TWI641479B - 玻璃積層體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層者，且上述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為具有下述式(D)所表示之D單元與下述式(Q)所表示之Q單元之縮聚物，上述聚矽氧樹脂層相對於上述玻璃基板層之界面之剝離強度與上述聚矽氧樹脂層相對於上述支持基材層之界面之剝離強度不同：
式中，Ra及Rb各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基。

Description

玻璃積層體及其製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及其製造方法，尤其關於一種具備特定聚矽氧樹脂層之玻璃積層體及其製造方法。
近年來，隨著太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等器件(電子機器)向薄型化、輕量化發展，該等器件所使用之玻璃基板之薄板化不斷推進。若因薄板化導致玻璃基板強度不足，則於器件之製造步驟中，玻璃基板之處理性下降。
目前，為了應對上述課題，提出有如下方法：準備積層有玻璃基板與支持玻璃板之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件用構件後，自玻璃基板將支持玻璃板分離(例如參照專利文獻1)。更具體而言，於專利文獻1之實施例欄中揭示有使用二甲基聚矽氧油(SH200)對玻璃基板及支持玻璃板中一者之表面進行表面處理後使兩者積層所獲得之玻璃積層體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2011/048979號
近年來，關於玻璃積層體，因玻璃基板進一步薄膜化而使其操作性變難，從而要求於加熱處理後更容易將玻璃基板剝離。換言之， 要求玻璃基板自玻璃積層體之剝離強度更小。
使用專利文獻1中記載之SH200所獲得之玻璃積層體於大氣中450℃下經過1小時之加熱處理後亦可剝離。然而，如上所述要求較先前更易將玻璃基板剝離，專利文獻1之態樣尚不滿足該要求級別，需要進一步加以改良。
又，於藉由如使用如專利文獻1中記載之SH200之表面處理而形成層之情形時，即便將各製造批次之表面處理條件設為相同，亦會因所使用之液體之狀態或溫度等環境條件導致不同製造批次間層厚度發生變化。於使用如專利文獻1中記載之SH200之情形時，若所形成之層之厚度變厚，則該層會發泡而產生大量釋氣。此種釋氣之產生會對形成於玻璃基板上之電子器件用構件造成污染，結果導致電子器件之生產性下降。
本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種玻璃積層體及其製造方法，該玻璃積層體即便於高溫加熱處理後亦可容易地剝離玻璃基板，且具備厚度不同時各發泡程度間差異較小之聚矽氧樹脂層。
本發明者等人為了解決上述課題經過努力研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層者，且聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為具有後述式(D)所表示之D單元與後述式(Q)所表示之Q單元之縮聚物，聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度與聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度不同。
於第1態樣中，較佳為縮聚物中之D單元與上述Q單元之莫耳比(D單元/Q單元)為0.02~2。
於第1態樣中，較佳為式(D)中之Ra及Rb均為甲基。
於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層之厚度為5~2000nm。
於第1態樣中，較佳為縮聚物為硬化性化合物進行縮聚合而成之縮聚物，該硬化性化合物包含後述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與後述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的混合物或者混合物之部分縮聚物。
於第1態樣中，較佳為式(X)中之Ra及Rb均為甲基，水解性基為碳數4以下之烷氧基。
於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度低於聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度。
於第1態樣中，亦較佳為聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度高於聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度。
於第1態樣中，較佳為支持基材層為具有支持玻璃板層與第2聚矽氧樹脂層之積層支持基材，第2聚矽氧樹脂層與上述聚矽氧樹脂層接觸。
於第1態樣中，較佳為第2聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂包含硬化性有機聚矽氧烷之硬化物，硬化性有機聚矽氧烷包含後述式(1)所表示之矽氧烷單元(A)與後述式(2)所表示之矽氧烷單元(B)。
於第1態樣中，較佳為第2聚矽氧樹脂層之厚度厚於聚矽氧樹脂層之厚度且為50μm以下。
本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其係第1態樣之玻璃積層體之製造方法，包括如下步驟：於玻璃基板及支持基材中任一者之表面上塗佈硬化性化合物，實施加熱處理，而於玻璃基板及支持基材中任一者之表面上形成聚矽氧樹脂層；及
於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板及支持基材中之任意另一者。
根據本發明，可提供一種玻璃積層體及其製造方法，該玻璃積層體即便於高溫加熱處理後亦可容易地剝離玻璃基板，且具備厚度不同時各發泡程度間差異較小之聚矽氧樹脂層。
10‧‧‧第1實施態樣之玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧(第1)聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧(第1)聚矽氧樹脂層之第1主面
14b‧‧‧(第1)聚矽氧樹脂層之第2主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附樹脂層之支持基材
20‧‧‧附樹脂層之玻璃基板
22‧‧‧電子器件用構件
24‧‧‧附電子器件用構件之積層體
26‧‧‧附構件之玻璃基板
30‧‧‧支持玻璃板
32‧‧‧第2聚矽氧樹脂層
100‧‧‧第2實施態樣之玻璃積層體
120‧‧‧積層支持基材
200‧‧‧第2實施形態之變化例之玻璃積層體
圖1係本發明之玻璃積層體之第1態樣之模式剖視圖。
圖2(A)~2(D)係按步驟依序表示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法之一實施形態的模式剖視圖。
圖3係本發明之玻璃積層體之第2態樣之模式剖視圖。
圖4係本發明之玻璃積層體之第2態樣之變化例之模式剖視圖。
以下參照圖式說明用以實施本發明之形態，但本發明並不限制於以下之實施形態，可於不脫離本發明之範圍之情況下對以下之實施形態施加各種變化及置換。
作為本發明之玻璃積層體之特徵點，可列舉如下方面：聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為具有後述式(D)所表示之D單元與後述式(Q)所表示之Q單元之縮聚物。藉由該縮聚物中包含上述Q單元，聚矽氧樹脂層中形成三維交聯結構而使耐熱性提高，即便厚度變厚亦抑制聚矽氧樹脂層產生發泡，並且與玻璃基板層之剝離性即便於高溫處理條件處理後亦優異。又，推測藉由包含上述D單元，構成玻璃積層體之各層之積層性提高。此處，所謂積層性提高，係指所獲得之玻璃積層體之剝離變少之狀態或端部隆起變少之狀態。
又，本發明之玻璃積層體之特徵在於：於玻璃積層體中，聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度與聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度不同。例如於第1實施態樣中，聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度低於聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度，聚矽氧樹脂層與玻璃基板層剝離，聚 矽氧樹脂層與支持基材層之積層體同玻璃基板層分離。又，於第2實施態樣中，聚矽氧樹脂層相對於玻璃基板層之界面之剝離強度高於聚矽氧樹脂層相對於支持基材層之界面之剝離強度，聚矽氧樹脂層與支持基材層剝離，玻璃基板層與聚矽氧樹脂層之積層體同支持基材層分離。
以下分別對第1實施態樣及第2實施態樣進行說明。
<第1實施態樣>
圖1係本發明之玻璃積層體之第1實施態樣之模式剖視圖。
如圖1所示，玻璃積層體10係支持基材層12、玻璃基板層16及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層14(以下亦適時稱為「第1聚矽氧樹脂層14」)的積層體。關於聚矽氧樹脂層14，其一側之面與支持基材層12接觸，並且其另一側之面與玻璃基板16之第1主面16a接觸。
包含支持基材層12及聚矽氧樹脂層14之雙層部分於製造液晶面板等電子器件用構件之構件形成步驟中補強玻璃基板16。再者，將為了製造玻璃積層體10而預先製造之包含支持基材層12及聚矽氧樹脂層14之雙層部分稱為附樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10一直使用至後述構件形成步驟結束。即，該玻璃積層體10一直使用至於其玻璃基板16之第2主面16b表面上形成有液晶顯示裝置等電子器件用構件為止。其後，於形成有電子器件用構件之玻璃積層體中，將附樹脂層之支持基材18與附構件之玻璃基板分離，附樹脂層之支持基材18不再成為電子器件之構成部分。附樹脂層之支持基材18可與新的玻璃基板16積層而作為新的玻璃積層體10被再利用。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向上之應力，則支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離。聚矽氧 樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向上之應力，則聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離。
於玻璃積層體10中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體10施加將支持基材12與玻璃基板16剝離之方向上之應力，則於玻璃積層體10中，於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離，玻璃基板16與附樹脂層之支持基材18分離。
剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意指提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力、且於加熱處理後亦可維持較對玻璃基板16之附著力相對更高之附著力。
為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，較佳為例如將聚矽氧樹脂層14形成於支持基材12上之方法(例如使後述硬化性化合物於支持基材12上硬化而形成聚矽氧樹脂層14之方法)。若為該方法，則可利用聚矽氧樹脂層14形成時之硬化時之接著力而形成以較高結合力結合於支持基材12上之聚矽氧樹脂層14。
另一方面，硬化後之聚矽氧樹脂對玻璃基板16之結合力通常低於上述硬化時所產生之結合力。因此，於支持基材12上形成聚矽氧樹脂層14，其後於聚矽氧樹脂層14之面上積層玻璃基板16，藉此可製造玻璃積層體10。
以下，首先對構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)進行詳細說明，其後對玻璃積層體之製造方法進行詳細說明。
[支持基材]
支持基材12支持並補強玻璃基板16，防止於後述構件形成步驟(製造電子器件用構件之步驟)中製造電子器件用構件時玻璃基板16發生變形、損傷、破損等。
作為支持基材12，例如使用玻璃板、塑膠板、SUS板等金屬板等。通常情況下構件形成步驟伴有熱處理，因此支持基材12較佳為利用與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為利用與玻璃基板16相同之材料形成，支持基材12較佳為玻璃板。支持基材12尤佳為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
再者，如後所述，支持基材12亦可為包含2種以上之層之積層體。
支持基材12之厚度可厚於亦可薄於玻璃基板16。較佳為根據玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度及玻璃積層體10之厚度而選擇支持基材12之厚度。例如現行之構件形成步驟係以對厚度0.5mm之基板進行處理之方式設計，於玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基材12之厚度設為0.4mm。支持基材12之厚度於通常情況下較佳為0.2~5.0mm。再者，於支持基材12為包含2種以上之層之積層體之情形時，「支持基材12之厚度」意指全部層之合計厚度。
於支持基材12為玻璃板之情形時，玻璃板之厚度鑒於易操作、不易破裂等原因，較佳為0.08mm以上。又，玻璃板之厚度鑒於期望於電子器件用構件形成後進行剝離時具有如於不會破裂之情況下適度彎曲之剛性之原因，較佳為1.0mm以下。
