JP2017073424A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の割れを防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０は、ガラス基板１１及び積層部３０，４０を備え、厚さ方向から見たときに複数の角部６１を有する形状をなす。積層部３０，４０は、樹脂絶縁層３１〜３３，３８，４１〜４３，４８を積層した構造を有する。配線基板１０の側面２０には、ガラス基板１１の端面２１と樹脂絶縁層３１〜３３，３８，４１〜４３，４８の端面２２〜２９とが露出する。また、各角部６１には面取り部６２が形成される。面取り部６２において、樹脂絶縁層３１〜３３，３８，４１〜４３，４８の端面２２〜２９は、ガラス基板１１の端面２１よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっている。【選択図】図４

Description

本発明は、板状のガラス基板と、ガラス基板の両面に設けられ、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する積層部とを備える配線基板及びその製造方法に関するものである。

近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような配線基板としては、例えば、樹脂絶縁層を積層した構造を有する積層部をコア基板の両面に形成したものが実用化されている。なお、一般的に、配線基板は、配線基板となるべき形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用配線基板を、ダイシングブレードを用いて形成領域の外形線に沿って切断することにより、得ることができる。

ところで、近年、配線基板のさらなる小型化や高密度化が要求されており、例えば、コア基板をガラス基板にすることが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。ガラス基板は、主面及び裏面の平坦度が高いため、寸法精度が高く、配線の微細化に有利だからである。

特開２０１２−２３６７６４号公報（図１等） 特開２００９−２８０４５２号公報（図１等） 特開２０１４−２２４６５号公報（図１等）

しかし、図１５に示されるように、コア基板がガラス基板１０１である場合には、以下の問題が生じてしまう。即ち、配線基板は、上記したように、ダイシングブレードを用いた多数個取り用配線基板の切断によって得られ、厚さ方向から見たときに複数の角部を有する形状となる。ところが、多数個取り用配線基板の切断時には、チッピングの発生により、ガラス基板１０１の端面１０２に多数の凹部１０３が生じるおそれがある。この場合、ガラス基板１０１と樹脂絶縁層１０４（積層部）との熱膨張差に起因して、配線基板の角部に位置する凹部１０３に熱応力が集中するため、ガラス基板１０１に凹部１０３を起点としたクラック１０５が発生し、ガラス基板１０１の一部が剥れるように割れてしまう可能性が高い。その結果、配線基板の歩留まりが低下してしまうため、配線基板に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガラス基板の割れを防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供することにある。また、別の目的は、信頼性に優れた配線基板を製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、主面及び裏面を有する板状のガラス基板と、前記主面上及び前記裏面上の両方にそれぞれ設けられ、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する積層部とを備え、厚さ方向から見たときに複数の角部を有する形状をなす配線基板であって、前記配線基板の側面に、前記ガラス基板の端面と前記樹脂絶縁層の端面とが露出しており、前記複数の角部に面取り部が形成され、前記面取り部において、前記樹脂絶縁層の端面は、前記ガラス基板の端面よりも前記配線基板の中央部側に引き下がっていることを特徴とする配線基板がある。

従って、手段１に記載の発明によると、ガラス基板と樹脂絶縁層（積層部）との熱膨張差に起因する熱応力が配線基板の角部に加わったとしても、角部への応力集中が、面取り部を設けることによって緩和される。しかも、面取り部では、樹脂絶縁層の端面が、ガラス基板の端面よりも配線基板の中央部側に引き下がっているため、ガラス基板の端面に対する上記した熱応力の応力集中が緩和される。以上の結果、ガラス基板の端面に生じた凹部を起点とするガラス基板の割れの発生を防止することができる。ゆえに、配線基板の歩留まりを向上させることができるため、配線基板の信頼性が向上する。

上記配線基板を構成する積層部は、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有している。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層の形成材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂や感光性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

上記配線基板を構成するガラス基板は、主面及びその反対側に位置する裏面を有している。ガラス基板の形成材料は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。ガラス基板の形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミック等が好適に使用される。

なお、ガラス基板は、ガラス基板を厚さ方向に貫通するとともに、主面側及び裏面側を導通させる貫通導体を有していることがよい。このようにすれば、貫通導体を介して、主面側の積層部と裏面側の積層部とを確実に電気的に接続できる。ここで、貫通導体は、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、タングステンなどの導電性金属からなるが、特には、導電性が高く安価な銅からなることがよい。

また、ガラス基板の厚さは特に限定されないが、例えば１．０ｍｍ以下であることがよい。仮に、ガラス基板の厚さが１．０ｍｍよりも大きくなると、ガラス基板、ひいては配線基板が肉厚になってしまう。

さらに、上記配線基板が有する複数の角部には面取り部が形成される。面取り部を構成するガラス基板の端面は、配線基板の厚さ方向から見て直線状をなしていてもよいし、配線基板の厚さ方向から見て配線基板の外周側に突出する円弧状をなしていてもよいが、円弧状をなしていることがよい。このようにすれば、面取り部を構成するガラス基板の端面に「角」が存在しなくなるため、応力集中をより確実に緩和することができる。しかも、面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径は、０．３ｍｍ以上であることがよい。仮に、面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径が０．３ｍｍ未満であると、応力集中を確実に緩和できないため、ガラス基板に割れが生じる可能性がある。さらに、面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径は、２．０ｍｍ以下であることがよい。仮に、面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径が２．０ｍｍよりも大きくなると、配線基板を厚さ方向から見たときの面積が小さくなるため、配線基板へのＩＣチップの搭載が困難になったり、配線基板に多くの配線を設けることが困難になったりする可能性がある。ここで、ガラス基板の端面の「曲率」とは、ガラス基板を厚さ方向から見たときの円弧状をなす面取り部の曲率をいう。

