WO2012090787A1 - 積層体の製造方法 - Google Patents

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WO2012090787A1
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明 我妻
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旭硝子株式会社
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    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a laminate.
  • LCDs liquid crystal displays
  • PDPs plasma display panels
  • OLEDs organic EL displays
  • other display panels solar cells
  • thin film secondary batteries are required to be thinner and lighter. Thinning of substrates used for electronic devices is progressing. If the rigidity of the substrate is reduced by thinning, the handling property of the substrate is deteriorated. In addition, if the thickness of the substrate changes due to the thin plate, it becomes difficult to manufacture an electronic device using existing equipment.
  • a reinforcing plate is attached to the substrate to form a laminate block, a predetermined functional layer (for example, a conductive layer) is formed on the substrate of the laminate block, and then the reinforcing plate is peeled from the substrate of the laminate block.
  • a method has been proposed (see, for example, Patent Document 1). According to this method, the handling property of the substrate can be ensured, and a thin electronic device using existing equipment can be manufactured.
  • the reinforcing plate has a resin layer that is detachably bonded to the substrate and a support plate that supports the substrate via the resin layer.
  • the resin layer is formed by applying a fluid resin composition on a support plate and curing it.
  • the resin composition is, for example, a silicone resin composition, which includes a linear polyorganosiloxane having a vinyl group and a methyl hydrogen polysiloxane having a hydrosilyl group, and is heat-cured in the presence of a platinum catalyst.
  • the A resin layer made of a cured product of this resin composition is excellent in heat resistance and easy peelability.
  • FIG. 9 shows a side view of a conventional laminate block.
  • the laminate block 1 includes a substrate 2 and a reinforcing plate 3 that reinforces the substrate 2.
  • the reinforcing plate 3 includes a resin layer 4 that is detachably coupled to the substrate 2 and a support plate 5 that supports the substrate 2 via the resin layer 4.
  • the laminate block 1 has a thickness unevenness 6 of the resin layer 4 due to the application unevenness of the resin composition. This thickness unevenness 6 is remarkable in the vicinity of the outer peripheral edge of the resin layer 4, and sometimes distorts the substrate 2 bonded to the resin layer 4.
  • substrate 2 and the support plate 5 are chamfered from a viewpoint of impact resistance, since the laminated body block 1 and the external shape of the resin layer 4 are formed smaller than the external shape of the board
  • the laminate block 1 is subjected to an electronic device manufacturing process, and a functional layer such as a conductive layer is patterned on the substrate 2.
  • a coating solution such as a resist solution is often used for pattern formation of the functional layer.
  • the types of processing include cutting (including fusing and cleaving), chamfering, polishing, etc., but before chamfering, cutting is performed from the viewpoint of processing efficiency, and the support plate 5, the resin layer 4 and the substrate 2 are cut. It is preferable to align all or part of each outer peripheral edge.
  • both the support plate 5 and the substrate 2 are made of a brittle material
  • groove-like cut lines are formed on the surfaces of both the support plate 5 and the substrate 2, and the laminate block 1 is bent so that each cut line is opened. Since stress is applied and the laminate block 1 is cut from both sides, there is a problem in workability.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a laminate that can efficiently produce a laminate suitable for manufacturing an electric device.
  • the present invention is a method for manufacturing a laminate having a processing step of processing a laminate block having a substrate and a reinforcing plate that reinforces the substrate to obtain a laminate
  • the reinforcing plate is composed of a resin layer that is detachably coupled to the substrate and a support plate that supports the substrate via the resin layer
  • the laminate block is formed such that the outer shape of the support plate and the outer shape of the resin layer are larger than the outer shape of the substrate, respectively.
  • the processing step includes cutting the outer peripheries of the support plate and the resin layer in the laminated body block so that the entire circumference or part of the outer peripheries of the support plate, the resin layer, and the substrate.
  • the manufacturing method of the laminated body which has the cutting process which arranges.
  • the main surface of the substrate of the laminate block is supported by a stage, and the outer peripheral edge of the substrate of the laminate block is a positioning block provided on the stage. It is preferable to make it contact.
  • the support plate is made of a brittle material, and in the cutting step, after forming a cut line on the surface of the support plate of the laminate block, along the cut line, the laminate block It is preferable to cleave the outer peripheral portions of the support plate and the resin layer.
  • the processing step further includes a chamfering step of chamfering an outer peripheral portion of the laminate obtained by cutting the laminate block.
  • the processing step further includes a polishing step of polishing the surface of the substrate of the laminate obtained by chamfering.
  • FIG. 1 is a side view of a laminate block used in a laminate production method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of the laminate obtained by cutting the outer peripheral portion of the laminate block of FIG.
  • FIG. 3 is a side view of a laminate obtained by chamfering the outer peripheral portion of the laminate of FIG.
  • FIG. 4 is a side view of a laminate obtained by polishing the surface of the substrate of the laminate of FIG.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of the laminated body block placed on the stage.
  • FIG. 6 is a side view showing the laminated body block and the processing head placed on the stage, partly broken.
  • FIG. 7 is a side view showing a laminated body block and a clamping jig placed on another stage.
  • FIG. 8 is a side view showing a modification of the laminate block of FIG.
  • FIG. 9 is a side view of a conventional laminate block.
  • FIG. 1 is a side view of a laminate block used in a laminate production method according to an embodiment of the present invention.
  • the laminate block 10 includes a substrate 20 and a reinforcing plate 30 that reinforces the substrate 20.
  • the reinforcing plate 30 includes a resin layer 32 that is detachably coupled to the substrate 20 and a support plate 34 that supports the substrate 20 via the resin layer 32.
  • the laminated body block 10 is used for manufacturing a product having the substrate 20 as a part of the product structure after being processed.
  • the reinforcing plate 30 is peeled off from the substrate 20 during the manufacturing process of the product and does not become a part of the product structure.
  • Examples of the product include electronic devices such as a display panel, a solar battery, and a thin film secondary battery.
  • the laminated body block 10 manufactures an electronic device using a processing facility for processing a conventional substrate (a substrate not reinforced by a reinforcing plate), it may have substantially the same thickness as the conventional substrate.
  • a processing facility for processing a conventional substrate a substrate not reinforced by a reinforcing plate
  • it may have substantially the same thickness as the conventional substrate.
  • the substrate 20 is a substrate for an electronic device.
  • a predetermined functional layer for example, a conductive layer
  • the type of functional layer is selected according to the type of electronic device, and a plurality of functional layers may be sequentially stacked on the substrate 20.
  • the type of the substrate 20 is not particularly limited, and examples thereof include a glass substrate, a ceramic substrate, a resin substrate, a metal substrate, and a semiconductor substrate.
  • a glass substrate is preferable. This is because the glass substrate is excellent in chemical resistance and moisture permeability resistance and has a small linear expansion coefficient. When the linear expansion coefficient is large, the manufacturing process of the electronic device often involves heat treatment, and various inconveniences are likely to occur. For example, when the substrate 20 on which a TFT (thin film transistor) is formed is cooled under heating, the positional displacement of the TFT may be excessive due to thermal contraction of the substrate 20.
  • TFT thin film transistor
  • the glass of the glass substrate is not particularly limited, and examples thereof include non-alkali glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide.
  • oxide-based glass a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.
  • a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component.
  • the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the type of electronic device to be applied and its manufacturing process.
  • a resin substrate is used as the substrate 20.
  • the resin of the resin substrate may be a crystalline resin or an amorphous resin, and is not particularly limited.
  • the crystalline resin examples include thermoplastic resins such as polyamide, polyacetal, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or syndiotactic polystyrene.
  • Thermosetting resins include polyphenylene sulfide and polyether ether. Examples include ketones, liquid crystal polymers, fluororesins, and polyether nitriles.
  • non-crystalline resin examples include thermoplastic resins such as polycarbonate, modified polyphenylene ether, polycyclohexene, and polynorbornene-based resins.
  • Thermosetting resins include polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, and polyamideimide. , Polyetherimide, or thermoplastic polyimide.
  • an amorphous thermoplastic resin is particularly preferable.
  • the thickness of the substrate 20 is set according to the type of the substrate 20.
  • it is preferably 0.7 mm or less, more preferably 0.3 mm or less, and still more preferably 0.1 mm or less for reducing the weight and thickness of the electronic device.
