JP3352418B2 - 減圧処理方法及び減圧処理装置 - Google Patents
減圧処理方法及び減圧処理装置Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、減圧ＣＶＤ、熱処
理、プラズマアッシング、プラズマクリーニング等、半
導体装置等の作製用基板を処理する為の減圧処理方法及
び減圧処理装置に関し、とりわけ基板上のホトレジスト
や残さ物等の有機物を除去する為の灰化（アッシング）
処理に好適な減圧処理方法及び減圧処理装置の技術分野
に属する。
理、プラズマアッシング、プラズマクリーニング等、半
導体装置等の作製用基板を処理する為の減圧処理方法及
び減圧処理装置に関し、とりわけ基板上のホトレジスト
や残さ物等の有機物を除去する為の灰化（アッシング）
処理に好適な減圧処理方法及び減圧処理装置の技術分野
に属する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な減圧処理方法は、概略、減圧可
能な真空容器を開けて基板をサセプタ上に載置する工
程、容器を閉めて容器内を排気し減圧する工程、基板を
加熱する工程、容器内に処理ガスを供給する工程、処理
終了後容器を開けて基板を搬出する工程を含むものであ
る。
能な真空容器を開けて基板をサセプタ上に載置する工
程、容器を閉めて容器内を排気し減圧する工程、基板を
加熱する工程、容器内に処理ガスを供給する工程、処理
終了後容器を開けて基板を搬出する工程を含むものであ
る。
【０００３】以下、減圧処理方法の詳細を、図１７を参
照しながらプラズマアッシング法を例に挙げて説明す
る。
照しながらプラズマアッシング法を例に挙げて説明す
る。
【０００４】開かれた容器１内のサセプタ２上に、ホト
レジストパターンが付与されている２００ｍｍ直径のＳ
ｉウエハのような基板Ｗを自重載置して、基板Ｗを所定
の温度に加熱する。
レジストパターンが付与されている２００ｍｍ直径のＳ
ｉウエハのような基板Ｗを自重載置して、基板Ｗを所定
の温度に加熱する。
【０００５】次に、容器１内を排気手段６により減圧し
た後、酸素に代表される処理ガスをガス供給手段７から
容器１内に供給し、減圧状態に維持する。
た後、酸素に代表される処理ガスをガス供給手段７から
容器１内に供給し、減圧状態に維持する。
【０００６】容器１に付設されたマイクロ波供給器（不
図示）からマイクロ波エネルギーを容器内に供給し、マ
イクロ波グロー放電を起こし、処理ガスのプラズマを発
生させる。発生したオゾンによりホトレジストパターン
は灰化され、容器１内から排出されることで、基板Ｗ上
のホトレジストパターンが剥離できる。
図示）からマイクロ波エネルギーを容器内に供給し、マ
イクロ波グロー放電を起こし、処理ガスのプラズマを発
生させる。発生したオゾンによりホトレジストパターン
は灰化され、容器１内から排出されることで、基板Ｗ上
のホトレジストパターンが剥離できる。
【０００７】予め設定された処理時間経過後、あるいは
プラズマの発光をモニターすることにより、ホトレジス
トの灰化終了時刻になったら、マイクロ波の供給と処理
ガスの供給を停止する。
プラズマの発光をモニターすることにより、ホトレジス
トの灰化終了時刻になったら、マイクロ波の供給と処理
ガスの供給を停止する。
【０００８】残留処理ガスを排出するため、容器１内を
所定の圧力まで減圧排気した後、容器１内を通気して大
気圧に戻す。
所定の圧力まで減圧排気した後、容器１内を通気して大
気圧に戻す。
【０００９】容器１を開けてホトレジストパターンが除
去された基板Ｗを取り出す。
去された基板Ｗを取り出す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した減圧処理装置
において、直径２００ｍｍまでのウエハ（所謂〜８イン
チウエハ）を処理する範囲内では特に気づかなかった
が、基板が大口径化し、直径３００ｍｍのウエハ（所謂
１２インチウエハ）を処理することが必要になると顕在
化する課題があった。
において、直径２００ｍｍまでのウエハ（所謂〜８イン
チウエハ）を処理する範囲内では特に気づかなかった
が、基板が大口径化し、直径３００ｍｍのウエハ（所謂
１２インチウエハ）を処理することが必要になると顕在
化する課題があった。
【００１１】その課題とは、アッシングむらの発生、換
言すれば、アッシングレートの不均一性である。
言すれば、アッシングレートの不均一性である。
【００１２】本発明者らが数多くの実験を繰返し行うこ
とにより、見い出した事実によると、サセプタへの載置
時にサセプタ上面と基板との接触むらを起因とする基板
の温度分布によるそりが生じ、そりが回復して基板全体
の温度が均一になるまでに予想以上に相当長い時間がか
かることが分かった。そして、処理のスループットを優
先すると、基板面内の温度分布が均一化しないうちにア
ッシングが開始され、アッシングむらが生じることにな
る。
とにより、見い出した事実によると、サセプタへの載置
時にサセプタ上面と基板との接触むらを起因とする基板
の温度分布によるそりが生じ、そりが回復して基板全体
の温度が均一になるまでに予想以上に相当長い時間がか
かることが分かった。そして、処理のスループットを優
先すると、基板面内の温度分布が均一化しないうちにア
ッシングが開始され、アッシングむらが生じることにな
る。
【００１３】要するに、如何に速く且つ均一に基板全体
を所定の温度まで昇温させられるかが、処理速度を高
め、信頼性の高い処理を行うための重要な要素であるこ
とが判明したのである。そして、このような課題はアッ
シングに限らず、減圧下で処理をおこなうＣＶＤ等上述
した減圧処理装置一般に当てはまる。
を所定の温度まで昇温させられるかが、処理速度を高
め、信頼性の高い処理を行うための重要な要素であるこ
とが判明したのである。そして、このような課題はアッ
シングに限らず、減圧下で処理をおこなうＣＶＤ等上述
した減圧処理装置一般に当てはまる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、高い処
理速度と高い信頼性を達成できる減圧処理方法及び減圧
処理装置を提供することにある。
理速度と高い信頼性を達成できる減圧処理方法及び減圧
処理装置を提供することにある。
【００１５】本発明の別の目的は、速く且つ均一に基板
全体を所定の温度まで昇温させられる減圧処理方法及び
減圧処理装置を提供することにある。
全体を所定の温度まで昇温させられる減圧処理方法及び
減圧処理装置を提供することにある。
【００１６】本発明の更に別の目的は、処理むらを抑制
できる減圧処理方法及び減圧処理装置を提供することに
ある。
できる減圧処理方法及び減圧処理装置を提供することに
ある。
