WO2016080312A1 - ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 Download PDF

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glass substrate
glass
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達三 宮越
英明 宮澤
隆俊 八百板
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旭硝子株式会社
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    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a glass laminate and a method for producing the same, and in particular, a silicone resin obtained by adjusting the mixing molar ratio of alkenyl group-containing organopolysiloxane and hydrogen polysiloxane to a predetermined range and reacting both.
  • the present invention relates to a glass laminate having a layer and a method for producing the same.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing an electronic device using the glass laminate.
  • the reinforcing plate has a support plate and a silicone resin layer fixed on the support plate, and the silicone resin layer and the glass substrate are detachably adhered to each other.
  • the reinforcing plate separated from the glass substrate after the interface between the silicone resin layer of the glass laminate and the glass substrate is peeled off can be laminated with a new glass substrate and reused as a glass laminate.
  • a polyorganosiloxane having a vinyl group and a hydrogenpolysiloxane having a hydrosilyl group are used when the silicone resin layer is formed.
  • a ratio a mode is disclosed in which the molar ratio between the vinyl group and the hydrosilyl group is around 1/1.
  • Patent Document 1 described above, and use a polyorganosiloxane having an alkenyl group and a hydrogen polysiloxane having a hydrosilyl group, and the mixing ratio of the two is described in Patent Document 1.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and even after high-temperature heat treatment, the increase in peel strength between the glass substrate and the silicone resin layer is suppressed, and the glass substrate can be easily peeled off. It aims at providing a glass laminated body and its manufacturing method. Another object of the present invention is to provide a method for producing an electronic device using the glass laminate.
  • the present inventors adjust the mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane to be used and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane. As a result, it was found that a desired effect was obtained, and the present invention was completed. That is, the first aspect of the present invention includes a support base material, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order, and the peel strength at the interface between the support base material and the silicone resin layer is that of the interface between the silicone resin layer and the glass substrate.
  • a glass laminate having a higher peel strength wherein the silicone resin in the silicone resin layer reacts with an alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) and a hydrogenpolysiloxane (B) having a hydrosilyl group. It is a cured product to be obtained, and the mixed molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) to the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (B) (number of moles of hydrosilyl group / alkenyl group A glass laminate having a number of moles) of 0.15 / 1 to 0.65 / 1.
  • the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) preferably has a number average molecular weight of 500 to 9000.
  • the silicone resin layer contains an alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) and a hydrogen polysiloxane (B), and the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A)
  • a curable resin composition having a mixing molar ratio (number of moles of hydrosilyl groups / number of moles of alkenyl groups) with hydrosilyl groups in genpolysiloxane (B) of 0.15 / 1 to 0.65 / 1
  • a layer obtained by applying a curing treatment to the layer obtained by coating is preferable.
  • curable resin composition contains a solvent further.
  • the solvent preferably has a boiling point of 30 to 280 ° C.
  • the Hildebrand solubility parameter (SP value) of the solvent is preferably 14.0 MPa 1/2 or less.
  • the solvent is preferably a solvent containing a silicon atom.
  • the thickness of the silicone resin layer is preferably 2 to 100 ⁇ m.
  • a support base material is a glass plate.
  • the second aspect of the present invention includes an alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) and a hydrogen polysiloxane (B) on one side of a support substrate, and the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) Forming a layer having a mixing molar ratio with the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (B) (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) of 0.15 / 1 to 0.65 / 1.
  • the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) and the hydrogenpolysiloxane (B) are reacted on the surface of the supporting base material to form a silicone resin layer, and then a glass substrate is laminated on the surface of the silicone resin layer. It is a manufacturing method of the glass laminated body of 1 aspect.
  • the 3rd aspect of this invention forms the member for electronic devices on the surface of the glass substrate of the glass laminated body of a 1st aspect,
  • the member formation process which obtains the laminated body with the member for electronic devices, and the member for electronic devices
  • a separation step of removing the support substrate with the silicone resin layer including the support substrate and the silicone resin layer from the laminated body to obtain an electronic device having a glass substrate and a member for an electronic device, and a method for producing an electronic device is there.
  • the raise of the peeling strength of a glass substrate and a silicone resin layer is suppressed, and the glass laminated body which can peel a glass substrate easily, and its manufacturing method are provided. be able to.
  • the manufacturing method of the electronic device using this glass laminated body can also be provided.
  • FIG. 2 (A), FIG. 2 (B), FIG. 2 (C), and FIG. 2 (D) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of the method for producing a glass substrate with a member according to the present invention in the order of steps. .
  • the glass laminated body of this invention is equipped with a support base material, a silicone resin layer, and a glass substrate in this order. That is, it has a silicone resin layer between a support base material and a glass substrate, and the silicone resin layer has one side in contact with the support base material and the other side in contact with the glass substrate.
  • the silicone resin in the silicone resin layer is formed using an alkenyl group-containing organopolysiloxane and hydrogen polysiloxane mixed at a predetermined mixing ratio. A point is mentioned.
  • the mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane is within a predetermined range (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group: It has been found that by adjusting to 0.15 / 1 to 0.65 / 1), the peel strength at the time of peeling of the glass substrate decreases. As mentioned above, when the molar ratio of the hydrosilyl group is adjusted to a small mixing molar ratio, a decrease in the number of crosslinks is expected, and the silicone resin layer becomes soft, thereby improving the adhesiveness of the silicone resin layer.
  • the glass substrate and the silicone resin layer are more closely adhered and the releasability of the glass substrate is deteriorated.
  • the peel strength of the glass substrate was lowered and the peelability was improved (that is, it was easy to peel). .
  • the reason why the peel strength of the glass substrate is thus reduced is considered as follows. By setting it to a predetermined mixing molar ratio, uncrosslinked sites of the alkenyl group-containing organopolysiloxane incorporated in the network exist on the surface of the silicone resin layer.
  • the silicone resin layer is formed in such a manner that the mixed molar ratio (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is about 1/1 as described in Patent Document 1. It was found that the silicone resin layer has the same degree of solvent resistance and exhibits excellent characteristics.
  • the applicability of the curable resin composition is excellent, and the productivity is improved.
  • the flatness of the obtained silicone resin layer is more excellent, and the lamination property of the glass substrate is excellent.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.
  • the glass laminated body 10 is a laminated body in which the layer of the support base material 12, the layer of the glass substrate 16, and the silicone resin layer 14 exist among them.
  • One side of the silicone resin layer 14 is in contact with the layer of the support base 12, and the other side is in contact with the first main surface 16 a of the glass substrate 16.
  • the two-layer portion including the layer of the support base 12 and the silicone resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in a member forming process for manufacturing a member for an electronic device such as a liquid crystal panel.
  • the two-layer part which consists of the layer of the support base material 12 manufactured previously for manufacture of the glass laminated body 10, and the silicone resin layer 14 is called the support base material 18 with a silicone resin layer.
  • the glass laminate 10 is used until a member forming step described later. That is, the glass laminate 10 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the second main surface 16 b of the glass substrate 16. Thereafter, the glass laminate on which the electronic device member is formed is separated into a support substrate 18 with a silicone resin layer and an electronic device (glass substrate with a member), and the support substrate 18 with a silicone resin layer is an electronic device. It is not a component part.
  • the support substrate 18 with the silicone resin layer is laminated with a new glass substrate 16 and can be reused as a new glass laminate 10.
  • the interface between the support substrate 12 and the silicone resin layer 14 has a peel strength (x), and when a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (x) is applied to the interface between the support substrate 12 and the silicone resin layer 14.
  • the interface between the support base 12 and the silicone resin layer 14 is peeled off.
  • the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength (y), and when a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (y) is applied to the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16.
  • the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off.
  • the peel strength (x) is higher than the peel strength (y).
  • the glass laminate 10 of the present invention peels off at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16.
  • the substrate is separated into a glass substrate 16 and a support substrate 18 with a silicone resin layer.
  • the peel strength (x) is preferably sufficiently higher than the peel strength (y).
  • Increasing the peel strength (x) means that the adhesion of the silicone resin layer 14 to the support base 12 can be increased, and a relatively higher adhesion to the glass substrate 16 can be maintained after the heat treatment.
  • a curable resin composition layer that is, a coating film of the curable resin composition
  • a predetermined component is used as a support group, as will be described later. It is preferable that the silicone resin layer 14 is formed by curing (for example, crosslinking curing) on the material 12.
  • the silicone resin layer 14 bonded to the support substrate 12 with a high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing.
  • the bond strength of the cured organopolysiloxane to the glass substrate 16 is usually lower than the bond force generated during the curing. Therefore, the layer of the curable resin composition is cured on the support substrate 12 to form the silicone resin layer 14, and then the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicone resin layer 14 to form the glass laminate 10. It is preferable to manufacture.
  • each layer (support base material 12, glass substrate 16, silicone resin layer 14) constituting the glass laminate 10 will be described in detail, and then the glass laminate and the method for manufacturing the electronic device will be described in detail.
  • the support substrate 12 supports and reinforces the glass substrate 16, and the glass substrate 16 is deformed and damaged when the electronic device member is manufactured in a member forming step (step of manufacturing an electronic device member) described later. To prevent damage.
  • a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, or a SUS plate is used.
  • the support base 12 is preferably formed of a material having a small difference in linear expansion coefficient from the glass substrate 16 and may be formed of the same material as the glass substrate 16. More preferably, the support substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the support base 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as the glass substrate 16.
  • the thickness of the support base 12 may be thicker or thinner than the glass substrate 16.
  • the thickness of the support base 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the silicone resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 10.
  • the thickness of the support base 12 is 0.4 mm.
  • the thickness of the support base 12 is preferably 0.2 to 5.0 mm.
  • the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for reasons such as being easy to handle and difficult to break. Further, the thickness of the glass plate is preferably 1.0 mm or less because the rigidity is desired so that the glass plate is appropriately bent without being broken when it is peeled off after forming the electronic device member.
  • the difference in average linear expansion coefficient between the support base 12 and the glass substrate 16 at 25 to 300 ° C. is preferably 500 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably 300 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less. More preferably, it is 200 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less. If the difference is too large, the glass laminate 10 may be severely warped or the support substrate 12 and the glass substrate 16 may be peeled off during heating and cooling in the member forming process. When the material of the support base material 12 is the same as the material of the glass substrate 16, it can suppress that such a problem arises.
  • the 1st main surface 16a touches the silicone resin layer 14, and the member for electronic devices is provided in the 2nd main surface 16b on the opposite side to the silicone resin layer 14 side.
  • the glass substrate 16 may be of a general type, and examples thereof include a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED.
  • the glass substrate 16 is preferably excellent in chemical resistance and moisture permeability and having a low heat shrinkage rate.
  • As an index of the heat shrinkage rate a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.
  • the member forming process is often accompanied by heat treatment, and various inconveniences are likely to occur.
  • a TFT Thin Film Transistor
  • the glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape.
  • a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a rubber method, or the like is used.
  • the glass substrate 16 having a particularly small thickness can be obtained by heating a glass once formed into a plate shape to a moldable temperature and then stretching it by means of stretching or the like to make it thin (redraw method).
  • the type of glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide are preferable.
  • oxide-based glass a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.
  • glass suitable for the type of electronic device member and the manufacturing process thereof is employed.
