TW202330727A - 積層體、附電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種積層體,其具有玻璃基材、矽酮樹脂層、及聚醯亞胺樹脂層,聚醯亞胺樹脂層含有含氟原子之聚醯亞胺,於對聚醯亞胺樹脂層進行紅外線吸收測定而獲得之光譜中,3150~3750 cm
-1間之峰面積與1650~1750 cm
-1間之峰面積之比為0.9以下。
Description
本發明係關於一種積層體、附電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。
太陽電池(PV);液晶面板(LCD);有機EL(electroluminescence,電致發光)面板(OLED);感知電磁波、X射線、紫外線、可見光、紅外線等之接收感測器面板等電子裝置趨於薄型化、輕量化。用於電子裝置之聚醯亞胺樹脂基板等基板亦隨之趨於薄板化。若基板之強度因薄板化而不足,則基板之操作性降低,於在基板上形成電子裝置用構件之步驟(構件形成步驟)等中會產生問題。
因此,近來為了使基板之操作性變良好,而提出使用於支持基材上配置有聚醯亞胺樹脂基板之積層體之技術(專利文獻1)。更具體而言,據專利文獻1中揭示,可於熱硬化性樹脂組合物硬化體層上塗佈聚醯亞胺清漆,形成樹脂清漆硬化膜(相當於聚醯亞胺膜),於樹脂清漆硬化膜上配置精密元件。
專利文獻1中揭示如下技術:使用聚醯亞胺清漆形成聚醯亞胺膜,於該聚醯亞胺膜上配置精密元件。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-193544號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明人等考慮到聚醯亞胺膜之剝離性而於矽酮樹脂層上配置含有含氟原子之聚醯亞胺之聚醯亞胺樹脂層,對其特性進行評價,結果得到如下見解:於高溫加熱時,透明之聚醯亞胺膜存在黃變之情況。
本發明之目的在於提供一種於高溫加熱時,可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變之積層體。
又,本發明之目的在於提供一種附電子裝置用構件之積層體、及電子裝置之製造方法。
[解決問題之技術手段]
本發明人等進行了銳意研究,結果發現藉由以下構成能夠達成上述目的。
本發明之一態樣係一種積層體,其具有玻璃基材、矽酮樹脂層、及聚醯亞胺樹脂層,聚醯亞胺樹脂層含有含氟原子之聚醯亞胺,於對聚醯亞胺樹脂層進行紅外線吸收測定而獲得之光譜中,3150~3750 cm
-1間之峰面積與1650~1750 cm
-1間之峰面積之比為0.9以下。
峰面積之比較佳為0.6以下,進而較佳為0.5以下。
聚醯亞胺樹脂層之膜厚之平均值/矽酮樹脂層之膜厚之平均值所表示之比較佳為0.02~20。
本發明之一態樣係一種附電子裝置用構件之積層體,其具有:積層體、及配置於積層體中之聚醯亞胺樹脂層上之電子裝置用構件。
本發明之一態樣係一種電子裝置之製造方法,其具備:構件形成步驟,其係於積層體之聚醯亞胺樹脂層上形成電子裝置用構件,獲得附電子裝置用構件之積層體;以及分離步驟,其係由附電子裝置用構件之積層體獲得具有聚醯亞胺樹脂層及電子裝置用構件之電子裝置。
[發明之效果]
根據本發明,能夠提供一種於高溫加熱時,可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變之積層體;附電子裝置用構件之積層體;及電子裝置之製造方法。
以下,參照圖式,對本發明之實施方式進行說明。但,以下之實施方式係用以對本發明進行說明之例示性者,本發明並不限制於以下所示之實施方式。再者,可於不脫離本發明之範圍之情況下,對以下之實施方式施加各種變化及置換。
本發明中之用語之含義如下所述。
表面粗糙度Ra之平均值係對成為對象之表面之任意10處(測定範圍:縱940 μm×橫700 μm)之表面粗糙度Ra進行測定所得之10個測定值之算術平均值。
關於表面粗糙度Ra,例如使用Mitsubishi Chemical Systems股份有限公司製造之非接觸表面-層剖面形狀計測系統「Vertscan R3300-lite」進行測定。
膜厚之偏差係測定對象物之任意10處之膜厚所得之10個測定值中之最大值與最小值之差。
膜厚之平均值係按照上述順序測得之10個測定值之算術平均值。
其中,於矽酮樹脂層之膜厚之情形時,測定範圍不包括自矽酮樹脂層之周緣端部朝中央部3 mm之周緣區域。
膜厚例如藉由接觸式膜厚測定裝置進行測定。
使用「~」所表示之數值範圍意指包含「~」之前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。
得出如下本發明之積層體之特徵點:於具有玻璃基材、矽酮樹脂層、及聚醯亞胺樹脂層之積層體中,聚醯亞胺樹脂層含有含氟原子之聚醯亞胺,於對聚醯亞胺樹脂層進行紅外線吸收測定而獲得之光譜中,3150~3750 cm
-1間之峰面積與1650~1750 cm
-1間之峰面積之比為0.9以下,藉此,於高溫加熱時,可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。藉此,可獲得所需之效果。
於積層體中,矽酮樹脂層捕捉、吸收高溫加熱時自玻璃基材脫去之H
2O,防止其滲入至聚醯亞胺樹脂層中。藉此,抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。又,於聚醯亞胺樹脂層滿足上述紅外線吸收測定所規定之特性之情形時,表明聚醯亞胺樹脂層中所含之H
2O之量較少,該特性亦與抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變有關。
<積層體>
圖1係模式性地表示本發明之實施方式之積層體之一例之剖視圖。
圖1所示之積層體10依序具有:玻璃基材12、矽酮樹脂層14、及聚醯亞胺樹脂層16。如圖1所示,於玻璃基材12之表面12a配置有矽酮樹脂層14,於矽酮樹脂層14之表面14a配置有聚醯亞胺樹脂層16。於聚醯亞胺樹脂層16之表面16a配置有阻氣層18。阻氣層18係用以保護形成於阻氣層18上之電子裝置免受水分影響之層。
