JP2014104712A - 電子デバイスの製造方法および多層ガラス積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板とガラス基板の一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスの製造方法であって、支持基板および支持基板上に複数枚積層して配置された前記密着層付きガラス基板を有する多層ガラス積層体を形成する第１工程、および、多層ガラス積層体の最外側に配置された密着層付きガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る工程Ａと、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された密着層付きガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する工程Ｂとを繰り返して実施し、複数枚の電子デバイスを得る第２工程を有する、電子デバイスの製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に係り、特に複数枚の電子デバイス形成用ガラス基板（特に、密着層付きガラス基板）が積層して形成される多層ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、１枚のガラス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。

また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。

最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離して、ガラス基板と電子デバイス用部材とを備える電子デバイスを得る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持体と、該支持体上に固定された樹脂層とを有し、樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体の樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。

国際公開第０７／０１８０２８号

一方、特許文献１の方法では、上述したように、補強板上にガラス基板を配置して、ガラス基板上に電子デバイス用部材を配置して、ガラス基板を剥離するという一連の操作を行って、一つのガラス基板と電子デバイス用部材とを備える電子デバイスが形成される。
通常、ガラス基板を積層する工程と、電子デバイス用部材を配置する工程と、電子デバイスを剥離する工程とは別ラインで実施される。そのため、特許文献１の方法では、あるラインＡで補強板上にガラス基板を配置して、その後別ラインＢまで搬送して電子デバイス用部材を配置して、さらに別ラインＣまで搬送して電子デバイスを剥離する。その後、さらに、ガラス基板を補強板上に再度配置するためにラインＡに移動させる必要がある。このように一つの電子デバイスを製造するために、補強板やガラス積層体などをラインＡからラインＢ、さらにラインＣに移動させる必要がある。複数の電子デバイスを製造する際には、補強板やガラス積層体をさらに何度もライン間で搬送する必要が生じ、このような搬送時間は電子デバイスの生産性の低下を招くことになる。
近年、電子デバイスの低価格化がより進行しており、より工程数を減らしつつ電子デバイスを大量に生産し得る方法の開発が望まれていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記電子デバイスの製造方法に使用されるガラス積層体を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、電子デバイス形成用ガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスの製造方法であって、支持基板および支持基板上に複数枚積層して剥離可能に配置された電子デバイス形成用ガラス基板を有し、電子デバイス形成用ガラス基板の少なくとも１枚が、ガラス基板とガラス基板の少なくとも一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板である、多層ガラス積層体を形成する第１工程、多層ガラス積層体の最外側に配置された電子デバイス形成用ガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る工程Ａと、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された電子デバイス形成用ガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する工程Ｂとを繰り返して実施し、複数枚の電子デバイスを得る第２工程を有する、電子デバイスの製造方法である。

第１の態様において、電子デバイス形成用ガラス基板が全て密着層付きガラス基板であり、第１工程が、支持基板および前記支持基板上に複数枚積層して配置された密着層付きガラス基板を有し、積層された密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなる多層ガラス積層体を形成する工程であることが好ましい。
第１の態様において、電子デバイス形成用ガラス基板が、１枚のガラス基板と、少なくとも１枚以上の密着層付きガラス基板とを含み、第１工程が、易剥離性を示す表面を有する支持基板、支持基板の易剥離性を示す表面上に少なくとも１枚配置された密着層付きガラス基板、および、密着層付きガラス基板上で最外側に配置されたガラス基板を有し、密着層付きガラス基板中のガラス基板が支持基板側を向いて配置されている多層ガラス積層体を形成する工程であることが好ましい。

第１の態様において、密着層が、樹脂層であることが好ましい。
第１の態様において、密着層が、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する無機層であることが好ましい。
第１の態様において、密着層が、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成されることが好ましい。

第１の態様において、第１工程が、易剥離性を示す表面を有する支持基板と、支持基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板をこの順で有する硬化前積層体を形成する工程Ｃと、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｄと、硬化後積層体中の最外側のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有する硬化後積層体を得る工程Ｅと、易剥離性を示す表面を有する硬化後積層体と、硬化後積層体中の最外側のガラス基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板をこの順で有する硬化前積層体を形成する工程Ｆと、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｇとを有し、工程Ｃおよび工程Ｄを行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｅ〜工程Ｇを繰り返して多層ガラス積層体を得ることが好ましい。

第１の態様において、第１工程が、ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有し、易剥離性を示す表面を有する支持基板を、易剥離性を示す表面が未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、未硬化の硬化性樹脂組成物層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように、未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程Ｈと、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｉと、硬化後積層体中の支持基板の外周縁に沿って、樹脂層およびガラス基板を切断して、切断後積層体を得る工程Ｊと、切断後積層体中の最外側のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有す切断後積層体を得る工程Ｋと、ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有する切断後積層体を、切断後積層体中のガラス基板の易剥離性を示す表面が未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、未硬化の硬化性樹脂組成物層に切断後積層体と接触しない周縁領域が残るように、未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程Ｌと、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｍと、硬化後積層体中の支持基板の外周縁に沿って、樹脂層およびガラス基板を切断して、切断後積層体を得る工程Ｎとを有し、工程Ｈ〜工程Ｊを行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｋ〜工程Ｎを繰り返して多層ガラス積層体を得ることが好ましい。

本発明の第２の態様は、支持基板、および、支持基板上に複数枚積層して剥離可能に配置された電子デバイス形成用ガラス基板を有し、電子デバイス形成用ガラス基板の少なくとも１枚が、ガラス基板とガラス基板の少なくとも一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板であり、電子デバイス形成用ガラス基板の表面上に、支持基板側から数えて何枚目の電子デバイス形成用ガラス基板かを認識するためのマーカーを備える、多層ガラス積層体である。
第２の態様において、電子デバイス形成用ガラス基板の全てが密着層付きガラス基板であり、積層された密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなり、密着層付きガラス基板中のガラス基板の表面上に、支持基板側から数えて何枚目の密着層付きガラス基板かを認識するためのマーカーを備えることが好ましい。

本発明によれば、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、上記電子デバイスの製造方法に使用されるガラス積層体を提供することもできる。

本発明の電子デバイスの製造方法の第１の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の第１の実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 本発明の電子デバイスの製造方法の第２の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の第２の実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 本発明の電子デバイスの製造方法の第３の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の第３の実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 （Ａ）得られた硬化前積層体の上面図である。（Ｂ）剥離性支持基板の積層前の状態を示す断面図である。（Ｃ）剥離性支持基板を積層した後の状態を示す断面図である。 ステージ上に載置した硬化後積層体を一部透視して示す平面図である。 ステージ上に載置した硬化後積層体および加工ヘッドを一部破壊して示す断面図である。 別のステージ上に載置した硬化後積層体および挟持治具を示す断面図である。 本発明の電子デバイスの製造方法の第４の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の第４の実施形態を工程順に示す模式的断面図である。 本発明の電子デバイスの製造方法の第５の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の電子デバイスの製造方法の第５の実施形態を工程順に示す模式的断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
なお、本発明において、一の密着層付きガラス基板中のガラス基板の層と密着層との界面の剥離強度が、多層ガラス積層体中の一の密着層付きガラス基板中の密着層と一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板または支持基板の層との界面の剥離強度よりも高い。以下、一の密着層付きガラス基板中の密着層とガラス基板とにおいて、樹脂層はガラス基板に固定されているともいう。また、以下、一の密着層付きガラス基板中の密着層は、支持基板または一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板に剥離可能に密着（接触）しているともいう。

本発明の電子デバイスの製造方法の特徴点の一つは、複数枚の電子デバイス形成用ガラス基板（特に、密着層付きガラス基板）が積層された多層ガラス積層体を使用する点が挙げられる。この多層ガラス積層体を使用すれば、ガラス基板を積層する工程のラインから、電子デバイス用部材を配置する工程のラインへの移動が一度で済むため、搬送時間の短縮が可能となり、結果として電子デバイスの生産性が向上する。より具体的には、一つのラインで支持基板上に複数の電子デバイス形成用ガラス基板を積層した後、別のラインに多層ガラス積層体を搬送する。搬送された多層ガラス積層体中の電子デバイス形成用ガラス基板上に電子デバイス用部材を配置して、電子デバイスを剥離する処理を繰り返すことにより、複数枚の電子デバイスが得られる。このように、ガラス基板を積層する工程のラインから、電子デバイス用部材を配置する工程のラインへの移動が一度で済むため、電子デバイスの生産枚数が増えるにつれて、その生産時間をより短縮できる。
また、後述する第１の実施形態で得られた電子デバイスは、一方の最外側に密着層を有するため、ディスプレイなどの電子デバイスを所望の位置に取り付ける、といった電子デバイス自体の取付性も向上する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の電子デバイスの製造方法の第１の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図１に示すように、電子デバイスの製造方法は、多層ガラス積層体を形成する第１工程（Ｓ１０２）と、複数枚の電子デバイスを製造する第２工程（Ｓ１０４）とを備える。第２工程（Ｓ１０４）は、電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程Ａ（Ｓ１０６）および電子デバイスを剥離する工程Ｂ（Ｓ１０８）を複数回繰り返して実施し、所定枚数の電子デバイスを得る工程である。
また、図２は、本発明の電子デバイスの製造方法の第１の実施形態における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
以下に、図２を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、第１工程（Ｓ１０２）について詳述する。

［第１工程］
第１工程（Ｓ１０２）は、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、支持基板１２および支持基板１２上に複数枚積層して配置された密着層付きガラス基板１４を有する多層ガラス積層体１０を形成する工程である。密着層付きガラス基板１４は、ガラス基板１６とガラス基板１６の一方の主面上に固定された密着層１８とを有する。また、積層された密着層付きガラス基板１４は、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と、上記一の密着層付きガラス基板１４に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６とが剥離可能に密着（接触）するように構成されてなる。言い換えると、複数の密着層付きガラス基板１４は、密着層１８を支持基板１２側に向けて積層されている。なお、密着層付きガラス基板１４は、電子デバイス形成用ガラス基板に該当する。
以下では、まず、本工程で使用される部材（支持基板、密着層付きガラス基板）について詳述し、その後、多層ガラス積層体の製造方法について詳述する。

（支持基板）
支持基板１２は、密着層付きガラス基板１４を支持して補強し、後述する第２工程（Ｓ１０４）において電子デバイス用部材の製造の際に密着層付きガラス基板１４の変形、傷付き、破損などを防止する。また、従来よりも厚さが薄いガラス基板を使用する場合、従来のガラス基板と同程度の厚さの多層ガラス積層体１０とすることにより、第２工程（Ｓ１０４）において、従来の厚さのガラス基板に適合した製造技術や製造設備を使用可能にすることも、支持基板１２を使用する目的の１つである。

支持基板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板、セラミック板などの金属板などが用いられる。支持基板１２は、第２工程（Ｓ１０４）が熱処理を伴う場合、ガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持基板１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、密着層１８の厚さ、および多層ガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。
支持基板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

ガラス基板１６と支持基板１２との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、第２工程（Ｓ１０４）における加熱冷却時に、多層ガラス積層体１０が激しく反ったり、支持基板１２と密着層付きガラス基板１４とが剥離したりする可能性がある。ガラス基板１６の材料と支持基板１２の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

