TWI666112B - 玻璃積層體及其製造方法、電子元件之製造方法 - Google Patents

玻璃積層體及其製造方法、電子元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種即便於高溫加熱處理後，玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度之上升亦得到抑制，可容易地將玻璃基板剝離之玻璃積層體。
本發明係一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板且支持基材與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度者，並且聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為使含烯基有機聚矽氧烷(A)與具有氫矽烷基之氫聚矽氧烷(B)反應而獲得之硬化物，含烯基有機聚矽氧烷(A)中之烯基與氫聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.65/1。

Description

玻璃積層體及其製造方法、電子元件之製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及其製造方法，特別是關於一種具有將含烯基有機聚矽氧烷與氫聚矽氧烷之混合莫耳比調整為特定之範圍並使兩者反應獲得的聚矽氧樹脂層之玻璃積層體及其製造方法。
又，本發明亦關於一種使用該玻璃積層體之電子元件之製造方法。
近年來，業界推進太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等元件(電子機器)之薄型化、輕量化，並推進該等元件所使用之玻璃基板之薄板化。若因薄板化而玻璃基板之強度不足，則於元件之製造步驟中，玻璃基板之處理性下降。
最近，為了應對上述課題，提出有如下方法：準備積層玻璃基板與補強板而成之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子元件用構件，之後將補強板自玻璃基板分離(例如參照專利文獻1)。補強板具有支持板、及固定於該支持板上之聚矽氧樹脂層，聚矽氧樹脂層與玻璃基板係以可剝離之方式密接。玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面被剝離而自玻璃基板分離之補強板係與新玻璃基板積層，從而可再利用作玻璃積層體。
再者，於專利文獻1中，揭示有如下之態樣：於形成聚矽氧樹脂層時，使用具有乙烯基之聚有機矽氧烷、及具有氫矽烷基之氫聚矽氧 烷，於實施例欄中，作為兩者之混合比率，乙烯基與氫矽烷基之莫耳比成為1/1附近。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開2007/018028號
近年來，伴隨電子元件之更進一步之薄型化，使用之玻璃基板更進一步變薄，從而要求其處理性之更進一步之提高。因此，期望於在高溫條件下於玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子元件用構件後將玻璃基板自玻璃積層體剝離時，玻璃基板更容易地剝離。若可更容易地剝離玻璃基板，則玻璃基板之破損擔憂進一步減小。
本發明者等人以上述專利文獻1為參考，使用包含以如下方式形成之聚矽氧樹脂層之玻璃積層體對玻璃基板之剝離性進行評估，結果其剝離性雖滿足以前之要求等級，但未達到目前之更高之要求等級，從而要求玻璃基板之剝離性之進一步之提高；該聚矽氧樹脂層係使用具有烯基之聚有機矽氧烷、及具有氫矽烷基之氫聚矽氧烷，以使兩者之混合比成為專利文獻1中記載之範圍之方式進行調整而形成。
本發明係鑒於上述課題而完成者，目的在於提供一種即便於高溫加熱處理後，玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度之上升亦得到抑制，可容易地將玻璃基板剝離之玻璃積層體及其製造方法。
又，本發明之目的亦在於提供一種使用該玻璃積層體之電子元件之製造方法。
本發明者等人為了解決上述課題而進行銳意研究，結果發現如下知識見解：藉由對使用之含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧 烷中之氫矽烷基之混合莫耳比進行調整而獲得所期望之效果，從而完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板且支持基材與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度者，並且聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為使含烯基有機聚矽氧烷(A)與具有氫矽烷基之氫聚矽氧烷(B)反應而獲得之硬化物，含烯基有機聚矽氧烷(A)中之烯基與氫聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.65/1。
又，於第1態樣中，較佳為含烯基有機聚矽氧烷(A)之數量平均分子量為500~9000。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層係對塗佈如下硬化性樹脂組合物而獲得之層實施硬化處理而獲得之層，該硬化性樹脂組合物包含含烯基有機聚矽氧烷(A)及氫聚矽氧烷(B)且含烯基有機聚矽氧烷(A)中之烯基與氫聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.65/1。
又，於第1態樣中，較佳為硬化性樹脂組合物進而包含溶劑。
又，於第1態樣中，較佳為溶劑之沸點為30~280℃。
又，於第1態樣中，較佳為溶劑之希耳德布蘭德(Hildebrand)溶解度參數(SP值)為14.0MPa1/2以下。
又，於第1態樣中，較佳為溶劑為含有矽原子者。
又，於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層之厚度為2~100μm。
又，於第1態樣中，較佳為支持基材為玻璃板。
本發明之第2態樣係一種第1態樣之玻璃積層體之製造方法，其係於支持基材之單面形成包含含烯基有機聚矽氧烷(A)及氫聚矽氧烷(B)且含烯基有機聚矽氧烷(A)中之烯基與氫聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基 之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.65/1的層，於支持基材面上使含烯基有機聚矽氧烷(A)與氫聚矽氧烷(B)反應而形成聚矽氧樹脂層，繼而於聚矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
本發明之第3態樣係一種電子元件之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於第1態樣之玻璃積層體之玻璃基板之表面上形成電子元件用構件，而獲得附電子元件用構件之積層體；及分離步驟，其係將包含支持基材及聚矽氧樹脂層之附聚矽氧樹脂層之支持基材自附電子元件用構件之積層體去除，而獲得具有玻璃基板及電子元件用構件的電子元件。
根據本發明，可提供一種即便於高溫加熱處理後，玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度之上升亦得到抑制，可容易地將玻璃基板剝離之玻璃積層體及其製造方法。
又，根據本發明，亦可提供一種使用該玻璃積層體之電子元件之製造方法。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材
20‧‧‧電子元件用構件
22‧‧‧附電子元件用構件之積層體
24‧‧‧附構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態的模式剖視圖。
圖2(A)、圖2(B)、圖2(C)、圖2(D)係按照步驟順序表示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法之一實施形態的模式剖視圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下之實施形態，可不脫離本發明之範圍而對以下之實施形態施加各種變化及置換。
本發明之玻璃積層體依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板。即，於支持基材與玻璃基板之間具有聚矽氧樹脂層，聚矽氧樹脂層係一側與支持基材相接，另一側與玻璃基板相接。
本發明之玻璃積層體之特徵之一可列舉如下方面：聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂係使用按照特定之混合比率混合之含烯基有機聚矽氧烷與氫聚矽氧烷而形成。更具體而言，獲知如下知識見解：藉由將含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比調整為特定之範圍(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數：0.15/1~0.65/1)，而使剝離玻璃基板時之剝離強度降低。
如上所述，可認為於調整為氫矽烷基之莫耳量較少之混合莫耳比之情形時，預測交聯數量減少，而聚矽氧樹脂層變柔軟，因而聚矽氧樹脂層之黏著性提高，結果玻璃基板與聚矽氧樹脂層進一步密接導致玻璃基板之剝離性惡化。然而，令人驚奇的是本發明者等人按照上述混合莫耳比形成聚矽氧樹脂層，結果玻璃基板之剝離強度下降，剝離性提高(即，變得易於剝離)。
作為如上所述般玻璃基板之剝離強度下降之原因，可認為如下。藉由設為特定之混合莫耳比，取入至網狀結構(network)之含烯基有機聚矽氧烷之未交聯部位存在於聚矽氧樹脂層之表面。認為其結果，含烯基有機聚矽氧烷之分子鏈於表面具有較高之運動性，聚矽氧樹脂表面之表面能進一步下降，玻璃基板之剝離性提高。
又，令人驚奇的是獲知如下知識見解：該聚矽氧樹脂層與由如專利文獻1中記載之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為1/1附近之態樣形成之聚矽氧樹脂層於耐溶劑性方面亦為同等程度，表現出優異之特性。
