TWI831378B - 積層體及積層體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種積層體，其係依序具有玻璃基板、密接層、及樹脂層者，且密接層具有如下之側面接觸部，該側面接觸部於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，位於自樹脂層之外緣全周之一部分至較外緣更靠外側之位置處並與樹脂層之側面之至少一部分接觸。

Description

積層體及積層體之製造方法
本發明係關於一種積層體及積層體之製造方法。
在製造太陽電池、液晶面板(LCD)、有機EL顯示裝置(OLED)、感知電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等之接收感測器面板等電子裝置時，使用聚醯亞胺樹脂層作為基板。聚醯亞胺樹脂層係以設置於玻璃基板上之積層體之狀態使用，將積層體供於電子裝置之製造。在形成電子裝置後，使聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板分離。
關於聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之分離，例如，如專利文獻1所示，使用雷射光進行分離。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-185807號公報
如上所述，於聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之分離中使用雷射光。然 而，本發明人等發現一種於密接層上塗佈聚醯亞胺清漆而製作聚醯亞胺基板，並藉由物理力將聚醯亞胺基板剝離之方法。
此處，作為上述密接層之形成方法，於作為保護層之樹脂層上形成密接層，將該密接層與玻璃基板貼合，而製造附帶密接層之玻璃基板、即積層體。將積層體之樹脂層剝離，於密接層上塗佈例如聚醯亞胺清漆，而形成聚醯亞胺樹脂層。
於用以形成聚醯亞胺樹脂層之密接層上積層有作為保護層之樹脂層的積層體在操作性上存在問題。期望在形成聚醯亞胺樹脂層之前，在搬送時等，保護層不易剝離，且在形成聚醯亞胺樹脂層時，在剝離保護層時容易進行剝離。
本發明之目的在於提供一種在操作時樹脂層不易剝離且在進行剝離樹脂層之處理時能夠將樹脂層剝離的積層體及積層體之製造方法。
本發明人等進行了銳意研究，結果發現藉由以下構成可達成上述目的。
本發明之一態樣係一種積層體，其係依序具有玻璃基板、密接層、及樹脂層者，且密接層具有如下之側面接觸部，該側面接觸部於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，位於自樹脂層之外緣全周之一部分至較外緣更靠外側之位置處，並與樹脂層之側面之至少一部分接觸。
較佳為密接層具有位於自樹脂層之外緣全周之25~99%之範圍至較外緣更靠外側之位置處的側面接觸部。
較佳為樹脂層為四邊形狀，且側面接觸部設置於樹脂層之4個角部中 之最多3個角部上。
較佳為側面接觸部與樹脂層之側面之相對於厚度方向之長度為70%以下的區域接觸。
較佳為側面接觸部沿著樹脂層之外緣連續地設置、或沿著樹脂層之外緣空開間隔地設置。
本發明之一態樣係一種積層體之製造方法，其包括：步驟1，其將具有樹脂層及密接層之附帶密接層之樹脂層與玻璃基板以密接層與玻璃基板對向之方式貼合；以及步驟2，其對步驟1中所獲得之積層基材以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
較佳為於以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理之步驟2中，於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，於樹脂層之外緣，劃分為加熱至密接層之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達密接層之軟化點之溫度之區域而實施加熱處理。
較佳為以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理之步驟2包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，使樹脂層之外緣之至少一部分自加熱板之邊緣突出，將積層基材配置於加熱板上，在配置步驟之後，利用加熱板對積層基材以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
較佳為於以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理之步驟2中，於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，於樹脂層之外緣，劃分為加熱至密接層之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達密接層之軟化點之溫度之區域，對加熱至密接層之軟化點以上之溫度之區域施加暖風或照射 光而實施加熱處理。
較佳為以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理之步驟2包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，於樹脂層之外緣配置隔熱材料或冷卻構件，於配置步驟之後，對積層基材以密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
較佳為於配置步驟中，於樹脂層之外緣全周之1~75%之範圍內配置隔熱材料或冷卻構件。
較佳為樹脂層為四邊形狀，且於配置步驟中，將隔熱材料或冷卻構件設置於樹脂層之4個角部中之最多3個角部上。
較佳為於配置步驟中，沿著樹脂層之外緣連續地、或沿著樹脂層之外緣空開間隔地配置隔熱材料或冷卻構件。
根據本發明，可提供一種在操作時樹脂層不易剝離且在進行剝離樹脂層之處理時能夠將樹脂層剝離的積層體及積層體之製造方法。
10:積層體
12:玻璃基板
12a:玻璃基板之表面
12b:玻璃基板之側面
14:密接層
14a:密接層之表面
14b:密接層之側面
15:側面接觸部
15a:側面接觸部之延出部分
15b:側面接觸部之爬升部分
16:樹脂層
16a:樹脂層之表面
16b:樹脂層之側面
16d,16e,16f,16g:樹脂層之角部
17:樹脂層之外緣
18:間隔
19:圓弧部
CL:切斷線
Dt:厚度方向
圖1係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第1例的立體圖。
圖2係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第1例之一部分的剖視圖。
圖3係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第2例的俯視圖。
圖4係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第3例的俯視圖。
圖5係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第4例的俯視圖。
圖6係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第5例的俯視圖。
圖7係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第6例的俯視圖。
圖8係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第7例的俯視圖。
