JP7092247B1 - 積層体、及び積層体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】取り扱い時に樹脂層が剥がれにくく、樹脂層を剥離する処理の際には樹脂層を剥離できる、積層体、及び積層体の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板と、密着層と、樹脂層とをこの順に有する積層体であって、密着層が、ガラス基板の表面の法線方向から積層体を観察した際に樹脂層の外縁の全周の一部から、外縁よりも外側に位置し、樹脂層の側面の少なくとも一部と接している側面接触部を有する、積層体である。【選択図】図２

Description

本発明は、積層体、及び積層体の製造方法に関する。

太陽電池；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線等を感知する受信センサーパネル；等の電子デバイスを製造する際に、ポリイミド樹脂層が基板として用いられる。ポリイミド樹脂層は、ガラス基板上に設けられた積層体の状態で用いられ、積層体が電子デバイスの製造に提供されている。電子デバイスを形成した後、ポリイミド樹脂層とガラス基板とが分離される。
ポリイミド樹脂層とガラス基板との分離は、例えば、特許文献１に示されているように、レーザー光を用いて分離される。

特開２０１７－１８５８０７号公報

上述のように、ポリイミド樹脂層とガラス基板との分離には、レーザー光が用いられる。しかしながら、本発明者等は、密着層上にポリイミドワニスを塗布してポリイミド基板を作製して、ポリイミド基板を、物理的な力により剥離する方法を見出した。
ここで、上記密着層の形成方法としては、保護層となる樹脂層上に密着層を形成して、その密着層をガラス基板に貼合して、密着層付きガラス基板、すなわち、積層体を製造する。積層体の樹脂層を剥がして、密着層上に、例えば、ポリイミドワニスを塗布し、ポリイミド樹脂層を形成する。
ポリイミド樹脂層を形成するために使用する密着層上に、保護層である樹脂層が積層された積層体の取り扱い性に関して問題があった。ポリイミド樹脂層を形成する前では、搬送時等で保護層が剥がれにくく、ポリイミド樹脂層を形成する際に保護層を剥がす際には、剥がれやすいことが望まれている。
本発明は、取り扱い時に樹脂層が剥がれにくく、樹脂層を剥離する処理の際には樹脂層を剥離できる、積層体、及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の目的を達成できることを見出した。
本発明の一態様は、ガラス基板と、密着層と、樹脂層とをこの順に有する積層体であって、密着層が、ガラス基板の表面の法線方向から積層体を観察した際に樹脂層の外縁の全周の一部から、外縁よりも外側に位置し、樹脂層の側面の少なくとも一部と接している側面接触部を有する、積層体である。
密着層が、樹脂層の外縁の全周の２５～９９％の範囲から、外縁よりも外側に位置する側面接触部を有することが好ましい。
樹脂層が四角形状であり、側面接触部が樹脂層の４つの角部のうち、最大で３つの角部に設けられていることが好ましい。
側面接触部は、樹脂層の側面の厚み方向の長さに対して７０％以下の領域と接していることが好ましい。
側面接触部は、樹脂層の外縁に沿って連続して、又は樹脂層の外縁に沿って間隔をあけて設けられていることが好ましい。

本発明の一態様は、樹脂層と密着層とを有する密着層付き樹脂層とガラス基板とを、密着層とガラス基板とが対向するように、貼合する工程１と、工程１で得られた積層基材に対して、密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２とを有する、積層体の製造方法である。
密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２は、ガラス基板の表面の法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層の外縁において、密着層の軟化点以上の温度に加熱する領域と、密着層の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分けて加熱処理を施すことが好ましい。
密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２は、ガラス基板の表面の法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層の外縁の少なくとも一部を、加熱プレートの縁から突出させて、積層基材を加熱プレート上に配置する配置工程を含み、配置工程の後に、加熱プレートにより、積層基材に対して密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施すことが好ましい。
密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２は、ガラス基板の表面の法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層の外縁において、密着層の軟化点以上の温度に加熱する領域と、密着層の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分け、密着層の軟化点以上の温度に加熱する領域に、温風を当てるか又は光を照射して加熱処理を施すことが好ましい。

密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２は、ガラス基板の表面の法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層の外縁に断熱材又は冷却部材を配置する配置工程を含み、配置工程の後に、積層基材に対して、密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施すことが好ましい。
配置工程では、樹脂層の外縁の全周の１～７５％の範囲に、断熱材又は冷却部材を配置することが好ましい。
樹脂層が四角形状であり、配置工程では、断熱材又は冷却部材を樹脂層の４つの角部のうち、最大で３つの角部に設けることが好ましい。
配置工程では、断熱材又は冷却部材を、樹脂層の外縁に沿って連続して、又は樹脂層の外縁に沿って間隔をあけて配置することが好ましい。

本発明によれば、取り扱い時に樹脂層が剥がれにくく、樹脂層を剥離する処理の際には樹脂層を剥離できる、積層体、及び積層体の製造方法を提供できる。

図１は本発明の実施形態の積層体の第１の例を模式的に示す斜視図である。 図２は本発明の実施形態の積層体の第１の例の一部を模式的に示す断面図である。 図３は本発明の実施形態の積層体の第２の例を模式的に示す平面図である。 図４は本発明の実施形態の積層体の第３の例を模式的に示す平面図である。 図５は本発明の実施形態の積層体の第４の例を模式的に示す平面図である。 図６は本発明の実施形態の積層体の第５の例を模式的に示す平面図である。 図７は本発明の実施形態の積層体の第６の例を模式的に示す平面図である。 図８は本発明の実施形態の積層体の第７の例を模式的に示す平面図である。 図９は本発明の実施形態の積層体の第８の例を模式的に示す平面図である。 図１０は本発明の実施形態の積層体の第９の例を模式的に示す平面図である。 図１１は本発明の実施形態の積層体の第１０の例を模式的に示す平面図である。 図１２は本発明の実施形態の積層体の第１１の例を模式的に示す平面図である。 図１３は側面接触部の除去方法の第１の例を模式的に示す断面図である。 図１４は側面接触部の除去方法の第２の例を模式的に示す断面図である。 図１５は側面接触部の除去方法の第３の例を模式的に示す断面図である。 図１６は側面接触部の除去方法の第４の例を模式的に示す断面図である。 図１７は側面接触部の除去方法の第５の例を模式的に示す断面図である。 図１８は側面接触部の除去方法の第５の例を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、本発明は以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本発明の積層体の特徴点としては、ガラス基板と、密着層と、樹脂層とをこの順に有する積層体において、密着層が、ガラス基板の表面の法線方向から積層体を観察した際に樹脂層の外縁の全周の一部から、外縁よりも外側に位置し、樹脂層の側面の少なくとも一部と接している側面接触部を有する点が挙げられる。
上述の構成の側面接触部があることにより、樹脂層と密着層との界面の密着力が弱くても、積層体の取り扱い時に樹脂層が剥がれにくく、樹脂層を剥離する処理の際には樹脂層を剥離できることを知見している。これにより、所望の効果が得られる。

