TWI775726B - 玻璃積層體及其製造方法 - Google Patents

玻璃積層體及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI775726B
TWI775726B TW105123951A TW105123951A TWI775726B TW I775726 B TWI775726 B TW I775726B TW 105123951 A TW105123951 A TW 105123951A TW 105123951 A TW105123951 A TW 105123951A TW I775726 B TWI775726 B TW I775726B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polysiloxane
units
glass substrate
mentioned
glass
Prior art date
Application number
TW105123951A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201710080A (zh
Inventor
山田和夫
佐佐木崇
内田大輔
下坂鷹典
Original Assignee
日商Ａｇｃ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ａｇｃ股份有限公司 filed Critical 日商Ａｇｃ股份有限公司
Publication of TW201710080A publication Critical patent/TW201710080A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI775726B publication Critical patent/TWI775726B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10798—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing silicone
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10807—Making laminated safety glass or glazing; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/0007—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding involving treatment or provisions in order to avoid deformation or air inclusion, e.g. to improve surface quality
    • B32B37/003—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding involving treatment or provisions in order to avoid deformation or air inclusion, e.g. to improve surface quality to avoid air inclusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種於高溫加熱處理中，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間氣泡之產生獲得抑制之玻璃積層體及其製造方法。本發明係關於一種玻璃積層體，其係依序包括支持基材、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板者，且於將上述玻璃積層體於氮氣氛圍下以550℃加熱10分鐘之情形時，於上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之間無氣泡，或於存在氣泡之情形時，上述氣泡之直徑未達1mm。

Description

玻璃積層體及其製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及其製造方法。
為了使經薄板化之玻璃基板之操作性提昇，提出有如下方法：準備經由樹脂層(所謂之聚矽氧樹脂層)將玻璃基板與支持基板積層而成之玻璃積層體，於玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件(device)用構件，其後，將玻璃基板與支持基板分離(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2013/058217號
近年來，隨著形成之電子器件用構件之高功能化或複雜化，期望形成電子器件用構件時實施更高溫度條件下(例如550℃)之處理。存在因高溫加熱處理而使附著或包含於玻璃基板或聚矽氧樹脂層之氣體釋放，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間產生氣泡的情況。於在高溫下形成電子器件用構件時，若產生特定之大小以上之氣泡，則產生電子器件用構件之位置偏移等不良影響。
根據本發明者等人之見解，專利文獻1記載之玻璃積層體於450℃之熱處理中，玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間不會產生特定之大小以上之氣泡，但於高溫加熱處理(550℃)中，存在玻璃基板與聚矽氧樹 脂層之間會產生特定之大小以上之氣泡之情況。
本發明係鑒於以上方面而成者，目的在於提供一種於進行高溫加熱處理之情形時，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間氣泡(尤其是特定之大小以上之氣泡)之產生得到抑制的玻璃積層體及其製造方法。
本發明者等人為了達成上述目的進行了努力研究，結果發現：藉由採用特定之聚矽氧樹脂層，即便於高溫加熱處理後，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間氣泡之產生亦得到抑制，從而完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板者，且於將玻璃積層體於氮氣氛圍下以550℃加熱10分鐘之情形時，於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間無氣泡，或於存在氣泡之情形時，氣泡之直徑未達1mm。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)。再者，R表示氫原子或有機基。
又，於第1態樣中，較佳為T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂進而具有(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)。
又，於第1態樣中，較佳為D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%。
又，於第1態樣中，較佳為D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~35莫耳%。
又，於第1態樣中，較佳為D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~15莫耳%。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂為硬化性聚矽氧之硬化物，且硬化性聚矽氧之重量平均分子量為5000~60000。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層之厚度為0.001~100μm。
又，於第1態樣中，較佳為玻璃基板之厚度為0.03~0.3mm。
又，較佳為聚矽氧樹脂層之玻璃基板側之表面粗糙度Ra為0.1~20nm。
又，本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其具有如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%；及於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板。
又，本發明之第3態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其具有如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)、(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%；及於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板。
根據本發明，能夠提供一種於高溫加熱處理中，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間氣泡(尤其是特定之大小以上之氣泡)之產生經抑制 之玻璃積層體及其製造方法。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層之表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附樹脂層之支持基材
22‧‧‧電子器件用構件
24‧‧‧附電子器件用構件之積層體
26‧‧‧附構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之模式性剖視圖。
圖2(A)~(D)係按步驟順序表示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法之一實施形態的模式性剖視圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不受以下實施形態限制，能夠不脫離本發明之範圍而對以下實施形態加以各種變化及置換。
圖1係本發明之玻璃積層體之模式性剖視圖。
如圖1所示，玻璃積層體10係存在支持基材12與玻璃基板16及該等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。聚矽氧樹脂層14之一面與支持基材12相接，並且其另一面與玻璃基板16之第1主面16a相接。
於玻璃積層體10中，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之剝離強度低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面之剝離強度，將聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16剝離而分離成聚矽氧樹脂層14與支持基材12之積層體、及玻璃基板16。換言之，聚矽氧樹脂層14固定於支持基材12上，玻璃基板16可剝離地積層於聚矽氧樹脂層14上。