進而，於如下所述般使用包含特定之希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)之溶劑之硬化性樹脂組合物之情形時，硬化性樹脂組合物之塗佈性優異，生產性提高。又，獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性更優異，玻璃基板之積層性優異。
圖1係本發明之玻璃積層體之一例的模式剖視圖。
如圖1所示，玻璃積層體10係具有支持基材12之層、玻璃基板16之層、及存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14之積層體。聚矽氧樹脂層14係其一面與支持基材12之層相接，並且其另一面與玻璃基板16之第1主面16a相接。
包含支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14之2層部分係於製造液晶面板等電子元件用構件之構件形成步驟中，對玻璃基板16進行補強。再者，將為了製造玻璃積層體10而預先製造之包含支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14之2層部分稱為附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10使用於下述之構件形成步驟之前。即，該玻璃積層體10使用於在該玻璃基板16之第2主面16b上形成液晶顯示裝置等電子元件用構件之前。此後，形成有電子元件用構件之玻璃積層體被分離成附聚矽氧樹脂層之支持基材18及電子元件(附構件之玻璃基板)，附聚矽氧樹脂層之支持基材18並不成為構成電子元件之部分。使附聚矽氧樹脂層之支持基材18與新玻璃基板16積層，從而可再利用作新玻璃積層體10。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離。又，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離。
於玻璃積層體10(亦指下述之附電子元件用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體10施加將支持基材12與玻璃基板16剝離之方向之應力，則本發明之玻璃積層體10於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離而分離成玻璃基板16及附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
剝離強度(x)較佳為足夠高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意味著提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，且於加熱處理後，亦可維持相對更高於對玻璃基板16之附著力。
為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，較佳為如下所述般使包含特定成分之硬化性樹脂組合物之層(即，硬化性樹脂組合物之塗膜)於支持基材12上硬化(例如交聯硬化)，而形成聚矽氧樹脂層14。藉由硬化時之接著力，可形成以較高之結合力結合於支持基材12之聚矽氧樹脂層14。
另一方面，硬化後之有機聚矽氧烷之硬化物對玻璃基板16之結合力通常低於上述硬化時產生之結合力。因此，較佳為於支持基材12上對硬化性樹脂組合物之層實施硬化處理而形成聚矽氧樹脂層14，此後於聚矽氧樹脂層14之面上積層玻璃基板16而製造玻璃積層體10。
以下，首先對構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)進行詳述，其後對玻璃積層體及電子元件之製造方法進行詳述。
<支持基材>
支持基材12係支持玻璃基板16並進行補強，並於下述之構件形成步驟(製造電子元件用構件之步驟)中，在製造電子元件用構件時防止玻璃基板16之變形、損傷、破損等。
作為支持基材12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板等金屬板等。通常，構件形成步驟伴隨熱處理，故而支持基材12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成，支持基材12較佳為玻璃板。支持基材12尤佳為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基材12之厚度可厚於玻璃基板16，亦可薄於玻璃基板16。較佳為基於玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度、及玻璃積層 體10之厚度而選擇支持基材12之厚度。例如，現行之構件形成步驟係為了處理厚度0.5mm之玻璃基板而設計者，於玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基材12之厚度設為0.4mm。於通常之情形時，支持基材12之厚度較佳為0.2~5.0mm。
於支持基材12為玻璃板之情形時，玻璃板之厚度就易於處理且不易破裂等原因而言，較佳為0.08mm以上。又，玻璃板之厚度就期望如於形成電子元件用構件後進行剝離時不會破裂而適度地彎曲之剛性之原因而言，較佳為1.0mm以下。
支持基材12與玻璃基板16之25~300℃下之平均線膨脹係數之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則存在於構件形成步驟之加熱冷卻時，玻璃積層體10發生遽烈地翹曲、或支持基材12與玻璃基板16剝離之可能性。於支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時，可抑制產生此種問題。
<玻璃基板>
玻璃基板16係第1主面16a與聚矽氧樹脂層14相接，且於與聚矽氧樹脂層14側為相反側之第2主面16b設置有電子元件用構件。
玻璃基板16之種類可為通常者，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用玻璃基板等。玻璃基板16較佳為耐化學品性、耐透濕性優異且熱收縮率較低者。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修正)中所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板16之線膨脹係數較大，則構件形成步驟大多伴隨加熱處理，因此易於發生各種不良情況。例如，於在玻璃基板16上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，若於加熱下對形成有TFT之玻璃基板16進行冷卻，則存在因玻璃基板16之熱收縮而TFT 之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板16係使玻璃原料熔融，將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，特別是厚度較薄之玻璃基板16可藉由如下方法(再曳引法)進行成形而獲得，該方法係將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形溫度，並利用延伸等方法進行拉伸而使之變薄。
玻璃基板16之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、以氧化矽為主成分之其他氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃，可採用適於電子元件用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用玻璃基板就鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響之方面而言，包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但是，通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板16之玻璃係基於應用之元件之種類及其製造步驟而適當地選擇。
玻璃基板16之厚度就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3mm以下，更佳為0.2mm以下，進而較佳為0.15mm以下，特佳為0.10mm以下。於0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板16賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板16捲取成輥狀。
又，玻璃基板16之厚度就玻璃基板16之製造較為容易、玻璃基板16之處理較為容易等原因而言，較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板16亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於該情形時，「玻璃基板16之厚度」係指所有層之合計厚度。
<聚矽氧樹脂層>
聚矽氧樹脂層14在進行將玻璃基板16與支持基材12分離之操作之前防止玻璃基板16之位置偏移，並且防止玻璃基板16因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a係以可剝離之方式密接於玻璃基板16之第1主面16a。聚矽氧樹脂層14係以較弱之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間之界面剝離強度(x)。
