JP2942239B2 - 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2942239B2 JP2942239B2 JP10102611A JP10261198A JP2942239B2 JP 2942239 B2 JP2942239 B2 JP 2942239B2 JP 10102611 A JP10102611 A JP 10102611A JP 10261198 A JP10261198 A JP 10261198A JP 2942239 B2 JP2942239 B2 JP 2942239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- valve
- vacuum vessel
- control valve
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造装置等の真空装置に用いられる排気方法の技術分野
に属し、更に詳しくは、本発明は、パーティクルの移動
を抑えた上で排気時間を短縮できる高速ソフト排気を実
現するための排気方法及び排気装置の技術分野に属す
る。
製造装置等の真空装置に用いられる排気方法の技術分野
に属し、更に詳しくは、本発明は、パーティクルの移動
を抑えた上で排気時間を短縮できる高速ソフト排気を実
現するための排気方法及び排気装置の技術分野に属す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子，電気回路などの製造には様
々な真空装置が使用されている。薄膜形成装置として
は、ＬＯＣＯＳマスク用のＳｉ3Ｎ4膜やゲート電極用の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜形成にはＬＰ−ＣＶＤ装置が、層間絶
縁用のＳｉＯ2膜や最終保護用のＳｉＮ膜形成にはプラ
ズマＣＶＤ装置が、配線用のアルミニウム系薄膜形成に
はスパッタリング装置が、それぞれ使用されている。他
にも、イオン注入装置，プラズマエッチング装置，ホト
レジストのアッシング装置等の真空装置が広範に使用さ
れている。
々な真空装置が使用されている。薄膜形成装置として
は、ＬＯＣＯＳマスク用のＳｉ3Ｎ4膜やゲート電極用の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜形成にはＬＰ−ＣＶＤ装置が、層間絶
縁用のＳｉＯ2膜や最終保護用のＳｉＮ膜形成にはプラ
ズマＣＶＤ装置が、配線用のアルミニウム系薄膜形成に
はスパッタリング装置が、それぞれ使用されている。他
にも、イオン注入装置，プラズマエッチング装置，ホト
レジストのアッシング装置等の真空装置が広範に使用さ
れている。
【０００３】図１６に、ロードロック型の真空装置に一
般的に用いられている排気系のブロック図を示す。６０
１は内部で処理を行うリアクタ、６０２はターボ分子ポ
ンプ・クライオポンプ・ディフュージョンポンプ・ソー
プションポンプなどの高真空ポンプ、６０３はドライポ
ンプ・ロータリポンプなどの低真空ポンプ、６０４はリ
アクタ６０１内を大気圧から排気するための粗引きバル
ブ、６０５は排気コンダクタンス制御バルブ、６０６は
粗引きを行った後本引きを行うための本引きバルブ、６
０７は高真空ポンプ６０２と低真空ポンプ６０３との間
に設置されたポンプ間バルブ、６１１はロードロック
室、６１２はロードロック室内を排気する排気ポンプ、
６１３はリアクタ６０１とロードロックチャンバ６１１
とを遮断するゲートバルブ、６１４はロードロック室内
を排気するためのＬＬ排気バルブである。
般的に用いられている排気系のブロック図を示す。６０
１は内部で処理を行うリアクタ、６０２はターボ分子ポ
ンプ・クライオポンプ・ディフュージョンポンプ・ソー
プションポンプなどの高真空ポンプ、６０３はドライポ
ンプ・ロータリポンプなどの低真空ポンプ、６０４はリ
アクタ６０１内を大気圧から排気するための粗引きバル
ブ、６０５は排気コンダクタンス制御バルブ、６０６は
粗引きを行った後本引きを行うための本引きバルブ、６
０７は高真空ポンプ６０２と低真空ポンプ６０３との間
に設置されたポンプ間バルブ、６１１はロードロック
室、６１２はロードロック室内を排気する排気ポンプ、
６１３はリアクタ６０１とロードロックチャンバ６１１
とを遮断するゲートバルブ、６１４はロードロック室内
を排気するためのＬＬ排気バルブである。
【０００４】図１６に示すような真空装置の排気及び処
理は以下の様に行う。まずバルブ６０５は常に開とし、
低真空ポンプ６０３を運転し、ポンプ間バルブ６０７を
開けた後、高真空ポンプ６０２を運転する。ポンプ間バ
ルブ６０７を閉じた後、粗引きバルブ６０４を開くこと
により、リアクタ６０１内を大気圧から排気し始める。
リアクタ６０１内の圧力が高真空ポンプ６０２の排気可
能圧力範囲に入るまで排気されたら、粗引きバルブ６０
４を閉じた後、ポンプ間バルブ６０７と本引きバルブ６
０６を順に開き、本引きを開始する。通常、リアクタ６
０１のメンテナンスを行う場合以外はこの状態を保つ。
複数の処理用基体が収納されたカセットをゲートバルブ
６１５を開けてロードロック室６１１に搬入する。ゲー
トバルブ６１５を閉めて排気ポンプ６１２を運転した
後、排気バルブ６１４を開けることにより、ロードロッ
ク室６１１を大気圧から減圧常置にまで排気し始める。
ロードロック室６１１内がリアクタ６０１に悪影響を与
えないくらい低い圧力に排気されたら、ゲートバルブ６
１３を開け、カセット内に収納された基体をリアクタ内
に搬入しゲートバルブ６１３を閉めて処理を行う。この
処理の時は、処理ガス供給系６１６よりガスを流し、排
気コンダクタンス制御バルブ６０５のコンダクタンス調
整によりリアクタ６０１内の圧力を所定値に保つ処理が
終了したら、ゲートバルブ６１３を開け、処理済みの基