また、面取り部を構成するガラス基板の端面の表面粗さＲａは、０．０６μｍ以下であることがよい。このようにすれば、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部が小さくなる。その結果、ガラス基板と樹脂絶縁層（積層部）との熱膨張差に起因する熱応力がガラス基板の端面に生じた凹部に集中しにくくなるため、凹部を起点とするクラックの発生を防止することができる。その結果、配線基板の歩留まりを向上させることができるため、配線基板の信頼性が向上する。

ここで、本明細書で述べられている「表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、表面粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１：２００１に準じるものとする。例えば、ガラス基板の端面の表面粗さＲａは以下のようにして測定される。まず、ガラス基板の端面（具体的には、ガラス基板の厚さ方向における中心から主面または裏面までの範囲を１００％としたときにガラス基板の厚さ方向における中心から８０％の範囲内）に、５つの測定領域（縦１０μｍ×横１０μｍ）を設定する。次に、各測定領域に対して、レーザ顕微鏡を用いて表面粗さの測定を行った後、得られた測定値の平均値を算出する。そして、この算出された平均値が表面粗さＲａとなる。

なお、隣接する面取り部同士の間においては、配線基板の側面を構成するガラス基板の端面と、配線基板の側面を構成する樹脂絶縁層の端面とが面一になっていることがよい。このようにすれば、樹脂絶縁層によってガラス基板を保護できるため、ガラス基板の破損を防止することができる。その結果、配線基板の歩留まりが向上するため、配線基板の信頼性がよりいっそう向上する。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の配線基板を製造する方法であって、前記ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備するガラス基板準備工程と、前記ガラス基板準備工程後、前記多数個取り用ガラス基板の前記主面上及び前記裏面上の両方にそれぞれ前記積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成する積層部形成工程とを含み、前記積層部形成工程後、前記多数個取り用配線基板において前記配線基板の角部となる部分を非機械的に除去する加工を行うことにより、前記面取り部を形成する面取り部形成工程と、前記多数個取り用配線基板を前記基板形成領域の外形線に沿って機械的な加工を行うことにより、複数個の前記配線基板に分割する分割工程とを行うことを特徴とする配線基板の製造方法がある。

従って、手段２に記載の発明によると、面取り部形成工程において、角部に面取り部を形成するため、完成した配線基板の角部に対して、ガラス基板と樹脂絶縁層（積層部）との熱膨張差に起因する熱応力が加わったとしても、角部への応力集中が面取り部によって緩和される。その結果、角部への応力集中を起因とするガラス基板の割れの発生を防止することができる。ゆえに、配線基板の歩留まりを向上させることができるため、配線基板の信頼性が向上する。

しかも、ガラス基板準備工程では、ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備し、積層部形成工程では、多数個取り用ガラス基板の主面上及び裏面上の両方にそれぞれ積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成し、分割工程では、多数個取り用配線基板を基板形成領域の外形線に沿って機械的な加工を行うことにより、複数個の配線基板に分割している。このため、複数個の配線基板を効率良く製造することができる。

ここで、面取り部形成工程において、多数個取り用配線基板において配線基板の角部となる部分を非機械的に除去する加工を行う手法としては、レーザの照射によって配線基板の角部となる部分を除去する方法や、エッチング液によって配線基板の角部となる部分を除去する方法、などが挙げられる。また、分割工程において、多数個取り用配線基板を基板形成領域の外形線に沿って機械的な加工を行う手法としては、ダイシングブレードを用いて多数個取り用配線基板を機械的に切断する方法や、基板形成領域の外形線に沿ってブレイク溝を形成した後、多数個取り用配線基板をブレイク溝に沿って分割する方法、などが挙げられる。

なお、面取り部形成工程後に分割工程を行ってもよいし、分割工程後に面取り部形成工程を行ってもよいが、特には、面取り部形成工程後に分割工程を行うことがよい。この場合、例えば、面取り部を形成するための面取り用貫通穴を１つ形成すれば、複数の面取り部が得られるため、複数個の配線基板を効率良く製造することができる。

本実施形態における配線基板を示す概略平面図。 図１のＡ−Ａ線断面図。 配線基板を示す要部平面図。 図１のＢ−Ｂ線断面図。 ガラス基板準備工程を示す説明図。 多数個取り用ガラス基板を示す概略平面図。 第１層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。 ガラス基板に貫通孔を形成する工程を示す説明図。 スルーホール導体及び金属配線層を形成する工程を示す説明図。 第２層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。 第２層の樹脂絶縁層にビア孔を形成する工程を示す説明図。 第３層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。 多数個取り用配線基板を示す概略平面図。 面取り部形成工程を示す説明図。 従来技術の問題点を示す概略断面図。

