JP2888026B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマＣＶＤ装置
に関し、詳しくは、比較的大型の基板に対してプラズマ
ＣＶＤ法による薄膜形成を行うのに適したプラズマＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
に関し、詳しくは、比較的大型の基板に対してプラズマ
ＣＶＤ法による薄膜形成を行うのに適したプラズマＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマＣＶＤ装置は、半導体製
造用のシリコン基板など、比較的小型の基板に対する薄
膜形成に利用されていたが、近年、大型液晶板のよう
に、面積の大きな基板に対する薄膜形成にも利用される
ようになってきた。また、従来のプラズマＣＶＤ装置で
は、一定枚数の基板毎に薄膜形成処理を行うバッチ式の
装置が多かったが、近年、基板の取り扱いを自動化し
て、基板を処理室に順番に送り込み、薄膜形成処理やそ
の前処理である加熱処理、後処理である冷却処理などを
連続的に行う連続式の装置も開発されている。
造用のシリコン基板など、比較的小型の基板に対する薄
膜形成に利用されていたが、近年、大型液晶板のよう
に、面積の大きな基板に対する薄膜形成にも利用される
ようになってきた。また、従来のプラズマＣＶＤ装置で
は、一定枚数の基板毎に薄膜形成処理を行うバッチ式の
装置が多かったが、近年、基板の取り扱いを自動化し
て、基板を処理室に順番に送り込み、薄膜形成処理やそ
の前処理である加熱処理、後処理である冷却処理などを
連続的に行う連続式の装置も開発されている。
【０００３】図６は、従来、大型液晶板などの作製に利
用されていたプラズマＣＶＤ装置の構造を表している。
ガラス等からなる基板１は、左右一対の基板トレー２
に、それぞれ複数枚づつ装着されており、基板トレー２
は、モータやギヤ機構を介して駆動されるコンベア２ａ
に取り付けられている。基板１は基板トレー２に取り付
けられた状態で、処理室３に順次連続的に送り込まれ、
処理が終了すれば、処理室３から運び出される。処理室
３内には、左右の基材トレー２の隙間位置に、シーズヒ
ータパネル４が設置されており、このヒータパネル４
で、基板１を背面から加熱する。基板トレー２の左右外
側には、それぞれ、電極兼用のガス噴出プレート５が設
置されている。電極兼用ガス噴出プレート５には高周波
電源が接続され、ガス噴出プレート５の背面空間には反
応ガスが供給されるようになっており、電極兼用ガス噴
出プレート５と基板トレー２の間に電圧を印加しなが
ら、電極兼用ガス噴出プレート５の前面から基板１のほ
うに反応ガスを噴出することにより、基板１の表面に薄
膜が形成されるようになっている。
用されていたプラズマＣＶＤ装置の構造を表している。
ガラス等からなる基板１は、左右一対の基板トレー２
に、それぞれ複数枚づつ装着されており、基板トレー２
は、モータやギヤ機構を介して駆動されるコンベア２ａ
に取り付けられている。基板１は基板トレー２に取り付
けられた状態で、処理室３に順次連続的に送り込まれ、
処理が終了すれば、処理室３から運び出される。処理室
３内には、左右の基材トレー２の隙間位置に、シーズヒ
ータパネル４が設置されており、このヒータパネル４
で、基板１を背面から加熱する。基板トレー２の左右外
側には、それぞれ、電極兼用のガス噴出プレート５が設
置されている。電極兼用ガス噴出プレート５には高周波
電源が接続され、ガス噴出プレート５の背面空間には反
応ガスが供給されるようになっており、電極兼用ガス噴
出プレート５と基板トレー２の間に電圧を印加しなが
ら、電極兼用ガス噴出プレート５の前面から基板１のほ
うに反応ガスを噴出することにより、基板１の表面に薄
膜が形成されるようになっている。
【０００４】また、図７に示すように、複数の処理室３
が並設された処理装置の場合、コンベア２ａを、複数の
処理室３…を巡回するようにループ状に設置している。
図の左下部分に示すように、基板トレー２に基板１を収
容した後、この基板トレー２をコンベア２ａに吊り下げ
る。コンベア２ａが作動すると、基板トレー２は各処理
室３…を順番に通過し、各処理室３…では、基板１に所
定の処理が施されることになる。
が並設された処理装置の場合、コンベア２ａを、複数の
処理室３…を巡回するようにループ状に設置している。
図の左下部分に示すように、基板トレー２に基板１を収
容した後、この基板トレー２をコンベア２ａに吊り下げ
る。コンベア２ａが作動すると、基板トレー２は各処理
室３…を順番に通過し、各処理室３…では、基板１に所
定の処理が施されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来のプラズマＣＶＤ装置では、基板トレーに形成さ
れた薄膜が脱落して、この薄膜片が基板表面に付着し
て、表面の品質を低下させるという問題があった。
な従来のプラズマＣＶＤ装置では、基板トレーに形成さ
れた薄膜が脱落して、この薄膜片が基板表面に付着し
て、表面の品質を低下させるという問題があった。
【０００６】すなわち、前記したプラズマＣＶＤ装置で
は、基板１に薄膜が形成されるのと同時に基板トレー２
にも薄膜が形成される。基板トレー２は、コンベア２ａ
につり下げられて各処理室３…および外部空間を循環移
動して、繰り返し使用されるため、処理サイクル毎に、
加熱、真空加熱、成膜、冷却などが繰り返されることに
なり、温度や気圧の極端な変化を受ける。その結果、基
板トレー２に付着している薄膜が脱落する、いわゆる膜
はがれを起こすのである。基板トレー２から脱落した薄
膜片が基板１の表面に付着すれば、基板１表面の品質が
損なわれてしまう。さらに、基板トレー２を取り付けた
コンベア２ａなどの搬送手段の構造部材の表面にも、薄
膜が形成され、この薄膜が脱落するという問題が生じて
いた。
は、基板１に薄膜が形成されるのと同時に基板トレー２
にも薄膜が形成される。基板トレー２は、コンベア２ａ
につり下げられて各処理室３…および外部空間を循環移
動して、繰り返し使用されるため、処理サイクル毎に、
加熱、真空加熱、成膜、冷却などが繰り返されることに
なり、温度や気圧の極端な変化を受ける。その結果、基
板トレー２に付着している薄膜が脱落する、いわゆる膜
はがれを起こすのである。基板トレー２から脱落した薄
膜片が基板１の表面に付着すれば、基板１表面の品質が
損なわれてしまう。さらに、基板トレー２を取り付けた
コンベア２ａなどの搬送手段の構造部材の表面にも、薄
膜が形成され、この薄膜が脱落するという問題が生じて
いた。
【０００７】基板１表面への薄膜片の付着を防止するに
は、基板トレー２やその搬送構造から薄膜を除去すれば
よいが、このような薄膜の除去作業には、非常に手間と
時間がかかり、プラズマＣＶＤ装置の稼働率を低下させ
たり、保守管理のコストを増大させることになる。
は、基板トレー２やその搬送構造から薄膜を除去すれば
よいが、このような薄膜の除去作業には、非常に手間と
時間がかかり、プラズマＣＶＤ装置の稼働率を低下させ
たり、保守管理のコストを増大させることになる。
【０００８】また、従来のプラズマＣＶＤ装置では、基
板１の加熱および冷却に時間およびエネルギーがかかる
という問題もあった。これは、ヒータパネル４で基板１
を加熱する際には、同時に基板トレー２にも熱が伝わ
る。基板トレー２は、かなり熱容量の大きなものである
ため、基板トレー２に熱エネルギーが奪われてしまい、
基板１の加熱が迅速に行えず、加熱エネルギーの無駄が
多いのである。基板１を冷却する際にも、熱容量の大き
な基板トレー２を同時に冷却しなければならないため、
冷却時間が長くかかり、冷却エネルギーの無駄も多くな
るのである。
板１の加熱および冷却に時間およびエネルギーがかかる
という問題もあった。これは、ヒータパネル４で基板１
を加熱する際には、同時に基板トレー２にも熱が伝わ
る。基板トレー２は、かなり熱容量の大きなものである
ため、基板トレー２に熱エネルギーが奪われてしまい、
基板１の加熱が迅速に行えず、加熱エネルギーの無駄が
多いのである。基板１を冷却する際にも、熱容量の大き
な基板トレー２を同時に冷却しなければならないため、
冷却時間が長くかかり、冷却エネルギーの無駄も多くな
るのである。
【０００９】基板トレー２のような基板１の保持手段を
使用せず、基板１のみを加熱冷却すれば、加熱冷却時間
は短くて済み、消費エネルギーも少なくなるが、基板１
のみを取り扱うのは非常に難しく、処理室３への搬送お
よび薄膜形成の間中、基板１を傷つけたり変形させたり
せずに、確実に取り扱うことは出来なかった。また、こ
の場合でも、基板１の取り扱い機構には、前記した薄膜
の形成および脱落の問題が残る。
使用せず、基板１のみを加熱冷却すれば、加熱冷却時間
は短くて済み、消費エネルギーも少なくなるが、基板１
のみを取り扱うのは非常に難しく、処理室３への搬送お
よび薄膜形成の間中、基板１を傷つけたり変形させたり
せずに、確実に取り扱うことは出来なかった。また、こ
の場合でも、基板１の取り扱い機構には、前記した薄膜
の形成および脱落の問題が残る。
【００１０】また、ヒータパネル４は、真空状態の処理
室３内で基板１との間に間隔をあけた状態で配置されて
いるため、ヒータパネル４から基板１への伝熱効率が悪
いという問題もある。これは、ヒータパネル４の熱は、
主に熱伝導により伝えられるので、基板１との間が真空
になっている状態では、基板１への熱伝達が効率良く行
われないのである。
室３内で基板１との間に間隔をあけた状態で配置されて
いるため、ヒータパネル４から基板１への伝熱効率が悪
いという問題もある。これは、ヒータパネル４の熱は、
主に熱伝導により伝えられるので、基板１との間が真空
になっている状態では、基板１への熱伝達が効率良く行
われないのである。
【００１１】さらに、図７に示したように、コンベアラ
イン２ａが、複数の処理室３を１方向に巡回し、処理室
３の外部を通って元に戻る循環構造になっていると、コ
ンベアライン２ａの設置スペースが非常に広く必要であ
るという問題もある。
イン２ａが、複数の処理室３を１方向に巡回し、処理室
３の外部を通って元に戻る循環構造になっていると、コ
ンベアライン２ａの設置スペースが非常に広く必要であ
るという問題もある。
【００１２】そこで、この発明の課題は、前記したよう
なプラズマＣＶＤ装置における問題点を解消し、基板の
加熱性能に優れ、保守管理に手間がかからず、処理品質
も良好なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
なプラズマＣＶＤ装置における問題点を解消し、基板の
加熱性能に優れ、保守管理に手間がかからず、処理品質
も良好なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する、こ
の発明にかかるプラズマＣＶＤ装置は、処理室内に、連
結開口で連通する薄膜形成部と搬送加熱部とを備え、薄
膜形成部には、連結開口に向けて薄膜の堆積を行う薄膜
形成手段を備え、搬送加熱部には、基板を保持した基板
保持部材を処理室に出し入れする搬送手段と、基板保持
部材に保持された基板の背面に当接し、基板を基板保持
部材から連結開口を塞ぐ位置へと移送するとともに、基
板に熱を伝える伝熱移送板を備えている。
の発明にかかるプラズマＣＶＤ装置は、処理室内に、連
結開口で連通する薄膜形成部と搬送加熱部とを備え、薄
膜形成部には、連結開口に向けて薄膜の堆積を行う薄膜
形成手段を備え、搬送加熱部には、基板を保持した基板
保持部材を処理室に出し入れする搬送手段と、基板保持
部材に保持された基板の背面に当接し、基板を基板保持
部材から連結開口を塞ぐ位置へと移送するとともに、基
板に熱を伝える伝熱移送板を備えている。
【００１４】プラズマＣＶＤ装置の基本的な構造は、通
常の装置と同様であり、真空排気が可能な処理室内に、
プラズマを形成させるための電圧を印加する電極部材
や、プラズマを構成する反応ガスを供給する反応ガスの
供給手段などからなる薄膜形成手段や基板を加熱するた
めの手段を備え、さらに、基板を保持する搬送パレット
あるいは基板トレーなどの基板保持部材が、コンベア等
の搬送手段によって、処理室の内部に出入り自在に設置
されている。基板は、プラズマＣＶＤの目的に合わせ
て、ガラス基板その他の通常の基板材料が用いられ、ま
た、形成する薄膜の種類によって、任意の反応ガスを用
いることができる。
常の装置と同様であり、真空排気が可能な処理室内に、
プラズマを形成させるための電圧を印加する電極部材
や、プラズマを構成する反応ガスを供給する反応ガスの
供給手段などからなる薄膜形成手段や基板を加熱するた
めの手段を備え、さらに、基板を保持する搬送パレット
あるいは基板トレーなどの基板保持部材が、コンベア等
の搬送手段によって、処理室の内部に出入り自在に設置
されている。基板は、プラズマＣＶＤの目的に合わせ
て、ガラス基板その他の通常の基板材料が用いられ、ま
た、形成する薄膜の種類によって、任意の反応ガスを用
いることができる。
【００１５】この発明では、処理室内で、薄膜形成手段
を備えた薄膜形成部と、加熱手段および搬送手段を備え
た搬送加熱部が、連結開口で連通しており、それ以外の
部分では互いに遮断分離されている。連結開口は、基板
を連結開口に配置したときに、連結開口全体がほぼ塞が
れるような形状および寸法に設定されている。薄膜形成
部の薄膜形成手段は、薄膜の堆積が、連結開口に向けて
行われるように配置されている。具体的には、連結開口
に対向して電極部材や反応ガスの噴出口が設けられてい
る。また、処理室内の真空排気装置は、薄膜形成部では
プラズマＣＶＤに適した高い真空状態を形成できるよう
にしておくが、搬送加熱部では、薄膜形成部に比べれば
真空度が低くてもよい。特に、薄膜形成時に、搬送加熱
部側に不活性ガスを供給して、搬送加熱部を薄膜形成部
によりも高圧にしておけば、薄膜形成部から搬送加熱部
に反応ガスが漏れることを確実に防止できる。
を備えた薄膜形成部と、加熱手段および搬送手段を備え
た搬送加熱部が、連結開口で連通しており、それ以外の
部分では互いに遮断分離されている。連結開口は、基板
を連結開口に配置したときに、連結開口全体がほぼ塞が
れるような形状および寸法に設定されている。薄膜形成
部の薄膜形成手段は、薄膜の堆積が、連結開口に向けて
行われるように配置されている。具体的には、連結開口
に対向して電極部材や反応ガスの噴出口が設けられてい
る。また、処理室内の真空排気装置は、薄膜形成部では
プラズマＣＶＤに適した高い真空状態を形成できるよう
にしておくが、搬送加熱部では、薄膜形成部に比べれば
真空度が低くてもよい。特に、薄膜形成時に、搬送加熱
部側に不活性ガスを供給して、搬送加熱部を薄膜形成部
によりも高圧にしておけば、薄膜形成部から搬送加熱部
に反応ガスが漏れることを確実に防止できる。
【００１６】基板の保持部材は、基板を寝かせた状態で
載置して、その外周を保持する搬送パレットや、基板を
立てて置いたり、吊り下げてたりして保持するものな
ど、各種薄膜形成装置で用いられている通常の基板保持
手段が採用できる。但し、基板保持部材は、後述する伝
熱搬送板の作動によって、基板を伝熱搬送板側に移すこ
とができるような構造になっている必要がある。
載置して、その外周を保持する搬送パレットや、基板を
立てて置いたり、吊り下げてたりして保持するものな
ど、各種薄膜形成装置で用いられている通常の基板保持
手段が採用できる。但し、基板保持部材は、後述する伝
熱搬送板の作動によって、基板を伝熱搬送板側に移すこ
とができるような構造になっている必要がある。
【００１７】基板保持部材は、コンベア等の搬送手段に
よって、処理室の外部から処理室内へと搬送される。搬
送手段は、ローラコンベア、ハンガーコンベアその他、
通常の機械装置で利用されている搬送装置の構造が用い
られる。プラズマＣＶＤ装置が、複数の薄膜形成用処理
室あるいは前処理用、後処理用の処理室などを備えてい
る場合、搬送手段は、基板保持部材を各処理室に順次移
し替えていけるようにしておく。なお、搬送手段で、ひ
とつの基板保持部材を、全ての処理室に順番に移し替え
ていくものであってもよいが、ひとつの基板保持部材
を、隣接する処理室の間だけで往復移動させるようにし
ておき、基板を隣接する基板保持部材に順番に移し替え
るようにしておいてもよい。さらに、基板保持部材は、
搬送手段に着脱自在になっていてもよいが、基板保持部
材と搬送手段が一体構造になっていてもよい。
よって、処理室の外部から処理室内へと搬送される。搬
送手段は、ローラコンベア、ハンガーコンベアその他、
通常の機械装置で利用されている搬送装置の構造が用い
られる。プラズマＣＶＤ装置が、複数の薄膜形成用処理
室あるいは前処理用、後処理用の処理室などを備えてい
る場合、搬送手段は、基板保持部材を各処理室に順次移
し替えていけるようにしておく。なお、搬送手段で、ひ
とつの基板保持部材を、全ての処理室に順番に移し替え
ていくものであってもよいが、ひとつの基板保持部材
を、隣接する処理室の間だけで往復移動させるようにし
ておき、基板を隣接する基板保持部材に順番に移し替え
るようにしておいてもよい。さらに、基板保持部材は、
搬送手段に着脱自在になっていてもよいが、基板保持部
材と搬送手段が一体構造になっていてもよい。
【００１８】伝熱移送板は、基板保持部材に保持された
基板の背面に当接する。すなわち、伝熱移送板は、基板
および基板保持部材が搬送手段によって搬送されている
ときには、基板の背面から離れた位置にあって、必要な
ときに、基板の背面に当接する位置まで移動できるよう
になっている。また、伝熱移送板は、基板の背面に当接
した状態から、基板保持部材から基板を取り外して、基
板が連結開口を塞ぐ位置に配置される状態まで移送でき
るように、移動自在になっている。伝熱移送板の移動機
構は、通常の機械装置と同様の、モータやシリンダ機構
などを組み合わせた移動機構が採用できる。但し、伝熱
移送板の作動時に、基板保持部材や搬送手段が邪魔にな
らず、また、伝熱移送板が連結開口側に移動した状態
で、基板保持部材や搬送手段が作動するときにも、伝熱
移送板が邪魔にならないようにしておく。
基板の背面に当接する。すなわち、伝熱移送板は、基板
および基板保持部材が搬送手段によって搬送されている
ときには、基板の背面から離れた位置にあって、必要な
ときに、基板の背面に当接する位置まで移動できるよう
になっている。また、伝熱移送板は、基板の背面に当接
した状態から、基板保持部材から基板を取り外して、基
板が連結開口を塞ぐ位置に配置される状態まで移送でき
るように、移動自在になっている。伝熱移送板の移動機
構は、通常の機械装置と同様の、モータやシリンダ機構
などを組み合わせた移動機構が採用できる。但し、伝熱
移送板の作動時に、基板保持部材や搬送手段が邪魔にな
らず、また、伝熱移送板が連結開口側に移動した状態
で、基板保持部材や搬送手段が作動するときにも、伝熱
移送板が邪魔にならないようにしておく。
【００１９】伝熱移送板は、加熱自在になっている。伝
熱移送板を加熱する手段としては、伝熱移送板にヒータ
などの加熱源を内蔵していてもよいが、次に説明する加
熱ランプを利用することもできる。
熱移送板を加熱する手段としては、伝熱移送板にヒータ
などの加熱源を内蔵していてもよいが、次に説明する加
熱ランプを利用することもできる。
【００２０】すなわち、伝熱移送板は、吸熱性能の良い
金属などで形成しておくだけで、加熱源は備えておかな
い。そして、伝熱移送板と対向する処理室壁面には、光
透過窓を設け、光透過窓に隣接する処理室の外部に、加
熱ランプを設けておくのである。加熱ランプの照射光
が、光透過窓を通じて伝熱移送板の背面に当たり、その
結果、伝熱移送板が加熱されることになる。光透過窓
は、石英ガラスなどの光透過性材料で塞がれ、加熱ラン
プの光を良く透過すると同時に、処理室内の真空状態を
良好に維持できるようにしておく。伝熱移送板を加熱す
る際には、伝熱移送板を光透過窓の位置に出来るだけ近
づけて、加熱ランプからの輻射熱を出来るだけ有効に吸
収できるようにしておくのが好ましい。
金属などで形成しておくだけで、加熱源は備えておかな
い。そして、伝熱移送板と対向する処理室壁面には、光
透過窓を設け、光透過窓に隣接する処理室の外部に、加
熱ランプを設けておくのである。加熱ランプの照射光
が、光透過窓を通じて伝熱移送板の背面に当たり、その
結果、伝熱移送板が加熱されることになる。光透過窓
は、石英ガラスなどの光透過性材料で塞がれ、加熱ラン
プの光を良く透過すると同時に、処理室内の真空状態を
良好に維持できるようにしておく。伝熱移送板を加熱す
る際には、伝熱移送板を光透過窓の位置に出来るだけ近
づけて、加熱ランプからの輻射熱を出来るだけ有効に吸
収できるようにしておくのが好ましい。
【００２１】さらに、伝熱移送板を薄膜形成時に電極部
材と対向する電極として利用することができる。すなわ
ち、伝熱移送板をアースしておけば、この伝熱移送板が
基板の背面に当接した状態で、電圧印加される電極部材
と対向することになり、基板表面への薄膜の堆積が良好
に行えることになる。但し、伝熱移送板とは別に、連結
開口部分に基板に当接するアース電極を設けておいても
よいのは言うまでもない。
材と対向する電極として利用することができる。すなわ
ち、伝熱移送板をアースしておけば、この伝熱移送板が
基板の背面に当接した状態で、電圧印加される電極部材
と対向することになり、基板表面への薄膜の堆積が良好
に行えることになる。但し、伝熱移送板とは別に、連結
開口部分に基板に当接するアース電極を設けておいても
よいのは言うまでもない。
【００２２】
【作用】この発明では、薄膜形成部と搬送加熱部が、連
結開口以外では遮断されており、薄膜形成時には、連結
開口が基板で塞がれることになる。このような状態で、
薄膜形成を行えば、基板に形成される薄膜が、基板保持
部材や搬送手段などの構造部分にも形成されてしまうこ
とがなく、基板保持部材などから脱落した薄膜片が基板
表面に付着するという問題が解消される。なお、薄膜形
成部の内部は、真空度や温度などが常に一定の環境に保
たれているので、薄膜形成部の内部壁面などに薄膜が付
着していても、この薄膜が脱落することはない。
結開口以外では遮断されており、薄膜形成時には、連結
開口が基板で塞がれることになる。このような状態で、
薄膜形成を行えば、基板に形成される薄膜が、基板保持
部材や搬送手段などの構造部分にも形成されてしまうこ
とがなく、基板保持部材などから脱落した薄膜片が基板
表面に付着するという問題が解消される。なお、薄膜形
成部の内部は、真空度や温度などが常に一定の環境に保
たれているので、薄膜形成部の内部壁面などに薄膜が付
着していても、この薄膜が脱落することはない。
【００２３】基板保持部材から連結開口まで基板を移送
する伝熱移送板が、基板に当接して熱を伝えるので、伝
熱移送板から基板への熱伝達は非常に効率良く行われ、
熱エネルギーの無駄がない。また、伝熱移送板から基板
に伝熱される際には、基板と基板保持部材が接触してい
ないので、基板保持部材に熱が逃げることもなく、熱エ
ネルギーの利用効率が高い。さらに、薄膜形成を終えた
基板は、伝熱移送板から基板保持部材に移し替えること
により、加熱状態の伝熱移送板から離れた基板が、迅速
に冷却されるので、冷却時間も短くなり、冷却に要する
エネルギーも削減できる。
する伝熱移送板が、基板に当接して熱を伝えるので、伝
熱移送板から基板への熱伝達は非常に効率良く行われ、
熱エネルギーの無駄がない。また、伝熱移送板から基板
に伝熱される際には、基板と基板保持部材が接触してい
ないので、基板保持部材に熱が逃げることもなく、熱エ
ネルギーの利用効率が高い。さらに、薄膜形成を終えた
基板は、伝熱移送板から基板保持部材に移し替えること
により、加熱状態の伝熱移送板から離れた基板が、迅速
に冷却されるので、冷却時間も短くなり、冷却に要する
エネルギーも削減できる。
【００２４】
【実施例】ついで、この発明の実施例を図面を参照しな
がら以下に説明する。
がら以下に説明する。
【００２５】図３は、プラズマＣＶＤ装置の全体構造を
表している。予備加熱処理室１０ａ、複数の薄膜形成処
理室１０ｂ、１０ｃ、１０ｄおよび冷却処理室１０ｅ
が、それぞれの間に室間ゲートバルブ１４を介して連結
されている。各処理室１０a …を通じて、搬送手段であ
るローラコンベア５０が設置されている。ローラコンベ
ア５０の上には、基板保持部材である搬送パレット６０
が載せられ、搬送パレット６０には、薄膜形成を行う基
板４０が収容されている。基板４０は、各処理室１０ａ
…を順番に移し替えられながら、所定の処理を施され、
処理が完了した基板４０が装置の他端から送り出され
る。搬送パレット６０は、まず、装置外から予備加熱処
理室１０ａおよび次の薄膜形成処理室１０ｂの間を往復
移動する搬送パレット６０が設けられている。すなわ
ち、図中のＷ1 の範囲を往復する搬送パレット６０であ
る。つぎに、上記薄膜形成処理室１０ｂと次の薄膜形成
処理室１０ｃおよびその次の薄膜形成処理室１０ｄの間
（図中、Ｗ2 の範囲）を往復移動する搬送パレット６０
が設けられている。さらに、薄膜形成処理室１０ｄと冷
却室１０ｅおよび装置外（図中、Ｗ3 の範囲）を往復移
動する搬送パレット６０が設けられている。したがっ
て、基板４０は、これら複数の往復移動する搬送パレッ
ト６０に順次移し替えられながら、装置の一端から他端
へと搬送されることになる。
表している。予備加熱処理室１０ａ、複数の薄膜形成処
理室１０ｂ、１０ｃ、１０ｄおよび冷却処理室１０ｅ
が、それぞれの間に室間ゲートバルブ１４を介して連結
されている。各処理室１０a …を通じて、搬送手段であ
るローラコンベア５０が設置されている。ローラコンベ
ア５０の上には、基板保持部材である搬送パレット６０
が載せられ、搬送パレット６０には、薄膜形成を行う基
板４０が収容されている。基板４０は、各処理室１０ａ
…を順番に移し替えられながら、所定の処理を施され、
処理が完了した基板４０が装置の他端から送り出され
る。搬送パレット６０は、まず、装置外から予備加熱処
理室１０ａおよび次の薄膜形成処理室１０ｂの間を往復
移動する搬送パレット６０が設けられている。すなわ
ち、図中のＷ1 の範囲を往復する搬送パレット６０であ
る。つぎに、上記薄膜形成処理室１０ｂと次の薄膜形成
処理室１０ｃおよびその次の薄膜形成処理室１０ｄの間
（図中、Ｗ2 の範囲）を往復移動する搬送パレット６０
が設けられている。さらに、薄膜形成処理室１０ｄと冷
却室１０ｅおよび装置外（図中、Ｗ3 の範囲）を往復移
動する搬送パレット６０が設けられている。したがっ
て、基板４０は、これら複数の往復移動する搬送パレッ
ト６０に順次移し替えられながら、装置の一端から他端
へと搬送されることになる。
【００２６】つぎに、図１は、プラズマＣＶＤ装置の薄
膜形成処理室１０（１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ）の内部構
造を示している。処理室１０は、中央の搬送加熱部３０
と、その上方に設けられた薄膜形成部２０からなる。
膜形成処理室１０（１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ）の内部構
造を示している。処理室１０は、中央の搬送加熱部３０
と、その上方に設けられた薄膜形成部２０からなる。
【００２７】搬送加熱部３０の左右端は、室間ゲートバ
ルブ１４を介して、隣の処理室１０に連結されている。
搬送加熱部３０を横断して、搬送手段であるローラコン
ベア５０が設置されている。搬送加熱部３０には、真空
排気口３４や不活性ガス導入口３２が設けられている。
ローラコンベア５０の上には、基板保持部材である搬送
パレット４０が載せられ、ローラコンベア５０の駆動に
よって、水平方向に往復移動する。搬送パレット４０
は、中央の処理室１０と、両隣の処理室１０、１０の間
を往復移動する。搬送パレット４０の上には、薄膜形成
を行う基板６０が載せられている。
ルブ１４を介して、隣の処理室１０に連結されている。
搬送加熱部３０を横断して、搬送手段であるローラコン
ベア５０が設置されている。搬送加熱部３０には、真空
排気口３４や不活性ガス導入口３２が設けられている。
ローラコンベア５０の上には、基板保持部材である搬送
パレット４０が載せられ、ローラコンベア５０の駆動に
よって、水平方向に往復移動する。搬送パレット４０
は、中央の処理室１０と、両隣の処理室１０、１０の間
を往復移動する。搬送パレット４０の上には、薄膜形成
を行う基板６０が載せられている。
【００２８】搬送パレット４０の通過経路の下方に、伝
熱移送板７０が設けられている。伝熱移送板７０は、断
熱部材７４を挟んで昇降腕７６に取り付けられ、この昇
降腕７６はモータ７８などで駆動されて昇降自在になっ
ている。また、伝熱移送板７０は、輻射熱の吸収性が良
く、導電性のある金属などで形成されているとともに、
アースされている。
熱移送板７０が設けられている。伝熱移送板７０は、断
熱部材７４を挟んで昇降腕７６に取り付けられ、この昇
降腕７６はモータ７８などで駆動されて昇降自在になっ
ている。また、伝熱移送板７０は、輻射熱の吸収性が良
く、導電性のある金属などで形成されているとともに、
アースされている。
【００２９】伝熱移送板７０の下方で、処理室１０の下
壁面は貫通形成されて光透過窓１６となっている。光透
過窓１６は、石英ガラスなどからなる光透過板８１で塞
がれている。光透過窓１６のさらに下方で、処理室１０
の外部に加熱ランプ８０が設けられている。加熱ランプ
８０は、ハロゲンランプまたは赤外線ランプからなる光
源ランプ８２と反射板８４などを備え、加熱ランプ８０
の照射光が、光透過窓８１を通過して、処理室１０内の
伝熱移送板７０に当たり、輻射熱によって伝熱移送板７
０を加熱する。
壁面は貫通形成されて光透過窓１６となっている。光透
過窓１６は、石英ガラスなどからなる光透過板８１で塞
がれている。光透過窓１６のさらに下方で、処理室１０
の外部に加熱ランプ８０が設けられている。加熱ランプ
８０は、ハロゲンランプまたは赤外線ランプからなる光
源ランプ８２と反射板８４などを備え、加熱ランプ８０
の照射光が、光透過窓８１を通過して、処理室１０内の
伝熱移送板７０に当たり、輻射熱によって伝熱移送板７
０を加熱する。
【００３０】伝熱移送板７０は、上方に移動したとき
に、搬送パレット４０の中央に貫通形成された空間４２
を通過して基板６０の背面に当接できるようになってい
る。基板６０に当接した伝熱移送板７０は、さらに上方
に移動して、搬送パレット４０の上方に基板６０を抜き
取り、基板６０を連結開口１２を塞ぐ位置まで持ち上げ
るようになっている。基板６０が連結開口１２に配置さ
れた状態では、上方の薄膜形成部２０と下方の搬送加熱
部３０は、ほぼ密閉分離されることになる。基板６０６
０もくしは伝熱移送板７０で、連結開口１２を完全に密
閉すれば、反応ガスが搬送加熱部３０側に漏れるのを確
実に阻止できるが、少しぐらい隙間があいても実用上は
問題にならない。
に、搬送パレット４０の中央に貫通形成された空間４２
を通過して基板６０の背面に当接できるようになってい
る。基板６０に当接した伝熱移送板７０は、さらに上方
に移動して、搬送パレット４０の上方に基板６０を抜き
取り、基板６０を連結開口１２を塞ぐ位置まで持ち上げ
るようになっている。基板６０が連結開口１２に配置さ
れた状態では、上方の薄膜形成部２０と下方の搬送加熱
部３０は、ほぼ密閉分離されることになる。基板６０６
０もくしは伝熱移送板７０で、連結開口１２を完全に密
閉すれば、反応ガスが搬送加熱部３０側に漏れるのを確
実に阻止できるが、少しぐらい隙間があいても実用上は
問題にならない。
【００３１】薄膜形成部２０では、連結開口１２の上方
に、ガス噴出プレート２２が配置されている。ガス噴出
プレート２２には、多数の噴出孔が貫通形成されてい
る。ガス噴出プレート２２の上方には、隙間をあけて電
極部材２１が取り付けられている。電極部材２１には、
高周波電源２５が接続されているとともに、絶縁材２４
を介して、処理室１０の内壁に固定されている。電極部
材２１には、反応ガス導入配管２３が接続され、電極部
材２１とガス噴出プレート２２の間に、薄膜形成用の反
応ガスを供給する。
に、ガス噴出プレート２２が配置されている。ガス噴出
プレート２２には、多数の噴出孔が貫通形成されてい
る。ガス噴出プレート２２の上方には、隙間をあけて電
極部材２１が取り付けられている。電極部材２１には、
高周波電源２５が接続されているとともに、絶縁材２４
を介して、処理室１０の内壁に固定されている。電極部
材２１には、反応ガス導入配管２３が接続され、電極部
材２１とガス噴出プレート２２の間に、薄膜形成用の反
応ガスを供給する。
【００３２】ガス噴出プレート２２と連結開口１２の間
の空間の外周には、反応ガスの排気路２６が設けられて
いる。排気路２６の内側面には多数の排気孔２６０が貫
通形成されている。また、排気路２６は、排気口２７に
連結されている。ガス噴出プレート２２から噴出した反
応ガスは、連結開口１２に配置された基板６０に薄膜を
堆積させた後、排気路２６の排気孔２６０を通じて、排
気口２７から外部に排気される。
の空間の外周には、反応ガスの排気路２６が設けられて
いる。排気路２６の内側面には多数の排気孔２６０が貫
通形成されている。また、排気路２６は、排気口２７に
連結されている。ガス噴出プレート２２から噴出した反
応ガスは、連結開口１２に配置された基板６０に薄膜を
堆積させた後、排気路２６の排気孔２６０を通じて、排
気口２７から外部に排気される。
【００３３】図２は、処理室１０の内部構造を、さらに
詳しく表している。搬送パレット４０は、多数のガイド
ローラを備えたローラコンベア５０に、水平方向に移動
可能に支持されている。ローラコンベア５０の駆動ピニ
オン５２を、搬送パレット４０に固定されたラック５４
に噛み合わせて、駆動ピニオン５２を回転駆動すれば、
搬送パレット５０が水平方向に往復移動する。
詳しく表している。搬送パレット４０は、多数のガイド
ローラを備えたローラコンベア５０に、水平方向に移動
可能に支持されている。ローラコンベア５０の駆動ピニ
オン５２を、搬送パレット４０に固定されたラック５４
に噛み合わせて、駆動ピニオン５２を回転駆動すれば、
搬送パレット５０が水平方向に往復移動する。
【００３４】搬送パレット４０の中央には、基板６０の
外形に合わせた空間４２が形成されている。搬送パレッ
ト４０の、基板６０の四隅外周に対応する位置には、セ
ラミック等の断熱材料からなる保持ブロック４６が取り
付けられている。基板６０は、保持ブロック４６の内側
に嵌まり込んだ状態で、搬送パレット４０に載せられて
いる。
外形に合わせた空間４２が形成されている。搬送パレッ
ト４０の、基板６０の四隅外周に対応する位置には、セ
ラミック等の断熱材料からなる保持ブロック４６が取り
付けられている。基板６０は、保持ブロック４６の内側
に嵌まり込んだ状態で、搬送パレット４０に載せられて
いる。
【００３５】伝熱移送板７０は、搬送パレット４０の中
央空間４２よりも少し小さな外形を有し、その１側辺に
突出腕部７２が設けられ、この突出腕部７２が断熱部材
７４を介して昇降腕７６に固定されている。搬送パレッ
ト４０には、伝熱移送板７０の突出腕部７２に対応する
位置に、切り欠き４４が形成されており、伝熱移送板７
０が、搬送パレット４０を通過して自由に昇降できるよ
うになっている。
央空間４２よりも少し小さな外形を有し、その１側辺に
突出腕部７２が設けられ、この突出腕部７２が断熱部材
７４を介して昇降腕７６に固定されている。搬送パレッ
ト４０には、伝熱移送板７０の突出腕部７２に対応する
位置に、切り欠き４４が形成されており、伝熱移送板７
０が、搬送パレット４０を通過して自由に昇降できるよ
うになっている。
【００３６】以上のような構造を備えたプラズマＣＶＤ
装置の作動について説明する。まず、伝熱移送板７０
は、前記したように、加熱ランプ８０の照射により、所
定の温度に加熱しておく。伝熱移送板７０は上方に移動
するとき以外は、常に加熱ランプ８０の照射を受けて、
所定の温度が維持されるようにしておく。
装置の作動について説明する。まず、伝熱移送板７０
は、前記したように、加熱ランプ８０の照射により、所
定の温度に加熱しておく。伝熱移送板７０は上方に移動
するとき以外は、常に加熱ランプ８０の照射を受けて、
所定の温度が維持されるようにしておく。
【００３７】搬送パレット４０に載った基板６０が、処
理室１０に運び込まれると、真空排気口３４から処理室
１０全体を排気する。伝熱移送板７０を上昇させて、基
板６０の背面に当接させ、基板６０を搬送パレット４０
から持ち上げて、連結開口１２の位置に配置する。伝熱
移送板７０が基板６０に当接すれば、伝熱移送板７０か
らの熱伝導により基板６０は迅速に加熱される。
理室１０に運び込まれると、真空排気口３４から処理室
１０全体を排気する。伝熱移送板７０を上昇させて、基
板６０の背面に当接させ、基板６０を搬送パレット４０
から持ち上げて、連結開口１２の位置に配置する。伝熱
移送板７０が基板６０に当接すれば、伝熱移送板７０か
らの熱伝導により基板６０は迅速に加熱される。
【００３８】搬送加熱部３０に、不活性ガス導入口３２
から窒素ガスなどの不活性ガスを導入するとともに、真
空排気口３４を閉じる。
から窒素ガスなどの不活性ガスを導入するとともに、真
空排気口３４を閉じる。
【００３９】つぎに、薄膜形成部２０の排気口２７を開
き、反応ガス導入配管２３から反応ガスを導入する。電
極部材２１には電圧を印加する。その結果、ガス噴出プ
レート２２から噴出した反応ガスプラズマが、伝熱移送
板７０を介してアースされている基板６０の表面に堆積
し、所定の厚みで薄膜形成が行われる。この実施例で
は、基板６０がガス噴出プレート２２や電極部材２１と
非常に近い位置にあるので、搬送パレット４０の位置の
ままで薄膜形成を行うのに比べて、薄膜の形成が良好に
行われ、高品質の薄膜が形成できる。
き、反応ガス導入配管２３から反応ガスを導入する。電
極部材２１には電圧を印加する。その結果、ガス噴出プ
レート２２から噴出した反応ガスプラズマが、伝熱移送
板７０を介してアースされている基板６０の表面に堆積
し、所定の厚みで薄膜形成が行われる。この実施例で
は、基板６０がガス噴出プレート２２や電極部材２１と
非常に近い位置にあるので、搬送パレット４０の位置の
ままで薄膜形成を行うのに比べて、薄膜の形成が良好に
行われ、高品質の薄膜が形成できる。
【００４０】薄膜形成に利用されなかった反応ガスは、
排気路２６および排気口２７を通じて排気される。排気
路２６が、基板６０の直ぐ外周に配置されているので、
反応ガスは確実に排気路２６に送り込まれ、連結開口１
２から下方に漏れることは少ない。しかも、搬送加熱部
３０に不活性ガスが導入されているので、搬送加熱部３
０のほうが薄膜形成部２０よりも圧力が高くなってお
り、反応ガスが連結開口１２から搬送加熱部３０側への
ガス漏れは確実に阻止できる。
排気路２６および排気口２７を通じて排気される。排気
路２６が、基板６０の直ぐ外周に配置されているので、
反応ガスは確実に排気路２６に送り込まれ、連結開口１
２から下方に漏れることは少ない。しかも、搬送加熱部
３０に不活性ガスが導入されているので、搬送加熱部３
０のほうが薄膜形成部２０よりも圧力が高くなってお
り、反応ガスが連結開口１２から搬送加熱部３０側への
ガス漏れは確実に阻止できる。
【００４１】薄膜形成が終了した後、搬送加熱部３０で
は、残留ガスを真空排気口３４から排出する。伝熱移送
板７０を下降させれば、薄膜形成が終了した基板６０
は、搬送パレット４０の上に戻される。さらに、真空排
気口３４から処理室１０全体の排気を行う。
は、残留ガスを真空排気口３４から排出する。伝熱移送
板７０を下降させれば、薄膜形成が終了した基板６０
は、搬送パレット４０の上に戻される。さらに、真空排
気口３４から処理室１０全体の排気を行う。
【００４２】搬送パレット４０に戻された基板６０は、
搬送パレット４０の移動に伴って、次の処理室１０へと
送られる。次の処理室１０でも、上記同様の薄膜形成処
理が行われる。但し、この場合は、搬送パレット４０か
ら伝熱移送板７０に基板６０を移し替えた後、搬送パレ
ット４０を元の処理室１０に戻し、さらに、この元の処
理室１０のひとつ手前の処理室１０まで搬送パレット４
０を戻して、次に処理を行う基板４０を受け取る。すな
わち、基板６０が伝熱移送板７０に移っている間に、搬
送パレット４０の復帰移動が行われるので、搬送パレッ
ト４０の復帰動作に伴う時間のロスは最小限に止められ
る。
搬送パレット４０の移動に伴って、次の処理室１０へと
送られる。次の処理室１０でも、上記同様の薄膜形成処
理が行われる。但し、この場合は、搬送パレット４０か
ら伝熱移送板７０に基板６０を移し替えた後、搬送パレ
ット４０を元の処理室１０に戻し、さらに、この元の処
理室１０のひとつ手前の処理室１０まで搬送パレット４
０を戻して、次に処理を行う基板４０を受け取る。すな
わち、基板６０が伝熱移送板７０に移っている間に、搬
送パレット４０の復帰移動が行われるので、搬送パレッ
ト４０の復帰動作に伴う時間のロスは最小限に止められ
る。
【００４３】また、図３で、中央の薄膜形成処理室１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄ（図中、Ｗ2 の範囲）を往復移動す
る搬送パレット４０は、温度や真空度がほぼ一定の環境
に置かれることになるので、この搬送パレット４０に薄
膜が形成されてしまったとしても、この薄膜が脱落する
ことはなく、薄膜片が基６０の表面に付着する問題は生
じない。
ｂ、１０ｃ、１０ｄ（図中、Ｗ2 の範囲）を往復移動す
る搬送パレット４０は、温度や真空度がほぼ一定の環境
に置かれることになるので、この搬送パレット４０に薄
膜が形成されてしまったとしても、この薄膜が脱落する
ことはなく、薄膜片が基６０の表面に付着する問題は生
じない。
【００４４】上記した実施例では、基板６０の搬送手段
として、各処理室１０ａ〜１０ｅにわたってローラコン
ベア５０を設けるとともに、このローラコンベア５０の
上で、一定範囲毎に複数の搬送パレット４０を往復移動
させているため、従来のループ状コンベアのように、装
置外に搬送パレット４０の復帰ラインを設置しておく必
要がなく、プラズマＣＶＤ装置全体の設置スペースが節
約できる。また、前記したように、薄膜形成処理室１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄを往復移動する搬送パレット４０に
薄膜が形成されても、これが脱落する問題が生じないの
で、基板６０の品質性能維持に有効であるとともに、搬
送パレット４０の薄膜を除去する作業の手間が省ける。
として、各処理室１０ａ〜１０ｅにわたってローラコン
ベア５０を設けるとともに、このローラコンベア５０の
上で、一定範囲毎に複数の搬送パレット４０を往復移動
させているため、従来のループ状コンベアのように、装
置外に搬送パレット４０の復帰ラインを設置しておく必
要がなく、プラズマＣＶＤ装置全体の設置スペースが節
約できる。また、前記したように、薄膜形成処理室１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄを往復移動する搬送パレット４０に
薄膜が形成されても、これが脱落する問題が生じないの
で、基板６０の品質性能維持に有効であるとともに、搬
送パレット４０の薄膜を除去する作業の手間が省ける。
【００４５】つぎに、図４および図５には、上記実施例
とは基板６０の搬送手段の構造が異なる実施例を示して
いる。この実施例では、ローラコンベア５０を用いる代
わりに、搬送アーム５００を用いる。この搬送アーム５
００以外の構造は、前記実施例と共通するので、説明を
省略する。
とは基板６０の搬送手段の構造が異なる実施例を示して
いる。この実施例では、ローラコンベア５０を用いる代
わりに、搬送アーム５００を用いる。この搬送アーム５
００以外の構造は、前記実施例と共通するので、説明を
省略する。
【００４６】搬送アーム５００は、複数のアーム部材５
０２と、アーム部材５０２を屈曲作動させる多数の歯車
機構５０４からなり、歯車機構５０４に連結された駆動
軸５０６をモータ５０８で駆動するようになっている。
アーム部材５０２の先端には、前記同様の搬送パレット
４０が固定取り付けされている。アーム部材５０２が屈
曲作動することによって、搬送パレット４０が水平方向
に往復移動する。
０２と、アーム部材５０２を屈曲作動させる多数の歯車
機構５０４からなり、歯車機構５０４に連結された駆動
軸５０６をモータ５０８で駆動するようになっている。
アーム部材５０２の先端には、前記同様の搬送パレット
４０が固定取り付けされている。アーム部材５０２が屈
曲作動することによって、搬送パレット４０が水平方向
に往復移動する。
【００４７】図４に示すように、搬送アーム５００が図
中の右側に伸びた状態で、搬送アーム５００に取り付け
られた搬送パレット４０が、処理室１０の中央すなわち
伝熱移送板７０の上方に配置される。搬送アーム５００
が縮まれば、搬送パレット４０は駆動軸５０６の位置に
配置され、さらに、搬送アーム５００が反対側に伸びれ
ば、搬送パレット４０は、隣の処理室１０まで入ること
ができる。すなわち、基板６０を、隣接する処理室１０
に移し替えることができる。搬送アーム５００の最大伸
縮長さを適当に設定すれば、各処理室１０に設置された
搬送アーム５００に、基板６０を順番に移し替えて、基
板６０を送っていくことができる。
中の右側に伸びた状態で、搬送アーム５００に取り付け
られた搬送パレット４０が、処理室１０の中央すなわち
伝熱移送板７０の上方に配置される。搬送アーム５００
が縮まれば、搬送パレット４０は駆動軸５０６の位置に
配置され、さらに、搬送アーム５００が反対側に伸びれ
ば、搬送パレット４０は、隣の処理室１０まで入ること
ができる。すなわち、基板６０を、隣接する処理室１０
に移し替えることができる。搬送アーム５００の最大伸
縮長さを適当に設定すれば、各処理室１０に設置された
搬送アーム５００に、基板６０を順番に移し替えて、基
板６０を送っていくことができる。
【００４８】
【発明の効果】以上に述べた、この発明にかかるプラズ
マＣＶＤ装置は、薄膜形成部と搬送加熱部をつなぐ連結
開口を基板で塞いだ状態で、薄膜形成部における薄膜形
成処理が行われるので、搬送加熱部側の基板保持部材な
どに薄膜が形成されてしまい、この薄膜がその後に脱落
して基板の表面に付着し基板の仕上がり品質を損なう、
という問題が生じない。
マＣＶＤ装置は、薄膜形成部と搬送加熱部をつなぐ連結
開口を基板で塞いだ状態で、薄膜形成部における薄膜形
成処理が行われるので、搬送加熱部側の基板保持部材な
どに薄膜が形成されてしまい、この薄膜がその後に脱落
して基板の表面に付着し基板の仕上がり品質を損なう、
という問題が生じない。
【００４９】また、薄膜形成時には、処理室全体の雰囲
気を調整しなくても、薄膜形成部の内部空間のみを、必
要な真空度などに設定すればよいので、薄膜形成処理も
行い易くなる。
気を調整しなくても、薄膜形成部の内部空間のみを、必
要な真空度などに設定すればよいので、薄膜形成処理も
行い易くなる。
【００５０】基板保持部材から、基板の背面に当接する
伝熱移送板に基板を移して、伝熱移送板からの熱伝導に
よって基板を加熱するので、伝熱効率が良好になり、基
板を迅速に加熱できる。基板保持部材に熱が逃げないの
で、熱エネルギーも有効に利用できる。また、基板から
伝熱移送板を離せば、熱容量の小さな基板は直ちに冷却
するので、冷却時間も短くて済み、冷却のためのエネル
ギーも不要である。その結果、加熱冷却に要する機構が
簡略化でき、消費エネルギーを低減して、プラズマＣＶ
Ｄ装置の設備コストおよび稼働コストを大幅で削減でき
る。
伝熱移送板に基板を移して、伝熱移送板からの熱伝導に
よって基板を加熱するので、伝熱効率が良好になり、基
板を迅速に加熱できる。基板保持部材に熱が逃げないの
で、熱エネルギーも有効に利用できる。また、基板から
伝熱移送板を離せば、熱容量の小さな基板は直ちに冷却
するので、冷却時間も短くて済み、冷却のためのエネル
ギーも不要である。その結果、加熱冷却に要する機構が
簡略化でき、消費エネルギーを低減して、プラズマＣＶ
Ｄ装置の設備コストおよび稼働コストを大幅で削減でき
る。
【図１】この発明の実施例を示す断面構造図
【図２】要部の一部切欠斜視図
【図３】装置全体の外観斜視図
【図４】別の実施例を示す断面構造図
【図５】搬送アームの斜視構造図
【図６】従来例の断面構造図
【図７】同上の装置全体の外観斜視図
１０ 処理室 １２ 連結開口 ２０ 薄膜形成部 ２１ 電極部材 ２２ ガス噴出プレート ３０ 搬送加熱部 ４０ 搬送パレット（基板保持部材） ５０ ローラコンベア（搬送手段） ６０ 基板 ７０ 伝熱移送板 ８０ 加熱ランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 奥村 智洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/50 C23C 16/46 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 処理室内に、連結開口で連通する薄膜形
成部と搬送加熱部とを備え、薄膜形成部には、連結開口
に向けて薄膜の堆積を行う薄膜形成手段を備え、搬送加
熱部には、基板を保持した基板保持部材を処理室に出し
入れする搬送手段と、基板保持部材に保持された基板の
背面に当接し、基板を基板保持部材から連結開口を塞ぐ
位置へと移送するとともに、基板に熱を伝える伝熱移送
板を備えているプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111084A JP2888026B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US08/054,137 US5372648A (en) | 1992-04-30 | 1993-04-30 | Plasma CVD system |
| KR1019930007388A KR960010051B1 (ko) | 1992-04-30 | 1993-04-30 | 플라즈마 cvd장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111084A JP2888026B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306465A JPH05306465A (ja) | 1993-11-19 |
| JP2888026B2 true JP2888026B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=14551982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4111084A Expired - Fee Related JP2888026B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5372648A (ja) |
| JP (1) | JP2888026B2 (ja) |
| KR (1) | KR960010051B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525160A (en) * | 1993-05-10 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Film deposition processing device having transparent support and transfer pins |
| TW254030B (en) * | 1994-03-18 | 1995-08-11 | Anelva Corp | Mechanic escape mechanism for substrate |
| US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| JPH08316154A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-11-29 | Applied Materials Inc | 疑似ホットウォール反応チャンバ |
| JP3983831B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
| US5846332A (en) * | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
| US5993916A (en) * | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
| RU2099440C1 (ru) * | 1997-01-24 | 1997-12-20 | Плазма Текнололоджи Лимитед | Способ обработки поверхностей и устройство для его осуществления |
| US6073366A (en) * | 1997-07-11 | 2000-06-13 | Asm America, Inc. | Substrate cooling system and method |
| US5960158A (en) | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Ag Associates | Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber |
| US6248624B1 (en) * | 1997-08-27 | 2001-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming a dram stacked capacitor of zig-zag configuration |
| JP3966594B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置 |
| US6037241A (en) * | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
| US6197181B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece |
| US6188044B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-02-13 | Cvc Products, Inc. | High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications |
| US5970214A (en) | 1998-05-14 | 1999-10-19 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US5930456A (en) | 1998-05-14 | 1999-07-27 | Ag Associates | Heating device for semiconductor wafers |
| US6086362A (en) * | 1998-05-20 | 2000-07-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Multi-function chamber for a substrate processing system |
| US6462310B1 (en) * | 1998-08-12 | 2002-10-08 | Asml Us, Inc | Hot wall rapid thermal processor |
| US6300600B1 (en) | 1998-08-12 | 2001-10-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Hot wall rapid thermal processor |
| US6210484B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-04-03 | Steag Rtp Systems, Inc. | Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers |
| US6108937A (en) * | 1998-09-10 | 2000-08-29 | Asm America, Inc. | Method of cooling wafers |
| US6957690B1 (en) | 1998-09-10 | 2005-10-25 | Asm America, Inc. | Apparatus for thermal treatment of substrates |
| DE19841777C1 (de) * | 1998-09-12 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant |
| US6673155B2 (en) * | 1998-10-15 | 2004-01-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for forming coating film and apparatus for curing the coating film |
| JP4625183B2 (ja) | 1998-11-20 | 2011-02-02 | ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド | 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置 |
| US6771895B2 (en) | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
| US6281141B1 (en) | 1999-02-08 | 2001-08-28 | Steag Rtp Systems, Inc. | Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices |
| JP2000286200A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| AU5448200A (en) | 1999-05-27 | 2000-12-18 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Rapid heating and cooling of workpiece chucks |
| EP1073091A3 (en) * | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| KR20020080954A (ko) * | 2001-04-18 | 2002-10-26 | 주성엔지니어링(주) | 냉벽 화학기상증착 방법 및 장치 |
| JP4121269B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマｃｖｄ装置及び方法 |
| JP3786091B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス製造装置、電子デバイスの製造方法および電子デバイスの製造プログラム |
| JP3770238B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法 |
| KR100486692B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2005-05-03 | 주식회사 엘지이아이 | 연속처리가 가능한 열교환기 표면처리장치 |
| JP4311914B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2009-08-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造装置用ヒータモジュール |
| CN100408721C (zh) * | 2002-08-19 | 2008-08-06 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 热交换器表面处理装置 |
| AU2003270613A1 (en) | 2002-09-10 | 2004-04-30 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of heating a substrate in a variable temperature process using a fixed temperature chuck |
| FR2856079B1 (fr) * | 2003-06-11 | 2006-07-14 | Pechiney Rhenalu | Procede de traitement de surface pour toles et bandes en alliage d'aluminium |
| US7780787B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-08-24 | First Solar, Inc. | Apparatus and method for depositing a material on a substrate |
| DE102005004311A1 (de) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von aus mehreren Komponentenhalbleitern bestehende Schichtenfolgen |
| DE102005010005A1 (de) * | 2005-03-04 | 2006-12-28 | Nunner, Dieter | Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Kleinteilen |
| US20070042118A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-02-22 | Yoo Woo S | Encapsulated thermal processing |
| US20100183818A1 (en) * | 2006-09-06 | 2010-07-22 | Seoul National University Industry Foundation | Apparatus and method of depositing films using bias and charging behavior of nanoparticles formed during chemical vapor deposition |
| US20100243437A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Research-scale, cadmium telluride (cdte) device development platform |
| JP5416570B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置 |
| FR2959756B1 (fr) * | 2010-05-04 | 2012-08-03 | Global Technologies | Reacteur pyrolytique a pompage axial |
| US20110297088A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Thin edge carrier ring |
| CN102387653B (zh) | 2010-09-02 | 2015-08-05 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体处理装置及等离子体处理方法 |
| JP5263266B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング方法及び装置 |
| US20120024233A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-02-02 | Primestar Solar, Inc. | Conveyor Assembly with Releasable Drive Coupling |
| CN103443326B (zh) * | 2011-03-25 | 2016-05-04 | Lg电子株式会社 | 等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法 |
| CN103459664B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-10-07 | Lg电子株式会社 | 等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法 |
| CN110331378B (zh) * | 2019-07-18 | 2024-01-19 | 中国科学院金属研究所 | 金刚石薄膜连续制备使用的hfcvd设备及其镀膜方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010618A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS63114118A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Babcock Hitachi Kk | 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置 |
| DE68910378T2 (de) * | 1988-05-06 | 1994-03-03 | Fujitsu Ltd | Anlage zur Erzeugung dünner Schichten. |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
-
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- 1992-04-30 JP JP4111084A patent/JP2888026B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-30 US US08/054,137 patent/US5372648A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-30 KR KR1019930007388A patent/KR960010051B1/ko not_active IP Right Cessation
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