  • the outer peripheral surface of the substrate 20 is a surface perpendicular to the main surface of the substrate 20 as shown in FIG. Thereby, it is possible to prevent a gap from being formed between the substrate 20 and the resin layer 32, and it is possible to suppress the lack of the periphery of the gap in a chamfering process described later.
  • the resin layer 32 is formed such that the bonding force with the support plate 34 is relatively higher than the bonding force with the substrate 20 (details of the forming method will be described later). Thereby, it is possible to prevent the laminate block 10 from being peeled at an unintended position when the peeling operation is performed.
  • the initial peel strength between the resin layer 32 and the substrate 20 depends on the manufacturing process of the electronic device. For example, when a polyimide film having a thickness of 0.05 mm (Kapton 200HV, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) is used as the substrate 20, the lower limit of the initial peel strength is 0.3 N / 25 mm, preferably 0, in the following peel test. 0.5 N / 25 mm, more preferably 1 N / 25 mm. The upper limit of the initial peel strength is 10 N / 25 mm, preferably 5 N / 25 mm.
  • the “initial peel strength” refers to the peel strength immediately after production of the laminate block 10 and refers to the peel strength measured at room temperature.
  • the initial peel strength is 0.3 N / 25 mm or more, unintended separation can be sufficiently limited.
  • the initial peel strength is 10 N / 25 mm or less, it is easy to peel the resin layer 32 from the substrate 20 when correcting the positional relationship between the resin layer 32 and the substrate 20.
  • the peel test is represented by the following measurement method.
  • the digital force gauge is attached to the center portion of the protruding support plate (25 ⁇ 25 mm). Used to push vertically and measure peel strength.
  • the peel strength after heating between the resin layer 32 and the substrate 20 depends on the manufacturing process of the electronic device, but is preferably 8.5 N / 25 mm or less, for example, 7.8 N / 25 mm in the peel test. The following is more preferable, and it is more preferable that it is 4.5 N / 25 mm or less.
  • the “peel strength after heating” refers to the peel strength measured at room temperature after the resin layer 32 is heated at 350 ° C. (corresponding to the formation temperature of the amorphous silicon layer constituting the thin film transistor).
  • the peel strength after heating is 0.3 N / 25 mm or more, unintended separation can be sufficiently limited. On the other hand, when the peel strength after heating is 10 N / 25 mm or less, it becomes easy to peel the resin layer 32 from the substrate 20.
  • the resin of the resin layer 32 is not particularly limited.
  • examples of the resin of the resin layer 32 include acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin, polyimide resin, silicone resin, and polyimide silicone resin.
  • acrylic resin polyolefin resin
  • polyurethane resin polyurethane resin
  • polyimide resin polyimide resin
  • silicone resin silicone resin
  • polyimide silicone resin Several types of resins can be mixed and used. Of these, silicone resins and polyimide silicone resins are preferred from the viewpoints of heat resistance and peelability.
  • the thickness of the resin layer 32 is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 5 to 30 ⁇ m, and still more preferably 7 to 20 ⁇ m.
  • the thickness of the resin layer 32 is 1 ⁇ m or more, because foreign matter on the order of several ⁇ m that is likely to be generated in a clean room (foreign matter generated due to uneven curing of fibers and resin) is easily buried in the resin layer 32.
  • the thickness of the resin layer 32 is 50 ⁇ m or less, the formation time of the resin layer 32 can be shortened, and further, the resin of the resin layer 32 is not used more than necessary, which is economical.
  • the outer shape of the resin layer 32 is formed larger than the outer shape of the substrate 20.
  • the substrate 20 can be attached to the flat portion of the resin layer 32, and the distortion of the substrate 20 can be reduced.
  • the support plate 34 supports and reinforces the substrate 20 through the resin layer 32.
  • the support plate 34 prevents the substrate 20 from being deformed, scratched or broken in the manufacturing process of the electronic device.
  • the type of the support plate 34 is not particularly limited, and for example, a glass plate, a ceramic plate, a resin plate, a semiconductor plate, a metal plate, a glass / resin composite plate, or the like is used.
  • the type of the support plate 34 is selected according to the type of the electronic device, the type of the substrate 20, and the like. If the type is the same as the substrate 20, the difference in thermal expansion between the support plate 34 and the substrate 20 is small, and thus warpage due to heating occurs. Can be suppressed.
  • the difference (absolute value) between the average linear expansion coefficients of the support plate 34 and the substrate 20 is appropriately set according to the outer shape of the substrate 20 and the like, but is preferably 35 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, for example.
  • the “average linear expansion coefficient” refers to an average linear expansion coefficient (JIS R 3102: 1995) in a temperature range of 50 to 300 ° C.
  • the thickness of the support plate 34 is not particularly limited, and is preferably 0.7 mm or less in order to adapt the laminate block 10 to existing processing equipment. In addition, the thickness of the support plate 34 is preferably 0.4 mm or more in order to reinforce the substrate 20. The support plate 34 may be thicker or thinner than the substrate 20.
  • the outer shape of the support plate 34 is formed larger than the outer shape of the substrate 20 and is equal to the outer shape of the resin layer 32 or larger than the outer shape of the resin layer 32.
  • a resin composition having fluidity is applied on the support plate 34 and cured to form the resin layer 32, and then the substrate 20 is placed on the resin layer 32.
  • a resin composition having fluidity is applied on a predetermined base material and cured to form a resin layer 32, and then the resin layer 32 is peeled off from the predetermined base material.
  • the resin layer 32 is formed by sandwiching the resin composition between the substrate 20 and the support plate 34 and curing the resin composition. .
  • the bond strength between the support plate 34 and the resin layer 32 is the bond strength between the resin layer 32 and the substrate 20. More likely to be higher.
  • the method (2) is effective when the bonding strength of the resin layer 32 after the pressure bonding is low with respect to the substrate 20 and high with respect to the support plate 34.
  • the surface of the substrate 20 or the support plate 34 may be surface-treated to make a difference in the bonding strength after the pressure bonding with the resin layer 32.
  • the method (3) is effective when the bonding strength of the resin composition after curing is low with respect to the substrate 20 and high with respect to the support plate 34.
  • the surface of the substrate 20 or the support plate 34 may be surface-treated to make a difference in the bonding strength after the resin composition is cured.
  • the type of the resin composition is not particularly limited.
  • the resin composition is classified into a condensation reaction type, an addition reaction type, an ultraviolet curable type, and an electron beam curable type depending on the curing mechanism, and any of them can be used.
  • the addition reaction type is preferable. This is because the curing reaction is easy and the degree of peelability is good when the resin layer 32 is formed, and the heat resistance is also high.
  • the resin composition is classified into a solvent type, an emulsion type, and a solventless type depending on the form, and any of them can be used.
  • a solventless type is preferable.
  • productivity and environmental characteristics are excellent.
  • bubbles do not easily remain in the resin layer 32 because the resin layer 32 does not include a solvent that causes foaming at the time of curing when forming the resin layer 32, that is, heat curing, ultraviolet curing, or electron beam curing. It is.
  • silicone resin composition there is one containing a linear polyorganosiloxane having a vinyl group and a methyl hydrogen polysiloxane having a hydrosilyl group.
  • This silicone resin composition is heated and cured in the presence of a platinum catalyst to form a silicone resin layer.
  • Examples of the coating method of the resin composition include a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method, and a gravure coating method. These coating methods are appropriately selected according to the type of the resin composition.
  • the coating amount of the resin composition is appropriately selected according to the type of the resin composition.
  • it is preferably 1 to 100 g / m 2 , more preferably 5 to 20 g / m 2 .
  • the curing conditions for the resin composition are appropriately selected according to the type of the resin composition.
  • the temperature heated in the atmosphere is It is 50 ° C to 250 ° C, preferably 100 ° C to 200 ° C.
  • the reaction time is 5 to 60 minutes, preferably 10 to 30 minutes. If the curing conditions of the resin composition are within the above reaction time range and reaction temperature range, the oxidative decomposition of the silicone resin does not occur at the same time, a low molecular weight silicone component is not generated, and the silicone migration property does not increase.
  • the crimping is performed in a clean environment.
  • a roll type, a press type, and the like as a method of pressure bonding.
  • the atmosphere in which the pressure bonding is performed may be an atmospheric pressure atmosphere, but is preferably a reduced-pressure atmosphere in order to suppress mixing of bubbles.
  • the temperature at which the pressure bonding is performed may be higher than room temperature, but is preferably room temperature in order to prevent deterioration of the resin layer 32.
  • the manufacturing method of a laminated body has the process process which processes the laminated body block 10 and obtains a laminated body.
