JP4782682B2

JP4782682B2 - 連絡空間を用いた効率的な温度制御のための方法と装置

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Publication number: JP4782682B2
Application number: JP2006528000A
Authority: JP
Inventors: モロズ、ポール; ハメリン、トーマス
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-09-26
Filing date: 2004-09-20
Publication date: 2011-09-28
Anticipated expiration: 2024-09-20
Also published as: US20050068736A1; JP2007507104A; US6992892B2; CN100525598C; KR20060076288A; KR20060097021A; WO2005036594A3; KR101016738B1; CN1857044A; WO2005036594A2

Description

本発明は、一般に半導体プロセスシステムに関し、特に、基板ホルダの中の粗い接触部(rough contact)又はミクロンサイズのギャップを用いる基板の温度制御に関する。

多くのプロセス（例えば、化学、プラズマ誘起された、エッチング及び堆積の各プロセス）は、基板（ウェハとしても称される）の瞬間的な温度に著しく依存している。したがって、基板の温度を制御することができることは、半導体プロセスシステムの本質的な特性である。さらに、同じ真空チャンバの中で異なる温度を必要とする様々なプロセス（いくつかの重要な場合には周期的に）の速い適用では、基板温度を迅速に変化させることと制御することとが可能であることが必要とされる。基板の温度を制御する１つの方法は、基板ホルダ（チャックとも称される）を加熱し、又は、冷却することによる。この基板ホルダを比較的速く加熱し、又は、冷却することを達成する方法は、以前に提案され、適用されてきた。しかし、現存するどの方法によっても、産業のますます強まる要求を満足させるような十分に速い温度制御は得られていない。

例えば、チャックの中の流路を通して液体を流すことは、冷却のための１つの方法である。しかしながら、この液体の温度は、チラー（chiller）により制御され、このチラーは、部分的にはノイズとサイズとのために、普通、チャック集合体から離れた所に位置している。しかしながら、このチラーユニットは、普通、とても高価であり、冷却液体のかなり大きな体積と、このチラーにより与えられる加熱及び冷却の出力への制約とのために、迅速な温度変化のための能力が制限されている。さらに、ほとんどチャックブロックのサイズと熱伝導率とに依存して、このチャックが所望の温度設定に到達するのに、追加的に時間の遅延がある。これら要素は、基板を所望の温度にどれだけ迅速に冷却することができるかを制限している。

基板の温度に影響を与えるように、基板ホルダの中に埋め込まれた電気ヒータを用いることを含む、他の方法が提案され用いられてきた。この埋め込まれたヒータは、基板ホルダの温度を上昇するが、この基板ホルダの冷却は、依然として、チラーにより制御されている冷却液体に依存している。また、埋め込まれたヒータと直接接触しているチャックの材料が、永久的に損傷してしまう可能性があるので、この埋め込まれたヒータに印加することができる電力量は、制限されている。基板ホルダの上面の温度の一様性も、本質的な要素であり、加熱速度をさらに制限している。これら全ての要素により、基板の温度変化がどれだけ速く達成されるかは、制限されている。

したがって、本発明の１つの目的は、従来の温度制御方法に伴う上述の又は他の問題を解決するか、減じることである。

本発明の他の目的は、基板を比較的速く加熱し、冷却するための方法とシステムとを提供することである。

本発明のこれらの並びに／もしくは他の目的を、化学的な並びに／もしくはプラズマのプロセスの間、基板を支持する基板ホルダの上部の、迅速な温度の変化と制御とのための方法と装置とにより与えることができる。

本発明の第１の態様に係われば、基板を支持するための基板ホルダが提供されている。この基板ホルダは、外側支持面と、冷却要素と、前記支持面に隣接しこの支持面と冷却要素との間に位置している加熱要素とを有している。連絡空間（contact volume）は、前記加熱要素と冷却要素との間に位置し、第１の内側面と第２の内側面とにより形成されている。前記連絡空間に流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は増加する。

本発明の第２の態様に係われば、基板プロセスシステムが提供されている。このシステムは、外側支持面を有する、基板を支持するための基板ホルダと、冷却流体を中に有している冷却要素と、前記支持面に隣接しこの支持面と冷却要素との間に位置している加熱要素と、この加熱要素と冷却要素との間に位置し第１の内側面と第２の内側面とにより形成されている連絡空間とを有している。このシステムは、また、前記連絡空間に接続されている流体供給ユニットを有している。この流体供給ユニットは、前記連絡空間に流体を供給し、この連絡空間から流体を除去するように設計されている。