包含支持基材12及聚矽氧樹脂層14之2層部分於製造液晶面板等電子器件用構件之構件形成步驟中對玻璃基板16進行補強。再者，將為了製造玻璃積層體10而預先製造之包含支持基材12及聚矽氧樹脂層14之2層部分稱為附樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10可使用至後文所述之構件形成步驟。即，該玻璃積層體10可使用至於該玻璃基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子器件用構件。其後，形成有電子器件用構件之玻璃積層體分離成附樹脂層之支持基材18及附構件之玻璃基板26，附樹脂層之 支持基材18並非構成電子器件之部分。附樹脂層之支持基材18可與新玻璃基板16積層，並以新玻璃積層體10之形式進行再利用。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則於支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面進行剝離。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面進行剝離。
於玻璃積層體10中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體10施加剝離支持基材12與玻璃基板16之方向之應力，則玻璃積層體10於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面進行剝離，分離成玻璃基板16及附樹脂層之支持基材18。
剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意味著提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，並且於加熱處理後能夠維持相對高於對玻璃基板16之附著力。
為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，較佳為使後文所述之硬化性聚矽氧於支持基材12上進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層。藉由交聯硬化時之接著力，能夠形成以較高之結合力與支持基材12結合之聚矽氧樹脂層14。
另一方面，交聯硬化後之聚矽氧樹脂對玻璃基板16之結合力通常低於上述交聯硬化時產生之結合力。因此，藉由於支持基材12上形成聚矽氧樹脂層14，其後對聚矽氧樹脂層14之面積層玻璃基板16，能夠製造玻璃積層體10。
本發明之玻璃積層體10於特定之加熱處理後，於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間特定之大小以上之氣泡之產生得到抑制。更具體而言，於將玻璃積層體10於氮氣氛圍下以550℃加熱10分鐘之後，於 聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間無氣泡(觀察不到氣泡)，或於存在氣泡(觀察到氣泡)之情形時，該氣泡之直徑未達1mm。尤其是就電子器件用構件之位置偏移等更不易產生之方面而言，較佳為無氣泡，或於存在氣泡之情形時，該氣泡之直徑為0.5mm以下。
加熱處理之方法、及加熱處理後之氣泡之觀察方法如下。
首先，作為使用之玻璃積層體10，使用利用後文所述之方法所製造之玻璃積層體，具體而言，自積層支持基材12、聚矽氧樹脂層14、及玻璃基板16而成之玻璃積層體10切取50mm見方(縱50mm×橫50mm)之測定用玻璃積層體。切取之方法並無特別限制，通常，自玻璃積層體10之玻璃基板16側壓抵蝕刻刀，切取特定之大小之玻璃積層體10。繼而，將測定用玻璃積層體載置於加熱至550℃之熱風烘箱內，放置10分鐘。其後，將測定用玻璃積層體自熱風烘箱取出，利用目視觀察聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間之氣泡之有無。再者，觀察對象為測定用玻璃積層體之整個面(縱50mm×橫50mm)。於觀察不到氣泡之情形時，判斷為無氣泡，測定對象之玻璃積層體滿足本發明之必要條件。又，於觀察到氣泡之情形時，對氣泡之直徑進行測定。於觀察到氣泡之情形時，只要所觀察到之氣泡之直徑分別未達1mm，則測定對象之玻璃積層體滿足本發明之必要條件。
再者，作為目視下之觀察極限，通常為直徑0.1mm左右。
又，於氣泡並非正圓狀之情形時，將圓當量徑設為上述直徑。所謂圓當量徑，為具有與所觀察到之氣泡之面積相等之面積的圓之直徑。
作為本發明之玻璃積層體10之較佳態樣，較佳為於上述加熱處理前，於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間無氣泡，或於存在氣泡之情形時，氣泡之直徑未達1mm。
氣泡之測定方法與上述相同。
再者，作為獲得具有如上所述之特性之玻璃積層體之方法，例如可列舉如下文所詳細說明般使用特定之聚矽氧樹脂層之方法，該方法並無限定。
以下，首先針對構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)進行詳細說明，其後針對玻璃積層體之製造方法進行詳細說明。
[支持基材]
支持基材12支持玻璃基板16，並於後文所述之構件形成步驟(製造電子器件用構件之步驟)中於電子器件用構件之製造時防止玻璃基板16之變形、損傷、破損等。
作為支持基材12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Steel Use Stainless，不鏽鋼)板等金屬板等。通常，由於構件形成步驟伴有熱處理，故而支持基材12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成。即，支持基材12較佳為玻璃板。支持基材12尤佳為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
再者，如後文所述，支持基材12亦可為包含2種以上層之積層體。
於採用玻璃作為支持基材12之材質之情形時，例如可使用含有鹼金屬氧化物之玻璃(鈉鈣玻璃)、無鹼玻璃等各種組成之玻璃。其中，就熱收縮率較小之方面而言，較佳為無鹼玻璃。
支持基材12之厚度可厚於玻璃基板16，亦可薄於玻璃基板16。較佳為基於玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度、及玻璃積層體10之厚度選擇支持基材12之厚度。例如，於現行之構件形成步驟設計為對厚度0.5mm之基板進行處理並且玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基材12之厚度設為0.4 mm。支持基材12之厚度通常較佳為0.2~5.0mm。
於支持基材12為玻璃板之情形時，關於玻璃板之厚度，就容易處理、不易破裂等原因而言，較佳為0.08mm以上。又，關於玻璃板之厚度，就期望於電子器件用構件形成後進行剝離時不破裂而適度地彎曲之剛性之理由而言，較佳為1.0mm以下。
支持基材12與玻璃基板16之線膨脹係數之差較佳為150×10-7/℃以下，更佳為100×10-7/℃以下，進而較佳為50×10-7/℃以下。若線膨脹係數之差過大，則存在於構件形成步驟之加熱冷卻時，玻璃積層體10嚴重翹曲、或支持基材12與玻璃基板16剝離之可能性。於支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時，能夠抑制產生此種問題。
[玻璃基板]
玻璃基板16之第1主面16a與聚矽氧樹脂層14相接，且於與聚矽氧樹脂層14側相反之側之第2主面16b設置有電子器件用構件。
玻璃基板16之種類為通常者即可，例如可列舉LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板16之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修訂)所規定之線膨脹係數。
玻璃基板16之線膨脹係數較佳為150×10-7/℃以下，更佳為100×10-7/℃以下，進而較佳為50×10-7/℃以下。
若玻璃基板16之線膨脹係數為上述範圍內，則於在玻璃基板16上形成TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，於將加熱下形成有TFT之玻璃基板16進行冷卻時，能夠抑制因玻璃基板16之熱收縮而引起之TFT之位置偏移之產生。
玻璃基板16可將玻璃原料進行熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法為通常者即可，例如可使用浮式法、熔融法、流 孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板16可利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至能夠成形之溫度並藉由延伸等方法進行拉伸而減薄之方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板16之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃，可採用適合電子器件用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶產生影響，故而液晶面板用之玻璃基板包含實質上不包含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板16之玻璃係基於所應用之器件之種類及其製造步驟進行適當選擇。
關於玻璃基板16之厚度，就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下。於為0.3mm以下之情形時，能夠對玻璃基板16賦予良好之可撓性。於為0.15mm以下之情形時，能夠將玻璃基板16捲取為捲筒狀。
又，關於玻璃基板16之厚度，就玻璃基板16之製造較容易、玻璃基板16之操作較容易等原因而言，較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板16亦可包含2層以上，於此情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於此情形時，「玻璃基板16之厚度」意指所有層之合計之厚度。
[聚矽氧樹脂層]
聚矽氧樹脂層14於進行將玻璃基板16與支持基材12分離之操作前防止玻璃基板16之位置偏移，並且防止玻璃基板16等因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a密接於玻璃基板16之第1主面16a。聚矽氧樹脂層14以較弱之結合力與玻璃基板16之 第1主面16a結合，其界面之剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間之界面之剝離強度(x)。
認為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16係以較弱之接著力或起因於凡得瓦耳力之結合力結合。
又，聚矽氧樹脂層14係以接著力或黏著力等較強之結合力與支持基材12表面結合，作為提高兩者之密接性之方法，可採用公知之方法。聚矽氧樹脂層14包含含有特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂。例如，如後文所述，藉由於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14(更具體而言，使能夠形成特定之聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧(有機聚矽氧烷)於支持基材12上交聯硬化)，能夠使聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面，獲得較高之結合力。又，能夠實施使支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間產生較強之結合力之處理(例如，使用偶合劑之處理)來提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間之結合力。
聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，上限較佳為100μm(即100μm以下)，更佳為50μm，進而較佳為10μm。聚矽氧樹脂層14之厚度之下限只要為能夠剝離之厚度，則並無特別限定，多數情況下為0.001μm以上。若聚矽氧樹脂層14之厚度為此種範圍，則不易於聚矽氧樹脂層14產生裂痕，且即便於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間介存氣泡或異物，亦能夠抑制玻璃基板16之變形缺陷之產生。
上述厚度意指平均厚度，為利用接觸式膜厚測定裝置對5點以上之任意之位置之聚矽氧樹脂層14之厚度進行測定並將該等進行算術平均而得者。
聚矽氧樹脂層14之玻璃基板16側之表面之表面粗糙度Ra並無特別限制，就玻璃基板16之積層性及剝離性更優異之方面而言，較佳為0.1~20nm，更佳為0.1~10nm。
再者，表面粗糙度Ra之測定係依據JIS B 0601-2001而進行，將於任意之5處以上之點所測得之Ra進行算術平均而得之值相當於上述表面粗糙度Ra。
再者，聚矽氧樹脂層14亦可包含2層以上。於此情形時，「聚矽氧樹脂層14之厚度」意指所有聚矽氧樹脂層之合計之厚度。
(聚矽氧樹脂)
如上所述，聚矽氧樹脂層14包含使玻璃積層體呈現出特定之性質之包含特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂。又，聚矽氧樹脂通常係將能夠藉由硬化處理而成為該聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧交聯硬化而獲得。即，聚矽氧樹脂通常相當於硬化性聚矽氧之硬化物。
再者，本發明中之硬化性聚矽氧較佳為單體之水解性有機矽烷化合物之混合物(單體混合物)、或使單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。又，亦可為部分水解縮合物與單體之混合物。作為本發明中之硬化性聚矽氧，較佳為單體混合物之部分水解縮合物。
為了使硬化性聚矽氧交聯硬化，通常藉由加熱進行交聯反應使其硬化(即，使其熱硬化)。於是，藉由使硬化性聚矽氧熱硬化，可獲得聚矽氧樹脂。但亦存在硬化未必需要加熱之情況，亦可於室溫下硬化。
有機矽烷氧基單元有稱為M單元之一官能有機矽烷氧基單元、稱為D單元之二官能能有機矽烷氧基單元、稱為T單元之三官能有機矽烷氧基單元、及稱為Q單元之四官能有機矽烷氧基單元。再者，Q單元為不具有鍵結於矽原子之有機基(具有鍵結於矽原子之碳原子之有機基)之單元，但於本發明中，視為有機矽烷氧基單元(含矽鍵之單元)。再者，將形成M單元、D單元、T單元、Q單元之單體亦分別稱為M單體、D單體、T單體、Q單體。
再者，所謂全部有機矽烷氧基單元，意指M單元、D單元、T單元、及Q單元之合計。M單元、D單元、T單元、及Q單元之數(莫耳量)之比率可根據藉由29Si-NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)測得之峰面積比之值進行計算。
於有機矽烷氧基單元中，由於矽氧烷鍵為2個矽原子經由1個氧原子鍵結而成之鍵，故而矽氧烷鍵中之每1個矽原子之氧原子視為1/2個，式中表現為O1/2。更具體而言，例如，於1個D單元中，由於其1個矽原子與2個氧原子鍵結，且各氧原子與其他單元之矽原子鍵結，故而其式成為-O1/2-(R)2Si-O1/2-(R表示氫原子或有機基)。由於存在2個O1/2，故而D單元通常表現為(R)2SiO2/2(換言之，(R)2SiO)。
再者，於以下說明中，鍵結於其他矽原子之氧原子O*為將2個矽原子間鍵結之氧原子，意指Si-O-Si所表示之鍵中之氧原子。因此，於2個有機矽烷氧基單元之矽原子間存在1個O*。
所謂M單元，意指(R)3SiO1/2所表示之有機矽烷氧基單元。此處，R表示氫原子或有機基。(R)之後記載之數字(此處為3)意指連接有3個氫原子或有機基。即，M單元具有1個矽原子、3個氫原子或有機基、及1個氧原子O*。更具體而言，M單元具有鍵結於1個矽原子之3個氫原子或有機基、鍵結於1個矽原子之氧原子O*。
所謂D單元，意指(R)2SiO2/2(R表示氫原子或有機基)所表示之有機矽烷氧基單元。即，D單元係具有1個矽原子且具有鍵結於該矽原子之2個氫原子或有機基、及鍵結於其他矽原子之2個氧原子O*之單元。
所謂T單元，意指(R)SiO3/2(R表示氫原子或有機基)所表示之有機矽烷氧基單元。即，T單元係具有1個矽原子且具有鍵結於該矽原子之1個氫原子或有機基、及鍵結於其他矽原子之3個氧原子O*之單元。
所謂Q單元，意指SiO2所表示之有機矽烷氧基單元。即，Q單元 為具有1個矽原子且具有鍵結於其他矽原子之4個氧原子O*之單元。
再者，關於各有機矽烷氧基單元間、及單元內之複數個R，分別可相同亦可不同。
再者，作為有機基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基等經鹵素取代之一價烴基。再者，作為有機基，可較佳地列舉碳數1~12(較佳為碳數1~10左右)之未經取代或經鹵素取代之一價烴基。
構成聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂只要使玻璃積層體呈現出特定之特性，則其結構並無特別限定，較佳為至少包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)。
作為聚矽氧樹脂之第1較佳態樣，可列舉如下態樣：包含T單元及Q單元，T單元之比率相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，且Q單元之比率相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%。
於本較佳態樣中，T單元之比率較佳為相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為92~98莫耳%，更佳為93~97莫耳%。
於本較佳態樣中，Q單元之比率較佳為相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為2~8莫耳%，更佳為3~7莫耳%。
若T單元及Q單元為上述範圍內，則聚矽氧樹脂採取高密度之交聯結構，於高溫加熱處理中，可於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間抑制氣泡之產生或擴大。
再者，T單元及Q單元之數(莫耳量)之比率可根據藉由29Si-NMR所得之峰面積比之值進行計算。
作為聚矽氧樹脂之第2較佳態樣，可列舉如下態樣：包含D單元、T單元及Q單元，D單元之比率相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%(較佳為1~35莫耳%，更佳為1~15莫耳%)，T單元之比率相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，且Q單元之比率相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%。
於本較佳態樣中，D單元之比率較佳為相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為5~40莫耳%，更佳為5~35莫耳%，進而較佳為5~15莫耳%。
於本較佳態樣中，T單元之比率較佳為相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為40~90莫耳%，更佳為60~90莫耳%，進而較佳為75~90莫耳%。
於本較佳態樣中，Q單元之比率較佳為相對於聚矽氧樹脂之全部有機矽烷氧基單元為5~20莫耳%，更佳為5~15莫耳%。
若D單元、T單元、及Q單元為上述範圍內，則聚矽氧樹脂採取高密度之交聯結構，於高溫加熱處理中，可於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間抑制氣泡之產生或擴大。
D單元、T單元、Q單元之數(莫耳量)之比率可根據藉由29Si-NMR所得之峰面積比之值進行計算。
D單元((R)2SiO2/2)及T單元((R)SiO3/2)中之R之規定如上所述，為氫原子或有機基，就使本發明之效果更優異之方面而言，作為R，較佳為1價烴基，更佳為烷基(較佳為甲基)或芳基(較佳為苯基)。
再者，對於D單元((R)2SiO2/2)及T單元((R)SiO3/2)，可為烷基(較佳為甲基)或芳基(較佳為苯基)之任一者，或亦可包含兩者。
上述聚矽氧樹脂可使用公知之材料進行製造。
例如，作為可藉由硬化處理成為上述聚矽氧樹脂之硬化性聚矽 氧，可使用單體之水解性有機矽烷化合物之混合物(單體混合物)、及/或使單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。
關於所使用之單體之種類，只要可獲得具有上述特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂，則並無特別限制。
再者，單體(水解性有機矽烷化合物)通常以(R'-)aSi(-Z)4-a表示。其中，a表示0~3之整數，R'表示氫原子或有機基，Z表示羥基或水解性基。於該化學式中，a=3之化合物為M單體，a=2之化合物為D單體，a=1之化合物為T單體，a=0之化合物為Q單體。於單體中，通常Z基為水解性基。又，於存在2或3個R'之情形(a為2或3之情形)時，複數個R'可不同。
作為部分水解縮合物之硬化性聚矽氧可藉由使單體之Z基之一部分轉換為氧原子O*之反應而獲得。於單體之Z基為水解性基之情形時，Z基藉由水解反應而轉換為羥基，繼而，藉由鍵結於不同矽原子之2個羥基之間之脫水縮合反應而使2個矽原子經由氧原子O*鍵結。於硬化性聚矽氧中殘存羥基(或未水解之Z基)，且於硬化性聚矽氧之硬化時，該等羥基或Z基與上述相同地進行反應並硬化。硬化性聚矽氧之硬化物通常成為三維地交聯而成之聚合物(聚矽氧樹脂)。
於單體之Z基為水解性基之情形時，作為其Z基，可列舉烷氧基、氯原子、醯氧基、異氰酸酯基等。多數情況下，作為單體，可使用Z基為烷氧基之單體。此種單體亦稱為烷氧基矽烷。
烷氧基若與氯原子等比較，則為反應性相對較低之水解性基，於使用Z基為烷氧基之單體(烷氧基矽烷)而獲得之硬化性聚矽氧中，多數情況下同時存在羥基及作為Z基之未反應之烷氧基。
作為可成為上述聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧，就反應之控制或操作等方面而言，較佳為由水解性有機矽烷化合物之混合物獲得之部 分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。部分水解縮合物可使以成為上述各有機矽烷氧基單元之比率之方式混合水解性有機矽烷化合物而成之單體混合物部分地水解縮合而獲得。作為部分地水解縮合之方法，並無特別限定。通常可使水解性有機矽烷化合物之混合物於溶劑中於觸媒存在下進行反應而製造。作為觸媒，可使用酸觸媒或鹼觸媒。又，於水解反應中通常較佳為使用水。本發明中使用之部分水解縮合物較佳為於溶劑中使水解性有機矽烷化合物之混合物於酸或鹼水溶液之存在下進行反應而製造者。
作為所使用之水解性有機矽烷化合物之較佳態樣，可列舉烷氧基矽烷。即，作為硬化性聚矽氧之較佳態樣之一，可列舉藉由烷氧基矽烷之水解反應及縮合反應所獲得之硬化性聚矽氧。
所謂烷氧基矽烷，係水解性基為烷氧基之水解性有機矽烷化合物。於使用烷氧基矽烷之情形時，部分水解縮合物之聚合度容易變大，本發明之效果更優異。
上述硬化性聚矽氧之重量平均分子量(Mw)並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為5000~60000，更佳為5000~30000。若Mw為5000以上，則就塗佈性之觀點而言較優異，若Mw為60000以下，則就於溶劑中之溶解性、塗佈性之觀點而言較佳。
