JPWO2015098886A1 - ガラス積層体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備えるガラス積層体であって、前記シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、下記式（Ｄ）で表されるＤ単位と下記式（Ｑ）で表されるＱ単位とを有する縮重合物であり、前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度と前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度とが異なる、ガラス積層体に関する：
【化１】

式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す。

Description

本発明は、ガラス積層体およびその製造方法に係り、特に、所定のシリコーン樹脂層を備えるガラス積層体およびその製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と支持ガラス板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から支持ガラス板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。より具体的には、特許文献１の実施例欄においては、ガラス基板および支持ガラス板の一方の表面に、ジメチルシリコーンオイル（ＳＨ２００）を用いた表面処理を行い、両者を積層させて得られるガラス積層体が開示されている。

国際公開第２０１１／０４８９７９号

近年、ガラス積層体に関して、ガラス基板のより一層の薄膜化のため、その取扱い性が難しくなり、加熱処理後においてより容易にガラス基板を剥離させることが求められている。言い換えれば、ガラス積層体からのガラス基板の剥離強度がより小さいことが求められている。
特許文献１に記載のＳＨ２００を用いて得られたガラス積層体は大気中４５０℃、１時間の加熱処理後においても剥離可能である。しかしながら、上述したように昨今より容易にガラス基板を剥離することが求められており、特許文献１の態様はその要求レベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。
また、特許文献１に記載されるようなＳＨ２００を用いたような表面処理により層を形成する場合、製造ロット毎に表面処理条件を同じにしていても、使用される液の状態や温度などの環境条件によって、製造ロットによって層の厚みが変わることがある。特許文献１に記載されるようなＳＨ２００を用いた場合は、形成される層の厚みが厚くなると、該層が発泡してしまい、多量のアウトガスが発生する。このようなアウトガスの発生は、ガラス基板上に形成される電子デバイス用部材を汚染し、結果として電子デバイスの生産性を低下させる原因となる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理後でもガラス基板を容易に剥離することができ、厚みによる発泡の程度の差が少ないシリコーン樹脂層を備えるガラス積層体およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備えるガラス積層体であって、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、後述する式（Ｄ）で表されるＤ単位と後述する式（Ｑ）で表されるＱ単位とを有する縮重合物であり、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度とシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度とが異なる、ガラス積層体である。
第１の態様において、縮重合物におけるＤ単位と前記Ｑ単位のモル比（Ｄ単位／Ｑ単位）が０．０２〜２であることが好ましい。
第１の態様において、式（Ｄ）におけるＲ^ａおよびＲ^ｂがいずれもメチル基であることが好ましい。
第１の態様において、シリコーン樹脂層の厚みが５〜２０００ｎｍであることが好ましい。
第１の態様において、縮重合物が、後述する式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と後述する式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との混合物、または、混合物の部分縮重合物、からなる硬化性化合物が縮重合した縮重合物であることが好ましい。
第１の態様において、式（Ｘ）におけるＲ^ａおよびＲ^ｂがいずれもメチル基であり、加水分解性基が炭素数４以下のアルコキシ基であることが好ましい。
第１の態様において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも低いことが好ましい。
第１の態様において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも高いことも好ましい。
第１の態様において、支持基材の層が支持ガラス板の層と第２シリコーン樹脂層とを有する積層支持基材であり、第２シリコーン樹脂層が前記シリコーン樹脂層に接していることが好ましい。
第１の態様において、第２シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物からなり、硬化性オルガノポリシロキサンが、後述する式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と後述する式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含むことが好ましい。
第１の態様において、第２シリコーン樹脂層の厚みが、シリコーン樹脂層の厚みよりも厚く、かつ５０μｍ以下であることが好ましい。
本発明の第２の態様は、第１の態様のガラス積層体の製造方法であって、ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上に硬化性化合物を塗布し、加熱処理を施して、ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上にシリコーン樹脂層を形成する工程と、
シリコーン樹脂層上にガラス基板および支持基材のいずれか他方を積層する工程とを備える、ガラス積層体の製造方法である。

本発明によれば、高温加熱処理後でもガラス基板を容易に剥離することができ、厚みによる発泡の程度の差が少ないシリコーン樹脂層を備えるガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。

図１は、本発明に係るガラス積層体の第１態様の模式的断面図である。 図２（Ａ）〜２（Ｄ）は、本発明に係る部材付きガラス基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 図３は、本発明に係るガラス積層体の第２態様の模式的断面図である。 図４は、本発明に係るガラス積層体の第２態様の変形例の模式的断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

本発明のガラス積層体の特徴点としては、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、後述する式（Ｄ）で表されるＤ単位と、後述する式（Ｑ）で表されるＱ単位を有する縮重合物である点が挙げられる。該縮重合物中には、上記Ｑ単位が含まれることにより、シリコーン樹脂層中に３次元架橋構造が形成されて耐熱性が向上し、厚みが厚くなってもシリコーン樹脂層の発泡が抑制されると共に、高温処理条件処理後であってもガラス基板の層との剥離性に優れる。また、上記Ｄ単位が含まれることにより、ガラス積層体を構成する各層の積層性が向上していると推測される。ここで、積層性が向上しているとは、得られたガラス積層体の剥がれが少なくなる状態や、端部の浮きが少なくなる状態を言う。
また、ガラス積層体において、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度と、シリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度は、異なることを特徴とする。例えば、第１の実施態様においては、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度がシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層とガラス基板の層とが剥離し、シリコーン樹脂層と支持基材の層との積層体と、ガラス基板の層とに分離する。また、第２の実施態様においては、シリコーン樹脂層のガラス基板の層に対する界面の剥離強度がシリコーン樹脂層の支持基材の層に対する界面の剥離強度より高く、シリコーン樹脂層と支持基材の層とが剥離し、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との積層体と、支持基材の層とに分離する。
以下では、第１の実施態様および第２の実施態様に分けて、説明する。

＜第１の実施態様＞
図１は、本発明に係るガラス積層体の第１の実施態様の模式的断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基材１２の層とガラス基板１６の層とそれらの間にシリコーン樹脂層１４（以後、適宜「第１シリコーン樹脂層１４」とも称する）が存在する積層体である。シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基材１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。
支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。なお、ガラス積層体１０の製造のためにあらかじめ製造される支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分を樹脂層付き支持基材１８という。

このガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１０は、そのガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、樹脂層付き支持基材１８と部材付きガラス基板に分離され、樹脂層付き支持基材１８は電子デバイスを構成する部分とはならない。樹脂層付き支持基材１８は、新たなガラス基板１６と積層され、新たなガラス積層体１０として再利用することができる。

支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面が剥離する。シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面は剥離強度（ｙ）を有し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面が剥離する。
ガラス積層体１０においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体１０は、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面で剥離して、ガラス基板１６と樹脂層付き支持基材１８とに分離する。

剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、例えば、シリコーン樹脂層１４を支持基材１２上で形成する方法（例えば、後述する硬化性化合物を支持基材１２上で硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成する方法）が好ましい。該方法であれば、シリコーン樹脂層１４形成時の硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材１２上でシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層することにより、ガラス積層体１０を製造することができる。

以下で、まず、ガラス積層体１０を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、シリコーン樹脂層１４）について詳述し、その後、ガラス積層体の製造方法について詳述する。

［支持基材］
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
なお、後述するように支持基材１２は、２種以上の層からなる積層体であってもよい。

支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、シリコーン樹脂層１４の厚さ、およびガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基材１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さとシリコーン樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基材１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基材１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。なお、支持基材１２が２種以上の層からなる積層体である場合、「支持基材１２の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反ったり、支持基材１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基材１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

［ガラス基板］
ガラス基板１６は、第１主面１６ａがシリコーン樹脂層１４と接し、シリコーン樹脂層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。なお、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）の内容は、ここに参照として取り込まれる。

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

［シリコーン樹脂層］
ガラス積層体１０において、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の主面１６ａに剥離可能に密着する。一方、シリコーン樹脂層１４は、支持基材１２上に固定されている。つまり、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低い。
すなわち、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１主面１６ａとシリコーン樹脂層１４との界面で剥離し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層１４表面の容易に剥離できる性質を易剥離性という。一方、支持基材１２の第１主面とシリコーン樹脂層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面の結合力は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）や剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも低い。

シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。シリコーン樹脂層１４を形成した後その表面にガラス基板１６を積層する場合、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体１０製造後その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂はガラス基板１６面に接着し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前のシリコーン樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を低くすることができる。

また、シリコーン樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材１２表面に結合されており、両者の密着性を高める方法としては、公知の方法を採用できる。例えば、後述する硬化性化合物を支持基材１２表面で硬化させることにより、縮重合物であるシリコーン樹脂を支持基材１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間の結合力を高めることができる。
シリコーン樹脂層１４と支持基材１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が高いことを意味する。

シリコーン樹脂層１４の厚さは特に限定されないが、５〜５０００ｎｍであることが好ましく、５〜２０００ｎｍであることがより好ましく、５０〜２０００ｎｍであることがさらに好ましく、１００〜１０００ｎｍであることが特に好ましい。シリコーン樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。
上記厚さは平均厚さを意図し、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層１４の厚みを測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面の表面粗さＲａは特に制限されないが、ガラス基板１６の積層性および剥離性がより優れる点より、０．１〜２０ｎｍが好ましく、０．１〜１０ｎｍがより好ましい。
なお、表面粗さＲａの測定方法としては、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準じて行われ、任意の５箇所以上の点において測定されたＲａを、算術平均した値が上記表面粗さＲａに該当する。なお、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１の内容は、ここに参照として取り込まれる。
また、シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面の水接触角は特に制限されないが、ガラス基板１６の積層性および剥離性がより優れる点より、７０度超１０５度以下が好ましい。
なお、水接触角の測定方法としては、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ ＳＨＡＰＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＳＹＳＴＥＭ ＤＳＡ １０Ｍｋ２）を用いて、１枚のガラス板の表面に１μＬの水滴を静置して水接触角を測定する。

（シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂）
シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂は、下記式（Ｄ）で表されるＤ単位と下記式（Ｑ）で表されるＱ単位とを有する縮重合物である。

式（Ｄ）中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
アルキル基中に含まれる炭素数は、シリコーン樹脂層１４の耐熱性またはガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、１〜３が好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
縮重合物においては、Ｄ単位とＱ単位とのモル比（Ｄ単位／Ｑ単位）は、０．０２〜２であることが好ましく、０．１〜１．８であることがより好ましい。この範囲であると、耐熱性および剥離性がよい。
なお、縮重合物において、Ｄ単位およびＱ単位の合計含有量は特に制限されないが、全シロキサン単位に対して、８０モル％以上が好ましく、９０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。なお、シロキサン単位の種類としては、上記Ｄ単位およびＱ単位以外に、Ｍ単位や、Ｔ単位が挙げられる。
縮重合物は、後述する式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体（加水分解縮合物）と、後述する式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体（加水分解縮合物）との混合物、または、該混合物の部分縮合物からなる硬化性化合物が縮重合した硬化物であることが好ましい。
ケイ素化合物（Ｘ）のＲ^ｘ基がヒドロキシ基であると、ケイ素化合物（Ｘ）の分子同士が縮重合して、多量体となる。ケイ素化合物（Ｘ）のＲ^ｘ基が水素原子および加水分解性基の場合は、水素原子および加水分解性基が加水分解してヒドロキシ基が生成した後、ケイ素化合物（Ｘ）の分子同士が縮重合して、多量体となる。ケイ素化合物（Ｙ）の多量体も同様にして得られる。
以下では、ケイ素化合物（Ｘ）、ケイ素化合物（Ｙ）の態様について詳述する。

（式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ））
シリコーン樹脂層１４中のシリコーン樹脂の出発原料の一つとして、以下の式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体（以後、単に「ケイ素化合物（Ｘ）」とも称する）が用いられることが好ましい。

式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒ^ｘは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を表す。複数あるＲ^ｘは、同一の基であっても、異なる基であってもよい。

Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、式（Ｄ）におけるＲ^ａおよびＲ^ｂとそれぞれ同じである。
Ｒ^ｘは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、または加水分解性基を表す。
加水分解性基としては、アルコキシ基、塩素原子、アミノ基などが挙げられる。アルコキシ基中に含まれる炭素数は特に制限されないが、シリコーン樹脂層１４の耐熱性またはガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、１〜３が好ましい。より具体的には、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。なお、Ｒ^ｘが水素原子の場合は、例えば、所定の酸性触媒下（例えば、６０％硝酸水溶液）にて、Ｓｉ−Ｈ基がＳｉ−ＯＨ基に変換され、その後、後述するケイ素化合物（Ｙ）との間で加水分解・縮合反応が進行する。
式（Ｘ）で表される化合物は多量体でもよく、ｎ量体のｎの上限は特に制限されないが、合成のしやすさの点から、１５００以下が好ましい。なかでも、シリコーン樹脂層１４の耐熱性またはガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、ｎは１０〜５００が好ましい。

（式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）（テトラアルコキシシラン化合物））
シリコーン樹脂層１４中のシリコーン樹脂の出発原料の一つとして、以下の式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体が用いられることが好ましい。

式（Ｙ）中、Ｒ^ｙは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を表す。複数あるＲ^ｙは、同一の基であっても、異なる基であってもよい。
加水分解性基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基等が挙げられる。アルコキシ基中のアルキル基に含まれる炭素数は特に制限されないが、シリコーン樹脂層１４の耐熱性またはガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、１〜３が好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。

式（Ｙ）で表される化合物は多量体でもよく、ｎ量体のｎの上限は特に制限されないが、合成のしやすさの点から、１５００以下が好ましい。なかでも、シリコーン樹脂層１４を形成する際の塗布性、シリコーン樹脂層１４の耐熱性またはガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、ｎは１０〜５００が好ましい。

ケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、ケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との混合モル比は特に制限されず、シリコーン樹脂層１４の耐熱性により優れ、ガラス基板１６の剥離が容易である点から、シリコーン樹脂層１４中のシリコーン樹脂に含まれる上記Ｄ単位と上記Ｑ単位のモル比（Ｄ単位／Ｑ単位）が上述の範囲を達成するように調整されることが好ましい。

縮重合物を得るための硬化性化合物としては、上記式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、上記式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との混合物が使用される。
また、硬化性化合物としては、上記式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、上記式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との混合物の部分縮合物を使用することもできる。
部分縮合物を得る方法は特に制限されず、式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との間で、加水分解・縮合反応（いわゆる、ゾル−ゲル反応）を進行させて、製造することができる。
なお、加水分解・縮合反応は、無触媒下で実施されても、触媒（例えば、酸または塩基）下で実施されてもよい。例えば、空気下にて、ケイ素化合物（Ｘ）とケイ素化合物（Ｙ）とを混合して攪拌することにより、空気中の水分を触媒として加水分解・縮合反応が進行し、所望の部分縮合物が得られる。
式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との反応は、溶媒下で行っても、無溶媒下で行ってもよい。使用される溶媒の種類は特に制限されず、公知の溶媒（例えば、アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒）が使用できる。

硬化性化合物を用いたシリコーン樹脂層１４の製造条件は、後段で詳述する。
なお、例えば、シリコーン樹脂層１４を形成する際、上記式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と、上記式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体とのを所定の基材上（例えば、支持基材）上に塗布して、基材上で加水分解・縮合反応を進行させて、シリコーン樹脂層１４を形成してもよいし、上記混合物の部分縮合物を製造した後、所定の基材上（例えば、支持基材）上に塗布して、シリコーン樹脂層１４を形成してもよい。

［ガラス積層体およびその製造方法］
本発明のガラス積層体１０は、上述したように、支持基材１２とガラス基板１６とそれらの間にシリコーン樹脂層１４が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。なかでも、上記硬化性化合物を支持基材１２の表面に塗布して硬化させ、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造する方法が好ましい。
硬化性化合物を支持基材１２表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性化合物の層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層してガラス積層体１０とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。

（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、硬化性化合物の層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する。
支持基材１２上に硬化性化合物の層を形成するためには、硬化性化合物を溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材１２上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して硬化性化合物の層とすることが好ましい。組成物中における硬化性化合物の濃度の調整などにより、層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋物を容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム等を例示することができる。

