JP2001110883A - 基板支持装置及びその伝熱方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベース部材と静電チャックとを接合すること
なしに、ベース部材と静電チャックとの間の熱伝達効率
を向上させることができる基板支持装置及びその伝熱方
法を提供する。 【解決手段】 基板支持装置４は、加熱器または冷却器
を内蔵したベース部材５と、このベース部材５の上部に
伝熱用シート６を介して設けられ、半導体ウェハＷを吸
着して保持する静電チャック７とを備えている。ベース
部材５には、伝熱用ガスを導くためのガス導入路１３が
設けられている。また、ベース部材５の上面部には、第
１のガス導入路１３と連通され、当該ガス導入路１３に
より導入された伝熱用ガスを停滞させる第１のガス停滞
用溝１４が形成されている。伝熱用ガスを第１のガス停
滞用溝１４に供給されると、ベース部材５と静電チャッ
ク７との間の非接触部分に伝熱用ガスによる熱結合が発
生する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板を吸着して保
持する静電チャックを備えた基板支持装置及びその伝熱
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】スパッタリング装置といった半導体製造
装置は、一般的に、真空減圧される処理チャンバを備え
ており、この処理チャンバ内には、半導体ウェハ（基
板）を支持するための基板支持装置が配置されている。
基板支持装置としては、例えば、加熱器または冷却器が
内蔵されたベース部材と、このベース部材の上部に設け
られ、半導体ウェハを吸着して保持する静電チャックと
を備えたものがある。

【０００３】このような基板支持装置の従来例を図３及
び図４に示す。図３は、ベース部材１０１の上面と静電
チャック１０２の下面がほぼ全面接触となるように、ベ
ース部材１０１と静電チャック１０２とを接着剤等によ
り直接接合したものである。図４は、ベース部材１０１
の上面と静電チャック１０２の下面との間に金属製の伝
熱用シート１０３を介在させ、その状態で環状のホルダ
ー１０４をベース部材１０１にボルト止めしたものであ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すような基板支持装置では、ベース部材１０１と静電
チャック１０２とが接合されているため、静電チャック
１０２のメンテナンス時や故障等による静電チャック１
０２の交換時には、静電チャック１０２をベース部材１
０１に対して取り外す必要があり、消耗品としてのコス
トが増大する。

【０００５】一方、図４に示すような基板支持装置で
は、静電チャック１０２のメンテナンス時や交換時に
は、ホルダー１０４を外して静電チャック１０２だけを
抜けばよいため、消耗品としてのコストは少なくて済
む。しかし、ベース部材１０１及び静電チャック１０２
の表面は、実際には完全な平坦となっておらず、これら
の表面には微小（例えば数μｍ程度）の凹凸が多数存在
している。このため、ベース部材１０１と静電チャック
１０２との間に伝熱用シート１０３を介在させた状態で
ホルダー１０４を取り付けたときには、ベース部材１０
１と伝熱用シート１０３との間には多くの微小の隙間が
生じてしまう。この場合には、ベース部材１０１の上面
と静電チャック１０２の下面とが点接触となり、これら
の間の熱伝達効率が低下する可能性がある。

【０００６】本発明の目的は、ベース部材と静電チャッ
クとを接合することなしに、ベース部材と静電チャック
との間の熱伝達効率を向上させることができる基板支持
装置及びその伝熱方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、処理チャンバ内に設置され、伝熱用ガス
を導くためのガス導入路を有するベース部材と、ベース
部材の上部に設けられ、基板を吸着して保持する静電チ
ャックとを備え、ベース部材の上面部には、ガス導入路
と連通され、当該ガス導入路により導入された伝熱用ガ
スを停滞させる第１のガス停滞用溝が形成されている基
板支持装置を提供する。

