JPH07335731A

JPH07335731A - 吸着装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07335731A
Application number: JP12506594A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Endo; 明博遠藤; Teruki Tamagawa; 晃樹玉川; Takahiko Suzuki; 貴彦鈴木
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-06-07
Filing date: 1994-06-07
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は半導体製造プロセスにおいてウェー
ハを静電力、電磁力、真空の吸引力を利用して吸着保持
する吸着装置およびその製造方法に関し、吸着される被
吸着体に対する熱的悪影響を低減することを目的とす
る。【構成】ウェーハ２０を吸着固定する構成とされてお
り、上記ウェーハ２０と接触可能であり所定の熱膨張係
数を有するセラミック板１１と、このセラミック板１１
を装着し、該セラミック板１１と異なる熱膨張係数を有
する金属製のベース１２と、この金属製のベース１２と
上記セラミック板１１とを接着する接着部１３と、を有
した吸着装置において、上記接着部１３が上記セラミッ
ク板１１の熱膨張係数と上記金属製のベース１２の熱膨
張係数との差による該セラミック板１１の機械的熱的応
力を緩和するようにゲル状に固化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、吸着装置およびその製
造方法に係り、特に、半導体製造プロセスにおいてウェ
ーハを静電力、電磁力、真空の吸引力を利用して吸着保
持する吸着装置およびその製造方法に関する。

【０００２】近年、吸着装置には、半導体製造プロセス
での使用が要求され、吸着される被吸着体に対する熱的
悪影響を低減させる必要がある。

【０００３】

【従来の技術】従来の吸着装置は、半導体製造プロセス
においてウェーハの吸着保持に用いられていた。

【０００４】この吸着装置としては、静電力を利用して
被吸着体であるウェーハを吸着する構成とされており、
静電力を発生する電極部と、この電極部が埋設され上記
ウェーハと接触可能であるセラミック板と、このセラミ
ック板を接着剤を介して装着する金属製のベースと、を
有したものがある。

【０００５】そして、上記接着剤には、エポキシ樹脂等
の耐熱性の接着剤が用いられていた。このエポキシ等の
耐熱性の接着剤を金属製のベースの上面に塗布し、この
接着剤にセラミック板の下面を接着させた状態で、接着
剤を硬化させる加熱処理が施されていた。

【０００６】例えば、直径１００ｍｍ（４インチ）、厚
さ１ｍｍのセラミック板をアルミニウム製の金属製のベ
ースと接着させる場合、１２０℃の加熱処理でエポキシ
系樹脂の接着剤を硬化させた後、常温に戻す方法が用い
られていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
吸着装置にあっては、エポキシ系樹脂等の耐熱性の接着
剤が耐熱性および放熱性に優れるが、加熱されると硬さ
（ＪＩＳ−Ａ）が大きくなり過ぎる。

【０００８】このため、該接着剤の加熱処理において、
セラミック板の熱膨張係数と金属製のベースの熱膨張係
数との違いによるセラミック板の機械的熱的応力を緩和
できないという課題があった。このため、セラミック板
に機械的変形である反りおよび割れが発生することもあ
った。

【０００９】例えば、直径１００ｍｍ、厚さ１ｍｍのセ
ラミック板をアルミニウム製の金属製のベースと接着さ
せる場合、１２０℃の加熱処理でエポキシ系樹脂の接着
剤を硬化させた後、常温に戻すと、セラミック板には、
１００〜２００μｍ程度の反りが発生していた。

【００１０】また、吸着装置は、イオンエッチング装置
またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に組
み込まれ、ウェーハを装置内の所定位置に固定するため
に、用いられる。

【００１１】このイオンエッチング装置によるエッチン
グ処理においては、加熱雰囲気下で行われることが多い
が、上記のようにセラミック板の反りが発生すると、ウ
ェーハの裏面とセラミック板の上面との密着性が悪くな
り、ウェーハからセラミック板に伝導された熱を金属製
のベースへ放熱することができず、ウェーハの温度分布
が悪くなってしまった。

