JPWO2015098886A1 - ガラス積層体およびその製造方法 - Google Patents
ガラス積層体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015098886A1 JPWO2015098886A1 JP2015554903A JP2015554903A JPWO2015098886A1 JP WO2015098886 A1 JPWO2015098886 A1 JP WO2015098886A1 JP 2015554903 A JP2015554903 A JP 2015554903A JP 2015554903 A JP2015554903 A JP 2015554903A JP WO2015098886 A1 JPWO2015098886 A1 JP WO2015098886A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- resin layer
- glass
- glass substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 425
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 411
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 352
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 83
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 11
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- -1 siloxane unit Chemical group 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 100
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 17
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 13
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 11
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 10
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 claims description 3
- 125000005650 substituted phenylene group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 454
- 239000002585 base Substances 0.000 description 105
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 21
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 11
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229940075894 denatured ethanol Drugs 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- WNDSQRGJJHSKCQ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=CC=CC2=C1C#N WNDSQRGJJHSKCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021525 ceramic electrolyte Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- YBNBOGKRCOCJHH-UHFFFAOYSA-N hydroxy-[4-[hydroxy(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(O)C1=CC=C([Si](C)(C)O)C=C1 YBNBOGKRCOCJHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylamino-ethenyl-methylsilyl)-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C=C)N(C)C FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
- B32B17/10798—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing silicone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
特許文献1に記載のSH200を用いて得られたガラス積層体は大気中450℃、1時間の加熱処理後においても剥離可能である。しかしながら、上述したように昨今より容易にガラス基板を剥離することが求められており、特許文献1の態様はその要求レベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。
また、特許文献1に記載されるようなSH200を用いたような表面処理により層を形成する場合、製造ロット毎に表面処理条件を同じにしていても、使用される液の状態や温度などの環境条件によって、製造ロットによって層の厚みが変わることがある。特許文献1に記載されるようなSH200を用いた場合は、形成される層の厚みが厚くなると、該層が発泡してしまい、多量のアウトガスが発生する。このようなアウトガスの発生は、ガラス基板上に形成される電子デバイス用部材を汚染し、結果として電子デバイスの生産性を低下させる原因となる。
すなわち、本発明の第1の態様は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備えるガラス積層体であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、後述する式(D)で表されるD単位と後述する式(Q)で表されるQ単位とを有する縮重合物であり、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度とシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度とが異なる、ガラス積層体である。
第1の態様において、縮重合物におけるD単位と前記Q単位のモル比(D単位/Q単位)が0.02〜2であることが好ましい。
第1の態様において、式(D)におけるRaおよびRbがいずれもメチル基であることが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層の厚みが5〜2000nmであることが好ましい。
第1の態様において、縮重合物が、後述する式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体と後述する式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体との混合物、または、混合物の部分縮重合物、からなる硬化性化合物が縮重合した縮重合物であることが好ましい。
第1の態様において、式(X)におけるRaおよびRbがいずれもメチル基であり、加水分解性基が炭素数4以下のアルコキシ基であることが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも低いことが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも高いことも好ましい。
第1の態様において、支持基材の層が支持ガラス板の層と第2シリコーン樹脂層とを有する積層支持基材であり、第2シリコーン樹脂層が前記シリコーン樹脂層に接していることが好ましい。
第1の態様において、第2シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物からなり、硬化性オルガノポリシロキサンが、後述する式(1)で表されるシロキサン単位(A)と後述する式(2)で表されるシロキサン単位(B)とを含むことが好ましい。
第1の態様において、第2シリコーン樹脂層の厚みが、シリコーン樹脂層の厚みよりも厚く、かつ50μm以下であることが好ましい。
本発明の第2の態様は、第1の態様のガラス積層体の製造方法であって、ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上に硬化性化合物を塗布し、加熱処理を施して、ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上にシリコーン樹脂層を形成する工程と、
シリコーン樹脂層上にガラス基板および支持基材のいずれか他方を積層する工程とを備える、ガラス積層体の製造方法である。
また、ガラス積層体において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度と、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度は、異なることを特徴とする。例えば、第1の実施態様においては、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度がシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層とガラス基板の層とが剥離し、シリコーン樹脂層と支持基材の層との積層体と、ガラス基板の層とに分離する。また、第2の実施態様においては、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度がシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より高く、シリコーン樹脂層と支持基材の層とが剥離し、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との積層体と、支持基材の層とに分離する。
以下では、第1の実施態様および第2の実施態様に分けて、説明する。
図1は、本発明に係るガラス積層体の第1の実施態様の模式的断面図である。
図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基材12の層とガラス基板16の層とそれらの間にシリコーン樹脂層14(以後、適宜「第1シリコーン樹脂層14」とも称する)が存在する積層体である。シリコーン樹脂層14は、その一方の面が支持基材12の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接している。