支持基材１２表面上に硬化性化合物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。

次いで、支持基材１２上の硬化性化合物を硬化させて、シリコーン樹脂層１４を形成する。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、該工程では支持基材１２の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層１４が形成される。
硬化の方法は特に制限されないが、通常、熱硬化処理により行われる。
熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層１４の耐熱性を向上し、ガラス基板１６と積層後の剥離強度（ｙ）を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、３００〜４７５℃が好ましく、３５０〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。熱硬化の温度が低すぎると、耐熱性やシリコーン樹脂層１４の平坦性が低下し、一方、温度が高すぎると剥離強度（ｙ）が低くなりすぎ、いずれもガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との密着性が弱くなる場合がある。

なお、熱硬化処理においては、プレキュア（予備硬化）を行った後硬化（本硬化）を行って硬化させることが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れたシリコーン樹脂層１４を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して硬化性化合物の層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。溶媒の除去は１００℃以上に加熱して行うことが好ましく、１５０℃以上に加熱することにより引き続きプレキュアを行うことができる。溶媒の除去とプレキュアを行う温度および加熱時間は、１００〜４２０℃、５〜６０分が好ましく、１５０〜３００℃、１０〜３０分がより好ましい。４２０℃以下であると剥離容易なシリコーン樹脂層が得られる。

（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２の層とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。より具体的には、図２（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とを積層し、ガラス積層体１０を得る。

ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。

なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層１４の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４の間の剥離強度（ｙ）をより適切なものとする点から、３００℃以上（好ましくは、３００〜４００℃）で５分間以上（好ましく、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

なお、ガラス基板１６の第１主面に対する剥離強度と支持基材１２の第１主面に対する剥離強度に差を設けたシリコーン樹脂層１４の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、シリコーン樹脂層１４表面に対する密着性がガラス基板１６よりも高い材質の支持基材１２を用いる場合には、上記硬化性化合物を何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板１６と支持基材１２との間に介在させ同時に積層することができる。
また、硬化性化合物の硬化による接着性がガラス基板１６に対して充分低くかつその接着性が支持基材１２に対して充分高い場合は、ガラス基板１６と支持基材１２の間で硬化性化合物を硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
さらに、支持基材１２がガラス基板１６と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材１２表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層１４に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）や、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。

（ガラス積層体）
本発明の第１の態様であるガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、４５０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

＜第２の実施態様＞
図３は、本発明に係るガラス積層体の第２の実施態様の模式的断面図である。
図３に示すように、ガラス積層体１００は、支持基材１２の層とガラス基板１６の層とそれらの間にシリコーン樹脂層１４が存在する積層体である。
図３に示すガラス積層体１００においては、上述した図１に示すガラス積層体１０とは異なり、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６上に固定されており、樹脂層付きガラス基板２０は、樹脂層付きガラス基板２０中のシリコーン樹脂層１４が支持基材１２に直接接するように、支持基材１２上に剥離可能に積層（密着）する。本発明において、該固定と剥離可能な密着は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が高いことを意味する。つまり、ガラス積層体１００においては、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面の剥離強度が、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との界面の剥離強度よりも高い。

より具体的には、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面は剥離強度（ｚ）を有し、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に剥離強度（ｚ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面が剥離する。シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との界面は剥離強度（ｗ）を有し、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との界面に剥離強度（ｗ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との界面が剥離する。
ガラス積層体１００においては、上記剥離強度（ｚ）は上記剥離強度（ｗ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１００に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体１００は、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との界面で剥離して、樹脂層付きガラス基板２０と支持基材１２とに分離する。

剥離強度（ｚ）は、剥離強度（ｗ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｚ）を高めることは、ガラス基板１６に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後において支持基材１２に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
ガラス基板１６に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高める方法としては、上記支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高める方法が挙げられ、例えば、ガラス基板１６上でシリコーン樹脂層１４を形成する方法などが挙げられる。該方法であれば、硬化の際の接着力で、ガラス基板１６に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂層１４の支持基材１２に対する結合力は、上記形成時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、ガラス基板１６上でシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の表面に支持基材１２を積層することにより、所望の剥離関係を満たすガラス積層体１００を製造することができる。

ガラス積層体１００を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、シリコーン樹脂層１４）は、上述したガラス積層体１０を構成する各層と同義であり、ここでは説明は省略する。
ただし、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側の表面の表面粗さＲａは特に制限されないが、ガラス基板の積層性および剥離性がより優れる点より、０．１〜２０ｎｍが好ましく、０．１〜１０ｎｍがより好ましい。
なお、表面粗さＲａの測定方法としては、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準じて行われる。
また、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側の表面の水接触角は特に制限されないが、ガラス基板の積層性および剥離性がより優れる点より、７０度超１０５度以下が好ましい。
なお、水接触角の測定方法としては、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ ＳＨＡＰＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＳＹＳＴＥＭ ＤＳＡ １０Ｍｋ２）を用いて、１枚のガラス板の表面に１μＬの水滴を静置して水接触角を測定する。

ガラス積層体１００の製造方法は特に制限されないが、上述した、ガラス積層体１０の製造方法において、支持基材１２の代わりにガラス基板１６を用い、ガラス基板１６の代わりに支持基材１２を用いることにより、所望のガラス積層体１００を製造することができる。より具体的には、ガラス基板１６上でシリコーン樹脂層１４を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４上に支持基材１２を積層して、ガラス積層体１００を製造することができる。

（第２の実施形態の変形例）
ガラス積層体の第２の実施態様の変形例として、支持基材の層が、支持ガラス板の層と、支持ガラス板の層上に配置された第２シリコーン樹脂層とを備える積層支持基材である態様が挙げられる。
より具体的には、図４に示すように、ガラス積層体２００においては、上述した図３に示すガラス積層体１００とは異なり、積層支持基材１２０が、支持ガラス板３０と、支持ガラス板３０上に配置された第２シリコーン樹脂層３２とを備える。ここで、第２の実施形態の変形例においては、ガラス基板側のシリコーン樹脂層を第１シリコーン樹脂層、支持ガラス板側のシリコーン樹脂層を第２シリコーン樹脂層ともいう。なお、第２シリコーン樹脂層３２中のシリコーン樹脂は、後述する式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）および式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物であることが好ましい。該ガラス積層体２００においては、第１シリコーン樹脂層１４が第２シリコーン樹脂層３２と直接接するように配置され、樹脂層付きガラス基板２０が第２シリコーン樹脂層３２上に剥離可能に積層（密着）する。
ガラス積層体２００においては、第２シリコーン樹脂層３２を設けることにより、ガラス積層体自体の耐熱性が高まると共に、高温加熱処理後においてもガラス基板が剥離しやすく、さらにガラス基板の積層性にも優れる（特に、第１シリコーン樹脂層と第２シリコーン樹脂層との積層面での両者（または一方）の表面粗さが粗い場合でも、良好な積層性が得られる。）。

上述したように、第２シリコーン樹脂層３２は一方の表面で支持ガラス板３０上に固定されており、他方の表面で第１シリコーン樹脂層１４と剥離可能に密着する。つまり、第２シリコーン樹脂層３２と支持ガラス板３０との界面の剥離強度（ｖ）は、第２シリコーン樹脂層３２と第１シリコーン樹脂層１４との界面の剥離強度（ｗ）よりも高い。また、上述したように、第１シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面の剥離強度（ｚ）は、第１シリコーン樹脂層１４と積層支持基材１２０との界面（言い換えれば、第１シリコーン樹脂層１４と第２シリコーン樹脂層３２との界面）の剥離強度（ｗ）よりも高い。
したがって、ガラス積層体２００に支持ガラス板３０とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体２００は、第１シリコーン樹脂層１４と第２シリコーン樹脂層３２との界面で剥離して、樹脂層付きガラス基板２０と積層支持基材１２０とに分離する。

第２シリコーン樹脂層３２は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持ガラス板３０表面に結合されている。たとえば、後述するように、硬化性オルガノポリシロキサンを支持ガラス板３０表面で硬化させることにより、硬化物であるシリコーン樹脂を支持ガラス板３０表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持ガラス板３０表面と第２シリコーン樹脂層３２との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持ガラス板３０表面と第２シリコーン樹脂層３２との間の結合力を高めることができる。
一方、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物を含む第２シリコーン樹脂層３２のシリコーン樹脂層１４に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持ガラス板３０上で硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて第２シリコーン樹脂層３２を形成し、その後、第２シリコーン樹脂層３２と第１シリコーン樹脂層１４とが向き合うように、第２シリコーン樹脂層３２の面に樹脂層付きガラス基板２０を積層して、所望のガラス積層体２００を製造することができる。
なお、場合により、積層前の第２シリコーン樹脂層３２の表面や積層前の第１シリコーン樹脂層１４の表面に両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、第２シリコーン樹脂層３２と第１シリコーン樹脂層１４との界面の結合力を弱め、剥離強度（ｗ）を低くすることができる。