【００１２】また、ＣＶＤ装置においては、反応速度を
早めるために金属製のベースを加熱することにより、ウ
ェーハを所定温度に加熱する場合があり、この場合にお
いては、セラミック板の上面とウェーハの裏面との密着
性が悪いことに起因して、ウェーハの表面温度にバラツ
キが生じ、ウェーハの表面に均一な薄膜を形成できない
ことがあった。

【００１３】このウェーハの温度分布を図８（Ａ）に示
す。図８（Ａ）は、ウェーハを所定温度に加熱すると共
に、室温のガスをウェーハ表面に流したときと流さなか
ったときの結果を示す。室温のガスを流したときも、流
さなかったときも、ウェーハ中心部の温度とウェーハ周
縁部の温度とには、３０℃程度の違いが生じてしまうも
のであった。なお、この場合のセラミック板の直径は、
６インチである。

【００１４】そして、接着部に気泡が入った状態でウェ
ーハが吸着されると、その部分のセラミック板と金属製
のベースとの熱伝導率が悪くなり、ウェーハの温度が局
所的に高くなり、ウェーハ上のレジストが焦げたり、ウ
ェーハのエッチング特性または成膜特性に悪影響を与え
ることがあった。

【００１５】さらに、接着部の材質としては、半導体プ
ロセスの塩素雰囲気などの化学薬品との耐食性が考慮さ
れないと、接着部が化学薬品の雰囲気で侵食され、セラ
ミック板の剥がれが発生し、結果的には、ウェーハの温
度分布が異常となり、正常なエッチングまたは成膜の妨
げとなった。

【００１６】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、吸着される被吸着体に対する熱的悪影響を低減
できる吸着装置およびその製造方法を提供することを、
その目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の発明
の構成で解決される。

【００１８】請求項１の発明は、被吸着体と接触可能で
あり所定の熱膨張係数を有するセラミック板と、このセ
ラミック板を支持し、該セラミック板と異なる熱膨張係
数を有する金属製のベースと、この金属製のベースと上
記セラミック板とを接着する接着部と、を備え、上記被
吸着体を吸着固定する構成とされた吸着装置において、
上記接着部をゲル状に固化した状態を有する構成とした
ことを特徴とするものである。

【００１９】また請求項２の発明は、被吸着体と接触可
能であり所定の熱膨張係数を有するセラミック板と、こ
のセラミック板を支持し、該セラミック板と異なる熱膨
張係数を有する金属製のベースと、この金属製のベース
と上記セラミック板とを接着する接着部と、を備え、上
記被吸着体を吸着固定する構成とされた吸着装置におい
て、上記接着部をゴム状に固化した状態を有する構成と
したことを特徴とするものである。

【００２０】また請求項３の発明は、上記接着部を複数
の層が積重なる構成としたことを特徴とする吸着装置で
ある。

【００２１】また請求項４の発明は、上記接着部を被覆
し、耐食性を有した保護部を更に備える構成としたこと
を特徴とする吸着装置である。

【００２２】また請求項５の発明は、被吸着体と接触可
能であるセラミック板と、このセラミック板を支持する
金属製のベースと、この金属製のベースと上記セラミッ
ク板とを接着する接着部と、を備え、上記被吸着体を吸
着固定する構成とされた吸着装置において、上記接着部
を無気泡状態に構成したことを特徴とするものである。

【００２３】また請求項６の発明は、被吸着体と接触可
能であり所定の熱膨張係数を有するセラミック板と、こ
のセラミック板を支持し、該セラミック板と異なる熱膨
張係数を有する金属製のベースと、この金属製のベース
と上記セラミック板とを接着する接着部と、を備え、上
記被吸着体を吸着固定する構成とされた吸着装置を製造
する吸着装置の製造方法において、上記接着部をゲル状
に固化した状態に形成する構成としたことを特徴とする
ものである。