  • FIG. 2 is a side view of the laminate obtained by cutting the outer periphery of the laminate block of FIG. In FIG. 2, the shape of the part removed by processing the laminated body block is indicated by a two-dot chain line.
  • FIG. 3 is a side view of a laminate obtained by chamfering the outer peripheral portion of the laminate of FIG. In FIG. 3, the state before chamfering is indicated by a two-dot chain line.
  • FIG. 4 is a side view of a laminate obtained by polishing the surface of the substrate of the laminate of FIG. In FIG. 4, the state before surface polishing is indicated by a two-dot chain line.
  • the processing steps include a cutting step (see FIG. 2) for cutting the outer peripheral portion of the laminated body block 10 to obtain the laminated body 10A, and a chamfering step (see FIG. 3) for chamfering the outer peripheral portion of the laminated body 10A to obtain the laminated body 10B. And a polishing step (see FIG. 4) for polishing the surface of the substrate of the laminate 10B to obtain the laminate 10C.
  • the laminated body 10 ⁇ / b> C obtained after the polishing process is washed and dried as necessary, and then subjected to an electronic device manufacturing process.
  • the cutting step is a step of cutting the outer peripheral portion of the laminated body block 10 so as to enhance the processing efficiency in the chamfering step and aligning the entire outer periphery or a part of the outer periphery of each of the support plate, the resin layer, and the substrate.
  • aligning the entire circumference or a part of the outer periphery of each of the support plate, the resin layer, and the substrate means that the entire circumference of each outer periphery of the support plate, the resin layer, and the substrate in a plan view of the laminate 10A. Or it means that a part overlaps.
  • the support plate 34 and the resin layer 32 of the laminate block 10 are cut at the outer peripheral portions to become the support plate 34A and the resin layer 32A.
  • the entire circumference or a part of the outer peripheral edges of the support plate 34A, the resin layer 32A, and the substrate 20 are aligned. Therefore, since the outer peripheral part of the board
  • the laminated body 10 ⁇ / b> A obtained by cutting has a substrate 20 and a reinforcing plate 30 ⁇ / b> A that reinforces the substrate 20.
  • the reinforcing plate 30A includes a resin layer 32A that is detachably coupled to the substrate 20 and a support plate 34A that supports the substrate 20 via the resin layer 32A.
  • the chamfering step is a step of chamfering the outer peripheral portion of the laminated body 10A in order to improve impact resistance.
  • the outer periphery of the substrate 20, the resin layer 32A, and the support plate 34A is ground to form the substrate 20B, the support plate 34B, and the resin layer 32B.
  • the chamfering is performed around the central axis of the grindstone while moving the grindstone along the outer peripheral portion of the laminated body 10A in a state where the outer peripheral surface of the disc-shaped grindstone is in contact with the outer peripheral portion of the laminated body 10A. It is done by rotating.
  • the chamfering may be R chamfering or C chamfering, and the type of chamfering is not limited.
  • the portion to be chamfered only needs to include a portion where the outer periphery is aligned, and may include a portion where the outer periphery is not aligned.
  • the laminate 10B obtained by chamfering includes a substrate 20B and a reinforcing plate 30B that reinforces the substrate 20B.
  • the reinforcing plate 30B includes a resin layer 32B that is detachably coupled to the substrate 20B and a support plate 34B that supports the substrate 20B via the resin layer 32B.
  • the polishing step is a step of polishing the surface of the substrate 20B of the laminate 10B obtained by chamfering in order to increase the flatness of the substrate surface.
  • the substrate 20B is polished to form the substrate 20C.
  • the method for polishing the surface of the substrate 20B is selected according to the type of the substrate 20B. For example, in the case of a glass substrate, polishing using ceria abrasive grains is performed.
  • the laminated body 10C obtained by polishing has a substrate 20C and a reinforcing plate 30B that reinforces the substrate 20C.
  • the reinforcing plate 30B includes a resin layer 32B that is detachably coupled to the substrate 20B, and a support plate 34B that supports the substrate 20C via the resin layer 32B.
  • the processing step includes a cutting step, a chamfering step, and a polishing step, but the present invention is not limited to this. That is, the processing step only needs to have at least a cutting step, and may not have a chamfering step or a polishing step.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of the laminated body block placed on the stage
  • FIG. 6 is a side view showing the laminated body part placed on the stage and the machining head in a partially broken view.
  • FIG. 7 is a side view showing the laminate block and the clamping jig placed on another stage.
  • the main surface of the substrate 20 of the multilayer block 10 is supported by the stage 50 and the outer peripheral edge of the substrate 20 of the multilayer block 10 is provided on the stage 50.
  • the stage 50 As shown in FIG. 5, in the cutting process, the main surface of the substrate 20 of the multilayer block 10 is supported by the stage 50 and the outer peripheral edge of the substrate 20 of the multilayer block 10 is provided on the stage 50. To 53.
  • the lower surface of the substrate 20 is supported by the upper surface of the stage 50, and the two perpendicular sides 21 and 22 of the rectangular substrate 20 are brought into contact with the positioning blocks 51 to 53. Thereafter, the moving blocks 54 and 55 are brought into contact with and contacted with the remaining sides 23 and 24 of the substrate 20.
  • the outer peripheral edge of the substrate 20 comes into contact with the positioning blocks 51 to 53 in at least a part of the cutting process (for example, a process of forming a cut line 36 described later), the outer peripheral edge of the substrate 20 and the stage 50 Alignment accuracy with is improved. Therefore, the outer peripheral edge of the substrate 20 and the outer peripheral edges of the support plate 34A and the resin layer 32A are aligned with high accuracy.
  • the inside of a plurality of suction holes provided on the upper surface of the stage 50 is depressurized by a vacuum pump or the like, and the substrate 20 is adsorbed on the upper surface of the stage 50.
  • a resin film or the like may be installed on the upper surface of the stage 50 in order to protect the substrate 20.
  • the imaging device images the stacked body block 10 on the stage 50.
  • the captured image is transmitted to the computer.
  • the computer processes the received image and detects the positional relationship between the outer peripheral edge of the substrate 20 and the stage 50.
  • the computer moves the processing head 60 that processes the laminated body block 10 relative to the stage 50 based on the result of the image processing.
  • the movement trajectory of the processing head 60 is controlled so as to overlap the outer peripheral edge of the substrate 20 in plan view.
  • the computer uses the result of image processing to control the movement trajectory of the machining head 60.
  • the computer uses the substrate 20 recorded in advance on a recording medium such as a hard disk. Information on the shape dimension may be used. In that case, an imaging device becomes unnecessary.
  • the processing head 60 is configured according to the type and thickness of the support plate 34.
  • the machining head 60 forms a cut line 36 on the surface of the support plate 34 as shown in FIG. , Cutter 62 and the like.
  • the cutter 62 has, for example, a disk shape, and has an outer peripheral portion formed of diamond, super steel alloy, or the like, and is rotatably supported by the holder 64.
  • the cutting line 36 is formed on the surface of the support plate 34 while the cutter 62 rotates.
  • Four cut lines 36 are provided corresponding to the four sides 21 to 24 of the rectangular substrate 20, and are formed so as to overlap with the corresponding sides of the substrate 20 in plan view. Each cut line 36 extends from one side of the support plate 34 to the other side so as to divide the surface of the support plate 34.
  • the processing head 60 of the present embodiment is configured by the cutter 62 or the like, it may be configured by a laser light source or the like.
  • the laser light source irradiates the surface of the support plate 34 with spot light.
  • the spot light is scanned on the surface of the support plate 34 and forms a cut line 36 by thermal stress.
  • the processing head 60 of the present embodiment is configured to form the cut line 36 on the surface of the support plate 34
  • the present invention is not limited to this.
  • the processing head 60 may divide the support plate 34 and the resin layer 32, and in this case, the processing head 60 is made of a knife or the like.
  • the support plate 34 is made of a material having a relatively low melting point such as glass, resin, or metal
  • the processing head 60 may melt the support plate 34 and the resin layer 32.
  • a heat source for example, a laser light source
  • the vacuum pump is stopped, the inside of the suction hole is opened to the atmosphere, and the suction is released.
  • the moving blocks 54 and 55 are separated from the substrate 20 and the substrate 20 is separated from the positioning blocks 51 to 53.
  • the stacked body block 10 is lifted upward from the stage 50 and transferred to the upper side of another stage 70. Subsequently, the stacked body block 10 is lowered and placed on the stage 70.
