KR20230043726A

KR20230043726A - 적층체 및 적층체의 제조 방법

Info

Publication number: KR20230043726A
Application number: KR1020220117596A
Authority: KR
Inventors: 고스케 다카다
Original assignee: 에이지씨 가부시키가이샤
Priority date: 2021-09-24
Filing date: 2022-09-19
Publication date: 2023-03-31
Also published as: KR102604584B1; US20230095868A1; JP2023046854A; TW202313303A; CN115570855A; JP7092247B1; TWI831378B; CN115570855B; US11840048B2

Abstract

유리 기판과, 밀착층과, 수지층을 이 순으로 갖는 적층체이며, 밀착층이 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층체를 관찰했을 때에 수지층의 외연의 전체 둘레의 일부로부터, 외연보다 외측에 위치하고, 수지층의 측면의 적어도 일부와 접하고 있는 측면 접촉부를 갖는 적층체이다.

Description

적층체 및 적층체의 제조 방법{LAMINATED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BODY}

본 발명은 적층체 및 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.

태양 전지; 액정 패널(LCD); 유기 EL 표시 장치(OLED); 전자파, X선, 자외선, 가시광선, 적외선 등을 감지하는 수신 센서 패널; 등의 전자 디바이스를 제조할 때에, 폴리이미드 수지층을 기판으로 해서 사용할 수 있다. 폴리이미드 수지층은, 유리 기판 상에 마련된 적층체의 상태에서 사용되고, 적층체가 전자 디바이스의 제조에 제공되고 있다. 전자 디바이스를 형성한 후, 폴리이미드 수지층과 유리 기판이 분리된다.

폴리이미드 수지층과 유리 기판의 분리는, 예를 들어 특허문헌 1에 개시되어 있듯이, 레이저광을 사용해서 분리된다.

일본 특허공개 2017-185807호 공보

상술한 바와 같이, 폴리이미드 수지층과 유리 기판의 분리에는, 레이저광이 사용된다. 그러나, 본 발명자들은, 밀착층 상에 폴리이미드 바니시를 도포하여 폴리이미드 기판을 제작해서, 폴리이미드 기판을, 물리적인 힘에 의해 박리하는 방법을 발견했다.

여기서, 상기 밀착층의 형성 방법으로서는, 보호층이 되는 수지층 상에 밀착층을 형성하고, 그 밀착층을 유리 기판에 접합하여, 밀착층 구비 유리 기판, 즉 적층체를 제조한다. 적층체의 수지층을 박리하여, 밀착층 상에, 예를 들어 폴리이미드 바니시를 도포하고, 폴리이미드 수지층을 형성한다.

폴리이미드 수지층을 형성하기 위해서 사용하는 밀착층 상에, 보호층인 수지층이 적층된 적층체의 취급성에 관해서 문제가 있었다. 폴리이미드 수지층을 형성하기 전에는, 반송 시 등에서 보호층이 박리되기 어렵고, 폴리이미드 수지층을 형성할 때에 보호층을 박리할 때에는, 박리되기 쉬울 것이 요망되고 있다.

본 발명은, 취급 시에 수지층이 박리되기 어렵고, 수지층을 박리하는 처리 시에는 수지층을 박리할 수 있는, 적층체 및 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 이하의 구성에 의해 상술한 목적을 달성 할 수 있는 것을 발견했다.

본 발명의 일 양태는, 유리 기판과, 밀착층과, 수지층을 이 순으로 갖는 적층체이며, 밀착층이, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층체를 관찰했을 때에 수지층의 외연의 전체 둘레의 일부로부터, 외연보다 외측에 위치하고, 수지층의 측면의 적어도 일부와 접하고 있는 측면 접촉부를 갖는 적층체이다.

밀착층이, 수지층의 외연의 전체 둘레의 25 내지 99%의 범위로부터, 외연보다 외측에 위치하는 측면 접촉부를 갖는 것이 바람직하다.

수지층이 사각 형상이며, 측면 접촉부가 수지층의 4개의 모서리부 중, 최대 3개의 모서리부에 마련되어 있는 것이 바람직하다.

측면 접촉부는, 수지층의 측면의 두께 방향의 길이에 대하여 70% 이하의 영역과 접하고 있는 것이 바람직하다.

측면 접촉부는, 수지층의 외연을 따라 연속하거나, 또는 수지층의 외연을 따라 간격을 두고 마련되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 양태는, 수지층과 밀착층을 갖는 밀착층 구비 수지층과 유리 기판을, 밀착층과 유리 기판이 대향하도록, 접합하는 공정 1과, 공정 1에서 얻어진 적층 기재에 대하여, 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2를 갖는 적층체의 제조 방법이다.

밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층의 외연에 있어서, 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 밀착층의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누어서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층의 외연의 적어도 일부를, 가열 플레이트의 테두리로부터 돌출시켜서, 적층 기재를 가열 플레이트 상에 배치하는 배치 공정을 포함하고, 배치 공정 후에, 가열 플레이트에 의해, 적층 기재에 대하여 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층의 외연에 있어서, 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 밀착층의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누고, 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역에, 온풍을 쏘이거나 또는 광을 조사해서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층의 외연에 단열재 또는 냉각 부재를 배치하는 배치 공정을 포함하고, 배치 공정 후에, 적층 기재에 대하여, 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

배치 공정에서는, 수지층의 외연의 전체 둘레의 1 내지 75%의 범위에, 단열재 또는 냉각 부재를 배치하는 것이 바람직하다.

수지층이 사각 형상이며, 배치 공정에서는, 단열재 또는 냉각 부재를 수지층의 4개의 모서리부 중, 최대 3개의 모서리부에 마련하는 것이 바람직하다.

배치 공정에서는, 단열재 또는 냉각 부재를, 수지층의 외연을 따라 연속하거나, 또는 수지층의 외연을 따라 간격을 두고 배치하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 취급 시에 수지층이 박리되기 어렵고, 수지층을 박리하는 처리 시에는 수지층을 박리할 수 있는, 적층체 및 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제1 예를 모식적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제1 예의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제2 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제3 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제4 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제5 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제6 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제7 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제8 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제9 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제10 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제11 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 13은 측면 접촉부의 제거 방법의 제1 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 14는 측면 접촉부의 제거 방법의 제2 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 15는 측면 접촉부의 제거 방법의 제3 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 16은 측면 접촉부의 제거 방법의 제4 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 17은 측면 접촉부의 제거 방법의 제5 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 18은 측면 접촉부의 제거 방법의 제5 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 단, 이하의 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시적인 것이며, 본 발명은 이하에 기재하는 실시 형태에 제한되는 일은 없다. 또한, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.

「내지」를 사용해서 표현되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.

본 발명의 적층체의 특징점으로서는, 유리 기판과, 밀착층과, 수지층을 이 순으로 갖는 적층체에 있어서, 밀착층이, 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 적층체를 관찰했을 때에 수지층의 외연의 전체 둘레의 일부로부터, 외연보다 외측에 위치하고, 수지층의 측면의 적어도 일부와 접하고 있는 측면 접촉부를 갖는 점을 들 수 있다.

상술한 구성의 측면 접촉부가 있는 것에 의해, 수지층과 밀착층의 계면의 밀착력이 약해도, 적층체의 취급 시에 수지층이 박리되기 어렵고, 수지층을 박리하는 처리 시에는 수지층을 박리할 수 있는 것을 지견하고 있다. 이에 의해, 원하는 효과가 얻어진다.

<적층체>

[적층체의 제1 예]

도 1은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제1 예를 모식적으로 도시하는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제1 예의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다.

도 1에 도시한 제1 예의 적층체(10)는, 유리 기판(12)과, 밀착층(14)과, 수지층(16)을 이 순으로 갖는다. 도 2에 도시한 바와 같이, 유리 기판(12)의 표면(12a)에 밀착층(14)이 배치되고, 밀착층(14)의 표면(14a)에 수지층(16)이 배치되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이 유리 기판(12), 밀착층(14) 및 수지층(16)은, 평면에서 볼 때 사각 형상이다. 유리 기판(12)과, 밀착층(14)과, 수지층(16)은, 각각 서로 변을 평행하게 해서 배치되어 있다. 밀착층(14)과 수지층(16)은 대략 동일한 크기이며, 유리 기판(12)은 밀착층(14) 및 수지층(16)보다 크다.

또한, 평면에서 볼 때라는 것은, 수지층(16)의 표면(16a)측으로부터 관찰하는 것이며, 후술하는 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층체(10)를 관찰한 것과 동일한 의미이다.

밀착층(14)이, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층체(10)를 관찰했을 때에 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 일부로부터, 외연(17)보다 외측에 위치하고, 수지층(16)의 측면(16b)(도 2 참조)의 적어도 일부와 접하고 있는 측면 접촉부(15)를 갖는다. 예를 들어, 도 1에 도시한 적층체(10)에서는, 사각형의 수지층(16)의 한 변에 측면 접촉부(15)가 마련되어 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 측면 접촉부(15)는 수지층(16)의 측면(16b)보다 유리 기판(12)의 외연측으로 연장 돌출되어 있다. 측면 접촉부(15)는 유리 기판(12)의 표면(12a) 상에 연장 돌출되어 있는 연장 돌출 부분(15a)과, 수지층(16)의 측면(16b)에 있어서, 수지층(16)의 표면(16a)측으로 기어오르고 있는 기어오름 부분(15b)을 갖는다.