圖9係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第8例的俯視圖。
圖10係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第9例的俯視圖。
圖11係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第10例的俯視圖。
圖12係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第11例的俯視圖。
圖13係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第1例之剖視圖。
圖14係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第2例之剖視圖。
圖15係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第3例之剖視圖。
圖16係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第4例之剖視圖。
圖17係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第5例之剖視圖。
圖18係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第5例之剖視圖。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。但，以下實施方式係用以對本發明進行說明之例示性實施方式，本發明並不限制於以下所示之實施方式。再者，可在不脫離本發明之範圍之情況下對以下實施方式施加各種變化及置換。
使用「~」所表示之數值範圍意指包含「~」之前後所記載之數值 作為下限值及上限值之範圍。
作為本發明之積層體之特徵點，可例舉以下方面：於依序具有玻璃基板、密接層、及樹脂層之積層體中，密接層具有如下之側面接觸部，該側面接觸部於自玻璃基板之表面之法線方向觀察積層體時，位於自樹脂層之外緣全周之一部分至較外緣更靠外側之位置處，並與樹脂層之側面之至少一部分接觸。
已知，藉由存在上述構成之側面接觸部，即使樹脂層與密接層之界面處之密接力較弱，在積層體之操作時樹脂層亦不易剝離，在剝離樹脂層之處理時能夠將樹脂層剝離。藉此可獲得所需之效果。
<積層體>
[積層體之第1例]
圖1係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第1例的立體圖，圖2係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第1例之一部分的剖視圖。
圖1所示之第1例之積層體10依序具有玻璃基板12、密接層14、及樹脂層16。如圖2所示，於玻璃基板12之表面12a上配置有密接層14，於密接層14之表面14a上配置有樹脂層16。如圖1所示，玻璃基板12、密接層14及樹脂層16於俯視時為四邊形狀。玻璃基板12、密接層14、樹脂層16分別以彼此之邊平行之方式配置。密接層14與樹脂層16之大小大致相同，玻璃基板12大於密接層14及樹脂層16。
再者，俯視係自樹脂層16之表面16a側進行觀察，與後述之自玻璃基 板12之表面12a之法線方向觀察積層體10同義。
密接層14具有側面接觸部15，該側面接觸部15於自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察積層體10時，位於自樹脂層16之外緣17之全周之一部分至較外緣17更靠外側之位置處，並與樹脂層16之側面16b(參照圖2)之至少一部分接觸。例如，於圖1所示之積層體10中，於四邊形之樹脂層16之一邊設置有側面接觸部15。
如圖2所示，側面接觸部15較樹脂層16之側面16b更向玻璃基板12之外緣側延出。側面接觸部15具有於玻璃基板12之表面12a上延出之延出部分15a、與在樹脂層16之側面16b向樹脂層16之表面16a側爬升之爬升部分15b。
側面接觸部15較佳為與樹脂層16之側面16b之相對於厚度方向Dt之長度L為70%以下的區域接觸。藉此，在積層體10之搬送時等，樹脂層16不易剝離，且在剝離樹脂層16時更容易進行剝離。
於圖2之例中，在將爬升之爬升部分15b之長度設為Lb時，長度Lb較佳為樹脂層16之厚度方向Dt之長度L之70%以下。側面接觸部15只要存在即可，爬升部分15b之長度Lb之下限值超過樹脂層16之厚度方向Dt之長度L的0%。
側面接觸部15較佳為位於較樹脂層16之外緣17更靠外側之位置處，且設置於樹脂層16之外緣17之全周之25~99%之範圍內，更佳為設置於30~70%之範圍內。於圖1之例中，樹脂層16為四邊形，四邊形之4邊之合計長度為樹脂層16之外緣17之全周的長度。
側面接觸部15若設置於樹脂層16之外緣17之全周之25~99%之範圍內，則於操作時樹脂層16不易剝離，且在剝離樹脂層16時能夠將樹脂層16剝離。
如圖1所示，於樹脂層16為四邊形狀之情形時，側面接觸部15較佳為不位於樹脂層16之角部中之至少1個角部上。藉此，在剝離樹脂層16時容易進行剝離。即，藉由於樹脂層16之角部16d不設置側面接觸部15，在剝離樹脂層16時容易進行剝離。
如圖2所示，於密接層14之側面14b與樹脂層16之側面16b在厚度方向Dt上為同一平面之情形時，樹脂層16容易剝離。再者，密接層14之側面14b與樹脂層16之側面16b於厚度方向Dt上為同一平面之狀態係無側面接觸部15之狀態，係樹脂層16之側面16b不存在密接層14且無側面接觸部15之狀態。
[積層體之第2~第11例]
積層體10之構成並不限定於圖1所示者。
此處，圖3係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第2例的俯視圖，圖4係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第3例的俯視圖，圖5係示意性地本發明之實施方式之積層體之第4例的俯視圖，圖6係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第5例的俯視圖，圖7係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第6例的俯視圖，圖8係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第7例的俯視圖，圖9係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第8例的俯視圖。再者，於圖3~圖9中，對與圖1及圖2所示之構成相同之構成物標附相同符號，並省略其詳細說明。關於圖3~ 圖9所示之積層體10，均與圖1之積層體10同樣地，玻璃基板12、密接層14及樹脂層16於俯視時為四邊形狀。
例如，如圖3所示，亦可為於樹脂層16之外緣17之全周，在4邊中相連之2邊連續地設置側面接觸部15的構成。如圖4所示，亦可為於樹脂層16之外緣17之全周，跨及4邊中相連之3邊連續地設置側面接觸部15的構成。構成為，3邊中夾於2邊之1邊於全域設置側面接觸部15，對向之2邊不於全域設置側面接觸部15。
如圖5所示，亦可為於樹脂層16之外緣17之全周，除1個角部16d以外連續地設置側面接觸部15的構成。換言之，亦可為於樹脂層16之外緣17之全周，在4個角部16d、16e、16f、16g中之最多3個角部16e、16f、16g上設置側面接觸部15的構成。藉由在1個角部16d不設置側面接觸部15，在剝離樹脂層16時，容易藉由貼附膠帶等而將樹脂層16剝離。