例如,玻璃基材12、矽酮樹脂層14、聚醯亞胺樹脂層16及阻氣層18為俯視四邊形狀。玻璃基材12、矽酮樹脂層14、聚醯亞胺樹脂層16與阻氣層18各自以彼此邊平行之方式進行配置。
再者,阻氣層18並非必需組成,積層體10亦可為無阻氣層18之構成。
又,積層體10之構成並不限定於圖1,例如可為於玻璃基材12與矽酮樹脂層14之間進而設置阻氣層(未圖示)之構成,亦可為於阻氣層18上設置聚醯亞胺樹脂層(未圖示)及阻氣層(未圖示)之構成。
(積層體之用途)
積層體10可用於各種用途,例如可例舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓、接收感測器面板等電子零件之用途。於該等用途中,亦存在積層體於大氣氛圍下、氮氣氛圍下或真空下,暴露於高溫條件(例如,450℃以上)下(例如20分鐘以上)之情況。
顯示裝置用面板包括:LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、微型LED顯示面板、MEMS(microelectromechanical system,微機電系統)快門面板等。
接收感測器面板包括:電磁波接收感測器面板、X射線受光感測器面板、紫外線受光感測器面板、可見光受光感測器面板、紅外線受光感測器面板等。用於接收感測器面板之基板可藉由樹脂等補強片材等加以補強。
以下,對構成積層體10之玻璃基材12、矽酮樹脂層14、聚醯亞胺樹脂層16及阻氣層18進行詳述。
(玻璃基材)
玻璃基材12係支持並補強矽酮樹脂層14之構件。又,玻璃基材12發揮搬送基板之作用。
作為玻璃之種類,較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃,較佳為以氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃板,更具體而言,可例舉:包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(AGC股份有限公司製造之商品名「AN100」,商品名「AN Wizus」)。
玻璃板之製造方法通常係將玻璃原料熔融,使熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為一般者,例如可例舉:浮式法、熔融法、流孔下引法。
玻璃基材12較佳為非軟性。因此,玻璃基材12之厚度較佳為0.3 mm以上,更佳為0.5 mm以上。
另一方面,玻璃基材12之厚度較佳為1.0 mm以下。
玻璃基材12之表面粗糙度Ra較佳為未達0.4 nm,更佳為未達0.25 nm。若玻璃基材12之表面粗糙度較大,則矽酮樹脂層與玻璃基材表面之接觸面積增加,水分子容易自玻璃基材移動至矽酮樹脂層,聚醯亞胺樹脂層容易黃變。因此,玻璃基材12之表面粗度較佳為一定值以下。
關於玻璃基材12,自玻璃基材12之表面12a之法線方向觀察時之形狀並無特別限制,可為四邊形,亦可為圓形,較佳為四邊形。
玻璃基材12大於矽酮樹脂層14及聚醯亞胺樹脂層16,玻璃基材12之表面12a存在未配置矽酮樹脂層14及聚醯亞胺樹脂層16、阻氣層18之周邊區域,玻璃基材12之周緣區域之表面12a露出。
周緣區域之寬度並無特別限制,較佳為1~30 mm,更佳為3~10 mm。周緣區域之寬度相當於自玻璃基材12之外周緣起至聚醯亞胺樹脂層16之外緣為止之距離。
若周緣區域之寬度為30 mm以下,則於形成電子裝置等時之有效面積更大,電子裝置之製作效率提昇。又,藉由周緣區域之寬度為1 mm以上,可於阻氣層18上製作電子裝置之步驟中,減少因搬送構件或處理裝置等支持構件與積層體之端部接觸而產生之顆粒(異物)之產生。
(矽酮樹脂層)
矽酮樹脂層14係用以防止配置於其上之聚醯亞胺樹脂層16剝離之膜。
矽酮樹脂層14配置於玻璃基材12上。
矽酮樹脂是指包含規定之有機矽烷氧基單元之樹脂,通常由硬化性矽酮硬化而獲得。硬化性矽酮根據其硬化機制,分為:加成反應型矽酮、縮合反應型矽酮、紫外線硬化型矽酮及電子束硬化型矽酮,可使用任意一種。其中,較佳為縮合反應型矽酮。
作為縮合反應型矽酮,適宜使用作為單體之水解性有機矽烷化合物或其混合物(單體混合物)、或者使單體或單體混合物進行部分水解縮合反應所獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。
藉由使用該縮合反應型矽酮,進行水解、縮合反應(溶膠凝膠反應),可形成矽酮樹脂。
矽酮樹脂層14較佳為使用包含硬化性矽酮之硬化性組合物來形成。
硬化性組合物除硬化性矽酮以外,亦可包含溶劑、鉑觸媒(於使用加成反應型矽酮作為硬化性矽酮之情形時)、調平劑、金屬化合物等。作為金屬化合物中所含之金屬元素,例如可例舉:3d過渡金屬、4d過渡金屬、鑭系金屬、鉍(Bi)、鋁(Al)、錫(Sn)。金屬化合物之含量並無特別限制,可進行適當調整。
矽酮樹脂層14較佳為具有羥基。構成矽酮樹脂層14之矽酮樹脂之Si-O-Si鍵之一部分斷開,能出現羥基。又,於使用縮合反應型矽酮之情形時,其羥基可成為矽酮樹脂層14之羥基。
矽酮樹脂層14之膜厚H
1(參照圖1)之平均值較佳為0.5~30 μm,更佳為0.5~20 μm。若矽酮樹脂層14之膜厚之平均值為6.0 μm以上,則異物嵌入性優異。
再者,異物嵌入性優異意指即便於玻璃基材12與矽酮樹脂層14之間存在異物,異物仍可被矽酮樹脂層14嵌入。若異物之嵌入性優異,則矽酮樹脂層不易產生因異物所造成之凸部,於在聚醯亞胺樹脂層16上形成電子裝置用構件時,可抑制因凸部所造成之電子裝置用構件中之斷線等風險發生。再者,於上述凸部產生時所形成之空隙可以氣泡之形式被觀察到,故可根據是否產生氣泡來評價異物嵌入性。
矽酮樹脂層14之表面14a之表面粗糙度Ra之平均值較佳為50.00 nm以下,更佳為30.00 nm以下,進而較佳為15.00 nm以下,特佳為5.00 nm以下。若表面14a之表面粗糙度Ra之平均值為上述範圍,則藉由形成於積層體10之矽酮樹脂層14上,其後進行剝離所製造之聚醯亞胺樹脂層16之表面粗糙度減小。
又,關於矽酮樹脂層14之表面14a之表面粗糙度Ra之平均值,為了可保持與形成於矽酮樹脂層14上之聚醯亞胺樹脂層16密接之狀態,較佳為0.10 nm以上,更佳為0.30 nm以上。
(聚醯亞胺樹脂層)