측면 접촉부(15)는, 수지층(16)의 측면(16b)의 두께 방향 Dt의 길이 L에 대하여 70% 이하의 영역과 접하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 적층체(10)의 반송 시 등에서는, 수지층(16)이 박리되기 어렵고, 수지층(16)을 박리할 때에는 보다 박리되기 쉬워진다.

도 2의 예에서는, 기어오르고 있는 기어오름 부분(15b)의 길이를 Lb라 할 때, 길이 Lb가, 수지층(16)의 두께 방향 Dt의 길이 L의 70% 이하인 것이 바람직하다. 측면 접촉부(15)는 존재하고 있으면 되고, 기어오름 부분(15b)의 길이 Lb의 하한값은, 수지층(16)의 두께 방향 Dt의 길이 L의 0% 초과이다.

측면 접촉부(15)는, 수지층(16)의 외연(17)보다 외측에 위치하는 것이며, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 25 내지 99%의 범위에 마련되어 있는 것이 바람직하고, 30 내지 70%의 범위에 마련되어 있는 것이 보다 바람직하다. 도 1의 예에서는, 수지층(16)은 사각형이며, 사각형의 4변의 합계의 길이가, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 길이이다.

측면 접촉부(15)는, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 25 내지 99%의 범위에 마련되어 있으면, 취급 시에 수지층(16)이 박리되기 어렵고, 수지층(16)을 박리할 때에는 수지층(16)을 박리할 수 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 수지층(16)이 사각 형상인 경우, 측면 접촉부(15)가 수지층(16)의 모서리부 중 적어도 하나에는 위치하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 수지층(16)을 박리할 때에, 박리하기 쉽다. 즉, 수지층(16)의 모서리부(16d)에 측면 접촉부(15)를 마련하지 않는 것에 의해, 수지층(16)을 박리할 때에는 박리하기 쉬워진다.

도 2에 도시한 바와 같이, 밀착층(14)의 측면(14b)과, 수지층(16)의 측면(16b)이, 두께 방향 Dt에서 면이 일치한 경우, 수지층(16)은 박리되기 쉽다. 또한, 밀착층(14)의 측면(14b)과, 수지층(16)의 측면(16b)이 두께 방향 Dt에서 면이 일치한 상태는, 측면 접촉부(15)가 없는 상태이며, 수지층(16)의 측면(16b)에 밀착층(14)이 존재하고 있지 않고, 측면 접촉부(15)가 없는 상태이다.

[적층체의 제2 내지 제11 예]

적층체(10)의 구성은, 도 1에 도시한 것에 한정되는 것은 아니다.

여기서, 도 3은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제2 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제3 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 5는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제4 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 6은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제5 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 7은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제6 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 8은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제7 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 9는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제8 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다. 또한, 도 3 내지 도 9에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시한 구성과 동일 구성물에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. 도 3 내지 도 9에 도시한 적층체(10)는, 모두 도 1의 적층체(10)와 마찬가지로 유리 기판(12), 밀착층(14) 및 수지층(16)은 평면에서 볼 때 사각 형상이다.

예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 4변 중 접속된 2변에 연속적으로 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 도 4에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 4변 중 접속된 3변에 걸쳐, 연속적으로 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 3변 중, 2변 사이에 끼인 1변은 측면 접촉부(15)가 전역에 마련되고, 대향하는 2변에는 측면 접촉부(15)가 변 전역에 마련되어 있지 않은 구성이다.

도 5에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 1개의 모서리부(16d) 이외에 연속적으로 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 바꿔 말하면, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 4개의 모서리부(16d, 16e, 16f, 16g) 중, 최대 3개의 모서리부(16e, 16f, 16g)에 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 1개의 모서리부(16d)에 측면 접촉부(15)를 마련하지 않는 것에 의해, 수지층(16)을 박리할 때에, 테이프를 붙이거나 해서 수지층(16)을 박리하기 쉽다.

또한, 측면 접촉부(15)는, 수지층(16)의 외연(17)을 따라 연속적으로 마련하는 것에 한정되는 것이 아니고, 수지층(16)의 외연(17)을 따라 간격(18)을 두고 마련하는 구성이어도 된다. 예를 들어, 도 6에 도시한 바와 같이, 수지층(16)이 연속하는 3변에 있어서, 1변의 전역 및 2개 있는 모서리부(16e, 16f)에 측면 접촉부(15)를 마련하고, 2개의 모서리부(16e, 16f)를 접속하는 변에 있어서, 간격(18)을 두고 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다.

도 7에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 4개의 변 중, 1변의 전역에 측면 접촉부(15)를 마련하고, 나머지 3변에 있어서는 중앙부 부근에 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다.

도 8에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 4개의 변 중, 대향하는 2변에 있어서, 각 변의 전역에 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 이와 같이 측면 접촉부(15)를 이격해서 마련하는 구성이어도 된다.

도 9에 도시한 바와 같이, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 모든 모서리부(16d, 16e, 16f, 16g)에 측면 접촉부(15)를 마련하고, 4개의 변 중, 대향하는 2변에 간격(18)을 두고 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다. 이와 같이 측면 접촉부(15)를, 4개의 모서리부(16d, 16e, 16f, 16g)에 마련하고, 또한 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레에 있어서, 일부 이격해서 마련하는 구성이어도 된다.

적층체(10)는 사각 형상으로 한정되는 것이 아니고, 다른 형상이어도 되고, 예를 들어 원형 형상이어도 된다.

도 10은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제9 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 11은 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제10 예를 모식적으로 도시하는 평면도이고, 도 12는 본 발명의 실시 형태의 적층체의 제11 예를 모식적으로 도시하는 평면도이다. 또한, 도 10 내지 도 12에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시한 구성과 동일 구성물에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 10 내지 도 12에 도시한 적층체(10)는, 모두 유리 기판(12), 밀착층(14) 및 수지층(16)이 평면에서 볼 때 원형 형상이며, 유리 기판(12)이, 밀착층(14) 및 수지층(16)보다 크다.

도 10에 도시한 바와 같이 원형 형상의 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레 중, 일부에 연속적으로 측면 접촉부(15)에 마련하는 구성이어도 된다.

도 11에 도시한 바와 같이 원형 형상의 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레 중, 일부를 제외하고 연속적으로 측면 접촉부(15)에 마련하는 구성이어도 된다.

도 12에 도시한 바와 같이 원형 형상의 수지층(16)의 외연(17)에 있어서, 대향하는 원호부(19)에, 각각 측면 접촉부(15)를 마련하는 구성이어도 된다.

상술한 바와 같이, 적층체(10)에 있어서는, 측면 접촉부(15)는, 수지층(16)의 외연(17)을 따라 연속하거나, 또는 수지층(16)의 외연(17)을 따라 간격(18)을 두고 마련하는 구성으로 할 수 있다.

측면 접촉부(15)를 수지층(16)의 외연(17)을 따라 연속하거나, 또는 간격(18)을 두고 마련한 경우, 유리 기판(12) 또는 수지층(16)의 크기가 유사한 적층체에 대해서, 측면 접촉부(15)의 연속 또는 비연속의 배치 레이아웃에 의해, 적층체의 방향 또는 적층체의 품종을 구별할 수 있다.

또한, 측면 접촉부(15)를 수지층(16)의 외연(17)을 따라 간격(18)을 두고 마련한 경우, 예를 들어 측면 접촉부(15)에 있어서 밀착층(18)이 존재하고 있는 에어리어와 존재하지 않는 에어리어의 경계는 눈으로 보아 알 수 있기 때문에, 이 경계를 얼라인먼트 기준으로 해서 카메라 촬상 등에 의한 얼라인먼트 조정이 가능하다.

이하, 적층체(10)를 구성하는 유리 기판(12), 밀착층(14) 및 수지층(16)에 대해서 상세하게 설명한다.

(유리 기판)

유리 기판(12)은, 밀착층(14)을 지지해서 보강하는 부재이다. 또한, 유리 기판(12)은 반송 기판으로서 기능한다.

유리의 종류로서는, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 기타 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.

유리판으로서, 보다 구체적으로는, 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(AGC 가부시키가이샤제 상품명 「AN100」 및 선팽창 계수 38×10^-7/℃, AGC 가부시키가이샤제 상품명 「AN-Wizus」)을 들 수 있다.

유리판의 제조 방법은, 통상 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형해서 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법을 들 수 있다.

유리 기판(12)은, 플렉시블하지 않은 것이 바람직하다. 그 때문에, 유리 기판(12)의 두께는, 0.3㎜ 이상이 바람직하고, 0.5㎜ 이상이 보다 바람직하다.

