KR101900971B1 - 적층체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖는 적층체 블록을 가공하여 적층체를 얻는 가공 공정을 갖는 적층체의 제조 방법이며, 상기 보강판은 상기 기판에 박리 가능하게 결합되는 수지층 및 그 수지층을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판으로 구성되고, 상기 적층체 블록은 지지판의 외형 및 수지층의 외형이 각각 기판의 외형보다 커지도록 형성되어 있고, 상기 가공 공정은 상기 적층체 블록 중, 상기 지지판 및 상기 수지층의 각각의 외주부를 절단하여, 상기 지지판, 상기 수지층 및 상기 기판의 각각의 외주연의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는 절단 공정을 갖는 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

적층체의 제조 방법{PROCESS FOR PRODUCTION OF LAMINATE}
본 발명은 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD)나 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등의 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스는, 박형화, 경량화가 요망되고 있어, 이들 전자 디바이스에 사용되는 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강성이 낮아지면, 기판의 핸들링성이 나빠진다. 덧붙여, 박판화에 의해 기판의 두께가 변하면, 기존의 설비를 사용한 전자 디바이스의 제조가 곤란해진다.
따라서, 기판에 보강판을 부착하여 적층체 블록으로 하고, 적층체 블록의 기판 상에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하고, 그 후, 적층체 블록의 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 상기 방법에 의하면, 기판의 핸들링성을 확보할 수 있고, 또한, 기존의 설비를 사용한 박형의 전자 디바이스를 제조할 수 있다.
보강판은, 기판에 박리 가능하게 결합되는 수지층과, 수지층을 개재하여 기판을 지지하는 지지판을 갖는다. 수지층은, 유동성을 갖는 수지 조성물을 지지판 상에 도포하고, 경화시켜서 형성된다. 수지 조성물은, 예를 들어 실리콘 수지 조성물이며, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하고, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화된다. 이 수지 조성물이 경화물을 포함하여 이루어지는 수지층은, 내열성이나 박리 용이성이 우수하다.
일본 특허 공개 제2007-326358호 공보
도 9에, 종래의 적층체 블록의 측면도를 나타낸다. 적층체 블록(1)은 기판(2)과, 기판(2)을 보강하는 보강판(3)을 갖는다. 보강판(3)은 기판(2)에 박리 가능하게 결합되는 수지층(4)과, 수지층(4)을 개재하여 기판(2)을 지지하는 지지판(5)을 갖는다.
적층체 블록(1)은 수지 조성물의 도포 불균일에 기인하는, 수지층(4)의 두께 불균일(6)을 갖는다. 이 두께 불균일(6)은 수지층(4)의 외주연 근방에서 현저해서, 수지층(4)에 결합되는 기판(2)을 왜곡시키는 경우가 있었다.
또한, 적층체 블록(1)은 기판(2)이나 지지판(5)이 내충격성 관점에서, 모따기되어 있고, 또한, 수지층(4)의 외형이 기판(2)의 외형보다 작게 형성되어 있으므로, 오목부(7)를 측면에 갖는다.
적층체 블록(1)은 전자 디바이스의 제조 공정에 제공되어, 도전층 등의 기능층이 기판(2) 위에 패턴 형성된다. 기능층의 패턴 형성에는, 레지스트액 등의 코팅액이 사용되는 경우가 많다.
코팅액은, 적층체 블록(1)의 측면의 오목부(7)에 모관 현상에 의해 인입되면, 세정으로도 제거되기 어렵고, 건조 후에 이물로서 남기 쉽다. 이 이물은, 후속 공정에서 가열되었을 때, 기능층 등을 오염시키는 오염원이 되므로, 전자 디바이스의 수율을 저하시킨다.
따라서, 오목부(7)의 제거, 내충격성의 향상 등을 목적으로 하여, 적층체 블록(1)을 미리 가공해 두는 것을 생각할 수 있다. 가공의 종류로서는, 절단(용단이나 할단을 포함)이나 모따기, 연마 등이 있지만, 모따기 전에, 가공 효율 관점에서, 절단을 행하고, 지지판(5), 수지층(4) 및 기판(2) 각각의 외주연의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는 것이 바람직하다.
그러나, 지지판(5), 수지층(4) 및 기판(2)의 전부를 절단하고자 하면, 작업성에 문제가 있다.