又，側面接觸部15並不限定於沿著樹脂層16之外緣17連續地設置，亦可為沿著樹脂層16之外緣17空開間隔18地進行設置之構成。例如，如圖6所示，亦可為於樹脂層16之相連之3邊，於1邊之全域、及2個角部16e、16f設置側面接觸部15，於連接2個角部16e、16f之邊上空開間隔18地設置側面接觸部15的構成。
如圖7所示，亦可為於樹脂層16之4邊中之1邊之全域設置側面接觸部15，且於剩餘之3邊之中央部附近設置側面接觸部15的構成。
如圖8所示，亦可為於樹脂層16之4邊中之對向之2邊，在各邊之全域設置側面接觸部15的構成。亦可為如此以相分離之方式設置側面接觸部 15之構成。
如圖9所示，亦可為於樹脂層16之外緣17之全周，在所有角部16d、16e、16f、16g設置側面接觸部15，並在4邊中之對向之2邊上空開間隔18地設置側面接觸部15的構成。亦可為如此將側面接觸部15設置於4個角部16d、16e、16f、16g，且以一部分相分離之方式設置於樹脂層16之外緣17之全周的構成。
積層體10並不限定於四邊形狀，亦可為其他形狀，例如亦可為圓形形狀。
圖10係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第9例的俯視圖。圖11係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第10例的俯視圖。圖12係示意性地表示本發明之實施方式之積層體之第11例的俯視圖。再者，於圖10~圖12中，對與圖1及圖2所示之構成相同之構成物標附相同符號，並省略其詳細說明。
關於圖10~圖12所示之積層體10，玻璃基板12、密接層14及樹脂層16均於俯視時為圓形形狀，玻璃基板12均大於密接層14及樹脂層16。
如圖10所示，亦可為於圓形形狀之樹脂層16之外緣17之全周中之一部分連續地於側面接觸部15設置的構成。
如圖11所示，亦可為於圓形形狀之樹脂層16之外緣17之全周中除一部分以外連續地於側面接觸部15設置的構成。
如圖12所示，亦可為於圓形形狀之樹脂層16之外緣17，於對向之圓弧部19分別設置側面接觸部15的構成。
如上所述，於積層體10中，側面接觸部15可為沿著樹脂層16之外緣17連續地、或沿著樹脂層16之外緣17空開間隔18地進行設置之構成。
於沿著樹脂層16之外緣17連續地、或空開間隔18地設置側面接觸部15之情形時，針對玻璃基板12或樹脂層16之大小類似之積層體，可根據側面接觸部15之連續或非連續之配置佈局來區分積層體之方向或積層體之品種。
又，於沿著樹脂層16之外緣17空開間隔18地設置側面接觸部15之情形時，例如，目視可知側面接觸部15中存在密接層14之區域與不存在之區域之交界，因此可以此交界作為對準標準來進行基於相機拍攝等之對準調整。
以下，對構成積層體10之玻璃基板12、密接層14及樹脂層16進行詳細說明。
(玻璃基板)
玻璃基板12係支持並補強密接層14之構件。又，玻璃基板12作為搬送基板發揮功能。
作為玻璃之種類，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃板，更具體而言，可例舉包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(AGC股份有限公司製造之商品名「AN100」、及線膨脹係數38×10-7/℃之 AGC股份有限公司製造之商品名「AN-Wizus」)。
關於玻璃板之製造方法，通常使玻璃原料熔融並使熔融玻璃成形為板狀而獲得玻璃板。此種成形方法只要為通常之成形方法即可，例如可例舉浮式法、熔融法、流孔下引法。
玻璃基板12較佳為非撓性。因此，玻璃基板12之厚度較佳為0.3mm以上，更佳為0.5mm以上。
另一方面，玻璃基板12之厚度較佳為1.0mm以下。
關於玻璃基板12，自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察時之形狀並無特別限制，可為四邊形亦可為圓形，較佳為四邊形。
玻璃基板12大於密接層14及樹脂層16，於玻璃基板12之表面12a存在未配置密接層14及樹脂層16之周邊區域，玻璃基板12之周緣區域之表面12a露出。
周緣區域之寬度並無特別限制，較佳為1~30mm，更佳為3~10mm。周緣區域之寬度相當於自圖1所示之玻璃基板12之外周緣至樹脂層16之外緣17的距離。
若周緣區域之寬度為30mm以下，則形成電子裝置等時之有效面積更大，電子裝置之製作效率提高。又，藉由使周緣區域之寬度為1mm以上，於在密接層14上製作聚醯亞胺膜之情形時，更不易產生聚醯亞胺膜之剝離。
(密接層)
密接層14係用以防止配置於其上之聚醯亞胺膜(未圖示)剝離之膜。
密接層14以於玻璃基板12留出不與密接層14接觸之周緣區域之方式配置於玻璃基板12之表面12a上。又，密接層14具有上述側面接觸部15。
密接層14可為有機層，亦可為無機層。
作為有機層之材質，例如可例舉：丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、聚醯亞胺矽酮樹脂、氟樹脂。又，亦可將若干種樹脂加以混合而構成密接層14。
作為無機層之材質，例如可例舉：氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、矽化物、氟化物。作為氧化物(較佳為金屬氧化物)、氮化物(較佳為金屬氮化物)、氮氧化物(較佳為金屬氮氧化物)，例如可例舉選自Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In及Ba中之1種以上元素之氧化物、氮化物、氮氧化物。
作為碳化物(較佳為金屬碳化物)、碳氮化物(較佳為金屬碳氮化物)，例如可例舉選自Ti、W、Si、Zr、及、Nb中之1種以上元素之碳化物、碳氮化物、碳氧化物。
作為矽化物(較佳為金屬矽化物)，例如可例舉選自Mo、W、及、Cr中之1種以上元素之矽化物。
作為氟化物(較佳為金屬氟化物)，例如可例舉選自Mg、Y、La、及Ba中之1種以上元素之氟化物。
密接層14亦可為電漿聚合膜。
於密接層14為電漿聚合膜之情形時，形成電漿聚合膜之材料可例舉：CF4、CHF3、C2H6、C3H6、C2H2、CH3F、C4H8等氟碳單體；甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯等烴單體；氫、SF6等。
其中，基於耐熱性或剝離性之觀點而言，作為密接層14之材質，較佳為矽酮樹脂、聚醯亞胺矽酮樹脂，更佳為矽酮樹脂，更佳為由縮合反應型矽酮所形成之矽酮樹脂。
以下，對密接層為矽酮樹脂層之態樣進行詳細說明。
矽酮樹脂係包含特定之有機矽烷氧基單元之樹脂，通常使硬化性矽酮硬化而獲得。硬化性矽酮根據其硬化機制而分為加成反應型矽酮、縮合反應型矽酮、紫外線硬化型矽酮及電子束硬化型矽酮，可使用任一者。其中較佳為縮合反應型矽酮。
作為縮合反應型矽酮，可適當使用作為單體之水解性有機矽烷化合物或其混合物(單體混合物)、或者使單體或單體混合物部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。
藉由使用該縮合反應型矽酮使水解/縮合反應(溶膠凝膠反應)進行，可形成矽酮樹脂。
密接層14較佳為使用包含硬化性矽酮之硬化性組合物而形成。
硬化性組合物除硬化性矽酮以外亦可包含溶劑、鉑觸媒(使用加成反應型矽酮作為硬化性矽酮之情形)、調平劑、金屬化合物等。作為金屬化合物所含之金屬元素，例如可例舉：3d過渡金屬、4d過渡金屬、鑭系金 屬、鉍(Bi)、鋁(Al)、錫(Sn)。金屬化合物之含量並無特別限制，可適當調整。
密接層14較佳為具有羥基。構成密接層14之矽酮樹脂之Si-O-Si鍵之一部分被切斷而可使羥基出現。又，於使用縮合反應型矽酮之情形時，該羥基可成為密接層14之羥基。
