TWI736614B - 玻璃積層體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於高溫加熱處理中樹脂層之凝聚破壞得以抑制之玻璃積層體及其製造方法。本發明之玻璃積層體之特徵在於：其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板者，且上述聚矽氧樹脂層係進行特定之評價，且基於Stoney之式求出之聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C) 與500℃下之應力σf(500) 的應力差Δσf1 為特定範圍。

Description

玻璃積層體及其製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及其製造方法。
為了提高經薄板化之玻璃基板之處理性，提出了如下方法(例如參照專利文獻1)：準備將玻璃基板與支持基板經由樹脂層(例如聚矽氧樹脂層)積層而成之玻璃積層體，於在玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，將玻璃基板與支持基板分離。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：國際公開第2013/058217號
[發明所欲解決之問題] 近年來，伴隨要形成之電子裝置用構件之高功能化或複雜化，期望於形成電子裝置用構件時於更高溫條件下(例如550℃)下實施處理。若因高溫加熱處理而於樹脂層產生凝聚破壞，則存在玻璃基板自支持基板剝落之可能性，良率降低。 根據本發明者之見解，專利文獻1中記載之玻璃積層體係於450℃之熱處理中，不於樹脂層產生凝聚破壞，因此不會產生玻璃基板自支持基板剝落等問題，但於高溫加熱處理(550℃)中，於樹脂層產生凝聚破壞，而產生玻璃基板自支持基板剝落等問題。 本發明係鑒於以上方面而完成者，其目的在於提供一種於高溫加熱處理中，樹脂層之凝聚破壞得以抑制之玻璃積層體、及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為了達成上述目的而進行了銳意研究，結果發現，藉由採用特定之聚矽氧樹脂層，即便於高溫加熱處理後樹脂層之凝聚破壞亦被抑制，從而完成了本發明。 即，本發明之態樣係關於一種玻璃積層體，其特徵在於：其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板者，且 上述聚矽氧樹脂層係進行下述評價，根據下述式(1)求出之聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C) 與500℃下之應力σf(500) 的應力差Δσf1 為10～105 MPa。 評價：求出矽晶圓(結晶方位100面)於25℃下之翹曲之曲率半徑R0 。其次，於該矽晶圓上形成聚矽氧樹脂層，從25℃以10℃/分加熱至500℃，求出聚矽氧樹脂層之硬化溫度、及500℃下之各者之翹曲之曲率半徑R1 之後，基於Stoney之式，算出聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C) 及500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500) ，並獲得該等之差Δσf1 。 Δσf1 ＝｜(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C) )－(500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500) )｜・・・(1) σf(T) ＝｛Es ts 2 /6tf (1－νs )｝×(1/R1 －1/R0 )：溫度T℃下之聚矽氧樹脂層之應力 T：測定應力之溫度(℃) C：聚矽氧樹脂層之硬化溫度(℃) tf ：聚矽氧樹脂層之厚度(μm) ts ：矽晶圓之厚度(mm) R0 ：25℃下之矽晶圓(結晶方位100面)之曲率半徑(m) R1 ：矽晶圓及聚矽氧樹脂層之曲率半徑(m) ES ：矽晶圓之彈性模數(Pa) νs ：矽晶圓之帕松比 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種於高溫加熱處理中樹脂層之凝聚破壞得以抑制之玻璃積層體、及其製造方法。
以下，針對用以實施本發明之形態，參照圖式進行說明，但本發明不受以下之實施形態所限制，可不脫離本發明之範圍而對以下之實施形態加以各種變化及替換。 圖1係本發明之玻璃積層體之模式性剖視圖。 如圖1所示，玻璃積層體10係於支持基材12與玻璃基板16其等之間存在聚矽氧樹脂層14之積層體。聚矽氧樹脂層14其一面與支持基材12相接，並且其另一面與玻璃基板16之第1主面16a相接。 於玻璃積層體10中，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之第1主面16a之界面剝離強度低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面剝離強度，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16發生剝離，而分離成聚矽氧樹脂層14與支持基材12之積層體、及玻璃基板16。換言之，聚矽氧樹脂層14固定於支持基材12上，且玻璃基板16可剝離地積層於聚矽氧樹脂層14上。 包含支持基材12及聚矽氧樹脂層14之2層部分係於製造液晶面板等電子裝置用構件之構件形成步驟中，對玻璃基板16進行補強。再者，將為了製造玻璃積層體10而預先製造之包含支持基材12及聚矽氧樹脂層14之2層部分稱為附樹脂層之支持基材18。 該玻璃積層體10係在下述構件形成步驟之前使用。即，該玻璃積層體10係於在該玻璃基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件之前使用。其後，形成有電子裝置用構件之玻璃積層體被分離成附樹脂層之支持基材18及附構件之玻璃基板，附樹脂層之支持基材18不為構成電子裝置之部分。 藉由減小將聚矽氧樹脂層14從25℃加熱至高溫(例如550℃)時之聚矽氧樹脂層14之應力差(Δσf )，可抑制於高溫條件下(例如550℃)對玻璃積層體進行加熱時之聚矽氧樹脂層14之凝聚破壞。 聚矽氧樹脂層14係進行下述評價，根據下述式(1)求出之聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C) 與500℃下之應力σf(500) 之應力差(Δσf )為10～105 MPa。聚矽氧樹脂層14之應力差(Δσf )可藉由求出特定之2點之溫度下之應力，並取其差而獲得。 評價：求出矽晶圓(結晶方位100面)於25℃下之翹曲之曲率半徑R0 。其次，於該矽晶圓上形成聚矽氧樹脂層，從25℃以10℃/分加熱至500℃，求出聚矽氧樹脂層之硬化溫度、及500℃下之各者之翹曲之曲率半徑R1 之後，基於Stoney之式，算出聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C) 及500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500) ，並獲得該等之差Δσf1 。 Δσf1 ＝｜(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C) )－(500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500) )｜・・・(1) σf(T) ＝｛Es ts 2 /6tf (1－νs )｝×(1/R1 －1/R0 )：溫度T℃下之聚矽氧樹脂層之應力 T：測定應力之溫度(℃) C：聚矽氧樹脂層之硬化溫度(℃) tf ：聚矽氧樹脂層之厚度(μm) ts ：矽晶圓之厚度(mm) R0 ：25℃下之矽晶圓(結晶方位100面)之曲率半徑(m) R1 ：矽晶圓及聚矽氧樹脂層之曲率半徑(m) ES ：矽晶圓之彈性模數(Pa) νs ：矽晶圓之帕松比 具體而言，例如於聚矽氧樹脂層14之厚度tf 為1 μm時從聚矽氧樹脂層之硬化溫度加熱至500℃時之應力差(Δσf1 )較佳為10～105 MPa。 聚矽氧樹脂層14之根據下述式(2)求出之40℃下之應力σf(40) 與聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C) 之應力差Δσf2 為10～50 MPa。 