上述聚矽氧樹脂層14之製造方法並無特別限制，可採用公知之方法。作為聚矽氧樹脂層14之製造方法，較佳為如後文所述，於支持基材12上塗佈成為上述聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧，使該硬化性聚矽氧交聯硬化而製成聚矽氧樹脂層14。為了於支持基材12上形成硬化性聚矽氧之層，較佳為使用包含硬化性聚矽氧之硬化性組合物，將該硬化性組合物塗佈於支持基材12上，並視需要將溶劑去除而製成硬化性聚矽氧之層。
硬化性組合物中可包含溶劑，於此情形時，可藉由溶劑之濃度 之調整等對硬化性聚矽氧之層之厚度進行控制。尤其是就操作性優異、聚矽氧樹脂層14之膜厚之控制更容易之方面而言，包含硬化性聚矽氧之硬化性組合物中之硬化性聚矽氧之含量較佳為相對於組合物總質量為1~100質量%，更佳為1~50質量%。
作為溶劑，只要為能夠於作業環境下容易地溶解硬化性聚矽氧且能夠容易地揮發去除之溶劑，則並無特別限定。具體而言，例如可例示：乙酸丁酯、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。
又，為了促進硬化性聚矽氧之硬化性，可視需要使硬化觸媒包含於硬化性組合物中。
硬化觸媒係促進硬化性聚矽氧之水解反應及/或縮合反應之觸媒。作為硬化觸媒，較理想為有機金屬系硬化觸媒，例如可列舉：二乙酸二乙醯基錫、二月桂酸二丁基錫、二乙酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、二辛酸二乙醯基錫、辛酸錫等有機錫化合物；三甲醇鋁、三(乙醯丙酮)鋁、三正丁醇鋁、三(乙醯乙酸乙酯)鋁、二異丙醇鋁(乙醯乙酸乙酯)、乙醯丙酮鋁等有機鋁化合物；四(單甲基乙醇)鈦、四(單乙基乙醇)鈦、四(單丁基乙醇)鈦等有機鈦化合物；四(單甲基乙醇)鋯、四(單乙基乙醇)鋯、四(單丁基乙醇)鋯、正丙醇鋯等有機鋯化合物等；該等可單獨使用或將2種以上併用而使用。
硬化觸媒之使用量並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為相對於硬化性聚矽氧100質量份為0.01~20質量份，更佳為0.05~10質量份。
又，於硬化性組合物中亦可包含各種添加劑。例如可包含調平劑。作為調平劑，可列舉：MEGAFAC F558、MEGAFAC F560、MEGAFAC F561(均為DIC公司製造)等氟系之調平劑。其中，較佳為0.1%PGME(propylene glycol monomethyl ether，丙二醇單甲醚)溶液之表面張力(mN/m)為19(mN/m)至27(mN/m)之調平劑，上述表面張力之 範圍更佳為20(mN/m)至25(mN/m)，進而較佳為22(mN/m)至24(mN/m)。
再者，關於使用硬化性聚矽氧形成聚矽氧樹脂層之程序，於下文中進行詳細說明。
[玻璃積層體及其製造方法]
本發明之玻璃積層體10如上所述，為具備支持基材12、玻璃基板16、及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層14之積層體。
本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，為了獲得剝離強度(x)高於剝離強度(y)之積層體，較佳為於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之方法。尤其是較佳為如下方法：將硬化性聚矽氧塗佈於支持基材12之表面並實施硬化處理而於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14，繼而，於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16而製造玻璃積層體10。
認為：若使硬化性聚矽氧於支持基材12表面硬化，則會因硬化反應時與支持基材12表面之相互作用而接著，提高聚矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度。因此，即便玻璃基板16與支持基材12為包含相同之材質者，亦能夠對聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度設置差。
以下，將於支持基材12之表面形成硬化性聚矽氧之層並於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，並將於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16而製成玻璃積層體10之步驟稱為積層步驟，針對各步驟之程序進行詳細說明。
(樹脂層形成步驟)
樹脂層形成步驟中，於支持基材12之表面形成硬化性聚矽氧之層，並於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14。
為了於支持基材12上形成硬化性聚矽氧之層，較佳為使用使硬 化性聚矽氧溶解於溶劑而成之塗佈用組合物(相當於硬化性組合物)，並將該組合物塗佈於支持基材12上而形成溶液之層，繼而，實施硬化處理而製成聚矽氧樹脂層14。
於支持基材12表面上塗佈硬化性組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
繼而，使支持基材12上之硬化性聚矽氧硬化而形成聚矽氧樹脂層14。更具體而言，如圖2(A)所示，該步驟中，於支持基材12之至少單面之表面上形成聚矽氧樹脂層14。
硬化之方法並無特別限制，通常藉由熱硬化處理而進行。
熱硬化之溫度條件較佳為150~550℃，更佳為200~450℃。又，加熱時間通常較佳為10~300分鐘，更佳為20~120分鐘。再者，加熱條件亦可改變溫度條件而階梯性地實施。
再者，於熱硬化處理中，較佳為進行預硬化(precure)後進行硬化(正式硬化)而硬化。藉由進行預硬化，能夠獲得耐熱性優異之聚矽氧樹脂層14。預硬化較佳為繼溶劑之去除後進行，於此情形時，並不特別區分自層去除溶劑而形成交聯物之層之步驟與進行預硬化之步驟。溶劑之去除較佳為加熱至100℃以上而進行，可藉由加熱至150℃以上而繼續進行預硬化。進行溶劑之去除及預硬化之溫度及加熱時間較佳為100~420℃、5~60分鐘，更佳為150~300℃、10~30分鐘。若為420℃以下，則可獲得容易剝離之聚矽氧樹脂層。
(積層步驟)
積層步驟係於上述之樹脂層形成步驟所獲得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16而獲得依序具備支持基材12之層、聚矽氧樹脂層14、及玻璃基板16之層之玻璃積層體10的步驟。更具體 而言，如圖2(B)所示，將聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側相反之側之表面14a、及具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a作為積層面，將聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16積層而獲得玻璃積層體10。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。再者，亦可視需要於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之後，使用輥或壓機(press)使玻璃基板16壓接於聚矽氧樹脂層14。藉由利用輥或壓機進行壓接可相對容易地去除混入於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則抑制氣泡之混入或確保良好之密接，因而更佳。藉由於真空下進行壓接，亦具有如下優勢：即便於殘存微小之氣泡之情形時，亦不會因加熱而使氣泡成長，不易引起玻璃基板16之變形缺陷。
於積層玻璃基板16時，較佳為將與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16之表面充分地洗淨，並於潔淨度較高之環境下進行積層。由於潔淨度越高，玻璃基板16之平坦性變得越良好，因而較佳。
再者，亦可於積層玻璃基板16之後，視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，能夠提昇積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14之密接性，設為適當之剝離強度(y)，於後文所述之構件形成步驟時不易產生電子器件用構件之位置偏移等，電子器件之生產性提昇。
作為預退火處理之條件，可根據所使用之聚矽氧樹脂層14之種類適當選擇最佳之條件，就將玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間之剝離強度(y)設為更適當者之方面而言，較佳為於300℃以上(較佳為300 ~400℃)進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
再者，相對於玻璃基板16之第1主面之剝離強度與相對於支持基材12之第1主面之剝離強度設置有差之聚矽氧樹脂層14之形成並不限於上述方法。
例如，於使用對聚矽氧樹脂層14表面之密接性高於玻璃基板16之材質之支持基材12之情形時，可使上述硬化性聚矽氧於任何剝離性表面上進行硬化而製造聚矽氧樹脂之膜，使該膜介存於玻璃基板16與支持基材12之間並同時進行積層。
又，於藉由硬化性聚矽氧之硬化而產生之接著性對玻璃基板16充分低且該接著性對支持基材12充分高之情形時，可使交聯物於玻璃基板16與支持基材12之間進行硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
進而，即便於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施提高支持基材12表面之接著性之處理而提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。例如可例示：矽烷偶合劑之類之化學地提昇固定力之化學方法(底塗處理)、或如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法、藉由如噴砂處理般增加表面之粗度而增加掛卡之機械處理方法等。
(玻璃積層體)
本發明之玻璃積層體10能夠用於各種用途，例如可列舉製造後文所述之顯示裝置用面板、PV(photovoltaic，光電伏打電池)、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，該用途中，多數情況下玻璃積層體10暴露於高溫條件(例如，550℃以上)下(例如，1小時以上)。
此處，顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED(Light Emitting Diode，發光二極體)面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板 等。
[附構件之玻璃基板及其製造方法]
於本發明中，可使用上述玻璃積層體製造電子器件。
以下，針對使用上述玻璃積層體10之態樣進行詳細說明。
藉由使用玻璃積層體10，可製造包含玻璃基板及電子器件用構件之附構件之玻璃基板(附電子器件用構件之玻璃基板)。