以下、本発明の配線基板１０を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１，図２に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のガラス基板１１と、ガラス基板１１の主面１２（図２では上面）上に設けられた主面側ビルドアップ層３０（積層部）と、ガラス基板１１の裏面１３（図２では下面）上に設けられた裏面側ビルドアップ層４０（積層部）とからなる。

図２に示されるように、ガラス基板１１は、主面１２及び裏面１３を有し、略矩形板状をなしている。本実施形態のガラス基板１１は、絶縁性を有する無機材料（本実施形態ではホウケイ酸ガラス）からなる基板である。なお、ガラス基板１１の大きさは、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍに設定されている。また、ガラス基板１１の厚さは、１．０ｍｍ以下（本実施形態では０．１ｍｍ（＝１００μｍ））に設定されている。本実施形態において、ガラス基板１１の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃未満、具体的には３．８ｐｐｍ／℃となっている。なお、ガラス基板１１の熱膨張係数は、３０℃〜４００℃間の測定値の平均値をいう。

また、ガラス基板１１には、主面１２及び裏面１３の両方にて開口する複数の貫通孔１５が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔１５内には、銅からなるスルーホール導体１６（貫通導体）が形成されている。これらスルーホール導体１６は、ガラス基板１１を厚さ方向に貫通するとともに、主面１２側及び裏面１３側を導通させている。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。

図２に示されるように、主面側ビルドアップ層３０は、厚さ２０μｍのプライマー樹脂（熱硬化性エポキシ樹脂）からなる１層の樹脂絶縁層３１と、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂からなる２層の樹脂絶縁層３２，３３と、厚さ８μｍの銅からなる金属配線層３４，３５，３６とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層３１〜３３の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜１００ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２３ｐｐｍ／℃となっている。即ち、上記したガラス基板１１の熱膨張係数（３．８ｐｐｍ／℃）は、樹脂絶縁層３１〜３３の熱膨張係数よりも小さくなっている。なお、樹脂絶縁層３１〜３３の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。

そして、第１層の樹脂絶縁層３１の表面上にある金属配線層３４の一部は、スルーホール導体１６の上端に電気的に接続されている。さらに、樹脂絶縁層３２，３３内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体３７が設けられている。また、樹脂絶縁層３３の表面は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層３８（樹脂絶縁層）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層３８の所定箇所には、金属配線層３６を露出させる開口部３９が形成されている。そして、金属配線層３６の表面上には、複数のはんだバンプ５１が配設されている。各はんだバンプ５１は、ＩＣチップの面接続端子に電気的に接続される。

また、図２に示されるように、裏面側ビルドアップ層４０は、上述した主面側ビルドアップ層３０と略同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層４０は、厚さ２０μｍのプライマー樹脂（熱硬化性エポキシ樹脂）からなる１層の樹脂絶縁層４１と、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂からなる２層の樹脂絶縁層４２，４３と、厚さ８μｍの銅からなる金属配線層４４，４５，４６とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層４１〜４３の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜１００ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２３ｐｐｍ／℃となっている。即ち、上記したガラス基板１１の熱膨張係数（３．８ｐｐｍ／℃）は、樹脂絶縁層４１〜４３の熱膨張係数、及び、上記した樹脂絶縁層３１〜３３の熱膨張係数（２３ｐｐｍ／℃）よりも小さくなっている。なお、樹脂絶縁層４１〜４３の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。

そして、図２に示されるように、第１層の樹脂絶縁層４１の下面上にある金属配線層４４の一部は、スルーホール導体１６の下端に電気的に接続されている。さらに、樹脂絶縁層４２，４３内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４７が設けられている。また、樹脂絶縁層４３の下面は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層４８（樹脂絶縁層）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層４８の所定箇所には、金属配線層４６を露出させる開口部４９が形成されている。そして、金属配線層４６の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ５２が配設されている。なお、各はんだバンプ５２により、図２に示される配線基板１０はマザーボード上に実装される。

図２，図４に示されるように、配線基板１０の側面２０には、ガラス基板１１の端面２１全体が露出している。同様に、側面２０には、樹脂絶縁層３１の端面２２全体、樹脂絶縁層３２の端面２３全体、樹脂絶縁層３３の端面２４全体、樹脂絶縁層４１の端面２５全体、樹脂絶縁層４２の端面２６全体、樹脂絶縁層４３の端面２７全体、ソルダーレジスト層３８の端面２８全体、及び、ソルダーレジスト層４８の端面２９全体が露出している。

図１，図３に示されるように、配線基板１０は、厚さ方向から見たときに４つの角部６１を有する平面視略矩形状をなしている。各角部６１には、曲面状の面取り部６２が形成されている。各面取り部６２は、配線基板１０において隣接する２つの側面２０の境界部分に形成されている。また、面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１は、配線基板１０の厚さ方向から見て配線基板１０の外周側に突出する円弧状をなしている。面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１の曲率半径Ｒ１（図３参照）は、０．３ｍｍ以上（本実施形態では０．４ｍｍ）である。なお、各面取り部６２の形成により、面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１の表面粗さＲａ（算術平均粗さＲａ）が、０．０６μｍ以下（本実施形態では０．０１μｍ）となる。