本発明の第３の実施の態様に係われば、基板を支持するための基板ホルダが提供されている。この基板ホルダは、外側支持面と、冷却要素と、前記支持面に隣接しこの支持面と冷却要素との間に位置している加熱要素とを有している。この基板ホルダは、前記加熱要素により加熱される基板ホルダの熱質量（thermal mass）を効果的に減少させるために、そして、前記加熱要素を囲む前記基板ホルダの部分と前記冷却要素を囲む前記基板ホルダの部分との間の熱伝導率を増加させるための第１の手段も有する。

本発明の第４の態様に係われば、基板ホルダを製造するための方法が提供されている。この方法は、外側支持面を設けることと、第１の内側面並びに／もしくは第２の内側面を磨くことと、この第１の内側面と第２の内側面との周辺部分を連絡空間を形成するように接続することと、加熱要素と冷却要素とをこの連絡空間の互いに対向する側面に設けることとを有している。

本発明の第５の態様に係われば、基板ホルダの温度を制御する方法が提供されている。この方法は、前記基板ホルダの温度を上昇させることと、前記加熱要素により加熱される基板ホルダの熱質量を効果的に減少させることとを有し、前記上昇させる行程は、加熱要素を作動させることを有している。この方法は、また、支持面の温度を減少させることと、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率を増加させることを有し、前記減少させる行程は、冷却要素を作動させることを有している。

明細書に組み込まれ、この一部を構成している、添付されている図面は、本発明の好ましい実施の形態を直ちに示し、上で与えられている一般的な記述と以下で与えられている好ましい実施の形態の詳細な説明と共に本発明の原理を説明する役割を果たしている。

同じ参照符号の指示により、複数の図を通して同一の又は対応する部分を特定する部分が特定されている図面をここで参照して、本発明の複数の実施の形態が次に説明されている。

図１は、半導体プロセスシステム１を示しており、これを、例えば、化学並びに／もしくはプラズマプロセスのために用いることができる。このプロセスシステム１は、真空プロセスチャンバ１０と、支持面２２を備えている基板ホルダ２０と、この基板ホルダ２０により支持される基板３０とを有している。このプロセスシステム１は、また、プロセスチャンバ１０の中に減圧雰囲気を与えるためのポンプシステム４０と、電源１３０により電力供給される埋め込まれた電気加熱要素５０と、チラー１２０により制御される液体流のための流路を備えた埋め込まれた冷却要素６０とを有している。連絡空間９０が、加熱要素５０と冷却要素６０との間に設けられている。基板ホルダ２０の加熱と冷却とを促進させるように、導管９８を通して、連絡空間９０に流体９２を供給し、連絡空間９０から流体９２を取り除くために、流体供給ユニット１４０が設けられている。非限定的な例として、この流体９２は、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、又は、代わって、連絡空間９０を横断する方向の熱伝導率を迅速にそして著しく増加又は減少させることができるどんな他の流体でも良い。

図２は、基板３０に対する基板ホルダ２０の詳細を追加的に示している。この図に見られるように、基板ホルダ２０と基板３０との間の熱伝導率の向上のために、Ｈｅ供給部（図示されていない）からヘリウムの裏面流７０が与えられる。この向上した熱伝導率により、加熱要素５０を中に有しているか、加熱要素に直接隣接している支持面２２の迅速な温度制御により基板３０の迅速な温度制御を生じさせることが確実となる。面２２の複数の溝が、また、比較的早いＨｅガス分配のために用いられることができる。図２からまた見られるように、前記冷却要素６０は、チラー１２０により制御される液体流を収容するように設計されている複数の流路６２を有し、基板ホルダ２０は、基板ホルダ２０への基板３０の静電クランプを与えるために必要とされている静電クランプ電極８０と、対応する直流電源と、接続要素とを有することができる。

図１と図２とに示されているシステムは、例示的にすぎず、他の要素を有することができることを理解されたい。例えば、プロセスシステム１は、また、ＲＦ電源及びＲＦ電力供給ラインと、ウェハを位置させそして取り除くための複数のピンと、熱センサと、従来技術で知られているどんな他の要素も有することができる。プロセスシステム１は、また、真空チャンバ１０に入るプロセスガスラインと、真空チャンバ１０の中のガスをプラズマに励起するための、第２の電極（容量的に結合されたタイプのシステム（capacitively-coupled-type system））又はＲＦコイル（誘電的に結合されたタイプのシステム（inductively-coupled-type system））とを有することができる。

