TWI808956B - 積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板、及電子器件之製造方法 - Google Patents

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長尾洋平
照井弘敏
山內優
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Abstract

本發明提供一種耐發泡性優異的積層體，其依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及基板，並且，上述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯、鋁及錫所構成群組中之至少1種金屬元素。

Description

積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板、及電子器件之製造方法
本發明涉及一種積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及電子器件之製造方法。
發明背景 近年，偵測太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)、電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等之接收感測器面板等器件(電子機器)的薄型化、輕量化持續進展，用於該等器件之以玻璃基板為代表的基板亦趨薄板化。然基板強度若因薄板化而不足，則在器件製造步驟中，基板的處置性便會降低。 最近，為了因應上述課題，有文獻提議一種方法係準備一玻璃基板與補強板積層而成之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件用構件後，再將補強板從玻璃基板分離(譬如專利文獻1)。補強板具有支持板及固定於該支持板上之聚矽氧樹脂層，且聚矽氧樹脂層與玻璃基板係可剝離地密貼。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：國際公開第2007/018028號
發明概要 發明欲解決之課題 用於薄膜電晶體等之材料周知有譬如可在600℃以下形成的低溫多晶矽(LTPS)。 使用LTPS作為電子器件用構件(的一部分)時，會對玻璃積層體在譬如惰性氣體環境下施行500~600℃之高溫下的加熱處理。 又，即使在半導體製造步驟中，為了進行金屬配線之退火(燒結)或形成高可靠性的絕緣膜，需進行高溫CVD成膜等，必須有400℃以上之高溫耐性。 本發明人等在準備專利文獻1記載之玻璃積層體並在上述條件下實施加熱處理的結果發現，在玻璃積層體中之聚矽氧樹脂層有產生氣泡的情況。
本發明有鑑於上述實情，以提供一種耐發泡性優異之積層體為課題。本發明課題亦在於提供一種可適用於上述積層體之附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及電子器件之製造方法。
用以解決課題之手段 本發明人等為了解決上述課題而精闢研討的結果發現，藉由以下構成可解決上述課題。
[1]一種積層體，依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及基板，並且，上述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯、鋁及錫所構成群組中之至少1種金屬元素。 [2]如上述[1]記載之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯及錫所構成群組中之至少1種金屬元素。 [3]如上述[1]或[2]記載之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層含有鋯元素。 [4]如上述[1]~[3]中任一項記載之積層體，其中上述聚矽氧樹脂層中之上述金屬元素個別含量為0.02~1.5質量%。 [5]如上述[1]~[4]中任一項記載之積層體，其有多個上述基板隔著上述聚矽氧樹脂層積層於上述支持基材上。 [6]如上述[1]~[5]中任一項記載之積層體，其中上述基板為玻璃基板。[7]如上述[1]~[5]中任一項記載之積層體，其中上述基板為樹脂基板。 [8]如上述[7]記載之積層體，其中上述樹脂基板為聚醯亞胺樹脂基板。 [9]如上述[1]~[5]中任一項記載之積層體，其中上述基板為含有半導體材料之基板。 [10]如上述[9]記載之積層體，其中上述半導體材料為Si、SiC、GaN、氧化鎵或鑽石。 [11]一種附聚矽氧樹脂層之支持基材，依序具備支持基材及聚矽氧樹脂層，並且，上述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯、鋁及錫所構成群組中之至少1種金屬元素。 [12]一種電子器件之製造方法，具備下述步驟： 構件形成步驟，其係於如上述[1]~[10]中任一項記載之積層體的上述基板表面上形成電子器件用構件而製得附電子器件用構件之積層體；及 分離步驟，其係自上述附電子器件用構件之積層體去除包含上述支持基材及上述聚矽氧樹脂層的附聚矽氧樹脂層之支持基材，而製得具有上述基板與上述電子器件用構件的電子器件。 [13]一種附聚矽氧樹脂層之樹脂基板，依序具備樹脂基板及聚矽氧樹脂層，並且，上述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯、鋁及錫所構成群組中之至少1種金屬元素。 [14]一種電子器件之製造方法，具備下述步驟： 積層體形成步驟，其使用如上述[13]記載之附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及支持基材形成積層體； 構件形成步驟，其係於上述積層體之上述樹脂基板表面上形成電子器件用構件，而製得附電子器件用構件之積層體；及 分離步驟，其係自上述附電子器件用構件之積層體去除上述支持基材及上述聚矽氧樹脂層，而製得具有上述樹脂基板與上述電子器件用構件的電子器件。
發明效果 根據本發明可提供一種耐發泡性優異的積層體。 根據本發明，亦可提供一種可適用於上述積層體之附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及電子器件之製造方法。
用以實施發明之形態 以下，參照圖式說明用以實施本發明之形態，惟本發明不受以下實施形態限制，可在不脫離本發明範圍內對以下實施形態施予各種變形及置換。
圖1係本發明之積層體一態樣的玻璃積層體之一實施形態的示意截面圖。 如圖1所示，玻璃積層體10係包含支持基材12及玻璃基板16以及設置在其等間之聚矽氧樹脂層14的積層體。聚矽氧樹脂層14之其一面與支持基材12相接，另一面則與玻璃基板16之第1主面16a相接。 在玻璃積層體10中，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間的剝離強度低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間的剝離強度，於是聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16剝離就會分離成聚矽氧樹脂層14及支持基材12之積層體、和玻璃基板16。換言之，聚矽氧樹脂層14係固定在支持基材12上，玻璃基板16則係可剝離地積層在聚矽氧樹脂層14上。 由支持基材12及聚矽氧樹脂層14構成的2層部分具有補強玻璃基板16的功能。為了製造玻璃積層體10而預先製出之由支持基材12及聚矽氧樹脂層14構成的2層部分稱為附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10可按照後述程序分離成玻璃基板16及附聚矽氧樹脂層之支持基材18。附聚矽氧樹脂層之支持基材18可與新的玻璃基板16積層而作為新的玻璃積層體10再利用。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14之間的剝離強度為剝離強度(x)，當對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之間施加超過剝離強度(x)之剝離方向的應力，即可剝離支持基材12及聚矽氧樹脂層14。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間的剝離強度為剝離強度(y)，當對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間施加超過剝離強度(y)之剝離方向的應力，即可剝離聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16。 在玻璃積層體10中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，對玻璃積層體10施加剝離支持基材12與玻璃基板16之方向的應力，玻璃積層體10便會在聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間剝離而分離成玻璃基板16及附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