即，於將玻璃基板16與支持基材12分離時，在玻璃基板16之第1主面16a與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離，於支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面難以發生剝離。因此，聚矽氧樹脂層14具有雖與玻璃基板16之第1主面16a密接，但可容易地剝離玻璃基板16之表面特性。即，聚矽氧樹脂層14以某種程度之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a而防止玻璃基板16之位置偏移等，與此同時，以於將玻璃基板16剝離時不會破壞玻璃基板16而可容易地剝離之程度之結合力結合。於本發明中，將該聚矽氧樹脂層14表面之可容易地剝離之性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面與聚矽氧樹脂層14係以相對難以剝離之結合力結合。
再者，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之結合力亦可於在玻璃積層體10之玻璃基板16之面(第2主面16b)上形成電子元件用構件之前後發生變化(即，剝離強度(x)或剝離強度(y)亦可發生變化)。然而，要求即便於形成電子元件用構件後，剝離強度(y)亦低於剝離強度(x)。
於本發明之玻璃積層體中，就於將玻璃積層體之玻璃基板16與支持基材12分離時防止玻璃基板之破裂之觀點而言，較佳為玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度為1.3N/25mm、較佳為1.2N/25mm、更佳為1.1N/25mm以下。
可認為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層係以較弱之接著力或 由凡得瓦力產生之結合力結合。可認為於形成聚矽氧樹脂層14後於其表面積層玻璃基板16之情形時，在聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂以不表現出接著力之程度充分地交聯之情形時，係以由凡得瓦力產生之結合力結合。然而，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂大多具有某種程度之較弱之接著力。例如，可認為即便於接著性極低之情形時，在製造玻璃積層體10後於該積層體上形成電子元件用構件時，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂藉由加熱操作等而亦接著於玻璃基板16面，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間之結合力上升。
視情形亦可對積層前之聚矽氧樹脂層14之表面或積層前之玻璃基板16之第1主面16a進行使兩者間之結合力減弱之處理，而進行積層。藉由對積層之面進行非接著性處理等，其後進行積層，可使聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之界面之結合力減弱，從而使剝離強度(y)降低。
又，聚矽氧樹脂層14係以接著力或黏著力等較強之結合力結合於支持基材12之表面。例如，如上所述，使硬化性樹脂組合物之層於支持基材12之表面硬化，藉此可將作為硬化物之聚矽氧樹脂接著於支持基材12之表面而獲得較高之結合力。又，亦可對支持基材12之表面與聚矽氧樹脂層14之間實施產生較強之結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高支持基材12之表面與聚矽氧樹脂層14之間之結合力。
聚矽氧樹脂層14與支持基材12之層以較高之結合力結合意味著兩者之界面剝離強度(x)較高。
聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，但於硬化性樹脂組合物含有溶劑之情形、不含有溶劑之情形中之任一情形時，形成之聚矽氧樹脂層14之厚度均較佳為2~100μm，更佳為3~50μm，進而較佳為7~20μm。若聚矽氧樹脂層14之厚度為此種範圍，則即便存在於聚矽 氧樹脂層14與玻璃基板16之間介存氣泡或異物之情形，亦可抑制玻璃基板16之應變缺陷之產生。又，於厚度相對較厚之情形時，即便存在異物，亦可抑制成為氣泡。又，若聚矽氧樹脂層14之厚度過厚，則存在如下情形：為了形成聚矽氧樹脂層14而需要耗費時間及材料，故而不經濟，且耐熱性下降。又，若聚矽氧樹脂層14之厚度過薄，則於在聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間存在異物之情形時，容易產生氣泡。聚矽氧樹脂層14之厚度可根據硬化性樹脂組合物之樹脂成分之濃度、或塗佈至支持基材上之塗佈液之量進行調節。
再者，聚矽氧樹脂層14亦可包含2層以上。於該情形時，「聚矽氧樹脂層14之厚度」係指所有層之合計厚度。
聚矽氧樹脂層14中所包含之聚矽氧樹脂係使含烯基有機聚矽氧烷(A)、與具有氫矽烷基(Si-H基)之氫聚矽氧烷(B)進行反應而獲得之硬化物(交聯硬化物)。該聚矽氧樹脂較佳為形成三維網狀結構。
所謂含烯基有機聚矽氧烷(A)(以下，亦簡稱為聚矽氧烷(A))係具有烯基之有機聚矽氧烷。
聚矽氧烷(A)之數量平均分子量並無特別限制，大多為500~50000，就玻璃基板16之剝離更容易之方面而言，於本發明中較佳為500~9000，更佳為1000~8000，進而較佳為1500~6000。
作為上述數量平均分子量之測定方法，使用GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)進行測定，換算成標準聚苯乙烯時獲得數量平均分子量。
聚矽氧烷(A)可為直鏈狀、支鏈狀，就玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為直鏈狀(例如線狀)。
作為聚矽氧烷(A)所包含之烯基，並無特別限定，例如可列舉乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己炔基等，其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為乙烯基。
聚矽氧烷(A)所包含之烯基之數量並無特別限制，就玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為每分子具有至少2個，更佳為具有2~120個，進而較佳為具有2~100個。
又，作為聚矽氧烷(A)所包含之除烯基以外之基，可列舉烷基(特別是碳數4以下之烷基)。
聚矽氧烷(A)中之烯基之位置並無特別限制，可列舉聚矽氧烷(A)之末端及/或側鏈。
於聚矽氧烷(A)為直鏈狀之情形時，烯基可存在於下述所示之M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於M單元，且較佳為存在於2個M單元之兩者。
再者，所謂M單元及D單元係有機聚矽氧烷之基本結構單元之例，所謂M單元係鍵結有3個有機基之單官能性矽氧烷單元，所謂D單元係鍵結有2個有機基之二官能性矽氧烷單元。於矽氧烷單元中，矽氧烷鍵係2個矽原子經由1個氧原子鍵結而成之鍵，因此矽氧烷鍵中之每個矽原子之氧原子可視為1/2個，於式中表現為O1/2。
再者，作為具有烯基之M單元，較佳為上述R中之任一者為烯基，其他R為烷基之態樣。
又，作為具有烯基之D單元，較佳為上述R中之任一者為烯基，其他R為烷基之態樣。
氫聚矽氧烷(B)(以下，亦簡稱為聚矽氧烷(B))係具有氫矽烷基(鍵結於矽原子之氫原子)之有機聚矽氧烷。
聚矽氧烷(B)之數量平均分子量並無特別限制，就玻璃基板16之剝離更容易之方面而言，較佳為500~9000，更佳為1000~8000，進而較佳為1500~6000。
聚矽氧烷(B)可為直鏈狀、支鏈狀，就玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為直鏈狀(例如線狀)。
聚矽氧烷(B)所包含之氫矽烷基(鍵結於矽原子之氫原子)之數量並無特別限制，就玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為每分子具有至少2個，更佳為具有2~120個，進而較佳為具有2~100個。
又，作為聚矽氧烷(B)所包含之除氫矽烷基以外之基，可列舉烷基(特別是碳數為4以下之烷基)。
聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基之位置並無特別限制，可列舉聚矽氧烷(B)之末端及/或側鏈。
於聚矽氧烷(B)為直鏈狀之情形時，氫矽烷基可存在於上述M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。
關於聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之混合比率，就聚矽氧烷(A)中之烯基與聚矽氧烷(B)中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.65/1且玻璃基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為0.15/1以上且未達0.60/1，更佳為0.25/1以上且未達0.60/1，特佳為0.25/1~0.50/1。上述混合莫耳比表示氫矽烷基之莫耳數相對於烯基之莫耳數的莫耳比。
於混合莫耳比超過0.65/1之情形時，加熱處理後之玻璃基板16之剝離性較差。又，於混合莫耳比未達0.15/1之情形時，硬化物之交聯密度急遽下降而無法獲得具有充分硬度之硬化物，導致玻璃基板16之 積層性劣化。進而，存在伴隨硬化物之交聯密度之下降而耐熱性降低之擔憂。
聚矽氧樹脂層14中所包含之聚矽氧樹脂係使上述聚矽氧烷(A)與上述聚矽氧烷(B)進行反應(例如加成反應)而獲得之硬化物。
反應亦可視需要於存在觸媒(例如矽氫化觸媒)之條件下實施。
作為該觸媒，較佳為使用鉑族金屬觸媒。作為鉑族金屬觸媒，可列舉鉑系、鈀系、銠系等觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤佳為使用鉑系觸媒。作為鉑系觸媒，可使用公知者。具體而言，可列舉：鉑細粉末、鉑黑、氯亞鉑酸、四氯鉑酸等氯鉑酸、四氯化鉑、氯鉑酸之醇化合物、醛化合物、或者鉑之烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
觸媒(較佳為鉑族金屬觸媒)之使用量並無特別限制，以相對於聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之合計質量之質量比計，較佳為2~400ppm，更佳為5~300ppm，特佳為8~300ppm。