＜積層体＞
［積層体の第１の例］
図１は本発明の実施形態の積層体の第１の例を模式的に示す斜視図であり、図２は本発明の実施形態の積層体の第１の例の一部を模式的に示す断面図である。
図１に示す第１の例の積層体１０は、ガラス基板１２と、密着層１４と、樹脂層１６とをこの順に有する。図２に示すように、ガラス基板１２の表面１２ａに密着層１４が配置され、密着層１４の表面１４ａに樹脂層１６が配置されている。図１に示すようにガラス基板１２、密着層１４及び樹脂層１６は、平面視四角形状である。ガラス基板１２と、密着層１４と、樹脂層１６とは、それぞれ、互いに辺を平行にして配置されている。密着層１４と樹脂層１６とは略同じ大きさであり、ガラス基板１２は、密着層１４及び樹脂層１６よりも大きい。
なお、平面視は、樹脂層１６の表面１６ａ側から観察することであり、後述のガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層体１０を観察したことと同じ意味である。

密着層１４が、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層体１０を観察した際に樹脂層１６の外縁１７の全周の一部から、外縁１７よりも外側に位置し、樹脂層１６の側面１６ｂ（図２参照）の少なくとも一部と接している側面接触部１５を有する。例えば、図１に示す積層体１０では、四角形の樹脂層１６の一辺に側面接触部１５が設けられている。
図２に示すように、側面接触部１５は、樹脂層１６の側面１６ｂよりもガラス基板１２の外縁側に延出している。側面接触部１５は、ガラス基板１２の表面１２ａ上に延出している延出部分１５ａと、樹脂層１６の側面１６ｂにおいて、樹脂層１６の表面１６ａ側に這い上がっている這い上がり部分１５ｂとを有する。
側面接触部１５は、樹脂層１６の側面１６ｂの厚み方向Ｄｔの長さＬに対して７０％以下の領域と接していることが好ましい。これにより、積層体１０の搬送時等では、樹脂層１６が剥がれにくく、樹脂層１６を剥がすときにはより剥がれやすくなる。
図２の例では、這い上がっている這い上がり部分１５ｂの長さをＬｂとするとき、長さＬｂが、樹脂層１６の厚み方向Ｄｔの長さＬの７０％以下であることが好ましい。側面接触部１５は存在していればよく、這い上がり部分１５ｂの長さＬｂの下限値は、樹脂層１６の厚み方向Ｄｔの長さＬの０％超である。

側面接触部１５は、樹脂層１６の外縁１７よりも外側に位置するものであり、樹脂層１６の外縁１７の全周の２５～９９％の範囲に設けられていることが好ましく、３０～７０％の範囲に設けられていることがより好ましい。図１の例では、樹脂層１６は四角形であり、四角形の４辺の合計の長さが、樹脂層１６の外縁１７の全周の長さである。
側面接触部１５は、樹脂層１６の外縁１７の全周の２５～９９％の範囲に設けられていれば、取り扱い時に樹脂層１６が剥がれにくく、樹脂層１６を剥離する際には樹脂層１６を剥離できる。
図１に示すように、樹脂層１６が四角形状である場合、側面接触部１５が樹脂層１６の角部１６ｄの少なくとも１つには位置しないことが好ましい。これにより、樹脂層１６を剥がす際に、剥がしやすい。すなわち、樹脂層１６の角部１６ｄに側面接触部１５を設けないことにより、樹脂層１６を剥がす際には剥がしやすくなる。
図２に示すように、密着層１４の側面１４ｂと、樹脂層１６の側面１６ｂとが、厚み方向Ｄｔで面一である場合、樹脂層１６は剥がれやすい。なお、密着層１４の側面１４ｂと、樹脂層１６の側面１６ｂとが厚み方向Ｄｔで面一である状態は、側面接触部１５がない状態であり、樹脂層１６の側面１６ｂに密着層１４が存在しておらず、側面接触部１５がない状態である。

［積層体の第２～第１１の例］
積層体１０の構成は、図１に示すものに限定されるものではない。
ここで、図３は本発明の実施形態の積層体の第２の例を模式的に示す平面図であり、図４は本発明の実施形態の積層体の第３の例を模式的に示す平面図であり、図５は本発明の実施形態の積層体の第４の例を模式的に示す平面図であり、図６は本発明の実施形態の積層体の第５の例を模式的に示す平面図であり、図７は本発明の実施形態の積層体の第６の例を模式的に示す平面図であり、図８は本発明の実施形態の積層体の第７の例を模式的に示す平面図であり、図９は本発明の実施形態の積層体の第８の例を模式的に示す平面図である。なお、図３～図９において、図１及び図２に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。図３～図９に示す積層体１０は、いずれも図１の積層体１０と同様にガラス基板１２、密着層１４及び樹脂層１６は平面視四角形状である。

例えば、図３に示すように、樹脂層１６の外縁１７の全周において、４辺のうち接続された２辺に連続的に側面接触部１５を設ける構成でもよい。図４に示すように、樹脂層１６の外縁１７の全周において、４辺のうち接続された３辺にわたり、連続的に側面接触部１５を設ける構成でもよい。３辺のうち、２辺に挟まれた１辺は側面接触部１５が全域に設けられ、対向する２辺には側面接触部１５が辺全域に設けられていない構成である。
図５に示すように、樹脂層１６の外縁１７の全周において、１つの角部１６ｄ以外に連続的に側面接触部１５を設ける構成でもよい。言い換えれば、樹脂層１６の外縁１７の全周において、４つの角部１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ、１６ｇのうち、最大で３つの角部１６ｅ、１６ｆ、１６ｇに側面接触部１５を設ける構成でもよい。１つの角部１６ｄに側面接触部１５を設けないことにより、樹脂層１６を剥がす際に、テープを貼る等して樹脂層１６を剥がしやすい。

また、側面接触部１５は、樹脂層１６の外縁１７に沿って連続的に設けることに限定されるものではなく、樹脂層１６の外縁１７に沿って間隔１８をあけて設ける構成でもよい。例えば、図６に示すように、樹脂層１６の連続する３辺において、１辺の全域、及び２つある角部１６ｅ、１６ｆに側面接触部１５を設け、２つの角部１６ｅ、１６ｆを接続する辺において、間隔１８をあけて側面接触部１５を設ける構成でもよい。
図７に示すように、樹脂層１６の４つの辺のうち、１辺の全域に側面接触部１５を設け、残りの３辺においては中央部付近に側面接触部１５を設ける構成でもよい。
図８に示すように、樹脂層１６の４つの辺のうち、対向する２辺において、各辺の全域に側面接触部１５を設ける構成でもよい。このように側面接触部１５を離間して設ける構成でもよい。
図９に示すように、樹脂層１６の外縁１７の全周において、全ての角部１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ、１６ｇに側面接触部１５を設け、４つの辺のうち、対向する２辺に間隔１８をあけて側面接触部１５を設ける構成でもよい。このように側面接触部１５を、４つの角部１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ、１６ｇに設け、かつ樹脂層１６の外縁１７の全周において、一部離間して設ける構成でもよい。

積層体１０は、四角形状に限定されるものではなく、他の形状でもよく、例えば、円形形状でもよい。
図１０は本発明の実施形態の積層体の第９の例を模式的に示す平面図であり、図１１は本発明の実施形態の積層体の第１０の例を模式的に示す平面図であり、図１２は本発明の実施形態の積層体の第１１の例を模式的に示す平面図である。なお、図１０～図１２において、図１及び図２に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図１０～図１２に示す積層体１０は、いずれもガラス基板１２、密着層１４及び樹脂層１６が平面視円形形状であり、ガラス基板１２が、密着層１４及び樹脂層１６よりも大きい。