剝離強度(x)宜比剝離強度(y)充分夠高。 為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12的附著力，宜在支持基材12上使後述硬化性聚矽氧硬化，形成聚矽氧樹脂層14。以硬化時的接著力可形成以高連結力與支持基材12連結的聚矽氧樹脂層14。 另一方面，慣例上，硬化後之聚矽氧樹脂對玻璃基板16的連結力會低於上述硬化時產生的連結力。因此，藉由在支持基材12上形成聚矽氧樹脂層14，然後於聚矽氧樹脂層14之面積層玻璃基板16，可製造玻璃積層體10。
以下，首先詳述構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)，其後再詳述玻璃積層體之製造方法。
＜支持基材＞ 支持基材12係支持並補強玻璃基板16的構件。 支持基材12譬如可使用玻璃板、塑膠板、金屬板(譬如SUS板)等。通常，支持基材12宜以與玻璃基板16之線膨脹係數差較小的材料形成，且以與玻璃基板16相同材料形成較佳。尤其，支持基材12宜為由與玻璃基板16相同之玻璃材料所構成之玻璃板。
支持基材12之厚度可比玻璃基板16厚，亦可比其薄。從玻璃積層體10之處置性觀點來看，支持基材12之厚度宜比玻璃基板16厚。 支持基材12為玻璃板時，基於易處理、不易破裂等理由，玻璃板厚度宜為0.03mm以上。在剝離玻璃基板時，基於需要不破裂且能適度撓曲之剛性的理由，玻璃板厚度宜為1.0mm以下。
支持基材12與玻璃基板16在25~300℃下之平均線膨脹係數差宜為10×10-7 /℃以下，3×10-7 /℃以下較佳，1×10-7 /℃以下更佳。
＜玻璃基板＞ 玻璃基板16的玻璃種類並無特別限制，不過宜為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃及其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。氧化物系玻璃以利用氧化物換算得氧化矽含量為40~90質量%之玻璃為宜。 較具體而言，玻璃基板16可舉如LCD、OLED等顯示裝置用玻璃基板及電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等接收感測器面板用玻璃基板之由無鹼硼矽酸玻璃構成的玻璃板(旭硝子股份有限公司製商品名「AN100」)。
從薄型化及/或輕量化的觀點來看，玻璃基板16之厚度宜為0.5mm以下，0.4mm以下較佳，0.2mm以下更佳，0.10mm以下尤佳。為0.5mm以下時，可賦予玻璃基板16良好的可撓性。為0.2mm以下時，可將玻璃基板16捲取成卷狀。 從玻璃基板16之易處置觀點來看，玻璃基板16之厚度宜為0.03mm以上。 此外，玻璃基板16之面積(主面面積)並無特別限制，宜為300cm2 以上。
玻璃基板16亦可構成為2層以上，此時，形成各層之材料可為同種材料亦可為異種材料。此時，「玻璃基板16之厚度」意指所有層的合計厚度。
玻璃基板16之製造方法並無特別限制，通常可將玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而製得。這類的成形方法只要為一般方法即可，可舉如浮製玻板法、熔融法、流孔下引法等。
＜聚矽氧樹脂層＞ 聚矽氧樹脂層14能防止玻璃基板16之位置偏移，同時能防止玻璃基板16因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a密貼於玻璃基板16之第1主面16a。
聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16認為係以薄弱的接著力或源自凡得瓦力之連結力連結。 聚矽氧樹脂層14則以強勁的連結力連結於支持基材12表面，提高兩者之密貼性的方法可採用公知方法。譬如如後述，藉由在支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14(較具體而言，使可形成預定聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧(有機聚矽氧烷)在支持基材12上硬化)，可使聚矽氧樹脂層14中之聚矽氧樹脂與支持基材12表面接著而獲得高度的連結力。對支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間施行使強勁的連結力產生之處理(譬如使用耦合劑之處理)，可提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間的連結力。
聚矽氧樹脂層14的厚度無特別限制，不過宜為100μm以下，50μm以下較佳，10μm以下更佳。下限無特別限制，不過多為0.001μm以上。聚矽氧樹脂層14之厚度若在此範圍內，便不易於聚矽氧樹脂層14產生裂痕，而即使於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間夾有氣泡或異物，也能抑制玻璃基板16發生應變缺陷。 上述厚度意指平均厚度，係以接觸式膜厚測定裝置測定5點以上任意位置之聚矽氧樹脂層14的厚度且將該等予以算術平均所得。
聚矽氧樹脂層14之玻璃基板16側表面的表面粗度Ra並無特別限制，從玻璃基板16之積層性及剝離性較為優異的觀點來看，宜為0.1~20nm，且0.1~10nm較佳。 表面粗度Ra之測定方法可遵照JIS B 0601-2001進行，將在任意5處以上之部位測得之Ra予以算術平均所得之值即為上述表面粗度Ra。
(特定元素) 聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯(Zr)、鋁(Al)及錫(Sn)所構成群組中之至少1種金屬元素(以下該等亦統稱為「特定元素」)。 藉由使該等特定元素含於聚矽氧樹脂層中，在惰性氣體環境下之高溫加熱處理(譬如500~600℃)時可抑制聚矽氧樹脂層發生氣泡。亦即，耐發泡性佳。 可獲得上述效果之理由(機制)不明，不過吾等認為其理由有在聚矽氧樹脂層中藉由上述特定元素進行聚合反應、上述特定元素將聚矽氧樹脂層之分解部分予以交聯等。
上述特定元素中，從耐發泡性較為優異的理由來看，聚矽氧樹脂層宜含有選自於由鋯(Zr)及錫(Sn)所構成群組中之至少1種金屬元素，且含鋯(Zr)元素較佳。
從加熱處理後容易從聚矽氧樹脂層分離玻璃基板的理由來看，聚矽氧樹脂層宜含有Zr及Sn。
從耐發泡性較為優異的理由來看，聚矽氧樹脂層中之上述特定元素的個別含量宜為0.02~1.5質量%，0.03~1.0質量%較佳，0.04~0.3質量%更佳，0.06~0.3質量%尤佳。 該含量係令聚矽氧樹脂層質量為100質量%時的上述特定元素所佔比率(單元：質量%)。 該含量並非上述特定元素的「合計含量」，而是上述特定元素的「個別獨自之含量」。
於聚矽氧樹脂層亦可含有上述特定元素以外的其他金屬元素(以下亦僅稱「其他金屬元素」)。
聚矽氧樹脂層中之上述特定元素及上述其他金屬元素的形態可為金屬形態、離子形態、化合物形態及錯合物形態中之任一形態。
聚矽氧樹脂層中之特定元素及上述其他金屬元素的測定方法無特別限制，可採用公知方法，舉例如ICP發光分光分析法(ICP-AES)或ICP質量分析法(ICP-MS)。上述方法使用的裝置可舉如感應耦合型電漿發光分光分析裝置PS3520UVDDII(Hitachi High-Technologies Co.)、感應耦合電漿(三段四極桿(triple quadrupole))質量分析計Agilent8800(Agilent technologies公司)。
作為利用上述方法的具體程序一例，首先測定聚矽氧樹脂層之質量。接著，使用氧燃燒器等使聚矽氧樹脂層氧化、進行二氧化矽化。然後，為了從已氧化之聚矽氧樹脂層去除SiO2 成分，以氫氟酸洗淨已氧化之聚矽氧樹脂層。使所得殘渣溶解於鹽酸後，以上述ICP發光分光分析法(ICP-AES)或ICP質量分析法(ICP-MS)進行預定特定元素及/或其他金屬元素的定量。然後算出特定元素或其他金屬元素相對於預先測得之聚矽氧樹脂層質量的含量。
形成含特定元素之聚矽氧樹脂層的方法無特別限制，可舉如使用後述含有硬化性聚矽氧及含特定元素之金屬化合物的硬化性組成物來形成聚矽氧樹脂層的方法。 將其他金屬元素導入聚矽氧樹脂層之方法與上述特定元素同樣地，可舉如使用後述含有硬化性聚矽氧、含特定元素之金屬化合物及含其他金屬元素之金屬化合物的上述硬化性組成物，來形成聚矽氧樹脂層的方法。 詳細將在後述段落詳述。
(聚矽氧樹脂) 聚矽氧樹脂層14主要由聚矽氧樹脂構成。 一般而言，有機矽烷氧基單元有稱為M單元之1官能有機矽烷氧基單元、稱為D單元之2官能有機矽烷氧基單元、稱為T單元之3官能有機矽烷氧基單元及稱為Q單元之4官能有機矽烷氧基單元。Q單元為不具與矽原子鍵結之有機基(具有與矽原子鍵結之碳原子的有機基)的單元，在本發明中視為有機矽烷氧基單元(含矽鍵單元)。形成M單元、D單元、T單元、Q單元的單體亦分別稱為M單體、D單體、T單體、Q單體。 全有機矽烷氧基單元意指M單元、D單元、T單元及Q單元的合計。M單元、D單元、T單元及Q單元數(莫耳量)的比率可從29 Si-NMR所得的峰值面積比值計算。
在有機矽烷氧基單元中，矽氧烷鍵為2個矽原子隔著1個氧原子鍵結之鍵，由此，矽氧烷鍵中每1個矽原子的氧原子視為1/2個，式中以O1/2 表示。較具體而言，譬如在1個D單元中，其1個矽原子與2個氧原子鍵結，各個氧原子又與其他單元之矽原子鍵結，因此其式為-O1/2 -(R)2 Si-O1/2 -(R表示氫原子或有機基)。由於O1/2 存在2個，故D單元通常表示為(R)2 SiO2/2 (換言之為(R)2 SiO)。 以下說明中，與其他矽原子鍵結之氧原子O* 表示將2個矽原子間鍵結之氧原子，意指以Si-O-Si表示之鍵中的氧原子。因此，O* 在2個有機矽烷氧基單元之矽原子間存在1個。
