JP2017073425A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の割れを防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０はガラス基板１１及び積層部３０，４０を備える。配線基板１０の側面２３には、ガラス基板１１の端面１４と樹脂絶縁層３１，３２，３８，４１，４２，４８の端面６１〜６６とが露出し、かつ、端面１４と端面６１〜６６とが略面一になる。また、ガラス基板１１の主面１２，１３のうち少なくとも一方の主面と端面１４との境界部分には、面取り部７１，８１が形成される。面取り部７１，８１の少なくとも一部は、ガラス基板１１の外側に凸となる曲面状をなす。また、面取り部７１，８１の表面に樹脂絶縁層３１，４１が接しており、厚さ方向における端面１４の長さが、ガラス基板１１の最大厚さよりも小さくなる。【選択図】図１

Description

本発明は、板状のガラス基板と、ガラス基板の両面に設けられ、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層した構造を有する積層部とを備える配線基板及びその製造方法に関するものである。

近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような配線基板としては、例えば、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する積層部をコア基板の両面に形成したものが実用化されている。なお、一般的に、配線基板は、配線基板となるべき形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用配線基板を、ダイシングブレードを用いて形成領域の外形線に沿って切断することにより、得ることができる。

ところで、近年、配線基板のさらなる小型化や高密度化が要求されており、例えば、コア基板をガラス基板にすることが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。ガラス基板は、主面及び裏面の平坦度が高いため、寸法精度が高く、配線の微細化に有利だからである。

特開２０１２−２３６７６４号公報（図１等） 特開２００９−２８０４５２号公報（図１等） 特開２０１４−２２４６５号公報（図１等）

しかし、図１３に示されるように、コア基板がガラス基板１０１である場合には、以下の問題が生じてしまう。即ち、配線基板は、上記したように、ダイシングブレードを用いた多数個取り用配線基板の切断によって得られる。ところが、多数個取り用配線基板の切断時には、チッピングの発生により、ガラス基板１０１の端面１０２に多数の凹部１０３が生じるおそれがある。この場合、ガラス基板１０１と樹脂絶縁層１０４（積層部）との熱膨張差に起因して、ガラス基板１０１と樹脂絶縁層１０４との界面付近に位置する凹部１０３に熱応力が集中するため、ガラス基板１０１に凹部１０３を起点としたクラック１０５が発生し、ガラス基板１０１の一部が剥れるように割れてしまう可能性が高い。その結果、配線基板の歩留まりが低下してしまうため、配線基板に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガラス基板の割れを防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供することにある。また、別の目的は、信頼性に優れた配線基板を製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、厚さ方向において互いに反対側に位置する一対の主面及び前記一対の主面の間に位置する端面を有する板状のガラス基板と、前記一対の主面上にそれぞれ設けられ、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層した構造を有する積層部とを備える配線基板であって、前記配線基板は、前記積層部の積層方向において互いに反対側に位置する一対の外表面及び前記一対の外表面の間に位置する側面を有し、前記配線基板の側面において、前記ガラス基板の端面の少なくとも一部と前記樹脂絶縁層の端面とが露出し、かつ、前記ガラス基板の端面の少なくとも一部と前記樹脂絶縁層の端面とが略面一になっており、前記一対の主面のうち少なくとも一方の主面と前記ガラス基板の端面との境界部分に面取り部が形成され、前記面取り部の少なくとも一部が、前記ガラス基板の外側に凸となる曲面状をなし、前記面取り部の表面に前記樹脂絶縁層が接しており、前記厚さ方向における前記ガラス基板の端面の長さが、前記ガラス基板の最大厚さよりも小さいことを特徴とする配線基板がある。

従って、手段１に記載の発明によると、ガラス基板と樹脂絶縁層（積層部）との熱膨張差に起因する熱応力が配線基板に加わったとしても、ガラス基板と樹脂絶縁層との界面付近への応力集中が、面取り部を設けることによって緩和される。その結果、ガラス基板と樹脂絶縁層との界面付近に生じた凹部を起点とするガラス基板の割れの発生を防止することができる。しかも、面取り部を設けることにより、凹部が発生しやすいガラス基板の端面を、最大の熱応力（最大主応力）の発生位置であるガラス基板と樹脂絶縁層との界面から離すことができるため、凹部への熱応力の集中を起因としたガラス基板の割れの発生を確実に防止することができる。さらに、面取り部の表面に樹脂絶縁層が接しており、厚さ方向におけるガラス基板の端面の長さが、ガラス基板の最大厚さよりも小さくなっている。このように構成すれば、配線基板の側面に露出する樹脂部分の面積が大きくなるとともに配線基板の側面に露出するガラス部分の面積が小さくなるため、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部の数を減らすことができる。その結果、凹部を起点とするガラス基板の割れの発生をより確実に防止することができる。ゆえに、配線基板の歩留まりを向上させることができるため、配線基板の信頼性が向上する。

上記配線基板を構成する積層部は、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層した構造を有している。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層の形成材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

上記配線基板を構成するガラス基板は、厚さ方向において互いに反対側に位置する一対の主面及び一対の主面の間に位置する端面を有している。ガラス基板の形成材料は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。ガラス基板の形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミック等が好適に使用される。

なお、上記ガラス基板が有する一対の主面のうち少なくとも一方の主面とガラス基板の端面との境界部分には、面取り部が形成される。面取り部の少なくとも一部は、ガラス基板の外側に凸となる曲線状をなしている。その結果、面取り部の少なくとも一部に「角」が存在しなくなるため、応力集中をより確実に緩和することができる。