  • the portion outside the single severing line 36 is clamped by the clamping jig 72 in the plate thickness direction.
  • the clamping jig 72 is rotated downward, bending stress is applied to the support plate 34 and the resin layer 32, so that the crack 37 extends in the plate thickness direction starting from a single cut line 36, The support plate 34 and the resin layer 32 are cleaved at a time.
  • the adsorption of the substrate 20 on the stage 50 is released, and the laminate block 10 is adsorbed again after being translated or rotated by 90 °.
  • the support plate 34 and the resin layer 32 are cleaved along the other one cut line 36. By repeating this, the support plate 34 and the resin layer 32 are cut along the four cut lines 36.
  • the laminate block 10 is transferred from the stage 50 to another stage 70 for cleaving.
  • Cleaving may be performed.
  • the method of manufacturing the electronic device includes a forming step of forming a predetermined functional layer (for example, a conductive layer) on the substrate of the laminate 10C, and a peeling step of peeling the reinforcing plate from the substrate on which the predetermined functional layer is formed.
  • a laminated body 10A or a laminated body 10B may be used instead of the laminated body 10C.
  • a photolithography method, an etching method, a vapor deposition method, or the like is used as a method for forming a predetermined functional film.
  • a coating solution such as a resist solution is used to pattern the functional layer.
  • the peeling step as a method of peeling the reinforcing plate from the substrate, for example, a razor or the like is inserted between the resin layer constituting the reinforcing plate and the substrate to create a gap, and then the substrate side and the support plate side are separated. The method of pulling apart is used.
  • the method for manufacturing an electronic device may further include a step of laminating another functional layer on the substrate or the functional layer after the peeling step.
  • the method of manufacturing the electronic device is a method of assembling an electronic device using two sets of laminated bodies 10C each having a predetermined functional layer, and then peeling the reinforcing plates from the substrates of the two sets of laminated bodies 10C. It may be.
  • the manufacturing method of a liquid crystal display is, for example, forming a TFT substrate by forming a TFT or the like on a substrate of a laminate, and forming CF or the like on a substrate of another laminate, A CF substrate manufacturing step of manufacturing a CF substrate.
  • the manufacturing method of a liquid crystal panel has the assembly process which seals a liquid-crystal material between a TFT substrate and CF board
  • a photolithography method or an etching method is used as a method of forming a TFT (thin film transistor) or a CF (color filter). Further, a resist solution is used as a coating solution in order to form a pattern of TFT, CF, or the like.
  • the substrate surface of the laminate may be cleaned before the TFT substrate manufacturing process or the CF substrate manufacturing process.
  • a cleaning method known dry cleaning or wet cleaning is used.
  • a liquid crystal material is injected between the TFT substrate and the CF substrate.
  • a method for injecting the liquid crystal material there are a reduced pressure injection method and a drop injection method.
  • a TFT substrate and a CF substrate are bonded together via a sealing material and a spacer material, and a large panel is manufactured.
  • a large panel is manufactured and cut into a plurality of cells so that the TFT and CF are arranged inside.
  • the inside of each cell is set to a reduced pressure atmosphere, and after the liquid crystal material is injected into each cell from the injection hole, the injection hole is sealed.
  • a polarizing plate is attached to each cell, and a backlight or the like is assembled to manufacture a liquid crystal display.
  • a liquid crystal material is dropped on one of the TFT substrate and the CF substrate, and then the TFT substrate and the CF substrate are bonded together via a sealing material and a spacer material to produce a large panel. Is done. At this time, a large panel is manufactured so that the TFT and CF are arranged inside. Thereafter, the large panel is cut into a plurality of cells. Subsequently, a polarizing plate is attached to the cell, and a backlight or the like is assembled to manufacture a liquid crystal display.
  • the peeling process may be performed after the TFT substrate manufacturing process or the CF substrate manufacturing process and before the assembly process, or may be performed in the middle of the assembly process.
  • the peeling process may be performed in the middle of the assembly process by the reduced pressure injection method, it may be performed after the large panel is manufactured and before the large panel is cut into a plurality of cells. It may be performed after sealing and before attaching a polarizing plate to each cell.
  • the peeling process when the peeling process is performed in the middle of the assembly process by the appropriate injection method, it may be performed after the large panel is manufactured and before the large panel is cut into a plurality of cells. May be performed after the substrate is cut into a plurality of cells and before the polarizing plate is attached to each cell.
  • the manufacturing method of an organic EL display is, for example, an organic EL element forming step of forming an organic EL element on a laminated substrate, and a substrate on which the organic EL element is formed and a counter substrate are bonded together. And a peeling step of peeling the reinforcing plate from the substrate of the laminate.
  • organic EL element forming step for example, a photolithography method or a vapor deposition method is used as a method for forming the organic EL element. Further, a resist solution is used as a coating solution in order to form a pattern of the organic EL element.
  • An organic EL element consists of a transparent electrode layer, a positive hole transport layer, a light emitting layer, an electron carrying layer etc., for example.
  • the substrate surface of the laminate may be cleaned as necessary.
  • a cleaning method known dry cleaning or wet cleaning is used.
  • the substrate on which the organic EL element is formed is cut into a plurality of cells, and an opposing substrate is bonded to each cell, whereby an organic EL display is manufactured.
  • the peeling process may be performed, for example, after the organic EL element forming process and before the bonding process, or may be performed during or after the bonding process.
  • the solar cell manufacturing method includes, for example, a solar cell element forming step of forming a solar cell element on a laminate substrate, and a peeling step of peeling the reinforcing plate from the laminate substrate.
  • a photolithography method or a vapor deposition method is used as a method for forming the solar cell element.
  • a resist solution is used as a coating solution in order to pattern the solar cell element.
  • a solar cell element consists of a transparent electrode layer, a semiconductor layer, etc., for example.
  • the peeling step is performed, for example, after the solar cell element forming step.
  • the side surface of the substrate 20 is a surface perpendicular to the main surface of the substrate 20, but the present invention is not limited to this.
  • the side surface of the substrate 120 may be rounded and chamfered like a laminate block 110 shown in FIG.
  • the dent 112 on the side surface of the laminated body block 110 remains to some extent after the cutting process, the dent 112 is removed in the chamfering process.