M單元意指以(R)3 SiO1/2 表示之有機矽烷氧基單元。在此，R表示氫原子或有機基。記載於(R)後的數字(在此為3)意指3個氫原子或有機基與矽原子鍵結。亦即，M單元具有1個矽原子、3個氫原子或有機基及1個氧原子O* 。較具體而言，M單元具有與1個矽原子鍵結之3個氫原子或有機基及與1個矽原子鍵結之氧原子O* 。 D單元意指以(R)2 SiO2/2 (R表示氫原子或有機基)表示之有機矽烷氧基單元。亦即，D單元係具有1個矽原子、2個與該矽原子鍵結之氫原子或有機基及2個與其他矽原子鍵結之氧原子O* 的單元。 T單元意指以RSiO3/2 (R表示氫原子或有機基)表示之有機矽烷氧基單元。亦即，T單元係具有1個矽原子、1個與該矽原子鍵結之氫原子或有機基及3個與其他矽原子鍵結之氧原子O* 的單元。 Q單元意指以SiO2 表示之有機矽烷氧基單元。亦即，Q單元係具有1個矽原子及4個與其他矽原子鍵結之氧原子O* 的單元。 有機基可舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、茬基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；鹵素化烷基(譬如、氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等)等鹵素取代的一價烴基。有機基以碳數1~12(宜為碳數1~10左右)之非取代或鹵素取代之一價烴基為宜。
構成聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂在其結構並無特別限制，在玻璃基板16之積層性及剝離性有更良好之平衡的觀點下，宜含有選自於由以(R)3 SiO1/2 表示之有機矽烷氧基單元(M單元)及以(R)SiO3/2 表示之有機矽烷氧基單元(T單元)所構成群組中之至少1種特定有機矽烷氧基單元。 相對於全有機矽烷氧基單元，上述特定有機矽烷氧基單元的比率宜為60莫耳%以上，且80莫耳%以上較佳。上限無特別限制，多為100莫耳%以下。 M單元及T單元數(莫耳量)的比率可從29 Si-NMR所得峰值面積比值計算。
(硬化性聚矽氧) 聚矽氧樹脂通常係利用硬化處理使可成為該聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧硬化(交聯硬化)而製得。亦即，聚矽氧樹脂相當於硬化性聚矽氧的硬化物。 硬化性聚矽氧依其硬化機制可分成縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子線硬化型聚矽氧，皆可使用。
縮合反應型聚矽氧可適當使用單體之水解性有機矽烷化合物或其混合物(單體混合物)，或是使單體或單體混合物進行部分水解縮合反應而得的部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。亦可為部分水解縮合物與單體之混合物。單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。 使用該縮合反應型聚矽氧進行水解縮合反應(溶膠凝膠反應)可形成聚矽氧樹脂。
上述單體(水解性有機矽烷化合物)通常以(R’-)a Si(-Z)4-a 表示。惟，a為0~3之整數，R’表示氫原子或有機基，Z表示羥基或水解性基。該化學式中，a=3之化合物為M單體，a=2之化合物為D單體，a=1之化合物為T單體，a=0之化合物為Q單體。單體中，通常Z基為水解性基。R’存在2或3個時(a為2或3時)，多個R’可互異。
部分水解縮合物之硬化性聚矽氧可藉由單體之一部分Z基轉換成氧原子O* 之反應製得。單體之Z基為水解性基時，Z基可藉由水解反應轉換成羥基，接著藉由與不同矽原子鍵結之2個羥基間的脫水縮合反應，2個矽原子即會隔著氧原子O* 鍵結。硬化性聚矽氧中殘存有羥基(或未水解之Z基)，在硬化性聚矽氧硬化時，該等羥基或Z基會與上述同樣進行反應而硬化。硬化性聚矽氧之硬化物通常為3維交聯之聚合物(聚矽氧樹脂)。
單體之Z基為水解性基時，該Z基可舉如烷氧基、鹵素原子(譬如氯原子)、醯氧基、異氰酸酯基等。多數情況下，單體會使用Z基為烷氧基的單體，這類單體亦稱烷氧矽烷。 烷氧基與氯原子等其他水解性基相較下為反應性較低的水解性基，使用Z基為烷氧基之單體(烷氧矽烷)製得的硬化性聚矽氧中常存在作為Z基的羥基及未反應烷氧基。
從反應控制及處置的面向來看，上述縮合反應型聚矽氧宜為由水解性有機矽烷化合物製得的部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。部分水解縮合物可使水解性有機矽烷化合物行部分水解縮合而製得。使其部分水解縮合的方法並無特別限制。通常係使水解性有機矽烷化合物在觸媒存在下於溶劑中進行反應來製造。觸媒可舉如酸觸媒及鹼觸媒。於水解反應通常宜使用水。部分水解縮合物宜為於溶劑中使水解性有機矽烷化合物在酸或鹼水溶液存在下進行反應而製得之物。 使用之水解性有機矽烷化合物的理想態樣如上述可列舉烷氧矽烷。亦即，硬化性聚矽氧的理想態樣之一可列舉藉由烷氧矽烷之水解反應及縮合反應而製得的硬化性聚矽氧。 使用烷氧矽烷時，部分水解縮合物的聚合度容易變大，本發明效果即更佳。
加成反應型聚矽氧適宜使用含有主劑及交聯劑且在鉑觸媒等觸媒存在下硬化的硬化性組成物。加成反應型聚矽氧之硬化可藉由加熱處理獲得促進。加成反應型聚矽氧中之主劑以具有與矽原子鍵結之烯基(乙烯基等)的有機聚矽氧烷(亦即有機烯基聚矽氧烷，直鏈狀為宜)為宜，且烯基等會成為交聯點。加成反應型聚矽氧中之交聯劑以具有與矽原子鍵結之氫原子(矽氫基)的有機聚矽氧烷(亦即有機氫聚矽氧烷，直鏈狀為宜)為宜，且矽氫基等會成為交聯點。加成反應型聚矽氧係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而硬化。在源自交聯結構之耐熱性較為優異的觀點下，相對於有機烯基聚矽氧烷之烯基，與有機氫聚矽氧烷之矽原子鍵結的氫原子莫耳比宜為0.5~2。
上述縮合反應型聚矽氧及加成反應型聚矽氧等硬化性聚矽氧之重量平均分子量(Mw)無特別限制，宜為5000~60000，且5000~30000較佳。Mw若為5000以上，在塗佈性觀點即佳；Mw若為60000以下，在對溶劑之溶解性及塗佈性的觀點即佳。
(硬化性組成物) 上述聚矽氧樹脂層14之製造方法無特別限制，可採用公知方法。其中，在聚矽氧樹脂層14之生產性優異的觀點下，聚矽氧樹脂層14之製造方法宜於支持基材12上塗佈含有可成為上述聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧及含特定元素之金屬化合物的硬化性組成物，並因應需求去除溶劑後，形成塗膜，使塗膜中之硬化性聚矽氧硬化而做成聚矽氧樹脂層14。 如上述，硬化性聚矽氧可使用單體之水解性有機矽烷化合物及/或使單體行部分水解縮合反應而製得的部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。硬化性聚矽氧亦可使用有機烯基聚矽氧烷及有機氫聚矽氧烷之混合物。
上述硬化性組成物中所含的含特定元素之金屬化合物只要含有預定的特定元素，其結構便無特別限制，可舉如公知的金屬化合物。本說明書中，所謂的錯合物包含在上述金屬化合物中。 含特定元素之金屬化合物以含特定元素之錯合物為宜。錯合物係以金屬元素之原子或離子為中心，有配位基(原子、原子團、分子或離子)與之鍵結的集合體。 上述錯合物中所含配位基之種類並無特別限制，可舉如選自於由β-二酮、羧酸、烷氧化物及醇所構成群組中之配位基。
β-二酮可舉如乙醯丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、苄醯丙酮等。 羧酸可舉如乙酸、2-乙基己酸、環烷酸、新癸酸等。 烷氧化物可舉如甲氧化物、乙氧化物、正丙氧化物(n-propoxide)、異丙氧化物、正丁氧化物(n-butoxide)等。 醇可舉如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、三級丁醇等。
上述含特定元素之金屬化合物具體上可舉如四乙醯丙酮鋯、三丁氧基乙醯丙酮鋯、二丁氧基二乙醯丙酮鋯、四正丙氧化鋯、四異丙氧化鋯、四正丁氧化鋯等鋯化合物；三乙氧化鋁、三正丙氧化鋁、三異丙氧化鋁、三正丁氧化鋁、乙醯丙酮鋁等鋁化合物；雙(2-乙基己酸)錫、雙(新癸酸)錫、雙(乙醯丙酮)二丁錫、二月桂酸二丁錫等錫化合物等，且不限於該等。
硬化性組成物中之含特定元素的金屬化合物含量無特別限制，宜以上述聚矽氧樹脂層中之特定元素含量能成為適宜範圍的方式進行調整。
如上述，硬化性組成物中亦可含有含其他金屬元素之金屬化合物。 含其他金屬元素之金屬化合物以含有其他金屬元素的錯合物為宜。錯合物之定義與上述相同，錯合物中可含之配位基的理想範圍亦與上述含特定金屬之錯合物的情況相同。
使用加成反應型聚矽氧作為硬化性聚矽氧時，視需求硬化性組成物亦可含有鉑觸媒作為含其他金屬元素之金屬化合物。 鉑觸媒係用以促進及進行上述有機烯基聚矽氧烷中之烯基與上述有機氫聚矽氧烷中之氫原子之矽氫化反應的觸媒。
硬化性組成物中亦可含有溶劑，屆時可藉由調整溶劑濃度來控制塗膜的厚度。其中，從處置性優異且較容易控制聚矽氧樹脂層14之膜厚的觀點來看，相對於組成物總質量，含硬化性聚矽氧之硬化性組成物中的硬化性聚矽氧含量宜為1~80質量%，且1~50質量%較佳。 就溶劑而言，只要是能在作業環境下輕易溶解硬化性聚矽氧且可輕易揮發除去的溶劑即無特別限制。具體上可舉如乙酸丁酯、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。