특히, 지지판(5) 및 기판(2)의 양쪽이 취성 재료로 구성되는 경우, 지지판(5) 및 기판(2)의 양쪽 표면에 홈 형상의 절선을 형성하고, 각 절선이 개방되도록 적층체 블록(1)에 굽힘 응력을 가하여, 적층체 블록(1)을 양측으로부터 절단하므로, 작업성에 문제가 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 전기 디바이스의 제조에 적합한 적층체를 효율적으로 제조할 수 있는, 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 해결하기 위해서, 본 발명은 기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖는 적층체 블록을 가공하여 적층체를 얻는 가공 공정을 갖는 적층체의 제조 방법이며,
상기 보강판은, 상기 기판에 박리 가능하게 결합되는 수지층 및 상기 수지층을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판으로 구성되고,
상기 적층체 블록은, 지지판의 외형 및 수지층의 외형이 각각 기판의 외형보다 커지도록 형성되어 있고,
상기 가공 공정은, 상기 적층체 블록 중, 상기 지지판 및 상기 수지층의 각각의 외주부를 절단하여, 상기 지지판, 상기 수지층 및 상기 기판의 각각의 외주연의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는 절단 공정을 갖는 적층체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 절단 공정의 적어도 일부에 있어서, 상기 적층체 블록의 상기 기판의 주면을 스테이지로 지지함과 함께, 상기 적층체 블록의 상기 기판의 외주연을 상기 스테이지 상에 설치되는 위치 결정 블록에 접촉시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 지지판은 취성 재료로 구성되어 있고, 상기 절단 공정에 있어서, 상기 적층체 블록의 상기 지지판의 표면에 절선을 형성한 후, 상기 절선을 따라, 상기 적층체 블록의 상기 지지판 및 상기 수지층의 각각의 외주부를 할단하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 가공 공정은 상기 적층체 블록을 절단하여 얻어지는 상기 적층체의 외주부를 모따기하는 모따기 공정을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 가공 공정은, 모따기에 의해 얻어지는 상기 적층체의 기판을 표면 연마하는 연마 공정을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 전기 디바이스의 제조에 적합한 적층체를 효율적으로 제조할 수 있는, 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도이다.
도 2는, 도 1의 적층체 블록의 외주부를 절단하여 얻어지는 적층체의 측면도이다.
도 3은, 도 2의 적층체의 외주부를 모따기하여 얻어지는 적층체의 측면도이다.
도 4는, 도 3의 적층체의 기판을 표면 연마하여 얻어지는 적층체의 측면도이다.
도 5는, 스테이지 상에 적재한 적층체 블록을 일부 투시하여 도시하는 평면도이다.
도 6은, 스테이지 상에 적재한 적층체 블록 및 가공 헤드를 일부 파단하여 도시하는 측면도이다.
도 7은, 다른 스테이지 상에 적재한 적층체 블록 및 끼움 지지 지그를 도시하는 측면도이다.
도 8은, 도 1의 적층체 블록의 변형예를 도시하는 측면도이다.
도 9는, 종래의 적층체 블록의 측면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하는데, 각 도면에 있어서, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙인다.
(적층체)
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 적층체 블록(10)은 기판(20)과, 기판(20)을 보강하는 보강판(30)을 갖는다. 보강판(30)은 기판(20)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(32)과, 수지층(32)을 개재하여 기판(20)을 지지하는 지지판(34)으로 구성된다.
적층체 블록(10)은 가공된 후, 기판(20)을 제품 구조의 일부로서 갖는 제품의 제조에 사용된다. 보강판(30)은 제품의 제조 공정 도중에, 기판(20)으로부터 박리되어 제품 구조의 일부로는 되지 않는다. 제품으로서는, 예를 들어 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스를 들 수 있다.
적층체 블록(10)은 종래의 기판(보강판에 의해 보강되어 있지 않은 기판)을 처리하는 처리 설비를 사용하여 전자 디바이스를 제조하기 때문에, 종래의 기판과 대략 동일한 두께를 가져도 된다. 이하, 도 1에 기초하여, 각 구성에 대하여 설명한다.
(기판)
기판(20)은 전자 디바이스용 기판이다. 기판(20)의 표면에는, 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)이 형성된다. 기능층의 종류는, 전자 디바이스의 종류에 따라 선택되고, 복수의 기능층이 기판(20) 위에 순차 적층되어도 된다.
기판(20)의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리 기판, 세라믹스 기판, 수지 기판, 금속 기판, 반도체 기판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한, 선 팽창 계수가 작기 때문이다. 선 팽창 계수가 크면, 전자 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 여러 가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 가열 하에서 TFT(박막 트랜지스터)가 형성된 기판(20)을 냉각하면, 기판(20)의 열 수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.
유리 기판의 유리로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리 등을 들 수 있다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90 질량％인 유리가 바람직하다.
유리 기판의 유리로서는, 전자 디바이스의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함하여 이루어진다. 이와 같이, 유리 기판의 유리는, 적용되는 전자 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.
전자 디바이스의 특성으로서, 가요성이 요구되는 경우, 기판(20)으로서는 수지 기판이 사용된다. 수지 기판의 수지는, 결정성 수지이어도 되고, 비결정성 수지이어도 되며, 특별히 한정되지 않는다.
상기 결정성 수지로서는, 예를 들어 열가소성 수지인 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 또는 신디오택틱폴리스티렌 등을 들 수 있고, 열 경화성 수지로는 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤, 액정 중합체, 불소 수지, 또는 폴리에테르니트릴 등을 들 수 있다.
상기 비결정성 수지로서, 예를 들어 열 가소성 수지인 폴리카르보네이트, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리시클로헥센, 또는 폴리노르보르넨계 수지 등을 들 수 있고, 열경화성 수지로는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 또는 열가소성 폴리이미드를 들 수 있다.
수지 기판의 수지로서는, 비결정성이고 열가소성인 수지가 특히 바람직하다.
