JP7115511B2 - 積層基板、電子デバイスの製造方法、および積層基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層基板、電子デバイスの製造方法および積層基板の製造方法に関する。

太陽電池；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線等を感知する受信センサーパネル；等の電子デバイスを製造する際に、特許文献１に記載されるように、ポリイミド樹脂層を基板として用いる形態が開示されている。ポリイミド樹脂層は、ガラス基板上に設けられた積層基板の状態で用いられ、積層基板が電子デバイスの製造に提供されている。電子デバイスを形成した後、ポリイミド樹脂層とガラス基板とが分離される。

日本国特開２０１５－１０４８４３号公報

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に代表される電子デバイスの耐久性のより一層の向上が求められている。
本発明者らは、特許文献１に記載されるようなガラス製の支持基材とポリイミド樹脂層とを備えた積層基板を用いて、ポリイミド樹脂層上に電子デバイス用部材を形成して得られる電子デバイスの性能について検討したところ、耐久性に関してより一層の改善の余地があることを知見した。
本発明は、耐久性に優れる電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置）を製造可能な、ポリイミド樹脂層を備える積層基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、電子デバイスの製造方法および積層基板の製造方法を提供することも目的とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の目的を達成できることを見出した。

（１） ガラス製の支持基材と、支持基材上に配置されるポリイミド樹脂層と、を備え、 ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面上において、
長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、かつ、高さが５μｍ以下である凸部の数が０．６０個／ｃｍ^２以下であり、
長辺の長さが３～１０００μｍで、短辺の長さが２０μｍ以下で、かつ、深さが１μｍ以下である凹部の数が０．１５個／ｃｍ^２以下である、積層基板。
（２） 凸部のうち、長辺の長さが１０μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下であり、ＮａおよびＣｌの少なくとも１つの元素を含む第１凸部の数が、０．１５個／ｃｍ^２以下である、（１）に記載の積層基板。
（３） 凸部のうち、長辺の長さが３μｍ以上２０μｍ未満で、短辺の長さが２０μｍ未満で、高さが５μｍ以下であり、ＳｉおよびＡｌの少なくとも１つの元素を含む第２凸部の数が、０．２５個／ｃｍ^２以下である、（１）または（２）に記載の積層基板。
（４） 凸部のうち、第１凸部および第２凸部以外の凸部であって、長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下である第３凸部の数が、０．３０個／ｃｍ^２以下である、（３）に記載の積層基板。
（５） 凸部の数が、０．２０個／ｃｍ^２以下である、（１）～（４）のいずれかに記載の積層基板。
（６） 凹部の数が、０．０７個／ｃｍ^２以下である、（１）～（５）のいずれかに記載の積層基板。
（７） （１）～（６）のいずれかに記載の積層基板のポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層基板を得る部材形成工程と、
電子デバイス用部材付き積層基板から、ポリイミド樹脂層および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
（８） （１）～（６）のいずれかに記載の積層基板の製造方法であって、
フィルム状のポリイミド樹脂層と支持基材とを貼合して、積層基板を製造する、積層基板の製造方法。
（９） フィルム状のポリイミド樹脂層とポリイミド樹脂層の一方の表面上に配置された保護フィルムとを備える積層フィルムと支持基材とを貼合して、支持基材、ポリイミド樹脂層および保護フィルムがこの順に配置された積層体を得て、積層体から保護フィルムを剥離して、積層基板を製造する、（８）に記載の積層基板の製造方法。

本発明によれば、耐久性に優れる電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置）を製造可能な、ポリイミド樹脂層を備える積層基板を提供できる。
また、本発明によれば、電子デバイスの製造方法および積層基板の製造方法を提供できる。

図１は本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す断面図である。 図２は本発明の実施形態の積層基板の第１の例中のポリイミド樹脂層の表面の拡大断面図である。 図３は凸部の長辺の長さおよび短辺の長さを説明するための図である。 図４は本発明の実施形態の積層基板の第２の例を模式的に示す断面図である。 図５は部材形成工程を模式的に示す断面図である。 図６は分離工程を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、本発明は以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明の積層基板の特徴点としては、ポリイミド樹脂層表面における所定の形状の凸部および凹部の数を調整している点が挙げられる。
本発明者らは、特許文献１に記載される従来の積層基板を用いて電子デバイスを製造した際に、得られる電子デバイスの耐久性が劣る原因として、ポリイミド樹脂層表面における所定の形状の凸部および凹部が関連していることを知見している。有機ＥＬ表示装置等の電子デバイスを製造する際には、スパッタリング等によって薄い層を形成するが、その際に、ポリイミド樹脂層上に所定の形状の凸部および凹部があると均一な層が形成できず、欠陥となりやすく、結果として得られる電子デバイスの性能が劣る。そこで、上記凸部および凹部の数を調整することにより、所望の効果が得られる。

＜積層基板＞
［積層基板の第１の例］
図１は本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す断面図である。
第１の例の積層基板１０は、ガラス製の支持基材１２と、支持基材１２上に配置されるポリイミド樹脂層１４とを備える。
図１においては、ポリイミド樹脂層１４は、支持基材１２の表面１２ａよりも面積が小さく、支持基材１２の表面１２ａ全域に設けられていないが、この形態に制限されず、支持基材１２の表面１２ａ全域にポリイミド樹脂層１４が配置されていてもよい。