硬化性組成物亦可含有各種添加劑。譬如亦可含有調平劑。調平劑可舉如MEGAFACE F558、MEGAFACE F560、MEGAFACE F561(皆為DIC股份有限公司製)等氟系調平劑。
＜玻璃積層體及其製造方法＞ 如上述，玻璃積層體10係包含支持基材12及玻璃基板16以及設置在其等間之聚矽氧樹脂層14的積層體。 玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，為了製得剝離強度(x)比剝離強度(y)高的積層體，以在支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之方法為宜。其中又以下列方法為宜：將含有硬化性聚矽氧及含特定元素之金屬化合物的硬化性組成物塗佈於支持基材12表面，並對所得塗膜施行硬化處理製得聚矽氧樹脂層14後，接著於聚矽氧樹脂層14表面積層玻璃基板16來製造玻璃積層體10。 吾等認為使硬化性聚矽氧在支持基材12表面硬化，即可透過硬化反應時與支持基材12表面的相互作用而接著，從而提高聚矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度。因此，即使玻璃基板16與支持基材12係由相同材質構成，亦可使聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度有所差異。 以下，於支持基材12表面形成硬化性聚矽氧層而在支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱作樹脂層形成步驟1，於聚矽氧樹脂層14表面積層玻璃基板16而做成玻璃積層體10之步驟稱作積層步驟1，並針對各步驟程序詳加描述。
(樹脂層形成步驟1) 在樹脂層形成步驟1中，於支持基材12表面形成硬化性聚矽氧層而在支持基材12表面上形成聚矽氧樹脂層14。 首先，將上述硬化性組成物塗佈至支持基材12上以於支持基材12上形成硬化性聚矽氧層。接著宜對硬化性聚矽氧層施行硬化處理以形成硬化層。
將硬化性組成物塗佈至支持基材12表面上之方法並無特別限制，可列舉公知方法。舉例有：噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
接著使支持基材12上之硬化性聚矽氧硬化而形成硬化層。 硬化方法並無特別限制，可按照使用之硬化性聚矽氧種類實施適宜且最佳的處理。譬如，使用縮合反應型聚矽氧及加成反應型聚矽氧時，硬化處理以熱硬化處理為宜。 熱硬化之溫度條件宜為150~550℃，且200~450℃較佳。加熱時間通常宜為10~300分鐘，且20~120分鐘較佳。加熱條件亦可改變溫度條件以階段性實施。
在熱硬化處理中，宜執行預硬化(pre-cure)後進行硬化(正式硬化)。藉由執行預硬化，可製得耐熱性優異的聚矽氧樹脂層14。
(積層步驟1) 積層步驟1係於上述樹脂層形成步驟中所得聚矽氧樹脂層14之表面上積層玻璃基板16，而製得依序具備支持基材12、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之玻璃積層體10的步驟。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法無特別限制，可列舉公知方法。 舉例來說，在常壓環境下於聚矽氧樹脂層14之表面上疊合玻璃基板16的方法。亦可視需求，於聚矽氧樹脂層14表面上疊合玻璃基板16後，使用滾筒或壓機使玻璃基板16壓附於聚矽氧樹脂層14上。利用滾筒或壓機進行壓附，較容易去除混入聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間的氣泡，故為適宜。
利用真空層合法或真空壓製法進行壓附，可抑制氣泡混入且可實現量良好的密貼，故為適宜。在真空下進行壓附，即使殘留有微小氣泡，也具有氣泡不會因加熱而膨脹，不易導致玻璃基板16變形缺陷的優點。
積層玻璃基板16時，宜充分洗淨玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14接觸之表面，在清潔度高的環境下進行積層。清潔度愈高，玻璃基板16的平坦性愈佳，故為適宜。
積層玻璃基板16後，亦可視需求進行預退火(pre-annealing)處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，可提升所積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14的密貼性，做成適當的剝離強度(y)。
上述中雖針對使用玻璃基板作為基板之情況詳加說明，不過基板種類並無特別限制。 譬如，基板可舉如金屬基板、半導體基板、樹脂基板及玻璃基板。基板亦可為由多個同種材料構成的基板，譬如可為由2種不同金屬構成之金屬板。此外，基板亦可為異種材料(譬如選自金屬、半導體、樹脂及玻璃之2種以上材料)的複合體基板，譬如由樹脂及玻璃構成之基板。 金屬板、半導體基板等基板厚度無特別限制，若從薄型化及/或輕量化的觀點來看，宜為0.5mm以下，較宜為0.4mm以下，更宜為0.2mm以下，尤宜為0.10mm以下。厚度下限無特別限制，但宜為0.005mm以上。 基板面積(主面面積)無特別限制，若從電子器件之生產性觀點來看，則宜為300cm2 以上。 基板形狀亦無特別限制，可為矩形亦可為圓形。基板上亦可形成有定向平面(形成於基板外周的平坦部分)或凹口(形成於基板外周緣的一個或一個以上V型缺口)。
＜樹脂基板及使用樹脂基板之積層體的製造方法＞ 上述樹脂基板宜使用能承受在器件製造步驟中之熱處理的耐熱性優異之樹脂基板。 構成樹脂基板之樹脂可舉如聚苯并咪唑樹脂(PBI)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚醚酮樹脂(PEEK)、聚醯胺樹脂(PA)、氟樹脂、環氧樹脂、聚伸苯硫醚樹脂(PPS)等。尤其，從優異的耐熱性、優異的耐藥性、低熱膨脹係數、高機械特性等觀點來看，以聚醯亞胺樹脂所構成之聚醯亞胺樹脂基板為宜。 為了在樹脂基板上形成電子器件之高精細配線等，樹脂基板表面宜平滑。具體上，樹脂基板之表面粗度Ra宜為50nm以下，30nm以下較佳，10nm以下更佳。 從製造步驟中之處置性觀點來看，樹脂基板厚度宜為1μm以上，且10μm以上較佳。從柔軟性觀點來看，則宜為1mm以下，且0.2mm以下較佳。 樹脂基板之熱膨脹係數與電子器件或支持基材之熱膨脹係數差小，較可抑制積層體於加熱後或冷卻後的翹曲情況，故為適宜。具體上，樹脂基板與支持基材之熱膨脹係數差宜為0~90×10-6 /℃，且0~30×10-6 /℃較佳。
使用樹脂基板作為基板時的積層體之製造方法並無特別限制，譬如可以與上述使用玻璃基板時同樣的方法來製造積層體。亦即，可於支持基材上形成聚矽氧樹脂層後於聚矽氧樹脂層上積層樹脂基板來製造積層體。 依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及樹脂基板的積層體以下亦稱樹脂積層體。
作為樹脂積層體的其他製造方法，在樹脂基板表面上形成聚矽氧樹脂層來製造樹脂積層體之方法亦佳。 一般而言，聚矽氧樹脂層對樹脂基板有低密貼性的傾向。因此，即使在樹脂基板表面上形成聚矽氧樹脂層後使所得附聚矽氧樹脂層之樹脂基板與支持基材積層而製得樹脂積層體，支持基材與聚矽氧樹脂層之間的剝離強度(x)也傾向大於聚矽氧樹脂層與樹脂基板之間的剝離強度(y´)。尤其，使用玻璃板作為支持基材時，該傾向更明顯。 亦即，樹脂積層體與玻璃積層體之情況同樣地可分離成樹脂基板及附聚矽氧樹脂層之支持基材。
上述樹脂積層體的其他製造方法主要具有樹脂層形成步驟2及積層步驟2，樹脂層形成步驟2係於樹脂基板表面形成硬化性聚矽氧層後，在樹脂基板表面上形成聚矽氧樹脂層之步驟，積層步驟2係於聚矽氧樹脂層表面積層支持基材而做出樹脂積層體的步驟。 以下針對上述各步驟之程序詳加說明。
(樹脂層形成步驟2) 樹脂層形成步驟2係於樹脂基板表面形成硬化性聚矽氧層後，在樹脂基板表面上形成聚矽氧樹脂層之步驟。藉由本步驟，可製得依序具備樹脂基板及聚矽氧樹脂層的附聚矽氧樹脂層之樹脂基板。 在本步驟中，將上述硬化性組成物塗佈於樹脂基板上以於樹脂基板上形成硬化性聚矽氧層。接著宜對硬化性聚矽氧層施行硬化處理以形成硬化層。 將硬化性組成物塗佈至樹脂基板表面上的方法並無特別限制，可列舉公知方法。舉例有：噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
接著，使樹脂基板上之硬化性聚矽氧硬化而形成硬化層(聚矽氧樹脂層)。 硬化方法並無特別限制，可按照使用之硬化性聚矽氧種類實施適宜且最佳的處理。譬如，使用縮合反應型聚矽氧及加成反應型聚矽氧時，硬化處理以熱硬化處理為宜。 熱硬化處理條件可在樹脂基板之耐熱性範圍內實施，譬如進行熱硬化之溫度條件宜為50~400℃，且100~300℃較佳。加熱時間通常宜為10~300分鐘，且20~120分鐘較佳。 形成之聚矽氧樹脂層的態樣如上述。
(積層步驟2) 積層步驟2係於聚矽氧樹脂層表面積層支持基材而做出樹脂積層體的步驟。亦即，本步驟係使用附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及支持基材來形成樹脂積層體的步驟。 將支持基材積層於聚矽氧樹脂層上之方法並無特別限制，可列舉公知方法，舉例如上述製造玻璃積層體之積層步驟1之說明中所列舉的方法。