（密着層付きガラス基板）
密着層付きガラス基板１４は、上記支持基板１２上に複数枚積層され、後述する第２工程（Ｓ１０４）において電子デバイス用部材が配置される基板である。
以下では、まず、密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６および密着層１８の態様について詳述する。

（ガラス基板）
ガラス基板１６は、その一方の主面（第１主面）に密着層１８が固定され、他方の主面（第２主面）に電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、第２工程（Ｓ１０４）は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１６の厚さは、特に限定されないが、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ超の場合、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

（密着層）
一の密着層付きガラス基板１４にはガラス基板１６と密着層１８とが含まれ、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８は、一の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の少なくとも片面上に固定されている。また、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８は、支持基板１２または一の密着層付きガラス基板１４と隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６と剥離可能に密着する。一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８は、積層された一の密着層付きガラス基板１４を分離する操作が行われるまで一の密着層付きガラス基板１４の位置ずれを防止すると共に、分離操作によって支持基板１２または隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６から容易に剥離し、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。また、一の密着層付きガラス基板１４において密着層１８はガラス基板１６に固定されており、後述する第２工程（分離操作）において密着層付きガラス基板１４中の密着層１８とガラス基板１６とは剥離しない。言い換えると、密着層１８と支持基板１２との界面の剥離強度、および、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と一の密着層付きガラス基板１４に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６との界面の剥離強度は、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８とガラス基板１６との界面の剥離強度よりも小さい。
つまり、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８の表面は、支持基板１２の主面に剥離可能に密着する。また、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８の表面は、一の密着層付きガラス基板１４と隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の表面と剥離可能に密着する。本発明では、この密着層表面の容易に剥離できる性質を易剥離性（剥離性）という。
なお、分離操作により、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と一の密着層付きガラス基板１４に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６との界面が剥離しやすいように、分離操作を始めるにあたり、その界面に剥離起点を設けて剥離を行うことが好ましい。

密着層１８を構成する材料の種類は特に制限されず、支持基板１２またはガラス基板１６に対して易剥離性を示す材料であればよい。密着層１８の好適態様としては、例えば、樹脂層（密着性樹脂層）、または、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する無機層が挙げられる。または、密着層１８が、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成されることも好ましい。
以下に、密着層１８の好適態様（樹脂層、無機層、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成される層）について詳述する。

（樹脂層）
樹脂層の厚さは特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層の厚さがこのような範囲であると、樹脂層と支持基板またはガラス基板との密着が十分になるからである。また、樹脂層と支持基板またはガラス基板との間に気泡や異物が介在することがあっても、多層ガラス積層体中のガラス基板のゆがみ欠陥の発生を抑制することができるからである。また、樹脂層の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、表面うねりが大きくなりやすい。
なお、樹脂層は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、樹脂層が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂の種類が異なってもよい。

樹脂層は、ガラス転移点が室温（２５℃程度）よりも低い、またはガラス転移点を有しない材料からなることが好ましい。より容易に支持基板またはガラス基板と剥離することができ、同時に支持基板またはガラス基板との密着も十分になるからである。

樹脂層を形成する樹脂の種類は、特に限定されない。例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、またはシリコーン樹脂が挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でもシリコーン樹脂が好ましい。つまり、樹脂層は、シリコーン樹脂層であることが好ましい。シリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。また、ガラス板表面のシラノール基との縮合反応によって、ガラス板に固定し易いからである。シリコーン樹脂は、例えば、大気中２００℃程度で１時間程度処理しても、剥離性がほぼ劣化しない点も好ましい。

樹脂層は、硬化性シリコーン樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。硬化性シリコーン樹脂組成物をガラス基板の表面で硬化させて形成した硬化シリコーン樹脂からなる樹脂層は、ガラス基板表面に接着するとともにその自由表面は優れた易剥離性を有するので好ましい。また、柔軟性が高いので、樹脂層と支持基板またはガラス基板との間へ気泡や塵介などの異物が混入しても、多層ガラス積層体中のガラス基板のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。

このような樹脂層を形成するために使用される硬化性シリコーン樹脂組成物は、その硬化機構により縮合反応型シリコーン樹脂組成物、付加反応型シリコーン樹脂組成物、紫外線硬化型シリコーン樹脂組成物および電子線硬化型シリコーン樹脂組成物に分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーン樹脂組成物が好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、硬化後の樹脂層表面の易剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。

付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物である。付加反応型シリコーン樹脂組成物の硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。

また、硬化性シリコーン樹脂組成物は形態的に溶剤型、エマルジョン型および無溶剤型があり、いずれの型も使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。生産性、安全性、環境特性の面が優れるからである。また、樹脂層を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層中に気泡が残留しにくいからである。

また、市販されている硬化性シリコーン樹脂組成物の商品名または型番としては、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせなどが挙げられる。
なお、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７およびＴＰＲ６７００は、あらかじめ主剤と架橋剤とを含有している硬化性シリコーン樹脂組成物である。

（樹脂層の製造方法）
樹脂層をガラス基板上に固定する方法は、特に限定されない。
例えば、硬化性樹脂組成物（樹脂層形成用組成物）をガラス基板上に塗布して、硬化性樹脂組成物を硬化してガラス基板上に固定された樹脂層を形成する方法（塗布方法）や、フィルム状の樹脂をガラス基板の表面に固定する方法（貼り付け方法）などが挙げられる。なかでも、樹脂層の接着強度がより優れる点で、塗布方法が好ましい。
以下に塗布方法の態様について詳述する。

塗布方法において、ガラス基板表面上に硬化性樹脂組成物層を形成する方法としては、例えば、硬化性樹脂組成物をガラス基板上にコートする方法が挙げられる。コートする方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
また、硬化性樹脂組成物をガラス基板上にコートする場合、その塗布量は１〜１００ｇ／ｍ²であることが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ²であることがより好ましい。

硬化性樹脂組成物に溶媒および樹脂が含まれる場合、硬化性樹脂組成物中の溶媒の含有量を、組成物全量に対して、７０質量％以下にすることが好ましく、なかでも６０質量％以下にすることがより好ましく、５０質量％以下にすることがさらに好ましい。溶媒量を上記範囲内に調整することにより、形成された組成物の層から溶媒が揮発する量が抑えられ、結果として表面うねりの少ない樹脂層を得ることができる。なお、溶媒量の下限に関しては、硬化性樹脂組成物が塗布可能であれば特に制限されないが、取扱い性などの点から、３０質量％以上であることが好ましい。

なお、硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂としては、上述した樹脂層を形成しうる樹脂が挙げられ、なかでも硬化性シリコーンが好ましく挙げられる。
例えば、付加反応型シリコーン樹脂組成物から樹脂層を形成する場合、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンと触媒との混合物からなる樹脂層形成用組成物Ｘを、上記のスプレーコート法などの公知の方法によりガラス基板上に塗布し、その後に加熱硬化させる。
加熱硬化条件は、触媒の配合量によっても異なるが、大気中で５０℃〜２５０℃、好ましくは１００℃〜２００℃で反応させる。また、この場合の反応時間は５〜６０分間、好ましくは１０〜３０分間とする。

樹脂層形成用組成物Ｘを加熱硬化させることによって、硬化反応の際に樹脂がガラス基板と化学的に結合し、また、アンカー効果によって樹脂層がガラス基板と結合して、接着する。これらの作用によって、樹脂層がガラス基板に強固に固定される。特に、シリコーン樹脂を使用すると、ガラス基板との接着性がより強固となる。

なお、ガラス基板表面上に樹脂層となる硬化性樹脂組成物層を形成し、次いで、硬化性樹脂組成物層を硬化してガラス基板上に固定された樹脂層を形成する方法において、形成される樹脂層の平坦性がより優れる点で、硬化性樹脂組成物層を形成後で硬化前に、硬化性樹脂組成物層を備えるガラス基板を静置することが好ましい。所定時間静置することにより、硬化性樹脂組成物層の表面の平坦性が向上すると共に、硬化性樹脂組成物層に含まれる揮発成分が除去され硬化の際に樹脂層の表面が荒れることをより抑制することができる。
静置する際の温度は特に制限されず、硬化の際の加熱条件の温度のよりも低い温度で静置すればよく、０〜１００℃であることが好ましく、０〜室温（２５℃程度）がより好ましい。
静置時間は特に制限されず、樹脂層の平坦性および生産性の両者のバランスがより優れる点で、３０秒〜１時間が好ましく、１分〜１０分がより好ましい。
また、必要に応じて、減圧下で静置を行ってもよい。減圧の条件は特に制限されないが、樹脂層の平坦性および操作の効率性の両者のバランスがより優れる点で、１〜１０００Ｐａが好ましく、１０〜１０００Ｐａがより好ましい。

（無機層）
無機層は、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する。なかでも、支持基板またはガラス基板の無機層に対する剥離性がより優れる点で、タングステンシリサイド、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ケイ素、および炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。なかでも、窒化ケイ素および／または炭化ケイ素を含むことがより好ましい。上記の成分が好ましい理由としては、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物中に含まれる、Ｓｉ、ＮまたはＣと、それら元素と組み合わされる元素との間の電気陰性度の差の大きさが起因していると推測される。電気陰性度の差が小さいと、分極が小さく、水との反応で水酸基を生成し難いため、ガラス基板の無機層に対する剥離性がより良好となる。より具体的には、ＳｉＮにおいてはＳｉ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．１４で、ＡｌＮにおいてはＡｌ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．４３であり、ＴｉＮにおいてはＴｉ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．５０である。３つを比較すると、ＳｉＮが電気陰性度の差が最も小さく、ガラス基板の無機層に対する剥離性もより優れる。
なお、無機層には、上記成分が２種以上含まれていてもよい。

メタルシリサイドの組成は特に制限されないが、支持基板またはガラス基板に対する剥離性がより優れる点で、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。さらに、上記金属／シリコン元素比を変化させることによって、無機層表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層と支持基板またはガラス基板との間の密着力の制御もできる。
また、窒化物の組成は特に制限されないが、支持基板またはガラス基板に対する剥離性がより優れる点で、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。さらに、上記金属／窒素元素比を変化させることによって、無機層表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層と支持基板またはガラス基板との間の密着力の制御もできる。
また、炭化物および炭窒化物の組成は特に制限されないが、支持基板またはガラス基板に対する剥離性がより優れる点で、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、およびＮｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。さらに、上記金属／炭素元素比を変化させることによって、無機層表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層と支持基板またはガラス基板との間の密着力の制御もできる。

また、無機層は、その一部が酸化されていてもよい。つまり、無機層には、酸素原子（酸素元素）（Ｏ）が含まれていてもよい。
なお、上記メタルシリサイド、窒化物、炭化物および炭窒化物においては、酸素原子の添加量によって、無機層表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層と支持基板またはガラス基板との間の密着力の制御もできる。