【００２４】また請求項７の発明は、被吸着体と接触可
能であり所定の熱膨張係数を有するセラミック板と、こ
のセラミック板を支持し、該セラミック板と異なる熱膨
張係数を有する金属製のベースと、この金属製のベース
と上記セラミック板とを接着する接着部と、を備え、上
記被吸着体を吸着固定する構成とされた吸着装置を製造
する吸着装置の製造方法において、上記接着部をゴム状
に固化した状態に形成する構成としたことを特徴とする
ものである。

【００２５】また請求項８の発明は、上記接着部を複数
の層が積重なるように形成する構成としたことを特徴と
する吸着装置の製造方法である。

【００２６】また請求項９の発明は、上記接着部を被覆
するように耐食性を有した保護部を形成する構成とした
ことを特徴とする吸着装置の製造方法である。

【００２７】また請求項１０の発明は、被吸着体と接触
可能であるセラミック板と、このセラミック板を支持す
る金属製のベースと、この金属製のベースと上記セラミ
ック板とを接着する接着部と、を備え、上記被吸着体を
吸着固定する構成とされた吸着装置を製造する吸着装置
の製造方法において、上記接着部を無気泡状態に形成す
る構成としたことを特徴とするものである。

【００２８】

【作用】上述のように、請求項１または２の発明に係る
吸着装置は、接着部をゲル状またはゴム状に固化した状
態を有する構成としたので、セラミック板の熱膨張係数
と金属製のベースの熱膨張係数との差による該セラミッ
ク板の機械的熱的応力が接着部に緩和され、セラミック
板の機械的変形が防止されるように作用する。

【００２９】また、請求項３の発明に係る吸着装置は、
接着部を複数の層が積み重なる構成としたので、接着部
の厚さが単層の場合より厚くなるように作用する。

【００３０】また、請求項４の発明に係る吸着装置は、
接着部を被覆し、耐食性を有した保護部更に備える構成
としたので、塩素などの化学薬品の雰囲気から接着部が
保護部で保護されるように作用する。

【００３１】また、請求項５の発明に係る吸着装置は、
接着部を無気泡状態に構成したので、セラミック板と金
属製のベースとの間における熱伝導率を減少させないよ
うに作用する。

【００３２】また、請求項６または７の発明に係る吸着
装置の製造方法は、接着部をゲル状またはゴム状に固化
した状態に形成する構成としたので、この接着部を有す
る吸着装置を製造するように作用する。

【００３３】また、請求項８の発明に係る吸着装置の製
造方法は、接着部を複数の層積み重なるように形成する
構成としたので、この接着部を有する吸着装置を製造す
るように作用する。また、請求項９の発明に係る吸着装
置の製造方法は、接着部を被覆するように耐食性を有し
た保護部を形成する構成としたので、この保護部を有す
る吸着装置を製造するように作用する。

【００３４】また、請求項１０の発明に係る吸着装置の
製造方法は、接着部を無気泡状態に形成する構成とした
ので、この接着部を有する吸着装置を製造するように作
用する。

【００３５】

【実施例】図１に、本発明の吸着装置の一実施例である
静電チャック１０の構成図を示す。

【００３６】図１（Ａ）は平面図を示し、図１（Ｂ）は
図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図（１点鎖線Ａより左
側）および正面図（１点鎖線Ａより右側）を示し、図１
（Ｃ）は図１（Ｂ）の円Ｃの拡大断面図を示し、図１
（Ｄ）は図１（Ｂ）の円Ｄの拡大断面図を示す。

【００３７】この静電チャック１０は、半導体プロセス
のＲＩＥ（反応性イオンエッチング装置）またはＣＶＤ
装置の下部位置に配設されるものであり、被吸着体とな
るウェーハ２０（２点鎖線で示す）を静電力により吸着
固定する。

【００３８】静電チャック１０は、内部に電極部１５が
埋設され、上面１１ａが上記ウェーハ２０の裏面と接触
可能であり、所定の熱膨張係数を有し、熱伝導性の良好
なセラミック板１１と、このセラミック板１１の下面を
上面１２ｂで支持し、該セラミック板１１と異なる熱膨
張係数を有するアルミニウム製の金属製のベース１２
と、この金属製のベース１２の上面１２ｂと上記セラミ
ック板１１の下面とを接着する接着部１３と、を有す
る。