図３は、本発明の一実施の形態に係る連絡空間９０の詳細を示している。図３に見られるように、この連絡空間９０は、基板ホルダ２０の上側内側面９３と下側内側面９６との間に設けられている。この例において、連絡空間９０は、２つの粗面９３、９６の間の粗い接触部として設計されている。図１と図２とに示されているように、面９３、９６の各々は、加熱要素５０と冷却要素６０と作動面面積に実質的に等しい表面面積を有している。代わりに、面９３、９６の表面面積は、加熱要素５０と冷却要素６０との表面面積よりも大きいか小さいことができるが、結果として生じる連絡空間９０は、支持面２２の迅速な加熱と冷却とを容易にするサイズであるべきである。また、支持面２２と、冷却要素６０の作動面と、加熱要素５０の作動面と、上側面９３と、下側面９６とは、実質的に互いに平行である必要はないのであるが、実質的に互いに平行であることが可能であることが好ましい。この文書の目的のためには、「実質的に等しい」と「実質的に平行だ」とは、それぞれ、完全な等しさ又は完全な平行からのどんなずれも従来技術で認められているような許容される範囲にあるという条件に言及している。面９３、９６の粗面領域を得るための準備工程は、以下のようであることができ、又は、代わりに、粗面処理のための技術で知られているどんな他の方法によることもできる。

第１に、面９３、９６は、Ｒが基板ホルダの全半径（もし、これが円形でないならば、全くの全サイズ(through the full size)）の場合、半径Ｒにより規定される領域内では、どこでも両者とも磨かれる。それから、粗面処理のためのいくつかの技術（例えば、砂吹き）が、Ｒ１がＲよりもわずかに小さい半径である場合、Ｒ１により規定される、面の内側領域に適用され、その結果、比較的小さい周囲のストリップ９５だけが、磨かれて残る。それから、上側面９３と下側面９６に対応する上側ブロックと下側ブロックは、接続され、その結果、周囲のストリップ９５では良好な機械的な接触が生じる一方、連絡空間９０を面９３、９６の粗い接触部として残す。

粗い接触部の考えは、連絡空間９０を横断する方向の熱伝導率を著しく減少させる一方で、面９３、９６を互いにとても接近させて保つ（すなわち、数ミクロンの範囲内、好ましくは、１乃至２０ミクロンの範囲内）。図３の実施の形態において、面９３、９６は、面の不規則な所を含むいくつかの領域で互いに接触し得るが、ほとんどの場所では分離されている。この構成で、連絡空間９０を横断する方向の熱伝導率は、１つのオーダの大きさ以上減少される。

上述のように、図３に示されている例は、各々が磨かれ、続いて、粗くされた２つの面９３、９６により形成されている連絡空間９０を示している。代わりの実施の形態において、連絡空間が、一方の側の磨かれた面と対向する側の粗くされた面とにより形成されるように、面９３、９６の一方だけが粗くされている。この構成において、粗い接触部は、まだ達成されている。

図３に示されている実施の形態への他の代替として、連絡空間９０を、上側面９３と下側面９６とにより、これら面が互いに全く接触しないように、形成することができる。この構成は、図４に示され、面９３、９６は、互いに小さな大きさの空間により分離されている、すなわち、面９３、９６の間の連絡空間９０を横断する方向の距離は、数ミクロンである。連絡空間９０を横断する方向の距離は、１ミクロンと５０ミクロンとの間であることが好ましく、１ミクロンと２０ミクロンとの間であることがより好ましい。表面面積を増加し、面９３、９６と流体９２との相互作用を変化させるために、面９３、９６を（図４に示されているように）粗くすることができる。図５の他の代わりの実施の形態に示されているように、面９３、９６は共に滑らかであることができる一方で、図４の実施形態におけるように、小さな大きさの空間だけ分離されている。これら例の両方において、面９３、９６の間の連絡空間９０を横断する方向の距離は、この連絡空間９０の熱伝導率を劇的に変えることができ、流体９２の導入及び排出により制御可能な仕方で変えることができるように、大きさがとられるべきである。流体９２として加圧されたＨｅガスを用いる例において、この距離は、１ミクロンと５０ミクロンとの間であることが好ましく、１ミクロンと２０ミクロンとの間であることがより好ましい。