支持基材１２は、ポリイミド樹脂層１４を支持する部材であり、ポリイミド樹脂層１４を補強する補強板として機能する。また、支持基材１２は、積層基板１０の搬送の際の搬送基板としても機能する。
積層基板１０において、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４とを引き剥がす方向に力を加えると、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４とに分離される。
後段で詳述するが、ポリイミド樹脂層１４は、電子デバイスの製造のために用いられる基板である。つまり、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａに、電子デバイスを構成するトランジスタ、コイルおよび抵抗等の電子素子ならびに信号線等が形成される。

図２は、本発明の実施形態の積層基板１０中のポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの拡大断面図である。
ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａにおいては、図２に示す、長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、かつ、高さが５μｍ以下である凸部１６の数が０．６０個／ｃｍ^２以下である。なお、凸部１６の短辺の長さおよび高さの下限としては、０μｍ超が挙げられる。また、後述する第１凸部～第３凸部の短辺の長さおよび高さの下限としても、０μｍ超が挙げられる。
なかでも、より耐久性に優れる電子デバイスが製造可能となる点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）から、凸部１６の数は０．２０個／ｃｍ^２以下が好ましい。下限としては、０．００１個／ｃｍ^２が挙げられる。
なお、個／ｃｍ^２は、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの１ｃｍ^２あたりの凸部の数を表す。
上記凸部１６の数の算出方法としては、まず、オルボテック社製オフライン欠陥検査システム（ＦＰＩ－６０００シリーズ（型番：ＦＰＩ６０９０Ｄ））を用いて、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａ全域における全欠点の画像データおよび座標データを取得する。次に、取得したデータから、欠点の長辺の長さおよび短辺の長さを算出する。その後、全欠点に関して、オリンパス社製レーザー顕微鏡（ＯＬＥ４１００）で観察して、平坦部との差分から欠点の高さを算出する。その後、得られた各欠点の長辺の長さ、短辺の長さ、および、高さのデータから所定の範囲内である凸部の数を、算出する。

なお、凸部１６の長辺の長さおよび短辺の長さについて図３に基づいて説明する。
図３は、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの法線方向から凸部１６を観察した図である。図３においては、凸部１６は楕円形状である。
次に、図３に示すように、凸部１６の外周に外接する平行な２本の接線のうち、接線間距離が最大となるように選ばれる平行な２本の接線の距離を長辺の長さＬとし、長さＬを与える平行な２本の接線に直交し、かつ、凸部１６の外周に外接する平行な２本の接線のうち、接線間距離が最大となるように選ばれる平行な２本の接線の接線間距離を短辺の長さＳとする。
なお、図３においては、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの法線方向から観察した際の凸部１６の形状が楕円形状であるが、凸部１６はこの形態に制限されず、真円状、多角形状、無定形状であってもよい。

また、凸部１６に含まれる元素に関して、ＳＥＭ－ＥＤＸ（走査型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分光法）を用いて測定できる。つまり、ＳＥＭでポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの所定の凸部１６を観察して、ＥＤＸにてその凸部１６に含まれる元素を特定できる。
凸部１６に含まれる元素の具体例としては、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ、Ｃｌ、Ｆｅ、Ｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃr、ＮｉおよびＣｕが挙げられる。
なお、ポリイミド樹脂層１４自体にもＣおよびＯの元素が含まれるが、凸部１６にＣおよびＯの元素が含まれるか否かは、凸部１６以外の位置におけるポリイミド樹脂層１４のＣおよびＯの含有量との比較を行い、検出する。

上記凸部のうち、長辺の長さが１０μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下であり、ＮａおよびＣｌの少なくとも１つの元素を含む第１凸部（以下、単に「第１凸部」ともいう。）の数は、本発明の効果がより優れる点から、０．１５個／ｃｍ^２以下が好ましく、０．１０個／ｃｍ^２以下がより好ましく、０．０７個／ｃｍ^２以下がより好ましく、０．０５個／ｃｍ^２以下がさらに好ましい。下限としては、０．００１個／ｃｍ^２が挙げられる。
第１凸部が生じる理由の詳細は不明だが、含まれる元素の種類より、人体の汗に由来するものと推測される。
第１凸部には、ＮａおよびＣｌ以外の元素が含まれていてもよく、例えば、ＣおよびＯが挙げられる。

上記凸部のうち、長辺の長さが３μｍ以上２０μｍ未満で、短辺の長さが２０μｍ未満で、高さが５μｍ以下であり、ＳｉおよびＡｌの少なくとも１つの元素を含む第２凸部（以下、単に「第２凸部」ともいう。）の数は、本発明の効果がより優れる点から、０．２５個／ｃｍ^２以下が好ましく、０．２０個／ｃｍ^２以下がより好ましく、０．１５個／ｃｍ^２以下がさらに好ましく、０．１０個／ｃｍ^２以下が特に好ましく、０．０７個／ｃｍ^２以下がより好ましい。下限としては、０．００１個／ｃｍ^２が挙げられる。
第２凸部が生じる理由の詳細は不明だが、含まれる元素の種類より、ガラス製の支持基材に由来するものと推測される。
第２凸部には、ＳｉおよびＡｌ以外の元素が含まれていてもよく、例えば、ＣおよびＯが挙げられる。