図１０に示すように円形形状の樹脂層１６の外縁１７の全周のうち、一部に連続的に側面接触部１５に設ける構成でもよい。
図１１に示すように円形形状の樹脂層１６の外縁１７の全周のうち、一部を除いて連続的に側面接触部１５に設ける構成でもよい。
図１２に示すように円形形状の樹脂層１６の外縁１７において、対向する円弧部１９に、それぞれ側面接触部１５を設ける構成でもよい。
上述のように、積層体１０においては、側面接触部１５は、樹脂層１６の外縁１７に沿って連続して、又は樹脂層１６の外縁１７に沿って間隔１８をあけて設ける構成とすることができる。
側面接触部１５を樹脂層１６の外縁１７に沿って連続して、又は間隔１８をあけて設けた場合、ガラス基板１２又は樹脂層１６の大きさが類似の積層体について、側面接触部１５の連続又は非連続の配置レイアウトにより、積層体の方向又は積層体の品種を区別できる。
また、側面接触部１５を樹脂層１６の外縁１７に沿って間隔１８をあけて設けた場合、例えば、側面接触部１５において密着層１８が存在しているエリアと存在していないエリアの境界は目で見てわかるため、この境界をアライメント基準にしてカメラ撮像等によるアライメント調整ができる。

以下、積層体１０を構成するガラス基板１２、密着層１４及び樹脂層１６について詳述する。

（ガラス基板）
ガラス基板１２は、密着層１４を支持して補強する部材である。また、ガラス基板１２は搬送基板として機能する。
ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」、及び線膨張係数３８×１０^-７／℃、ＡＧＣ株式会社製 商品名「ＡＮ-Ｗｉｚｕｓ」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法は、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法が挙げられる。
ガラス基板１２は、フレキシブルでないことが好ましい。そのため、ガラス基板１２の厚みは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、ガラス基板１２の厚みは、１．０ｍｍ以下が好ましい。

ガラス基板１２は、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から観察した際の形状は、特に制限されず、四角形でも円形でもよいが、四角形が好ましい。

ガラス基板１２は、密着層１４及び樹脂層１６よりも大きく、ガラス基板１２の表面１２ａには密着層１４及び樹脂層１６が配置されていない周辺領域があり、ガラス基板１２の周縁領域の表面１２ａは露出している。
周縁領域の幅は特に制限されないが、１～３０ｍｍが好ましく、３～１０ｍｍがより好ましい。周縁領域の幅とは、図１に示すガラス基板１２の外周縁から樹脂層１６の外縁１７までの距離に該当する。
周縁領域の幅が３０ｍｍ以下であれば、電子デバイス等を形成する際の有効面積がより広くなり、電子デバイスの作製効率が向上する。また、周縁領域の幅が１ｍｍ以上であることにより、密着層１４上にポリイミド膜を作製する場合に、ポリイミド膜の剥離がより生じにくくなる。

（密着層）
密着層１４は、その上に配置されるポリイミド膜（図示せず）の剥離を防止するための膜である。
密着層１４は、ガラス基板１２に密着層１４と接触しない周縁領域が残るように、ガラス基板１２の表面１２ａ上に配置されている。また、密着層１４は、上述の側面接触部１５を有する。

密着層１４は、有機層であっても、無機層であってもよい。
有機層の材質としては、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。また、いくつかの種類の樹脂を混合して密着層１４を構成することもできる。
無機層の材質としては、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物、弗化物が挙げられる。酸化物（好ましくは、金属酸化物）、窒化物（好ましくは、金属窒化物）、酸窒化物（好ましくは、金属酸窒化物）としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＢａから選ばれる１種以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。
炭化物（好ましくは、金属炭化物）、炭窒化物（好ましくは、金属炭窒化物）としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、及び、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物、炭酸化物が挙げられる。
珪化物（好ましくは、金属珪化物）としては、例えば、Ｍｏ、Ｗ、及び、Ｃｒから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物（好ましくは、金属弗化物）としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、及び、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。

密着層１４は、プラズマ重合膜であってもよい。
密着層１４がプラズマ重合膜である場合、プラズマ重合膜を形成する材料は、ＣＦ₄、ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₃Ｆ、Ｃ₄Ｈ₈等のフルオロカーボンモノマー、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン等のハイドロカーボンモノマー、水素、ＳＦ₆等が挙げられる。

なかでも、耐熱性や剥離性の点から、密着層１４の材質として、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましく、シリコーン樹脂がより好ましく、縮合反応型シリコーンより形成されるシリコーン樹脂がより好ましい。
以下では、密着層がシリコーン樹脂層である態様について詳述する。

シリコーン樹脂とは、所定のオルガノシロキシ単位を含む樹脂であり、通常、硬化性シリコーンを硬化させて得られる。硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加反応型シリコーン、縮合反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーン及び電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用できる。なかでも、縮合反応型シリコーンが好ましい。
縮合反応型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物若しくはその混合物（モノマー混合物）、又は、モノマー又はモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に用いることができる。
この縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成することができる。

密着層１４は、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を用いて形成されることが好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンのほかに、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素としては、例えば、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）が挙げられる。金属化合物の含有量は、特に制限されず、適宜調整される。

密着層１４は、ヒドロキシ基を有することが好ましい。密着層１４のシリコーン樹脂を構成するＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合の一部が切れて、ヒドロキシ基が現れ得る。また、縮合反応型シリコーンを用いる場合には、そのヒドロキシ基が、密着層１４のヒドロキシ基になり得る。

密着層１４のガラス基板１２の表面１２ａの法線方向の厚みは、５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましく、１２μｍ以下がさらに好ましい。一方、密着層１４の厚みは、１μｍ超が好ましく、異物埋め込み性がより優れる点で、６μｍ以上がより好ましい。上記厚みは、５点以上の任意の位置における密着層１４の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
なお、異物埋め込み性に優れるとは、ガラス基板１２と密着層１４との間に異物があっても、密着層１４によって異物が埋め込まれことを意味する。異物の埋め込み性が優れると、密着層に異物による凸部が生じにくく、ポリイミド膜上に電子デバイス用部材を形成した際に、凸部による電子デバイス用部材中での断線等のリスクが抑制される。なお、上記凸部の発生の際に形成される空隙が気泡として観察されるため、気泡の発生の有無により異物埋め込み性を評価できる。

ガラス基板１２上にポリイミド膜を形成し、高温熱処理を行うと、ポリイミド膜が黄変するため、透明な電子デバイスへの適用が難しくなる。ところが、メカニズムは不明だが、ガラス基板１２上に密着層１４を形成し、密着層１４上にポリイミド膜を形成することで、高温熱処理によるポリイミド膜の黄変を抑制することができる。

（樹脂層）
積層体１０は、密着層１４を覆うように配置された樹脂層１６を有する。樹脂層１６は保護層として機能するものであり、保護フィルムとも呼ばれる。
樹脂層１６は後述するポリイミドワニスが密着層１４上に塗布されるまで、例えば、積層体１０の搬送時において、密着層１４の表面を保護する。このため、樹脂層１６は、取り扱い時に剥がれにくく、樹脂層を剥離する処理の際には剥離しやすい必要がある。