なお、面取り部は、ガラス基板の厚さ方向における両端として第１端と第２端とを有し、主面に沿って第１端を通過する仮想の第１基準線を設定し、第１基準線に直交して第２端を通過する垂線において、第１基準線との交点と第２端とを結ぶ直線の長さを面取り部の第１の面取り量とした場合に、第１の面取り量は、例えば、ガラス基板の厚さの５％以上２５％以下となることがよい。仮に、第１の面取り量がガラス基板の厚さの５％未満になると、配線基板の側面に露出するガラス基板の端面の面積を十分に小さくすることができないため、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部の数をさほど減らすことができない。一方、第１の面取り量がガラス基板の厚さの２５％よりも大きくなると、配線基板の側面に露出するガラスの比率が低下するために、配線基板の剛性が低下してしまう。また、配線基板の側面に露出する樹脂の比率が高くなるために、配線基板に局所的な反りが生じやすくなる。

さらに、ガラス基板の端面に沿って第２端を通過する仮想の第２基準線を設定し、第２基準線に直交して第１端を通過する垂線において、第２基準線との交点と第１端とを結ぶ直線の長さを面取り部の第２の面取り量とした場合に、第２の面取り量は第１の面取り量よりも小さいことがよい。仮に、第２の面取り量が第１の面取り量よりも大きくなると、面取り部を設けたとしても、ガラス基板と樹脂絶縁層との界面を、最大の熱応力（最大主応力）の発生位置からはさほどずらすことができない。その結果、上記の界面付近に生じた凹部を起点とするガラス基板の割れを、確実に防止できない可能性がある。

また、配線基板の一対の外表面の間の距離に対する厚さ方向におけるガラス基板の端面の長さの比率で規定されるガラス基板の端面の露出率は、例えば、５０％よりも大きく、１００％未満であることがよい。仮に、ガラス基板の端面の露出率が５０％以下になると、配線基板の側面に露出するガラスの比率が低下するために、配線基板の剛性が低下してしまう。また、配線基板の側面に露出する樹脂の比率が高くなるために、配線基板に局所的な反りが生じやすくなる。一方、ガラス基板の端面の露出率が１００％になると、配線基板の側面に露出するガラス基板の端面の面積が小さくならないため、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部の数を減らすことができなくなる。

なお、面取り部の表面とガラス基板の主面とを一体的に被覆する樹脂絶縁層のうち、面取り部の表面を被覆する領域の厚さは、ガラス基板の主面に接する領域の厚さよりも大きいことがよい。このようにすれば、配線基板の側面に露出する樹脂部分の面積が確実に大きくなるとともに、配線基板の側面に露出するガラス部分の面積が確実に小さくなるため、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部の数を確実に減らすことができる。その結果、凹部を起点とするガラス基板の割れの発生をより確実に防止することができる。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の配線基板を製造する方法であって、前記ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備するガラス基板準備工程と、前記ガラス基板準備工程後、前記多数個取り用ガラス基板に対して個々の前記ガラス基板に分割するためのブレイク溝を形成することにより、前記基板形成領域を平面方向に沿って縦横に区分するブレイク溝形成工程と、前記ブレイク溝形成工程後、前記多数個取り用ガラス基板の前記一対の主面上にそれぞれ前記積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成する積層部形成工程と、前記多数個取り用配線基板を前記ブレイク溝に沿って破断することにより、複数の前記配線基板に分割する分割工程とを含み、前記分割工程における分割によって、前記ブレイク溝の内壁面が前記面取り部となり、前記積層部形成工程では、前記面取り部の表面となる前記ブレイク溝の内壁面に前記樹脂絶縁層を接触させることを特徴とする配線基板の製造方法がある。

従って、手段２に記載の発明によると、分割工程における分割によって、ブレイク溝の内壁面が面取り部となるため、完成した配線基板に対して、ガラス基板と樹脂絶縁層（積層部）との熱膨張差に起因する熱応力が加わったとしても、ガラス基板と樹脂絶縁層との界面付近への応力集中が面取り部によって緩和される。その結果、ガラス基板と樹脂絶縁層との界面付近に生じた凹部を起点とするガラス基板の割れの発生を防止することができる。しかも、面取り部により、凹部が発生しやすいガラス基板の端面を、最大の熱応力（最大主応力）の発生位置であるガラス基板と樹脂絶縁層との界面から離すことができるため、凹部への熱応力の集中を起因としたガラス基板の割れの発生を確実に防止することができる。さらに、積層部形成工程では、面取り部の表面となるブレイク溝の内壁面に樹脂絶縁層を接触させているため、完成した配線基板において、配線基板の側面に露出する樹脂部分の面積を大きくすることができる。これに伴い、配線基板の側面に露出するガラス部分の面積が小さくなるため、チッピングによってガラス基板の端面に生じる凹部の数を減らすことができる。その結果、凹部を起点とするガラス基板の割れの発生をより確実に防止することができる。ゆえに、配線基板の歩留まりを向上させることができるため、配線基板の信頼性が向上する。

しかも、ガラス基板準備工程では、ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備し、積層部形成工程では、多数個取り用ガラス基板の一対の主面上にそれぞれ積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成し、分割工程では、多数個取り用配線基板をブレイク溝に沿って破断することにより、複数の配線基板に分割している。このため、複数の配線基板を効率良く製造することができる。

本実施形態における配線基板を示す概略断面図。 配線基板を示す要部断面図。 多数個取り用ガラス基板を示す概略平面図。 多数個取り用ガラス基板を示す要部断面図。 貫通孔及びブレイク溝が形成された多数個取り用ガラス基板を示す概略平面図。 貫通孔及びブレイク溝が形成された多数個取り用ガラス基板を示す要部断面図。 ブレイク溝の構造を示す要部断面図。 スルーホール導体及び導体層を形成する工程を示す説明図。 第１層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。 第１層の樹脂絶縁層にビア孔を形成する工程を示す説明図。 第２層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す説明図。 多数個取り用配線基板を示す概略平面図。 従来技術の問題点を示す概略断面図。

以下、本発明の配線基板１０を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のガラス基板１１と、ガラス基板１１の第１主面１２（図１では上面）上に設けられた第１ビルドアップ層３０（積層部）と、ガラス基板１１の第２主面１３（図１では下面）上に設けられた第２ビルドアップ層４０（積層部）とからなる。

ガラス基板１１は、１つの第１主面１２、１つの第２主面１３、及び、４つの端面１４を有する略矩形板状をなしている。第１主面１２及び第２主面１３は、ガラス基板１１の厚さ方向において互いに反対側に位置している。また、各端面１４は、第１主面１２と第２主面１３との間に位置している。なお、本実施形態のガラス基板１１は、絶縁性を有する無機材料（本実施形態ではホウケイ酸ガラス）からなる基板である。ガラス基板１１の大きさは、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍに設定されている。また、本実施形態において、ガラス基板１１の厚さは、１００μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以上３００μｍ以下に設定されている。本実施形態において、ガラス基板１１の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃未満、具体的には３．８ｐｐｍ／℃となっている。なお、ガラス基板１１の熱膨張係数は、３０℃〜４００℃間の測定値の平均値をいう。

図１に示されるように、ガラス基板１１には、第１主面１２及び第２主面１３の両方にて開口する複数の貫通孔１５が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔１５内には、銅からなるスルーホール導体１６が形成されている。これらスルーホール導体１６は、ガラス基板１１の第１主面１２側と第２主面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、ガラス基板１１の第１主面１２には、銅からなる導体層１８がパターン形成され、ガラス基板１１の第２主面１３には、同じく銅からなる導体層１９がパターン形成されている。各導体層１８，１９は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。

図１に示されるように、第１ビルドアップ層３０は、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層３１，３２と、厚さ８μｍの銅からなる導体層３５，３６とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層３１，３２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜１００ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２３ｐｐｍ／℃となっている。なお、樹脂絶縁層３１，３２の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。

そして、樹脂絶縁層３１，３２内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体３７が設けられている。また、樹脂絶縁層３２の表面は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層３８（樹脂絶縁層）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層３８の所定箇所には、導体層３６を露出させる開口部３９が形成されている。そして、導体層３６の表面上には、複数のはんだバンプ５１が配設されている。各はんだバンプ５１は、ＩＣチップの面接続端子に電気的に接続される。

また、図１に示されるように、第２ビルドアップ層４０は、上述した第１ビルドアップ層３０と略同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層４０は、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層４１，４２と、厚さ８μｍの銅からなる導体層４５，４６とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層４１，４２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜１００ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２３ｐｐｍ／℃となっている。なお、樹脂絶縁層４１，４２の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。

そして、樹脂絶縁層４１，４２内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４７が設けられている。また、樹脂絶縁層４２の下面は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層４８（樹脂絶縁層）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層４８の所定箇所には、導体層４６を露出させる開口部４９が形成されている。そして、導体層４６の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ５２が配設されている。なお、各はんだバンプ５２により、図１に示される配線基板１０はマザーボード上に実装される。

図１，図２に示されるように、配線基板１０は、１つの第１外表面２１、１つの第２外表面２２、及び、４つの側面２３を有する略矩形板状をなしている。第１外表面２１及び第２外表面２２は、ビルドアップ層３０，４０の積層方向において互いに反対側に位置している。また、各側面２３は、第１外表面２１と第２外表面２２との間に位置している。さらに、配線基板１０の側面２３には、ガラス基板１１の端面１４の一部が露出している。ガラス基板１１の端面１４の露出率は、５０％よりも大きく、１００％未満であり、本実施形態では８７％となっている。ここで、「露出率」とは、配線基板１０の一対の外表面２１，２２間の距離に対する厚さ方向における端面１４の長さの比率で規定された値をいう。

また、配線基板１０の側面２３には、樹脂絶縁層３１の端面６１全体、樹脂絶縁層３２の端面６２全体、樹脂絶縁層４１の端面６３全体、樹脂絶縁層４２の端面６４全体、ソルダーレジスト層３８の端面６５全体、及び、ソルダーレジスト層４８の端面６６全体が露出している。そして、ガラス基板１１の端面１４の一部と樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の端面６１〜６４とが略面一になっており、端面１４の一部とソルダーレジスト層３８，４８の端面６５，６６とが略面一になっている。なお、配線基板１０の側面２３には、導体層１８，３５，３６，１９，４５，４６が露出しないようになっている。

図１，図２に示されるように、ガラス基板１１は、第１主面１２と端面１４との境界部分に第１面取り部７１を有するとともに、第２主面１３と端面１４との境界部分に第２面取り部８１を有している。第１面取り部７１及び第２面取り部８１は、ガラス基板１１の外側に凸となる曲面状をなしている。

図２に示されるように、第１面取り部７１は、ガラス基板１１の厚さ方向における両端として第１端７２と第２端７３とを有している。なお、第１主面１２に沿って第１端７２を通過する仮想の第１基準線Ｌ１を設定し、第１基準線Ｌ１に直交して第２端７３を通過する垂線Ｓ１において、第１基準線Ｌ１との交点Ｐ１と第２端７３とを結ぶ直線の長さは、第１面取り部７１の第１の面取り量Ｄ１となっている。即ち、第１の面取り量Ｄ１は、第１主面１２を基準とした第１面取り部７１の面取り量である。第１の面取り量Ｄ１は、ガラス基板１１の厚さ（３００μｍ）の５％以上２５％以下であり、本実施形態では２０μｍ（＝０．０２ｍｍ）となっている。

また、ガラス基板１１の端面１４に沿って第２端７３を通過する仮想の第２基準線Ｌ２を設定し、第２基準線Ｌ２に直交して第１端７２を通過する垂線Ｓ２において、第２基準線Ｌ２との交点Ｐ１と第１端７２とを結ぶ直線の長さは、第１面取り部７１の第２の面取り量Ｒ１となっている。即ち、第２の面取り量Ｒ１は、端面１４を基準とした第１面取り部７１の面取り量である。本実施形態の第２の面取り量Ｒ１は、４μｍ（＝０．００４ｍｍ）であり、第１の面取り量Ｄ１よりも小さくなっている。なお、第２の基準線Ｌ２は垂線Ｓ１と同じ線であり、垂線Ｓ２は第１の基準線Ｌ１と同じ線である。

図１，図２に示されるように、第１面取り部７１の表面には、第１ビルドアップ層３０を構成する最下層（第１層）の樹脂絶縁層３１の裏面が接している。なお、第１面取り部７１の表面とガラス基板１１の第１主面１２とを一体的に被覆する樹脂絶縁層３１のうち、第１面取り部７１の表面を被覆する領域の厚さは、第１主面１２に接する領域の厚さよりも大きくなっている。

同様に、第２面取り部８１も、ガラス基板１１の厚さ方向における両端として第１端８２と第２端８３とを有している。なお、第２主面１３に沿って第１端８２を通過する仮想の第１基準線Ｌ３を設定し、第１基準線Ｌ３に直交して第２端８３を通過する垂線Ｓ３において、第１基準線Ｌ３との交点Ｐ２と第２端８３とを結ぶ直線の長さは、第２面取り部８１の第１の面取り量Ｄ２となっている。即ち、第１の面取り量Ｄ２は、第２主面１３を基準とした第２面取り部８１の面取り量である。第１の面取り量Ｄ２は、ガラス基板１１の厚さ（３００μｍ）の５％以上２５％以下であり、本実施形態では２０μｍ（＝０．０２ｍｍ）となっている。即ち、第２面取り部８１の第１の面取り量Ｄ２は、第１面取り部７１の第１の面取り量Ｄ１と等しくなっている。なお、本実施形態の垂線Ｓ３は、垂線Ｓ１と同じ線である。

図２に示されるように、ガラス基板１１の端面１４に沿って第２端８３を通過する仮想の第２基準線Ｌ４を設定し、第２基準線Ｌ４に直交して第１端８２を通過する垂線Ｓ４において、第２基準線Ｌ４との交点Ｐ２と第１端８２とを結ぶ直線の長さは、第２面取り部８１の第２の面取り量Ｒ２となっている。即ち、第２の面取り量Ｒ２は、端面１４を基準とした第２面取り部８１の面取り量である。本実施形態の第２の面取り量Ｒ２は、４μｍ（＝０．００４ｍｍ）であり、第２の面取り量Ｒ１と等しく、かつ、第１の面取り量Ｄ２よりも小さくなっている。また、本実施形態の第２基準線Ｌ４は、第２基準線Ｌ２及び垂線Ｓ３と同じ線であり、垂線Ｓ４は第１の基準線Ｌ３と同じ線である。

図１，図２に示されるように、第２面取り部８１の表面には、第２ビルドアップ層４０を構成する最下層（第１層）の樹脂絶縁層４１の裏面（図１，図２では上面）が接している。なお、第２面取り部８１の表面と第２主面１３とを一体的に被覆する樹脂絶縁層４１のうち、第２面取り部８１の表面を被覆する領域の厚さは、第２主面１３に接する領域の厚さよりも大きくなっている。そして、厚さ方向におけるガラス基板１１の端面１４の長さは、ガラス基板１１の最大厚さ（３００μｍ）よりも小さく、本実施形態では２６０μｍ（＝最大厚さ−第１の面取り量Ｄ１−第１の面取り量Ｄ２）となっている。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。

まず、ガラス基板準備工程では、第１主面１２及び第２主面１３を有するガラス基板１１をあらかじめ準備しておく。具体的には、無アルカリ薄ガラス基板を用意する。無アルカリ薄ガラス基板は、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ（＝３００μｍ）の矩形板状をなしている。なお、無アルカリ薄ガラス基板は、ガラス基板１１となるべき基板形成領域１１１が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用ガラス基板１１０である（図３，図４参照）。

次に、多数個取り用ガラス基板１１０にレーザ照射装置（図示略）を向けた状態で、多数個取り用ガラス基板１１０の片面側（第１主面１２側または第２主面１３側）から基板形成領域１１１に対してレーザ（本実施形態では炭酸ガスレーザ）を照射する。このとき、レーザ照射装置は、多数個取り用ガラス基板１１０の平面方向に移動しながらレーザを照射する。その結果、多数個取り用ガラス基板１１０においてレーザが照射された部分が熱で消失し、ガラス基板１１を貫通する貫通孔１５が多数個形成される（図５，図６参照）。

ガラス基板準備工程後のブレイク溝形成工程では、多数個取り用ガラス基板１１０に対して個々のガラス基板１１に分割するためのブレイク溝１１２，１１３を形成することにより、基板形成領域１１１を平面方向に沿って縦横に区分する（図５，図６参照）。詳述すると、まず、多数個取り用ガラス基板１１０の第１主面１２側から基板形成領域１１１の外形線１１４に対してレーザを照射する。このとき、レーザ照射装置は、貫通孔１５の形成時よりもショット数や出力を低下させた状態でレーザ（炭酸ガスレーザ）を照射する。また、レーザ照射装置は、貫通孔１５をアライメントマークとして用いることにより、外形線１１４に対してレーザを照射する。そして、レーザ照射装置は、多数個取り用ガラス基板１１０の平面方向に移動しながらレーザを照射する。その結果、多数個取り用ガラス基板１１０の第１主面１２側の表層部分においてレーザが照射された部分が熱で消失し、外形線１１４に沿って連続線状の第１ブレイク溝１１２が形成される。

また、多数個取り用ガラス基板１１０の第２主面１３側から外形線１１４に対してレーザを照射する。この場合も、レーザ照射装置は、貫通孔１５の形成時よりもショット数や出力を低下させた状態でレーザ（炭酸ガスレーザ）を照射する。さらに、レーザ照射装置は、貫通孔１５をアライメントマークとして用いることにより、外形線１１４に対してレーザを照射する。即ち、貫通孔１５は、第１主面１２側からのレーザ照射と第２主面１３側からのレーザ照射とにおいて共通して用いられるアライメントマークである。また、レーザ照射装置は、多数個取り用ガラス基板１１０の平面方向に移動しながらレーザを照射する。その結果、多数個取り用ガラス基板１１０の第２主面１３側の表層部分においてレーザが照射された部分が熱で消失し、外形線１１４に沿って連続線状の第２ブレイク溝１１３が形成される。なお、第２ブレイク溝１１３は、第１主面１２側に形成された第１ブレイク溝１１２の裏側となる位置において第１ブレイク溝１１２に沿って形成される。この時点で、基板形成領域１１１が平面方向に沿って縦横に区分される。

なお、図７に示されるように、ブレイク溝１１２，１１３の開口端における幅Ｗ１は、面取り部７１，８１となるブレイク溝１１２，１１３の内壁面を基準とした第２の面取り量Ｒ１，Ｒ２（４μｍ）の２倍の大きさと、ブレイク溝１１２，１１３の底面における幅Ｗ２（３０μｍ）との合計値と等しく、本実施形態では３８μｍとなっている。なお、幅Ｗ２は、後述する分割工程において用いられるダイシングブレードの厚さと等しくなっている。また、ブレイク溝１１２，１１３の深さは、面取り部７１，８１となるブレイク溝１１２，１１３の内壁面を基準とした第１の面取り量Ｄ１，Ｄ２以上（２０μｍ以上）の大きさとなっている。

次に、第１主面１２側と第２主面１３側とから同時にチタン（Ｔｉ）のスパッタリングを行ってチタン層を形成した後、チタン層上に銅（Ｃｕ）のスパッタリングを行うことにより、第１主面１２、第２主面１３及び貫通孔１５の内側面に、分断されることなく連続したチタン層及び銅層を形成する。

次に、貫通孔１５内にスルーホール導体１６を形成し、スルーホール導体１６の第１主面１２側の端部に接続される導体層１８を形成するとともに、スルーホール導体１６の第２主面１３側の端部に接続される導体層１９を形成する（図８参照）。具体的に言うと、チタン層及び銅層が形成された第１主面１２及び第２主面１３にそれぞれドライフィルムをラミネートして、めっきレジスト（図示略）を形成する。次に、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った後、貫通孔１５の内側面に形成された銅層の表面、第１主面１２に形成された銅層の表面、及び、第２主面１３に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、貫通孔１５内にスルーホール導体１６が形成され、第１主面１２上に導体層１８が形成されるとともに、第２主面１３上に導体層１９が形成される（図８参照）。その後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストで保護されていたチタン層及び銅層をエッチングにより除去する。

なお、導体層１８，１９を別の方法で形成してもよい。詳述すると、めっきレジストを形成せずに、第１主面１２に形成された銅層の表面、及び、第２主面１３に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、第１主面１２全体を覆うベタパターンが形成されるとともに、第２主面１３全体を覆うベタパターンが形成される。その後、サブトラクティブ法でパターニングを行う。具体的には、第１主面１２上及び第２主面１３上に対してドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定パターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、第１主面１２側及び第２主面１３側のベタパターンに対して、エッチングによるパターニングを行う。この時点で、第１主面１２上に導体層１８が形成されるとともに、第２主面１３上に導体層１９が形成される（図８参照）。その後、エッチングレジストを剥離する。なお、必要に応じて、第１主面１２及び第２主面１３にプライマー樹脂（例えば、熱硬化性エポキシ樹脂）等をラミネートしてもよい。

ブレイク溝形成工程後の積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、多数個取り用ガラス基板１１０の第１主面１２上に第１ビルドアップ層３０を形成するとともに、多数個取り用ガラス基板１１０の第２主面１３上に第２ビルドアップ層４０を形成する。具体的に言うと、まず、導体層１８，１９の表面を粗化する表面粗化工程を行う。次に、従来公知のシランカップリング剤（例えば、信越化学工業株式会社製のもの）を用いてカップリング処理を行い、主面１２，１３と導体層１８，１９の表面とにシラン蒸着層（図示略）を形成する。

次に、スルーホール導体１６内に閉塞体１７を充填形成する（図９参照）。さらに、カップリング処理が施された第１主面１２に、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、第１層の樹脂絶縁層３１を形成する（図９参照）。この時点で、第１面取り部７１の表面となる第１ブレイク溝１１２の内壁面に、樹脂絶縁層３１が接触する。また、カップリング処理が施された第２主面１３に、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、第１層の樹脂絶縁層４１を形成する（図９参照）。この時点で、第２面取り部８１の表面となる第２ブレイク溝１１３の内壁面に、樹脂絶縁層４１が接触する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、液晶ポリマーや感光性エポキシ樹脂等の絶縁樹脂を被着してもよい。

さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３７，４７が形成されるべき位置にビア孔１２１，１２２を形成する（図１０参照）。具体的には、樹脂絶縁層３１を貫通するビア孔１２１を形成し、導体層１８の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４１を貫通するビア孔１２２を形成し、導体層１９の表面を露出させる。

さらに、ビア孔１２１，１２２内に残存するスミアを除去するデスミア工程を行う。次に、ビア孔１２１，１２２の内側面、樹脂絶縁層３１の表面（図１０では上面）、及び、樹脂絶縁層４１の表面（図１０では下面）に対して、セミアディティブ法を用いて無電解銅めっき及び電解銅めっきを行う。その結果、ビア孔１２１，１２２内にそれぞれビア導体３７，４７が形成されるとともに、樹脂絶縁層３１，４１の表面上にそれぞれ導体層３５，４５が形成される（図１１参照）。

次に、厚さ２３μｍの熱硬化性エポキシ樹脂を樹脂絶縁層３１，４１上に被着（貼付）することにより、第２層の樹脂絶縁層３２，４２を形成する（図１１参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、液晶ポリマーや感光性エポキシ樹脂等の絶縁樹脂を被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３７，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３２を貫通するビア孔を形成し、導体層３５の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４２を貫通するビア孔を形成し、導体層４５の表面を露出させる。

さらに、ビア孔内に残存するスミアを除去するデスミア工程を行う。次に、ビア孔の内側面、樹脂絶縁層３２の表面（図１１では上面）、及び、樹脂絶縁層４２の表面（図１１では下面）に対して、それぞれセミアディティブ法を用いて無電解銅めっき及び電解銅めっきを行う。その結果、樹脂絶縁層３２，４２に形成されたビア孔内にそれぞれビア導体３７，４７が形成されるとともに、樹脂絶縁層３２，４２の表面上にそれぞれ導体層３６，４６が形成される（図１１参照）。

次に、樹脂絶縁層３２の表面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層３８を形成する。また、樹脂絶縁層４２の表面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層４８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層３８に開口部３９を形成するとともに、ソルダーレジスト層４８に開口部４９を形成する。なお、この状態のものは、多数個取り用ガラス基板１１０の第１主面１２上及び第２主面１３上の両方にそれぞれビルドアップ層３０，４０が設けられた多数個取り用配線基板１３１（図１２参照）であると把握することができる。

さらに、樹脂絶縁層３２の表面上に形成された導体層３６上に、はんだペーストを印刷する。また、樹脂絶縁層４２の表面上に形成された導体層４６上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された多数個取り用配線基板１３１をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ搭載用のはんだバンプ５１が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ５２が形成される。

そして、積層部形成工程後に分割工程を行う。分割工程では、多数個取り用配線基板１３１を基板形成領域１１１の外形線１１４に沿って機械的な加工を行う。具体的に言うと、分割工程では、従来周知の切断装置（本実施形態では、ディスコ製のダイシング装置）を用いて、多数個取り用配線基板１３１をブレイク溝１１２，１１３（即ち、基板形成領域１１１の外形線１１４）に沿って切断する。本実施形態では、♯１０００相当、刃厚０．０３ｍｍのダイシングブレードを用いて、切断速度０．８ｍｍ／ｓ、回転数３００００ｒｐｍの条件下で多数個取り用配線基板１３１を機械的に切断する。その結果、基板形成領域１１１同士が分割され、ガラス基板１１の端面１４、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の端面６１〜６４、及び、ソルダーレジスト層３８，４８の端面６５，６６が露出した配線基板１０が複数個同時に得られる（図１参照）。また、分割工程での分割によって、第１ブレイク溝１１２の内壁面が第１面取り部７１となるとともに、第２ブレイク溝１１３の内壁面が第２面取り部８１となる。

その後、配線基板１０にＩＣチップを載置する。このとき、ＩＣチップ側の面接続端子と各はんだバンプ５１とを位置合わせする。そして、２２０〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ５１をリフローすることにより、各はんだバンプ５１と面接続端子とを接合し、配線基板１０側とＩＣチップ側とを電気的に接続する。その結果、配線基板１０にＩＣチップが搭載される。

次に、配線基板の評価方法及びその結果を説明する。

まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態の多数個取り用ガラス基板１１０と同じ多数個取り用ガラス基板に対して、本実施形態の貫通孔１５と同様の貫通孔と、本実施形態の第１ブレイク溝１１２と同様のブレイク溝とを形成した。そして、貫通孔及びブレイク溝が形成された多数個取り用ガラス基板に対して、厚さ２５μｍのビルドアップ樹脂層（味の素ファインテクノ株式会社製 ＧＸ９２）、厚さ１５μｍの銅層、及び、厚さ２５μｍのソルダーレジスト層（太陽インキ製造株式会社製 ＡＵＳ４１０）を順番に積層し、多数個取り用のパネルを形成した。なお、（銅層の面積）／（ビルドアップ樹脂層の面積）で得られる残銅率を８０％とした。その後、多数個取り用のパネルを、ダイシング装置（ディスコ製）を用いてブレイク溝に沿って破断することにより、複数のパネルに分割した。このとき、ブレイク溝の内壁面を面取り部とした。

なお、上述したパネルの製造方法により、ガラス基板の主面（本実施形態の第１主面１２と同様）を基準とした第１の面取り量Ｄ１が０ｍｍ、ガラス基板の端面（本実施形態の端面１４と同様）基準とした第２の面取り量Ｒ１が０ｍｍとなる面取り部が形成されたパネル、換言すると、面取り部自体が形成されていないパネルを準備し、これをサンプル１とした。また、第１の面取り量Ｄ１が０．０１ｍｍ、第２の面取り量Ｒ１が０．００３ｍｍとなるパネルを準備し、これをサンプル２とした。さらに、第１の面取り量Ｄ１が０．０２ｍｍ、第２の面取り量Ｒ１が０．００４ｍｍとなる面取り部が形成されたパネル、即ち、本実施形態のガラス基板１１と同じガラス基板を有するパネルを準備し、これをサンプル３とした。また、第１の面取り量Ｄ１が０．０６ｍｍ、第２の面取り量Ｒ１が０．０１２ｍｍとなるパネルを準備し、これをサンプル４とした。また、第１の面取り量Ｄ１が０．０８ｍｍ、第２の面取り量Ｒ１が０．０１５ｍｍとなるパネルを準備し、これをサンプル５とした。

次に、熱衝撃試験装置（エスペック株式会社製）を用いて、各測定用サンプル（サンプル１〜５）に対して、−６５℃〜１５０℃の熱サイクルを複数回付与する熱衝撃試験を行った。そして、熱サイクル付与前、及び熱サイクルの回数が１００回、５００回に到達した際に、金属顕微鏡を用いて、各測定用サンプルのガラス基板にクラックが発生したか否かを観察した。以上の結果を表１に示す。