【００３９】上記ウェーハ２０の表面および裏面、セラ
ミック板１１の上面（１１ａ）および下面、金属製のベ
ース１２の上面１２ｂは、従来と同様に平滑面とされ
る。

【００４０】セラミック板１１の直径は５インチであ
る。

【００４１】上記接着部１３は、上記セラミック板１１
の熱膨張係数と上記金属製のベース１２の熱膨張係数と
の差による該セラミック板１１の機械的熱的応力を緩和
し、複数の層に形成され、耐食性を有した保護部１４で
被覆され、接着性の部材で満たされる構成とされる。

【００４２】この接着部１３の材質としては、シリコン
系樹脂の様な高弾性で柔らかく固化する接着剤が使用さ
れる。例えば、１２０℃３分にて加熱処理されることに
より、ゲル状に固化し、硬さが６０（ＪＩＳ−Ａ）より
はるかに小さく、針入度が６０（ＪＩＳＫ２２２
０）、熱伝導率が１．８×１０^-3（ｃａｌ／ｃｍ・℃・
ｓｅｃ）、絶縁破壊耐圧が１２ｋＶ／ｍｍ、体積抵抗率
が５．０×１０¹⁴（Ωｃｍ）、誘電率が４．０（１ＭＨ
ｚ）、誘電正接が０．００１（１ＭＨｚ）となる接着剤
が適している。

【００４３】または、ゴム状に固化し、比重が２．７、
硬さが８５（ＪＩＳ−Ａ）、引張強さ５０ｋｇ／ｃ
ｍ²、伸び３０％、熱伝導率が４．５×１０^-3（ｃａｌ
／ｃｍ・℃・ｓｅｃ）、絶縁破壊耐圧が２５ｋＶ／ｍ
ｍ、体積抵抗率が２．０×１０¹⁴（Ωｃｍ）、引張剪断
接着強さ３０（ｋｇ／ｃｍ²，アルミ／アルミ）となる
接着剤が適している。

【００４４】電極部１５は図２に示すような形状であ
る。図２（Ａ）は平面図を示し、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）の破線で囲まれたＡ部の拡大図を示す。

【００４５】図２に示すように、電極部１５は正電極１
５ａおよび負電極１５ｂの導電金属板を有し、正電極１
５ａおよび負電極１５ｂが絶縁部１５ｃにより電気的に
絶縁され、放射状に形成されている。

【００４６】正電極１５ａには、図１のリード棒１５ｄ
を介して、半導体プロセスのＲＩＥ装置またはＣＶＤ装
置から７５０Ｖの直流電圧が供給される。負電極１５ｂ
には、図１のリード棒１５ｅを介して、−７５０Ｖの直
流電圧が供給される。

【００４７】正電極１５ａには正電圧が印加され、負電
極１５ｂには負電圧が印加される構成とされている。

【００４８】このように、正電極１５ａおよび負電極１
５ｂにそれぞれ直流電圧を印加することにより、セラミ
ック板１１上に載置されるウェーハ２０に誘電分極を起
こし、これにより、ウェーハ２０に誘起される正負の電
荷の静電力により、ウェーハ２０は静電チャック１０に
吸着される。

【００４９】保護部１４は、セラミック板１１と金属製
のベース１２とを接着部１３で接着させた状態で形成さ
れる外周の溝１２ａの全周に沿って充填され、接着部１
３をエッチング時のサイドエッチまたは塩素などの化学
薬品から保護するものでる。この保護部１４の材質とし
ては、エポキシ系またはポリイミド系の熱硬化性樹脂が
適している。セラミック板１１および金属製のベース１
２と良好に密着し、セラミック板１１および金属製のベ
ース１２との間に隙間が生じないからである。

