JP6136910B2 - ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ガラス積層体の製造方法、および、電子デバイスの製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持基板と、該支持基板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
なお、形成されたガラス積層体には、ガラス基板の表面を研磨するために研磨処理が施される場合がある（特許文献２）。

国際公開第２００７／０１８０２８号 特開２０１３−１４９７１３号

一方、従来から、塗布膜がその表面に配置された支持基板を、複数の支持ピンの頂部に載置して、加熱乾燥する方法が知られている。
本発明者は、特許文献１に記載の方法に従って、補強板を作製する際に、加熱によりシリコーン樹脂層となる塗膜が表面に配置された支持基板を複数の支持ピンの頂部に載置して加熱乾燥を行い、シリコーン樹脂層を形成した後、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層してガラス積層体を作製した。その後、得られたガラス積層体中の支持基板側を所定の基板上に向けて、ガラス積層体を所定の基板上に載置して、特許文献１や２に記載されるように、ガラス積層体中のガラス基板上への電子デバイス用部材の形成や、ガラス基板表面への研磨処理を行った。その後、基板よりガラス積層体を取りはずそうとすると、所定の基板と支持基板とが密着して、ガラス積層体が基板上に固定されてしまい、取り外しが容易に出来なかった。そのため、プロセス時間の長期化による生産性の低下や、電子デバイスの製造歩留りの低下が引き起こされていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、各種基板上に支持基板側を向けて載置した後に容易に該基板より剥離することができるガラス積層体を製造することができる、ガラス積層体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該ガラス積層体の製造方法より製造されるガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、表面および裏面を有する支持基板と支持基板の表面上に配置された硬化性シリコーン組成物層とを備える硬化性層付き支持基板を、支持基板の裏面側から複数の支持ピンにて支持して、硬化性層付き支持基板に加熱処理を施し、シリコーン樹脂層を形成する加熱工程と、
加熱工程の後に、シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する積層工程と、
積層工程の後に、または、加熱工程の後で積層工程の前に、少なくとも支持基板の裏面に、コロナ処理、プラズマ処理、および、ＵＶオゾン処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理を施す表面処理工程を備える、支持基板とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で有するガラス積層体の製造方法である。
第１の態様において、硬化性シリコーン組成物層に、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとが少なくとも含まれることが好ましい。
第１の態様において、加熱工程が、第１の温度で加熱処理を施す第１加熱工程と、第１の温度よりも高い第２の温度で加熱処理を施す第２加熱工程とをこの順で備えることが好ましい。
第１の態様において、硬化性層付き支持基板が、硬化性シリコーンと溶媒とを含む硬化性シリコーン組成物を支持基板上に塗布することにより形成され、
第１の温度が、溶媒の初留点−３０℃〜溶媒の初留点＋３０℃の範囲内であることが好ましい。
第１の態様において、積層工程の後に、表面処理工程を実施することが好ましい。
第１の態様において、表面処理工程において、積層工程で得られる支持基板とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で有するガラス積層体の搬送経路を挟んで対向する高圧電極とアース電極とを備える電極対を、ガラス積層体の搬送方向に沿って複数配列させ、隣接する電極対中の一方の高圧電極を搬送経路を挟んだ一方側に、他方の高圧電極を搬送経路を挟んだ他方側に配置し、
ガラス積層体を、搬送経路に沿って搬送しつつ、高圧電極に高周波電圧を印加して、ガラス積層体にコロナ処理を施すことが好ましい。
本発明の第２の態様は、上記第１の態様の製造方法より製造されるガラス積層体のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層付き支持基板を除去し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、各種基板上に支持基板側を向けて載置した後に容易に該基板より剥離することができるガラス積層体を製造することができる、ガラス積層体の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該ガラス積層体の製造方法より製造されるガラス積層体を用いて電子デバイスの製造方法を提供することもできる。

本発明のガラス積層体の製造方法の第１態様の製造工程を示すフローチャートである。 本発明のガラス積層体の製造方法の第１態様を工程順に示す模式的断面図である。 加熱工程での硬化性層付き支持基板の配置状態を示す模式図である。 コロナ処理装置の一実施形態を示す側面図である。 本発明のガラス積層体の製造方法の第２態様の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。

以下、本発明の好適実施態様について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

本発明者らは、上記問題点について検討を行ったところ、加熱工程後またはガラス積層体作製後（積層工程後）に、支持基板の裏面側にシリコーン樹脂が付着していることが原因の一つであることを見出している。
より具体的には、加熱工程の際に、シリコーン樹脂またはその原料が一部揮発して、支持ピンで支持される支持基板の裏面側にシリコーン樹脂が付着していた。そのため、ガラス積層体の支持基板側を所定の基板側に向けて、ガラス積層体を基板上に載置した際に、該基板とガラス積層体中の支持基板との間に存在するシリコーン樹脂によって基板と支持基板との剥離強度が上昇してしまい、両者が剥離し難くなっていた。そこで、ガラス積層体作製後に、支持基板の裏面側に各種処理を施して、シリコーン樹脂を除去することにより、上記課題が解決できることを見出している。

本発明のガラス積層体の製造方法は、硬化性層付き支持基板に加熱処理を施す加熱工程と、ガラス基板を積層する積層工程と、表面処理を行う表面処理工程とを備える。なお、表面処理工程は、上記積層工程の後、または、上記加熱工程の後で上記積層工程の前に実施される。以下では、前者の態様を第１態様、後者の態様を第２態様として述べる。