図３，図４に示されるように、面取り部６２において、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の端面２２〜２７、及び、ソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９は、ガラス基板１１の端面２１よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっている。樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３及びソルダーレジスト層３８，４８はガラス基板１１よりもレーザの吸収率が高いため、レーザを照射した際に、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３及びソルダーレジスト層３８，４８の端部が熱で消失し、端面２２〜２９が端面２１よりも引き下がった状態となる。詳述すると、樹脂絶縁層３２，４２の端面２３，２６は、樹脂絶縁層３１，４１の端面２２，２５よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっており、樹脂絶縁層３３，４３の端面２４，２７は、樹脂絶縁層３２，４２の端面２３，２６よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっている。さらに、ソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９は、樹脂絶縁層３３，４３の端面２８，２９よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっている。ここで、端面２８の上端において、面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１に対するソルダーレジスト層３８の引き下がり量の最大値は、２０μｍとなっている。同様に、端面２９の下端において、面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１に対するソルダーレジスト層４８の引き下がり量の最大値は、２０μｍとなっている。なお、樹脂絶縁層３１，４１の端面２２，２５の曲率半径は、面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１の曲率半径Ｒ１（０．４ｍｍ）よりも大きく、本実施形態では０．５ｍｍ以上０．７ｍｍ以下となっている。樹脂絶縁層３２，４２の端面２３，２６の曲率半径は、樹脂絶縁層３１，４１の端面２２，２５の曲率半径よりも大きく、本実施形態では０．７ｍｍ以上０．９ｍｍ以下となっている。樹脂絶縁層３３，４３の端面２４，２７の曲率半径は、樹脂絶縁層３２，４２の端面２３，２６の曲率半径よりも大きく、本実施形態では０．９ｍｍ以上１．１ｍｍ以下となっている。ソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９の曲率半径は、樹脂絶縁層３３，４３の端面２４，２７の曲率半径よりも大きく、本実施形態では１．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下となっている。

また、図４に示されるように、面取り部６２において、ガラス基板１１の主面１２と端面２１との境界部分、及び、ガラス基板１１の裏面１３と端面２１との境界部分には、面取り部６３がそれぞれ形成されている。各面取り部６３は、ガラス基板１１の外側に凸となる曲面状をなし、曲率半径が０．１ｍｍとなっている。

なお、図２に示されるように、隣接する面取り部６２同士の間において、配線基板１０の側面２０を構成する樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の端面２２〜２７、及び、側面２０を構成するソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９は、側面２０を構成するガラス基板１１の端面２１から引き下がっておらず、端面２１と面一になっている。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。

まず、ガラス基板準備工程では、主面１２及び裏面１３を有するガラス基板１１をあらかじめ準備しておく（図５参照）。具体的には、無アルカリ薄ガラス基板を用意する。無アルカリ薄ガラス基板は、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ０．１ｍｍ（＝１００μｍ）の矩形板状をなしている。なお、無アルカリ薄ガラス基板は、ガラス基板１１となるべき基板形成領域１１１が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用ガラス基板１１０である（図６参照）。

そして、ガラス基板準備工程後、洗浄工程を実施し、ガラス基板１１（多数個取り用ガラス基板１１０）の主面１２及び裏面１３を洗浄する。次に、従来公知のシランカップリング剤（例えば、信越化学工業株式会社製のもの）を用いて、主面１２全体及び裏面１３全体に対するカップリング処理を行う。

続く積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、多数個取り用ガラス基板１１０の主面１２上に主面側ビルドアップ層３０を形成するとともに、多数個取り用ガラス基板１１０の裏面１３上に裏面側ビルドアップ層４０を形成する。具体的に言うと、まず、カップリング処理が施された主面１２に、未硬化状態の樹脂絶縁層３１となる主面側樹脂シートをラミネートする。また、同じくカップリング処理が施された裏面１３に、未硬化状態の樹脂絶縁層４１となる裏面側樹脂シートをラミネートする。なお、主面側樹脂シート及び裏面側樹脂シートは、プライマー樹脂（本実施形態では熱硬化性エポキシ樹脂）からなり、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ２０μｍの矩形板状をなしている。その後、加熱処理（仮キュア）を所定時間行うと、主面側樹脂シートが硬化して第１層の樹脂絶縁層３１となるとともに、裏面側樹脂シートが硬化して第１層の樹脂絶縁層４１となる（図７参照）。

次に、炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ガラス基板１１及び樹脂絶縁層３１，４１を貫通する貫通孔１５を多数個形成する（図８参照）。さらに、貫通孔１５内に残存するスミアを除去するデスミア工程を行う。

次に、セミアディティブ法を用いて無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことにより、貫通孔１５内にスルーホール導体１６を形成するとともに、樹脂絶縁層３１，４１の表面上にそれぞれ金属配線層３４，４４を形成する（図９参照）。なお、スルーホール導体１６及び金属配線層３４，４４を別の方法、例えば、サブトラクティブ法やフルアディティブ法を用いて形成してもよい。

そして、金属配線層３４，４４の表面を粗化する表面粗化工程を行った後、スルーホール導体１６内に閉塞体１７を充填形成する（図１０参照）。次に、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂を樹脂絶縁層３１，４１上に被着（貼付）することにより、第２層の樹脂絶縁層３２，４２を形成する（図１０参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、液晶ポリマーや感光性エポキシ樹脂等の絶縁樹脂を被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３７，４７が形成されるべき位置にビア孔１２１，１２２を形成する（図１１参照）。具体的には、樹脂絶縁層３２を貫通するビア孔１２１を形成し、金属配線層３４の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４２を貫通するビア孔１２２を形成し、金属配線層４４の表面を露出させる。