上記凸部のうち、第１凸部および第２凸部以外の凸部であって、長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下である第３凸部（以下、単に「第３凸部」ともいう。）の数は、本発明の効果がより優れる点から、０．３０個／ｃｍ^２以下が好ましく、０．２５個／ｃｍ^２以下がより好ましく、０．２０個／ｃｍ^２以下がさらに好ましく、０．１５個／ｃｍ^２以下が特に好ましい。
上記のように、第３凸部は、第１凸部および第２凸部のいずれにも該当しない、所定の大きさの凸部である。
第３凸部の数の下限としては、０．００１個／ｃｍ^２が挙げられる。
第３凸部に含まれる元素の種類の具体例としては、Ｃａ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｃｒ、ＮｉおよびＣｕが挙げられ、第３凸部は上記で列挙した元素のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
第３凸部が生じる理由の詳細は不明だが、環境中の上記で例示した元素を含むパーティクル、ＳＵＳなどの金属粉と推測される。

ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａにおいては、図２に示す、長辺の長さが３～１０００μｍで、短辺の長さが２０μｍ以下で、かつ、深さが１μｍ以下である凹部１８の数が０．１５個／ｃｍ^２以下である。なお、凹部１８の短辺の長さおよび深さの下限としては、０μｍ超が挙げられる。
なかでも、本発明の効果がより優れる点から、凹部１８の数は０．０７個／ｃｍ^２以下が好ましい。下限としては、０．００１個／ｃｍ^２が挙げられる。
上記凹部１８の数の算出方法としては、オルボテック社製オフライン欠陥検査システム（ＦＰＩ－６０００シリーズ（型番：ＦＰＩ６０９０Ｄ））を用いて、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａ全域における全欠点の画像データおよび座標データを取得する。次に、取得したデータから、欠点の長辺の長さおよび短辺の長さを算出する。その後、全欠点に関して、オリンパス社製レーザー顕微鏡（ＯＬＥ４１００）で観察して、平坦部との差分から欠点の深さを算出する。その後、得られた各欠点の長辺の長さ、短辺の長さ、および、深さのデータから所定の範囲内である凹部の数を、算出する。

凹部１８の長辺の長さおよび短辺の長さは、上述した凸部１６の長辺の長さおよび短辺の長さと同様の手順によって、定義される。
具体的には、凹部１８の外周に外接する平行な２本の接線のうち、接線間距離が最大となるように選ばれる平行な２本の接線の距離を長辺の長さＬとし、長さＬを与える平行な２本の接線に直交し、かつ、凹部１８の外周に外接する平行な２本の接線のうち、接線間距離が最大となるように選ばれる平行な２本の接線の接線間距離を短辺の長さＳとする。
なお、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの法線方向から観察した際の凹部１８の形状は特に制限されず、真円状、楕円形状、多角形状、無定形状であってもよい。

ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａにおいては、凸部１６よりも大きい凸部は存在しないことが好ましい。凸部１６よりも大きい凸部とは、長辺の長さが５０μｍ以上であるか、短辺の長さが５０μｍ以上であるか、または、高さが５μｍ超である、凸部を意味する。
また、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａにおいては、凹部１８よりも大きい凹部は存在しないことが好ましい。凹部１８よりも大きい凹部とは、長辺の長さが１０００μｍ超であるか、短辺の長さが２０μｍ超であるか、または、深さが１μｍ超である、凹部を意味する。

［積層基板の第１の例の製造方法］
第１の例である積層基板を製造する方法としては、上述した所定の凸部および凹部の数となるポリイミド樹脂層が形成されれば特に制限されないが、支持基材の表面上に、ポリイミド樹脂層を積層させる方法が好ましい。
なお、支持基材の表面上にポリイミド樹脂層を積層させる前に、支持基材の表面上に公知のシランカップリング剤を塗布し、その後、シランカップリング剤が塗布された支持基材の表面上にポリイミド樹脂層を積層することが好ましい。

また、積層基板の製造方法としては、フィルム状のポリイミド樹脂層と支持基材とを貼合して、積層基板を製造する方法がより好ましく、フィルム状のポリイミド樹脂層とポリイミド樹脂層の一方の表面上に配置された保護フィルムとを備える積層フィルムと支持基材とを貼合して、支持基材、ポリイミド樹脂層および保護フィルムがこの順に配置された積層体を得て、積層体から保護フィルムを剥離して、積層基板を製造する方法（以下、「方法Ｘ」ともいう。）がさらに好ましい。
特に、保護フィルムを用いる方法において、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面が保護フィルムで保護されているため、積層基板を製造する際にポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面への異物の付着や、表面での傷の発生が抑制され、結果として、所望の積層基板が得られやすい。
フィルム状のポリイミド樹脂層と支持基材とを貼合する際には、生産性に優れる点から、ロール・ツー・ロール方式で実施することが好ましい。