体をリアクタ６０１からロードロック室６１１内のカセ
ットに収納し、次の基体をリアクタ６０１に搬入する。
すべての基体の処理が終了したら、ＬＬ排気バルブ６１
４を閉じ、ロードロック室６１１内を大気圧に戻し、カ
セットを搬出する。
理は以下の様に行う。まずバルブ６０５は常に開とし、
低真空ポンプ６０３を運転し、ポンプ間バルブ６０７を
開けた後、高真空ポンプ６０２を運転する。ポンプ間バ
ルブ６０７を閉じた後、粗引きバルブ６０４を開くこと
により、リアクタ６０１内を大気圧から排気し始める。
リアクタ６０１内の圧力が高真空ポンプ６０２の排気可
能圧力範囲に入るまで排気されたら、粗引きバルブ６０
４を閉じた後、ポンプ間バルブ６０７と本引きバルブ６
０６を順に開き、本引きを開始する。通常、リアクタ６
０１のメンテナンスを行う場合以外はこの状態を保つ。
複数の処理用基体が収納されたカセットをゲートバルブ
６１５を開けてロードロック室６１１に搬入する。ゲー
トバルブ６１５を閉めて排気ポンプ６１２を運転した
後、排気バルブ６１４を開けることにより、ロードロッ
ク室６１１を大気圧から減圧常置にまで排気し始める。
ロードロック室６１１内がリアクタ６０１に悪影響を与
えないくらい低い圧力に排気されたら、ゲートバルブ６
１３を開け、カセット内に収納された基体をリアクタ内
に搬入しゲートバルブ６１３を閉めて処理を行う。この
処理の時は、処理ガス供給系６１６よりガスを流し、排
気コンダクタンス制御バルブ６０５のコンダクタンス調
整によりリアクタ６０１内の圧力を所定値に保つ処理が
終了したら、ゲートバルブ６１３を開け、処理済みの基
体をリアクタ６０１からロードロック室６１１内のカセ
ットに収納し、次の基体をリアクタ６０１に搬入する。
すべての基体の処理が終了したら、ＬＬ排気バルブ６１
４を閉じ、ロードロック室６１１内を大気圧に戻し、カ
セットを搬出する。
【０００５】図１７に、大気開放型の真空装置に一般的
に用いられている排気系のブロック図を示す。７０１は
内部で処理を行うリアクタ、７０３は排気ポンプ、７０
４はリアクタ７０１内を大気圧から排気するための粗引
きバルブ、７０５は排気コンダクタンス制御バルブ、７
０６は粗引きを行った後本引きを行うための本引きバル
ブである。
に用いられている排気系のブロック図を示す。７０１は
内部で処理を行うリアクタ、７０３は排気ポンプ、７０
４はリアクタ７０１内を大気圧から排気するための粗引
きバルブ、７０５は排気コンダクタンス制御バルブ、７
０６は粗引きを行った後本引きを行うための本引きバル
ブである。
【０００６】図１７に示すような真空装置の排気及び処
理は以下の様に行う。まずバルブ７０５は常に開とし、
排気ポンプ７０３を運転する。ゲートバルブ７１５を開
いて処理用基体をリアクタ７０１に搬入する。粗引きバ
ルブ７０４を開くことにより、リアクタ７０１内を大気
圧から排気し始める。リアクタ７０１内が充分排気され
たら、粗引きバルブ７０４を閉じた後、本引きバルブ７
０６を開き、本引きを開始する。充分な真空度が得られ
たら処理を行う。この処理の時は、処理ガス供給系７１
６よりガスを供給し、排気コンダクタンス制御バルブ７
０５のコンダクタンスを調整しリアクタ７０１内の圧力
を所定値に保処理が終了したら、本引きバルブ７０６を
閉じ、リアクタ７０１内を大気圧に戻し、基体を搬出
し、次の基体を搬入する。
理は以下の様に行う。まずバルブ７０５は常に開とし、
排気ポンプ７０３を運転する。ゲートバルブ７１５を開
いて処理用基体をリアクタ７０１に搬入する。粗引きバ
ルブ７０４を開くことにより、リアクタ７０１内を大気
圧から排気し始める。リアクタ７０１内が充分排気され
たら、粗引きバルブ７０４を閉じた後、本引きバルブ７
０６を開き、本引きを開始する。充分な真空度が得られ
たら処理を行う。この処理の時は、処理ガス供給系７１
６よりガスを供給し、排気コンダクタンス制御バルブ７
０５のコンダクタンスを調整しリアクタ７０１内の圧力
を所定値に保処理が終了したら、本引きバルブ７０６を
閉じ、リアクタ７０１内を大気圧に戻し、基体を搬出
し、次の基体を搬入する。
【０００７】ロードロック型及び大気開放型のいずれの
真空装置においても、真空容器であるリアクタ内へ処理
ガスを導入し真空容器内の圧力を所定時に維持する時以
外は、排気コンダクタンス制御バルブ６０５、７０５の
弁座は常に開状態（ノーマリーオープン）とされて、該
バルブ６０５、７０５は最大コンダクタンス状態とされ
ていた。従って、真空容器内への処理ガス導入前に、真
空容器を排気する場合には、排気動作は開閉バルブ６０
４、６０６０、７０４、７０６による遮断状態と連通状
態との２状態の切替えのみで制御されていた。
真空装置においても、真空容器であるリアクタ内へ処理
ガスを導入し真空容器内の圧力を所定時に維持する時以
外は、排気コンダクタンス制御バルブ６０５、７０５の
弁座は常に開状態（ノーマリーオープン）とされて、該
バルブ６０５、７０５は最大コンダクタンス状態とされ
ていた。従って、真空容器内への処理ガス導入前に、真
空容器を排気する場合には、排気動作は開閉バルブ６０
４、６０６０、７０４、７０６による遮断状態と連通状
態との２状態の切替えのみで制御されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１６や図１７に示し
た真空装置の排気系を用いて、排気した真空装置内で被
処理体の処理を行うと処理歩留まりがなかなか向上しな
かった。
た真空装置の排気系を用いて、排気した真空装置内で被
処理体の処理を行うと処理歩留まりがなかなか向上しな
かった。
【０００９】その原因を探ってみると、真空装置内で被
処理体に付着するパーティクルが歩留まりを向上を妨げ
ていることが判明した。その対策として、真空容器内を
クリーニングしたが、処理を続けると、再び歩留まりが
低下してきた。