密接層14之玻璃基板12之表面12a之法線方向之厚度較佳為50μm以下，更佳為30μm以下，進而較佳為12μm以下。另一方面，密接層14之厚度較佳為超過1μm，基於異物嵌埋性更優異之觀點而言，更佳為6μm以上。上述厚度係利用接觸式膜厚測定裝置對5處以上之任意位置之密接層14之厚度進行測定並對該等進行算術平均所得。
再者，所謂異物嵌埋性優異，意指即使玻璃基板12與密接層14之間存在異物，亦可利用密接層14將異物埋嵌埋。若異物之嵌埋性優異，則密接層不易產生由異物引起之凸部，於在聚醯亞胺膜上形成電子裝置用構件時，可抑制由凸部引起之電子裝置用構件中之斷線等風險。再者，由於可以氣泡形式觀察到上述凸部產生時所形成之空隙，因此可根據有無產生氣泡來評估異物嵌埋性。
若於玻璃基板12上形成聚醯亞胺膜並進行高溫熱處理，則聚醯亞胺膜會發生黃變，因此難以應用於透明之電子裝置。然而，雖機制並不明確，但藉由在玻璃基板12上形成密接層14，並在密接層14上形成聚醯亞胺膜，可抑制由高溫熱處理引起之聚醯亞胺膜之黃變。
(樹脂層)
積層體10具有以覆蓋密接層14之方式配置之樹脂層16。樹脂層16作為保護層發揮功能，亦稱作保護膜。
樹脂層16在後述聚醯亞胺清漆被塗佈至密接層14上之前，例如於積層體10之搬送時，對密接層14之表面進行保護。因此需要樹脂層16在操作時不易剝離，且在進行剝離樹脂層之處理時容易剝離。
作為構成樹脂層16之材料，例如可例舉聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚烯烴樹脂(例如，聚乙烯、聚丙烯)、聚胺基甲酸酯樹脂。其中，較佳為聚酯樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
關於樹脂層16之厚度，為了減少自外部承受之力之影響，較佳為20μm以上，更佳為30μm以上，進而較佳為50μm以上。作為樹脂層16之厚度之上限值，較佳為500μm以下，更佳為300μm以下，進而較佳為100μm以下。
樹脂層16可於密接層14側之表面進而具有第2密接層。即，亦可為於密接層14與樹脂層16之間具有第2密接層之構成。
作為第2密接層，可使用公知之黏著層。作為構成黏著層之黏著劑，例如可例舉(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑。
又，第2密接層亦可包含樹脂，作為樹脂，例如可例舉：乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、縮丁醛樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚苯乙烯彈性體。
關於樹脂層16之表面粗糙度(Ra)，為了減小剝離樹脂層16時之剝離力，較佳為50nm以下，更佳為30nm以下，進而較佳為15nm以下。又，關於Ra，為了可維持樹脂層16與密接層密接之狀態，較佳為0.1nm以上，更佳為0.5nm以上。表面粗糙度(Ra)係使用Mitsubishi Chemical System股份有限公司製造之非接觸表面/層剖面形狀測量系統「Vertscan R3300-lite」進行測定。
<積層體之製造方法>
積層體之製造方法包括：步驟1，其將具有樹脂層16及密接層14之附帶密接層之樹脂層(未圖示)與玻璃基板12以密接層14與玻璃基板12對向之方式貼合；以及步驟2，其對步驟1中所獲得之積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
藉由實施步驟2之加熱處理，而形成具有上述側面接觸部15之密接層14。
密接層14例如係塗佈包含硬化性矽酮之硬化性組合物並對所形成之塗膜實施加熱處理而形成。作為塗膜之加熱處理之加熱溫度，較佳為50~200℃，作為加熱時間，較佳為5~20分鐘。
如上所述，於步驟2中，藉由對積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理，可形成側面接觸部15。密接層14之軟化點以上之溫 度為密接層14之爬升起始溫度。
密接層14之軟化點係切削保護膜上形成之密接層並根據『JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業規格)K 5601-2-2_軟化點之測定方法』實施所得之值。於密接層14為矽酮樹脂之情形時，軟化點之溫度為80℃。
側面接觸部15之配置形態及設置範圍如上所述多種多樣。例如，藉由對步驟2中之加熱處理時之加熱範圍進行調整，可控制側面接觸部15之配置形態及設置範圍。
於此情形時，例如，於上述實施加熱處理之步驟2中，於自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察積層基材時，於樹脂層16之外緣17，劃分為加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達密接層14之軟化點之溫度之區域而實施加熱處理。加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域可連續地設置，亦可空開間隔地設置。藉由改變加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域，可實現上述圖1及圖3~12所示之側面接觸部15之配置形態。
加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達密接層14之軟化點之溫度之區域例如可藉由如後所述配置隔熱材料或冷卻構件而加以劃分。
例如，亦可使用加熱板(未圖示)來形成側面接觸部15。於此情形時，上述實施加熱處理之步驟2包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察積層基材時，使樹脂層16之外緣17之至少一部分自加熱板之邊緣突出，將積層基材配置於加熱板上。樹脂層 16之外緣17中之突出區域成為不以密接層14之軟化點以上之溫度進行加熱的區域。
在配置步驟之後，利用加熱板對積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理。藉此，樹脂層16之外緣17中，自加熱板之邊緣突出之區域中未形成側面接觸部15，配置於加熱板上之樹脂層16之外緣17上形成側面接觸部15。加熱板例如使用熱板。
又，於上述實施加熱處理之步驟2中，亦可於自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察積層基材時，於樹脂層16之外緣17，劃分為加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達密接層14之軟化點之溫度之區域，對加熱至密接層14之軟化點以上之溫度之區域施加暖風或照射光而實施加熱處理。
亦可以上述方式自樹脂層16側選擇性地對要形成密接層14之側面接觸部15之區域施加暖風或照射光而進行加熱，從而形成側面接觸部15。藉此，可實現上述圖1及圖3~12所示之側面接觸部15之配置形態。暖風例如可使用乾燥機、或熱風加熱器等暖風機，施加軟化點以上之溫度之暖風而對密接層14進行加熱。又，光之照射可使用燈加熱器、或鹵素燈，利用光將密接層14加熱至軟化點以上之溫度。
又，上述實施加熱處理之步驟2較佳為包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自玻璃基板12之表面12a之法線方向觀察積層基材時，於樹脂層16之外緣17配置隔熱材料(未圖示)或冷卻構件(未圖示)，在配置步驟後對積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