  • a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component because the elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal (however, usually an alkaline earth metal) Ingredients are included).
  • the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the type of device to be applied and its manufacturing process.
  • the thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.2 mm or less, even more preferably 0.15 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. Especially preferably, it is 0.10 mm or less. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give good flexibility to the glass substrate 16. In the case of 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up. Further, the thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for reasons such as easy manufacture of the glass substrate 16 and easy handling of the glass substrate 16.
  • the glass substrate 16 may be composed of two or more layers.
  • the material for forming each layer may be the same material or a different material.
  • the “thickness of the glass substrate 16” means the total thickness of all the layers.
  • the silicone resin layer 14 prevents the glass substrate 16 from being displaced until the operation for separating the glass substrate 16 and the support base 12 is performed, and prevents the glass substrate 16 from being damaged by the separation operation.
  • the surface 14a of the silicone resin layer 14 that is in contact with the glass substrate 16 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16 in a peelable manner.
  • the silicone resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a weak bonding force, and the peel strength (y) of the interface is the interface between the silicone resin layer 14 and the support base 12. Lower than peel strength (x).
  • the silicone resin layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16, but has a surface characteristic that allows the glass substrate 16 to be easily peeled off. That is, the silicone resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a certain amount of bonding force to prevent the glass substrate 16 from being displaced, and at the same time, when the glass substrate 16 is peeled off.
  • the glass substrate 16 is bonded with a bonding force that can be easily peeled without breaking the glass substrate 16.
  • peelability the property which can peel this silicone resin layer 14 surface easily is called peelability.
  • the 1st main surface of the support base material 12 and the silicone resin layer 14 are couple
  • the bonding force at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 may change before and after the electronic device member is formed on the surface (second main surface 16b) of the glass substrate 16 of the glass laminate 10. (That is, the peel strength (x) and peel strength (y) may change). However, even after the electronic device member is formed, the peel strength (y) is required to be lower than the peel strength (x).
  • the peel strength at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer is 1.3 N / 25 mm, preferably 1.2 N / 25 mm, more preferably 1.1 N / 25 mm or less.
  • the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 layer are bonded with a bonding force resulting from weak adhesive force or van der Waals force.
  • the silicone resin of the silicone resin layer 14 is sufficiently crosslinked so as not to exhibit an adhesive force, it is caused by van der Waals force. It is thought that it is connected with the binding force.
  • the silicone resin of the silicone resin layer 14 often has a certain weak adhesive force. Even if the adhesiveness is extremely low, when the electronic device member is formed on the laminated body after the glass laminated body 10 is manufactured, the silicone resin of the silicone resin layer 14 is heated by a heating operation or the like.
  • the bonding force between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 is increased by bonding to the surface of the glass substrate 16.
  • the surface of the silicone resin layer 14 before lamination or the first main surface 16a of the glass substrate 16 before lamination can be laminated by performing a treatment for weakening the bonding force between them.
  • the bonding strength at the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 can be weakened, and the peel strength (y) can be lowered.
  • the silicone resin layer 14 is bonded to the surface of the support base 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force.
  • a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force.
  • the layer of the curable resin composition is cured on the surface of the support base 12 to adhere the silicone resin, which is a cured product, to the surface of the support base 12 to obtain a high bonding force. it can.
  • the process for example, process using a coupling agent
  • which produces strong bond strength between the support base material 12 surface and the silicone resin layer 14 is given, and between the support base material 12 surface and the silicone resin layer 14 It is also possible to increase the binding force.
  • the fact that the silicone resin layer 14 and the layer of the supporting substrate 12 are bonded with a high bonding force means that the peel strength (x) at the interface between them is high.
  • the thickness of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, but when the curable resin composition contains a solvent, the thickness of the silicone resin layer 14 to be formed, in any case where it does not contain,
  • the thickness is preferably 2 to 100 ⁇ m, more preferably 3 to 50 ⁇ m, and even more preferably 7 to 20 ⁇ m.
  • the thickness of the silicone resin layer 14 is within such a range, even if air bubbles or foreign matter may be present between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16, the occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 is suppressed. can do.
  • the thickness is relatively thick, it is possible to suppress the formation of bubbles even if foreign matter is present.
  • the silicone resin layer 14 is too thick, it takes time and materials to form the silicone resin layer 14, which is not economical and may reduce heat resistance. On the other hand, if the thickness of the silicone resin layer 14 is too thin, bubbles are likely to be generated when there is a foreign substance between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16.
  • the thickness of the silicone resin layer 14 can be adjusted with the density
  • the silicone resin layer 14 may consist of two or more layers. In this case, “the thickness of the silicone resin layer 14” means the total thickness of all the layers.
  • the silicone resin contained in the silicone resin layer 14 is a cured product (A) obtained by reacting an alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) with a hydrogenpolysiloxane (B) having a hydrosilyl group (Si—H group). Cross-linked cured product).
  • the silicone resin preferably forms a three-dimensional network structure.
  • the alkenyl group-containing organopolysiloxane (A) (hereinafter also simply referred to as polysiloxane (A)) is an organopolysiloxane having an alkenyl group.
  • the number average molecular weight of the polysiloxane (A) is not particularly limited, but is often 500 to 50,000, and is preferably 500 to 9000, more preferably 1000 to 8000 in the present invention because the glass substrate 16 can be easily peeled off. Is more preferable, and 1500 to 6000 is even more preferable.
  • the number average molecular weight is a number average molecular weight when measured using GPC (gel permeation chromatography) and converted to standard polystyrene.
  • the polysiloxane (A) may be linear or branched, and is preferably linear (for example, linear) in terms of more excellent peelability of the glass substrate 16.
  • the alkenyl group contained in the polysiloxane (A) is not particularly limited, and examples thereof include a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), a butenyl group, a pentenyl group, and a hexynyl group.
  • a vinyl group is preferable from the viewpoint of excellent heat resistance.
  • the number of alkenyl groups contained in the polysiloxane (A) is not particularly limited, but it is preferably at least 2 per molecule, more preferably 2 to 120, from the viewpoint that the peelability of the glass substrate 16 is more excellent. Preferably, 2 to 100 are more preferable.
  • Examples of the group other than the alkenyl group contained in the polysiloxane (A) include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).
  • the position of the alkenyl group in the polysiloxane (A) is not particularly limited, and examples thereof include the terminal and / or side chain of the polysiloxane (A).
  • the alkenyl group may be present in either the M unit or D unit shown below, or may be present in both the M unit and D unit. From the viewpoint of curing speed, it is preferably present at least in M units, and preferably present in both two M units.
  • the M unit and D unit are examples of basic structural units of organopolysiloxane.
  • the M unit is a monofunctional siloxane unit in which three organic groups are bonded.
  • the D unit is bonded to two organic groups. Bifunctional siloxane unit.
  • the siloxane bond is a bond in which two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, so the oxygen atom per silicon atom in the siloxane bond is regarded as 1 ⁇ 2, Expressed as O 1/2 in the formula.
  • an M unit which has an alkenyl group the aspect whose any one among said R is an alkenyl group and another R is an alkyl group is preferable.
  • a D unit which has an alkenyl group the aspect whose any one among said R is an alkenyl group and other R is an alkyl group is preferable.
  • the hydrogen polysiloxane (B) (hereinafter also simply referred to as polysiloxane (B)) is an organopolysiloxane having a hydrosilyl group (hydrogen atom bonded to a silicon atom).
  • the number average molecular weight of the polysiloxane (B) is not particularly limited, but is preferably 500 to 9000, more preferably 1000 to 8000, and even more preferably 1500 to 6000, from the viewpoint that the glass substrate 16 can be easily peeled off.
  • the polysiloxane (B) may be linear or branched, and is preferably linear (for example, linear) in terms of more excellent peelability of the glass substrate 16.
  • the number of hydrosilyl groups (hydrogen atoms bonded to silicon atoms) contained in the polysiloxane (B) is not particularly limited. However, the number of hydrosilyl groups per molecule is at least two from the viewpoint of better peelability of the glass substrate 16. Preferably, it has 2 to 120, more preferably 2 to 100.
  • Examples of the group other than the hydrosilyl group contained in the polysiloxane (B) include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).
  • the position of the hydrosilyl group in the polysiloxane (B) is not particularly limited, and examples thereof include the terminal and / or side chain of the polysiloxane (B).
  • the hydrosilyl group may be present in either the M unit or the D unit described above, or may be present in both the M unit and the D unit.
  • the mixing ratio of polysiloxane (A) to polysiloxane (B) is the molar ratio of alkenyl groups in polysiloxane (A) to hydrosilyl groups in polysiloxane (B) (number of moles of hydrosilyl groups). / Number of moles of alkenyl group) is 0.15 / 1 to 0.65 / 1, and is preferably 0.15 / 1 or more and less than 0.60 / 1 in terms of more excellent peelability of the glass substrate 16, It is more preferably 0.25 / 1 or more and less than 0.60 / 1, particularly preferably 0.25 / 1 to 0.50 / 1.
  • the mixed molar ratio represents the molar ratio of the number of moles of hydrosilyl group to the number of moles of alkenyl group.
  • the mixing molar ratio exceeds 0.65 / 1, the peelability of the glass substrate 16 after the heat treatment is inferior.
  • the mixing molar ratio is less than 0.15 / 1, the crosslink density of the cured product is drastically lowered, a cured product having sufficient hardness cannot be obtained, and the laminate property of the glass substrate 16 is inferior.
  • the heat resistance will decrease as the crosslink density of the cured product decreases.
  • the silicone resin contained in the silicone resin layer 14 is a cured product obtained by reacting (for example, addition reaction) the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B).
  • the reaction may be performed in the presence of a catalyst (for example, a hydrosilylation catalyst) as necessary.
  • a catalyst for example, a hydrosilylation catalyst
  • a platinum group metal catalyst is preferably used.
  • the platinum group metal catalyst include platinum-based, palladium-based, and rhodium-based catalysts.
  • the platinum group metal catalyst is preferably used as a platinum-based catalyst from the viewpoints of economy and reactivity.
  • a known catalyst can be used as the platinum-based catalyst.
  • platinum fine powder, platinum black, chloroplatinic acid such as chloroplatinic acid, chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, alcohol compounds of chloroplatinic acid, aldehyde compounds, platinum olefin complexes, alkenyls Examples thereof include siloxane complexes and carbonyl complexes.
  • the amount of the catalyst preferably a platinum group metal catalyst used is not particularly limited, but is preferably 2 to 400 ppm, preferably 5 to 300 ppm in terms of mass ratio to the total mass of polysiloxane (A) and polysiloxane (B). More preferred is 8 to 300 ppm.
  • the formation method of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, and a method of performing a curing treatment on the layer of the composition containing the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) is usually mentioned.
  • the details of the method for forming the silicone resin layer will be described in detail later in [Glass laminate and production method thereof].
  • the glass laminate 10 of the present invention is a laminate in which the support base 12, the glass substrate 16, and the silicone resin layer 14 exist between them.
  • the peeling strength (x) of the interface of the support base material 12 and the silicone resin layer 14 is peeling of the interface of the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16.
  • a method of forming the silicone resin layer 14 by reacting the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) on the surface of the support base 12 is preferable.