【００５０】１６は、金属製のベース１２を加熱する加
熱部である。

【００５１】次に、図３〜図７を用いて図１の静電チャ
ック１０の製造方法を説明する。

【００５２】図３は図１の静電チャックの製造方法を説
明するための図、図４は図３（Ｃ）に続く図１の静電チ
ャックの製造方法を説明するための図、図５は図１の接
着部１３および保護部１４の形成の工程図、図６は図５
の複数の層形成工程を説明するための図、図７は図５の
気泡除去工程を説明するための図である。

【００５３】先ず、図３（Ａ）に示す形状に金属製のベ
ース１２を製作する。シリコン系の接着剤を真空中に放
置し、接着剤そのものに混入している気泡を取り除く。

【００５４】次に、金属製のベース１２の上面１２ａ上
に、図５の複数の層形成工程１００、気泡除去工程２０
０、最終的固化処理工程３００を経て接着部１３を形成
し、保護部形成工程４００を経て保護部１４を形成する
方法を説明する。

【００５５】まず、図３および図６を参照して、図５の
複数の層形成工程１００を説明する。

【００５６】本実施例の接着部１３の複数の層形成に用
いるシリコン系の接着剤は、１２０℃３分の最終的加熱
処理が施されると、撥水性を示し、さらに重ね合わせて
形成することができないものであるが、以下の方法で重
ね合わせて複数の層に厚く形成することができる。

【００５７】所定のスクリーン印刷により金属製のベー
ス１２の上面１２ｂに数十μｍの厚さのシリコン系接着
剤を塗布する（図６の１０１）。この結果、金属製のベ
ース１２の上面１２ｂ上に第１の接着層１３ａが形成さ
れる（図３（Ｂ）参照）。

【００５８】この塗布後に、上記１２０℃の半分程度の
温度にて簡易固化処理を行う（１０２）。この簡易固化
処理の温度は、シリコン系の接触剤が半分程度ゲル状に
固化され表面が撥水性を有しない温度である。

【００５９】さらに、簡易固化処理が施された第１の接
着層１３ａの上に上記スクリーン印刷（１０１）と同じ
処理を行う（１０３）。この結果、シリコン系接着剤が
２層に形成される。すなわち、金属製のベース１２の上
面１２ｂ上に第１の接着層１３ａおよび第２の接着層１
３ｂが形成される（図３（Ｃ）参照）。

【００６０】さらに、上記簡易処理（１０２）と同じ処
理を行い（１０４）、さらに、上記スクリーン印刷（１
０１）と同じ処理を行う（１０５）。この結果、シリコ
ン系接着剤が３層に形成される。すなわち、金属製のベ
ース１２の上面１２ｂ上に第１の接着層１３ａ、第２の
接着層１３ｂおよび第３の接着層１３ｃが形成される
（図３（Ｄ）参照）。

【００６１】このように、スクリーン印刷と簡易熱処理
とを処理を繰り返すことにより、接着層１３ａ、１３
ｂ、１３ｃを３層に均一に厚く塗布したものの形成が可
能となる。

【００６２】次に、図３および図７を参照して図５の気
泡除去工程２００を説明する。

【００６３】図３（Ｄ）の状態で第３の接着層１３ｃ上
にセラミック板１１を重ね合わせる（図７の２０１）。

【００６４】この後、セラミック板１１および金属製の
ベース１２同士を互いに押し付けながら、真空中に放置
する（２０２）。この結果、セラミック板１１の下面と
接着層１３ａ，１３ｂ，１３ｃとの隙間および金属製の
ベース１２の上面１２ｂと接着層１３ａ，１３ｂ，１３
ｃとの隙間に混入している気泡が除去される。

【００６５】シリコン系接着剤の場合、１ｔｏｒｒ、１
８０秒の処理時間でウェーハ２０の温度分布特性に悪影
響を与える気泡を除去することができる。

【００６６】次に、図５の最終的固化処理工程３００を
行う。

【００６７】この工程は、真空中で重ね合わせた接着層
１３ａ，１３ｂ，１３ｃの全体をゲル状に固化させる温
度である１２０℃３分の熱処理を行い、大気中に取り出
す。この結果、接着層１３ａ，１３ｂ，１３ｃがゲル状
またはゴム状に固化し、気泡が除去され、接着部材で満
たされた接着部１３を形成することができる。