図４に示すガラス積層体２００は、積層支持基材１２０を備える点を除いて、図３に示すガラス積層体１００と同様の構成を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、主として積層支持基材１２０について説明する。

積層支持基材１２０は、支持ガラス板３０と、第２シリコーン樹脂層３２とを備える。
支持ガラス板３０は、支持基材１２がガラス板の場合の態様に該当し、その好適態様は上述の通りである。

第２シリコーン樹脂層３２中のシリコーン樹脂は、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物からなることが好ましく、特に、後述する式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）および式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物であることが好ましい。
以下では、硬化性オルガノポリシロキサンおよびその硬化物の態様について詳述する。

（硬化性オルガノポリシロキサンおよびその硬化物）
第２シリコーン樹脂層３２中のシリコーン樹脂を得るための硬化性オルガノポリシロキサンとしては、後述する式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と後述する式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含む硬化性オルガノポリシロキサンが好ましい。
通常、オルガノポリシロキサンの基本構成単位は、メチル基やフェニル基に代表される１価の有機基がケイ素原子に何個結合しているかで分類され、以下に示すＤ単位と呼ばれる有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位、Ｔ単位と呼ばれる有機基が１つ結合した３官能性のシロキサン単位、Ｍ単位と呼ばれる有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｑ単位と呼ばれる有機基が１つもない４官能性のシロキサン単位などからなる。なお、Ｑ単位はケイ素原子に結合した有機基（ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基）を有しない単位であるが、シロキサン単位とみなす。以下の式中、Ｒはメチル基やフェニル基に代表される１価の有機基を表す。

シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ_1/2と表現される。より具体的には、例えば、１つのＤ単位においては、その１個のケイ素原子は２個の酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は他の単位のケイ素原子と結合していることより、その式は−Ｏ_1/2−（Ｒ）₂Ｓｉ−Ｏ_1/2−となる。Ｏ_1/2が２個存在することより、Ｄ単位は（Ｒ）₂ＳｉＯ_2/2と表現されるのが通常である。しかし、本発明では、後述のＡ単位の表現に合わせて、以下のように、個々の酸素原子についてＯ_1/2の表現を用い、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、Ｑ単位を表現した。
なお、重合体鎖の末端の単位がＭ単位以外の単位である場合、末端単位のＯ_1/2に結合するケイ素原子以外の原子は１／２個相当の酸素原子であり、合わせて１個の酸素原子となり、水酸基やアルコキシ基などにおける酸素原子を表現する。下記シロキサン単位の表現と同様に表現すれば、例えば末端単位のケイ素原子に結合する水酸基は−Ｏ_1/2−Ｈとなる。

後述するシロキサン単位（Ａ）では、２つのケイ素原子のそれぞれが酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は単位外のケイ素原子と結合しているため、式（１）中、Ｏ_1/2と表現される。シロキサン単位（Ａ）は２官能性である点から、Ｄ単位とみなすことができる。後述するシロキサン単位（Ｂ）も同様の理由から、Ｄ単位とみなすことができる。以下、本発明においてシロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）はＤ単位の１種とみなして、硬化性オルガノポリシロキサンを説明する。

式（１）のＲ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す。炭素数４以下のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ビニル基、アリル基、エチニル基などが挙げられる。
置換基を有していてもよいフェニル基として、置換基としてはメチル基、エチル基、ビニル基、アリル基、エチニル基などが挙げられる。

上記Ｒ¹〜Ｒ⁴としては、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、メチル基またはフェニル基であることが好ましい。

式（１）中、Ａｒは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。フェニレン基であると、第１シリコーン樹脂層１４に対する密着性および剥離性が優れる点で好ましい。
なお、置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アリールアルキル基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基などが挙げられる。

硬化性オルガノポリシロキサンは、シロキサン単位として、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）のみを含む重合体であるか、または、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）と他のシロキサン単位とを含む共重合体である。硬化性オルガノポリシロキサンは、線状重合体であることが好ましく、他のシロキサン単位としてはシロキサン単位（Ａ）またはシロキサン単位（Ｂ）以外のＤ単位が好ましい。硬化性オルガノポリシロキサンが線状重合体である場合、硬化性オルガノポリシロキサンはシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）のみを含む重合体、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）と他のＤ単位とを含む重合体、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）とＭ単位を含む重合体、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）と他のＤ単位とＭ単位を含む重合体がある。ただし、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）、他のＤ単位、Ｍ単位はそれぞれ２種以上存在してもよい。
また、硬化性オルガノポリシロキサンは、少数の分岐を有する非線状の重合体であってもよい。この場合、分岐をもたらすＴ単位やＱ単位を少数有する以外は上記線状重合体におけるＤ単位や場合によりさらにＭ単位を有する。

式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）において、Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または炭素数３以下のアルケニル基を表す。ただし、シロキサン単位（Ｂ）のうちの少なくとも一部は、Ｒ^５およびＲ^６の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であるシロキサン単位である。
Ｒ⁵およびＲ⁶としては、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、メチル基またはビニル基であることが好ましい。

シロキサン単位（Ｂ）の好適態様としては、硬化性オルガノポリシロキサン間での硬化がより進行し、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、シロキサン単位（Ｂ）が、Ｒ⁵とＲ⁶の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であり該アルケニル基以外の場合は炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−１）、および、Ｒ⁵とＲ⁶のいずれも炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−２）からなる群から選択され、硬化性オルガノポリシロキサン中のシロキサン単位（Ｂ）がシロキサン単位（Ｂ−１）のみからなるか、または、シロキサン単位（Ｂ−１）とシロキサン単位（Ｂ−２）からなる態様が挙げられる。

シロキサン単位（Ｂ−１）中、Ｒ⁵とＲ⁶の少なくとも一方は、炭素数３以下のアルケニル基であり、好ましくはビニル基である。また、Ｒ⁵とＲ⁶がアルケニル基以外の場合は、炭素数４以下のアルキル基であり、好ましくはメチル基である。
なお、シロキサン単位（Ｂ−１）の好適態様としては、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、Ｒ⁵またはＲ⁶の一方がメチル基で、他方がビニル基である態様が挙げられる。
シロキサン単位（Ｂ−２）中、Ｒ⁵とＲ⁶のいずれも炭素数４以下のアルキル基であり、好ましくはメチル基である。

シロキサン単位（Ｂ）がシロキサン単位（Ｂ−１）とシロキサン単位（Ｂ−２）とを含む場合、全シロキサン単位（Ｂ）に対するシロキサン単位（Ｂ−１）の割合である［シロキサン単位（Ｂ−１）］／［シロキサン単位（Ｂ−１）＋シロキサン単位（Ｂ−２）］は特に制限されないが、硬化性オルガノポリシロキサン間での硬化がより進行し、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制されると共に、第２シリコーン樹脂層３２の第１シリコーン樹脂層１４に対する密着性および剥離性がより優れる点で、３０〜８０モル％が好ましく、４０〜６０モル％がより好ましい。

なお、硬化性オルガノポリシロキサンは、上述したシロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）以外の他のシロキサン単位（例えば、Ｍ単位、Ｔ単位、Ｑ単位）を含んでいてもよい。しかし、分岐を有する単位（Ｔ単位やＱ単位）が多く存在すると硬化物（シリコーン樹脂）の柔軟性が低下し、Ｍ単位が多く存在すると数平均分子量の低い重合体となり耐熱性等の物性が低下するおそれがある。したがって、それらの数は少ない方が好ましく、後述のようにＤ単位（シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ））以外の単位の含有量は、０〜２０モル％が好ましく、０〜５モル％がより好ましい。

硬化性オルガノポリシロキサンとしてシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）を含むと柔軟性が高く、第１シリコーン樹脂層１４に対する第２シリコーン樹脂層３２の密着性が良好である。さらに、硬化性が向上し、高温処理条件下における硬化物（シリコーン樹脂）の分解がより抑制される。

