミン化合物に暴露する時間は特に制限されないが、20時間以内が好ましく、より好ましくは60分以内、さらに好ましくは15分以内、最も好ましくは1分以内である。
前記高分子フィルムを多価アミン化合物に暴露する間の前記高分子フィルムの温度は、多価アミン化合物の種類と、求める表面処理の度合いにより−50℃から200℃の間の適正な温度に制御することが好ましい。
気相塗布法としては、クリーンドライエアを液体状態の多価アミン化合物にバブリングすることにより、多価アミン化合物を気化させる方法も挙げられる。
工程Bにおいては、前記多価アミン化合物層に、高分子フィルムを貼り合わせる。具体的には、前記無機基板上に形成された前記多価アミン化合物層の表面と、前記高分子フィルムとを加圧加熱して、貼り合わせる。
また加圧加熱処理は、上述のように大気圧雰囲気中で行うこともできるが、全面の安定した剥離強度を得る為には、真空下で行うことが好ましい。このとき真空度は、通常の油回転ポンプによる真空度で充分であり、10Torr以下程度あれば充分である。
加圧加熱処理に使用することができる装置としては、真空中でのプレスを行うには、例えば井元製作所製の「11FD」等を使用でき、真空中でのロール式のフィルムラミネーターあるいは真空にした後に薄いゴム膜によりガラス全面に一度に圧力を加えるフィルムラミネーター等の真空ラミネートを行うには、例えば名機製作所製の「MVLP」等を使用できる。
第2実施形態に係る積層体の製造方法は、
高分子フィルムに、多価アミン化合物層を形成する工程Xと、
前記多価アミン化合物層に、無機基板を貼り合わせる工程Yと
を少なくとも有する。
工程Xにおいては、高分子フィルムに、多価アミン化合物を塗布することより多価アミン化合物層を形成する。高分子フィルムに、多価アミン化合物を形成する方法としては、無機基板に、多価アミン化合物を形成する方法と同様とすることができる。詳細については、第1実施形態の項で説明したので、ここでの説明は省略する。
工程Yにおいては、前記多価アミン化合物層に、無機基板を貼り合わせる。具体的には、前記高分子フィルム上に形成された前記多価アミン化合物層の表面と、前記無機基板とを加圧加熱して、貼り合わせる。貼り合わせ条件(加圧加熱処理条件)としては、第1実施形態と同様とすることができる。
前記高分子フィルム上に前記多価アミン化合物層を形成するとともに、前記無機基板上に前記多価アミン化合物層を形成し、多価アミン化合物層同士を貼り合わせ面として貼り合わせて積層体を製造してもよい。
前記積層体を用いると、既存の電子デバイス製造用の設備、プロセスを用いて積層体の高分子フィルム上に電子デバイスを形成し、積層体から高分子フィルムごと剥離することで、フレキシブルな電子デバイスを作製することができる。
本明細書において電子デバイスとは、電気配線を担う片面、両面、あるいは多層構造を有する配線基板、トランジスタ、ダイオードなどの能動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動デバイスを含む電子回路、他、圧力、温度、光、湿度などをセンシングするセンサー素子、バイオセンサー素子、発光素子、液晶表示、電気泳動表示、自発光表示などの画像表示素子、無線、有線による通信素子、演算素子、記憶素子、MEMS素子、太陽電池、薄膜トランジスタなどをいう。
前記高分子フィルムに切り込みを入れる方法としては、刃物などの切削具によって高分子フィルムを切断する方法や、レーザーと積層体を相対的にスキャンさせることにより高分子フィルムを切断する方法、ウォータージェットと積層体を相対的にスキャンさせることにより高分子フィルムを切断する方法、半導体チップのダイシング装置により若干ガラス層まで切り込みつつ高分子フィルムを切断する方法などがあるが、特に方法は限定されるものではない。例えば、上述した方法を採用するにあたり、切削具に超音波を重畳させたり、往復動作や上下動作などを付け加えて切削性能を向上させる等の手法を適宜採用することもできる。
また、剥離する部分に予め別の補強基材を貼りつけて、補強基材ごと剥離する方法も有用である。剥離するフレキシブル電子デバイスが、表示デバイスのバックプレーンである場合、あらかじめ表示デバイスのフロントプレーンを貼りつけて、無機基板上で一体化した後に両者を同時に剥がし、フレキシブルな表示デバイスを得ることも可能である。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、前記反応容器内に5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール(DAMBO)223質量部と、N,N−ジメチルアセトアミド4416質量部とを加えて完全に溶解させた。次に、ピロメリット酸二無水物(PMDA)217質量部とともに、コロイダルシリカ(平均粒径:0.08μm)をジメチルアセトアミドに分散させたスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業製)をコロイダルシリカがポリアミド酸溶液A中のポリマー固形分総量に対して0.7質量%になるように加え、25℃の反応温度で24時間攪拌して、
褐色で粘調なポリアミド酸溶液Aを得た。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、前記反応容器内に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)398質量部と、N,N−ジメチルアセトアミド4600質量部とを加えて均一になるようによく攪拌した。次に、パラジアニリン(PDA)をBPDAと147質量部加え、さらに、コロイダルシリカ(平均粒径:0.08μm)をジメチルアセトアミドに分散させたスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業製)をコロイダルシリカがポリアミド酸溶液B中のポリマー固形分総量に対して0.7質量%になるように加え、25℃の反応温度で24時間攪拌して、褐色で粘調なポリアミド酸溶液Bを得た。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ピロメリット酸無水物(PMDA)、4,4’ジアミノジフェニルエーテル(ODA)を当量で入れ、N、N−ジメチルアセトアミドに溶解し、コロイダルシリカ(平均粒径:0.08μm)をジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス(DMAC−ST30、日産化学工業製)をコロイダルシリカがポリアミド酸溶液C中のポリマー固形分総量に対して0.7質量になるよう加え、25℃の反応温度で24時間攪拌して、褐色で粘調なポリアミド酸溶液Cが得られた。
製造例1で得たポリアミド酸溶液Aを、ダイコーターを用いて、鏡面仕上げしたステンレススチール製の無端連続ベルト上に塗布し(塗工幅1240mm)、90〜115℃にて10分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離して両端をカットし、グリーンフィルムを得た。