【０００８】以上のように構成した本発明においては、
伝熱用ガスを、ベース部材のガス導入路を介して第１の
ガス停滞用溝に供給する。このとき、ベース部材及び静
電チャックの表面に存在する微小の凹凸によりベース部
材と静電チャックとの間に微小の隙間が生じていても、
第１のガス停滞用溝に停滞している伝熱用ガスが溢れ出
てその隙間に流れ込む。このため、第１のガス停滞用溝
の部分だけでなく、ベース部材と静電チャックとの隙間
部分でも伝熱用ガスによる熱結合が起こり、熱移動が促
進される。したがって、ベース部材と静電チャックとを
接合しないことでこれらの間に非接触部分があっても、
ベース部材と静電チャックとの間の熱伝達効率を向上さ
せることができる。

【０００９】上記基板支持装置において、好ましくは、
ベース部材と静電チャックとの間には、ベース部材の熱
を静電チャックに伝えるための弾性を有する伝熱部材が
介在されている。これにより、伝熱用ガスによる熱結合
と伝熱部材とで熱伝達が行われることになり、ベース部
材と静電チャックとの間の熱伝達効率がより向上する。

【００１０】また、好ましくは、伝熱部材の周縁部に
は、第１のガス停滞用溝に停滞した伝熱用ガスの流出を
止めるためのシール部が設けられている。これにより、
伝熱用ガスとして、熱伝熱効率に優れたヘリウムガスを
使用した場合に、ヘリウムガスが処理チャンバ内に漏れ
ることが防止される。

【００１１】さらに、好ましくは、第１のガス停滞用溝
は、ベース部材の周縁部に向かって放射状に延びている
部分を有する。これにより、伝熱用ガスをベース部材の
上面部の内側から外側まで効率よく供給することができ
る。

【００１２】また、静電チャックの上面部には、ガス導
入路と連通され、当該ガス導入路により導入された伝熱
用ガスを停滞させる第２のガス停滞用溝が形成されてい
る。これにより、静電チャックと基板との間の熱伝達効
率をも向上させることができる。また、第１のガス停滞
用溝に供給される伝熱用ガスをそのまま第２のガス停滞
用溝にも供給するので、使用する伝熱用ガスが１種類で
済み、かつ伝熱用ガスの供給系の構成を簡単化すること
ができる。

【００１３】また、上記の目的を達成するため、本発明
は、処理チャンバ内に設置されたベース部材と、このベ
ース部材の上部に設けられ、基板を吸着して保持する静
電チャックとを備えた基板支持装置の伝熱方法であっ
て、ベース部材として、上面に開口し伝熱用ガスを導く
ための第１のガス導入路を有するものを用い、伝熱用ガ
スを、第１のガス導入路を介してベース部材と静電チャ
ックとの間に供給する基板支持装置の伝熱方法を提供す
る。

【００１４】このように伝熱用ガスをベース部材と静電
チャックとの間に供給することにより、ベース部材と静
電チャックとの間に微小の隙間が生じていても、伝熱用
ガスがその隙間に流れ込み、この部分に伝熱用ガスによ
る熱結合が起こる。したがって、上述したように、ベー
ス部材と静電チャックとを接合しなくても、ベース部材
と静電チャックとの間の熱伝達効率を向上させることが
できる。

【００１５】上記基板支持装置の伝熱方法において、好
ましくは、静電チャックとして、第１のガス導入路と連
通され且つ上面に開口し、伝熱用ガスを導くための第２
のガス導入路を有するものを用い、静電チャックに基板
が保持された後、伝熱用ガスを、第１のガス導入路及び
第２のガス導入路を介して静電チャックと基板との間に
供給する。これにより、静電チャックと基板との間の熱
伝達効率をも向上させることができる。

【００１６】また、好ましくは、伝熱用ガスを供給する
ときに、伝熱用ガスの供給圧力を１〜３０Ｔｏｒｒにな
るように調整する。これにより、高い熱伝達効率を確保
しつつ、伝熱用ガスの供給圧力が静電チャックの吸着力
に打ち勝って基板が静電チャックから外れてしまうこと
が防止される。

【００１７】例えば、伝熱用ガスとして、ヘリウムガ
ス、アルゴンガス及び窒素ガスのいずれかを使用する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板支持装置
の好適な実施形態について図面を参照して説明する。