Abstract

　本発明は、基板と、該基板を補強する補強板とを有する積層体ブロックを加工して積層体を得る加工工程を有する積層体の製造方法であって、前記補強板は、前記基板に剥離可能に結合する樹脂層および該樹脂層を介して前記基板を支持する支持板で構成され、前記積層体ブロックは、支持板の外形および樹脂層の外形がそれぞれ基板の外形よりも大きくなるよう形成されており、前記加工工程は、前記積層体ブロックのうち、前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、前記支持板、前記樹脂層および前記基板のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃える切断工程を有する積層体の製造方法に関する。

Description

積層体の製造方法
　本発明は、積層体の製造方法に関する。
　液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）などの表示パネル、太陽電池、薄膜２次電池などの電子デバイスは、薄型化、軽量化が要望されており、これらの電子デバイスに用いられる基板の薄板化が進行している。薄板化によって基板の剛性が低くなると、基板のハンドリング性が悪くなる。加えて、薄板化により基板の厚さが変わると、既存の設備を用いた電子デバイスの製造が困難になる。
　そこで、基板に補強板を貼り付けて積層体ブロックとし、積層体ブロックの基板上に、所定の機能層（例えば、導電層）を形成し、その後、積層体ブロックの基板から補強板を剥離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。該方法によれば、基板のハンドリング性を確保でき、且つ、既存の設備を用いた薄型の電子デバイスの製造ができる。
　補強板は、基板に剥離可能に結合する樹脂層と、樹脂層を介して基板を支持する支持板とを有する。樹脂層は、流動性を有する樹脂組成物を支持板上に塗布し、硬化させて形成される。樹脂組成物は、例えば、シリコーン樹脂組成物であって、ビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンと、ハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサンとを含み、白金触媒の存在下で加熱硬化される。この樹脂組成物の硬化物からなる樹脂層は、耐熱性や易剥離性に優れている。
日本国特開２００７－３２６３５８号公報
　図９に、従来の積層体ブロックの側面図を示す。積層体ブロック１は、基板２と、基板２を補強する補強板３とを有する。補強板３は、基板２に剥離可能に結合する樹脂層４と、樹脂層４を介して基板２を支持する支持板５とを有する。
　積層体ブロック１は、樹脂組成物の塗布ムラに起因する、樹脂層４の厚さムラ６を有する。この厚さムラ６は、樹脂層４の外周縁近傍で顕著であり、樹脂層４に結合される基板２を歪ませることがあった。
　また、積層体ブロック１は、基板２や支持板５が、耐衝撃性の観点から、面取りされているので、また、樹脂層４の外形が基板２の外形よりも小さく形成されているので、凹み７を側面に有する。
　積層体ブロック１は、電子デバイスの製造工程に供され、導電層などの機能層が基板２上にパターン形成される。機能層のパターン形成には、レジスト液などのコーティング液が用いられることが多い。
　コーティング液は、積層体ブロック１の側面の凹み７に毛管現象によって入り込むと、洗浄によっても除去され難く、乾燥後に異物として残りやすい。この異物は、後工程で加熱されたとき、機能層などを汚染する汚染源となるので、電子デバイスの歩留まりを低下させる。
　そこで、凹み７の除去、耐衝撃性の向上などを目的として、積層体ブロック１を予め加工しておくことが考えられる。加工の種類としては、切断（溶断や割断を含む）や面取り、研磨などがあるが、面取りの前に、加工効率の観点から、切断を行って、支持板５、樹脂層４および基板２のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃えることが好ましい。
　しかしながら、支持板５、樹脂層４および基板２の全部を切断しようとすると、作業性に問題がある。
　特に、支持板５および基板２の両方が脆性材料で構成される場合、支持板５および基板２の両方の表面に溝状の切線を形成し、各切線が開くように積層体ブロック１に曲げ応力を加えて、積層体ブロック１を両側から切断するので、作業性に問題がある。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、電気デバイスの製造に適した積層体を効率良く製造できる、積層体の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を解決するため、本発明は、基板と、該基板を補強する補強板とを有する積層体ブロックを加工して積層体を得る加工工程を有する積層体の製造方法であって、
　前記補強板は、前記基板に剥離可能に結合する樹脂層および該樹脂層を介して前記基板を支持する支持板で構成され、
　前記積層体ブロックは、支持板の外形および樹脂層の外形がそれぞれ基板の外形よりも大きくなるよう形成されており、
　前記加工工程は、前記積層体ブロックのうち、前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、前記支持板、前記樹脂層および前記基板のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃える切断工程を有する積層体の製造方法を提供する。
　本発明において、前記切断工程の少なくとも一部において、前記積層体ブロックの前記基板の主面をステージで支持すると共に、前記積層体ブロックの前記基板の外周縁を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させることが好ましい。
　本発明において、前記支持板は、脆性材料で構成されており、前記切断工程において、前記積層体ブロックの前記支持板の表面に切線を形成した後、該切線に沿って、前記積層体ブロックの前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を割断することが好ましい。
　本発明において、前記加工工程は、前記積層体ブロックを切断して得られる前記積層体の外周部を面取りする面取り工程をさらに有することが好ましい。
　本発明において、前記加工工程は、面取りにより得られる前記積層体の基板を表面研磨する研磨工程をさらに有することが好ましい。
　本発明によれば、電気デバイスの製造に適した積層体を効率良く製造できる、積層体の製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態による積層体の製造方法で用いられる積層体ブロックの側面図である。 図２は、図１の積層体ブロックの外周部を切断して得られる積層体の側面図である。 図３は、図２の積層体の外周部を面取りして得られる積層体の側面図である。 図４は、図３の積層体の基板を表面研磨して得られる積層体の側面図である。 図５は、ステージ上に載置した積層体ブロックを一部透視して示す平面図である。 図６は、ステージ上に載置した積層体ブロックおよび加工ヘッドを一部破断して示す側面図である。 図７は、別のステージ上に載置した積層体ブロックおよび挟持治具を示す側面図である。 図８は、図１の積層体ブロックの変形例を示す側面図である。 図９は、従来の積層体ブロックの側面図である。
　以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、各図において、同一構成には同一符号を付す。
　（積層体）
　図１は、本発明の一実施形態による積層体の製造方法で用いられる積層体ブロックの側面図である。
　図１に示すように、積層体ブロック１０は、基板２０と、基板２０を補強する補強板３０とを有する。補強板３０は、基板２０に剥離可能に結合する樹脂層３２と、樹脂層３２を介して基板２０を支持する支持板３４とで構成される。
　積層体ブロック１０は、加工された後、基板２０を製品構造の一部として有する製品の製造に用いられる。補強板３０は、製品の製造工程の途中で、基板２０から剥離され、製品構造の一部とはならない。製品としては、例えば表示パネル、太陽電池、薄膜２次電池などの電子デバイスが挙げられる。
　積層体ブロック１０は、従来の基板（補強板によって補強されていない基板）を処理する処理設備を用いて電子デバイスを製造するため、従来の基板と略同一の厚さを有して良い。以下、図１に基づいて、各構成について説明する。
　（基板）
　基板２０は、電子デバイス用の基板である。基板２０の表面には、電子デバイスの製造工程において、所定の機能層（例えば、導電層）が形成される。機能層の種類は、電子デバイスの種類に応じて選択され、複数の機能層が基板２０上に順次積層されても良い。
　基板２０の種類は、特に限定されないが、例えば、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、金属基板、半導体基板などが挙げられる。これらの中でも、ガラス基板が好ましい。ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、線膨張係数が小さいからである。線膨張係数が大きいと、電子デバイスの製造工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、加熱下でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成された基板２０を冷却すると、基板２０の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。
　ガラス基板のガラスとしては、特に限定されないが、例えば、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスなどが挙げられる。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
　ガラス基板のガラスとしては、電子デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる。このように、ガラス基板のガラスは、適用される電子デバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
　電子デバイスの特性として、フレキシブル性が要求される場合、基板２０としては、樹脂基板が用いられる。樹脂基板の樹脂は、結晶性樹脂であっても、非結晶性樹脂であっても良く、特に限定されない。