樹脂層１６を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリウレタン樹脂が挙げられる。なかでも、ポリエステル樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートがより好ましい。

樹脂層１６の厚みは、外部から受けた力の影響を低減するために、２０μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。樹脂層１６の厚みの上限値としては、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。

樹脂層１６は、密着層１４側の表面に、さらに第２密着層を有していてもよい。すなわち、密着層１４と樹脂層１６との間に、第２密着層を有する構成でもよい。
第２密着層としては、公知の粘着層を用いることができる。粘着層を構成する粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤が挙げられる。
また、第２密着層は樹脂で構成されていてもよく、樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレンエラストマーが挙げられる。
樹脂層１６の表面粗さ（Ｒａ）は、樹脂層１６を剥離した際の剥離力が低減するため、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましい。また、Ｒａは、樹脂層１６と密着層が密着した状態を維持できるため、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．５ｎｍ以上がより好ましい。表面粗さ（Ｒａ）は、三菱ケミカルシステム株式会社製の非接触表面・層断面形状計測システム「Ｖｅｒｔｓｃａｎ Ｒ３３００－lite」を用いて測定する。

＜積層体の製造方法＞
積層体の製造方法は、樹脂層１６と密着層１４とを有する密着層付き樹脂層（図示せず）とガラス基板１２とを、密着層１４とガラス基板１２とが対向するように、貼合する工程１と、工程１で得られた積層基材に対して、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２とを有する。
工程２の加熱処理を施すことにより、上述の側面接触部１５を有する密着層１４が形成される。
密着層１４は、例えば、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、形成される塗膜に加熱処理を施して形成される。塗膜の加熱処理の加熱温度としては、５０～２００℃が好ましく、加熱時間としては５～２０分間が好ましい。

上記のように、工程２において、積層基材に対して、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施すことにより、側面接触部１５を形成できる。密着層１４の軟化点以上の温度が、密着層１４の這い上がり開始温度である。
密着層１４の軟化点とは、保護フィルムに形成した密着層を削り出し、『ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｋ ５６０１－２－２＿軟化点の測定方法』で実施して得られた値である。密着層１４がシリコーン樹脂である場合、軟化点の温度は８０℃である。
側面接触部１５の配置形態及び設ける範囲は、上述のように様々である。例えば、工程２における加熱処理の際の加熱範囲を調整することにより、側面接触部１５の配置形態及び設ける範囲を制御できる。
この場合、例えば、上述の加熱処理を施す工程２は、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層１６の外縁１７において、密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域と、密着層１４の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分けて加熱処理を施す。密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域は、連続して設けられても、間隔をあけて設けられてもよい。密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域を変えることにより、上述の図１及び図３～１２に示す側面接触部１５の配置形態にできる。
密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域と、密着層１４の軟化点未満の温度に加熱する領域とは、例えば、後述のように断熱材又は冷却部材を配置することにより分けることができる。

例えば、加熱プレート（図示せず）を用いて側面接触部１５を形成することもできる。この場合、上述の加熱処理を施す工程２は、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層１６の外縁１７の少なくとも一部を、加熱プレートの縁から突出させて、積層基材を加熱プレート上に配置する配置工程を含む。樹脂層１６の外縁１７のうち、突出した領域は、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱されない領域となる。
配置工程の後に、加熱プレートにより、積層基材に対して密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施す。これにより、樹脂層１６の外縁１７のうち、加熱プレートの縁から突出した領域には側面接触部１５が形成されず、加熱プレート上に配置されていた樹脂層１６の外縁１７に側面接触部１５が形成される。加熱プレートには、例えば、ホットプレートが用いられる。
また、上述の加熱処理を施す工程２は、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層１６の外縁１７において、密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域と、密着層１４の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分け、密着層１４の軟化点以上の温度に加熱する領域に、温風を当てるか又は光を照射して加熱処理を施すこともできる。
上述のように密着層１４の側面接触部１５を形成する領域を樹脂層１６側から選択的に、温風を当てるか又は光を照射して加熱して、側面接触部１５を形成することもできる。これにより、上述の図１及び図３～１２に示す側面接触部１５の配置形態にできる。温風には、例えば、ドライヤー、又は熱風ヒータ等の温風機が用いられ、軟化点以上の温度の温風を当てて密着層１４を加熱する。また、光の照射にはランプヒーター、又はハロゲンランプが用いられ、光により、密着層１４を軟化点以上の温度に加熱する。

また、上述の加熱処理を施す工程２は、ガラス基板１２の表面１２ａの法線方向から積層基材を観察した際に樹脂層１６の外縁１７に断熱材（図示せず）又は冷却部材（図示せず）を配置する配置工程を含み、配置工程の後に、積層基材に対して、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施すことが好ましい。
具体的には、工程２において、樹脂層１６の外縁１７において側面接触部１５を存在させたくない領域に、断熱材又は冷却部材を設置する。この状態で、上述の加熱処理を実施する。これにより、樹脂層１６の外縁の外周において、断熱材又は冷却部材が配置された領域では密着層１４は染み出すことなく、側面接触部１５が形成されない。断熱材又は冷却部材の配置パターンを変えることにより、上述の図１及び図３～１２に示す側面接触部１５の配置形態にできる。

断熱材は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、シリカクロス、及びアルミナファイバーを用いることができる。
断熱材は、密着層１４への熱の伝導を抑制して、密着層１４の側面接触部１５を形成させないようにするためのものである。このため、断熱材は、加熱源と密着層１４との間に配置することが好ましい。例えば、積層基材をガラス基板１２側から加熱する場合には、ガラス基板１２の表面１２ａの反対の面側において、樹脂層１６の外縁１７に相当する位置に断熱材を配置する。一方、樹脂層１６側から加熱する場合には、樹脂層１６の表面１６ａ側において、樹脂層１６の外縁１７に相当する位置に断熱材を配置する。
上述の断熱材を用いた方法と同様に、冷却部材を用いた場合でも、密着層１４への熱の伝導を抑制して、密着層１４の側面接触部１５を形成させないようにすることができる。
冷却部材として、例えば、ペルチェ素子、水冷式の冷却プレート、及び空冷式の冷却プレートを用いることができる。

上述のことから、熱処理を施す工程２は、積層基材の樹脂層の外縁に断熱材又は冷却部材を配置する配置工程を含むことが好ましい。断熱材又は冷却部材の配置工程の後に、積層基材に対して、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施すことが好ましい。
例えば、側面接触部１５を、樹脂層１６の外縁１７の全周の２５～９９％の範囲に設ける場合、配置工程では、樹脂層１６の外縁１７の全周の１～７５％の範囲に、断熱材又は冷却部材を配置する。また、例えば、上述の密着層１４の軟化点未満の温度に加熱する領域は、樹脂層１６の外縁１７の全周の１～７５％の範囲である。
樹脂層１６が四角形状である場合、側面接触部１５が樹脂層１６の角部１６ｄの少なくとも１つには位置しないようにする場合、例えば、配置工程では、断熱材又は冷却部材を樹脂層の４つの角部のうち、最大で３つの角部に設ける。
側面接触部１５を、樹脂層１６の外縁１７に沿って連続して、又は樹脂層１６の外縁１７に沿って間隔をあけて設ける場合、配置工程では、断熱材又は冷却部材を、樹脂層１６の外縁１７に沿って連続して、又は樹脂層１６の外縁１７に沿って間隔をあけて配置することが好ましい。