支持基材12の層およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の製造のためにあらかじめ製造される支持基材12の層およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分を樹脂層付き支持基材18という。
ガラス積層体10においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体10に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体10は、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面で剥離して、ガラス基板16と樹脂層付き支持基材18とに分離する。
支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高めるためには、例えば、シリコーン樹脂層14を支持基材12上で形成する方法(例えば、後述する硬化性化合物を支持基材12上で硬化させてシリコーン樹脂層14を形成する方法)が好ましい。該方法であれば、シリコーン樹脂層14形成時の硬化の際の接着力で、支持基材12に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板16に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材12上でシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の面にガラス基板16を積層することにより、ガラス積層体10を製造することができる。
支持基材12は、ガラス基板16を支持して補強し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材12はガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
なお、後述するように支持基材12は、2種以上の層からなる積層体であってもよい。
ガラス基板16は、第1主面16aがシリコーン樹脂層14と接し、シリコーン樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。なお、JIS R 3102(1995年改正)の内容は、ここに参照として取り込まれる。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
ガラス積層体10において、シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16と支持基材12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、ガラス基板16の主面16aに剥離可能に密着する。一方、シリコーン樹脂層14は、支持基材12上に固定されている。つまり、シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
すなわち、ガラス基板16と支持基材12とを分離する際には、ガラス基板16の第1主面16aとシリコーン樹脂層14との界面で剥離し、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層14はガラス基板16の第1主面16aと密着するが、ガラス基板16を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16の第1主面16aに対してある程度の結合力で結合してガラス基板16の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板16を剥離する際には、ガラス基板16を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層14表面の容易に剥離できる性質を易剥離性という。一方、支持基材12の第1主面とシリコーン樹脂層14とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面の結合力は、ガラス積層体10のガラス基板16の面(第2主面16b)上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい(すなわち、剥離強度(x)や剥離強度(y)が変化してもよい)。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度(y)は、剥離強度(x)よりも低い。
場合により、積層前のシリコーン樹脂層14の表面や積層前のガラス基板16の第1主面16aに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層の界面の結合力を弱め、剥離強度(y)を低くすることができる。
シリコーン樹脂層14と支持基材12の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度(x)が高いことを意味する。
上記厚さは平均厚さを意図し、5点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層14の厚みを測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層14のガラス基板16側の表面の表面粗さRaは特に制限されないが、ガラス基板16の積層性および剥離性がより優れる点より、0.1〜20nmが好ましく、0.1〜10nmがより好ましい。
なお、表面粗さRaの測定方法としては、JIS B 0601−2001に準じて行われ、任意の5箇所以上の点において測定されたRaを、算術平均した値が上記表面粗さRaに該当する。なお、JIS B 0601−2001の内容は、ここに参照として取り込まれる。
また、シリコーン樹脂層14のガラス基板16側の表面の水接触角は特に制限されないが、ガラス基板16の積層性および剥離性がより優れる点より、70度超105度以下が好ましい。
なお、水接触角の測定方法としては、接触角計(クルス社製、DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)を用いて、1枚のガラス板の表面に1μLの水滴を静置して水接触角を測定する。
シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂は、下記式(D)で表されるD単位と下記式(Q)で表されるQ単位とを有する縮重合物である。
アルキル基中に含まれる炭素数は、シリコーン樹脂層14の耐熱性またはガラス基板16の剥離性がより優れる点で、1〜3が好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
縮重合物においては、D単位とQ単位とのモル比(D単位/Q単位)は、0.02〜2であることが好ましく、0.1〜1.8であることがより好ましい。この範囲であると、耐熱性および剥離性がよい。
なお、縮重合物において、D単位およびQ単位の合計含有量は特に制限されないが、全シロキサン単位に対して、80モル%以上が好ましく、90モル%以上がより好ましく、100モル%が特に好ましい。なお、シロキサン単位の種類としては、上記D単位およびQ単位以外に、M単位や、T単位が挙げられる。
縮重合物は、後述する式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体(加水分解縮合物)と、後述する式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体(加水分解縮合物)との混合物、または、該混合物の部分縮合物からなる硬化性化合物が縮重合した硬化物であることが好ましい。
ケイ素化合物(X)のRx基がヒドロキシ基であると、ケイ素化合物(X)の分子同士が縮重合して、多量体となる。ケイ素化合物(X)のRx基が水素原子および加水分解性基の場合は、水素原子および加水分解性基が加水分解してヒドロキシ基が生成した後、ケイ素化合物(X)の分子同士が縮重合して、多量体となる。ケイ素化合物(Y)の多量体も同様にして得られる。
以下では、ケイ素化合物(X)、ケイ素化合物(Y)の態様について詳述する。
シリコーン樹脂層14中のシリコーン樹脂の出発原料の一つとして、以下の式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体(以後、単に「ケイ素化合物(X)」とも称する)が用いられることが好ましい。
Rxは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、または加水分解性基を表す。
加水分解性基としては、アルコキシ基、塩素原子、アミノ基などが挙げられる。アルコキシ基中に含まれる炭素数は特に制限されないが、シリコーン樹脂層14の耐熱性またはガラス基板16の剥離性がより優れる点で、1〜3が好ましい。より具体的には、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。なお、Rxが水素原子の場合は、例えば、所定の酸性触媒下(例えば、60%硝酸水溶液)にて、Si−H基がSi−OH基に変換され、その後、後述するケイ素化合物(Y)との間で加水分解・縮合反応が進行する。
式(X)で表される化合物は多量体でもよく、n量体のnの上限は特に制限されないが、合成のしやすさの点から、1500以下が好ましい。なかでも、シリコーン樹脂層14の耐熱性またはガラス基板16の剥離性がより優れる点で、nは10〜500が好ましい。
シリコーン樹脂層14中のシリコーン樹脂の出発原料の一つとして、以下の式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体が用いられることが好ましい。
加水分解性基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基等が挙げられる。アルコキシ基中のアルキル基に含まれる炭素数は特に制限されないが、シリコーン樹脂層14の耐熱性またはガラス基板16の剥離性がより優れる点で、1〜3が好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
また、硬化性化合物としては、上記式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体と、上記式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体との混合物の部分縮合物を使用することもできる。
部分縮合物を得る方法は特に制限されず、式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体と、式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体との間で、加水分解・縮合反応(いわゆる、ゾル−ゲル反応)を進行させて、製造することができる。
なお、加水分解・縮合反応は、無触媒下で実施されても、触媒(例えば、酸または塩基)下で実施されてもよい。例えば、空気下にて、ケイ素化合物(X)とケイ素化合物(Y)とを混合して攪拌することにより、空気中の水分を触媒として加水分解・縮合反応が進行し、所望の部分縮合物が得られる。