さらに、ビア孔１２１，１２２内に残存するスミアを除去するデスミア工程を行う。次に、ビア孔１２１，１２２の内側面、樹脂絶縁層３２の表面（図１１では上面）、及び、樹脂絶縁層４２の表面（図１１では下面）に対して、セミアディティブ法を用いて無電解銅めっき及び電解銅めっきを行う。その結果、ビア孔１２１，１２２内にそれぞれビア導体３７，４７が形成されるとともに、樹脂絶縁層３２，４２の表面上にそれぞれ金属配線層３５，４５が形成される（図１２参照）。

次に、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂を樹脂絶縁層３２，４２上に被着（貼付）することにより、第３層の樹脂絶縁層３３，４３を形成する（図１２参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、液晶ポリマーや感光性エポキシ樹脂等の絶縁樹脂を被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３７，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３３を貫通するビア孔を形成し、金属配線層３５の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４３を貫通するビア孔を形成し、金属配線層４５の表面を露出させる。

さらに、ビア孔内に残存するスミアを除去するデスミア工程を行う。次に、ビア孔の内側面、樹脂絶縁層３３の表面（図１２では上面）、及び、樹脂絶縁層４３の表面（図１２では下面）に対して、それぞれセミアディティブ法を用いて無電解銅めっき及び電解銅めっきを行う。その結果、樹脂絶縁層３３，４３に形成されたビア孔内にそれぞれビア導体３７，４７が形成されるとともに、樹脂絶縁層３３，４３の表面上にそれぞれ金属配線層３６，４６が形成される（図１２参照）。

次に、樹脂絶縁層３３の表面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層３８を形成する。また、樹脂絶縁層４３の表面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層４８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層３８に開口部３９を形成するとともに、ソルダーレジスト層４８に開口部４９を形成する。なお、この状態のものは、多数個取り用ガラス基板１１０の主面１２上及び裏面１３上の両方にそれぞれビルドアップ層３０，４０が設けられた多数個取り用配線基板１３１（図１３参照）であると把握することができる。

さらに、樹脂絶縁層３３の表面上に形成された金属配線層３６上に、はんだペーストを印刷する。また、樹脂絶縁層４３の表面上に形成された金属配線層４６上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された多数個取り用配線基板１３１をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ搭載用のはんだバンプ５１が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ５２が形成される。

積層部形成工程後の面取り部形成工程では、多数個取り用配線基板１３１において配線基板１０の角部６１となる部分を非機械的（即ち、熱的）に除去する加工を行うことにより、面取り部６２を形成するための面取り用貫通穴１３２を形成する（図１４参照）。詳述すると、面取り部形成工程では、多数個取り用配線基板１３１にレーザ照射装置（図示略）を向けた状態で、基板形成領域１１１の外形線Ｌ１の交差部分に対してレーザ（本実施形態では炭酸ガスレーザ）を照射する。このとき、レーザ照射装置は、多数個取り用配線基板１３１の平面方向に移動しながらレーザを照射する。ここで、レーザが入射する入射方向と多数個取り用配線基板１３１の表面の法線とで形成されるレーザの入射角は、０°に設定される。

その結果、外形線Ｌ１の交差部分が熱で消失し、面取り用貫通穴１３２が形成される。なお、面取り用貫通穴１３２の内側面は、４つの凸曲面からなる。各凸曲面は、多数個取り用配線基板１３１の厚さ方向から見て面取り用貫通穴１３２の中央部側に突出する円弧状をなしている。また、面取り用貫通穴１３２の内側面の表面粗さＲａは、０．０６μｍ以下（本実施形態では０．０１μｍ）となる。

なお、照射されたレーザの一部は、ガラス基板１１だけでなく、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３及びソルダーレジスト層３８，４８にも照射されてしまう。このとき、レーザの吸収率が比較的低いガラス基板１１よりも、レーザの吸収率が比較的高い樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３及びソルダーレジスト層３８，４８の方がより多く消失するようになる。その結果、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の端面２２〜２７及びソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９が、ガラス基板１１の端面２１よりも基板形成領域１１１（配線基板１０）の中央部側に引き下がった状態となる（図４参照）。

そして、面取り部形成工程後（即ち積層部形成工程後）に分割工程を行う。分割工程では、多数個取り用配線基板１３１を基板形成領域１１１の外形線Ｌ１に沿って機械的な加工を行う。具体的に言うと、分割工程では、従来周知の切断装置（本実施形態ではダイシング装置）を用いて、多数個取り用配線基板１３１を基板形成領域１１１の外形線Ｌ１に沿って切断する。本実施形態では、♯１０００相当、刃厚０．０３ｍｍのダイシングブレードを用いて、切断速度０．８ｍｍ／ｓ、回転数３００００ｒｐｍの条件下で多数個取り用配線基板１３１を機械的に切断する。その結果、基板形成領域１１１同士が分割され、ガラス基材１１の端面２１、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の端面２２〜２７、及び、ソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９が露出した配線基板１０が複数個同時に得られる（図２参照）。