具體而言，於步驟2中，於樹脂層16之外緣17，在不欲使側面接觸部 15存在之區域設置隔熱材料或冷卻構件。於此狀態下，實施上述加熱處理。藉此，於樹脂層16之外緣之外周，於配置有隔熱材料或冷卻構件之區域，密接層14不會滲出，不會形成側面接觸部15。藉由改變隔熱材料或冷卻構件之配置圖案，可實現上述圖1及圖3~12所示之側面接觸部15之配置形態。
隔熱材料例如可使用聚四氟乙烯等氟樹脂、二氧化矽布、及氧化鋁纖維。
隔熱材料係用以抑制向密接層14之熱傳導而不使密接層14之側面接觸部15形成者。因此，隔熱材料較佳為配置於加熱源與密接層14之間。例如，於自玻璃基板12側對積層基材進行加熱之情形時，在玻璃基板12之與表面12a相反之面側，在與樹脂層16之外緣17相當之位置配置隔熱材料。另一方面，於自樹脂層16側進行加熱之情形時，於樹脂層16之表面16a側，在與樹脂層16之外緣17相當之位置配置隔熱材料。
與使用上述隔熱材料之方法同樣地，於使用冷卻構件之情形時，亦可抑制向密接層14之熱傳導而不使密接層14之側面接觸部15形成。
作為冷卻構件，例如可使用珀爾帖元件、水冷式之冷卻板、及氣冷式之冷卻板。
據上，實施熱處理之步驟2較佳為包括於積層基材之樹脂層之外緣配置隔熱材料或冷卻構件的配置步驟。較佳為在隔熱材料或冷卻構件之配置步驟後對積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理。
例如，在將側面接觸部15設置於樹脂層16之外緣17之全周之25~ 99%之範圍內之情形時，於配置步驟中，在樹脂層16之外緣17之全周之1~75%之範圍內配置隔熱材料或冷卻構件。又，例如，上述加熱至未達密接層14之軟化點之溫度之區域係樹脂層16之外緣17之全周之1~75%之範圍。
於樹脂層16為四邊形狀之情形時，於使側面接觸部15不位於樹脂層16之角部中之至少1個角部之情形時，例如於配置步驟中，於樹脂層之4個角部中之最多3個角部設置隔熱材料或冷卻構件。
於沿著樹脂層16之外緣17連續地、或沿著樹脂層16之外緣17空開間隔地設置側面接觸部15之情形時，較佳為於配置步驟中，沿著樹脂層16之外緣17連續地、或沿著樹脂層16之外緣17空開間隔地配置隔熱材料或冷卻構件。
於如上所述進行貼合之步驟1之後，具有對步驟1中所得之積層基材以密接層14之軟化點以上之溫度實施加熱處理的步驟2，步驟2具有第1加熱處理與第2加熱處理。
第1加熱處理例如係在未達密接層14之軟化點之溫度之條件下，使用高壓釜進行加熱及加壓之加熱處理。於第1加熱處理中，玻璃基板12與密接層14之界面處之密接力提高。第2加熱處理例如係使用加熱板以密接層之軟化點以上之溫度進行加熱之加熱處理。藉由第2加熱處理，使密接層14於樹脂層16之側面16b爬升而形成側面接觸部15。上述第2加熱處理之步驟係形成上述側面接觸部15之步驟，係實施加熱處理之步驟2。
再者，作為第1加熱處理時之加熱溫度，只要為未達樹脂層16之軟化點之溫度即可，並無特別限定。作為加熱時間，較佳為10~60分鐘，更 佳為20~40分鐘。
作為加壓處理時之壓力，較佳為0.5~1.5MPa，更佳為0.8~1.0MPa。
又，若為未達密接層14之軟化點之溫度條件，則加熱處理可進行複數次。在實施複數次加熱處理之情形時，可變更各次之加熱條件。
又，在實施複數次加熱處理之情形時，亦可變更加壓處理之有無。例如，在實施2次加熱處理之情形時，可為於第1次加熱處理中結合加壓處理來實施且於第2次加熱處理中不實施加壓處理之形式。
再者，在使用轉印膜製造積層體時，可在剝離暫時支持體後實施上述加熱處理，亦可以暫時支持體配置於密接層上之狀態直接實施加熱處理。又，在實施複數次加熱處理之情形時，可於各加熱處理之間將暫時支持體剝離。例如，可在實施第1次加熱處理後，將暫時支持體剝離，然後實施第2次加熱處理。
於積層體中，可在剝離樹脂層16後，對密接層之表面實施表面處理。
作為表面處理，例如可例舉電暈處理、電漿處理、UV(ultraviolet-ozone，紫外線)臭氧處理，較佳為電暈處理。
於如後所述在密接層上形成聚醯亞胺膜之情形時，關於密接層之表面粗糙度(Ra)，為了減小聚醯亞胺膜之表面粗糙度，較佳為50nm以下，更佳為30nm以下，進而較佳為15nm以下。又，關於Ra，為了可維持聚醯亞胺膜與密接層密接之狀態，較佳為0.1nm以上，更佳為0.5nm以上。
<側面接觸部之去除方法>
樹脂層16例如於在密接層14上形成聚醯亞胺膜時剝離。在剝離樹脂層16之情形時，需要將側面接觸部15去除。側面接觸部15之去除方法並無特別限定，可例示圖13~圖18所示之方法。
圖13係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第1例之剖視圖，圖14係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第2例之剖視圖，圖15係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第3例之剖視圖，圖16係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第4例之剖視圖，圖17係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第5例之剖視圖，圖18係示意性地表示側面接觸部之去除方法之第5例之剖視圖。再者，於圖13~圖18中，對與圖1及圖2所示之構成相同之構成物標附相同符號，並省略其詳細說明。
側面接觸部15之去除方法之第1例係使用溶解密接層14之溶劑，將圖13所示之側面接觸部15溶解而加以去除之方法。除溶解以外，亦可使用膠帶將側面接觸部15物理性地去除，亦可使用銼等將側面接觸部15削去而加以去除。
圖14所示之側面接觸部15之去除方法之第2例係以切斷線CL將樹脂層16及密接層14切斷而去除側面接觸部15之方法。切斷線CL較樹脂層16之側面16b更靠內側。藉由以切斷線CL進行切斷而成為於因切斷而形成之樹脂層16之新側面上無側面接觸部15之狀態。
圖15所示之側面接觸部15之去除方法之第3例係以沿著樹脂層16之側面16b之切斷線CL將側面接觸部15自樹脂層16側切斷而加以去除的方法。
圖16所示之第4例係預先使樹脂層16自密接層14之側面14b露出並貼合，利用由軟化點以下之溫度下之加熱處理步驟引起的密接層14之滲出，使密接層14之側面14b延出，而利用密接層14將樹脂層16之露出之部分接合之方法。
圖17所示之側面接觸部15之去除方法之第5例係以沿著樹脂層16之側面16b之切斷線CL將側面接觸部15自玻璃基板12側切斷而加以去除的方法。於此情形時，如圖18所示，成為切斷後之玻璃基板12之側面12b、密接層14之側面14b及樹脂層16之側面16b一致之狀態。
如上所述將密接層14之側面接觸部15去除後，例如使用膠帶將樹脂層16剝離。
<積層基板及其製造方法>
可使用上述積層體10製造具有玻璃基板12、密接層14、及聚醯亞胺膜(未圖示)之積層基板。
具體而言，作為積層基板之製造方法，可例舉如下方法，即，將樹脂層16剝離，於玻璃基板12之密接層14側塗佈包含聚醯亞胺及溶劑之聚醯亞胺清漆，於周緣區域上及密接層14上形成聚醯亞胺膜，而形成依序具有玻璃基板12、密接層14、及聚醯亞胺膜之積層基板。
於積層基板中，在密接層上之聚醯亞胺膜上製作電子裝置後，可藉由物理力將聚醯亞胺膜自玻璃基板剝離。
以下，對積層基板之製造方法進行詳細說明，然後對聚醯亞胺膜之構成進行詳細說明。
(聚醯亞胺清漆)
聚醯亞胺清漆包含聚醯亞胺或其前驅體及溶劑。
聚醯亞胺通常藉由使四羧酸二酐與二胺縮聚並醯亞胺化而獲得。作為聚醯亞胺，較佳為具有溶劑可溶性。
作為所使用之四羧酸二酐，可例舉芳香族四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐。作為所使用之二胺，可例舉芳香族二胺、脂肪族二胺。