処理体に付着するパーティクルが歩留まりを向上を妨げ
ていることが判明した。その対策として、真空容器内を
クリーニングしたが、処理を続けると、再び歩留まりが
低下してきた。
【００１０】そこで、パーティクルの挙動を観察してい
ると、真空装置の処理ガス導入前の排気時に、容器内に
静止していたパーティクルが舞い上がるように移動し、
被処理体に付着するようになることが明らかになった。
ると、真空装置の処理ガス導入前の排気時に、容器内に
静止していたパーティクルが舞い上がるように移動し、
被処理体に付着するようになることが明らかになった。
【００１１】特に、排気時間短縮のために粗引きを短時
間で終了し、本引きを行うと、パーティクルの舞い上が
りが激しい。これは、本引きの際の大きな圧力変化によ
るものである。
間で終了し、本引きを行うと、パーティクルの舞い上が
りが激しい。これは、本引きの際の大きな圧力変化によ
るものである。
【００１２】このようなパーティクルの移動を抑制する
べく、粗引き時間を長くして充分に低い圧力になってか
ら、本引きを始めると、排気に必要な総排気時間が長く
なり、被処理体の処理スループットを低下させることに
なる。これは、例えば多くのアッシング装置に利用され
ているような、被処理体の搬入・搬出の毎に、真空容器
内を大気開放する大気開放型の真空装置の場合に、重大
な影響を及ぼす。
べく、粗引き時間を長くして充分に低い圧力になってか
ら、本引きを始めると、排気に必要な総排気時間が長く
なり、被処理体の処理スループットを低下させることに
なる。これは、例えば多くのアッシング装置に利用され
ているような、被処理体の搬入・搬出の毎に、真空容器
内を大気開放する大気開放型の真空装置の場合に、重大
な影響を及ぼす。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、真空容
器内でのパーティクルの移動を抑止し、被処理体への処
理歩留まりを向上し得る真空容器の排気装置及び排気方
法を提供することにある。
器内でのパーティクルの移動を抑止し、被処理体への処
理歩留まりを向上し得る真空容器の排気装置及び排気方
法を提供することにある。
【００１４】本発明の別の目的は、減圧速度を過剰に高
めることなく排気時間を短縮できる真空容器の高速ソフ
ト排気を実現し得る排気装置及び排気方法を提供するこ
とにある。
めることなく排気時間を短縮できる真空容器の高速ソフ
ト排気を実現し得る排気装置及び排気方法を提供するこ
とにある。
【００１５】本発明は、真空容器内への処理ガスの導入
前に、該真空容器内を排気する排気方法において、バイ
パス排気路を通して、該真空容器内圧力の減圧速度が減
圧開始直後から徐々に減少するように、排気を行う第1
の工程と、該第１の工程の途中又は終了後に、主排気路
に設けられた排気コンダクタンス制御バルブのコンダク
タンスが排気時間とともに徐々に増加するように、該排
気コンダクタンス制御バルブを開く第2の工程を含み、
該真空容器内圧力の減圧速度曲線が極小値と極大値とを
有し、該極小値が減圧開始直後の値の０．２倍以上とな
り且つ該極大値が該減圧開始直後の値以下となるよう
に、該排気コンダクタンス制御バルブを開き始めるタイ
ミングを制御することを特徴とする。また、本発明は、
真空容器内への処理ガスの導入前に、該真空容器内を排
気する為の排気装置において、該真空容器内圧力の減圧
速度が減圧開始直後から徐々に減少するように排気を行
うバイパス排気路と、該バイパス排気路と並列に設けら
れた主排気路と、該主排気路に設けられた排気コンダク
タンス制御バルブと、該バイパス排気路による排気工程
の途中又は終了後に、該排気コンダクタンス制御バルブ
のコンダクタンスが排気時間とともに徐々に増加するよ
うに、該排気コンダクタンス制御バルブを開く手段と、
を備え、該手段は、該真空容器内圧力の減圧速度曲線が
極小値と極大値とを有し、該極小値が減圧開始直後の値
の０．２倍以上となり且つ該極大値が該減圧開始直後の
値以下となるように、該排気コンダクタンス制御バルブ
を開き始めるタイミングを制御することを特徴とする。
前に、該真空容器内を排気する排気方法において、バイ
パス排気路を通して、該真空容器内圧力の減圧速度が減
圧開始直後から徐々に減少するように、排気を行う第1
の工程と、該第１の工程の途中又は終了後に、主排気路
に設けられた排気コンダクタンス制御バルブのコンダク
タンスが排気時間とともに徐々に増加するように、該排
気コンダクタンス制御バルブを開く第2の工程を含み、
該真空容器内圧力の減圧速度曲線が極小値と極大値とを
有し、該極小値が減圧開始直後の値の０．２倍以上とな
り且つ該極大値が該減圧開始直後の値以下となるよう
に、該排気コンダクタンス制御バルブを開き始めるタイ
ミングを制御することを特徴とする。また、本発明は、
真空容器内への処理ガスの導入前に、該真空容器内を排
気する為の排気装置において、該真空容器内圧力の減圧
速度が減圧開始直後から徐々に減少するように排気を行
うバイパス排気路と、該バイパス排気路と並列に設けら
れた主排気路と、該主排気路に設けられた排気コンダク
タンス制御バルブと、該バイパス排気路による排気工程
の途中又は終了後に、該排気コンダクタンス制御バルブ
のコンダクタンスが排気時間とともに徐々に増加するよ
うに、該排気コンダクタンス制御バルブを開く手段と、
を備え、該手段は、該真空容器内圧力の減圧速度曲線が
極小値と極大値とを有し、該極小値が減圧開始直後の値
の０．２倍以上となり且つ該極大値が該減圧開始直後の
値以下となるように、該排気コンダクタンス制御バルブ
を開き始めるタイミングを制御することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１を参照して真空容器の排気装
置について説明する。
置について説明する。
【００１７】１０１は真空容器としてのリアクタ、１１