Δσf2 ＝｜(40℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(40) )－(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C) )｜・・・(2) 具體而言，例如於聚矽氧樹脂層14之厚度tf 為1 μm時從40℃加熱至聚矽氧樹脂層14之硬化溫度時之應力差(Δσf2 )較佳為10～50 MPa。 又，例如，若除了於聚矽氧樹脂層14之厚度tf 為1 μm時從聚矽氧樹脂層之硬化溫度加熱至500℃時之應力差(Δσf1 )為10～105 MPa以外，從40℃加熱至聚矽氧樹脂層之硬化溫度時之應力差(Δσf2 )較小，為10～50 MPa，則可抑制於高溫條件下(例如550℃)對玻璃積層體進行加熱時玻璃基板16自聚矽氧樹脂層14剝落。 構成聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂較佳為至少包含(R)SiO3/2 (R表示氫原子或有機基)所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)。又，較佳為包含該單元作為主要之含矽鍵單元。 聚矽氧樹脂層14更佳為除至少包含(R)SiO3/2 所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)以外，還包含無機微粒子。 作為無機微粒子之粒徑，一次粒徑較佳為1 nm～100 nm，更佳為5 nm～50 nm，進而較佳為10 nm～25 nm。若無機微粒子之一次粒徑為10 nm～25 nm，則就於聚矽氧樹脂層中之分散性之觀點而言較佳。 作為無機微粒子，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鈰及氧化鋯等。其中，較佳為使用二氧化矽。該等較佳為使用無機微粒子分散於水或有機溶劑中所得者，更佳為使用無機微粒子分散於有機溶劑中所得者。 作為聚矽氧樹脂層14之較佳態樣，聚矽氧樹脂層中所含之二氧化矽之比率較佳為聚矽氧樹脂層之1～40 vol%，更佳為2～35 vol%，最佳為3～30 vol%。若聚矽氧樹脂層中所含之二氧化矽之比率為1～40 vol%，則可於獲得之聚矽氧樹脂層中確保充分之耐熱性，而不存在於高溫加熱(例如550℃)後玻璃基板自支持基板剝落之擔憂。又，藉由將二氧化矽之比率設為40 vol%以下，可防止玻璃基板自聚矽氧樹脂層剝落而無法成為玻璃積層體。 聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，但上限較佳為100 μm(即，100 μm以下)，更佳為50 μm，進而較佳為10 μm。下限只要為可剝離之厚度，則並無特別限定，較佳為0.001 μm以上。若聚矽氧樹脂層14之厚度為此種範圍，則聚矽氧樹脂層14不易產生龜裂，即便存在於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間介存氣泡或異物之情況，亦可抑制玻璃基板16之應變缺陷之產生。 上述厚度意指平均厚度，且係利用接觸式膜厚測定裝置測定5點以上之任意位置處之聚矽氧樹脂層14之厚度，並對其等進行算術平均所得者。 再者，聚矽氧樹脂層14亦可包含2層以上。於該情形時，「聚矽氧樹脂層14之厚度」意味著所有聚矽氧樹脂層之合計厚度。 支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離。 於玻璃積層體10中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體10施加將支持基材12與玻璃基板16剝離之方向之應力，則玻璃積層體10於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離，而分離成玻璃基板16與附樹脂層之支持基材18。 剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意味著提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，且於加熱處理後可維持對於玻璃基板16之相對更高之附著力。 為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，較佳為使下述硬化性聚矽氧於支持基材12上交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層。藉由交聯硬化時之接著力，可形成以較高之結合力結合於支持基材12之聚矽氧樹脂層14。 另一方面，通例係交聯硬化後之聚矽氧樹脂層對玻璃基板16之結合力低於在上述交聯硬化時產生之結合力。因此，藉由在支持基材12上形成聚矽氧樹脂層14，其後於聚矽氧樹脂層14之面積層玻璃基板16，可製造玻璃積層體10。 再者，作為獲得具有如上述般之特性之玻璃積層體之方法，例如可列舉如於後段中詳細敍述般使用特定之聚矽氧樹脂層之方法，但該方法不受限定。 以下，首先，對構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)進行詳細敍述，其後，對玻璃積層體之製造方法進行詳細敍述。 [支持基材] 支持基材12支持玻璃基板16，於下述構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中防止於製造電子裝置用構件時玻璃基板16發生變形、損傷、破損等。 作為支持基材12，例如可使用玻璃板、塑膠板、及SUS板等金屬板等。通常，構件形成步驟伴隨熱處理，因此支持基材12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成，支持基材12較佳為玻璃板。支持基材12尤佳為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。 再者，如下所述般，支持基材12亦可為包含2種以上之層之積層體。 於採用玻璃作為支持基材12之材質之情形時，其組成例如可使用含有鹼金屬氧化物之玻璃(鈉鈣玻璃)、無鹼玻璃等各種組成之玻璃。其中，由於熱收縮率較小，故而較佳為無鹼玻璃。 支持基材12之厚度可較玻璃基板16更厚，亦可更薄。較佳為基於玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度、及玻璃積層體10之厚度，而選擇支持基材12之厚度。例如，於當前之構件形成步驟係設計為處理厚度0.5 mm之基板者，且玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1 mm之情形時，將支持基材12之厚度設為0.4 mm。支持基材12之厚度於通常之情形時，較佳為0.2～5.0 mm。 於支持基材12為玻璃板之情形時，玻璃板之厚度就易處理且不易破裂等原因而言，較佳為0.08 mm以上。又，玻璃板之厚度就於電子裝置用構件形成後進行剝離時，期望如不破裂而適度地撓曲般之剛性之原因而言，較佳為1.0 mm以下。 支持基材12與玻璃基板16之線膨脹係數之差較佳為150×10-7 /℃以下，更佳為100×10-7 /℃以下，進而較佳為50×10-7 /℃以下。若差過大，則於構件形成步驟中之加熱冷卻時，存在玻璃積層體10遽烈地翹曲、或支持基材12與玻璃基板16剝離之可能性。於支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時，可抑制產生此種問題。 [玻璃基板] 玻璃基板16係第1主面16a與聚矽氧樹脂層14相接，且於與聚矽氧樹脂層14側相反之側之第2主面16b設置電子裝置用構件。 玻璃基板16之種類只要為通常者即可，例如可列舉LCD(liquid crystal display，液晶顯示器)、OLED(organic light emitting diode，有機發光二極體)等顯示裝置用玻璃基板等。玻璃基板16係耐化學品性、耐透濕性優異且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修訂)中規定之線膨脹係數。 玻璃基板16可將玻璃原料熔融，並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法只要為通常者即可，例如可列舉：浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法及魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板16可藉由如下方法(再曳引法)成形而獲得，即，將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，並利用延伸等方法進行拉伸而使其變薄。 