聚醯亞胺樹脂層含有含氟原子之聚醯亞胺。
聚醯亞胺樹脂層於進行紅外線吸收測定而獲得之光譜中,3150~3750 cm
-1間之峰面積與1650~1750 cm
-1間之峰面積之比為0.9以下,較佳為0.6以下,進而較佳為0.5以下。又,峰面積之比更佳為0.3以下。下限並無特別限制,多為0以上之情況,更多情況下為0.05以上。藉此,可獲得所需之效果。
於積層體中,矽酮樹脂層捕捉、吸收高溫加熱時自玻璃基材脫去之H
2O,防止其滲入至聚醯亞胺樹脂層中。藉此,抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。又,於聚醯亞胺樹脂層滿足上述紅外線吸收測定所規定之特性之情形時,表明聚醯亞胺樹脂層中所含之H
2O之量較少,該特性亦與抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變有關。
此處,圖2係表示本發明之實施方式之積層體之聚醯亞胺樹脂層之紅外線吸收光譜之一例之圖表。圖2所示之光譜30表示基準線修正後之光譜。於圖2所示之基準線修正後之光譜30中,將1650~1750 cm
-1間之來自醯亞胺之峰面積設為S
1。另一方面,將3150~3750 cm
-1間之峰面積設為S
2。峰面積之比S
2/S
1為0.9以下。
1650~1750 cm
-1間之波峰係主要來自聚醯亞胺中之醯亞胺基之波峰,3150~3750 cm
-1間之波峰係主要來自OH基之波峰。因此,若比S
2/S
1為0.9以下,則聚醯亞胺樹脂層之OH基量較少,加熱後所釋出之水分量變少,更可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。
再者,對於光譜30,例如可使用解析軟體OMNIC Ver.8.2(Thermo Fisher Scientific製造),按照以下順序進行光譜之解析,獲得面積之比。
首先,於聚醯亞胺樹脂層之紅外透射光譜上劃出基準線,進行光譜之修正。來自醯亞胺基之波峰係以1550 cm
-1及1850 cm
-1為基準來進行基準線修正,來自羥基之波峰係以3150 cm
-1及3750 cm
-1為基準來進行基準線修正。其次,使用解析軟體之「峰面積工具」,求出各波峰之面積。對於來自醯亞胺基之波峰,於以1650 cm
-1與1750 cm
-1所劃分出之範圍內求出峰面積,對於來自羥基之波峰,於以3150 cm
-1與3750 cm
-1所劃分出之範圍內求出峰面積。使用所獲得之面積,可獲得峰面積之比S
2/S
1。
再者,關於聚醯亞胺樹脂層之紅外線吸收光譜測定,係將聚醯亞胺樹脂層自積層體剝離,使剝離之聚醯亞胺樹脂層於23℃、相對濕度45%之環境下靜置一夜後,使用Thermo Fisher Scientific製造之Nicolet 6700FT-IR進行測定。
聚醯亞胺樹脂層16之膜厚H
2(參照圖1)之平均值較佳為0.5~20 μm,更佳為1~10 μm。
聚醯亞胺樹脂層之膜厚之平均值/矽酮樹脂層之膜厚之平均值所表示之比α較佳為0.02~20,更佳為0.1~10,進而較佳為0.2~5。
若比α為0.02~20,則可抑制如下情況發生:因聚醯亞胺樹脂層與矽酮樹脂層之CTE(Coefficient of Thermal Expansion,熱膨脹係數)差使得應力過大,導致矽酮樹脂層產生裂縫、聚醯亞胺樹脂層產生皺褶、及聚醯亞胺樹脂層與矽酮樹脂層發生界面剝離。又,相對於聚醯亞胺樹脂層之厚度,矽酮樹脂層之厚度變大,故可充分獲得聚醯亞胺樹脂層之黃變抑制效果。
聚醯亞胺樹脂層16之膜厚之偏差較佳為0.5 μm以下,更佳為0.2 μm以下。作為下限,可例舉0 μm。
聚醯亞胺樹脂層16可為單膜,亦可為2層以上之多層膜。
為了於聚醯亞胺樹脂層16上形成電子裝置之高精細之佈線等,以聚醯亞胺樹脂層16之表面平滑為佳。具體而言,聚醯亞胺樹脂層16之表面粗糙度Ra之平均值較佳為50 nm以下,更佳為30 nm以下,進而較佳為10 nm以下。作為下限,可例舉0 nm。
關於聚醯亞胺樹脂層16之熱膨脹係數,於與玻璃基材12之熱膨脹係數差較小之情況下,可抑制加熱後或冷卻後之積層體10之翹曲,故而較佳。具體而言,聚醯亞胺樹脂層16與玻璃基材12之熱膨脹係數之差較佳為0~90×10
-6/℃,更佳為0~30×10
-6/℃。
聚醯亞胺樹脂層16之面積並無特別限制,就電子裝置之生產性之方面而言,較佳為300 cm
2以上。
聚醯亞胺樹脂層16之黃色指數(YI)以較小為佳。聚醯亞胺樹脂層16之YI較佳為10.0以下,更佳為5.0以下,進而較佳為3.5以下,特佳為1.5以下。作為下限,可例舉0。
YI(黃色指數)係依據JIS K7361-1進行測定。
將積層體於氮氣氛圍下以溫度430℃加熱1小時後,將形成於矽酮樹脂層上之聚醯亞胺樹脂層之黃色指數設為第1黃色指數。第1黃色指數係將聚醯亞胺樹脂層自積層體剝離而測得之值,且係無矽酮樹脂層之狀態下之聚醯亞胺樹脂層之測定值。
準備於玻璃基材上直接形成有聚醯亞胺樹脂層之參照積層體(未圖示),將參照積層體於氮氣氛圍下以溫度430℃加熱1小時後,將參照積層體之聚醯亞胺樹脂層之黃色指數設為第2黃色指數。第2黃色指數係將聚醯亞胺樹脂層自參照積層體剝離而測得之值,且係無玻璃基材之狀態下之聚醯亞胺樹脂層單獨之測定值。
自第2黃色指數減去第1黃色指數所得之值較佳為10以上,更佳為20以上。
將上述自第2黃色指數減去第1黃色指數所得之值稱為YI差。YI差係成為黃變抑制效果之指標者,若YI差為10以上,則可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變,故而較佳。
將積層體於氮氣氛圍下以溫度430℃加熱1小時後,將形成於矽酮樹脂層上之聚醯亞胺樹脂層之折射率設為第1折射率。第1折射率係將聚醯亞胺樹脂層自積層體剝離而測得之值,且係無矽酮樹脂層之狀態下之聚醯亞胺樹脂層之測定值。
準備於玻璃基材上直接形成有聚醯亞胺樹脂層之參照積層體(未圖示),將參照積層體於氮氣氛圍下以溫度430℃加熱1小時後,將參照積層體之聚醯亞胺樹脂層之折射率設為第2折射率。第2折射率係將聚醯亞胺樹脂層自參照積層體剝離而測得之值,且係無玻璃基材之狀態下之聚醯亞胺樹脂層單獨之測定值。