上述のように貼合する工程１の後、工程１で得られた積層基材に対して、密着層１４の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２とを有するが、工程２は、第１の加熱処理と第２の加熱処理とを有する。
第１の加熱処理は、例えば、密着層１４の軟化点未満の温度の条件で、オートクレーブを用いて加熱及び加圧する加熱処理である。第１の加熱処理では、ガラス基板１２と密着層１４との界面の密着力が高められる。第２の加熱処理は、例えば、加熱プレートを用いて、密着層の軟化点以上で加熱する加熱処理である。第２の加熱処理により、樹脂層１６の側面１６ｂに密着層１４を這い上がらせて側面接触部１５を形成する。上述の第２の加熱処理の工程が、上述の側面接触部１５を形成する工程であり、加熱処理を施す工程２である。
なお、第１の加熱処理の際の加熱温度としては、樹脂層１６の軟化点未満の温度であれば、特に限定されるものではない。加熱時間としては、１０～６０分間が好ましく、２０～４０分間がより好ましい。
加圧処理の際の圧力としては、０．５～１．５ＭＰａが好ましく、０．８～１．０ＭＰａがより好ましい。

また、密着層１４の軟化点以下の温度条件であれば、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。
また、複数回の加熱処理を実施する場合、加圧処理の有無を変えてもよい。例えば、２回の加熱処理を実施する場合、１回目の加熱処理では加圧処理を合わせて実施し、２回目の加熱処理では加圧処理を実施しない形であってもよい。
なお、転写フィルムを用いて積層体を製造する際、仮支持体を剥離した後、上記加熱処理を実施してもよいし、仮支持体が密着層上に配置された状態のまま加熱処理を実施してもよい。また、複数回の加熱処理を実施する場合、各加熱処理の間で仮支持体を剥離してもよい。例えば、１回目の加熱処理を実施した後、仮支持体を剥離して、２回目の加熱処理を実施してもよい。

積層体において、樹脂層１６を剥離した後、密着層の表面に表面処理を施してもよい。
表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理が挙げられ、コロナ処理が好ましい。
後述するように密着層の上にポリイミド膜を形成する場合、密着層の表面粗さ（Ｒａ）は、ポリイミド膜の表面粗さが低減されるため、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましい。また、Ｒａは、ポリイミド膜と密着層が密着した状態を維持できるため、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．５ｎｍ以上がより好ましい。

＜側面接触部の除去方法＞
樹脂層１６は、例えば、密着層１４上にポリイミド膜を形成する際には剥がされる。樹脂層１６を剥がす場合、側面接触部１５を取り除く必要がある。側面接触部１５の除去方法は、特に限定されるものではないが、図１３～図１８に示す方法が例示される。
図１３は側面接触部の除去方法の第１の例を模式的に示す断面図であり、図１４は側面接触部の除去方法の第２の例を模式的に示す断面図であり、図１５は側面接触部の除去方法の第３の例を模式的に示す断面図であり、図１６は側面接触部の除去方法の第４の例を模式的に示す断面図であり、図１７は側面接触部の除去方法の第５の例を模式的に示す断面図であり、図１８は側面接触部の除去方法の第５の例を模式的に示す断面図である。なお、図１３～図１８において、図１及び図２に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。

側面接触部１５の除去方法の第１の例は、密着層１４を溶解する溶剤を用いて、図１３に示す側面接触部１５を溶解して除去する方法である。溶解以外に、側面接触部１５をテープを用いて物理的に除去してもよく、ヤスリ等を用いて側面接触部１５を削って除去してもよい。
図１４に示す側面接触部１５の除去方法の第２の例は、切断線ＣＬで、樹脂層１６及び密着層１４を切断して、側面接触部１５を除去する方法である。切断線ＣＬは、樹脂層１６の側面１６ｂよりも内側である。切断線ＣＬで切断することにより、切断により形成される樹脂層１６の新たな側面には側面接触部１５がない状態となる。
図１５に示す側面接触部１５の除去方法の第３の例は、樹脂層１６の側面１６ｂに沿った切断線ＣＬで側面接触部１５を、樹脂層１６側から切断して除去する方法である。
図１６に示す側面接触部１５の除去方法の第４の例は、予め密着層１４の側面１４ｂよりも樹脂層１６をはみ出して貼合しておき、軟化点以下の温度での加熱処理工程による密着層１４の染み出しで、密着層１４の側面１４ｂを延出させて樹脂層１６のはみ出した部分を密着層１４で接合する方法である。
図１７に示す側面接触部１５の除去方法の第５の例は、樹脂層１６の側面１６ｂに沿った切断線ＣＬで側面接触部１５を、ガラス基板１２側から切断して除去する方法である。この場合、図１８に示すように、切断後のガラス基板１２の側面１２ｂ、密着層１４の側面１４ｂ及び樹脂層１６の側面１６ｂが一致した状態となる。
上述のようにして、密着層１４の側面接触部１５を取り除いた後に、例えば、樹脂層１６はテープを用いて剥がされる。

＜積層基板及びその製造方法＞
上述した積層体１０を用いて、ガラス基板１２と密着層１４とポリイミド膜（図示せず）とを有する積層基板を製造することができる。
具体的には、積層基板の製造方法としては、樹脂層１６を剥がし、ガラス基板１２の密着層１４側に、ポリイミド及び溶媒を含むポリイミドワニスを塗布して、周縁領域上及び密着層１４上にポリイミド膜を形成して、ガラス基板１２と、密着層１４と、ポリイミド膜とをこの順に有する積層基板を形成する方法が挙げられる。
積層基板において、密着層上のポリイミド膜上に、電子デバイスを作製した後、ポリイミド膜を物理的な力でガラス基板から剥離することができる。
以下では、積層基板の製造方法について詳述し、その後、ポリイミド膜の構成について詳述する。

（ポリイミドワニス）
ポリイミドワニスは、ポリイミド又はその前駆体及び溶媒を含む。
ポリイミドは、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重縮合し、イミド化することにより得られる。ポリイミドとしては、溶剤可溶性を有することが好ましい。
用いるテトラカルボン酸二無水物としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。用いるジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンが挙げられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸（１，２，４，５－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物）、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、環式又は非環式の脂肪族テトラカルボン酸二無水物があり、環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられ、非環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－ペンタンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’－オキシジアミノベンゼン（４，４’－ジアミノジフェニルエーテル）、１，３－ビス－（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス－（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４－ジアミノベンゼン、１，３－ジアミノベンゼンが挙げられる。
脂肪族ジアミンとしては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル等の非環式脂肪族ジアミン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジアミン等の環式脂肪族ジアミンが挙げられる。

ポリイミドの前駆体とは、イミド化する前の状態であるポリアミド酸（いわゆる、ポリアミック酸及び／又はポリアミック酸エステル）を意味する。

溶媒は、ポリイミド又はその前駆体を溶解する溶媒であればよく、例えば、フェノール系溶媒（例えば、ｍ－クレゾール）、アミド系溶媒（例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド）、ラクトン系溶媒（例えば、γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－クロトノラクトン、γ－ヘキサノラクトン、α－メチル－γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、δ－ヘキサノラクトン）、スルホキシド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルスルホキシド）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸ジメチル）が挙げられる。