玻璃基板16之玻璃種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、及其他以二氧化矽作為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為基於氧化物換算之二氧化矽之含量為40～90質量%之玻璃。 作為玻璃基板16之玻璃，可採用適合於電子裝置用構件之種類及其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用玻璃基板由於鹼金屬成分之溶出易對液晶產生影響，故而可列舉實質上不包含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但是，通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板16之玻璃可基於所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當進行選擇。 關於玻璃基板16之厚度，就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3 mm以下，更佳為0.15 mm以下。於為0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板16賦予良好之可撓性。於為0.15 mm以下之情形時，可將玻璃基板16捲取成捲筒狀。 又，玻璃基板16之厚度就玻璃基板16容易製造、及玻璃基板16容易操作等原因而言，較佳為0.03 mm以上。 再者，玻璃基板16亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種類之材料。又，於該情形時，「玻璃基板16之厚度」意味著所有層之合計厚度。 [聚矽氧樹脂層] 聚矽氧樹脂層14係於進行將玻璃基板16與支持基材12分離之操作之前防止玻璃基板16之位置偏移，並且防止玻璃基板16等因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a係密接於玻璃基板16之第1主面16a。聚矽氧樹脂層14係以較弱之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間之界面剝離強度(x)。 可認為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16係藉由較弱之接著力或起因於凡得瓦力之結合力而結合。又，聚矽氧樹脂層14係藉由接著力或黏著力等較強之結合力而結合於支持基材12表面，作為提高兩者之密接性之方法，可採用公知之方法。 聚矽氧樹脂層14包含含有特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂。例如，如下所述般，藉由將聚矽氧樹脂層14形成於支持基材12表面上(更具體而言，使可形成特定之聚矽氧樹脂之聚矽氧(有機聚矽氧烷)於支持基材12上交聯硬化)，可使聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面，而獲得較高之結合力。又，可實施於支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間產生較強之結合力之處理(例如，使用偶合劑之處理)，而提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間之結合力。 聚矽氧樹脂層14係包含如上所述般使玻璃積層體表現出特定性質般之含有特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂。又，聚矽氧樹脂通常係使藉由硬化處理而可成為該聚矽氧樹脂之聚矽氧進行交聯硬化而獲得。 再者，本發明中之聚矽氧較佳為作為單體之水解性有機矽烷化合物之混合物(單體混合物)、或使單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。又，亦可為部分水解縮合物與單體之混合物。作為本發明中之聚矽氧，較佳為單體混合物之部分水解縮合物。 為了使聚矽氧進行交聯硬化，通常藉由加熱而促進交聯反應從而進行硬化(即，熱硬化)。而且，藉由使聚矽氧熱硬化，可獲得聚矽氧樹脂。但是，亦存在於硬化中未必需要加熱之情形，亦可於室溫下進行硬化。 於有機矽烷氧基單元中，存在被稱為M單元之一官能有機矽烷氧基單元、被稱為D單元之二官能有機矽烷氧基單元、被稱為T單元之三官能有機矽烷氧基單元、及被稱為Q單元之四官能有機矽烷氧基單元。再者，雖然Q單元係不具有鍵結於矽原子之有機基(具有鍵結於矽原子之碳原子之有機基)之單元，但於本發明中視為有機矽烷氧基單元(含矽鍵單元)。再者，亦將形成M單元、D單元、T單元、Q單元之單體分別稱為M單體、D單體、T單體、Q單體。 再者，所謂總有機矽烷氧基單元意指M單元、D單元、T單元、及Q單元之合計。M單元、D單元、T單元、及Q單元之數量(莫耳量)之比率可根據29 Si-NMR之峰面積比的值而計算。 於有機矽烷氧基單元中，因矽氧烷鍵係2個矽原子經由1個氧原子而鍵結之鍵，故而矽氧烷鍵中之每個矽原子對應之氧原子視為1/2個，式中表示為O1/2 。更具體而言，例如，於1個D單元中，其1個矽原子與2個氧原子鍵結，各氧原子與另一單元之矽原子鍵結，因此，其式成為-O1/2 -(R)2 Si-O1/2 -(R表示氫原子或有機基)。因O1/2 存在2個，故而D單元通常表示為(R)2 SiO2/2 [換言之，(R)2 SiO]。 再者，於以下之說明中，鍵結於另一矽原子之氧原子O∗意指將2個矽原子間鍵結之氧原子、且由Si-O-Si表示之鍵中之氧原子。因此，O∗於2個有機矽烷氧基單元之矽原子間存在1個。 所謂M單元意指(R)3 SiO1/2 所表示之有機矽烷氧基單元。此處，R表示氫原子或有機基。(R)後記載之數字(此處係3)意味著連接3個氫原子或有機基。即，M單元具有1個矽原子、3個氫原子或有機基、及1個氧原子O∗。更具體而言，M單元具有鍵結於1個矽原子之3個氫原子或有機基、及鍵結於1個矽原子之氧原子O∗。 所謂D單元意指(R)2 SiO2/2 (R表示氫原子或有機基)所表示之有機矽烷氧基單元。即，D單元係具有1個矽原子，且具有鍵結於該矽原子之2個氫原子或有機基、及2個鍵結於另一矽原子之氧原子O∗的單元。 所謂T單元意指(R)SiO3/2 (R表示氫原子或有機基)所表示之有機矽烷氧基單元。即，T單元係具有1個矽原子，且具有鍵結於該矽原子之1個氫原子或有機基、及3個鍵結於另一矽原子之氧原子O∗的單元。 所謂Q單元意指SiO2 所表示之有機矽烷氧基單元。即，Q單元係具有1個矽原子，且具有4個鍵結於另一矽原子之氧原子O∗的單元。 再者，作為有機基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基等經鹵素取代之一價之烴基。再者，作為有機基，可較佳地列舉較佳為碳數1～12(更佳為碳數1～10左右)之未經取代或經鹵素取代之一價之烴基。 上述聚矽氧樹脂可使用公知之材料進行製造。例如，作為藉由硬化處理而可成為上述聚矽氧樹脂之聚矽氧，可使用作為單體之水解性有機矽烷化合物之混合物(單體混合物)及/或使單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。 關於所使用之單體之種類，只要可獲得具有上述特定之有機矽烷氧基單元之聚矽氧樹脂，則並無特別限制。 上述聚矽氧樹脂層14之製造方法並無特別限制，可採用公知之方法。作為聚矽氧樹脂層14之製造方法，較佳為如下所述般，於支持基材12上塗佈包含成為上述聚矽氧樹脂之聚矽氧之組合物，並使其進行交聯硬化而製成聚矽氧樹脂層14。 於上述組合物中亦可包含溶劑，於該情形時，藉由調整溶劑之濃度等，可控制聚矽氧樹脂層14之厚度。其中，就操作性優異且聚矽氧樹脂層14之膜厚控制更容易之方面而言，該組合物中之聚矽氧之含量係相對於該組合物總質量較佳為1～100質量%，更佳為1～50質量%。 作為溶劑，只要為於作業環境下可將組合物容易地溶解且可容易地揮發去除之溶劑，則並無特別限定。 溶劑之沸點並無特別限制，就容易去除且於藉由加熱而將該溶劑去除之情形時可進一步防止樹脂層之劣化之方面而言，較佳為270℃以下，更佳為250℃以下，進而較佳為230℃以下。下限並無特別限制，就抑制於搬送過程中產生樹脂層之乾燥不均之觀點而言，較佳為50℃以上，更佳為80℃以上，進而較佳為150℃以上。 溶劑之希德布朗(Hildebrand)參數(以下為SP值)並無特別限定，就可將組合物容易地溶解之觀點而言，較佳為10～25，更佳為15～20。 溶劑之表面張力值並無特別限定，就當乾燥時於塗佈膜面內產生濃度分佈時容易維持膜面之平滑性之觀點而言，較佳為接近組合物之表面張力值之10～40 mN/m，更佳為15～30 mN/m。 作為塗佈液之流變，並無特別限制，就於塗佈時黏度較低且於溶劑去除時黏度變高而容易成形平滑之塗佈面之方面而言，較佳為具有觸變性之性質者。 