【００１９】図１は、本発明に係る基板支持装置を備え
たスパッタリング装置を示す概略構成図である。同図に
おいて、スパッタリング装置１は、真空減圧される処理
チャンバ２を備えており、この処理チャンバ２の上部に
は、陰極を形成するターゲット３が設けられている。ま
た、処理チャンバ２内には、半導体ウェハ（基板）Ｗを
支持するための基板支持装置４が設置されている。

【００２０】基板支持装置４は、ターゲット３に対して
平行に対向配置され、陽極を形成する断面円形状のベー
ス部材５と、このベース部材５の上部に伝熱用シート
（伝熱部材）６を介して設けられ、半導体ウェハＷを吸
着して保持する断面円形状の静電チャック７と、この静
電チャック７をベース部材５に固定するための環状のホ
ルダー８とを備えている。静電チャック７の周縁部には
段部７ａが形成されており、この段部７ａに、ホルダー
８の上部に設けられた突出部８ａが乗っかった状態で、
ホルダー８をベース部材５にボルト止めすることで、静
電チャック７がベース部材５に固定されている。

【００２１】ベース部材５は、金属（例えば、ステンレ
ススチール、ニッケル、アルミニウム等）で形成され、
加熱器又は冷却器が内蔵されている。また、ベース部材
５には、電気リード線９を介して直流電源１０が接続さ
れており、この直流電源１０によりベース部材５を通電
すると、ベース部材５（陽極）とターゲット３（陰極）
との間にプラズマが発生する。

【００２２】静電チャック７は、セラミック（例えば、
ボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ）、窒化アルミニウ
ム、アルミナ（酸化アルミニウム）等）で形成されてい
る。また、静電チャック７には、電気リード線１１を介
して直流電源１２が接続されており、この直流電源１２
により静電チャック７を通電すると、静電チャック７と
半導体ウェハＷとの間にクーロン力が発生し、半導体ウ
ェハＷが静電チャック７に吸着される。

【００２３】ベース部材５には、ガス供給源（図示せ
ず）からの伝熱用ガスを導くための第１のガス導入路１
３が設けられている。この第１のガス導入路１３は、そ
の中心部を垂直方向に延び且つ上面に開口している。ベ
ース部材５の上面部には、第１のガス導入路１３と連通
され、当該ガス導入路１３により導入された伝熱用ガス
を停滞させる第１のガス停滞用溝１４が形成されてい
る。

【００２４】第１のガス停滞用溝１４は、図２に示すよ
うに、第１のガス導入路１３と連通され放射状に延びる
複数の直線溝部１４ａと、この直線溝部１４ａに連通さ
れた環状溝部１４ｂと、この環状溝部１４ｂの内側に形
成され、終端部を有する複数の湾曲溝部１４ｃとからな
っている。第１のガス停滞用溝１４をそのような直線溝
部１４ａ、環状溝部１４ｂ、湾曲溝部１４ｃで形成した
のは、第１のガス導入路１３からの伝熱用ガスがベース
部材５の上面部の内側から外側まで効率よく供給される
ようにするためである。なお、第１のガス停滞用溝１４
は、幅が例えば２ｍｍであり、深さが例えば１ｍｍとな
っている。また、伝熱用ガスとしては、熱交換効率に優
れているヘリウムガスが使用される。

【００２５】静電チャック７には、第１のガス導入路１
３と連通され、中心部を垂直方向に延び且つ上面に開口
した第２のガス導入路１５が形成されている。そして、
静電チャック７の上面部には、第２のガス導入路１５と
連通され、当該ガス導入路１５により導入された伝熱用
ガスを停滞させる第２のガス停滞用溝１６が形成されて
いる。この第２のガス停滞用溝１６は、図示はしない
が、第１のガス停滞用溝１４と同様に、直線溝部、環状
溝部、湾曲溝部からなっている。

【００２６】なお、第１のガス導入路１３には、伝熱用
ガスの供給圧力を測定するための圧力計１７が接続され
ている。

【００２７】伝熱用シート６は、弾性を有する金属（例
えば、無酸素銅、アルミニウム、インジウム等）製のシ
ートである。ベース部材５と静電チャック７との間にお
ける伝熱効率の観点から、伝熱用シート６には、スリッ
ト加工や溝加工が施されている。