硬化性オルガノポリシロキサン中におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の合計に対するシロキサン単位（Ａ）の割合は、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制されると共に、第２シリコーン樹脂層３２の第１シリコーン樹脂層１４に対する密着性および剥離性がより優れる点で、１０〜９０モル％が好ましく、３０〜９０モル％がより好ましく、４０〜６０モル％がさらに好ましい。
また、硬化性オルガノポリシロキサン中の全シロキサン単位に対するシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の合計の割合は、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制されると共に、第２シリコーン樹脂層３２の第１シリコーン樹脂層１４に対する密着性および剥離性がより優れる点で、８０〜１００モル％が好ましく、９５〜１００モル％がより好ましい。
さらに、硬化性オルガノポリシロキサン中におけるシロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）の結合形式は特に制限されず、例えば、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。なかでも、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、交互共重合体が好ましい。
本発明において、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の交互共重合体とはシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の結合が、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ａ）の結合およびシロキサン単位（Ｂ）とシロキサン単位（Ｂ）の結合の合計よりもはるかに多い共重合体を意味する。これら３種の結合は、例えば¹Ｈ ＮＭＲ測定および²⁹Ｓｉ ＮＭＲ測定により区別することができ、その測定によりそれら結合の相対的な数の割合を計算できる。本発明におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の交互共重合体は、少数のランダム結合部分やブロック結合部分を含んでいてもよい。交互共重合体におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の結合の割合は、上記３種の結合の合計に対して、８０〜１００モル％が好ましく、９０〜１００モル％がより好ましく、９５〜１００モル％がさらに好ましい。なお、交互共重合体であるか否かを区別するものではないが、本発明における硬化性オルガノポリシロキサンが交互共重合体の場合、その交互共重合体におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の合計に対するシロキサン単位（Ａ）の割合は５０±５モル％が好ましい。
なお、本発明における交互共重合体は、１種のシリコーン樹脂であってもよく、また２種以上のシリコーン樹脂を混合してシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）の結合の割合が上記の好ましい割合となるように調整して得てもよい。

硬化性オルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定による、ポリスチレン換算の数平均分子量は５，０００〜３０,０００が好ましく、５,０００〜１５,０００がより好ましい。
硬化性オルガノポリシロキサンの数平均分子量の調節は、反応条件を制御することにより行うことができる。例えば、末端基量や種類、またモノマー混合比率を変えることによって分子量を制御することができる。末端基量を多くすると低分子量物が得られ、量を少なくすると高分子量が得られる。また、モノマー比率を偏らせると低分子量物が得られ、比率を等しくすると高分子量物が得られる。

上述した式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）および式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む硬化性オルガノポリシロキサンの製造方法は、特に制限されない。例えば、式（３）で表されるシラン化合物および式（４）で表されるシラン化合物を縮合反応や加水分解・縮合反応で重合させて、製造することができる。さらに他のシロキサン単位を有する硬化性オルガノポリシロキサンは、シラノール基や加水分解性基を１個以上有するシラン化合物を使用して製造することができる。重合反応は通常不活性溶媒中で行われ、無触媒下、加熱のみで反応させることできる。必要により、反応触媒を使用することもできる。
上記硬化性オルガノポリシロキサンの製造方法は基本的に公知であり、例えば、日本国特開平９−５９３８７号公報、日本国特開２００８−２８０４０２号公報に記載されている。本発明における硬化性オルガノポリシロキサンやその製造方法は、このような公知文献記載のものを使用できる。

式（３）および式（４）中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、式（１）および式（２）中のＲ¹〜Ｒ⁶と同義である。
式（３）中、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に、水酸基または加水分解性基（例えば、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの１〜３級のアミノ基、ハロゲン基、アルコキシ基等）を表す。

交互共重合体は反応性が異なる２種の単量体を重合させることにより得ることができる。例えば、シロキサン単位（Ａ）となる上記式（３）で表されるシラン化合物の重合反応性基であるＸとシロキサン単位（Ｂ）となる上記式（４）で表されるシラン化合物の重合反応性基であるＹの相互の反応性が、Ｘ同士の反応性とＹ同士の反応性のいずれよりも高くなるものを選択して、上記２種のシラン化合物の実質的に等モル量を反応させることにより、交互共重合体を製造することができる。ＸとＹの反応性が、Ｘ同士の反応性とＹ同士の反応性のいずれよりもより高いものとすることにより、ランダム結合部分やブロック結合部分のより少ない交互共重合体が得られる。
交互共重合体を製造する場合、ＸとＹの一方が水酸基であり、他方がアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの１〜３級のアミノ基であることが好ましい。特に、一方が水酸基で他方がジアルキルアミノ基であることが好ましく、Ｘが水酸基でＹがジアルキルアミノ基であることがより好ましい。なお、モノアルキルアミノ基やジアルキルアミノ基におけるアルキル基は炭素数４以下のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
オルガノポリシロキサンの交互共重合体やその製造方法は基本的に公知であり、例えば、Macromolecules 1998, 31, 8501またはJournal of Applied Polymer Science, Vol.106, 1007, 2007）にオルガノポリシロキサンの交互共重合体やその製造方法が記載されている。本発明における交互共重合体やその製造方法はこれら公知文献に記載のものを使用することができる。
具体的な製造方法としては、例えば、上記式（３）で表されるシラン化合物（Ｘが水酸基であるもの）の有機溶媒溶液と上記式（４）で表されるシラン化合物（Ｙがジメチルアミノ基であるもの）の有機溶媒溶液を両シラン化合物が等モル量となる割合で混合し加熱撹拌しながら反応させる方法、一方の有機溶媒溶液に加熱撹拌下に他方の有機溶媒溶液を分割してまたは連続的に添加しながら反応させる方法などで交互共重合体を製造することができる。

硬化性オルガノポリシロキサンは所定の硬化反応を介して、硬化し、シリコーン樹脂である硬化物となる。硬化（架橋）の形式は特に制限されず、硬化性オルガノポリシロキサン中に含まれる硬化性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、シラノール基の縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。
より具体的には、硬化性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物（シリコーン樹脂）となる。
また、硬化性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、硬化性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはケイ素原子に結合した水素原子を有する場合、ヒドロシリル化触媒（例えば、白金系触媒）の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。
上記硬化形式のなかでも、反応による副生成物の発生が抑制され、より緻密で耐熱性に優れたシリコーン樹脂が得られる点で、ラジカル反応を介した形式が好ましい。
なお、硬化反応に際しては、２種以上の式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）および式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む硬化性オルガノポリシロキサンを併用してもよく、また、式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）および式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む硬化性オルガノポリシロキサン以外の他の硬化性オルガノポリシロキサンを併用してもよい。
なお、以下、硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて硬化物であるシリコーン樹脂を形成することを単に硬化性オルガノポリシロキサンの硬化という。

（第２シリコーン樹脂層３２の製造方法）
第２シリコーン樹脂層３２の製造方法は特に制限されないが、上述したように、硬化性オルガノポリシロキサンを支持ガラス板３０表面で硬化させると、硬化反応時の支持ガラス板３０表面との相互作用により接着し、第２シリコーン樹脂層３２と支持ガラス板３０表面との剥離強度は高くなると考えられる。
以下、硬化性オルガノポリシロキサンの層を支持ガラス板３０の表面に形成し、支持ガラス板３０表面上で硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて第２シリコーン樹脂層３２を形成する工程の手順について詳述する。

本工程では、硬化性オルガノポリシロキサンの層を支持ガラス板３０の表面に形成し、支持ガラス板３０表面上で硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて第２シリコーン樹脂層３２を形成する。
支持ガラス板３０上に硬化性オルガノポリシロキサンの層を形成するためには、硬化性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持ガラス板３０上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して硬化性オルガノポリシロキサンの層とすることが好ましい。組成物中における硬化性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、硬化性オルガノポリシロキサンの層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で硬化性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム等を例示することができる。

支持ガラス板３０表面上に硬化性オルガノポリシロキサンを含む組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。

次いで、支持ガラス板３０上の硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させて、第２シリコーン樹脂層３２を形成する。
硬化の方法は、上述したように、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化形式（架橋形式）に応じて適宜最適な方法が選択される。なかでも、硬化性オルガノポリシロキサンがラジカル重合性基を有する場合、第１シリコーン樹脂層１４に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化により第２シリコーン樹脂層３２を製造することが好ましい。以下、熱硬化の態様について詳述する。