自第2折射率減去第1折射率所得之折射率差與聚醯亞胺樹脂層之黃變抑制相關,若折射率差變大,則亦可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。因此,自第2折射率減去第1折射率所得之折射率差較佳為0.005以上,更佳為0.009以上。
第1折射率及第2折射率係使用折射率測定裝置(稜鏡耦合器「2010/M」,Metricon公司製造)測得之值。
聚醯亞胺樹脂層16於可見光範圍內之透光率較佳為80%以上。作為上限,可例舉未達100%。
聚醯亞胺樹脂層16中所含之聚醯亞胺為含氟原子之聚醯亞胺即可。
聚醯亞胺通常藉由使四羧酸二酐與二胺縮聚,進行醯亞胺化而獲得。更具體而言,聚醯亞胺較佳為包含下述式(1)所表示之具有四羧酸類之殘基(X)及二胺類之殘基(A)之重複單元。
[化1]
於式(1)中,X表示自四羧酸類中去除羧基後之四羧酸殘基,A表示自二胺類中去除胺基後之二胺殘基。
為了獲得上述含氟原子之聚醯亞胺,可例舉使用選自由含氟原子之四羧酸二酐及含氟原子之二胺所組成之群中之至少一種之方法。例如,藉由使含氟原子之四羧酸二酐與二胺縮聚,進行醯亞胺化,可獲得含氟原子之聚醯亞胺。又,藉由使四羧酸二酐與含氟原子之二胺縮聚,進行醯亞胺化,可獲得含氟原子之聚醯亞胺。
作為含氟原子之聚醯亞胺,例如可例舉:上述式(1)中之X為具有氟原子之四羧酸殘基之態樣、式(1)中之A為具有氟原子之二胺殘基之態樣。
作為所使用之四羧酸二酐,可例舉:芳香族四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐。作為所使用之二胺,可例舉:芳香族二胺、脂肪族二胺。
作為芳香族四羧酸二酐,例如可例舉:均苯四甲酸二酐(1,2,4,5-苯四羧酸二酐)、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐。
又,作為芳香族二胺,例如可例舉:4,4'-氧二胺基苯(4,4'-二胺基二苯醚)、1,3-雙-(3-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙-(3-胺基苯氧基)聯苯、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯。
(阻氣層)
阻氣層18例如可包含氮化矽(SiN)、Al
2O
3、SiO
2、或SiON等無機材料。又,阻氣層18可為熱塑性樹脂或有機矽化合物等有機材料層與矽氧化物或矽氮化物等無機材料層積層而成之多層膜。成膜方法並無特別限制,可例舉公知之方法。例如可例舉:電漿CVD(chemical vapor deposition,化學氣相沈積)、濺鍍等方法。
於聚醯亞胺樹脂層16包含多層膜之情形時,可於2個以上之膜間具有阻氣層18。
阻氣層18之膜厚較佳為10~10000 nm,進而較佳為50~1000 nm。若膜厚未達10 nm,則有阻氣性不足,形成於阻氣層上之裝置變差之虞。另一方面,若阻氣層超過10000 nm,則有阻氣層之柔軟性降低,於使軟性裝置變形時,於阻氣層衍生出裂縫之虞。
<積層體之製造方法>
積層體之製造方法並無特別限制,可例舉公知之方法。
其中,就使生產性更加優異之方面而言,較佳為製造包含玻璃基材及矽酮樹脂層之積層基板,於積層基板之矽酮樹脂層上形成聚醯亞胺樹脂層之方法。
首先,作為積層基板之製造方法,可例舉如下方法:準備具有暫時支持體、及配置於暫時支持體上且於加熱處理後成為矽酮樹脂層之前驅物膜的轉印膜,將轉印膜中之前驅物膜貼合於玻璃基材上之規定位置,對所獲得之具有玻璃基材、前驅物膜及暫時支持體之積層體實施加熱處理。藉由實施加熱處理,形成矽酮樹脂層。
可於將上述轉印膜貼合於玻璃基材後,用鹼性洗劑對所獲得之積層體進行洗淨。又,用鹼性洗劑洗淨後,可視需要用純水進行沖洗。進而,用純水進行沖洗後,可視需要藉由氣刀甩掉水。氣刀甩水後,可進行加熱乾燥。又,洗淨時可用毛刷進行洗淨。關於用於洗淨之鹼性洗劑之溫度、及用於沖洗之純水之溫度,就清潔力之方面而言,較佳為20℃以上,更佳為40℃以上。
於進行用以形成矽酮樹脂層之加熱處理時,較佳為一面施加壓力一面實施。具體而言,較佳為使用高壓釜實施加熱處理及加壓處理。
作為加熱處理時之加熱溫度,較佳為50~350℃,更佳為55~300℃,進而較佳為60~250℃。作為加熱時間,較佳為10~60分鐘,更佳為20~40分鐘。
作為加壓處理時之壓力,較佳為0.5~1.5 MPa,更佳為0.8~1.0 MPa。
又,加熱處理可進行複數次。於實施複數次加熱處理之情形時,各自之加熱條件可發生變更。
例如,於實施複數次加熱處理之情形時,可改變加熱溫度。例如,於實施2次加熱處理之情形時,可於未達200℃之溫度條件下實施第1次加熱處理,於200℃以上之溫度條件下實施第2次加熱處理。
又,於實施複數次加熱處理之情形時,可改變是否進行加壓處理。例如,於實施2次加熱處理之情形時,可為於第1次加熱處理中一併實施加壓處理,於第2次加熱處理中不實施加壓處理之形態。
再者,於使用轉印膜製造積層基板時,可於將暫時支持體剝離後,實施上述加熱處理;亦可保持暫時支持體配置於矽酮樹脂層上之狀態不變地實施加熱處理。又,於實施複數次加熱處理之情形時,可於各加熱處理之間將暫時支持體剝離。例如,可於實施第1次加熱處理後,將暫時支持體剝離,再實施第2次加熱處理。
於剝離暫時支持體時,為了易於剝離,可於暫時支持體形成缺口部分。又,亦可將暫時支持體之端部之一部分自前驅物膜或矽酮樹脂層剝離而形成回折部,將其作為剝離之起點。又,還可於暫時支持體安裝拉拔帶。又,為了使暫時支持體之剝離變得容易,可使暫時支持體大於前驅物膜或矽酮樹脂層而使暫時支持體伸出,把持暫時支持體之突出部而將暫時支持體剝離。
於剝離暫時支持體時,為了減少前驅物膜或矽酮樹脂層受損而變得不良之虞之情況,較佳為180度剝離。
又,為了防止因剝離帶電所造成之污物附著,較佳為使用電離器,或對剝離環境進行加濕。
加熱處理中可使用循環爐、紅外線爐等加熱爐。為了將加熱處理時自矽酮樹脂層所產生之氣體排除,加熱爐較佳為進行排氣。加熱爐內之潔淨度較佳為class(潔淨度)10000以下。
可對積層基板之矽酮樹脂層之表面實施表面處理。
作為表面處理,例如可例舉:電暈處理、大氣壓電漿處理、UV(ultraviolet,紫外線)臭氧處理、準分子UV處理,較佳為電暈處理、大氣壓電漿處理。
