KR101362862B1 - 정전 척 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

정전 척의 제조 방법에 있어서, 상기 방법은 전압이 인가되는 전극 및 이 전극을 덮는 필름 형상의 절연층을 포함하는 정전 흡착부를 설치하는 공정과, 정전 흡착부에 엘라스토머층을 본딩시키는 공정과, 금속 베이스의 면에 형성된 오목부가 엘라스토머층에 대면하도록 금속 베이스와 엘라스토머층을 본딩하는 공정을 포함한다.
정전 척, 절연층, 정전 흡착부, 엘라스토머층, 오목부

Description

정전 척 및 그 제조 방법{ELECTROSTATIC CHUCK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 엘라스토머(elastomer)층을 가지는 정전 척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에, 액정 표시 장치로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)는 대형화가 진행되고, FPD의 제조 공정에서 대형 글래스 기판을 안정하게 유지하는 방법 및 구조가 더욱더 중요해지고 있다.
예를 들면, 액정 표시 장치는 컬러 필터나 박막 트랜지스터 어레이 등을 설치한 2매의 글래스 기판을 대략 수 마이크론의 간격으로 밀봉재를 이용하여 본딩시킨 후, 2매의 글래스 기판의 간격 내에 액정을 충전 및 밀봉시켜서 구성된다.
액정의 충전 및 밀봉 방법은 진공 하에서 수행된다. 특히, 페이스트될 2매의 글래스 기판 중 어느 한쪽에 밀봉재를 도포하고, 또한 2매의 글래스 기판 중 어느 한쪽에 액정을 적하한 후, 가압하면서 2매의 글래스 기판을 본딩시킴으로써, 액정을 밀봉한다.
이러한 FPD의 제조 공정에서, 진공(감압) 하에서 글래스 기판을 유지하는 방 법으로서, 정전기에 의한 흡착 방법(정전 척)이 이용되어 왔다.
예를 들면, 정전 척의 구조로서는, 금속 재료로 이루어지는 기판(베이스)에 절연막을 본딩시키고, 또한 이 기판에 전극을 설치하는 구조가 제안되었다(예를 들면, 일본국 특허 공개 2004-235563호 참조).
그러나, 일부 경우에, 상기 정전 척으로 대형 글래스 기판을 흡착하면, 기판 자체의 무게로 인해 기판에 휘어짐이 발생한다. 결과적으로, 정전 척을 이용하여 기판을 흡착하는 것이 때때로 곤란하다.
이 때문에, 전압이 인가되는 전극을 포함하는 흡착부와 이 흡착부가 설치되는 금속 베이스 사이에, 기판의 변형에 의해 야기된 응력을 흡수하기 위한 엘라스토머층을 설치한다. 이때, 기판의 휘어짐에 기인한 불균일한 가압력을 엘라스토머층에 의해 흡수함으로써, 양호한 정밀도로 대형 글래스 기판을 흡착하는 것이 가능하다.
그러나, 일부 경우에, 엘라스토머층을 금속 베이스에 본딩시키면, 엘라스토머층과 금속 베이스 사이에 공기가 진입하여 기포가 형성된다. 예를 들면, 이러한 기포가 형성되고 감압 하에서 정전 척이 이용되면, 흡착면이 부분적으로 불룩해져서, 글래스 기판의 흡착력이 감쇠되어 글래스 기판이 파손하는 등의 문제가 있다. 결과적으로, 일부 경우에 정전 척의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 흡착의 신뢰성이 높은 정전 척, 및 흡착의 신뢰성이 높은 정전 척을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 하나 이상의 측면에 따르면, 정전 척의 제조 방법은 전압이 인가되는 전극 및 상기 전극을 덮는 필름 형상의 절연층을 포함하는 정전 흡착부를 설 치하는 공정과, 상기 정전 흡착부에 엘라스토머층을 본딩시키는 공정과, 금속 베이스의 면에 형성된 오목부가 상기 엘라스토머층에 대면하도록, 상기 엘라스토머층에 금속 베이스를 본딩시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 하나 이상의 측면에 따르면, 정전 척은 전압이 인가되는 전극 및 상기 전극을 덮는 필름 형상의 절연층을 가지는 정전 흡착부와, 상기 정전 흡착부에 본딩된 엘라스토머층과, 상기 엘라스토머층에 본딩된 금속 베이스를 포함하고, 상기 엘라스토머층에 대면하는 상기 금속 베이스의 면에는 오목부가 형성된다.