より具体的には、メタルシリサイドとしては、例えば、ＷＳｉ、ＦｅＳｉ、ＭｎＳｉ、ＭｇＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＲｕＳｉ、ＲｅＳｉ、ＣｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉ、ＴｉＳｉ、ＺｒＳｉ、ＢａＳｉなどが挙げられる。
窒化物としては、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＣｒＮ、ＢＮ、ＭｏＮ、ＡｌＮ、ＺｒＮなどが挙げられる。
炭化物としては、例えば、ＴｉＣ、ＷＣ、ＳｉＣ、ＮｂＣ、ＺｒＣなどが挙げられる。
炭窒化物としては、例えば、ＴｉＣＮ、ＷＣＮ、ＳｉＣＮ、ＮｂＣＮ、ＺｒＣＮなどが挙げられる。

無機層の平均線膨張係数は特に制限されないが、その平均線膨張係数は１０×１０^-7〜２００×１０^-7／℃が好ましい。該範囲であれば、ガラス板（ＳｉＯ₂）との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下における位置ずれをより抑制することができる。

無機層は、上記メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種が主成分として含まれていることが好ましい。ここで、主成分とは、これらの総含有量が、無機層全量に対して、９０質量％以上であることを意味し、９８質量％以上であることが好ましく、９９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９９質量％以上であることが特に好ましい。

無機層の厚みは特に制限されないが、耐擦傷性を維持する点では、５〜５０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましい。
無機層は、２層以上の積層であってもよい。２層以上の積層の場合、各層ごとが異なる組成であってもよい。

無機層は、通常、ガラス基板の全面に設けられるが、本発明の効果を損なわない範囲で、ガラス基板表面上の一部に設けられていてもよい。例えば、無機層が、ガラス基板表面上に、島状や、ストライプ状に設けられていてもよい。

さらに、無機層のガラス基板側とは反対側の表面粗さ（Ｒａ）は２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。下限値は特に制限されないが、０が最も好ましい。上記範囲であれば、無機層と剥離可能に密着するガラス基板との密着性がより良好となり、密着層付きガラス基板の位置ずれなどをより抑制することができると共に、ガラス基板の剥離性にも優れる。
ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１年改正）に従って測定される。

（無機層の製造方法）
無機層の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により、ガラス基板上に所定の成分からなる無機層を設ける方法が挙げられる。上記方法によって得られた無機層はガラス基板上に固定されると共に、その無機層の露出表面は他のガラス基板または支持基板に対して剥離可能に密着できる。
製造条件は、使用される材料に応じて、適宜最適な条件が選択される。
なお、必要に応じて、ガラス基板上に形成された無機層の表面性状（例えば、表面粗さＲａ）を制御するために、無機層の表面を削る処理を施してもよい。該処理としては、例えば、イオンスパッタリング法などが挙げられる。

（シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成される層）
密着層は、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成される層であってもよい。
シリコーンオイルとしては、例えば、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのストレートシリコーンオイル、ストレートシリコーンオイルの側鎖または末端にアルキル基、ハイドロジェン基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ポリエーテル基、ハロゲン基等を導入した変性シリコーンオイルが例示される。
シリル化剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
フッ素系化合物としては、例えば、フッ素樹脂が挙げられる。フッ素系化合物の種類は特に限定されないが、パーフルオロアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルスルホン酸アミド、パーフルオロアルキルスルホン酸塩（例えば、パーフルオロアルキルスルホン酸ナトリウム）、パーフルオロアルキルカリウム塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルアミノスルホン酸塩、パーフルオロアルキル燐酸エステル、パーフルオロアルキル化合物、パーフルオロアルキルベタイン、パーフルオロアルキルハロゲン化合物などが挙げられる。なお、フルオロアルキル基（Ｃ_mＦ_2m+1）を含む化合物としては、例えば、上記フッ素系化合物の例示化合物中のフルオロアルキル基を有する化合物が挙げられる。ｍの上限は剥離性能上では特に制限されないが、取り扱い上の安全性がより優れる点で、ｍは１〜６の整数が好ましい。
なかでも、剥離力、安全性、コスト等から、一つの好適例として、メチルシリル基（−Ｓｉ-(ＣＨ₃)_n）（ｎは１〜３の整数を表す）またはフルオロアルキル基（−Ｃ_mＦ_2m+1）（ｍは１〜６の整数が好ましい）を含む化合物が挙げられる。

（シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成される層の製造方法）
ヘキサメチルジシラザンなどのシリル化剤を使用する場合は、シリル化剤の蒸気をガラス基板表面と接触させるのが好ましい。なお、ガラス基板を加熱させた状態で、シリル化剤の蒸気と接触させてもよい。
シリル化剤の蒸気濃度は高い方が、すなわち飽和濃度に近い方が処理時間を短縮できるので好ましい。

シリコーンオイルまたはフッ素系化合物を使用する場合は、例えば、シリコーンオイルまたはフッ素系化合物をガラス基板の主面表面に付与（例えば、塗布）し、必要に応じて加熱処理または光照射処理を行う。
シリコーンオイルまたはフッ素系化合物の塗布方法は、一般的な方法であってよい。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などの中から、シリコーンオイルの種類や塗布量などに応じて適宜選定される。
上記方法によって得られた密着層はガラス基板上に固定されると共に、その密着層の露出表面は他のガラス基板または支持基板に対して剥離可能に密着できる。

（多層ガラス積層体の製造方法）
多層ガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、例えば、密着層付きガラス基板１４を順次積層する方法が挙げられる。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、支持基板１２を用意し、図２（Ｂ）に示すように、密着層付きガラス基板１４の密着層１８が支持基板１２に接するように、密着層付きガラス基板１４を支持基板１２上に配置する。その後、図２（Ｃ）に示すように、さらに別の密着層付きガラス基板１４を順次積層する。その際、積層された一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と、一の密着層付きガラス基板１４に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６とが接するように配置する。言い換えれば、密着層１８とガラス基板１６とが交互に配置されるように、密着層付きガラス基板１４を積層する。このような態様に密着層付きガラス基板１４を配置することにより、密着層付きガラス基板１４同士を剥離可能に密着させることができる。なお、図２（Ｃ）の多層ガラス積層体１０においては、３枚の密着層付きガラス基板１４が積層されている。

密着層付きガラス基板１４を剥離可能に密着（接触）させる方法は特に限定されず、公知の方法が使用される。例えば、常圧環境下で一の密着層付きガラス基板１４を支持基板１２上または積層された密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６上に重ねた後、ロールやプレスを用いて一の密着層付きガラス基板１４を圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより密着層１８とガラス基板１６とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、密着層１８とガラス基板１６との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保がより好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、密着層付きガラス基板１４のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

密着層付きガラス基板１４を剥離可能に密着させる際には、密着層１８および積層されるガラス基板１６の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。

また、密着層付きガラス基板１４を積層する際には、一の密着層付きガラス基板１４が積層されるガラス基板の表面を研磨する工程を実施してもよい。つまり、支持基板上に積層された一の密着層付きガラス基板中のガラス基板上を研磨して、その後、他の密着層付きガラス基板を積層してもよい。
本工程を設けることにより、ガラス基板表面の微小な凹凸および疵を除去することができ、電子デバイス用部材が形成される面の平坦性をより向上することができる。よって、製品である電子デバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、本発明で使用される厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板に対して顕著である。

研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、メカニカルな研磨（物理研磨）または化学的な研磨（化学研磨）を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法等を用いることができる。
また、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法を用いることができる。
なかでも、研磨後のガラス基板表面の平坦性および清浄度がより高い点で、化学的機械研磨が好ましい。なお、化学的機械研磨で使用される砥粒としては、酸化セリウムなどの公知の砥粒を使用することができる。

（多層ガラス積層体）
多層ガラス積層体１０は、支持基板１２、および、３枚の密着層付きガラス基板１４を有する。密着層付きガラス基板１４同士は、一の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と一の密着層付きガラス基板１４に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６とが接触するように、配置される。
なお、多層ガラス積層体１０においては、３枚の密着層付きガラス基板１４が含まれるが、この態様には限定されず、複数（少なくとも２以上）の密着層付きガラス基板１４が含まれていればよい。密着層付きガラス基板１４の積層枚数の上限は特に制限されないが、搬送のしやすさの点からは、１０枚以下が好ましく、５枚以下がより好ましく、４枚以下がさらに好ましい。

多層ガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、多層ガラス積層体１０が高温条件（例えば、３００℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

（多層ガラス積層体の好適態様）
多層ガラス積層体の好適態様の一つとしては、マーカーを備える多層ガラス積層体が挙げられる。より具体的には、支持基板、および、支持基板上に複数枚積層して配置された、ガラス基板とガラス基板の一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板を有し、積層された密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなり、密着層付きガラス基板中のガラス基板の表面上に、支持基板側から数えて何枚目の密着層付きガラス基板かを認識するためのマーカーを備える、多層ガラス積層体が挙げられる。
上記のような多層ガラス積層体であれば、支持基板上に何枚の密着層付きガラス基板が積層されているか容易に理解でき、製造適性に優れる。

マーカーが施されるガラス基板上の位置は特に制限されないが、通常、ガラス基板の周縁部付近に配置される。
マーカーの種類は特に制限されず、文字・記号・色などが挙げられる。例えば、「１」、「２」、「３」などの数字をマーカーとして使用し、これらの数字を各密着層付きガラス基板中のガラス基板上に付与する方法が挙げられる。

［第２工程］
第２工程（Ｓ１０４）は、多層ガラス積層体の最外側に配置された密着層付きガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る工程Ａ（Ｓ１０６）と、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された密着層付きガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する工程Ｂ（Ｓ１０８）とを繰り返して実施し、複数枚の電子デバイスを得る工程である。
より具体的には、図２（Ｄ）に示すように、工程Ａ（Ｓ１０６）では、多層ガラス積層体１０の最外側に配置された密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材２０を形成して、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。その後、図２（Ｅ）に示すように、工程Ｂ（Ｓ１０８）では、電子デバイス用部材付き積層体２２から、最外側に配置された密着層付きガラス基板１４および電子デバイス用部材２０を有する電子デバイス２４を剥離する。その後、図２（Ｆ）〜（Ｉ）に示すように、所定枚数の電子デバイスが得られるまで、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）を繰り返す。この場合、さらに工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）をそれぞれ２回繰り返すことにより、合計３枚の電子デバイス２４を製造することができる。
なお、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）は、所定枚数の電子デバイスが得られるまで繰り返せばよく、例えば、５枚の密着層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体に対して工程Ａ（Ｓ１０６）および工程（Ｓ１０８）をそれぞれ３回繰り返して、３枚の電子デバイスを得てもよい。また、支持基板１２上の全ての密着層付きガラス基板が剥離されるまで、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）をそれぞれ繰り返してもよい。なお、支持基板１２上の全ての密着層付きガラス基板が剥離されるまで繰り返す場合、支持基板１２上に少なくとも１枚の密着層付きガラス基板が積層されていれば、その積層体に対して工程Ａ（Ｓ１０６）および工程（Ｓ１０８）を実施する。

まず、工程Ａ（Ｓ１０６）で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２０は、密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の主面上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程Ａ（Ｓ１０６）の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、多層ガラス積層体１０中の最外側に位置する密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の主面表面上に、電子デバイス用部材２０を形成する（図２（Ｄ）参照）。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１６の主面に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。また、剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、剥離された全部材付きガラス基板には、その剥離面に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から電子デバイス２４を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の多層ガラス積層体を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、多層ガラス積層体１０の最外側に位置する密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の表面上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は、多層ガラス積層体１０の最外側に位置する密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の主面上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別の多層ガラス積層体１０の最外側に位置する密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６の主面上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とをＴＦＴとＣＦとが対向するようにシールを介して積層する貼り合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板の主面にＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板の主面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼り合わせ工程では、例えば、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