支持基材12與玻璃基板16於25~300℃下之平均線膨脹係數之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則有於構件形成步驟中之加熱冷卻時玻璃積層體10嚴重翹曲或支持基材12與玻璃基板16發生剝離之可能性。於支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時，可抑制此種問題之產生。
[玻璃基板]
於玻璃基板16中，第1主面16a與聚矽氧樹脂層14接觸，於與聚矽氧樹脂層14側相反之側之第2主面16b設置電子器件用構件。
玻璃基板16之種類為一般者即可，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用玻璃基板等。玻璃基板16之耐化學品性、耐透濕性優異且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，採用JIS R 3102(1995年修訂)所規定之線膨脹係數。再者，JIS R 3102(1995年修訂)之內容係以參照之形式引入本說明書。
若玻璃基板16之線膨脹係數較大，則由於構件形成步驟多數情況下伴有加熱處理，故而易發生各種不良情況。例如於玻璃基板16上形成TFT(thin-film transistor，薄膜電晶體)之情形時，若使於加熱下形成有TFT之玻璃基板16冷卻，則有因玻璃基板16熱收縮導致TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板16可使玻璃原料熔融後將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法為一般者即可，例如可採用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其厚度較薄之玻璃基板16可藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至能夠成形之溫度後利用延伸等手法拉伸玻璃使之變薄的方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板16之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為以氧化物換算計之氧化矽含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃，採用適於電子器件用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如由於鹼金屬成分之溶出易對液晶造成影響，故而液晶面板用之玻璃基板包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中，通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板16之玻璃係根據所應用之器件之種類及其製造步驟而適當選擇。
關於玻璃基板16之厚度，就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下。於0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板16賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板16捲取成滾筒狀。
又，關於玻璃基板16之厚度，鑒於玻璃基板16之易製造性與玻璃基板16之易操作性等原因，較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板16亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為非同種材料。又，於該情形時，「玻璃基板16之厚度」意指全部層之合計厚度。
[聚矽氧樹脂層]
於玻璃積層體10中，聚矽氧樹脂層14係防止玻璃基板16於進行玻璃基板16與支持基材12之分離操作前發生位置偏移，並且防止玻璃基板16等因分離操作而產生破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16接觸之表面14a可剝離地密接於玻璃基板16之主面16a。另一方面，聚矽氧樹脂層14固定於支持基材12上。即，聚矽氧樹脂層14以較弱之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面之剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間之界面之剝離強度(x)。
即，於將玻璃基板16與支持基材12分離時，於玻璃基板16之第1主面16a與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離，於支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面難以發生剝離。因此，聚矽氧樹脂層14具有儘管與玻璃基板16之第1主面16a密接但亦可容易地將玻璃基板16剝離之表面特性。即，聚矽氧樹脂層14以某種程度之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a而防止玻璃基板16發生位置偏移等，與此同時以於剝離玻璃基板16時可在不會破壞玻璃基板16之情況下容易地剝離之程度之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a。於本發明中，將該聚矽氧樹脂層14表面之可容易地剝離之性質稱為易剝離性。另一方面，支持基材12 之第1主面與聚矽氧樹脂層14以相對難以剝離之結合力結合。
再者，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之結合力可於在玻璃積層體10之玻璃基板16之面(第2主面16b)上形成電子器件用構件之前後發生變化(即，剝離強度(x)或剝離強度(y)可發生變化)。然而，即便於形成電子器件用構件後，剝離強度(y)亦低於剝離強度(x)。
認為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板層16係以起因於較弱接著力或凡得瓦力之結合力結合。認為於形成聚矽氧樹脂層14後對其表面積層玻璃基板16之情形時，在聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂以不表示出接著力之程度充分地交聯之情況下以起因於凡得瓦力之結合力結合。然而，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂具有某種程度之較弱接著力之情況並非少見。認為即便於接著性極低之情形時，於玻璃積層體10製造後在該積層體上形成電子器件用構件時，亦會因加熱操作等導致聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂接著於玻璃基板16面，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板層16之間之結合力上升。
根據情況亦可對積層前之聚矽氧樹脂層14之表面或積層前之玻璃基板16之第1主面16a實施減弱兩者間結合力之處理後進行積層。對進行積層之面實施非接著性處理等，其後進行積層，藉此可減弱聚矽氧樹脂層14與玻璃基板層16之界面之結合力，降低剝離強度(y)。
又，聚矽氧樹脂層14以接著力或黏著力等較強之結合力結合於支持基材12表面，作為提高兩者間密接性之方法，可採用公知之方法。例如使後述硬化性化合物於支持基材12表面上硬化，藉此使作為縮聚物之聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面而可獲得較高之結合力。又，可實施會使支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間產生較強結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間之結合力。
聚矽氧樹脂層14與支持基材層12以較高結合力結合意指兩者之界面之剝離強度(x)較高。
聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，較佳為5~5000nm，更佳為5~2000nm，進而較佳為50~2000nm，尤佳為100~1000nm。若聚矽氧樹脂層14之厚度處於上述範圍，則即便聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間介存有氣泡或異物，亦可抑制玻璃基板16產生變形缺陷。
上述厚度意指平均厚度，係測定5點以上之任意位置之聚矽氧樹脂層14之厚度，將該等做算術平均所得者。
聚矽氧樹脂層14之玻璃基板16側之表面之表面粗糙度Ra並無特別限制，就玻璃基板16之積層性及剝離性更優異之方面而言，較佳為0.1~20nm，更佳為0.1~10nm。
再者，作為表面粗糙度Ra之測定方法，依據JIS B 0601-2001進行，將於任意5處以上之點所測得之Ra做算術平均所得之值相當於上述表面粗糙度Ra。再者，JIS B 0601-2001之內容係以參照之形式引入本說明書。
又，聚矽氧樹脂層14之玻璃基板16側之表面之水接觸角並無特別限制，就玻璃基板16之積層性及剝離性更優異之方面而言，較佳為超過70度且為105度以下。
再者，作為水接觸角之測定方法，使用接觸角計(Kruss公司製造，DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)，將1μL之水滴靜置於1片玻璃板之表面而測定水接觸角。
(聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂)
聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂係具有下述式(D)所表示之D單元與下述式(Q)所表示之Q單元之縮聚物。
式(D)中，Ra及Rb各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基。
烷基中所含之碳數就聚矽氧樹脂層14之耐熱性或玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為1~3。更具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基等，較佳為甲基。
於縮聚物中，D單元與Q單元之莫耳比(D單元/Q單元)較佳為0.02~2，更佳為0.1~1.8。若處於該範圍，則耐熱性及剝離性較佳。
再者，於縮聚物中，D單元及Q單元之合計含量並無特別限制，相對於全部矽氧烷單元，較佳為80莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，尤佳為100莫耳%。再者，作為矽氧烷單元之種類，除上述D單元及Q單元以外，亦可列舉M單元或T單元。
縮聚物較佳為硬化性化合物進行縮聚合而成之硬化物，上述硬化性化合物包含後述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物(水解縮合物)與後述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物(水解縮合物)的混合物或者該混合物之部分縮合物。
若矽化合物(X)之Rx基為羥基，則矽化合物(X)之分子彼此縮聚合而成為多聚物。於矽化合物(X)之Rx基為氫原子及水解性基之情形時，水解性基水解而與氫原子形成羥基後，矽化合物(X)之分子彼此縮聚合而成為多聚物。矽化合物(Y)之多聚物亦以相同之方式獲得。
以下對矽化合物(X)、矽化合物(Y)之態樣進行詳細說明。
(式(X)所表示之矽化合物(X))
作為聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂之一種起始原料，較佳為使用下述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物(以下亦簡稱為「矽化合物(X)」)。
式中，Ra及Rb各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基，Rx各自獨立表示氫原子、羥基或水解性基。複數個Rx可為相同之基，亦可為不同之基。
Ra及Rb分別與式(D)中之Ra及Rb相同。
Rx各自獨立表示氫原子、羥基或水解性基。
作為水解性基，可列舉：烷氧基、氯原子、胺基等。烷氧基中所含之碳數並無特別限制，就聚矽氧樹脂層14之耐熱性或玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為1~3。更具體而言，作為烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基等。再者，於Rx為氫原子之情形時，例如於特定之酸性觸媒(例如60%硝酸水溶液)下，Si-H基變換為Si-OH基，其後，與後述矽化合物(Y)之間進行水解-縮合反應。
式(X)所表示之化合物亦可為多聚物，n聚體之n之上限並無特別限制，就易合成性之方面而言，較佳為1500以下。其中，就聚矽氧樹脂層14之耐熱性或玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，n較佳為10~500。
(式(Y)所表示之矽化合物(Y)(四烷氧基矽烷化合物))
作為聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂之一種起始原料，較佳為使用下述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物。
式(Y)中，Ry各自獨立表示氫原子、羥基或水解性基。複數個Ry可為相同之基，亦可為不同之基。
作為水解性基，可列舉：烷氧基、鹵素原子、胺基等。烷氧基中之烷基所含之碳數並無特別限制，就聚矽氧樹脂層14之耐熱性或玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為1~3。更具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基等。