凸部および凹部の数を所定の範囲に調整する手段としては、ポリイミド樹脂層の形成条件を調整する方法や、後述する積層基板に対して洗浄処理を実施する方法が挙げられる。 なお、積層基板に対して、加熱処理を施して、その後、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面に洗浄処理を施すことが好ましい。なかでも、上記方法Ｘで積層基板を得た後、積層基板に対して、加熱処理を施して、その後、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面に洗浄処理を施すことが好ましい。
加熱処理を実施することにより、ポリイミド樹脂層中および表面上にある揮発成分を除去して、電子デバイスを製造する際の揮発成分の発生を抑制できる。特に、方法Ｘにおいてロール・ツー・ロール方式にて積層基板を製造した際には、貼合時に温度を高くすることができないため、揮発成分がポリイミド樹脂層中に残りやすく、上記加熱処理を実施することが好ましい。
また、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面を洗浄することにより、凸部となり得る異物や凹部の発生原因となる異物を除去できる。

なお、方法Ｘにおいて用いられる保護フィルムとしては、剥離可能な樹脂フィルムが好ましい。
方法Ｘにおいて、保護フィルムが剥離される際には、静電気の発生を防止するために、イオナイザー等の静電気除去装置を用いて除電することが好ましい。静電気が発生すると、ポリイミド樹脂層上に異物が付着することがあり、静電気除去装置を用いることにより上記異物の付着を抑制できる。
なお、上記では静電気除去装置を用いる方法を述べたが、湿度を高く（湿度：７０％以上）して、静電気の発生を抑制する方法を実施してもよい。
上記処理を実施することにより、特に、上述した第１凸部または第３凸部の数を低減できる。

上記加熱処理を実施する際には、通常、加熱装置を用いる。加熱装置に積層基板を配置する際には、加熱装置内においてポリイミド樹脂層が下向きになるように積層基板を配置することが好ましい。ポリイミド樹脂層を下向きに配置することにより、加熱装置内から積層基板に向かって落ちてくる異物がポリイミド樹脂層上に付着することを抑制できる。 上記処理を実施することにより、特に、上述した第１凸部～第３凸部の数を低減できる。

また、使用される加熱装置の具体例としては、熱風加熱装置および赤外線加熱装置が挙げられる。なかでも、熱風加熱装置を用いた場合、熱風によって異物がポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面で移動して凹部が発生することもあるため、凹部の数の低減の点から、赤外線加熱装置を用いることが好ましい。

加熱処理の条件として、加熱温度は４５０～５５０℃が好ましく、加熱時間は５分間～１時間が好ましく、昇温レートは１～１００℃／ｍｉｎが好ましい。

また、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面を洗浄する際には、ブラシを用いて洗浄することが好ましい。上記処理を実施することにより、特に、上述した第２凸部および第３凸部の数を低減できる。
洗浄処理としては、ドライ洗浄およびウェット洗浄のいずれの洗浄でもよく、ウェット洗浄が好ましい。ウェット洗浄を実施する際の洗剤の具体例としては、アルカリ水溶液が挙げられる。
ウェット洗浄の際に、ブラシを用いることが好ましい。使用するブラシの具体例としては、ロールブラシおよびディスクブラシが挙げられる。なかでも、ロールブラシを用いた場合、ロールブラシの毛先の先端部がポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面に擦れて凹部が発生することもあるため、凹部の数の低減の点から、ディスクブラシを用いることが好ましい。
ブラシを用いた場合の回転数は特に制限されないが、ディスクブラシを用いた場合、３００ｒｐｍ程度が挙げられる。

洗浄処理は、積層基板を搬送しながら実施してもよい。搬送速度としては、１～１０ｍ／ｍｉｎが挙げられる。
洗浄処理の際に、ピンチロール等の固定機構によって積層基板を固定してもよい。その際、凹部の数の低減の点から、固定機構がポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面と接触しないように、積層基板を固定することが好ましい。具体的には、支持基材のみに接触して積層基板を固定する固定機構を用いることが好ましい。
なお、上記洗浄処理を実施するために、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面に対して、コロナ処理等の親水化処理を施してもよい。親水化処理を施すことにより、洗浄効果が向上する。

［積層基板の第２の例］
図４は本発明の実施形態の積層基板の第２の例を模式的に示す断面図である。なお、図４に示す第２の例の積層基板１０において、図１に示す第１の例の積層基板１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
第２の例の積層基板１０は、図１に示す積層基板１０と比べて、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４との間にシリコーン樹脂層１３を有すること以外は、図１に示す積層基板１０と同じである。

第２の例の積層基板１０では、支持基材１２と、シリコーン樹脂層１３と、ポリイミド樹脂層１４とがこの順で積層されている。支持基材１２の表面１２ａにシリコーン樹脂層１３が設けられ、シリコーン樹脂層１３の表面１３ａにポリイミド樹脂層１４が設けられている。シリコーン樹脂層１３とポリイミド樹脂層１４とは同じ大きさであるが、支持基材１２の表面１２ａと比べて小さい。
第２の例の積層基板１０では、支持基材１２およびシリコーン樹脂層１３は、ポリイミド樹脂層１４を補強する補強板として機能する。

積層基板１０に加熱処理が施された場合、シリコーン樹脂層１３とポリイミド樹脂層１４との間の密着力よりも、支持基材１２とシリコーン樹脂層１３との間の密着力の方が大きくなることが好ましい。これは、加熱処理によって、支持基材１２のヒドロキシ基とシリコーン樹脂層１３のヒドロキシ基とが結合すること等によって生じ得る。
その結果、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４とを引き剥がす方向に力が加えられると、シリコーン樹脂層１３とポリイミド樹脂層１４との間で剥離する。これにより、ポリイミド樹脂層１４を分離できる。