  • a layer containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) in the above mixed molar ratio is formed on the surface of the supporting substrate 12, and the polysiloxane (A) and polysiloxane (B) are formed on the surface of the supporting substrate 12.
  • a silicone resin layer 14 for example, a cross-linked silicone resin layer
  • a glass substrate 16 is laminated on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 to produce the glass laminate 10. It is.
  • the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) are cured on the surface of the support substrate 12, they are bonded by interaction with the surface of the support substrate 12 during the curing reaction, and the silicone resin and the surface of the support substrate 12 are bonded. It is considered that the peel strength of the film increases. Therefore, even if the glass substrate 16 and the support base 12 are made of the same material, a difference can be provided in the peel strength between the silicone resin layer 14 and the both.
  • a layer containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) is formed on the surface of the support substrate 12, and the polysiloxane (A) and polysiloxane (B) are reacted on the surface of the support substrate 12 (
  • the step of forming a silicone resin layer 14 by crosslinking is referred to as a resin layer forming step
  • the step of laminating the glass substrate 16 on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 to form the glass laminate 10 is referred to as a lamination step.
  • the procedure of the process will be described in detail.
  • a layer containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) is formed on the surface of the support substrate 12, and the polysiloxane (A) and polysiloxane (B) are formed on the surface of the support substrate 12.
  • the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) have a predetermined mixing molar ratio (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) of 0.15 / 1 to 0.65 / 1. To be mixed.
  • a curable resin containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) in the above mixed molar ratio is preferred. It is preferred to use the composition and apply the composition onto the support substrate 12 to form a layer of the composition.
  • the thickness of the composition layer can be controlled by adjusting the coating amount of the composition.
  • the coating property of the composition is improved, the coating can be performed at a higher speed, the thinner silicone resin layer can be formed, the leveling property is improved by the decrease in viscosity, and the flatness of the coating film is improved.
  • the curable resin composition preferably contains a solvent.
  • the type of the solvent is not particularly limited, and examples thereof include butyl acetate, heptane, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, toluene, xylene, THF, chloroform, dialkylpolysiloxane, and saturated hydrocarbon.
  • the kinematic viscosity of the solvent is not particularly limited, in terms of flatness of the silicone resin layer 14 is more excellent, preferably 23 mm 2 / s or less, more preferably 12 mm 2 / s, more preferably not more than 6 mm 2 / s.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 0.1 mm 2 / s or more.
  • the solvent is preferably dried at 100 ° C. or higher, and preferably heated at the boiling point or higher of the solvent so as not to remain on the surface of the formed silicone resin layer.
  • the surface properties can be changed as follows.
  • the boiling point of the solvent is not particularly limited, but is preferably 30 to 280 ° C., more preferably 50 to 230 ° C., from the viewpoint that the flatness of the silicone resin layer 14 is more excellent.
  • the boiling point is intended to be a value under atmospheric pressure.
  • the Hildebrand solubility parameter (SP value) (hereinafter also referred to as “Hildebrand SP value”), which is the solubility parameter of the solvent used, is not particularly limited, and examples thereof include a solvent of 18 MPa 1/2 or less. In the present invention, it is preferable to use a solvent having a Hildebrand SP value of 14.0 MPa 1/2 or less in terms of more excellent flatness of the resulting silicone resin layer 14.
  • the solvent is excellent in compatibility between the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B), and can be volatilized without forming the surface of the layer when forming the layer of the curable resin composition. As a result, the flatness of the silicone resin layer 14 is more excellent.
  • SP values of Hildebrand of the solvent preferably 14.0 MPa 1/2 or less, more preferably 13.5 MPa 1/2 or less, more preferably 13.0 MPa 1/2 or less.
  • 10.0 Mpa1 / 2 or more is preferable from the compatibility point of polysiloxane (A) and polysiloxane (B).
  • the Hildebrand solubility parameter (SP value) can be expressed as follows using Hansen's SP values [ ⁇ D, ⁇ P, ⁇ H].
  • the Hansen solubility parameter is obtained by dividing the solubility parameter introduced by Hildebrand into three components of a dispersion term ⁇ D, a polar term ⁇ P, and a hydrogen bond term ⁇ H and representing it in a three-dimensional space.
  • the dispersion term ⁇ D indicates the effect due to the dispersion force
  • the polar term ⁇ P indicates the effect due to the force between the dipoles
  • the hydrogen bond term ⁇ H indicates the effect due to the hydrogen bond force.
  • the definition and calculation of Hansen solubility parameters are described in Charles M. et al.
  • Hansen Solubility Parameters in Practice can be used to easily estimate Hansen solubility parameters.
  • HSPiP Hansen Solubility Parameters in Practice
  • a solvent containing a silicon atom is preferable because the compatibility with the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) is more excellent and the flatness of the silicone resin layer 14 is more excellent.
  • Dialkylpolysiloxane preferably dimethylpolysiloxane (polydimethylpolysiloxane)
  • the dialkylpolysiloxane may be linear, branched, or cyclic, and is preferably linear or cyclic, and more preferably cyclic (for example, cyclic dialkylpolysiloxane).
  • dialkylpolysiloxane has a viscosity or boiling point range as described above.
  • Specific examples of the dialkylpolysiloxane include, for example, cyclic dimethylpolysiloxane represented by the following formula (1) and linear dimethylpolysiloxane represented by the formula (2).
  • n represents an integer of 3 to 9.
  • m represents an integer of 3 to 9.
  • Examples of the compound represented by such a formula include octamethylcyclotetrasiloxane (SP value of Hildebrand: 12.9), hexamethylcyclotrisiloxane, decamethylcyclopentasiloxane (SP value of Hildebrand: 11. 5), octamethyltrisiloxane, decamethyltetrasiloxane (Hildebrand SP value: 12.9), and the like.
  • the total proportion of the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) is 10 to 95 mass with respect to the total mass of the curable resin composition from the viewpoint of applicability. %, More preferably 20 to 90% by mass, still more preferably 30 to 70% by mass, and particularly preferably 30 to 50% by mass.
  • the curable resin composition components other than the polysiloxane (A), the polysiloxane (B), and the solvent may be included as necessary.
  • the above-described catalyst may be included.
  • the curable resin composition preferably further includes an activity inhibitor (compound also called a reaction inhibitor, a retarder, etc.) having an action of suppressing the catalyst activity for the purpose of adjusting the catalyst activity together with the catalyst.
  • an activity inhibitor compound also called a reaction inhibitor, a retarder, etc.
  • the activity inhibitor include various organic nitrogen compounds, organic phosphorus compounds, acetylene compounds, oxime compounds, and organic chloro compounds.
  • inorganic fillers such as various silicas, calcium carbonates, iron oxides and the like may be contained within a range not impairing the effects of the present invention.
  • the method for applying the curable resin composition containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited, and a known method can be used. Examples thereof include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating. Then, if necessary, a drying process for removing the solvent may be performed.
  • the method for the drying treatment is not particularly limited. For example, there are a method for removing the solvent under reduced pressure, a method for heating at a temperature at which the curing of the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) does not proceed, and the like. Can be mentioned.
  • the layer of the curable resin composition on the support substrate 12 is subjected to a curing treatment, and the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) in the layer are reacted (specifically, crosslinked) to form a silicone.
  • the resin layer 14 is formed. More specifically, as shown in FIG. 2A, in this step, a silicone resin layer 14 is formed on the surface of at least one side of the support base 12.
  • thermosetting is usually employed.
  • the temperature conditions for reacting the polysiloxane (A) and the polysiloxane (B) improve the heat resistance of the silicone resin layer 14 and control the peel strength (y) after being laminated with the glass substrate 16 as described above.
  • 80 to 250 ° C is preferable, and 120 to 230 ° C is more preferable.
  • the heating time is usually preferably 10 to 120 minutes, more preferably 30 to 60 minutes.
  • the layer of the curable resin composition may be cured by performing pre-curing (pre-curing) and then performing post-curing (main curing). By performing the pre-cure, the silicone resin layer 14 having better heat resistance can be obtained.
  • the glass substrate 16 is laminated on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 obtained in the resin layer forming step, and the support base 12, the silicone resin layer 14, and the glass substrate 16 are provided in this order.
  • the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are laminated using the first principal surface 16a of 16 as a laminated surface to obtain the glass laminate 10.
  • the method for laminating the glass substrate 16 on the silicone resin layer 14 is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, a method of stacking the glass substrate 16 on the surface of the silicone resin layer 14 under a normal pressure environment can be mentioned. If necessary, after the glass substrate 16 is overlaid on the surface of the silicone resin layer 14, the glass substrate 16 may be pressure-bonded to the silicone resin layer 14 using a roll or a press. Air bubbles mixed between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 can be removed relatively easily by pressure bonding using a roll or a press, which is preferable.
  • the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are pressure-bonded by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it is possible to suppress mixing of bubbles and ensure good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are not likely to lead to a distortion defect of the glass substrate 16.
  • the surface of the glass substrate 16 in contact with the silicone resin layer 14 is sufficiently washed and laminated in an environment with a high degree of cleanliness.
  • the heat treatment After laminating
  • the adhesion of the laminated glass substrate 16 to the silicone resin layer 14 can be improved, and an appropriate peel strength (y) can be obtained. Misalignment of members is less likely to occur, and the productivity of electronic devices is improved.
  • the conditions for the heat treatment optimum conditions are appropriately selected according to the type of the silicone resin layer 14 to be used, but the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 is more appropriate. Therefore, it is preferable to perform the heat treatment at 200 ° C. or higher (preferably 200 to 400 ° C.) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).
  • the formation of the silicone resin layer 14 is not limited to the above method.
  • the curable resin composition containing polysiloxane (A) and polysiloxane (B) is peeled off in some way.
  • a film of a silicone resin can be produced by curing on a conductive surface, and this film can be interposed between the glass substrate 16 and the support base 12 and laminated simultaneously.
  • the adhesiveness by the silicone resin is sufficiently low with respect to the glass substrate 16 and the adhesiveness is sufficiently high with respect to the support base material 12, the polysiloxane (A) and the glass substrate 16 are supported between the glass substrate 16 and the support base material 12.
  • the layer of the curable resin composition containing polysiloxane (B) can be cured to form the silicone resin layer 14. Furthermore, even when the support base 12 is made of the same glass material as that of the glass substrate 16, it is possible to increase the peel strength with respect to the silicone resin layer 14 by performing a process for improving the adhesion of the support base 12 surface. For example, a chemical method (primer treatment) that improves the fixing force chemically such as a silane coupling agent, a physical method that increases surface active groups such as a flame (flame) treatment, or a surface such as a sandblast treatment Examples of such a mechanical processing method increase the catch by increasing the roughness of the material.
  • a chemical method that improves the fixing force chemically such as a silane coupling agent
  • a physical method that increases surface active groups such as a flame (flame) treatment
  • a surface such as a sandblast treatment
  • the glass laminate 10 of the present invention can be used for various applications, such as a display device panel, a solar cell (PV), a thin film secondary battery, a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, and the like.
  • a display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.
  • an electronic device including a glass substrate and an electronic device member (hereinafter, also referred to as “a glass substrate with a member” as appropriate) is manufactured using the glass laminate described above.
  • the manufacturing method of an electronic device is not particularly limited, an electronic device member is formed on the glass substrate in the glass laminate to produce a laminate with an electronic device member from the viewpoint of excellent productivity of the electronic device.