式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体と、式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体との反応は、溶媒下で行っても、無溶媒下で行ってもよい。使用される溶媒の種類は特に制限されず、公知の溶媒(例えば、アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒)が使用できる。
なお、例えば、シリコーン樹脂層14を形成する際、上記式(X)で表されるケイ素化合物(X)若しくはその多量体と、上記式(Y)で表されるケイ素化合物(Y)若しくはその多量体とのを所定の基材上(例えば、支持基材)上に塗布して、基材上で加水分解・縮合反応を進行させて、シリコーン樹脂層14を形成してもよいし、上記混合物の部分縮合物を製造した後、所定の基材上(例えば、支持基材)上に塗布して、シリコーン樹脂層14を形成してもよい。
本発明のガラス積層体10は、上述したように、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体10の製造方法は特に制限されないが、剥離強度(x)が剥離強度(y)よりも高い積層体を得るために、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する方法が好ましい。なかでも、上記硬化性化合物を支持基材12の表面に塗布して硬化させ、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成し、次いで、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造する方法が好ましい。
硬化性化合物を支持基材12表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材12表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材12表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板16と支持基材12とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層14と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性化合物の層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層してガラス積層体10とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
樹脂層形成工程では、硬化性化合物の層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でシリコーン樹脂層14を形成する。
支持基材12上に硬化性化合物の層を形成するためには、硬化性化合物を溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材12上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して硬化性化合物の層とすることが好ましい。組成物中における硬化性化合物の濃度の調整などにより、層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋物を容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、THF、クロロホルム等を例示することができる。
硬化の方法は特に制限されないが、通常、熱硬化処理により行われる。
熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層14の耐熱性を向上し、ガラス基板16と積層後の剥離強度(y)を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、300〜475℃が好ましく、350〜450℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10〜300分が好ましく、20〜120分がより好ましい。熱硬化の温度が低すぎると、耐熱性やシリコーン樹脂層14の平坦性が低下し、一方、温度が高すぎると剥離強度(y)が低くなりすぎ、いずれもガラス基板16とシリコーン樹脂層14との密着性が弱くなる場合がある。
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面上にガラス基板16を積層し、支持基材12の層とシリコーン樹脂層14とガラス基板16の層とをこの順で備えるガラス積層体10を得る工程である。より具体的には、図2(B)に示すように、シリコーン樹脂層14の支持基材12側とは反対側の表面14aと、第1主面16aおよび第2主面16bを有するガラス基板16の第1主面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とを積層し、ガラス積層体10を得る。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層14にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層14の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、300℃以上(好ましくは、300〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。
例えば、シリコーン樹脂層14表面に対する密着性がガラス基板16よりも高い材質の支持基材12を用いる場合には、上記硬化性化合物を何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板16と支持基材12との間に介在させ同時に積層することができる。
また、硬化性化合物の硬化による接着性がガラス基板16に対して充分低くかつその接着性が支持基材12に対して充分高い場合は、ガラス基板16と支持基材12の間で硬化性化合物を硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することができる。
さらに、支持基材12がガラス基板16と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材12表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層14に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)や、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
本発明の第1の態様であるガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、450℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
図3は、本発明に係るガラス積層体の第2の実施態様の模式的断面図である。
図3に示すように、ガラス積層体100は、支持基材12の層とガラス基板16の層とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
図3に示すガラス積層体100においては、上述した図1に示すガラス積層体10とは異なり、シリコーン樹脂層14はガラス基板16上に固定されており、樹脂層付きガラス基板20は、樹脂層付きガラス基板20中のシリコーン樹脂層14が支持基材12に直接接するように、支持基材12上に剥離可能に積層(密着)する。本発明において、該固定と剥離可能な密着は剥離強度(すなわち、剥離に要する応力)に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が高いことを意味する。つまり、ガラス積層体100においては、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層14と支持基材12との界面の剥離強度よりも高い。
ガラス積層体100においては、上記剥離強度(z)は上記剥離強度(w)よりも高い。したがって、ガラス積層体100に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体100は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との界面で剥離して、樹脂層付きガラス基板20と支持基材12とに分離する。
ガラス基板16に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高める方法としては、上記支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高める方法が挙げられ、例えば、ガラス基板16上でシリコーン樹脂層14を形成する方法などが挙げられる。該方法であれば、硬化の際の接着力で、ガラス基板16に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂層14の支持基材12に対する結合力は、上記形成時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、ガラス基板16上でシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の表面に支持基材12を積層することにより、所望の剥離関係を満たすガラス積層体100を製造することができる。
ただし、シリコーン樹脂層14の支持基材12側の表面の表面粗さRaは特に制限されないが、ガラス基板の積層性および剥離性がより優れる点より、0.1〜20nmが好ましく、0.1〜10nmがより好ましい。
なお、表面粗さRaの測定方法としては、JIS B 0601−2001に準じて行われる。
また、シリコーン樹脂層14の支持基材12側の表面の水接触角は特に制限されないが、ガラス基板の積層性および剥離性がより優れる点より、70度超105度以下が好ましい。
なお、水接触角の測定方法としては、接触角計(クルス社製、DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)を用いて、1枚のガラス板の表面に1μLの水滴を静置して水接触角を測定する。
ガラス積層体の第2の実施態様の変形例として、支持基材の層が、支持ガラス板の層と、支持ガラス板の層上に配置された第2シリコーン樹脂層とを備える積層支持基材である態様が挙げられる。
