JP6610563B2 - ガラス積層体、電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、ガラス板梱包体 - Google Patents

Description

本発明は、ガラス積層体、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、および、ガラス板梱包体に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。

国際公開第２００７／０１８０２８号

一方、近年、電子デバイスのより一層の低コスト化のために、歩留まりの向上が求められている。そのため、ガラス積層体中のガラス基板上に高温条件下にて電子デバイス用部材を配置した後、ガラス基板をガラス積層体から剥離する際に、ガラス基板が割れてしまうと、電子デバイスの歩留まりが低下してしまい、好ましくない。

本発明者らは、特許文献１の記載の方法に従って、複数のガラス積層体を用意してガラス基板の剥離を行ったところ、一定枚数のガラス基板の割れが発生してしまい、必ずしも昨今の要求レベルを満たしていないことが確認された。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、ガラス基板を剥離する際に、ガラス基板の割れの発生がより抑制されたガラス積層体を提供することを目的とする。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、および、ガラス板梱包体を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、支持基材と密着層との間、および、密着層とガラス基板との間のうち、剥離強度が小さいほうの間での気泡の有無または大きさを調整することにより、所望の効果が得られることを知見して、本発明を完成した。

すなわち、本発明の第１の態様は、支持基材と密着層とガラス基板とをこの順で備え、支持基材と密着層との間の剥離強度と、密着層とガラス基板との間の剥離強度とが異なる、ガラス積層体であって、密着層と支持基材との接触面積、および、密着層とガラス基板との接触面積の両方が１２００ｃｍ^２以上であり、ガラス基板の厚さが０．３ｍｍ以下であり、支持基材と密着層との間、および、密着層とガラス基板との間のうち、剥離強度が小さいほうの間に、気泡がない、または、気泡がある場合は、気泡の直径が１０ｍｍ以下である、ガラス積層体である。

また、第１の態様においては、気泡の直径が５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、第１の態様においては、支持基材が、ガラス板であることが好ましい。
また、第１の態様においては、密着層が、シリコーン樹脂層またはポリイミド樹脂層であることが好ましい。
また、第１の態様においては、支持基材と密着層との間の剥離強度が、密着層とガラス基板との間の剥離強度よりも大きいことが好ましい。

本発明の第２の態様は、第１の態様のガラス積層体のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から支持基材および密着層を含む密着層付き支持基材を除去し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。

本発明の第３の態様は、第１の態様のガラス積層体の製造方法であって、複数のガラス板をバージンパルプからなる合紙を介して積層したガラス板梱包体中のガラス板を、ガラス積層体の支持基材またはガラス基板の少なくとも一方に用いて、ガラス積層体を製造する、ガラス積層体の製造方法である。

本発明の第４の態様は、複数のガラス板をバージンパルプからなる合紙を介して積層してなり、支持基材と密着層とガラス基板とをこの順で備えるガラス積層体を製造するために用いられるガラス板梱包体である。

本発明によれば、ガラス基板を剥離する際に、ガラス基板の割れの発生がより抑制されたガラス積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、ガラス基板の割れの発生がより抑制されたガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、および、ガラス板梱包体を提供することもできる。

図１は、本発明に係るガラス積層体の第１の実施形態の模式的断面図である。 図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 図３は、本発明に係るガラス積層体の第２の実施形態の模式的断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

本発明のガラス積層体の特徴点の一つとしては、支持基材と密着層との間、および、密着層とガラス基板との間のうち、剥離強度が小さいほうの間での気泡の有無または気泡の大きさを調整している点が挙げられる。

本発明者らは、特許文献１に記載のガラス積層体においてガラス基板の割れが生じやすい原因として、気泡の存在が関係していることを見出している。以下では、一例として、支持基材と密着層との間の剥離強度が密着層とガラス基板との間の剥離強度よりも大きいガラス積層体の場合について説明するが、本発明は下記一例に制限されるものではない。

このようなガラス積層体を用いて電子デバイスを製造する際には、ガラス基板上に電子デバイス用部材を配置した後、ガラス基板を剥離する際には、剥離強度がより低い密着層とガラス基板との間で剥離が進行する。ガラス基板を剥離する際には、通常、ガラス基板の一端側から密着層との剥離を行う。その際、密着層とガラス基板とが剥離されていない部分と、密着層とガラス基板とが剥離された部分との境界線である剥離線が一方向に向かって移動しながら、ガラス基板が剥離される。密着層とガラス基板との間に所定の大きさの気泡が存在している場合、剥離線がその気泡の一端部に到達すると、その部分で局所的に剥離線が気泡の一端部と対向する他端側まで移動し、その部分でガラス基板に局所的に応力が集中してしまう。その結果として、ガラス基板の割れを誘発している。

それに対して、本発明では、密着層とガラス基板の間の気泡をなくすか、または、気泡がある場合でも気泡の大きさを所定値以下とすることにより、上記のような剥離線の大きな移動を防ぎ、局所的な応力の発生を抑制している。その結果として、ガラス基板の割れの発生を抑制している。

また、上記のようなガラス積層体においては、ガラス積層体に加熱処理を施しても、気泡の大きさの拡大は略生じない。それに対して、密着層とガラス基板の間に所定値超の大きさの気泡がある場合、加熱処理の際に、気泡の拡大が生じやすく、ガラス基板の浮きが生じやすい。このようなガラス基板の浮きが生じると、ガラス積層体上に各種部材を塗布するコーターとの衝突も生じやすくなる。しかしながら、本発明のガラス積層体ではこのような問題が生じにくい。

本発明のガラス積層体においては、支持基材と密着層との間の剥離強度（密着層の支持基材の層に対する界面の剥離強度）と、密着層とガラス基板との間の剥離強度（密着層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度）とは、異なる。

そこで、以下では、第１の実施形態として、密着層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が密着層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より小さく、密着層とガラス基板の層との間で剥離し、密着層および支持基材の積層体と、ガラス基板とに分離するガラス積層体について詳述する。

また、第２の実施形態として、密着層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が密着層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より大きく、密着層と支持基材の層との間で剥離し、ガラス基板および密着層の積層体と、支持基材とに分離するガラス積層体について詳述する。