その後、配線基板１０にＩＣチップを載置する。このとき、ＩＣチップ側の面接続端子と各はんだバンプ５１とを位置合わせする。そして、２２０〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ５１をリフローすることにより、各はんだバンプ５１と面接続端子とを接合し、配線基板１０側とＩＣチップ側とを電気的に接続する。その結果、配線基板１０にＩＣチップが搭載される。

次に、配線基板の評価方法及びその結果を説明する。

（１）配線基板の形状が信頼性に与える影響
まず、測定用サンプルを次のように準備した。角部に面取り部が形成され、面取り部において樹脂絶縁層の端面がガラス基板の端面よりも引き下がっている配線基板、即ち、本実施形態の配線基板１０と同じ配線基板を準備し、これをサンプル３（実施例）とした。また、ガラス基板にサンプル３と同じ曲率半径（０．４ｍｍ）の面取り部が形成されるものの、面取り部において樹脂絶縁層の端面の引き下がりがない配線基板を準備し、これをサンプル２（比較例２）とした。さらに、角部に面取り部自体が形成されていない配線基板を準備し、これをサンプル１（比較例１）とした。なお、測定用サンプルは、それぞれ２２個ずつ準備した。

次に、各測定用サンプル（サンプル１〜３）に対して、−６５℃〜１５０℃の熱サイクルを複数回付与する熱衝撃試験（Ｔ／Ｓ）を行った。そして、熱サイクルの回数が１００回、５００回、１０００回に到達した際に、各測定用サンプルのガラス基板にクラックが発生したか否かを観察した。その後、各測定用サンプルの歩留まり（クラックの発生が確認されないものの割合）を算出した。以上の結果を表１に示す。

その結果、サンプル１，２では、熱サイクルが５００回及び１０００回に到達した際に、歩留まりが１００％にならないことが確認された。特に、サンプル１では、熱サイクルが５００回及び１０００回に到達した際に、歩留まりが５０％未満になること（即ち、半分以上の測定用サンプルにクラックが発生すること）が確認された。一方、全てのサンプル１〜３において、付与される熱サイクルが１００回であるときに、歩留まりが１００％になることが確認された。特に、サンプル３では、熱サイクルの付与回数が異なる熱衝撃試験の全てにおいて、歩留まりが１００％になることが確認された。

以上のことから、角部に面取り部を形成し、面取り部において、樹脂絶縁層の端面をガラス基板の端面よりも配線基板の中央部側に引き下げれば、ガラス基板にクラックが発生しにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。

（２）面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径が信頼性に与える影響
まず、測定用サンプルを次のように準備した。ガラス基板にサンプル３と同じ曲率半径（０．４ｍｍ）の面取り部が形成された配線基板を準備し、これをサンプル３−３とした。また、ガラス基板に曲率半径が０．１ｍｍの面取り部が形成された配線基板を準備し、これをサンプル３−１とした。さらに、ガラス基板に曲率半径が０．３ｍｍの面取り部が形成された配線基板をサンプル３−２とし、ガラス基板に曲率半径が０．７ｍｍの面取り部が形成された配線基板をサンプル３−４とした。

次に、各測定用サンプル（サンプル３−１〜３−４）に対して、熱サイクルを複数回付与する熱衝撃試験を行った。そして、熱サイクルが１００回、５００回、１０００回に到達した際に、各測定用サンプルのガラス基板にクラックが発生したか否かを観察した。その後、各測定用サンプル部の歩留まりを算出した。以上の結果を表２に示す。

その結果、サンプル３−１では、熱サイクルが５００回及び１０００回に到達した際に、歩留まりが１００％にならないことが確認された。一方、全てのサンプル３−１〜３−４において、付与される熱サイクルが１００回であるときに、歩留まりが１００％になることが確認された。特に、サンプル３−２〜３−４では、熱サイクルの付与回数が異なる熱衝撃試験の全てにおいて、歩留まりが１００％になることが確認された。

以上のことから、面取り部を構成するガラス基板の端面の曲率半径を０．３ｍｍ以上にすれば、ガラス基板にクラックが発生しにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。

（３）面取り部を構成するガラス基板の端面の表面粗さＲａが信頼性に与える影響
まず、測定用サンプルを次のように準備した。ガラス基板に曲率半径が０．３ｍｍ、表面粗さＲａが０．０１μｍの面取り部が形成された配線基板を準備し、これをサンプルＡ１とした。また、サンプルＡ１に対して、表面粗さＲａを０．０３μｍに変更した配線基板をサンプルＡ２とし、表面粗さＲａを０．０６μｍに変更した配線基板をサンプルＡ３とし、表面粗さＲａを０．０８μｍに変更した配線基板をサンプルＡ４とし、表面粗さＲａを０．１５μｍに変更した配線基板をサンプルＡ５とした。

同様に、ガラス基板に曲率半径が０．４ｍｍ、表面粗さＲａが０．０１μｍの面取り部が形成された配線基板を準備し、これをサンプルＢ１とした。また、サンプルＢ１に対して、表面粗さＲａを０．０３μｍに変更した配線基板をサンプルＢ２とし、表面粗さＲａを０．０６μｍに変更した配線基板をサンプルＢ３とし、表面粗さＲａを０．０８μｍに変更した配線基板をサンプルＢ４とし、表面粗さＲａを０．１５μｍに変更した配線基板をサンプルＢ５とした。