（工程Ｂ（Ｓ１０８））
工程Ｂ（Ｓ１０８）は、上記工程Ａ（Ｓ１０６）で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、密着層付きガラス基板１４と電子デバイス用部材２０とを有する電子デバイス２４とを剥離する工程である（図２（Ｅ））。
剥離時のガラス基板上の電子デバイス用部材が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板上に形成することもできる。
以下、工程Ｂ（Ｓ１０８）の手順について詳述する。

電子デバイス２４を剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、電子デバイス用部材付き積層体２２の最外層に位置する密着層付きガラス基板１４中の密着層１８と、その密着層１８に隣接する他の密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持基板１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−密着層１８界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとガラス基板１６と密着層１８との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面の全面に広がり、電子デバイス２４を容易に剥離することができる。

また、電子デバイス用部材付き積層体２２から電子デバイス２４を剥離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、電子デバイス２４に影響する可能性のある静電気を抑えることができる。あるいは、電子デバイス２４に静電気を消耗させる回路を組み込んだり、犠牲回路を組み込んで端子部から積層体の外に導通をとったりしてもよい。

さらに、図２（Ｆ）〜（Ｉ）に示すように、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）を繰り返して実施することにより、電子デバイス２４をさらに２個製造することができる。
より具体的には、図２（Ｆ）に示すように、図２（Ｅ）で残存する多層ガラス積層体１１０の最外側に位置する密着層付きガラス基板１４中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材２０を形成して、電子デバイス用部材付き積層体１２２を得る。その後、図２（Ｇ）に示すように、上述した方法により電子デバイス用部材付き積層体１２２から電子デバイス２４を剥離する。さらに、図２（Ｈ）および（Ｉ）に示すように、支持基板１２上から密着層付きガラス基板１４が剥離されるように、工程Ａおよび工程Ｂを繰り返して実施することにより、電子デバイス２４を更にもう１枚製造する。

図２（Ｄ）〜（Ｉ）においては、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）をそれぞれ３回実施することにより、電子デバイスを３個製造しているが、この態様には限定されない。
工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）は、多層ガラス積層体中に含まれる密着層付きガラス基板１４の枚数に応じて、適宜繰り返して実施される。例えば、多層ガラス積層体中に１０枚の密着層付きガラス基板が積層されている場合は、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）の一連の処理を１０回繰り返して、１０枚の電子デバイスを製造できる。

電子デバイス２４は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

なお、図２においては、多層ガラス積層体中の密着層付きガラス基板１４中の密着層１８が支持基板１２側に配置されているが、この態様には限定されない。
例えば、密着層が上述した無機層である場合、まず、支持基板上に無機層を設けて、その無機層上に無機層付きガラス基板をガラス基板が支持基板側に配置されるように積層されてもよい。つまり、無機層付き支持体上に複数枚積層して配置された無機層付きガラス基板を有し、それら無機層付きガラス基板はガラス基板が支持体側に向くように積層している多層ガラス積層体であってもよい。言い換えると、積層された無機層付きガラス基板のうち一の無機層付きガラス基板の無機層と、一の無機層付きガラス基板に隣接する他の無機層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなる。この場合、多層ガラス積層体の最外側には無機層が配置され、この無機層上に電子デバイス用部材が配置される。
なお、上記の多層ガラス積層体の場合、最外側に位置する無機層上にさらにガラス基板を積層してもよい。

＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の電子デバイスの製造方法の第２の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図３に示すように、電子デバイスの製造方法の第２の実施形態は、多層ガラス積層体を形成する第１工程（Ｓ２０２）と、複数枚の電子デバイスを製造する第２工程（Ｓ１０４）とを備える。第１工程（Ｓ２０２）は、硬化前積層体を形成する工程Ｃ（Ｓ２０４）と、硬化処理を行う工程Ｄ（Ｓ２０６）と、硬化後積層体のガラス基板の表面処理を行う工程Ｅ（Ｓ２０８）と、硬化後積層体と未硬化の硬化性樹脂組成物層とガラス基板とを有する硬化前積層体を形成する工程Ｆ（Ｓ２１０）と、硬化処理を行う工程Ｇ（Ｓ２１２）とを有し、上記工程Ｃ（Ｓ２０４）および工程Ｄ（Ｓ２０６）を行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｅ（Ｓ２０８）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）を繰り返して多層ガラス積層体を得る工程である。
図３に示す各工程は、第１工程Ｓ２０２が工程Ｃ（Ｓ２０４）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）より構成される点を除いて、図１に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として工程Ｃ（Ｓ２０４）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）について詳述する。
また、図４は、本発明の電子デバイスの製造方法の第２の実施形態における第１工程（Ｓ２０２）の製造工程を順に示す模式的断面図である。図４においては、第１の実施形態の図２で使用された同じ部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

（工程Ｃ（Ｓ２０４））
工程Ｃは、易剥離性を示す表面を有する支持基板（以後、適宜、剥離性支持基板とも称する）と、支持基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板とをこの順で有する硬化前積層体を形成する工程である。より具体的には、図４（Ａ）に示すように、易剥離性を示す表面１１２ａを有する支持基板１１２と、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と、ガラス基板１６とをこの順で有する硬化前積層体３２を形成する工程である。
この硬化前積層体３２においては、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０はその表面がガラス基板１６および剥離性支持基板１１２と隙間を空けることなく接している。そのため、後述する工程Ｄにおいて硬化性樹脂組成物層を硬化させると、積層されたガラス基板１６の表面の平坦性がより優れる。

硬化前積層体３２を得る方法は特に制限されないが、生産性および取り扱い性などにより優れる点から、以下の二つの方法が好ましく挙げられる。
（第１態様）：支持基板の易剥離性を示す表面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、さらに未硬化の硬化性樹脂組成物層上にガラス基板を積層する方法
（第２態様）：ガラス基板の表面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、さらに支持基板の易剥離性を示す表面が未硬化の硬化性樹脂組成物層と接触するように、未硬化の硬化性樹脂組成物層上に支持基板を積層する方法が挙げられる。
以下では、代表して、第１態様について詳述する。まず、本工程で使用される材料（易剥離性を示す表面を有する支持基板）について詳述し、その後第１態様の手順について詳述する。

（易剥離性を示す表面を有する支持基板）
易剥離性を示す表面を有する支持基板（以後、剥離性支持基板とも称する）とは、積層される樹脂層付きガラス基板中の樹脂層に対して易剥離性を示す表面を有する支持基板を意味する。なお、剥離性支持基板の表面が有する易剥離性とは、後述する硬化後積層体から剥離性支持基板を剥離するための外力を加えた場合、ガラス基板と樹脂層との界面および樹脂層内部で剥離すること無く、剥離性支持基板と樹脂層との界面で剥離する性質を意味する。

剥離性支持基板の易剥離性を示す表面の水接触角は、剥離性支持基板と樹脂層との界面での剥離がより進行しやすい点から、９０°以上であることが好ましく、９０〜１２０°であることがより好ましく、９０〜１１０°であることがさらに好ましい。
なお、水接触角の測定は、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ ＳＨＡＰＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＳＹＳＴＥＭ ＤＳＡ １０Ｍｋ２など）を用いて行うことができる。

剥離性支持基板の製造方法は特に制限されず、例えば、支持基板の表面上に上述した方法により密着層を設ける方法が挙げられる。つまり、剥離性支持基板として、密着層がその表面上に固定された密着層付き支持基板を使用する方法が挙げられる。なかでも、公知の剥離剤を用いて支持基板の表面を処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性支持基板を得る方法が好ましく挙げられる。該工程を実施することにより、支持基板の種類によらず、易剥離性を示す表面を有する剥離性支持基板を得ることができる。
なお、剥離剤としては公知の剥離剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物（例えば、シリコーンオイルなど）、シリル化剤（例えば、ヘキサメチルジシラザンなど）、フッ素系化合物（例えば、フッ素樹脂など）などが挙げられる。

なお、使用される硬化性樹脂組成物としては、第１の実施形態中の樹脂層を形成するために使用される組成物が挙げられる。

（工程Ｃ（Ｓ２０４）の手順）
工程Ｃ（Ｓ２０４）の第１態様では、まず、剥離性支持基板の易剥離性を示す表面上に硬化性組成物を塗布する。硬化性樹脂組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、塗布方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
また、硬化性樹脂組成物の塗布量は特に制限されないが、樹脂層の好適な厚みが得られる点から、１〜１００ｇ／ｍ²であることが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ²であることがより好ましい。
なお、硬化性樹脂組成物に溶媒が含まれている場合は、必要に応じて、硬化性樹脂が硬化しない程度の加熱処理を行って、溶媒を揮発させてもよい。

硬化性樹脂組成物を剥離性支持基板上に塗布して得られる未硬化の硬化性樹脂組成物層の厚みは特に制限されず、後述する好適な厚みを有する樹脂層が得られるように適宜調整される。

次に、未硬化の硬化性樹脂組成物層の上に、ガラス基板を積層する。
ガラス基板を未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下で未硬化の硬化性樹脂組成物層の表面上にガラス基板を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、未硬化の硬化性樹脂組成物層の表面上にガラス基板を重ねた後、ロールやプレスを用いて未硬化の硬化性樹脂組成物層にガラス基板を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、未硬化の硬化性樹脂組成物層とガラス基板の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

上記工程により得られた硬化前積層体には、剥離性支持基板の層と未硬化の硬化性樹脂組成物層とガラス基板の層とがこの順で含まれる。
なお、上記では第１態様の手順について述べたが、上記手順を参照して第２態様を実施してもよい。

（工程Ｄ（Ｓ２０６））
工程Ｄ（Ｓ２０６）は、上記工程Ｃ（Ｓ２０４）で得られた硬化前積層体に対して硬化処理を施し、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化させ、樹脂層を有する硬化後積層体（硬化処理が施された積層体）を得る工程である。より具体的には、図４（Ｂ）に示すように、本工程を実施することにより、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０が硬化して樹脂層３４が得られ、剥離性支持基板１１２の層と樹脂層３４とガラス基板１６の層とをこの順で有する硬化後積層体３６が得られる。

本工程Ｄ（Ｓ２０６）で実施される硬化処理は、使用される硬化性樹脂の種類によって適宜最適な方法が選択されるが、通常、加熱処理または露光処理が行われる。

硬化性樹脂組成物層中に含まれる硬化性樹脂が熱硬化性である場合は、未硬化の硬化性樹脂組成物層に対して加熱処理を施すことにより、該層を硬化させることができる。加熱処理の条件は使用される熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜最適な条件が選択される。なかでも、硬化性樹脂の硬化速度および形成される樹脂層の耐熱性などの点から、１５０〜３００℃（好ましくは１８０〜２５０℃）で１０〜１２０分間（好ましくは３０〜６０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