（手順）
積層体１０の密着層１４側にポリイミドワニスを塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法が挙げられる。

塗布後、必要に応じて、加熱処理を実施してもよい。
加熱処理の条件として、温度条件は、５０～５００℃が好ましく、５０～４５０℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分間が好ましく、２０～２００分間がより好ましい。
また、加熱処理は、複数回行ってもよい。加熱処理を複数回実施する場合、それぞれの加熱条件は変更してもよい。

ポリイミド膜の厚みは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。柔軟性の点からは、１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド膜上に電子デバイスの高精細な配線等を形成するために、ポリイミド膜の表面は平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド膜の表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
ポリイミド膜の熱膨張係数は、ガラス基板１２との熱膨張係数差が小さい方が加熱後又は冷却後の積層基板の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド膜とガラス基板１２との熱膨張係数の差は、０～９０×１０^-６／℃が好ましく、０～３０×１０^-６／℃がより好ましい。
ポリイミド膜の面積は、特に制限されないが、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ^２以上が好ましい。
ポリイミド膜は、有色であっても、無色透明であってもよい。

積層基板は、種々の用途に使用でき、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウエハ、受信センサーパネル等の電子部品を製造する用途が挙げられる。これらの用途では、積層体が大気雰囲気下にて、高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合もある。
表示装置用パネルは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、ＭＥＭＳシャッターパネル等を含む。
受信センサーパネルは、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、赤外線受光センサーパネル等を含む。受信センサーパネルに用いる基板は、樹脂等の補強シート等によって補強されていてもよい。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。

以下では、ガラス基板に、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（線膨張係数３８×１０^-７／℃、ＡＧＣ株式会社製 商品名「ＡＮ-Ｗｉｚｕｓ」）を使用した。
以下、例２～例７、例９、例１０及び例１２～例１４は実施例であり、例１、例８、例１１及び例１５は比較例である。

＜例１、例１１＞
（硬化性シリコーンの調製）
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、酢酸（５ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、６０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、５０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液からトルエンを減圧留去し、スラリー状態にした後、真空乾燥機で終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１は、Ｔ単位の個数：Ｍ単位の個数＝８７：１３（モル比）であった。硬化性シリコーン１は、Ｍ単位、Ｔ単位のモル比が１３：８７、有機基は全てメチル基、平均ＯＸ基数が０．０２であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子又は炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。

（硬化性組成物の調製）
硬化性シリコーン（２０ｇ）と、金属化合物としてオクチル酸ジルコニウム化合物（「オルガチックスＺＣ－２００」、マツモトファインケミカル株式会社製）（０．１６ｇ）と、２－エチルヘキサン酸セリウム（III）（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、金属含有率１２％）（０．１７ｇ）、溶媒としてＩｓｏｐｅｒ Ｇ（東燃ゼネラル石油株式会社製）（１９．７ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物１を得た。

（ガラス板とシリコーン樹脂層からなる積層体の作製）
離型フィルムとしてＰＥＴフィルム（東洋紡株式会社製、エステル（登録商標）フィルム ＨＰＥ、厚み２５μｍと５０μｍ）を準備し、このフィルム表面上に調製した硬化性組成物１を塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層（密着層）を形成した。塗布したシリコーン樹脂層の上に保護フィルム（樹脂層）として、ＰＥＴフィルム（東洋紡株式会社製、エステル（登録商標）フィルム ＨＰＥ、厚み５０μｍ）を貼合し、離型フィルムのＰＥＴフィルム側からカッターを挿入し、サイズ９１２×７２２ｍｍに切断した。
また、円形形状のフィルムは離型フィルムのＰＥＴフィルム側からコンパスカッター（オルファ株式会社製、コンパスカッター ５７Ｂ）を挿入し、直径１９６ｍｍに切断した。

続いて、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した９２０×７３０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ-Ｗｉｚｕｓ」（支持基材）を用意した。その後、離型フィルムのＰＥＴフィルムと、シリコーン樹脂層と、保護フィルムのＰＥＴフィルムとの順で積層されたフィルム（サイズ：９１２×７２２ｍｍ）から保護フィルムのＰＥＴフィルムを剥がし、離型フィルムのＰＥＴフィルムとシリコーン樹脂層のフィルムのシリコーン樹脂層側をガラス板に貼合し、ガラス板、シリコーン樹脂層、及び離型フィルムのＰＥＴフィルム（樹脂層）がこの順で配置された矩形形状の積層基材を作製した。
また、円形形状の積層体は水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した直径２００ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ-Ｗｉｚｕｓ」を用意した。その後、離型フィルムのＰＥＴフィルムと、シリコーン樹脂層と、保護フィルムのＰＥＴフィルムとの順で積層されたフィルム（サイズ：直径１９６ｍｍ）から保護フィルムのＰＥＴフィルムを剥がし、離型フィルムのＰＥＴフィルムとシリコーン樹脂層のフィルムのシリコーン樹脂層側をガラス板に貼合し、ガラス板、シリコーン樹脂層、及び離型フィルムのＰＥＴフィルムがこの順で配置された円形形状の積層基材を作製した。
次に、得られた矩形形状の積層基材、及び円形形状の積層基材を、それぞれオートクレーブ内に配置して、６０℃、１ＭＰａの条件にて３０分間加熱した。この加熱処理工程により、矩形形状の積層体、及び円形形状の積層体を得た。

（積層体の断面ＳＥＭ観察１）
ガラス板、シリコーン樹脂層、及びＰＥＴフィルムがこの順で配置された積層基材を小片に切断し、積層基材の切断面をＦＥ－ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡、日本電子（ＪＥＯＬ）株式会社製ＪＳＭ－７８００Ｆ Ｐｒｉｍｅ）で観察し、ＰＥＴフィルムの側面の厚み方向のシリコーン樹脂層の側面接触幅を測長した。

＜例２～例１０、例１２～例１５＞
例１と同様に矩形形状の積層体を作製した後、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置にはホットプレート（加熱プレート）の上にガラス板、シリコーン樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を直接設置し、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたくない位置にはホットプレートと積層体の間に断熱材（ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）シート、厚み１ｍｍ）を設置し、積層体をホットプレートの上で９０℃、５分間加熱した。ホットプレート加熱中の断熱材上の積層体表面温度は３０～８０℃で断熱材がない積層体表面温度よりも低くなっていた。ホットプレートを用いた加熱後の積層体は保管容器であるカセットに手で収納した。
例２～例１０及び例１２～例１５では、側面接触部の配置形態、側面接触部の配置範囲、及び側面接触部を配置する角部の数を、後述する表１に示すように調整した。

＜例１６～例１８＞
例１と同様に矩形形状の積層体を作製した後、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置にはホットプレート（加熱プレート）の上にガラス板、シリコーン樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を直接設置し、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたくない位置には冷却材として、ペルチェ素子を設置し、積層体をホットプレートの上で９０℃、５分間加熱した。ホットプレート加熱中の冷却材上の積層体表面温度は２０～５０℃で冷却材がない積層体表面温度よりも低くなっていた。冷却材を用いた加熱後の積層体は保管容器であるカセットに手で収納した。
例１６～例１８では、側面接触部の配置形態、側面接触部の配置範囲、及び側面接触部を配置する角部の数を、後述する表１に示すように調整した。