より具体的には、図4に示すように、ガラス積層体200においては、上述した図3に示すガラス積層体100とは異なり、積層支持基材120が、支持ガラス板30と、支持ガラス板30上に配置された第2シリコーン樹脂層32とを備える。ここで、第2の実施形態の変形例においては、ガラス基板側のシリコーン樹脂層を第1シリコーン樹脂層、支持ガラス板側のシリコーン樹脂層を第2シリコーン樹脂層ともいう。なお、第2シリコーン樹脂層32中のシリコーン樹脂は、後述する式(1)で表されるシロキサン単位(A)および式(2)で表されるシロキサン単位(B)を含む硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物であることが好ましい。該ガラス積層体200においては、第1シリコーン樹脂層14が第2シリコーン樹脂層32と直接接するように配置され、樹脂層付きガラス基板20が第2シリコーン樹脂層32上に剥離可能に積層(密着)する。
ガラス積層体200においては、第2シリコーン樹脂層32を設けることにより、ガラス積層体自体の耐熱性が高まると共に、高温加熱処理後においてもガラス基板が剥離しやすく、さらにガラス基板の積層性にも優れる(特に、第1シリコーン樹脂層と第2シリコーン樹脂層との積層面での両者(または一方)の表面粗さが粗い場合でも、良好な積層性が得られる。)。
したがって、ガラス積層体200に支持ガラス板30とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体200は、第1シリコーン樹脂層14と第2シリコーン樹脂層32との界面で剥離して、樹脂層付きガラス基板20と積層支持基材120とに分離する。
一方、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物を含む第2シリコーン樹脂層32のシリコーン樹脂層14に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持ガラス板30上で硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて第2シリコーン樹脂層32を形成し、その後、第2シリコーン樹脂層32と第1シリコーン樹脂層14とが向き合うように、第2シリコーン樹脂層32の面に樹脂層付きガラス基板20を積層して、所望のガラス積層体200を製造することができる。
なお、場合により、積層前の第2シリコーン樹脂層32の表面や積層前の第1シリコーン樹脂層14の表面に両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、第2シリコーン樹脂層32と第1シリコーン樹脂層14との界面の結合力を弱め、剥離強度(w)を低くすることができる。
支持ガラス板30は、支持基材12がガラス板の場合の態様に該当し、その好適態様は上述の通りである。
以下では、硬化性オルガノポリシロキサンおよびその硬化物の態様について詳述する。
第2シリコーン樹脂層32中のシリコーン樹脂を得るための硬化性オルガノポリシロキサンとしては、後述する式(1)で表されるシロキサン単位(A)と後述する式(2)で表されるシロキサン単位(B)とを含む硬化性オルガノポリシロキサンが好ましい。
通常、オルガノポリシロキサンの基本構成単位は、メチル基やフェニル基に代表される1価の有機基がケイ素原子に何個結合しているかで分類され、以下に示すD単位と呼ばれる有機基が2つ結合した2官能性のシロキサン単位、T単位と呼ばれる有機基が1つ結合した3官能性のシロキサン単位、M単位と呼ばれる有機基が3つ結合した1官能性のシロキサン単位、Q単位と呼ばれる有機基が1つもない4官能性のシロキサン単位などからなる。なお、Q単位はケイ素原子に結合した有機基(ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基)を有しない単位であるが、シロキサン単位とみなす。以下の式中、Rはメチル基やフェニル基に代表される1価の有機基を表す。
なお、重合体鎖の末端の単位がM単位以外の単位である場合、末端単位のO1/2に結合するケイ素原子以外の原子は1/2個相当の酸素原子であり、合わせて1個の酸素原子となり、水酸基やアルコキシ基などにおける酸素原子を表現する。下記シロキサン単位の表現と同様に表現すれば、例えば末端単位のケイ素原子に結合する水酸基は−O1/2−Hとなる。
置換基を有していてもよいフェニル基として、置換基としてはメチル基、エチル基、ビニル基、アリル基、エチニル基などが挙げられる。
なお、置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アリールアルキル基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基などが挙げられる。
また、硬化性オルガノポリシロキサンは、少数の分岐を有する非線状の重合体であってもよい。この場合、分岐をもたらすT単位やQ単位を少数有する以外は上記線状重合体におけるD単位や場合によりさらにM単位を有する。
R5およびR6としては、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、メチル基またはビニル基であることが好ましい。
なお、シロキサン単位(B−1)の好適態様としては、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、R5またはR6の一方がメチル基で、他方がビニル基である態様が挙げられる。
シロキサン単位(B−2)中、R5とR6のいずれも炭素数4以下のアルキル基であり、好ましくはメチル基である。
また、硬化性オルガノポリシロキサン中の全シロキサン単位に対するシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の合計の割合は、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制されると共に、第2シリコーン樹脂層32の第1シリコーン樹脂層14に対する密着性および剥離性がより優れる点で、80〜100モル%が好ましく、95〜100モル%がより好ましい。
さらに、硬化性オルガノポリシロキサン中におけるシロキサン単位(A)およびシロキサン単位(B)の結合形式は特に制限されず、例えば、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。なかでも、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、交互共重合体が好ましい。
本発明において、シロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の交互共重合体とはシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の結合が、シロキサン単位(A)とシロキサン単位(A)の結合およびシロキサン単位(B)とシロキサン単位(B)の結合の合計よりもはるかに多い共重合体を意味する。これら3種の結合は、例えば1H NMR測定および29Si NMR測定により区別することができ、その測定によりそれら結合の相対的な数の割合を計算できる。本発明におけるシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の交互共重合体は、少数のランダム結合部分やブロック結合部分を含んでいてもよい。交互共重合体におけるシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の結合の割合は、上記3種の結合の合計に対して、80〜100モル%が好ましく、90〜100モル%がより好ましく、95〜100モル%がさらに好ましい。なお、交互共重合体であるか否かを区別するものではないが、本発明における硬化性オルガノポリシロキサンが交互共重合体の場合、その交互共重合体におけるシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の合計に対するシロキサン単位(A)の割合は50±5モル%が好ましい。
なお、本発明における交互共重合体は、1種のシリコーン樹脂であってもよく、また2種以上のシリコーン樹脂を混合してシロキサン単位(A)とシロキサン単位(B)の結合の割合が上記の好ましい割合となるように調整して得てもよい。
硬化性オルガノポリシロキサンの数平均分子量の調節は、反応条件を制御することにより行うことができる。例えば、末端基量や種類、またモノマー混合比率を変えることによって分子量を制御することができる。末端基量を多くすると低分子量物が得られ、量を少なくすると高分子量が得られる。また、モノマー比率を偏らせると低分子量物が得られ、比率を等しくすると高分子量物が得られる。
上記硬化性オルガノポリシロキサンの製造方法は基本的に公知であり、例えば、日本国特開平9−59387号公報、日本国特開2008−280402号公報に記載されている。本発明における硬化性オルガノポリシロキサンやその製造方法は、このような公知文献記載のものを使用できる。
式(3)中、X、Yは、それぞれ独立に、水酸基または加水分解性基(例えば、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの1〜3級のアミノ基、ハロゲン基、アルコキシ基等)を表す。
交互共重合体を製造する場合、XとYの一方が水酸基であり、他方がアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの1〜3級のアミノ基であることが好ましい。特に、一方が水酸基で他方がジアルキルアミノ基であることが好ましく、Xが水酸基でYがジアルキルアミノ基であることがより好ましい。なお、モノアルキルアミノ基やジアルキルアミノ基におけるアルキル基は炭素数4以下のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
オルガノポリシロキサンの交互共重合体やその製造方法は基本的に公知であり、例えば、Macromolecules 1998, 31, 8501またはJournal of Applied Polymer Science, Vol.106, 1007, 2007)にオルガノポリシロキサンの交互共重合体やその製造方法が記載されている。本発明における交互共重合体やその製造方法はこれら公知文献に記載のものを使用することができる。
具体的な製造方法としては、例えば、上記式(3)で表されるシラン化合物(Xが水酸基であるもの)の有機溶媒溶液と上記式(4)で表されるシラン化合物(Yがジメチルアミノ基であるもの)の有機溶媒溶液を両シラン化合物が等モル量となる割合で混合し加熱撹拌しながら反応させる方法、一方の有機溶媒溶液に加熱撹拌下に他方の有機溶媒溶液を分割してまたは連続的に添加しながら反応させる方法などで交互共重合体を製造することができる。
より具体的には、硬化性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物(シリコーン樹脂)となる。
また、硬化性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、硬化性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはケイ素原子に結合した水素原子を有する場合、ヒドロシリル化触媒(例えば、白金系触媒)の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。
上記硬化形式のなかでも、反応による副生成物の発生が抑制され、より緻密で耐熱性に優れたシリコーン樹脂が得られる点で、ラジカル反応を介した形式が好ましい。