式(Y)所表示之化合物亦可為多聚物，n聚體之n之上限並無特別限制，就易合成性之方面而言，較佳為1500以下。其中，就形成聚矽氧樹脂層14時之塗佈性、聚矽氧樹脂層14之耐熱性或玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，n較佳為10~500。
矽化合物(X)或其多聚物與矽化合物(Y)或其多聚物之混合莫耳比並無特別限制，就聚矽氧樹脂層14之耐熱性更優異、玻璃基板16易剝離之方面而言，較佳為以聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂所含之上述D單元與上述Q單元之莫耳比(D單元/Q單元)達成上述範圍之方式進行調整。
作為用以獲得縮聚物之硬化性化合物，使用上述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與上述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的混合物。
又，作為硬化性化合物，亦可使用上述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與上述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的混合 物之部分縮合物。
獲得部分縮合物之方法並無特別限制，可使式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物之間進行水解-縮合反應(所謂溶膠-凝膠反應)而製造。
再者，水解-縮合反應可於無觸媒下實施，亦可於觸媒(例如酸或鹼)下實施。例如於空氣下，將矽化合物(X)與矽化合物(Y)混合並攪拌，藉此將空氣中之水分作為觸媒而進行水解-縮合反應，獲得所需之部分縮合物。
式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的反應可於溶劑下進行，亦可於無溶劑下進行。所使用之溶劑之種類並無特別限制，可使用公知之溶劑(例如醇系溶劑、烴系溶劑)。
使用硬化性化合物之聚矽氧樹脂層14之製造條件於下文詳細說明。
再者，例如於形成聚矽氧樹脂層14時，可將上述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與上述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的混合物塗佈於特定基材上(例如支持基材)上，於基材上進行水解-縮合反應而形成聚矽氧樹脂層14，亦可於製造上述混合物之部分縮合物後，塗佈於特定基材上(例如支持基材)上而形成聚矽氧樹脂層14。
[玻璃積層體及其製造方法]
本發明之玻璃積層體10如上所述係支持基材12、玻璃基板16及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。
本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，為了獲得剝離強度(x)高於剝離強度(y)之積層體，較佳為於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之方法。其中，較佳為如下方法：於支持基材12之表面塗佈上述硬化性化合物並使之硬化而於支持基材12表面上形成聚 矽氧樹脂層14，繼而，於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16而製造玻璃積層體10。
認為若使硬化性化合物於支持基材12表面上硬化，則藉由硬化反應時與支持基材12表面之相互作用而接著，聚矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度變高。因此，即便玻璃基板16與支持基材12為包含相同材質者，亦可使聚矽氧樹脂層14與兩者之剝離強度間產生差值。
以下，將於支持基材12之表面形成硬化性化合物層而於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，將於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16而形成玻璃積層體10之步驟稱為積層步驟，對各步驟之程序進行詳細說明。
(樹脂層形成步驟)
於樹脂層形成步驟中，於支持基材12表面上形成硬化性化合物層而於支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14。
為了於支持基材12上形成硬化性化合物層，較佳為使用使硬化性化合物溶解於溶劑而成之塗佈用組合物，將該組合物塗佈於支持基材12上而形成溶液層，繼而去除溶劑而形成硬化性化合物層。可藉由調整組合物中之硬化性化合物濃度等而控制層厚度。
作為溶劑，只要為於作業環境下可容易地使交聯物溶解且可容易地揮發去除之溶劑，則並無特別限定。具體而言，例如可例示：甲苯、二甲苯、THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿等。
於支持基材12表面上塗佈硬化性化合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
繼而，使支持基材12上之硬化性化合物硬化而形成聚矽氧樹脂層14。更具體而言，如圖2(A)所示，於該步驟中於支持基材12之至少 單面之表面上形成聚矽氧樹脂層14。
硬化方法並無特別限制，通常藉由熱硬化處理進行。
熱硬化之溫度條件只要處於可提高聚矽氧樹脂層14之耐熱性、可將與玻璃基板16積層後之剝離強度(y)控制為如上所述般的範圍內，則並無特別限制，較佳為300~475℃，更佳為350~450℃。又，加熱時間通常較佳為10~300分鐘，更佳為20~120分鐘。若熱硬化之溫度過低，則耐熱性或聚矽氧樹脂層14之平坦性下降，另一方面，若溫度過高，則剝離強度(y)變得過低，該兩種情形時均存在玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之密接性變弱之情況。
再者，於熱硬化處理中，較佳為以進行預硬化(預備硬化)後進行硬化(正式硬化)之方式達成硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性優異之聚矽氧樹脂層14。預硬化較佳為緊接著溶劑去除而進行，於該情形時，自層中去除溶劑而形成硬化性化合物層之步驟與進行預硬化之步驟間並無明確分界。溶劑去除較佳為加熱至100℃以上而進行，藉由加熱至150℃以上可緊接著進行預硬化。進行溶劑去除與預硬化之溫度及加熱時間較佳為100~420℃、5~60分鐘，更佳為150~300℃、10~30分鐘。若為420℃以下，則獲得易剝離之聚矽氧樹脂層。
(積層步驟)
積層步驟係如下步驟：於上述樹脂層形成步驟中所獲得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16，而獲得依序具備支持基材層12、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板層16之玻璃積層體10。更具體而言，如圖2(B)所示，將聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側相反之側之表面14a、及具有第1主面16a與第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a作為積層面而積層聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16，獲得玻璃積層體10。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制， 可採用公知之方法。
例如可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。再者，於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16後，視需要使用滾壓機或壓製機使玻璃基板16壓接於聚矽氧樹脂層14。藉由使用滾壓機或壓製機進行壓接，可相對較容易地將混入至聚矽氧樹脂層14與玻璃基板層16之間之氣泡去除，因此較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則抑制氣泡混入或確保密接良好，因此更佳。藉由於真空下進行壓接亦有如下優點：即便於殘留有微小氣泡之情形時，氣泡亦不會因加熱而變大，從而不易導致玻璃基板16發生變形缺陷。
於積層玻璃基板16時，較佳為對與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16之表面進行充分清洗，於潔淨度較高之環境中進行積層。潔淨度越高則玻璃基板16之平坦性越良好，因此較佳。
再者，積層玻璃基板16後，視需要亦可進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，所積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14之密接性提高，可形成適宜之剝離強度(y)，於後述構件形成步驟時電子器件用構件不易發生位置偏移等，電子器件之生產性提高。
預退火處理之條件係根據所使用之聚矽氧樹脂層14之種類而適當選擇最佳條件，就使玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間之剝離強度(y)成為更適宜者之方面而言，較佳為於300℃以上(較佳為300~400℃)之溫度下進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)之加熱處理。
再者，使相對於玻璃基板16之第1主面之剝離強度與相對於支持基材12之第1主面之剝離強度間產生差值的聚矽氧樹脂層14之形成並不限於上述方法。
例如於使用對聚矽氧樹脂層14表面之密接性高於玻璃基板16之材質之支持基材12之情形時，可使上述硬化性化合物於某種剝離性表 面上硬化而製造聚矽氧樹脂膜，將該膜介置於玻璃基板16與支持基材12之間而同時積層。
又，於藉由硬化性化合物硬化所產生之對玻璃基板16之接著性充分較低且對支持基材12之接著性充分較高之情形時，可使硬化性化合物於玻璃基板16與支持基材12之間硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
進而，於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施能夠提高支持基材12表面之接著性之處理而提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。例如可例示：如矽烷偶合劑之化學性地提高固定力之化學方法(底塗處理)、或如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法、如噴砂處理般藉由增大表面粗糙度而增強阻力之機械處理方法等。
(玻璃積層體)
作為本發明之第1態樣之玻璃積層體10可用於各種用途，例如可列舉製造後述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，多數情況下玻璃積層體10暴露於高溫條件(例如450℃以上)下(例如1小時以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
<第2實施態樣>
圖3係本發明之玻璃積層體之第2實施態樣之模式剖視圖。
如圖3所示，玻璃積層體100係支持基材層12、玻璃基板層16及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。
於圖3所示之玻璃積層體100中，不同於上述圖1所示之玻璃積層體10，聚矽氧樹脂層14固定於玻璃基板16上，附樹脂層之玻璃基板20 以附樹脂層之玻璃基板20中之聚矽氧樹脂層14直接與支持基材12接觸之方式可剝離地積層(密接)於支持基材12上。於本發明中，該固定與可剝離之密接於剝離強度(即，剝離所需之應力)上存在差異，固定意指剝離強度高於密接。即，於玻璃積層體100中，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之剝離強度高於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面之剝離強度。
更具體而言，玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(z)，若對玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(z)之剝離方向上之應力，則玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離。聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面具有剝離強度(w)，若對聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面施加超過剝離強度(w)之剝離方向上之應力，則聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面發生剝離。
於玻璃積層體100中，上述剝離強度(z)高於上述剝離強度(w)。因此，若對玻璃積層體100施加將支持基材12與玻璃基板16剝離之方向上之應力，則於本發明之玻璃積層體100中，於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之界面發生剝離，附樹脂層之玻璃基板20與支持基材12分離。
剝離強度(z)較佳為充分高於剝離強度(w)。提高剝離強度(z)意指提高聚矽氧樹脂層14對玻璃基板16之附著力，且於加熱處理後亦可維持較對支持基材12之附著力相對更高之附著力。