본 발명에 따르면, 흡착의 신뢰성이 높은 정전 척, 및 흡착의 신뢰성이 높은 정전 척의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 측면 및 이점은 다음의 설명, 도면 및 특허청구범위에서 분명해진다.
본 발명의 예시적인 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 정전 척의 개요도이다. 도 1을 참조하면, 정전 척(10)은 금속 베이스(11)에 엘라스토머(elastomer)층(12)을 통해 흡착부(13)를 본딩시킴으로써 구성된다. 또한, 여기에서는 각 층의 접속에 이용된 접착층의 도시는 생략한다.
또한, 흡착부(13)는 유기 재료로 이루어지는 필름 형상의 절연층(14, 16) 사이에, 금속 등의 도전 재료로 이루어진 전극(15)이 개재되어 전극(15) 전체가 절연 층(14, 16)으로 덮이는 구조를 가진다.
상기 구조에서, 전극(15)에 전압이 인가되는 경우에, 절연층(16) 상에 유지되는 글래스 기판 등의 흡착 대상물을 정전 흡착할 수 있다. 또한, 흡착부(13)와 금속 베이스(11) 사이에 엘라스토머층(12)이 설치된다. 따라서, 대형 기판에 휘어짐이 발생하는 경우에 기인한 불균일한 가압력은 엘라스토머층(12)에 흡수되므로, 양호한 정밀도로 대형 글래스 기판을 흡착할 수 있다.
한편, 일부 경우에는, 엘라스토머층(12)을 금속 베이스(11)에 본딩하면, 엘라스토머층(12)과 금속 베이스(11) 사이에 공기가 진입하고, 이로써 기포가 형성된다. 예를 들면, 이러한 기포가 형성되고 감압 하에서 정전 척(10)을 이용하는 경우에, 흡착면이 부분적으로 불룩해지고, 이로써 글래스 기판의 흡착력이 감쇠하고 글래스 기판이 파손하는 등의 문제가 있다. 결과적으로, 일부 경우에 정전 척의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명에 따른 정전 척에서는, 엘라스토머층에 대면하는 금속 베이스의 면에, 공기를 제거하는 오목부가 형성된다. 도 2는 본 발명에 따른 정전 척의 일 예로서 정전 척(10A)의 개요도이다. 도 2에서는, 앞서 도 1에서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 여기에서는 그 설명을 생략한다.
도 2를 참조하면, 도 2의 정전 척(10A)은 엘라스토머층(12)에 대면하는 금속 베이스(11)의 면에, 복수의 오목부(11a)가 형성되는 것을 특징으로 한다. 오목부(11a)가 형성되므로, 금속 베이스(11)에 엘라스토머층(12)을 본딩하는 경우에, 금속 베이스(11)와 엘라스토머층(12) 사이에 포함된 공기를 용이하게 제거할 수 있 다. 결과적으로, 예를 들면 금속 베이스(11)와 엘라스토머층(12)의 사이에 공기의 형성이 억제되고, 감압 하에서 정전 척(10)을 이용하는 경우에도, 흡착면의 평탄도가 양호하게 유지되어, 글래스 기판을 흡착하는 경우의 신뢰성이 증가하는 이점을 얻을 수 있다.
예를 들면, 오목부(11a)는 금속 베이스(11)를 상측에서 본 경우에, 격자 형태로 형성된다. 도 3은 오목부(11a)(금속 베이스(11))의 평면도이다. 오목부(11a)는 엘라스토머층(12)과 대면하는 측에, 격자 형태로 형성되는 것을 알 수 있다. 또한, 오목부(11a)는 격자 형태에 한정되지 않고, 방사 패턴 등의 다양한 패턴으로 형성될 수 있다. 또한, 오목부는 금속 베이스(11)에 대면하는 엘라스토머층(12)의 면에 형성될 수 있다.
이어서, 상기 정전 척의 구성 및 그 제조 방법의 다른 구체적인 예를 도면을 참조하여 설명한다.
실시예 1
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 정전 척(100)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 정전 척(100)은, 예를 들면 Al 등의 금속으로 이루어진 금속 베이스(101)에, 실리콘고무로 이루어진 엘라스토머층(쿠션층)(102)을 통해 흡착 대상물을 흡착하는 흡착부(103)가 본딩되도록 구성된다.