なお、硬化反応に際しては、2種以上の式(1)で表されるシロキサン単位(A)および式(2)で表されるシロキサン単位(B)を含む硬化性オルガノポリシロキサンを併用してもよく、また、式(1)で表されるシロキサン単位(A)および式(2)で表されるシロキサン単位(B)を含む硬化性オルガノポリシロキサン以外の他の硬化性オルガノポリシロキサンを併用してもよい。
なお、以下、硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて硬化物であるシリコーン樹脂を形成することを単に硬化性オルガノポリシロキサンの硬化という。
第2シリコーン樹脂層32の製造方法は特に制限されないが、上述したように、硬化性オルガノポリシロキサンを支持ガラス板30表面で硬化させると、硬化反応時の支持ガラス板30表面との相互作用により接着し、第2シリコーン樹脂層32と支持ガラス板30表面との剥離強度は高くなると考えられる。
以下、硬化性オルガノポリシロキサンの層を支持ガラス板30の表面に形成し、支持ガラス板30表面上で硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて第2シリコーン樹脂層32を形成する工程の手順について詳述する。
支持ガラス板30上に硬化性オルガノポリシロキサンの層を形成するためには、硬化性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持ガラス板30上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して硬化性オルガノポリシロキサンの層とすることが好ましい。組成物中における硬化性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、硬化性オルガノポリシロキサンの層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で硬化性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、THF、クロロホルム等を例示することができる。
硬化の方法は、上述したように、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化形式(架橋形式)に応じて適宜最適な方法が選択される。なかでも、硬化性オルガノポリシロキサンがラジカル重合性基を有する場合、第1シリコーン樹脂層14に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化により第2シリコーン樹脂層32を製造することが好ましい。以下、熱硬化の態様について詳述する。
なお、硬化性オルガノポリシロキサンはプレキュア(予備硬化)を行った後硬化(本硬化)を行って硬化させることが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れた第2シリコーン樹脂層32を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して硬化性オルガノポリシロキサンの層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。溶媒の除去は100℃以上に加熱して行うことが好ましく、150℃以上に加熱することにより引き続きプレキュアを行うことができる。溶媒の除去とプレキュアを行う温度および加熱時間は、100〜420℃、5〜60分が好ましく、150〜300℃、10〜30分がより好ましい。420℃以下であると剥離容易な第2シリコーン樹脂層32が得られる。
本発明においては、上述したガラス積層体(ガラス積層体10、ガラス積層体100、または、ガラス積層体200)を用いて、電子デバイスを製造することができる。
以下では、上述したガラス積層体10を用いた態様について詳述する。
ガラス積層体10を用いることにより、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板(電子デバイス用部材付きガラス基板)が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体10中のガラス基板16上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図2(C)に示すように、ガラス基板16の第2主面16b(露出表面)上に電子デバイス用部材22を形成し、電子デバイス用部材付き積層体24を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材22について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
電子デバイス用部材22は、ガラス積層体10中のガラス基板16上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材22としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
上述した電子デバイス用部材付き積層体24の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b表面上に、電子デバイス用部材22を形成する。
なお、電子デバイス用部材22は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。シリコーン樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材12を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基材12を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
分離工程は、図2(D)に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体24から、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面を剥離面として、電子デバイス用部材22が積層したガラス基板16(部材付きガラス基板)と、シリコーン樹脂層14および支持基材12とに分離して、電子デバイス用部材22およびガラス基板16を含む部材付きガラス基板26を得る工程である。
剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材22が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。
また、樹脂層付き支持基材18は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体10を製造することができる。
なお、部材付きガラス基板26と樹脂層付き支持基材18とを剥離する際には、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14との界面に剥離助剤を吹き付けながら剥離することが好ましい。剥離助剤とは、上述した水などの溶媒を意図する。使用される剥離助剤としては、水や有機溶媒(例えば、エタノール)などまたはそれらの混合物などが挙げられる。
なお、ガラス積層体100を使用した場合は、上記分離工程の際に、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面を剥離面として、支持基材12と、シリコーン樹脂層14、ガラス基板16、および、電子デバイス用部材22を含む電子デバイスとに分離される。
なお、またはガラス積層体200を使用した場合は、上記分離工程の際に、積層支持基材120と第1シリコーン樹脂層14との界面を剥離面として、積層支持基材120と、第1シリコーン樹脂層14、ガラス基板16、および、電子デバイス用部材22を含む電子デバイスとに分離される。
硝酸(61%)0.09g、変性エタノール solmix AP-11(日本アルコール販売株式会社)81.78g、および、純水11.85gの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン7.20gをゆっくり加えた後、さらに1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサン0.40gを1時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を10〜20℃に保ちながら3時間撹拌し、所望の混合液(ゾルゲルA)を得た。
得られた混合液中には、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物(部分縮重合物)が含まれていた。なお、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比(1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンのモル量/テトラエトキシシランのモル量)は、5:95であった。
硝酸(61%)0.09g、変性エタノール solmix AP-11(日本アルコール販売株式会社)81.78g、および、純水11.85gの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン2.60gをゆっくり加えた後、さらに1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサン1.30gを1時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を10〜20℃に保ちながら3時間撹拌し、所望の混合液(ゾルゲルB)を得た。
得られた混合液中には、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物(部分縮重合物)が含まれていた。なお、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比(1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンのモル量/テトラエトキシシランのモル量)は、33:67であった。
硝酸(61%)0.09g、変性エタノール solmix AP-11(日本アルコール販売株式会社)81.78g、および、純水11.85gの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン3.10gをゆっくり加えた後、さらに1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサン2.40gを1時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を10〜20℃に保ちながら3時間撹拌、所望の混合液(ゾルゲルC)を得た。
得られた混合液中には、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物(部分縮重合物)が含まれていた。なお、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比(1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルシロキサンのモル量/テトラエトキシシランのモル量)は、43:57であった。