한편, 유리 기판(12)의 두께는, 1.0㎜ 이하가 바람직하다.

유리 기판(12)은, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 관찰했을 때의 형상은, 특별히 제한되지 않고, 사각형이거나 원형이어도 되지만, 사각형이 바람직하다.

유리 기판(12)은, 밀착층(14) 및 수지층(16)보다 크고, 유리 기판(12)의 표면(12a)에는 밀착층(14) 및 수지층(16)이 배치되어 있지 않은 주변 영역이 있고, 유리 기판(12)의 주연 영역의 표면(12a)은 노출되어 있다.

주연 영역의 폭은 특별히 제한되지 않지만, 1 내지 30㎜가 바람직하고, 3 내지 10㎜가 보다 바람직하다. 주연 영역의 폭이란, 도 1에 도시한 유리 기판(12)의 외주연으로부터 수지층(16)의 외연(17)까지의 거리에 해당한다.

주연 영역의 폭이 30㎜ 이하이면, 전자 디바이스 등을 형성할 때의 유효 면적이 보다 넓어져서, 전자 디바이스의 제작 효율이 향상된다. 또한, 주연 영역의 폭이 1㎜ 이상인 것에 의해, 밀착층(14) 상에 폴리이미드막을 제작하는 경우에, 폴리이미드막의 박리가 보다 발생하기 어려워진다.

(밀착층)

밀착층(14)은, 그 위에 배치되는 폴리이미드막(도시하지 않음)의 박리를 방지하기 위한 막이다.

밀착층(14)은, 유리 기판(12)에 밀착층(14)과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 유리 기판(12)의 표면(12a) 상에 배치되어 있다. 또한, 밀착층(14)은, 상술한 측면 접촉부(15)를 갖는다.

밀착층(14)은, 유기층이거나, 무기층이어도 된다.

유기층의 재질로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지, 불소 수지를 들 수 있다. 또한, 몇 가지 종류의 수지를 혼합해서 밀착층(14)을 구성할 수도 있다.

무기층의 재질로서는, 예를 들어 산화물, 질화물, 산질화물, 탄화물, 탄질화물, 규화물, 불화물을 들 수 있다. 산화물(바람직하게는, 금속 산화물), 질화물(바람직하게는, 금속 질화물), 산질화물(바람직하게는, 금속 산질화물)로서는, 예를 들어 Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Y, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In 및 Ba에서 선택되는 1종 이상의 원소의 산화물, 질화물, 산질화물을 들 수 있다.

탄화물(바람직하게는, 금속 탄화물), 탄질화물(바람직하게는, 금속 탄질화물)로서는, 예를 들어 Ti, W, Si, Zr 및 Nb에서 선택되는 1종 이상의 원소의 탄화물, 탄질화물, 탄산화물을 들 수 있다.

규화물(바람직하게는, 금속 규화물)로서는, 예를 들어 Mo, W 및 Cr에서 선택되는 1종 이상의 원소의 규화물을 들 수 있다.

불화물(바람직하게는, 금속 불화물)로서는, 예를 들어 Mg, Y, La 및 Ba에서 선택되는 1종 이상의 원소의 불화물을 들 수 있다.

밀착층(14)은, 플라스마 중합막이어도 된다.

밀착층(14)이 플라스마 중합막인 경우, 플라스마 중합막을 형성하는 재료는, CF₄, CHF₃, C₂H₆, C₃H₆, C₂H₂, CH₃F, C₄H₈ 등의 플루오로카본 모노머, 메탄, 에탄, 프로판, 에틸렌, 프로필렌, 아세틸렌, 벤젠, 톨루엔 등의 하이드로카본 모노머, 수소, SF₆ 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 내열성이나 박리성의 점에서, 밀착층(14)의 재질로서, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지가 바람직하고, 실리콘 수지가 보다 바람직하고, 축합 반응형 실리콘으로 형성되는 실리콘 수지가 보다 바람직하다.

이하에서는, 밀착층이 실리콘 수지층인 양태에 대해서 상세하게 설명한다.

실리콘 수지란, 소정의 오르가노실록시 단위를 포함하는 수지이고, 통상 경화성 실리콘을 경화시켜서 얻어진다. 경화성 실리콘은, 그 경화 기구에 의해 부가 반응형 실리콘, 축합 반응형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 그 중에서도, 축합 반응형 실리콘이 바람직하다.

축합 반응형 실리콘으로서는, 모노머인 가수 분해성 오르가노실란 화합물 혹은 그의 혼합물(모노머 혼합물), 또는 모노머 또는 모노머 혼합물을 부분 가수 분해 축합 반응시켜서 얻어지는 부분 가수 분해 축합물(오르가노폴리실록산)을 적합하게 사용할 수 있다.

이 축합 반응형 실리콘을 사용하여, 가수 분해·축합 반응(졸겔 반응)을 진행시킴으로써, 실리콘 수지를 형성할 수 있다.

밀착층(14)은 경화성 실리콘을 포함하는 경화성 조성물을 사용해서 형성되는 것이 바람직하다.

경화성 조성물은 경화성 실리콘 외에, 용매, 백금 촉매(경화성 실리콘으로서 부가 반응형 실리콘을 사용하는 경우), 레벨링제, 금속 화합물 등을 포함하고 있어도 된다. 금속 화합물에 포함되는 금속 원소로서는, 예를 들어 3d 전이 금속, 4d 전이 금속, 란타노이드계 금속, 비스무트(Bi), 알루미늄(Al), 주석(Sn)을 들 수 있다. 금속 화합물의 함유량은, 특별히 제한되지 않고, 적절히 조정된다.

밀착층(14)은 히드록시기를 갖는 것이 바람직하다. 밀착층(14)의 실리콘 수지를 구성하는 Si-O-Si 결합의 일부가 끊겨서, 히드록시기가 나타날 수 있다. 또한, 축합 반응형 실리콘을 사용하는 경우에는, 그 히드록시기가, 밀착층(14)의 히드록시기가 될 수 있다.

밀착층(14)의 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향의 두께는, 50㎛ 이하가 바람직하고, 30㎛ 이하가 보다 바람직하고, 12㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 밀착층(14)의 두께는, 1㎛ 초과가 바람직하고, 이물 매립성이 보다 우수하다는 점에서, 6㎛ 이상이 보다 바람직하다. 상기 두께는, 5점 이상의 임의의 위치에 있어서의 밀착층(14)의 두께를 접촉식 막 두께 측정 장치에서 측정하고, 그들을 산술 평균한 것이다.

또한, 이물 매립성이 우수하다는 것은, 유리 기판(12)과 밀착층(14) 사이에 이물이 있어도, 밀착층(14)에 의해 이물이 매립되는 것을 의미한다. 이물의 매립성이 우수하면, 밀착층에 이물에 의한 볼록부가 발생하기 어렵고, 폴리이미드막 상에 전자 디바이스용 부재를 형성했을 때에, 볼록부에 의한 전자 디바이스용 부재 중에서의 단선 등의 리스크가 억제된다. 또한, 상기 볼록부의 발생 시에 형성되는 공극이 기포로서 관찰되기 때문에, 기포의 발생의 유무에 따라 이물 매립성을 평가할 수 있다.

유리 기판(12) 상에 폴리이미드막을 형성하고, 고온 열처리를 행하면, 폴리이미드막이 황변하기 때문에, 투명한 전자 디바이스에의 적용이 어려워진다. 그런데, 메커니즘은 불분명하지만, 유리 기판(12) 상에 밀착층(14)을 형성하고, 밀착층(14) 상에 폴리이미드막을 형성함으로써, 고온 열처리에 의한 폴리이미드막의 황변을 억제할 수 있다.

(수지층)

적층체(10)는 밀착층(14)을 덮도록 배치된 수지층(16)을 갖는다. 수지층(16)은 보호층으로서 기능하는 것이며, 보호 필름이라고도 불린다.

수지층(16)은 후술하는 폴리이미드 바니시가 밀착층(14) 상에 도포될 때까지, 예를 들어 적층체(10)의 반송 시에 있어서, 밀착층(14)의 표면을 보호한다. 이 때문에, 수지층(16)은 취급 시에 박리되기 어렵고, 수지층을 박리하는 처리 시에는 박리하기 쉬울 필요가 있다.

수지층(16)을 구성하는 재료로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지(예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트), 폴리올레핀 수지(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌), 폴리우레탄 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에스테르 수지가 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 보다 바람직하다.

수지층(16)의 두께는, 외부로부터 받은 힘의 영향을 저감하기 위해서, 20㎛ 이상이 바람직하고, 30㎛ 이상이 보다 바람직하고, 50㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 수지층(16)의 두께의 상한값으로서는, 500㎛ 이하가 바람직하고, 300㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100㎛ 이하가 더욱 바람직하다.

수지층(16)은, 밀착층(14)측의 표면에, 또한 제2 밀착층을 갖고 있어도 된다. 즉, 밀착층(14)과 수지층(16) 사이에, 제2 밀착층을 갖는 구성이어도 된다.