  • a method of separating the obtained laminated body with an electronic device member into an electronic device (a glass substrate with a member) and a supporting substrate with a silicone resin layer by using the glass substrate side interface of the silicone resin layer as a release surface is preferable.
  • the step of forming a member for an electronic device by forming a member for an electronic device on the glass substrate in the glass laminate is a member forming step, and the glass substrate for the silicone resin layer from the laminate with the member for an electronic device.
  • the process of separating into a glass substrate with a member and a supporting substrate with a silicone resin layer using the side interface as a release surface is called a separation process. The materials and procedures used in each process are described in detail below.
  • a member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the glass substrate 16 in the glass laminated body 10 obtained in the said lamination process. More specifically, as shown in FIG. 2C, the electronic device member 20 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16 to obtain the laminate 22 with the electronic device member. .
  • the electronic device member (also referred to as a functional element) 20 used in this step will be described in detail, and the procedure of the subsequent steps will be described in detail.
  • the electronic device member 20 is a member that is formed on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, as the electronic device member 20, a member used for an electronic component such as a display panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface (for example, Display member, solar cell member, thin film secondary battery member, electronic component circuit).
  • a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
  • a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc.
  • various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
  • a circuit for an electronic component in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.
  • the manufacturing method of the laminated body 22 with a member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, According to the kind of the structural member of the member for electronic devices, it is a conventionally well-known method, and the 2nd of the glass substrate 16 of the glass laminated body 10 is used.
  • the electronic device member 20 is formed on the main surface 16b.
  • the electronic device member 20 is not all of the members finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 (hereinafter referred to as “all members”), but a part of all members (hereinafter referred to as “parts”). May be referred to as a member.
  • the glass substrate with a partial member peeled from the silicone resin layer 14 can be used as a glass substrate with an all member (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
  • the other electronic device member may be formed in the peeling surface (1st main surface 16a) in the glass substrate with all the members peeled from the silicone resin layer 14.
  • FIG. Moreover, an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the support substrate 12 from the laminate with all members. Furthermore, it is also possible to assemble using two laminates with all members, and then peel off the two support bases 12 from the laminate with all members to produce a glass substrate with a member having two glass substrates. it can.
  • an organic EL is formed on the surface of the glass laminate 10 opposite to the silicone resin layer 14 side of the glass substrate 16 (corresponding to the second main surface 16b of the glass substrate 16).
  • a step of forming a transparent electrode to form a structure a step of depositing a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. on the surface on which the transparent electrode is formed, a step of forming a back electrode
  • Various layer formation and processing steps such as a step of sealing using a sealing plate, are performed. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.
  • a resist film is used on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 by a general film forming method such as a CVD method or a sputtering method.
  • a TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning the formed metal film, metal oxide film, etc., and patterning a resist solution on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of another glass laminate 10 Various processes such as a CF forming step for forming a color filter (CF) to be used for forming, a laminating step for laminating a laminated body with TFT obtained in the TFT forming step and a laminated body with CF obtained in the CF forming step, etc. Process.
  • the TFT and the CF are formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by using a well-known photolithography technique, etching technique, or the like. At this time, a resist solution is used as a coating solution for pattern formation.
  • a cleaning method known dry cleaning or wet cleaning can be used.
  • the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other, and are bonded using a sealant (for example, an ultraviolet curable sealant for cell formation).
  • a sealant for example, an ultraviolet curable sealant for cell formation.
  • a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF.
  • the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.
  • the separation step is performed by using the electronic device member-attached laminate 22 obtained in the member formation step, with the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 as a release surface.
  • the glass substrate 16 (membered glass substrate with member) on which the member 20 for use is laminated and the supporting base material 12 are separated to obtain a glass substrate with member (electronic device) 24 including the member 20 for electronic device and the glass substrate 16. It is a process.
  • the electronic device member 20 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the glass substrate 16 after separation.
  • the method of peeling the glass substrate 16 and the support base material 12 is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 to give a trigger for peeling, and then a mixed fluid of water and compressed air is sprayed. Can be peeled off.
  • the electronic device member-attached laminate 22 is placed on the surface plate so that the support substrate 12 is on the upper side and the electronic device member 20 side is on the lower side, and the electronic device member 20 side is vacuumed on the surface plate. In this state, the blade is first allowed to enter the glass substrate 16-silicone resin layer 14 interface.
  • the support substrate 12 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted.
  • an air layer is formed on the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 and on the cohesive failure surface of the silicone resin layer 14, and the air layer spreads over the entire interface and cohesive failure surface, so that the supporting substrate 12 can be easily peeled off. can do.
  • the laminated body 22 with a member for electronic devices when the support base material 12 is laminated
  • the support base material 12 can be laminated
  • a piece of the silicone resin layer 14 is electrostatically adsorbed to the glass substrate 24 with a member by controlling the spraying and humidity with an ionizer. It can be suppressed more.
  • the above-described method for manufacturing the glass substrate 24 with a member is particularly suitable for manufacturing a small display device used for a mobile terminal such as a mobile phone or a PDA.
  • the display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes a TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type, and the like.
  • the present invention can be applied to both passive drive type and active drive type display devices.
  • a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, a glass substrate and a member for a thin film secondary battery.
  • a thin film secondary battery an electronic component having a glass substrate and an electronic device member.
  • the display device panel include a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.
  • the supporting substrate is a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (vertical 240 mm, horizontal 240 mm, plate thickness 0.5 mm, linear expansion coefficient 38 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).
  • the mixed molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane is 0.4 / 1. there were. Furthermore, 300 mass ppm of the catalyst (platinum catalyst) was added to the total mass (100 parts by mass) of the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrogen polysiloxane. Let this liquid be the curable resin composition X.
  • the curable resin composition X is applied onto the first main surface of the supporting substrate using a die coater, and a layer containing an uncured alkenyl group-containing organopolysiloxane and hydrogen polysiloxane is formed on the supporting substrate. Provided.
  • the substrate is heat-cured in the atmosphere at 230 ° C. for 20 minutes to form the first main surface of the support substrate.
  • a silicone resin layer having a thickness of 10 ⁇ m was formed. The flatness of the silicone resin layer was good.
  • the glass substrate A and the silicone resin layer surface of the supporting substrate were bonded together by vacuum pressing at room temperature to obtain a glass laminate A.
  • a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, thickness 0.2 mm, linear expansion coefficient 38 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) used.
  • the supporting base material and the glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, and there was no distortion defect.
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was higher than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate A was heated at 350 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere and cooled to room temperature. As a result, the support substrate of the glass laminate A and the glass substrate were separated and the silicone resin layer was foamed. No change in appearance such as whitening was observed. And the following peeling test was done with respect to the glass laminated body A after heat processing for 10 minutes at 350 degreeC, and the peeling strength (N / 25mm) of the glass substrate was measured. The peel strength is measured by preparing a glass laminate A having a width of 25 mm and a length of 70 mm, and peeling the glass substrate and the silicone resin layer using Autograph AG-20 / 50kNXDplus (manufactured by Shimadzu Corporation). It was.
  • a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer to form a notch for peeling, and then the glass substrate is completely fixed and the supporting base is pulled up to increase the strength.
  • the pulling speed was 30 mm / min.
  • the point where the load was detected was set to 0, and the peel strength at a position where the load was lifted by 2.0 mm was taken as the measured value.
  • the peel strength at that time was 0.53 N / 25 mm.
  • Example 2 The mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.6 / 1.
  • a glass laminate B was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted. The flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body B, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate B was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in the appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate B and the glass substrate, foaming and whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 0.88 N / 25mm.
  • Example 3 The mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.25 / 1.
  • a glass laminate C was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted. The flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body C, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was higher than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate C was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate C and the glass substrate, foaming and whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 0.45 N / 25mm.
  • Example 4 Further, octamethylcyclotetrasiloxane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-994, kinematic viscosity (25 ° C.): 2.3 mm 2 / s, boiling point: 175 ° C., Hildebrand solubility parameter as a solvent to the curable resin composition X (SP value): A glass laminate D was obtained in the same manner as in Example 1 except that 12.9 MPa 1/2 ) was added.
  • SP value Hildebrand solubility parameter as a solvent to the curable resin composition X
  • the amount of octamethylcyclotetrasiloxane used was such that the total amount of alkenyl group-containing organopolysiloxane, hydrogen polysiloxane, and catalyst was 40% by mass with respect to the total amount of the composition.
  • the flatness of the obtained silicone resin layer was good.
  • the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • Example 5 The mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.6 / 1.
  • a glass laminate E was obtained in the same manner as in Example 4 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted. The flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body E, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support base layer was higher than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate E was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate E, foaming and whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 0.77 N / 25mm.
  • the coating speed of the die coater at this time was 3 times faster than that of Example 1. At that time, the discharge amount of the curable resin composition X was adjusted so that a 10 ⁇ m silicone resin layer was formed.
  • alkenyl group-containing organopolysiloxane (number average molecular weight: 2000, number of alkenyl groups: 2 or more)
  • alkenyl group-containing organopolysiloxane (number average molecular weight: 10,000, number of alkenyl groups: 2 or more) is used.
  • a glass laminate F was obtained in the same manner as in Example 4 except that. The amount of the alkenyl group-containing organopolysiloxane was adjusted so that the mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogenpolysiloxane was the same as in Example 1. did.
  • the flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body F, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the glass laminate F was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate F and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 0.79 N / 25mm.
  • Example 7 The mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.15 / 1.
  • a glass laminate I was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted. The flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body I, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate I was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate I, foaming or whitening of the silicone resin layer were observed. There wasn't.
  • peeling strength was 0.40 N / 25mm.
  • Example 8> The mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.65 / 1.
  • a glass laminate J was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted. The flatness of the obtained silicone resin layer was good. Moreover, in the obtained glass laminated body J, the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate J was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate J and foaming or whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 1.00 N / 25mm.
  • alkenyl group-containing organopolysiloxane (number average molecular weight: 2000, number of alkenyl groups: 2 or more)
  • alkenyl group-containing organopolysiloxane (number average molecular weight: 10,000, number of alkenyl groups: 2 or more) was used.
  • the mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) is 0.9 / 1.
  • a glass laminate G was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted.
  • the flatness of the obtained silicone resin layer was good.
  • the support base material and the glass substrate were closely_contact
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was larger than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate G was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate G and the glass substrate, foaming or whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 1.57 N / 25mm and the peeling strength was high compared with the aspect of an Example.
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate layer was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • the glass laminate H was subjected to the same heat treatment as in Example 1, changes in appearance such as separation of the support substrate and glass substrate of the glass laminate H, foaming or whitening of the silicone resin layer were recognized. I could't.
  • peeling strength was 1.34 N / 25mm and the peeling strength was high compared with the aspect of the Example.
  • Table 1 summarizes the specifications of the samples of the examples and comparative examples and the evaluation results.
  • “None” means that the curable resin composition X contains no solvent
  • “Yes” means octamethylcyclotetrasiloxane in the curable resin composition X. Is intended to be included.
  • Example 1 and Example 4 were compared, in the aspect in which the curable resin composition shown in Example 4 contains a solvent, it was confirmed that the coating speed can be increased and the productivity is excellent.