得られたグリーンフィルムをピンテンターによって、最終ピンシート間隔が1140mmとなるように搬送し、1段目170℃で2分間、2段目230℃で2分間、3段目485℃で6分間として熱処理を施し、イミド化反応を進行させた。その後、2分間で室温にまで冷却し、フィルムの両端部の平面性が悪い部分をスリッターにて切り落とし、ロール状に巻き上げ、褐色を呈するポリイミドフィルム1を得た。
製造例2で得たポリアミド酸溶液Bを用いたこと以外は、製造例4と同様にしてポリイミドフィルム2を得た。
製造例3で得たポリアミド酸溶液Cを用いたこと以外は、製造例4と同様にしてポリイミドフィルム3を得た。
ポリイミドフィルム1〜3の厚さを、マイクロメーター(ファインリューフ社製、ミリトロン1245D)を用いて測定した。結果を表1に示す。
ポリイミドフィルム1〜3を、流れ方向(MD方向)および幅方向(TD方向)にそれぞれ100mm×10mmの短冊状に切り出したものを試験片とした。引張試験機(島津製作所製、オートグラフ(R) 機種名AG−5000A)を用い、引張速度50mm/分、チャック間距離40mmの条件で、MD方向、TD方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度及び引張破断伸度を測定した。結果を表1に示す。
ポリイミドフィルム1〜3を、流れ方向(MD方向)および幅方向(TD方向)において、下記条件にて伸縮率を測定し、30℃〜45℃、45℃〜60℃のように15℃の間隔での伸縮率/温度を測定し、この測定を300℃まで行い、全測定値の平均値をCTEとして算出した。結果を表1に示す。
機器名 ; MACサイエンス社製TMA4000S
試料長さ ; 20mm
試料幅 ; 2mm
昇温開始温度 ; 25℃
昇温終了温度 ; 400℃
昇温速度 ; 5℃/min
雰囲気 ; アルゴン
アミン化合物としてのテトラメチレンジアミン(TMDA)を0.4質量%含むようにイソプロパノールで希釈したアミン希釈液を調製した。ガラス基板(100mm×100mmサイズに切断した、厚さ0.7mmのOA10Gガラス(NEG社製))をスピンコーター(ジャパンクリエイト社製、MSC−500S)に設置した。前記ガラス基板にアミン希釈液を滴下させてから、500rpmにて回転させてガラス基板全面に広げた後、2000rpmにて回転させることで、アミン希釈液の振り切りと乾燥を行った。滴下後30秒後に回転を停止させた。以上により、ガラス基板に多価アミン化合物層を形成した。この工程は、本発明の工程Aに相当する。
ガラス基板へのテトラメチレンジアミンの塗布方法を気相塗布に変更した以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。具体的に、ガラス基板へのテトラメチレンジアミンの塗布は、図1に示す実験装置を用いて行った。図1は、ガラス基板に多価アミン化合物を塗布する実験装置の模式図である。容量1Lの薬液タンクの中にヘキサメチレンジアミン(TMDA)150gを入れて、この外側の湯煎を60℃と温めた。そして出てくる蒸気をクリーンドライエアとともにチャンバーに送った。ガス流量は30L/min、基板温度は40℃とした。クリーンドライエアの温度は23℃、1.2%RHであった。排気は負圧の排気口に接続したため、チャンバーは10Pa程度の負圧となっていることを差圧計によって確認している。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表2に示す通りである。
ガラス基板へのテトラメチレンジアミンの塗布方法をスプレーコートに変更した以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。具体的に、ガラス基板へのテトラメチレンジアミンの塗布は、重力式スプレーガンを用いた。スプレー用のアミン希釈液は、テトラメチレンジアミンをイソプロピルアルコールによって0.1%に希釈したものを用いた。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表2に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからヘキサメチレンジアミン(HMDA)に変更したこと以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表2に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからヘキサメチレンジアミン(HMDA)に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表2に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからヘキサメチレンジアミン(HMDA)に変更したこと以外は実施例3と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表2に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからエチレンジアミン(EDA)に変更したこと以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからジエチレントリアミン(DETA)に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。この際、薬液タンクには、ジエチレントリアミン50gを入れて、この外側の湯煎を40℃とした。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからトリエチレントリアミン(TETA)に変更したこと以外は実施例3と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例3と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表3に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例4と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例5と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
基板をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更したこと以外は実施例6と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