［積層基板の第２の例の製造方法］
第２の例の積層基板を製造する方法は、ポリイミド樹脂層の裏面にシリコーン樹脂層を形成する方法が好ましい。具体的には、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物をフィルム状のポリイミド樹脂層の裏面（表面１４ａと反対側の面）に塗布し、得られた塗膜に対して硬化処理を施してシリコーン樹脂層を得た後、シリコーン樹脂層の裏面（表面１３ａと反対側の面）に支持基材を積層して、積層基板を製造する方法が好ましい。
より詳細には、第２の例の積層基板を製造する方法は、硬化性シリコーンの層をポリイミド樹脂層の裏面（表面１４ａと反対側の面）に形成し、ポリイミド樹脂層の裏面にシリコーン樹脂層を形成する工程（樹脂層形成工程）と、シリコーン樹脂層の裏面（表面１３ａと反対側の面）に支持基材を積層する工程（積層工程）とを、少なくとも有する。以下、上述の各工程について詳述する。

樹脂層形成工程は、硬化性シリコーンの層をポリイミド樹脂層の裏面に形成し、ポリイミド樹脂層の裏面にシリコーン樹脂層を形成する工程である。本工程によって、ポリイミド樹脂層とシリコーン樹脂層とをこの順で備えるシリコーン樹脂層付き基板が得られる。 シリコーン樹脂層付き基板は、ロール状に巻いたポリイミド樹脂層の裏面にシリコーン樹脂層を形成してから再びロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール方式での製造が可能であり、生産効率に優れる。
本工程において、ポリイミド樹脂層の裏面に硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、ポリイミド樹脂層の裏面に塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことにより硬化層を形成することが好ましい。
ポリイミド樹脂層の裏面に硬化性組成物を塗布する方法の具体例としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法およびグラビアコート法が挙げられる。
次いで、ポリイミド樹脂層の裏面に塗布された硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層を形成する。

シリコーン樹脂層を形成するための硬化の方法は特に制限されず、使用される硬化性シリコーンの種類によって適宜最適な処理が実施される。例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを用いる場合は、硬化処理としては熱硬化処理が好ましい。
熱硬化処理の条件は、ポリイミド樹脂層の耐熱性の範囲内で実施され、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
シリコーン樹脂層１３については後に説明する。

積層工程は、シリコーン樹脂層の表面に支持基材を積層する工程である。支持基材をシリコーン樹脂層の裏面上に積層する方法の具体例としては、常圧環境下でシリコーン樹脂層の裏面上に支持基材を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、シリコーン樹脂層の裏面上に支持基材を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層に支持基材を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層と支持基材との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法または真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
支持基材を積層する際には、シリコーン樹脂層に接触する支持基材の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。

なお、第２の例の積層基板を製造する方法としては、フィルム状のポリイミド樹脂層とポリイミド樹脂層の一方の表面上に配置された保護フィルムとを備える積層フィルムの保護フィルムとは反対側の表面に硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布し、得られた塗膜に対して硬化処理を施してシリコーン樹脂層を得た後、シリコーン樹脂層の裏面に支持基材を積層して、支持基材、シリコーン樹脂層、ポリイミド樹脂層および保護フィルムがこの順に配置された積層体を得て、積層体から保護フィルムを剥離して、積層基板を製造する方法が特に好ましい。上記のような保護フィルムを用いる方法において、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面が保護フィルムで保護されているため、積層基板を製造する際にポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面への異物の付着や、表面での傷の発生が抑制され、結果として、所望の積層基板が得られやすい。
シリコーン樹脂層の製造方法、および、シリコーン樹脂層の裏面に支持基材を積層する方法は、上述した通りである。
また、上記で使用される保護フィルムは、第１の例で説明した形態が挙げられ、第１の例で説明した通り、保護フィルムが剥離される際には、静電気の発生を防止するために、イオナイザー等の静電気除去装置を用いて除電することが好ましい。
さらに、第１の例と同様に、積層基板に対して、加熱処理を施して、その後、ポリイミド樹脂層の支持基材とは反対側の表面に洗浄処理を施すことが好ましい。

以下、積層基板１０を構成する支持基材１２、ポリイミド樹脂層１４およびシリコーン樹脂層１３について詳述する。

＜支持基材＞
ガラス製の支持基材１２は、ポリイミド樹脂層１４を支持して補強する部材であり、かつ搬送基板として機能する。支持基材１２は、例えば、ガラス板で構成される。
ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法としては、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形する方法が挙げられる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法およびスロットダウンドロー法が挙げられる。

支持基材１２の厚さは、ポリイミド樹脂層１４よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。積層基板１０の取り扱い性の点から、支持基材１２の厚さはポリイミド樹脂層１４よりも厚いことが好ましい。
支持基材１２は、補強板および搬送基板としての機能が要求されるものであることから、フレキシブルではないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚さは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。一方、支持基材１２の厚さは１．０ｍｍ以下が好ましい。