図６は、複数のポート１０５と複数の溝１１５とを有している単一領域（single-zone）溝システムを示しており、これらポート１０５と溝１１５との組合せは、連絡空間９０の中での流体９２の迅速な分配を改善するために設けられている。ポート１０５は、（図６に示されているように）上側面９３並びに／もしくは下側面９６に位置することができる。流体９２は、導管９８とポート１０５とを通して連絡空間９０に供給される。溝１１５は、また、上側面９３（例えば、図５に透視図で示されている実施例の滑らかな上側面９３）並びに／もしくは下側面９６に位置することができる。溝１１５が、面９３、９６の両方に位置している時は、これらを同一に構成し互いに対向して整列させるか、互いに相対的にずらすことができる。代わりに、溝１１５の各々の組を、面９３、９６が合わせられた時にこれら溝が整列しないように、違うように構成することができる。溝１１５は、約０．２ｍｍないし２．０ｍｍの幅と、同じ範囲の寸法の深さとを有している。連絡空間９０の中での熱伝導率は、溝１１５により覆われている領域（例えば、面積）の中の流体９２の圧力と、熱伝導率のプロファイルの制御を可能とする条件と、その結果、面９３、９６に渡る温度プロファイルの制御とに依存している。

図６に示されている単一領域のシステムに代わって、図７は、第１の領域９４ａが複数の内側の溝１１５及び内側のポート１０５を有し、これらにより形成され、第２の領域９４ｂが、複数の外側の溝１１６及び外側のポート１０６を有し、これらにより形成されている２領域（dual-zone）システムを示している。内側の溝１１５は、基板ホルダの第１の領域９４ａにおける圧力、熱伝導率及び温度を調節し、外側の溝１１６は、第２の領域９４ｂにおけるこれらの条件を調節する。溝１１５は、面９３のいずれの点でも溝１１６と接続しておらず、連絡空間の異なる領域の別々の制御を容易にする構成を生じている。さらに、複数領域（multi-zone）溝システム（図示されていない）を設けることができ、この場合には、別々の組の流体ポートの組が各々の領域に設けられ、異なる領域に対して異なるガス圧力を用いることができる。さらに、この代わりに、連絡空間９０における所望の流体分布を得るように、溝１１５とポート１０５とをどんな他の仕方でも構成することができる。例えば、３領域連絡空間は、複数の内側溝、中間半径の溝及び外側の溝を、流体９２の圧力を独立に制御して有することができる。

本発明の様々な実施の形態を、以下のように操作することができる。加熱段階の間は、加熱要素５０が電力を供給されている。一方で、流体９２は、連絡空間９０は、排出され、流体供給ユニット１４０の中へと移動されている。このように、連絡空間９０を横断する方向の熱伝導率は、連絡空間９０が熱障壁（heat barrier）として振舞うように、極めて減少される。すなわち、この排出工程は、冷却要素６０を直接囲んでいる、基板ホルダ２０の部分を、加熱要素５０を直接囲んでいる、基板ホルダ２０の部分から、実効的に分離している。この結果、加熱要素５０により加熱される、基板ホルダ２０の大きさは、直上で加熱要素５０を囲んでいる、基板ホルダ２０の部分だけに減少され、支持面２２とウェハ３０との迅速な加熱を可能にしている。加熱要素５０を使用することの代わりに、真空チャンバ１０の中で発生されたプラズマからの熱流束のような外部からの熱流束により熱を加えることができる。

冷却段階において、加熱要素５０は切られ、流体９２が、流体供給ユニット１４０から連絡空間９０に供給され、冷却要素６０が作動される。連絡空間９０が流体９２で満たされると、連絡空間９０を横断する方向の熱伝導率は著しく増加され、この結果、冷却要素６０により支持面２２とウェハ３０とを迅速に冷却する。小さな周囲の領域９５（図３乃至５）は、流体９２が連絡空間９０から流れ出ることを防止している。いくつかの状況では、この磨かれた領域９５は、ない可能性があり、この結果、面９３、９６の領域全体が荒くなっている。このような状況において、連絡空間９０からの流体９２の漏れは許容され得るか、流体９２の漏れを防ぐように、封止要素（例えば、Ｏリング）が用いられるかのいずれかである。