作為提高聚矽氧樹脂層14對玻璃基板16之附著力之方法，可列舉上述提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力之方法，例如可列舉於玻璃基板16上形成聚矽氧樹脂層14之方法等。若為該方法，則可利用硬化時之接著力而形成以較高結合力結合於玻璃基板16之聚矽氧樹脂層14。
另一方面，硬化後之聚矽氧樹脂層14對支持基材12之結合力通 常低於上述形成時所產生之結合力。因此，於玻璃基板16上形成聚矽氧樹脂層14，其後於聚矽氧樹脂層14之表面上積層支持基材12，藉此可製造滿足所需剝離關係之玻璃積層體100。
構成玻璃積層體100之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)與上述構成玻璃積層體10之各層同義，此處省略說明。
其中，聚矽氧樹脂層14之支持基材12側之表面之表面粗糙度Ra並無特別限制，就玻璃基板之積層性及剝離性更優異之方面而言，較佳為0.1~20nm，更佳為0.1~10nm。
再者，作為表面粗糙度Ra之測定方法，依據JIS B 0601-2001進行。
又，聚矽氧樹脂層14之支持基材12側之表面之水接觸角並無特別限制，就玻璃基板之積層性及剝離性更優異之方面而言，較佳為超過70度且為105度以下。
再者，作為水接觸角之測定方法，使用接觸角計(Kruss公司製造，DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)，將1μL之水滴靜置於1片玻璃板之表面而測定水接觸角。
玻璃積層體100之製造方法並無特別限制，於上述玻璃積層體10之製造方法中，使用玻璃基板16代替支持基材12，使用支持基材12代替玻璃基板16，藉此可製造所需之玻璃積層體100。更具體而言，可於玻璃基板16上形成聚矽氧樹脂層14，繼而於聚矽氧樹脂層14上積層支持基材12而製造玻璃積層體100。
(第2實施形態之變化例)
作為玻璃積層體之第2實施態樣之變化例，可列舉如下態樣：支持基材層為具備支持玻璃板層與配置於支持玻璃板層上之第2聚矽氧樹脂層的積層支持基材。
更具體而言，如圖4所示，於玻璃積層體200中，不同於上述圖3 所示之玻璃積層體100，積層支持基材120具備支持玻璃板30與配置於支持玻璃板30上之第2聚矽氧樹脂層32。此處，於第2實施形態之變化例中，亦將玻璃基板側之聚矽氧樹脂層稱為第1聚矽氧樹脂層，將支持玻璃板側之聚矽氧樹脂層稱為第2聚矽氧樹脂層。再者，第2聚矽氧樹脂層32中之聚矽氧樹脂較佳為包含後述式(1)所表示之矽氧烷單元(A)及式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷之硬化物。於該玻璃積層體200中，第1聚矽氧樹脂層14係以直接與第2聚矽氧樹脂層32接觸之方式配置，附樹脂層之玻璃基板20可剝離地積層(密接)於第2聚矽氧樹脂層32上。
於玻璃積層體200中，藉由設置第2聚矽氧樹脂層32，玻璃積層體本身之耐熱性提高，並且即便於高溫加熱處理後，玻璃基板亦易於剝離，進而玻璃基板之積層性亦優異(尤其即便於第1聚矽氧樹脂層與第2聚矽氧樹脂層之積層面中之兩者(或一者)之表面粗糙度較粗之情形時，亦可獲得良好之積層性)。
如上所述，第2聚矽氧樹脂層32以一表面固定於支持玻璃板30上，以另一表面與第1聚矽氧樹脂層14可剝離地密接。即，第2聚矽氧樹脂層32與支持玻璃板30之界面之剝離強度(v)高於第2聚矽氧樹脂層32與第1聚矽氧樹脂層14之界面之剝離強度(w)。又，如上所述，第1聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之剝離強度(z)高於第1聚矽氧樹脂層14與積層支持基材120之界面(換言之，第1聚矽氧樹脂層14與第2聚矽氧樹脂層32之界面)之剝離強度(w)。
因此，若對玻璃積層體200施加將支持玻璃板30與玻璃基板16剝離之方向上之應力，則於玻璃積層體200中，於第1聚矽氧樹脂層14與第2聚矽氧樹脂層32之界面發生剝離，附樹脂層之玻璃基板20與積層支持基材120分離。
第2聚矽氧樹脂層32以接著力或黏著力等較強之結合力結合於支 持玻璃板30表面。如後所述例如使硬化性有機聚矽氧烷於支持玻璃板30表面上硬化，藉此使作為硬化物之聚矽氧樹脂接著於支持玻璃板30表面而可獲得較高之結合力。又，可實施會使支持玻璃板30表面與第2聚矽氧樹脂層32之間產生較強結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高支持玻璃板30表面與第2聚矽氧樹脂層32之間之結合力。
另一方面，包含硬化性有機聚矽氧烷硬化物之第2聚矽氧樹脂層32對聚矽氧樹脂層14之結合力通常低於上述硬化時所產生之結合力。因此，於支持玻璃板30上使硬化性有機聚矽氧烷硬化而形成第2聚矽氧樹脂層32，其後，以第2聚矽氧樹脂層32與第1聚矽氧樹脂層14相對向之方式於第2聚矽氧樹脂層32之面上積層附樹脂層之玻璃基板20而可製造所需之玻璃積層體200。
再者，根據情況，亦可於對積層前之第2聚矽氧樹脂層32之表面或積層前之第1聚矽氧樹脂層14之表面進行減弱兩者間結合力之處理後進行積層。藉由對進行積層之面實施非接著性處理等後進行積層，可減弱第2聚矽氧樹脂層32與第1聚矽氧樹脂層14之界面之結合力，降低剝離強度(w)。
圖4所示之玻璃積層體200具備積層支持基材120，除此以外，具有與圖3所示之玻璃積層體100相同之構成，因此對同一構成要素標記同一參照符號，省略其說明，主要對積層支持基材120進行說明。
積層支持基材120具備支持玻璃板30與第2聚矽氧樹脂層32。
支持玻璃板30相當於支持基材12為玻璃板之情形時之態樣，其較佳態樣如上所述。
第2聚矽氧樹脂層32中之聚矽氧樹脂較佳為包含硬化性有機聚矽氧烷之硬化物，尤佳為包含後述式(1)所表示之矽氧烷單元(A)及式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷之硬化物。
以下對硬化性有機聚矽氧烷及其硬化物之態樣進行詳細說明。
(硬化性有機聚矽氧烷及其硬化物)
作為用以獲得第2聚矽氧樹脂層32中之聚矽氧樹脂之硬化性有機聚矽氧烷，較佳為包含後述式(1)所表示之矽氧烷單元(A)與後述式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷。
有機聚矽氧烷之基本構成單元通常根據矽原子上鍵結有多少個以甲基或苯基為代表之1價有機基而加以分類，包括以下所示之稱為D單元之鍵結有2個有機基之二官能性矽氧烷單元、稱為T單元之鍵結有1個有機基之三官能性矽氧烷單元、稱為M單元之鍵結有3個有機基之單官能性矽氧烷單元、稱為Q單元之無有機基之四官能性矽氧烷單元等。再者，Q單元儘管為不具有鍵結於矽原子之有機基(具有鍵結於矽原子之碳原子的有機基)的單元，但亦視為矽氧烷單元。下述式中，R表示以甲基或苯基為代表之1價有機基。
於矽氧烷單元中，由於矽氧烷鍵係2個矽原子經由1個氧原子鍵結而成之鍵，故而將矽氧烷鍵中之每一個矽原子所對應之氧原子視為1/2個，式中表現為O1/2。更具體而言，例如於1個D單元中，該1個矽原子與2個氧原子鍵結，各氧原子與其他單元之矽原子鍵結，因此該式成為-O1/2-(R)2Si-O1/2-。由於O1/2存在2個，故而D單元通常表現為(R)2SiO2/2。然而，於本發明中，配合後述A單元之表現，如下所示對各個氧原子採用O1/2之表現而對M單元、D單元、T單元、Q單元進行表現。
再者，於聚合物鏈末端之單元為M單元以外之單元之情形時，末端單元之O1/2所鍵結之矽原子以外之原子為相當於1/2個之氧原子，合併成為1個氧原子，表現羥基或烷氧基等中之氧原子。若與下述所表現之矽氧烷單元以相同方式進行表現，則末端單元之矽原子所鍵結之羥基成為-O1/2-H。
於後述矽氧烷單元(A)中，2個矽原子分別與氧原子鍵結，各氧原子與單元外之矽原子鍵結，因此式(1)中表現為O1/2。矽氧烷單元(A)就二官能性之方面而言可視為D單元。後述矽氧烷單元(B)亦鑒於相同之原因可視為D單元。以下於本發明中將矽氧烷單元(A)及矽氧烷單元(B)視為1種D單元，說明硬化性有機聚矽氧烷。
式(1)之R1~R4各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基。作為碳數4以下之烷基，具體而言，例如可列舉：甲基、乙基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等。
作為可具有取代基之苯基，作為取代基，可列舉：甲基、乙 基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等。
作為上述R1~R4，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之方面而言，較佳為甲基或苯基。
式(1)中，Ar表示可具有取代基之伸苯基。若為伸苯基，則就對第1聚矽氧樹脂層14之密接性及剝離性優異之方面而言較佳。
再者，取代基之種類並無特別限制，例如可列舉：鹵素原子、脂肪族烴基、芳香族烴基、烷氧基、芳基烷基、芳氧基、雜環基、胺基、硝基、氰基等。
硬化性有機聚矽氧烷為僅包含矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)作為矽氧烷單元之聚合物，或為包含矽氧烷單元(A)、矽氧烷單元(B)及其他矽氧烷單元作為矽氧烷單元之共聚物。硬化性有機聚矽氧烷較佳為線性聚合物，作為其他矽氧烷單元，較佳為矽氧烷單元(A)或矽氧烷單元(B)以外之D單元。於硬化性有機聚矽氧烷為線性聚合物之情形時，硬化性有機聚矽氧烷存在如下幾種：僅包含矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之聚合物，包含矽氧烷單元(A)、矽氧烷單元(B)及其他D單元之聚合物，包含矽氧烷單元(A)、矽氧烷單元(B)及M單元之聚合物，包含矽氧烷單元(A)、矽氧烷單元(B)、其他D單元及M單元之聚合物。其中，矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)、其他D單元、M單元分別可存在2種以上。
又，硬化性有機聚矽氧烷亦可為具有少量支鏈之非線性聚合物。於該情形時，除具有少量引起支鏈之T單元或Q單元外，亦具有上述線性聚合物中之D單元或根據情況進而具有M單元。
於式(2)所表示之矽氧烷單元(B)中，R5及R6各自獨立表示碳數4以下之烷基或碳數3以下之烯基。其中，矽氧烷單元(B)中之至少一部分係R5及R6之至少一者為碳數3以下之烯基之矽氧烷單元。
作為R5及R6，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之 方面而言，較佳為甲基或乙烯基。
作為矽氧烷單元(B)之較佳態樣，就硬化性有機聚矽氧烷間進一步進行硬化、進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之方面而言，可列舉如下態樣：矽氧烷單元(B)係選自由矽氧烷單元(B-1)及矽氧烷單元(B-2)所組成之群，硬化性有機聚矽氧烷中之矽氧烷單元(B)僅包含矽氧烷單元(B-1)或包含矽氧烷單元(B-1)與矽氧烷單元(B-2)，上述矽氧烷單元(B-1)係R5與R6之至少一者為碳數3以下之烯基且於該烯基以外之情形時為碳數4以下之烷基，上述矽氧烷單元(B-2)係R5與R6均為碳數4以下之烷基。
矽氧烷單元(B-1)中，R5與R6之至少一者為碳數3以下之烯基，較佳為乙烯基。又，於R5與R6為烯基以外之情形時，為碳數4以下之烷基，較佳為甲基。
再者，作為矽氧烷單元(B-1)之較佳態樣，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之方面而言，可列舉R5或R6之一者為甲基且另一者為乙烯基之態樣。
矽氧烷單元(B-2)中，R5與R6均為碳數4以下之烷基，較佳為甲基。
於矽氧烷單元(B)包含矽氧烷單元(B-1)與矽氧烷單元(B-2)之情形時，矽氧烷單元(B-1)相對於全部矽氧烷單元(B)之比率即[矽氧烷單元(B-1)]/[矽氧烷單元(B-1)+矽氧烷單元(B-2)]並無特別限制，就硬化性有機聚矽氧烷間進一步進行硬化、進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解、並且第2聚矽氧樹脂層32對第1聚矽氧樹脂層14之密接性及剝離性更優異之方面而言，較佳為30~80莫耳%，更佳為40~60莫耳%。
再者，硬化性有機聚矽氧烷亦可包含上述矽氧烷單元(A)及矽氧烷單元(B)以外之其他矽氧烷單元(例如M單元、T單元、Q單元)。然 而，若具有支鏈之單元(T單元或Q單元)較多地存在，則有硬化物(聚矽氧樹脂)之柔軟性下降之虞，若M單元較多地存在，則有成為數量平均分子量較低之聚合物、耐熱性等物性下降之虞。因此，該等之數量以較少為佳，如後所述，D單元(矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B))以外之單元之含量較佳為0~20莫耳%，更佳為0~5莫耳%。
硬化性有機聚矽氧烷若包含矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)，則柔軟性較高，第2聚矽氧樹脂層32對第1聚矽氧樹脂層14之密接性良好。進而，硬化性提高，進一步抑制硬化物(聚矽氧樹脂)於高溫處理條件下分解。
於硬化性有機聚矽氧烷中，關於矽氧烷單元(A)相對於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計的比率，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解、並且第2聚矽氧樹脂層32對第1聚矽氧樹脂層14之密接性及剝離性更優異之方面而言，較佳為10~90莫耳%，更佳為30~90莫耳%，進而較佳為40~60莫耳%。
又，於硬化性有機聚矽氧烷中，關於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計相對於全部矽氧烷單元的比率，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解、並且第2聚矽氧樹脂層32對第1聚矽氧樹脂層14之密接性及剝離性更優異之方面而言，較佳為80~100莫耳%，更佳為95~100莫耳%。