＜例１９～例２２＞
例１と同様に矩形形状の積層体を作製した後、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置に積層体のガラス板側から、温風機を用いて、温風を当て、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたくない位置には温風を当てないよう設置し、シリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置の積層体表面温度が９０℃になるよう温風機と積層体の位置とを維持したまま、５分間加熱した。温風を当てていない積層体表面温度は３０～８０℃で温風が当たっている積層体表面温度よりも低くなっていた。温風加熱後積層体は保管容器であるカセットに手で収納した。
例１９～例２２では、側面接触部の配置形態、側面接触部の配置範囲、及び側面接触部を配置する角部の数を、後述する表１に示すように調整した。
また、温風機には、熱風ヒータを用いた。

＜例２３～例２５＞
例１と同様に矩形形状の積層体を作製した後、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置に積層体のガラス板側から赤外線ヒータを当て、ＰＥＴフィルムの側面にシリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたくない位置には赤外線ヒータを当てないよう設置し、シリコーン樹脂層の側面接触部を存在させたい位置の積層体表面温度が９０℃になるように、赤外線ヒータと積層体の位置とを維持したまま、５分間加熱した。赤外線ヒータを当てていない積層体表面温度は３０～８０℃で赤外線ヒータが当たっている積層体表面温度よりも低くなっていた。温風加熱後積層体は保管容器であるカセットに手で収納した。
例２３～例２５では、側面接触部の配置形態、側面接触部の配置範囲、及び側面接触部を配置する角部の数を、後述する表１に示すように調整した。
また、赤外線ヒータには、ハロゲンランプを用いた。

＜例６、例９、例１３＞
（積層体の断面ＳＥＭ観察２）
ガラス板、シリコーン樹脂層、及びＰＥＴフィルムがこの順で配置された積層基材を、ホットプレートで９０℃、５分間加熱した範囲を小片に切断し、積層基材の切断面をＦＥ－ＳＥＭ（ＪＥＯＬ製ＪＳＭ－７８００Ｆ Ｐｒｉｍｅ）で観察し、ＰＥＴフィルムの側面の厚み方向のシリコーン樹脂層の側面接触幅を測長した。

例１～１０及び例１６～２５のＰＥＴフィルム（樹脂層）は、短辺と長辺とを含む４つの辺を有する矩形形状であり、サイズは９１２×７２２ｍｍである。
例１は、側面接触部がない構成である。
例２、３、９、１６、１９、２３は、側面接触部が図３に示すように２辺にある構成である。図３は２辺の全域に側面接触部１５を設けているが、例２、３、９、１６、１９、２３は、１つの角から延びる側面接触部１５の長さを表１に示す比率となるように調整した。
例４は、側面接触部が図４に示す構成である。例５は、側面接触部が図６に示す構成である。例６、１０、１７、２０、２４は、側面接触部が図５に示す構成である。例７は、側面接触部が図９に示す構成である。例８、１８、２２、２５は、４つの辺全ての範囲に側面接触部が設けられた構成である。
例１１～１５のＰＥＴフィルム（樹脂層）は、円形形状であり、直径が１９６ｍｍである。
例１１は、側面接触部がない構成である。
例１２～１４は、全周のうち、特定の範囲に連続して側面接触部が設けられた構成である。例１２、１３は、側面接触部が図１０に示す構成である。例１４は、側面接触部が図１１に示す構成である。例１５は、ＰＥＴフィルム（樹脂層）の外縁の全周に側面接触部が設けられた構成である。

表１中、「樹脂層の厚み（μｍ）」欄は、ＰＥＴフィルムの厚みを表す。
表１中、「加熱工程の有無」欄は、シリコーン樹脂層の軟化点温度以上の加熱処理の有無を表す。
表１中、「側面接触部の配置形態」欄は、ＰＥＴフィルムの外縁の全周に対して側面接触部がどのように配置されているかを表す。連続とは、途切れることなく側面接触部が連続して配置されている状態を表す。間隔ありとは、側面接触部がＰＥＴフィルムの外縁に対して、少なくとも一部が途切れて配置されている状態を表す。
表１中、「側面接触部の配置範囲（ｍｍ）」及び「側面接触部の配置範囲の比率（％）」欄は、ＰＥＴフィルムの外縁に設けられた側面接触部の長さの合計と、ＰＥＴフィルムの外縁の全周に対する側面接触部が設けられた長さの比率を表す。
表１中、「側面接触部が配置された角部の数」欄は、ＰＥＴフィルムの角部に配置されている側面接触部の数を表す。
表１中、「樹脂層の厚み方向の長さに対する側面接触部の長さ（ｍｍ）」及び「側面接触部の配置範囲の比率（％）」欄は、ＰＥＴフィルムの厚み方向の長さ対する側面接触部の這い上がりの長さと比率を表す。

＜デラミネーション評価＞
ガラス板、シリコーン樹脂層（密着層）、及びＰＥＴフィルム（樹脂層）からなる積層体を１０枚準備し、枚葉洗浄機に積層体を、ガラス基板の搬送方向に直交する垂線を基準として、３０度の角度でエアナイフが配置されるように、１枚ずつ手で投入して、ロールブラシ（ロールブラシ先端がＰＥＴフィルム表面に接触する押込量）で積層体の表面を洗浄し、エアナイフ（圧縮エアー供給圧力０．１５ＭＰａ）で乾燥させ、カセットに収納した。カセットから手で積層体のガラス基板のエッジを持って取り出し、ＰＥＴフィルムの外周部を目視で確認し、シリコーン樹脂層とＰＥＴフィルムとの界面のデラミネーションの有無を、以下の基準に従って評価した。
Ａ：１０枚全てでデラミネーションが視認されない。
Ｂ：１０枚のうち、１枚でもデラミネーションが視認される。
Ｃ：１０枚全てでデラミネーションが視認される。

＜積層体のＰＥＴフィルムの剥離評価＞
ガラス板、シリコーン樹脂層（密着層）、及びＰＥＴフィルム（樹脂層）からなる積層体を１０枚準備し、１枚ずつテーブルの上に置き、積層体が矩形形状の場合にはＰＥＴフィルムの角に、積層体が円形形状の場合にはＰＥＴフィルムの外周部にテープ（３Ｍ社製、メンディングテープ８１０-１－１８Ｄ）を貼り付けて、ピール角度１８０度でＰＥＴフィルムを引っ張りながらテープ剥離した。この時、シリコーン樹脂層とＰＥＴフィルムとの界面で剥離可能について、以下の基準に従って評価した。
Ａ：１０枚全てで剥離ができる。
Ｂ：１０枚のうち、１枚でも剥離ができない。
Ｃ：１０枚全てで剥離ができない。