흡착부(103)는, 예를 들면 폴리이미드 필름으로 이루어진 하부 절연층(104)과 폴리에스테르 필름으로 이루어진 상부 절연층(106) 사이에, 전극(105)이 개재되어 상부 및 하부 절연층으로 덮이는 구조를 가진다. 하부 절연층(104)과 상부 절 연층(106)은 접착층(107)에 의해 함께 본딩된다. 또한, 흡착부(103)와 엘라스토머층(102)은 접착층(102b)에 의해서, 엘라스토머층(102)과 금속 베이스(101)는 접착층(102a)에 의해 함께 본딩된다.
상기 정전 척(100)에서, 예를 들면 전극(105)에 500V 내지 1000V의 전압이 인가되면(전압 인가에 이용된 회로, 접속 경로 등의 도시는 생략함), 흡착부(103)(상부 절연층(106)) 상에 놓인 글래스 기판을 흡착 및 유지할 수 있다.
상기 정전 척(100)에서는, 엘라스토머층(102)이 설치되므로, 대형 기판에 휘어짐이 생기는 경우에 야기되는 불균일한 가압력이 흡수되고, 이로써 양호한 정밀도로 대형 글래스 기판을 흡착할 수 있다. 또한, 상기 정전 척(100)은, 엘라스토머층(102)(접착층(102a))에 대면하는 금속 베이스(101)의 면에 복수의 오목부(101A)가 형성되는 것을 특징으로 한다. 오목부(101A)가 형성되므로, 금속 베이스(101)에 엘라스토머층(102)을 본딩시키는 경우에, 금속 베이스(101)와 엘라스토머층(102) 사이에 포함된 공기를 제거하기 용이해진다. 결과적으로, 금속 베이스(101)와 엘라스토머층(102) 사이에 기포의 형성이 억제되고, 예를 들면 감압 하에서 정전 척(100)을 이용하는 경우에도 흡착면의 평탄도가 양호하게 유지되고, 글래스 기판을 흡착하는 경우에 신뢰성이 증가하는 이점을 이룰 수 있다.
예를 들면, 금속 베이스(101)는 Al에 한정되지 않고, Cu, Cr 등의 다른 금속 재료로 형성될 수 있다. 또한, 엘라스토머층(102)은 실리콘고무에 한정되지 않고, 응력을 흡수하기 위한 소정의 탄성을 가지는 어떤 재료라도 이용될 수 있다. 예를 들면, 엘라스토머층(102)을 우레탄고무, 플루오린-함유 고무 등으로 형성할 수 있 다.
또한, 하부 절연층(104) 및 상부 절연층(106)은, 예를 들면 유기 재료로 이루어진 필름 형상의 절연체(유전체)로 형성된다. 예를 들면, 하부 절연층(104)은 폴리이미드 필름으로 형성되고, 상부 절연층(106)은 폴리에스테르 필름으로 형성된다. 이 경우에, 이들 절연층은 이들 재료에 한정되지 않고, 하부 절연층(104) 및 상부 절연층(106) 각각을 다양한 재료로 형성할 수 있다. 또한, 하부 절연층(104) 및 상부 절연층(106)을 동일한 재료로 형성할 수 있다.
또한, 전극(105)은, 예를 들면 Cu박으로 형성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 전극(105)은 Ni, Cr, Fe, Al 등으로 이루어진 금속박으로 형성될 수 있다. 또한, 전극(105)의 패터닝 방법은, 예를 들면 금속박을 에칭에 의해 패터닝하는 방법에 한정되지 않고, 마스크를 이용한 성막 방법(CVD, PVD, 스퍼터, 용사(溶射) 등)에 의해 수행될 수 있다.
또한, 흡착력 및 내전압의 관점에서, 폴리에스테르 필름으로 이루어진 상부 절연층(106)은 약 12㎛ 내지 300㎛의 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 전극(105)에 약 500V 내지 1000V의 전압을 인가함으로써, 흡착력은 글래스 기판을 흡착하기에 충분해진다.
또한, 금속 베이스(101)에 형성된 오목부(101A)에, 예를 들면 오목부의 폭을 1㎜ 내지 3㎜로, 오목부의 깊이를 1㎜ 내지 3㎜로, 및 인접하는 오목부 사이의 간격을 20㎜ 내지 50㎜로 설정할 수 있다. 상기 치수는 일 예로 주어진 것이고, 각 치수는 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 상기 정전 척(100)의 제조 방법을 도 5a 내지 도 5k를 참조하여 설명한다. 이하의 도면에서, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 때때로 그 설명을 생략한다.