硬化性樹脂組成物層中に含まれる硬化性樹脂が光硬化性樹脂である場合は、未硬化の硬化性樹脂組成物層に対して露光処理を施すことにより、該層を硬化させることができる。露光処理の際に照射される光の種類は、光硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、紫外光、可視光、赤外光などが挙げられる。また、露光処理の際の照射時間は、硬化性樹脂の硬化速度および形成される樹脂層の耐光性などの点から、０．１〜１０分間（好ましくは０．５〜５分間）が好ましい。

得られた硬化後積層体３６中、樹脂層３４は、ガラス基板１６上に固定（接着）されており、また、剥離性支持基板１１２に剥離可能に密着されている。つまり、樹脂層３４およびガラス基板１６を含む樹脂層付きガラス基板は、第１の実施形態で述べた密着層付きガラス基板に相当する。

（工程Ｅ（Ｓ２０８））
工程Ｅ（Ｓ２０８）は、工程Ｄ（Ｓ２０６）で形成された硬化後積層体中のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有する硬化後積層体を得る工程である。より具体的には、図４（Ｃ）に示すように、本工程を実施することにより、ガラス基板１６の露出表面が剥離剤で処理され、易剥離性を示す表面１６ａとなる。

使用される剥離剤の種類は特に制限されず、例えば、剥離剤としては公知の剥離剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物（例えば、シリコーンオイルなど）、シリル化剤（例えば、ヘキサメチルジシラザンなど）、フッ素系化合物（例えば、フッ素樹脂など）などが挙げられる。
処理方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上記公知の剥離剤をガラス基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理または光照射処理を実施する方法が挙げられる。

ガラス基板の易剥離性を示す表面１６ａの水接触角は、積層される密着層付きガラス基板の剥離がより進行しやすい点から、９０°以上であることが好ましく、９０〜１２０°であることがより好ましく、９０〜１１０°であることがさらに好ましい。
なお、水接触角の測定は、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ ＳＨＡＰＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＳＹＳＴＥＭ ＤＳＡ １０Ｍｋ２など）を用いて行うことができる。

（工程Ｆ（Ｓ２１０））
工程Ｆ（Ｓ２１０）は、工程Ｅ（Ｓ２０８）で得られた硬化後積層体と、硬化後積層体中の最外側のガラス基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板とをこの順で有する硬化前積層体を形成する工程である。より具体的には、図４（Ｄ）に示すように、本工程により、硬化後積層体３６と、硬化後積層体３６のガラス基板１６の易剥離性を示す表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層３０とガラス基板１６とをこの順で有する硬化前積層体１３２が形成される。

工程Ｆ（Ｓ２１０）の手順は、上述した工程Ｃ（Ｓ２０４）の手順と同じである。
また、工程Ｆ（Ｓ２１０）で使用される硬化性樹脂組成物も、工程Ｃ（Ｓ２０４）で使用される硬化性樹脂組成物と同じである。

（工程Ｇ（Ｓ２１２））
工程Ｇ（Ｓ２１２）は、上記工程Ｆ（Ｓ２１０）で得られた硬化前積層体に対して硬化処理を施し、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化させ、樹脂層を有する硬化後積層体（硬化処理が施された積層体）を得る工程である。より具体的には、図４（Ｅ）に示すように、本工程を実施することにより、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０が硬化して樹脂層３４が得られ、樹脂層３４およびガラス基板１６を含む樹脂層付きガラス基板が２枚積層された硬化後積層体１３６が得られる。
硬化処理の条件は、上記工程Ｄ（Ｓ２０６）と同様である。

第１工程（Ｓ２０２）においては、工程Ｃ（Ｓ２０４）および工程Ｄ（Ｓ２０６）を行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｅ（Ｓ２０８）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）を繰り返して多層ガラス積層体を得る。
図４においては、工程Ｃ（Ｓ２０４）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）を実施することにより、２枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体が得られる。例えば、工程Ｃ（Ｓ２０４）および工程Ｄ（Ｓ２０６）を行った後、工程Ｅ（Ｓ２０８）〜工程Ｇ（Ｓ２１２）までの一連の処理を３回実施すれば、合計４枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体が得られる。
上記態様によって得られる多層ガラス積層体においては、積層された一の樹脂層付きガラス基板の樹脂層と、一の樹脂層付きガラス基板に隣接する他の樹脂層付きガラス基板中のガラス基板との間に気泡などの発生がより抑制され、多層ガラス積層体中におけるガラス基板の平坦性により優れる。

なお、得られた多層ガラス積層体に対して、上述した第２工程（Ｓ１０４）を実施することにより、複数枚の電子デバイスを製造することができる。例えば、合計４枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体に対して第２工程（Ｓ１０４）を４回実施すると、４枚の電子デバイスを製造することができる。

なお、第２の実施形態においては、工程Ｄ（Ｓ２０６）と工程Ｅ（Ｓ２０８）との間に、ガラス基板の表面を研磨する工程を実施してもよい。また、工程Ｅ（Ｓ２０８）から工程Ｇ（Ｓ２１２）を繰り返す場合における、工程Ｅ（２０８）の前に硬化後積層体中のガラス基板の表面を研磨する工程を実施してもよい。
本工程を設けることにより、ガラス基板表面の微小な凹凸および疵を除去することができ、電子デバイス用部材が形成される面の平坦性をより向上することができる。よって、製品である電子デバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、本発明で使用される厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板に対して顕著である。
研磨の方法は、第１の実施形態で説明した方法と同じである。

＜第３の実施形態＞
図５は、本発明の電子デバイスの製造方法の第３の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図５に示すように、電子デバイスの製造方法の第３の実施形態は、多層ガラス積層体を形成する第１工程（Ｓ３０２）と、複数枚の電子デバイスを製造する第２工程（Ｓ１０４）とを備える。第１工程（Ｓ３０２）は、未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい支持基板を有する硬化前積層体を形成する工程Ｈ（Ｓ３０４）と、硬化処理を行う工程Ｉ（Ｓ３０６）と、硬化後積層体中の支持基板の外周縁に沿って樹脂層およびガラス基板を切断する工程Ｊ（Ｓ３０８）と、硬化後積層体のガラス基板の表面処理を行う工程Ｋ（Ｓ３１０）と、硬化後積層体と未硬化の硬化性樹脂組成物層とガラス基板とを有する硬化前積層体を形成する工程Ｌ（Ｓ３１２）と、硬化処理を行う工程Ｍ（Ｓ３１４）と、硬化後積層体中の支持基板の外周縁に沿って樹脂層およびガラス基板を切断する工程Ｎ（Ｓ３１６）とを有し、上記工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｊ（Ｓ３０８）を行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｋ（Ｓ３１０）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）を繰り返して多層ガラス積層体を得る工程である。
図５に示す各工程は、第１工程（Ｓ３０２）が工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）より構成される点を除いて、図１に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）について詳述する。
また、図６は、本発明の電子デバイスの製造方法の第３の実施形態における第１工程（Ｓ３０２）の製造工程を順に示す模式的断面図である。図６においては、第１の実施形態の図２または第２の実施形態の図４で使用された同じ部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

（工程Ｈ（Ｓ３０４））
工程Ｈ（Ｓ３０４）は、ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、その未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有する易剥離性を示す表面を有する支持基板（以後、剥離性支持基板とも称する）を、易剥離性を示す表面が未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、未硬化の硬化性樹脂組成物層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように、未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程である。より具体的には、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板１６と、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と、剥離性支持基板１１２とをこの順で有する硬化前積層体２３２が形成される。剥離性支持基板１１２の易剥離性を示す表面１１２ａは、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と接触している。
なお、図７（Ａ）は硬化前積層体２３２の上面図であり、該図に示されるように、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の周縁領域３０ａは、剥離性支持基板１１２と接触していない。

通常、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の露出表面には、その表面張力の影響によって周縁部付近に凸部が生じやすい（図７（Ｂ）参照）。剥離性支持基板１１２を積層する際に、そのような凸部と接触すると、剥離性支持基板１１２と未硬化の硬化性樹脂組成物層３０との間に空隙４０が生じることがあり、結果として剥離性支持基板１１２と未硬化の硬化性樹脂組成物層３０とが接触しない領域が生じる場合がある（図７（Ｃ））。このような領域があると、後述する工程Ｉ（Ｓ３０６）で得られる樹脂層の剥離性支持基板に対する密着性が低下する場合がある。また、空隙４０に異物が入り込み電子デバイス用部材を汚染する汚染源となり、電子デバイスの歩留まりを低下させる原因ともなり得る。
そこで、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の外形よりも小さい外形を有する剥離性支持基板１１２を使用することにより、該凸部と接触させることなく、剥離性支持基板１１２を未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と接触させることができる。結果として、剥離性支持基板１１２と未硬化の硬化性樹脂組成物層３０とが接触しない領域の発生がより抑制される。

ガラス基板１６の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層３０を形成する方法は特に制限されず、例えば、硬化性樹脂組成物をガラス基板１６上に塗布する方法（塗布方法）が挙げられる。この塗布方法は特に制限されず、第２の実施形態の工程Ｃ（Ｓ２０４）で述べた方法などが使用される。
また、剥離性支持基板１１２を未硬化の硬化性樹脂組成物層３０上に積層する方法は特に制限されず、第２の実施形態の工程Ｃ（Ｓ２０４）で述べた積層方法などが使用される。

該態様においては、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の外形は剥離性支持基板１１２の外形よりも大きい。未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の剥離性支持基板１１２と接触する領域の面積Ａと未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の全面積Ｂとの比（面積Ａ／全面積Ｂ）は、０．９８以下であることが好ましく、０．９５以下であることがより好ましい。上記範囲内であれば、樹脂層の厚みムラの発生がより抑制される。下限は特に制限されないが、生産性などの点から、０．７５以上であることが好ましく、０．８０以上であることがより好ましい。
また、剥離性支持基板１１２の外周縁から未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の外周縁までの長さは、１０ｍｍ以上が好ましく、１５ｍｍ以上がより好ましい。上記範囲内であれば、樹脂層の厚みムラの発生がより抑制される。上限は特に制限されないが、生産性などの点から、１００ｍｍ以下が好ましい。

（工程Ｉ（Ｓ３０６））
工程Ｉ（Ｓ３０６）は、上記工程Ｈ（Ｓ３０４）で得られた硬化前積層体に対して硬化処理を施し、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化させ、樹脂層を有する硬化後積層体（硬化処理が施された積層体）を得る工程である。より具体的には、図６（Ｂ）に示すように、本工程を実施することにより、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０が硬化して樹脂層３４が得られ、ガラス基板１６と樹脂層３４と剥離性支持基板１１２の層との層とをこの順で有する硬化後積層体２３６が得られる。
硬化処理の方法・条件は特に制限されないが、上述した第２の実施形態の工程Ｄ（Ｓ２０６）で述べた方法・条件などが挙げられる。

（工程Ｊ（Ｓ３０８））
工程Ｊ（Ｓ３０８）は、上記工程Ｉ（Ｓ３０６）で得られた硬化後積層体中の剥離性支持基板の外周縁に沿って、樹脂層およびガラス基板を切断する工程である。言い換えると、硬化後積層体中の樹脂層およびガラス基板のそれぞれの外周部を切断して、剥離性支持基板、樹脂層、およびガラス基板のそれぞれの外周縁の全周を揃える工程である。より具体的には、図６（Ｃ）に示すように、本工程によって、剥離性支持基板１１２の外周縁に沿って、樹脂層３４およびガラス基板１６が切断され、切断後積層体４２（切断処理が施された積層体）が得られる。