窒素雰囲気中、1,4−ビス(ヒドロキシジメチルシリル)ベンゼン(35質量部、ゲレスト社製)を、トルエン(90質量部)に加えた。次に、反応溶液を110℃に加熱して、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン(11質量部、ゲレスト社製)およびビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシラン(12質量部、ゲレスト社製)を溶解させたトルエン(40質量部)溶液を約5分かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を110℃で1時間攪拌した。攪拌終了後、反応溶液を室温まで自然冷却し、反応溶液をメタノール(3250質量部)中に加えて再沈殿処理を行った。次に、沈殿物を回収し、真空乾燥することにより、無色透明で液体状の硬化性オルガノポリシロキサン(S1)を得た。
得られた硬化性オルガノポリシロキサン(S1)は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)による数平均分子量(ポリスチレン換算)が、1.2×104であった。また、熱重量分析装置(ティー・エイ・インスツルメント社製)を用いて、昇温速度15℃/分、窒素雰囲気下(100ml/分)で室温〜700℃まで昇温することにより、硬化性オルガノポリシロキサン(S1)の5%重量減少温度を測定したところ、535℃であった。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)を支持基材として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。次に、上記で製造したゾルゲルAを、支持基材の清浄化処理を施した面(第1主面)上に縦278mm、横278mmの大きさで、スピンコーターにて塗工した(塗工量15g/m2)。さらに、350℃にて30分間大気中で加熱硬化して、厚さ0.2μmのシリコーン樹脂層を形成し、支持体Aを得た。
なお、得られたガラス積層体S1は上述した図1のガラス積層体10に該当し、ガラス積層体S1においては、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体S1を用いた、以下の測定を実施した。以下の評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
ガラス積層体S1から50mm角のサンプルを切り出し、このサンプルを450℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、60分の放置後、取り出した。次いで、ガラス積層体S1のガラス基板の第2主面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体S1の1つのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、上記ガラス基板の第1主面と上記シリコーン樹脂層の剥離性表面との間に剥離のきっかけを与えた。そして、ガラス積層体S1の支持基材の第2主面を90mmピッチで複数の真空吸着パッドで吸着した上で、上記コーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させることにより、ガラス基板の第1主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面とを剥離した。ガラス積層体S1がガラス基板の割れやシリコーン樹脂層の破壊なく剥離できたかを評価した。また、この処理を行った時の引き上げ最大強度をN/25mm単位で測定した。
なお、実用上、剥離強度としては、10N/25mm以下が好ましい。
ガラス積層体S1から50mm角のサンプルを切り出し、このサンプルを450℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、60分の放置後、取り出してサンプル内に発泡現象が確認されたかどうか評価した。
ガラス積層体S1の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、ガラス基板の表面における任意に選択された5点における算術平均粗さRaの平均値をそれぞれ求めた。算術平均粗さRaとは、JIS B 0601−2001に規定されている算術平均粗さRaのことであり、原子間力顕微鏡によって各点における5μm×5μmの測定領域を測定することによって求めた。
シリコーン樹脂層の一部を削り、公知の触針式の表面形状測定装置を用いてシリコーン樹脂層の段差を測定する事でシリコーン樹脂層の膜厚を確認した。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.2mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)をガラス基板として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。次に、ゾルゲルAを、ガラス基板の清浄化処理を施した面(第1主面)上に縦278mm、横278mmの大きさで、スピンコーターにて塗工した(塗工量15g/m2)。さらに、350℃にて30分間大気中で加熱硬化して、厚さ0.2μmのシリコーン樹脂層を形成し、ガラス基板Bを得た。
なお、得られたガラス積層体S2は図3に示すガラス積層体100に該当し、ガラス積層体S2においては、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(z)が、シリコーン樹脂層と支持基材の界面の剥離強度(w)よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体S2を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、ガラス積層体S2を用いた[剥離性評価]においては、支持基材とシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、[平坦性評価]においては、ガラス積層体S2の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、支持基材の表面の表面粗さを測定した。
ゾルゲルAを、支持基材の清浄化処理を施した面(第1主面)上に縦278mm、横278mmの大きさで、スピンコーターにて塗工した(塗工量150g/m2)以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体S3を製造した。
なお、形成されるシリコーン樹脂層の厚さは2.0μmであった。
なお、得られたガラス積層体S3は上述した図1のガラス積層体10に該当し、ガラス積層体S1においては、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度(y)よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体S3を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、ガラス積層体S3を用いた[剥離性評価]においては、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、[平坦性評価]においては、ガラス積層体S3の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、ガラス基板の表面の表面粗さを測定した。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)を支持基材として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。次に、上記で製造した硬化性オルガノポリシロキサン(S1)を、支持基材の清浄化処理を施した面(第1主面)上に縦278mm、横278mmの大きさで、スピンコーターにて塗工した(塗工量120g/m2)。さらに、350℃にて30分間大気中で加熱硬化して、厚さ6μmの樹脂層X(第2シリコーン樹脂層に該当)を形成し、支持体Cを得た。
支持体C中の樹脂層Xと、ガラス基板C中のシリコーン樹脂層とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体S4を得た。
なお、得られたガラス積層体S4は図4に示すガラス積層体200に該当し、ガラス積層体S4においては、樹脂層Xとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(w)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(z)、および、樹脂層Xと支持基材(支持ガラス板)との界面の剥離強度(v)よりも低かった。
次に、得られたガラス積層体S4を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、ガラス積層体S4を用いた[剥離性評価]においては、樹脂層Xとシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、[平坦性評価]においては、ガラス積層体S4の積層面である、樹脂層の表面、および、シリコーン樹脂層の表面の表面粗さを測定した。
ゾルゲルAの代わりにゾルゲルBを用いた以外は、実施例4と同様の手順に従って、ガラス積層体S5を得た。
得られたガラス積層体S5を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体S5は図4に示すガラス積層体200に該当し、ガラス積層体S5においては、樹脂層Xとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(w)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(z)、および、樹脂層Xと支持基材(支持ガラス板)との界面の剥離強度(v)よりも低かった。
ゾルゲルAの代わりにゾルゲルCを用いた以外は、実施例4と同様の手順に従って、ガラス積層体S6を得た。
得られたガラス積層体S6を用いた、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体S6は図4に示すガラス積層体200に該当し、ガラス積層体S6においては、樹脂層Xとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(w)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(z)、および、樹脂層Xと支持基材(支持ガラス板)との界面の剥離強度(v)よりも低かった。
ゾルゲルAを、支持基材の清浄化処理を施した面(第1主面)上に縦278mm、横278mmの大きさで、スピンコーターにて塗工した(塗工量150g/m2)以外は実施例4と同様にして、厚さ2.0μmのシリコーン樹脂層(第1シリコーン樹脂層に該当)を形成し、ガラス基板Cを得た。
支持体C中の樹脂層Xと、ガラス基板C中のシリコーン樹脂層とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体S7を得た。
得られたガラス積層体S7を用いた、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体S7は図4に示すガラス積層体200に該当し、ガラス積層体S7においては、樹脂層Xとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度(w)が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度(z)、および、樹脂層Xと支持基材(支持ガラス板)との界面の剥離強度(v)よりも低かった。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)を支持基材として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。
次に、支持基材の清浄化処理を施した面(第1主面)と、支持基材と同じサイズで厚さ0.2mmのガラス基板(「AN100」。旭硝子株式会社製)の第1主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体C1を得た。
得られたガラス積層体C1を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)を支持基材として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。次に、ヘキサメチルジシラザン(関東化学株式会社製、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン)が気化したガスを含む雰囲気に上記支持基材を曝して表面処理を行った。
次に、支持基材の表面処理を施した面と、支持基材と同じサイズで厚さ0.2mmのガラス基板(「AN100」。旭硝子株式会社製)の第1主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体C2を得た。
得られたガラス積層体C2を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
初めに縦350mm、横300mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10−7/℃の無アルカリガラス板(旭硝子株式会社製 「AN100」)を支持基材として用意し、純水洗浄、UV洗浄して表面を清浄化した。次に、ジメチルポリシロキサン(東レ・ダウシリコーン社製、SH200)をヘプタンで希釈した溶液を、スピンコータ(ミカサ社製、MS−A100)を用いて上記支持基材の第一主面に塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、大気中500℃の温度で5分間加熱処理した。このようにして、支持基材の第一主面にシリコーンオイルを焼き付ける表面処理を行った。
次に、表面処理を施した支持基材の第1主面と、支持基材と同じサイズで厚さ0.2mmのガラス基板(「AN100」。旭硝子株式会社製)の第1主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体C3を得た。
得られたガラス積層体C3を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
ジメチルポリシロキサン(東レ・ダウシリコーン社製、SH200)をヘプタンで希釈せずに、スピンコータ(ミカサ社製、MS−A100)を用いて上記支持基材の第一主面に塗布した以外は、比較例3と同様の手順により、ガラス積層体C4を得た。
得られたガラス積層体C4を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表1にまとめて示す。
また、「積層面のRaの値」は、「ガラス積層体の構成」欄の「//」の左右に位置する層の表面粗さRaをそれぞれ意図する。例えば、実施例1においてガラス積層体の構成は「ガラス基板//第1シリコーン樹脂層/支持基材」であり、「//」の左側にある「ガラス基板」の第1シリコーン樹脂層側の表面のRaが0.8nmであり、「//」の右側にある「第1シリコーン樹脂層」のガラス基板側の表面のRaが10nmであることを示す。他の実施例および比較例も同様に解釈する。
また、「シリコーン樹脂層の膜厚」は、第1シリコーン樹脂層の厚みを意図する。なお、実施例3〜5においては、「シリコーン樹脂層の膜厚」欄に左側に第1シリコーン樹脂層の厚みを、右側に第2シリコーン樹脂層の厚みを示す。さらに、比較例2〜4においては、HMDSまたはSH200の層の厚みを示す。
さらに、「判定」欄においては、剥離強度の値が10N/25mm以下であり、発泡がない場合を「○」、いずれか一方または両方を満たさない場合を「×」とする。
一方、所定の要件を満たさない比較例1〜4においては、所望の効果が得られなかった。例えば、比較例1においては、ガラス基板を剥離することができなかった。また、比較例2および3では、実施例1〜7と比べて剥離強度が高く、剥離性が劣った。
さらに、実施例4〜7で示したガラス積層体は、積層面の表面粗さ(Ra)が大きい場合であっても、良好に積層が可能だった。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてLCDを製造する。
まず、2枚のガラス積層体S1を準備して、片方のガラス積層体S1−1におけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方のガラス積層体S1−2を大気雰囲気下、加熱処理する。次に、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成されたガラス積層体S1−1を用いて、2枚のガラス積層体S1のガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを得る。
本例では、実施例1で得たガラス積層体S1を用いてOLEDを製造する。
まず、ガラス積層体S1におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成する。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第2主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する。
次に、大気中で加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第2主面側にさらにスパッタリング法により酸化アルミニウムを成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルBという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体(支持基材付き表示装置用パネル)である。
続いて、パネルBの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルBのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルBの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
12 支持基材
14 (第1)シリコーン樹脂層
16 ガラス基板
18 樹脂層付き支持基材
20 樹脂層付きガラス基板
22 電子デバイス用部材
24 電子デバイス用部材付き積層体
26 部材付きガラス基板
30 支持ガラス板
32 第2シリコーン樹脂層
Claims (12)
- 前記縮重合物における前記D単位と前記前記Q単位のモル比(D単位/Q単位)が0.02〜2である、請求項1に記載のガラス積層体。
- 前記式(D)におけるRaおよびRbがいずれもメチル基である、請求項1または2に記載のガラス積層体。
- 前記シリコーン樹脂層の厚みが5〜2000nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記式(X)におけるRaおよびRbがいずれもメチル基であり、加水分解性基が炭素数4以下のアルコキシ基である、請求項5に記載のガラス積層体。
- 前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも低い、請求項1〜6のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記第1シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも高い、請求項1〜6のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記支持基材の層が支持ガラス板の層と第2シリコーン樹脂層とを有する積層支持基材であり、前記第2シリコーン樹脂層が前記シリコーン樹脂層に接している、請求項1〜8のいずれか1項に記載のガラス積層体。
- 前記第2シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物からなり、前記硬化性オルガノポリシロキサンが、式(1)で表されるシロキサン単位(A)と式(2)で表されるシロキサン単位(B)とを含む、請求項9に記載のガラス積層体:
- 前記第2シリコーン樹脂層の厚みが、前記シリコーン樹脂層の厚みよりも厚く、かつ50μm以下である、請求項9または10に記載のガラス積層体。
- 請求項5〜8のいずれか1項に記載にガラス積層体の製造方法であって、
ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上に前記硬化性化合物を塗布し、加熱処理を施して、前記ガラス基板および前記支持基材のいずれか一方の表面上にシリコーン樹脂層を形成する工程と、
前記シリコーン樹脂層上に前記ガラス基板および前記支持基材のいずれか他方を積層する工程とを備える、ガラス積層体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013273147 | 2013-12-27 | ||
JP2013273147 | 2013-12-27 | ||
PCT/JP2014/083994 WO2015098886A1 (ja) | 2013-12-27 | 2014-12-22 | ガラス積層体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015098886A1 true JPWO2015098886A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6561845B2 JP6561845B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=53478739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015554903A Active JP6561845B2 (ja) | 2013-12-27 | 2014-12-22 | ガラス積層体およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6561845B2 (ja) |