제2 밀착층으로서는, 공지된 점착층을 사용할 수 있다. 점착층을 구성하는 점착제로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제를 들 수 있다.

또한, 제2 밀착층은 수지로 구성되어 있어도 되고, 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합 수지, (메트)아크릴 수지, 부티랄 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리스티렌 엘라스토머를 들 수 있다.

수지층(16)의 표면 조도(Ra)는, 수지층(16)을 박리했을 때의 박리력이 저감되기 때문에, 50㎚ 이하가 바람직하고, 30㎚ 이하가 보다 바람직하고, 15㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, Ra는, 수지층(16)과 밀착층이 밀착한 상태를 유지할 수 있기 때문에, 0.1㎚ 이상이 바람직하고, 0.5㎚ 이상이 보다 바람직하다. 표면 조도(Ra)는, 미쓰비시 케미컬 시스템 가부시키가이샤제의 비접촉 표면·층 단면 형상 계측 시스템 「Vertscan R3300-lite」를 사용하여 측정한다.

<적층체의 제조 방법>

적층체의 제조 방법은, 수지층(16)과 밀착층(14)을 갖는 밀착층 구비 수지층(도시하지 않음)과 유리 기판(12)을, 밀착층(14)과 유리 기판(12)이 대향하도록, 접합하는 공정 1과, 공정 1에서 얻어진 적층 기재에 대하여, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2를 갖는다.

공정 2의 가열 처리를 실시함으로써, 상술한 측면 접촉부(15)를 갖는 밀착층(14)이 형성된다.

밀착층(14)은, 예를 들어 경화성 실리콘을 포함하는 경화성 조성물을 도포하고, 형성되는 도막에 가열 처리를 실시해서 형성된다. 도막의 가열 처리의 가열 온도로서는, 50 내지 200℃가 바람직하고, 가열 시간으로서는 5 내지 20분간이 바람직하다.

상기한 바와 같이 공정 2에 있어서, 적층 기재에 대하여, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시함으로써, 측면 접촉부(15)를 형성할 수 있다. 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도가, 밀착층(14)의 기어오름 개시 온도이다.

밀착층(14)의 연화점이란, 보호 필름에 형성한 밀착층을 깎아 내고, 『JIS(Japanese Industrial Standards) K 5601-2-2_연화점의 측정 방법』으로 실시해서 얻어진 값이다. 밀착층(14)이 실리콘 수지인 경우, 연화점의 온도는 80℃이다.

측면 접촉부(15)의 배치 형태 및 마련하는 범위는, 상술한 바와 같이 다양하다. 예를 들어, 공정 2에 있어서의 가열 처리 시의 가열 범위를 조정함으로써, 측면 접촉부(15)의 배치 형태 및 마련하는 범위를 제어할 수 있다.

이 경우, 예를 들어 상술한 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층(16)의 외연(17)에 있어서, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누어서 가열 처리를 실시한다. 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역은, 연속해서 마련되거나, 간격을 두고 마련되어도 된다. 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역을 바꿈으로써, 상술한 도 1 및 도 3 내지 12에 도시하는 측면 접촉부(15)의 배치 형태로 할 수 있다.

밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역은, 예를 들어 후술하는 바와 같이 단열재 또는 냉각 부재를 배치함으로써 나눌 수 있다.

예를 들어, 가열 플레이트(도시하지 않음)를 사용해서 측면 접촉부(15)를 형성할 수도 있다. 이 경우, 상술한 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층(16)의 외연(17)의 적어도 일부를, 가열 플레이트의 테두리로부터 돌출시켜서, 적층 기재를 가열 플레이트 상에 배치하는 배치 공정을 포함한다. 수지층(16)의 외연(17) 중, 돌출한 영역은, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열되지 않는 영역이 된다.

배치 공정 후에, 가열 플레이트에 의해, 적층 기재에 대하여 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시한다. 이에 의해, 수지층(16)의 외연(17) 중, 가열 플레이트의 테두리로부터 돌출된 영역에는 측면 접촉부(15)가 형성되지 않고, 가열 플레이트 상에 배치되어 있던 수지층(16)의 외연(17)에 측면 접촉부(15)가 형성된다. 가열 플레이트에는, 예를 들어 핫 플레이트가 사용된다.

또한, 상술한 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층(16)의 외연(17)에 있어서, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누고, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역에, 온풍을 쏘이거나 또는 광을 조사해서 가열 처리를 실시할 수도 있다.

상술한 바와 같이 밀착층(14)의 측면 접촉부(15)를 형성하는 영역을 수지층(16)측에서 선택적으로, 온풍을 쏘이거나 또는 광을 조사해서 가열하여, 측면 접촉부(15)를 형성할 수도 있다. 이에 의해, 상술한 도 1 및 도 3 내지 12에 도시하는 측면 접촉부(15)의 배치 형태로 할 수 있다. 온풍에는, 예를 들어 드라이어, 또는 열풍 히터 등의 온풍기가 사용되고, 연화점 이상의 온도의 온풍을 쏘여서 밀착층(14)을 가열한다. 또한, 광의 조사에는 램프 히터, 또는 할로겐 램프가 사용되고, 광에 의해, 밀착층(14)을 연화점 이상의 온도로 가열한다.

또한, 상술한 가열 처리를 실시하는 공정 2는, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 법선 방향으로부터 적층 기재를 관찰했을 때에 수지층(16)의 외연(17)에 단열재(도시하지 않음) 또는 냉각 부재(도시하지 않음)를 배치하는 배치 공정을 포함하고, 배치 공정 후에, 적층 기재에 대하여, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

구체적으로는, 공정 2에 있어서, 수지층(16)의 외연(17)에 있어서 측면 접촉부(15)를 존재시키고 싶지 않은 영역에, 단열재 또는 냉각 부재를 설치한다. 이 상태에서, 상술한 가열 처리를 실시한다. 이에 의해, 수지층(16)의 외연의 외주에 있어서, 단열재 또는 냉각 부재가 배치된 영역에서는 밀착층(14)은 스며나오지 않고, 측면 접촉부(15)가 형성되지 않는다. 단열재 또는 냉각 부재의 배치 패턴을 바꿈으로써, 상술한 도 1 및 도 3 내지 12에 도시하는 측면 접촉부(15)의 배치 형태로 할 수 있다.

단열재는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 실리카 클로스 및 알루미나 파이버를 사용할 수 있다.

단열재는, 밀착층(14)으로의 열의 전도를 억제하여, 밀착층(14)의 측면 접촉부(15)를 형성시키지 않도록 하기 위한 것이다. 이 때문에, 단열재는, 가열원과 밀착층(14) 사이에 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 적층 기재를 유리 기판(12)측으로부터 가열하는 경우에는, 유리 기판(12)의 표면(12a)의 반대의 면측에 있어서, 수지층(16)의 외연(17)에 상당하는 위치에 단열재를 배치한다. 한편, 수지층(16)측으로부터 가열하는 경우에는, 수지층(16)의 표면(16a)측에 있어서, 수지층(16)의 외연(17)에 상당하는 위치에 단열재를 배치한다.

상술한 단열재를 사용한 방법과 마찬가지로, 냉각 부재를 사용한 경우에도, 밀착층(14)으로의 열의 전도를 억제하여, 밀착층(14)의 측면 접촉부(15)를 형성시키지 않도록 할 수 있다.

냉각 부재로서, 예를 들어 펠티에 소자, 수냉식의 냉각 플레이트 및 공냉식의 냉각 플레이트를 사용할 수 있다.

상술한 점에서, 열처리를 실시하는 공정 2는, 적층 기재의 수지층의 외연에 단열재 또는 냉각 부재를 배치하는 배치 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 단열재 또는 냉각 부재의 배치 공정 후에, 적층 기재에 대하여, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 측면 접촉부(15)를, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 25 내지 99%의 범위에 마련하는 경우, 배치 공정에서는, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 1 내지 75%의 범위에, 단열재 또는 냉각 부재를 배치한다. 또한, 예를 들어 상술한 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역은, 수지층(16)의 외연(17)의 전체 둘레의 1 내지 75%의 범위이다.

수지층(16)이 사각 형상인 경우, 측면 접촉부(15)가 수지층(16)의 모서리부 중 적어도 하나에는 위치하지 않도록 하는 경우, 예를 들어 배치 공정에서는, 단열재 또는 냉각 부재를 수지층의 4개의 모서리부 중, 최대 3개의 모서리부에 마련한다.

측면 접촉부(15)를, 수지층(16)의 외연(17)을 따라 연속하거나, 또는 수지층(16)의 외연(17)을 따라 간격을 두고 마련하는 경우, 배치 공정에서는, 단열재 또는 냉각 부재를, 수지층(16)의 외연(17)을 따라 연속하거나, 또는 수지층(16)의 외연(17)을 따라 간격을 두고 배치하는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이 접합하는 공정 1의 후, 공정 1에서 얻어진 적층 기재에 대하여, 밀착층(14)의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2를 갖지만, 공정 2는, 제1 가열 처리와 제2 가열 처리를 갖는다.

제1 가열 처리는, 예를 들어 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도의 조건에서, 오토클레이브를 사용해서 가열 및 가압하는 가열 처리이다. 제1 가열 처리에서는, 유리 기판(12)과 밀착층(14)의 계면의 밀착력이 높아진다. 제2 가열 처리는, 예를 들어 가열 플레이트를 사용하여, 밀착층의 연화점 이상으로 가열하는 가열 처리이다. 제2 가열 처리에 의해, 수지층(16)의 측면(16b)에 밀착층(14)을 기어오르게 해서 측면 접촉부(15)를 형성한다. 상술한 제2 가열 처리의 공정이, 상술한 측면 접촉부(15)를 형성하는 공정이며, 가열 처리를 실시하는 공정 2이다.

또한, 제1 가열 처리 시의 가열 온도로서는, 수지층(16)의 연화점 미만의 온도이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 가열 시간으로서는, 10 내지 60분간이 바람직하고, 20 내지 40분간이 보다 바람직하다.

가압 처리 시의 압력으로서는, 0.5 내지 1.5㎫가 바람직하고, 0.8 내지 1.0㎫가 보다 바람직하다.

또한, 밀착층(14)의 연화점 미만의 온도 조건이면, 가열 처리는, 복수회 행해도 된다. 가열 처리를 복수회 실시하는 경우, 각각의 가열 조건은 변경해도 된다.

또한, 복수회의 가열 처리를 실시하는 경우, 가압 처리의 유무를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 2회의 가열 처리를 실시하는 경우, 1회째의 가열 처리에서는 가압 처리를 맞춰서 실시하고, 2회째의 가열 처리에서는 가압 처리를 실시하지 않는 형태이어도 된다.

또한, 전사 필름을 사용해서 적층체를 제조할 때, 가지지체를 박리한 후, 상기 가열 처리를 실시해도 되고, 가지지체가 밀착층 상에 배치된 상태 그대로 가열 처리를 실시해도 된다. 또한, 복수회의 가열 처리를 실시하는 경우, 각 가열 처리 사이에서 가지지체를 박리해도 된다. 예를 들어, 1회째의 가열 처리를 실시한 후, 가지지체를 박리하고, 2회째의 가열 처리를 실시해도 된다.

적층체에 있어서, 수지층(16)을 박리한 후, 밀착층의 표면에 표면 처리를 실시해도 된다.

표면 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, UV 오존 처리를 들 수 있고, 코로나 처리가 바람직하다.

후술하는 바와 같이 밀착층 상에 폴리이미드막을 형성하는 경우, 밀착층의 표면 조도(Ra)는, 폴리이미드막의 표면 조도가 저감되기 때문에, 50㎚ 이하가 바람직하고, 30㎚ 이하가 보다 바람직하고, 15㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, Ra는, 폴리이미드막과 밀착층이 밀착된 상태를 유지할 수 있기 때문에, 0.1㎚ 이상이 바람직하고, 0.5㎚ 이상이 보다 바람직하다.

<측면 접촉부의 제거 방법>

수지층(16)은, 예를 들어 밀착층(14) 상에 폴리이미드막을 형성할 때에는 박리된다. 수지층(16)을 박리하는 경우, 측면 접촉부(15)를 제거할 필요가 있다. 측면 접촉부(15)의 제거 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도 13 내지 도 18에 도시한 방법이 예시된다.

도 13은 측면 접촉부의 제거 방법의 제1 예를 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 14는 측면 접촉부의 제거 방법의 제2 예를 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 15는 측면 접촉부의 제거 방법의 제3 예를 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 16은 측면 접촉부의 제거 방법의 제4 예를 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 17은 측면 접촉부의 제거 방법의 제5 예를 모식적으로 도시하는 단면도이고, 도 18은 측면 접촉부의 제거 방법의 제5 예를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 도 13 내지 도 18에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시한 구성과 동일 구성물에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.

측면 접촉부(15)의 제거 방법의 제1 예는, 밀착층(14)을 용해하는 용제를 사용하여, 도 13에 도시한 측면 접촉부(15)를 용해해서 제거하는 방법이다. 용해 이외에, 측면 접촉부(15)를 테이프를 사용해서 물리적으로 제거해도 되고, 줄 등을 사용해서 측면 접촉부(15)를 깎아서 제거해도 된다.

도 14에 도시한 측면 접촉부(15)의 제거 방법의 제2 예는, 절단선 CL에서, 수지층(16) 및 밀착층(14)을 절단하여, 측면 접촉부(15)를 제거하는 방법이다. 절단선 CL은 수지층(16)의 측면(16b)보다 내측이다. 절단선 CL에서 절단함으로써, 절단에 의해 형성되는 수지층(16)의 새로운 측면에는 측면 접촉부(15)가 없는 상태가 된다.

도 15에 도시한 측면 접촉부(15)의 제거 방법의 제3 예는, 수지층(16)의 측면(16b)을 따른 절단선 CL에서 측면 접촉부(15)를, 수지층(16)측으로부터 절단해서 제거하는 방법이다.

도 16에 도시한 제4 예는, 미리 밀착층(14)의 측면(14b)보다 수지층(16)을 비어져나오게 해서 접합해 두고, 연화점 이하의 온도에서의 가열 처리 공정에 의해 밀착층(14)이 스며나오게 해서, 밀착층(14)의 측면(14b)을 연장 돌출시켜서 수지층(16)의 비어져나온 부분을 밀착층(14)에서 접합하는 방법이다.

도 17에 도시한 측면 접촉부(15)의 제거 방법의 제5 예는, 수지층(16)의 측면(16b)을 따른 절단선 CL에서 측면 접촉부(15)를, 유리 기판(12)측으로부터 절단해서 제거하는 방법이다. 이 경우, 도 18에 도시한 바와 같이, 절단 후의 유리 기판(12)의 측면(12b), 밀착층(14)의 측면(14b) 및 수지층(16)의 측면(16b)이 일치한 상태가 된다.

상술한 바와 같이 하여, 밀착층(14)의 측면 접촉부(15)를 제거한 후에, 예를 들어 수지층(16)은 테이프를 사용해서 박리된다.

<적층 기판 및 그 제조 방법>

상술한 적층체(10)를 사용하여, 유리 기판(12)과 밀착층(14)과 폴리이미드막(도시하지 않음)을 갖는 적층 기판을 제조할 수 있다.

구체적으로는, 적층 기판의 제조 방법으로서는, 수지층(16)을 박리하고, 유리 기판(12)의 밀착층(14)측에, 폴리이미드 및 용매를 포함하는 폴리이미드 바니시를 도포하고, 주연 영역 상 및 밀착층(14) 상에 폴리이미드막을 형성하여, 유리 기판(12)과, 밀착층(14)과, 폴리이미드막을 이 순으로 갖는 적층 기판을 형성하는 방법을 들 수 있다.

적층 기판에 있어서, 밀착층 상의 폴리이미드막 상에 전자 디바이스를 제작한 후, 폴리이미드막을 물리적인 힘으로 유리 기판으로부터 박리할 수 있다.

이하에서는, 적층 기판의 제조 방법에 대해서 상세하게 설명하고, 그 후, 폴리이미드막의 구성에 대해서 상세하게 설명한다.

(폴리이미드 바니시)

폴리이미드 바니시는, 폴리이미드 또는 그 전구체 및 용매를 포함한다.

폴리이미드는, 통상 테트라카르복실산 이무수물과 디아민을 중축합하고, 이미드화하는 것에 의해 얻어진다. 폴리이미드로서는, 용제 가용성을 갖는 것이 바람직하다.

사용하는 테트라카르복실산 이무수물로서는, 방향족 테트라카르복실산 이무수물, 지방족 테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다. 사용하는 디아민으로서는, 방향족 디아민, 지방족 디아민을 들 수 있다.

방향족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 예를 들어 무수 피로멜리트산 (1,2,4,5-벤젠 테트라카르복실산 이무수물), 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르 테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다.

지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 환식 또는 비환식의 지방족 테트라카르복실산 이무수물이 있고, 환식 지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있고, 비환식 지방족 테트라카르복실산 이무수물로서는, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-펜탄테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있다.

방향족 디아민으로서는, 예를 들어 4,4'-옥시디아미노벤젠 (4,4'-디아미노디페닐에테르), 1,3-비스-(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스-(3-아미노페녹시)비페닐, 1,4-디아미노벤젠, 1,3-디아미노벤젠을 들 수 있다.

지방족 디아민으로서는, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 폴리에틸렌글리콜비스(3-아미노프로필)에테르, 폴리프로필렌글리콜비스(3-아미노프로필)에테르 등의 비환식 지방족 디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 이소포론디아민, 노르보르난디아민 등의 환식 지방족 디아민을 들 수 있다.

폴리이미드의 전구체란, 이미드화하기 전의 상태인 폴리아미드산(소위, 폴리아믹산 및/또는 폴리아믹산 에스테르)을 의미한다.

용매는, 폴리이미드 또는 그 전구체를 용해하는 용매이면 되고, 예를 들어 페놀계 용매(예를 들어, m-크레졸), 아미드계 용매(예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드), 락톤계 용매(예를 들어, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤, ε-카프로락톤, γ-크로토노락톤, γ-헥사노락톤, α-메틸-γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤, δ-헥사노락톤), 술폭시드계 용매(예를 들어, N,N-디메틸술폭시드), 케톤계 용매(예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논), 에스테르계 용매(예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 탄산디메틸)를 들 수 있다.

(수순)

적층체(10)의 밀착층(14)측에 폴리이미드 바니시를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법을 들 수 있다.

도포 후, 필요에 따라, 가열 처리를 실시해도 된다.

가열 처리의 조건으로서, 온도 조건은, 50 내지 500℃가 바람직하고, 50 내지 450℃가 보다 바람직하다. 가열 시간은, 10 내지 300분간이 바람직하고, 20 내지 200분간이 보다 바람직하다.

또한, 가열 처리는, 복수회 행해도 된다. 가열 처리를 복수회 실시하는 경우, 각각의 가열 조건은 변경해도 된다.

폴리이미드막의 두께는, 1㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 유연성의 점에서는, 1㎜ 이하가 바람직하고, 0.2㎜ 이하가 보다 바람직하다.

폴리이미드막 상에 전자 디바이스의 고정밀한 배선 등을 형성하기 위해서, 폴리이미드막의 표면은 평활한 것이 바람직하다. 구체적으로는, 폴리이미드막의 표면 조도 Ra는, 50㎚ 이하가 바람직하고, 30㎚ 이하가 보다 바람직하고, 10㎚ 이하가 더욱 바람직하다.

폴리이미드막의 열팽창 계수는, 유리 기판(12)과의 열팽창 계수차가 작은 쪽이 가열 후 또는 냉각 후의 적층 기판의 휨을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 구체적으로는, 폴리이미드막과 유리 기판(12)과의 열팽창 계수의 차는, 0 내지 90×10^-6/℃가 바람직하고, 0 내지 30×10^-6/℃가 보다 바람직하다.

폴리이미드막의 면적은, 특별히 제한되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성의 점에서, 300㎠ 이상이 바람직하다.

폴리이미드막은, 유색이거나, 무색 투명이어도 된다.

적층 기판은, 다양한 용도로 사용할 수 있고, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼, 수신 센서 패널 등의 전자 부품을 제조하는 용도를 들 수 있다. 이들 용도에서는, 적층체가 대기 분위기 하에서, 고온 조건(예를 들어, 450℃ 이상)으로 노출되는(예를 들어, 20분 이상) 경우도 있다.

표시 장치용 패널은, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라스마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, 마이크로 LED 디스플레이 패널, MEMS 셔터 패널 등을 포함한다.

수신 센서 패널은, 전자파 수신 센서 패널, X선 수광 센서 패널, 자외선 수광 센서 패널, 가시광선 수광 센서 패널, 적외선 수광 센서 패널 등을 포함한다. 수신 센서 패널에 사용하는 기판은, 수지 등의 보강 시트 등에 의해 보강되어 있어도 된다.

실시예

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해 제한되는 것은 아니다.

이하에서는, 유리 기판에, 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(선팽창 계수 38×10^-7/℃, AGC 가부시키가이샤제 상품명 「AN-Wizus」)을 사용했다.

이하, 예 2 내지 예 7, 예 9, 예 10, 예 12 내지 예 14, 예 16, 17, 예 19 내지 21, 예 23, 예 24는 실시예이며, 예 1, 예 8, 예 11, 예 15, 예 18, 예 22, 예 25는 비교예이다.

<예 1, 예 11>

(경화성 실리콘의 조제)

1L의 플라스크에, 트리에톡시메틸실란(179g), 톨루엔(300g), 아세트산(5g)을 첨가하고, 혼합물을 25℃에서 20분간 교반 후, 추가로 60℃로 가열해서 12시간 반응시켰다. 얻어진 반응 조액을 25℃로 냉각 후, 물(300g)을 사용하여, 반응 조액을 3회 세정했다. 세정된 반응 조액에 클로로트리 메틸실란(70g)을 첨가하여, 혼합물을 25℃에서 20분간 교반 후, 추가로 50℃로 가열해서 12시간 반응시켰다. 얻어진 반응 조액을 25℃로 냉각 후, 물(300g)을 사용하여, 반응 조액을 3회 세정했다. 세정된 반응 조액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하고, 슬러리 상태로 한 후, 진공 건조기에서 철야 건조함으로써, 백색의 오르가노폴리실록산 화합물인 경화성 실리콘 1을 얻었다. 경화성 실리콘 1은, T 단위의 개수:M 단위의 개수=87:13(몰비)이었다. 경화성 실리콘 1은, M 단위, T 단위의 몰비가 13:87, 유기기는 모두 메틸기, 평균 OX기수가 0.02였다. 평균 OX기수는, Si 원자 1개에 평균해서 몇개의 OX기(X는 수소 원자 또는 탄화수소기)가 결합하고 있는지를 나타낸 수치이다.

(경화성 조성물의 조제)

경화성 실리콘(20g)과, 금속 화합물로서 옥틸산 지르코늄 화합물(「오르가틱스 ZC-200」, 마쯔모토 파인케미컬 가부시키가이샤제)(0.16g)과, 2-에틸헥산산세륨(III)(Alfa Aesar사 제조, 금속 함유율 12%)(0.17g), 용매로서 Isoper G(도넨 제너럴 세키유 가부시키가이샤제)(19.7g)를 혼합하고, 얻어진 혼합액을, 구멍 직경 0.45㎛의 필터를 사용해서 여과함으로써, 경화성 조성물 1을 얻었다.

(유리판과 실리콘 수지층으로 이루어지는 적층체의 제작)

이형 필름으로서 PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 에스테르(등록상표) 필름 HPE, 두께 25㎛와 50㎛)을 준비하고, 이 필름 표면 상에 조제한 경화성 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트를 사용해서 140℃에서 10분간 가열함으로써, 실리콘 수지층(밀착층)을 형성했다. 도포한 실리콘 수지층 상에 보호 필름(수지층)으로서, PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 에스테르(등록상표) 필름 HPE, 두께 50㎛)을 접합하고, 이형 필름의 PET 필름측으로부터 커터를 삽입하여, 사이즈 912×722㎜로 절단했다.

또한, 원형 형상의 필름은 이형 필름의 PET 필름측으로부터 컴퍼스 커터(올파 가부시키가이샤제, 컴퍼스 커터 57B)를 삽입하여, 직경 196㎜로 절단했다.

계속해서, 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션제 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정한 920×730㎜, 두께 0.5㎜의 유리판 「AN-Wizus」(지지 기재)를 준비했다. 그 후, 이형 필름의 PET 필름과, 실리콘 수지층과, 보호 필름의 PET 필름의 순으로 적층된 필름(사이즈: 912×722㎜)으로부터 보호 필름의 PET 필름을 박리하고, 이형 필름의 PET 필름과 실리콘 수지층의 필름의 실리콘 수지층측을 유리판에 접합하고, 유리판, 실리콘 수지층 및 이형 필름의 PET 필름(수지층)이 이 순으로 배치된 직사각형 형상의 적층 기재를 제작했다.

또한, 원형 형상의 적층체는 수계 유리 세정제(가부시키가이샤 파카 코포레이션제 「PK-LCG213」)로 세정 후, 순수로 세정한 직경 200㎜, 두께 0.5㎜의 유리판 「AN-Wizus」를 준비했다. 그 후, 이형 필름의 PET 필름과, 실리콘 수지층과, 보호 필름의 PET 필름의 순으로 적층된 필름(사이즈: 직경 196㎜)으로부터 보호 필름의 PET 필름을 박리하고, 이형 필름의 PET 필름과 실리콘 수지층의 필름의 실리콘 수지층측을 유리판에 접합하고, 유리판, 실리콘 수지층 및 이형 필름의 PET 필름이 이 순으로 배치된 원형 형상의 적층 기재를 제작했다.

이어서, 얻어진 직사각형 형상의 적층 기재, 및 원형 형상의 적층 기재를, 각각 오토클레이브 내에 배치하여, 60℃, 1㎫의 조건에서 30분간 가열했다. 이 가열 처리 공정에 의해, 직사각형 형상의 적층체 및 원형 형상의 적층체를 얻었다.

(적층체의 단면 SEM 관찰 1)

유리판, 실리콘 수지층 및 PET 필름이 이 순으로 배치된 적층 기재를 소편으로 절단하고, 적층 기재의 절단면을 FE-SEM(전계 방출형 주사 전자 현미경, 니혼 덴시(JEOL) 가부시키가이샤제 JSM-7800F Prime)으로 관찰하고, PET 필름의 측면의 두께 방향의 실리콘 수지층의 측면 접촉폭을 측장했다.