積層支持基材後，亦可視需求進行加熱處理。藉由進行加熱處理，可提升所積層之支持基材對聚矽氧樹脂層的密貼性，做成適當的剝離強度(x)。 加熱處理之溫度條件宜為50~400℃，且100~300℃較佳。加熱時間通常宜為1~120分鐘，且5~60分鐘較佳。加熱亦可改變溫度條件以階段性實施。 當會在後述形成電子器件用構件之步驟中將樹脂積層體加熱時，則可省略加熱處理。
若從提升剝離強度(x)、調節剝離強度(x)與剝離強度(y´)之平衡的觀點來看，將支持基材積層至聚矽氧樹脂層上之前，宜對支持基材及聚矽氧樹脂層中之至少一者施行表面處理，且較宜對聚矽氧樹脂層施行表面處理。 表面處理之方法可舉如電暈處理、電漿處理、UV臭氧處理等，其中又以電暈處理為宜。
附聚矽氧樹脂層之樹脂基板可利用在捲成卷狀之樹脂基板表面上形成聚矽氧樹脂層後再次捲成卷狀的所謂卷對卷(Roll to Roll)方式製造，生產效率佳。
於支持基材上形成聚矽氧樹脂層時，將硬化性組成物塗佈於支持基材時，會因所謂的咖啡環(coffee ring)現象而有聚矽氧樹脂層的外周部厚度比中央部厚度更厚的傾向。此時，必須切斷去除配置有聚矽氧樹脂層外周部的支持基材部分，然而當支持基材為玻璃板時，其工夫及成本很大。 另一方面，於樹脂基板上形成聚矽氧樹脂層時，一般而言樹脂基板的處置性及成本優異，因此即使發生如上述的問題，也能較輕易地切除配置有聚矽氧樹脂層外周部的樹脂基板部分。
＜半導體基板及使用半導體基板之積層體的製造方法＞ 上述半導體基板宜為含有半導體材料的基板。半導體材料可舉如Si、SiC、GaN、氧化鎵或鑽石等。Si基板亦稱Si晶片。 為了在半導體基板上形成電子器件之高精細配線等，半導體基板表面宜平滑。具體上，半導體基板之表面粗度Ra宜為50nm以下，30nm以下較佳，10nm以下更佳。 從製造步驟中之處置性觀點來看，半導體基板厚度宜為1μm以上，且10μm以上較佳。從電子器件小型化的觀點來看，宜為1mm以下，且0.2mm以下較佳。 半導體基板之熱膨脹係數與電子器件或支持基材之熱膨脹係數差小，較可抑制積層體於加熱後或冷卻後的翹曲情況，故為適宜。具體上，半導體基板與支持基材之熱膨脹係數差宜為0~90×10-6 /℃，且0~30×10-6 /℃較佳。
使用半導體基板作為基板時的積層體之製造方法並無特別限制，譬如可以與上述使用玻璃基板時同樣的方法來製造積層體。亦即，可於支持基材上形成聚矽氧樹脂層後於聚矽氧樹脂層上積層半導體基板來製造積層體。 依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及半導體基板的積層體以下亦稱半導體積層體。
另，於圖1係圖示1個基板(玻璃基板、樹脂基板或半導體基板)隔著聚矽氧樹脂層積層於支持基材的態樣。但，本發明之積層體不限於此態樣，譬如亦可為多個基板隔著聚矽氧樹脂層積層於支持基材的態樣(以下亦稱「多面黏貼態樣」)。 較詳細而言，多面黏貼態樣係多個基板皆隔著聚矽氧樹脂層與支持基材相接之態樣。即，並非多片基板疊合(多片基板中僅1張基板隔著聚矽氧樹脂層與支持基材相接)之態樣。 在多面黏貼態樣中，譬如於每個基板皆設有多片聚矽氧樹脂層，且多個基板及聚矽氧樹脂層配置在1個支持基材上。不過不限於此，譬如亦可在形成於1個支持基材上之1片聚矽氧樹脂層(譬如與支持基材同尺寸)上配置各基板。
＜積層體用途＞ 本發明之積層體(譬如上述玻璃積層體10)可用在各種用途上，可舉如用於製造後述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓、接收感測器面板等電子零件的用途上。在該用途中，積層體也有可能在大氣環境下曝露在高溫條件(譬如450℃以上)下(譬如20分鐘以上)。 在此，顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、Micro LED顯示器面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)快門顯示器等。 在此，接收感測器面板包含電磁波接收感測器面板、X射線接收感測器面板、紫外線接收感測器面板、可見光線接收感測器面板、紅外線接收感測器面板等。用於該等接收感測器面板之基板亦可經樹脂等補強片等補強。
＜電子器件及其製造方法＞ 在本發明中，使用上述積層體可製造包含基板及電子器件用構件之電子器件(以後亦酌情稱作「附構件之基板」)。 以下詳述使用上述玻璃積層體10之電子器件的製造方法。 電子器件之製造方法並無特別限制，不過從電子器件生產性優異的觀點來看，以下述方法為宜：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體後，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面從所得附電子器件用構件之積層體分離成電子器件(附構件之基板)及附聚矽氧樹脂層之支持基材。 以下，於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子器件用構件而製造附電子器件用構件之積層體的步驟稱作構件形成步驟，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面從附電子器件用構件之積層體分離成附構件之基板及附聚矽氧樹脂層之支持基材的步驟稱作分離步驟。 以下詳述各步驟中使用之材料及程序。
(構件形成步驟) 構件形成步驟係於上述玻璃積層體10中之玻璃基板16上形成電子器件用構件的步驟。較具體而言，如圖2(A)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子器件用構件20而製得附電子器件用構件之積層體22。 首先詳述本步驟中使用之電子器件用構件20，其後再詳述步驟程序。
(電子器件用構件(功能性元件)) 電子器件用構件20係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上用以構成電子器件之至少一部分的構件。較具體而言，電子器件用構件20可舉如顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池或是表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件、用於接收感測器面板等之構件(譬如LTPS等顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路、接收感測器用構件)。
譬如，太陽電池用構件以矽型來說可舉如正極的氧化錫等透明電極、以p層/i層/n層表示之矽層及負極金屬等，其他則可列舉應用在化合物型、色素敏化型、量子點型等的各種構件等。 薄膜2次電池用構件以鋰離子型來說可列舉正極及負極的金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層金屬、作為密封層之樹脂等，其他則可列舉應用在鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等的各種構件等。 電子零件用電路以CCD或CMOS來說可列舉導電部金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，其他則可列舉應用在壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、撓性印刷基板、剛性撓性印刷基板等的各種構件等。
(步驟程序) 上述附電子器件用構件之積層體22的製造方法無特別限制，可因應電子器件用構件之構成構件種類，以既有的公知方法於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上形成電子器件用構件20。 電子器件用構件20無需是最後形成在玻璃基板16之第2主面16b上的所有構件(以下稱「全構件」)，亦可為全構件之一部分(以下稱「部分構件」)。從聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之基板亦可在其後之步驟中製成附全構件之基板(相當於後述之電子器件)。 從聚矽氧樹脂層14剝離之附全構件之基板上亦可在其剝離面(第1主面16a)形成其他的電子器件用構件。此外，亦可使用2片附全構件之積層體進行組裝，其後從附全構件之積層體剝離2片附聚矽氧樹脂層之支持基材，來製造具有2片玻璃基板的附構件之基板。
譬如以製造OLED之情況為例，為了在玻璃積層體10的玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側為相反側的表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL結構體，可進行下列各種層形成或處理：形成透明電極、再於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層・電洞輸送層、發光層、電子輸送層等、形成背面電極、使用密封板予以密封等。該等層形成或處理具體上可舉如成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
譬如在製造TFT-LCD時，具有下列各種步驟：TFT形成步驟，於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上使用譬如LTPS等材料來形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，於其他玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上以抗蝕液用於圖案形成來形成彩色濾光片(CF)；及貼合步驟，將TFT形成步驟中所得附TFT之積層體及CF形成步驟中所得附CF之積層體予以積層等。