聚矽氧樹脂層14之形成方法並無特別限制，通常可列舉對上述包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之組合物之層實施硬化處理之方法。對於聚矽氧樹脂層之形成方法之詳細內容，於後段之[玻璃積層體及其製造方法]中進行詳述。
[玻璃積層體及其製造方法]
如上所述，本發明之玻璃積層體10係具有支持基材12、玻璃基板16、及存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14之積層體。
本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，但為了獲得支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面剝離強度(y)之玻璃積層體，較佳為於支持基材12之表面上使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)反應而形成聚矽氧樹脂層14之方法。即，其為如下之方法：於支持基材12之表面形成以上述混 合莫耳比包含聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之層，於支持基材12之表面上使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)反應而形成聚矽氧樹脂層14(例如交聯聚矽氧樹脂之層)，繼而，於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16，從而製造玻璃積層體10。
可認為若使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)於支持基材12之表面上硬化，則藉由硬化反應時之與支持基材12表面之相互作用而接著，使聚矽氧樹脂與支持基材12之表面之剝離強度變高。因此，即便玻璃基板16與支持基材12為包含相同之材質者，亦可於聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度方面上設置差值。
以下，將於支持基材12之表面形成包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之層，於支持基材12之表面上使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)反應(例如交聯)而形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，將於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16而製成玻璃積層體10之步驟稱為積層步驟，對各步驟之順序進行詳述。
(樹脂層形成步驟)
樹脂層形成步驟係於支持基材12之表面形成包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之層，於支持基材12之表面上使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)進行交聯而形成聚矽氧樹脂層14。再者，聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)係以使上述特定之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.15/1~0.65/1之方式混合。
為了於支持基材12上形成包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之層，較佳為使用以上述混合莫耳比包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之硬化性樹脂組合物，將該組合物塗佈於支持基材12上而形成組合物之層。組合物之層之厚度可藉由調整組合物之塗佈量等進行控制。
再者，就組合物之塗佈性變得良好，能夠以更高速度進行塗佈之方面、可形成更薄之聚矽氧樹脂層之方面、提高由黏度下降實現之 調平性之方面、及提高塗佈膜之平坦性之方面而言，較佳為於硬化性樹脂組合物中包含溶劑。
溶劑之種類並無特別限制，例如可列舉乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF(Tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿、二烷基聚矽氧烷、飽和烴等。
溶劑之動黏度並無特別限制，就聚矽氧樹脂層14之平坦性更優異之方面而言，較佳為23mm2/s以下，更佳為12mm2/s以下，進而較佳為6mm2/s以下。下限並無特別限制，但大多為0.1mm2/s以上。
為了不會殘留於所形成之聚矽氧樹脂層之表面，溶劑較佳為以100℃以上進行乾燥，且較佳為以溶劑之沸點以上進行加熱。然而，即便殘留於聚矽氧樹脂層表面之溶劑轉印至與聚矽氧樹脂層積層後經剝離之玻璃基板之表面，亦可對玻璃基板之表面實施常壓電漿處理等而以使水接觸角變小之方式改變表面之性狀。
又，溶劑之沸點並無特別限制，就聚矽氧樹脂層14之平坦性更優異之方面而言，較佳為30~280℃，更佳為50~230℃。再者，沸點意指大氣壓下之值。
使用之溶劑之溶解度參數即希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)(以下，亦稱為「希耳德布蘭德之SP值」)並無特別限制，例如可列舉18MPa1/2以下之溶劑，但於本發明中，就獲得之聚矽氧樹脂層14之平坦性更優異之方面而言，較佳為使用希耳德布蘭德之SP值為14.0MPa1/2以下之溶劑。該溶劑係與聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之相溶性優異，於形成硬化性樹脂組合物之層時，可不使該層之表面粗糙而揮發，結果使聚矽氧樹脂層14之平坦性更優異。
該溶劑之希耳德布蘭德之SP值較佳為14.0MPa1/2以下，更佳為13.5MPa1/2以下，進而較佳為13.0MPa1/2以下。下限並無特別限制，就與聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之相溶性之方面而言，較佳為10.0 MPa1/2以上。
上述希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)可使用漢森之SP值[δD，δP，δH]，如下般進行表示。
希耳德布蘭德之SP值=「(δD2+δP2+δH2)之平方根」
漢森(Hansen)溶解度參數係將經希耳德布蘭德(Hildebrand)導入之溶解度參數分為分散項δD、極性項δP、氫鍵項δH之3個成分而表示成三維空間者。分散項δD表示分散力之效果，極性項δP表示偶極間力之效果，氫鍵項δH表示氫鍵力之效果。
再者，漢森溶解度參數之定義及計算係記載於Charles M.Hansen著、Hansen Solubility Parameters：A Users Handbook(CRC出版社，2007年)。又，藉由使用電腦軟體Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)，可簡便地推算漢森溶解度參數。再者，於本發明中，在實際計算漢森之SP值[δD，δP，δH]時，使用由漢森等人製作之軟體HSPiP版本4.1。
再者，作為具體例，例如根據八甲基環四矽氧烷之漢森之SP值[δD，δP，δH=12.8，1.3，1]，希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)成為12.9。
作為具有上述希耳德布蘭德之SP值之溶劑，就對聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之相溶性更優異、聚矽氧樹脂層14之平坦性更優異之方面而言，較佳為含有矽原子之溶劑，較佳為二烷基聚矽氧烷(較佳為二甲基聚矽氧烷(聚二甲基聚矽氧烷))。
作為二烷基聚矽氧烷，可為直鏈狀、支鏈狀、或環狀中之任一者，較佳為直鏈狀或環狀，更佳為環狀(例如環狀二烷基聚矽氧烷)。又，二烷基聚矽氧烷較佳為上述黏度或沸點之範圍。
作為二烷基聚矽氧烷之具體例，例如可列舉以下式(1)所表示之環狀二甲基聚矽氧烷、或式(2)所表示之直鏈狀二甲基聚矽氧烷等。
上述式(1)中，n表示3~9之整數。
上述式(2)中，m表示3~9之整數。
作為此種式所表示之化合物，例如可列舉：八甲基環四矽氧烷(希耳德布蘭德之SP值：12.9)、六甲基環三矽氧烷、十甲基環五矽氧烷(希耳德布蘭德之SP值：11.5)、八甲基三矽氧烷、十甲基四矽氧烷(希耳德布蘭德之SP值：12.9)等。
於在硬化性樹脂組合物中包含溶劑之情形時，就塗佈性之方面而言，聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之合計比率相對於硬化性樹脂組合物總質量較佳為10~95質量%，更佳為20~90質量%，進而較佳為30~70質量%，特佳為30~50質量%。
於硬化性樹脂組合物中，亦可視需要包含除聚矽氧烷(A)、聚矽氧烷(B)及溶劑以外之成分。
例如，亦可包含上述觸媒。
又，較佳為於硬化性樹脂組合物中，進而併用觸媒以及用以調整觸媒活性之具有抑制觸媒活性之作用之活性抑制劑(亦稱為反應抑制劑、延遲劑等之化合物)。作為活性抑制劑，例如可列舉各種有機 氮化合物、有機磷化合物、乙炔系化合物、肟化合物、有機氯化合物等。進而亦可視需要，於無損本發明之效果之範圍內含有各種氧化矽、碳酸鈣、氧化鐵等無機填料等。
於支持基材12之表面上塗佈包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之硬化性樹脂組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
其後，亦可視需要實施用以去除溶劑之乾燥處理。乾燥處理之方法並無特別限制，例如可列舉於減壓條件下去除溶劑之方法、或以不使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之硬化進行之溫度進行加熱之方法等。