＜＜第１態様＞＞
図１は、本発明のガラス積層体の製造方法の第１態様における製造工程を示すフローチャートである。図１に示すように、第１態様は、加熱工程Ｓ１０２、積層工程Ｓ１０４、および、表面処理工程Ｓ１０６をこの順で備える。
以下に、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、加熱工程Ｓ１０２について詳述する。

＜加熱工程＞
加熱工程Ｓ１０２は、表面および裏面を有する支持基板と支持基板の表面上に配置された硬化性シリコーン組成物層とを備える硬化性層付き支持基板を、支持基板の裏面（硬化性シリコーン組成物層がある側とは反対側の面）側から複数の支持ピンにて支持して、硬化性層付き支持基板に加熱処理を施し、シリコーン樹脂層を形成する工程である。より具体的には、図２（Ａ）中の支持基板１０と硬化性シリコーン組成物層１２とを備える硬化性層付き支持基板１４に対して、該工程Ｓ１０２を実施することにより、図２（Ｂ）に示すように、支持基板１０とシリコーン樹脂層１６とを備える樹脂層付き支持基板１８が得られる。

以下で、まず、本工程Ｓ１０２で使用される部材・材料（支持基板、硬化性シリコーン組成物層）について詳述し、その後工程Ｓ１０２の手順について詳述する。

（支持基板）
支持基板１０は、表面と裏面との２つの主面を有し、後述するシリコーン樹脂層１６と協働して、後述するガラス基板２０を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材の製造工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板２０の変形、傷付き、破損などを防止する。また、従来よりも厚さが薄いガラス基板を使用する場合、従来のガラス基板と同じ厚さのガラス積層体とすることにより、部材形成工程において、従来の厚さのガラス基板に適合した製造技術や製造設備を使用可能にすることも、支持基板１０を使用する目的の１つである。

支持基板１０としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板、セラミック板などの金属板などが用いられる。支持基板１０は、部材形成工程が熱処理を伴う場合、ガラス基板２０との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板２０と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１０はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１０は、ガラス基板２０と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持基板１０の厚さは、ガラス基板２０よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板２０の厚さ、樹脂層１６の厚さ、およびガラス積層体の厚さに基づいて、支持基板１０の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板２０の厚さと樹脂層１６の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１０の厚さを０．４ｍｍとする。支持基板１０の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

支持基板１０がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持基板１０とガラス基板２０との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体が激しく反ったり、ガラス基板２０と後述する樹脂層付き支持基板１８とが剥離したりする可能性がある。ガラス基板２０の材料と支持基板１０の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

（硬化性シリコーン組成物層）
硬化性シリコーン組成物層は、本工程Ｓ１０２にてシリコーン樹脂層を形成しうる組成物の層である。
硬化性シリコーン組成物層には、硬化してシリコーン樹脂となる硬化性シリコーンが含まれる。このような硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーンが好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、シリコーン樹脂層を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。

付加反応型シリコーンは、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物である。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーンは、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。なお、架橋構造に由来する耐熱性がより優れる点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。

硬化性シリコーン組成物層に含まれる硬化性シリコーンが付加反応型シリコーンの場合、硬化性シリコーン組成物層には触媒（特に、白金族金属系触媒）や、反応抑制剤がさらに含まれていてもよい。
白金族金属系触媒（ヒドロシリル化用白金族金属触媒）は、上記オルガノアルケニルポリシロキサン中のアルケニル基と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン中の水素原子とのヒドロシリル化反応を、進行・促進させるための触媒である。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。
反応抑制剤（ヒドロシリル化用反応抑制剤）は、上記触媒（特に、白金族金属系触媒）の常温での触媒活性を抑制して、硬化性シリコーン組成物の可使時間を長くする所謂ポットライフ延長剤（遅延剤とも呼ばれる）である。反応抑制剤としては、例えば、各種有機窒素化合物、有機リン化合物、アセチレン系化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物などが挙げられる。特に、アセチレン系化合物（例えば、アセチレンアルコール類およびアセチレンアルコールのシリル化物）が好適である。

支持基板上に硬化性シリコーン組成物層を形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上述した硬化性シリコーンを含む硬化性シリコーン組成物を支持基板上に塗布する方法が挙げられる。なお、塗布する方法は特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、塗布方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。このような方法の中から、硬化性シリコーン組成物の種類に応じて適宜選択することができる。
硬化性シリコーン組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、各種成分を容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であることが好ましい。具体的には、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム、等を例示することができる。なかでも、飽和炭化水素が好ましく、各種の飽和炭化水素（直鎖状飽和炭化水素、分岐鎖状飽和炭化水素、脂環式飽和炭化水素）の１種または２種以上から実質的になる各種の飽和炭化水素溶剤が用いられる。例えば、アイソパーＧ（エクソンモービル有限会社製）、アイソパーＬ（エクソンモービル有限会社製）、アイソパーＨ（エクソンモービル有限会社製）、アイソパーＭ（エクソンモービル有限会社製）、ノルパー１３（エクソンモービル有限会社製）、ノルパー１５（エクソンモービル有限会社製、）、エクソールＤ４０（エクソンモービル有限会社製）、エクソールＤ６０（エクソンモービル有限会社製）、エクソールＤ８０（エクソンモービル有限会社製）、ネオチオゾール（中央化成株式会社製）、ＩＰソルベント２０２８（出光興産株式会社）が挙げられる。
なかでも、後述するように、工程Ｓ１０２を２段階で実施する場合に第１加熱段階において溶媒が揮発しやすい点から、初留点（大気圧下）が２１０℃以下の溶媒を使用することが好ましい。
なお、硬化性シリコーン組成物層の厚みは特に制限されず、後述する好適な厚みを有するシリコーン樹脂層が得られるように適宜調整される。