　上記結晶性樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂であるポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、もしくはシンジオタクティックポリスチレンなどが挙げられ、熱硬化性樹脂ではポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、もしくはポリエーテルニトリルなどが挙げられる。
　上記非結晶性樹脂として、例えば、熱可塑性樹脂であるポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリシクロヘキセン、もしくはポリノルボルネン系樹脂などが挙げられ、熱硬化性樹脂ではポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、もしくは熱可塑性ポリイミドが挙げられる。
　樹脂基板の樹脂としては、非結晶性で熱可塑性の樹脂が特に好ましい。
　基板２０の厚さは、基板２０の種類に応じて設定される。例えば、ガラス基板の場合、電子デバイスの軽量化、薄板化のため、好ましくは０．７ｍｍ以下であり、より好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１ｍｍ以下である。
　基板２０の外周面は、図１に示すように、基板２０の主面に対して垂直な面となっている。これによって、基板２０と樹脂層３２との間に隙間が形成されるのを防止でき、後述の面取り工程において、隙間の周辺が欠けるのを抑制できる。
　（樹脂層）
　樹脂層３２は、基板２０に密着されると、剥離操作が行われるまで、基板２０の位置ずれを防止する。樹脂層３２は剥離操作によって基板２０から容易に剥離する。容易に剥離することで、基板２０の破損を防止でき、また、意図しない位置での剥離を防止できる。
　樹脂層３２は、支持板３４との結合力が、基板２０との結合力よりも相対的に高くなるように形成される（形成方法の詳細は後述）。これによって、剥離操作が行われる際に、積層体ブロック１０が意図しない位置で剥離するのを防止できる。
　樹脂層３２と基板２０の間での初期剥離強度は、電子デバイスの製造工程に依存する。例えば基板２０に板厚０．０５ｍｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、カプトン２００ＨＶ）を用いた場合、下記のピール試験にて、初期剥離強度の下限値は０．３Ｎ／２５ｍｍ、好ましくは０．５Ｎ／２５ｍｍ、より好ましくは１Ｎ／２５ｍｍである。また、初期剥離強度の上限値は１０Ｎ／２５ｍｍ、好ましくは５Ｎ／２５ｍｍである。ここで、「初期剥離強度」とは、積層体ブロック１０の作製直後の剥離強度をいい、室温で測定した剥離強度をいう。
　初期剥離強度が０．３Ｎ／２５ｍｍ以上であると、意図しない分離を十分に制限できる。一方、初期剥離強度が１０Ｎ／２５ｍｍ以下であると、樹脂層３２と基板２０との位置関係を修正する場合などに、基板２０から樹脂層３２を剥離するのが容易になる。
　なお、ピール試験は、次の測定方法により表される。
　縦２５ｍｍ×横７５ｍｍの支持板３４上の全面に樹脂層３２を形成し、縦２５ｍｍ×横５０ｍｍの基板２０を、支持板３４と基板２０との一方の縦の面が揃うように積層した物を評価サンプルとする。そして、このサンプルの基板２０の樹脂層側の面に対向する面を両面テープで検査台の端に固定したうえで、はみ出している支持板（２５×２５ｍｍ）の中央部を、デジタルフォースゲージを用いて垂直に突き上げ、剥離強度を測定する。
　樹脂層３２と基板２０の間での加熱後の剥離強度は、電子デバイスの製造工程によるが、上記のピール試験にて、例えば８．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、７．８Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましく、４．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。ここで、「加熱後の剥離強度」とは、樹脂層３２が３５０℃（薄膜トランジスタを構成するアモルファスシリコン層の形成温度に相当）で加熱された後に、室温で測定した剥離強度をいう。
　加熱後の剥離強度が０．３Ｎ／２５ｍｍ以上であると、意図しない分離を十分に制限できる。一方、加熱後の剥離強度が１０Ｎ／２５ｍｍ以下であると、基板２０から樹脂層３２を剥離するのが容易になる。
　樹脂層３２の樹脂は、特に限定されない。例えば、樹脂層３２の樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂などが挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でも、耐熱性や剥離性の観点から、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましい。
　樹脂層３２の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは５～３０μｍ、さらに好ましくは７～２０μｍである。樹脂層３２の厚さを１μｍ以上とすることで、樹脂層３２と基板２０の間に気泡や異物が混入した場合に、基板２０の変形を抑制できる。また、樹脂層３２の厚さを５μｍとすることで、クリーンルーム内で発生しやすい数μｍオーダーの異物（繊維、樹脂の硬化むらによって発生する異物）が樹脂層３２中に埋もれ易い点で好ましい。一方、樹脂層３２の厚さが５０μｍ以下であると、樹脂層３２の形成時間を短縮でき、さらに樹脂層３２の樹脂を必要以上に使用しないため経済的である。
　樹脂層３２の外形は、基板２０の外形よりも大きく形成される。これによって、樹脂層３２の平坦部分に基板２０を貼り付けることが可能であり、基板２０の歪みを低減できる。基板２０の歪みを十分に低減するため、樹脂層３２の外周縁から１５ｍｍ以内（より好ましくは２０ｍｍ以内、最も好ましくは２５ｍｍ以内）の領域に基板２０を貼り付けないことが好ましい。樹脂層３２の外周縁から１５ｍｍ以内の領域では、樹脂組成物の塗布ムラに起因する厚さムラ１２が顕著なためである。
　（支持板）
　支持板３４は、樹脂層３２を介して、基板２０を支持して補強する。支持板３４は、電子デバイスの製造工程における基板２０の変形、傷付き、破損などを防止する。
　支持板３４の種類は、特に限定されないが、例えば、ガラス板、セラミックス板、樹脂板、半導体板、金属板、ガラス／樹脂複合板などが用いられる。支持板３４の種類は、電子デバイスの種類や基板２０の種類などに応じて選定され、基板２０と同種であると、支持板３４と基板２０の熱膨張差が小さいので、加熱による反りの発生を抑制できる。
　支持板３４と基板２０の平均線膨張係数の差（絶対値）は、基板２０の外形などに応じて適宜設定されるが、例えば３５×１０－７／℃以下であることが好ましい。ここで、「平均線膨張係数」とは、５０～３００℃の温度範囲における平均線膨張係数（ＪＩＳ　Ｒ　３１０２：１９９５）をいう。
　支持板３４の厚さは、特に限定されず、積層体ブロック１０を既存の処理設備に適合させるため、０．７ｍｍ以下であることが好ましい。また、支持板３４の厚さは、基板２０を補強するため、０．４ｍｍ以上であることが好ましい。支持板３４は、基板２０よりも厚くても良いし、薄くても良い。
　支持板３４の外形は、基板２０の外形よりも大きく形成され、樹脂層３２の外形と同等、もしくは、樹脂層３２の外形よりも大きく形成される。
　（積層体ブロックの製造方法）
　積層体ブロック１０を製造する方法としては、（１）支持板３４上に流動性を有する樹脂組成物を塗布し、硬化させて、樹脂層３２を形成した後、樹脂層３２上に基板２０を圧着する方法、（２）所定の基材上に流動性を有する樹脂組成物を塗布し、硬化させて樹脂層３２を形成した後、樹脂層３２を所定の基材から剥離して、フィルムの形態で、基板２０と支持板３４の間に挟んで圧着する方法、（３）基板２０と支持板３４の間に樹脂組成物を挟んで、硬化させて樹脂層３２を形成する方法などがある。
　上記（１）の方法では、樹脂組成物が硬化する時、樹脂組成物が支持板３４と相互作用するので、支持板３４と樹脂層３２の結合力が、樹脂層３２と基板２０の結合力よりも高くなりやすい。
　上記（２）の方法は、樹脂層３２の圧着後の結合力が、基板２０に対して低く、支持板３４に対して高い場合に有効である。樹脂層３２との接触前に、基板２０または支持板３４の表面を表面処理して、樹脂層３２との圧着後の結合力に差をつけても良い。
　上記（３）の方法は、樹脂組成物の硬化後の結合力が、基板２０に対して低く、支持板３４に対して高い場合に有効である。樹脂組成物との接触前に、基板２０または支持板３４の表面を表面処理して、樹脂組成物の硬化後の結合力に差をつけても良い。
　上記（１）～（３）の方法において、樹脂組成物の種類は、特に限定されない。例えば、樹脂組成物は、硬化機構に応じて、縮合反応型、付加反応型、紫外線硬化型、電子線硬化型に分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型が好ましい。硬化反応のしやすさ、樹脂層３２を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。
　また、樹脂組成物は、形態に応じて、溶剤型、エマルジョン型、無溶剤型に分類されるが、いずれも使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。その理由は、生産性、環境特性の面が優れるからである。また、その理由は、樹脂層３２を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層３２中に気泡が残留しにくいからである。
　付加反応型であって、且つ、無溶剤型であるシリコーン樹脂組成物としては、ビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンと、ハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサンとを含むものがある。このシリコーン樹脂組成物は、白金触媒の存在下で加熱硬化され、シリコーン樹脂層となる。
　樹脂組成物の塗布方法は、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などがある。これらの塗布方法は、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択される。
　樹脂組成物の塗工量は、樹脂組成物の種類などに応じて適宜選択される。例えば、上記シリコーン樹脂組成物の場合、好ましくは１～１００ｇ／ｍ２、より好ましくは５～２０ｇ／ｍ２である。