進而，硬化性有機聚矽氧烷中之矽氧烷單元(A)及矽氧烷單元(B)之鍵結形式並無特別限制，例如可為無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中之任一者。其中，就進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之方面而言，較佳為交替共聚物。
於本發明中，所謂矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之交替共聚物，意指矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結明顯多於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(A)之鍵結及矽氧烷單元(B)與矽氧烷單元(B)之鍵結 之合計的共聚物。該等3種鍵結例如可藉由1H NMR測定及29Si NMR測定進行區別，根據該測定可計算該等鍵結之相對數量比率。本發明中之矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之交替共聚物亦可包含少量無規鍵結部分或嵌段鍵結部分。關於交替共聚物中矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結之比率，相對於上述3種鍵結之合計，較佳為80~100莫耳%，更佳為90~100莫耳%，進而較佳為95~100莫耳%。再者，於本發明中之硬化性有機聚矽氧烷為交替共聚物之情形時，該交替共聚物中矽氧烷單元(A)相對於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計的比率較佳為50±5莫耳%，此並非區別是否為交替共聚物。
再者，本發明中之交替共聚物可為1種聚矽氧樹脂，或者亦可將2種以上之聚矽氧樹脂混合並以矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結之比率成為上述較佳比率之方式進行調整而獲得。
硬化性有機聚矽氧烷之數量平均分子量並無特別限制，就操作性優異且成膜性亦優異、進一步抑制聚矽氧樹脂於高溫處理條件下分解之方面而言，藉由進行GPC(凝膠滲透層析法)測定所獲得之聚苯乙烯換算之數量平均分子量較佳為5,000~30,000，更佳為5,000~15,000。
硬化性有機聚矽氧烷之數量平均分子量之調節可藉由控制反應條件而進行。例如可藉由改變末端基量或種類或者單體混合比率而控制分子量。若增大末端基量則獲得低分子量物，若減少該量則獲得高分子量物。又，若單體比率不均則獲得低分子量物，若比率均等則獲得高分子量物。
包含上述式(1)所表示之矽氧烷單元(A)及式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷之製造方法並無特別限制。例如可以使式(3)所表示之矽烷化合物及式(4)所表示之矽烷化合物進行縮合反應或水解-縮合反應而聚合的方式製造。進而具有其他矽氧烷單元之硬 化性有機聚矽氧烷可使用具有1個以上之矽烷醇基或水解性基之矽烷化合物而製造。聚合反應通常於惰性溶劑中進行，可於無觸媒下僅藉由加熱而進行反應。視需要亦可使用反應觸媒。
上述硬化性有機聚矽氧烷之製造方法基本上為公知，例如於日本專利特開平9-59387號公報、日本專利特開2008-280402號公報中作有記載。本發明中之硬化性有機聚矽氧烷或其製造方法可使用上述公知文獻所記載者。
式(3)及式(4)中，R1~R6與式(1)及式(2)中之R1~R6同義。
式(3)中，X、Y各自獨立表示羥基或水解性基(例如胺基、單烷基胺基、二烷基胺基等一~三級胺基、鹵基、烷氧基等)。
交替共聚物可藉由使反應性不同之2種單體進行聚合而獲得。例如選擇成為矽氧烷單元(A)之上述式(3)所表示之矽烷化合物之聚合反應性基即X與成為矽氧烷單元(B)之上述式(4)所表示之矽烷化合物之聚合反應性基即Y的相互反應性高於X彼此之反應性與Y彼此之反應性兩者之矽烷化合物，使上述2種矽烷化合物以實質上相等之莫耳量進行反應，藉此可製造交替共聚物。藉由設為X與Y之反應性高於X彼此之反應性與Y彼此之反應性兩者，可獲得無規鍵結部分或嵌段鍵結部分更少之交替共聚物。
於製造交替共聚物之情形時，較佳為X與Y之一者為羥基，另一者為胺基、單烷基胺基、二烷基胺基等一~三級胺基。尤其較佳為一者為羥基且另一者為二烷基胺基，更佳為X為羥基且Y為二烷基胺基。再者，單烷基胺基或二烷基胺基中之烷基較佳為碳數4以下之烷基，尤佳為甲基。
有機聚矽氧烷之交替共聚物或其製造方法基本上為公知，例如於Macromolecules 1998,31,8501或Journal of Applied Polymer Science,Vol.106,1007,2007)中對有機聚矽氧烷之交替共聚物或其製造方法作有記載。本發明中之交替共聚物或其製造方法可使用該等公知文獻所記載者。
作為具體之製造方法，例如可利用如下方法等製造交替共聚物，即，將上述式(3)所表示之矽烷化合物(X為羥基者)之有機溶劑溶液與上述式(4)所表示之矽烷化合物(Y為二甲基胺基者)之有機溶劑溶液以兩矽烷化合物成為等莫耳量之比率進行混合，一面加熱攪拌一面進行反應之方法；一面於一有機溶劑溶液中於加熱攪拌下分批或連續添加另一有機溶劑溶液一面進行反應之方法等。
硬化性有機聚矽氧烷經過特定之硬化反應而硬化，成為作為聚矽氧樹脂之硬化物。硬化(交聯)之形式並無特別限制，可根據硬化性有機聚矽氧烷中所含之硬化性基之種類而適當採用公知之形式。例如可列舉：矽氫化反應、矽烷醇基之縮合反應、或者藉由加熱處理、高能量線處理或自由基聚合起始劑進行之自由基反應等。
更具體而言，於硬化性有機聚矽氧烷具有烯基或炔基等自由基反應性基之情形時，自由基反應性基藉由進行上述自由基反應而彼此交聯從而成為硬化物(聚矽氧樹脂)。
又，於硬化性有機聚矽氧烷具有矽烷醇基之情形時，矽烷醇基藉由進行縮合反應而彼此交聯從而成為硬化物。
進而，於硬化性有機聚矽氧烷具有鍵結於烯基上或矽原子上之氫原子之情形時，藉由於矽氫化觸媒(例如鉑系觸媒)之存在下進行矽氫化反應而交聯從而成為硬化物。
上述硬化形式之中，就抑制反應中生成副產物、獲得更緻密且耐熱性優異之聚矽氧樹脂之方面而言，較佳為藉由自由基反應之形式。
再者，於硬化反應時，亦可將2種以上之包含式(1)所表示之矽氧烷單元(A)及式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷併用，又，亦可併用包含式(1)所表示之矽氧烷單元(A)及式(2)所表示之矽氧烷單元(B)的硬化性有機聚矽氧烷以外之其他硬化性有機聚矽氧烷。
再者，以下將使硬化性有機聚矽氧烷硬化而形成作為硬化物之聚矽氧樹脂之過程簡稱為硬化性有機聚矽氧烷之硬化。
(第2聚矽氧樹脂層32之製造方法)
第2聚矽氧樹脂層32之製造方法並無特別限制，如上所述，認為若使硬化性有機聚矽氧烷於支持玻璃板30表面上硬化，則藉由硬化反應時與支持玻璃板30表面之相互作用而接著，第2聚矽氧樹脂層32與支持玻璃板30表面之剝離強度變高。
以下，對於支持玻璃板30表面上形成硬化性有機聚矽氧烷層後使硬化性有機聚矽氧烷於支持玻璃板30表面上硬化而形成第2聚矽氧樹脂層32之步驟之程序進行詳細說明。
於本步驟中，於支持玻璃板30表面上形成硬化性有機聚矽氧烷層，使硬化性有機聚矽氧烷於支持玻璃板30表面上硬化而形成第2聚矽氧樹脂層32。
為了於支持玻璃板30上形成硬化性有機聚矽氧烷層，較佳為使用使硬化性有機聚矽氧烷溶解於溶劑而成之塗佈用組合物，將該組合 物塗佈於支持玻璃板30上而形成溶液層，繼而去除溶劑而形成硬化性有機聚矽氧烷層。藉由調整組合物中之硬化性有機聚矽氧烷之濃度等可控制硬化性有機聚矽氧烷層之厚度。
作為溶劑，只要為於作業環境下可容易地使硬化性有機聚矽氧烷溶解且可容易地揮發去除之溶劑，則並無特別限定。具體而言，例如可例示：甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
於支持玻璃板30表面上塗佈包含硬化性有機聚矽氧烷之組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
繼而，使支持玻璃板30上之硬化性有機聚矽氧烷硬化而形成第2聚矽氧樹脂層32。
硬化方法如上所述根據硬化性有機聚矽氧烷之硬化形式(交聯形式)而適當選擇最佳方法。其中，於硬化性有機聚矽氧烷具有自由基聚合性基之情形時，就獲得對第1聚矽氧樹脂層14之密接性及耐熱性優異之聚矽氧樹脂之方面而言，較佳為藉由熱硬化而製造第2聚矽氧樹脂層32。以下對熱硬化之態樣進行詳細說明。
關於使硬化性有機聚矽氧烷熱硬化之溫度條件，只要處於可提高第2聚矽氧樹脂層32之耐熱性、可將與第2聚矽氧樹脂層32積層後之剝離強度控制為如上所述般的範圍內，則並無特別限制，較佳為300~475℃，更佳為350~450℃。又，加熱時間通常較佳為10~300分鐘，更佳為20~120分鐘。
再者，硬化性有機聚矽氧烷較佳為以進行預硬化(預備硬化)後進行硬化(正式硬化)之方式實現硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性優異之第2聚矽氧樹脂層32。預硬化較佳為緊接著溶劑去除而進行，於該情形時，自層中去除溶劑而形成硬化性有機聚矽氧烷層之步驟與 進行預硬化之步驟間並無明確分界。溶劑去除較佳為加熱至100℃以上而進行，藉由加熱至150℃以上可緊接著進行預硬化。進行溶劑去除與預硬化之溫度及加熱時間較佳為100~420℃、5~60分鐘，更佳為150~300℃、10~30分鐘。若為420℃以下，則獲得易剝離之第2聚矽氧樹脂層32。
[附構件之玻璃基板及其製造方法]
於本發明中，可使用上述玻璃積層體(玻璃積層體10、玻璃積層體100或玻璃積層體200)製造電子器件。
以下對使用上述玻璃積層體10之態樣進行詳細說明。
藉由使用玻璃積層體10可製造包含玻璃基板與電子器件用構件之附構件之玻璃基板(附電子器件用構件之玻璃基板)。
該附構件之玻璃基板之製造方法並無特別限定，就電子器件之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體，自所獲得之附電子器件用構件之積層體中以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面而將附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材分離。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體的步驟稱為構件形成步驟，將自附電子器件用構件之積層體中以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面而將附構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基材分離的步驟稱為分離步驟。
以下對各步驟中使用之材料及程序進行詳細說明。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體10中之玻璃基板16上形成電子器件用構件的步驟。更具體而言，如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子器件用構件22 而獲得附電子器件用構件之積層體24。
首先對本步驟中使用之電子器件用構件22進行詳細說明，其後對步驟程序進行詳細說明。
(電子器件用構件(功能性元件))
電子器件用構件22係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上而構成電子器件之至少一部分的構件。更具體而言，作為電子器件用構件22，可列舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如作為太陽電池用構件，於矽型時，可列舉：正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，除此以外，亦可列舉對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，於鋰離子型時，可列舉：正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除此以外，亦可列舉對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)時，可列舉：導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除此以外，亦可列舉對應於壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或者剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性-軟性印刷基板等之各種構件等。
(步驟之程序)
上述附電子器件用構件之積層體24之製造方法並無特別限定，根據電子器件用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻 璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b表面上形成電子器件用構件22。
再者，電子器件用構件22並非玻璃基板16之第2主面16b上所最終形成之構件之全部(以下稱為「全構件」)，可為全構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將已自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附全構件之玻璃基板(相當於後述電子器件)。
又，對已自聚矽氧樹脂層14剝離之附全構件之玻璃基板，亦可於其剝離面(第1主面16a)形成其他電子器件用構件。又，亦可組裝附全構件之積層體，其後自附全構件之積層體中將支持基材12剝離而製造電子器件。進而，亦可使用2片附全構件之積層體進行組裝，其後自附全構件之積層體中將2片支持基材12剝離而製造具有2片玻璃基板之附構件之玻璃基板。