  • Example B> (Preparation of sample B-1) Mixing molar ratio of alkenyl group in alkenyl group-containing organopolysiloxane and hydrosilyl group in hydrogen polysiloxane in curable resin composition X described in Example 1 (number of moles of hydrosilyl group / alkenyl) 0.5 g of curable resin composition Y obtained by adjusting the amount of hydrogen polysiloxane so that the number of moles of the group is 0.5 / 1 on a polytetrafluoroethylene film (PTFE film). It was dripped.
  • PTFE film polytetrafluoroethylene film
  • the PTFE film on which the curable resin composition Y is formed is allowed to stand for 4 minutes on a hot plate heated to 150 ° C., and further heat-cured in an oven at 220 ° C. for 20 minutes.
  • a silicone resin layer was formed on Sample 1, and a silicone resin layer of Sample B-1 was obtained.
  • sample B-2 The mixing molar ratio (number of moles of hydrosilyl groups / number of moles of alkenyl groups) of alkenyl groups in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and hydrosilyl groups in the hydrogen polysiloxane is 0.9 / 1.
  • a silicone resin layer of Sample B-2 was obtained according to the same procedure as Sample B-1, except that the amount of hydrogen polysiloxane was adjusted.
  • the silicone resin layer in sample B-1 and the silicone resin layer in sample B-2 are: There was no difference in chemical resistance. That is, the silicone resin layer having the above mixed molar ratio within the range of the present invention has a mixed molar ratio (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) of about 1 as described in Patent Document 1. / Similar to the silicone resin layer formed by an embodiment in the vicinity of 1 and in terms of solvent resistance, no decrease in solvent resistance was observed.
  • Example C> ⁇ Example 9>
  • an OLED is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.
  • silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by plasma CVD.
  • low concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment.
  • the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus.
  • low concentration phosphorus is implanted into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method, thereby forming N-type and P-type TFT areas.
  • a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, then molybdenum is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method.
  • a gate electrode is formed.
  • boron and phosphorus are implanted into desired areas of the N-type and P-type by photolithography and an ion doping apparatus, thereby forming a source area and a drain area.
  • an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by silicon oxide film formation by plasma CVD, and a TFT electrode is formed by aluminum film formation by sputtering and etching using photolithography.
  • a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method.
  • an ultraviolet curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography.
  • a film of indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.
  • a glass laminate A (hereinafter referred to as a panel A) having the organic EL structure on the glass substrate is an electron of the present invention. It is a laminated body with a member for devices.
  • a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner of panel A, and the glass substrate Gives the interface between the resin layer and the resin layer.
  • a suction pad is raised.
  • the blade is inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation).
  • the vacuum suction pad is pulled up while continuing to spray a static eliminating fluid from the ionizer toward the formed gap, and while water is inserted into the peeling front.
  • the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method and divided into a plurality of cells, and then the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled to form a module.
  • the process is performed to produce an OLED.
  • the OLED obtained in this way does not have a problem in characteristics.
  • the present invention even after an electronic device member is formed on a glass substrate of a glass laminate under a high temperature condition, an increase in peel strength between the glass substrate and the silicone resin layer is suppressed, and the glass is easily
  • substrate, and its manufacturing method can be provided, and this glass laminated body is useful as a member at the time of manufacturing an electronic device.
  • 10 Glass laminate
  • 12 Support base material
  • 14 Silicone resin layer
  • 14a First main surface of silicone resin layer
  • 16 Glass substrate
  • 16a First main surface of glass substrate
  • 16b First surface of glass substrate 2 main surfaces
  • 18 support substrate with silicone resin layer

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Abstract

 高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体を提供する。 支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備え、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させて得られる硬化物であり、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン(B)中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である、ガラス積層体。

Description

ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法
 本発明は、ガラス積層体およびその製造方法に係り、特に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンとハイドロジェンポリシロキサンとの混合モル比を所定の範囲に調整して、両者を反応させて得られるシリコーン樹脂層を有するガラス積層体およびその製造方法に関する。
 また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法にも関する。
 近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などのデバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
 最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
 なお、特許文献1においては、シリコーン樹脂層を形成する際に、ビニル基を有するポリオルガノシロキサン、および、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサンが使用されており、実施例欄においては両者の混合割合として、ビニル基とハイドロシリル基とのモル比が1/1近辺となる態様が開示されている。
国際公開2007/018028号
 近年、電子デバイスのより一層の薄型化に伴い、使用されるガラス基板がより一層薄くなり、その取扱い性のより一層の向上が求められている。そのため、ガラス積層体中のガラス基板上に高温条件下にて電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板をガラス積層体から剥離する際に、ガラス基板がより容易に剥離することが望まれている。ガラス基板をより容易に剥離することができれば、ガラス基板の破損懸念がより小さくなる。
 本発明者らは、上述した特許文献1を参考にして、アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン、および、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサンを用いて、両者の混合比が特許文献1に記載の範囲となるように調整して形成されるシリコーン樹脂層を含むガラス積層体を用いて、ガラス基板の剥離性を評価したところ、その剥離性は、以前の要求レベルは満たすものの、昨今のより高い要求レベルには達しておらず、さらなるガラス基板の剥離性の向上が求められている。
 本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することを目的とする。
 また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、使用されるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基およびハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基の混合モル比を調整することにより、所望の効果が得られることを知見して、本発明を完成した。
 すなわち、本発明の第1の態様は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備え、支持基材とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させて得られる硬化物であり、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン(B)中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である、ガラス積層体である。
 また、第1の態様においては、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の数平均分子量が500~9000であることが好ましい。
 また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層が、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)およびハイドロジェンポリシロキサン(B)を含み、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン(B)中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層であることが好ましい。
 また、第1の態様においては、硬化性樹脂組成物が、さらに溶媒を含むことが好ましい。
 また、第1の態様においては、溶媒の沸点が、30~280℃であることが好ましい。
 また、第1の態様においては、溶媒のヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)が14.0MPa1/2以下であることが好ましい。
 また、第1の態様においては、溶媒が、ケイ素原子を含有する溶媒であることが好ましい。
 また、第1の態様においては、シリコーン樹脂層の厚さが2~100μmであることが好ましい。
 また、第1の態様においては、支持基材がガラス板であることが好ましい。
 本発明の第2の態様は、支持基材の片面に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)およびハイドロジェンポリシロキサン(B)を含み、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン(B)中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である層を形成し、支持基材面上でアルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させてシリコーン樹脂層を形成し、次いでシリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層する、第1の態様のガラス積層体の製造方法である。
 本発明の第3の態様は、第1の態様のガラス積層体のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から支持基材およびシリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材を除去し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。
 本発明によれば、高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。
 また、本発明によれば、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することもできる。
本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。 図2(A)、図2(B)、図2(C)、図2(D)は、本発明に係る部材付きガラス基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。
 以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
 本発明のガラス積層体は、支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備える。すなわち、支持基材とガラス基板との間にシリコーン樹脂層を有し、シリコーン樹脂層は、一方の側が支持基材に接し、他方の側がガラス基板に接している。
 本発明のガラス積層体の特徴点の一つは、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、所定の混合割合にて混合されたアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを用いて形成されている点が挙げられる。より具体的には、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基、および、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基の混合モル比を所定の範囲(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数:0.15/1~0.65/1)に調整することにより、ガラス基板の剥離の際の剥離強度が低下することを知見している。
 上記のように、ハイドロシリル基のモル量が少ない混合モル比に調整した場合、架橋数の低下が予想され、シリコーン樹脂層が柔らかくなることにより、シリコーン樹脂層の粘着性が向上し、結果として、ガラス基板とシリコーン樹脂層とがより密着して、ガラス基板の剥離性が悪化することが考えられる。しかしながら、驚くべきことに、本発明者らが上記混合モル比にてシリコーン樹脂層を形成したところ、ガラス基板の剥離強度が低下して、剥離性が向上した(即ち、剥離しやすくなった)。
 このようにガラス基板の剥離強度が低下する理由としては、以下のように考えられる。所定の混合モル比にすることにより、ネットワークに取りこまれたアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの未架橋部位が、シリコーン樹脂層の表面に存在する。その結果、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの分子鎖が表面において高い運動性を有することとなり、シリコーン樹脂表面における表面エネルギーがより低下し、ガラス基板の剥離性が向上したと考えられる。
 また、驚くべきことに、該シリコーン樹脂層は、特許文献1に記載されるような混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が1/1近辺である態様により形成されるシリコーン樹脂層と、耐溶剤性の点でも同等程度であり、優れた特性を示すことが知見された。
 さらに、後述するように所定のヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)の溶媒を含む硬化性樹脂組成物を用いた場合は、硬化性樹脂組成物の塗布性が優れ、生産性が向上する。また、得られるシリコーン樹脂層の平坦性がより優れ、ガラス基板の積層性が優れる。
 図1は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
 図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基材12の層とガラス基板16の層とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。シリコーン樹脂層14は、その一方の面が支持基材12の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1主面16aに接している。
 支持基材12の層およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体10の製造のためにあらかじめ製造される支持基材12の層およびシリコーン樹脂層14からなる2層部分をシリコーン樹脂層付き支持基材18という。
 このガラス積層体10は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体10は、そのガラス基板16の第2主面16b上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、シリコーン樹脂層付き支持基材18と電子デバイス(部材付きガラス基板)とに分離され、シリコーン樹脂層付き支持基材18は、電子デバイスを構成する部分とはならない。シリコーン樹脂層付き支持基材18には新たなガラス基板16と積層され、新たなガラス積層体10として再利用することができる。
 支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面は、剥離強度(x)を有し、支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面に剥離強度(x)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材12とシリコーン樹脂層14の界面が剥離する。また、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面は、剥離強度(y)を有し、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面に剥離強度(y)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面が剥離する。