作為芳香族四羧酸二酐，例如可例舉均苯四甲酸二酐(1,2,4,5-苯四羧酸二酐)、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐。
作為脂肪族四羧酸二酐，有環式或非環式之脂肪族四羧酸二酐，作為環式脂肪族四羧酸二酐，可例舉1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、1,2,4,5-環戊烷四羧酸二酐等，作為非環式脂肪族四羧酸二酐，可例舉1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-戊烷四羧酸二酐等。
作為芳香族二胺，例如可例舉4,4'-氧二胺基苯(4,4'-二胺基二苯醚)、1,3-雙-(3-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙-(3-胺基苯氧基)聯苯、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯。
作為脂肪族二胺，可例舉：乙二胺、六亞甲基二胺、聚乙二醇雙(3-胺基丙基)醚、聚丙二醇雙(3-胺基丙基)醚等非環式脂肪族二胺；1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、異佛爾酮二胺、降
Figure 111135301-A0305-02-0027-2
烷二胺等環式脂肪族二胺。
所謂聚醯亞胺之前驅體，意指處於醯亞胺化之前之狀態下之聚醯胺酸(所謂聚醯胺酸及/或聚醯胺酸酯)。
溶劑只要為可溶解聚醯亞胺或其前驅體之溶劑即可，例如可例舉：酚系溶劑(例如間甲酚)、醯胺系溶劑(例如N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺)、內酯系溶劑(例如γ-丁內酯、δ-戊內酯、ε-己內酯、γ-巴豆醯內酯、γ-己內酯、α-甲基-γ-丁內酯、γ-戊內酯、α-乙醯基-γ-丁內酯、δ-己內酯)、亞碸系溶劑(例如N,N-二甲基亞碸)、酮系溶劑(例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮)、酯系溶劑(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、碳酸二甲酮)。
(步驟)
於積層體10之密接層14側塗佈聚醯亞胺清漆之方法並無特別限制，可例舉公知之方法。例如可例舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法。
塗佈後可視需要實施加熱處理。
作為加熱處理之條件，溫度條件較佳為50~500℃，更佳為50~450℃。加熱時間較佳為10~300分鐘，更佳為20~200分鐘。
又，加熱處理可進行複數次。在實施複數次加熱處理之情形時，各次之加熱條件可變更。
聚醯亞胺膜之厚度較佳為1μm以上，更佳為5μm以上。基於柔軟性之觀點而言，較佳為1mm以下，更佳為0.2mm以下。
為了於聚醯亞胺膜上形成電子裝置之高精細之配線等，較佳為聚醯 亞胺膜之表面平滑。具體而言，聚醯亞胺膜之表面粗糙度Ra較佳為50nm以下，更佳為30nm以下，進而較佳為10nm以下。
關於聚醯亞胺膜之熱膨脹係數，較佳為與玻璃基板12之熱膨脹係數差較小，如此可抑制加熱後或冷卻後之積層基板之翹曲。具體而言，聚醯亞胺膜與玻璃基板12之熱膨脹係數之差較佳為0~90×10-6/℃，更佳為0~30×10-6/℃。
聚醯亞胺膜之面積並無特別限制，基於電子裝置之生產性之觀點而言，較佳為300cm2以上。
聚醯亞胺膜可有色，亦可無色透明。
積層基板可用於各種用途，例如可例舉後述之顯示裝置用面板、PV(Photovoltaic，光伏)、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓、接收感測器面板等電子零件之製造用途。於該等用途中，亦存在積層體於大氣環境下暴露於高溫條件(例如450℃以上)下(例如20分鐘以上)之情形。
顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、微型LED顯示器面板、MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)快門面板等。
接收感測器面板包含電磁波接收感測器面板、X射線受光感測器面板、紫外線受光感測器面板、可見光線受光感測器面板、紅外線受光感測器面板等。接收感測器面板所用之基板可利用樹脂等補強片等加以補強。
[實施例]
以下，藉由實施例等對本發明更具體地進行說明，但本發明並不限定於該等例。
以下，玻璃基板使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(線膨脹係數38×10-7/℃，AGC股份有限公司製造之商品名「AN-Wizus」)。
以下，例2~例7、例9、例10、例12~例14、例16、17、例19~21、例23、例24為實施例，例1、例8、例11、例15、例18、例22、例25為比較例。
<例1、例11>
(硬化性矽酮之製備)
於1L之燒瓶中添加三乙氧基甲基矽烷(179g)、甲苯(300g)、乙酸(5g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘後，進而加熱至60℃使其反應12小時。將所得之反應粗液冷卻至25℃後，使用水(300g)將反應粗液洗淨3次。於所洗淨之反應粗液中添加氯化三甲基矽烷(70g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘後，進而加熱至50℃使其反應12小時。將所得之反應粗液冷卻至25℃後，使用水(300g)將反應粗液洗淨3次。自所洗淨之反應粗液中將甲苯減壓蒸餾去除，使其成為漿料狀態後利用真空乾燥機乾燥整夜，藉此獲得白色有機聚矽氧烷化合物即硬化性矽酮1。關於硬化性矽酮1，T單位之個數：M單位之個數=87：13(莫耳比)。關於硬化性矽酮1，M單位、T單位之莫耳比為13：87，有機基均為甲基，平均OX基數為0.02。平均OX基數係表示1個Si原子上平均鍵結有幾個OX基(X為氫原子或烴基)之數值。
(硬化性組合物之製備)
將硬化性矽酮(20g)、作為金屬化合物之辛酸鋯化合物(「ORGATIX ZC-200」、Matsumoto Fine Chemical股份有限公司製造)(0.16g)、2-乙基己酸鈰(III)(Alfa Aesar公司製造，金屬含有率12%)(0.17g)、作為溶劑之Isoper G(Tonen General Sekiyu股份有限公司製造)(19.7g)混合，使用孔徑0.45μm之過濾器對所得之混合液進行過濾，藉此獲得硬化性組合物1。
(包含玻璃板與矽酮樹脂層之積層體之製作)
準備PET膜(Toyobo股份有限公司製造，Ester(註冊商標)Film HPE，厚度為25μm與50μm)作為離型膜，於此膜表面上塗佈所製備之硬化性組合物1，使用加熱板以140℃加熱10分鐘，藉此形成矽酮樹脂層(密接層)。於所塗佈之矽酮樹脂層之上貼合作為保護膜(樹脂層)之PET膜(Toyobo股份有限公司製造，Ester(註冊商標)Film HPE，厚度為50μm)，自作為離型膜之PET膜側插入切割機，切斷為尺寸912×722mm。
又，圓形形狀之膜係自作為離型膜之PET膜側插入Compass Cutter(OLFA股份有限公司製造，Compass Cutter 57B)而切斷為直徑196mm。