기판(20)의 두께는 기판(20)의 종류에 따라 설정된다. 예를 들어, 유리 기판의 경우, 전자 디바이스의 경량화, 박판화 때문에, 바람직하게는 0.7mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.3mm 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.1mm 이하이다.
기판(20)의 외주면은, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(20)의 주면에 대하여 수직인 면으로 되어 있다. 이에 의해, 기판(20)과 수지층(32) 사이에 간극이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 후술하는 모따기 공정에서, 간극의 주변이 빠지는 것을 억제할 수 있다.
(수지층)
수지층(32)은 기판(20)에 밀착되면, 박리 조작이 행해질 때까지 기판(20)의 위치 어긋남을 방지한다. 수지층(32)은 박리 조작에 의해 기판(20)으로부터 용이하게 박리된다. 용이하게 박리됨으로써, 기판(20)의 파손을 방지할 수 있고, 또한, 의도하지 않는 위치에서의 박리를 방지할 수 있다.
수지층(32)은 지지판(34)과의 결합력이, 기판(20)과의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성된다(형성 방법의 상세한 것은 후술). 이에 의해, 박리 조작이 행해질 때, 적층체 블록(10)이 의도하지 않는 위치에서 박리되는 것을 방지할 수 있다.
수지층(32)과 기판(20) 사이에서의 초기 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 의존한다. 예를 들어, 기판(20)에 판 두께 0.05mm의 폴리이미드 필름(도레이·듀퐁사제, 캡톤 200HV)을 사용한 경우, 하기의 박리 시험에서, 초기 박리 강도의 하한값은 0.3N/25mm, 바람직하게는 0.5N/25mm, 더욱 바람직하게는 1N/25mm이다. 또한, 초기 박리 강도의 상한값은 10N/25mm, 바람직하게는 5N/25mm이다. 여기서, 「초기 박리 강도」란, 적층체 블록(10)의 제작 직후의 박리 강도를 말하고, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.
초기 박리 강도가 0.3N/25mm 이상이면 의도하지 않는 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 초기 박리 강도가 10N/25mm 이하이면, 수지층(32)과 기판(20)의 위치 관계를 수정하는 경우 등에, 기판(20)으로부터 수지층(32)을 박리하는 것이 용이해진다.
또한, 박리 시험은, 다음의 측정 방법에 의해 나타난다.
세로 25mm×가로 75mm의 지지판(34) 상의 전체면에 수지층(32)을 형성하고, 세로 25mm×가로 50mm의 기판(20)을 지지판(34)과 기판(20) 중 한쪽의 세로 면이 정렬되도록 적층한 물질을 평가 샘플로 한다. 그리고, 이 샘플의 기판(20)의 수지층측의 면에 대향하는 면을 양면 테이프로 검사대의 단에 고정한 다음, 밀려나오고 있는 지지판(25×25mm)의 중앙부를, 디지털 포스 게이지를 사용하여 수직으로 올려서 박리 강도를 측정한다.
수지층(32)과 기판(20) 사이에서의 가열 후의 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 의하는데, 상기 박리 시험에서, 예를 들어 8.5N/25mm 이하인 것이 바람직하고, 7.8N/25mm 이하가 더욱 바람직하고, 4.5N/25mm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 「가열 후의 박리 강도 」란, 수지층(32)이 350℃(박막 트랜지스터를 구성하는 아몰퍼스 실리콘층의 형성 온도에 상당)로 가열된 후에, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.
가열 후의 박리 강도가 0.3N/25mm 이상이면 의도하지 않는 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 가열 후의 박리 강도가 10N/25mm 이하이면, 기판(20)으로부터 수지층(32)을 박리하는 것이 용이해진다.
수지층(32)의 수지는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지층(32)의 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 몇 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 내열성이나 박리성 관점에서, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지가 바람직하다.
수지층(32)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 7 내지 20㎛이다. 수지층(32)의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 수지층(32)과 기판(20) 사이에 기포나 이물이 혼입된 경우에, 기판(20)의 변형을 억제할 수 있다. 또한, 수지층(32)의 두께를 5㎛로 함으로써 클린 룸 내에서 발생하기 쉬운 수㎛ 단위의 이물(섬유, 수지의 경화 불균일에 의해 발생하는 이물)이 수지층(32) 중에 매립되기 쉬운 점에서 바람직하다. 한편, 수지층(32)의 두께가 50㎛ 이하이면, 수지층(32)의 형성 시간을 단축시킬 수 있고, 또한 수지층(32)의 수지를 필요 이상으로 사용하지 않기 때문에 경제적이다.
수지층(32)의 외형은, 기판(20)의 외형보다 크게 형성된다. 이에 의해, 수지층(32)의 평탄 부분에 기판(20)을 부착하는 것이 가능하여, 기판(20)의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 기판(20)의 왜곡을 충분히 저감시키기 위해서, 수지층(32)의 외주연으로부터 15mm 이내(더욱 바람직하게는 20mm 이내, 가장 바람직하게는 25mm이내)의 영역에 기판(20)을 부착하지 않는 것이 바람직하다. 수지층(32)의 외주연으로부터 15mm 이내의 영역에서는, 수지 조성물의 도포 불균일에 기인하는 두께 불균일(12)이 현저하기 때문이다.