後段で詳述するように、第１の実施形態（支持基材と密着層との間の剥離強度が、密着層とガラス基板との剥離強度よりも大きい場合）においては密着層とガラス基板との間、また、第２の実施形態（密着層とガラス基板との剥離強度が、支持基材と密着層との剥離強度よりも大きい場合）においては支持基材と密着層との間において、気泡の有無および気泡の大きさが制御されている。
以下では、まず、第１の実施形態について詳述し、その後、第２の実施形態について詳述する。

＜＜第１の実施形態＞＞
以下では、まず、本発明に係るガラス積層体の一実施形態（第１の実施形態）について詳述する。
図１は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基材１２の層と、ガラス基板１６の層と、それらの層の間に密着層１４が存在する積層体である。密着層１４は、その一方の面が支持基材１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。支持基材１２の層および密着層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。

このガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１０は、そのガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が配置されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が配置されたガラス積層体は、密着層付き支持基材１８と部材付きガラス基板に分離され、密着層付き支持基材１８は電子デバイスを構成する部分とはならない。密着層付き支持基材１８には新たなガラス基板１６が積層され、新たなガラス積層体１０として再利用することができる。

なお、図１のガラス積層体１０中において、密着層１４は支持基材１２上に固定されており、ガラス基板１６は密着層付き支持基材１８の密着層１４上に剥離可能に積層（密着）する。本発明において、該固定と剥離可能な積層（密着）は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。つまり、密着層１４と支持基材１２との間（界面）の剥離強度が、密着層１４とガラス基板１６との間（界面）の剥離強度よりも大きくなる。言い換えると、剥離可能な積層（密着）とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。

より具体的には、支持基材１２と密着層１４の界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基材１２と密着層１４の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２と密着層１４との界面で剥離する。密着層１４とガラス基板１６の界面は剥離強度（ｙ）を有し、密着層１４とガラス基板１６の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、密着層１４とガラス基板１６との界面で剥離する。

ガラス積層体１０（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体１０は、密着層１４とガラス基板１６の界面で剥離してガラス基板１６と密着層付き支持基材１８に分離する。

剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基材１２に対する密着層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。

支持基材１２に対する密着層１４の付着力を高めることは、例えば、後述するように、支持基材１２上で密着層１４を形成する方法（好ましくは、硬化性樹脂を支持基材１２上で硬化させて、所定の密着層１４を形成すること）によりなされる。形成の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合した密着層１４を形成することができる。

一方、硬化後の密着層１４のガラス基板１６に対する結合力は、上記形成時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材１２上で密着層１４を形成し、その後密着層１４の面にガラス基板１６を積層することにより、所望の剥離関係を満たすガラス積層体１０を製造することができる。

なお、上記では剥離強度（ｘ）を高める点について述べたが、例えば、剥離強度（ｙ）を低下させて、剥離強度（ｘ）と剥離強度（ｙ）との差を大きくしてもよい。なお、剥離強度（ｙ）を低下させる方法としては、ガラス基板１６表面の表面エネルギーを低下させる方法が挙げられる。

ガラス基板１６表面の表面エネルギーを低下させる方法としては、例えば、ガラス基板の第１主面を剥離剤で処理することが挙げられる。
剥離剤としては公知の剥離剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物（例えば、シリコーンオイルなど）、シリル化剤（例えば、ヘキサメチルジシラザンなど）、フッ素系化合物（例えば、フッ素樹脂など）などが挙げられる。剥離剤は、エマルジョン型・溶剤型・無溶剤型として使用することができる。剥離力、安全性、コスト等から、一つの好適例として、メチルシリル基（≡ＳｉＣＨ_３、＝Ｓｉ（ＣＨ_３）_２、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３のいずれか）またはフルオロアルキル基（−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１）（ｍは１〜６の整数が好ましい）を含む化合物が挙げられ、他の好適例として、シリコーン系化合物またはフッ素系化合物が挙げられ、特にシリコーンオイルが好ましい。

ガラス積層体１０においては、密着層１４とガラス基板１６との間において、気泡がない、または、気泡がある場合は、その気泡の直径が１０ｍｍ以下である。つまり、以下の２つのいずれかの態様を満たす。
態様Ａ：密着層１４とガラス基板１６との間に気泡がない
態様Ｂ：密着層１４とガラス基板１６との間に気泡があり、その気泡の直径が１０ｍｍ以下である

気泡の有無の確認方法としては、ガラス積層体１０をガラス基板１６表面の法線方向から目視により観察し、密着層１４とガラス基板１６との間での観察領域（観察領域としては、密着層１４とガラス基板１６との間の全域。言い換えると、ガラス基板１６の密着層１４と接触している全面領域であり、いわゆる全面観察（ガラス基板１６の全面観察）に該当。）における気泡の有無を確認する。

観察領域に気泡がない場合を、上記態様Ａの「気泡がない」とする。なお、目視での観察限界としては直径０．１ｍｍ程度である。また、気泡がある場合は、気泡の直径を測定する。なお、気泡が真円状でない場合は、円相当径を上記直径とする。円相当径とは、観察された気泡の面積と等しい面積をもつ円の直径である。

上記態様Ｂの場合、気泡の直径は１０ｍｍ以下である。この場合、密着層１４とガラス基板１６との間に存在するすべての気泡について、その直径が１０ｍｍ以下であることを意図する。ガラス基板の剥離の際の割れがより抑制される点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、気泡の直径は７ｍｍ以下が好ましく、５ｍｍ以下がより好ましい。なお、気泡の直径の下限は特に制限されないが、上述した、目視での観察限界である０．１ｍｍ程度が挙げられる。

上記態様Ｂの場合、気泡の個数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、７個／１２００ｃｍ^２以下が好ましく、３個／１２００ｃｍ^２以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０個（態様Ａ）が好ましい。なお、「個／１２００ｃｍ^２」とは、観察領域（１２００ｃｍ^２）における気泡の数を意図する。
なお、上記のような態様Ａおよび態様Ｂを満たすガラス積層体は、後述する製造方法を介して製造することができる。