（工程の手順）
本工程Ｓ１０２では、硬化性層付き支持基板を、支持基板の裏面側から複数の支持ピンにて支持して、加熱処理を施す。つまり、硬化性層付き支持基板を支持ピンにて支持しつつ、加熱を行う。より具体的には、図３に示すように、支持台５０上に複数個離間して配置された支持ピン５２の先端（頂部）上に、硬化性層付き支持基板１４を配置し、この状態で硬化性層付き支持基板１４に加熱処理を施す。なお、支持ピン５２は、図３に示すように、硬化性層付き支持基板１４中の支持基板１０の裏面１０ａを支持する。
図３においては、支持ピン５２を３本のみ図示するが、その数は特に限定されず、１０本以上あってもよい。また、支持ピン５２の配置位置は特に制限されず、所定の間隔をあけて配置しても、ランダムに配置してもよい。さらに、支持ピン５２の形状は特に制限されず、円柱状、多角形状などいずれの形状であってもよい。
なお、図３に示すように、支持ピン５２は支持基板１０の裏面１０ａ側の一部と接触して、支持基板１０の裏面１０ａ側には支持ピン５２と接触しない領域が存在する。

硬化性層付き支持基板に加熱処理を施す方法は、上記支持ピンにて硬化性層付き支持基板を支持した状態で加熱できれば特に制限されず、例えば、支持ピンが加熱チャンバ内に設けられたオーブンなどの公知の加熱処理装置を使用することができる。より具体的には、ホットプレートを備える加熱処理装置を用いる方法（例えば、支持ピン上に配置された硬化性層付き支持基板中の硬化性シリコーン組成物層の上部にホットプレートが設けられた加熱処理装置内において加熱する方法）が挙げられる。
硬化性シリコーン組成物層を熱硬化させる加熱条件は、使用される硬化性シリコーンの種類に応じて適宜最適な条件が選択される。なかでも、硬化性シリコーンの硬化速度および形成されるシリコーン樹脂層の耐熱性などの点から、１５０〜３００℃（好ましくは１８０〜２５０℃）で１０〜１２０分間（好ましくは３０〜６０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

本工程Ｓ１０２の好適態様としては、異なる温度条件で２段階にて加熱処理を実施する態様が好ましい。つまり、第１の温度で加熱処理を施す工程と、第１の温度よりも高い第２の温度で加熱処理を施す工程とを備えることがより好ましい。加熱処理を２段階で実施することにより、形成されるシリコーン樹脂層１６の表面面状がより優れ、後述するガラス基板２０との密着性がより向上する。なお、加熱処理を２段階で実施する場合、第１加熱工程と、第２加熱工程とを別々の加熱処理装置で実施してもよい。
なお、硬化性層付き支持基板が、硬化性シリコーンと溶媒とを含む硬化性シリコーン組成物を支持基板上に塗布することにより形成される場合、溶媒の除去性がより優れ、硬化性シリコーン組成物層の表面が平坦になると共に、硬化性シリコーンの分解がより抑制される点で、第１の温度は、溶媒の初留点−３０℃〜溶媒の初留点＋３０℃の範囲内であることが好ましい。言い換えると、第１の温度Ｘは、以下の関係式を満たすことが好ましい。
式 溶媒の初留点−３０℃≦温度Ｘ≦溶媒の初留点＋３０℃
なお、溶媒の初留点とは、ＪＩＳ Ｋ００６６（１９９２）に従って測定される値を意味する。
上記第１の温度と第２の温度との差は特に制限されないが、１０℃以上であることが好ましく、３０℃以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１００℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましい。

また、第１の温度は、２１０℃以下であることが好ましい。つまり、２１０℃以下で加熱処理を施す第１加熱工程と、２１０℃超で加熱処理を施す第２加熱工程とを備えることが好ましい。２１０℃以下であれば、溶媒の突沸やシリコーン樹脂の揮発がより抑制され、形成されるシリコーン樹脂層１６の表面面状がより優れる。以下、上記温度条件での上記第１加熱工程および上記第２加熱工程について詳述する。
第１加熱工程は、いわゆるプレベーク工程であり、主に、硬化性シリコーン組成物層１２中に残存する溶媒などの揮発成分を除去して、後述する第２加熱工程において溶媒が突沸することを防止する。第１加熱工程の温度条件は、２１０℃以下であり、シリコーン樹脂層１６の表面面状がより優れる点で、１５０〜２１０℃が好ましい。加熱時間は、使用される材料により適宜最適な条件が選択されるが、生産性および溶媒の除去性の点から、１〜５分間が好ましく、２〜３分間がより好ましい。
第２加熱工程は、いわゆるポストベーク工程であり、主に、硬化性シリコーン組成物層１２の硬化を促進させ、シリコーン樹脂層１６を形成する。第２加熱工程の温度条件は、２１０℃超であり、シリコーン樹脂層１６の溶媒除去および硬化反応がより優れる点で、２１０℃超２５０℃以下が好ましい。加熱時間は、使用される材料により適宜最適な条件が選択されるが、生産性および溶媒の除去性の点から、１０〜１２０分間が好ましく、３０〜６０分間がより好ましい。