６はリアクタ１０１への処理ガス導入手段１１６であ
り、処理ガス導入前にリアクタ１０１は排気装置（１０
３，１０５，１０６）によって排気される。
６はリアクタ１０１への処理ガス導入手段１１６であ
り、処理ガス導入前にリアクタ１０１は排気装置（１０
３，１０５，１０６）によって排気される。
【００１８】この排気装置は、排気コンダクタンス制御
バルブ１０５を有しており、バルブ１０５のコンダクタ
ンスを排気時間の経過とともに徐々に増加せしめる。
バルブ１０５を有しており、バルブ１０５のコンダクタ
ンスを排気時間の経過とともに徐々に増加せしめる。
【００１９】ここで１０６は排気バルブ、１０３はター
ボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプ、ロータ
リーポンプ等の排気用真空ポンプである。
ボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプ、ロータ
リーポンプ等の排気用真空ポンプである。
【００２０】図１に示すような真空装置の排気及び処理
は以下の様に行う。まず排気ポンプ１０３を運転する。
リアクタ１０１外にある被処理体をリアクタ１０１内に
搬入する。排気コンダクタンス制御バルブ１０５を全閉
状態（コンダクタンスを最小にした状態）にした後、排
気バルブ１０６を開く。そして、バルブ１０５を徐々に
開いてリアクタ１０１内を大気圧から圧力が徐々に低く
なるよう排気し始める。より好ましくは排気コンダクタ
ンス制御バルブ１０５のコンダクタンスを略略Ｃ（ｔ）
＝Ｖ／（ｔ1−ｔ）となるよう増加する。ここでＣ
（ｔ）はコンダクタンス，Ｖは真空容器の容量，ｔ1は
排気目標時間，ｔは排気時間である。
は以下の様に行う。まず排気ポンプ１０３を運転する。
リアクタ１０１外にある被処理体をリアクタ１０１内に
搬入する。排気コンダクタンス制御バルブ１０５を全閉
状態（コンダクタンスを最小にした状態）にした後、排
気バルブ１０６を開く。そして、バルブ１０５を徐々に
開いてリアクタ１０１内を大気圧から圧力が徐々に低く
なるよう排気し始める。より好ましくは排気コンダクタ
ンス制御バルブ１０５のコンダクタンスを略略Ｃ（ｔ）
＝Ｖ／（ｔ1−ｔ）となるよう増加する。ここでＣ
（ｔ）はコンダクタンス，Ｖは真空容器の容量，ｔ1は
排気目標時間，ｔは排気時間である。
【００２１】又、排気目標時間ｔ1は、装置のシーケン
ス上排気ステップに費す総時間の７〜８割にするとよ
い。
ス上排気ステップに費す総時間の７〜８割にするとよ
い。
【００２２】これにより、真空容器内の圧力の時間変化
即ち減圧速度は所定期間中一定となる。
即ち減圧速度は所定期間中一定となる。
【００２３】充分な真空度が得られたら処理ガス導入手
段１１６より処理ガスをリアクタ１０１内に導入して被
処理体の処理を行う。処理が終了したら、排気バルブ１
０６を閉じ、リアクタ１０１を開放してリアクタ内を大
気圧に戻し、被処理体を搬出し、次の被処理体をリアク
タ１０１内に搬入する。
段１１６より処理ガスをリアクタ１０１内に導入して被
処理体の処理を行う。処理が終了したら、排気バルブ１
０６を閉じ、リアクタ１０１を開放してリアクタ内を大
気圧に戻し、被処理体を搬出し、次の被処理体をリアク
タ１０１内に搬入する。
【００２４】また、本発明に用いられる排気コンダクタ
ンス制御バルブ１０５の例を図２に示す。１は回転角速
度制御型バルブ、２は移動速度制御型バルブ、３は曲面
弁座型バルブ、４は曲面壁型バルブ、５は開口漸増型バ
ルブ、６は絞り型バルブである。
ンス制御バルブ１０５の例を図２に示す。１は回転角速
度制御型バルブ、２は移動速度制御型バルブ、３は曲面
弁座型バルブ、４は曲面壁型バルブ、５は開口漸増型バ
ルブ、６は絞り型バルブである。
【００２５】回転角速度制御型バルブ１は、流路１１を
形成する流路壁１４と、板状の可動弁座１２とを有し、
可動弁座１２は軸１３を中心に９０度回転する。図１は
全閉状態（θ＝０）を示し、θ＝９０度が全開状態であ
る。可動弁座１２の回転角θを可動弁座に連結されたス
テッピングモータ等で調整しつつ弁座１２を回転させる
ことで、コンダクタンスを漸増し得る。
形成する流路壁１４と、板状の可動弁座１２とを有し、
可動弁座１２は軸１３を中心に９０度回転する。図１は
全閉状態（θ＝０）を示し、θ＝９０度が全開状態であ
る。可動弁座１２の回転角θを可動弁座に連結されたス
テッピングモータ等で調整しつつ弁座１２を回転させる
ことで、コンダクタンスを漸増し得る。
【００２６】移動速度制御型バルブ２は、壁２４で作ら
れた流路内に円形の開口２１をもつ流路形成部材２３を
有している。
れた流路内に円形の開口２１をもつ流路形成部材２３を
有している。
【００２７】流路形成部材２３の内側には上下移動可能
な弁座２２が設けられ、弁座２２の上部が図中矢印の範
囲内を上下移動することにより開口２１のコンダクタン
スが変化する。不図示の駆動機構により弁座２２を下方
に徐々に移動させれば、コンダクタンスが漸増する。
な弁座２２が設けられ、弁座２２の上部が図中矢印の範
囲内を上下移動することにより開口２１のコンダクタン
スが変化する。不図示の駆動機構により弁座２２を下方
に徐々に移動させれば、コンダクタンスが漸増する。
【００２８】曲面弁座型バルブ３は、流路壁３４内の流
路３１中に断面Ｓ字形の曲面弁座３２が設けられ、軸３
３を中心に、上述したバルブ１と同じように回転する。
このバルブ３は閉時にも微量のガスを流し得るように弁
座３２と流路壁３４とは閉時に接触していない。
路３１中に断面Ｓ字形の曲面弁座３２が設けられ、軸３
３を中心に、上述したバルブ１と同じように回転する。
このバルブ３は閉時にも微量のガスを流し得るように弁
座３２と流路壁３４とは閉時に接触していない。
【００２９】又、全開時のコンダクタンスもバルブ１と
比べて小さい。
比べて小さい。