表面處理後之矽酮樹脂層14之表面14a之水接觸角較佳為10度以下,更佳為5度以下。
可使用上述積層基板,製造圖1所示之具有玻璃基材12、矽酮樹脂層14、及聚醯亞胺樹脂層16之積層體10。
具體而言,作為積層體10之製造方法,可例舉如下方法:於積層基板之矽酮樹脂層14上塗佈包含聚醯亞胺及溶劑之聚醯亞胺清漆,於矽酮樹脂層14上形成聚醯亞胺樹脂層16,而形成依序具有玻璃基材12、矽酮樹脂層14、及聚醯亞胺樹脂層16之積層體。
以下,對上述製造方法進行詳述,其後,對聚醯亞胺樹脂層16之構成進行詳述。
(聚醯亞胺清漆)
聚醯亞胺清漆包含聚醯亞胺或其前驅物及溶劑。
聚醯亞胺通常藉由使四羧酸二酐與二胺縮聚,進行醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺較佳為具有溶劑可溶性。
作為前驅物,可例舉四羧酸二酐及二胺。
聚醯亞胺清漆較佳為包含溶劑。
溶劑只要是溶解聚醯亞胺或其前驅物之溶劑即可,例如可例舉:酚系溶劑(例如間甲酚)、醯胺系溶劑(例如:N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺)、內酯系溶劑(例如:γ-丁內酯、δ-戊內酯、ε-己內酯、γ-巴豆內酯、γ-己內酯、α-甲基-γ-丁內酯、γ-戊內酯、α-乙醯基-γ-丁內酯、δ-己內酯)、亞碸系溶劑(例如N,N-二甲基亞碸)、酮系溶劑(例如:丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮)、酯系溶劑(例如:乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、碳酸二甲酯)。
聚醯亞胺清漆較佳為包含5~40質量%之聚醯亞胺樹脂或其前驅物,更佳為包含10~30質量%。聚醯亞胺清漆之黏度較佳為1~200 Pa·s,更佳為5~150 Pa·s。
於積層基板之矽酮樹脂層14側塗佈聚醯亞胺清漆之方法並無特別限制,可例舉公知之方法。例如可例舉:狹縫式塗佈法、淋幕式塗佈法、噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法。
塗佈後,可視需要實施加熱處理。
關於加熱處理之條件,溫度條件較佳為50~500℃,更佳為50~450℃。加熱時間較佳為10~300分鐘,更佳為20~200分鐘。
又,加熱處理可進行複數次。於實施複數次加熱處理之情形時,各自之加熱條件可發生變更。
又,為了使顆粒或凸部變得平坦,可對形成後之聚醯亞胺膜之表面進行研磨。
可於塗佈聚醯亞胺清漆前,用鹼性洗劑洗淨積層基板。又,用鹼性洗劑洗淨後,可視需要用純水進行沖洗。進而,用純水進行沖洗後,可視需要藉由氣刀甩掉水。氣刀甩水後,可進行加熱乾燥。矽酮樹脂層表面有因與毛刷接觸而受損之虞,故於洗淨中較佳為不使用毛刷進行洗淨。
塗佈聚醯亞胺清漆前之積層基板可與玻璃基板同樣地檢查表面品質。
<附電子裝置用構件之積層體>
如圖3所示,附電子裝置用構件之積層體22具有配置於積層體10中之聚醯亞胺樹脂層16上之電子裝置用構件20。於圖3中,電子裝置用構件20配置於阻氣層18之表面18a。於附電子裝置用構件之積層體22中,在無阻氣層18之構成時,電子裝置用構件20配置於聚醯亞胺樹脂層16上。電子裝置用構件20如下所述。
<電子裝置之製造方法>
使用積層體,製造包含聚醯亞胺樹脂層及下述電子裝置用構件之電子裝置。
關於電子裝置之製造方法,例如圖3所示,係具備如下步驟之方法:構件形成步驟,其係於積層體10之聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上(阻氣層18之與矽酮樹脂層14側為相反側之表面18a上)形成電子裝置用構件20,獲得附電子裝置用構件之積層體22;以及分離步驟,其係由附電子裝置用構件之積層體22獲得具有聚醯亞胺樹脂層16、阻氣層18及電子裝置用構件20之電子裝置24。
以下,將形成電子裝置用構件20之步驟稱為「構件形成步驟」,將分離成電子裝置24與附矽酮樹脂層之玻璃基材26之步驟稱為「分離步驟」。再者,附矽酮樹脂層之玻璃基材26相當於上述積層基板。
以下,對各步驟中所使用之材料及順序進行詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於積層體10之聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上形成電子裝置用構件20之步驟。更具體而言,如圖3所示,於聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上(阻氣層18之與矽酮樹脂層14側為相反側之表面18a上)形成電子裝置用構件20,獲得附電子裝置用構件之積層體22。
首先,對本步驟中所使用之電子裝置用構件20進行詳述,其後,對步驟之順序進行詳述。
(電子裝置用構件)
電子裝置用構件20係構成形成於積層體10之聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18之表面18a上的電子裝置中之至少一部分之構件。更具體而言,作為電子裝置用構件20,可例舉:顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等之電子零件、用於接收感測器面板等之構件(例如:LTPS(low temperature polysilicon,低溫多晶矽)等顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路、接收感測器用構件),例如可例舉:美國專利申請公開第2018/0178492號說明書之段落[0192]所記載之太陽電池用構件、同說明書之段落[0193]所記載之薄膜二次電池用構件、同說明書之段落[0194]所記載之電子零件用電路。
(步驟之順序)
上述附電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限制,根據電子裝置用構件之構成構件之種類,藉由先前公知之方法,於積層體10之聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上,形成電子裝置用構件20。