本工程Ｓ１０２を経て形成されるシリコーン樹脂層１６は、支持基板１０上で硬化性シリコーン組成物層１２の硬化反応を実施することで支持基板１０の片面上に固定されており、また、後述するガラス基板２０と剥離可能に密着する。シリコーン樹脂層１６は、ガラス基板２０と支持基板１０とを分離する操作が行われるまでガラス基板２０の位置ずれを防止すると共に、分離操作によってガラス基板２０から容易に剥離し、ガラス基板２０などが分離操作によって破損するのを防止する。また、シリコーン樹脂層１６は支持基板１０に固定されており、分離操作においてシリコーン樹脂層１６と支持基板１０とは剥離せず、分離操作によって樹脂層付き支持基板１８が得られる。
シリコーン樹脂層１６のガラス基板２０と接する表面は、ガラス基板２０の第１主面に剥離可能に密着する。本発明では、このシリコーン樹脂層１６表面の容易に剥離できる性質を易剥離性（剥離性）という。

本発明において、上記固定と剥離可能な密着は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。具体的には、本発明のガラス積層体において、ガラス基板２０と支持基板１０とを分離する操作を行った場合、密着された面で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、ガラス積層体をガラス基板２０と支持基板１０に分離する操作を行うと、ガラス積層体はガラス基板２０と樹脂層付き支持基板１８の２つに分離される。
つまり、シリコーン樹脂層１６の支持基板１０の表面に対する結合力は、シリコーン樹脂層１６のガラス基板２０の第１主面に対する結合力よりも相対的に高い。

シリコーン樹脂層１６の厚さは特に限定されないが、２〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層１６の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板２０のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、シリコーン樹脂層１６の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、シリコーン樹脂層１６の厚さが薄すぎると、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０との密着性が低下する場合がある。

＜積層工程＞
積層工程Ｓ１０４は、上記工程Ｓ１０２で得られたシリコーン樹脂層１６の表面上にガラス基板２０を積層し、支持基板１０の層とシリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の層とをこの順で備えるガラス積層体１００を得る工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、シリコーン樹脂層１６の支持基板１０側とは反対側の表面１６ａと、第１主面２０ａおよび第２主面２０ｂを有するガラス基板２０の第１主面２０ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０とを積層し、ガラス積層体１００を得る。なお、後述するように、得られたガラス積層体１００は、後述する表面処理工程Ｓ１０６が施される前の処理前ガラス積層体であり、ガラス積層体１００の支持基板１０のシリコーン樹脂層１６側とは反対側の表面には、シリコーン樹脂またはその原料が付着していると推測される。
使用されるガラス基板２０については、後段で詳述する。

ガラス基板２０をシリコーン樹脂層１６上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１６の表面上にガラス基板２０を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１６の表面上にガラス基板２０を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１６にガラス基板２０を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板２０のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

ガラス基板２０を積層する際には、シリコーン樹脂層１６に接触するガラス基板２０の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板２０の平坦性は良好となるので好ましい。

なお、ガラス基板２０を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板２０のシリコーン樹脂層１６に対する密着性が向上し、適切な剥離強度とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層１６の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板２０とシリコーン樹脂層１６の間の剥離強度をより適切なものとする点から、３００℃以上（好ましくは、３００〜４００℃）で５分間以上（好ましく、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

（ガラス基板）
ガラス基板２０は、第１主面２０ａがシリコーン樹脂層１６と接し、シリコーン樹脂層１６側とは反対側の第２主面２０ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板２０の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板２０は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板２０の線膨張係数が大きいと、後述する部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板２０上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板２０を冷却すると、ガラス基板２０の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板２０は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板２０は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板２０のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板２０のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板２０のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板２０の厚さは、ガラス基板２０の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板２０に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板２０をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板２０の厚さは、ガラス基板２０の製造が容易であること、ガラス基板２０の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

なお、ガラス基板２０は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板２０の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

（ガラス積層体）
ガラス積層体１００は、支持基板１０の層とガラス基板２０の層とそれらの間にシリコーン樹脂層１６が存在する積層体である。シリコーン樹脂層１６は、その一方の面が支持基板１０の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板２０の第１主面２０ａに接している。
このガラス積層体１００は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１００は、そのガラス基板２０の第２主面２０ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、樹脂層付き支持基板１８と電子デバイスに分離され、樹脂層付き支持基板１８は電子デバイスを構成する部分とはならない。樹脂層付き支持基板１８には新たなガラス基板２０が積層され、新たなガラス積層体１００として再利用することができる。

支持基板１０とシリコーン樹脂層１６の界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基板１０とシリコーン樹脂層１６の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基板１０とシリコーン樹脂層１６の界面が剥離する。シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の界面は剥離強度（ｙ）を有し、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の界面が剥離する。
上述したように、ガラス積層体１００（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも大きい（高い）。したがって、ガラス積層体１００に支持基板１０とガラス基板２０とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体１００は、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０の界面で剥離してガラス基板２０と樹脂層付き支持基板１８に分離する。
つまり、シリコーン樹脂層１６は支持基板１０上に固定されて樹脂層付き支持基板１８を形成し、ガラス基板２０はシリコーン樹脂層１６上に剥離可能に密着している。

剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基板１０に対するシリコーン樹脂層１６の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板２０に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基板１０に対するシリコーン樹脂層１６の付着力を高めるためには、上述したように、硬化性シリコーン組成物層１２を支持基板１０上で架橋硬化させてシリコーン樹脂層１６を形成することによりなされる。架橋硬化の際の接着力で、支持基板１０に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１６を形成することができる。
一方、硬化性シリコーン組成物層１２の硬化物のガラス基板２０に対する結合力は、上記架橋硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。

ガラス積層体１００は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１００が高温条件（例えば、３６０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