【００２８】また、伝熱用シート６の周縁部には、第１
のガス停滞用溝１４に停滞した伝熱用ガスの流出を止め
るためのＯリング（シール部）１８が設けられている。
なお、伝熱用ガスの流出を止める手段は、特にそのよう
なＯリング１８に限られず、例えば伝熱用シートの周縁
部を折り曲げてシール部を形成するようにしてもよい。

【００２９】以上のように構成したスパッタリング装置
１において、成膜プロセスを行う場合、半導体ウェハＷ
を処理チャンバ２内に導入して静電チャック７上に置い
た後、直流電源１２を投入して静電チャック７を通電
し、半導体ウェハＷを静電チャック７上に固定する。

【００３０】そして、ガス供給源（図示せず）からの伝
熱用ガスを、第１のガス導入路１３を介して第１のガス
停滞用溝１４に供給し、更に第２のガス導入路１５を介
して第２のガス停滞用溝１６に供給する。

【００３１】このとき、第１のガス導入路１３に接続さ
れた圧力計１７の測定値に基づいて、圧力が１０Ｔｏｒ
ｒ程度になるように伝熱用ガスを供給する。ここで、伝
熱用ガスの供給圧力を１０Ｔｏｒｒ程度とするのは、伝
熱用ガスとして使用するヘリウムガスの熱伝達効率がほ
ぼ１０Ｔｏｒｒで飽和する特性を持っていることを考慮
してのことである。これにより、ヘリウムガスによる熱
伝達が効率良く行われると共に、ヘリウムガスの供給圧
力が静電チャック７の吸着力よりも大きすぎて半導体ウ
ェハＷが静電チャック７から外れてしまうことが防止さ
れる。なお、伝熱用ガスの圧力制御は、オペレータが圧
力計１７を見ながらバルブ（図示せず）を手動操作して
もよいし、あるいは圧力計１７の測定結果をコントロー
ラに取り込んでバルブを自動制御するようにしてもよ
い。

【００３２】このように伝熱用ガスを第１のガス停滞用
溝１４に供給することにより、ベース部材５の表面に存
在する微小（例えば数μｍ程度）の凹凸によりベース部
材５と伝熱用シート６との間に多くの微小の間隙が生じ
ていても、伝熱用ガスが第１のガス停滞用溝１４から溢
れ出てその間隙の中に流れ込む。このため、第１のガス
停滞用溝１４の部分およびベース部材５と伝熱用シート
６との間の間隙部分、つまりベース部材５と伝熱用シー
ト６とが接触しない部分で伝熱用ガスによる熱結合が起
こり、熱移動が促進される。また、伝熱用シート６には
スリット加工や溝加工が施されているため、伝熱用ガス
が伝熱用シート６と静電チャック７との間の間隙部分に
も流れ込む。これにより、ベース部材５と静電チャック
７との間で、効率の良い熱伝達が行われる。

【００３３】また、伝熱用ガスを第２のガス停滞用溝１
６にも供給することにより、静電チャック７と半導体ウ
ェハＷとの間に多くの微小の間隙が生じていても、伝熱
用ガスが第２のガス停滞用溝１６から溢れ出てその間隙
の中に流れ込む。これにより、静電チャック７と半導体
ウェハＷとの間でも、効率の良い熱伝達が行われる。

【００３４】次いで、処理チャンバ２と接続された真空
排気系を作動させ、処理チャンバ２内を所定の真空度に
なるまで減圧する。そして、処理チャンバ２内にアルゴ
ンガスを導入すると共に、直流電源１０を投入して、ベ
ース部材５（陽極）とターゲット３（陰極）との間に電
力を印加する。すると、これら電極間にプラズマ放電が
起こり、アルゴンイオンがターゲット３に衝突し、そこ
からスパッタされる粒子が半導体ウェハＷ上に堆積して
薄膜が形成される。

【００３５】以上のように本実施形態にあっては、ベー
ス部材５と静電チャック７との間に伝熱用ガスを供給し
て熱結合を起こすようにしたので、ベース部材５と静電
チャック７とを接合することなしに、ベース部材５と静
電チャック７との間の熱伝達効率を向上させることがで
きる。また、ベース部材５と静電チャック７とを接合し
なくてすむため、静電チャック７のメンテナンス時や故
障時による静電チャック７の交換時には、ホルダー８を
外して静電チャック７だけを抜き出せばよく、消耗品と
してのコストが低減する。