電子裝置用構件20可並非於聚醯亞胺樹脂層16之阻氣層18上最終形成之構件之全部(以下稱為「全部構件」),而是全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可於其後之步驟中,將自矽酮樹脂層14剝離之附部分構件之基板當作附全部構件之基板(相當於下述電子裝置)。
於自矽酮樹脂層14剝離之附全部構件之基板中,可於其剝離面形成其他電子裝置用構件。進而,亦可使2片附電子裝置用構件之積層體22之電子裝置用構件20彼此對向,將兩者貼合,組裝附全部構件之積層體,其後,將2片附矽酮樹脂層之玻璃基材自附全部構件之積層體剝離,從而亦可製造電子裝置。
例如,若以製造OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極體)之情形為例,則為了於積層體10之聚醯亞胺樹脂層16之阻氣層18上之與矽酮樹脂層14側為相反側之表面18a上形成有機EL構造體,而進行:形成透明電極;進而於形成透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等;形成背面電極;使用密封板進行密封等各種之層形成或處理。作為該等層形成或處理,具體而言,例如可例舉:成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
(分離步驟)
分離步驟係如下步驟:如圖4所示,以矽酮樹脂層14與聚醯亞胺樹脂層16之界面作為剝離面,由上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體22分離成積層有電子裝置用構件20之聚醯亞胺樹脂層16與附矽酮樹脂層之玻璃基材26,獲得包含電子裝置用構件20、阻氣層18及聚醯亞胺樹脂層16之電子裝置24。
於經剝離之聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上之電子裝置用構件20為所需之全部構成構件之形成中之一部分之情形時,亦可於分離後,使剩餘之構成構件形成於聚醯亞胺樹脂層16上之阻氣層18上。
將聚醯亞胺樹脂層16與矽酮樹脂層14剝離之方法並無特別限制。例如,可向聚醯亞胺樹脂層16與矽酮樹脂層14之界面插入銳利之刀狀物,給以剝離之契機後,一面吹送水與壓縮空氣之混合流體一面進行剝離。又,亦可使用雷射舉離法。
較佳為,使附電子裝置用構件之積層體22以玻璃基材12成為上側、電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上,使電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上,於該狀態下,首先將刀狀物插入至聚醯亞胺樹脂層16與矽酮樹脂層14之界面中。其後,由複數個真空吸附墊吸附玻璃基材12側,自插入有刀狀物之部位附近起依次升高真空吸附墊。如此,可輕易將附矽酮樹脂層之玻璃基材26(參照圖4)剝離。
又,於將聚醯亞胺樹脂層16與矽酮樹脂層14剝離時,在將電子裝置用構件20製作成複數個元件之情形時,可將包含聚醯亞胺樹脂層16、阻氣層18及電子裝置用構件20之電子裝置24切割成單個元件後,對切割之元件逐一實施聚醯亞胺樹脂層16與矽酮樹脂層14之間之剝離。作為切割成各元件之方法,可例舉:藉由雷射光束進行切割之方法、藉由切割機(dicing saw)等切割加工機械進行切割之方法。
於自附電子裝置用構件之積層體22分離出電子裝置24時,可藉由控制電離器之吹送或濕度,而進一步抑制矽酮樹脂層14之碎片靜電吸附於電子裝置24。
上述電子裝置之製造方法例如適宜採用美國專利申請公開第2018/0178492號說明書之段落[0210]所記載之顯示裝置之製造,作為電子裝置24,例如可例舉同說明書之段落[0211]所記載者。
又,可於實施上述分離步驟前,切割並去除積層體之未配置有電子裝置用構件之區域。
可於所分離之電子裝置24之電子裝置用構件20之與聚醯亞胺樹脂層16側為相反側之表面貼合保護膜。
又,亦可於所分離之電子裝置24之聚醯亞胺樹脂層16之與電子裝置用構件20側為相反側之表面貼合保護膜。再者,可於將保護膜貼合於聚醯亞胺樹脂層16前,視需要對聚醯亞胺樹脂層16之表面實施表面處理。作為表面處理,例如可例舉:電暈處理、大氣壓電漿處理、UV臭氧處理、準分子UV處理。表面處理後之聚醯亞胺樹脂層16之表面之水接觸角較佳為10度以下,更佳為5度以下。
由附電子裝置用構件之積層體22分離出之附矽酮樹脂層之玻璃基材26可作為玻璃原料重複利用。
又,藉由洗淨所分離出之附矽酮樹脂層之玻璃基材26之矽酮樹脂層14之表面,進而進行表面改質,可再次將其用作用以形成聚醯亞胺樹脂層之積層基板。
又,亦可將所分離出之附矽酮樹脂層之玻璃基材26之矽酮樹脂層14去除後,作為玻璃基材再利用。作為矽酮樹脂層之去除方法,可例舉:使矽酮樹脂層溶解於溶劑中之方法、對矽酮樹脂層進行機械研削或研磨之方法。
再者,上述內容中採用了有阻氣層18之構成,但並不限定於此,亦可為無阻氣層18之構成。於無阻氣層18之構成之情形時,在聚醯亞胺樹脂層16上形成、配置電子裝置用構件20。
又,如上所述,亦可為於玻璃基材12與矽酮樹脂層14之間進而設置阻氣層(未圖示)之構成。
[實施例]
以下,基於實施例等,具體地對本發明進行說明,但本發明並不限制於該等例。
以下,作為支持基材,使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃基材(線膨脹係數39×10
-7/℃,AGC股份有限公司製造之商品名「AN Wizus」)。
以下,例1~例7為實施例,例8、例9為比較例。
(硬化性矽酮1之製備)