【００１７】本発明は、減圧可能な容器内に配された基
板を減圧下で処理する減圧処理方法において、該基板を
加熱するためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上に
サセプタを介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ
上に減圧吸着させた後、該容器内を減圧することを特徴
とする。また、本発明は、減圧可能な容器内に配された
基板を減圧下で処理する減圧処理装置において、該基板
を加熱するためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基
板を載置するとともに真空吸着させる為の吸着手段が付
設されたサセプタとを備え、該吸着手段は、弁を介して
該容器内と該サセプタの吸引口が連通可能となるよう
に、該容器に連結されていることを特徴とする。更に、
本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減圧下で
処理する減圧処理装置において、該基板を加熱するため
のヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置すると
ともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサセプ
タとを備え、該サセプタと該ヒーターとは別部材により
構成されており、該ヒーターの上面が動作温度における
該ヒーター及び／又は該サセプタの熱変形を補償する非
平面形状であることを特徴とする。更に、本発明は、減
圧可能な容器内に配された基板を減圧下で処理する減圧
処理装置において、該基板を加熱するためのヒーター
と、該ヒーターの上に、該基板を載置するとともに減圧
吸着するための吸着手段が付設されたサセプタとを備
え、該ヒーターはアルミニウムにて作製されており、チ
タン又はステンレス鋼にて作製されたビスで、該ヒータ
ーと該サセプタとが係合されていることを特徴とする。
更に、本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減
圧下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱す
るためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置
するとともに減圧吸着するための吸着手段が付設された
サセプタとを備え、該ヒーターと該サセプタとの間に熱
伝導異方性シートが設けられていることを特徴とする。
更に、本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減
圧下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱す
るためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上にサセプ
タを介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ上に減
圧吸着させた後、該容器内を減圧するように、該ヒータ
ーと吸着手段と減圧手段とを制御する制御手段を有する
ことを特徴とする。
板を減圧下で処理する減圧処理方法において、該基板を
加熱するためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上に
サセプタを介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ
上に減圧吸着させた後、該容器内を減圧することを特徴
とする。また、本発明は、減圧可能な容器内に配された
基板を減圧下で処理する減圧処理装置において、該基板
を加熱するためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基
板を載置するとともに真空吸着させる為の吸着手段が付
設されたサセプタとを備え、該吸着手段は、弁を介して
該容器内と該サセプタの吸引口が連通可能となるよう
に、該容器に連結されていることを特徴とする。更に、
本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減圧下で
処理する減圧処理装置において、該基板を加熱するため
のヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置すると
ともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサセプ
タとを備え、該サセプタと該ヒーターとは別部材により
構成されており、該ヒーターの上面が動作温度における
該ヒーター及び／又は該サセプタの熱変形を補償する非
平面形状であることを特徴とする。更に、本発明は、減
圧可能な容器内に配された基板を減圧下で処理する減圧
処理装置において、該基板を加熱するためのヒーター
と、該ヒーターの上に、該基板を載置するとともに減圧
吸着するための吸着手段が付設されたサセプタとを備
え、該ヒーターはアルミニウムにて作製されており、チ
タン又はステンレス鋼にて作製されたビスで、該ヒータ
ーと該サセプタとが係合されていることを特徴とする。
更に、本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減
圧下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱す
るためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置
するとともに減圧吸着するための吸着手段が付設された
サセプタとを備え、該ヒーターと該サセプタとの間に熱
伝導異方性シートが設けられていることを特徴とする。
更に、本発明は、減圧可能な容器内に配された基板を減
圧下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱す
るためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上にサセプ
タを介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ上に減
圧吸着させた後、該容器内を減圧するように、該ヒータ
ーと吸着手段と減圧手段とを制御する制御手段を有する
ことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の基本的な減圧処
理装置を示している。
理装置を示している。
【００１９】この装置は減圧可能な真空容器１内に配さ
れた基板Ｗを減圧下で処理する減圧処理装置であり、基
板Ｗを加熱するためのヒーター３と、該ヒーター３の上
に基板Ｗを載置するとともに基板Ｗをヒーター３上に真
空吸着させる為の吸着手段として吸引口４と吸引経路５
とが付設されたサセプタ２と、を備えている。
れた基板Ｗを減圧下で処理する減圧処理装置であり、基
板Ｗを加熱するためのヒーター３と、該ヒーター３の上
に基板Ｗを載置するとともに基板Ｗをヒーター３上に真
空吸着させる為の吸着手段として吸引口４と吸引経路５
とが付設されたサセプタ２と、を備えている。
【００２０】６は容器１内を排気し減圧するための排気
手段であり、真空ポンプ、配管、弁等を適宜組み合わせ
て構成される。７は処理ガスを容器１内に供給するため
のガス供給手段であり、配管、弁、マスフローコントロ
ーラー、ガスボンベ等を適宜組み合わせて構成されてい
る。
手段であり、真空ポンプ、配管、弁等を適宜組み合わせ
て構成される。７は処理ガスを容器１内に供給するため
のガス供給手段であり、配管、弁、マスフローコントロ
ーラー、ガスボンベ等を適宜組み合わせて構成されてい
る。
【００２１】この装置を用いた減圧処理の手順について
図２を参照して説明する。
図２を参照して説明する。
【００２２】工程Ｓ１では、基板Ｗを加熱するためのヒ
ーター３を動作させる。こうしてサセプタ２自体を昇温
させておく。
ーター３を動作させる。こうしてサセプタ２自体を昇温
させておく。
【００２３】工程Ｓ２では、容器１内のヒーター３の上
に基板Ｗを載置し、真空吸着手段（４、５）により排気
を行い、吸引口内を大気圧より低く減圧することで、基
板Ｗをヒーター３上（実際には昇温されたサセプタ上）
に真空吸着させる。
に基板Ｗを載置し、真空吸着手段（４、５）により排気
を行い、吸引口内を大気圧より低く減圧することで、基
板Ｗをヒーター３上（実際には昇温されたサセプタ上）
に真空吸着させる。
【００２４】工程Ｓ３では、容器１内を排気手段６によ
り減圧する。
り減圧する。
【００２５】そして、容器１内にガス供給手段７から処
理ガスを供給して、基板にアッシング、ＣＶＤ、熱処
理、クリーニング、等の減圧処理を施す。
理ガスを供給して、基板にアッシング、ＣＶＤ、熱処
理、クリーニング、等の減圧処理を施す。
【００２６】以上説明した本発明の実施の形態によれ
ば、基板の加熱とほぼ同じタイミングで基板の吸着がな
されるので、サセプタと裏面全面が密着した基板は均一
に効率よく裏面から加熱されるので、直ちに基板全体が
所定の温度に達し、その温度に維持される。
ば、基板の加熱とほぼ同じタイミングで基板の吸着がな
されるので、サセプタと裏面全面が密着した基板は均一
に効率よく裏面から加熱されるので、直ちに基板全体が
所定の温度に達し、その温度に維持される。
【００２７】以上の説明では、サセプタ２とヒーター３
とを分けて述べたが、基板Ｗには熱伝導性のサセプタ２
を介して熱が伝わるため、基板Ｗからみればサセプタ２
を熱源、即ちヒーターとみなすこともできる。
とを分けて述べたが、基板Ｗには熱伝導性のサセプタ２
を介して熱が伝わるため、基板Ｗからみればサセプタ２
を熱源、即ちヒーターとみなすこともできる。
【００２８】ここで、図３〜図５を参照して、基板の吸
着動作と処理むらの改善との相関関係について、アッシ
ングの例を挙げて説明する。
着動作と処理むらの改善との相関関係について、アッシ
ングの例を挙げて説明する。
【００２９】基板の大型化により、灰化装置の真空容器
内にてその基板を載置する載置台（サセプタ）も、ヒー
ターも、大型となる必要があるが、ヒーターの大型化は
必然的に温度の面内均一性を悪化させる。より、高精度
な仕様のヒーターを採用することも解決手段として検討
できるが、結果的に装置のコストアップにつながる。灰
化処理での均一悪化要因の一つに基板の面内温度均一性
悪化がある。具体的に１分間当たりにある感光性樹脂を
灰化する比率（以下アッシングレート）と、処理基板温
度の関係をプロットしたグラフを図３に示す。このグラ
フにより基板温度１℃当たりのアッシングレート値は、
０．０５μｍ／ｍｉｎ／℃となる。現在要求されるアッ
シングレートの面内均一性は、±５％と言われている。
このことより、アッシングレートの面内均一性を±５％
以内に収めるには、アッシングレートを５μｍ／ｍｉｎ
と想定すると基板温度の面内バラツキを±５℃以内に収
める必要がある。従来の灰化装置では、減圧装置との観
点からか、基板を吸着する手段は採用されず、自重載置
であった。基板の大型化は、径の増大であり、基板厚さ
は８インチウエハも１２インチウエハと大差なく、必然
的に基板面内のストレスが従来以上に基板のソリとして
現れやすい。感光性樹脂が塗布されていない基板におい
ても熱板上への基板載置時、面内の温度分布の差が大き
い場合、基板そりが発生或いはそりが増大する。そりの
発生が大気下であれば基板近傍のヒーターからの熱対
流、及び基板内での熱伝達により、短時間での回復が可
能であり、基板は平面状態に戻り載置台温度に到達す
る。図４に大気中で基板を自重搭載した時（３０秒後）
に台上で基板にソリが発生した際の基板面内での温度変
化と経過時間の関係をプロットしたグラフを示す。この
グラフより、基板を台へ置いてから数秒後に基板のソリ
が発生し、基板が台に接触している部分（ＳＡ１）とソ
リにより台より離れている部分（ＳＡ２）に分かれ昇温
が進行することが確認出来る。その後、基板近傍のヒー
ターからの熱対流、及び基板内での熱伝達により基板内
の温度が均一化され約７０秒後に基板形状が平面状態へ
戻り、約１４０秒後に台温度に到達する。基板にソリが
発生した場合には、以上の過程で昇温が進行し、基板が
温度に到達し、かつ面内温度均一性が±５℃以内に収束
するには１１０秒以上を要した。これでは実用的でな
い。
内にてその基板を載置する載置台（サセプタ）も、ヒー
ターも、大型となる必要があるが、ヒーターの大型化は
必然的に温度の面内均一性を悪化させる。より、高精度
な仕様のヒーターを採用することも解決手段として検討
できるが、結果的に装置のコストアップにつながる。灰
化処理での均一悪化要因の一つに基板の面内温度均一性
悪化がある。具体的に１分間当たりにある感光性樹脂を
灰化する比率（以下アッシングレート）と、処理基板温
度の関係をプロットしたグラフを図３に示す。このグラ
フにより基板温度１℃当たりのアッシングレート値は、
０．０５μｍ／ｍｉｎ／℃となる。現在要求されるアッ
シングレートの面内均一性は、±５％と言われている。
このことより、アッシングレートの面内均一性を±５％
以内に収めるには、アッシングレートを５μｍ／ｍｉｎ
と想定すると基板温度の面内バラツキを±５℃以内に収
める必要がある。従来の灰化装置では、減圧装置との観
点からか、基板を吸着する手段は採用されず、自重載置