該附構件之玻璃基板之製造方法並無特別限定，就電子器件之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體，並以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面或聚矽氧樹脂層內部作為剝離面自所獲得之附電子器件用構件之積層體分離成附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材。再者，更佳為視需要繼而對附構件之玻璃基板之剝離面進行清潔。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體之步驟稱為構件形成步驟，將以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面自附電子器件用構件之積層體分離成附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材之步驟稱為分離步驟，將對附構件之玻璃基板之剝離面進行清潔之步驟稱為清潔處理步驟。再者，如上所述，清潔處理步驟為視需要而實施之任意之步驟。
以下，針對各步驟所使用之材料及程序進行詳細說明。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體10中之玻璃基板16上形成電子器件用構件之步驟。更具體而言，如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子器件用構件22，而獲得附電子器件用構件之積層體24。
首先，針對本步驟所使用之電子器件用構件22進行詳細說明，其後針對步驟之程序進行詳細說明。
(電子器件用構件(功能性元件))
電子器件用構件22為形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上且構成構成電子器件之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子器件用構件22，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件(例如，顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，矽型可列舉正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，此外可列舉與化合物型、染料敏化型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，鋰離子型可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等之透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，此外，可列舉與氫化鎳型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外，可列舉與壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟之程序)
上述附電子器件用構件之積層體24之製造方法並無特別限定，根據電子器件用構件之構成構件之種類利用先前公知之方法於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b表面上形成電子器件用構件22。
再者，電子器件用構件22亦可不為於玻璃基板16之第2主面16b 最終所形成之構件之全部(以下，稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下，稱為「部分構件」)。亦可將自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附全部構件之玻璃基板(相當於後文所述之電子器件)。
又，於自聚矽氧樹脂層14剝離之附全部構件之玻璃基板中，亦可於其剝離面(第1主面16a)形成其他電子器件用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，其後，自附全部構件之積層體剝離附樹脂層之支持基材18而製造電子器件。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體進行組裝，其後，自附全部構件之積層體剝離2片附樹脂層之支持基材18而製造具有2片玻璃基板之附構件之玻璃基板。
例如，若取製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體10之玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側相反之側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL(Electroluminescence，電致發光)構造體，而進行如下等各種層形成或處理：形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封板進行密封。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體)-LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)之情形時，具有如下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上使用抗蝕劑液於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案而形成薄膜電晶體(TFT)；CF(Color Filter，彩色濾光片)形成步驟，其係於另一玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，將抗蝕劑液用於形成圖案而形成彩色濾光片(CF)；及貼合步驟，其係將TFT形成步驟所獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟所獲得之附CF 之積層體進行積層。
TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，作為圖案形成用之塗佈液，使用抗蝕劑液。
再者，於形成TFT或CF之前，可視需要將玻璃基板16之第2主面16b洗淨。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附CF之積層體之彩色濾光片形成面對向，並使用密封劑(例如，單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附TFT之積層體與附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
(分離步驟)
分離步驟係如下步驟：以聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面作為剝離面，自上述構件形成步驟所獲得之附電子器件用構件之積層體24分離成積層有電子器件用構件22之玻璃基板16(附構件之玻璃基板26)、與聚矽氧樹脂層14及支持基材12(附樹脂層之支持基材18)，而獲得包含電子器件用構件22及玻璃基板16之附構件之玻璃基板26。
於剝離時之玻璃基板16上之電子器件用構件22為所需之全部構成構件之形成之一部分之情形時，亦可於分離後於玻璃基板16上形成剩餘之構成構件。
將附構件之玻璃基板26與附樹脂層之支持基材18剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面插入銳利之刃具狀物，賦予剝離之起點之後，吹送水與壓縮空氣之混合流體進行剝離。較佳為以附電子器件用構件之積層體24之支持基材12成為上側、電子器件用構件22側成為下側之方式設置於定盤上，使電子器件用構件22側真空吸附於定盤上(於兩面積層有支持基材之 情形時，依序進行)，於該狀態下首先使刀具侵入至玻璃基板16-聚矽氧樹脂層14界面。繼而，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基材12側，自插入有刀具之部位附近依序使真空吸附墊上升。如此，於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面形成空氣層，該空氣層於整個界面擴散，能夠容易地剝離附樹脂層之支持基材18。
又，附樹脂層之支持基材18可與新玻璃基板進行積層而製造本發明之玻璃積層體10。
再者，於自附電子器件用構件之積層體24分離附構件之玻璃基板26時，藉由利用離子化器吹送或對濕度進行控制，能夠進一步抑制聚矽氧樹脂層14之碎屑靜電吸附於附構件之玻璃基板26。
[清潔處理步驟]
清潔處理步驟係對上述分離步驟所獲得之附構件之玻璃基板26中之玻璃基板16之剝離面(第1主面16a)實施清潔處理之步驟。藉由實施該步驟，能夠去除附著於剝離面之聚矽氧樹脂或聚矽氧樹脂層、附著於剝離面之上述構件形成步驟中產生之金屬片或灰塵等雜質，能夠維持剝離面之清潔性。結果，貼附於玻璃基板16之剝離面之相位差膜或偏光膜等之黏著性提昇。
關於清潔處理之方法，只要能夠去除附著於剝離面之樹脂或灰塵等，則並無特別限制。例如可列舉：使附著物熱分解之方法、或藉由電漿照射或光照射(例如，UV(ultraviolet，紫外線)照射處理)去除剝離面上之雜質之方法、或使用溶劑進行洗淨處理之方法等。
上述附構件之玻璃基板26之製造方法適合行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之類之移動終端所使用之小型之顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包含TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Emission，場發射)型、TFT型、 MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上，被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形均能夠應用。
作為利用上述方法所製造之附構件之玻璃基板26，可列舉：具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、具有玻璃基板及電子器件用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
[實施例]
以下，藉由實施例等對本發明具體地進行說明，但本發明並不受該等例所限定。又，於本製造例中，藉由以下所示之項目及方法進行硬化性聚矽氧之評價。
(1)重量平均分子量Mw之評價
藉由凝膠滲透層析法(GPC，Tosoh公司製造之HLC8220，RI(refractive index，折射率)檢測，管柱：TSK-GEL SuperHZ，溶離液：四氫呋喃)求出聚苯乙烯換算分子量。
以下實施例1~37及比較例1~6中，作為玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱274mm，橫274mm，板厚0.2mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。又，作為支持基材，同樣使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱274mm，橫274mm，板厚0.4mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
<製造例1：硬化性聚矽氧S1之製造>
氮氣氛圍中，於1L玻璃反應器中添加甲基三乙氧基矽烷(108 g)、四乙氧基矽烷(6.5g)，並冷卻至0℃。冷卻後，將利用蒸餾水(17g)稀釋濃硝酸(2g)而得之溶液滴加於反應器中。使反應溶液溫度保持於0℃並攪拌3小時。繼而，於反應器中加入四氫呋喃(75g)、及利用蒸餾水(33g)稀釋濃硝酸(4g)而得之溶液，並於室溫下攪拌1小時後，於反應溶液溫度40℃下攪拌4小時。攪拌結束後，使反應溶液自然冷卻直至室溫，並加入蒸餾水(300g)、乙酸乙酯(300g)。分離並回收乙酸乙酯相。利用無水硫酸鎂將乙酸乙酯相進行脫水，並進行過濾。藉由進行真空乾燥，而獲得白色固體狀之硬化性聚矽氧S1(產率85%)。