本発明は、効率的な温度制御又は迅速な温度制御が重要である、様々なシステムにおいて効果的に適用されることができる。このようなシステムは、プラズマプロセス、非プラズマプロセス、化学的プロセス、エッチング、堆積、フィルム形成（film-forming）又はアッシングを有するが、これらに限定されない。本発明を、半導体ウェハ以外の目標物（target object）、例えば、ＬＣＤガラス基板又は同様の装置、のためのプラズマプロセス装置にも適用することができる。

本発明を、本発明の精神又は本質的な特性から出ることなく、他の特定の形式で実施することができることは、当業者により認められる。したがって、ここで開示されている実施の形態は、全ての態様において、実例となり、制限をされていない。本発明の範囲は、前の記述よりもむしろ添付されている請求項により指示されており、意味と範囲との中に現れる全ての変化とこれらの等価なものは、本発明の範囲の中に含まれることが意図されている。

本発明の例示的な実施の形態に係る半導体プロセス装置の概略図である。図１の基板ホルダの断面図である。図１の基板ホルダの内側の２つの内側の粗面の間の接触の概略図である。本発明の他の実施の形態に係る、図１の基板ホルダの内側の２つの内側の粗面の間の連絡空間の概略図である。本発明の他の実施の形態に係る、図１の基板ホルダの内側の２つの内側の滑らかな面の間の連絡空間の概略図である。図５の内側面の例示的な単一領域の溝パターンの平面図である。図５の内側面の例示的な２領域の溝パターンの平面図である。