硬化性オルガノポリシロキサンを熱硬化させる温度条件は、第２シリコーン樹脂層３２の耐熱性を向上し、第２シリコーン樹脂層３２と積層後の剥離強度を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、３００〜４７５℃が好ましく、３５０〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。
なお、硬化性オルガノポリシロキサンはプレキュア（予備硬化）を行った後硬化（本硬化）を行って硬化させることが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れた第２シリコーン樹脂層３２を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して硬化性オルガノポリシロキサンの層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。溶媒の除去は１００℃以上に加熱して行うことが好ましく、１５０℃以上に加熱することにより引き続きプレキュアを行うことができる。溶媒の除去とプレキュアを行う温度および加熱時間は、１００〜４２０℃、５〜６０分が好ましく、１５０〜３００℃、１０〜３０分がより好ましい。４２０℃以下であると剥離容易な第２シリコーン樹脂層３２が得られる。

［部材付きガラス基板およびその製造方法］
本発明においては、上述したガラス積層体（ガラス積層体１０、ガラス積層体１００、または、ガラス積層体２００）を用いて、電子デバイスを製造することができる。
以下では、上述したガラス積層体１０を用いた態様について詳述する。
ガラス積層体１０を用いることにより、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板（電子デバイス用部材付きガラス基板）が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体１０中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２２を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２４を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２２について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２２は、ガラス積層体１０中のガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２２としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２４の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に、電子デバイス用部材２２を形成する。
なお、電子デバイス用部材２２は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基材１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１０のガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

（分離工程）
分離工程は、図２（Ｄ）に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２４から、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２２が積層したガラス基板１６（部材付きガラス基板）と、シリコーン樹脂層１４および支持基材１２とに分離して、電子デバイス用部材２２およびガラス基板１６を含む部材付きガラス基板２６を得る工程である。
剥離時のガラス基板１６上の電子デバイス用部材２２が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１６上に形成することもできる。

部材付きガラス基板２６と樹脂層付き支持基材１８とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２４の支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２２側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２２側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基材が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−シリコーン樹脂層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面全面に広がり、樹脂層付き支持基材１８を容易に剥離することができる。
また、樹脂層付き支持基材１８は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体１０を製造することができる。
なお、部材付きガラス基板２６と樹脂層付き支持基材１８とを剥離する際には、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に剥離助剤を吹き付けながら剥離することが好ましい。剥離助剤とは、上述した水などの溶媒を意図する。使用される剥離助剤としては、水や有機溶媒（例えば、エタノール）などまたはそれらの混合物などが挙げられる。

なお、電子デバイス用部材付き積層体２４から部材付きガラス基板２６を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１４の欠片が部材付きガラス基板２６に静電吸着することをより抑制することができる。

上述した部材付きガラス基板２６の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

上記方法で製造された部材付きガラス基板２６としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

上記においては、ガラス積層体１０を用いた態様について詳述したが、ガラス積層体１００またはガラス積層体２００を用いて上記と同様手順に従って電子デバイスを製造することもできる。
なお、ガラス積層体１００を使用した場合は、上記分離工程の際に、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面を剥離面として、支持基材１２と、シリコーン樹脂層１４、ガラス基板１６、および、電子デバイス用部材２２を含む電子デバイスとに分離される。
なお、またはガラス積層体２００を使用した場合は、上記分離工程の際に、積層支持基材１２０と第１シリコーン樹脂層１４との界面を剥離面として、積層支持基材１２０と、第１シリコーン樹脂層１４、ガラス基板１６、および、電子デバイス用部材２２を含む電子デバイスとに分離される。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

（合成例１：ゾルゲルＡの合成）
硝酸（６１％）０．０９ｇ、変性エタノール solmix AP-11（日本アルコール販売株式会社）８１．７８ｇ、および、純水１１．８５ｇの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン７．２０ｇをゆっくり加えた後、さらに１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン０．４０ｇを１時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を１０〜２０℃に保ちながら３時間撹拌し、所望の混合液（ゾルゲルＡ）を得た。
得られた混合液中には、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物（部分縮重合物）が含まれていた。なお、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比（１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンのモル量／テトラエトキシシランのモル量）は、５：９５であった。

（合成例２：ゾルゲルＢの合成）
硝酸（６１％）０．０９ｇ、変性エタノール solmix AP-11（日本アルコール販売株式会社）８１．７８ｇ、および、純水１１．８５ｇの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン２．６０ｇをゆっくり加えた後、さらに１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン１．３０ｇを１時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を１０〜２０℃に保ちながら３時間撹拌し、所望の混合液（ゾルゲルＢ）を得た。
得られた混合液中には、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物（部分縮重合物）が含まれていた。なお、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比（１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンのモル量／テトラエトキシシランのモル量）は、３３：６７であった。

（合成例３：ゾルゲルＣの合成）
硝酸（６１％）０．０９ｇ、変性エタノール solmix AP-11（日本アルコール販売株式会社）８１．７８ｇ、および、純水１１．８５ｇの混合物を室温で撹拌しながらテトラエトキシシラン３．１０ｇをゆっくり加えた後、さらに１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン２．４０ｇを１時間かけて滴下した。得られた混合液を、温度を１０〜２０℃に保ちながら３時間撹拌、所望の混合液（ゾルゲルＣ）を得た。
得られた混合液中には、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの加水分解縮合物（部分縮重合物）が含まれていた。なお、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンとテトラエトキシシランとの混合モル比（１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルシロキサンのモル量／テトラエトキシシランのモル量）は、４３：５７であった。

（合成例４：硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）を含む液状物の製造）
窒素雰囲気中、１，４−ビス（ヒドロキシジメチルシリル）ベンゼン（３５質量部、ゲレスト社製）を、トルエン（９０質量部）に加えた。次に、反応溶液を１１０℃に加熱して、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（１１質量部、ゲレスト社製）およびビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン（１２質量部、ゲレスト社製）を溶解させたトルエン（４０質量部）溶液を約５分かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を１１０℃で１時間攪拌した。攪拌終了後、反応溶液を室温まで自然冷却し、反応溶液をメタノール（３２５０質量部）中に加えて再沈殿処理を行った。次に、沈殿物を回収し、真空乾燥することにより、無色透明で液体状の硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）を得た。
得られた硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による数平均分子量（ポリスチレン換算）が、１．２×１０⁴であった。また、熱重量分析装置（ティー・エイ・インスツルメント社製）を用いて、昇温速度１５℃／分、窒素雰囲気下（１００ｍｌ／分）で室温〜７００℃まで昇温することにより、硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）の５％重量減少温度を測定したところ、５３５℃であった。

次に、硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）（３０質量部）をキシレン（７０質量部）に溶解させて硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）を含む液状物を作製した。

（実施例１）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）を支持基材として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、上記で製造したゾルゲルＡを、支持基材の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１５ｇ／ｍ^２）。さらに、３５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ０．２μｍのシリコーン樹脂層を形成し、支持体Ａを得た。

次に、支持体Ａのシリコーン樹脂層の剥離性表面と、該シリコーン樹脂層と同じサイズで厚さ０．２ｍｍのガラス基板（「ＡＮ１００」。旭硝子株式会社製）の第１主面とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体Ｓ１を得た。
なお、得られたガラス積層体Ｓ１は上述した図１のガラス積層体１０に該当し、ガラス積層体Ｓ１においては、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度（ｙ）よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体Ｓ１を用いた、以下の測定を実施した。以下の評価結果は、後述する表１にまとめて示す。

［剥離性評価］
ガラス積層体Ｓ１から５０ｍｍ角のサンプルを切り出し、このサンプルを４５０℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、６０分の放置後、取り出した。次いで、ガラス積層体Ｓ１のガラス基板の第２主面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体Ｓ１の１つのコーナー部のガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、上記ガラス基板の第１主面と上記シリコーン樹脂層の剥離性表面との間に剥離のきっかけを与えた。そして、ガラス積層体Ｓ１の支持基材の第２主面を９０ｍｍピッチで複数の真空吸着パッドで吸着した上で、上記コーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させることにより、ガラス基板の第１主面とシリコーン樹脂層の剥離性表面とを剥離した。ガラス積層体Ｓ１がガラス基板の割れやシリコーン樹脂層の破壊なく剥離できたかを評価した。また、この処理を行った時の引き上げ最大強度をＮ／２５ｍｍ単位で測定した。
なお、実用上、剥離強度としては、１０Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましい。