樹脂層およびガラス基板を切断する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、図８〜図１０に基づいて説明される切断方法が、取扱い性などの点から好ましい。

図８はステージ上に載置した硬化後積層体を一部透視して示す平面図であり、図９はステージ上に載置した硬化後積層体および加工ヘッドを一部破壊して示す断面図であり、図１０は別のステージ上に載置した硬化後積層体および挟持治具を示す断面図である。

図８に示すように、硬化後積層体２３６は、剥離性支持基板１１２の主面がステージ５０で支持されると共に、剥離性支持基板１１２の外周縁がステージ５０上に設けられる位置決めブロック５１〜５３に当接される。

図８においては、剥離性支持基板１１２の露出表面がステージ５０の上面で支持されると共に、矩形状の剥離性支持基板１１２の互いに垂直な２辺１１２ｂおよび１１２ｃが位置決めブロック５１〜５３に当接される。その後、剥離性支持基板１１２の残りの各辺１１２ｄ、１１２ｅに、移動ブロック５４、５５が接近され、当接される。

図８に示すように、剥離性支持基板１１２の外周縁が位置決めブロック５１〜５３に当接されると、剥離性支持基板１１２の外周縁とステージ５０との位置合わせ精度がよくなる。よって、剥離性支持基板１１２の外周縁と、樹脂層３４およびガラス基板１６の外周縁とが精度良く揃えられる。
また、ステージ５０の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ５０の上面に剥離性支持基板１１２が吸着される。ステージ５０の上面には、剥離性支持基板１１２を保護するため、樹脂フィルムなどが設置されてよい。

次いで、撮像装置がステージ５０上の硬化後積層体２３６を撮像する。撮像された画像はコンピュータに送信される。コンピュータは、受信した画像を画像処理して、剥離性支持基板１１２の外周縁とステージ５０との位置関係を検出する。

次いで、コンピュータは、画像処理の結果に基づいて、硬化後積層体２３６を加工する加工ヘッド６０をステージ５０に対して相対移動させる。加工ヘッド６０の移動軌跡は、平面視にて剥離性支持基板１１２の外周縁と重なるように制御する（図９参照）。

なお、本実施形態では、コンピュータは加工ヘッドの移動軌跡を制御するため、画像処理の結果を利用するとしたが、その代わりハードディスクなどの記録媒体などに予め記録されている剥離性支持基板の形状寸法に関する情報を利用してもよい。その場合、撮像装置は不要となる。

図９に示す、加工ヘッド６０は、ガラス基板１６の種類や厚さなどに応じて構成される。例えば、加工ヘッド６０は、ガラス基板１６の表面に切線６６を形成するものであって、カッタ６２などで構成される。

カッタ６２は、例えば、円板状であって、外周部がダイヤモンドや超合金などで形成され、ホルダ６４は回転可能に支持されている。カッタ６２の外周部をガラス基板１６の表面に押し付けた状態で、ホルダ６４をガラス基板１６の面内方向に相対移動させると、カッタ６２が回転しながら、ガラス基板１６の表面に切線６６を形成する。
切線６６は、矩形状の剥離性支持基板１１２の４辺１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｅに対応して４本設けられ、それぞれ平面視にて剥離性支持基板１１２の対応する辺と重なるように形成される。各切線６６は、ガラス基板１６の表面を分断するようにガラス基板１６の一辺から他辺まで伸びている。

なお、図９で示す本実施形態の加工ヘッド６０は、カッタ６２などで構成されているが、先端が円錐形状であってダイヤモンドで形成され、滑りにより切線を入れるポイントスクライバであってもよく、レーザ光源などで構成されていてもよい。レーザ光源は、ガラス基板１６の表面にスポット光を照射する。スポット光は、ガラス基板１６の表面上で走査され、熱応力によって切線６６を形成する。

加工ヘッド６０によって切線６６が形成された後、真空ポンプが作動停止され、吸引孔内が大気に開放され、吸引が解除される。次いで、移動ブロック５４、５５が剥離性支持基板１１２から離間されると共に、剥離性支持基板１１２が位置決めブロック５１〜５３から離間される。その後、硬化後積層体２３６は、ステージ５０の上方に持ちあげられ、別のステージ７０の上方に移送される。続いて、硬化後積層体２３６は、下方に降ろされ、ステージ７０に載置される（図１０参照）。

次いで、図１０に示されるように、ステージ７０の上面に複数設けられている吸引孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ７０の上面に剥離性支持基板１１２が吸着される。この状態では、ステージ７０の外側に、一本の切線６６がはみ出ている。

次いで、一本の切線６６よりも外側の部分が、板厚方向に挟持治具７２で挟持される。この状態で、挟持治具７２が下方向に回動されると、ガラス基板１６および樹脂層３４に曲げ応力が加わるので、１本の切線６６を起点として板厚方向にクラック６８が延伸展し、ガラス基板１６および樹脂層３４が一度に割断される（図１０参照）。

次いで、ステージ５０上での剥離性支持基板１１２の吸着が解除され、硬化後積層体２３６は、平行移動または９０°回動された後、再び吸着される。その後、他の１本の切線６６に沿って、ガラス基板１６および樹脂層３４が割断される。これを繰り返して、４本の切線６６に沿ってガラス基板１６および樹脂層３４が割断される。

なお、本実施形態では、割断を行うために、硬化後積層体がステージ５０から別のステージ７０に移送されるとしたが、同じステージ５０上で、平行移動または９０°回動された後、割断が行われてもよい。また、必要に応じて割断部に面取処理を施してもよい。

（工程Ｋ（Ｓ３１０））
工程Ｋ（Ｓ３１０）は、工程Ｊ（Ｓ３０８）で形成された切断後積層体中のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有する切断後積層体を得る工程である。より具体的には、図６（Ｄ）に示すように、本工程を実施することにより、ガラス基板１６の露出表面が剥離剤で処理され、易剥離性を示す表面１６ａとなる。
工程Ｋ（Ｓ３１０）の方法は特に制限されず、例えば、上述した第２の実施形態の工程Ｅ（Ｓ２０８）で説明した方法が挙げられる。

（工程Ｌ（Ｓ３１２））
工程Ｌ（Ｓ３１２）は、ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、その未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有する切断後積層体を、切断後積層体中のガラス基板の易剥離性を示す表面が未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、未硬化の硬化性樹脂組成物層に切断後積層体と接触しない周縁領域が残るように、未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程である。より具体的には、図６（Ｅ）に示すように、ガラス基板１６と、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と、切断後積層体４２とをこの順で有する硬化前積層体３３２が形成される。切断後積層体４２のガラス基板の易剥離性を示す表面１６ａは、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０と接触している。なお、図６（Ａ）に示した場合と同様に、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０の周縁領域３０ａは、切断後積層体４２と接触していない。
工程Ｌ（Ｓ３１２）の方法・条件は特に制限されないが、上述した工程Ｈ（Ｓ３０２）の方法・条件などが挙げられる。

（工程Ｍ（Ｓ３１４））
工程Ｍ（Ｓ３１４）は、上記工程Ｌ（Ｓ３１２）で得られた硬化前積層体に対して硬化処理を施し、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化させ、樹脂層を有する硬化後積層体（硬化処理が施された積層体）を得る工程である。より具体的には、図６（Ｆ）に示すように、本工程を実施することにより、未硬化の硬化性樹脂組成物層３０が硬化して樹脂層３４が得られ、ガラス基板１６と樹脂層３４と切断後積層体４２の層との層とをこの順で有する硬化後積層体３３６が得られる。
硬化処理の方法・条件は特に制限されないが、上述した第２の実施形態の工程Ｄ（Ｓ２０６）で述べた方法・条件などが挙げられる。

（工程Ｎ（Ｓ３１６））
工程Ｎ（Ｓ３１６）は、上記工程Ｍ（Ｓ３１４）で得られた硬化後積層体中の支持基板の外周縁に沿って、樹脂層およびガラス基板を切断する工程である。言い換えると、硬化後積層体中の樹脂層およびガラス基板のそれぞれの外周部を切断して、切断後積層体、樹脂層、およびガラス基板のそれぞれの外周縁の全周を揃える工程である。より具体的には、図６（Ｇ）に示すように、本工程によって、剥離性支持基板１１２（切断後積層体４２）の外周縁に沿って、樹脂層３４およびガラス基板１６が切断され、切断後積層体１４２（切断処理が施された積層体）が得られる。
工程Ｎ（Ｓ３１６）の方法は特に制限されず、例えば、上記工程Ｊ（Ｓ３０８）で述べた方法などが挙げられる。

第１工程（Ｓ３０２）においては、工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｊ（Ｓ３０８）を行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように工程Ｋ（Ｓ３１０）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）を繰り返して多層ガラス積層体を得る。
図６においては、工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）を実施することにより、２枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体が得られる。例えば、工程Ｈ（Ｓ３０４）〜工程Ｊ（Ｓ３０８）を行った後、工程Ｋ（Ｓ３１０）〜工程Ｎ（Ｓ３１６）までの一連の処理を３回実施すれば、合計４枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体が得られる。
上記態様によって得られる多層ガラス積層体においては、積層された一の樹脂層付きガラス基板の密着層と、一の樹脂層付きガラス基板に隣接する他の樹脂層付きガラス基板中のガラス基板との間に気泡などの発生がより抑制され、多層ガラス積層体中におけるガラス基板の平坦性により優れる。

なお、得られた多層ガラス積層体に対して、第２工程（Ｓ１０４）を実施することにより、複数枚の電子デバイスを製造することができる。例えば、合計４枚の樹脂層付きガラス基板が積層された多層ガラス積層体に対して第２工程（Ｓ１０４）を４回実施すると、４枚の電子デバイスを製造することができる。

なお、第３の実施形態においては、工程Ｊ（Ｓ３０８）と工程Ｋ（Ｓ３１０）との間に、ガラス基板の表面を研磨する工程を実施してもよい。また、工程Ｋ（Ｓ３１０）から工程Ｎ（Ｓ３１６）を繰り返す場合における、工程Ｋ（Ｓ３１０）の前に切断後積層体中のガラス基板の表面を研磨する工程を実施してもよい。
本工程を設けることにより、ガラス基板表面の微小な凹凸および疵を除去することができ、電子デバイス用部材が形成される面の平坦性をより向上することができる。よって、製品である電子デバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、本発明で使用される厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板に対して顕著である。
研磨の方法は特に制限されず、例えば、上述した第２の実施形態で述べた研磨方法などが挙げられる。