　樹脂組成物の硬化条件は、樹脂組成物の種類などに応じて適宜選択される。例えば、上記シリコーン樹脂組成物として、直鎖状ポリオルガノシロキサンとメチルハイドロジェンポリシロキサンの合計量１００質量部に対して、白金系触媒を２質量部配合した場合、大気中で加熱する温度は、５０℃～２５０℃、好ましくは１００℃～２００℃である。また、この場合の反応時間は５～６０分間、好ましくは１０～３０分間とする。樹脂組成物の硬化条件が上記の反応時間の範囲および反応温度の範囲であれば、シリコーン樹脂の酸化分解が同時に起こらず、低分子量のシリコーン成分が生成せず、シリコーン移行性が高くならない。
　上記（１）および（２）の方法において、圧着は、クリーン度の高い環境下で実施されることが好ましい。圧着の方式としては、ロール式、プレス式などがある。圧着を実施する雰囲気は、大気圧雰囲気であっても良いが、気泡の混入を抑制するため、減圧雰囲気であることが好ましい。圧着を実施する温度は、室温よりも高い温度であっても良いが、樹脂層３２の劣化を防止するため、室温であることが好ましい。
　（積層体の製造方法）
　積層体の製造方法は、積層体ブロック１０を加工して積層体を得る加工工程を有する。
　図２は、図１の積層体ブロックの外周部を切断して得られる積層体の側面図である。図２において、積層体ブロックを加工して取り除かれる部分の形状を２点鎖線で示す。図３は、図２の積層体の外周部を面取りして得られる積層体の側面図である。図３において、面取り前の状態を２点鎖線で示す。図４は、図３の積層体の基板を表面研磨して得られる積層体の側面図である。図４において、表面研磨前の状態を２点鎖線で示す。
　加工工程は、積層体ブロック１０の外周部を切断して積層体１０Ａを得る切断工程（図２参照）と、積層体１０Ａの外周部を面取りして積層体１０Ｂを得る面取り工程（図３参照）と、積層体１０Ｂの基板を表面研磨して積層体１０Ｃを得る研磨工程（図４参照）とを有する。研磨工程後に得られる積層体１０Ｃは、必要に応じて、洗浄され、乾燥された後、電子デバイスの製造工程に供される。
　切断工程は、面取り工程における加工効率を高めるため、積層体ブロック１０の外周部を切断して、支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部を揃える工程である。ここで、「支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部を揃える」とは、積層体１０Ａの平面視にて、支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部が重なっていることを意味する。
　本実施形態の切断工程では、積層体ブロック１０のうち、支持板３４および樹脂層３２は、それぞれ、外周部が切断され、支持板３４Ａおよび樹脂層３２Ａとなる。これによって、図２に示すように、支持板３４Ａ、樹脂層３２Ａ、および基板２０のそれぞれの外周縁の全周または一部が揃う。従って、基板２０の外周部が切断されないので、切断工程における作業性が向上する。なお、切断工程の詳細については後述する。
　切断により得られる積層体１０Ａは、基板２０と、基板２０を補強する補強板３０Ａとを有する。補強板３０Ａは、基板２０に剥離可能に結合する樹脂層３２Ａと、樹脂層３２Ａを介して基板２０を支持する支持板３４Ａとで構成される。
　面取り工程は、耐衝撃性を向上するため、積層体１０Ａの外周部を面取りする工程である。この工程において、基板２０、樹脂層３２Ａおよび支持板３４Ａは、それぞれ、外周部が研削され、基板２０Ｂ、支持板３４Ｂおよび樹脂層３２Ｂとなる。
　面取りは、例えば、円板状の砥石の外周面を積層体１０Ａの外周部に当接した状態で、積層体１０Ａの外周部に沿って砥石を移動させながら、砥石の中心軸の周りに砥石を回転させて行われる。面取りは、Ｒ面取りであっても、Ｃ面取りであっても良く、面取りの種類に制限はない。積層体１０Ａの外周部のうち、面取りを施す部分は、外周が揃っている部分を含んでいれば良く、外周が揃っていない部分を含んでも良い。
　面取りを実施することで、研磨工程において、基板２０Ｂや研磨パッドが傷付くのを低減することも可能である。基板２０Ｂや研磨パッドが傷付くのを防止するため、また、耐衝撃性を高めるため、積層体１０Ａの外周部の全周を面取りすることが好ましく、この場合、切断工程において、支持板３４Ａ、樹脂層３２Ａ、および基板２０のそれぞれの外周を全周に亘って揃えておくことが好ましい。
　面取りにより得られる積層体１０Ｂは、基板２０Ｂと、基板２０Ｂを補強する補強板３０Ｂとを有する。補強板３０Ｂは、基板２０Ｂに剥離可能に結合する樹脂層３２Ｂと、樹脂層３２Ｂを介して基板２０Ｂを支持する支持板３４Ｂとで構成される。
　研磨工程は、基板表面の平坦度を高めるため、面取りにより得られる積層体１０Ｂの基板２０Ｂを表面研磨する工程である。この工程において、基板２０Ｂは、表面研磨され、基板２０Ｃとなる。
　研磨工程において、基板２０Ｂには、補強板３０Ｂが貼り付いているので、基板２０Ｂの変形が抑制される。基板２０Ｂを表面研磨する方法は、基板２０Ｂの種類に応じて選択される。例えば、ガラス基板の場合、セリア砥粒を用いた研磨が行われる。
　研磨により得られる積層体１０Ｃは、基板２０Ｃと、基板２０Ｃを補強する補強板３０Ｂとを有する。補強板３０Ｂは、基板２０Ｂに剥離可能に結合する樹脂層３２Ｂと、樹脂層３２Ｂを介して基板２０Ｃを支持する支持板３４Ｂとで構成される。
　なお、本実施形態では、加工工程は、切断工程と、面取り工程と、研磨工程とを有するとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、加工工程は、少なくとも切断工程を有していれば良く、面取り工程や研磨工程を有さなくても良い。
　次に、切断工程の詳細について、図５～図７に基づいて説明する。図５は、ステージ上に載置した積層体ブロックを一部透視して示す平面図、図６は、ステージ上に載置した積層体ブロックおよび加工ヘッドを一部破断して示す側面図である、図７は、別のステージ上に載置した積層体ブロックおよび挟持治具を示す側面図である。
　図５に示すように、切断工程において、積層体ブロック１０の基板２０の主面がステージ５０で支持されると共に、積層体ブロック１０の基板２０の外周縁がステージ５０上に設けられる位置決めブロック５１～５３に当接される。
　例えば、基板２０の下面がステージ５０の上面で支持されると共に、矩形状の基板２０の互いに垂直な２辺２１、２２が位置決めブロック５１～５３に当接される。その後、基板２０の残りの各辺２３、２４に、移動ブロック５４、５５が矢印方向から接近され、当接される。
　このように、切断工程の少なくとも一部（例えば、後述の切線３６を形成する工程）において、基板２０の外周縁が位置決めブロック５１～５３に当接されると、基板２０の外周縁とステージ５０との位置合わせ精度が良くなる。よって、基板２０の外周縁と、支持板３４Ａおよび樹脂層３２Ａの外周縁とが精度良く揃えられる。
　次いで、ステージ５０の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ５０の上面に基板２０が吸着される。ステージ５０の上面には、基板２０を保護するため、樹脂フィルムなどが設置されて良い。
　次いで、撮像装置がステージ５０上の積層体ブロック１０を撮像する。撮像された画像はコンピュータに送信される。コンピュータは、受信した画像を画像処理して、基板２０の外周縁と、ステージ５０との位置関係を検出する。
　次いで、コンピュータは、画像処理の結果に基づいて、積層体ブロック１０を加工する加工ヘッド６０をステージ５０に対して相対移動させる。加工ヘッド６０の移動軌跡は、平面視にて基板２０の外周縁と重なるように制御する。
　なお、本実施形態では、コンピュータは、加工ヘッド６０の移動軌跡を制御するため、画像処理の結果を利用するとしたが、その代わりに、ハードディスクなどの記録媒体などに予め記録されている基板２０の形状寸法に関する情報を利用しても良い。その場合、撮像装置が不要となる。
　加工ヘッド６０は、支持板３４の種類や厚さなどに応じて構成される。例えば、支持板３４が、ガラスやセラミックス、半導体などの脆性材料で構成されている場合、加工ヘッド６０は、図６に示すように、支持板３４の表面に切線３６を形成するものであって、カッタ６２などで構成される。
　カッタ６２は、例えば円板状であって、外周部がダイヤモンドや超鋼合金などで形成され、ホルダ６４に回転可能に支持されている。カッタ６２の外周部を支持板３４の表面に押し付けた状態で、ホルダ６４を支持板３４の面内方向に相対移動させると、カッタ６２が回転しながら、支持板３４の表面に切線３６を形成する。切線３６は、矩形状の基板２０の４辺２１～２４に対応して４本設けられ、それぞれ、平面視にて基板２０の対応する辺と重なるように形成される。各切線３６は、支持板３４の表面を分断するように、支持板３４の一辺から他辺まで伸びている。
　なお、本実施形態の加工ヘッド６０は、カッタ６２などで構成されるとしたが、レーザ光源などで構成されても良い。レーザ光源は、支持板３４の表面にスポット光を照射する。スポット光は、支持板３４の表面上で走査され、熱応力によって切線３６を形成する。
　なお、本実施形態の加工ヘッド６０は、支持板３４の表面に切線３６を形成するものであるとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持板３４が樹脂で構成されている場合、加工ヘッド６０は、支持板３４および樹脂層３２を分断するものであって良く、この場合、ナイフなどで構成される。一方、支持板３４がガラスや樹脂、金属などの比較的融点の低い材料で構成されている場合、加工ヘッド６０は、支持板３４および樹脂層３２を溶断するものであって良く、この場合、熱源（例えば、レーザ光源）などで構成される。
　加工ヘッド６０によって切線３６が形成された後、真空ポンプが作動停止され、吸着孔内が大気に開放され、吸着が解除される。次いで、移動ブロック５４、５５が基板２０から離間されると共に、基板２０が位置決めブロック５１～５３から離間される。その後、積層体ブロック１０は、ステージ５０から上方に持ち上げられ、別のステージ７０の上方に移送される。続いて、積層体ブロック１０は、下方に降ろされ、ステージ７０に載置される。
　次いで、図７に示すように、ステージ７０の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ７０の上面に基板２０が吸着させる。この状態では、ステージ７０の外側に、１本の切線３６がはみ出ている。
　次いで、１本の切線３６よりも外側の部分が、板厚方向に挟持治具７２で挟持される。この状態で、挟持治具７２が下方向に回動されると、支持板３４および樹脂層３２に曲げ応力が加わるので、１本の切線３６を起点として板厚方向にクラック３７が伸展し、支持板３４および樹脂層３２が一度に割断される。
　次いで、ステージ５０上での基板２０の吸着が解除され、積層体ブロック１０は、平行移動または９０°回動された後、再び吸着される。その後、他の１本の切線３６に沿って支持板３４および樹脂層３２が割断される。これを繰り返して、４本の切線３６に沿って支持板３４および樹脂層３２が割断される。