具體而言，例如可列舉乙酸丁酯、2-庚酮及1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。 又，為了促進上述組合物之硬化性，亦可視需要於該組合物中包含硬化觸媒。硬化觸媒係促進聚矽氧之水解反應及/或縮合反應之觸媒。作為硬化觸媒，例如可列舉酸性及鹼性觸媒、以及有機金屬系硬化觸媒等。 作為硬化觸媒，較佳為有機金屬系硬化觸媒，例如可列舉：二乙醯二乙酸錫、二丁基二月桂酸錫、二丁基二乙酸錫及辛酸錫等有機錫化合物；三甲醇鋁、三(乙醯丙酮)鋁、三正丁醇鋁及三(乙醯乙酸乙酯)鋁等有機鋁化合物；四甲醇鈦、四乙醇鈦、四丁醇鈦及四異丙醇鈦等有機鈦化合物；四(單甲基乙醇)鋯、四(單乙基乙醇)鋯及四(單丁基乙醇)鋯等有機鋯化合物等；該等可單獨使用或併用2種以上。 硬化觸媒之使用量並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，相對於上述組合物中所含之聚矽氧100質量份，較佳為0.01～20質量份，更佳為0.05～10質量份。 又，於上述組合物中，亦可包含各種添加劑。例如，亦可包含調平劑。作為調平劑，可列舉：MEGAFAC F558、MEGAFAC F560、MEGAFAC F561(均為DIC公司製造)等氟系調平劑。其中，較佳為0.1% PGME(Propylene glycol monomethyl ether，丙二醇單甲醚)溶液之表面張力(mN/m)較佳為19(mN/m)至27(mN/m)之調平劑，上述表面張力範圍更佳為20(mN/m)至25(mN/m)，進而較佳為22(mN/m)至24(mN/m)。 再者，關於使用包含聚矽氧之組合物形成聚矽氧樹脂層之順序，於後段中進行詳細敍述。 [玻璃積層體及其製造方法] 如上所述，本發明之玻璃積層體10係於支持基材12與玻璃基板16其等之間存在聚矽氧樹脂層14之積層體。 本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，為了獲得剝離強度(x)高於剝離強度(y)之積層體，較佳為於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之方法。其中，較佳為如下方法：將包含聚矽氧之組合物塗佈於支持基材12之表面，實施硬化處理，而於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14，繼而，於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16，而製造玻璃積層體10。 可認為若使包含聚矽氧之組合物於支持基材12表面硬化，則藉由硬化反應時之與支持基材12表面之相互作用而進行接著，從而聚矽氧樹脂層14與支持基材12表面之剝離強度變高。因此，即便玻璃基板16與支持基材12包含相同之材質，亦可對聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度設置差值。 以下，將於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，將於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16而製成玻璃積層體10之步驟稱為積層步驟，並對各步驟之順序進行詳細敍述。 (樹脂層形成步驟) 於樹脂層形成步驟中，於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14。較佳為，首先，將使聚矽氧溶解於溶劑所得之組合物塗佈於支持基材12上，繼而，實施硬化處理而製成聚矽氧樹脂層14。 於支持基材12表面上塗佈組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法及凹版塗佈法等。 如圖2(A)所示，於該步驟中，於支持基材12之至少單面之表面上形成聚矽氧樹脂層14。 硬化方法並無特別限制，通常藉由熱硬化處理而進行。進行熱硬化之溫度條件較佳為150～550℃，更佳為200～450℃。又，加熱時間通常較佳為10～300分鐘，更佳為20～120分鐘。再者，加熱條件亦可改變溫度條件而階段性地實施。 再者，於熱硬化處理中，較佳為進行經預硬化(Precure)之後硬化(正式硬化)而進行硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性優異之聚矽氧樹脂層14。預硬化較佳為繼溶劑之去除之後進行，於該情形時，將溶劑自層中去除而形成交聯物之層之步驟、與進行預硬化之步驟並未特別區分。溶劑之去除較佳為加熱至100℃以上後進行，更佳為可藉由加熱至150℃以上而繼續進行預硬化。進行溶劑之去除及預硬化之溫度及加熱時間較佳為100～420℃、5～60分鐘，更佳為150～300℃、10～30分鐘。若為420℃以下則可獲得容易剝離之聚矽氧樹脂層。 (積層步驟) 積層步驟係於藉由上述樹脂層形成步驟所獲得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16，而獲得依序具備支持基材12之層、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之層之玻璃積層體10的步驟。更具體而言，如圖2(B)所示，以聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側為相反側之表面14a、與具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a作為積層面，而將聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16積層，從而獲得玻璃積層體10。 將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。 再者，亦可視需要於將玻璃基板16重疊於聚矽氧樹脂層14之表面上之後，使用輥或加壓機將玻璃基板16壓接於聚矽氧樹脂層14。藉由利用輥或加壓機之壓接，而混入至聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間之氣泡相對容易地被去除，故而較佳。 若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則抑制氣泡混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由在真空下進行壓接，亦存在如下優點：即便於殘存微小氣泡之情形時，亦不會因加熱而導致氣泡成長，從而難以產生玻璃基板16之應變缺陷。 於將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上時，較佳為對接觸於聚矽氧樹脂層14之玻璃基板16之表面充分地進行清洗，並且於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，則玻璃基板16之平坦性越好，故而較佳。 再者，於將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之後，亦可視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，可使所積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14之密接性提高，並且設為適當之剝離強度(y)，從而於下述構件形成步驟時變得不易產生電子裝置用構件之位置偏移等，電子裝置之生產性提高。 預退火處理之條件係根據使用之聚矽氧樹脂層14之種類而適當選擇最佳之條件，但就使玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間之剝離強度(y)變得更適當之方面而言，較佳為以較佳300℃以上(更佳為300～400℃)進行較佳為5分鐘以上(更佳為5～30分鐘)之加熱處理。 再者，對上述聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之第1主面16a之界面剝離強度(y)、和上述聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面剝離強度(x)設有差值的聚矽氧樹脂層14之形成方法並不限於上述方法。 例如，於使用對聚矽氧樹脂層14表面之密接性高於玻璃基板16的材質之支持基材12之情形時，可將上述硬化性聚矽氧於某些剝離性表面上進行硬化而製造聚矽氧樹脂之膜，使該膜介置於玻璃基板16與支持基材12之間並且同時進行積層。 