【００３６】また、静電チャック７と半導体ウェハＷと
の間にも伝熱用ガスを供給するので、ベース部材５と静
電チャック７との間の熱伝達効率に加えて、静電チャッ
ク７と半導体ウェハＷとの間の熱伝達効率も向上する。
これにより、成膜プロセス時において、半導体ウェハＷ
の温度分布の均一性が向上する。このとき、ベース部材
５と静電チャック７との間に供給される伝熱用ガスと、
静電チャック７と半導体ウェハＷとの間に供給される伝
熱用ガスとを共通化したので、伝熱用ガスの供給系が簡
略化される。

【００３７】さらに、伝熱用シート６の周縁部にＯリン
グ１８を設けたので、処理チャンバ２内に漏れるヘリウ
ムガスの量が少なくなり、成膜プロセスに与える影響を
少なくすることができる。

【００３８】以上、本発明の好適な実施形態について述
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、本実施形態では、静電チャック
７にガス導入路１５及びガス停滞用溝１６を形成し、静
電チャック７と半導体ウェハＷとの間に伝熱用ガスを供
給するようにしたが、高温（例えば、２００〜６００
度）下でのみ成膜処理を行う場合は、静電チャックに上
記のようなガス導入路及びガス停滞用溝は設けなくても
よい。この場合には、静電チャック７と半導体ウェハＷ
との間で十分な熱交換が得られなくなる可能性がある
が、その後電極間にプラズマ放電を起こした時に生じる
熱により半導体ウェハＷの温度が十分に加熱されるた
め、特に問題はない。また、この場合には、静電チャッ
クの構造が簡単になる。

【００３９】また、ベース部材５と静電チャック７との
間に金属製の伝熱用シート６を介在させるようにした
が、ベース部材５で発生した熱を静電チャック７に伝え
るための伝熱部材は、特にそのような伝熱用シート６に
限られず、例えばスチールウールを束ねたものや、弾性
を有する金属製の多孔質部材等であってもよい。また、
このような伝熱部材は、必ずしも設けなくてもよい。

【００４０】さらに、使用する伝熱用ガスはヘリウムガ
スに限られず、アプリケーションによっては、アルゴン
ガスや窒素ガスでもよい。アルゴンガスや窒素ガスを使
用する場合には、これらのガスが処理チャンバ２内に多
少漏れても、成膜処理に与える影響は極めて少ないの
で、上記実施形態のように伝熱用シートの周縁部にシー
ル部を設ける必要が無く、伝熱用シートの構造を簡単に
できる。

【００４１】また、伝熱用ガスを第１のガス停滞用溝１
４及び第２のガス停滞用溝１６に供給する際、伝熱用ガ
スの供給圧力が１０Ｔｏｒｒ程度になるように制御した
が、伝熱用ガスによる熱伝達効率を向上させ、かつ半導
体ウェハＷが静電チャック７から外れることを防止する
には、伝熱用ガスの供給圧力が１〜３０Ｔｏｒｒとなる
ように調整すればよい。

【００４２】さらに、第１のガス停滞用溝１４を直線溝
部１４ａ、環状溝部１４ｂ、湾曲溝部１４ｃからなるも
のとしたが、第１のガス停滞用溝は特にこれには限られ
ない。ただし、伝熱用ガスをベース部材５の上面部の内
側から外側まで十分に供給できるようにするには、第１
のガス停滞用溝の一部または全部をベース部材５の縁部
に向かって放射状に延びるように形成するのが好まし
い。また、第１のガス導入路１３は、ベース部材５の上
面まで垂直方向に延びているが、途中から放射状に斜め
上方に屈曲させるようにしてもよい。また、静電チャッ
ク７に第１のガス導入路１３と連通する第２のガス導入
路１５を形成し、この第２のガス導入路１５に第２のガ
ス停滞用溝１６を連通させるようにしたが、そのような
第２のガス導入路１５は設けずに、第１のガス停滞用溝
１４と第２のガス停滞用溝１６とを直接連通させるよう
にしてもよい。