以下では、ガラス積層体１０を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、密着層１４）について詳述し、その後、ガラス積層体１０の製造方法について詳述する。

＜支持基材＞
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。

支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましい。支持基材１２はガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、すなわち支持基材１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じ組成のガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持基材１２は、例えば、矩形状であり、支持基材１２の長辺の長さは４００ｍｍ以上であることが好ましく、支持基材１２の短辺の長さは３００ｍｍ以上であることが好ましい。なお、上記長辺の長さの上限値は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３２００ｍｍ以下の場合が多い。また、上記短辺の長さの上限値は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３０００ｍｍ以下の場合が多い。
なお、支持基材１２の大きさは、後述するガラス基板１６と同等以上であることが好ましい。

支持基材１２と後述する密着層１４との接触面積は、１２００ｃｍ^２以上である。接触面積の上限は特に制限されないが、９６０００ｃｍ^２以下が挙げられる。
なお、支持基材１２の全面が、密着層１４と接触していることが好ましい。一部が剥離した状態であると、その箇所を起点にガラス基板１６全体が剥離する可能性があり、その結果、工程汚染や装置破損のおそれがある。

支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよいし、同じであってもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、密着層１４の厚さ、およびガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基材１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さと密着層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基材１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基材１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは５００×１０^−７／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^−７／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^−７／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反ったり、支持基材１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基材１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

支持基材１２（好ましくは、ガラス板）の少なくとも１つの角部は面取り（または研削面取り）されていることが好ましく、端面が面取り（または研削面取り）されていることがより好ましい。上記のように面取りがなされていると、支持基材１２の角部（または端面）からの欠けが発生しにくく、異物（支持基材がガラス板の場合は、ガラス粉）が生じにくくなる。

ガラス積層体１０を製造する際には、支持基材１２を搬送したり、支持基材１２の端面を持って作業したりする場合が多い。その際に支持基材１２の角部（または端面）が面取りされていると、角部（または端面）からの欠けが発生しづらく、ガラス粉などの異物が生じにくい。そのため、密着層１４とガラス基板１６とを積層させる際に、その間に異物（例えば、ガラス粉）が混入するのをより防止することができる。結果として、密着層１４とガラス基板１６との間にガラス粉に起因する気泡の発生を抑制することができる。

＜ガラス基板＞
ガラス基板１６は、第１主面１６ａが密着層１４と接し、密着層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１６は、例えば、矩形状であり、ガラス基板１６の長辺の長さが４００ｍｍ以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３２００ｍｍ以下の場合が多い。

ガラス基板１６の短辺の長さは、３００ｍｍ以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３０００ｍｍ以下の場合が多い。
ガラス基板１６と後述する密着層１４との接触面積は、１２００ｃｍ^２以上である。接触面積の上限は特に制限されず、９６０００ｃｍ^２以下が挙げられる。
なお、ガラス基板１６の全面が、密着層１４と接触していることが好ましい。

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であり、好ましくは０．２ｍｍ以下であり、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、特に好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

ガラス基板１６の少なくとも１つの角部は面取り（または研削面取り）されていることが好ましく、端面が面取り（または研削面取り）されていることがより好ましい。上記のように面取りがなされていると、ガラス基板１６の角部（または端面）からの欠けが発生しにくく、ガラス粉が生じにくくなる。

ガラス積層体１０を製造する際には、ガラス基板１６を搬送したり、ガラス基板１６の端面を持って作業したりする場合が多い。その際にガラス基板１６の角部（または端面）が面取りされていると、角部（または端面）からのガラス粉が生じにくく、密着層１４とガラス基板１６とを積層させる際に、その間にガラス粉が混入するのをより防止することができる。結果として、密着層１４とガラス基板１６との間にガラス粉に起因する気泡の発生を抑制することができる。

＜密着層＞
密着層１４は、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６が上記分離操作によって破損するのを防止する。密着層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに剥離可能に密着する。密着層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、密着層１４と支持基材１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも小さい。

すなわち、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１主面１６ａと密着層１４との界面で剥離し、支持基材１２と密着層１４との界面では剥離し難い。このため、密着層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。

すなわち、密着層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、この密着層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材１２の第１主面と密着層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。

なお、密着層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）や剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも小さい。

密着層１４とガラス基板１６の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。密着層１４を形成した後、その表面にガラス基板１６を積層する場合、例えば、密着層１４が後述する樹脂層であると、密着層１４の樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。

しかし、密着層１４の樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体１０製造後そのガラス積層体１０上に電子デバイス用部材を配置する際には、加熱操作などにより、密着層１４の樹脂はガラス基板１６面に接着し、密着層１４とガラス基板１６の層との間の結合力は上昇すると考えられる。

そこで、場合により、積層前の密着層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、密着層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を小さくすることができる。

また、密着層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材１２表面に結合されている。例えば、後述するように、硬化性樹脂を含む層を支持基材１２表面で硬化させることにより、硬化物である樹脂を支持基材１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面と密着層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面と密着層１４との間の結合力を高めることもできる。
密着層１４と支持基材１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が大きいことを意味する。

密着層１４の大きさは特に制限されないが、通常、ガラス基板１６と同等以上であることが好ましい。より具体的には、密着層１４は、通常、ガラス基板１６の全面と接することが好ましい。具体的には、密着層１４は矩形状であることが好ましい。矩形状の場合、密着層１４の長辺の長さは４００ｍｍ以上であることが好ましく、上限は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３２００ｍｍ以下の場合が多い。また、密着層１４の短辺の長さは３００ｍｍ以上であることが好ましく、上限は特に制限されないが、取り扱い性の点から、３０００ｍｍ以下の場合が多い。なお、密着層１４は上記支持基材１２の全面に配置されていることが好ましい。

密着層１４の厚さは特に限定されないが、２〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。密着層１４の厚さがこのような範囲であると、密着層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。