【００６８】すなわち、接着部１３は、ゲル状またはゴ
ム状に固化した状態を有し、３個の層が積み重なり、厚
さが１層の３倍の０．１ｍｍ程度となり、内部の気泡が
除去され、無気泡状態となる。

【００６９】次に、図５の保護部形成工程４００を説明
する。

【００７０】まず、セラミック板１１の下面と金属製の
ベース１２とで構成される溝１２ａ（接着部１３の外周
部）の全周（図４（Ａ）参照）にサイドエッチおよび塩
素等の化学薬品雰囲気に侵食されないエポキシ系または
ポリイミド系の接着剤を塗布する。

【００７１】この後、１２０℃の熱処理を行うことによ
り、エポキシ系またはポリイミド系の接着剤が熱硬化さ
れる。

【００７２】この結果、接着部１３の外周部１２ａに保
護部１４が被覆される（図４（Ｂ）参照）。したがっ
て、接着部１３は、サイドエッチおよび塩素等の化学薬
品雰囲気から保護部１４で保護される。

【００７３】このように製造された静電チャック１０を
用いてＣＶＤ装置でウェーハ２０表面に成膜する場合を
説明する。

【００７４】このＣＶＤ装置においては、反応速度を早
めるために金属製のベース１２が加熱部１６により加熱
される。この結果、ウェーハ２０が所定温度に加熱され
る。この状態で室温のガスでウェーハ２０表面の冷却が
行われる場合と行われない場合とがある。

【００７５】このときのウェーハ２０の表面の温度分布
を図８（Ｂ）に示す。室温のガスでウェーハ２０の表面
を冷却した場合は、線Ｖ，ＶＩに示すように、ウェーハ
２０中心部の温度とウェーハ２０周縁部の温度の差が１
５℃程度となり、差が従来の半分まで少なくなってい
る。

【００７６】また、室温のガスでウェーハ２０の表面を
冷却しない場合でも、線ＩＶに示すように、ウェーハ２
０中心部の温度とウェーハ２０周縁部の温度の違いが１
５℃程度となり、従来の半分まで少なくなっている。

【００７７】この場合においては、ウェーハ２０の表面
温度のバラツキが減少し、ウェーハ２０の表面に均一な
薄膜を形成することができる。

【００７８】したがって、接着部１３を耐熱性および放
熱性に優れるものとし、接着部１３が加熱されたときの
硬さ（ＪＩＳ−Ａ）を小さくし、弾性を高め、ゲル状ま
たはゴム状に固化されたため、該接着剤１３の加熱処理
において、セラミック板１１の熱膨張係数と金属製のベ
ース１２の熱膨張係数との違いによるセラミック板１１
の機械的熱的応力を緩和することができる。さらに、接
着部１３を複数の層に厚く形成したので、上記機械的熱
的応力を更に緩和することができる。

【００７９】このため、セラミック板１１に機械的変形
である反りおよび割れが発生しないものである。例え
ば、直径１００ｍｍ、厚さ１ｍｍのセラミック板１１を
アルミニウム製の金属製のベース１２と接着させる場
合、セラミック板１１の上面１１ａの平面度は０μｍで
ある。

【００８０】また、このイオンエッチング装置によるエ
ッチング処理においては、加熱雰囲気下で行われること
が多いが、上記のようにセラミック板１１の反りが少な
いので、ウェーハ２０とセラミック板１１との密着性が
悪くならず、ウェーハ２０からセラミック板１１に伝導
された熱を金属製のベース１２へ放熱することができ、
ウェーハ２０の温度分布を良好にすることができる。

【００８１】また、接着部１３がシリコン系の接着剤で
満たされるので、接着部１３内に気泡が存在しない。

【００８２】この状態でウェーハ２０が吸着されても、
セラミック板１１と金属板１２との間の熱伝導率が悪く
ならない。この結果、ウェーハ２０の温度が局所的に高
くならない。ウェーハ２０上のレジストが焦げず、ウェ
ーハ２０のエッチャグ特性または成膜特性に悪影響を与
えない。