【００４３】また、本実施形態の基板支持装置はスパッ
タリング装置に備えられているが、本発明は、スパッタ
リング装置以外の装置にも適用できることは言うまでも
ない。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、ベース部材と静電チャ
ックとの間に伝熱用ガスを供給するようにしたので、ベ
ース部材と静電チャックとを接合しなくても、ベース部
材と静電チャックとの間の熱伝達効率を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板支持装置を備えたスパッタリ
ング装置を示す概略構成図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。

【図３】従来における基板支持装置の一例を示す概略構
成図である。

【図４】従来における他の基板支持装置を示す概略構成
図である。

【符号の説明】 ２…処理チャンバ、４…基板支持装置、５…ベース部
材、６…伝熱用シート（伝熱部材）、７…静電チャッ
ク、１３…第１のガス導入路、１４…第１のガス停滞用
溝、１５…第２のガス導入路、１６…第２のガス停滞用
溝、１８…Ｏリング（シール部）、Ｗ…半導体ウェハ
（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 真徳 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA10 HA16 HA37 HA39 HA40 MA29 5F103 AA08 BB41

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理チャンバ内に設置され、伝熱用ガス
   を導くためのガス導入路を有するベース部材と、 前記ベース部材の上部に設けられ、基板を吸着して保持
   する静電チャックとを備え、 前記ベース部材の上面部には、前記ガス導入路と連通さ
   れ、当該ガス導入路により導入された前記伝熱用ガスを
   停滞させる第１のガス停滞用溝が形成されている基板支
   持装置。
2. 【請求項２】 前記ベース部材と前記静電チャックとの
   間には、前記ベース部材の熱を前記静電チャックに伝え
   るための弾性を有する伝熱部材が介在されている請求項
   １記載の基板支持装置。
3. 【請求項３】 前記伝熱部材の周縁部には、前記第１の
   ガス停滞用溝に停滞した前記伝熱用ガスの流出を止める
   ためのシール部が設けられている請求項２記載の基板支
   持装置。
4. 【請求項４】 前記第１のガス停滞用溝は、前記ベース
   部材の周縁部に向かって放射状に延びている部分を有す
   る請求項１〜３のいずれか一項記載の基板支持装置。
5. 【請求項５】 前記静電チャックの上面部には、前記ガ
   ス導入路と連通され、当該ガス導入路により導入された
   前記伝熱用ガスを停滞させる第２のガス停滞用溝が形成
   されている請求項１〜４のいずれか一項記載の基板支持
   装置。
6. 【請求項６】 処理チャンバ内に設置されたベース部材
   と、このベース部材の上部に設けられ、基板を吸着して
   保持する静電チャックとを備えた基板支持装置の伝熱方
   法であって、 前記ベース部材として、上面に開口し伝熱用ガスを導く
   ための第１のガス導入路を有するものを用い、前記伝熱
   用ガスを、前記第１のガス導入路を介して前記ベース部
   材と前記静電チャックとの間に供給する基板支持装置の
   伝熱方法。
7. 【請求項７】 前記静電チャックとして、前記第１のガ
   ス導入路と連通され且つ上面に開口し、前記伝熱用ガス
   を導くための第２のガス導入路を有するものを用い、前
   記静電チャックに前記基板が保持された後、前記伝熱用
   ガスを、前記第１のガス導入路及び前記第２のガス導入
   路を介して前記静電チャックと前記基板との間に供給す
   る請求項６記載の基板支持装置の伝熱方法。
8. 【請求項８】 前記伝熱用ガスを供給するときに、前記
   伝熱用ガスの供給圧力を１〜３０Ｔｏｒｒになるように
   調整する請求項６または７記載の基板支持装置の伝熱方
   法。
9. 【請求項９】 前記伝熱用ガスとして、ヘリウムガス、
   アルゴンガス及び窒素ガスのいずれかを使用する請求項
   ６〜８のいずれか一項記載の基板支持装置の伝熱方法。