所獲得之硬化性聚矽氧S1之藉由GPC(凝膠滲透層析法)而求出之重量平均分子量(聚苯乙烯換算)為6.0×104。根據29Si NMR測定，得出硬化性聚矽氧S1之共聚物組成之T/Q=95/5(莫耳比)。
<製造例2~43：硬化性聚矽氧S2~S43之製造>
將所使用之單體及其使用量變更為如表1所示，除此以外，按照與上述製造例1相同之程序而製造硬化性聚矽氧S2~S43。
再者，作為硬化性聚矽氧S42~S43，使用專利文獻1之實施例欄記載之硬化性聚矽氧(S1)及(S6)。
<實施例1>
使所獲得之硬化性聚矽氧(S1)(100質量份)、調平劑MEGAFAC F561(DIC公司製造，0.2質量份)、及硬化觸媒(Wacker(註冊商標)Catalyst F)(Wacker Asahikasei Silicone公司製造，3質量份)溶解於環己酮中，而製作包含硬化性聚矽氧(S1)之液狀物(固形物成分濃度：40質量%)。
將支持基材進行純水洗淨之後，進而進行UV洗淨而進行清潔。
繼而，於支持基材之第1主面上以縱274mm及橫274mm之大小利用旋轉塗佈機塗佈包含硬化性聚矽氧(S1)之液狀物。
繼而，將其以250℃於大氣中進行加熱硬化30分鐘，於支持基材 之第1主面形成厚度4μm之聚矽氧樹脂層，而獲得支持體A(附樹脂層之支持基材)。
繼而，使支持體A之聚矽氧樹脂層之剝離性表面和與該聚矽氧樹脂層相同尺寸且厚度0.2mm之玻璃基板(「AN100」，旭硝子股份有限公司製造)之第1主面對向，於室溫下，於大氣壓下，利用積層裝置以兩基板之重心重疊之方式使兩基板重疊，而獲得玻璃積層體S1。
再者，所獲得之玻璃積層體S1相當於上述圖1之玻璃積層體10，於玻璃積層體S1中，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(y)。
又，於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間不存在氣泡。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體S1，實施以下測定。將以下評價結果彙總示於後文所述之表1。
[剝離性評價]
自玻璃積層體S1切取50mm見方(縱：50mm×橫：50mm)之樣品，並將該樣品載置於加熱至550℃(氮氣氛圍下)之熱風烘箱內，於10分鐘之放置後取出。繼而，於使玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面真空吸附於定盤之後，於玻璃積層體S1之一角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，於上述玻璃基板之第1主面與上述聚矽氧樹脂層之間賦予剝離之起點。繼而，利用複數個真空吸附墊以90mm間距吸附玻璃積層體S1之支持基材之第2主面之後，使其自接近上述角部之吸附墊依序上升，藉此將玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層剝離。
根據上述結果，確認：高溫加熱處理後亦能夠剝離玻璃基板。
再者，聚矽氧樹脂層之主要部分與支持基材一併自玻璃基板分離，根據該結果，確認：支持基材與聚矽氧樹脂層之間之剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間之剝離強度(y)。
[發泡評價]
於玻璃積層體之玻璃基板上形成電子器件用構件時，進行高溫條件下之處理。於該處理後，若於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間存在直徑1mm以上之氣泡，則存在產生電子器件用構件之位置偏移等而使步驟產率降低之情況。因此，重要的是於加熱處理後，使聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間不存在氣泡或氣泡之大小未達特定值。於是，進行以下發泡評價。
自支持基材、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板積層之狀態之玻璃積層體S1切取50mm見方(縱：50mm×橫：50mm)之玻璃積層體(測定用樣品)，並將所切取之玻璃積層體於氮氣氛圍下載置於加熱至550℃之熱風烘箱內，放置10分鐘後取出，利用目視觀察所切取之玻璃積層體中之聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間之氣泡之有無，並依據以下基準進行評價。
「◎」：於加熱後無氣泡、或存在直徑0.5mm以下之氣泡
「○」：於加熱後存在直徑超過0.5mm且未達1mm之氣泡
「×」：於加熱後存在直徑1mm以上之氣泡
「××」：於加熱後製品基板全部剝落
<實施例2~37、比較例1~6>
分別使用包含下述表1所示之硬化性聚矽氧(S2)~(S43)之液狀物代替包含硬化性聚矽氧(S1)之液狀物，除此以外，按照與實施例1相同之程序製造玻璃積層體S2~S43。
再者，此處，將使用硬化性聚矽氧(SN)(N為2~43之整數)所製造之玻璃積層體稱為玻璃積層體SN。例如，使用硬化性聚矽氧(S3)所製造之玻璃積層體相當於玻璃積層體S3。
再者，所獲得之玻璃積層體S2~S43相當於上述圖1之玻璃積層體10，於玻璃積層體S2~S43中，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面之 剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(y)。
又，使用所獲得之玻璃積層體S2~S43，實施上述[剝離性評價]及[發泡評價]。將結果彙總示於表1。
再者，於實施例1~37中，聚矽氧樹脂層之玻璃基板側之表面粗糙度Ra為0.1~20nm之範圍。
又，於實施例1~37中，聚矽氧樹脂層之厚度為4μm。
再者，以下表1中，「Me基」為包含Me(甲基)基之有機矽烷氧基單元相對於全部有機矽烷氧基單元之含量(莫耳%)。又，「Ph基」為包含Ph(苯基)基之有機矽烷氧基單元相對於全部有機矽烷氧基單元之含量(莫耳%)。
又，以下表1中，「D單元」欄、「T單元」欄、及「Q單元」欄分別為聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂所包含之D單元、T單元及Q單元相對於全部有機矽烷氧基單元之含量(莫耳%)。
又，上述各單元之含量係根據29Si-NMR而算出。
又，表1中，於「剝離性評價」欄中，將能夠剝離玻璃基板之情形表示為「○」，將無法剝離玻璃基板或玻璃基板破損之情形表示為「×」。
再者，於本製造例及比較例中，藉由以下所示之項目及方法進行聚矽氧樹脂層之分析。
(1)聚矽氧樹脂層之矽原子之鍵結狀態之分析
使用核磁共振分析裝置(固體29Si-NMR：JEOL RESONANCE股份有限公司製造，ECP600)求出各有機矽烷氧基單元之含量(莫耳%)。
(2)聚矽氧樹脂層之具有甲基之有機矽烷氧基單元及具有苯基之有機矽烷氧基單元之分析
使用核磁共振分析裝置(固體1H-NMR：JEOL RESONANCE股份有限公司製造，ECP600)根據源自Ph基及Me基之峰面積比而求出。聚 矽氧樹脂層使用以如下方式而得之固體樣品：於玻璃基材上藉由旋轉塗佈機塗佈各實施例及比較例所使用之包含硬化性聚矽氧之液狀物，並以各實施例及比較例之加熱條件進行加熱硬化而於玻璃基材形成聚矽氧樹脂層之後，利用剃刀刀刃削取該聚矽氧樹脂層。於測定法中，使用Depth2，測定條件設為脈衝寬度2.3μsec、脈衝重複之等待時間15sec、累計次數16scan、MAS(Magic Angle Spinning，魔角旋轉)旋轉速度22KHz。化學位移之基準係將源自金剛烷之峰值設為1.7ppm。又，源自各結構之固體1H-NMR之化學位移如下。
Ph基：18~4ppm
Me基：4~-10ppm
(3)聚矽氧樹脂層之膜厚
聚矽氧樹脂層之膜厚係使用作為接觸式膜厚裝置之表面粗糙度-輪廓形狀測定機(東京精密公司製造，Surfcom 1400G-12)進行測定。
Figure 105123951-A0202-12-0033-1
如上述表1所示，於本發明之玻璃積層體中，特定之大小以上之氣泡之產生得到抑制，玻璃基板之剝離性(分離性)亦優異。
另一方面，如比較例1~6所示，於未使用特定之聚矽氧樹脂層之情形時，未能獲得所需效果。
<實施例38>
本例中，使用實施例1所獲得之玻璃積層體S1製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法依序使氮化矽、氧化矽、非晶矽成膜。繼而，藉由離子植入裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層，進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子植入裝置將低濃度之磷注入至非晶矽層，而形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜，其後，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法及離子植入裝置將高濃度之硼及磷注入至N型、P型各所需區域，而形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法使氧化矽成膜而形成層間絕緣膜，並藉由利用濺鍍法使鋁成膜並使用光微影法進行蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫氣氛圍下進行加熱處理而進行氫化處理，其後，藉由利用電漿CVD法使氮化矽成膜而形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，並藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺成膜作為電洞注入層、使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜作為電洞傳輸層、使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈 (BSN-BCN)40體積%而成者成膜作為發光層，使Alq3成膜作為電子傳輸層。繼而，藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板進行密封。按照上述程序，於玻璃基板上形成有機EL構造體。於玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體S1(以下，稱為面板A)為本發明之附電子器件用構件之積層體。
繼而，於使面板A之密封體側真空吸附於定盤之後，於面板A之角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面賦予剝離之起點。繼而，利用真空吸附墊吸附面板A之支持基材表面之後使吸附墊上升。此處，刀具之插入係一面自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送去靜電性流體一面進行。繼而，一面自離子化器朝所形成之空隙繼續吹送去靜電性流體，並且一面使水浸入至剝離前線一面提拉真空吸附墊。其結果為，於定盤上僅剩下形成有有機EL構造體之玻璃基板，能夠剝離附樹脂層之支持基材。
繼而，將經分離之玻璃基板使用雷射裁刀或刻劃-斷裂法進行切斷，分斷成複數個單元，其後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板進行組裝，並實施模組形成步驟而製作OLED。以此方式而獲得之OLED於特性上不會產生問題。