(지지판)
지지판(34)은 수지층(32)을 개재하여 기판(20)을 지지하여 보강한다. 지지판(34)은 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서의 기판(20)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.
지지판(34)의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리판, 세라믹스 판, 수지판, 반도체 판, 금속판, 유리/수지 복합판 등이 사용된다. 지지판(34)의 종류는 전자 디바이스의 종류나 기판(20)의 종류 등에 따라 선정되고, 기판(20)과 동종이면, 지지판(34)과 기판(20)의 열팽창 차가 작으므로, 가열에 의한 휨의 발생을 억제할 수 있다.
지지판(34)과 기판(20)의 평균 선 팽창 계수의 차(절대값)는 기판(20)의 외형 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 35×10-7/℃ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 「평균 선 팽창 계수」란, 50 내지 300℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선 팽창 계수(JIS R 3102: 1995)를 말한다.
지지판(34)의 두께는, 특별히 한정되지 않고 적층체 블록(10)을 기존의 처리 설비에 적합하게 하기 위해서, 0.7mm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 지지판(34)의 두께는 기판(20)을 보강하기 위해서 0.4mm 이상인 것이 바람직하다. 지지판(34)은 기판(20)보다 두꺼워도 되고 얇아도 된다.
지지판(34)의 외형은 기판(20)의 외형보다 크게 형성되고, 수지층(32)의 외형과 동등, 또는 수지층(32)의 외형보다 크게 형성된다.
(적층체 블록의 제조 방법)
적층체 블록(10)을 제조하는 방법으로서는, (1) 지지판(34) 위에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서, 수지층(32)을 형성한 후, 수지층(32) 위에 기판(20)을 압착하는 방법, (2) 소정의 기재 상에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서 수지층(32)을 형성한 후, 수지층(32)을 소정의 기재로부터 박리하고, 필름 형태로, 기판(20)과 지지판(34) 사이에 끼워서 압착하는 방법, (3) 기판(20)과 지지판(34) 사이에 수지 조성물을 끼우고, 경화시켜서 수지층(32)을 형성하는 방법 등이 있다.
상기 (1)의 방법에서는, 수지 조성물이 경화할 때, 수지 조성물이 지지판(34)과 상호 작용하므로, 지지판(34)과 수지층(32)의 결합력이, 수지층(32)과 기판(20)의 결합력보다 높아지기 쉽다.
상기 (2)의 방법은, 수지층(32)의 압착 후의 결합력이, 기판(20)에 대하여 낮고, 지지판(34)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지층(32)과의 접촉 전에, 기판(20) 또는 지지판(34)의 표면을 표면 처리하고, 수지층(32)과의 압착 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.
상기 (3)의 방법은, 수지 조성물의 경화 후의 결합력이, 기판(20)에 대하여 낮고, 지지판(34)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지 조성물과의 접촉 전에, 기판(20) 또는 지지판(34)의 표면을 표면 처리하고, 수지 조성물의 경화 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.
상기 (1) 내지 (3)의 방법에 있어서, 수지 조성물의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물은, 경화 기구에 따라, 축합 반응형, 부가 반응형, 자외선 경화형, 전자선 경화형으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형이 바람직하다. 경화 반응의 용이함, 수지층(32)을 형성했을 때에 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.
또한, 수지 조성물은 형태에 따라, 용제형, 에멀전형, 무용제형으로 분류되지만 모두 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 그 이유는, 생산성, 환경 특성 면이 우수하기 때문이다. 또한, 그 이유는, 수지층(32)을 형성할 때의 경화시, 즉, 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화시에 발포를 발생하는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층(32) 중에 기포가 잔류되기 어렵기 때문이다.
부가 반응형이며, 또한, 무용제형인 실리콘 수지 조성물로서는, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하는 경우가 있다. 이 실리콘 수지 조성물은, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화되어 실리콘 수지층이 된다.
수지 조성물의 도포 방법은, 예를 들어 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등이 있다. 이들 도포 방법은 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택된다.
수지 조성물의 도포 시공량은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물의 경우, 바람직하게는 1 내지 100g/m2, 더욱 바람직하게는 5 내지 20g/m2이다.
수지 조성물의 경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물로 하고, 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여 백금계 촉매를 2질량부 배합한 경우, 대기 중에서 가열하는 온도는 50℃ 내지 250℃, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃이다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 내지 60분간, 바람직하게는 10 내지 30분간으로 한다. 수지 조성물의 경화 조건이 상기 반응 시간의 범위 및 반응 온도 범위이면, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나지 않고, 저분자량 실리콘 성분이 생성되지 않아, 실리콘 이행성이 높아지지 않는다.
상기 (1) 및 (2)의 방법에서, 압착은 클린도가 높은 환경 하에서 실시되는 것이 바람직하다. 압착 방식으로서는, 롤식, 프레스식 등이 있다. 압착을 실시하는 분위기는, 대기압 분위기이어도 되지만, 기포의 혼입을 억제하기 위해서, 감압 분위기인 것이 바람직하다. 압착을 실시하는 온도는, 실온보다 높은 온도이어도 되지만, 수지층(32)의 열화를 방지하기 위해서, 실온인 것이 바람직하다.