＜第４の実施形態＞
図１１は、本発明の電子デバイスの製造方法の第４の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図１１に示すように、電子デバイスの製造方法の第４の実施形態は、多層ガラス積層体を形成する第１工程（Ｓ４０２）と、複数枚の電子デバイスを製造する第２工程（Ｓ１０４）とを備える。第１工程（Ｓ４０２）は、易剥離性を示す表面を有する支持基板、支持基板の易剥離性を示す表面上に少なくとも１枚配置された密着層付きガラス基板、および、密着層付きガラス基板上で最外側に配置されたガラス基板を有し、密着層付きガラス基板中のガラス基板が支持基板側を向いて配置されている多層ガラス積層体を形成する工程である。
図１１に示す各工程は、第１工程（Ｓ４０２）を除いて、図１に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として第１工程（Ｓ４０２）について詳述する。
また、図１２は、本発明の電子デバイスの製造方法の第４の実施形態における第１工程（Ｓ４０２）の手順を順に示す模式的断面図である。図１２においては、第１の実施形態の図２、第２の実施形態の図４、および、第３の実施形態の図６で使用された同じ部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
なお、第４の実施形態では、密着層付きガラス基板中の密着層上に電子デバイス用部材を形成することができる。つまり、多層ガラス積層体中において密着層が他のガラス基板との易剥離性を示す機能を有すると共に、電子デバイス用部材に好適な下地層としての機能も有する。

（第１工程（Ｓ４０２））
第１工程（Ｓ４０２）は、図１２（Ｃ）に示すように、易剥離性を示す表面を有する支持基板１１２、支持基板１１２の易剥離性を示す表面１１２ａ上に少なくとも１枚配置された密着層付きガラス基板１１４、および、密着層付きガラス基板１１４上に配置されたガラス基板１６を有する多層ガラス積層体２１０を形成する工程である。なお、多層ガラス積層体２１０中において密着層付きガラス基板１１４は、支持基板１１２上に剥離可能に配置され、密着層付きガラス基板１１４中のガラス基板１６は支持基板１１２側を向いて配置されている。また、多層ガラス積層体２１０の最外側には、ガラス基板１６が密着層付きガラス基板１１４上に剥離可能に配置されている。なお、多層ガラス積層体２１０中において、密着層付きガラス基板１１４、および、最外側に配置されたガラス基板１６が、電子デバイス形成用ガラス基板に該当する。
以下に、図１２を参照して、第１工程（Ｓ４０２）の手順の一例について詳述する。

まず、図１２（Ａ）に示すように、易剥離性を示す表面１１２ａを有する支持基板１１２を用意する。なお、以後、剥離性支持基板１１２とも称する。剥離性支持基板の定義は、上述の通りである。

次に、図１２（Ｂ）に示すように、剥離性支持基板１１２の易剥離性を示す表面１１２ａ上に、密着層付きガラス基板１１４を配置する。その際、密着層付きガラス基板１１４中のガラス基板１６が剥離性支持基板１１２と向き合うように配置する。密着層付きガラス基板１１４中の密着層７４としては、上述した無機層、または、シリコーンオイル、シリル化剤若しくはフッ素系化合物により形成される層が好適に使用される。
密着層付きガラス基板１１４は、剥離性支持基板１１２上に剥離可能に配置されているため、後述する第２工程（Ｓ１０４）において、容易に剥離性支持基板１１２上から剥離される。
また、図１２（Ｂ）においては、剥離性支持基板１１２上に１枚の密着層付きガラス基板１１４が積層されているが、複数枚の密着層付きガラス基板が積層されていてもよい。複数前の密着層付きガラス基板が積層される場合、積層された密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成される。

さらに、図１２（Ｃ）に示すように、密着層付きガラス基板１１４中の密着層７４上にガラス基板１６が配置され、多層ガラス積層体２１０が形成される。
なお、密着層付きガラス基板１１４およびガラス基板１６を積層する方法は特に制限されず、第１の実施態様などで述べた公知の方法を採用できる。

得られた多層ガラス積層体２１０に対して、上述した第２工程（Ｓ１０４）を施すことにより、所望の電子デバイスを製造できる。
より具体的には、まず、多層ガラス積層体中の最外側に配置されたガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る。その後、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置されたガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する。その後、残存する積層体中の最外側に配置された密着層付きガラス基板中の密着層上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る。その後、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された密着層付きガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する。
図１２（Ｃ）に記載の多層ガラス積層体２１０に対して、上述した処理を施すことにより、合計２枚の電子デバイスを製造することができる。

なお、多層ガラス積層体中に密着層付きガラス基板が複数枚含まれる場合は、工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）を所定回数繰り返すことにより、所望の枚数の電子デバイスを製造することができる。
例えば、剥離性支持基板上に３枚の密着層付きガラス基板と１枚のガラス基板が配置されている場合、上記工程Ａ（Ｓ１０６）および工程Ｂ（Ｓ１０８）をそれぞれ４回繰り返すことにより、合計４枚の電子デバイスを製造することができる。

＜第５の実施形態＞
図１３は、本発明の電子デバイスの製造方法の第４の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図１３に示すように、電子デバイスの製造方法の第４の実施形態は、多層ガラス積層体を形成する第１工程（Ｓ５０２）と、複数枚の電子デバイスを製造する第２工程（Ｓ１０４）とを備える。第１工程（Ｓ５０２）は、支持基板および支持基板上に複数枚積層して配置された密着層付きガラス基板を有し、密着層付きガラス基板がガラス基板の両主面に密着層が配置されてなる多層ガラス積層体を形成する工程である。
図１３に示す各工程は、第１工程（Ｓ５０２）を除いて、図１に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として第１工程（Ｓ５０２）について詳述する。
また、図１４は、本発明の電子デバイスの製造方法の第５の実施形態における第１工程（Ｓ５０２）の手順を順に示す模式的断面図である。図１４においては、第１の実施形態の図２、第２の実施形態の図４、および、第３の実施形態の図６で使用された同じ部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
なお、第５の実施形態では、密着層付きガラス基板中の密着層上に電子デバイス用部材を形成することができる。つまり、多層ガラス積層体中において密着層が他のガラス基板との易剥離性を示す機能を有すると共に、電子デバイス用部材に好適な下地層としての機能も有する。

（第１工程（Ｓ５０２））
第１工程（Ｓ５０２）は、図１４（Ｃ）に示すように、支持基板１２と、支持基板１２上に複数枚積層して配置された密着層付きガラス基板２１４とを有する多層ガラス積層体３１０を形成する工程である。なお、密着層付きガラス基板２１４は、ガラス基板１６の両主面に密着層１８を有する。また、積層された密着層付きガラス基板は、密着層同士が剥離可能に密着するように配置される。
以下に、図１４を参照して、第１工程（Ｓ５０２）の手順の一例について詳述する。

まず、図１４（Ａ）に示すように、支持基板１２を用意する。
次に、図１４（Ｂ）に示すように、支持基板１２上に密着層付きガラス基板２１４を積層する。積層する方法は、上述の通りである。また、密着層付きガラス基板２１４中のガラス基板１６および密着層１８の定義は上述の通りである。なお、密着層付きガラス基板２１４は、支持基板１２上に剥離可能に積層される。
その後、図１４（Ｃ）に示すように、さらにもう１枚の密着層付きガラス基板２１４を積層して、多層ガラス積層体３１０が製造される。なお、密着層付きガラス基板２１４同士は、密着層１８同士が密着するように構成される。

得られた多層ガラス積層体３１０に対して、上述した第２工程（Ｓ１０４）を施すことにより、所望の電子デバイスを製造できる。
より具体的には、まず、多層ガラス積層体中の最外側に配置された密着層付きガラス基板中の密着層上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る。その後、電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された密着層付きガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する。その後、同様の工程を実施して、合計２枚の電子デバイスを製造することができる。
なお、図１４（Ｃ）においては、２枚の密着層付きガラス基板２１４が使用されているが、その枚数は特に制限されない。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例１では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７６０ｍｍ、横６４０ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
また、実施例２および３では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７６０ｍｍ、横６４０ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７６０ｍｍ、横６４０ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

＜実施例１＞
支持基板を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、表面を清浄化した。その後、支持基板の片面である第２主面にマスクを施したうえで、反対側の第１主面にシリコーンオイル含有量が１質量％のヘプタン溶液をスプレーコートして乾燥した。シリコーンオイルには、ジメチルポリシロキサン（東レ・ダウコーニング社製、ＳＨ２００、動粘度１９０〜２１０ｍｍ²/ｓ）を用いた。続いて、シリコーンオイルの低分子化のため、２５０℃での加熱処理を５分間行い、剥離性支持基板を得た。
その後、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ ＳＨＡＰＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＳＹＳＴＥＭ ＤＳＡ １０Ｍｋ２）を用いて、剥離性支持基板の第１主面の水接触角を測定したところ、１００°であった。

次に、以下の工程Ｈを実施した。具体的には、ガラス基板の第１主面上に、両末端にビニル基を有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサン（ビニルシリコーン、荒川化学工業社製、８５００）と、分子内にハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサン（荒川化学工業社製、１２０３１）と、白金系触媒（荒川化学工業社製、ＣＡＴ１２０７０）との混合液を、縦７５０ｍｍ、横６３０ｍｍの大きさで長方形にスクリーン印刷機にて塗工し、未硬化の硬化性シリコーンを含む層をガラス基板上に設けた（塗工量３５ｇ／ｍ²）。ここで、直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサンと、メチルハイドロジェンポリシロキサンとの混合比は、ビニル基とハイドロシリル基とのモル比が１：１になるように調節した。また、白金系触媒は、直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサンと、メチルハイドロジェンポリシロキサンとの合計１００質量部に対して、５質量部とした。

次に、剥離性支持基板のシリコーン樹脂と接触させる側の面（易剥離性を示す面）を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。その後、剥離性支持基板の易剥離性を示す面と、未硬化の硬化性シリコーンを含む層とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、３０Ｐａで５分間静置して、未硬化の硬化性シリコーンを含む層の脱泡処理を行い、硬化前積層体Ａ０を得た。その際、未硬化の硬化性シリコーンを含む層に剥離性支持基板と接触しない周縁領域が残るように、剥離性支持基板を未硬化の硬化性シリコーンを含む層上に積層した。なお、剥離性支持基板の外周縁から未硬化の硬化性樹脂組成物層の外周縁までの長さは約１５ｍｍ以上であった。また、未硬化の硬化性樹脂組成物層の剥離性支持基板と接触する領域の面積Ａと未硬化の硬化性樹脂組成物層の全面積Ｂとの比（面積Ａ／全面積Ｂ）は、０．９１であった。

次に、以下の工程Ｉを実施した。具体的には、硬化前積層体Ａ０を２５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ１０μｍの硬化したシリコーン樹脂層を含む硬化後積層体Ａ１を得た。

次に、以下の工程Ｊを実施した。具体的には、位置決め冶具を取り付けた定盤上に硬化後積層体Ａ１の剥離性支持基板を固定し、定盤の上面から剥離性支持基板の外周縁のうち一つの辺と重なるように、ガラス基板の第２主面上にダイヤモンドホイールカッタで切線を刻んだ後、挟持冶具にてガラス基板の切線の外側を挟み込み、割断した。同様に、剥離性支持基板の外周縁の残りの３辺と重なるガラス基板の外側についても割断した後、曲面を有する砥石でガラス基板の割断面を研磨し面取を施して、切断後積層体Ａ２を得た。