　なお、本実施形態では、割断を行うため、積層体ブロック１０が、ステージ５０から別のステージ７０に移送されるとしたが、同じステージ５０上で、平行移動または９０°回動された後、割断が行われても良い。
　（電子デバイスの製造方法）
　電子デバイスを製造する方法は、積層体１０Ｃの基板上に、所定の機能層（例えば、導電層）を形成する形成工程と、所定の機能層を形成した基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。なお、積層体１０Ｃの代わりに、積層体１０Ａや積層体１０Ｂを用いても良い。
　形成工程では、所定の機能膜を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法、蒸着法などが用いられる。また、機能層をパターン形成するため、レジスト液などのコーティング液が用いられる。
　剥離工程では、基板から補強板を剥離する方法として、例えば、補強板を構成する樹脂層と基板との間に剃刀などを刺入して隙間をつくった後、基板側と支持板側とを引き離す方法が用いられる。
　電子デバイスを製造する方法は、剥離工程の後、基板や機能層上に別の機能層を積層する工程をさらに有しても良い。
　また、電子デバイスを製造する方法は、所定の機能層を形成した２組の積層体１０Ｃを用いて、電子デバイスを組み立て、その後、２組の積層体１０Ｃの基板からそれぞれ補強板を剥離する方法であっても良い。
　次に、電子デバイスの製造方法の具体例について説明する。
　液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造方法は、例えば、積層体の基板上にＴＦＴなどを形成してＴＦＴ基板を作製するＴＦＴ基板作製工程と、別の積層体の基板上にＣＦなどを形成して、ＣＦ基板を作製するＣＦ基板作製工程とを有する。また、液晶パネルの製造方法は、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に液晶材を封止する組み立て工程と、各積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。
　ＴＦＴ基板作製工程やＣＦ基板作製工程では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＣＦ（カラーフィルタ）を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法などが用いられる。また、ＴＦＴやＣＦなどをパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。
　なお、ＴＦＴ基板作製工程やＣＦ基板作製工程の前に、積層体の基板表面が洗浄されても良い。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄が用いられる。
　組み立て工程では、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に、液晶材が注入される。液晶材を注入する方法としては、減圧注入法、滴下注入法がある。
　減圧注入法では、例えば、先ず、シール材およびスペーサ材を介して、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが貼り合わされ、大型パネルが作製される。このとき、ＴＦＴやＣＦが内側に配置されるように、大型パネルが作製され、複数のセルに切断される。次いで、各セルの内部が減圧雰囲気とされ、注入孔から各セルの内部に液晶材が注入された後、注入孔が封止される。続いて、各セルに、偏光板が貼り付けられ、バックライト等が組み付けられることで、液晶ディスプレイが製造される。
　滴下注入法では、例えば、先ず、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板のいずれか一方に液晶材が滴下され、その後、シール材およびスペーサ材を介して、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが貼り合わされ、大型パネルが作製される。このとき、ＴＦＴやＣＦが内側に配置されるように、大型パネルが作製される。その後、大型パネルは、複数のセルに切断される。続いて、セルに偏光板が貼り付けられ、バックライト等が組み付けられることで、液晶ディスプレイが製造される。
　剥離工程は、ＴＦＴ基板作製工程やＣＦ基板作製工程の後であって、組み立て工程の前に行われても良いし、組み立て工程の途中で行われても良い。剥離工程は、減圧注入法による組み立て工程の途中で行われる場合、大型パネルを作製した後であって、大型パネルを複数のセルに切断する前に行われても良いし、各セルに液晶材を封止した後であって、各セルに偏光板を貼り付ける前に行われても良い。また、剥離工程は、適下注入法による組み立て工程の途中で行われる場合、大型パネルを作製した後であって、大型パネルを複数のセルに切断する前に行われても良いし、大型パネルを複数のセルに切断した後であって、各セルに偏光板を貼り付ける前に行われても良い。
　有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）の製造方法は、例えば、積層体の基板上に、有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、有機ＥＬ素子が形成された基板と対向基板とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。
　有機ＥＬ素子形成工程では、有機ＥＬ素子を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法や蒸着法などが用いられる。また、有機ＥＬ素子をパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。有機ＥＬ素子は、例えば、透明電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などからなる。
　なお、有機ＥＬ素子形成工程の前に、必要に応じて、積層体の基板表面が洗浄されても良い。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄が用いられる。
　貼り合わせ工程では、有機ＥＬ素子が形成された基板が複数のセルに切断され、各セルに対向基板が貼り付けられることで、有機ＥＬディスプレイが作製される。
　剥離工程は、例えば、有機ＥＬ素子形成工程の後であって、貼り合わせ工程の前に行われても良いし、貼り合わせ工程の途中や後で行われても良い。
　太陽電池の製造方法は、例えば、積層体の基板上に、太陽電池素子を形成する太陽電池素子形成工程と、積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。
　太陽電池素子形成工程では、太陽電池素子を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法や蒸着法などが用いられる。また、太陽電池素子をパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。太陽電池素子は、例えば、透明電極層、半導体層などからなる。
　剥離工程は、例えば、太陽電池素子形成工程の後に行われる。
　以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
　例えば、図１に示す積層体ブロック１０では、基板２０の側面が基板２０の主面に対して垂直な面となっているが、本発明はこれに限定されない。例えば、図８に示す積層体ブロック１１０のように、基板１２０の側面が丸く面取りされていても良い。図８に示す積層体ブロック１１０では、積層体ブロック１１０の側面にある凹み１１２が、切断工程の後にある程度残るので、面取り工程で凹み１１２を除去する。
　本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１０年１２月２８日出願の日本特許出願２０１０－２９３２４８に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
１０　　積層体ブロック
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ　積層体
２０　　基板
２１～２４　基板の外周縁（基板の４辺）
３０、３０Ａ　補強板
３２、３２Ａ　樹脂層
３４、３４Ａ　支持板
５０　　ステージ
５１～５３　位置決めブロック
７０　　ステージ
７２　　挟持治具

Claims (5)

  1. 　基板と、該基板を補強する補強板とを有する積層体ブロックを加工して積層体を得る加工工程を有する積層体の製造方法であって、
    　前記補強板は、前記基板に剥離可能に結合する樹脂層および該樹脂層を介して前記基板を支持する支持板で構成され、
    　前記積層体ブロックは、支持板の外形および樹脂層の外形がそれぞれ基板の外形よりも大きくなるよう形成されており、
    　前記加工工程は、前記積層体ブロックのうち、前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、前記支持板、前記樹脂層および前記基板のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃える切断工程を有する積層体の製造方法。
  2. 　前記切断工程の少なくとも一部において、前記積層体ブロックの前記基板の主面をステージで支持すると共に、前記積層体ブロックの前記基板の外周縁を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させる請求項１に記載の積層体の製造方法。
  3. 　前記支持板は、脆性材料で構成されており、
    　前記切断工程において、前記積層体ブロックの前記支持板の表面に切線を形成した後、該切線に沿って、前記積層体ブロックの前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を割断する請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
  4. 　前記加工工程は、前記積層体ブロックを切断して得られる前記積層体の外周部を面取りする面取り工程をさらに有する請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
  5. 　前記加工工程は、面取りにより得られる前記積層体の基板を表面研磨する研磨工程をさらに有する請求項４に記載の積層体の製造方法。
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