 ガラス積層体10(後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する)においては、上記剥離強度(x)は、上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体10に支持基材12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体10は、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面で剥離してガラス基板16とシリコーン樹脂層付き支持基材18に分離する。
 剥離強度(x)は、剥離強度(y)と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度(x)を高めることは、支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板16に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
 支持基材12に対するシリコーン樹脂層14の付着力を高めるためには、後述するように、所定の成分を含む硬化性樹脂組成物の層(すなわち、硬化性樹脂組成物の塗膜)を支持基材12上で硬化(例えば、架橋硬化)させてシリコーン樹脂層14を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基材12に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層14を形成することができる。
 一方、硬化後のオルガノポリシロキサンの硬化物のガラス基板16に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材12上で硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施してシリコーン樹脂層14を形成し、その後シリコーン樹脂層14の面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造することが好ましい。
 以下で、まず、ガラス積層体10を構成する各層(支持基材12、ガラス基板16、シリコーン樹脂層14)について詳述し、その後、ガラス積層体および電子デバイスの製造方法について詳述する。
<支持基材>
 支持基材12は、ガラス基板16を支持して補強し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において、電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
 支持基材12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材12は、ガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材12は、ガラス板であることが好ましい。特に、支持基材12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
 支持基材12の厚さは、ガラス基板16よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板16の厚さ、シリコーン樹脂層14の厚さ、およびガラス積層体10の厚さに基づいて、支持基材12の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ0.5mmのガラス基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さとシリコーン樹脂層14の厚さとの和が0.1mmの場合、支持基材12の厚さを0.4mmとする。支持基材12の厚さは、通常の場合、0.2~5.0mmであることが好ましい。
 支持基材12がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、0.08mm以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であることが好ましい。
 支持基材12とガラス基板16との25~300℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは500×10-7/℃以下であり、より好ましくは300×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは200×10-7/℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体10が激しく反ったり、支持基材12とガラス基板16とが剥離したりする可能性がある。支持基材12の材料がガラス基板16の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
<ガラス基板>
 ガラス基板16は、第1主面16aがシリコーン樹脂層14と接し、シリコーン樹脂層14側とは反対側の第2主面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
 ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は、耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低いものが好ましい。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
 ガラス基板16の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は、加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板16上にTFT(Thin Film Transistor)を形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却すると、ガラス基板16の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。
 ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板16は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。
 ガラス基板16のガラスの種類は、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40~90質量%のガラスが好ましい。
 ガラス基板16のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板16のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
 ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.3mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.2mm以下であり、さらに好ましくは0.15mm以下であり、特に好ましくは0.10mm以下である。0.3mm以下の場合、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能である。
 また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
 なお、ガラス基板16は、2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は、同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板16の厚さ」は、全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
<シリコーン樹脂層>
 シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16と支持基材12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16が分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、ガラス基板16の第1主面16aに剥離可能に密着する。シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16の第1主面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、シリコーン樹脂層14と支持基材12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
 すなわち、ガラス基板16と支持基材12とを分離する際には、ガラス基板16の第1主面16aとシリコーン樹脂層14との界面で剥離し、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16の第1主面16aと密着するが、ガラス基板16を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層14は、ガラス基板16の第1主面16aに対してある程度の結合力で結合してガラス基板16の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板16を剥離する際には、ガラス基板16を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層14表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材12の第1主面とシリコーン樹脂層14とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
 なお、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の界面の結合力は、ガラス積層体10のガラス基板16の面(第2主面16b)上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい(すなわち、剥離強度(x)や剥離強度(y)が変化してもよい)。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度(y)は、剥離強度(x)よりも低いことが要求される。
 本発明のガラス積層体において、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度は、1.3N/25mm、好ましくは1.2N/25mm、より好ましくは1.1N/25mm以下であるのが、ガラス積層体のガラス基板16と支持基材12とを分離する際、ガラス基板の割れを防ぐという観点で好ましい。
 シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。シリコーン樹脂層14を形成した後、その表面にガラス基板16を積層する場合、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合は、ファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ、接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体10の製造後、その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂は、ガラス基板16面に接着し、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層との間の結合力は、上昇すると考えられる。
 場合により、積層前のシリコーン樹脂層14の表面や積層前のガラス基板16の第1主面16aに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層の界面の結合力を弱め、剥離強度(y)を低くすることができる。
 また、シリコーン樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材12表面に結合されている。たとえば、上述したように、硬化性樹脂組成物の層を支持基材12表面で硬化させることにより、硬化物であるシリコーン樹脂を支持基材12表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基材12表面とシリコーン樹脂層14との間の結合力を高めることもできる。
 シリコーン樹脂層14と支持基材12の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度(x)が高いことを意味する。
 シリコーン樹脂層14の厚さは、特に限定されないが、硬化性樹脂組成物が溶媒を含有する場合、含有しない場合のいずれの場合であっても、形成されるシリコーン樹脂層14の厚さは、2~100μmであることが好ましく、3~50μmであることがより好ましく、7~20μmであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層14の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、厚さが比較的厚い場合は、異物が存在していても、気泡となることを抑制することができる。また、シリコーン樹脂層14の厚さが厚すぎると、シリコーン樹脂層14を形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、シリコーン樹脂層14の厚さが薄すぎると、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との間に異物がある場合に、気泡が生じやすい。シリコーン樹脂層14の厚さは、硬化性樹脂組成物の樹脂成分の濃度や、支持基材上に塗工する塗布液の量で調節することができる。
 なお、シリコーン樹脂層14は、2層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層14の厚さ」は、全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
 シリコーン樹脂層14に含まれるシリコーン樹脂は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、ハイドロシリル基(Si-H基)を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させて得られる硬化物(架橋硬化物)である。該シリコーン樹脂は、3次元網目構造を形成していることが好ましい。
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)(以後、単にポリシロキサン(A)とも称する)とは、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。
 ポリシロキサン(A)の数平均分子量は、特に制限されないが、500~50000の場合が多く、ガラス基板16の剥離がより容易である点から、本発明においては500~9000が好ましく、1000~8000がより好ましく、1500~6000がさらに好ましい。
 上記数平均分子量の測定方法としては、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの数平均分子量である。
 ポリシロキサン(A)は、直鎖状、分岐鎖状でもよく、ガラス基板16の剥離性がより優れる点で、直鎖状(例えば、線状)が好ましい。
 ポリシロキサン(A)に含まれるアルケニル基としては、特に限定されないが、例えば、ビニル基(エテニル基)、アリル基(2-プロペニル基)、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、中でも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
 ポリシロキサン(A)に含まれるアルケニル基の数は、特に制限されないが、ガラス基板16の剥離性がより優れる点から、1分子あたり少なくとも2個有することが好ましく、2~120個有することがより好ましく、2~100個有することがさらに好ましい。
 また、ポリシロキサン(A)に含まれるアルケニル基以外の基としては、アルキル基(特に、炭素数4以下のアルキル基)が挙げられる。
 ポリシロキサン(A)中におけるアルケニル基の位置は、特に制限されないが、ポリシロキサン(A)の末端および/または側鎖が挙げられる。
 ポリシロキサン(A)が直鎖状の場合、アルケニル基は、下記に示すM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともM単位に存在していることが好ましく、2個のM単位の両方に存在していることが好ましい。
 なお、M単位およびD単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、M単位とは有機基が3つ結合した1官能性のシロキサン単位、D単位とは有機基が2つ結合した2官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は、2個のケイ素原子が1個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子1個当たりの酸素原子は、1/2個とみなし、式中O1/2と表現される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 なお、アルケニル基を有するM単位としては、上記Rのうちいずれか1つがアルケニル基であり、他のRがアルキル基である態様が好ましい。
 また、アルケニル基を有するD単位としては、上記Rのうちいずれか1つがアルケニル基であり、他のRがアルキル基である態様が好ましい。
 ハイドロジェンポリシロキサン(B)(以後、単にポリシロキサン(B)とも称する)は、ハイドロシリル基(ケイ素原子に結合した水素原子)を有するオルガノポリシロキサンである。
 ポリシロキサン(B)の数平均分子量は、特に制限されないが、ガラス基板16の剥離がより容易である点から、500~9000が好ましく、1000~8000がより好ましく、1500~6000がさらに好ましい。
 ポリシロキサン(B)は、直鎖状、分岐鎖状でもよく、ガラス基板16の剥離性がより優れる点で、直鎖状(例えば、線状)が好ましい。
 ポリシロキサン(B)に含まれるハイドロシリル基(ケイ素原子に結合した水素原子)の数は、特に制限されないが、ガラス基板16の剥離性がより優れる点から、1分子あたり少なくとも2個有することが好ましく、2~120個有することがより好ましく、2~100個有することがさらに好ましい。
 また、ポリシロキサン(B)に含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基(特に、炭素数4以下のアルキル基)が挙げられる。
 ポリシロキサン(B)中におけるハイドロシリル基の位置は、特に制限されないが、ポリシロキサン(B)の末端および/または側鎖が挙げられる。
 ポリシロキサン(B)が直鎖状の場合、ハイドロシリル基は、上述したM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。
 ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との混合比率は、ポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、ポリシロキサン(B)中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1であり、ガラス基板16の剥離性がより優れる点で、0.15/1以上、0.60/1未満が好ましく、0.25/1以上、0.60/1未満がより好ましく、0.25/1~0.50/1が特に好ましい。上記混合モル比は、アルケニル基のモル数に対する、ハイドロシリル基のモル数のモル比を表す。
 混合モル比が0.65/1超の場合、加熱処理後のガラス基板16の剥離性に劣る。また、混合モル比が0.15/1未満の場合、硬化物の架橋密度が急激に低下して、十分な硬さを有する硬化物が得られず、ガラス基板16の積層性が劣る。さらに、硬化物の架橋密度の低下に伴い、耐熱性の低下懸念がある。
 シリコーン樹脂層14中に含まれるシリコーン樹脂は、上記ポリシロキサン(A)と上記ポリシロキサン(B)とを反応(例えば、付加反応)させて得られる硬化物である。
 反応は、必要に応じて、触媒(例えば、ヒドロシリル化触媒)の存在下にて実施してもよい。
 この触媒としては白金族金属触媒を用いることが好ましい。白金族金属触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。
 触媒(好ましくは、白金族金属触媒)の使用量は、特に制限されないが、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との合計質量に対する質量比で、2~400ppmが好ましく、5~300ppmがより好ましく、8~300ppmが特に好ましい。
 シリコーン樹脂層14の形成方法は、特に制限されないが、通常、上記ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む組成物の層に対して、硬化処理を施す方法が挙げられる。シリコーン樹脂層の形成方法の詳細について、後段の[ガラス積層体およびその製造方法]で詳述する。
[ガラス積層体およびその製造方法]
 本発明のガラス積層体10は、上述したように、支持基材12とガラス基板16とそれらの間にシリコーン樹脂層14が存在する積層体である。
 本発明のガラス積層体10の製造方法は、特に制限されないが、支持基材12とシリコーン樹脂層14との界面の剥離強度(x)が、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面の剥離強度(y)よりも高いガラス積層体を得るために、支持基材12表面上でポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを反応させてシリコーン樹脂層14を形成する方法が好ましい。すなわち、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを上記混合モル比で含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを反応させてシリコーン樹脂層14(例えば、架橋シリコーン樹脂の層)を形成し、次いで、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体10を製造する方法である。
 ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを支持基材12表面上で硬化させると、硬化反応時の支持基材12表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材12表面との剥離強度が、高くなると考えられる。したがって、ガラス基板16と支持基材12とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層14と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
 以下、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを反応(例えば、架橋)させてシリコーン樹脂層14を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面にガラス基板16を積層してガラス積層体10とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
(樹脂層形成工程)
 樹脂層形成工程では、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む層を支持基材12の表面に形成し、支持基材12表面上でポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを架橋させてシリコーン樹脂層14を形成する。なお、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とは、上述した所定の混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が、0.15/1~0.65/1となるように混合される。