繼而，準備利用水系玻璃洗淨劑(Parker Corporation股份有限公司製造「PK-LCG213」)洗淨後利用純水洗淨之920×730mm且厚度0.5mm之玻璃板「AN-Wizus」(支持基材)。之後，自依序積層有作為離型膜之PET膜、矽酮樹脂層、作為保護膜之PET膜的膜(尺寸：912×722mm)，將作為保護膜之PET膜剝離，並將作為離型膜之PET膜與矽酮樹脂層的膜之 矽酮樹脂層側與玻璃板貼合，而製作依序配置有玻璃板、矽酮樹脂層、及作為離型膜之PET膜(樹脂層)的矩形形狀之積層基材。
又，圓形形狀之積層體係準備利用水系玻璃洗淨劑(Parker Corporation股份有限公司製造之「PK-LCG213」)洗淨後利用純水洗淨之直徑200mm且厚度0.5mm之玻璃板「AN-Wizus」。之後，自依序積層有作為離型膜之PET膜、矽酮樹脂層、作為保護膜之PET膜的膜(尺寸：直徑196mm)，將作為保護膜之PET膜剝離，並將作為離型膜之PET膜與矽酮樹脂層的膜之矽酮樹脂層側與玻璃板貼合，而製作依序配置有玻璃板、矽酮樹脂層、及作為離型膜之PET膜(樹脂層)的圓形形狀之積層基材。
然後，將所得之矩形形狀之積層基材、及圓形形狀之積層基材分別配置於高壓釜內，於60℃、1MPa之條件下加熱30分鐘。藉由此加熱處理步驟，獲得矩形形狀之積層體、及圓形形狀之積層體。
(積層體之剖面SEM觀察1)
將依序配置有玻璃板、矽酮樹脂層、及PET膜之積層基材切斷為小片，利用FE-SEM(場發射型掃描電子顯微鏡，日本電子(JEOL)股份有限公司製造之JSM-7800F Prime)對積層基材之切斷面進行觀察，測量PET膜之側面之厚度方向之矽酮樹脂層的側面接觸範圍之長度。
<例2~例10、例12~例15>
與例1同樣地製作矩形形狀之積層體後，於欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處，於熱板(加熱板)之上直接設置包含玻璃板、矽酮樹脂層及PET膜之積層體，於不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部 存在於PET膜之側面之位置處，於熱板與積層體之間設置隔熱材料(PTFE(聚四氟乙烯)片、厚度1mm)，將積層體於熱板上以90℃加熱5分鐘。熱板加熱中之隔熱材料上之積層體表面溫度為30~80℃，低於無隔熱材料之積層體表面溫度。用手將使用熱板之加熱後之積層體收納至作為保管容器之盒中。
於例2~例10及例12~例15中，將側面接觸部之配置形態、側面接觸部之配置範圍、及配置側面接觸部之角部之數量調整為如後述表1所示。
<例16~例18>
與例1同樣地製作矩形形狀之積層體後，於欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處，於熱板(加熱板)之上直接設置包含玻璃板、矽酮樹脂層及PET膜之積層體，於不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處，設置作為冷卻材料之珀爾帖元件，將積層體於熱板上以90℃加熱5分鐘。熱板加熱中之冷卻材料上之積層體表面溫度為20~50℃，低於無冷卻材料之積層體表面溫度。用手將使用冷卻材料之加熱後之積層體收納至作為保管容器之盒中。
於16~例18中，將側面接觸部之配置形態、側面接觸部之配置範圍、及配置側面接觸部之角部之數量調整為如後述表1所示。
<例19~例22>
與例1同樣地製作矩形形狀之積層體後，設置為於欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處，自積層體之玻璃板側使用暖風機施加暖風，於不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位 置處不施加暖風，且以不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在之位置處之積層體表面溫度達到90℃之方式維持暖風機與積層體的位置，於該狀態下加熱5分鐘。未施加暖風之積層體表面溫度為30~80℃，低於施加暖風之積層體表面溫度。用手將暖風加熱後之積層體收納至作為保管容器之盒中。
於例19~例22中，將側面接觸部之配置形態、側面接觸部之配置範圍、及配置側面接觸部之角部之數量調整為如後述表1所示。
又，暖風機係使用熱風加熱器。
<例23~例25>
與例1同樣地製作矩形形狀之積層體後，設置為於欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處，自積層體之玻璃板側進行紅外線加熱器照射，於不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在於PET膜之側面之位置處不進行紅外線加熱器照射，且以不欲使矽酮樹脂層之側面接觸部存在之位置處之積層體表面溫度達到90℃之方式維持紅外線加熱器與積層體的位置，於該狀態下加熱5分鐘。未進行紅外線加熱器照射之積層體表面溫度為30~80℃，低於進行紅外線加熱器照射之積層體表面溫度。用手將暖風加熱後之積層體收納至作為保管容器之盒中。
例23~例25中，將側面接觸部之配置形態、側面接觸部之配置範圍、及配置側面接觸部之角部之數量調整為如後述表1所示。
又，紅外線加熱器係使用鹵素燈。
<例6、例9、例13>
(積層體之剖面SEM觀察2)
針對依序配置有玻璃板、矽酮樹脂層、及PET膜之積層基材，將用熱板以90℃加熱5分鐘之範圍切斷為小片，利用FE-SEM(JEOL製造之JSM-7800F Prime)對積層基材之切斷面進行觀察，測量PET膜之側面之厚度方向之矽酮樹脂層之側面接觸範圍之長度。
例1~10及例16~25之PET膜(樹脂層)為具有包含短邊與長邊之4個邊之矩形形狀，尺寸為912×722mm。
例1係無側面接觸部之構成。
例2、3、9、16、19、23係側面接觸部如圖3所示位於2邊之構成。圖3中，於2邊之全域設置有側面接觸部15，但例2、3、9、16、19、23以自1個角延伸出之側面接觸部15之長度成為表1所示之比率之方式進行了調整。
例4中，側面接觸部為圖4所示之構成。例5中，側面接觸部為圖6所示之構成。例6、10、17、20、24中，側面接觸部為圖5所示之構成。例7中，側面接觸部為圖9所示之構成。例8、18、22、25係於4個邊之全部範圍內設置有側面接觸部之構成。
例11~15之PET膜(樹脂層)為圓形形狀，直徑為196mm。
例11係無側面接觸部之構成。
例12~14係於全周中之特定範圍內連續地設置有側面接觸部之構成。例12、13中，側面接觸部為圖10所示之構成。例14中，側面接觸部為圖11所示之構成。例15係於PET膜(樹脂層)之外緣之全周設置有側面接觸部之構成。
表1中，「樹脂層之厚度(μm)」欄表示PET膜之厚度。
表1中，「有無加熱步驟」欄表示有無矽酮樹脂層之軟化點溫度以上之加熱處理。
表1中，「側面接觸部之配置形態」欄表示相對於PET膜之外緣全周如何配置側面接觸部。連續表示不中斷地連續配置側面接觸部之狀態。有間隔表示相對於PET膜之外緣，至少一部分中斷地配置側面接觸部之狀態。
表1中，「側面接觸部之配置範圍(mm)」及「側面接觸部之配置範圍之比率(%)」欄表示設置於PET膜之外緣之側面接觸部之長度的合計、與設置有側面接觸部之長度相對於PET膜之外緣全周的比率。
表1中，「配置有側面接觸部之角部之數量」欄表示配置於PET膜之角部之側面接觸部的數量。
表1中，「相對於樹脂層之厚度方向之長度的側面接觸部之長度(mm)」及「側面接觸部之配置範圍值比率(%)」欄表示相對於PET膜之厚度方向之長度的側面接觸部之爬升長度及比率。
<分層評估>
準備10個包含玻璃板、矽酮樹脂層(密接層)、及PET膜(樹脂層)之積層體，以將與玻璃基板之搬送方向正交之垂線作為基準，以30度之角度配置氣刀之方式，用手將積層體逐個投入至單片洗淨機中，利用滾刷(roll brush)(滾刷前端與PET膜表面接觸之壓入量)將積層體之表面洗淨，利用氣刀(壓縮空氣供給壓力0.15MPa)使其乾燥，收納至盒中。手持積層體之玻璃基板之邊緣將其自盒中取出，目視確認PET膜之外周部，按照以下標 準對矽酮樹脂層與PET膜之界面有無分層進行評估。