【００３０】曲面壁型バルブ４は、内部に凸部４５をも
つ流路壁４４と軸４３に取付けられた平板状の可動弁座
４２とを有する。
つ流路壁４４と軸４３に取付けられた平板状の可動弁座
４２とを有する。
【００３１】全閉時のコンダクタンスは０であり、回転
角θが０から９０度まではコンダクタンス増加量は小さ
く、回転角θが９０度を越えた時にコンダクタンスが急
に増大する。
角θが０から９０度まではコンダクタンス増加量は小さ
く、回転角θが９０度を越えた時にコンダクタンスが急
に増大する。
【００３２】開口漸増型バルブ５は、開口５１をもつ流
路形成部材５３と、その内側に設けられた弁座５２とを
含み、弁座５２の下端が図中矢印の範囲内を上下動す
る。下端が上昇するにつれて開口５１のコンダクタンス
が漸増する。
路形成部材５３と、その内側に設けられた弁座５２とを
含み、弁座５２の下端が図中矢印の範囲内を上下動す
る。下端が上昇するにつれて開口５１のコンダクタンス
が漸増する。
【００３３】絞り型バルブ６は、中心付近に形成される
開口が徐々に大きくなることで、開口のコンダクタンス
が漸増する。
開口が徐々に大きくなることで、開口のコンダクタンス
が漸増する。
【００３４】いずれのバルブにおいても、可動弁座の開
閉（移動）量をステッピングモーター等で電気的に制御
することが好ましい。
閉（移動）量をステッピングモーター等で電気的に制御
することが好ましい。
【００３５】図３は、排気バルブ１０６に用いられるバ
ルブの例を示している。このバルブのコンダクタンスは
最小値（０）と最大値の２値しかない。
ルブの例を示している。このバルブのコンダクタンスは
最小値（０）と最大値の２値しかない。
【００３６】流路壁７１には、入口流路７５と、出口流
路７６と連通路７７が形成され、連通路７７内に可動弁
座７２がＯリング７３を介して配設されている。弁座７
２は不図示の電磁コイル等によりスプリング７４の付勢
力に逆らって上昇し、コンダクタンスが最大となり、電
磁コイルのオフにより弁座７２は下降してコンダクタン
スは０となる。
路７６と連通路７７が形成され、連通路７７内に可動弁
座７２がＯリング７３を介して配設されている。弁座７
２は不図示の電磁コイル等によりスプリング７４の付勢
力に逆らって上昇し、コンダクタンスが最大となり、電
磁コイルのオフにより弁座７２は下降してコンダクタン
スは０となる。
【００３７】又、必要に応じて弁座７２の下方に可撓性
ダイヤフラム７７等を設けて、全閉時のリークを抑制し
得る構造にしてもよく、その例が図３の（ｂ）である。
ダイヤフラム７７等を設けて、全閉時のリークを抑制し
得る構造にしてもよく、その例が図３の（ｂ）である。
【００３８】図４は、本発明の実施の形態による排気装
置を示している。
置を示している。
【００３９】２０１は真空容器としてのリアクタ、２１
６はリアクタ２０１内へ処理ガスを導入する為の処理ガ
ス導入手段であり、この処理ガス導入手段２１６による
処理ガス導入前に、リアクタ２０１内は排気装置（２０
３、２０４、２０５、２０６）により排気される。
６はリアクタ２０１内へ処理ガスを導入する為の処理ガ
ス導入手段であり、この処理ガス導入手段２１６による
処理ガス導入前に、リアクタ２０１内は排気装置（２０
３、２０４、２０５、２０６）により排気される。
【００４０】２０３は前述したポンプ１０３と同じよう
な排気用真空ポンプ、２０４はバイパス排気路２２０に
設けられたバイパス排気バルブ、２０５は主排気路２１
１に設けられた排気コンダクタンス制御バルブ、２０６
は排気路２２２に設けられた排気バルブである。
な排気用真空ポンプ、２０４はバイパス排気路２２０に
設けられたバイパス排気バルブ、２０５は主排気路２１
１に設けられた排気コンダクタンス制御バルブ、２０６
は排気路２２２に設けられた排気バルブである。
【００４１】バイパス排気バルブ２０４、排気バルブ２
０６としては図３に示したような開状態又は閉状態に２
値制御可能なバルブが好ましく用いられる。
０６としては図３に示したような開状態又は閉状態に２
値制御可能なバルブが好ましく用いられる。
【００４２】排気コンダクタンス制御バルブとしては、
図示に示したようなバルブが好ましく用いられる。
図示に示したようなバルブが好ましく用いられる。
【００４３】バルブ２０４が開状態の時のバイパス排気
路のコンダクタンスは、バルブ２０５が全開状態の時の
主排気路２１１のコンダクタンスより小さい。
路のコンダクタンスは、バルブ２０５が全開状態の時の
主排気路２１１のコンダクタンスより小さい。
【００４４】この装置の動作は以下のとおりである。
【００４５】真空容器としてのリアクタ２０１を開いて
被処理体をリアクタ２０１内に配する。
被処理体をリアクタ２０１内に配する。
【００４６】リアクタ２０１を密閉する。
【００４７】バルブ２０４を閉状態、排気コンダクタン
ス制御バルブ２０５を全閉状態、バルブ２０６を閉状態
として真空ポンプ２０３を動作させる。
ス制御バルブ２０５を全閉状態、バルブ２０６を閉状態
として真空ポンプ２０３を動作させる。
【００４８】バルブ２０６を開状態、バルブ２０４を開
状態としてリアクタ２０１内の排気を始める。こうして
リアクタ２０１内は減圧されていく。
状態としてリアクタ２０１内の排気を始める。こうして
リアクタ２０１内は減圧されていく。
【００４９】この時のバイパス排気路２２０のコンダク
タンスは、主排気路２２１のコンダクタンスに比べて充
分小さいので、排気開始直後の減圧速度は、パーティク
ルが舞い上がる程大きくならない。
タンスは、主排気路２２１のコンダクタンスに比べて充
分小さいので、排気開始直後の減圧速度は、パーティク
ルが舞い上がる程大きくならない。
【００５０】因みに、これに対して、バイパス排気路２
２０のバルブ２０４を閉じて、主排気路のコンダクタン
ス制御バルブ２０５を全開としたまま、バルブ２０６を