其次，對支持基材12上之硬化性樹脂組合物之層實施硬化處理，使層中之聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)進行反應(具體而言為交聯)，而形成聚矽氧樹脂層14。更具體而言，如圖2(A)所示，於該步驟中，於支持基材12之至少單面之表面上形成聚矽氧樹脂層14。
作為硬化(例如交聯)之方法，通常採用熱硬化。
使聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)反應時之溫度條件係於提高聚矽氧樹脂層14之耐熱性且可如上述般控制與玻璃基板16積層後之剝離強度(y)之範圍內，並無特別限制，較佳為80~250℃，更佳為120~230℃。又，加熱時間通常較佳為10~120分鐘，更佳為30~60分鐘。
再者，硬化性樹脂組合物之層亦可於進行預硬化(pre-cure)後，進行後硬化(正式硬化)，從而使之硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性更優異之聚矽氧樹脂層14。
(積層步驟)
積層步驟係如下之步驟：於在上述樹脂層形成步驟中獲得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16而獲得依序具備支持 基材12、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之玻璃積層體10。更具體而言為如下之步驟：如圖2(B)所示，將聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側為相反側之表面14a、及具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a設為積層面而積層聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16，從而獲得玻璃積層體10。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下，在聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。再者，亦可視需要於在聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16後，使用輥或壓製機使玻璃基板16壓接至聚矽氧樹脂層14。藉由利用輥或壓製機進行之壓接而相對容易地去除混入於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間的氣泡，因此較佳。
若藉由真空層壓法或真空壓製法，將聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16壓接，則抑制氣泡之混入或確保良好之密接，因此更佳。藉由在真空下進行壓接，亦具有如下優點：即便於殘留有微小氣泡之情形時，氣泡亦不會因加熱而成長，從而難以產生玻璃基板16之應變缺陷。
於積層玻璃基板16時，較佳為充分地洗淨與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16之表面，於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，則玻璃基板16之平坦性越良好，因此較佳。
再者，於積層玻璃基板16後，亦可視需要進行加熱處理。藉由進行該加熱處理，所積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14之密接性提高，可設為適當之剝離強度(y)，於下述之構件形成步驟時，變得難以發生電子元件用構件之位置偏移等，提高電子元件之生產性。
加熱處理之條件係根據使用之聚矽氧樹脂層14之種類而適當地選擇最佳之條件，就將玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間之剝離強度 (y)設為適當者之方面而言，較佳為以200℃以上(較佳為200~400℃)進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)之加熱處理。
再者，聚矽氧樹脂層14之形成並不限定於上述方法。
例如，於使用對聚矽氧樹脂表面之密接性高於玻璃基板16之材質之支持基材12之情形時，可將包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之上述硬化性樹脂組合物於任一剝離性表面上硬化而製造聚矽氧樹脂之膜，使該膜介置於玻璃基板16與支持基材12之間而同時進行積層。
又，於聚矽氧樹脂之接著性對玻璃基板16足夠低且該聚矽氧樹脂之接著性對支持基材12足夠高之情形時，可於玻璃基板16與支持基材12之間使包含聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(B)之上述硬化性樹脂組合物之層硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
進而，於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施提高支持基材12之表面之接著性之處理而提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。例如，可例示如下等方法：如矽烷偶合劑般之化學性地提高固定力之化學方法(底塗處理)；如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法；或如噴砂處理般藉由增加表面之粗糙度而增加摩擦感之機械處理方法。
(玻璃積層體)
本發明之玻璃積層體10可使用於各種用途，例如可列舉製造下述之顯示裝置用面板、太陽電池(PV)、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，玻璃積層體10大多被暴露(例如5分鐘以上)於高溫條件(例如350℃以上)。
此處，顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED(Light Emitting Diode，發光二極體)面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
[電子元件及其製造方法]
於本發明中，使用上述玻璃積層體，製造包含玻璃基板及電子元件用構件之電子元件(以下，亦適當地稱為「附構件之玻璃基板」)。
電子元件之製造方法並無特別限定，就電子元件之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子元件用構件而製造附電子元件用構件之積層體，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面而自所獲得之附電子元件用構件之積層體分離為電子元件(附構件之玻璃基板)及附聚矽氧樹脂層之支持基材。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子元件用構件而製造附電子元件用構件之積層體之步驟稱為構件形成步驟，將以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面而自附電子元件用構件之積層體分離為附構件之玻璃基板及附聚矽氧樹脂層之支持基材之步驟稱為分離步驟。
以下，對各步驟中所使用之材料及順序進行詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於在上述積層步驟中獲得之玻璃積層體10中之玻璃基板16上形成電子元件用構件之步驟。更具體而言，如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子元件用構件20而獲得附電子元件用構件之積層體22。
首先，對本步驟中所使用之電子元件用構件(亦稱為功能性元件)20進行詳述，其後對步驟之順序進行詳述。
(電子元件用構件(功能性元件))
電子元件用構件20係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上且構成電子元件之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子元件用構 件20，可列舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，於矽型中可列舉正極之氧化錫等透明電極、以p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，此外可列舉與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，於鋰離子型中可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，此外可列舉與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性金屬氧化物半導體)中，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外可列舉與壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、撓性印刷基板、剛性-撓性印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟之順序)
上述附電子元件用構件之積層體22之製造方法並無特別限定，根據電子元件用構件之構成構件之種類，藉由先前公知之方法於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上形成電子元件用構件20。
再者，電子元件用構件20亦可為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)而並非為最終形成於玻璃基板16之第2主面16b之全部構件(以下稱為「全部構件」)。亦可於此後之步驟中將自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板製成附全部構件之玻璃基板(相當於下述之電子元件)。