又，於由硬化性聚矽氧之硬化所引起之接著性對於玻璃基板16足夠低，且該接著性對於支持基材12足夠高之情形時，可於玻璃基板16與支持基材12之間使交聯物硬化而形成聚矽氧樹脂層14。 進而，即便於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施提高支持基材12表面之接著性之處理，而提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。例如可列舉：如矽烷偶合劑般以化學方式提高固定力之化學方法(底塗處理)、或如火焰(frame)處理般使表面活性基增加之物理方法、如噴砂處理般藉由使表面之粗度增加而使卡合處增加之機械處理方法等。 (玻璃積層體) 本發明之玻璃積層體10可用於各種用途，例如可列舉製造下述顯示裝置用面板、太陽光發電面板、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，玻璃積層體10多被置於高溫條件(例如550℃以上)下(例如1小時以上)。 此處，作為顯示裝置用面板，例如可列舉：LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED(light emitting diode，發光二極體)面板、及MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。 [附構件之玻璃基板及其製造方法] 於本發明中，可使用上述玻璃積層體，製造電子裝置。以下，針對使用上述玻璃積層體10之態樣進行詳細敍述。藉由使用玻璃積層體10，而製造包含玻璃基板及電子裝置用構件之附構件之玻璃基板(附電子裝置用構件之玻璃基板)。 該附構件之玻璃基板之製造方法並無特別限定，但就電子裝置之生產性優異之觀點而言，較佳為如下方法：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體，自所獲得之附電子裝置用構件之積層體，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面或聚矽氧樹脂層內部作為剝離面而分離成附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材。再者，更佳為視需要繼而對附構件之玻璃基板之剝離面進行淨化。 以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體之步驟稱為構件形成步驟，將自附電子裝置用構件之積層體以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面而分離成附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材之步驟稱為分離步驟，將對附構件之玻璃基板之剝離面進行淨化之步驟稱為淨化處理步驟。再者，如上所述，淨化處理步驟係視需要實施之任意步驟。 以下，對在各步驟中使用之材料及順序進行詳細敍述。 (構件形成步驟) 構件形成步驟係於在上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體10中之玻璃基板16上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子裝置用構件22，而獲得附電子裝置用構件之積層體24。 首先，對在本步驟中使用之電子裝置用構件22進行詳細敍述，其後，對步驟之順序進行詳細敍述。 (電子裝置用構件(功能性元件)) 電子裝置用構件22係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上且構成電子裝置之至少一部分的構件。更具體而言，作為電子裝置用構件22，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件(例如，顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。 例如，作為太陽電池用構件，若為矽型，則可列舉正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層表示之矽層及負極之金屬等，此外，例如可列舉與化合物型、色素增感型或量子點型等對應之各種構件等。 又，例如，作為薄膜二次電池用構件，若為鋰離子型，則可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬及作為密封層之樹脂等。此外，例如可列舉與鎳氫型、聚合物型或陶瓷電解質型等對應之各種構件等。 又，例如，作為電子零件用電路，若為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)，則可列舉導電部之金屬、絕緣部之二氧化矽或氮化矽等。此外，例如可列舉與壓力感測器/加速度感測器等各種感測器、剛性印刷基板、軟性印刷基板或剛性軟性印刷基板等對應之各種構件等。 (步驟之順序) 上述附電子裝置用構件之積層體24之製造方法並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b表面上形成電子裝置用構件22。 再者，電子裝置用構件22亦可為全部構件之一部分(以下，稱為「部分構件」)而非最終形成於玻璃基板16之第2主面16b之構件之全部(以下，稱為「全部構件」)。亦可於其後之步驟中將自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板設為附全部構件之玻璃基板(相當於下述電子裝置)。 又，於自聚矽氧樹脂層14剝離之附全部構件之玻璃基板中，亦可於其剝離面(第1主面16a)形成其他電子裝置用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，其後，將支持基材12自附全部構件之積層體剝離，而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體進行組裝，其後，將2片支持基材12自附全部構件之積層體剝離，而製造具有2片玻璃基板之附構件之玻璃基板。 例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體10之玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL構造體，而進行以下等各種層形成或處理：形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封板進行密封。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。 又，例如，於製造TFT-LCD之情形時，具有以下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕劑液，於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案，從而形成薄膜電晶體(TFT)；CF(Color Filter，彩色濾光片)形成步驟，其係於另一玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，將抗蝕劑液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)；以及貼合步驟，其係將TFT形成步驟中獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中獲得之附CF之積層體積層。 於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕劑液作為圖案形成用塗佈液。 再者，於形成TFT或CF之前，亦可視需要對玻璃基板16之第2主面16b進行清洗。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。 於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面、與附CF之積層體之彩色濾光片形成面相對向，使用密封劑(例如，電池形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，於由附TFT之積層體與附CF之積層體所形成之電池內，注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如可列舉減壓注入法及滴下注入法。 (分離步驟) 分離步驟係如下步驟：如圖2(D)所示，自上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體24，以聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面作為剝離面，而分離成積層有電子裝置用構件22之玻璃基板16(附構件之玻璃基板)、聚矽氧樹脂層14及支持基材12，從而獲得包含電子裝置用構件22及玻璃基板16之附構件之玻璃基板26。 於剝離時之玻璃基板16上之電子裝置用構件22為必需之形成全部構成構件之一部分之情形時，亦可於分離後，將剩餘之構成構件形成於玻璃基板16上。 將附構件之玻璃基板26與附樹脂層之支持基材18剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面插入銳利之刃狀物，於賦予剝離之契機之後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。 較佳為，以附電子裝置用構件之積層體24之支持基材12成為上側、且電子裝置用構件22側成為下側之方式設置於壓盤上，並將電子裝置用構件22側真空吸附至壓盤上(於兩面積層有支持基材之情形時依序進行)。於該狀態下，首先，使刃具侵入至玻璃基板16-聚矽氧樹脂層14界面。然後，其後藉由複數個真空吸附墊吸附支持基材12側，從插入有刃具之部位附近依序使真空吸附墊上升。藉此，可於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面形成空氣層，該空氣層擴展至整個界面，而將附樹脂層之支持基材18容易地剝離。 又，附樹脂層之支持基材18可與新的玻璃基板積層，而製造本發明之玻璃積層體10。 再者，於將附構件之玻璃基板26自附電子裝置用構件之積層體24分離時，藉由控制離子化器之吹送或濕度，可進一步抑制聚矽氧樹脂層14之碎片靜電吸附於附構件之玻璃基板26。 [淨化處理步驟] 淨化處理步驟係對於上述分離步驟中獲得之附構件之玻璃基板26中之玻璃基板16之剝離面(第1主面16a)實施淨化處理之步驟。藉由實施該步驟，可去除附著於剝離面之聚矽氧樹脂或聚矽氧樹脂層、及附著於剝離面之於上述構件形成步驟中產生之金屬片或灰塵等雜質，可維持剝離面之清潔性。作為結果，貼附於玻璃基板16之剝離面之相位差膜或偏光膜等之黏著性提高。 關於淨化處理之方法，只要可去除附著於剝離面之樹脂或灰塵等，則該方法不受特別限制。例如可列舉：將附著物進行熱分解之方法、或藉由電漿照射或光照射(例如，UV(ultraviolet，紫外線)照射處理)而將剝離面上之雜質去除之方法、或使用溶劑進行清洗處理之方法等。 上述附構件之玻璃基板26之製造方法適合於如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)般之移動終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED。作為LCD，例如可列舉：TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Effect，場效)型、TFT型、MIM(Metal Insulator Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，共平面切換)型及VA(Vertical Aligned，垂直配向)型等。基本上可應用於被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形。 作為藉由上述方法製造之附構件之玻璃基板26，例如可列舉：具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池以及具有玻璃基板及電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，例如可列舉液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板及場發射面板等。 上述中，對使用玻璃積層體10之態樣進行了詳細敍述，但亦可使用玻璃積層體100按照與上述相同之順序製造電子裝置。再者，於使用玻璃積層體100之情形時，於上述分離步驟時，以支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面作為剝離面，而分離成支持基材12、與包含聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16及電子裝置用構件22之電子裝置。 [實施例] 以下，例1-1、1-2、1-3及2～5為實施例，例6～10為比較例。 ＜樹脂1合成＞ 於1升之燒瓶中，加入三乙氧基甲基矽烷179 g、甲苯300 g、及乙酸5 g，於25℃下攪拌20分鐘後，加熱至60℃並進行反應12小時。於冷卻至25℃後，加入300 g水對反應粗液清洗3次。自反應粗液將甲苯減壓蒸餾去除而製成漿料狀態後，利用真空乾燥機徹夜乾燥，藉此獲得白色之有機聚矽氧烷固體即樹脂1。 ＜樹脂2合成＞ 於1升之燒瓶中，加入三乙氧基甲基矽烷150 g、二乙氧基二甲基矽烷21 g、甲苯250 g、及乙酸7 g，於25℃下攪拌20分鐘後，加熱至100℃並進行反應12小時。於冷卻至25℃後，加入300 g水對反應粗液清洗3次。自反應粗液將甲苯減壓蒸餾去除而製成漿料狀態後，利用真空乾燥機徹夜乾燥，藉此獲得白色之有機聚矽氧烷固體即樹脂2。 有機聚矽氧烷獲得了具有以T單元為主之鍵結結構(T單元之個數：D單元之個數＝84：14)之有機矽氧烷化合物。 ＜樹脂3合成＞ 於1升之燒瓶中，加入三乙氧基甲基矽烷41 g、三乙氧基苯基矽烷69 g、二乙氧基甲基苯基矽烷105 g、甲苯300 g、及乙酸5 g，於25℃下攪拌20分鐘後，加熱至70℃並進行反應12小時。於冷卻至25℃後，加入300 g水對反應粗液清洗3次。自反應粗液將甲苯減壓蒸餾去除而製成漿料狀態後，利用真空乾燥機徹夜乾燥，藉此獲得白色之有機聚矽氧烷固體即樹脂3。 有機聚矽氧烷獲得了以T單元為主之鍵結結構(T單元之個數：D單元之個數＝50：50莫耳%)且甲基、苯基之比率為甲基：苯基＝48：52莫耳%之有機矽氧烷化合物。 ＜樹脂4合成＞ 於1升之燒瓶中，加入三乙氧基甲基矽烷64 g、三乙氧基苯基矽烷94 g、二乙氧基甲基苯基矽烷53 g、甲苯300 g、及乙酸5 g，於25℃下攪拌20分鐘後，加熱至70℃並進行反應12小時。於冷卻至25℃後，加入300 g水對反應粗液清洗3次。自反應粗液將甲苯減壓蒸餾去除而製成漿料狀態後，利用真空乾燥機徹夜乾燥，藉此獲得白色之有機聚矽氧烷固體即樹脂4。 有機聚矽氧烷獲得了以T單元為主之鍵結結構(T單元之個數：D單元之個數＝75：25莫耳%)且甲基、苯基之比率為甲基：苯基＝48：52莫耳%之有機矽氧烷化合物。 ＜例1-1、1-2、1-3＞ 於樹脂1中，將二異丁基酮(關東化學)、與使粒徑10 nm之二氧化矽粒子以濃度30質量%分散至乙二醇單丙醚所得之膠體二氧化矽分散溶液以二氧化矽粒子添加率成為13 vol%之方式調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。將胺系分散助劑相對於二氧化矽粒子固形物成分量添加3.4質量%，將作為溶液穩定劑之乙酸相對於分散助劑添加50 mol%。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾而獲得塗佈溶液1。 ＜例2＞ 於樹脂1中，將二異丁基酮(關東化學)、與使粒徑10 nm之二氧化矽粒子以濃度30質量%分散至乙二醇單丙醚所得之膠體二氧化矽分散溶液以二氧化矽粒子添加率成為19 vol%之方式調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。將胺系分散助劑相對於二氧化矽粒子固形物成分量添加3.4質量%，將作為溶液穩定劑之乙酸相對於分散助劑添加50 mol%。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾而獲得塗佈溶液2。 ＜例3＞ 於樹脂1中，將二異丁基酮(關東化學)、與使粒徑10 nm之二氧化矽粒子以濃度30質量%分散至乙二醇單丙醚所得之膠體二氧化矽分散溶液以二氧化矽粒子添加率成為26 vol%之方式調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。將胺系分散助劑相對於二氧化矽粒子固形物成分量添加3.4質量%，將作為溶液穩定劑之乙酸相對於分散助劑添加50 mol%。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾而獲得塗佈溶液3。 ＜例4＞ 於樹脂2之50質量%之甲苯溶液中，將環己酮(關東化學)、與粒徑10 nm之二氧化矽微粒子以二氧化矽粒子添加率成為5 vol%之方式調整環己酮之量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。