 支持基材12上にポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む層を形成するためには、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを上記混合モル比で含む硬化性樹脂組成物を使用し、この組成物を支持基材12上に塗布して組成物の層を形成することが好ましい。組成物の層の厚みは、組成物の塗布量の調整などによって制御できる。
 なお、組成物の塗布性が良好となり、より高速で塗布が可能となる点、より薄膜のシリコーン樹脂層を形成できる点、粘度低下によるレベリング性の向上の点、および、塗布膜の平坦性の向上の点より、硬化性樹脂組成物には溶媒が含まれることが好ましい。
 溶媒の種類は、特に制限されず、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、2-ヘプタノン、1-メトキシ-2-プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、THF、クロロホルム、ジアルキルポリシロキサン、飽和炭化水素などが挙げられる。
 溶媒の動粘度は、特に制限されないが、シリコーン樹脂層14の平坦性がより優れる点で、23mm/s以下が好ましく、12mm/s以下がより好ましく、6mm/s以下がさらに好ましい。下限は、特に制限されないが、0.1mm/s以上の場合が多い。
 溶媒は、形成されたシリコーン樹脂層の表面に残留することがないよう、100℃以上で乾燥させることが好ましく、溶媒の沸点以上で加熱することが好ましい。しかし、仮にシリコーン樹脂層表面に残留した溶媒が、シリコーン樹脂層と積層したのち剥離したガラス基板の表面に転写したとしても、ガラス基板の表面に常圧プラズマ処理などを施し、水接触角が小さくなるように表面の性状を変えることができる。
 また、溶媒の沸点は、特に制限されないが、シリコーン樹脂層14の平坦性がより優れる点で、30~280℃が好ましく、50~230℃がより好ましい。なお、沸点は、大気圧下での値を意図する。
 使用される溶媒の溶解度パラメータであるヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)(以後、「ヒルデブランドのSP値」とも称する)は、特に制限されず、例えば、18MPa1/2以下の溶媒が挙げられるが、本発明においては、得られるシリコーン樹脂層14の平坦性がより優れる点で、ヒルデブランドのSP値が14.0MPa1/2以下の溶媒を使用することが好ましい。該溶媒は、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との相溶性に優れ、硬化性樹脂組成物の層を形成する際に、該層の表面をあらすことなく、揮発することができ、結果としてシリコーン樹脂層14の平坦性がより優れる。
 該溶媒のヒルデブランドのSP値は、14.0MPa1/2以下が好ましく、13.5MPa1/2以下がより好ましく、13.0MPa1/2以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との相溶性の点から、10.0MPa1/2以上が好ましい。
 上記ヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)は、ハンセンのSP値[δD, δP, δH]を用いて、次のように表すことができる。
  ヒルデブランドのSP値=「(δD2+δP2+δH2)の平方根」
 ハンセン(Hansen)溶解度パラメータは、ヒルデブランド(Hildebrand)によって導入された溶解度パラメータを、分散項δD、極性項δP、水素結合項δHの3成分に分割し、3次元空間に表したものである。分散項δDは、分散力のよる効果、極性項δPは、双極子間力による効果、水素結合項δHは、水素結合力の効果を示す。
 なお、ハンセン溶解度パラメータの定義と計算は、Charles M.Hansen著、Hansen Solubility Parameters: A Users Handbook (CRCプレス,2007年)に記載されている。また、コンピュータソフトウエア Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)を用いることにより、簡便にハンセン溶解度パラメータを推算することができる。なお、本発明では、ハンセンのSP値[δD, δP, δH]の実際の計算に当たっては、ハンセンらによって作成されたソフトウエア、HSPiP ver.4.1を用いる。
 なお、具体例としては、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサンのハンセンのSP値[δD,δP,δH=12.8, 1.3, 1]から、ヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)が12.9となる。
 上記ヒルデブランドのSP値を有する溶媒としては、ポリシロキサン(A)およびポリシロキサン(B)に対する相溶性がより優れ、シリコーン樹脂層14の平坦性がより優れる点から、ケイ素原子を含有する溶媒が好ましく、ジアルキルポリシロキサン(好ましくは、ジメチルポリシロキサン(ポリジメチルポリシロキサン))が好ましい。
 ジアルキルポリシロキサンとしては、直鎖状、分岐鎖状、または、環状のいずれでもよく、直鎖状または環状が好ましく、環状(例えば、環状ジアルキルポリシロキサン)がより好ましい。また、ジアルキルポリシロキサンは、上述した粘度または沸点の範囲であることが好ましい。
 ジアルキルポリシロキサンの具体例としては、例えば、以下式(1)で表される環状ジメチルポリシロキサンや、式(2)で表される直鎖状ジメチルポリシロキサンなどが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 上記式(1)中、nは、3~9の整数を表す。
 上記式(2)中、mは、3~9の整数を表す。
 このような式で表わされる化合物としては、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン(ヒルデブランドのSP値:12.9)、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン(ヒルデブランドのSP値:11.5)、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン(ヒルデブランドのSP値:12.9)などが挙げられる。
 硬化性樹脂組成物に溶媒が含まれる場合は、塗布性の点から、ポリシロキサン(A)およびポリシロキサン(B)の合計割合は、硬化性樹脂組成物全質量に対して、10~95質量%が好ましく、20~90質量%がより好ましく、30~70質量%がさらに好ましく、30~50質量%が特に好ましい。
 硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、ポリシロキサン(A)、ポリシロキサン(B)および溶媒以外の成分が含まれていてもよい。
 例えば、上述した触媒が含まれていてもよい。
 また、硬化性樹脂組成物には、さらに、触媒とともに触媒活性を調整する目的で触媒活性を抑制する作用のある活性抑制剤(反応抑制剤、遅延剤等とも呼ばれる化合物)を併用することが好ましい。活性抑制剤としては、例えば、各種有機窒素化合物、有機リン化合物、アセチレン系化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物などが挙げられる。さらに必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、各種シリカ、炭酸カルシウム、酸化鉄などの無機フィラーなどを含有していてもよい。
 支持基材12表面上にポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む硬化性樹脂組成物を塗布する方法は、特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
 その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は、特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。
 次いで、支持基材12上の硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施し、層中のポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを反応(具体的には、架橋)させて、シリコーン樹脂層14を形成する。より具体的には、図2(A)に示すように、該工程では支持基材12の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層14が形成される。
 硬化(例えば、架橋)の方法としては、通常、熱硬化が採用される。
 ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを反応させる際の温度条件は、シリコーン樹脂層14の耐熱性を向上し、ガラス基板16と積層後の剥離強度(y)を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、80~250℃が好ましく、120~230℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10~120分が好ましく、30~60分がより好ましい。
 なお、硬化性樹脂組成物の層は、プレキュア(予備硬化)を行った後、後硬化(本硬化)を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層14を得ることができる。
(積層工程)
 積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層14のシリコーン樹脂面上にガラス基板16を積層し、支持基材12とシリコーン樹脂層14とガラス基板16とをこの順で備えるガラス積層体10を得る工程である。より具体的には、図2(B)に示すように、シリコーン樹脂層14の支持基材12側とは反対側の表面14aと、第1主面16aおよび第2主面16bを有するガラス基板16の第1主面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層14とガラス基板16とを積層し、ガラス積層体10を得る工程である。
 ガラス基板16をシリコーン樹脂層14上に積層する方法は、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
 例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層14の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層14にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層14とガラス基板16の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
 真空ラミネート法や真空プレス法によりシリコーン樹脂層14とガラス基板16とを圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板16のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
 ガラス基板16を積層する際には、シリコーン樹脂層14に接触するガラス基板16の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板16の平坦性は、良好となるので好ましい。
 なお、ガラス基板16を積層した後、必要に応じて、加熱処理を行ってもよい。該加熱処理を行うことにより、積層されたガラス基板16のシリコーン樹脂層14に対する密着性が向上し、適切な剥離強度(y)とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
 加熱処理の条件は、使用されるシリコーン樹脂層14の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、200℃以上(好ましくは、200~400℃)で5分間以上(好ましくは、5~30分間)、加熱処理を行うことが好ましい。
 なお、シリコーン樹脂層14の形成は、上記方法に限られるものではない。
 例えば、シリコーン樹脂表面に対する密着性がガラス基板16よりも高い材質の支持基材12を用いる場合には、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む上記硬化性樹脂組成物を何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板16と支持基材12との間に介在させ同時に積層することができる。
 また、シリコーン樹脂による接着性がガラス基板16に対して充分低くかつその接着性が支持基材12に対して充分高い場合は、ガラス基板16と支持基材12の間でポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とを含む上記硬化性樹脂組成物の層を硬化させてシリコーン樹脂層14を形成することができる。
 さらに、支持基材12がガラス基板16と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材12表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層14に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法(プライマー処理)や、フレーム(火炎)処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
(ガラス積層体)
 本発明のガラス積層体10は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、太陽電池(PV)、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体10が高温条件(例えば、350℃以上)で曝される(例えば、5分以上)場合が多い。
 ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
[電子デバイスおよびその製造方法]
 本発明においては、上述したガラス積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイス(以後、適宜「部材付きガラス基板」とも称する)が製造される。
 電子デバイスの製造方法は、特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として電子デバイス(部材付きガラス基板)とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。
 以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
 以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
(部材形成工程)
 部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体10中のガラス基板16上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図2(C)に示すように、ガラス基板16の第2主面16b(露出表面)上に電子デバイス用部材20を形成し、電子デバイス用部材付き積層体22を得る。
 まず、本工程で使用される電子デバイス用部材(機能性素子とも称される)20について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
(電子デバイス用部材(機能性素子))
 電子デバイス用部材20は、ガラス積層体10中のガラス基板16上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材20としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
 例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
 また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
 また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ、加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
(工程の手順)
 上述した電子デバイス用部材付き積層体22の製造方法は、特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、電子デバイス用部材20を形成する。
 なお、電子デバイス用部材20は、ガラス基板16の第2主面16bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。シリコーン樹脂層14から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
 また、シリコーン樹脂層14から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面16a)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材12を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基材12を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
 例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体10のガラス基板16のシリコーン樹脂層14側とは反対側の表面上(ガラス基板16の第2主面16bに該当)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する工程、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する工程、裏面電極を形成する工程、封止板を用いて封止する工程、等の各種の層形成や処理の工程が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
 また、例えば、TFT-LCDを製造する場合は、ガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別のガラス積層体10のガラス基板16の第2主面16b上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT形成工程で得られたTFT付き積層体とCF形成工程で得られたCF付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
 TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板16の第2主面16bにTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
 なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板16の第2主面16bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
 貼合わせ工程では、TFT付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、CF付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤(例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤)を用いて貼り合わせる。その後、TFT付き積層体とCF付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
(分離工程)
 分離工程は、図2(D)に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体22から、シリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面を剥離面として、電子デバイス用部材20が積層されたガラス基板16(部材付きガラス基板)と、支持基材12とに分離して、電子デバイス用部材20およびガラス基板16を含む部材付きガラス基板(電子デバイス)24を得る工程である。
 剥離時のガラス基板16上の電子デバイス用部材20が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板16上に形成することもできる。
 ガラス基板16と支持基材12とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板16とシリコーン樹脂層14との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体22の支持基材12が上側、電子デバイス用部材20側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材20側を定盤上に真空吸着し、この状態で、まず刃物をガラス基板16-シリコーン樹脂層14界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材12側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層14とガラス基板16との界面やシリコーン樹脂層14の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基材12を容易に剥離することができる。なお、電子デバイス用部材付き積層体22において、両面に支持基材12が積層されている場合には、一方の側のガラス基板16と支持基材12との剥離と、他方側のガラス基板16と支持基材12との剥離とを、順次行うことができる。
 また、支持基材12は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体10を製造することができる。
 なお、電子デバイス用部材付き積層体22から部材付きガラス基板24を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層14の欠片が部材付きガラス基板24に静電吸着することをより抑制することができる。
 上述した部材付きガラス基板24の製造方法は、特に携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は、主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。
 上記方法で製造された部材付きガラス基板24としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜2次電池用部材を有する薄膜2次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
 以下に、実施例(A)、(B)、(C)等により本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらの例によって限定されるものではない。
 以下の実施例1~8、および比較例1~2では、支持基材としては、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦240mm、横240mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。
<実施例A>
<実施例1>
 初めに、板厚0.5mmの支持基材を純水洗浄した後、さらにUV洗浄して清浄化した。