さらに、ガラス基板に曲率半径が０．５ｍｍ、表面粗さＲａが０．０１μｍの面取り部が形成された配線基板を準備し、これをサンプルＣ１とした。また、サンプルＣ１に対して、表面粗さＲａを０．０３μｍに変更した配線基板をサンプルＣ２とし、表面粗さＲａを０．０６μｍに変更した配線基板をサンプルＣ３とし、表面粗さＲａを０．０８μｍに変更した配線基板をサンプルＣ４とし、表面粗さＲａを０．１５μｍに変更した配線基板をサンプルＣ５とした。

次に、各測定用サンプル（サンプルＡ１〜Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５，Ｃ１〜Ｃ５）に対して、熱サイクルを複数回付与する熱衝撃試験を行った。そして、熱サイクルが１００回、５００回、１０００回に到達した際に、各測定用サンプルのガラス基板にクラックが発生したか否かを観察した。その後、各測定用サンプル部の歩留まりを算出した。以上の結果を表３〜表５に示す。

その結果、曲率半径が０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍのいずれの場合においても、表面粗さＲａが０．０８μｍ及び０．１５μｍとなるサンプルＡ４，Ａ５，Ｂ４，Ｂ５，Ｃ４，Ｃ５では、熱サイクルが５００回及び１０００回に到達した際に、歩留まりが１００％にならないことが確認された。一方、全てのサンプルＡ１〜Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５，Ｃ１〜Ｃ５において、付与される熱サイクルが１００回であるときに、歩留まりが１００％になることが確認された。特に、サンプルＡ１〜Ａ３，Ｂ１〜Ｂ３，Ｃ１〜Ｃ３では、熱サイクルの付与回数が異なる熱衝撃試験の全てにおいて、歩留まりが１００％になることが確認された。

以上のことから、面取り部を構成するガラス基板の端面の表面粗さＲａを０．０６μｍ以下にすれば、ガラス基板にクラックが発生しにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。

（４）配線基板の形状が信頼性に与える影響
まず、測定用サンプルを次のように準備した。上記したサンプル３（厚さ方向から見て円弧状をなす面取り部が形成され、面取り部において樹脂絶縁層の端面がガラス基板の端面よりも引き下がっている配線基板）と、上記したサンプル１（角部に面取り部自体が形成されていない配線基板）とを準備した。また、厚さ方向から見て直線状をなす面取り部（いわゆるＣ面）が形成され、面取り部において樹脂絶縁層の端面がガラス基板の端面よりも引き下がっている配線基板を準備し、これをサンプル４（比較例３）とした。サンプル４において、ガラス基板の１つの端面を基準とした面取り部の面取り量を０．４ｍｍとした。なお、測定用サンプルは、それぞれ２２個ずつ準備した。

次に、各測定用サンプル（サンプル１，３，４）に対して、熱サイクルを複数回付与する熱衝撃試験を行った。そして、熱サイクルが１００回、５００回、１０００回に到達した際に、各測定用サンプルのガラス基板にクラックが発生したか否かを観察した。その後、各測定用サンプル部の歩留まりを算出した。以上の結果を表６に示す。

その結果、サンプル１，４では、熱サイクルが５００回及び１０００回に到達した際に、歩留まりが１００％にならないことが確認された。一方、全てのサンプル１，３，４において、付与される熱サイクルが１００回であるときに、歩留まりが１００％になることが確認された。特に、サンプル３では、熱サイクルの付与回数が異なる熱衝撃試験の全てにおいて、歩留まりが１００％になることが確認された。

以上のことから、厚さ方向から見て円弧状をなす面取り部を形成し、面取り部において、樹脂絶縁層の端面をガラス基板の端面よりも配線基板の中央部側に引き下げれば、ガラス基板にクラックが発生しにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０によれば、ガラス基板１１とビルドアップ層３０，４０との熱膨張差に起因する熱応力が角部６１に加わったとしても、角部６１への応力集中が、面取り部６２を設けることによって緩和される。しかも、面取り部６２では、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の端面２２〜２７、及び、ソルダーレジスト層３８，４８の端面２８，２９が、ガラス基板１１の端面２１よりも配線基板１０の中央部側に引き下がっているため、ガラス基板１１の端面２１に対する上記した熱応力の応力集中が緩和される。以上の結果、ガラス基板１１の端面２１に生じた凹部１０３（図１５参照）を起点とするガラス基板１１の割れの発生を防止することができる。ゆえに、配線基板１０の歩留まりを向上させることができるため、配線基板１０の信頼性が向上する。

（２）特開２０１４−２２４６５号公報に記載の従来技術には、ガラス基板の端面を樹脂によって保護する技術が開示されている。しかしながら、ガラス基板の端面を覆う樹脂が必要になるため、配線基板の製造コストが上昇するという問題がある。一方、本実施形態では、ガラス基板の端面を覆う樹脂を準備しなくても済むため、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなり、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。