A：10個均未觀察到分層。
B：10個中例如有1個觀察到分層。
C：10個均觀察到分層。
<積層體之PET膜之剝離評估>
準備10個包含玻璃板、矽酮樹脂層(密接層)、及PET膜(樹脂層)之積層體，逐個置於台上，於積層體為矩形形狀之情形時在PET膜之角上、於積層體為圓形形狀之情形時在PET膜之外周部貼附膠帶(3M公司製造之隱形膠帶810-1-18D)，一面以剝離角度180度拉伸PET膜一面進行膠帶剝離。此時，按照以下標準對矽酮樹脂層與PET膜之界面處能否剝離進行評估。
A：10個均可剝離。
B：10個中例如有1個不可剝離。
C：10個均不可剝離。
<綜合評估>
將分層評估及剝離評估中之差評作為綜合評估。
Figure 111135301-A0305-02-0038-1
如表1所示，本發明之積層體表現出所需之效果。
於分層評估中，根據例1及例11與例2~10、及例12~25之比較可知，若自PET膜(樹脂層)之外緣全周之一部分，於PET膜之側面部存在矽酮樹脂(側面接觸部)，則不易因操作或單片洗淨而引起分層。
又，根據例2、例9、例12、例16、例19及例23與例3~8、例10、例13~15、例17~18、例20~22及例24~25之比較可知，若於PET膜之外緣全周之25%以上之範圍內，在PET膜之側面部存在矽酮樹脂(側面接觸部)，則不易因操作或單片洗淨而引起分層。
於PET膜之剝離評估中，根據例1~例7、例9~例14、例16~17、例19~21、例23~24、與例8、例15、例18、例22及例25之比較可知，若在PET膜(樹脂層)之外緣全周之全部範圍內，於PET膜之側面部存在矽酮樹脂(側面接觸部)，則PET膜(樹脂層)與矽酮樹脂層(密接層)不可剝離。
又，根據例1~6及例19~20與例7及例21之比較可知，若在PET膜(樹脂層)之角部之至少1個角部，在PET膜之側面部不存在矽酮樹脂(側面接觸部)，則PET膜(樹脂層)更容易剝離。
又，根據例6及例13與例9之比較可知，於在PET膜之側面部，在PET膜之厚度方向之70%以下之區域中存在矽酮樹脂(側面接觸部)之情形時，PET膜(樹脂層)更容易剝離。
於例2~例10、及例12~例15中，將積層體於熱板(加熱板)上以溫度90℃加熱5分鐘，但確認到以溫度100℃加熱5分鐘、以溫度110℃加熱5分鐘、及以溫度120℃加熱5分鐘亦可獲得與以溫度90℃加熱5分鐘相同之結 果。
於例16~例18中，將積層體於熱板(加熱板)上以溫度90℃加熱5分鐘，但確認到以溫度100℃加熱5分鐘、以溫度110℃加熱5分鐘、及以溫度120℃加熱5分鐘亦可獲得與以溫度90℃加熱5分鐘相同之結果。
於例19~例22中，以積層體表面溫度達到溫度90℃之方式維持暖風機與積層體之位置，於該狀態下加熱5分鐘，但確認到以溫度90℃加熱7分鐘、以溫度100℃加熱5分鐘及以溫度100℃加熱7分鐘亦可獲得與以溫度90℃加熱5分鐘相同之結果。
於例23~例25中，以積層體表面溫度達到溫度90℃之方式維持紅外線加熱器與積層體之位置，於該狀態下加熱5分鐘，但確認到以溫度90℃加熱7分鐘、以溫度100℃加熱5分鐘及以溫度100℃加熱7分鐘亦可獲得與以溫度90℃加熱5分鐘相同之結果。
儘管詳細地且參照特定實施方式對本發明進行了說明，但業者顯然可知，在不脫離本發明之精神與範圍之情況下可添加各種變更或修正。
本申請係基於2021年9月24日提出申請之日本專利申請2021-155672者，其內容作為參照引用至本申請中。
10:積層體
12:玻璃基板
12a:玻璃基板之表面
14:密接層
14a:密接層之表面
14b:密接層之側面
15:側面接觸部
15a:側面接觸部之延出部分
15b:側面接觸部之爬升部分
16:樹脂層
16a:樹脂層之表面
16b:樹脂層之側面
17:樹脂層之外緣
Dt:厚度方向

Claims (10)

  1. 一種積層體，其係依序具有玻璃基板、密接層、及樹脂層者；且上述密接層具有如下之側面接觸部，該側面接觸部於自上述玻璃基板之表面之法線方向觀察上述積層體時，位於自上述樹脂層之外緣全周之25~99%之範圍至較上述外緣更靠外側之位置處，並與上述樹脂層之側面之至少一部分接觸。
  2. 如請求項1之積層體，其中上述樹脂層為四邊形狀，且上述側面接觸部設置於上述樹脂層之4個角部中之最多3個角部上。
  3. 如請求項1或2之積層體，其中上述側面接觸部與上述樹脂層之側面之相對於厚度方向之長度為70%以下的區域接觸。
  4. 如請求項1或2之積層體，其中上述側面接觸部係沿著上述樹脂層之上述外緣連續地設置、或沿著上述樹脂層之上述外緣空開間隔地設置。
  5. 一種積層體之製造方法，其包括：步驟1，其將具有樹脂層及密接層之附帶密接層之樹脂層與玻璃基板以上述密接層與上述玻璃基板對向之方式貼合；以及步驟2，其對上述步驟1中所獲得之積層基材以上述密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理，於以上述密接層之軟化點以上之溫度實施上述加熱處理之上述步驟2 中，於自上述玻璃基板之表面之法線方向觀察上述積層基材時，於上述樹脂層之外緣，劃分為加熱至上述密接層之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達上述密接層之軟化點之溫度之區域而實施上述加熱處理，加熱至未達上述密接層之軟化點之溫度之上述區域係上述樹脂層之上述外緣全周之1~75%之範圍。
  6. 如請求項5之積層體之製造方法，其中以上述密接層之軟化點以上之溫度實施上述加熱處理之上述步驟2包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自上述玻璃基板之表面之法線方向觀察上述積層基材時，使上述樹脂層之外緣之至少一部分自加熱板之邊緣突出，將上述積層基材配置於上述加熱板上，於上述配置步驟之後，利用上述加熱板對上述積層基材以上述密接層之上述軟化點以上之溫度實施上述加熱處理。
  7. 如請求項5之積層體之製造方法，其中於以上述密接層之軟化點以上之溫度實施上述加熱處理之上述步驟2中，於自上述玻璃基板之表面之法線方向觀察上述積層基材時，於上述樹脂層之外緣，劃分為加熱至上述密接層之軟化點以上之溫度之區域、與加熱至未達上述密接層之軟化點之溫度之區域，對加熱至上述密接層之軟化點以上之溫度之上述區域施加暖風或照射光而實施上述加熱處理。
  8. 一種積層體之製造方法，其包括：步驟1，其將具有樹脂層及密接層之附帶密接層之樹脂層與玻璃基板 以上述密接層與上述玻璃基板對向之方式貼合；以及步驟2，其對上述步驟1中所獲得之積層基材以上述密接層之軟化點以上之溫度實施加熱處理，以上述密接層之軟化點以上之溫度實施上述加熱處理之上述步驟2包括如下之配置步驟，於該配置步驟中，於自上述玻璃基板之表面之法線方向觀察上述積層基材時，於上述樹脂層之外緣配置隔熱材料或冷卻構件，於上述配置步驟之後，對上述積層基材以上述密接層之上述軟化點以上之溫度實施上述加熱處理，於上述配置步驟中，在上述樹脂層之上述外緣全周之1~75%之範圍內配置上述隔熱材料或冷卻構件。
  9. 如請求項8之積層體之製造方法，其中上述樹脂層為四邊形狀，且於上述配置步驟中，將上述隔熱材料或冷卻構件設置於上述樹脂層之4個角部中之最多3個角部上。
  10. 如請求項8或9之積層體之製造方法，其中於上述配置步驟中，沿著上述樹脂層之上述外緣連續地、或沿著上述樹脂層之上述外緣空開間隔地配置上述隔熱材料或冷卻構件。
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