譬如在製造Micro LED顯示器時，具有以下步驟：TFT形成步驟，係至少於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上使用譬如LTPS等材料來形成薄膜電晶體(TFT)；及LED安裝步驟，於上述所形成之TFT上安裝LED晶片。又，除此以外亦可實施平坦化、配線形成、密封等步驟。
在TFT形成步驟或CF形成步驟中使用周知的光刻技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，可使用抗蝕液作為圖案形成用塗佈液。 形成TFT或CF之前，亦可視需求將玻璃基板16之第2主面16b予以洗淨。洗淨方法可使用周知的乾式洗淨或濕式洗淨。
在貼合步驟中使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附CF之積層體之彩色濾光片形成面相對向，使用密封劑(譬如單元形成用紫外線硬化型密封劑)予以貼合。其後於以附TFT之積層體及附CF之積層體形成之單元內注入液晶材。注入液晶材之方法譬如有減壓注入法、滴下注入法。
製造電子器件用構件20時，譬如亦可包含在惰性氣體環境下以500~600℃進行加熱之條件。若為本發明之積層體，即使在上述條件下耐發泡性亦佳。
(分離步驟) 分離步驟係如圖2(B)所示，以聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之界面作為剝離面，從上述構件形成步驟所得附電子器件用構件之積層體22分離成積層有電子器件用構件20的玻璃基板16(附構件之基板)及附聚矽氧樹脂層之支持基材18，而製得包含電子器件用構件20及玻璃基板16之附構件之基板(電子器件)24的步驟。 剝離時，玻璃基板16上的電子器件用構件20若為形成所需全構成構件的一部分，則亦可於分離後將剩餘的構成構件形成於玻璃基板16上。
將玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14剝離之方法無特別限制。譬如，可於玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面插入銳利刀狀物，形成剝離起點後，噴吹水與壓縮空氣的混合流體予以剝離。宜以附電子器件用構件之積層體22的支持基材12為上側且電子器件用構件20側為下側的方式設置在定盤上，並將電子器件用構件20側真空吸附於定盤上，在此狀態下首先將刀件使刀件插入玻璃基板16-聚矽氧樹脂層14界面。然後接著以多個真空吸附墊吸附支持基材12側，使真空吸附墊從插入刀件部位的附近順沿著上昇。如此一來，即可對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面或聚矽氧樹脂層14的內聚破壞面形成空氣層，使其空氣層於界面或內聚破壞面全面擴延而輕易地剝離附聚矽氧樹脂層之支持基材18。 附聚矽氧樹脂層之支持基材18與另一個玻璃基板積層即可製造本發明之玻璃積層體10。
從附電子器件用構件之積層體22分離附構件之基板24時，藉由噴吹游離劑或控制濕度，可進一步抑制聚矽氧樹脂層14的碎片靜電吸附至附構件之基板24上。
上述附構件之基板24的製造方法適合用於製造可用在行動電話或PDA等可移動終端機的小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，LCD包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上，被動驅動型及主動驅動型的任一顯示裝置皆可適用。
以上述方法製造之附構件之基板24可舉如具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、具有玻璃基板及接收感測器用構件之接收感測器面板、具有玻璃基板及電子器件用構件之電子零件等。顯示裝置用面板包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。接收感測器面板包含電磁波接收感測器面板、X射線接收感測器面板、紫外線接收感測器面板、可見光線接收感測器面板、紅外線接收感測器面板等。
在上述說明中詳述了使用玻璃積層體10之電子器件的製造方法，而即使使用上述樹脂積層體，亦可藉由相同程序製造電子器件。 較具體而言，電子器件之製造方法的另一態樣可舉如具備下述步驟之態樣：樹脂積層體形成步驟，其使用附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及支持基材形成樹脂積層體；構件形成步驟，其係於樹脂積層體之樹脂基板表面上形成電子器件用構件，而製得附電子器件用構件之積層體；及分離步驟，其係自附電子器件用構件之積層體去除支持基材及聚矽氧樹脂層，而製得具有樹脂基板與電子器件用構件的電子器件。 形成樹脂積層體之步驟可舉如包含上述樹脂層形成步驟2及積層步驟2的步驟。 使用樹脂積層體時的構件形成步驟及分離步驟之程序可列舉與使用玻璃積層體時之構件形成步驟及分離步驟相同的程序。 如上述，由於樹脂基板與聚矽氧樹脂層之密貼性較弱，所以在分離步驟中，在樹脂基板與聚矽氧樹脂層之間比聚矽氧樹脂層與支持基材之間更容易分離。尤其，使用玻璃板作為支持基材時，該傾向更顯著。 又，在上述說明中使用玻璃積層體10的電子器件之製造方法中，即使是用半導體基板來替代玻璃基板所形成的半導體積層體，亦可藉由相同程序製造電子器件。 實施例
以下以實施例等具體說明本發明，惟本發明不受該等例限制。
以下例1~19中，使用無鹼硼矽酸玻璃所構成之玻璃板(線膨脹係數38×10-7 /℃、旭硝子股份有限公司製商品名「AN100」)作為支持基材及基板(玻璃基板)。 以下例20~26中則使用無鹼硼矽酸玻璃所構成之玻璃板(線膨脹係數38×10-7 /℃、旭硝子股份有限公司製商品名「AN100」)作為支持基材，並使用及聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製)作為基板。 例1~13為實施例，例14~16為比較例，例17~18為實施例，例19為比較例，例20~22為實施例，例23~26為比較例，例27為實施例，例28為比較例。
＜例1＞ (調製硬化性聚矽氧1) 於1L燒瓶內加入三乙氧甲基矽烷(179g)、甲苯(300g)、乙酸(5g)，將混合物在25℃下攪拌20分鐘後，進一步加熱至60℃使其反應12小時。將所得反應粗液冷卻至25℃後，以水(300g)將反應粗液洗淨3次。 於洗淨後之反應粗液加入氯三甲基矽烷(70g)，將混合物在25℃下攪拌20分鐘後，進一步加熱至50℃使其反應12小時。將所得反應粗液冷卻至25℃後，以水(300g)將反應粗液洗淨3次。 從洗淨後之反應粗液減壓餾去甲苯做成漿料狀態後，以真空乾燥機進行整夜乾燥而製得白色有機聚矽氧烷化合物之硬化性聚矽氧1。硬化性聚矽氧1的T單元個數：M單元個數=87：13(莫耳比)。
(調製硬化性組成物1) 將硬化性聚矽氧1(50g)、作為金屬化合物之四正丙氧化鋯(「ORGATIX ZA-45」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率21.1%)(0.12g)及作為溶劑之Isoper G(Tonen General Sekiyu K.K製)(75g)混合後將所得混合液以孔徑0.45μm濾器過濾而製得硬化性組成物1。
(製作玻璃積層體) 將所得硬化性組成物1以旋塗法塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在100℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以250℃加熱30分鐘而形成膜厚4μm之聚矽氧樹脂層。 其後將200×200mm且厚0.2mm之玻璃基板置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置進行貼合來製作玻璃積層體。