(적층체의 제조 방법)
적층체의 제조 방법은, 적층체 블록(10)을 가공하여 적층체를 얻는 가공 공정을 갖는다.
도 2는, 도 1의 적층체 블록의 외주부를 절단하여 얻어지는 적층체의 측면도이다. 도 2에 있어서, 적층체 블록을 가공하여 제거되는 부분의 형상을 2점 쇄선으로 나타낸다. 도 3은, 도 2의 적층체의 외주부를 모따기하여 얻어지는 적층체의 측면도이다. 도 3에 있어서, 모따기 전의 상태를 2점 쇄선으로 나타낸다. 도 4는, 도 3의 적층체의 기판을 표면 연마하여 얻어지는 적층체의 측면도이다. 도 4에 있어서, 표면 연마 전의 상태를 2점 쇄선으로 나타낸다.
가공 공정은, 적층체 블록(10)의 외주부를 절단하여 적층체(10A)를 얻는 절단 공정(도 2 참조)과, 적층체(10A)의 외주부를 모따기하여 적층체(10B)를 얻는 모따기 공정(도 3 참조)과, 적층체(10B)의 기판을 표면 연마하여 적층체(10C)를 얻는 연마 공정(도 4 참조)을 갖는다. 연마 공정 후에 얻어지는 적층체(10C)는 필요에 따라, 세정되어 건조된 후, 전자 디바이스의 제조 공정에 제공된다.
절단 공정은, 모따기 공정에서의 가공 효율을 높이기 위해서, 적층체 블록(10)의 외주부를 절단하고, 지지판, 수지층 및 기판 각각의 외주의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는 공정이다. 여기서, 「지지판, 수지층 및 기판 각각의 외주의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는」이란, 적층체(10A)의 평면에서 보아, 지지판, 수지층 및 기판 각각의 외주의 전체 둘레 또는 일부가 겹치고 있는 것을 의미한다.
본 실시 형태의 절단 공정에서는, 적층체 블록(10) 중, 지지판(34) 및 수지층(32)은 각각 외주부가 절단되어 지지판(34A) 및 수지층(32A)이 된다. 이에 의해, 도 2에 도시한 바와 같이, 지지판(34A), 수지층(32A) 및 기판(20) 각각의 외주연의 전체 둘레 또는 일부가 정렬된다. 따라서, 기판(20)의 외주부가 절단되지 않으므로, 절단 공정에서의 작업성이 향상된다. 또한, 절단 공정의 상세에 대해서는 후술한다.
절단에 의해 얻어지는 적층체(10A)는, 기판(20)과, 기판(20)을 보강하는 보강판(30A)을 갖는다. 보강판(30A)은, 기판(20)에 박리 가능하게 결합되는 수지층(32A)과, 수지층(32A)을 개재하여 기판(20)을 지지하는 지지판(34A)으로 구성된다.
모따기 공정은 내충격성을 향상시키기 위해서, 적층체(10A)의 외주부를 모따기하는 공정이다. 이 공정에 있어서, 기판(20), 수지층(32A) 및 지지판(34A)은 각각 외주부가 연삭되어 기판(20B), 지지판(34B) 및 수지층(32B)이 된다.
모따기는, 예를 들어 원판 형상의 지석의 외주면을 적층체(10A)의 외주부에 접촉한 상태에서, 적층체(10A)의 외주부를 따라 지석을 이동시키면서, 지석의 중심축의 주위에 지석을 회전시켜서 행해진다. 모따기는, R모따기이어도, C모따기이어도 되며, 모따기의 종류에 제한은 없다. 적층체(10A)의 외주부 중, 모따기를 실시하는 부분은 외주가 정렬되어 있는 부분을 포함하고 있으면 되고, 외주가 정렬되어 있지 않은 부분을 포함해도 된다.
모따기를 실시함으로써, 연마 공정에 있어서, 기판(20B)이나 연마 패드가 손상되는 것을 저감시키는 것도 가능하다. 기판(20B)이나 연마 패드가 손상되는 것을 방지하기 위해서, 또한, 내충격성을 높이기 위해서, 적층체(10A)의 외주부의 전체 둘레를 모따기하는 것이 바람직하고, 이 경우, 절단 공정에 있어서, 지지판(34A), 수지층(32A) 및 기판(20) 각각의 외주를 전체 둘레에 걸쳐서 정렬시켜 두는 것이 바람직하다.
모따기에 의해 얻어지는 적층체(10B)는, 기판(20B)과, 기판(20B)을 보강하는 보강판(30B)을 갖는다. 보강판(30B)은, 기판(20B)에 박리 가능하게 결합되는 수지층(32B)과, 수지층(32B)을 개재하여 기판(20B)을 지지하는 지지판(34B)으로 구성된다.
연마 공정은, 기판 표면의 평탄도를 높이기 위해서, 모따기에 의해 얻어지는 적층체(10B)의 기판(20B)을 표면 연마하는 공정이다. 이 공정에 있어서, 기판(20B)은 표면 연마되어 기판(20C)이 된다.