<實施例39>
本例中，使用實施例1所獲得之玻璃積層體S1而製造LCD。
首先，準備2片玻璃積層體S1-1及S1-2。於一玻璃積層體S1-1之玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法依序使氮化矽、氧化矽、非晶矽成膜。繼而，藉由離子植入裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層，於氮氣氛圍下進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子 植入裝置將低濃度之磷注入至非晶矽層，而形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜，其後，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法及離子植入裝置將高濃度之硼及磷注入至N型、P型各所需區域，而形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法使氧化矽成膜而形成層間絕緣膜，並藉由利用濺鍍法使鋁成膜並使用光微影法進行蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫氣氛圍下進行加熱處理而進行氫化處理，其後，藉由利用電漿CVD法使氮化矽成膜而形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，並藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，將另一玻璃積層體S1-2於大氣氛圍下進行加熱處理。繼而，於玻璃積層體S1-2之玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法使鉻成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻形成遮光層。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由模嘴塗佈法塗佈彩色光阻，並藉由光微影法及熱硬化形成彩色濾光片層。繼而，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由模嘴塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光微影法及熱硬化形成柱狀間隔件。繼而，藉由輥式塗佈法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，並進行摩擦。
繼而，藉由分注法將密封用樹脂液描繪成框狀，於框內藉由分注法滴加液晶，其後，使用上述形成有像素電極之玻璃積層體S1-1，將2片玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面側彼此貼合，並藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得LCD面板。
繼而，使玻璃積層體S1-1之支持基材之第2主面真空吸附於定盤，於玻璃積層體S1-2之角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入 厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，賦予玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。此處，刀具之插入係一面自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送去靜電性流體一面進行。繼而，一面自離子化器朝所形成之空隙繼續吹送去靜電性流體，並且一面使水浸入至剝離前線一面提拉真空吸附墊。繼而，利用真空吸附墊吸附玻璃積層體S1-2之支持基材之第2主面之後，使吸附墊上升。其結果為，於定盤上僅剩下附玻璃積層體S1-1之支持基材之LCD之空單元，能夠剝離附樹脂層之支持基材。
繼而，使第2主面形成有彩色濾光片之玻璃基板之第1主面真空吸附於定盤，於玻璃積層體S1-1之角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，賦予玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。繼而，利用真空吸附墊吸附玻璃積層體S1-1之支持基材之第2主面之後，一面將水吹送至玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間，一面使吸附墊上升。其結果為，於定盤上僅剩下LCD單元，能夠剝離固定有聚矽氧樹脂層之支持基材。如此，可獲得由厚度0.1mm之玻璃基板所構成之複數個LCD之單元。
繼而，藉由進行切斷之步驟，分斷成複數個LCD之單元。對所完成之各LCD單元實施貼附偏光板之步驟，繼而，實施模組形成步驟而獲得LCD。以此方式而獲得之LCD於特性上不會產生問題。
<實施例40>
本例中，使用實施例1所獲得之玻璃積層體S1而製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由濺鍍法，於玻璃基板之第2主面側進而使氧化鋁成膜而形成閘極絕緣膜，繼而，藉由濺鍍法使氧化銦鎵鋅成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成氧化物半導體層。繼而，藉由濺鍍法，於玻璃基板之第2主 面側進而使氧化鋁成膜而形成通道保護層，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成源極電極及汲極電極。
繼而，於大氣中進行加熱處理。繼而，於玻璃基板之第2主面側進而藉由濺鍍法使氧化鋁成膜而形成鈍化層，繼而藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺成膜作為電洞注入層，使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜作為電洞傳輸層，使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜作為發光層，使Alq3成膜作為電子傳輸層。繼而，藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板並進行密封。按照上述程序，於玻璃基板上形成有機EL構造體。於玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體S1(以下，稱為面板B)為本發明之附電子器件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
繼而，於使面板B之密封體側真空吸附於定盤之後，於面板B之角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面賦予剝離之起點。繼而，利用真空吸附墊吸附面板B之支持基材表面之後使吸附墊上升。此處，刀具之插入係一面自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送去靜電性流體一面進行。繼而，一面自離子化器朝所形成之空隙繼續吹送去靜電性流體，並且一面使水浸入至剝離前線一面提拉真空吸附墊。其結果為，於定盤上僅剩下形成有有機EL構造體之玻璃基板，能夠剝離附樹脂層之支持基材。
繼而，將經分離之玻璃基板使用雷射裁刀或刻劃-斷裂法進行切 斷，分斷成複數個單元，其後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板進行組裝，並實施模組形成步驟而製作OLED。以此方式而獲得之OLED於特性上不會產生問題。
本申請案係基於2015年8月6日提出申請之日本專利申請2015-155753者，其內容係以參照之形式引入本文。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層之表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附樹脂層之支持基材

Claims (25)

  1. 一種玻璃積層體，其係依序包括支持基材、聚矽氧樹脂層、及玻璃基板者，於將上述玻璃積層體於氮氣氛圍下以550℃加熱10分鐘之情形時，於上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之間目視無氣泡，或於目視存在氣泡之情形時，上述氣泡之直徑未達1mm，上述玻璃基板之厚度為0.03~0.3mm，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)；再者，R表示氫原子或有機基。
  3. 如請求項2之玻璃積層體，其中上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，且上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%。
  4. 如請求項2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂進而具有(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)；再者，R表示氫原子或有機基。
  5. 如請求項4之玻璃積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，且上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%。
  6. 如請求項5之玻璃積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~35莫耳%。
  7. 如請求項5或6之玻璃積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~15莫耳%。
  8. 如請求項1至6中任一項之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為硬化性聚矽氧之硬化物，上述硬化性聚矽氧之重量平均分子量為5000~60000。
  9. 如請求項1至6中任一項之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為0.001~100μm。
  10. 如請求項1至6中任一項之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之上述玻璃基板側之表面粗糙度Ra為0.1~20nm。
  11. 一種玻璃積層體之製造方法，其包括如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%；及於上述聚矽氧樹脂層上積層厚度為0.03~0.3mm之玻璃基板；再者，R表示氫原子或有機基，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
  12. 一種玻璃積層體之製造方法，其包括如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)、(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，上述T單元之比率相對於全部有 機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%；及於上述聚矽氧樹脂層上積層厚度為0.03~0.3mm之玻璃基板；再者，R表示氫原子或有機基，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