＜例2＞ 除了將金屬化合物添加量設為0.24g以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例3＞ 除了將金屬化合物添加量設為0.71g以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例4＞ 使用乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)作為溶劑、乙醯丙酮鋁(III)(東京化成工業股份有限公司製、金屬含有率8.3%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為0.6g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例5＞ 使用乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)作為溶劑、乙醯丙酮鋁(III)(東京化成工業股份有限公司製、金屬含有率8.3%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為1.8g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例6＞ 使用雙(2-乙基己酸)錫(II)(「NEOSTANN U-28」、日東化成股份有限公司製、金屬含有率29%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為0.17g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例7＞ 使用雙(2-乙基己酸)錫(II)(「NEOSTANN U-28」、日東化成股份有限公司製、金屬含有率29%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為0.86g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例8＞ 除了使用經以Isper G(Tonen General Sekiyu K.K製)將四正丙氧化鋯(「ORGATIX ZA-45」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率21.1%)10倍稀釋之溶液作為金屬化合物及將其添加量設為0.24g以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例9＞ 除了將金屬化合物添加量設為4.74g以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例10＞ 使用乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)作為溶劑、使用經以乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)將乙醯丙酮鋁(III)(東京化成工業股份有限公司製、金屬含有率8.3%)10倍稀釋之溶液作為金屬化合物及將其添加量設為0.6g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例11＞ 使用乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)作為溶劑、乙醯丙酮鋁(III)(東京化成工業股份有限公司製、金屬含有率8.3%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為12.05g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例12＞ 除了使用經以Isper G(Tonen General Sekiyu K.K製)將雙(2-乙基己酸)錫(II)(「NEOSTANN U-28」、日東化成股份有限公司製、金屬含有率29%)10倍稀釋之溶液作為金屬化合物及將其添加量設為0.17g以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例13＞ 使用雙(2-乙基己酸)錫(II)(「NEOSTANN U-28」、日東化成股份有限公司製、金屬含有率29%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為3.45g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例14＞ 使用鈦酸四正丁酯(「ORGATIX TA-21」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率14.1%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為1.06g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例15＞ 使用乙二醇單丙基醚(東京化成工業股份有限公司製)作為溶劑、使用乙醯丙酮鋅(II)(東京化成工業股份有限公司製、金屬含有率24.8%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為0.6g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例16＞ 使用新癸酸鉍(III)(「新癸酸鉍16%」、日本化學產業股份有限公司製、金屬含有率16%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為0.94g，除此以外以與例1同樣方式製造玻璃積層體。
＜例17＞ 除了使用四正丙氧化鋯(「ORGATIX ZA-45」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率21.1%)(0.24g)及雙(2-乙基己酸)錫(II)(「NEOSTANN U-28」、日東化成股份有限公司製、金屬含有率29%)(0.52g)作為金屬化合物以外，以與例1同樣方式製造玻璃積層體。 針對例17之玻璃積層體，從室溫加熱至550℃後再冷卻至室溫，然後將剃刀刀刃插入聚矽氧樹脂層與玻璃基板之邊界，確認可將玻璃基板分離。
＜例18＞ (合成有機氫矽氧烷) 將1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(5.4g)、四甲基環四矽氧烷(96.2g)及八甲基環四矽氧烷(118.6g)之混合物冷卻至5℃，再一邊攪拌混合液一邊將濃硫酸11.0g緩慢地加入混合液後，以1小時的時間於混合液中滴下水3.3g。將混合液溫度保持在10~20℃並同時攪拌8小時後，於混合液加入甲苯，進行水洗及廢酸分離直到矽氧烷層變中性為止。將變中性之矽氧烷層減壓加熱濃縮，去除甲苯等低沸點餾份而製得下述式(1)中k=40、l=40之有機氫矽氧烷。
[化學式1]
(合成含烯基之矽氧烷) 於1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(3.7g)、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷(41.4g)、八甲基環四矽氧烷(355.9g)加入Si/K=20000/1(mol比)量的氫氧化鉀之矽化物(siliconate)，在氮氣環境下以150℃使其進行6小時平衡化反應。然後添加相對於K(鉀)為2mol量之氯乙醇，使混合液在120℃下中和2小時。然後將所得混合液在160℃且666Pa下進行6小時加熱起泡處理，排除揮發成分而獲得每100g之烯基當量數La=0.9且Mw：26,000的含烯基之矽氧烷。
(調製硬化性聚矽氧2) 將有機氫矽氧烷及含烯基之矽氧烷混合成全烯基及與全矽原子鍵結之氫原子的莫耳比(氫原子/烯基)為0.9而製得硬化性聚矽氧2。 於該硬化性聚矽氧2(100質量份)混合下述式(2)所示具有乙炔系不飽和基之矽化合物(1質量份)，並以鉑元素含量為100ppm的方式加入鉑觸媒而製得混合物A。 HC≡C-C(CH3 )2 -O-Si(CH3 )3 …(2)
(調製硬化性組成物2) 將混合物A(50g)、作為金屬化合物之四正丙氧化鋯(「ORGATIX ZA-45」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率21.1%)(0.71g)及作為溶劑之PMX-0244(Dow Corning Toray Co. Ltd製)(50g)混合後，將所得混合液以孔徑0.45μm之濾器過濾而製得硬化性組成物2。
(製作玻璃積層體) 將所得硬化性組成物2以旋塗法塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘而形成膜厚8μm之聚矽氧樹脂層。 其後將200×200mm且厚0.2mm之玻璃基板置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置進行貼合來製作玻璃積層體。
＜例19＞ 使用鈦酸四正丁酯(「ORGATIX TA-21」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率14.1%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為1.06g，除此以外以與例18同樣方式製造硬化性組成物。將所得硬化性組成物以旋塗法塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘而形成膜厚8μm之聚矽氧樹脂層。 其後將200×200mm且厚0.2mm之玻璃基板置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置進行貼合來製作玻璃積層體。
＜例20＞ 以旋塗法將以與例3同樣程序調製的硬化性組成物塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在100℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以250℃加熱30分鐘而形成膜厚4μm之聚矽氧樹脂層。 其後將厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置貼合來製作樹脂積層體。
＜例21＞ 以旋塗法將以與例18同樣程序調製的硬化性組成物塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘而形成膜厚8μm之聚矽氧樹脂層。 其後將厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置貼合來製作樹脂積層體。