도 5a에 나타낸 공정에서, 폴리이미드 필름으로 이루어진 하부 절연층(104)에 박리용 테이프(T1)를 가진 접착층(접착제 필름)(107a)을 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여, 하부 절연층(104)에 본딩시킨다. 이 경우에, 하부 절연층(104) 및 접착층(107a)의 온도는 70℃로 설정된다.
이어서, 도 5b에 나타낸 공정에서, 박리용 테이프(T1)를 박리한 후, 접착층(107a)에 전극(105)으로서 이용되는 Cu박(105a)을 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여, 접착층(107a)에 본딩시킨다. 이 경우에, 하부 절연층(104), 접착층(107a), 및 Cu박(105a)의 온도는 70℃로 설정된다.
도 5c에 나타낸 공정에서, 예를 들면 마스크 패턴(도시 생략)을 이용한 에칭에 의해서 Cu박(105a)을 패터닝한다. 이와 같이, 원하는 형상으로 전극(105)을 각각 형성한다. 이 경우에, 접착층(107a)은 패터닝될 수도 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 전극(105)은 마스크 패턴을 이용한 성막(CVD, PVD, 스퍼터, 증착 등)에 의해서 형성될 수 있다.
도 5d에 나타낸 공정에서, 폴리에스테르 필름으로 이루어진 상부 절연층(106)에 박리용 테이프(T2)를 가진 접착층(접착제 필름)(107b)을 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여, 상부 절연층(106)에 본딩한다. 이 경우에, 상부 절연층(106) 및 접착층(107b)의 온도는 70℃로 설정된다. 상부 절연층(106)에 접착 층(107b)을 본딩 및 가압한 후에, 박리용 테이프(T2)를 박리한다.
도 5e에 나타낸 공정에서, 도 5c의 공정에서 형성된 전극(105)이 본딩된 하부 절연층(104) 및 도 5d의 공정에서 형성된 접착층(107b)이 본딩된 상부 절연층(106)을, 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여 함께 본딩한다. 이 경우에, 접착층(107a) 및 접착층(107b)은 실질적으로 일체화되어 접착층(107)을 구성한다. 따라서, 절연층(유전체층)(104, 106)으로 덮인 전극(105)을 포함하는 흡착부(103)가 형성된다.
도 5f에 나타낸 공정에서, 흡착부(103)를 감압 용기(CH1) 내에 유지한 후, 감압 하에서 하부 절연층(104) 및 상부 절연층(106)을 가압해서, 하부 절연층(104)과 상부 절연층(106) 사이의 밀착력을 높일 수 있다.
이어서, 도 5g에 나타낸 공정에서, 실리콘고무로 이루어진 엘라스토머층(102)에 박리용 테이프(T3)를 가진 접착층(접착제 필름)(102a)을 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여, 엘라스토머층(102)에 본딩한다. 이 경우에, 엘라스토머층(102) 및 접착층(102a)의 온도는 70℃로 설정된다.
이어서, 도 5h에 나타낸 공정에서, 도 5g의 공정과 마찬가지로, 엘라스토머층(102)의 접착층(102a)이 본딩된 면의 반대측의 면에, 박리용 테이프(T4)를 가진 접착층(접착제 필름)(102b)을 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압하여 엘라스토머층(102)에 본딩시킨다. 이 경우에, 엘라스토머층(102) 및 접착층(102b)의 온도는 70℃로 설정된다. 결과적으로, 엘라스토머층(102)의 양면에는 접착층(102a, 102b)이 각각 본딩된다.
이어서, 도 5i에 나타낸 공정에서, 접착층(102b) 상의 박리용 테이프(T4)를 박리한다. 그 후, 접착층(102b)을 통해서 흡착부(103)와 엘라스토머층(102)을 본딩시킨 후, 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압한다. 결과적으로, 흡착부(103)와 엘라스토머층(102)은 그 사이에 접착층(102b)이 개재되어 함께 본딩된다.
이어서, 도 5j에 나타낸 공정에서, 박리용 테이프(T3)를 박리한다. 그 후, 흡착부(103)가 본딩된 엘라스토머층(102)을, 접착층(102a)을 통해 오목부(101A)가 형성된 금속 베이스(101)의 면에 본딩한 후, 롤러 라미네이터(L1)에 의해 가압한다. 결과적으로, 흡착부(103)가 본딩된 엘라스토머층(102)과 금속 베이스(101)는 그 사이에 접착층(102a)이 개재되어 함께 본딩된다. 이 경우에, 금속 베이스(101)에, 예를 들면 격자 형태로 오목부(101A)가 형성되므로, 금속 베이스(101)와 엘라스토머층(102) 사이에 기포가 형성되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 방식으로, 도 4에 나타낸 정전 척(100)을 형성할 수 있다.