  13. 一種附電子器件用構件之積層體，其係依序包括支持基材、聚矽氧樹脂層、玻璃基板、及電子器件用構件者，其係於550℃以上之溫度進行加熱處理而成，且於上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之間目視無氣泡，或於目視存在氣泡之情形時，上述氣泡之直徑未達1mm，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
  14. 如請求項13之附電子器件用構件之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)；再者，R表示氫原子或有機基。
  15. 如請求項14之附電子器件用構件之積層體，其中上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，且上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%。
  16. 如請求項14之附電子器件用構件之積層體，其中上述聚矽氧樹脂進而具有(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)；再者，R表示氫原子或有機基。
  17. 如請求項16之附電子器件用構件之積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，且 上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%。
  18. 如請求項17之附電子器件用構件之積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~35莫耳%。
  19. 如請求項17或18之附電子器件用構件之積層體，其中上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~15莫耳%。
  20. 如請求項13至18中任一項之附電子器件用構件之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為硬化性聚矽氧之硬化物，上述硬化性聚矽氧之重量平均分子量為5000~60000。
  21. 如請求項13至18中任一項之附電子器件用構件之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為0.001~100μm。
  22. 如請求項13至18中任一項之附電子器件用構件之積層體，其中上述玻璃基板之厚度為0.03~0.3mm。
  23. 如請求項13至18中任一項之附電子器件用構件之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之上述玻璃基板側之表面粗糙度Ra為0.1~20nm。
  24. 一種附電子器件用構件之積層體之製造方法，其包括如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為91~99莫耳%，上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~9莫耳%；於上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；於上述玻璃基板之與上述聚矽氧樹脂層側相反之側之表面上形成電子器件用構件；及 於形成電子器件用構件之後，以550℃以上之溫度進行加熱處理；再者，R表示氫原子或有機基，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
  25. 一種附電子器件用構件之積層體之製造方法，其包括如下步驟：於支持基材上形成包含聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂層，該聚矽氧樹脂包含(R)2SiO2/2所表示之有機矽烷氧基單元(D單元)、(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及SiO2所表示之有機矽烷氧基單元(Q單元)，且上述D單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~40莫耳%，上述T單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為30~98莫耳%，上述Q單元之比率相對於全部有機矽烷氧基單元為1~30莫耳%；於上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；於上述玻璃基板之與上述聚矽氧樹脂層側相反之側之表面上形成電子器件用構件；及於形成電子器件用構件之後，以550℃以上之溫度進行加熱處理；再者，R表示氫原子或有機基，但上述玻璃基板之上述聚矽氧樹脂層側之面為平坦之面。
TW105123951A 2015-08-06 2016-07-28 玻璃積層體及其製造方法 TWI775726B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015155753A JP6471643B2 (ja) 2015-08-06 2015-08-06 ガラス積層体およびその製造方法
JP2015-155753 2015-08-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201710080A TW201710080A (zh) 2017-03-16
TWI775726B true TWI775726B (zh) 2022-09-01

Family

ID=57987099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105123951A TWI775726B (zh) 2015-08-06 2016-07-28 玻璃積層體及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6471643B2 (zh)
KR (1) KR102526047B1 (zh)
CN (1) CN106427137B (zh)
TW (1) TWI775726B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190003461A (ko) * 2016-04-28 2019-01-09 에이지씨 가부시키가이샤 유리 적층체 및 그 제조 방법
CN111629899A (zh) * 2018-01-17 2020-09-04 Ａｇｃ株式会社 层叠体、层叠体的制造方法和电子设备的制造方法
KR102576310B1 (ko) * 2018-03-30 2023-09-07 린텍 가부시키가이샤 경화 봉지체의 휨 방지용 적층체, 및 경화 봉지체의 제조 방법
EP3915781B1 (en) * 2019-01-23 2023-11-01 Nitto Denko Corporation Method for producing thin glass resin laminate piece
JP7115511B2 (ja) * 2019-06-06 2022-08-09 Ａｇｃ株式会社 積層基板、電子デバイスの製造方法、および積層基板の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201211186A (en) * 2010-06-04 2012-03-16 Shinetsu Chemical Co Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2125652A1 (en) * 2006-12-20 2009-12-02 Dow Corning Corporation Glass substrates coated or laminated with cured silicone resin compositions
KR20120059512A (ko) * 2009-08-27 2012-06-08 아사히 가라스 가부시키가이샤 플렉시블 기재-지지체의 적층 구조체, 지지체를 갖는 전자 디바이스용 패널 및 전자 디바이스용 패널의 제조 방법
CN103889712B (zh) * 2011-10-18 2015-07-08 旭硝子株式会社 层叠体、层叠体的制造方法及带有电子器件用构件的玻璃基板的制造方法
JP6219250B2 (ja) * 2013-12-13 2017-10-25 株式会社ダイセル ポリオルガノシルセスキオキサン、ハードコートフィルム、接着シート、及び積層物
CN105848887B (zh) * 2013-12-27 2018-11-30 Ａｇｃ株式会社 玻璃层叠体和其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201211186A (en) * 2010-06-04 2012-03-16 Shinetsu Chemical Co Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer

Also Published As

Publication number Publication date
CN106427137B (zh) 2020-08-11
CN106427137A (zh) 2017-02-22
JP6471643B2 (ja) 2019-02-20
JP2017030324A (ja) 2017-02-09
KR20170017729A (ko) 2017-02-15
KR102526047B1 (ko) 2023-04-27
TW201710080A (zh) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6443350B2 (ja) ガラス積層体
JP5924344B2 (ja) 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法
TWI775726B (zh) 玻璃積層體及其製造方法
JP6561845B2 (ja) ガラス積層体およびその製造方法
WO2014192561A1 (ja) フレキシブル基材およびその製造方法、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法
TWI736614B (zh) 玻璃積層體及其製造方法
JP6252490B2 (ja) ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材
WO2014192560A1 (ja) 樹脂層付き支持基材およびその製造方法、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法
TWI613073B (zh) 玻璃積層體及其製造方法、以及附矽氧樹脂層之支持基材
US20170239919A1 (en) Glass laminate, method for producing same and method for manufacturing electronic device
WO2015146920A1 (ja) ガラス積層体
WO2014050833A1 (ja) ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent