JP5416570B2 - 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置 - Google Patents
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Description
図1に示す第1均熱板11、第2均熱板12、および抵抗発熱体13からなる試料1のヒータ10を作製した。第1均熱板11には、厚み(A1)2mm、直径(B)340mmの銅製の板状体を使用した。一方、第2均熱板12には、厚み(A2)2mm、直径340mmのSi−SiC複合体からなる板状体を使用した。銅製の板状体の表面にはNiめっきを施した。更に、第1均熱板11のウエハ載置面11a側の平面度を50μmに仕上げ、第2均熱板12において抵抗発熱体13に当接する面の平面度を30μmに仕上げた。
第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてAlNにした以外は実施例1と同様にして、下記表3に示す試料9〜16のヒータ10を作製した。
第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてSiCにした以外は実施例1と同様にして、下記表5に示す試料17〜24のヒータ10を作製した。
第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてAl−SiC複合体にした以外は実施例1と同様にして、下記表7に示す試料25〜32のヒータ10を作製した。
第1均熱板11の材料をCuに代えてAlにし、Niめっきに代えてアルマイト処理を施した以外は実施例1と同様にして、下記表9に示す試料33〜40のヒータ10を作製した。
第1均熱板11の材料をCuに代えてAlにし、Niめっきに代えてアルマイト処理を施し、第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてAlNにした以外は実施例1と同様にして、下記表11に示す試料41〜48のヒータ10を作製した。
第1均熱板11の材料をCuに代えてAlにし、Niめっきに代えてアルマイト処理を施し、第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてSiCにした以外は実施例1と同様にして、下記表13に示す試料49〜56のヒータ10を作製した。
第1均熱板11の材料をCuに代えてAlにし、Niめっきに代えてアルマイト処理を施し、第2均熱板12の材料をSi−SiC複合体に代えてAl−SiC複合体にした以外は実施例1と同様にして、下記表15に示す試料57〜64のヒータ10を作製した。
比較のため、下記表17に示す試料65〜67のヒータを作製した。すなわち、試料65のヒータは、第1均熱板11の材質にAlNを使用し、第2均熱板12の材質に銅を使用した以外は実施例1の試料2と同様に作製した。試料66のヒータは、第1均熱板11の材質にAlNを使用してその厚み(A1)を6mmとし、第2均熱板12は設けなかった。抵抗発熱体は、第1均熱板11の下面側、すなわちウエハ載置面11aの反対側にスクリーン印刷によりタングステンペーストで発熱体の回路を形成して焼き付けた後、絶縁体および発熱体の厚みが150μmとなるように、発熱体の表面に絶縁性確保のためガラスペーストを塗布し、焼き付けた。試料67のヒータは、第1均熱板11の材質に銅を使用してその厚み(A1)を6mmとし、第2均熱板12は設けなかった。抵抗発熱体13は、ポリイミドで一体化した厚み(C)0.15mmのものを第1均熱板11の下面側に接着により取り付けた。
下記表19に示す試料68〜71のヒータ10を作製した。すなわち、試料68のヒータ10は、図2に示す構造となるように一体化した抵抗発熱体13を2つ積層して使用したが、それ以外は実施例1の試料2と同様に作製した。試料69のヒータ10は、テフロンを用いて一体化して厚み(C)0.25mmの抵抗発熱体13を使用した以外は実施例1の試料2と同様に作製した。試料70のヒータ10は、試料69で用いた抵抗発熱体13を2つ積層した以外は試料69と同様にした。試料71のヒータ10は、マイカを用いて一体化した厚み(C)1mmの抵抗発熱体13を使用した以外は実施例1の試料2と同様に作製した。
第2均熱板12において抵抗発熱体13に当接する面の平面度を様々に変えた以外は実施例1の試料1と同様にして、試料72〜85のヒータ10を作製した。これら試料72〜85のヒータ10に対して、それぞれ実施例1と同様に下部に可動式冷却モジュール20を設置し、実施例1と同様の昇温および冷却からなるヒートサイクルを1000回繰り返した。その際、ヒートサイクルがウエハ載置面11aの平面度と均熱性に及ぼす影響を調べるため、ヒートサイクル1回終了後、100回終了後、200回終了後、300回終了後、500回終了後、および1000回終了後のウエハ載置面11aの平面度と均熱性を測定した。その結果を下記の表21に示す。ここで、○は表中に示す所定の条件を満たしたことを、×はその条件を満たさなかったことを示している。
第2均熱板12において抵抗発熱体13に当接する面の形状を上に凹又は上に凸にすると共にその平面度を40μmにした以外は実施例1の試料1と同様にして、試料86及び87のヒータ10を作製した。これら試料86及び87のヒータ10に対して、実施例10と同様にしてヒートサイクルを1000回繰り返してウエハ載置面11aの平面度と均熱性を調べた。その結果を下記の表22に示す。ここで、○は表中に示す所定の条件を満たしたことを、×はその条件を満たさなかったことを示している。
10 ヒータ
11 第1均熱板
11a ウエハ載置面
12 第2均熱板
13 抵抗発熱体
13a 金属箔
13b 耐熱性絶縁物
20 可動式冷却モジュール
30 温度センサ
40 容器
Claims (5)
- ウエハを載置して加熱するヒータと、該ヒータの下部に設けられた可動式冷却モジュールとを備え、ウエハの高速昇降温を行う加熱冷却デバイスであって、
ヒータは、ウエハ載置面を有し金属からなる第1均熱板と、該第1均熱板を支持しセラミックスまたは金属セラミックス複合体からなる第2均熱板と、これら第1均熱板と第2均熱板との間に設けられた抵抗発熱体とを有しており、
第1均熱板と第2均熱板の熱伝導率を順にK1、K2としたときにそれらの関係がK1>K2であり、第1均熱板と第2均熱板のヤング率を順にY1、Y2としたときにそれらの関係がY2>Y1であり、
第1均熱板と第2均熱板の厚みの合計が第1均熱板の直径の1/40以下であり、抵抗発熱体は、ポリイミドもしくはテフロンまたはそれらの少なくとも一方を主原料とする耐熱性絶縁物によって一体化されており、該一体化された抵抗発熱体の厚みが0.5mm以下であり、
第2均熱板において抵抗発熱体に当接する面の形状が上に凹であることを特徴とする加熱冷却デバイス。 - 前記第1均熱板および前記第2均熱板の厚みは、それぞれ1mm以上であることを特徴とする、請求項1記載の加熱冷却デバイス。
- 前記第2均熱板において前記抵抗発熱体に当接する面の平面度が100μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の加熱冷却デバイス。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の加熱冷却デバイスを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の加熱冷却デバイスを備えたことを特徴とする検査装置。
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