向1 L燒瓶中加入三乙氧基甲基矽烷(179 g)、甲苯(300 g)、乙酸(5 g),於25℃下將混合物攪拌20分鐘後,進而將其加熱至60℃,使其反應12小時。使所獲得之反應粗液冷卻至25℃後,使用水(300 g),將反應粗液洗淨3次。向洗淨過之反應粗液中加入氯化三甲基矽烷(70 g),於25℃下將混合物攪拌20分鐘後,進而將其加熱至50℃,反應12小時。使所獲得之反應粗液冷卻至25℃後,使用水(300 g),將反應粗液洗淨3次。對洗淨過之反應粗液進行減壓蒸餾而去除甲苯,製成漿料狀態後,利用真空乾燥機徹夜乾燥,藉此獲得白色之有機聚矽氧烷化合物即硬化性矽酮1。硬化性矽酮1之T單元之個數:M單元之個數=87:13(莫耳比)。硬化性矽酮1之M單元、T單元之莫耳比為13:87,有機基均為甲基,平均OX基數為0.02。平均OX基數係表示1個Si原子上平均鍵結有多少個OX基(X為氫原子或烴基)之數值。
(硬化性組合物1之製備)
將硬化性矽酮(20 g)、作為金屬化合物之辛酸鋯化合物(「ORGATIX ZC-200」,Matsumoto Fine Chemical股份有限公司製造)(0.16 g)、2-乙基己酸鈰(III)(Alfa Aesar公司製造,金屬含有率12%)(0.17 g)、及作為溶劑之Isoper G(Tonen General Sekiyu K.K.股份有限公司製造)(19.7 g)混合,使用孔徑0.45 μm之過濾器過濾所獲得之混合液,藉此獲得硬化性組合物1。
<例1>
(包含玻璃基材及矽酮樹脂層之積層基板之製作)
準備PET(polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)膜(Toyobo股份有限公司製造,COSMOSHINE A4160,厚度50 μm)作為離型膜,於該膜表面上塗佈所製備之硬化性組合物1,使用加熱板,於140℃下加熱10分鐘,藉此形成矽酮樹脂層。
其次,使經水系玻璃清潔劑(Parker Corporation股份有限公司製造之「PK-LCG213」)洗淨後用純水洗淨過之100×100 mm、厚度0.5 mm之玻璃基材「AN Wizus」(支持基材)與形成有矽酮樹脂層之PET膜(尺寸:80×80 mm)貼合,製作依序配置有玻璃基材、矽酮樹脂層、及PET膜之積層體。
其次,將所獲得之積層體配置於高壓釜內,於60℃、1 MPa之條件下加熱30分鐘。其後,剝離PET膜,將包含玻璃基材及矽酮樹脂層之積層基板投入預熱至300℃之烘箱中,實施退火處理30分鐘。藉由膜厚測定系統(FILMETRICS股份有限公司製造之「F20」)測定退火處理後之矽酮樹脂層之厚度。
(包含玻璃基材、矽酮樹脂層、及聚醯亞胺樹脂層(無色聚醯亞胺膜)之積層體之製作)
對上述獲得之積層基板之矽酮樹脂層實施電暈處理後,藉由旋轉塗佈機塗佈用以形成含氟原子之聚醯亞胺之無色聚醯亞胺清漆(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之「Neopulim H230」),其後使用加熱板,於80℃下加熱20分鐘。其次,使用惰性氣體烘箱,於氮氣氛圍下,以溫度400℃加熱30分鐘,獲得依序具有玻璃基材、矽酮樹脂層、聚醯亞胺樹脂層(無色聚醯亞胺膜)之積層體。聚醯亞胺樹脂層中含有含氟原子之聚醯亞胺。
(包含玻璃基材及無色聚醯亞胺膜之積層體之製作)
準備經水系玻璃清潔劑(Parker Corporation股份有限公司製造之「PK-LCG213」)洗淨後用純水洗淨過之100×100 mm、厚度0.5 mm之玻璃基材「AN Wizus」(支持基材)。藉由旋轉塗佈機,於玻璃基材塗佈用以形成含氟原子之聚醯亞胺之無色聚醯亞胺清漆(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之「Neopulim H230」)後,使用加熱板,於80℃下加熱20分鐘。其次,使用惰性氣體烘箱,於氮氣氛圍下,以400℃加熱30分鐘,獲得依序具有玻璃基材、無色聚醯亞胺膜之積層體。
(聚醯亞胺樹脂層(無色聚醯亞胺膜)之透射紅外分光分析)
自依序具有玻璃基材、矽酮樹脂層、聚醯亞胺樹脂層之積層體將聚醯亞胺樹脂層剝離,於室溫23℃、相對濕度45%之環境下靜置1晩。其後,用刀切取少量,於載置於金剛石槽中之狀態下取得無色聚醯亞胺膜之紅外透射光譜。裝置係使用Thermo Fisher Scientific製造之Nicolet 6700FT-IR及Nicolet Continiuμm。再者,測定係於下述條件下進行。檢測器:MCT/A,累計次數:64次,波數分辨率:4.0 cm
-1,測定範圍:650~4000 cm
-1。使用解析軟體OMNIC Ver.8.2(Thermo Fisher Scientific製造),按照以下順序進行光譜之解析,以求出來自醯亞胺基之1650 cm
-1~1750 cm
-1間之波峰之面積與來自羥基之3150~3750 cm
-1間之波峰之面積之比。
首先,於無色聚醯亞胺膜之紅外透射光譜上劃出基準線,進行光譜之修正。來自醯亞胺基之波峰係以1550 cm
-1及1850 cm
-1為基準來進行基準線修正,來自羥基之波峰係以3150 cm
-1及3750 cm
-1為基準來進行基準線修正。其次,使用解析軟體之「峰面積工具」,求出各波峰之面積。對於來自醯亞胺基之波峰,於以1650 cm
-1與1750 cm
-1所劃分出之範圍內求出峰面積,對於來自羥基之波峰,於以3150 cm
-1與3750 cm
-1所劃分出之範圍內求出峰面積。最後,以來自羥基之峰面積除以來自醯亞胺基之峰面積而算出比(IR(infrared radiation,紅外線光譜)峰面積比率)。於使用Neopulim H230之例1中,IR峰面積比率為0.50。
(阻氣膜之形成及耐熱試驗)
使用電漿CVD裝置,於積層體之聚醯亞胺樹脂層(無色聚醯亞胺膜)之表面形成厚度50 nm之氮化矽膜(SiN膜)。即,積層體係有阻氣層之構成。使用惰性氣體烘箱,於氮氣氛圍下,以溫度430℃將積層體加熱1小時,實施耐熱試驗。
(聚醯亞胺樹脂層之剝離)
用手指捏住耐熱試驗後之積層體之聚醯亞胺樹脂層之端部,垂直提拉,藉此將於表面形成有SiN膜之聚醯亞胺樹脂層自積層體剝離。
(聚醯亞胺樹脂層之黃度(YI)之測定)
耐熱試驗後,使用紫外可見分光光度計「V-560」(日本分光股份有限公司製造)測定已自積層體剝離之聚醯亞胺樹脂層之透過率,依據JIS K 7373,求出黃度(YI)。使用輔助光源C,利用XYZ表色系統,根據下述式2求出YI。
YI=100(1.2769X-1.0592Z)/Y···(式2)
YI:黃度
X、Y、Z:於使用輔助光源C時之XYZ表色系統中之試驗用試樣或試驗片之三刺激值