基材をガラス基板からシリコンウエハ(ダミーグレードの4インチウェーハ)に変更し、多価アミン化合物層の塗布方法をバブリングに変更したこと以外は、実施例5と同じようにして積層体を得た。具体的に、ガラス基板へのヘキサメチレンジアミンの塗布は、図2に示す実験装置を用いて行った。図2は、ガラス基板に多価アミン化合物を塗布する実験装置の模式図である。容量1Lの薬液タンクの中にヘキサメチレンジアミン150gを入れて、この外側の湯煎を20℃とした。そして多孔質体を介してヘキサメチレンジアミンにバブリングを行ったクリーンドライエアをチャンバーに送った。ガス流量は30L/min、基板温度は25℃とした。クリーンドライエアの温度は23℃、1.2%RHであった。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム2に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム2に変更したこと以外は実施例6と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表4に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム2に変更したこと以外は実施例14と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム2に変更したこと以外は実施例15と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム3に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム3に変更したこと以外は実施例3と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム3に変更したこと以外は実施例14と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
耐熱高分子フィルムを、ポリイミドフィルム1からポリイミドフィルム3に変更したこと以外は実施例15と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表5に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンから3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APS)に変更したこと以外は実施例2と同じようにして積層体を得た。この際、外側の湯煎を42℃とした。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表6に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンから3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APS)に変更したこと以外は実施例22と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表6に示す通りである。
多価アミン化合物をテトラメチレンジアミンからN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(AEAPS)に変更したこと以外は実施例11と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表6に示す通りである。
多価アミン化合物を塗布しなかったこと以外は実施例1と同じようにして積層体を得た。得られた多価アミン化合物層の厚さは、表6に示す通りである。
上記積層体の作製で得られた積層体を、大気雰囲気下、200℃1時間熱処理した。その後、無機基板(ガラス基板、又は、シリコンウエハ)とポリイミドフィルムとの間の90°初期剥離強度を測定した。結果を表2〜表6に示す。
90°初期剥離強度の測定条件は、下記の通りである。
無機基板に対してフィルムを90°の角度で引き剥がす。
5回測定を行い、平均値を測定値とする。
測定装置 ; 島津製作所社製 オートグラフAG−IS
測定温度 ; 室温(25℃)
剥離速度 ; 100mm/min
雰囲気 ; 大気
測定サンプル幅 ; 2.5cm
上記積層体の作製で得られた積層体を、大気雰囲気下、200℃1時間熱処理した。さらに、窒素雰囲気下で500℃1時間加熱した。その後、無機基板とポリイミドフィルムとの間の90°剥離強度を測定した。結果を表2〜表6に示す。500℃1時間加熱した後の90°剥離強度の測定条件は、90°初期剥離強度と同様とした。
実施例1〜24の積層体を、100個連続生産した。その結果、100個目の積層体においても白霧は観察されなかった。
一方、比較例1〜3の積層体を、100個連続生産した。その結果、50個目の積層体以降においては白霧が観察された。
ここで、白霧とは、積層体をガラス側から光学顕微鏡にて観察し、ガラスとポリイミドフィルムとの接着面に焦点を合わせた時、数μmから数十μmの海島模様あるいは、相分離の様相を示し、フィルムが浮いている状態をいう。
このように、多価アミン化合物層は、その製造において白霧が発生しないが、シラン化合物(シランカップリング剤)を用いる場合は、その製造において白霧が発生する場合がある。従って、多価アミン化合物層を有する積層体は、その製造において白霧が発生しない点でシラン化合物層(シランカップリング剤層)を有する積層体に比較して優れる。なお、比較例1−3において白霧が観察される理由は、連続製造している間に、シランカップリング剤が凝集する等して粒子化するためと推察される。
Claims (6)
- 耐熱高分子フィルムと、
無機基板と、
多価アミン化合物を用いて形成された多価アミン化合物層と
を有し、
前記多価アミン化合物層が、前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との間に形成されていることを特徴とする積層体。 - 前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との90°初期剥離強度が、0.05N/cm以上であることを特徴とする請求項1に記載の積層体。
- 500℃で1時間加熱した後の前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との90°剥離強度が、0.5N/cm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層体。
- 無機基板に、多価アミン化合物層を形成する工程Aと、
前記多価アミン化合物層に、耐熱高分子フィルムを貼り合わせる工程Bと
を有することを特徴とする積層体の製造方法。 - 前記工程Bの後の前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との90°初期剥離強度が、0.05N/cm以上であることを特徴とする請求項4に記載の積層体の製造方法。
- 前記工程Bの後、さらに、500℃で1時間加熱した後の前記耐熱高分子フィルムと前記無機基板との90°剥離強度が、0.5N/cm以下であることを特徴とする請求項4又は5に記載の積層体の製造方法。
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