<예 2 내지 예 10, 예 12 내지 예 15>

예 1과 마찬가지로 직사각형 형상의 적층체를 제작한 후, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치에는 핫 플레이트(가열 플레이트) 상에 유리판, 실리콘 수지층 및 PET 필름으로 이루어지는 적층체를 직접 설치하고, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶지 않은 위치에는 핫 플레이트와 적층체 사이에 단열재(PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)시트, 두께 1㎜)를 설치하고, 적층체를 핫 플레이트 상에서 90℃, 5분간 가열했다. 핫 플레이트 가열 중의 단열재 상의 적층체 표면 온도는 30 내지 80℃로 단열재가 없는 적층체 표면 온도보다 낮게 되어 있었다. 핫 플레이트를 사용한 가열 후의 적층체는 보관 용기인 카세트에 손으로 수납했다.

예 2 내지 예 10 및 예 12 내지 예 15에서는, 측면 접촉부의 배치 형태, 측면 접촉부의 배치 범위, 및 측면 접촉부를 배치하는 모서리부의 수를, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같이 조정했다.

<예 16 내지 예 18>

예 1과 마찬가지로 직사각형 형상의 적층체를 제작한 후, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치에는 핫 플레이트(가열 플레이트) 상에 유리판, 실리콘 수지층 및 PET 필름으로 이루어지는 적층체를 직접 설치하고, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶지 않은 위치에는 냉각재로서, 펠티에 소자를 설치하여, 적층체를 핫 플레이트 상에서 90℃, 5분간 가열했다. 핫 플레이트 가열 중의 냉각재 상의 적층체 표면 온도는 20 내지 50℃로 냉각재가 없는 적층체 표면 온도보다 낮게 되어 있었다. 냉각재를 사용한 가열 후의 적층체는 보관 용기인 카세트에 손으로 수납했다.

예 16 내지 예 18에서는, 측면 접촉부의 배치 형태, 측면 접촉부의 배치 범위 및 측면 접촉부를 배치하는 모서리부의 수를, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같이 조정했다.

<예 19 내지 예 22>

예 1과 마찬가지로 직사각형 형상의 적층체를 제작한 후, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치에 적층체의 유리판측으로부터, 온풍기를 사용하여, 온풍을 쏘이고, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶지 않은 위치에는 온풍을 쏘이지 않도록 설치하여, 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치의 적층체 표면 온도가 90℃가 되도록 온풍기와 적층체의 위치를 유지한 채, 5분간 가열했다. 온풍을 쏘이지 않은 적층체 표면 온도는 30 내지 80℃로 온풍을 쏘이고 있는 적층체 표면 온도보다 낮게 되어 있었다. 온풍 가열 후 적층체는 보관 용기인 카세트에 손으로 수납했다.

예 19 내지 예 22에서는, 측면 접촉부의 배치 형태, 측면 접촉부의 배치 범위, 및 측면 접촉부를 배치하는 모서리부의 수를, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같이 조정했다.

또한, 온풍기에는, 열풍 히터를 사용했다.

<예 23 내지 예 25>

예 1과 마찬가지로 직사각형 형상의 적층체를 제작한 후, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치에 적층체의 유리판측으로부터 적외선 히터를 대고, PET 필름의 측면에 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶지 않은 위치에는 적외선 히터를 대지 않도록 설치하고, 실리콘 수지층의 측면 접촉부를 존재시키고 싶은 위치의 적층체 표면 온도가 90℃가 되도록, 적외선 히터와 적층체의 위치를 유지한 채, 5분간 가열했다. 적외선 히터를 대지 않은 적층체 표면 온도는 30 내지 80℃로 적외선 히터를 대고 있는 적층체 표면 온도보다 낮게 되어 있었다. 온풍 가열 후 적층체는 보관 용기인 카세트에 손으로 수납했다.

예 23 내지 예 25에서는, 측면 접촉부의 배치 형태, 측면 접촉부의 배치 범위, 및 측면 접촉부를 배치하는 모서리부의 수를, 후술하는 표 1에 나타내는 바와 같이 조정했다.

또한, 적외선 히터에는, 할로겐 램프를 사용했다.

<예 6, 예 9, 예 13>

(적층체의 단면 SEM 관찰 2)

유리판, 실리콘 수지층, 및 PET 필름이 이 순으로 배치된 적층 기재를, 핫 플레이트에서 90℃, 5분간 가열한 범위를 소편으로 절단하고, 적층 기재의 절단면을 FE-SEM(JEOL제 JSM-7800F Prime)으로 관찰하고, PET 필름의 측면의 두께 방향의 실리콘 수지층의 측면 접촉폭을 측장했다.

예 1 내지 10 및 예 16 내지 25의 PET 필름(수지층)은, 짧은 변과 긴 변을 포함하는 4개의 변을 갖는 직사각형 형상이며, 사이즈는 912×722㎜이다.

예 1은 측면 접촉부가 없는 구성이다.

예 2, 3, 9, 16, 19, 23은, 측면 접촉부가 도 3에 도시한 바와 같이 2변에 있는 구성이다. 도 3은 2변의 전역에 측면 접촉부(15)를 마련하고 있지만, 예 2, 3, 9, 16, 19, 23은, 1개의 모서리로부터 연장되는 측면 접촉부(15)의 길이를 표 1에 나타내는 비율이 되도록 조정했다.

예 4는 측면 접촉부가 도 4에 도시한 구성이다. 예 5는 측면 접촉부가 도 6에 도시한 구성이다. 예 6, 10, 17, 20, 24는 측면 접촉부가 도 5에 도시한 구성이다. 예 7은 측면 접촉부가 도 9에 도시한 구성이다. 예 8, 18, 22, 25는 4개의 변 모든 범위에 측면 접촉부가 마련된 구성이다.

예 11 내지 15의 PET 필름(수지층)은, 원형 형상이며, 직경이 196㎜이다.

예 11은, 측면 접촉부가 없는 구성이다.

예 12 내지 14는, 전체 둘레 중, 특정한 범위에 연속해서 측면 접촉부가 마련된 구성이다. 예 12, 13은, 측면 접촉부가 도 10에 도시한 구성이다. 예 14는, 측면 접촉부가 도 11에 도시한 구성이다. 예 15는, PET 필름(수지층)의 외연의 전체 둘레에 측면 접촉부가 마련된 구성이다.

표 1 중, 「수지층의 두께(㎛)」란은, PET 필름의 두께를 나타낸다.

표 1 중, 「가열 공정의 유무」란은, 실리콘 수지층의 연화점 온도 이상의 가열 처리의 유무를 나타낸다.

표 1 중, 「측면 접촉부의 배치 형태」란은, PET 필름의 외연의 전체 둘레에 대하여 측면 접촉부가 어떻게 배치되어 있는지를 나타낸다. 연속이란, 도중에 끊기지 않고 측면 접촉부가 연속해서 배치되어 있는 상태를 나타낸다. 간격있음이란, 측면 접촉부가 PET 필름의 외연에 대하여, 적어도 일부가 도중에 끊어져서 배치되어 있는 상태를 나타낸다.

표 1 중, 「측면 접촉부의 배치 범위(㎜)」 및 「측면 접촉부의 배치 범위의 비율(%)」란은, PET 필름의 외연에 마련된 측면 접촉부의 길이의 합계와, PET 필름의 외연의 전체 둘레에 대한 측면 접촉부가 마련된 길이의 비율을 나타낸다.

표 1 중, 「측면 접촉부가 배치된 모서리부의 수」란은, PET 필름의 모서리부에 배치되어 있는 측면 접촉부의 수를 나타낸다.

표 1 중, 「수지층의 두께 방향의 길이에 대한 측면 접촉부의 길이(㎜)」 및 「측면 접촉부의 배치 범위의 비율(%)」란은, PET 필름의 두께 방향의 길이에 대한 측면 접촉부의 기어오름의 길이의 비율을 나타낸다.

<디라미네이션 평가>

유리판, 실리콘 수지층(밀착층) 및 PET 필름(수지층)으로 이루어지는 적층체를 10매 준비하고, 매엽 세정기에 적층체를, 유리 기판의 반송 방향에 직교하는 수선을 기준으로 하여, 30도의 각도로 에어 나이프가 배치되도록, 1매씩 손으로 투입하여, 롤 브러시(롤 브러시 선단이 PET 필름 표면에 접촉하는 압입량)로 적층체의 표면을 세정하고, 에어 나이프(압축 에어 공급 압력 0.15㎫)로 건조시키고, 카세트에 수납했다. 카세트로부터 손으로 적층체의 유리 기판의 에지를 잡고 취출하여, PET 필름의 외주부를 눈으로 확인하고, 실리콘 수지층과 PET 필름의 계면의 디라미네이션의 유무를, 이하의 기준에 따라 평가했다.

A: 10매 모두 디라미네이션이 시인되지 않는다.

B: 10매 중, 1장이라도 디라미네이션이 시인된다.

C: 10매 모두 디라미네이션이 시인된다.