於溶液中添加樹脂2之固形物成分量之0.5質量%之Ti(OBu)4 ，藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾，而獲得塗佈溶液4。 ＜例5＞ 於樹脂2之50質量%之甲苯溶液中，將環己酮(關東化學)、與粒徑10 nm之二氧化矽微粒子以二氧化矽粒子添加率成為15 vol%之方式調整環己酮之量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。於溶液中添加樹脂2之固形物成分量之0.5質量%之Ti(OBu)4 ，藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾，而獲得塗佈溶液5。 ＜例6＞ 於樹脂1中，調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾，而獲得塗佈溶液6。 ＜例7＞ 於1升之燒瓶中，裝入具有約15 nm之平均粒徑之水分散膠體二氧化矽(pH值3.1、固形物成分35質量%)200 g及乙酸0.2 g，並添加甲基三甲氧基矽烷138 g。攪拌1小時後，組合物之pH值穩定於4.5。將該組合物於25℃下熟成4天而於二氧化矽·甲醇-水分散液中確實地形成部分水解縮合。該組合物係不揮發成分為40質量%(150℃、45分鐘)，且所獲得之有機聚矽氧烷獲得了具有以T單元為主之鍵結結構(T單元之個數：M單元、D單元及Q單元之各者之個數總量＝100：0)之有機矽氧烷化合物。使用1-丁醇、異丙醇作為稀釋溶劑，而製備不揮發成分為25質量%(150℃、45分鐘)且黏度為4.4 mPa・s之有機聚矽氧烷組合物溶液PSi-1(PSi-1濃度：16.8質量%)，藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾，而獲得塗佈溶液7。 ＜例8＞ 將樹脂3之50質量%之甲苯溶液藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾，而獲得塗佈溶液8。 ＜例9＞ 於樹脂3之50質量%之甲苯溶液中，將使粒徑10 nm之二氧化矽粒子以濃度30質量%分散至乙二醇單丙醚所得之膠體二氧化矽分散溶液以二氧化矽粒子添加率成為19 vol%之方式調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。將胺系分散助劑相對於二氧化矽粒子固形物成分量添加3.4質量%，將作為溶液穩定劑之乙酸相對於分散助劑添加50 mol%。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾而獲得塗佈溶液9。 ＜例10＞ 於樹脂4之50質量%之甲苯溶液中，將使粒徑10 nm之二氧化矽粒子以濃度30質量%分散至乙二醇單丙醚所得之膠體二氧化矽分散溶液以二氧化矽粒子添加率成為19 vol%之方式調整二異丁基酮量而進行混合，從而獲得固形物成分30質量%之溶液。將胺系分散助劑相對於二氧化矽粒子固形物成分量添加3.4質量%，將作為溶液穩定劑之乙酸相對於分散助劑添加50 mol%。藉由0.2 μm之針筒過濾器進行過濾而獲得塗佈溶液10。 聚矽氧樹脂組成解析 聚矽氧樹脂組成係進行1 H NMR、29 Si NMR及13 C NMR測定而決定。1 H NMR、29 Si NMR及13 C NMR測定係使用Bruker Biospin公司製造之AVANCE-3-HD400而進行測定。使用重氫丙酮作為測定用溶劑，將作為緩和試劑之Cr(acac)3以相對於試樣成為0.1質量%之方式進行製備及添加。基準係使用四甲基矽烷。樣品濃度係調整為約20 wt%而進行測定。 [積層基板之製作] 將所獲得之塗佈溶液1～10藉由旋轉塗佈法塗佈於100×100 mm、厚度0.5 mm之玻璃基板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)，並藉由加熱板以100℃加熱10分鐘。其後，例1-1及例2至例10係藉由烘箱於大氣下250℃下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧樹脂層(硬化溫度250℃)。於例1-2中係於大氣下300℃下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧樹脂層(硬化溫度300℃)。於例1-3中係於大氣下350℃下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧樹脂層(硬化溫度350℃)。冷卻至25℃，而獲得膜厚2 μm之聚矽氧樹脂層。其後，將100×100 mm、厚度0.2 mm之玻璃基板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)放置於聚矽氧樹脂層上，並藉由貼合裝置進行貼合，而製作積層基板。 [耐熱發泡性評價] 從獲得之積層基板切割出25 mm×25 mm之無氣泡缺陷之部分，於氮氣下以550℃加熱10分鐘。於加熱後，冷卻至25℃，藉由目視評價是否存在厚度0.2 mm之玻璃基板自聚矽氧樹脂層之剝落(耐熱發泡性)。將結果示於表1及表2。 耐熱發泡性之評價基準係設為以下。 「○」：無玻璃基板之剝落 「△」：產生玻璃基板之一部分剝落 「×」：產生玻璃基板之剝落 [龜裂性評價] 自獲得之積層基板切割出25 mm×25 mm之無氣泡缺陷之部分，於氮氣下以550℃加熱10分鐘。於加熱後，冷卻至25℃，藉由目視評價有無積層基板之端部之聚矽氧樹脂層之龜裂(龜裂性)。將結果示於表1及表2。 龜裂性之評價基準係設為以下。 「○」：於聚矽氧樹脂層無龜裂產生 「△」：於聚矽氧樹脂層產生龜裂，但無內部伸展 「×」：自聚矽氧樹脂層朝向內部產生龜裂 [應力評價] 於例1-1～1-3中分別將塗佈溶液1、於例2～10中分別將塗佈溶液2～10藉由旋轉塗佈法塗佈於4英吋之矽晶圓上。其後，藉由加熱板於100℃下加熱硬化10分鐘後，例1-1及例2至例10係藉由烘箱於大氣下250℃下加熱30分鐘(硬化溫度250℃)。於例1-2中係於大氣下300℃下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧樹脂層(硬化溫度300℃)。於例1-3中係於大氣下350℃下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧樹脂層(硬化溫度350℃)。冷卻至25℃，而獲得聚矽氧樹脂層。膜厚係藉由表面粗糙度測定機Surfcom 1400G-12(東京精密公司製造)進行測定，確認出膜厚為1 μm。 其次，使用薄膜應力測定裝置[LX-2320(KLA-Tencor製)]，進行下述評價，根據下述式(1)、(2)，分別求出聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C) 與500℃下之應力σf(500) 之應力差Δσf1 、及40℃下之應力σf(40) 與聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(c) 之應力差Δσf2 。將結果示於表1及表2。於表2中，「n.d.」係表示無資料。 評價：求出矽晶圓(結晶方位100面)於25℃下之翹曲之曲率半徑R0 。其次，於該矽晶圓上形成聚矽氧樹脂層，從25℃以10℃/分加熱至500℃，並分別算出40℃、聚矽氧樹脂層之硬化溫度(例1-1及例2至例10係250℃、例1-2係300℃、例1-3係350℃)及500℃下之聚矽氧樹脂層之應力、即σf(40) 、σf(C) 及σf(500) 。 Δσf1 ＝｜(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(c) )－(500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500) )｜・・・(1) Δσf2 ＝｜(40℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(40) )－(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(c) )｜・・・(2) σf(T) ＝｛Es ts 2 /6tf (1－νs )｝×(1/R1 －1/R0 )：溫度T℃下之聚矽氧樹脂層之應力 T：測定應力之溫度(℃) C：聚矽氧樹脂層之硬化溫度(℃) tf ：聚矽氧樹脂層之厚度(μm) ts ：矽晶圓之厚度(mm) R0 ：25℃下之矽晶圓(結晶方位100面)之曲率半徑(m) R1 ：矽晶圓及聚矽氧樹脂層之曲率半徑(m) ES ：矽晶圓之彈性模數(Pa) νs ：矽晶圓之帕松比 [表1]