また、レーザ変位計（株式会社キーエンス製）を用いて、各測定用サンプル（サンプル１〜５）に対して、パネルの反り量を測定した。具体的には、１５０ｍｍ角のパネル（即ち、分割前のサンプル１〜５）のうち１４０ｍｍ角のエリアに対して、５ｍｍピッチでパネル表面の高さを測定した。次に、測定結果に基づいてパネル表面の傾きを補正した後、パネルの高低差（＝パネル表面の高さの最大値−パネル表面の高さの最小値）を算出し、算出した値をパネルの反り量とした。以上の結果を表１に示す。

その結果、サンプル１では、熱サイクルが５００回に到達した際に、熱衝撃試験の合格率が許容ラインである９０％に到達しないことが確認された。一方、サンプル２〜５では、熱サイクルが５００回に到達した際に、熱衝撃試験の合格率が９０％を超えることが確認された。特に、サンプル３〜５では、熱サイクルが５００回に到達した際に、熱衝撃試験の合格率が１００％になることが確認された。しかしながら、サンプル５では、パネルの反り量が比較的大きい値（４６５μｍ）となるため、焦点深度が浅い露光機を用いたフォトリソグラフィーでは、パネル表面に導体層を所望の寸法で形成できない可能性があることが確認された。

以上のことから、面取り部の第１の面取り量Ｄ１を０．０１ｍｍ以上０．０６ｍｍ以下にすれば、ガラス基板にクラックが発生しにくくなるとともに、反り量も小さくなるため、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０によれば、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１（ビルドアップ層３０，４０）との熱膨張差に起因する熱応力が配線基板１０に加わったとしても、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面付近への応力集中が、面取り部７１，８１を設けることによって緩和される。その結果、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面付近に生じた凹部１０３（図１３参照）を起点とするガラス基板１１の割れの発生を防止することができる。しかも、面取り部７１，８１を設けることにより、凹部１０３が発生しやすいガラス基板１１の端面１４を、最大の熱応力（最大主応力）の発生位置であるガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面から離すことができるため、凹部１０３への熱応力の集中を起因としたガラス基板１１の割れの発生を確実に防止することができる。さらに、面取り部７１，８１の表面に樹脂絶縁層３１，３２の裏面が接しており、厚さ方向におけるガラス基板１１の端面１４の長さが、ガラス基板１１の最大厚さよりも小さくなっている。このように構成すれば、配線基板１０の側面２３に露出する樹脂部分の面積が大きくなるとともに配線基板１０の側面２３に露出するガラス部分の面積が小さくなるため、チッピングによってガラス基板１１の端面１４に生じる凹部１０３の数を減らすことができる。その結果、凹部１０３を起点とするガラス基板１１の割れの発生をより確実に防止することができる。ゆえに、配線基板１０の歩留まりを向上させることができるため、配線基板１０の信頼性が向上する。

（２）本実施形態では、配線基板１０の側面２３において、ガラス基板１１の端面１４の一部、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の端面６１〜６４、及び、ソルダーレジスト層３８，４８の端面６５，６６が露出しているものの、導体層１８，１９，３５，３６，４５，４６の端面は露出しないようになっている。つまり、導体層１８，１９，３５，３６，４５，４６は、分割工程において、ダイシングブレードによって機械的に切断されたものではないため、機械的な切断に起因した導体層１８，１９，３５，３６，４５，４６の端部でのダレの発生を防止することができる。

（３）本実施形態では、配線基板１０の側面２３において、ガラス基板１１の端面１４の一部と、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の端面６１〜６４とが面一になっている。この場合、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２によってガラス基板１１を保護できるため、ガラス基板１１の破損を防止することができる。その結果、配線基板１０の歩留まりが向上するため、配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。

（４）特開２０１４−２２４６５号公報に記載の従来技術には、ガラス基板の端面を樹脂によって保護する技術が開示されている。しかしながら、ガラス基板の端面を覆う樹脂が必要になるため、配線基板の製造コストが上昇するという問題がある。一方、本実施形態では、ガラス基板１１の端面１４を覆う樹脂を準備しなくても済むため、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなり、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。

（５）本実施形態では、ガラス基板１１の熱膨張係数（３．８ｐｐｍ／℃）が、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の熱膨張係数（２３ｐｐｍ／℃）よりも小さくなっている。この場合、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２との熱膨張差に起因する熱応力は、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２よりも硬いガラス基板１１に集中する。その結果、ガラス基板１１の変形に起因した、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面の密着性の低下が防止されるため、ガラス基板１１からの樹脂絶縁層３１，４１の剥離（デラミネーション）が発生しにくくなる。なお、ガラス基板１１の熱膨張係数が樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２の熱膨張係数よりも大きくなると、ガラス基板１１よりも柔らかい樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２に熱応力が集中するため、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２が変形しやすくなり、ガラス基板１１と樹脂絶縁層３１，４１との界面の密着性が低下するおそれがある。

（６）本実施形態のＩＣチップは、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０の真上に配置される。その結果、ＩＣチップと、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ＩＣチップに対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ＩＣチップと、ガラス基板１１及びビルドアップ層３０，４０との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

また、ＩＣチップは、高剛性であって、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２よりも熱膨張係数が小さく、ＩＣチップに熱膨張係数が近いガラス基板１１によって支持される。よって、ガラス基板１１が変形しにくくなるため、ガラス基板１１を備えた配線基板１０に実装されるＩＣチップをより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップのクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップとして、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱影響の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。

・上記実施形態の配線基板１０では、第１主面１２とガラス基板１１の端面１４との境界部分に第１面取り部７１が形成されるとともに、第２主面１３と端面１４との境界部分に第２面取り部８１が形成されていた。しかし、第１面取り部７１及び第２面取り部８１のいずれか一方を省略してもよい。

