JP2011049425A - 半導体製造装置用部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも300μmの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(1)加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも300μmの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする半導体製造装置用部品である。
前記(1)の好ましい態様は、
(2)前記接着部が、主成分としてシリコーン樹脂又はアクリル樹脂を有することを特徴とする半導体製造装置用部品である。
W=I2R・・・・・・(1)
消費電力Wが大きいほどセラミック体3の表面温度は高くなるので、発熱体の何れの箇所においても同一の抵抗値Rを有していれば、セラミック体3の表面温度は均一になる。
Rt=R25{1+α(t−25)}・・・・・・(2)
式(2)は、温度tが大きいほど抵抗値Rtが大きくなることを示す。また、式(2)は、発熱体において部分的に抵抗値に差があった場合には、温度tが大きくなるほどその抵抗値Rtの差が大きくなることを示している。
まず、前述した構成を有するセラミック体3及びベース5を公知の製造工程にて製造し、準備する。
このようにして、静電チャック1を製造することができる。
半導体製造装置用部品として静電チャックを次のように製造した。まず、アルミナを主成分とするセラッミック体、アルミニウム合金で形成されるベース、及びアクリル樹脂を主成分とする接着部としての接着シートを準備した。セラミック体は、直径300mm、厚み2.5mmの円盤状であり、熱伝導率は、18W/m・Kであった。
ベースは、直径350mm、厚み30mmの円盤状であり、熱伝導率は、200W/m・Kであった。接着シートは、直径300mm、厚み0.3mmの円盤状であり、熱伝導率は、0.6 W/m・K、伸びは、95%を超えていた。
接着シートの厚みを700μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして静電チャックを製造した。
実施例1において、アクリル樹脂を主成分とする接着シートの代わりにシリコーン樹脂を主成分とする流動性接着剤を使用した。ベースの表面にこの流動性接着剤を塗布し、この塗布面にセラミック体を載置した。ベースと接着シートとセラミック体とを積層してなる積層体の上にラバーを介して30kgのウエイトを置いて12時間静置した。接着剤が硬化した後の接着部の厚みは、300μmであった。なお、ベースとセラミック体とは、実施例1と同様のものを用いた。また、接着部の熱伝導率は、1.0W/m・K、伸びは、95%であった。これらの測定は、実施例1と同様の方法により行なった。
接着部の厚みを700μmとしたこと以外は、実施例3と同様にして静電チャックを製造した。
接着部の厚みを250μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして静電チャックを製造した。
作製した静電チャックに電圧を印加して、セラミック体の表面の平均温度が80℃になるように調整した。このときの消費電力を算出した。
また、赤外線カメラを用いて、セラミック体の表面を撮影し、セラミック体の表面温度のバラツキを観察すると共に、セラミック体の中心Oを通る線分BB’上の温度を測定し(図4参照。)、最高温度と最低温度との温度差を算出した。結果を図5〜7、表1に示す。
2 加熱手段
3 セラミック体
4 冷却手段
5 ベース
6 接着部
7 吸着面
8 半導体ウェハ
9、11 接着面
10a、10b 静電電極
12 裏面
Claims (2)
- 加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも300μmの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする半導体製造装置用部品。
- 前記接着部が、主成分としてシリコーン樹脂又はアクリル樹脂を有することを特徴とする半導体製造装置用部品。
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