であった。基板の大型化は、径の増大であり、基板厚さ
は８インチウエハも１２インチウエハと大差なく、必然
的に基板面内のストレスが従来以上に基板のソリとして
現れやすい。感光性樹脂が塗布されていない基板におい
ても熱板上への基板載置時、面内の温度分布の差が大き
い場合、基板そりが発生或いはそりが増大する。そりの
発生が大気下であれば基板近傍のヒーターからの熱対
流、及び基板内での熱伝達により、短時間での回復が可
能であり、基板は平面状態に戻り載置台温度に到達す
る。図４に大気中で基板を自重搭載した時（３０秒後）
に台上で基板にソリが発生した際の基板面内での温度変
化と経過時間の関係をプロットしたグラフを示す。この
グラフより、基板を台へ置いてから数秒後に基板のソリ
が発生し、基板が台に接触している部分（ＳＡ１）とソ
リにより台より離れている部分（ＳＡ２）に分かれ昇温
が進行することが確認出来る。その後、基板近傍のヒー
ターからの熱対流、及び基板内での熱伝達により基板内
の温度が均一化され約７０秒後に基板形状が平面状態へ
戻り、約１４０秒後に台温度に到達する。基板にソリが
発生した場合には、以上の過程で昇温が進行し、基板が
温度に到達し、かつ面内温度均一性が±５℃以内に収束
するには１１０秒以上を要した。これでは実用的でな
い。
【００３０】次に、真空状態下で基板のそりが発生した
場合には、その基板面内での熱伝導とヒーターよりの熱
輻射のみが基板面内の温度均一化に寄与することとな
り、基板が平面に復帰する均一な温度分布となるには、
大気中に比較しより長い時間が必要となり、かつ真空中
なのでヒーターからの熱対流の多くは期待出来ず、大気
下で蓄熱された熱量により基板内での熱伝達が中心とな
り温度が平均化する。具体的に真空中で基板を自重搭載
した時（４０秒後）に台上で基板にソリが発生した際の
基板内温度変化と経過時間をプロットしたグラフを図５
に示す。このグラフより、基板を台上に置いてから数秒
後に基板のソリが発生し、基板が台に接触している部分
（ＳＡ３）とソリにより台より離れている部分（ＳＡ
４）に分かれ昇温が進行していることが確認出来る。そ
の後、真空中では、基板近傍のヒーターからの熱対流は
期待出来ず、基板内での熱伝達により基板内の温度が均
一化され２００秒後に基板形状が平面状態へ戻り、基板
の温度は、台の温度（２５０℃）には到達せず１７５℃
付近で収束する。以上の過程で昇温が進行し基板にソリ
が発生した場合には、面内温度均一性が±５℃以内に収
束するには１６０秒以上を要し、かつ基板温度も台の実
温度に到達していない。
場合には、その基板面内での熱伝導とヒーターよりの熱
輻射のみが基板面内の温度均一化に寄与することとな
り、基板が平面に復帰する均一な温度分布となるには、
大気中に比較しより長い時間が必要となり、かつ真空中
なのでヒーターからの熱対流の多くは期待出来ず、大気
下で蓄熱された熱量により基板内での熱伝達が中心とな
り温度が平均化する。具体的に真空中で基板を自重搭載
した時（４０秒後）に台上で基板にソリが発生した際の
基板内温度変化と経過時間をプロットしたグラフを図５
に示す。このグラフより、基板を台上に置いてから数秒
後に基板のソリが発生し、基板が台に接触している部分
（ＳＡ３）とソリにより台より離れている部分（ＳＡ
４）に分かれ昇温が進行していることが確認出来る。そ
の後、真空中では、基板近傍のヒーターからの熱対流は
期待出来ず、基板内での熱伝達により基板内の温度が均
一化され２００秒後に基板形状が平面状態へ戻り、基板
の温度は、台の温度（２５０℃）には到達せず１７５℃
付近で収束する。以上の過程で昇温が進行し基板にソリ
が発生した場合には、面内温度均一性が±５℃以内に収
束するには１６０秒以上を要し、かつ基板温度も台の実
温度に到達していない。
【００３１】要するに、基板にソリが発生する状況で
は、より短時間での効率的な処理を要求される装置にお
いて処理特性の保証が困難となるばかりではなく、生産
性の低下が懸念される。
は、より短時間での効率的な処理を要求される装置にお
いて処理特性の保証が困難となるばかりではなく、生産
性の低下が懸念される。
【００３２】そこで、図１に示したような装置を用い
て、図２に示すような処理を行うと、基板は真空吸着さ
れて、加熱された台上に密着するので、基板全面が図４
のＳＡ１に示す温度上昇特性を呈する。
て、図２に示すような処理を行うと、基板は真空吸着さ
れて、加熱された台上に密着するので、基板全面が図４
のＳＡ１に示す温度上昇特性を呈する。
【００３３】よって、基板表面におけるアッシングレー
トは表面内のいかなる位置においても一定であるので、
安定且つ均一な処理ができるようになる。
トは表面内のいかなる位置においても一定であるので、
安定且つ均一な処理ができるようになる。
【００３４】基板の載置方法としては、リフトピンのよ
うな基板昇降手段を用いて、ヒーター３を動作させた状
態で、基板Ｗをヒーター３上にある真空吸着可能なサセ
プタ２の上に浮かせて配置し、基板Ｗをサセプタ２上に
降下させるとともに真空吸着させることが、処理スルー
プットをより一層向上させるうえで、望ましい。
うな基板昇降手段を用いて、ヒーター３を動作させた状
態で、基板Ｗをヒーター３上にある真空吸着可能なサセ
プタ２の上に浮かせて配置し、基板Ｗをサセプタ２上に
降下させるとともに真空吸着させることが、処理スルー
プットをより一層向上させるうえで、望ましい。
【００３５】サセプタ２の吸引口４に連通する吸引経路
５と容器１とを連結し、こうして形成された連通路を介
して減圧前に吸引口４と容器１内と連通させることによ
り、吸着解除に関連して基板が浮いたり、基板裏面がパ
ティクル汚染されないようにすることがより望ましい。
５と容器１とを連結し、こうして形成された連通路を介
して減圧前に吸引口４と容器１内と連通させることによ
り、吸着解除に関連して基板が浮いたり、基板裏面がパ
ティクル汚染されないようにすることがより望ましい。
【００３６】又、部品の製造コストを上昇させないよう
に、サセプタ２とヒーター３とを別部材により構成す
る。そして、ヒーター３の上面を動作温度におけるヒー
ター３及び／又はサセプタ２の熱変形を補償する非平面
形状にすると、サセプタとヒーターとの密着性が向上
し、より均一な熱伝達が行えるようになる。
に、サセプタ２とヒーター３とを別部材により構成す
る。そして、ヒーター３の上面を動作温度におけるヒー
ター３及び／又はサセプタ２の熱変形を補償する非平面
形状にすると、サセプタとヒーターとの密着性が向上
し、より均一な熱伝達が行えるようになる。
【００３７】又、サセプタ２とヒーター３とを別部材に
より構成し、それらの間に、グラファイトシートのよう
な熱伝導異方性シートを設けることが均一加熱を達成す
るうえでより好ましいものである。
より構成し、それらの間に、グラファイトシートのよう
な熱伝導異方性シートを設けることが均一加熱を達成す
るうえでより好ましいものである。
【００３８】本発明の減圧処理装置をマイクロ波プラズ
マ処理装置として用いる場合には、導電体平板に複数ス
ロットを有するマイクロ波アンテナより該容器内にマイ
クロを放射してプラズマを起こす方式にするとよい。こ
の方式用のマイクロ波アンテナは、特許第２７２２０７
０号公報、米国特許５０３４０８６号公報、特開平８−
１１１２９７号公報等に記載されているラジアルライン
スロットアンテナ（ＲＬＳＡ）や、無終端環状導波管の
平面状Ｈ面に複数のスロットを形成した平盤状マルチス
ロットアンテナ（ＰＭＡ）を用いることが好ましい。
マ処理装置として用いる場合には、導電体平板に複数ス
ロットを有するマイクロ波アンテナより該容器内にマイ
クロを放射してプラズマを起こす方式にするとよい。こ
の方式用のマイクロ波アンテナは、特許第２７２２０７
０号公報、米国特許５０３４０８６号公報、特開平８−
１１１２９７号公報等に記載されているラジアルライン
スロットアンテナ（ＲＬＳＡ）や、無終端環状導波管の
平面状Ｈ面に複数のスロットを形成した平盤状マルチス
ロットアンテナ（ＰＭＡ）を用いることが好ましい。
【００３９】図６は、マイクロ波プラズマアッシング用
の減圧処理装置を示す。
の減圧処理装置を示す。
【００４０】減圧可能な容器１は、上チャンバ部１３と
下チャンバ１２と誘電体壁１８とからなり、上チャンバ
部１３と下チャンバ１２とが相対的に上下動することに
より容器１が開くように構成されている。
下チャンバ１２と誘電体壁１８とからなり、上チャンバ
部１３と下チャンバ１２とが相対的に上下動することに
より容器１が開くように構成されている。
【００４１】サセプタ（載置台）２には多数の吸引吸着
口４が形成されており、サセプタ自体とヒーター３とに
形成された吸引路を介して吸引経路５を構成している管
に連通しており、３方弁９を介して吸引管１０より排気
することにより、基板Ｗをサセプタ２の上面に吸着す
る。
口４が形成されており、サセプタ自体とヒーター３とに
形成された吸引路を介して吸引経路５を構成している管
に連通しており、３方弁９を介して吸引管１０より排気
することにより、基板Ｗをサセプタ２の上面に吸着す
る。
【００４２】３方弁９の一方は、連通管８を介して、容
器１に連結されており、駆動制御器１１によって、吸引
口４と吸引管１０とを連通させる第１の状態と、吸引口
４と容器１内を連通させる第２の状態とを、選択的に切
替えられる。
器１に連結されており、駆動制御器１１によって、吸引
口４と吸引管１０とを連通させる第１の状態と、吸引口
４と容器１内を連通させる第２の状態とを、選択的に切
替えられる。
【００４３】ヒーター３はサセプタ２とほぼ同径の台か
らなり、支持棒１１によって、支持されており、内部の
発熱体（不図示）に通電することによって、加熱され昇
温する。
らなり、支持棒１１によって、支持されており、内部の
発熱体（不図示）に通電することによって、加熱され昇
温する。
【００４４】サセプタ２上に基板Ｗを自重載置したり、
サセプタから基板Ｗを離したりするリフトピン９や、リ
フトピン９の支持台１７や、リフトピン９を昇降させる
ための軸１６や駆動源１４が設けられており、ベローズ
１５によってピン９が上下動しても気密が保てる。
サセプタから基板Ｗを離したりするリフトピン９や、リ
フトピン９の支持台１７や、リフトピン９を昇降させる
ための軸１６や駆動源１４が設けられており、ベローズ
１５によってピン９が上下動しても気密が保てる。
【００４５】このマイクロ波供給器は、ＰＭＡであり、
多数のスロット２０が形成された導体平板１９と、導電
体からなる壁部材２３とを有し、且つ内部に無終端の環
状導波路２１が形成されたアンテナである。マイクロ波
は不図示のマグネトロンから矩形導波管２２を介して、
無終端環状導波路２１内に例えばＴＥ１０モードで供給
され、導波路２１内を伝搬する。導波路の長さをマイク
ロ波の路内波長の整数倍にして、定在波を生じさせるこ
とができる。
多数のスロット２０が形成された導体平板１９と、導電
体からなる壁部材２３とを有し、且つ内部に無終端の環
状導波路２１が形成されたアンテナである。マイクロ波
は不図示のマグネトロンから矩形導波管２２を介して、
無終端環状導波路２１内に例えばＴＥ１０モードで供給
され、導波路２１内を伝搬する。導波路の長さをマイク
ロ波の路内波長の整数倍にして、定在波を生じさせるこ
とができる。
【００４６】そして、マイクロ波はスロット２０から誘
電体板１８を通して容器１内に放射される。
電体板１８を通して容器１内に放射される。
【００４７】ガス供給手段７より供給された処理ガス
は、マイクロ波励起され誘電体板１８の下方にグロー放
電プラズマが生じる。
は、マイクロ波励起され誘電体板１８の下方にグロー放
電プラズマが生じる。
【００４８】こうして、発生したオゾンはホトレジスト
のような基板Ｗ上の付着有機物を灰化し、排気手段６よ
り灰化物とともに容器１から排出される。
のような基板Ｗ上の付着有機物を灰化し、排気手段６よ
り灰化物とともに容器１から排出される。
【００４９】まず基板Ｗが搬送装置により、ピン９上に
載置される。この時点では、台２の基板吸着機能は動作
しておらず、吸引口４は、容器１に連通している。
載置される。この時点では、台２の基板吸着機能は動作
しておらず、吸引口４は、容器１に連通している。
【００５０】予め定められた処理手順内に基板吸着処理
がある場合、基板吸着機能が動作し三方弁９は三方弁制
御器１１により切り替えられ吸引口４は減圧される。同
時に基板Ｗはピン９の上下駆動源１４の動作でピン９が
降下し、台２上に載置され吸着保持される。この時点で
基板Ｗが、吸着保持されたか、否かを管１０に設けられ
た不図示の制御システムにより圧力センサー等で監視し
ている。
がある場合、基板吸着機能が動作し三方弁９は三方弁制
御器１１により切り替えられ吸引口４は減圧される。同
時に基板Ｗはピン９の上下駆動源１４の動作でピン９が
降下し、台２上に載置され吸着保持される。この時点で
基板Ｗが、吸着保持されたか、否かを管１０に設けられ
た不図示の制御システムにより圧力センサー等で監視し
ている。
【００５１】基板Ｗは予め定められた時間吸着保持され
たのち、基板吸着機能が解除される。基板Ｗの処理に必
要な処理時間は事前の確認で検証されているものとす
る。吸引口４は、再び容器１内に連通しているが、この
時点で基板Ｗは全面ほぼ処理温度と同等となっており、
また均一性も確保されているため、基板のそりは発生し
ない。
たのち、基板吸着機能が解除される。基板Ｗの処理に必
要な処理時間は事前の確認で検証されているものとす
る。吸引口４は、再び容器１内に連通しているが、この
時点で基板Ｗは全面ほぼ処理温度と同等となっており、
また均一性も確保されているため、基板のそりは発生し
ない。
【００５２】容器１は減圧処理のため閉じられる。排気
手段６のポンプにより容器内が減圧される。管８を経由
し、台２の吸引口４もチャンバ内圧力と常に同等となる
ため、基板の浮き等の発生はなく、基板Ｗと台２の接触
は保たれる。これにより、基板Ｗ面内の温度均一性も保
たれる。予め設定された規定の圧力となるよう制御され
た状態で、処理ガス供給手段７より処理ガスが供給さ
れ、処理に使用されるマイクロ波は導波管２２、導波路
２１、誘電体板１８を通じて容器１内に供給される。プ
ラズマの励起、生成されたオゾンにより、基板上の感光
性樹脂が灰化処理される。
手段６のポンプにより容器内が減圧される。管８を経由
し、台２の吸引口４もチャンバ内圧力と常に同等となる
ため、基板の浮き等の発生はなく、基板Ｗと台２の接触
は保たれる。これにより、基板Ｗ面内の温度均一性も保
たれる。予め設定された規定の圧力となるよう制御され
た状態で、処理ガス供給手段７より処理ガスが供給さ
れ、処理に使用されるマイクロ波は導波管２２、導波路
２１、誘電体板１８を通じて容器１内に供給される。プ
ラズマの励起、生成されたオゾンにより、基板上の感光
性樹脂が灰化処理される。
【００５３】灰化処理が終了後、残留ガスの排出のため
排気が続けられ容器内は例えば１パスカルのようなベー
スプレッシャとなる。同様に基板Ｗと台２との間もベー
スプレッシャとなる。
排気が続けられ容器内は例えば１パスカルのようなベー
スプレッシャとなる。同様に基板Ｗと台２との間もベー
スプレッシャとなる。
【００５４】チャンバを開状態とするため、大気圧戻し
がおこなわれるが、基板Ｗと台２間も、管８と吸引口４
の連通により圧力は容器内と連動する。
がおこなわれるが、基板Ｗと台２間も、管８と吸引口４
の連通により圧力は容器内と連動する。
【００５５】このように、処理中の基板Ｗの下面の圧力
は常に容器１内の圧力に追随する。
は常に容器１内の圧力に追随する。
【００５６】チャンバが開かれ、処理の終了した基板Ｗ
が取り出される。
が取り出される。
【００５７】基板Ｗはピン９により、取り出しに必要な
高さに上昇されるが、ピン９の上昇動作前には、制御側
が動作に安全な圧力（三方弁１４が不正な動作をしてい
ないか等）であることを確認する。
高さに上昇されるが、ピン９の上昇動作前には、制御側
が動作に安全な圧力（三方弁１４が不正な動作をしてい
ないか等）であることを確認する。
【００５８】以上の工程を図７に示す。
【００５９】図８は、本発明に用いられる基板載置台の
別の例を示す。
別の例を示す。
【００６０】ここでは、ＳｉＣ又はアルミニウム製のサ
セプタ２の下面を０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ凹面に加工し
ている。ヒーター３は、サセプタよりも熱変形し易い中
空構造のため室温時には図中一点鎖線に示すように平板
状であるが、例えば２５０℃のような高温になると図８
のように上下に０．２〜０．３ｍｍ凸に変形するもので
ある。
セプタ２の下面を０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ凹面に加工し
ている。ヒーター３は、サセプタよりも熱変形し易い中
空構造のため室温時には図中一点鎖線に示すように平板
状であるが、例えば２５０℃のような高温になると図８
のように上下に０．２〜０．３ｍｍ凸に変形するもので
ある。
【００６１】そして、サセプタ２とヒーター３とは、サ
セプタ２に設けられたねじ穴から、チタン又はアルミカ
ロライズ処理されたステンレス鋼製のねじ３１により着
脱可能に取り付けられている。
セプタ２に設けられたねじ穴から、チタン又はアルミカ
ロライズ処理されたステンレス鋼製のねじ３１により着
脱可能に取り付けられている。
【００６２】ヒーター３は、その構造により上下面が凹
面となるように熱変形することもあり、この場合には、
サセプタ２の下面を凸にして密着性を補償すればよい。
ネジの取り付け方法は、図８の構成には限定されない。
面となるように熱変形することもあり、この場合には、
サセプタ２の下面を凸にして密着性を補償すればよい。
ネジの取り付け方法は、図８の構成には限定されない。
【００６３】又、ヒーター３とサセプタ２との間にグラ
ファイトシートのような柔軟性のある熱伝導異方性シー
トを配置し、ヒーター上面に沿った熱伝導率をシートの
厚さ方向に対して、より高めることも好ましいものであ
る。
ファイトシートのような柔軟性のある熱伝導異方性シー
トを配置し、ヒーター上面に沿った熱伝導率をシートの
厚さ方向に対して、より高めることも好ましいものであ
る。
【００６４】又、量産時には、吸着処理を全ての基板に
対して行うのではなく、基板が経てきた履歴を基に、熱
変形の有無又は大小を判断して基板の減圧吸着の要／不
要を判断してもよい。この場合、予め処理時間等も設定
可能にして、不要な処理時間加算をさけるようにすると
尚良い。
対して行うのではなく、基板が経てきた履歴を基に、熱
変形の有無又は大小を判断して基板の減圧吸着の要／不
要を判断してもよい。この場合、予め処理時間等も設定
可能にして、不要な処理時間加算をさけるようにすると
尚良い。
【００６５】
【実施例】（実施例１）１２インチのＳｉウエハと同じ
く１２インチのＳｉウエハ上にホトレジストを塗布し露
光した基板を用意して、図６に示す装置を用いて図７に
示す工程でホトレジストのアッシングを行う準備をし
た。
く１２インチのＳｉウエハ上にホトレジストを塗布し露
光した基板を用意して、図６に示す装置を用いて図７に
示す工程でホトレジストのアッシングを行う準備をし
た。
【００６６】ヒーターの設定温度を２５０℃にしてＳｉ
ウエハをサセプタに真空吸着したところ、図９に示すよ
うにＳｉウエハをサセプタ上に置いてから約３秒で室温
から２４５℃までＳｉウエハは昇温した。
ウエハをサセプタに真空吸着したところ、図９に示すよ
うにＳｉウエハをサセプタ上に置いてから約３秒で室温
から２４５℃までＳｉウエハは昇温した。
【００６７】又、Ｓｉウエハの温度の面内分布も±５℃
以内に収まった。
以内に収まった。
【００６８】同様にしてホトレジスト付Ｓｉウエハを用
いてアッシングを行った。その時のアッシングレートの
面内分布を図１０に示す。アッシングブレードの面内分
布は±４．７％に収まった。
いてアッシングを行った。その時のアッシングレートの
面内分布を図１０に示す。アッシングブレードの面内分
布は±４．７％に収まった。
【００６９】（比較例１）実施例１と同様に１２インチ
Ｓｉウエハを用意して、図６に示す装置を用いてウエハ