（３）本実施形態では、ガラス基板１１の熱膨張係数（３．８ｐｐｍ／℃）が、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の熱膨張係数（２３ｐｐｍ／℃）よりも小さくなっている。この場合、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との熱膨張差に起因する熱応力は、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３よりも硬いガラス基板１１に集中する。その結果、ガラス基板１１の変形に起因した、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面の密着性の低下が防止されるため、ガラス基板１１からの樹脂絶縁層３１，４１の剥離（デラミネーション）が発生しにくくなる。なお、ガラス基板１１の熱膨張係数が樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３の熱膨張係数よりも大きくなると、ガラス基板１１よりも柔らかい樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３に熱応力が集中するため、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３が変形しやすくなり、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面の密着性が低下するおそれがある。

（４）本実施形態のＩＣチップは、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０の真上に配置される。その結果、ＩＣチップと、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ＩＣチップに対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ＩＣチップと、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

また、ＩＣチップは、高剛性であって、樹脂絶縁層３１〜３３，４１〜４３よりも熱膨張係数が小さく、ＩＣチップに熱膨張係数が近いガラス基板１１によって支持される。よって、ガラス基板１１が変形しにくくなるため、ガラス基板１１を備えた配線基板１０に実装されるＩＣチップをより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップのクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップとして、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、全ての面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１が、配線基板１０の厚さ方向から見て配線基板１０の外周側に突出する円弧状をなしていたが、配線基板１０の厚さ方向から見て直線状をなしていてもよい。また、少なくとも１つの面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１が、配線基板１０の厚さ方向から見て円弧状をなすとともに、残りの面取り部６２を構成するガラス基板１１の端面２１が、配線基板１０の厚さ方向から見て直線状をなしていてもよい。

・上記実施形態では、スルーホール導体１６が、ガラス基板１１の主面１２側及び裏面１３側を導通させる貫通導体として用いられていた。しかし、スルーホール導体１６とは異なる導体を貫通導体として用いてもよい。例えば、貫通孔１５内をめっきや導電性ペーストで完全に満たすようにして形成した導体を、貫通導体として用いてもよい。

・上記実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態がＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）となっているが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）上記手段１において、前記ガラス基板の厚さが１．０ｍｍ以下であることを特徴とする配線基板。

（２）上記手段１において、前記ガラス基板は、前記ガラス基板を厚さ方向に貫通するとともに、前記主面側及び前記裏面側を導通させる貫通導体を有することを特徴とする配線基板。

（３）上記手段１において、前記複数の樹脂絶縁層はソルダーレジスト層を含むことを特徴とする配線基板。

（４）技術的思想（３）において、前記面取り部において、前記ソルダーレジスト層の端面は、前記樹脂絶縁層の端面よりも前記配線基板の中央部側に引き下がっていることを特徴とする配線基板。

（５）上記手段２において、前記面取り部形成工程では、前記多数個取り用配線基板において前記基板形成領域の外形線が交差する部分に対してレーザを照射することにより、前記交差する部分を熱で消失させる加工を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。

１０…配線基板
１１…ガラス基板
１２…ガラス基板の主面
１３…ガラス基板の裏面
２０…配線基板の側面
２１…ガラス基板の端面
２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９…樹脂絶縁層の端面
３０…積層部としての主面側ビルドアップ層
３１，３２，３３，４１，４２，４３…樹脂絶縁層
３８，４８…樹脂絶縁層としてのソルダーレジスト層
４０…積層部としての裏面側ビルドアップ層
６１…角部
６２…面取り部
１１０…多数個取り用ガラス基板
１１１…基板形成領域
１３１…多数個取り用配線基板
Ｌ１…基板形成領域の外形線
Ｒ１…曲率半径

Claims (7)

1. 主面及び裏面を有する板状のガラス基板と、前記主面上及び前記裏面上の両方にそれぞれ設けられ、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する積層部とを備え、厚さ方向から見たときに複数の角部を有する形状をなす配線基板であって、
   前記配線基板の側面に、前記ガラス基板の端面と前記樹脂絶縁層の端面とが露出しており、
   前記複数の角部に面取り部が形成され、
   前記面取り部において、前記樹脂絶縁層の端面は、前記ガラス基板の端面よりも前記配線基板の中央部側に引き下がっている
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記面取り部を構成する前記ガラス基板の端面は、前記配線基板の厚さ方向から見て前記配線基板の外周側に突出する円弧状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記面取り部を構成する前記ガラス基板の端面の曲率半径が、０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
4. 前記面取り部を構成する前記ガラス基板の端面の表面粗さＲａが、０．０６μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 隣接する前記面取り部同士の間において、前記配線基板の側面を構成する前記ガラス基板の端面と、前記配線基板の側面を構成する前記樹脂絶縁層の端面とが面一になっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板を製造する方法であって、
   前記ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備するガラス基板準備工程と、
   前記ガラス基板準備工程後、前記多数個取り用ガラス基板の前記主面上及び前記裏面上の両方にそれぞれ前記積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成する積層部形成工程と
   を含み、
   前記積層部形成工程後、
   前記多数個取り用配線基板において前記配線基板の角部となる部分を非機械的に除去する加工を行うことにより、前記面取り部を形成する面取り部形成工程と、
   前記多数個取り用配線基板を前記基板形成領域の外形線に沿って機械的な加工を行うことにより、複数の前記配線基板に分割する分割工程と
   を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記面取り部形成工程後に前記分割工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。

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