例如以製造OLED之情形為例，為了於玻璃積層體10之玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側相反之側之表面(相當於玻璃基板16之第2主面16b)上形成有機EL構造體，進行如下各種層形成或處理：形成透明電極，進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等，形成背面電極，使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉：成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，具有TFT形成步驟、CF形成步驟及貼合步驟等各種步驟，該TFT形成步驟係於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕液於藉由CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等一般成膜法所形成之金屬膜及金屬氧化膜等上形成圖案而形成薄膜電晶體(TFT)；該CF形成步驟係於另一玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕液形 成圖案而形成彩色濾光片(CF)；該貼合步驟係將TFT形成步驟中所獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中所獲得之附CF之積層體進行積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等於玻璃基板16之第2主面16b上形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF前，視需要亦可對玻璃基板16之第2主面16b進行清洗。作為清洗方法，可使用周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體中之薄膜電晶體形成面與附CF之積層體中之彩色濾光片形成面相對向，使用密封劑(例如單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，於由附TFT之積層體與附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴下注入法。
(分離步驟)
分離步驟如圖2(D)所示係如下步驟：自上述構件形成步驟中所獲得之附電子器件用構件之積層體24中，以聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面為剝離面，將積層有電子器件用構件22之玻璃基板16(附構件之玻璃基板)與聚矽氧樹脂層14及支持基材12分離，而獲得包含電子器件用構件22及玻璃基板16之附構件之玻璃基板26。
於剝離時之玻璃基板16上之電子器件用構件22為形成全構成構件所需之一部分之情形時，分離後亦可於玻璃基板16上形成剩餘之構成構件。
將附構件之玻璃基板26與附樹脂層之支持基材18剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面間插入銳利之刃狀物而提供剝離契機，於此基礎上吹送水與壓縮空氣之混合流體而剝離。較佳為將附電子器件用構件之積層體24以支持 基材12成為上側、電子器件用構件22側成為下側之方式設置於定盤上，將電子器件用構件22側真空吸附於定盤上(於兩面積層有支持基材之情形時依序進行)，於該狀態下，首先使刃狀物插入至玻璃基板16-聚矽氧樹脂層14界面間。繼而，其後使複數個真空吸附墊吸附於支持基材12側，自插入有刃狀物之部位附近起依序使真空吸附墊上升。如此於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面間形成空氣層，該空氣層擴展至整個界面，從而可容易地剝離附樹脂層之支持基材18。
又，附樹脂層之支持基材18可與新的玻璃基板積層而製造本發明之玻璃積層體10。
再者，將附構件之玻璃基板26與附樹脂層之支持基材18剝離時，較佳為一面向玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面間吹送剝離助劑一面剝離。所謂剝離助劑，意指上述水等溶劑。作為所使用之剝離助劑，可列舉水或有機溶劑(例如乙醇)等或者該等之混合物等。
再者，於自附電子器件用構件之積層體24將附構件之玻璃基板26分離時，藉由吹送電離劑或控制濕度，可進一步抑制聚矽氧樹脂層14之碎片靜電吸附於附構件之玻璃基板26上。
上述附構件之玻璃基板26之製造方法適於製造如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數字助理)之移動終端所使用之小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(field emission，場發射)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬結構)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Aligned，垂直配向)型等。基本上可應用於被動驅動型、主動驅動型之任意顯示裝置。
作為利用上述方法所製造之附構件之玻璃基板26，可列舉：具有玻璃基板與顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太 陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板與薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板與電子器件用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
上述中對使用玻璃積層體10之態樣進行了詳細說明，亦可使用玻璃積層體100或玻璃積層體200，依據與上述相同之程序製造電子器件。
再者，於使用玻璃積層體100之情形時，於上述分離步驟時，以支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面為剝離面，將支持基材12與包含聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16及電子器件用構件22之電子器件分離。
再者，於使用玻璃積層體200之情形時，於上述分離步驟時，以積層支持基材120與第1聚矽氧樹脂層14之界面為剝離面，將積層支持基材120與包含第1聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16及電子器件用構件22之電子器件分離。
[實施例]
以下藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不限定於該等例。
(合成例1：溶膠凝膠A之合成)
一面將硝酸(61%)0.09g、改性乙醇solmix AP-11(Japan Alcohol Trading股份有限公司)81.78g及純水11.85g之混合物於室溫下攪拌一面緩慢地添加四乙氧基矽烷7.20g後，進而歷時1小時滴加1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷0.40g。一面將所獲得之混合液之溫度保持於10~20℃一面攪拌3小時，獲得所需之混合液(溶膠凝膠A)。
所獲得之混合液中包含1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之水解縮合物(部分縮聚物)。再者，1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之混合莫耳比(1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四 甲基矽氧烷之莫耳量/四乙氧基矽烷之莫耳量)為5：95。
(合成例2：溶膠凝膠B之合成)
一面將硝酸(61%)0.09g、改性乙醇solmix AP-11(Japan Alcohol Trading股份有限公司)81.78g及純水11.85g之混合物於室溫下攪拌一面緩慢地添加四乙氧基矽烷2.60g後，進而歷時1小時滴加1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷1.30g。一面將所獲得之混合液之溫度保持於10~20℃一面攪拌3小時，獲得所需之混合液(溶膠凝膠B)。
所獲得之混合液中包含1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之水解縮合物(部分縮聚物)。再者，1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之混合莫耳比(1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷之莫耳量/四乙氧基矽烷之莫耳量)為33：67。
(合成例3：溶膠凝膠C之合成)
一面將硝酸(61%)0.09g、改性乙醇solmix AP-11(Japan Alcohol Trading股份有限公司)81.78g及純水11.85g之混合物於室溫下攪拌一面緩慢地添加四乙氧基矽烷3.10g後，進而歷時1小時滴加1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷2.40g。一面將所獲得之混合液之溫度保持於10~20℃一面攪拌3小時，獲得所需之混合液(溶膠凝膠C)。
所獲得之混合液中包含1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之水解縮合物(部分縮聚物)。再者，1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷與四乙氧基矽烷之混合莫耳比(1,3-二甲氧基-1,1,3,3-四甲基矽氧烷之莫耳量/四乙氧基矽烷之莫耳量)為43：57。
(合成例4：包含硬化性有機聚矽氧烷(S1)之液狀物之製造)
於氮氣環境中，將1,4-雙(羥基二甲基矽烷基)苯(35質量份，Gelest公司製造)添加於甲苯(90質量份)中。繼而，將反應溶液加熱至110℃，約歷時5分鐘將溶解有雙(二甲基胺基)二甲基矽烷(11質量份，Gelest公司製造)及雙(二甲基胺基)甲基乙烯基矽烷(12質量份，Gelest 公司製造)之甲苯(40質量份)溶液滴加於反應溶液中。其後，將反應溶液於110℃下攪拌1小時。攪拌結束後，使反應溶液自然冷卻至室溫，將反應溶液添加至甲醇(3250質量份)中進行再沈澱處理。繼而，回收沈澱物，進行真空乾燥，藉此獲得無色透明之液狀硬化性有機聚矽氧烷(S1)。
所獲得之硬化性有機聚矽氧烷(S1)之藉由GPC(凝膠滲透層析法)所測得之數量平均分子量(聚苯乙烯換算)為1.2×104。又，使用熱重量分析裝置(TA Instruments公司製造)，以升溫速度15℃/min於氮氣環境下(100ml/min)自室溫升溫至700℃，藉此測定硬化性有機聚矽氧烷(S1)之5%重量減少溫度，結果為535℃。
繼而，使硬化性有機聚矽氧烷(S1)(30質量份)溶解於二甲苯(70質量份)中而製作包含硬化性有機聚矽氧烷(S1)之液狀物。
(實施例1)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為支持基材，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，使用旋轉塗佈機，將上述所製造之溶膠凝膠A以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於支持基材之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量15g/m2)。繼而，於350℃下於大氣中進行30分鐘之加熱硬化而形成厚度0.2μm之聚矽氧樹脂層，獲得支持體A。
繼而，使支持體A之聚矽氧樹脂層之剝離性表面與尺寸同於該聚矽氧樹脂層且厚度0.2mm之玻璃基板(「AN100」，旭硝子股份有限公司製造)之第1主面相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以兩基板重心重合之方式重合兩基板，獲得玻璃積層體S1。
再者，所獲得之玻璃積層體S1相當於上述圖1之玻璃積層體10，於玻璃積層體S1中，支持基材層與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度 (x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(y)。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體S1，實施以下之測定。將以下之評估結果一併示於後述表1。
[剝離性評估]
自玻璃積層體S1切出50mm見方之樣品，將該樣品載置於已加熱至450℃之熱風烘箱內，放置60分鐘後取出。繼而，使玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面真空吸附於定盤後，於玻璃積層體S1之1個角部之玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃狀物而對上述玻璃基板之第1主面與上述聚矽氧樹脂層之剝離性表面之間賦予剝離契機。繼而，於玻璃積層體S1之支持基材之第2主面上於90mm間隔內吸附複數個真空吸附墊後，自接近上述角部之吸附墊起使吸附墊依序上升，藉此將玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面剝離。評估玻璃積層體S1是否可於玻璃基板無破裂或聚矽氧樹脂層無破損之情況下剝離。又，以N/25mm單位之形式測定進行該處理時之最大提拉強度。
再者，於實際使用情況下剝離強度較佳為10N/25mm以下。
[耐熱性評估]
自玻璃積層體S1切出50mm見方之樣品，將該樣品載置於已加熱至450℃之熱風烘箱內，放置60分鐘後取出，評估是否於樣品內確認到發泡現象。
[平坦性評估]
分別求出於玻璃積層體S1之積層面即聚矽氧樹脂層表面及玻璃基板表面上任意選擇之5點之算術平均粗糙度Ra之平均值。所謂算術平均粗糙度Ra，係JIS B 0601-2001所規定之算術平均粗糙度Ra，藉由使用原子力顯微鏡對各點之5μm×5μm之測定區域進行測定而求出。