【００８３】さらに、接着部１３を保護部１４で保護す
るので、接着部１３がサイドエッチまたは化学薬品の雰
囲気で侵食されない。この結果、セラミック板１１の剥
がれが発生しない。したがって、ウェーハ２０の温度分
布が異常とならず、正常なエッチングまたは成膜の妨げ
とならない。

【００８４】そして、この静電チャック１０は、アルミ
ニウムのエッチング装置において、５万枚以上のウェー
ハ２０のエッチング処理が可能となる。すなわち、接着
部１３が保護されない静電チャックが約１万枚程度のウ
ェーハ２０のエッチング処理しかできなかったことに対
して、本実施例では５倍以上の処理が可能となる。

【００８５】なお、本実施例では、吸着装置として、静
電力を利用したものを用いて説明したが、電磁力、真空
の吸引力などの吸着装置に用いられてもよい。

【００８６】

【発明の効果】以上のように請求項１または２の発明に
よれば、接着部をゲル状またはゴム状に固化した状態を
有する構成としたので、セラミック板の熱膨張係数と金
属製のベースの熱膨張係数との差による該セラミック板
の機械的熱的応力が接着部に緩和され、セラミック板の
機械的変形を防止することができる。このため、セラミ
ック板と被吸着体とを密着状態にすることができ、吸着
される被吸着体に対する熱的悪影響を低減させることが
できる。

【００８７】すなわち、被吸着体に印可された熱を放熱
したい場合には、被吸収体に印可された熱は、被吸収体
からセラミック板を経て金属製のベースへ効率よく熱伝
導される。このため、被吸収体の温度が異常に上昇する
のを防止することができる。また被吸収体を加熱したい
場合には、金属製のベースに印可された熱は、セラミッ
ク板を経て被吸収体を均一に加熱することが可能とな
る。

【００８８】また、請求項３の発明によれば、接着部を
複数の層が積み重なる構成としたので、接着部の厚さを
単層の場合より厚くすることができる。このため、セラ
ミック板の熱膨張係数と金属製のベースの熱膨張係数と
の差による該セラミック板の機械的熱的応力を接着部に
よって更に緩和させることができる。

【００８９】また、請求項４の発明によれば、接着部を
被覆し、耐食性を有した保護部を更に備える構成とした
ので、塩素などの化学薬品の雰囲気から接着部を保護部
で保護することができる。このため、化学薬品の雰囲気
と接着部を接触させない。したがって、接着部が化学薬
品の雰囲気に侵され易い場合でも、接着部を化学薬品の
雰囲気に侵食されないようにすることができる。

【００９０】また、請求項５の発明によれば、接着部を
無気泡状態に構成したので、セラミック板と金属製のベ
ースとの間における熱伝導効率を減少させることがな
い。

【００９１】また、請求項６または７の発明によれば、
接着部をゲル状またはゴム状に固化した状態に形成する
構成としたので、この接着部を有する吸着装置を製造す
ることができる。また、請求項８の発明によれば、接着
部を複数の層が積み重なるように形成する構成としたの
で、この接着部を有する吸着装置を製造することができ
る。

【００９２】また、請求項９の発明によれば、接着部を
被覆し、耐食性を有した保護部を形成する構成としたの
で、この保護部を有する吸着装置を製造することができ
る。また、請求項１０の発明によれば、接着部を無気泡
状態に形成する構成としたので、この接着部を有する吸
着装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図である。