또한, 도 5k에 나타낸 공정에서, 정전 척(100)을 감압 용기(CH2) 내에 유지한 후, 감압 하에서 엘라스토머층(102)과 금속 베이스(101)를 가압함으로써, 엘라스토머층(102)과 금속 베이스(101) 사이의 밀착력을 높일 수 있다.
이어서, 상기 실시예에 의해 제조된 정전 척 및 종래의 방법(금속 베이스에 오목부가 형성되지 않은 방법)에 의해 제조된 정전 척 양쪽에서, 감압 하에서의 흡착면의 불룩해짐에 의해 야기된 결함에 대한 결과에 대해서 설명한다.
오목부를 가지는 본 발명의 정전 척 종래의 정전 척
제조된 척의 수 52 20
표면이 불룩해지지 않음(양품) 52 5
표면이 불룩해짐(불량품) 0 15
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 종래의 방법에 의해 제조된 정전 척에서, 20대의 제작된 유닛 중에서 15대의 유닛(75%)에 흡착면의 불룩해짐에 기인된 불량이 발생하였다. 한편, 본 실시예에 의해 제조된 정전 척에서는, 52대의 제작된 유닛 중에서 불량의 발생이 0건이었다. 이 방식으로, 본 실시예에 따른 정전 척의 흡착 의 신뢰성이 높아질 수 있음을 확인하였다.
본 발명에 따르면, 흡착의 신뢰성이 높은 정전 척 및 그 제조 방법을 제공하는 것이 가능하다.
본 발명을 그 특정의 예시적인 실시예를 참조하여 도시 및 기술하였지만, 첨부된 특허청구범위에 의해 규정된 본 발명의 사상 및 범주에서 벗어나지 않고 형태 및 세부에서 다양하게 변경이 이루어질 수 있다는 것을 당업자라면 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명의 본래의 사상 및 범주 내에 속하는 모든 변형 및 변경이 첨부된 특허청구범위에 포함되는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래의 정전 척의 개요도.
도 2는 본 발명에 따른 정전 척의 개요도.
도 3은 도 2의 정전 척의 금속 베이스의 평면도.
도 4는 실시예 1에 따른 정전 척의 개요도.
도 5a는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#1).
도 5b는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#2).
도 5c는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#3).
도 5d는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#4).
도 5e는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#5).
도 5f는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#6).
도 5g는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#7).
도 5h는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#8).
도 5i는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#9).
도 5j는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#10).
도 5k는 실시예 1에 따른 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면(#11).
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 정전 척 101 : 금속 베이스
102 : 엘라스토머층 102a, 102b, 107 : 접착층
103 : 흡착부 104 : 절연층
105 : 전극 106 : 절연층

Claims (16)

  1. 전압이 인가되는 전극이 필름 형상의 절연층으로 덮여서 이루어지는 정전 흡착부가, 엘라스토머(elastomer)층을 개재해서 금속 베이스에 본딩된 구조를 갖는 정전 척의 제조 방법으로서,
    상기 금속 베이스의 상기 엘라스토머층의 본딩 면에 오목부를 형성하고,
    당해 오목부의 단부가 상기 금속 베이스의 측방에서 상기 금속 베이스 외부로 개구한 구성으로 하고,
    상기 엘라스토머층을 상기 금속 베이스에 본딩할 때, 상기 오목부를 통해 상기 엘라스토머층과 상기 금속 베이스 사이의 공기를 배출하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 엘라스토머층이 제 1 접착층에 의해 상기 금속 베이스에 본딩되는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정전 흡착부와 상기 엘라스토머층을 제 2 접착층을 개재해서 적층한 후, 상기 제 1 접착층을 개재해서 상기 엘라스토머층과 상기 금속 베이스를 본딩하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정전 흡착부는, 하부 절연층과 상부 절연층 사이에 전극이 끼워지도록 해서 덮이고, 또한 상기 하부 절연층과 상기 상부 절연층이 제 3 접착층에 의해 본딩된 구조인 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엘라스토머층은 실리콘고무, 우레탄고무, 플루오린-함유 고무의 그룹으로부터 선택되는 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오목부가 격자 형태 또는 방사 패턴으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판의 흡착 시에 있어서, 상기 엘라스토머층이 흡착되는 상기 기판의 변형을 흡수하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    롤러 라미네이터에 의해, 상기 엘라스토머층을 상기 금속 베이스에 가압하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    감압 공간에서 상기 엘라스토머층을 상기 금속 베이스에 가압하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조 방법.