又，亦可於自聚矽氧樹脂層14剝離之附全部構件之玻璃基板之 剝離面(第1主面16a)形成其他電子元件用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，其後將支持基材12自附全部構件之積層體剝離，從而製造電子元件。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體進行組裝，其後將2片支持基材12自附全部構件之積層體剝離，從而製造具有2片玻璃基板之附構件之玻璃基板。
例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體10之玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL構造體，而進行形成透明電極之步驟、進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等之步驟、形成背面電極之步驟、使用密封板密封之步驟等各種層形成或處理之步驟。具體而言，作為該等層形成或處理，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，具有如下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕液於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案，從而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，其係於另一玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕液形成圖案，從而形成彩色濾光片(CF)；及貼合步驟，其係將TFT形成步驟中獲得之附TFT之積層體、與CF形成步驟中獲得之附CF之積層體積層。
TFT形成步驟或CF形成步驟係使用周知之光微影技術或蝕刻技術等而於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用塗敷液。
再者，於形成TFT或CF前，亦可視需要洗淨玻璃基板16之第2主面16b。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
貼合步驟係使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面、與附CF之積 層體之彩色濾光片形成面相對向，並使用密封劑(例如單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附TFT之積層體及附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴下注入法。
(分離步驟)
如圖2(D)所示，分離步驟為如下步驟：以聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面為剝離面而自上述構件形成步驟中獲得之附電子元件用構件之積層體22分離為積層有電子元件用構件20之玻璃基板16(附構件之玻璃基板)及支持基材12，從而獲得包含電子元件用構件20及玻璃基板16之附構件之玻璃基板(電子元件)24。
於剝離時之玻璃基板16上之電子元件用構件20為形成全部構成構件之必要之一部分之情形時，亦可於分離後，將剩餘之構成構件形成於玻璃基板16上。
將玻璃基板16與支持基材12剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可向玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面插入銳利之刃具狀者而賦予剝離之缺口後，噴附水與壓縮空氣之混合流體，從而進行剝離。較佳為以使附電子元件用構件之積層體22之支持基材12成為上側、電子元件用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上，而將電子元件用構件20側真空吸附至壓盤上，於該狀態下，首先使刃具侵入至玻璃基板16-聚矽氧樹脂層14之界面。接著，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基材12側，使真空吸附墊自插入有刃具之部位附近依次上升。如此，於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面或聚矽氧樹脂層14之凝聚破壞面形成空氣層，該空氣層擴展於整個界面或凝聚破壞面，從而可容易地剝離支持基材12。再者，於附電子元件用構件之積層體22中，於在兩面積層有支持基材12之情形時，可依次進行一側之玻璃基板16與支持基材12之剝離、及另一側之玻璃基板16與支持基材12之 剝離。
又，支持基材12可與新玻璃基板積層而製造本發明之玻璃積層體10。
再者，於將附構件之玻璃基板24自附電子元件用構件之積層體22分離時，藉由對利用離子化器進行之噴附或濕度進行控制，可進一步抑制聚矽氧樹脂層14之碎片靜電吸附於附構件之玻璃基板24。
上述附構件之玻璃基板24之製造方法特別適合於製造如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之類的移動終端所使用之小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包含TN(TwistedNematic，扭轉向列)型、STN(super twisted nematic，超扭曲向列)型、FE(Ferroelectric，鐵電)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，共平面切換)型、VA(Vertically Aligned，垂直排列)型等。基本上均可應用於被動驅動型、主動驅動型中之任一顯示裝置之情形。
作為藉由上述方法而製造之附構件之玻璃基板24，可列舉具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板及電子元件用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
[實施例]
以下，藉由實施例(A)、(B)、(C)等而具體地對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等例。
於以下之實施例1~8、及比較例1~2中，作為支持基材，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(長240mm，寬240mm，板厚0.5mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
<實施例A> <實施例1>
首先，對板厚0.5mm之支持基材進行純水洗淨，然後進而進行UV(Ultraviolet，紫外線)洗淨而清潔化。
其次，調配含烯基有機聚矽氧烷(數量平均分子量：2000，烯基之數量：2個以上)(100質量份)、與氫聚矽氧烷(數量平均分子量：2000，氫矽烷基之數量：2個以上)(6.7質量份)。再者，含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.4/1。進而，相對於含烯基有機聚矽氧烷與氫聚矽氧烷之合計質量(100質量份)，添加300質量ppm之觸媒(鉑觸媒)。將該液體設為硬化性樹脂組合物X。使用模嘴塗佈機將該硬化性樹脂組合物X塗佈於支持基材之第1主面上，將未硬化之包含含烯基有機聚矽氧烷及氫聚矽氧烷之層設置於支持基材上。
其次，於大氣中、140℃下對形成有上述層之支持基材加熱3分鐘，之後於大氣中、230℃下進行20分鐘之加熱硬化，從而於支持基材之第1主面形成厚度10μm之聚矽氧樹脂層。再者，聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
其後，於室溫下藉由真空壓製機貼合玻璃基板與支持基材之聚矽氧樹脂層面，而獲得玻璃積層體A。
此時，作為玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(長200mm，寬200mm，板厚0.2mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
於所獲得之玻璃積層體A中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體A中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，於氮氣環境下，於350℃下對玻璃積層體A進行10分鐘之加熱處理，並冷卻至室溫，結果未發現玻璃積層體A之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
接著，對350℃下進行10分鐘之加熱處理後之玻璃積層體A進行以下之剝離試驗而測定玻璃基板之剝離強度(N/25mm)。
剝離強度之測定方法係準備寬度為25mm且長度為70mm之玻璃積層體A，使用自動立體測圖儀AG-20/50kNXDplus(島津製作所公司製造)進行玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離。
此時，向玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具而形成剝離之缺口部，然後將玻璃基板完全固定而提拉支持基材，藉此進行強度之測定。再者，提拉速度係設為30mm/min。
將檢測到負重之地點設為0，將自該位置提拉2.0mm之位置處之剝離強度設為測定值。此時之剝離強度為0.53N/25mm。
<實施例2>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.6/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體B。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體B中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體B中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體B進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體B之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為0.88N/25mm。