<적층체의 PET 필름의 박리 평가>

유리판, 실리콘 수지층(밀착층) 및 PET 필름(수지층)으로 이루어지는 적층체를 10매 준비하고, 1매씩 테이블 위에 놓고, 적층체가 직사각형 형상인 경우에는 PET 필름의 모서리에, 적층체가 원형 형상인 경우에는 PET 필름의 외주부에 테이프(3M사 제조, 멘딩 테이프 810-1-18D)를 첩부하고, 필 각도 180도로 PET 필름을 인장하면서 테이프 박리했다. 이때, 실리콘 수지층과 PET 필름의 계면에서 박리 가능에 대해서, 이하의 기준에 따라 평가했다.

A: 10매 모두 박리를 할 수 있다.

B: 10매 중, 1장이라도 박리를 할 수 없다.

C: 10매 모두 박리를 할 수 없다.

<종합 평가>

디라미네이션 평가 및 박리 평가 중, 나쁜 평가를 종합 평가로 하였다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 적층체는, 원하는 효과를 나타냈다.

디라미네이션 평가에서는, 예 1 및 예 11과 예 2 내지 10 및 예 12 내지 25와의 비교로부터, PET 필름(수지층)의 외연의 전체 둘레의 일부로부터, PET 필름의 측면부에 실리콘 수지(측면 접촉부)가 존재하고 있으면, 핸들링이나 매엽 세정으로 디라미네이션이 일어나기 어려운 것을 알 수 있다.

또한, 예 2, 예 9, 예 12, 예 16, 예 19 및 예 23과 예 3 내지 8, 예 10, 예 13 내지 15, 예 17 내지 18, 예 20 내지 22 및 예 24 내지 25와의 비교에 의해, PET 필름의 외연의 전체 둘레의 25% 이상의 범위에서, PET 필름의 측면부에 실리콘 수지(측면 접촉부)가 존재하고 있으면, 핸들링이나 매엽 세정으로 디라미네이션이,보다 일어나기 어려운 것을 알 수 있다.

PET 필름의 박리 평가에서는, 예 1 내지 예 7, 예 9 내지 예 14, 예 16 내지 17, 예 19 내지 21, 예 23 내지 24와, 예 8, 예 15, 예 18, 예 22 및 예 25와의 비교로부터, PET 필름(수지층)의 외연의 전체 둘레의 모든 범위에, PET 필름의 측면부에 실리콘 수지(측면 접촉부)가 존재하고 있으면, PET 필름(수지층)과 실리콘 수지층(밀착층)이 박리할 수 없는 것을 알 수 있다.

또한, 예 1 내지 6 및 예 19 내지 20과 예 7 및 예 21과의 비교에 의해, PET 필름(수지층)의 모서리부의 적어도 하나에, PET 필름의 측면부에 실리콘 수지(측면 접촉부)가 존재하지 않으면, PET 필름(수지층)이 보다 박리하기 쉬운 것을 알 수 있다.

또한, 예 6 및 예 13과 예 9와의 비교에 의해, PET 필름의 측면부에, PET 필름의 두께 방향의 70% 이하의 영역에서 실리콘 수지(측면 접촉부)가 존재하고 있는 경우에는 PET 필름(수지층)이 보다 박리하기 쉬운 것을 알 수 있다.

예 2 내지 예 10 및 예 12 내지 예 15에서는, 적층체를 핫 플레이트(가열 플레이트) 상에서 온도 90℃, 5분간 가열했지만, 온도 100℃, 5분간, 온도 110℃, 5분간 및 온도 120℃, 5분간이라도 온도 90℃, 5분간과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인했다.

예 16 내지 예 18에서는, 적층체를 핫 플레이트(가열 플레이트) 상에서 온도 90℃, 5분간 가열했지만, 온도 100℃, 5분간, 온도 110℃, 5분간 및 온도 120℃, 5분간이라도 온도 90℃, 5분간과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인했다.

예 19 내지 예 22에서는, 적층체 표면 온도가 온도 90℃가 되도록 온풍기와 적층체의 위치를 유지한 채, 5분간 가열했지만, 온도 90℃, 7분간, 온도 100℃, 5분간 및 온도 100℃, 7분간이라도, 온도 90℃, 5분간과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인했다.

예 23 내지 예 25에서는, 적층체 표면 온도가 온도 90℃가 되도록, 적외선 히터와 적층체의 위치를 유지한 채, 5분간 가열했지만, 온도 90℃, 7분간, 온도 100℃, 5분간 및 온도 100℃, 7분간이라도, 온도 90℃, 5분간과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인했다.

본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러가지 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은, 당업자에게 있어서 명백하다.

본 출원은, 2021년 9월 24일 출원의 일본 특허출원 2021-155672에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.

10: 적층체
12: 유리 기판
12a: 표면
12b: 측면
14: 밀착층
14a: 표면
14b: 측면
15: 측면 접촉부
15a: 연장 돌출 부분
15b: 기어오름 부분
16: 수지층
16a: 표면
16b: 측면
16d, 16e, 16f, 16g: 모서리부
17: 외연
19: 원호부
CL: 절단선
Dt: 두께 방향

Claims

유리 기판과, 밀착층과, 수지층을 이 순으로 갖는 적층체이며,
상기 밀착층이, 상기 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 상기 적층체를 관찰했을 때에 상기 수지층의 외연의 전체 둘레의 일부로부터, 상기 외연보다 외측에 위치하고, 상기 수지층의 측면의 적어도 일부와 접하고 있는 측면 접촉부를 갖는, 적층체.
제1항에 있어서,
상기 밀착층이, 상기 수지층의 상기 외연의 전체 둘레의 25 내지 99%의 범위로부터, 상기 외연보다 외측에 위치하는 상기 측면 접촉부를 갖는, 적층체.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 수지층이 사각 형상이며, 상기 측면 접촉부가 상기 수지층의 4개의 모서리부 중, 최대 3개의 모서리부에 마련되어 있는, 적층체.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측면 접촉부는, 상기 수지층의 측면의 두께 방향의 길이에 대하여 70% 이하의 영역과 접하고 있는, 적층체.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측면 접촉부는, 상기 수지층의 상기 외연을 따라 연속하거나, 또는 상기 수지층의 상기 외연을 따라 간격을 두고 마련되어 있는, 적층체.
수지층과 밀착층을 갖는 밀착층 구비 수지층과 유리 기판을, 상기 밀착층과 상기 유리 기판이 대향하도록, 접합하는 공정 1과,
상기 공정 1에서 얻어진 적층 기재에 대하여, 상기 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 가열 처리를 실시하는 공정 2를 갖는, 적층체의 제조 방법.
제6항에 있어서,
상기 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는 상기 공정 2는, 상기 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 상기 적층 기재를 관찰했을 때에 상기 수지층의 외연에 있어서, 상기 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 상기 밀착층의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누어서 상기 가열 처리를 실시하는, 적층체의 제조 방법.
제7항에 있어서,
상기 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는 상기 공정 2는, 상기 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 상기 적층 기재를 관찰했을 때에 상기 수지층의 외연의 적어도 일부를, 가열 플레이트의 테두리로부터 돌출시키고, 상기 적층 기재를 상기 가열 플레이트 상에 배치하는 배치 공정을 포함하고,
상기 배치 공정 후에, 상기 가열 플레이트에 의해, 상기 적층 기재에 대하여 상기 밀착층의 상기 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는, 적층체의 제조 방법.
제7항에 있어서,
상기 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는 상기 공정 2는, 상기 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 상기 적층 기재를 관찰했을 때에 상기 수지층의 외연에 있어서, 상기 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 영역과, 상기 밀착층의 연화점 미만의 온도로 가열하는 영역으로 나누고, 상기 밀착층의 연화점 이상의 온도로 가열하는 상기 영역에, 온풍을 쏘이거나 또는 광을 조사해서 상기 가열 처리를 실시하는, 적층체의 제조 방법.
제6항에 있어서,
상기 밀착층의 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는 상기 공정 2는, 상기 유리 기판의 표면의 법선 방향으로부터 상기 적층 기재를 관찰했을 때에 상기 수지층의 외연에 단열재 또는 냉각 부재를 배치하는 배치 공정을 포함하고,
상기 배치 공정 후에, 상기 적층 기재에 대하여, 상기 밀착층의 상기 연화점 이상의 온도에서 상기 가열 처리를 실시하는, 적층체의 제조 방법.
제10항에 있어서,
상기 배치 공정에서는, 상기 수지층의 상기 외연의 전체 둘레의 1 내지 75%의 범위에, 상기 단열재 또는 냉각 부재를 배치하는, 적층체의 제조 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 수지층이 사각 형상이며, 상기 배치 공정에서는, 상기 단열재 또는 냉각 부재를 상기 수지층의 4개의 모서리부 중, 최대 3개의 모서리부에 마련하는, 적층체의 제조 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배치 공정에서는, 상기 단열재 또는 냉각 부재를, 상기 수지층의 상기 외연을 따라 연속하거나, 또는 상기 수지층의 상기 외연을 따라 간격을 두고 배치하는, 적층체의 제조 방법.