【図２】図１の静電チャックの電極部を示す図である。

【図３】図１の静電チャックの製造方法を説明するため
の断面図である。

【図４】図３（Ｄ）に続く図１の静電チャックの製造方
法を説明するための断面図である。

【図５】図１の接着部および保護部の形成の工程図であ
る。

【図６】図５の複数の層形成工程を説明するための図で
ある。

【図７】図５の気泡除去工程を説明するための図であ
る。

【図８】ウェーハ表面の温度分布を示す図である。

【符号の説明】

１０静電チャック１１セラミック板１２金属製のベース１３接着部１４保護部１５電極部１６加熱部２０ウェーハ（被吸着体）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被吸着体（２０）と接触可能であり所定
の熱膨張係数を有するセラミック板（１１）と、このセラミック板（１１）を支持し、該セラミック板
（１１）と異なる熱膨張係数を有する金属製のベース
（１２）と、この金属製のベース（１２）と上記セラミック板（１
１）とを接着する接着部（１３）と、を備え、上記被吸着体（２０）を吸着固定する構成とされた吸着
装置において、上記接着部（１３）をゲル状に固化した状態を有する構
成としたことを特徴とする吸着装置。
【請求項２】被吸着体（２０）と接触可能であり所定
の熱膨張係数を有するセラミック板（１１）と、このセラミック板（１１）を支持し、該セラミック板
（１１）と異なる熱膨張係数を有する金属製のベース
（１２）と、この金属製のベース（１２）と上記セラミック板（１
１）とを接着する接着部（１３）と、を備え、上記被吸着体（２０）を吸着固定する構成とされた吸着
装置において、上記接着部（１３）をゴム状に固化した状態を有する構
成としたことを特徴とする吸着装置。
【請求項３】上記接着部（１３）を複数の層が積重な
る構成としたことを特徴とする請求項１または２記載の
吸着装置。
【請求項４】上記接着部（１３）を被覆し、耐食性を
有した保護部（１４）を更に備える構成としたことを特
徴とする請求項１、２または３記載の吸着装置。
【請求項５】被吸着体（２０）と接触可能であるセラ
ミック板（１１）と、このセラミック板（１１）を支持する金属製のベース
（１２）と、この金属製のベース（１２）と上記セラミック板（１
１）とを接着する接着部（１３）と、を備え、上記被吸着体（２０）を吸着固定する構成とされた吸着
装置において、上記接着部（１３）を無気泡状態に構成したことを特徴
とする吸着装置。
【請求項６】被吸着体（２０）と接触可能であり所定
の熱膨張係数を有するセラミック板（１１）と、このセ
ラミック板（１１）を支持し、該セラミック板（１１）
と異なる熱膨張係数を有する金属製のベース（１２）
と、この金属製のベース（１２）と上記セラミック板
（１１）とを接着する接着部（１３）と、を備え、上記
被吸着体（２０）を吸着固定する構成とされた吸着装置
を製造する吸着装置の製造方法において、上記接着部（１３）をゲル状に固化した状態に形成する
構成としたことを特徴とする吸着装置の製造方法。
【請求項７】被吸着体（２０）と接触可能であり所定
の熱膨張係数を有するセラミック板（１１）と、このセ
ラミック板（１１）を支持し、該セラミック板（１１）
と異なる熱膨張係数を有する金属製のベース（１２）
と、この金属製のベース（１２）と上記セラミック板
（１１）とを接着する接着部（１３）と、を備え、上記
被吸着体（２０）を吸着固定する構成とされた吸着装置
を製造する吸着装置の製造方法において、上記接着部（１３）をゴム状に固化した状態に形成する
構成としたことを特徴とする吸着装置の製造方法。
【請求項８】上記接着部（１３）を複数の層が積重な
るように形成する構成としたことを特徴とする請求項６
または７記載の吸着装置の製造方法。
【請求項９】上記接着部（１３）を被覆するように耐
食性を有した保護部（１４）を形成する構成としたこと
を特徴とする請求項６、７または８記載の吸着装置の製
造方法。
【請求項１０】被吸着体（２０）と接触可能であるセ
ラミック板（１１）と、このセラミック板（１１）を支
持する金属製のベース（１２）と、この金属製のベース
（１２）と上記セラミック板（１１）とを接着する接着
部（１３）と、を備え、上記被吸着体（２０）を吸着固
定する構成とされた吸着装置を製造する吸着装置の製造
方法において、上記接着部（１３）を無気泡状態に形成する構成とした
ことを特徴とする吸着装置の製造方法。