연마 공정에 있어서, 기판(20B)에는 보강판(30B)이 부착되어 있으므로, 기판(20B)의 변형이 억제된다. 기판(20B)을 표면 연마하는 방법은, 기판(20B)의 종류에 따라 선택된다. 예를 들어, 유리 기판의 경우, 세리아 지립을 사용한 연마가 행해진다.
연마에 의해 얻어지는 적층체(10C)는 기판(20C)과, 기판(20C)을 보강하는 보강판(30B)을 갖는다. 보강판(30B)은 기판(20B)에 박리 가능하게 결합되는 수지층(32B)과, 수지층(32B)을 개재하여 기판(20C)을 지지하는 지지판(34B)으로 구성된다.
또한, 본 실시 형태에서는 가공 공정은, 절단 공정과, 모따기 공정과, 연마 공정을 가진다고 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 즉, 가공 공정은, 적어도 절단 공정을 갖고 있으면 되고, 모따기 공정이나 연마 공정을 갖지 않아도 된다.
이어서, 절단 공정의 상세에 대해서, 도 5 내지 도 7에 기초하여 설명한다. 도 5는 스테이지 상에 적재된 적층체 블록을 일부 투시하여 도시하는 평면도이고, 도 6은 스테이지 상에 적재된 적층체 블록 및 가공 헤드를 일부 파단하여 도시하는 측면도이고, 도 7은 다른 스테이지 상에 적재한 적층체 블록 및 끼움 지지 지그를 도시하는 측면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 절단 공정에 있어서, 적층체 블록(10)의 기판(20)의 주면이 스테이지(50)로 지지됨과 함께, 적층체 블록(10)의 기판(20)의 외주연이 스테이지(50) 상에 설치되는 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉된다.
예를 들어, 기판(20)의 하면이 스테이지(50)의 상면에서 지지됨과 함께, 직사각 형상의 기판(20)의 서로 수직인 2변(21, 22)이 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉된다. 그 후, 기판(20)의 나머지의 각 변(23, 24)에 이동 블록(54, 55)이 화살표 방향으로부터 접근하여 접촉된다.
이와 같이, 절단 공정의 적어도 일부[예를 들어, 후술하는 절선(36)을 형성하는 공정]에 있어서, 기판(20)의 외주연이 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉되면, 기판(20)의 외주연과 스테이지(50)의 위치 정렬 정밀도가 좋아진다. 따라서, 기판(20)의 외주연과, 지지판(34A) 및 수지층(32A)의 외주연이 고정밀도로 정렬된다.
계속해서, 스테이지(50)의 상면에 복수 설치되는 흡착 구멍 내가 진공 펌프 등에서 감압되어, 스테이지(50)의 상면에 기판(20)이 흡착된다. 스테이지(50)의 상면에는 기판(20)을 보호하기 위해서, 수지 필름 등이 설치되면 좋다.
계속해서, 촬상 장치가 스테이지(50) 상의 적층체 블록(10)을 촬상한다. 촬상된 화상은 컴퓨터에 송신된다. 컴퓨터는 수신한 화상을 화상 처리하고, 기판(20)의 외주연과, 스테이지(50)의 위치 관계를 검출한다.
계속해서, 컴퓨터는, 화상 처리 결과에 기초하여, 적층체 블록(10)을 가공하는 가공 헤드(60)를 스테이지(50)에 대하여 상대 이동시킨다. 가공 헤드(60)의 이동 궤적은, 평면에서 보아 기판(20)의 외주연과 겹치도록 제어한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 컴퓨터는 가공 헤드(60)의 이동 궤적을 제어하기 위해서, 화상 처리 결과를 이용한다고 했지만, 그 대신, 하드 디스크 등의 기록 매체 등에 미리 기록되어 있는 기판(20)의 형상 치수에 관한 정보를 이용해도 된다. 그 경우, 촬상 장치가 불필요하게 된다.
가공 헤드(60)는 지지판(34)의 종류나 두께 등에 따라 구성된다. 예를 들어, 지지판(34)이 유리나 세라믹스, 반도체 등의 취성 재료로 구성되어 있는 경우, 가공 헤드(60)는 도 6에 도시한 바와 같이, 지지판(34)의 표면에 절선(36)을 형성하는 것이며, 커터(62) 등으로 구성된다.
커터(62)는 예를 들어 원판 형상이며, 외주부가 다이아몬드나 초강 합금 등으로 형성되고, 홀더(64)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 커터(62)의 외주부를 지지판(34)의 표면에 가압한 상태에서, 홀더(64)를 지지판(34)의 면내 방향으로 상대 이동시키면, 커터(62)가 회전하면서, 지지판(34)의 표면에 절선(36)을 형성한다. 절선(36)은 직사각 형상의 기판(20)의 4변(21 내지 24)에 대응해서 4개 설치되고, 각각 평면에서 보아 기판(20)이 대응하는 변과 겹치게 형성된다. 각 절선(36)은 지지판(34)의 표면을 분단하도록, 지지판(34)의 1변부터 타변까지 신장되어 있다.
또한, 본 실시 형태의 가공 헤드(60)는 커터(62) 등으로 구성된다고 했지만, 레이저 광원 등으로 구성되어도 된다. 레이저 광원은, 지지판(34)의 표면에 스폿 광을 조사한다. 스폿 광은, 지지판(34)의 표면 상에 주사되어, 열 응력에 의해 절선(36)을 형성한다.