<實施例3>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.25/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體C。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體C中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體C中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體C進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體C之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為0.45N/25mm。
<實施例4>
向硬化性樹脂組合物X進而添加作為溶劑之八甲基環四矽氧烷(信越化學工業公司製造，KF-994。動黏度(25℃)：2.3mm2/s，沸點：175℃，希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)：12.9MPa1/2)，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體D。
再者，八甲基環四矽氧烷之使用量係以使含烯基有機聚矽氧烷、氫聚矽氧烷及觸媒之合計量相對於組合物總量成為40質量%之方式定量。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體D中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體D中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體D進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體D之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為0.60N/25mm。
再者，與實施例1相比，此時之模嘴塗佈機之塗佈速度能夠以3倍之速度進行塗佈。又，此時硬化性樹脂組合物X之噴出量係以形成10μm之聚矽氧樹脂層之方式進行調整。
<實施例5>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.6/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例4相同之方法獲得玻璃積層體E。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體E中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體E中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體E進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體E之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗， 結果剝離強度為0.77N/25mm。
再者，與實施例1相比，此時之模嘴塗佈機之塗佈速度能夠以3倍之速度進行塗佈。又，此時硬化性樹脂組合物X之噴出量係以形成10μm之聚矽氧樹脂層之方式進行調整。
<實施例6>
使用含烯基有機聚矽氧烷(數量平均分子量：10000，烯基之數量：2個以上)代替含烯基有機聚矽氧烷(數量平均分子量：2000，烯基之數量：2個以上)，除此之外，藉由與實施例4相同之方法獲得玻璃積層體F。再者，以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比成為與實施例1相同之方式調整含烯基有機聚矽氧烷之使用量。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體F中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體F中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體F進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體F之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為0.79N/25mm。
<實施例7>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.15/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體I。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體I中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體I中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體I進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體I之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為0.40N/25mm。
<實施例8>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.65/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體J。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體J中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體J中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體J進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體J之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為1.00N/25mm。
<比較例1>
使用含烯基有機聚矽氧烷(數量平均分子量：10000，烯基之數量：2個以上)代替含烯基有機聚矽氧烷(數量平均分子量：2000，烯基之數量：2個以上)，以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.9/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體G。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體G中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體G中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體G進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體G之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為1.57N/25mm，剝離強度高於實施例之態樣。
<比較例2>
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.76/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，藉由與實施例1相同之方法獲得玻璃積層體H。
所獲得之聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
又，於所獲得之玻璃積層體H中，支持基材及玻璃基板係以不產生氣泡之方式與聚矽氧樹脂層密接，亦無應變狀缺陷。又，於玻璃積層體H中，聚矽氧樹脂層與支持基材之層之界面剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度。
其次，對玻璃積層體H進行與實施例1相同之加熱處理，結果未發現玻璃積層體H之支持基材與玻璃基板之分離、聚矽氧樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
又，於加熱處理後，按照與實施例1相同之順序實施剝離試驗，結果剝離強度為1.34N/25mm，剝離強度高於實施例之態樣。
<作業性評估>
上述實施例1~8及比較例1、2之各玻璃積層體之作業性之評估係如下般進行。
向上述實施例及比較例中獲得之玻璃積層體(寬度25mm、長度70mm)中之聚矽氧樹脂層中之與玻璃基板的界面之一端側插入不鏽鋼製刃具10mm，使不鏽鋼製刃具沿長度方向移動50mm。將不鏽鋼製刃具不會引起玻璃基板之破裂而順利地移動之情形設為「○」，將不鏽鋼製刃具之移動較為困難而引起玻璃基板之破裂之情形設為「×」。將其結果記入至表1中之作業性之欄。
上述不鏽鋼製刃具之易移動性和聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離強度有關，於剝離強度較大之情形時，不鏽鋼製刃具變得難以移動。
將上述實施例及比較例之樣品之規格及各評估結果彙總示於表1。
再者，於表中之「有無溶劑」欄中，「無」意指硬化性樹脂組合物X不含溶劑之情形，「有」意指硬化性樹脂組合物X包含八甲基環四矽氧烷之情形。
如表1所示，於聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(B)之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)滿足本發明之範圍之情形時，剝離強度較低，容易將玻璃基板剝離。