密着層１４の種類は特に制限されないが、樹脂などで構成される有機層でも、無機層でもよい。
有機層としては、所定の樹脂を含む樹脂層であることが好ましい。樹脂層を形成する樹脂の種類は特に限定されず、例えば、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、またはシリコーン樹脂等が挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。なかでも、シリコーン樹脂が好ましい。つまり、密着層１４は、シリコーン樹脂層であることが好ましい。シリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。また、ガラス板表面のシラノール基との縮合反応によって、ガラス板に固定し易いからである。シリコーン樹脂は、例えば、大気中２００℃程度で１時間程度処理しても、剥離性がほぼ劣化しない点も好ましい。

シリコーン樹脂層に含まれるシリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であることが好ましく、シリコーン樹脂は３次元網目構造を形成していることが好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの種類は特に制限されず、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、シリコーン樹脂を構成する架橋物（硬化物）となれば特にその構造は限定されず、所定の架橋性を有していればよい。架橋の形式は特に制限されず、架橋性オルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。

より具体的には、架橋性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物（架橋シリコーン樹脂）となる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。

さらに、架橋性オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン）、および、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン）を含む場合、ヒドロシリル化触媒（例えば、白金系触媒）の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。

なかでも、密着層１４の形成が容易で、ガラス基板の剥離性により優れる点で、架橋性オルガノポリシロキサンが、両末端および／または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＡとも称する）と、両末端および／または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＢとも称する）とを含む態様が好ましい。

なお、アルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられる。なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
また、オルガノポリシロキサンＡに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンＢに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。

オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＭ単位に存在していることが好ましく、２個のＭ単位の両方に存在していることが好ましい。

なお、Ｍ単位およびＤ単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、Ｍ単位とは有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｄ単位とは有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ_１／２と表現される。

オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、１分子中に１〜３個が好ましく、２個がより好ましい。

オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＤ単位に存在していることが好ましい。
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、１分子中に少なくとも３個有することが好ましく、３個がより好ましい。

オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの混合比率は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＢ中のケイ素原子に結合した水素原子と、オルガノポリシロキサンＡ中の全アルケニル基のモル比（水素原子／アルケニル基）が０．１５〜１．３となるように調整することが好ましい。より好ましくは０．７〜１．０５であり、さらに好ましくは０．８〜１．０となるように混合比率を調整することが好ましい。

ヒドロシリル化触媒としては、白金族金属系触媒を用いることが好ましい。白金族金属系触媒としては、例えば、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられる。特に白金系触媒として用いることが、経済性、反応性の点から好ましい。白金族金属系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。

ヒドロシリル化触媒の使用量としては、オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの合計質量に対して、１〜１００００質量ｐｐｍが好ましく、１０〜１０００質量ｐｐｍがより好ましい。

架橋性オルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１，０００〜５，０００，０００が好ましく、２，０００〜３，０００，０００がより好ましい。

架橋性オルガノポリシロキサンの粘度は１０〜５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１５〜３０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。

無機層を構成する材料は特に制限されないが、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物（いわゆるカーボン材料であってもよく、例えば、フェノール樹脂などの樹脂成分を焼結して得られる炭化物）、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。

＜ガラス積層体の製造方法＞
本発明のガラス積層体１０の製造方法としては、上述した態様Ａまたは態様Ｂを満たすガラス積層体が製造できれば特に制限されない。
なかでも、密着層１４が樹脂層である場合、上記ガラス積層体１０を容易に製造できる点で、硬化性樹脂を含む層を支持基材１２上に形成し、支持基材１２上で硬化させ密着層１４（樹脂層）を形成する密着層形成工程と、密着層１４上にガラス基板１６を積層する積層工程とを有するガラス積層体１０を製造する方法であって、以下の要件１および要件２を満たす、ガラス積層体の製造方法が好適に挙げられる。

（要件１）：支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方の角部（好ましくは端面）の少なくとも１つが面取りされている、および／または、支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方に超音波洗浄処理が施されている
（要件２）：密着層形成工程がクラス１０００以下のクリーン度の環境下にて実施される、および／または、密着層１４およびガラス基板１６を積層する前まで密着層１４およびガラス基板１６の少なくとも一方の表面に剥離性保護膜が配置される
以下では、まず、密着層形成工程および積層工程の手順について触れた後、上記（要件１）および（要件２）について説明する。

（密着層形成工程）
本工程は、硬化性樹脂を含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で硬化性樹脂を硬化させて密着層１４（樹脂層）を形成する工程である。硬化性樹脂を支持基材１２表面上で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなる。したがって、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、密着層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。

支持基材１２上に硬化性樹脂を含む層を形成するためには、硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物を使用し、この組成物を支持基材１２上に塗布して硬化性樹脂を含む層を形成することが好ましい。
使用される硬化性樹脂としては、上述した密着層が形成される樹脂であればよく、例えば、硬化性シリコーン樹脂（架橋性オルガノポリシロキサン）、硬化性アクリル樹脂、ポリイミド樹脂前駆体などが挙げられる。

なお、組成物の塗布性が良好となり、より高速で塗布が可能となる点、および、塗布膜の平坦性の向上の点より、硬化性樹脂組成物には溶媒が含まれることが好ましい。溶媒の種類は特に制限されず、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム、ジアルキルポリシロキサン、飽和炭化水素などが挙げられる。

支持基材１２表面上に硬化性樹脂組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。

その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、硬化性樹脂の硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。

次いで、支持基材１２上の硬化性樹脂を含む層に硬化処理を施し、層中の硬化性樹脂を硬化させて、密着層１４を形成する。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、該工程では支持基材１２の少なくとも片面の表面上に密着層１４が形成される。

硬化（架橋）の方法としては、通常、熱硬化が採用される。
硬化性樹脂を反応させる際の温度条件は、使用される硬化性樹脂の種類によって適宜最適な条件が選択されるが、例えば、硬化性シリコーン樹脂を使用する場合は、加熱温度としては８０〜２５０℃が好ましく、加熱時間としては１０〜１２０分が好ましい。

（積層工程）
積層工程は、上記の密着層形成工程で得られた密着層１４の樹脂面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２と密着層１４とガラス基板１６とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。より具体的には、図２（Ｂ）に示すように、密着層１４の支持基材１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａとを積層面として、密着層１４とガラス基板１６とを積層し、ガラス積層体１０を得る。