 次に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(数平均分子量:2000、アルケニル基の数:2個以上)(100質量部)と、ハイドロジェンポリシロキサン(数平均分子量:2000、ハイドロシリル基の数:2個以上)(6.7質量部)とを配合した。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)は、0.4/1であった。さらに、触媒(白金触媒)を、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計質量(100質量部)に対し、300質量ppm添加した。この液を、硬化性樹脂組成物Xとする。この硬化性樹脂組成物Xを、ダイコーターを用いて支持基材の第1主面上に塗布して、未硬化のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを含む層を支持基材上に設けた。
 次に、上記した層の形成された支持基材を大気中にて140℃で3分間加熱した後、大気中にて230℃で20分間加熱硬化して、支持基材の第1主面に厚さ10μmのシリコーン樹脂層を形成した。なお、シリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Aを得た。
 この際、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦200mm、横200mm、板厚0.2mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。
 得られたガラス積層体Aにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Aにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Aを窒素雰囲気下にて350℃で、10分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、ガラス積層体Aの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 そして、350℃で10分間の加熱処理後のガラス積層体Aに対して、以下の剥離試験を行い、ガラス基板の剥離強度(N/25mm)を測定した。
 剥離強度の測定方法は、幅25mm・長さ70mmのガラス積層体Aを用意し、オートグラフAG-20/50kNXDplus(島津製作所社製)を用いて、ガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離を行った。
 この際、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に厚さ0.1mmのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成した後、ガラス基板を完全に固定し、支持基材を引き上げることで強度の測定を行った。なお、引き上げ速度は、30mm/minとした。
 荷重を検知した地点を0とし、その位置から2.0mm引き上げた位置での剥離強度を測定値とした。その際の剥離強度は、0.53N/25mmであった。
<実施例2>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.6/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Bを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Bにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Bにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Bを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Bの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、0.88N/25mmであった。
<実施例3>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.25/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Cを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Cにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Cにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Cを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Cの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、0.45N/25mmであった。
<実施例4>
 硬化性樹脂組成物Xに、さらに溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン(信越化学工業社製、KF-994。動粘度(25℃):2.3mm/s、沸点:175℃、ヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値):12.9MPa1/2)を加えた以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Dを得た。
 なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、ハイドロジェンポリシロキサン、および、触媒の合計量が組成物全量に対して、40質量%になる量とした。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Dにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Dにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Dを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Dの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、0.60N/25mmであった。
 なお、この際のダイコーターの塗布速度は、実施例1に比べて、3倍の速度で塗布することができた。また、その際、硬化性樹脂組成物Xの吐出量に関しては、10μmのシリコーン樹脂層が形成されるように、調整した。
<実施例5>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.6/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例4と同様の方法で、ガラス積層体Eを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Eにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Eにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Eを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Eの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、0.77N/25mmであった。
 なお、この際のダイコーターの塗布速度は、実施例1に比べて、3倍の速度で塗布することができた。また、その際、硬化性樹脂組成物Xの吐出量に関しては、10μmのシリコーン樹脂層が形成されるように、調整した。
<実施例6>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(数平均分子量:2000、アルケニル基の数:2個以上)の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(数平均分子量:10000、アルケニル基の数:2個以上)を用いた以外は、実施例4と同様の方法で、ガラス積層体Fを得た。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比が実施例1と同じようなるように、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの使用量を調整した。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Fにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Fにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Fを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Fの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は0.79N/25mmであった。
<実施例7>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Iを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Iにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Iにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Iを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Iの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は0.40N/25mmであった。
<実施例8>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.65/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Jを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Jにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Jにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Jを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Jの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、1.00N/25mmであった。
<比較例1>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(数平均分子量:2000、アルケニル基の数:2個以上)の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(数平均分子量:10000、アルケニル基の数:2個以上)を用い、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.9/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Gを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Gにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Gにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Gを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Gの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、1.57N/25mmであり、実施例の態様と比較して剥離強度が高かった。
<比較例2>
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.76/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、実施例1と同様の方法で、ガラス積層体Hを得た。
 得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
 また、得られたガラス積層体Hにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Hにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度は、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
 次に、ガラス積層体Hを実施例1と同様の加熱処理を行ったところ、ガラス積層体Hの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
 また、加熱処理後に実施例1と同様の手順にて剥離試験を実施したところ、剥離強度は、1.34N/25mmであり、実施例の態様と比較して剥離強度が高かった。
<作業性評価>
 上記した実施例1~8および比較例1、2の各ガラス積層体の作業性の評価は、以下のように行なった。
 上記実施例および比較例で得られたガラス積層体(幅25mm・長さ70mm)中のシリコーン樹脂層中のガラス基板との界面の一端側に、ステンレス製刃物を10mm挿入し、長さ方向に沿ってステンレス製刃物を50mm移動させた。ステンレス製刃物がガラス基板の割れを起こさずにスムーズに移動した場合を「○」、ステンレス製刃物の移動が困難で、ガラス基板の割れが引き起こされる場合を「×」とした。その結果については、表1中の作業性の欄に表記した。
 上記ステンレス製刃物の移動しやすさは、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離強度と関連し、剥離強度が大きい場合は、ステンレス製刃物が移動しにくくなる。
 上記実施例および比較例のサンプルの仕様および各評価結果を、表1にまとめて示す。
 なお、表中の「溶媒の有無」欄において、「無し」は硬化性樹脂組成物Xに溶媒が含まれない場合を意図し、「有り」は硬化性樹脂組成物Xにオクタメチルシクロテトラシロキサンが含まれる場合を意図する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表1に示すように、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が本発明の範囲を満たす場合は、剥離強度が低く、ガラス基板を剥離しやすかった。
 一方、特許文献1に記載されている混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)の近傍に該当する比較例においては、剥離強度が増大し、ガラス基板が剥離しがたかった。
 なお、実施例1と実施例4とを比較すると、実施例4に示す硬化性樹脂組成物が溶媒を含む態様においては、塗布速度を速めることができ、生産性に優れることが確認された。
<実施例B>
(サンプルB-1の調製)
 実施例1に記載の硬化性樹脂組成物X中の、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.5/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整して得られた硬化性樹脂組成物Yをポリテトラフルオロエチレンフィルム(PTFEフィルム)上に0.5g滴下した。次に、硬化性樹脂組成物Yが形成されたPTFEフィルムを、150℃に加熱されたホットプレート上に4分間静置し、さらにオーブンにて220℃で20分間加熱硬化して、PTFEフィルム上にシリコーン樹脂層を形成し、サンプルB-1のシリコーン樹脂層を得た。
(サンプルB-2の調製)
 アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.9/1となるように、ハイドロジェンポリシロキサンの量を調整した以外は、上記サンプルB-1と同様の手順に従って、サンプルB-2のシリコーン樹脂層を得た。
(耐薬品性評価)
 PFAシャーレに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(濃度2.5質量%)を30mL入れて、その中にサンプルB-1を5時間浸漬し、サンプルB-1を取り出した後、残存している水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を回収して、測定サンプルとした。
 次に、ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析計)(Agilent Technologies社製Agilent8800)を用いて、測定サンプル中のケイ素原子の量を測定した。
 サンプルB-2についても、上記と同様の手順にて評価を行った。
 サンプルB-1およびB-2の両方において、測定サンプル中のケイ素原子の量は、同程度であり、サンプルB-1中のシリコーン樹脂層と、サンプルB-2中のシリコーン樹脂層とでは、耐薬品性に差は無かった。つまり、上記混合モル比が本発明の範囲で得られたシリコーン樹脂層についても、特許文献1に記載されるような混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が約1/1近辺である態様により形成されるシリコーン樹脂層と、耐溶剤性の点でも同等程度であり、耐溶剤性の低下は見られなかった。
<実施例C>
<実施例9>
 本例では、実施例1で得た、ガラス積層体Aを用いてOLEDを製造する。
 まず、ガラス積層体Aにおけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。
 次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。
 次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成する。
 次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。
 続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N-ナフチル)-N-フェニル]ベンジジン、発光層として8-キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6-ビス[4-[N-(4-メトキシフェニル)-N-フェニル]アミノスチリル]ナフタレン-1,5-ジカルボニトリル(BSN-BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成する。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体A(以下、パネルAという。)が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。
 続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルAの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機EL構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
 続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ-ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製する。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じない。
 本発明によれば、ガラス積層体のガラス基板上に高温条件下において電子デバイス用部材を形成した後であっても、ガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することができ、かかるガラス積層体は、電子デバイスを製造する際の部材として有用である。
 なお、2014年11月21日に出願された日本特許出願2014-236517号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
 10:ガラス積層体、 12:支持基材、 14:シリコーン樹脂層、 14a:シリコーン樹脂層の第1主面、 16:ガラス基板、 16a:ガラス基板の第1主面、 16b:ガラス基板の第2主面、 18:シリコーン樹脂層付き支持基材、 20:電子デバイス用部材、 22:電子デバイス用部材付き積層体、 24:部材付きガラス基板。

Claims (11)

  1.  支持基材とシリコーン樹脂層とガラス基板とをこの順で備え、前記支持基材と前記シリコーン樹脂層の界面の剥離強度が前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、
     前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させて得られる硬化物であり、
     前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中のアルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)中の前記ハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である、ガラス積層体。
  2.  前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の数平均分子量が500~9000である、請求項1に記載のガラス積層体。
  3.  前記シリコーン樹脂層が、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)および前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)中の前記ハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層である、請求項1に記載のガラス積層体。
  4.  前記硬化性樹脂組成物が、さらに溶媒を含む、請求項3に記載のガラス積層体。
  5.  前記溶媒の沸点が、30~280℃である、請求項4に記載のガラス積層体。
  6.  前記溶媒のヒルデブランド溶解度パラメータ(SP値)が14.0MPa1/2以下である、請求項4または5に記載のガラス積層体。
  7.  前記溶媒が、ケイ素原子を含有する溶媒である、請求項4~6のいずれか1項に記載のガラス積層体。
  8.  前記シリコーン樹脂層の厚さが2~100μmである、請求項1~7のいずれか1項に記載のガラス積層体。
  9.  前記支持基材がガラス板である、請求項1~8のいずれか1項に記載のガラス積層体。
  10.  支持基材の片面に、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)および前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)中の前記ハイドロシリル基との混合モル比(ハイドロシリル基のモル数/アルケニル基のモル数)が0.15/1~0.65/1である層を形成し、前記支持基材面上で前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と前記ハイドロジェンポリシロキサン(B)とを反応させてシリコーン樹脂層を形成し、次いで前記シリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層する、請求項1~9のいずれか1項に記載のガラス積層体の製造方法。
  11.  請求項1~9のいずれか1項に記載のガラス積層体の前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
     前記電子デバイス用部材付き積層体から前記支持基材および前記シリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
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