[膜厚測定]
削去一部分聚矽氧樹脂層，使用公知之觸針式表面形狀測定裝置測定聚矽氧樹脂層之階差，藉此確認聚矽氧樹脂層之膜厚。
(實施例2)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為玻璃基板，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，使用旋轉塗佈機將溶膠凝膠A以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於玻璃基板之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量15g/m2)。繼而，於350℃下於大氣中進行30分鐘之加熱硬化而形成厚度0.2μm之聚矽氧樹脂層，獲得玻璃基板B。
繼而，使玻璃基板B之聚矽氧樹脂層之剝離性表面與尺寸同於該聚矽氧樹脂層且厚度為0.5mm之支持基材(「AN100」，旭硝子股份有限公司製造)之第1主面相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以兩基板重心重合之方式重合兩基板，獲得玻璃積層體S2。
再者，所獲得之玻璃積層體S2相當於圖3所示之玻璃積層體100，於玻璃積層體S2中，玻璃基板層與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(z)高於聚矽氧樹脂層與支持基材之界面之剝離強度(w)。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體S2，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，於使用玻璃積層體S2之[剝離性評估]中，於支持基材與聚矽氧樹脂層之間插入不鏽鋼製刃狀物而賦予剝離契機。又，於[平坦性評估]中，測定玻璃積層體S2之積層面即聚矽氧樹脂層表面及支持基材表面之表面粗糙度。
(實施例3)
使用旋轉塗佈機將溶膠凝膠A以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於支持基材之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量150 g/m2)，除此以外，根據與實施例1相同之程序而製造玻璃積層體S3。
再者，所形成之聚矽氧樹脂層之厚度為2.0μm。
再者，所獲得之玻璃積層體S3相當於上述圖1之玻璃積層體10，於玻璃積層體S1中，支持基材層與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(y)。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體S3，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，於使用玻璃積層體S3之[剝離性評估]中，於玻璃基板與聚矽氧樹脂層之間插入不鏽鋼製刃狀物而賦予剝離契機。又，於[平坦性評估]中，測定玻璃積層體S3之積層面即聚矽氧樹脂層表面及玻璃基板表面之表面粗糙度。
(實施例4)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為支持基材，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，使用旋轉塗佈機將上述所製造之硬化性有機聚矽氧烷(S1)以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於支持基材之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量120g/m2)。繼而，於350℃下於大氣中進行30分鐘之加熱硬化而形成厚度6μm之樹脂層X(相當於第2聚矽氧樹脂層)，獲得支持體C。
繼而，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為玻璃基板，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，使用旋轉塗佈機將溶膠凝膠A以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於玻璃基板之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量15g/m2)。繼而，於350℃下於大氣中進行30分鐘之加熱硬化而形成厚度0.2μm之聚矽氧 樹脂層(相當於第1聚矽氧樹脂層)，獲得玻璃基板C。
使支持體C中之樹脂層X與玻璃基板C中之聚矽氧樹脂層相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以兩基板重心重合之方式重合兩基板，獲得玻璃積層體S4。
再者，所獲得之玻璃積層體S4相當於圖4所示之玻璃積層體200，於玻璃積層體S4中，樹脂層X與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(w)低於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(z)及樹脂層X與支持基材(支持玻璃板)之界面之剝離強度(v)。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體S4，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，於使用玻璃積層體S4之[剝離性評估]中，於樹脂層X與聚矽氧樹脂層之間插入不鏽鋼製刃狀物而賦予剝離契機。又，於[平坦性評估]中，測定玻璃積層體S4之積層面即樹脂層表面及聚矽氧樹脂層表面之表面粗糙度。
(實施例5)
使用溶膠凝膠B代替溶膠凝膠A，除此以外，根據與實施例4相同之程序獲得玻璃積層體S5。
使用所獲得之玻璃積層體S5，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，所獲得之玻璃積層體S5相當於圖4所示之玻璃積層體200，於玻璃積層體S5中，樹脂層X與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(w)低於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(z)及樹脂層X與支持基材(支持玻璃板)之界面之剝離強度(v)。
(實施例6)
使用溶膠凝膠C代替溶膠凝膠A，除此以外，根據與實施例4相同之程序獲得玻璃積層體S6。
使用所獲得之玻璃積層體S6，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，所獲得之玻璃積層體S6相當於圖4所示之玻璃積層體200，於玻璃積層體S6中，樹脂層X與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(w)低於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(z)及樹脂層X與支持基材(支持玻璃板)之界面之剝離強度(v)。
(實施例7)
使用旋轉塗佈機將溶膠凝膠A以縱278mm、橫278mm之大小塗佈於支持基材之實施有潔淨化處理之面(第1主面)上(塗佈量150g/m2)，除此以外，以與實施例4相同之方式形成厚度2.0μm之聚矽氧樹脂層(相當於第1聚矽氧樹脂層)，獲得玻璃基板C。
使支持體C中之樹脂層X與玻璃基板C中之聚矽氧樹脂層相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以兩基板重心重合之方式重合兩基板，獲得玻璃積層體S7。
使用所獲得之玻璃積層體S7，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
再者，所獲得之玻璃積層體S7相當於圖4所示之玻璃積層體200，於玻璃積層體S7中，樹脂層X與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(w)低於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(z)及樹脂層X與支持基材(支持玻璃板)之界面之剝離強度(v)。
(比較例1)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為支持基材，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。
繼而，使支持基材之實施有潔淨化處理之面(第1主面)與尺寸同於支持基材且厚度為0.2mm之玻璃基板(「AN100」，旭硝子股份有限 公司製造)之第1主面相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以支持基材與玻璃基板兩者重心重合之方式重合兩者，獲得玻璃積層體C1。
使用所獲得之玻璃積層體C1，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
(比較例2)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為支持基材，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，將上述支持基材暴露於包含六甲基二矽氮烷(關東化學股份有限公司製造，1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷)氣化而成之氣體之環境中進行表面處理。
繼而，使支持基材之實施有表面處理之面與尺寸同於支持基材且厚度0.2mm之玻璃基板(「AN100」，旭硝子股份有限公司製造)之第1主面相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以支持基材與玻璃基板兩者重心重合之方式重合兩者，獲得玻璃積層體C2。
使用所獲得之玻璃積層體C2，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
(比較例3)
首先，準備縱350mm、橫300mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃之無鹼玻璃板(旭硝子股份有限公司製造之「AN100」)作為支持基材，進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。繼而，使用旋轉塗佈機(Mikasa公司製造，MS-A100)，將用庚烷稀釋二甲基聚矽氧烷(Toray Dow Silicone公司製造，SH200)而成之溶液塗佈於上述支持基材之第一主面。繼而，使用加熱板，於大氣中500℃之溫度下進行5分鐘之加熱處理。如此對支持基材之第一主面進行燒附聚矽氧油之表面處理。
繼而，使支持基材之實施有表面處理之第1主面與尺寸同於支持基材且厚度0.2mm之玻璃基板(「AN100」，旭硝子股份有限公司製造)之第1主面相對向，於室溫下、大氣壓下，利用積層裝置以支持基材與玻璃基板兩者重心重合之方式重合兩者，獲得玻璃積層體C3。
使用所獲得之玻璃積層體C3，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
(比較例4)
使用旋轉塗佈機(Mikasa公司製造，MS-A100)，將未經庚烷稀釋之二甲基聚矽氧烷(Toray Dow Silicone公司製造，SH200)塗佈於上述支持基材之第一主面，除此以外，根據與比較例3相同之程序獲得玻璃積層體C4。
使用所獲得之玻璃積層體C4，實施上述各種測定。將評估結果一併示於後述表1。
表1中，「玻璃積層體之構成」欄中顯示實施例及比較例所使用之玻璃積層體之構成層，各層間出現之「//」意指積層面，意指於剝離性評估中剝離之產生位置。
又，「積層面之Ra之值」分別意指位於「玻璃積層體之構成」欄之「//」之左右兩側之層之表面粗糙度Ra。例如於實施例1中玻璃積層體之構成為「玻璃基板//第1聚矽氧樹脂層/支持基材」，表示位於「//」之左側之「玻璃基板」之第1聚矽氧樹脂層側表面之Ra為0.8nm，位於「//」之右側之「第1聚矽氧樹脂層」之玻璃基板側表面之Ra為10nm。其他實施例及比較例亦以相同之方式進行解釋。
又，「聚矽氧樹脂層之膜厚」意指第1聚矽氧樹脂層之厚度。再者，於實施例3~5中，「聚矽氧樹脂層之膜厚」欄中之左側表示第1聚矽氧樹脂層之厚度，右側表示第2聚矽氧樹脂層之厚度。進而，於比較例2~4中，表示HMDS或SH200之層厚度。
進而，於「判定」欄中，將剝離強度之值為10N/25mm以下且無發泡之情形記為「○」，將不滿足任一者或兩者均不滿足之情形記為「×」。
如表1所示，關於包含特定第1聚矽氧樹脂層之玻璃積層體，其剝離強度較低且聚矽氧樹脂層之發泡亦獲得抑制。例如如實施例3或7所示，即便於聚矽氧樹脂層(第1聚矽氧樹脂層)厚度較厚之情形時亦未產生發泡。
另一方面，於不滿足特定要件之比較例1~4中，未能獲得所需效果。例如於比較例1中，無法將玻璃基板剝離。又，於比較例2及3中，與實施例1~7相比剝離強度較高，剝離性較差。
進而，實施例4~7所示之玻璃積層體即便於積層面之表面粗糙度(Ra)較大之情形時亦可良好地積層。
<實施例8>
於本例中，使用實施例1中所獲得之玻璃積層體S1製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1中之玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法依序成膜氮化矽、氧化矽、非晶矽。繼而，藉由離子摻雜裝置將低濃度硼注入至非晶矽層內，於氮氣環境下進行加熱處理而進行脫氫處 理。繼而，藉由雷射退火裝置對非晶矽層進行結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度磷注入至非晶矽層內，形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法成膜鉬，藉由光微影法進行蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域，形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由電漿CVD法成膜氧化矽而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法成膜鋁後藉由使用光微影法進行蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫氣環境下進行加熱處理而進行氫化處理後，藉由電漿CVD法成膜氮化矽而形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法成膜氧化銦錫，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成像素電極。