次に、切断後積層体Ａ２中のガラス基板の露出表面を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、表面を清浄化した。その後、ガラス基板の露出表面にシリコーンオイル含有量が１質量％のヘプタン溶液をスプレーコートして乾燥した。シリコーンオイルには、ジメチルポリシロキサン（東レ・ダウコーニング社製、ＳＨ２００、動粘度１９０〜２１０ｍｍ²/ｓ）を用いた。続いて、シリコーンオイルの低分子化のため、２５０℃での加熱処理を５分間行い、切断後積層体Ａ２のガラス基板の処理を行った。

次に、剥離性支持基板の代わりに、上記表面処理が施された切断後積層体Ａ２を使用して、工程Ｈ〜工程Ｊの処理を実施して、多層ガラス積層体を得た。さらに、得られた多層ガラス積層体に対して、再度工程Ｈ〜工程Ｊの処理を実施して、樹脂層付きガラス基板が３枚積層された多層ガラス積層体を製造した。

次に、多層ガラス積層体を用いてＯＬＥＤを作製した。
より具体的には、多層ガラス積層体の最外側における樹脂層付きガラス基板中のガラス基板の主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、ガラス基板の主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜した。次に、ガラス基板の主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成したガラス基板の主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう１枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有する切断後積層体は、電子デバイス用部材付き積層体に該当する。
続いて、電子デバイス用部材付き積層体の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、電子デバイス用部材付き積層体の最外側の樹脂層付きガラス基板中のガラス基板と、そのガラス基板に密着するシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、電子デバイス用部材付き積層体からＯＬＥＤパネル（樹脂層付きガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子デバイスに該当）を剥離して得た。なお、残部として、樹脂層付きガラス基板を含むガラス積層体が得られた。
さらに、ＯＬＥＤパネルが剥離されて残存する樹脂層付きガラス基板が積層された積層体に対して、上記処理を２回繰り返し、もう２枚のＯＬＥＤパネルを製造した。

＜実施例２＞
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＳｉＮ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。
次に、ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。無機層付き支持基板の無機層の露出表面とガラス基板の清浄化した表面とに、アルカリ水溶液による洗浄および水による洗浄を施した後、清浄化された両面を室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ｂ１を得た。
次に、ガラス積層体Ｂ１中のガラス基板の露出表面を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、表面を清浄化した。さらに、清浄化した面にマグネトロンスパッタリング法により、厚さ２０ｎｍのＳｉＮ層を形成し、２枚目のガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。ガラス積層体Ｂ１の最外側に位置する無機層の露出表面と２枚目ガラス基板の清浄化した表面とに、アルカリ水溶液による洗浄および水による洗浄を施した後、清浄化された両面を室温下で真空プレスにより貼り合わせ、多層ガラス積層体Ｂ２を得た。
また、ガラス積層体Ｂ１の代わりに多層ガラス積層体Ｂ２を用いて上記と同様の処理を行い、３枚目のガラス基板が積層された多層ガラス積層体Ｂ３を得た。さらに、多層ガラス積層体Ｂ２の代わりに多層ガラス積層体Ｂ３を用いて上記と同様の処理を行い、４枚目のガラス基板が積層された多層ガラス積層体Ｂ４を得た。なお、多層ガラス積層体Ｂ４においては、３枚の無機層付きガラス基板と１枚のガラス基板とが積層されている。
実施例１で使用された多層ガラス積層体の代わりに、上記多層ガラス積層体Ｂ４を用いて、実施例１と同様の手順に従って、４枚のＯＬＥＤを作製した。なお、得られたＯＬＥＤにおいて、３枚のＯＬＥＤでは無機層付きガラス基板の無機層上に電子デバイス用部材が形成されている。

＜実施例３＞
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、ヘキサメチルジシラザン（関東化学株式会社製、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン）を気化したガスを含む雰囲気に、ガラス板を１０分間曝して表面処理を行った。
次に、ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。支持基板の上記表面処理を施した表面とガラス基板の清浄化した表面とを室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ｃ１を得た。
次に、ガラス積層体Ｃ１中のガラス基板の露出表面を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、表面を清浄化した。さらに、清浄化した面にヘキサメチルジシラザンを気化したガスを含む雰囲気を１０分間曝して表面処理を行った。ガラス積層体Ｃ１の上記表面処理を施した表面と２枚目ガラス基板の清浄化した表面とを室温下で真空プレスにより貼り合わせ、多層ガラス積層体Ｃ２を得た。
また、ガラス積層体Ｃ１の代わりに多層ガラス積層体Ｃ２を用いて、３枚目のガラス基板が積層された多層ガラス積層体Ｃ３を得た。さらに、多層ガラス積層体Ｃ２の代わりに多層ガラス積層体Ｃ３を用いて上記と同様の処理を行い、４枚目のガラス基板が積層された多層ガラス積層体Ｃ４を得た。なお、多層ガラス積層体Ｃ４においては、３枚の密着層付きガラス基板と１枚のガラス基板とが積層されている。
実施例１で使用された多層ガラス積層体の代わりに、上記多層ガラス積層体Ｃ４を用いて、実施例１と同様の手順に従って、４枚のＯＬＥＤを作製した。なお、得られたＯＬＥＤにおいて、３枚のＯＬＥＤでは密着層付きガラス基板の無機層上に電子デバイス用部材が形成されている。

＜実施例４＞
３枚のガラス基板として、それぞれの第１主面上のコーナー部近傍（ＯＬＥＤ素子の非形成部に相当）にＣＯ₂レーザマーカー（キーエンス社製）で、「Ｎｏ．１」、「Ｎｏ．２」「Ｎｏ．３」と刻印を施したガラス基板を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、多層ガラス積層体Ｄを得て、３枚のＯＬＥＤを作製した。

１０，１１０，２１０，３１０ 多層ガラス積層体
１２ 支持基板
１４，１１４，２１４ 密着層付きガラス基板
１６ ガラス基板
１８，７４ 密着層
２０ 電子デバイス用部材
２２，１２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 電子デバイス
３０ 未硬化の硬化性樹脂組成物層
３２，１３２，２３２，３３２ 硬化前積層体
３４ 樹脂層
３６，１３６，２３６，３３６ 硬化後積層体
４０ 空隙
４２ 切断後積層体
５０，７０ ステージ
５１〜５３ 位置決めブロック
５４，５５ 移動ブロック
６０ 加工ヘッド
６２ カッタ
６４ ホルダ
６６ 切線
６８ クラック
７２ 挟持治具
１１２ 剥離性支持基板

Claims (10)

1. 電子デバイス形成用ガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスの製造方法であって、
   支持基板および前記支持基板上に複数枚積層して剥離可能に配置された電子デバイス形成用ガラス基板を有し、前記電子デバイス形成用ガラス基板の少なくとも１枚が、ガラス基板と前記ガラス基板の少なくとも一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板である、多層ガラス積層体を形成する第１工程、
   前記多層ガラス積層体の最外側に配置された電子デバイス形成用ガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して、電子デバイス用部材付き積層体を得る工程Ａと、前記電子デバイス用部材付き積層体から、最外側に配置された電子デバイス形成用ガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを剥離する工程Ｂとを繰り返して実施し、複数枚の電子デバイスを得る第２工程を有する、電子デバイスの製造方法。
2. 前記電子デバイス形成用ガラス基板が全て前記密着層付きガラス基板であり、
   前記第１工程が、支持基板および前記支持基板上に複数枚積層して配置された前記密着層付きガラス基板を有し、積層された前記密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、前記一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなる多層ガラス積層体を形成する工程である、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記電子デバイス形成用ガラス基板が、１枚のガラス基板と、少なくとも１枚以上の前記密着層付きガラス基板とを含み、
   前記第１工程が、易剥離性を示す表面を有する支持基板、前記支持基板の易剥離性を示す表面上に少なくとも１枚配置された前記密着層付きガラス基板、および、前記密着層付きガラス基板上で最外側に配置されたガラス基板を有し、前記密着層付きガラス基板中の前記ガラス基板が前記支持基板側を向いて配置されている多層ガラス積層体を形成する工程である、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記密着層が、樹脂層である、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記密着層が、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する無機層である、請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記密着層が、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物により形成される、請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記第１工程が、
   易剥離性を示す表面を有する支持基板と、前記支持基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板をこの順で有する硬化前積層体を形成する工程Ｃと、
   前記硬化前積層体中の前記未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｄと、
   前記硬化後積層体中の最外側のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有する硬化後積層体を得る工程Ｅと、
   前記易剥離性を示す表面を有する硬化後積層体と、前記硬化後積層体中の最外側のガラス基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板をこの順で有する硬化前積層体を形成する工程Ｆと、
   前記硬化前積層体中の前記未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｇとを有し、
   前記工程Ｃおよび前記工程Ｄを行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように前記工程Ｅ〜工程Ｇを繰り返して多層ガラス積層体を得る、請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 前記第１工程が、
   ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有し、易剥離性を示す表面を有する支持基板を、前記易剥離性を示す表面が前記未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層に前記支持基板と接触しない周縁領域が残るように、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程Ｈと、
   前記硬化前積層体中の前記未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｉと、
   前記硬化後積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、前記樹脂層および前記ガラス基板を切断して、切断後積層体を得る工程Ｊと、
   前記切断後積層体中の最外側のガラス基板の表面を剥離剤で処理して、易剥離性を示す表面を有す切断後積層体を得る工程Ｋと、
   ガラス基板の表面上に未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層の外形よりも小さい外形を有する前記切断後積層体を、前記切断後積層体中の前記ガラス基板の易剥離性を示す表面が前記未硬化の硬化性樹脂組成物層に接触すると共に、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層に前記切断後積層体と接触しない周縁領域が残るように、前記未硬化の硬化性樹脂組成物層上に積層して、硬化前積層体を得る工程Ｌと、
   前記硬化前積層体中の前記未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化し、樹脂層を有する硬化後積層体を得る工程Ｍと、
   前記硬化後積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、前記樹脂層および前記ガラス基板を切断して、切断後積層体を得る工程Ｎとを有し、
   前記工程Ｈ〜前記工程Ｊを行った後、所定枚数の樹脂層付きガラス基板が積層されるように前記工程Ｋ〜工程Ｎを繰り返して多層ガラス積層体を得る、請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 支持基板、および、
   前記支持基板上に複数枚積層して剥離可能に配置された電子デバイス形成用ガラス基板を有し、
   前記電子デバイス形成用ガラス基板の少なくとも１枚が、ガラス基板と前記ガラス基板の少なくとも一方の主面上に固定された密着層とを有する密着層付きガラス基板であり、
   前記電子デバイス形成用ガラス基板の表面上に、前記支持基板側から数えて何枚目の電子デバイス形成用ガラス基板かを認識するためのマーカーを備える、多層ガラス積層体。
10. 前記電子デバイス形成用ガラス基板の全てが前記密着層付きガラス基板であり、
    積層された前記密着層付きガラス基板のうち一の密着層付きガラス基板中の密着層と、前記一の密着層付きガラス基板に隣接する他の密着層付きガラス基板中のガラス基板とが剥離可能に密着するように構成されてなり、
    前記密着層付きガラス基板中のガラス基板の表面上に、前記支持基板側から数えて何枚目の密着層付きガラス基板かを認識するためのマーカーを備える、請求項９に記載の多層ガラス積層体。

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