또한, 본 실시 형태의 가공 헤드(60)는 지지판(34)의 표면에 절선(36)을 형성하는 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 지지판(34)이 수지로 구성되어 있는 경우, 가공 헤드(60)는 지지판(34) 및 수지층(32)을 분단하는 것이면 되고, 이 경우, 나이프 등으로 구성된다. 한편, 지지판(34)이 유리나 수지, 금속 등의 비교적 융점이 낮은 재료로 구성되어 있는 경우, 가공 헤드(60)는 지지판(34) 및 수지층(32)을 용단하는 것이며 되고, 이 경우, 열원(예를 들어, 레이저 광원) 등으로 구성된다.
가공 헤드(60)에 의해 절선(36)이 형성된 후, 진공 펌프가 작동 정지되고, 흡착 구멍 내가 대기로 개방되어 흡착이 해제된다. 계속해서, 이동 블록(54, 55)이 기판(20)으로부터 이격됨과 함께, 기판(20)이 위치 결정 블록(51 내지 53)으로부터 이격된다. 그 후, 적층체 블록(10)은 스테이지(50)로부터 상방으로 들어 올릴 수 있고, 다른 스테이지(70)의 상방으로 이송된다. 계속해서, 적층체 블록(10)은 하방으로 내려져서, 스테이지(70)에 적재된다.
계속해서, 도 7에 도시한 바와 같이, 스테이지(70)의 상면에 복수 설치되는 흡착 구멍 내가 진공 펌프 등에서 감압되어, 스테이지(70)의 상면에 기판(20)을 흡착시킨다. 이 상태에서는, 스테이지(70)의 외측에, 1개의 절선(36)이 밀려 나오고 있다.
계속해서, 1개의 절선(36)보다 외측의 부분이, 판 두께 방향으로 끼움 지지 지그(72)로 끼움 지지된다. 이 상태에서, 끼움 지지 지그(72)가 하측 방향으로 회동되면, 지지판(34) 및 수지층(32)에 굽힘 응력이 겹치므로, 1개의 절선(36)을 기점으로 하여 판 두께 방향으로 균열(37)이 신장되어, 지지판(34) 및 수지층(32)이 한번에 할단된다.
계속해서, 스테이지(70) 상에서의 기판(20)의 흡착이 해제되고, 적층체 블록(10)은 평행 이동 또는 90° 회동된 후, 다시 흡착된다. 그 후, 다른 1개의 절선(36)을 따라 지지판(34) 및 수지층(32)이 할단된다. 이것을 반복하고, 4개의 절선(36)을 따라 지지판(34) 및 수지층(32)이 할단된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 할단을 행하기 위해서, 적층체 블록(10)이 스테이지(50)로부터 별도의 스테이지(70)로 이송되는 것으로 했지만, 동일한 스테이지(50) 상에서, 평행 이동 또는 90° 회동된 후, 할단이 행해져도 된다.
(전자 디바이스의 제조 방법)
전자 디바이스를 제조하는 방법은, 적층체(10C)의 기판 상에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하는 형성 공정과, 소정의 기능층을 형성한 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다. 또한, 적층체(10C) 대신에 적층체(10A)나 적층체(10B)를 사용해도 된다.
형성 공정에서는, 소정의 기능막을 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법, 증착법 등이 사용된다. 또한, 기능층을 패턴 형성하기 위해서, 레지스트액 등의 코팅액이 사용된다.
박리 공정에서는, 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법으로서, 예를 들어 보강판을 구성하는 수지층과 기판 사이에 면도기 등을 자입하여 간극을 만든 후, 기판측과 지지판측을 분리하는 방법이 사용된다.
전자 디바이스를 제조하는 방법은, 박리 공정의 후, 기판이나 기능층 위에 다른 기능층을 적층하는 공정을 더 가져도 된다.
또한, 전자 디바이스를 제조하는 방법은, 소정의 기능층을 형성한 2조의 적층체(10C)를 사용하여, 전자 디바이스를 조립하고, 그 후, 2조의 적층체(10C)의 기판으로부터 각각 보강판을 박리하는 방법이어도 된다.
이어서, 전자 디바이스의 제조 방법의 구체예에 대하여 설명한다.
액정 디스플레이(LCD)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 상에 TFT 등을 형성하여 TFT 기판을 제작하는 TFT 기판 제작 공정과, 별도의 적층체의 기판 상에 CF 등을 형성하고, CF 기판을 제작하는 CF 기판 제작 공정을 갖는다. 또한, 액정 패널의 제조 방법은, TFT 기판과 CF 기판 사이에 액정재를 밀봉하는 조립 공정과, 각 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.
TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정에서는, TFT(박막 트랜지스터)나 CF(컬러 필터)를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법 등이 사용된다. 또한, TFT나 CF 등을 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.
또한, TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 전에, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.
조립 공정에서는, TFT 기판과 CF 기판 사이에 액정재가 주입된다. 액정재를 주입하는 방법으로서는 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.