いきなり開くと、排気開始直後の減圧速度が急激に高く
なり、パーティクルの舞い上がりを引き起こす。
２０のバルブ２０４を閉じて、主排気路のコンダクタン
ス制御バルブ２０５を全開としたまま、バルブ２０６を
いきなり開くと、排気開始直後の減圧速度が急激に高く
なり、パーティクルの舞い上がりを引き起こす。
【００５１】話を本題に戻す。バイパス排気路２２０に
よる排気動作が所定時間経過した後、排気コンダクタン
ス制御バルブ２０５の可動弁座をスッテピングモータを
用いて徐々に開く。これによりバルブ２０５のコンダク
タンスも徐々に大きくなっていく。
よる排気動作が所定時間経過した後、排気コンダクタン
ス制御バルブ２０５の可動弁座をスッテピングモータを
用いて徐々に開く。これによりバルブ２０５のコンダク
タンスも徐々に大きくなっていく。
【００５２】バルブ２０５の可動弁座を開き始めるタイ
ミング及び可動弁座の移動速度は、バルブ２０５を開き
始めた直後の減圧速度、即ちバルブ２０５の開動作中の
最大減圧速度が、バイパス排気路による排気開始直後の
減圧速度の１．５倍以下になるようにするとよい。
ミング及び可動弁座の移動速度は、バルブ２０５を開き
始めた直後の減圧速度、即ちバルブ２０５の開動作中の
最大減圧速度が、バイパス排気路による排気開始直後の
減圧速度の１．５倍以下になるようにするとよい。
【００５３】より好ましくは、バルブ２０５を開き始め
た直後の減圧速度、即ち、バルブ２０５の開動作中の最
大減圧速度が、バイパス排気路による排気開始直後の減
圧速度以下になるように、バルブ２０５を開き始めるタ
イミング及び可動弁座の移動速度を調整するとよい。
た直後の減圧速度、即ち、バルブ２０５の開動作中の最
大減圧速度が、バイパス排気路による排気開始直後の減
圧速度以下になるように、バルブ２０５を開き始めるタ
イミング及び可動弁座の移動速度を調整するとよい。
【００５４】そして、総排気時間をより一層短くする場
合には、バルブ２０５を開き始める直前の減圧速度が、
バイパス排気路による排気開始直後の減圧速度の０．２
倍以上となるように、バルブ２０５を開き始めるタイミ
ング及び可動弁座の移動速度を決めるとよい。
合には、バルブ２０５を開き始める直前の減圧速度が、
バイパス排気路による排気開始直後の減圧速度の０．２
倍以上となるように、バルブ２０５を開き始めるタイミ
ング及び可動弁座の移動速度を決めるとよい。
【００５５】望ましくは、排気コンダクタンス制御バル
ブの弁座の動きを精密に制御して、排気開始直後から所
定時間経過するまでの間減圧速度が一定になるようにす
ることが好ましいものである。
ブの弁座の動きを精密に制御して、排気開始直後から所
定時間経過するまでの間減圧速度が一定になるようにす
ることが好ましいものである。
【００５６】そして、最大減圧速度が４．０×１０4Ｐ
ａ／秒以下より好ましくは２．７×１０4Ｐａ／秒以下
となるように排気することが望ましい。
ａ／秒以下より好ましくは２．７×１０4Ｐａ／秒以下
となるように排気することが望ましい。
【００５７】即ち、ある時間ｔにおける排気路のコンダ
クタンスをＣ（ｔ）、真空容器の容積をＶ、排気目標時
間をｔ1とした時、 ほぼ Ｃ（ｔ）＝Ｖ／（ｔ1−ｔ） を満足するように、排気コンダクタンス制御バルブのコ
ンダクタンスを徐々に増加させる。
クタンスをＣ（ｔ）、真空容器の容積をＶ、排気目標時
間をｔ1とした時、 ほぼ Ｃ（ｔ）＝Ｖ／（ｔ1−ｔ） を満足するように、排気コンダクタンス制御バルブのコ
ンダクタンスを徐々に増加させる。
【００５８】図５は、減圧速度ｄＰ／ｄｔの経時変化の
様子を示している。
様子を示している。
【００５９】例えば、図に示した装置を用いて、バルブ
７０４は閉じ排気コンダクタンス制御バルブ７０５を全
開（コンダクタンス最大）状態としておいて、バルブ７
０６を開いた場合（ケース１）の減圧速度を白三角印に
て示している。
７０４は閉じ排気コンダクタンス制御バルブ７０５を全
開（コンダクタンス最大）状態としておいて、バルブ７
０６を開いた場合（ケース１）の減圧速度を白三角印に
て示している。
【００６０】ケース１では、減圧開始直後ｔ0における
減圧速度が最大となり、その後時間とともに減圧速度も
低下する。
減圧速度が最大となり、その後時間とともに減圧速度も
低下する。
【００６１】又、図４に示した装置を用いて、バルブ２
０５を全閉、バルブ２０６を開、バルブ２０４を閉状態
としてから、ポンプを動かしバルブ２０４を開いた後、
所定時間経過後、時刻ｔ２でバルブ２０５を瞬時に全開
にした場合（ケース２）の減圧速度を黒四角印で示す。
０５を全閉、バルブ２０６を開、バルブ２０４を閉状態
としてから、ポンプを動かしバルブ２０４を開いた後、
所定時間経過後、時刻ｔ２でバルブ２０５を瞬時に全開
にした場合（ケース２）の減圧速度を黒四角印で示す。
【００６２】ケース２ではバルブ２０５を開いた直後
（ｔ0）における減圧速度はケース１に比べて小さくな
るものの、バルブ２０５の全開時には、その２倍に戻り
目標圧力になるまでの到達時間は非常に長くなってしま
う。
（ｔ0）における減圧速度はケース１に比べて小さくな
るものの、バルブ２０５の全開時には、その２倍に戻り
目標圧力になるまでの到達時間は非常に長くなってしま
う。
【００６３】これに対して、図１に示した装置を用い
て、バルブ１０５、１０６を閉状態とした後、バルブ１
０６を開き、その後、バルブ１０５の弁座を徐々にステ
ッピングモータを用いて開いた場合（ケース３）の減圧
速度を黒丸印で示す。
て、バルブ１０５、１０６を閉状態とした後、バルブ１
０６を開き、その後、バルブ１０５の弁座を徐々にステ
ッピングモータを用いて開いた場合（ケース３）の減圧
速度を黒丸印で示す。
【００６４】ケース３では、時刻ｔ0からｔ1までＣ
（ｔ）＝Ｖ／（ｔ1−ｔ）を満たす。即ち、減圧速度を
一定にして排気する為に、減圧速度が急激に大きくなる