KR (1) | KR20160102429A (ja) |
CN (1) | CN105848887B (ja) |
TW (1) | TWI641479B (ja) |
WO (1) | WO2015098886A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6524748B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-06-05 | 三菱ケミカル株式会社 | ガラス積層体、電子デバイス用基板、及び有機電子デバイス |
JP6471643B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2019-02-20 | Agc株式会社 | ガラス積層体およびその製造方法 |
TWI751253B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-01-01 | 日商Agc股份有限公司 | 積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板、電子器件之製造方法 |
TWI808956B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-07-21 | 日商Agc股份有限公司 | 積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板、及電子器件之製造方法 |
CN117021715A (zh) * | 2018-01-17 | 2023-11-10 | Agc株式会社 | 层叠体、层叠体的制造方法和电子设备的制造方法 |
CN111989303A (zh) * | 2018-04-19 | 2020-11-24 | Agc株式会社 | 车辆用前窗玻璃 |
CN108819433A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-11-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示器件及3d玻璃盖板的贴合方法 |
JP7115511B2 (ja) * | 2019-06-06 | 2022-08-09 | Agc株式会社 | 積層基板、電子デバイスの製造方法、および積層基板の製造方法 |
CN112374754A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 安徽凤阳玻璃有限公司 | 一种高强度抗反射平板玻璃及其制备方法 |
WO2022124056A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | 三井化学株式会社 | 積層体およびその製造方法、ならびにポリイミドフィルム、およびその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821491A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 離型剤組成物 |
JPH032270A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-08 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 剥離性硬化皮膜形成用オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2010522649A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-07-08 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 優れた耐火性を有する複合品 |
WO2011024690A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 旭硝子株式会社 | フレキシブル基材-支持体の積層構造体、支持体付き電子デバイス用パネル、および電子デバイス用パネルの製造方法 |
JP2011046174A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 |
JP2013016026A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネル部材、座標検出装置、積層部材および、積層部材の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011048979A1 (ja) | 2009-10-20 | 2013-03-14 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体及びその製造方法、並びに表示パネルの製造方法及びその製造方法により得られる表示パネル |
-
2014
- 2014-12-22 CN CN201480071359.6A patent/CN105848887B/zh active Active
- 2014-12-22 KR KR1020167016787A patent/KR20160102429A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-12-22 WO PCT/JP2014/083994 patent/WO2015098886A1/ja active Application Filing
- 2014-12-22 JP JP2015554903A patent/JP6561845B2/ja active Active
- 2014-12-27 TW TW103145965A patent/TWI641479B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821491A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 離型剤組成物 |
JPH032270A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-08 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 剥離性硬化皮膜形成用オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2010522649A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-07-08 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 優れた耐火性を有する複合品 |
WO2011024690A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 旭硝子株式会社 | フレキシブル基材-支持体の積層構造体、支持体付き電子デバイス用パネル、および電子デバイス用パネルの製造方法 |
JP2011046174A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 |
JP2013016026A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネル部材、座標検出装置、積層部材および、積層部材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6561845B2 (ja) | 2019-08-21 |
CN105848887A (zh) | 2016-08-10 |
KR20160102429A (ko) | 2016-08-30 |
WO2015098886A1 (ja) | 2015-07-02 |
CN105848887B (zh) | 2018-11-30 |
TWI641479B (zh) | 2018-11-21 |
TW201529299A (zh) | 2015-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6561845B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法 | |
JP6555254B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 | |
TWI647114B (zh) | Glass laminate | |
JP5924344B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 | |
WO2015146920A1 (ja) | ガラス積層体 | |
JP6252490B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材 | |
US20170282500A1 (en) | Glass laminate, method for producing electronic device, method for producing glass laminate, and glass plate package | |
JP6610560B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6194893B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材 | |
KR102526047B1 (ko) | 유리 적층체 및 그의 제조 방법 | |
WO2014050833A1 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材およびその製造方法 | |
WO2014050834A1 (ja) | オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンの製造方法、架橋オルガノポリシロキサン、およびコーティング用組成物 | |
JP2015182450A (ja) | ガラス積層体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181119 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20181120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6561845 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |