JP6839314B2 - ウエハ載置装置及びその製法 - Google Patents

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Description

本発明は、ウエハ載置装置及びその製法に関する。
ウエハ載置装置としては、上面にウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の下面に配置された円盤状の冷却プレートとが、樹脂製の接着シートで接着されたものが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１のウエハ載置装置は、セラミックプレートと冷却プレートを接着シートで貼り合わせて積層体とし、積層体を加熱しながら真空プレスして製造される。
特開２００９−７１０２３号公報
しかしながら、特許文献１のウエハ載置装置では、接着シート層の厚みが外周部で薄くなり、接着シート層の厚みが均一でないことがあった。接着シート層の厚みが均一でないと、接着シート層を介したセラミックプレートと冷却プレートとの間の熱伝導に違いが生じ、ウエハの面内温度が不均一になる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、接着シート層の厚みを均一にして、ウエハの面内温度を均一にすることを主目的とする。
本発明のウエハ載置装置は、
上面にウエハ載置面を有し、電極が内蔵された円盤状のセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の下面に配置された円盤状の冷却プレートと、
前記セラミックプレートの下面にある接着面と前記冷却プレートの上面にある接着面とを接着する樹脂製の接着シート層と、
を備え、
前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面のうちの少なくとも一方は、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗いものである。
このウエハ載置装置では、セラミックプレートの下面にある接着面及び冷却プレートの上面にある接着面のうちの少なくとも一方において、内周部よりも外周部の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが粗い。接着面の両方において内周部と外周部の表面粗さＲａが同じ場合には、プレスの際などに、外周部の接着シート層が内周部より薄くなりやすい。これは、セラミックプレートと冷却プレートに挟まれた接着シートは、外周だけが拘束されておらず、外周部ほど伸展しやすいためと考えられる。そこで、接着シートが伸展しやすい外周部において、接着面の表面粗さＲａを粗くすれば、外周部での接着シートの伸展がアンカー効果によって抑制され、ウエハ載置装置の接着シート層の厚みを均一にできる。したがって、ウエハの面内温度を均一にできる。接着面の両方において、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗ければ、接着シート層の厚みをより均一にでき、好ましい。なお、内周部の接着面の表面粗さＲａを粗くして外周部の表面粗さＲａと同じとした場合、外周部だけでなく内周部での接着シートの伸展も抑制されるため、外周部の接着シートの層が内周部より薄くなることに変わりはない。このため、内周部よりも外周部の表面粗さＲａを粗くする必要がある。表面粗さＲａが粗い部分、つまり外周部は、接着面の直径の８５％より外周の部分としてもよいし、接着面の直径の９０％より外周の部分としてもよいし、接着面の直径の９５％より外周の部分としてもよい。
なお、本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、ウエハ載置装置の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。
本発明のウエハ載置装置において、前記電極は、ヒータ電極であり、前記セラミックプレートのうち前記内周部に対応する内周ゾーンと、前記セラミックプレートのうち前記外周部に対応する外周ゾーンと、に個別に内蔵されていてもよい。接着面の外周部の表面粗さＲａを粗くすれば、上述の通り接着シート層の厚みを均一にできるため、接着シート層の厚みの違いによって生じる熱伝導の違いを小さくできる。しかし、内周部と外周部とで接着面の表面粗さＲａが異なるため、接着シート層を介したセラミックプレートと冷却プレートとの間の熱伝導には、程度は小さいものの、内周部と外周部とで違いが生じることがある。ここでは、内周ゾーンのヒータ電極と、外周ゾーンのヒータ電極とを個別に内蔵している。そのため、内周部と外周部との熱伝導の違いに応じて、内周ゾーンのヒータ電極と外周ゾーンのヒータ電極とを個別に温度制御することができ、ウエハの面内温度をより均一にできる。
本発明のウエハ載置装置において、前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面は、半径１３５ｍｍ以上であるものとしてもよい。セラミックプレートの接着面及び冷却プレートの接着面の半径が１３５ｍｍ以上の場合には、接合面全面の表面粗さＲａに差がないと外周部の接着シートが内周部よりも特に薄くなりやすい。このため、本発明を適用する意義が高い。この場合、内周部と外周部との境界は、半径１３５ｍｍ以上の円としてもよい。
本発明のウエハ載置装置において、前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面のうちの少なくとも一方は、前記外周部の表面粗さＲａが１．６μｍよりも粗いものとしてもよい。こうすれば、外周部でのアンカー効果が大きいため、外周部での接着シートの伸展がより抑制され、接着シート層の厚みをより均一にできる。内周部の表面粗さＲａは、例えば１．６μｍ以下としてもよい。内周部で接着シートが適度に伸展し、接着シート層の厚みをより均一にできる。
本発明のウエハ載置装置の製法は、
（ａ）電極が内蔵された円盤状のセラミックプレートと、円盤状の冷却プレートと、接着シートと、を用意する工程と、
（ｂ）前記セラミックプレートと前記冷却プレートとを前記接着シートを用いて接着する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）で用意する前記セラミックプレート及び前記冷却プレートのうち少なくとも一方は、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗い接着面を有し、
前記工程（ｂ）では、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗い前記接着面で接着する。
このウエハ載置装置の製法によれば、外周部での接着シートの伸展がアンカー効果によって抑制されるため、ウエハ載置装置の接着シート層の厚みを均一にできる。したがって、ウエハの面内温度を均一にできる。接着面の両方において、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗ければ、接着シート層の厚みをより均一にできるため、より好ましい。
静電チャックヒータ１０の斜視図。 図１のＡ−Ａ断面図。 ヒータ電極２２，２４を平面視したときの説明図。 セラミックプレート２０の下面図。 冷却プレート３０の平面図。 静電チャックヒータ１０の製法を示す説明図。 静電チャックヒータ１０の別例の図２に対応する断面図。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は本発明のウエハ載置装置の一実施形態である静電チャックヒータ１０の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３はヒータ電極２２，２４を平面視したときの説明図、図４はセラミックプレート２０の下面図、図５は冷却プレート３０の平面図である。図６は静電チャックヒータ１０の製法を示す説明図である。
静電チャックヒータ１０は、上面にウエハ載置面２０ａを有するセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の下面２０ｂに配置された冷却プレート３０とを備えている。セラミックプレート２０の接着面である下面２０ｂと冷却プレート３０の接着面である上面３０ａとは、樹脂製の接着シート層４０を介して接着されている。
セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミックプレート２０の直径は特に限定されるものではないが、例えば３００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０には、図２に示すように、内周ヒータ電極２２と外周ヒータ電極２４と静電電極２８とが内蔵されている。内周ヒータ電極２２及び外周ヒータ電極２４は、例えば、モリブデン、タングステン又は炭化タングステンを主成分とするコイル又は印刷パターンで作製されている。内周ヒータ電極２２は、セラミックプレート２０と同じ中心を持ち直径がセラミックプレート２０よりも小さい円形の内周ゾーンＺ１（図３の仮想境界Ｂの内側）の全体に行き渡るように、一端２２ａから他端２２ｂまで一筆書きの要領で配線されている。内周ゾーンＺ１の直径は特に限定されるものではないが、好ましくは、セラミックプレート２０の直径の８５％以上９５％以下であり、例えば２７０ｍｍ程度である。内周ヒータ電極２２の一端２２ａと他端２２ｂは、内周電源２２ｐに接続されている。外周ヒータ電極２４は、内周ゾーンＺ１を取り囲む環状の外周ゾーンＺ２（図３の仮想境界Ｂの外側）の全体に行き渡るように、一端２４ａから他端２４ｂまで一筆書きの要領で配線されている。外周ヒータ電極２４の一端２４ａと他端２４ｂは、外周電源２４ｐに接続されている。静電電極２８は、例えば、モリブデン、タングステン又は炭化タングステンを主成分とするメッシュ又はプレートで作製され、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａと平行に設けられている。静電電極２８は、図示しない静電電極用電源に接続されている。
セラミックプレート２０の下面２０ｂは、図４に示すように、内周部２０ｉよりも外周部２０ｏの表面粗さＲａが粗くなっている。外周部２０ｏの表面粗さＲａは特に限定されるものではないが、例えば１．６μｍよりも粗い。図４では、表面粗さＲａが１．６μｍよりも粗い部分を網掛けで示し、それ以外の部分は白色で示した。内周部２０ｉと外周部２０ｏとの境界は、平面視したときに、図３の仮想境界Ｂと一致するようになっている。
冷却プレート３０は、アルミニウムやアルミニウム合金などに代表される金属からなり、直径がセラミックプレート２０よりも大きい円盤状のプレートである。冷却プレート３０は、図２に示すように、直径がセラミックプレート２０と同じ円形の上面３０ａと、上面３０ａよりも低位で上面３０ａの外周を取り囲む円環状の段差面３０ｃとを有している。上面３０ａにはセラミックプレート２０が接着され、段差面３０ｃには図示しないフォーカスリング（保護リングともいう）が載置される。冷却プレート３０の内部には、冷媒流路３２が設けられている。冷媒流路３２は、セラミックプレート２０が配置された全域に行き渡るように、入口から出口まで一筆書きの要領で設けられている。冷媒流路３２の入口及び出口は、図示しない外部冷却装置に接続されており、出口から排出された冷媒は、外部冷却装置で温度調整されたあと再び入口に戻されて冷媒流路３２内に供給される。
冷却プレート３０の上面３０ａは、図５に示すように、内周部３０ｉよりも外周部３０ｏの表面粗さＲａが粗くなっている。外周部３０ｏの表面粗さＲａは特に限定されるものではないが、例えば１．６μｍよりも粗い。図５では、表面粗さＲａが１．６μｍよりも粗い部分を網掛けで示し、それ以外の部分は白色で示した。内周部３０ｉと外周部３０ｏとの境界は、平面視したときに、図３の仮想境界Ｂと一致するようになっている。
接着シート層４０は、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などに代表される絶縁性を有する樹脂製の接着シートで形成された層であり、セラミックプレート２０の下面２０ｂ及び冷却プレート３０の上面３０ａと直径が同じ円形の層である。接着シート層４０は、単層構造でもよいし、多層構造でもよい。接着シート層４０の具体例としては、ポリプロピレン製の芯材の両面にアクリル樹脂層を備えたシートや、ポリイミド製の芯材の両面にシリコーン樹脂層を備えたシート、エポキシ樹脂単独のシートなどが挙げられる。
次に、静電チャックヒータ１０の製法について説明する。この製法は、セラミックプレート２０と冷却プレート３０と接着シート４０ｓとを用意する工程（ａ）と、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを接着シート４０ｓを用いて接着する工程（ｂ）とを含む。
工程（ａ）で用意するセラミックプレート２０は、上述したセラミックプレート２０と同じものであり、内周ヒータ電極２２と外周ヒータ電極２４と静電電極２８とが内蔵されている。セラミックプレート２０の下面２０ｂは、図６（ａ）に示すように、内周部２０ｉよりも外周部２０ｏの表面粗さＲａが粗くなっている。こうしたセラミックプレート２０の製造時には、例えば、下面２０ｂ全体の表面粗さＲａが１．６μｍ以下のセラミックプレートを用意し、外周部２０ｏに研磨やエッチングなど粗化処理を施して外周部２０ｏの表面粗さＲａを１．６μｍより粗くしてもよい。
工程（ａ）で用意する冷却プレート３０は、上述した冷却プレート３０と同じものであり、内部に冷媒流路３２が設けられている。冷却プレート３０の上面３０ａは、図６（ａ）に示すように、内周部３０ｉよりも外周部３０ｏの表面粗さＲａが粗くなっている。こうした冷却プレート３０の製造時には、例えば、上面３０ａ全体の表面粗さＲａが１．６μｍ以下の冷却プレートを用意し、外周部３０ｏに研磨やエッチングなどの粗化処理を施して外周部３０ｏの表面粗さＲａを１．６μｍより粗くしてもよい。
工程（ａ）で用意する接着シート４０ｓは、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などに代表される絶縁性を有する樹脂製のシートである。接着シート４０ｓは、セラミックプレート２０の下面２０ｂ及び冷却プレート３０の上面３０ａと直径が略同じ円形のシートである。接着シート４０ｓは、単層構造でもよいし、多層構造でもよい。接着シート４０ｓの具体例としては、ポリプロピレン製の芯材の両面にアクリル樹脂層を備えたシートや、ポリイミド製の芯材の両面にシリコーン樹脂層を備えたシート、エポキシ樹脂単独のシートなどが挙げられる。
工程（ｂ）では、まず、セラミックプレート２０の下面２０ｂと冷却プレート３０の上面３０ａとの間に接着シート４０ｓが介在するようにセラミックプレート２０と冷却プレート３０と接着シート４０ｓとを配置し、積層体１０ｓを製造する（図６（ｂ）参照）。続いて、積層体１０ｓを加熱しながら真空プレスによる加圧を行い、接着シート４０ｓを硬化させて、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを接着シート層４０で強固に接着する（図６（ｃ）参照）。加熱温度は特に限定されず、接着シート４０ｓの種類に応じて設定すればよいが、例えば９０〜１８０℃程度である。加圧力は特に限定されず、接着シート４０ｓの種類に応じて設定すればよいが、例えば０．４〜１．５ＭＰａ程度である。９０〜１１０℃で加熱する場合には１．１〜１．５ＭＰａで加圧し、１６０〜１８０℃で加熱する場合には０．４〜０．８ＭＰａで加圧してもよい。接着シート４０ｓが外周にはみ出した場合には、はみ出した接着シート４０ｓを除去してもよい。
次に、静電チャックヒータ１０の使用例について説明する。まず、静電チャックヒータ１０のウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置し、段差面３０ｃに図示しないフォーカスリングを載置する。そして、静電電極２８とウエハＷとの間に電圧を印加することにより、ウエハＷを静電気的な力によってセラミックプレート２０に吸着する。この状態で、ウエハＷにプラズマＣＶＤ成膜やプラズマエッチングなどの処理を施す。このとき、内周ヒータ電極２２や外周ヒータ電極２４に電圧を印加してウエハＷを加熱したり、冷却プレート３０の冷媒流路３２に水などの冷媒を循環してウエハＷを冷却したりすることにより、ウエハＷの温度を制御する。なお、内周ヒータ電極２２と外周ヒータ電極２４は、各々異なる内周電源２２ｐ及び外周電源２４ｐに接続されており、個別に温度制御される。ウエハＷの処理が終了したら、静電電極２８とウエハＷとの間の電圧をゼロにして静電気的な力を消失させ、図示しない搬送装置によってウエハＷを別の場所へ搬送する。
以上説明した本実施形態の静電チャックヒータ１０及びその製法では、接着面である下面２０ｂ及び上面３０ａにおいて、内周部２０ｉ，３０ｉよりも外周部２０ｏ，３０ｏの表面粗さＲａが粗い。このため、外周部での接着シート４０ｓの伸展がアンカー効果によって抑制され、接着シート層４０の厚みを均一にできる。したがって、ウエハＷの面内温度を均一にできる。
また、静電チャックヒータ１０では、内周部２０ｉ，３０ｉに対応する内周ゾーンＺ１には内周ヒータ電極２２が内蔵され、外周部２０ｏ，３０ｏに対応する外周ゾーンＺ２には外周ヒータ電極２４が内蔵されている。このため、表面粗さＲａの違いによって内周部と外周部の熱伝導に違いが生じても、その違いに応じて内周ヒータ電極２２と外周ヒータ電極２４とを個別に温度制御でき、ウエハＷの面内温度をより均一にできる。
また、静電チャックヒータ１０において、セラミックプレート２０の下面２０ｂ及び冷却プレート３０の上面３０ａの半径が１３５ｍｍ以上である場合には、接合面全面の表面粗さＲａに差がないと外周部の接着シート４０ｓが内周部よりも特に薄くなりやすい。このため、本発明を適用する意義が高い。
また、静電チャックヒータ１０において、接着面である下面２０ｂ及び上面３０ａにおいて、外周部２０ｏ，３０ｏの表面粗さＲａが１．６μｍよりも粗い場合には、外周部２０ｏ，３０ｏでのアンカー効果が大きい。このため、外周部では接着シート４０ｓの伸展がより抑制され、接着シート層４０の厚みをより均一にできる。また、内周部２０ｉ，３０ｉの表面粗さＲａが１．６μｍ以下であれば、内周部２０ｉ，３０ｉでのアンカー効果は比較的小さい。このため、内周部では接着シート４０ｓが適度に伸展し、接着シート層４０の厚みをより均一にできる。なお、外周部２０ｏ，３０ｏの表面粗さＲａの上限は、特に限定されないが、例えば３．２μｍ以下としてもよいし、内周部２０ｉ，３０ｉの表面粗さＲａの２倍以下としてもよい。こうすれば、凹凸の奥まで接着シート４０ｓが入り込みやすく、隙間が生じにくい。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態において、セラミックプレート２０の下面２０ｂだけ、内周部２０ｉよりも外周部２０ｏの表面粗さＲａが粗くてもよいし、冷却プレート３０の上面３０ａだけ、内周部３０ｉよりも外周部３０ｏの表面粗さＲａが粗くてもよい。アンカー効果が片面のみになるものの、外周部での接着シート４０ｓの伸展がアンカー効果によって抑制されるため、接着シート層４０の厚みを均一にできる。
上述した実施形態では、セラミックプレート２０を内周ゾーンＺ１と外周ゾーンＺ２の２つに分割して、各ゾーンＺ１，Ｚ２に各ヒータ電極２２，２４を配置したが、セラミックプレート２０を３つ以上に分割して、ゾーンごとにヒータ電極を配置してもよい。また、ゾーンの形状は、特に限定されず、円形や環状のほか、半円形、扇形、円弧状などとしてもよい。また、セラミックプレート２０をゾーンに分割することなく、セラミックプレート２０の全体に行き渡るようにヒータ電極を配置してもよい。
上述した実施形態では、内周部２０ｉと外周部２０ｏとの境界や、内周部３０ｉと外周部３０ｏとの境界は、平面視したときに、仮想境界Ｂと一致するものとしたが、仮想境界Ｂと一致しなくてもよい。
上述した実施形態では、セラミックプレート２０には、ヒータ電極２２，２４と静電電極２８とが内蔵されているものとしたが、電極が内蔵されていれば電極の種類は限定されない。例えば、静電電極及びヒータ電極の少なくとも一方が内蔵されていてもよいし、ＲＦ電極が内蔵されていてもよい。
上述した実施形態では、冷却プレート３０は、上面３０ａと、上面３０ａよりも低位の段差面３０ｃとを有しているものとしたが、図７に示すように、冷却プレート３０を、段差面３０ｃのない円柱状にしてもよい。この場合、接着面の外周を取り囲む円環状の上面は、外周部３０ｏと同じ表面粗さＲａとしてもよいし、内周部３０ｉと同じ表面粗さＲａとしてもよいし、どちらとも異なってもよい。
本発明は、半導体の製造装置などに利用可能である。
１０ 静電チャックヒータ、１０ｓ 積層体、２０ セラミックプレート、２０ａ ウエハ載置面、２０ｂ 下面、２０ｉ 内周部、２０ｏ 外周部、２２ 内周ヒータ電極、２２ａ 一端、２２ｂ 他端、２２ｐ 内周電源、２４ 外周ヒータ電極、２４ａ 一端、２４ｂ 他端、２４ｐ 外周電源、２８ 静電電極、３０ 冷却プレート、３０ａ 上面、３０ｃ 段差面、３０ｉ 内周部、３０ｏ 外周部、３２ 冷媒流路、４０ 接着シート層、４０ｓ 接着シート、Ｂ 仮想境界、Ｚ１ 内周ゾーン、Ｚ２ 外周ゾーン。

Claims (5)

  1. 上面にウエハ載置面を有し、電極が内蔵された円盤状のセラミックプレートと、
    前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の下面に配置された円盤状の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの下面にある接着面と前記冷却プレートの上面にある接着面とを接着する樹脂製の接着シート層と、
    を備え、
    前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面のうちの少なくとも一方は、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗い、
    ウエハ載置装置。
  2. 前記電極は、ヒータ電極であり、前記セラミックプレートのうち前記内周部に対応する内周ゾーンと、前記セラミックプレートのうち前記外周部に対応する外周ゾーンと、に個別に内蔵されている、
    請求項１に記載のウエハ載置装置。
  3. 前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面は、半径１３５ｍｍ以上である、
    請求項１又は２に記載のウエハ載置装置。
  4. 前記セラミックプレートの接着面及び前記冷却プレートの接着面のうちの少なくとも一方は、前記外周部の表面粗さＲａが１．６μｍよりも粗い、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ載置装置。
  5. （ａ）電極が内蔵された円盤状のセラミックプレートと、円盤状の冷却プレートと、接着シートと、を用意する工程と、
    （ｂ）前記セラミックプレートと前記冷却プレートとを前記接着シートを用いて接着する工程と、
    を含み、
    前記工程（ａ）で用意する前記セラミックプレート及び前記冷却プレートのうち少なくとも一方は、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗い接着面を有し、
    前記工程（ｂ）では、内周部よりも外周部の表面粗さＲａが粗い前記接着面で接着する、
    ウエハ載置装置の製法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7335136B2 (ja) * 2019-11-06 2023-08-29 株式会社ディスコ 樹脂保護部材形成装置
JP7376322B2 (ja) 2019-11-06 2023-11-08 株式会社ディスコ 樹脂シート固定装置
US11587817B2 (en) * 2020-10-21 2023-02-21 Applied Materials, Inc. High temperature bipolar electrostatic chuck
TWI768786B (zh) * 2021-03-24 2022-06-21 天虹科技股份有限公司 可準確調整溫度的承載盤及應用該承載盤的薄膜沉積裝置
CN115142045B (zh) * 2021-03-29 2023-12-19 鑫天虹(厦门)科技有限公司 可准确调整温度的承载盘及薄膜沉积装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330973B2 (ja) * 1992-06-02 2002-10-07 日本特殊陶業株式会社 セラミックスと金属との接合体
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
JP2000323558A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Nikon Corp 静電吸着装置
JP2001096454A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Ibiden Co Ltd ウェハ研磨装置用テーブル、セラミックス構造体
JP2001094121A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Matsushita Electric Works Ltd 転写ピン及びそれを用いた接着剤の転写方法
JP3859937B2 (ja) * 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP3758979B2 (ja) * 2001-02-27 2006-03-22 京セラ株式会社 静電チャック及び処理装置
JP2003224180A (ja) 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
KR100675504B1 (ko) * 2002-04-18 2007-02-02 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 슬라이더 제조용 래핑 캐리어
JP4581348B2 (ja) * 2003-08-26 2010-11-17 信越半導体株式会社 貼り合わせウエーハの製造方法およびｓｏｉウエーハ
US6992892B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for efficient temperature control using a contact volume
US7586734B2 (en) * 2004-06-28 2009-09-08 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
US7618515B2 (en) * 2004-11-15 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method
JP2007043042A (ja) 2005-07-07 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置
EP1960266B1 (en) * 2005-12-15 2019-02-20 Gulfstream Aerospace Corporation Isentropic compression inlet for supersonic aircraft
JP2008016727A (ja) 2006-07-07 2008-01-24 Tokyo Electron Ltd 伝熱構造体及び基板処理装置
US8524005B2 (en) 2006-07-07 2013-09-03 Tokyo Electron Limited Heat-transfer structure and substrate processing apparatus
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
US20080145038A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating a substrate
JP5040333B2 (ja) * 2007-01-30 2012-10-03 信越半導体株式会社 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法
US20080257263A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Cooling shield for substrate processing chamber
JP4948337B2 (ja) 2007-09-13 2012-06-06 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用接着シート、および静電チャック装置
JP5049891B2 (ja) * 2008-06-13 2012-10-17 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
US8890189B2 (en) * 2009-07-31 2014-11-18 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Wafer for LED mounting, method for manufacturing same, and LED-mounted structure using the wafer
JP2011049425A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
US8371567B2 (en) * 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
JP2014052340A (ja) 2012-09-10 2014-03-20 Kobe Steel Ltd 粗さ測定装置
JP6014439B2 (ja) * 2012-09-25 2016-10-25 日本特殊陶業株式会社 静電チャックおよびその製造方法
US9358702B2 (en) * 2013-01-18 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck
JP6030045B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
WO2016035878A1 (ja) * 2014-09-04 2016-03-10 日本碍子株式会社 ウエハー保持台及びその製法
JP5891332B2 (ja) 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
CN106548969B (zh) * 2015-09-22 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 夹持装置及半导体加工设备
JP6979016B2 (ja) * 2016-08-10 2021-12-08 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
CN107768300B (zh) * 2016-08-16 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 卡盘、反应腔室及半导体加工设备
DE102017117668B3 (de) * 2017-08-03 2018-09-27 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung mit einer Haftschicht sowie Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung

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