ことはなく、又、所望の圧力までの到達時間も短い。
（ｔ）＝Ｖ／（ｔ1−ｔ）を満たす。即ち、減圧速度を
一定にして排気する為に、減圧速度が急激に大きくなる
ことはなく、又、所望の圧力までの到達時間も短い。
【００６５】図５のケース３の排気方法を図１の装置を
用いて行うには、高精度の排気コンダクタンス制御バル
ブと高精度のステッピングモーターが必要になり、シス
テムが高価になってしまう。
用いて行うには、高精度の排気コンダクタンス制御バル
ブと高精度のステッピングモーターが必要になり、シス
テムが高価になってしまう。
【００６６】そこで、図４に示したような装置を用い
て、排気コンダクタンス制御バルブ２０５のコンダクタ
ンスを漸増させる形態を採るとシステムは安価になる。
て、排気コンダクタンス制御バルブ２０５のコンダクタ
ンスを漸増させる形態を採るとシステムは安価になる。
【００６７】図６は、図４の装置を用いた排気方法によ
る減圧速度の経時変化を示している。図７は排気動作の
フローチャートである。
る減圧速度の経時変化を示している。図７は排気動作の
フローチャートである。
【００６８】図７のＳ１に示すようにバルブ２０６を
開、バルブ２０４を閉、排気コンダクタンス制御バルブ
２０５を全開とした状態で、大気圧の真空容器内を以下
のようにして減圧すると、図６にケース４（黒四角印）
として示した減圧速度曲線を得る。この時の真空容器内
の圧力を白丸印で併せて示している。
開、バルブ２０４を閉、排気コンダクタンス制御バルブ
２０５を全開とした状態で、大気圧の真空容器内を以下
のようにして減圧すると、図６にケース４（黒四角印）
として示した減圧速度曲線を得る。この時の真空容器内
の圧力を白丸印で併せて示している。
【００６９】バイパス排気バルブ２０４を開き、バイパ
ス排気路２２０を通して排気を開始する（Ｓ２）。排気
開始直後の時刻ｔ0の後、所定時間経過した時刻ｔ2にお
いて、排気コンダクタンス制御バルブ２０５の弁座を開
き始める（Ｓ４）。すると、減圧速度は徐々に上昇す
る。こうして減圧曲線は極小値（ｄＰ2）と極大値（ｄ
Ｐ0）をもつようになる。
ス排気路２２０を通して排気を開始する（Ｓ２）。排気
開始直後の時刻ｔ0の後、所定時間経過した時刻ｔ2にお
いて、排気コンダクタンス制御バルブ２０５の弁座を開
き始める（Ｓ４）。すると、減圧速度は徐々に上昇す
る。こうして減圧曲線は極小値（ｄＰ2）と極大値（ｄ
Ｐ0）をもつようになる。
【００７０】主排気路２２１のバルブ２０５を開き始め
るタイミングを時刻ｔ2より早くするとケース５（×
印）のように時刻ｔ3で所望の圧力に到達するが、極大
値は減圧開始直後の時刻ｔ0の値より大きくなってしま
う。
るタイミングを時刻ｔ2より早くするとケース５（×
印）のように時刻ｔ3で所望の圧力に到達するが、極大
値は減圧開始直後の時刻ｔ0の値より大きくなってしま
う。
【００７１】逆に、バルブ２０５を開き始めるタイミン
グを時刻ｔ2よりも遅い時刻ｔ3とすると、ケース６（白
三角印）のように極大値は、減圧開始直後の値より小さ
くなるものの、所望の圧力に到達する時刻は時刻ｔ1よ
り遅くなる。
グを時刻ｔ2よりも遅い時刻ｔ3とすると、ケース６（白
三角印）のように極大値は、減圧開始直後の値より小さ
くなるものの、所望の圧力に到達する時刻は時刻ｔ1よ
り遅くなる。
【００７２】よって、減圧速度の極大値が減圧開始直後
の値の１．５倍を越えないように、バルブ２０５の開動
作を始めると最大減圧速度を例えば４．０×１０4Ｐａ
／ｓｅｃ、より好ましくは２．７×１０4Ｐａ／ｓｅｃ
より小さくすることができる。こうしてパーティクルの
舞い上がりは充分防止できる。
の値の１．５倍を越えないように、バルブ２０５の開動
作を始めると最大減圧速度を例えば４．０×１０4Ｐａ
／ｓｅｃ、より好ましくは２．７×１０4Ｐａ／ｓｅｃ
より小さくすることができる。こうしてパーティクルの
舞い上がりは充分防止できる。
【００７３】又、減圧速度の極小値が減圧開始直後の値
の０．２倍より小さくならないように、バルブ２０５の
開動作を始めると、所望の圧力値への到達時刻は長くな
らずに済む。
の０．２倍より小さくならないように、バルブ２０５の
開動作を始めると、所望の圧力値への到達時刻は長くな
らずに済む。
【００７４】前者を採用して到達時間を短くした例が図
６のケース５である。後者を採用して減圧速度の極大値
が減圧開始直後の値を越えないようにした例がケース６
である。
６のケース５である。後者を採用して減圧速度の極大値
が減圧開始直後の値を越えないようにした例がケース６
である。
【００７５】そして、バルブ２０５のコンダクタンスを
徐々に増加せしめると、極小値から極大値までの減圧速
度の傾きを緩やかにすることができる。すると、極大値
を、減圧開始直後の値以下にすることが容易に可能にな
る。特に、バルブ２０５のコンダクタンスが最大となる
全開時が、目標到達時刻より後になるようにするとよ
い。
徐々に増加せしめると、極小値から極大値までの減圧速
度の傾きを緩やかにすることができる。すると、極大値
を、減圧開始直後の値以下にすることが容易に可能にな
る。特に、バルブ２０５のコンダクタンスが最大となる
全開時が、目標到達時刻より後になるようにするとよ
い。
【００７６】例えば、ケース４の場合、時刻ｔ1では未
だバルブ２０５は開動作途中、即ち、コンダクタンスの
増大動作途中で目標到達圧力が得られるように、バルブ
２０５のコンダクタンスを漸増させる。
だバルブ２０５は開動作途中、即ち、コンダクタンスの
増大動作途中で目標到達圧力が得られるように、バルブ
２０５のコンダクタンスを漸増させる。
【００７７】具体的には、バルブ開時のバイパス排気路
のコンダクタンスを、バルブ全開時の主排気路のコンダ
クタンスの１０分の１以下とし、バイパス排気路のバル
ブを開いた直後の減圧速度を２．７×１０4Ｐａ／秒に