＜総合評価＞
デラミネーション評価及び剥離評価のうち、悪い評価を総合評価とした。

表１に示すように、本発明の積層体は、所望の効果を示した。
デラミネーション評価では、例１及び例１１と例２～１０、及び例１２～２５との比較より、ＰＥＴフィルム（樹脂層）の外縁の全周の一部から、ＰＥＴフィルムの側面部にシリコーン樹脂（側面接触部）が存在していれば、ハンドリングや枚葉洗浄でデラミネーションが起こりにくいことが分かった。
また、例２、例９、例１２、例１６、例１９及び例２３と例３～８、例１０、例１３～１５、例１７～１８、例２０～２１及び例２４～２５との比較により、ＰＥＴフィルムの外縁の全周の２５％以上の範囲で、ＰＥＴフィルムの側面部にシリコーン樹脂（側面接触部）が存在していれば、ハンドリングや枚葉洗浄でデラミネーションが、より起こりにくいことが分かった。
ＰＥＴフィルムの剥離評価では、例１～例７及び例９～例１４と、例８、例１５、例１８、例２２及び例２５との比較より、ＰＥＴフィルム（樹脂層）の外縁の全周の全ての範囲に、ＰＥＴフィルムの側面部にシリコーン樹脂（側面接触部）が存在していると、ＰＥＴフィルム（樹脂層）とシリコーン樹脂層（密着層）とが剥離できないことが分かった。
また、例１～６及び例１９～２０と例７及び例２１との比較により、ＰＥＴフィルム（樹脂層）の角部の少なくとも１つに、ＰＥＴフィルムの側面部にシリコーン樹脂（側面接触部）が存在しなければ、ＰＥＴフィルム（樹脂層）がより剥がしやすいことが分かった。
また、例１～６及び例８と例９及び例１０との比較により、ＰＥＴフィルムの側面部に、ＰＥＴフィルムの厚み方向の７０％以下の領域でシリコーン樹脂（側面接触部）が存在している場合にはＰＥＴフィルム（樹脂層）がより剥がしやすいことが分かった。

例２～例１０、及び例１２～例１５では、積層体をホットプレート（加熱プレート）の上で温度９０℃、５分間加熱したが、温度１００℃、５分間、温度１１０℃、５分間、及び温度１２０℃、５分間でも温度９０℃、５分間と同じ結果が得られたことを確認した。
例１６～例１８では、積層体をホットプレート（加熱プレート）の上で温度９０℃、５分間加熱したが、温度１００℃、５分間、温度１１０℃、５分間、及び温度１２０℃、５分間でも温度９０℃、５分間と同じ結果が得られたことを確認した。
例１９～例２２では、積層体表面温度が温度９０℃になるよう温風機と積層体の位置とを維持したまま、５分間加熱したが、温度９０℃、７分間、温度１００℃、５分間及び温度１００℃、７分間でも、温度９０℃、５分間と同じ結果が得られたことを確認した。
例２３～例２５では、積層体表面温度が温度９０℃になるように、赤外線ヒータと積層体の位置とを維持したまま、５分間加熱したが、温度９０℃、７分間、温度１００℃、５分間及び温度１００℃、７分間でも、温度９０℃、５分間と同じ結果が得られたことを確認した。

１０ 積層体
１２ ガラス基板
１２ａ 表面
１２ｂ 側面
１４ 密着層
１４ａ 表面
１４ｂ 側面
１５ 側面接触部
１５ａ 延出部分
１５ｂ 這い上がり部分
１６ 樹脂層
１６ａ 表面
１６ｂ 側面
１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ、１６ｇ 角部
１７ 外縁
１９ 円弧部
ＣＬ 切断線
Ｄｔ 厚み方向

Claims (10)

1. ガラス基板と、密着層と、樹脂層とをこの順に有する積層体であって、
   前記密着層が、前記ガラス基板の表面の法線方向から前記積層体を観察した際に前記樹脂層の外縁の全周の全周の２５～９９％の範囲から、前記外縁よりも外側に位置し、前記樹脂層の側面の少なくとも一部と接している側面接触部を有する、積層体。
2. 前記樹脂層が四角形状であり、前記側面接触部が前記樹脂層の４つの角部のうち、最大で３つの角部に設けられている、請求項１に記載の積層体。
3. 前記側面接触部は、前記樹脂層の側面の厚み方向の長さに対して７０％以下の領域と接している、請求項１又は２に記載の積層体。
4. 前記側面接触部は、前記樹脂層の前記外縁に沿って連続して、又は前記樹脂層の前記外縁に沿って間隔をあけて設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体。
5. 樹脂層と密着層とを有する密着層付き樹脂層とガラス基板とを、前記密着層と前記ガラス基板とが対向するように、貼合する工程１と、
   前記工程１で得られた積層基材に対して、前記密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２とを有し、
   前記密着層の軟化点以上の温度で前記加熱処理を施す前記工程２は、前記ガラス基板の表面の法線方向から前記積層基材を観察した際に前記樹脂層の外縁において、前記密着層の軟化点以上の温度に加熱する領域と、前記密着層の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分けて前記加熱処理を施し、
   前記密着層の軟化点未満の温度に加熱する前記領域は、前記樹脂層の前記外縁の全周の１～７５％の範囲である、積層体の製造方法。
6. 前記密着層の軟化点以上の温度で前記加熱処理を施す前記工程２は、前記ガラス基板の表面の法線方向から前記積層基材を観察した際に前記樹脂層の外縁の少なくとも一部を、加熱プレートの縁から突出させて、前記積層基材を前記加熱プレート上に配置する配置工程を含み、
   前記配置工程の後に、前記加熱プレートにより、前記積層基材に対して前記密着層の前記軟化点以上の温度で前記加熱処理を施す、請求項５に記載の積層体の製造方法。
7. 前記密着層の軟化点以上の温度で前記加熱処理を施す前記工程２は、前記ガラス基板の表面の法線方向から前記積層基材を観察した際に前記樹脂層の外縁において、前記密着層の軟化点以上の温度に加熱する領域と、前記密着層の軟化点未満の温度に加熱する領域とに分け、前記密着層の軟化点以上の温度に加熱する前記領域に、温風を当てるか又は光を照射して前記加熱処理を施す、請求項５に記載の積層体の製造方法。
8. 樹脂層と密着層とを有する密着層付き樹脂層とガラス基板とを、前記密着層と前記ガラス基板とが対向するように、貼合する工程１と、
   前記工程１で得られた積層基材に対して、前記密着層の軟化点以上の温度で加熱処理を施す工程２とを有し、
   前記密着層の軟化点以上の温度で前記加熱処理を施す前記工程２は、前記ガラス基板の表面の法線方向から前記積層基材を観察した際に前記樹脂層の外縁に断熱材又は冷却部材を配置する配置工程を含み、
   前記配置工程の後に、前記積層基材に対して、前記密着層の前記軟化点以上の温度で前記加熱処理を施し、
   前記配置工程では、前記樹脂層の前記外縁の全周の１～７５％の範囲に、前記断熱材又は冷却部材を配置する、積層体の製造方法。
9. 前記樹脂層が四角形状であり、前記配置工程では、前記断熱材又は冷却部材を前記樹脂層の４つの角部のうち、最大で３つの角部に設ける、請求項８に記載の積層体の製造方法。
10. 前記配置工程では、前記断熱材又は冷却部材を、前記樹脂層の前記外縁に沿って連続して、又は前記樹脂層の前記外縁に沿って間隔をあけて配置する、請求項８又は９に記載の積層体の製造方法。

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