繼而，藉由蒸鍍法，於玻璃基板之第2主面側依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)而成者、作為電子傳輸層之Alq3。繼而，藉由濺鍍法成膜鋁，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基板而密封。藉由上述程序，於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上包含有機EL構造體之玻璃積層體S1(以下稱為面板A)為本發明之附電子器件用構件之積層體。
繼而，使面板A之密封體側真空吸附於定盤後，於面板A之角部之玻璃基板與樹脂層之界面間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃狀物而對玻璃基板與樹脂層之界面賦予剝離契機。繼而，於面板A之支持基材 表面吸附真空吸附墊後，使吸附墊上升。此處，刃狀物之插入係一面自靜電消除器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送除電性流體一面進行插入。繼而，一面自靜電消除器繼續向所形成之空隙內吹送除電性流體且一面向剝離部之前端注入水，一面提拉真空吸附墊。其結果可將附樹脂層之支持基材剝離而僅使形成有有機EL構造體之玻璃基板留於定盤上。
繼而，使用雷射裁刀或劃線-折斷法切割經分離之玻璃基板而分割成複數個單元後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板進行組裝，實施模組形成步驟而製作OLED。如此所獲得之OLED於特性上未產生問題。
<實施例9>
於本例中，使用實施例1中所獲得之玻璃積層體S1製造LCD。
首先，準備2片玻璃積層體S1，於一片玻璃積層體S1-1中之玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法依序成膜氮化矽、氧化矽、非晶矽。繼而，藉由離子摻雜裝置將低濃度硼注入至非晶矽層內，於氮氣環境下進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置對非晶矽層進行結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度磷注入至非晶矽層內，形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法成膜鉬，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域，形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由電漿CVD法成膜氧化矽而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法成膜鋁後藉由使用光微影法進行蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫氣環境下進行加熱處理而進行氫化處理後，藉由電漿CVD法成膜氮化矽而形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主 面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法成膜氧化銦錫，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成像素電極。
繼而，於大氣環境下對另一片玻璃積層體S1-2進行加熱處理。繼而，於玻璃積層體S1中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法成膜鉻，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成遮光層。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由模嘴塗佈法塗佈彩色抗蝕劑，藉由光微影法及熱硬化而形成彩色濾光片層。繼而，藉由濺鍍法成膜氧化銦錫，形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由模嘴塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，藉由光微影法及熱硬化而形成柱狀間隔件。繼而，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化而形成配向層，進行摩擦。
繼而，藉由點膠法將密封用樹脂液繪製成框狀，藉由點膠法於框內滴加液晶後，使用上述形成有像素電極之玻璃積層體S1-1，使2片玻璃積層體S1之玻璃基板之第2主面側彼此貼合，藉由進行紫外線硬化及熱硬化而獲得LCD面板。
繼而，使玻璃積層體S1-1之支持基材之第2主面真空吸附於定盤，於玻璃積層體S1-2之角部之玻璃基板與樹脂層之界面間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃狀物而對玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之間賦予剝離契機。此處，刃狀物之插入係一面自靜電消除器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送除電性流體一面進行插入。繼而，一面自靜電消除器繼續向所形成之空隙內吹送除電性流體且一面向剝離部之前端注入水，一面提拉真空吸附墊。並且，於玻璃積層體S1-2之支持基材之第2主面吸附真空吸附墊後，使吸附墊上升。其結果可將附樹脂層之支持基材剝離而僅使附玻璃積層體S1-1之支持基材的LCD之空單元留於定盤上。
繼而，使於第1主面形成有彩色濾光片之玻璃基板之第2主面真 空吸附於定盤，於玻璃積層體S1-1之角部之玻璃基板與樹脂層之界面間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃狀物而對玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之間賦予剝離契機。繼而，於玻璃積層體S1-1之支持基材之第2主面上吸附真空吸附墊後，一面向玻璃基板與樹脂層之間吹送水，一面使吸附墊上升。其結果可將固定有樹脂層之支持基材剝離而僅使LCD單元留於定盤上。如此，獲得由厚度0.1mm之玻璃基板所構成之複數個LCD單元。
繼而，藉由切割步驟分割成複數個LCD單元。對所完成之各LCD單元實施貼付偏光板之步驟，繼而實施模組形成步驟而獲得LCD。如此所獲得之LCD於特性上未產生問題。
<實施例10>
於本例中，使用實施例1中所獲得之玻璃積層體S1製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法成膜鉬，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由濺鍍法於玻璃基板之第2主面側進而成膜氧化鋁而形成閘極絕緣膜，繼而，藉由濺鍍法成膜氧化銦鎵鋅後藉由使用光微影法進行蝕刻而形成氧化物半導體層。繼而，藉由濺鍍法於玻璃基板之第2主面側進而成膜氧化鋁而形成通道保護層，繼而，藉由濺鍍法成膜鉬後藉由使用光微影法進行蝕刻而形成源極電極及汲極電極。
繼而，於大氣中進行加熱處理。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由濺鍍法進而成膜氧化鋁而形成鈍化層，繼而，藉由濺鍍法成膜氧化銦錫後藉由使用光微影法進行蝕刻而形成像素電極。
繼而，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙 烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)而成者、作為電子傳輸層之Alq3。繼而，藉由濺鍍法成膜鋁，藉由使用光微影法進行蝕刻而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基板而密封。藉由上述程序，於玻璃基板上形成有機EL構造體。於玻璃基板上包含有機EL構造體之玻璃積層體S1(以下稱為面板B)為本發明之附電子器件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
繼而，使面板B之密封體側真空吸附於定盤後，於面板B之角部之玻璃基板與樹脂層之界面間插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃狀物而對玻璃基板與樹脂層之界面賦予剝離契機。繼而，於面板B之支持基材表面上吸附真空吸附墊後，使吸附墊上升。此處，刃狀物之插入係一面自靜電消除器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送除電性流體一面進行插入。繼而，一面自靜電消除器繼續向所形成之空隙內吹送除電性流體且一面向剝離部之前端注入水，一面提拉真空吸附墊。其結果可將附樹脂層之支持基材剝離而僅使形成有有機EL構造體之玻璃基板留於定盤上。
繼而，使用雷射裁刀或劃線-折斷法切割經分離之玻璃基板而分割成複數個單元後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板進行組裝，實施模組形成步驟而製作OLED。如此所獲得之OLED於特性上未產生問題。
本申請案係基於2013年12月27日提出申請之日本專利申請2013-273147者，將其內容以參照之形式組入本說明書中。

Claims (12)

  1. 一種玻璃積層體，其係依序包含支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層者，且上述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為具有下述式(D)所表示之D單元與下述式(Q)所表示之Q單元之縮聚物，上述聚矽氧樹脂層相對於上述玻璃基板層之界面之剝離強度與上述聚矽氧樹脂層相對於上述支持基材層之界面之剝離強度不同：式中，Ra及Rb各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基，上述D單元與上述Q單元之莫耳比(D單元/Q單元)為0.02~2。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述式(D)中之Ra及Rb均為甲基。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為5~2000nm。
  4. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述縮聚物為硬化性化合物進行縮聚合而成之縮聚物，上述硬化性化合物包含下述式(X)所表示之矽化合物(X)或其多聚物與下述式(Y)所表示之矽化合物(Y)或其多聚物的混合物或者該混合物之部分縮聚物：[化2]式中，Ra及Rb各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基，Rx及Ry各自獨立表示氫原子、羥基或水解性基。
  5. 如請求項4之玻璃積層體，其中上述式(X)中之Ra及Rb均為甲基，水解性基為碳數4以下之烷氧基。
  6. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層相對於上述玻璃基板層之界面之剝離強度低於上述聚矽氧樹脂層相對於上述支持基材層之界面之剝離強度。
  7. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層相對於上述玻璃基板層之界面之剝離強度高於上述聚矽氧樹脂層相對於上述支持基材層之界面之剝離強度。
  8. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述支持基材層為包含支持玻璃板層與第2聚矽氧樹脂層之積層支持基材，上述第2聚矽氧樹脂層與上述聚矽氧樹脂層接觸。
  9. 如請求項8之玻璃積層體，其中上述第2聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂包含硬化性有機聚矽氧烷之硬化物，上述硬化性有機聚矽氧烷包含式(1)所表示之矽氧烷單元(A)與式(2)所表示之矽氧烷單元(B)：式中，R1~R4各自獨立表示碳數4以下之烷基或可具有取代基之苯基；R5及R6各自獨立表示碳數4以下之烷基或碳數3以下之烯基；Ar表示可具有取代基之伸苯基；其中，矽氧烷單元(B)中之至少一部分係R5及R6之至少一者為碳數3以下之烯基之矽氧烷單元。
  10. 如請求項8之玻璃積層體，其中上述第2聚矽氧樹脂層之厚度厚於上述聚矽氧樹脂層之厚度且為50μm以下。
  11. 如請求項9之玻璃積層體，其中上述第2聚矽氧樹脂層之厚度厚於上述聚矽氧樹脂層之厚度且為50μm以下。
  12. 一種玻璃積層體之製造方法，其係如請求項4至7中任一項之玻璃積層體之製造方法，包括如下步驟：於玻璃基板及支持基材中任一者之表面上塗佈上述硬化性化合物，實施加熱處理，而於上述玻璃基板及上述支持基材中任一者之表面上形成聚矽氧樹脂層；及於上述聚矽氧樹脂層上積層上述玻璃基板及上述支持基材中之任意另一者。
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