［耐熱性評価］
ガラス積層体Ｓ１から５０ｍｍ角のサンプルを切り出し、このサンプルを４５０℃に加熱した熱風オーブン内に載置し、６０分の放置後、取り出してサンプル内に発泡現象が確認されたかどうか評価した。

［平坦性評価］
ガラス積層体Ｓ１の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、ガラス基板の表面における任意に選択された５点における算術平均粗さＲａの平均値をそれぞれ求めた。算術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に規定されている算術平均粗さＲａのことであり、原子間力顕微鏡によって各点における５μｍ×５μｍの測定領域を測定することによって求めた。

［膜厚測定］
シリコーン樹脂層の一部を削り、公知の触針式の表面形状測定装置を用いてシリコーン樹脂層の段差を測定する事でシリコーン樹脂層の膜厚を確認した。

（実施例２）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）をガラス基板として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、ゾルゲルＡを、ガラス基板の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１５ｇ／ｍ^２）。さらに、３５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ０．２μｍのシリコーン樹脂層を形成し、ガラス基板Ｂを得た。

次に、ガラス基板Ｂのシリコーン樹脂層の剥離性表面と、該シリコーン樹脂層と同じサイズで厚さ０．５ｍｍの支持基材（「ＡＮ１００」。旭硝子株式会社製）の第１主面とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体Ｓ２を得た。
なお、得られたガラス積層体Ｓ２は図３に示すガラス積層体１００に該当し、ガラス積層体Ｓ２においては、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｚ）が、シリコーン樹脂層と支持基材の界面の剥離強度（ｗ）よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体Ｓ２を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、ガラス積層体Ｓ２を用いた［剥離性評価］においては、支持基材とシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、［平坦性評価］においては、ガラス積層体Ｓ２の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、支持基材の表面の表面粗さを測定した。

（実施例３）
ゾルゲルＡを、支持基材の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１５０ｇ／ｍ^２）以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｓ３を製造した。
なお、形成されるシリコーン樹脂層の厚さは２．０μｍであった。
なお、得られたガラス積層体Ｓ３は上述した図１のガラス積層体１０に該当し、ガラス積層体Ｓ１においては、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度（ｙ）よりも高かった。
次に、得られたガラス積層体Ｓ３を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、ガラス積層体Ｓ３を用いた［剥離性評価］においては、ガラス基板とシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、［平坦性評価］においては、ガラス積層体Ｓ３の積層面である、シリコーン樹脂層の表面、および、ガラス基板の表面の表面粗さを測定した。

（実施例４）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）を支持基材として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、上記で製造した硬化性オルガノポリシロキサン（Ｓ１）を、支持基材の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１２０ｇ／ｍ^２）。さらに、３５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ６μｍの樹脂層Ｘ（第２シリコーン樹脂層に該当）を形成し、支持体Ｃを得た。

次に、縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）をガラス基板として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、ゾルゲルＡを、ガラス基板の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１５ｇ／ｍ^２）。さらに、３５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ０．２μｍのシリコーン樹脂層（第１シリコーン樹脂層に該当）を形成し、ガラス基板Ｃを得た。
支持体Ｃ中の樹脂層Ｘと、ガラス基板Ｃ中のシリコーン樹脂層とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体Ｓ４を得た。
なお、得られたガラス積層体Ｓ４は図４に示すガラス積層体２００に該当し、ガラス積層体Ｓ４においては、樹脂層Ｘとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度（ｗ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度（ｚ）、および、樹脂層Ｘと支持基材（支持ガラス板）との界面の剥離強度（ｖ）よりも低かった。
次に、得られたガラス積層体Ｓ４を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、ガラス積層体Ｓ４を用いた［剥離性評価］においては、樹脂層Ｘとシリコーン樹脂層との間にステンレス製刃物を差し込み、剥離のきっかけを与えた。また、［平坦性評価］においては、ガラス積層体Ｓ４の積層面である、樹脂層の表面、および、シリコーン樹脂層の表面の表面粗さを測定した。

（実施例５）
ゾルゲルＡの代わりにゾルゲルＢを用いた以外は、実施例４と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｓ５を得た。
得られたガラス積層体Ｓ５を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体Ｓ５は図４に示すガラス積層体２００に該当し、ガラス積層体Ｓ５においては、樹脂層Ｘとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度（ｗ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度（ｚ）、および、樹脂層Ｘと支持基材（支持ガラス板）との界面の剥離強度（ｖ）よりも低かった。

（実施例６）
ゾルゲルＡの代わりにゾルゲルＣを用いた以外は、実施例４と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｓ６を得た。
得られたガラス積層体Ｓ６を用いた、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体Ｓ６は図４に示すガラス積層体２００に該当し、ガラス積層体Ｓ６においては、樹脂層Ｘとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度（ｗ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度（ｚ）、および、樹脂層Ｘと支持基材（支持ガラス板）との界面の剥離強度（ｖ）よりも低かった。

（実施例７）
ゾルゲルＡを、支持基材の清浄化処理を施した面（第１主面）上に縦２７８ｍｍ、横２７８ｍｍの大きさで、スピンコーターにて塗工した（塗工量１５０ｇ／ｍ^２）以外は実施例４と同様にして、厚さ２．０μｍのシリコーン樹脂層（第１シリコーン樹脂層に該当）を形成し、ガラス基板Ｃを得た。
支持体Ｃ中の樹脂層Ｘと、ガラス基板Ｃ中のシリコーン樹脂層とを対向させて、室温下、大気圧下、積層装置にて両基板の重心が重なるように両基板を重ね合わせ、ガラス積層体Ｓ７を得た。
得られたガラス積層体Ｓ７を用いた、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。
なお、得られたガラス積層体Ｓ７は図４に示すガラス積層体２００に該当し、ガラス積層体Ｓ７においては、樹脂層Ｘとシリコーン樹脂層との界面の剥離強度（ｗ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板との界面の剥離強度（ｚ）、および、樹脂層Ｘと支持基材（支持ガラス板）との界面の剥離強度（ｖ）よりも低かった。

（比較例１）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）を支持基材として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。
次に、支持基材の清浄化処理を施した面（第１主面）と、支持基材と同じサイズで厚さ０．２ｍｍのガラス基板（「ＡＮ１００」。旭硝子株式会社製）の第１主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体Ｃ１を得た。
得られたガラス積層体Ｃ１を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。

（比較例２）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）を支持基材として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、ヘキサメチルジシラザン（関東化学株式会社製、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン）が気化したガスを含む雰囲気に上記支持基材を曝して表面処理を行った。
次に、支持基材の表面処理を施した面と、支持基材と同じサイズで厚さ０．２ｍｍのガラス基板（「ＡＮ１００」。旭硝子株式会社製）の第１主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体Ｃ２を得た。
得られたガラス積層体Ｃ２を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。

（比較例３）
初めに縦３５０ｍｍ、横３００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^−７／℃の無アルカリガラス板（旭硝子株式会社製 「ＡＮ１００」）を支持基材として用意し、純水洗浄、ＵＶ洗浄して表面を清浄化した。次に、ジメチルポリシロキサン（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ２００）をヘプタンで希釈した溶液を、スピンコータ（ミカサ社製、ＭＳ−Ａ１００）を用いて上記支持基材の第一主面に塗布した。次いで、ホットプレートを用いて、大気中５００℃の温度で５分間加熱処理した。このようにして、支持基材の第一主面にシリコーンオイルを焼き付ける表面処理を行った。
次に、表面処理を施した支持基材の第１主面と、支持基材と同じサイズで厚さ０．２ｍｍのガラス基板（「ＡＮ１００」。旭硝子株式会社製）の第１主面とを対向させ、室温下、大気圧下、積層装置にて支持基材とガラス基板との重心が重なるように両者を重ね合わせ、ガラス積層体Ｃ３を得た。
得られたガラス積層体Ｃ３を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。

（比較例４）
ジメチルポリシロキサン（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ２００）をヘプタンで希釈せずに、スピンコータ（ミカサ社製、ＭＳ−Ａ１００）を用いて上記支持基材の第一主面に塗布した以外は、比較例３と同様の手順により、ガラス積層体Ｃ４を得た。
得られたガラス積層体Ｃ４を用いて、上記各種測定を実施した。評価結果は、後述する表１にまとめて示す。