ガラス基板１６を密着層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下で密着層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、密着層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いて密着層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、密着層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

積層工程の好適態様の一つとしては、密着層１４を加熱しながら、密着層１４上にガラス基板１６を積層することが挙げられる。つまり、密着層１４とガラス基板１６とを加熱積層することが好ましい。上記手順によって積層工程を実施することにより、密着層１４の含水率が低下し、ガラス積層体１０を加熱した際に、密着層１４とガラス基板１６との間に気泡が発生しづらくなる。

密着層１４を加熱する方法は特に制限されず、例えば公知のヒーターなどが使用される。
密着層１４の加熱温度は使用される樹脂の種類によって異なるが、１００℃以上が好ましく、１２０℃以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、樹脂の分解をより抑制できる点で、２００℃以下が好ましい。

（要件１）
要件１としては、支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方の角部（好ましくは端面）の少なくとも１つが面取りされている、および／または、支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方に超音波洗浄処理が施されていることが挙げられる。つまり、支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方に面取り処理が施されているか、支持基材１２およびガラス基板１６の少なくとも一方に超音波洗浄処理が施されているかの少なくとも一方が実施されていればよい。なお、支持基材１２に対する上記処理は、通常、密着層形成工程の前に実施され、ガラス基板１６に対する上記処理は、通常、積層工程の前に実施される。

本要件１で実施される処理は、主に、支持基材１２およびガラス基板１６が欠けて生じる異物を除去する役割を果たす。例えば、上述したように、ガラス基板１６の端面部からは、ガラス粉が生じやすい。そこで、上記面取り処理を実施することにより、そもそもガラス粉が生じることを抑制できる。また、上記超音波洗浄処理を実施することにより、支持基材１２およびガラス基板１６に付着している異物（例えば、ガラス粉）を除去することができる。

要件１で実施される面取り処理の方法は特に制限されず、公知の方法が実施される。
支持基材１２およびガラス基板１６の面取り処理が施される位置は特に制限されないが、角部の少なくとも一つが好ましく、端面の少なくとも一つがより好ましく、全端面がさらに好ましい。

要件１で実施される超音波洗浄処理の方法は特に制限されず、公知の方法が実施されるが、各種溶媒中に支持基材１２（またはガラス基板１６）を浸漬して超音波洗浄処理を実施することが好ましい。
超音波洗浄処理の回数は特に制限されず、少なくとも１回実施され、複数回実施されることが好ましい。

また、超音波洗浄処理の際に使用される溶媒の種類は特に制限されないが、水や有機溶媒が挙げられる。
さらに、超音波洗浄処理を実施する時間は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０秒以上が好ましく、１分以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、生産性の点から、１０分以内が好ましい。
なお、超音波洗浄処理の後、必要に応じて、各種溶媒を除去するために乾燥処理を実施してもよい。

（要件２）
要件２としては、密着層形成工程がクラス１０００以下のクリーン度の環境下にて実施される、および／または、密着層１４およびガラス基板１６を積層する前まで密着層１４およびガラス基板１６の少なくとも一方の表面に剥離性保護膜が配置される（以後、単に「保護処理」とも称する）ことが挙げられる。つまり、密着層形成工程がクラス１０００以下のクリーン度の環境下にて実施されるか、上記保護処理の少なくとも一方が実施されていればよい。

本要件２で実施される処理は、主に、密着層１４およびガラス基板１６の表面に空気中の埃（ほこり）が付着することを抑制する役割を果たす。埃が密着層１４およびガラス基板１６の積層面に数多く位置すると、気泡が混入する原因となり得る。そこで、上記処理のいずれか一方を少なくとも実施することにより、埃の付着を抑制することができる。

要件２で実施される密着層形成工程は、クリーン度がクラス１０００以下の環境下にて実施される。
なお、本明細書における「クラス（清浄度クラス）」とは、米国連邦規格（ＵＳＡ ＦＥＤ．ＳＴＤ）２０９Ｄにて規定される清浄度クラスをいうものとし、「クラス１０００」とは、空気中に含まれる粒径０．５μｍ以下の微粒子が、１立方フィート（１ｆｔ３）当たりに１０００個を超えない雰囲気であることを意味する。ちなみに、米国連邦規格２０９Ｄにて規定される清浄度クラス１０００は、ＪＩＳ Ｂ ９９２０「クリーンルームの空気清浄度の評価方法」にて規定される清浄度クラス６に相当する。

要件２で実施される保護処理は、密着層１４およびガラス基板１６を積層する前まで密着層１４およびガラス基板１６の少なくとも一方の表面に剥離性保護膜を配置する処理である。つまり、密着層１４のガラス基板１６との積層面、および、ガラス基板１６の密着層１４との積層面の少なくとも一方に剥離性保護膜を配置して、埃が付着するのを防止する処理である。なお、本処理は、通常、積層工程の前まで実施され、密着層１４とガラス基板１６とを積層する際には、剥離性保護膜を剥離して、両者を積層する。

使用される剥離性保護膜の種類は特に制限されず、密着層１４およびガラス基板１６の表面に付着して、剥離することができる膜（フィルム）であればよい。例えば、剥離性シリコーンフィルムなどが挙げられる。

また、上記支持基材およびガラス基板としてガラス板が用いられる場合、ガラス板は製造後に所定の場所まで通常搬送されるが、その際、合紙を介して複数のガラス板を積層してなる積層体であるガラス板梱包体の形で搬送される場合が多い。その際に、合紙としてバージンパルプからなる合紙を用いることにより、本発明の効果がより優れる。つまり、ガラス積層体の製造時に、複数のガラス板をバージンパルプからなる合紙を介して積層したガラス板梱包体中のガラス板を、ガラス積層体の支持基材およびガラス基板の少なくとも一方に用いて、ガラス積層体を製造することが好ましい。

ここで、バージンパルプからなる合紙とは、古紙パルプを実質的に含まない合紙を意図する。古紙パルプを実質的に含まないとは、古紙パルプの含有率が２０質量％未満であることを意図する。好ましくは、古紙パルプの含有率が５質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下である。