＜表面処理工程＞
表面処理工程Ｓ１０６は、少なくとも支持基板の裏面（シリコーン樹脂層がある側とは反対側の面）に、コロナ処理、プラズマ処理、および、ＵＶオゾン処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理を施す工程である。第１態様においては、上記で形成されたガラス積層体中の支持基板の裏面側の面に上記処理を実施することを意図する。より具体的には、図２（Ｃ）の支持基板１０の裏面１０ａに上記処理を実施する。本工程Ｓ１０６を実施することにより、上記加熱工程Ｓ１０２の際に揮発して、支持基板１０の裏面１０ａに付着したシリコーン樹脂やその原料成分などが除去され、支持基板１０の裏面１０ａが清浄化される。つまり、上記積層工程Ｓ１０４で得られたガラス積層体に上記処理を施すことにより、処理済ガラス積層体が得られる。なお、後述するように、本工程Ｓ１０６においては、ガラス積層体中の支持基板の裏面と共に、ガラス積層体中のガラス基板の露出表面に、上記処理をあわせて実施してもよい。
本工程Ｓ１０６で実施されるコロナ処理（コロナ洗浄）としては、公知のコロナ処理が実施される。なお、コロナ処理とは、プラスチックフィルム、紙、および、金属箔等の処理基材の表面を、コロナ放電照射によって改質させる表面処理技術である。高周波電源装置から発振された高周波・高電圧が高圧電極とアース電極との間に印加されるとコロナ放電が生じる。
コロナ処理の方法は特に制限されず、例えば、ガラス積層体を支持する搬送ロールと、これに対向して設置した電極との間に高電圧を掛けてコロナ放電させ、その間にガラス積層体を順次移動させて表面処理する方法が好ましい。具体的なコロナ処理用装置としては、高周波電源（高周波発振機）、高圧トランス、および、放電電極からなり、その前後にガラス積層体を搬送する搬送機を組み込んだ装置が挙げられる。高周波発振機の周波数は特に制限されないが、例えば、０．１〜１００ｋＨｚが好ましく、最大出力０．５〜５０ｋＷ程度のものが好ましい。ガラス積層体の搬送速度（処理速度）は特に制限されないが、１〜１０ｍ／ｍｉｎが好ましい。

なお、本発明においては、積層工程Ｓ１０４の後に、表面処理工程Ｓ１０６を実施する場合は、以下に説明するコロナ処理装置を用いることが好ましい。
図４は、コロナ処理装置の一実施形態を示す側面図である。コロナ処理装置６０は、第１高圧電極６２と、第１アース電極６４と、第２高圧電極６６と、第２アース電極６８とを少なくとも備える。第１高圧電極６２と第１アース電極６４とは所定の間隔をあけて対向配置されて第１電極対７０を構成し、これら第１高圧電極６２と第１アース電極６４との間に放電空間が形成される。また、第２高圧電極６６と第２アース電極６８とは所定の間隔をあけて対向配置されて第２電極対７２を構成し、これら第２高圧電極６６と第２アース電極６８との間に放電空間が形成される。第１電極対７０と第２電極対７２とは、図４に示すように、積層工程Ｓ１０４で得られた支持基板とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で有するガラス積層体Ｘが搬送される方向に沿って隣接して配置される。さらに、図４に示すように、ガラス積層体Ｘは、搬送ロール７４により搬送され、第１高圧電極６２と第１アース電極６４との間、および、第２高圧電極６６と第２アース電極６８との間をガラス積層体Ｘが走行する。
また、第１高圧電極６２は、第１高周波電源７６と接続し、高周波電圧が印加される。また、第２高圧電極６６は、第２高周波電源７８と接続し、高周波電圧が印加される。なお、図４においては、第１高周波電源７６と第２高周波電源７８の２つを使用しているが、その態様には限定されず、第１高周波電源７６と第２高周波電源７８は、同一の電源を使用（共用）してもよい。
さらに、第１高圧電極６２と第２高圧電極６６は、それぞれ、図４中のガラス積層体Ｘが搬送される経路（搬送経路）を挟んだ上側（一方側）と下側（他方側）とに配置される。言い換えれば、第１高圧電極６２と第２高圧電極６６とは、ガラス積層体Ｘの搬送方向に沿って、互い違いに配置される。

搬送ロール７４を用いてガラス積層体Ｘを上記コロナ処理装置６０に搬送すると、第１高圧電極６２と第２高圧電極６６がそれぞれガラス積層体Ｘの搬送経路の一方側および他方側にそれぞれ配置されているため、搬送されるガラス積層体Ｘの両面を効率的にコロナ処理できる。つまり、ガラス積層体Ｘ中の支持基板の裏面（シリコーン樹脂層側とは反対側の面）、および、ガラス基板の露出表面（シリコーン樹脂層側とは反対側の面）にコロナ処理を施すことができる。
なお、高周波電源の条件や、ガラス積層体Ｘの搬送速度（処理速度）の条件の好適範囲は、上述の通りである。
また、図４においては、第１高圧電極６２が図面中の上側に、第２高圧電極６６が図面中の下側に配置されているが、この態様に限定されずその位置関係が反転していてもよい。
また、ガラス積層体Ｘの片側面（支持基板の裏面）のみに強力にコロナ処理を施したい場合には、第１高圧電極６２および第２高圧電極６６を共に図面中の上側、または、下側に配置してもよい。
さらに、図４においては、第１電極対７０と第２電極対７２との２つを含むコロナ処理装置が記載されているが、電極対の数はこの態様に限定されない。

第１高圧電極６２、第２高圧電極６６、第１アース電極６４、および、第２アース電極６８としては、金属電極、または、誘電体で被覆された電極が使用可能であるが、コロナ処理のための放電を安定的に行うためには、対向して配置される第１高圧電極６２および第１アース電極６４の少なくとも一方、および、対向して配置される第２高圧電極６６および第２アース電極６８の少なくとも一方が、誘電体で被覆されていることが好ましい。より好ましくは、第１高圧電極６２および第１アース電極６４の両方、並びに、第２高圧電極６６および第２アース電極６８の両方が、誘電体でカバーされているものである。これにより、高圧電極とアース電極間の間隔を広げることができ、ガラス積層体Ｘを安定的に搬送することが容易となる。

なお、誘電体で被覆された電極（誘電体被覆電極）としては、ステンレスやアルミニウム等の金属といった導電性の芯材の表面にセラミックスがコートされたセラミックス電極が好ましい。一般的に樹脂フィルムをコロナ処理する場合などは、誘電体被覆電極として、金属芯材にゴム材をコートしたゴム電極が用いられるが、重量と剛性の関係から径が太いため、コロナ処理装置６０が大型化し、搬送ロール間が空いてしまって薄いガラス積層体Ｘの搬送に支障が生じることがある。セラミックス電極は、軽量かつ剛性が高いことから、ゴム電極よりも径が小さいので、このような問題は生じにくい。
また、ゴム電極は放電によってゴム被膜が損傷しやすいため、電極を固定して使用することが難しい。そのため、ゴム電極には回転機構が設けられ、回転させながら使用されるのが一般的であるが、装置が複雑かつ大型化するという問題がある。セラミックス電極は、同じ箇所で放電を繰り返しても傷みにくいので、このような回転機構を設ける必要がない。

プラズマ処理（プラズマ洗浄）には、大気圧（または常圧）プラズマ処理、および、低圧低温プラズマ処理がある。
常圧プラズマ処理では、放電エネルギーをガスに印加し、常圧下で電離を行い、プラズマを発生させる。その特徴としては、常圧プロセスのため真空にする必要が無く、設備はシンプルで生産性も高いことが挙げられる。方式として、主に、希ガス系常圧プラズマと、印加電圧を制御してグロー放電させるパルス方式常圧プラズマがあり、いずれを使用してもよい。
低圧低温プラズマ処理においては、減圧可能な低温プラズマ処理装置内にガラス積層体を通し、装置内を無機ガスの雰囲気にして、圧力を０．００１〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは０．０１〜１Ｔｏｒｒに保持した状態で電極間に周波数５０Ｈｚ〜１３．６ＭＨｚの電力を印加する。０．１〜５０ｋＷの電力を印加し、グロー放電させることにより、無機ガスの低温プラズマを発生させる。その中にガラス積層体を設置して、支持基板を処理する。ガラス積層体を連続して処理する場合は、ガラス積層体を順次移動させながら表面をプラズマ処理する。該無機ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガス、および、酸素、窒素、空気、炭酸ガス、アンモニア等が使用できる。これらのガスは１種に限らず、２種以上の混合物でもよい。
常圧プラズマ処理および低圧低温プラズマ処理のいずれにおいても、プラズマ処理時間は０．１〜１，０００秒が好ましく、１〜１００秒がより好ましい。

ＵＶオゾン処理とは、ＵＶ（紫外線）を照射し、空気中の酸素をオゾンに変化させ、このオゾンおよび紫外線により被照射面を清浄化する処理である。
ＵＶ光源は、ＵＶ照射により酸素をオゾンに変化させることができれば、特に制限されない。ＵＶ光源としては、低圧水銀ランプが挙げられる。低圧水銀ランプは１８５ｎｍと２５４ｎｍのＵＶ光を発生し、１８５ｎｍ線が酸素をオゾンに変化させることができる。照射の際の照度は、用いる光源により異なるが、一般的に数十〜数百ｍＷ／ｃｍ^２のものが使用されている。また、集光や拡散することで照度を変更することができる。照射時間は、ランプの照度及び未処理層の種類により異なるが、通常、１分〜２４時間である。処理温度は、通常、１０〜２００℃である。また、ＵＶの照射量（即ち、紫外線量）は、通常１ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１〜１０００００ｍＪ／ｃｍ^２であり、より好ましくは１０〜１０００００ｍＪ／ｃｍ^２である。

上記工程Ｓ１０６を実施することにより、支持基板１０の裏面１０ａ側に付着していた付着物が除去される。
上記工程Ｓ１０６の処理前後における支持基板１０の裏面１０ａの水接触角の差（処理前の水接触角−処理後の水接触角）は、３０度以上であることが好ましく、５０度以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、７０度以下である。

＜＜第２態様＞＞
図５は、本発明のガラス積層体の製造方法の第２態様における製造工程を示すフローチャートである。図５に示すように、第２態様は、加熱工程Ｓ１０２、表面処理工程Ｓ１０６、および、積層工程Ｓ１０４をこの順で備える。
上述した第１態様と比較して、表面処理工程Ｓ１０６の実施順が異なる点以外は、上述した第１態様の各工程とその処理の方法は同じである。より具体的には、第２態様においては、加熱工程Ｓ１０２において樹脂層付き支持基板を製造し、次に、該樹脂層付き支持基板中の支持基板の裏面側に上述した表面処理（例えば、コロナ処理）を施し、その後、樹脂層付き支持基板中のシリコーン樹脂層上にガラス基板を積層して、ガラス積層体を得る。本実施態様であっても、所望のガラス積層体を得ることができる。
なお、上述した第１態様と第２態様とを比較すると、第１態様が好ましい。第１態様の場合、シリコーン樹脂層を形成した後に表面処理工程Ｓ１０６の前にガラス基板を積層するため、シリコーン樹脂層上に不純物が付着しにくく、ガラス基板の密着性がより優れる。

上述した第１態様および第２態様で得られたガラス積層体を用いて、電子デバイス（ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板）が製造される。また、必要に応じて、ガラス積層体のガラス基板には研磨処理が実施される。
以下では、これら研磨工程、および、電子デバイス製造工程（部材形成工程および分離工程）の手順について詳述する。

＜研磨工程＞
研磨工程は、得られたガラス積層体１００中のガラス基板２０の第２主面２０ｂを研磨する工程である。本工程を設けることにより、ガラス基板２０の第２主面２０ｂの微小な凹凸および疵を除去することができ、電子デバイス用部材が形成される面の平坦性を向上することができる。よって、製品である電子デバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、本発明で使用される厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板に対して顕著である。厚み０．３ｍｍ以下のガラス基板は、単独で研磨することが難しく、ガラス積層体１００にする前に予め研磨することが難しいからである。

研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、メカニカルな研磨（物理研磨）または化学的な研磨（化学研磨）を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法等を用いることができる。
また、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法を用いることができる。
なかでも、研磨後のガラス基板２０の第２主面２０ｂの平坦性および清浄度がより高い点で、化学的機械研磨が好ましい。なお、化学的機械研磨で使用される砥粒としては、酸化セリウムなどの公知の砥粒を使用することができる。

＜電子デバイス（部材付きガラス基板）およびその製造方法＞
本発明においては、上述したガラス積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイス（部材付きガラス基板）が製造される。
該電子デバイスの製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として電子デバイスと樹脂層付き支持基板とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として電子デバイスと樹脂層付き支持基板とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体１００中のガラス基板２０上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板２０の第２主面２０ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２２を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２４を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２２について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２２は、ガラス積層体１００中のガラス基板２０上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２２としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２４の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１００のガラス基板２０の第２主面２０ｂ表面上に、電子デバイス用部材２２を形成する。
なお、電子デバイス用部材２２は、ガラス基板２０の第２主面２０ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１６から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層１６から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面２０ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基板１０を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基板１０を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１００のガラス基板２０のシリコーン樹脂層１６側とは反対側の表面上（ガラス基板２０の第２主面２０ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体１００のガラス基板２０の第２主面２０ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッタ法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１００のガラス基板２０の第２主面２０ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板２０の第２主面２０ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板２０の第２主面２０ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

（分離工程）
分離工程は、図６（Ｂ）に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２４から、シリコーン樹脂層１６とガラス基板２０との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２２が積層したガラス基板２０（電子デバイス）と、樹脂層付き支持基板１８とに分離して、電子デバイス用部材２２およびガラス基板２０を含む電子デバイス２６を得る工程である。
剥離時のガラス基板２０上の電子デバイス用部材２２が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板２０上に形成することもできる。

ガラス基板２０と支持基板１０とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板２０とシリコーン樹脂層１６との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２４の支持基板１０が上側、電子デバイス用部材２２側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２２側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板２０−シリコーン樹脂層１６界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板１０側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層１６とガラス基板２０との界面やシリコーン樹脂層１６の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基板１０を容易に剥離することができる。
また、支持基板１０は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体１００を製造することができる。

なお、電子デバイス用部材付き積層体２４から電子デバイス２６を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１６の欠片が電子デバイス２６に静電吸着することをより抑制することができる。

上述した電子デバイス２６の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

上記方法で製造された電子デバイス２６としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦８８０ｍｍ、横６８０ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦９２０ｍｍ、横７３０ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

＜実施例１＞
初めに、支持基板の表面をアルカリ水溶液、純水の順に洗浄して清浄化した。
次に、後述する溶液Ｘをダイコーター（塗布速度：４０ｍｍ／ｓ、吐出量：８ｍｌ）にて支持基板の第１主面上に塗布して、未硬化の架橋性オルガノポリシロキサンを含む層（硬化性シリコーン組成物層）を支持基板上に設けて、硬化性層付き支持基板を得た（塗工量２０ｇ／ｍ²）。

（溶液Ｘ）
成分（Ａ）として直鎖状ビニルメチルポリシロキサン（「ＶＤＴ−１２７」、２５℃における粘度７００−８００ｃＰ（センチポアズ）：アヅマックス製、オルガノポリシロキサン１ｍｏｌにおけるビニル基のｍｏｌ％：０．３２５）と、成分（Ｂ）として直鎖状メチルヒドロポリシロキサン（「ＨＭＳ−３０１」、２５℃における粘度２５−３５ｃＰ（センチポアズ）：アヅマックス製、１分子内におけるケイ素原子に結合した水素原子の数：８個）とを、全ビニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／ビニル基）が０．９となるように混合し、このシロキサン混合物１００質量部に対して、成分（Ｃ）として下記式（１）で示されるアセチレン系不飽和基を有するケイ素化合物（沸点：１２０℃）１質量部を混合した。
ＨＣ≡Ｃ−Ｃ(ＣＨ₃)₂−Ｏ−Ｓｉ(ＣＨ₃)₃ 式（１）
次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との合計量に対して、白金換算で白金金属濃度が１００ｐｐｍとなるように白金系触媒（信越シリコーン株式会社製、ＣＡＴ−ＰＬ−５６）を加えオルガノポリシロキサン組成物の混合液を得た。さらに、得られた混合液に１００質量部に対して、ＩＰソルベント２０２８（初留点：２００℃、出光興産製）を１５０質量部加えて混合溶液を得た。

次に、加熱処理装置内の底部に設けられた複数の支持ピンの先端に、上記硬化性層付き支持基板を載置した。なお、支持ピンの先端は、硬化性層付き支持基板中の支持基板の裏面側（硬化性シリコーン組成物層がある側とは反対側）の表面と接触し、支持基板の裏面側には支持ピンと接触しない領域があった。
加熱処理装置内には、硬化性層付き支持基板の硬化性シリコーン組成物層の上部に加熱プレートが配置され、該加熱プレートにより２００℃で３分間、硬化性層付き支持基板を加熱（プリベーク加熱）した。
次に、上記加熱処理後の硬化性層付き支持基板に対して、さらに２５０℃で１４５０秒間の加熱処理（ポストベーク処理）を実施して、支持基板の第１主面に厚さ８μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
その後、ガラス基板と、支持基板上のシリコーン樹脂層面とを、室温下で大気圧プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
得られたガラス積層体Ａにおいては、支持基板とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。なお、ガラス積層体Ａにおいては、シリコーン樹脂層と支持基板の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、得られたガラス積層体Ａ中の支持基板の裏面に対して、コロナ処理（電力１ｋＷ、処理速度４ｍ／ｍｉｎ）を実施した。

ガラス積層体Ａ中の支持基板の裏面のコロナ処理前後の水接触角を測定したところ、コロナ処理前は７０度であり、コロナ処理後は５度であった。これらの測定結果より、コロナ処理により支持基板の裏面側に付着していたシリコーン樹脂が除去されたことが確認された。

（剥離評価）
コロナ処理が施されたガラス積層体Ａ中の支持基板がウレタン製のテーブルパッドと接触するように、該ガラス積層体Ａをテーブルパッド上に載置した。次に、ガラス積層体Ａを１００ｇ／ｃｍ^２で１２０秒間、テーブルパッドに圧着した。圧着後、支持基板とテーブルパッドとの間に、エアーと水を吹き付けながら、両者の剥離を行ったところ、剥離できた。

なお、コロナ処理での処理速度を１ｍ／ｍｉｎ、６ｍ／ｍｉｎに変更した場合も、上記と同様の結果が得られた。

＜比較例１＞
コロナ処理を実施しなかった以外は、上記実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｂを得た。
ガラス積層体Ａの代わりにガラス積層体Ｂを用いて上記（剥離評価）を行ったところ、ガラス積層体Ｂを剥離することができなかった。

＜実施例２＞
本例では、実施例１で得た、コロナ処理が施されたガラス積層体Ａを用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、ガラス積層体Ａにおけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体Ａ（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持基板表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基板を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

１０ 支持基板
１２ 硬化性シリコーン組成物層
１４ 硬化性層付き支持基板
１６ シリコーン樹脂層
１８ 樹脂層付き支持基板
２０ ガラス基板
２２ 電子デバイス用部材
２４ 電子デバイス用部材付き積層体
２６ 電子デバイス
５０ 支持台
５２ 支持ピン
６０ コロナ処理装置
６２ 第１高圧電極
６４ 第１アース電極
６６ 第２高圧電極
６８ 第２アース電極
７０ 第１電極対
７２ 第２電極対
７４ 搬送ロール
７６ 第１高周波電源
７８ 第２高周波電源
１００ ガラス積層体

Claims (7)

1. 表面および裏面を有する支持基板と前記支持基板の前記表面上に配置された硬化性シリコーン組成物層とを備える硬化性層付き支持基板を、前記支持基板の前記裏面側から複数の支持ピンにて支持して、前記硬化性層付き支持基板に加熱処理を施し、シリコーン樹脂層を形成する加熱工程と、
   前記加熱工程の後に、前記シリコーン樹脂層上にガラス基板を積層する積層工程と、
   前記積層工程の後に、または、前記加熱工程の後で前記積層工程の前に、少なくとも前記支持基板の前記裏面に、コロナ処理、プラズマ処理、および、ＵＶオゾン処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理を施す表面処理工程を備える、支持基板とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で有するガラス積層体の製造方法。
2. 前記硬化性シリコーン組成物層に、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとが少なくとも含まれる、請求項１に記載のガラス積層体の製造方法。
3. 前記加熱工程が、第１の温度で加熱処理を施す第１加熱工程と、前記第１の温度よりも高い第２の温度で加熱処理を施す第２加熱工程とをこの順で備える、請求項１または２に記載のガラス積層体の製造方法。
4. 前記硬化性層付き支持基板が、硬化性シリコーンと溶媒とを含む硬化性シリコーン組成物を前記支持基板上に塗布することにより形成され、
   前記第１の温度が、前記溶媒の初留点−３０℃〜前記溶媒の初留点＋３０℃の範囲内である、請求項３に記載のガラス積層体の製造方法。
5. 前記積層工程の後に、表面処理工程を実施する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
6. 前記表面処理工程において、前記積層工程で得られる前記支持基板と前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板とをこの順で有するガラス積層体の搬送経路を挟んで対向する高圧電極とアース電極とを備える電極対を、前記ガラス積層体の搬送方向に沿って複数配列させ、隣接する前記電極対中の一方の高圧電極を前記搬送経路を挟んだ一方側に、他方の高圧電極を前記搬送経路を挟んだ他方側に配置し、
   前記ガラス積層体を、前記搬送経路に沿って搬送しつつ、前記高圧電極に高周波電圧を印加して、前記ガラス積層体にコロナ処理を施す、請求項５に記載のガラス積層体の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法より製造されるガラス積層体の前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
   前記電子デバイス用部材付き積層体から前記樹脂層付き支持基板を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

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