＜例22＞ 將以與例18同樣程序調製的硬化性組成物塗佈於厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。 接下來將200×200mm且厚0.5mm之支持基材置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置予以貼合。其後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘，製作樹脂積層體。
＜例23＞ 以旋塗法將以與例14同樣程序調製的硬化性組成物塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在100℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以250℃加熱30分鐘而形成膜厚4μm之聚矽氧樹脂層。 其後將厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置貼合來製作樹脂積層體。
＜例24＞ 使用鈦酸四正丁酯(「ORGATIX TA-21」、Matsumoto Fine Chemical Co. Ltd.製、金屬含有率14.1%)作為金屬化合物及將金屬化合物添加量設為1.06g，除此以外以與例18同樣方式製造硬化性組成物。將製造的硬化性組成物以旋塗法塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘而形成膜厚8μm之聚矽氧樹脂層。 其後將厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置貼合來製作樹脂積層體。
＜例25＞ 於硬化性聚矽氧2(100質量份)混合上述式(2)所示具有乙炔系不飽和基之矽化合物(1質量份)，並以鉑元素含量為100ppm的方式加入鉑觸媒而製得混合物A。 將混合物A(50g)及作為溶劑之PMX-0244(Dow Corning Toray Co. Ltd製)(50g)混合後，將所得混合液以孔徑0.45μm之濾器過濾而製得混合物B(硬化性組成物)。 將混合物B(硬化性組成物)以旋塗法塗佈於200×200mm且厚0.5mm之支持基材上，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。然後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘而形成膜厚8μm之聚矽氧樹脂層。 其後將厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置貼合來製作樹脂積層體。
＜例26＞ 將混合物B(硬化性組成物)塗佈於厚0.038mm之聚醯亞胺薄膜(東洋紡股份有限公司製商品名「XENOMAX」)，並使用加熱板在140℃下加熱10分鐘。 接下來將200×200mm且厚0.5mm之支持基材置於聚矽氧樹脂層上，使用貼合裝置予以貼合。其後以烘箱在大氣下以220℃加熱30分鐘，製作樹脂積層體。
＜評估耐發泡性＞ 將各例所得玻璃積層體及樹脂積層體裁切取得直徑1mm以上且無氣泡的15×15mm試樣。將所得各試樣放入紅外線加熱爐內，將爐內氣體取代成氮氣。然後，觀察爐內試樣的樣子，同時在20℃/min之速度下從室溫升溫至600℃。升溫中，發現產生直徑為5mm以上氣泡的溫度視為該試樣的「耐熱溫度」。 由試樣的耐熱溫度，按下述基準評估耐發泡性。若為「A」~「D」，可評估為耐發泡性優異。・「A」：耐熱溫度為600℃以上・「B」：耐熱溫度為550℃以上且低於600℃・「C」：耐熱溫度為530℃以上且低於550℃・「D」：耐熱溫度為500℃以上且低於530℃・「E」：耐熱溫度低於500℃
以上結果統整列於下述表1~表4。 下述表1~表4中記載了各例中所使用之硬化性聚矽氧種類(硬化性聚矽氧1或2)。 下述表1~表4中記載了各例中聚矽氧樹脂層所含金屬元素種類及其含量。此時，為1種時記載為「金屬元素1」，於「金屬元素2」則表記為符號「-」。為2種時記載為「金屬元素1」及「金屬元素2」。含量係聚矽氧樹脂層中之各金屬元素含量(比率)，單位為「質量%」，不過在下述表1~表3中僅以符號「%」表示。 此外，下述表1~表4中亦記載了各例之耐熱溫度及耐發泡性的評估結果。 而僅於下述表4記述塗佈有硬化性組成物之基板(塗佈基板)的商品名。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
如從上述表1~表4所示結果明示，聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯(Zr)、鋁(Al)及錫(Sn)所構成群組中之至少1種金屬元素(特定元素)的例1~13、例17~18之玻璃積層體以及例20~22之樹脂積層體的耐發泡性優異。 相對地，不含上述特定元素的例14~16之玻璃積層體、例19之玻璃積層體及例23~26之樹脂積層體的耐發泡性差。
若對比例2、4、6，比起聚矽氧樹脂層含有Al或Sn的例4及6，聚矽氧樹脂層含有Zr的例2有較良好的耐發泡性。
＜例27＞ 貼合直徑150mm且厚625μm之Si晶片以替代例18中之200×200mm且厚0.2mm的玻璃基板來製作積層體。在與例18相同條件下對該積層體實施耐發泡評估，耐發泡性得D。例27之半導體積層體的耐發泡性優異。
＜例28＞ 貼合直徑150mm且厚625μm之Si晶片以替代例19中之200×200mm且厚0.2mm的玻璃基板來製作積層體。在與例19相同條件下對該積層體實施耐發泡評估，耐發泡性得E。例28之半導體積層體的耐發泡性差。
本申請案係立基於2016年12月28日提申之日本專利申請案2016-255206、2017年6月20日提申之日本專利申請案2017-120689及2017年9月27日提申之日本專利申請案2017-185777，並在此將其內容納入做參考。
10‧‧‧玻璃積層體12‧‧‧支持基材14‧‧‧聚矽氧樹脂層14a‧‧‧聚矽氧樹脂層表面16‧‧‧玻璃基板16a‧‧‧玻璃基板之第1主面16b‧‧‧玻璃基板之第2主面18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材20‧‧‧電子器件用構件22‧‧‧附電子器件用構件之積層體24‧‧‧附構件之基板(電子器件)
圖1係本發明之玻璃積層體一實施形態的示意截面圖。 圖2中，圖2(A)及圖2(B)係按步驟順序顯示本發明之電子器件之製造方法一實施形態的示意截面圖。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材

Claims (12)

  1. 一種積層體，依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及基板，前述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯及錫所構成群組中之至少1種金屬元素，前述支持基材係由玻璃板或金屬板構成；並且，前述聚矽氧樹脂層中之前述金屬元素個別含量為0.02~1.5質量%。
  2. 如請求項1之積層體，其中前述聚矽氧樹脂層含有鋯元素。
  3. 如請求項1之積層體，其有多個前述基板隔著前述聚矽氧樹脂層積層於前述支持基材上。
  4. 如請求項1之積層體，其中前述基板為玻璃基板。
  5. 如請求項1之積層體，其中前述基板為樹脂基板。
  6. 如請求項5之積層體，其中前述樹脂基板為聚醯亞胺樹脂基板。
  7. 如請求項1之積層體，其中前述基板為含有半導體材料之基板。
  8. 如請求項7之積層體，其中前述半導體材料為Si、SiC、GaN、氧化鎵或鑽石。
  9. 一種附聚矽氧樹脂層之支持基材，依序具備支持基材及聚矽氧樹脂層，前述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯及錫所構成群組中之至少1種金屬元素，前述支持 基材係由玻璃板或金屬板構成；並且，前述聚矽氧樹脂層中之前述金屬元素個別含量為0.02~1.5質量%。
  10. 一種電子器件之製造方法，具備下述步驟：構件形成步驟，其係於如請求項1至8中任一項之積層體的前述基板表面上形成電子器件用構件而製得附電子器件用構件之積層體；及分離步驟，其係自前述附電子器件用構件之積層體去除包含前述支持基材與前述聚矽氧樹脂層的附聚矽氧樹脂層之支持基材，而製得具有前述基板與前述電子器件用構件的電子器件。
  11. 一種附聚矽氧樹脂層之樹脂基板，依序具備樹脂基板及聚矽氧樹脂層，前述聚矽氧樹脂層含有選自於由鋯及錫所構成群組中之至少1種金屬元素；並且，前述聚矽氧樹脂層中之前述金屬元素個別含量為0.02~1.5質量%。
  12. 一種電子器件之製造方法，具備下述步驟：積層體形成步驟，其使用如請求項11之附聚矽氧樹脂層之樹脂基板及支持基材形成積層體；構件形成步驟，其係於前述積層體之前述樹脂基板表面上形成電子器件用構件，而製得附電子器件用構件之積層體；及分離步驟，其係自前述附電子器件用構件之積層體去除前述支持基材及前述聚矽氧樹脂層，而製得具有前述樹 脂基板與前述電子器件用構件的電子器件。
TW106145741A 2016-12-28 2017-12-26 積層體、附聚矽氧樹脂層之支持基材、附聚矽氧樹脂層之樹脂基板、及電子器件之製造方法 TWI808956B (zh)

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