另一方面，於相當於專利文獻1中記載之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)附近之比較例中，剝離強度增大，難以將玻璃基板剝離。
再者，若對實施例1與實施例4進行比較，則確認到於實施例4所示之硬化性樹脂組合物包含溶劑之態樣中，可提高塗佈速度，生產性優異。
<實施例B>
(樣品B-1之製備)
以使實施例1中記載之硬化性樹脂組合物X中之含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.5/1之方式調整氫聚矽氧烷之量而獲得硬化性樹脂組合物Y，將該硬化性樹脂組合物Y 0.5g滴加至聚四氟乙烯膜(PTFE膜)上。其次，將形成有硬化性樹脂組合物Y之PTFE膜於加熱 至150℃之加熱板上靜置4分鐘，進而利用烘箱於220℃下進行20分鐘之加熱硬化，而於PTFE膜上形成聚矽氧樹脂層，從而獲得樣品B-1之聚矽氧樹脂層。
(樣品B-2之製備)
以使含烯基有機聚矽氧烷中之烯基與氫聚矽氧烷中之氫矽烷基的混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)成為0.9/1之方式調整氫聚矽氧烷之量，除此之外，按照與上述樣品B-1相同之順序獲得樣品B-2之聚矽氧樹脂層。
(耐化學品性評估)
向PFA(Perfluoroalkoxy，全氟烷氧基樹脂)培養皿中加入氫氧化四甲基銨水溶液(濃度為2.5質量%)30mL，將樣品B-1於其中浸漬5小時，取出樣品B-1後，回收殘留之氫氧化四甲基銨水溶液，並設為測定樣品。
其次，使用ICP-MS(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，電感耦合電漿質量分析儀)(Agilent Technologies公司製造之Agilent 8800)對測定樣品中之矽原子之量進行測定。
對於樣品B-2，亦按照與上述內容相同之順序進行評估。
於樣品B-1及B-2之兩者中，測定樣品中之矽原子之量為相同程度，樣品B-1中之聚矽氧樹脂層與樣品B-2中之聚矽氧樹脂層於耐化學品性方面不存在差異。即，關於以上述混合莫耳比為本發明之範圍之方式獲得之聚矽氧樹脂層，其與由如專利文獻1中記載之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為約1/1附近之態樣形成之聚矽氧樹脂層亦於耐溶劑性之方面為同等程度，且未發現耐溶劑性之下降。
<實施例C> <實施例9>
於本例中，使用於實施例1中獲得之玻璃積層體A製造OLED。
首先，藉由電漿CVD法，於玻璃積層體A之玻璃基板之第2主面上依序將氮化矽、氧化矽、非晶矽成膜。其次，藉由離子摻雜裝置，向非晶矽層注入低濃度之硼，於氮氣環境下實施加熱處理而進行脫氫處理。其次，藉由雷射退火裝置，進行非晶矽層之結晶化處理。
繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，向非晶矽層注入低濃度之磷而形成N型及P型TFT區域。其次，藉由電漿CVD法於玻璃基板之第2主面側成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜，其後藉由濺鍍法而將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。
其次，藉由光微影法及離子摻雜裝置，向N型、P型各者之所期望之區域注入高濃度之硼及磷而形成源極區域及汲極區域。其次，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法進行之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜、藉由濺鍍法將鋁成膜、及藉由使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。
其次，於在氫氣環境下實施加熱處理而進行氫化處理後，藉由利用電漿CVD法進行之氮矽之成膜而形成鈍化層。其次，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。其次，藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。
繼而，藉由蒸鍍法，於玻璃基板之第2主面側依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%所得者、作為電子傳輸層之Alq3。其次，藉由濺鍍法而將鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。其次，經由紫外線硬化型接著層，將另一片玻璃基板貼合至玻璃基板之第2主面側而密封。按照上述順序，於玻璃基板上形成有機EL 構造體。於玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A(以下稱為面板A)係本發明之附電子元件用構件之積層體。
繼而，於使面板A之密封體側真空吸附至壓盤後，向面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具，而對玻璃基板與樹脂層之界面賦予剝離之缺口。接著，於利用真空吸附墊將面板A之支持基材之表面吸附後，使吸附墊上升。此處，刃具之插入係與自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附去靜電性流體同時進行。其次，繼續自離子化器向所形成之空隙噴附去靜電性流體，並且與此同時一面使水浸潤至剝離前線一面提拉真空吸附墊。其結果，於壓盤上僅殘留形成有有機EL構造體之玻璃基板，可將附樹脂層之支持基材剝離。
繼而，使用雷射切割器或劃線-斷裂法切斷所分離之玻璃基板，而分割成複數個單元，其後將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板進行組裝，從而實施模組形成步驟而製作OLED。以此方式獲得之OLED於特性方面不存在問題。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種即便於在高溫條件下於玻璃積層體之玻璃基板上形成電子元件用構件後，玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度之上升亦得到抑制，可容易地將玻璃基板剝離之玻璃積層體及其製造方法，該玻璃積層體作為製造電子元件時之構件而有用。
再者，將於2014年11月21日提出申請之日本專利申請案2014-236517號之說明書、專利申請範圍、圖式及摘要之全部內容引用於此，作為本發明之揭示取入至本說明書中。

Claims (11)

  1. 一種玻璃積層體，其係依序具備支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板且上述支持基材與上述聚矽氧樹脂層之界面剝離強度高於上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之界面剝離強度者，並且上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為使含烯基有機聚矽氧烷(A)與具有氫矽烷基之氫聚矽氧烷(B)反應而獲得之硬化物，上述氫聚矽氧烷(B)中之上述氫矽烷基與上述含烯基有機聚矽氧烷(A)中之上述烯基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.5/1且不包括0.5/1。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述含烯基有機聚矽氧烷(A)之數量平均分子量為500~9000。
  3. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層係對塗佈如下硬化性樹脂組合物而獲得之層實施硬化處理而獲得之層，該硬化性樹脂組合物包含上述含烯基有機聚矽氧烷(A)及上述氫聚矽氧烷(B)，且上述氫聚矽氧烷(B)中之上述氫矽烷基與上述含烯基有機聚矽氧烷(A)中之上述烯基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.5/1且不包括0.5/1。
  4. 如請求項3之玻璃積層體，其中上述硬化性樹脂組合物進而包含溶劑。
  5. 如請求項4之玻璃積層體，其中上述溶劑之沸點為30~280℃。
  6. 如請求項4或5之玻璃積層體，其中上述溶劑之希耳德布蘭德溶解度參數(SP值)為14.0MPa1/2以下。
  7. 如請求項4或5之玻璃積層體，其中上述溶劑為含有矽原子之溶劑。
  8. 如請求項1至5中任一項之玻璃積層體，其中上述聚矽氧樹脂層之厚度為2~100μm。
  9. 如請求項1至5中任一項之玻璃積層體，其中上述支持基材為玻璃板。
  10. 一種如請求項1至9中任一項之玻璃積層體之製造方法，其係於支持基材之單面形成包含上述含烯基有機聚矽氧烷(A)及上述氫聚矽氧烷(B)且上述氫聚矽氧烷(B)中之上述氫矽烷基與上述含烯基有機聚矽氧烷(A)中之上述烯基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.15/1~0.5/1且不包括0.5/1的層，於上述支持基材面上使上述含烯基有機聚矽氧烷(A)與上述氫聚矽氧烷(B)反應而形成聚矽氧樹脂層，繼而於上述聚矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
  11. 一種電子元件之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如請求項1至9中任一項之玻璃積層體之上述玻璃基板之表面上形成電子元件用構件，而獲得附電子元件用構件之積層體；及分離步驟，其係將包含上述支持基材及上述聚矽氧樹脂層之附聚矽氧樹脂層之支持基材自上述附電子元件用構件之積層體去除，而獲得具有上述玻璃基板及上述電子元件用構件的電子元件。
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