再者,於已自積層體剝離之聚醯亞胺樹脂層之表面形成有SiN膜。
於例1之情形時,自耐熱試驗後之積層體所剝離之聚醯亞胺樹脂層之YI(第1黃色指數)為14。準備於玻璃基材上直接形成有聚醯亞胺樹脂層之參照積層體,於氮氣氛圍下,以溫度430℃將參照積層體加熱1小時後(耐熱試驗後),自參照積層體將聚醯亞胺樹脂層剝離,所剝離之聚醯亞胺樹脂層之YI(第2黃色指數)為35。第2黃色指數係無玻璃基材之狀態下之聚醯亞胺樹脂層單獨之測定值。
(聚醯亞胺樹脂層之折射率之測定)
使用折射率測定裝置(稜鏡耦合器「2010/M」,Metricon公司製造),對自耐熱試驗後之積層體剝離之聚醯亞胺樹脂層於波長658 nm之光下之折射率進行測定,獲得第1折射率。
準備於玻璃基材上直接形成有聚醯亞胺樹脂層之參照積層體,於氮氣氛圍下、以溫度430℃將參照積層體加熱1小時後(耐熱試驗後),將聚醯亞胺樹脂層自參照積層體剝離,對於所剝離之聚醯亞胺樹脂層,使用折射率測定裝置(稜鏡耦合器「2010/M」,Metricon公司製造),測定聚醯亞胺樹脂層於波長658 nm之光下之折射率,獲得第2折射率。第2折射率係無玻璃基材之狀態下之聚醯亞胺樹脂層單獨之測定值。自第2折射率減去第1折射率,求出折射率差。
(黃變抑制效果之評價)
自玻璃基材上之聚醯亞胺樹脂層之YI(第2黃色指數)減去形成於矽酮樹脂層上之聚醯亞胺樹脂層之YI(第1黃色指數),將所得之值(YI差)作為黃變抑制效果之指標,依據以下之評價基準進行評價。
A:YI差為20以上
B:YI差為10以上且未達20
C:YI差未達10
<例2~例9>
採用表1所示之含氟原子之無色聚醯亞胺清漆(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之「Neopulim H230」、「Neopulim H310」、「Neopulim H410」)、無色聚醯亞胺膜之厚度、矽酮樹脂層之厚度,除此以外與例1同樣地進行,製作評價樣品,評價黃變抑制效果。
[表1]
聚醯亞胺樹脂層 | 矽酮樹脂層之厚度(μm) | 測定結果 | 評價結果 | ||||||
商品編號 | IR峰面積比率 | 厚度(μm) | 矽酮樹脂層上之聚醯亞胺樹脂層之YI | 玻璃基材上之聚醯亞胺樹脂層之YI | YI差 | 黃變抑制 | 折射率差 | ||
例1 | Neopulim H230 | 0.50 | 5.0 | 1.0 | 14 | 35 | 21 | A | 0.009 |
例2 | Neopulim H230 | 0.50 | 5.0 | 7.0 | 8 | 35 | 27 | A | 0.010 |
例3 | Neopulim H230 | 0.50 | 5.0 | 10.0 | 7 | 35 | 28 | A | 0.010 |
例4 | Neopulim H230 | 0.50 | 5.0 | 25.0 | 7 | 35 | 28 | A | 0.010 |
例5 | Neopulim H230 | 0.50 | 10.0 | 7.0 | 15 | 45 | 30 | A | 0.011 |
例6 | Neopulim H310 | 0.64 | 5.0 | 1.0 | 18 | 32 | 14 | B | 0.005 |
例7 | Neopulim H310 | 0.64 | 5.0 | 7.0 | 13 | 32 | 19 | B | 0.007 |
例8 | Neopulim H410 | 0.91 | 5.0 | 1.0 | 35 | 38 | 3 | C | 0.001 |
例9 | Neopulim H410 | 0.91 | 5.0 | 7.0 | 29 | 38 | 9 | C | 0.003 |
將評價結果示於表1中。根據例1~例9之比較可知,若IR峰面積比率為0.9以下,則藉由在玻璃基材與聚醯亞胺樹脂層之間設置矽酮樹脂層,可抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。
若IR峰面積比率為0.6以下,則可進一步抑制聚醯亞胺樹脂層之黃變。
又,若IR峰面積比率為0.9以下,較佳為0.6以下,則折射率差變得更大。若折射率差變大,則聚醯亞胺樹脂層之黃變亦得到抑制。
參照特定之實施態樣詳細地對本發明進行了說明,但業者應當明確,可於不脫離本發明之精神及範圍之情況下,施加各種變更及修正。
本申請基於2021年11月12日提出申請之日本專利申請2021-184758,其內容以參照之形式引用至本說明書中。
10:積層體
12:玻璃基材
12a:表面
14:矽酮樹脂層
14a:表面
16:聚醯亞胺樹脂層
16a:表面
18:阻氣層
18a:表面
20:電子裝置用構件
22:附電子裝置用構件之積層體
24:電子裝置
26:附矽酮樹脂層之玻璃基材
H
1:膜厚
H
2:膜厚
圖1係模式性地表示本發明之實施方式之積層體之一例之剖視圖。
圖2係表示本發明之實施方式之積層體之聚醯亞胺樹脂層之紅外線吸收光譜之一例之圖表。
圖3係模式性地表示構件形成步驟之剖視圖。
圖4係模式性地表示分離步驟之剖視圖。
Claims (5)
- 一種積層體,其具有玻璃基材、矽酮樹脂層、及聚醯亞胺樹脂層, 上述聚醯亞胺樹脂層含有含氟原子之聚醯亞胺, 於對上述聚醯亞胺樹脂層進行紅外線吸收測定而獲得之光譜中,3150~3750 cm -1間之峰面積與1650~1750 cm -1間之峰面積之比為0.9以下。
- 如請求項1之積層體,其中上述峰面積之比為0.6以下。
- 如請求項1或2之積層體,其中上述聚醯亞胺樹脂層之膜厚之平均值/上述矽酮樹脂層之膜厚之以平均值表示之比為0.02~20。
- 一種附電子裝置用構件之積層體,其具有: 如請求項1至3中任一項之積層體、及 配置於上述積層體中之上述聚醯亞胺樹脂層上之電子裝置用構件。
- 一種電子裝置之製造方法,其包括: 構件形成步驟,其係於如請求項1至3中任一項之積層體之上述聚醯亞胺樹脂層上形成電子裝置用構件,獲得附電子裝置用構件之積層體;以及 分離步驟,其係由上述附電子裝置用構件之積層體獲得具有上述聚醯亞胺樹脂層及上述電子裝置用構件之電子裝置。
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