表１中、「ガラス積層体の構成」欄において、実施例および比較例で使用したガラス積層体の構成層が示され、各層間に示される「//」は、積層面を意図し、剥離性評価において剥離が生じる位置を意図する。
また、「積層面のＲａの値」は、「ガラス積層体の構成」欄の「//」の左右に位置する層の表面粗さＲａをそれぞれ意図する。例えば、実施例１においてガラス積層体の構成は「ガラス基板//第１シリコーン樹脂層/支持基材」であり、「//」の左側にある「ガラス基板」の第１シリコーン樹脂層側の表面のＲａが０．８ｎｍであり、「//」の右側にある「第１シリコーン樹脂層」のガラス基板側の表面のＲａが１０ｎｍであることを示す。他の実施例および比較例も同様に解釈する。
また、「シリコーン樹脂層の膜厚」は、第１シリコーン樹脂層の厚みを意図する。なお、実施例３〜５においては、「シリコーン樹脂層の膜厚」欄に左側に第１シリコーン樹脂層の厚みを、右側に第２シリコーン樹脂層の厚みを示す。さらに、比較例２〜４においては、ＨＭＤＳまたはＳＨ２００の層の厚みを示す。
さらに、「判定」欄においては、剥離強度の値が１０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、発泡がない場合を「○」、いずれか一方または両方を満たさない場合を「×」とする。

表１に示すように、所定の第１シリコーン樹脂層を含むガラス積層体においては、剥離強度が低く、かつ、シリコーン樹脂層の発泡も抑制された。例えば、実施例３または７に示すように、シリコーン樹脂層（第１シリコーン樹脂層）の厚みが厚い場合でも発泡は生じなかった。
一方、所定の要件を満たさない比較例１〜４においては、所望の効果が得られなかった。例えば、比較例１においては、ガラス基板を剥離することができなかった。また、比較例２および３では、実施例１〜７と比べて剥離強度が高く、剥離性が劣った。
さらに、実施例４〜７で示したガラス積層体は、積層面の表面粗さ（Ｒａ）が大きい場合であっても、良好に積層が可能だった。

＜実施例８＞
本例では、実施例１で得たガラス積層体Ｓ１を用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、ガラス積層体Ｓ１におけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体Ｓ１（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

＜実施例９＞
本例では、実施例１で得たガラス積層体Ｓ１を用いてＬＣＤを製造する。
まず、２枚のガラス積層体Ｓ１を準備して、片方のガラス積層体Ｓ１−１におけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜しゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
次に、もう片方のガラス積層体Ｓ１−２を大気雰囲気下、加熱処理する。次に、ガラス積層体Ｓ１におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、ダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成する。次に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングをおこなう。
次に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上記で画素電極が形成されたガラス積層体Ｓ１−１を用いて、２枚のガラス積層体Ｓ１のガラス基板の第２主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを得る。

続いて、ガラス積層体Ｓ１−１の支持基材の第２主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体Ｓ１−２のコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第１主面と樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。そして、ガラス積層体Ｓ１−２の支持基材の第２主面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上に、ガラス積層体Ｓ１−１の支持基材が付いたＬＣＤの空セルのみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。

次に、第１主面にカラーフィルタが形成されたガラス基板の第２主面を定盤に真空吸着させ、ガラス積層体Ｓ１−１のコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板の第１主面と樹脂層の剥離性表面との剥離のきっかけを与える。そして、ガラス積層体Ｓ１−１の支持基材の第２主面を真空吸着パッドで吸着した上で、ガラス基板と樹脂層との間に水を吹き付けながら、吸着パッドを上昇させる。その結果、定盤上にＬＣＤセルのみを残し、樹脂層が固定された支持基材を剥離することができる。こうして、厚さ０．１ｍｍのガラス基板で構成される複数のＬＣＤのセルが得られる。

続いて、切断する工程により、複数のＬＣＤのセルに分断する。完成された各々のＬＣＤセルに偏光板を貼付する工程を実施し、続いてモジュール形成工程を実施してＬＣＤを得る。こうして得られるＬＣＤは、特性上問題は生じない。

＜実施例１０＞
本例では、実施例１で得たガラス積層体Ｓ１を用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、ガラス積層体Ｓ１におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第２主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してゲート絶縁膜を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウムガリウム亜鉛を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより酸化物半導体層を形成する。次に、スパッタリング法により、ガラス基板の第２主面側にさらに酸化アルミニウムを成膜してチャネル保護層を形成し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する。
次に、大気中で加熱処理を行う。次に、ガラス基板の第２主面側にさらにスパッタリング法により酸化アルミニウムを成膜してパッシベーション層を形成し、続いてスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜してフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成する。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体Ｓ１（以下、パネルＢという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体（支持基材付き表示装置用パネル）である。
続いて、パネルＢの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＢのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＢの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

本出願は、２０１３年１２月２７日出願の日本特許出願２０１３−２７３１４７に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１０，１００，２００ ガラス積層体
１２ 支持基材
１４ （第１）シリコーン樹脂層
１６ ガラス基板
１８ 樹脂層付き支持基材
２０ 樹脂層付きガラス基板
２２ 電子デバイス用部材
２４ 電子デバイス用部材付き積層体
２６ 部材付きガラス基板
３０ 支持ガラス板
３２ 第２シリコーン樹脂層

Claims (12)

1. 支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備えるガラス積層体であって、
   前記シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、下記式（Ｄ）で表されるＤ単位と下記式（Ｑ）で表されるＱ単位とを有する縮重合物であり、
   前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度と前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度とが異なる、ガラス積層体：
   

   

   式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
2. 前記縮重合物における前記Ｄ単位と前記前記Ｑ単位のモル比（Ｄ単位／Ｑ単位）が０．０２〜２である、請求項１に記載のガラス積層体。
3. 前記式（Ｄ）におけるＲ^ａおよびＲ^ｂがいずれもメチル基である、請求項１または２に記載のガラス積層体。
4. 前記シリコーン樹脂層の厚みが５〜２０００ｎｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス積層体。
5. 前記縮重合物が、下記式（Ｘ）で表されるケイ素化合物（Ｘ）若しくはその多量体と下記式（Ｙ）で表されるケイ素化合物（Ｙ）若しくはその多量体との混合物、または、前記混合物の部分縮重合物、からなる硬化性化合物が縮重合した縮重合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体：
   

   

   式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表し、Ｒ^ｘおよびＲ^ｙは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を表す。
6. 前記式（Ｘ）におけるＲ^ａおよびＲ^ｂがいずれもメチル基であり、加水分解性基が炭素数４以下のアルコキシ基である、請求項５に記載のガラス積層体。
7. 前記シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも低い、請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス積層体。
8. 前記第１シリコーン樹脂層の前記ガラス基板の層に対する界面の剥離強度が、前記シリコーン樹脂層の前記支持基材の層に対する界面の剥離強度よりも高い、請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス積層体。
9. 前記支持基材の層が支持ガラス板の層と第２シリコーン樹脂層とを有する積層支持基材であり、前記第２シリコーン樹脂層が前記シリコーン樹脂層に接している、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス積層体。
10. 前記第２シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂が、硬化性オルガノポリシロキサンの硬化物からなり、前記硬化性オルガノポリシロキサンが、式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含む、請求項９に記載のガラス積層体：
    

    

    式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す；Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または炭素数３以下のアルケニル基を表す；Ａｒは置換基を有していてもよいフェニレン基を表す；ただし、シロキサン単位（Ｂ）のうちの少なくとも一部は、Ｒ⁵およびＲ⁶の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であるシロキサン単位である。
11. 前記第２シリコーン樹脂層の厚みが、前記シリコーン樹脂層の厚みよりも厚く、かつ５０μｍ以下である、請求項９または１０に記載のガラス積層体。
12. 請求項５〜８のいずれか１項に記載にガラス積層体の製造方法であって、
    ガラス基板および支持基材のいずれか一方の表面上に前記硬化性化合物を塗布し、加熱処理を施して、前記ガラス基板および前記支持基材のいずれか一方の表面上にシリコーン樹脂層を形成する工程と、
    前記シリコーン樹脂層上に前記ガラス基板および前記支持基材のいずれか他方を積層する工程とを備える、ガラス積層体の製造方法。

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