＜ポリイミド樹脂層＞
ポリイミド樹脂層１４は、ポリイミド樹脂からなり、例えば、ポリイミドフィルムが用いられる。ポリイミドフィルムの市販品の具体例としては、東洋紡株式会社製の「ゼノマックス」、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス ２５Ｓ」が挙げられる。
電子デバイスを構成する高精細な配線等を形成するために、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａは平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。表面粗度Ｒａの下限としては、０．０１ｎｍ以上が挙げられる。
ポリイミド樹脂層１４の厚さは、製造工程でのハンドリング性の点から、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。柔軟性の点から、ポリイミド樹脂層１４の厚さは１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド樹脂層１４の熱膨張係数と支持基材１２の熱膨張係数との差は、小さい方が加熱後または冷却後の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂層１４と支持基材１２との熱膨張係数の差は、０～９０×１０^-６／℃が好ましく、０～３０×１０^-６／℃がより好ましい。

ポリイミド樹脂層１４の面積（表面１４ａの面積）は、特に制限されないが、支持基材１２の面積よりも小さいことが好ましい。一方、ポリイミド樹脂層１４の面積は、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ^２以上が好ましい。
ポリイミド樹脂層１４の形状は、特に制限されず、矩形状であっても円形状であってもよい。ポリイミド樹脂層１４には、オリエンテーションフラット（基板の外周に形成された平坦部分）、およびノッチ（基板の外周縁に形成された、少なくとも１つのＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。

＜シリコーン樹脂層＞
シリコーン樹脂層１３は、主に、シリコーン樹脂からなるものである。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンの具体例としては、その硬化機構により、縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンが挙げられる。硬化性シリコーンの重量平均分子量は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。

シリコーン樹脂層１３の製造方法としては、上述したように、ポリイミド樹脂層１４の裏面（表面１４ａと反対側の面）に上述のシリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、塗膜を形成して、塗膜中の硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層１３とする方法が好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンの他に、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤および金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素の具体例としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス、アルミニウムおよびスズが挙げられる。金属化合物の含有量は、適宜調整される。

シリコーン樹脂層１３の厚さは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、シリコーン樹脂層１３の厚さは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上述の厚さは、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層１３の厚さを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。

＜積層基板の用途＞
積層基板１０の用途としては、後述の表示デバイス、受信センサーパネル、太陽電池、薄膜２次電池および集積回路等が挙げられる。積層基板１０は大気雰囲気下にて、例えば、４５０℃以上の高温条件に、２０分間以上曝される場合もある。
表示デバイスの具体例としては、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネルおよびＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）シャッターパネルが挙げられる。
受信センサーパネルの具体例としては、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネルおよび赤外線受光センサーパネルが挙げられる。受信センサーパネルに用いる場合、樹脂等の補強シート等によってポリイミド樹脂層が補強されていてもよい。

上述したように、本発明の積層基板を用いて、ポリイミド樹脂層と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスが製造される。
電子デバイスの製造方法としては、例えば、積層基板中のポリイミド樹脂層上に電子デバイス用部材を形成して、得られた電子デバイス用部材付き積層基板から、支持基材を剥離して、ポリイミド樹脂層と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る方法が挙げられる。
なお、上記電子デバイス用部材は、電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。

以下では、第２の例の積層基板１０を用いる場合を例に挙げて、本発明をより詳細に説明するが、第１の例の積層基板１０を用いる場合も同様である。

電子デバイスの製造方法は、積層基板１０のポリイミド樹脂層１４上に電子デバイス用部材２０を形成して電子デバイス用部材付き積層基板２２を得た後、得られた電子デバイス用部材付き積層基板２２から、シリコーン樹脂層１３とポリイミド樹脂層１４との界面を剥離面として、電子デバイス（部材付き基板２４）とシリコーン樹脂層付き支持基材２６とに分離する方法が好ましい。
電子デバイス用部材２０を形成する工程を「部材形成工程」、部材付き基板２４とシリコーン樹脂層付き支持基材２６とに分離する工程を「分離工程」という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

部材形成工程は、積層基板１０のポリイミド樹脂層１４上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図５に示すように、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａ上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層基板２２を得る。 まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

電子デバイス用部材２０は、積層基板１０中のポリイミド樹脂層１４上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示デバイス、受信センサーパネル、太陽電池、薄膜２次電池および集積回路等に用いられる部材（例えば、ＬＴＰＳ等の表示デバイス用部材、受信センサーパネル用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材および集積回路用回路）が挙げられ、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０１９２］に記載された太陽電池用部材、同段落［０１９３］に記載された薄膜２次電池用部材、同段落［０１９４］に記載された電子部品用回路が挙げられる。

上述した電子デバイス用部材付き積層基板２２の製造方法は特に制限されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層基板１０のポリイミド樹脂層１４の表面１４ａ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
電子デバイス用部材２０は、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という。）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という。）であってもよい。シリコーン樹脂層１３から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（電子デバイスに相当）とすることもできる。
シリコーン樹脂層１３から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。さらに、２枚の電子デバイス用部材付き積層基板の電子デバイス用部材同士を対向させて、両者を貼り合わせて全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚のシリコーン樹脂層付き支持基材を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層基板１０のポリイミド樹脂層１４のシリコーン樹脂層１３側とは反対側の表面（表面１４ａ）上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理の具体例としては、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

分離工程は、図６に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層基板２２から、シリコーン樹脂層１３とポリイミド樹脂層１４との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層したポリイミド樹脂層１４（部材付き基板２４）と、シリコーン樹脂層付き支持基材２６とに分離して、電子デバイス用部材２０およびポリイミド樹脂層１４を含む部材付き基板２４（電子デバイス）を得る工程である。