Figure 106114209-A0304-0001
 [表2]
Figure 106114209-A0304-0002
 如上述表1及表2所示，作為實施例的例1-1～1-3及2～5係Δσf1 為10～105 MPa之範圍，Δσf2 亦為10～50 MPa之範圍，耐熱發泡性及龜裂性均良好。另一方面，作為比較例之例6係Δσf1 不在10～105 MPa之範圍內，自聚矽氧樹脂層朝向內部產生龜裂。於作為比較例的例7～10中，Δσf1 因產生龜裂而無法測定，Δσf2 亦不在10～50 MPa之範圍內，耐熱發泡性及龜裂性較低。 對本發明參照特定之態樣詳細地進行了說明，對於業者而言理應明白可不脫離本發明之精神及範圍而進行各種變更及修正。再者，本申請案係基於2016年4月28日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2016-090438)，並藉由引用而援用其全部內容。又，引用至本文中之所有參照係將全部內容併入本文中。
10‧‧‧玻璃積層體 12‧‧‧支持基材 14‧‧‧聚矽氧樹脂層 14a‧‧‧表面 16‧‧‧玻璃基板 16a‧‧‧第1主面 16b‧‧‧第2主面 18‧‧‧附樹脂層之支持基材 22‧‧‧電子裝置用構件 24‧‧‧附電子裝置用構件之積層體 26‧‧‧附構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之模式性剖視圖。 圖2(A)～(D)係按步驟順序表示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法之一實施形態的模式性剖視圖。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧第1主面
16b‧‧‧第2主面
18‧‧‧附樹脂層之支持基材

Claims (13)

  1. 一種玻璃積層體，其特徵在於：其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板者，且上述聚矽氧樹脂層係進行下述評價，根據下述式(1)求出之聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C)與500℃下之應力σf(500)的應力差△σf1為10~105MPa；評價：求出矽晶圓(結晶方位100面)於25℃下之翹曲之曲率半徑R0；其次，於該矽晶圓上形成聚矽氧樹脂層，從25℃以10℃/分加熱至500℃，求出聚矽氧樹脂層之硬化溫度、及500℃下之各者之翹曲之曲率半徑R1之後，基於Stoney之式，算出聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C)及500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500)，並獲得該等之差△σf1；△σf1=｜(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C))-(500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500))｜‧‧‧(1)σf(T)={Ests 2/6tf(1-νs)}×(1/R1-1/R0)：溫度T℃下之聚矽氧樹脂層之應力T：測定應力之溫度(℃)C：聚矽氧樹脂層之硬化溫度(℃)tf：聚矽氧樹脂層之厚度(μm)ts：矽晶圓之厚度(mm)R0：25℃下之矽晶圓(結晶方位100面)之曲率半徑(m)R1：矽晶圓及聚矽氧樹脂層之曲率半徑(m)ES：矽晶圓之彈性模數(Pa) νs：矽晶圓之帕松比。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之根據下述式(2)求出之40℃下之應力σf(40)與聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C)的應力差△σf2為10~50MPa；△σf2=｜(40℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(40))-(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C))｜‧‧‧(2)。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及無機微粒子；再者，R表示氫原子或有機基。
  4. 如請求項3之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述無機微粒子之一次粒徑為1nm~100nm。
  5. 如請求項3之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述無機微粒子為二氧化矽。
  6. 如請求項5之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述二氧化矽之比率為聚矽氧樹脂層之1~40vol%。
  7. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為0.001μm~100μm。
  8. 一種玻璃積層體之製造方法，其包括如下步驟：於支持基材上形成包含(R)SiO3/2所表示之有機矽烷氧基單元(T單元)、及無機微粒子之聚矽氧樹脂層；及於上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；上述聚矽氧樹脂層係進行下述評價，根據下述式(1)求出之聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C)與500℃下之應力σf(500)的應力差△σf1為10~105MPa；再者，R表示氫原子或有機基；評價：求出矽晶圓(結晶方位100面)於25℃下之翹曲之曲率半徑R0；其次，於該矽晶圓上形成聚矽氧樹脂層，從25℃以10℃/分加熱至500℃，求出聚矽氧樹脂層之硬化溫度、及500℃下之各者之翹曲之曲率半徑R1之後，基於Stoney之式，算出聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C)及500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500)，並獲得該等之差△σf1；△σf1=｜(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C))-(500℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(500))｜‧‧‧(1)σf(T)={Ests 2/6tf(1-νs)}×(1/R1-1/R0)：溫度T℃下之聚矽氧樹脂層之應力T：測定應力之溫度(℃)C：聚矽氧樹脂層之硬化溫度(℃)tf：聚矽氧樹脂層之厚度(μm)ts：矽晶圓之厚度(mm)R0：25℃下之矽晶圓(結晶方位100面)之曲率半徑(m) R1：矽晶圓及聚矽氧樹脂層之曲率半徑(m)ES：矽晶圓之彈性模數(Pa)νs：矽晶圓之帕松比。
  9. 如請求項8之玻璃積層體之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述無機微粒子之一次粒徑為1nm~100nm。
  10. 如請求項8之玻璃積層體之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層之根據下述式(2)求出之40℃下之應力σf(40)與聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之應力σf(C)的應力差△σf2為10~50MPa；△σf2=｜(40℃下之聚矽氧樹脂層之應力σf(40))-(聚矽氧樹脂層之硬化溫度下之聚矽氧樹脂層之應力σf(C))｜‧‧‧(2)。
  11. 如請求項8或9之玻璃積層體之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述無機微粒子為二氧化矽。
  12. 如請求項11之玻璃積層體之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層中所含之上述二氧化矽之比率為聚矽氧樹脂層之1~40vol%。
  13. 如請求項8至10中任一項之玻璃積層體之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為0.001μm~100μm。
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