例えば、合紙の原料パルプが古紙パルプを実質的に含む場合、合紙上には古紙パルプ由来の異物が存在する場合が多い。このような異物があると、ガラス板上に転写され、結果として気泡の発生原因となり得る。それに対して、バージンパルプからなる合紙の場合、このような異物が少なく、気泡の発生をより抑制することができる。
なお、上記古紙パルプを「実質的に」含むとは、原料パルプ全質量に対する古紙パルプの含有量が２０質量％以上であることを意図する。

ガラス積層体における気泡サイズを抑制するためには、使用する支持基材、および、ガラス基板に付着する異物がないことが好ましい。異物の付着原因として、上述したように、梱包の際に使用される合紙（梱包用合紙）からの異物の付着が問題となる場合がある。よって、合紙の表面には、ガラス板に付着しうる異物が存在しないことが好ましい。

その際、適切な合紙を選定する方法として、下記のように、合紙表面を評価する方法が挙げられる。
光学顕微鏡（オリンパス社製ＢＸ５１）を使用して、ガラス板梱包体に使用する合紙の表面を、反射画像観察を行う。撮影装置として、Ｃａｎｏｎ社製ＥＯＳ Ｋｉｓｓ Ｘ３を使用する。画像については、観察範囲として縦１．２４ｍｍ、横０．８３ｍｍについて、画像の取り込みサイズ：２３５２×１５６８ピクセル、画像データのファイル形式：ＪＰＥＧにて画像を取得する。

上記にて得られた光学顕微鏡画像について、二次元画像解析ソフトウェア（三谷商事株式会社製、ＷｉｎＲＯＯＦ）を用いて、解析を行う。顕微鏡視野に起因した画像の明度ムラなどがない領域を「長方形ＲＯＩ」で選択した後、３×３のメディアンフィルタで画像処理してノイズを除去する。次いで、モノクロ画像化を行ったのち、「２つのしきい値による２値化」を行い、異物と、それ以外の面積比を算出する。本発明では、２つのしきい値の設定においては、画像を目視した場合に異物として認識できる領域を選択するため、０．０００〜１３０．０００を採用する。

解析結果の一例として、各合紙における異物面積率は、バージンパルプ合紙０．０％、合紙Ａ９．７％、合紙Ｂ３．７％であり、バージンパルプからなる合紙においては異物の少ないことが確認されている。

＜ガラス積層体＞
本発明のガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、３００℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）シャッターパネル等が含まれる。

＜＜第２の実施形態＞＞
以下では、本発明に係るガラス積層体の他の実施形態（第２の実施形態）について詳述する。
図３は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図３に示すように、ガラス積層体１００は、支持基材１２の層と、ガラス基板１６の層と、それらの間に密着層１４が存在する積層体である。密着層１４は、その一方の面が支持基材１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。

図３のガラス積層体１００を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、密着層１４）は、上述したガラス積層体１０を構成する各層と同義であり、ここでは説明は省略する。

図３のガラス積層体１００と、図１のガラス積層体１０とでは、各層の剥離強度の関係が異なる。より具体的には、図３のガラス積層体１００中において、密着層１４はガラス基板１６上に固定されており、密着層付きガラス基板２０は、密着層付きガラス基板２０中の密着層１４が支持基材１２に直接接するように、支持基材１２上に剥離可能に積層（密着）する。上述したように、本発明において、該固定と剥離可能な密着は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。つまり、密着層１４とガラス基板１６との界面の剥離強度が、密着層１４と支持基材１２との界面の剥離強度よりも大きくなる。

より具体的には、ガラス基板１６と密着層１４の間（界面）は剥離強度（ｚ）を有し、ガラス基板１６と密着層１４の界面に剥離強度（ｚ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、ガラス基板１６と密着層１４の間で剥離する。密着層１４と支持基材１２の間（界面）は剥離強度（ｗ）を有し、密着層１４と支持基材１２の界面に剥離強度（ｗ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、密着層１４と支持基材１２との間で剥離する。

ガラス積層体１００においては、上記剥離強度（ｚ）は上記剥離強度（ｗ）よりも大きい。したがって、ガラス積層体１００に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体１００は、密着層１４と支持基材１２の界面で剥離して、密着層付きガラス基板２０と支持基材１２とに分離する。

ガラス基板１６に対する密着層１４の付着力を高めることは、例えば、ガラス基板１６上で密着層１４を形成する方法（好ましくは、硬化性樹脂をガラス基板１６上で硬化させて、所定の密着層１４を形成すること）によりなされる。硬化の際の接着力で、ガラス基板１６に対して高い結合力で結合した密着層１４を形成することができる。

一方、硬化後の密着層１４の支持基材１２に対する結合力は、上記形成時に生じる結合力よりも小さいのが通例である。したがって、ガラス基板１６上で密着層１４を形成し、その後密着層１４の面に支持基材１２を積層することにより、所望の剥離関係を満たすガラス積層体１００を製造することができる。

ガラス積層体１００においては、支持基材１２と密着層１４との間において、気泡がない、または、気泡がある場合は、その気泡の直径が１０ｍｍ以下である。つまり、以下の２つのいずれかの態様を満たす。
態様Ｃ：支持基材１２と密着層１４との間に気泡がない
態様Ｄ：支持基材１２と密着層１４との間に気泡があり、その気泡の直径が１０ｍｍ以下である

気泡の有無の確認方法は、第１の実施形態で説明した方法と同じであり、観察領域としては、支持基材１２の密着層１４と接触している全面領域である。
上記態様Ｄの場合、気泡の直径および個数の好適範囲および定義は、第１の実施形態で説明した態様Ｂと同じである。

ガラス積層体１００の製造方法は特に制限されないが、上述した、ガラス積層体１０の製造方法において、支持基材１２の代わりにガラス基板１６を用い、ガラス基板１６の代わりに支持基材１２を用いることにより、所望のガラス積層体１００を製造することができる。例えば、ガラス基板１６上で密着層１４を形成し、次いで、密着層１４上に支持基材１２を積層して、ガラス積層体１００を製造することができる。
なお、この場合も、上記要件１および要件２を満たすことが好ましい。

＜電子デバイス（部材付きガラス基板）およびその製造方法＞
本発明においては、上述したガラス積層体（ガラス積層体１０またはガラス積層体１００）を用いて、電子デバイスを製造することができる。
以下では、上述したガラス積層体１０を用いた態様について詳述する。

ガラス積層体１０を用いることにより、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイス（部材付きガラス基板）が製造される。
電子デバイスの製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体から密着層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と密着層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。

以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体から密着層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と密着層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体１０中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２２を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２４を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２２について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２２は、ガラス積層体１０中のガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２２としては、例えば、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。

また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２４の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に、電子デバイス用部材２２を形成する。

なお、電子デバイス用部材２２は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。密着層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。

また、密着層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基材１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１０のガラス基板１６の密着層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

（分離工程）
分離工程は、図２（Ｄ）に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２４から、密着層１４とガラス基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２２が積層したガラス基板１６（部材付きガラス基板）と、密着層１４および支持基材１２とに分離して、電子デバイス用部材２２およびガラス基板１６を含む電子デバイス２６を得る工程である。
剥離時のガラス基板１６上の電子デバイス用部材２２が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１６上に形成することもできる。

電子デバイス２６と密着層付き支持基材１８とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板１６と密着層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。

好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２４の支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２２側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２２側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基材が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−密着層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると密着層１４とガラス基板１６との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面全面に広がり、密着層付き支持基材１８を容易に剥離することができる。

また、密着層付き支持基材１８は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体１０を製造することができる。
なお、電子デバイス２６と密着層付き支持基材１８とを剥離する際には、ガラス基板１６と密着層１４との界面に剥離助剤を吹き付けながら剥離することが好ましい。剥離助剤とは、上述した水などの溶媒を意図する。使用される剥離助剤としては、例えば、水や有機溶媒（例えば、エタノール）など、またはそれらの混合物などが挙げられる。

なお、電子デバイス用部材付き積層体２４から電子デバイス２６を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、密着層１４の欠片が電子デバイス２６に静電吸着することをより抑制することができる。

上述した電子デバイス２６の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

上記方法で製造された電子デバイス２６としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

上記においては、ガラス積層体１０を用いた態様について詳述したが、ガラス積層体１００を用いて上記と同様手順に従って電子デバイスを製造することもできる。
なお、ガラス積層体１００を使用した場合は、上記分離工程の際に、支持基材１２と密着層１４との界面を剥離面として、支持基材１２と、密着層１４、ガラス基板１６、および、電子デバイス用部材２２を含む電子デバイスとに分離される。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例１〜３、比較例１〜２では、ガラス基板として、縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の薄板ガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００）を使用した。また、支持基材としては、縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃のガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００）を使用した。なお、実施例４では上記ガラス基板を、実施例５では上記支持基材を使用した。

（実施例１）
まず、クレトイシ社製の＃５００のダイヤモンドホイールを用いて、支持基材の各端面の面取りを行った。次に、ブラシを用いた純水洗浄によって該支持基材の表面を清浄化した後、クリーンルーム（クリーン度：クラス１０００）にて、無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン製 ＫＮＳ−３２０Ａ）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン製 ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部との混合物を清浄化した支持基材表面上にスクリーン印刷にて塗工し（塗工量１５ｇ／ｍ^２）、１００℃にて３分間加熱硬化して膜厚１５μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
次に、ガラス基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を、ブラシを用いた純水洗浄で清浄化した後、支持基材上のシリコーン樹脂層とガラス基板とを室温下にて真空プレスにて貼り合わせ、ガラス積層体を得た。

（実施例２）
まず、支持基材の表面に窒素ガスを吹き付けて被接着面の埃等を除去した後、１；中性洗剤、２；純水、３；イソプロピルアルコール、４；アセトンの順で支持基材を洗浄液に浸漬してそれぞれ１分ずつ、各４回の超音波洗浄を行った。超音波洗浄後、支持基材の表面に窒素ガスを吹き付けて乾燥後、水分を完全に除去するために、減圧（０．５ｋＰａ）下にて５０℃で加熱乾燥した。
次に、クリーンルーム（クリーン度：クラス１０００）にて、無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン製 ＫＮＳ−３２０Ａ）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン製 ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部との混合物を支持基材表面上にスクリーン印刷にて塗工し（塗工量１５ｇ／ｍ^２）、１００℃にて３分間加熱硬化して膜厚１５μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
次に、ガラス基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面に窒素ガスを吹き付けて被接着面の埃等を除去後、１；中性洗剤、２；純水、３；イソプロピルアルコール、４；アセトンの順で洗浄液に浸漬してそれぞれ１分ずつ、各４回の超音波洗浄を行った。超音波洗浄後、ガラス基板の表面に窒素ガスを吹き付けて乾燥後、水分を完全に除去するために、減圧（０．５ｋＰａ）下にて５０℃で加熱乾燥した。
次に、支持基材上のシリコーン樹脂層と、ガラス基板とを室温下にて真空プレスにて貼り合わせ、ガラス積層体を得た。

（実施例３）
シリコーン樹脂層とガラス基板との貼り合わせの際、１５０℃の真空プレスによってシリコーン樹脂層を加熱しながら貼り合せた以外は、実施例２と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。

（実施例４）
支持基材として下記のガラス基板を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。
支持基材は、フロート法によりガラスを板状に成型した後、ブラシを用いた純水洗浄までの搬送時に、原料パルプとしてバージンパルプを１００％用いた合紙を用いて、接触梱包されたガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００、縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用いた。より具体的には、上記接触梱包の際には、複数のガラス基板が上記合紙を介して積層されたガラス板梱包体が形成され、そのガラス板梱包体を所定の場所まで搬送し、このガラス板梱包体からガラス基板を取り出し、使用した。