をサセプタ上に自重載置した。真空吸着を行わなかった
ため、図１１に示すようにＳｉウエハが室温から２４５
℃に達し、且つ温度の面内分布が±５℃に収まるまでに
１１秒要した。
Ｓｉウエハを用意して、図６に示す装置を用いてウエハ
をサセプタ上に自重載置した。真空吸着を行わなかった
ため、図１１に示すようにＳｉウエハが室温から２４５
℃に達し、且つ温度の面内分布が±５℃に収まるまでに
１１秒要した。
【００７０】又、実施例１同様に、ホトレジスト付Ｓｉ
ウエハを真空の吸着することなく、アッシングしたとこ
ろ、アッシングレ−トの面内分布は図１２に示すように
±２４．４％であった。
ウエハを真空の吸着することなく、アッシングしたとこ
ろ、アッシングレ−トの面内分布は図１２に示すように
±２４．４％であった。
【００７１】アッシングレートの平均値も実施例１に比
べ３分の２程度であった。
べ３分の２程度であった。
【００７２】（実施例２）図８に示したようなサセプタ
とヒーターとを用いて間にグラファイトシートを介在さ
せた装置を用意した。
とヒーターとを用いて間にグラファイトシートを介在さ
せた装置を用意した。
【００７３】サセプタ上面の面内温度分布は図１３に示
すとおりであり、最高温度と最低温度との差、即ち、面
内温度レンジは１．５℃であった。
すとおりであり、最高温度と最低温度との差、即ち、面
内温度レンジは１．５℃であった。
【００７４】（比較例２）図８に示したように熱変形す
るヒーターと、裏面が凹面ではなく、平面であるサセプ
タを用い、グラファイトシートを介在させることなく、
サセプタを加熱した。
るヒーターと、裏面が凹面ではなく、平面であるサセプ
タを用い、グラファイトシートを介在させることなく、
サセプタを加熱した。
【００７５】サセプタ上面の面内温度分布は、図１４に
示すとおりであり、面内温度レンジは２．９℃であっ
た。
示すとおりであり、面内温度レンジは２．９℃であっ
た。
【００７６】（実施例３）８インチＳｉウエハ上にホト
レジストを塗布し露光した基板を用意した。
レジストを塗布し露光した基板を用意した。
【００７７】図８に示したサセプタとヒーターを用意
し、それらの間にグラファイトシートを介在させたウエ
ハホルダーを有するアッシング装置を用意した。
し、それらの間にグラファイトシートを介在させたウエ
ハホルダーを有するアッシング装置を用意した。
【００７８】上記ホトレジスト付Ｓｉウエハをサセプタ
上に真空吸着させて上記アッシング装置でアッシングし
たところ、アッシングレートの面内分布は図１５のよう
になった。各測定点におけるアッシングレードは±３．
４％の範囲内に収まった。
上に真空吸着させて上記アッシング装置でアッシングし
たところ、アッシングレートの面内分布は図１５のよう
になった。各測定点におけるアッシングレードは±３．
４％の範囲内に収まった。
【００７９】（実施例４）８インチＳｉウエハにホトレ
ジストを塗布し露光した基板を用意した。
ジストを塗布し露光した基板を用意した。
【００８０】図８に示したように熱変形するヒーター
と、下面が平面のサセプタを用意し、それらの間には何
も介在させずに、両者を組み立てウエハホルダーを作っ
た。
と、下面が平面のサセプタを用意し、それらの間には何
も介在させずに、両者を組み立てウエハホルダーを作っ
た。
【００８１】ホトレジスト付Ｓｉウエハは上記ウエハホ
ルダーに吸着させて、昇温させ、アッシングを行った。
アッシングレートの面内分布は図１６に示すものとなっ
た。
ルダーに吸着させて、昇温させ、アッシングを行った。
アッシングレートの面内分布は図１６に示すものとなっ
た。
【００８２】各測定点におけるアッシングレートは±
４．８％の範囲内に収まった。
４．８％の範囲内に収まった。
【００８３】本発明の処理を減圧ＣＶＤに適用すれば、
膜厚むらが抑制される。或いは、酸化処理のような熱処
理装置に適用すれば表面改質むらが抑制される。
膜厚むらが抑制される。或いは、酸化処理のような熱処
理装置に適用すれば表面改質むらが抑制される。
【００８４】
【発明の効果】本発明によれば、以上説明した本発明の
実施の形態によれば、基板を加熱されたサセプタ上に直
ちに密着させられるので、基板の変形が抑制され、基板
を均一に効率よく裏面から加熱することができる。こう
して、基板全体が直ちに所定の温度に達し、その温度に
維持されるので、高い処理速度であっても処理むらが抑
制され、信頼性の高い高スループット処理が行える。
実施の形態によれば、基板を加熱されたサセプタ上に直
ちに密着させられるので、基板の変形が抑制され、基板
を均一に効率よく裏面から加熱することができる。こう
して、基板全体が直ちに所定の温度に達し、その温度に
維持されるので、高い処理速度であっても処理むらが抑
制され、信頼性の高い高スループット処理が行える。
【図１】本発明の減圧処理装置を示す模式図。
【図２】本発明の減圧処理方法のフローチャートを示す
図。
図。
【図３】基板温度変化によるアッシングレートの変化を
示す図。
示す図。
【図４】大気中での自重搭載基板のソリ発生時の昇温特
性を示す図。
性を示す図。
【図５】真空中での自重搭載基板のソリ発生時の昇温特
性を示す図。
性を示す図。
【図６】本発明によるアッシング用減圧処理装置の模式
図。
図。
【図７】本発明によるアッシング用減圧処理工程のフロ
ーチャートを示す図。
ーチャートを示す図。
【図８】本発明に用いられる基板ホルダーの模式図。
【図９】基板吸着時の基板の昇温特性を示す図。
【図１０】基板吸着状態でのアッシング特性を示す図。
【図１１】自重搭載時の基板昇温特性を示す図。
【図１２】自重搭載基板のソリ発生状態でのアッシング
特性を示す図。
特性を示す図。
【図１３】グラファイトシート使用時のサセプタの温度
分布を示す図。
分布を示す図。
【図１４】グラファイトシート未使用時のサセプタの温
度分布を示す図。
度分布を示す図。
【図１５】グラファイトシート・ヒーター凹加工有りで
のアッシング特性を示す図。
のアッシング特性を示す図。
【図１６】グラファイトシート・ヒーター凹加工無しで
のアッシング特性を示す図。
のアッシング特性を示す図。
【図１７】従来の減圧処理装置を示す図。
１ 容器 ２ サセプタ（載置台） ３ ヒーター ４ 吸引口 ５ 吸引経路 ６ 排気手段 ７ ガス供給手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−267308（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−256407（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−61220（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−125252（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 3/00 - 3/04 H01L 21/00 - 21/98 C23C 16/44