・上記実施形態では、貫通孔１５の形成後にブレイク溝１１２，１１３を形成していたが、ブレイク溝１１２，１１３の形成後に貫通孔１５を形成してもよいし、貫通孔１５及びブレイク溝１１２，１１３を同時に形成してもよい。

・上記実施形態では、貫通孔１５及びブレイク溝１１２，１１３が炭酸ガスレーザによって形成されていたが、貫通孔１５及びブレイク溝１１２，１１３を、ＵＶレーザやエキシマレーザなどの他のレーザによって形成してもよい。また、貫通孔１５及びブレイク溝１１２，１１３を、レーザとは異なる手法（例えば、レーザによる表面改質後のフッ酸エッチング、サンドブラスト、放電加工等）によって形成してもよい。

・上記実施形態のブレイク溝１１２，１１３は、連続線状のブレイク溝であったが、ミシン目状などの他の形状のブレイク溝であってもよい。

・上記実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態がＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）となっているが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）上記手段１において、前記配線基板の側面において、前記複数の導体層の端面が露出しないようになっていることを特徴とする配線基板。

（２）上記手段１において、前記複数の樹脂絶縁層はソルダーレジスト層を含むことを特徴透する配線基板。

１０…配線基板
１１…ガラス基板
１２…ガラス基板の主面としての第１主面
１３…ガラス基板の主面としての第２主面
１４…ガラス基板の端面
２１…配線基板の外表面としての第１外表面
２２…配線基板の外表面としての第２外表面
２３…配線基板の側面
３０…積層部としての第１ビルドアップ層
３１，３２，４１，４２…樹脂絶縁層
３５，３６，４５，４６…導体層
３８，４８…樹脂絶縁層としてのソルダーレジスト層
４０…積層部としての第２ビルドアップ層
６１，６２，６３，６４，６５，６６…樹脂絶縁層の端面
７１…面取り部としての第１面取り部
７２，８２…第１端
７３，８３…第２端
８１…面取り部としての第２面取り部
１１０…多数個取り用ガラス基板
１１１…基板形成領域
１１２…ブレイク溝としての第１ブレイク溝
１１３…ブレイク溝としての第２ブレイク溝
１３１…多数個取り用配線基板
Ｄ１，Ｄ２…第１の面取り量
Ｌ１，Ｌ３…第１基準線
Ｌ２，Ｌ４…第２基準線
Ｐ１，Ｐ２…交点
Ｓ１，Ｓ３…第１基準線に直交して第２端を通過する垂線
Ｓ２，Ｓ４…第２基準線に直交して第１端を通過する垂線
Ｒ１，Ｒ２…第２の面取り量

Claims (6)

1. 厚さ方向において互いに反対側に位置する一対の主面及び前記一対の主面の間に位置する端面を有する板状のガラス基板と、前記一対の主面上にそれぞれ設けられ、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層した構造を有する積層部とを備える配線基板であって、
   前記配線基板は、前記積層部の積層方向において互いに反対側に位置する一対の外表面及び前記一対の外表面の間に位置する側面を有し、
   前記配線基板の側面において、前記ガラス基板の端面の少なくとも一部と前記樹脂絶縁層の端面とが露出し、かつ、前記ガラス基板の端面の少なくとも一部と前記樹脂絶縁層の端面とが略面一になっており、
   前記一対の主面のうち少なくとも一方の主面と前記ガラス基板の端面との境界部分に面取り部が形成され、
   前記面取り部の少なくとも一部が、前記ガラス基板の外側に凸となる曲面状をなし、
   前記面取り部の表面に前記樹脂絶縁層が接しており、
   前記厚さ方向における前記ガラス基板の端面の長さが、前記ガラス基板の最大厚さよりも小さい
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記面取り部は、前記ガラス基板の前記厚さ方向における両端として第１端と第２端とを有し、
   前記主面に沿って前記第１端を通過する仮想の第１基準線を設定し、前記第１基準線に直交して前記第２端を通過する垂線において、前記第１基準線との交点と前記第２端とを結ぶ直線の長さを前記面取り部の第１の面取り量とした場合に、前記第１の面取り量は、前記ガラス基板の厚さの５％以上２５％以下となる
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記ガラス基板の端面に沿って前記第２端を通過する仮想の第２基準線を設定し、前記第２基準線に直交して前記第１端を通過する垂線において、前記第２基準線との交点と前記第１端とを結ぶ直線の長さを前記面取り部の第２の面取り量とした場合に、
   前記第２の面取り量は前記第１の面取り量よりも小さい
   ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
4. 前記配線基板の前記一対の外表面の間の距離に対する前記厚さ方向における前記ガラス基板の端面の長さの比率で規定される前記ガラス基板の端面の露出率は、５０％よりも大きく、１００％未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 前記面取り部の表面と前記ガラス基板の前記主面とを一体的に被覆する前記樹脂絶縁層のうち、前記面取り部の表面を被覆する領域の厚さが、前記ガラス基板の前記主面に接する領域の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板を製造する方法であって、
   前記ガラス基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用ガラス基板を準備するガラス基板準備工程と、
   前記ガラス基板準備工程後、前記多数個取り用ガラス基板に対して個々の前記ガラス基板に分割するためのブレイク溝を形成することにより、前記基板形成領域を平面方向に沿って縦横に区分するブレイク溝形成工程と、
   前記ブレイク溝形成工程後、前記多数個取り用ガラス基板の前記一対の主面上にそれぞれ前記積層部が設けられた多数個取り用配線基板を形成する積層部形成工程と、
   前記多数個取り用配線基板を前記ブレイク溝に沿って破断することにより、複数の前記配線基板に分割する分割工程と
   を含み、
   前記分割工程における分割によって、前記ブレイク溝の内壁面が前記面取り部となり、
   前記積層部形成工程では、前記面取り部の表面となる前記ブレイク溝の内壁面に前記樹脂絶縁層を接触させる
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。

Images