감압 주입법에서는, 예를 들어, 우선, 시일재 및 스페이서재를 개재하여 TFT 기판과 CF 기판이 접합되어 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 내측에 배치되도록, 대형 패널이 제작되고, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 각 셀의 내부가 감압 분위기로 되어 주입 구멍으로부터 각 셀의 내부에 액정재가 주입된 후, 주입 구멍이 밀봉된다. 계속해서, 각 셀에 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써 액정 디스플레이가 제조된다.
적하 주입법에서는, 예를 들어 우선, TFT 기판 및 CF 기판 중 어느 한쪽에 액정재가 적하되고, 그 후, 시일재 및 스페이서재를 개재하여, TFT 기판과 CF 기판이 접합되어 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 내측에 배치되도록, 대형 패널이 제작된다. 그 후, 대형 패널은 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 셀에 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써 액정 디스플레이가 제조된다.
박리 공정은, TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 후이며, 조립 공정 전에 행해져도 되고, 조립 공정의 도중에 행해져도 된다. 박리 공정은, 감압 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 각 셀에 액정재를 밀봉한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다. 또한, 박리 공정은, 적하 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 대형 패널을 복수의 셀로 절단한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다.
유기 EL 디스플레이(OLED)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 상에, 유기 EL 소자를 형성하는 유기 EL 소자 형성 공정과, 유기 EL 소자가 형성된 기판과 대향 기판을 접합하는 접합 공정과, 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.
유기 EL 소자 형성 공정에서는, 유기 EL 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 유기 EL 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 유기 EL 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등으로 이루어진다.
또한, 유기 EL 소자 형성 공정 전에, 필요에 따라, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.
접합 공정에서는, 유기 EL 소자가 형성된 기판이 복수의 셀로 절단되고, 각 셀에 대향 기판이 부착되어, 유기 EL 디스플레이가 제작된다.
박리 공정은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정의 후이며, 접합 공정 전에 행해져도 되고, 접합 공정 도중이나 나중에 행해져도 된다.
태양 전지의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 상에, 태양 전지 소자를 형성하는 태양 전지 소자 형성 공정과, 적층체 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.
태양 전지 소자 형성 공정에서는, 태양 전지 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 태양 전지 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 태양 전지 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 반도체층 등으로 이루어진다.
박리 공정은, 예를 들어 태양 전지 소자 형성 공정 후에 행해진다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상기 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
예를 들어, 도 1에 도시하는 적층체 블록(10)에서는, 기판(20)의 측면이 기판(20)의 주면에 대하여 수직인 면으로 되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 8에 나타내는 적층체 블록(110)과 같이, 기판(120)의 측면이 둥글게 모따기되어 있어도 된다. 도 8에 나타내는 적층체 블록(110)에서는, 적층체 블록(110)의 측면에 있는 오목부(112)가 절단 공정 후에 어느 정도 남기 때문에, 모따기 공정에서 오목부(112)를 제거한다.
본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 범위와 정신을 일탈하지 않고, 여러 가지 수정이나 변경을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 명확하다.
본 출원은, 2010년 12월 28일에 출원된 일본 특허 출원 제2010-293248호에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.
10: 적층체 블록
10A, 10B, 10C: 적층체
20: 기판
21 내지 24: 기판의 외주연(기판의 4변)
30, 30A: 보강판
32, 32A: 수지층
34, 34A: 지지판
50: 스테이지
51 내지 53: 위치 결정 블록
70: 스테이지
72: 끼움 지지 지그

Claims (5)

  1. 적층체 블록을 가공하여 적층체를 얻는 가공 공정을 갖는 적층체의 제조 방법이며,
    상기 적층체 블록은 기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 포함하고,
    상기 보강판은 상기 기판에 박리 가능하게 결합되는 수지층 및 상기 수지층을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판으로 구성되고,
    상기 적층체 블록은 지지판의 외형 및 수지층의 외형이 각각 기판의 외형보다 커지도록 형성되어 있고,
    상기 가공 공정은 상기 적층체 블록 중, 상기 지지판 및 상기 수지층의 각각의 외주부를 절단하여, 상기 지지판, 상기 수지층 및 상기 기판의 각각의 외주연의 전체 둘레 또는 일부를 정렬시키는 절단 공정을 갖고,
    상기 지지판은 취성 재료로 구성되어 있고,
    상기 절단 공정에 있어서, 상기 적층체 블록의 상기 지지판의 표면에 절선을 형성한 후, 상기 절선을 따라, 상기 적층체 블록의 상기 지지판 및 상기 수지층의 각각의 외주부를 할단하는, 적층체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절단 공정의 적어도 일부에 있어서, 상기 적층체 블록의 상기 기판의 주면을 스테이지로 지지함과 함께, 상기 적층체 블록의 상기 기판의 외주연을 상기 스테이지 상에 설치되는 위치 결정 블록에 접촉시키는 적층체의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가공 공정은 상기 적층체 블록을 절단하여 얻어지는 상기 적층체의 외주부를 모따기하는 모따기 공정을 더 갖는 적층체의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가공 공정은 모따기에 의해 얻어지는 상기 적층체의 기판을 표면 연마하는 연마 공정을 더 갖는 적층체의 제조 방법.
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