Claims (16)
- 【請求項１】 減圧可能な容器内に配された基板を減圧
下で処理する減圧処理方法において、該基板を加熱する
ためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上にサセプタ
を介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ上に減圧
吸着させた後、該容器内を減圧することを特徴とする減
圧処理方法。 - 【請求項２】 前記減圧処理は灰化処理である請求項１
記載の減圧処理方法。 - 【請求項３】 前記ヒーターを動作させた状態で、前記
基板を前記サセプタの上に浮かせて配置する工程、該基
板を該サセプタ上に降下させるとともに減圧吸着させる
工程、とを含む請求項１記載の減圧処理方法。 - 【請求項４】 前記ヒーターを動作させた状態で、前記
基板を前記サセプタの上に浮かせて配置する工程、該基
板を該サセプタ上に降下させるとともに減圧吸着させる
工程、該サセプタの吸引口と該容器内とを連通路を介し
て連通させる工程、該容器を閉じる工程、とを含む請求
項１記載の減圧処理方法。 - 【請求項５】 前記ヒーターを動作させた状態で、前記
基板を前記サセプタの上に浮かせて配置する工程、該基
板を該サセプタ上に降下させるとともに減圧吸着させる
工程、該サセプタの吸引口と前記容器内とを連通させる
工程、該容器を閉じ減圧する工程、該容器内に処理ガス
を供給する工程、該処理ガスのプラズマを発生させる工
程、該プラズマの発生を停止して該容器内のガスを排気
する工程、該容器内を大気圧に戻す工程、該容器を開け
て該基板を搬出する工程、とを含む請求項１記載の減圧
処理方法。 - 【請求項６】 減圧可能な容器内に配された基板を減圧
下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱する
ためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置す
るとともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサ
セプタとを備え、該吸着手段は、弁を介して該容器内と
該サセプタの吸引口が連通可能となるように、該容器に
連結されていることを特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項７】 減圧可能な容器内に配された基板を減圧
下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱する
ためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置す
るとともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサ
セプタとを備え、該サセプタと該ヒーターとは別部材に
より構成されており、該ヒーターの上面が動作温度にお
ける該ヒーター及び／又は該サセプタの熱変形を補償す
る非平面形状であることを特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項８】 減圧可能な容器内に配された基板を減圧
下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱する
ためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置す
るとともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサ
セプタとを備え、該ヒーターはアルミニウムにて作製さ
れており、チタン又はステンレス鋼にて作製されたビス
で、該ヒーターと該サセプタとが係合されていることを
特徴とする減圧処理装置。 - 【請求項９】 減圧可能な容器内に配された基板を減圧
下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱する
ためのヒーターと、該ヒーターの上に、該基板を載置す
るとともに減圧吸着するための吸着手段が付設されたサ
セプタとを備え、該ヒーターと該サセプタとの間に熱伝
導異方性シートが設けられていることを特徴とする減圧
処理装置。 - 【請求項１０】 減圧可能な容器内に配された基板を減
圧下で処理する減圧処理装置において、該基板を加熱す
るためのヒーターを動作させ、該ヒーターの上にサセプ
タを介して該基板を載置し、該基板を該サセプタ上に減
圧吸着させた後、該容器内を減圧するように、該ヒータ
ーと吸着手段とを制御する制御手段を有することを特徴
とする減圧処理装置。 - 【請求項１１】 前記減圧処理装置は灰化処理装置であ
る請求項１０記載の減圧処理装置。 - 【請求項１２】 前記制御手段は、前記ヒーターを動作
させた状態で、前記基板を前記サセプタの上に浮かせて
配置する工程、該基板を該サセプタ上に降下させるとと
もに減圧吸着させる工程、とを含む手順を実行する請求
項１０記載の減圧処理装置。 - 【請求項１３】 前記制御手段は、前記ヒーターを動作
させた状態で、前記基板を前記サセプタの上に浮かせて
配置する工程、該基板を該サセプタ上に降下させるとと
もに減圧吸着させる工程、該サセプタの吸引通路と該容
器内とを連通路を介して連通させる工程、該容器を閉じ
る工程と、を含む手順を実行する請求項１０記載の減圧
処理装置。 - 【請求項１４】 前記制御手段は、前記ヒーターを動作
させた状態で、前記基板を前記サセプタの上に浮かせて
配置する工程、該基板を該サセプタ上に降下させるとと
もに真空吸着させる工程、該サセプタの吸引通路と該容
器とを連通させる工程、該容器を閉じ減圧する工程、該
容器内に処理ガスを供給する工程、該処理ガスのプラズ
マを発生させる工程、該プラズマの発生を停止して容器
内を排気する工程、該容器内を大気圧に戻す工程、該容
器内を大気圧に戻す工程、該容器を開けて該基板を搬出
する工程、を含む手順を実行する請求項１０記載の減圧
処理装置。 - 【請求項１５】 導電体平板に複数のスロットが形成さ
れたマイクロ波アンテナより前記容器内にマイクロ波を
放射してプラズマを起こす請求項６又は１０記載の減圧
処理装置。 - 【請求項１６】 前記ヒーターは、前記容器内に配され
ている請求項６又は１０記載の減圧処理装置。
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