剥離されたポリイミド樹脂層１４上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をポリイミド樹脂層１４上に形成することもできる。

ポリイミド樹脂層１４とシリコーン樹脂層１３とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、ポリイミド樹脂層１４とシリコーン樹脂層１３との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。
好ましくは、電子デバイス用部材付き積層基板２２を、支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に配置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物状のものをポリイミド樹脂層１４とシリコーン樹脂層１３との界面に侵入させる。その後、支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物状のものを差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、シリコーン樹脂層付き支持基材２６を容易に剥離できる。

電子デバイス用部材付き積層基板２２から部材付き基板２４を分離する際においては、イオナイザーによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１３の欠片が部材付き基板２４に静電吸着することをより抑制できる。
上述した電子デバイス（部材付き基板２４）の製造方法は、例えば、米国特許出願公開第２０１８／０１７８４９２号明細書の段落［０２１０］に記載された表示装置の製造に好適であり、部材付き基板２４としては、例えば、同段落［０２１１］に記載されたものが挙げられる。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。後述する例１～７、９～１５は実施例であり、例８は比較例である。

＜デバイス耐久性評価＞
各例の積層基板から得られた有機ＥＬ表示装置を６０℃、９０％ＲＨの環境下に保管し、ダークスポットが発生する保管時間を比較した。５００時間未満でダークスポットが拡大したものを×、５００時間以上１０００時間未満でダークスポットが拡大したものを○、１０００時間以上でダークスポットが拡大したものを◎と評価した。

＜例１＞
（硬化性シリコーンの調製）
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、酢酸（５ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、６０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、５０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液からトルエンを減圧留去し、スラリー状態にした後、真空乾燥機で終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーン１を得た。硬化性シリコーン１は、Ｔ単位の個数：Ｍ単位の個数＝８７：１３（モル比）であった。なお、Ｍ単位は、（Ｒ）₃ＳｉＯ_1/2で表される１官能オルガノシロキシ単位を意味する。Ｔ単位は、ＲＳｉＯ_3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表される３官能オルガノシロキシ単位を意味する。

（硬化性組成物の調製）
硬化性シリコーン１とヘキサンとを混合し、さらに有機ジルコニウム系化合物（オクチル酸ジルコニウム化合物）および有機ビスマス系化合物（２－エチルヘキサン酸ビスマス）を添加した。溶媒量は、固形分濃度が５０質量％となるように調整した。また、金属化合物の添加量は、金属元素が樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部となるように調整した。得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。

（積層体の作製）
両面に保護フィルムが配置された、厚さ０．０１５ｍｍのポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）の一方の保護フィルムを剥離して、保護フィルムが剥離された側のポリイミドフィルムの表面上に調製した硬化性組成物を塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することにより、シリコーン樹脂層を形成した。シリコーン樹脂層の厚さは、１０μｍであった。
続いて、水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した２００×２００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス板「ＡＮ１００」（支持基材）と、シリコーン樹脂層が形成されたポリイミドフィルムとを、ロール・ツー・ロール方式で貼合して、ガラス板、シリコーン樹脂層、ポリイミドフィルムおよび保護フィルムがこの順で配置された積層体を作製した。

（加熱処理および洗浄処理）
上記積層体を加熱装置まで搬送し、加熱装置内に静置する前に保護フィルムを剥離して、加熱装置内に静置して４５０℃で０．５時間加熱した。加熱処理後、積層基板を加熱装置から取り出し、ポリイミド樹脂層表面に対してコロナ処理を施し、その後、ロールブラシを用いた洗浄処理を実施して、積層基板１を得た。洗浄処理の際には、洗浄機内において積層基板が動かないように、固定機構（ピンチロール）で積層基板を固定した。その際、固定機構はポリイミド樹脂層表面に触れていた。
なお、保護フィルムを剥離する際には、生じる静電気を防止するために、イオナイザーを用いてポリイミド樹脂層の表面の帯電を低減させた。以下、イオナイザーを用いる対策を、「対策Ａ」という。
また、加熱処理の際、加熱装置内においてポリイミド樹脂層が下向きになるように積層基板を配置した。以下、ポリイミド樹脂層が下向きとなるように積層基板を配置する対策を、「対策Ｂ」という。
また、上記コロナ処理および洗浄処理を実施する対策を、「対策Ｃ」という。
加熱装置としては、赤外線加熱装置を用いた。以下、赤外線加熱装置を用いる対策を、「対策Ｄ」という。

＜例２～１５＞
表１および２に示すように、（加熱処理および洗浄処理）の際に対策Ａ～Ｆのいずれを実施するかを変更した以外は、例１と同様の手順に従って、積層基板を得た。
なお、対策Ｅとは、洗浄機内に積層基板を固定する際に、ポリイミド樹脂層表面に触れない固定機構を使用した対策を意味する。
また、対策Ｆとは、洗浄処理の際に、ディスクブラシを用いた対策を意味する。

表１および２において、各対策を実施した場合を「有」、実施していない場合を「無」とした。
例えば、対策Ｃが「無」である例２においては、加熱処理後において、コロナ処理および洗浄処理を実施していない。
また、対策Ｂが「無」である例３においては、加熱装置内において積層基板を配置する際に、ポリイミド樹脂層が上向きとなるように積層基板を配置した。
また、対策Ａが「無」である例４においては、イオナイザーを用いずに、保護フィルムの剥離を行った。
また、対策Ｄが「無」である例１０においては、加熱装置として熱風加熱装置を用いた。
また、対策Ｅが「無」である例１１においては、ポリイミド樹脂層表面に触れる固定機構を用いた。
また、対策Ｆが「無」である例１２においては、ロールブラシを用いた洗浄処理を実施した。

表１および２中、「第１凸部の数」、「第２凸部の数」、「第３凸部の数」は、それぞれ、上述した、ポリイミド樹脂層表面における、第１凸部、第２凸部、および第３凸部の数（個／ｃｍ^２）を表す。
「凸部の数」は、ポリイミド樹脂層表面における、凸部の数（合計数）（個／ｃｍ^２）を表す。
「凹部の数」は、ポリイミド樹脂層表面における、凹部の数（合計数）（個／ｃｍ^２）を表す。
凸部および凹部の測定方法は、上述した通りである。

＜有機ＥＬ表示装置（電子デバイスに該当）の製造＞
例１～１５で得られた積層基板を用いて、以下の手順に従って、有機ＥＬ表示装置を製造した。
まず、積層基板のポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側の表面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜した。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、加熱処理し脱水素処理を行った。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理を行った。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成した。
次に、ポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成した。
次に、ポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成した。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理を行った後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成した。
次に、ポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成した。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成した。続いて、蒸着法により、ポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側に、正孔注入層として４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ－ナフチル）－Ｎ－フェニル］ベンジジン、発光層として８－キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）に２，６－ビス［４－［Ｎ－（４－メトキシフェニル）－Ｎ－フェニル］アミノスチリル］ナフタレン－１，５－ジカルボニトリル（ＢＳＮ－ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ３をこの順に成膜した。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。
次に、ポリイミド樹脂層のガラス板側とは反対側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス板を貼り合わせて封止した。上記手順によって、ポリイミド樹脂層上に有機ＥＬ構造体を形成した。ポリイミド樹脂層上に有機ＥＬ構造体を有する構造物（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層基板である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のポリイミド樹脂層とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ポリイミド樹脂層とシリコーン樹脂層との界面に剥離のきっかけを与えた。そして、パネルＡの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザーからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたポリイミド樹脂層のみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができた。
続いて、分離されたポリイミド樹脂層をレーザーカッタまたはスクライブ－ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたポリイミド樹脂層と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施して有機ＥＬ表示装置を作製した。

表１および２に示すように、所定の積層基板を用いた場合、所望の効果が得られることが確認された。

１０ 積層基板
１２ 支持基材
１２ａ 表面
１３ シリコーン樹脂層
１３ａ 表面
１４ ポリイミド樹脂層
１４ａ 表面
１６ 凸部
１８ 凹部
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層基板
２４ 部材付き基板
２６ シリコーン樹脂層付き支持基材

Claims (7)

1. ガラス製の支持基材と、前記支持基材上に配置されるシリコーン樹脂層と、前記シリコーン樹脂層上に配置されるポリイミド樹脂層と、を備え、
   前記シリコーン樹脂層の厚さは１μｍ超１００μｍ以下であり、
   前記ポリイミド樹脂層の前記支持基材とは反対側の表面上において、
   長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、かつ、高さが５μｍ以下である凸部の数が０．６０個／ｃｍ^２以下であり、
   長辺の長さが３～１０００μｍで、短辺の長さが２０μｍ以下で、かつ、深さが１μｍ以下である凹部の数が０．１５個／ｃｍ^２以下である、積層基板。
2. 前記凸部のうち、長辺の長さが１０μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下であり、ＮａおよびＣｌの少なくとも１つの元素を含む第１凸部の数が、０．１５個／ｃｍ^２以下である、請求項１に記載の積層基板。
3. 前記凸部のうち、長辺の長さが３μｍ以上２０μｍ未満で、短辺の長さが２０μｍ未満で、高さが５μｍ以下であり、ＳｉおよびＡｌの少なくとも１つの元素を含む第２凸部の数が、０．２５個／ｃｍ^２以下である、請求項１または２に記載の積層基板。
4. 前記凸部のうち、前記第１凸部および前記第２凸部以外の凸部であって、長辺の長さが３μｍ以上５０μｍ未満で、短辺の長さが５０μｍ未満で、高さが１μｍ以下である第３凸部の数が、０．３０個／ｃｍ^２以下である、請求項３に記載の積層基板。
5. 前記凸部の数が、０．２０個／ｃｍ^２以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層基板。
6. 前記凹部の数が、０．０７個／ｃｍ^２以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層基板。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の積層基板を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法であって、
   前記ポリイミド樹脂層上に前記シリコーン樹脂層をロール・ツー・ロール方式で形成して、シリコーン樹脂層付き基板を得る工程と、
   前記シリコーン樹脂層付き基板のシリコーン樹脂層の表面に前記支持基材を積層して、前記積層基板を製造する工程と、
   前記ポリイミド樹脂層の前記支持基材とは反対側の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層基板を得る部材形成工程と、
   前記電子デバイス用部材付き積層基板から、前記ポリイミド樹脂層および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

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