  10. 전압이 인가되는 전극이 필름 형상의 절연층으로 덮여서 이루어지는 정전 흡착부가, 엘라스토머층을 개재해서 금속 베이스에 본딩된 구조를 갖는 정전 척으로서,
    상기 금속 베이스의 상기 엘라스토머층에 대면하는 측에 오목부가 형성되고,
    당해 오목부의 단부가 상기 금속 베이스의 측방에서 상기 금속 베이스 외부로 개구한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 엘라스토머층이 제 1 접착층에 의해 상기 금속 베이스에 본딩되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 정전 흡착부와 상기 엘라스토머층이 제 2 접착층을 개재해서 적층되고,
    상기 엘라스토머층과 상기 금속 베이스가 상기 제 1 접착층을 개재해서 본딩되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정전 흡착부는, 하부 절연층과 상부 절연층 사이에 전극이 끼워지도록 해서 덮이고, 또한 상기 하부 절연층과 상기 상부 절연층이 제 3 접착층에 의해 본딩된 구조인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  14. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엘라스토머층은 실리콘고무, 우레탄고무, 플루오린-함유 고무의 그룹으로부터 선택되는 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  15. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오목부가 격자 형태 또는 방사 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  16. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판의 흡착 시에 있어서, 상기 엘라스토머층이 흡착되는 상기 기판의 변형을 흡수하는 구성인 것을 특징으로 하는 정전 척.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5236448B2 (ja) * 2008-12-16 2013-07-17 アドヴァンスド・ディスプレイ・プロセス・エンジニアリング・コーポレーション・リミテッド 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置
KR101001454B1 (ko) * 2009-01-23 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
US9558981B2 (en) * 2013-11-19 2017-01-31 Applied Materials, Inc. Control systems employing deflection sensors to control clamping forces applied by electrostatic chucks, and related methods
KR101798995B1 (ko) 2014-10-17 2017-11-17 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
DE102016206193A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Trumpf Gmbh + Co. Kg Elektroadhäsionsgreifer mit fraktalen Elektroden
US9917046B2 (en) 2016-07-04 2018-03-13 Unimicron Technology Corp. Manufacturing method of a circuit board having a glass film
KR101964631B1 (ko) * 2018-04-06 2019-04-02 (주)아폴로테크 완충력이 우수한 정전척
JP7203585B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法
US20230060192A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-02 Entegris, Inc. Methods and apparatus for processing an electrostatic chuck

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260473A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP2000107969A (ja) * 1998-08-03 2000-04-18 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置
JP2000114358A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2521471B2 (ja) * 1987-05-14 1996-08-07 富士通株式会社 静電吸着装置
JPH02135753A (ja) * 1988-11-16 1990-05-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 試料保持装置
JPH06117871A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippon Avionics Co Ltd 車両の移動距離測定装置
WO1995020838A1 (en) * 1994-01-31 1995-08-03 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with conformal insulator film
JPH11163107A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Nikon Corp ウエハホルダ
JP2000315720A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Ibiden Co Ltd セラミックス製の半導体製造用治具
JP2001110883A (ja) * 1999-09-29 2001-04-20 Applied Materials Inc 基板支持装置及びその伝熱方法
JP2001226650A (ja) * 2000-02-16 2001-08-21 Nitto Denko Corp 放射線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
JP2003133400A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Ulvac Japan Ltd 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法
JP2003282690A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Toto Ltd 静電チャック
JP2004235563A (ja) 2003-01-31 2004-08-19 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極シート及びこれを用いた静電チャック装置
JP4057977B2 (ja) * 2003-08-08 2008-03-05 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法
JP4388454B2 (ja) * 2004-10-27 2009-12-24 信越半導体株式会社 ワーク保持板並びに半導体ウエーハの製造方法及び研磨方法
CN100481369C (zh) 2005-04-28 2009-04-22 信越工程株式会社 静电夹盘装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260473A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP2000107969A (ja) * 1998-08-03 2000-04-18 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置
JP2000114358A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置

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