Claims

基板を支持するための基板ホルダであって、
外側支持面と、
冷却要素と、
前記支持面に隣接し、この支持面と前記冷却要素との間に位置されている加熱要素と、
この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成された連絡空間とを具備し、
前記第１の内側面と前記第２の内側面との少なくとも一方は、基板ホルダの内部領域に置かれ、磨かれて粗面処理がされない面を有する周囲の部分によって囲まれた面であり、かつ、粗面処理され前記周囲の部分より粗い面であり、
前記連絡空間は、この連絡空間に流体を供給するように構成された導管が接続されており、
前記連絡空間に前記導管から流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される、基板を支持するための基板ホルダ。
前記支持面と、前記冷却要素の作動面と、前記加熱要素の作動面と、前記第１の内側面と、前記第２の内側面とは、互いにほぼ平行である請求項１に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面との少なくとも一方の表面面積は、前記冷却要素と加熱要素との少なくとも一方の作動面の表面面積にほぼ等しい請求項１に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面とは、前記周囲の部分の接触より粗い接触をしている請求項１に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面とのうちのいずれか一方は、他方の前記粗面処理された面より滑らかである請求項１に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面との間の距離は、１ミクロンと５０ミクロンとの間である請求項１に記載の基板ホルダ。
前記冷却要素は、複数の流体流路を有している請求項１に記載の基板ホルダ。
基板を支持するための基板ホルダであって、
外側支持面と、
冷却要素と、
前記支持面に隣接し、この支持面と前記冷却要素との間に位置されている加熱要素と、
この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成された連絡空間と、
前記第１の内側面、もしくは、第２の内側面、または、前記第１の内側面および第２の内側面の２つの内側面は、流体を流すように構成された複数の溝と、前記複数の溝に流体を流すための少なくとも１つの流体ポートと、を具備し、
前記第１の内側面と前記第２の内側面との少なくとも一方は、基板ホルダの内部領域に置かれ、磨かれて粗面処理がされない面を有する周囲の部分によって囲まれた面であり、かつ、粗面処理され前記周囲の部分より粗い面であり、
前記連絡空間は、この連絡空間に流体を供給するように構成された導管が接続されており、
前記連絡空間に前記導管から流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される、基板を支持するための基板ホルダ。
基板を支持するための基板ホルダであって、
外側支持面と、
冷却要素と、
前記支持面に隣接し、この支持面と前記冷却要素との間に位置されている加熱要素と、
この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成され、前記基板ホルダの中で封止されている連絡空間とを具備し、
前記第１の内側面と前記第２の内側面との少なくとも一方は、基板ホルダの内部領域に置かれ、磨かれて粗面処理がされない面を有する周囲の部分によって囲まれた面であり、かつ、粗面処理され前記周囲の部分より粗い面であり、
前記連絡空間は、この連絡空間に流体を供給するように構成された導管が接続されており、
前記連絡空間に前記導管から流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される、基板を支持するための基板ホルダ。
外側支持面と、
冷却流体を有している冷却要素と、
前記支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置されている加熱要素と、
前記加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成されている連絡空間とを有する、基板を支持するための基板ホルダと、
前記連絡空間に接続され、この連絡空間に流体を供給しこの連絡空間から流体を取り除くように、設計されている流体供給ユニットとを具備し、
前記第１の内側面と前記第２の内側面との少なくとも一方は、基板ホルダの内部領域に置かれ、磨かれて粗面処理がされない面を有する周囲の部分によって囲まれた面であり、かつ、粗面処理され前記周囲の部分より粗い面である、基板プロセスシステム。
前記冷却要素に接続されている温度制御ユニットをさらに具備する請求項１０に記載のシステム。
外側支持面を設ける工程と、
第１の内側面と第２の内側面との少なくとも一方を磨く工程と、
前記第１の内側面と前記第２の内側面との少なくとも一方の内側領域を、前記内側面の周囲の部分が磨かれた面を残すように、粗面処理する工程と、
前記第１の内側面と第２の内側面との粗面処理されない周囲の部分を、連絡空間を形成するように、接続する接続工程と、
前記連絡空間の互いに対向する側面に加熱要素と冷却要素とを設ける工程とを具備し、
前記連絡空間は、この連絡空間に流体を供給するように構成された導管が接続されており、
前記連絡空間に前記導管から流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される、基板ホルダを製造するための方法。
前記第１の内側面及び第２の内側面の粗面処理された部分の間の距離は、１ミクロンと５０ミクロンとの間である請求項１２に記載の方法。
前記第１の内側面及び第２の内側面の周囲の部分は、前記粗面処理する工程によって粗面処理された前記内側領域より滑らかに形成されている請求項１２に記載の方法。
前記加熱要素は、前記支持面に隣接して設けられている請求項１２に記載の方法。
前記第１の内側面と第２の内側面との間の距離は、前記連絡空間の中で、約１ミクロンと５０ミクロンとの間である請求項１２に記載の方法。
前記連絡空間の中で用いられる前記流体は、気体である請求項１に記載の基板ホルダ。
前記流体は、ヘリウムガスである請求項１７に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面との間の前記距離は、１ミクロンと２０ミクロンとの間である請求項６に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面と第２の内側面との間の、前記連絡空間の中の距離は、１ミクロンと２０ミクロンとの間である請求項１３に記載の方法。
前記第１の内側面および第２の内側面の各々は、複数の溝を含んでおり、
前記２つの内側面の溝は、同一に配置され、互いに対向している請求項８に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面および第２の内側面の各々は、複数の溝を含んでおり、
前記２つの内側面の溝は、同一に配置され、互いに相対的にずらされている請求項８に記載の基板ホルダ。
前記第１の内側面および第２の内側面の各々は、複数の溝を含んでおり、
前記２つの内側面の溝は、異なる構成で配置されている請求項８に記載の基板ホルダ。
全ての前記溝は、これら溝に流体を供給し、これら溝から流体を取り除く少なくとも１つのポートを有している単一領域システムの中で接続されている請求項８に記載の基板ホルダ。
前記複数の溝の一部は、第１の領域を形成するように一緒に接続され、少なくとも前記複数の溝の他の一部は、第２の領域を形成するように一緒に接続され、これら領域の間には接続がなく、これら第１及び第２の領域の各々は、この領域に流体を供給し、この領域から流体を取り除くように構成されている少なくとも１つのポートを有している請求項８に記載の基板ホルダ。
前記支持面に隣接している前記加熱要素はなく、この場合、加熱は、例えば、プラズマからの熱流束のような外部の熱流束により行われている請求項１に記載の基板ホルダ。
少なくとも１つの熱センサをさらに具備する請求項１に記載の基板ホルダ。
前記支持面に隣接し前記連絡空間の上方に位置されている、埋め込まれた静電クランプ電極と、
このクランプ電極に、直流電位を与えるように構成されている接続要素と、
電源とをさらに具備する請求項１に記載の基板ホルダ。
中に前記基板ホルダが位置されている真空プロセスチャンバと、
この真空プロセスチャンバの中へと入っている少なくとも１つのプロセスガスラインとをさらに具備する請求項１０に記載の基板プロセスシステム。
前記真空プロセスチャンバの中でプラズマが発生されている請求項２９に記載の基板プロセスシステム。