（実施例５）
ガラス基板として下記のガラス基板を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。
ガラス基板は、フロート法によりガラスを板状に成型した後、ブラシを用いた純水洗浄までの搬送時に、原料パルプとしてバージンパルプを１００％用いた合紙を用いて、接触梱包されたガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００、縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）を用いた。より具体的には、上記接触梱包の際には、複数のガラス基板が上記合紙を介して積層されたガラス板梱包体が形成され、そのガラス板梱包体を所定の場所まで搬送し、このガラス板梱包体からガラス基板を取り出し、使用した。

（実施例６）
ガラス基板として下記のガラス基板を使用した以外は、実施例４と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。
ガラス基板は、フロート法によりガラスを板状に成型した後、ブラシを用いた純水洗浄までの搬送時に、原料パルプとしてバージンパルプを１００％用いた合紙を用いて、接触梱包されたガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００、縦４００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）を用いた。より具体的には、上記接触梱包の際には、複数のガラス基板が上記合紙を介して積層されたガラス板梱包体が形成され、そのガラス板梱包体を所定の場所まで搬送し、このガラス板梱包体からガラス基板を取り出し、使用した。

（比較例１）
クリーンルームのクリーン度をクラス１０００からクラス１００００に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。
なお、比較例１の製造手順では、上記要件２を満たしていない。

（比較例２）
支持基材の面取りを行わなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を得た。
なお、比較例２の製造手順では、上記要件１を満たしていない。

なお、実施例および比較例にて製造した各ガラス積層体においては、支持基材とシリコーン樹脂層との間の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板との間の剥離強度よりも大きかった。
また、実施例および比較例にて製造した各ガラス積層体においては、シリコーン樹脂層と支持基材との接触面積、および、シリコーン樹脂層とガラス基板との接触面積の両方は１２００ｃｍ^２であった。

（気泡評価）
実施例および比較例にて製造した各ガラス積層体において、シリコーン樹脂層とガラス基板との間に発生した気泡を観察した。具体的には、ガラス基板の法線方向から目視により観察し、シリコーン樹脂層とガラス基板との間の観察領域（ガラス基板全面）における気泡の有無、および、気泡の直径を観察した。なお、上述したように気泡の直径は、円相当径に該当する。
結果を表１にまとめて示す。

（剥離試験）
実施例および比較例にて製造した各ガラス積層体を１００個用意して、それぞれを３００℃で１時間加熱した後に、剥離試験を行い、気泡による基板の割れ不良が生じるか否かを評価した。
剥離試験は、ガラス基板が下側になるように固定台に設置し、真空吸着により固定し、この状態で支持基材を剥離する為に、剃刀の刃で端部に剥離のきっかけを与え、支持基材に上方の力を加えてシリコーン樹脂層とガラス基板との剥離を進行させて、ガラス基板から支持基材を分離させた。
剥離の良否評価は、「◎」、「○」、「×」の３段階で評価し、「◎」は９８個以上のガラス積層体でガラス基板をワレなく剥離できたことを指し、「○」は９５個以上９７個以下のガラス積層体でガラス基板をワレなく剥離できたことを指し、「×」は９４個以下のガラス積層体でガラス基板をワレなく剥離できたことを指す。

上記の表によれば、気泡径（気泡の直径）が１２〜１８ｍｍの比較例１および２では、剥離の歩留まりが低下し、問題が生じていることが確認された。
一方で、気泡径が１０ｍｍ以下である実施例１〜６では、高い剥離歩留まりを示すガラス積層体が製造できていることが確認された。特に、気泡径が５ｍｍ以下の実施例３〜６では、極めて高い剥離歩留まりを示すことが確認された。

＜実施例７＞
本例では、実施例１で得たガラス積層体を用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、ガラス積層体におけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し脱水素処理を行う。
次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理を行う。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。
次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。
次に、水素雰囲気下４５０℃６０分間加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。

続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ_３をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体（支持基材付き表示装置用パネル）である。

続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、シリコーン樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

本発明に係るガラス積層体は、太陽電池、液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、その他の薄型の表示装置パネル等の製造に好適である。

本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１４年１２月２６日付で出願された日本特許出願（特願２０１４−２６５１７２）、および２０１５年１１月２日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−２１５８１９）に基づいており、その全体が引用により援用される。

１０，１００ ガラス積層体
１２ 支持基材
１４ 密着層
１６ ガラス基板
１８ 密着層付き支持基材
２０ 密着層付きガラス基板
２２ 電子デバイス用部材
２４ 電子デバイス用部材付き積層体
２６ 電子デバイス

Claims (8)

1. 支持基材と密着層とガラス基板とをこの順で備え、前記支持基材と前記密着層との間の剥離強度と、前記密着層と前記ガラス基板との間の剥離強度とが異なる、ガラス積層体であって、
   前記密着層と前記支持基材との接触面積、および、前記密着層と前記ガラス基板との接触面積の両方が１２００ｃｍ^２以上であり、
   前記ガラス基板の厚さが０．３ｍｍ以下であり、
   前記支持基材と前記密着層との間、および、前記密着層と前記ガラス基板との間のうち、剥離強度が小さいほうの間に、
   気泡があり、前記気泡の直径が１０ｍｍ以下である、ガラス積層体。
2. 前記気泡の直径が５ｍｍ以下である、請求項１に記載のガラス積層体。
3. 前記支持基材が、ガラス板である、請求項１または２に記載のガラス積層体。
4. 前記密着層が、シリコーン樹脂層またはポリイミド樹脂層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス積層体。
5. 前記支持基材と前記密着層との間の剥離強度が、前記密着層と前記ガラス基板との間の剥離強度よりも大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体。
6. 請求項５に記載のガラス積層体の前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
   前記電子デバイス用部材付き積層体から前記支持基材および前記密着層を含む密着層付き支持基材を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法であって、
   複数のガラス板をバージンパルプからなる合紙を介して積層したガラス板梱包体中の前記ガラス板を、前記ガラス積層体の前記支持基材および前記ガラス基板の少なくとも一方に用いて、前記ガラス積層体を製造する、ガラス積層体の製造方法。
8. 複数のガラス板をバージンパルプからなる合紙を介して積層してなり、支持基材と密着層とガラス基板とをこの順で備えるガラス積層体を製造するために用いられるガラス板梱包体。

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