した場合、排気コンダクタンス制御バルブの開動作開始
から全開までの時間を４乃至７秒とする。こうすると、
１２リットルの容器を大気圧から圧力１．３Ｐａまでの
減圧するに必要な時間（目標到達時間）は８秒程度とな
り、しかも、最大減圧速度が２．７×１０4Ｐａ／秒を
越えることはない。
のコンダクタンスを、バルブ全開時の主排気路のコンダ
クタンスの１０分の１以下とし、バイパス排気路のバル
ブを開いた直後の減圧速度を２．７×１０4Ｐａ／秒に
した場合、排気コンダクタンス制御バルブの開動作開始
から全開までの時間を４乃至７秒とする。こうすると、
１２リットルの容器を大気圧から圧力１．３Ｐａまでの
減圧するに必要な時間（目標到達時間）は８秒程度とな
り、しかも、最大減圧速度が２．７×１０4Ｐａ／秒を
越えることはない。
【００７８】極大値が減圧開始直後の値を越えることが
なければ、バイパス排気路のコンダクタンスで最大減圧
速度が定まるので、減圧中におけるパーティクルの舞い
上がり等のパーティクル移動を抑止できる。
なければ、バイパス排気路のコンダクタンスで最大減圧
速度が定まるので、減圧中におけるパーティクルの舞い
上がり等のパーティクル移動を抑止できる。
【００７９】こうして所定の圧力に到達した後に、図７
のＳ６に示すように処理ガスを真空容器内に導入する。
のＳ６に示すように処理ガスを真空容器内に導入する。
【００８０】次にバイパス排気路を用いずに図６に示し
たような減圧速度曲線が得られる排気装置について述べ
る。
たような減圧速度曲線が得られる排気装置について述べ
る。
【００８１】図８は本発明による別の排気装置を示す。
【００８２】この装置では排気路２２２に設けられた排
気コンダクタンス制御バルブ２１０として、可動弁座６
２に貫通口６５をもつバルブを用いている。
気コンダクタンス制御バルブ２１０として、可動弁座６
２に貫通口６５をもつバルブを用いている。
【００８３】可動弁座６２は貫通口６５をもつ為に、弁
座６２と流路壁６４とを密着された状態（即ち閉状態）
においても、所定のコンダクタンスを有する。
座６２と流路壁６４とを密着された状態（即ち閉状態）
においても、所定のコンダクタンスを有する。
【００８４】つまり、貫通口６５にバイパス排気路の役
目をもたせるところに特徴がある。
目をもたせるところに特徴がある。
【００８５】勿論、図２に示した各バルブの弁座に貫通
口を形成したバルブを図８の装置に採用することも可能
である。
口を形成したバルブを図８の装置に採用することも可能
である。
【００８６】本発明の排気方法及び排気装置が用いられ
る真空装置は大気圧からの排気を伴うもの、即ちすべて
の真空装置に適用可能であるが、特に、頻繁に大気圧か
らの排気を行う装置、例えば、多くのアッシング装置や
クリーニング装置のような大気開放型真空装置や、ロー
ドロック方式真空装置のロードロック室の排気に有効で
ある。
る真空装置は大気圧からの排気を伴うもの、即ちすべて
の真空装置に適用可能であるが、特に、頻繁に大気圧か
らの排気を行う装置、例えば、多くのアッシング装置や
クリーニング装置のような大気開放型真空装置や、ロー
ドロック方式真空装置のロードロック室の排気に有効で
ある。
【００８７】図９は、本発明に用いられる真空容器とし
てのプラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
てのプラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
【００８８】１は被処理体Ｗを内部に収容し、プラズマ
を内部に発生し得る真空容器であり、大気開放型の容器
である。
を内部に発生し得る真空容器であり、大気開放型の容器
である。
【００８９】２は被処理体Ｗを真空容器１内に収容し、
保持する為の被処理体保持手段であり、被処理体Ｗを昇
降し得るリフトピン２ａを有している。
保持する為の被処理体保持手段であり、被処理体Ｗを昇
降し得るリフトピン２ａを有している。
【００９０】３は真空容器１内にプラズマを発生させる
マイクロ波エネルギーを供給するマイクロ波供給手段で
ある。
マイクロ波エネルギーを供給するマイクロ波供給手段で
ある。
【００９１】４は真空容器１内を気密に封止するととも
にマイクロ波を透過させるマイクロ波透過窓である。
にマイクロ波を透過させるマイクロ波透過窓である。
【００９２】５はマイクロ波導波管、６はマイクロ波源
である。
である。
【００９３】７はマイクロ波によってプラズマ化される
処理ガスを供給する為のガス供給路であり、複数のガス
放出口７ａを有する。
処理ガスを供給する為のガス供給路であり、複数のガス
放出口７ａを有する。
【００９４】８は、真空容器１内を排気する為の排気路
であり、本発明の排気装置に連通している。
であり、本発明の排気装置に連通している。
【００９５】図９の装置によるプラズマ処理方法は以下
のとおりである。
のとおりである。
【００９６】所定の圧力まで減圧、排気された真空容器
１内にガス供給路７から処理ガスを供給する。
１内にガス供給路７から処理ガスを供給する。
【００９７】処理ガスは空間９に放出された後、排気路
８へと流れていく。
８へと流れていく。
【００９８】一方、マイクロ波源６において発生したマ
イクロ波は、同軸導波管、円筒導波管又は矩形導波管５
を介して伝搬され、マイクロ波供給手段３内に供給され
る。
イクロ波は、同軸導波管、円筒導波管又は矩形導波管５
を介して伝搬され、マイクロ波供給手段３内に供給され
る。
【００９９】マイクロ波は、マイクロ波供給手段３の無
終端環状導波路３ａを伝搬する。
終端環状導波路３ａを伝搬する。
【０１００】無終端環状導波路３ａのＨ面３ｃには、マ
イクロ波の進行方向と交差する縦長のスロット３ｂが設
けられている為に、そのスリット３ｂから、空間９に向
かって、マイクロ波が放射される。
イクロ波の進行方向と交差する縦長のスロット３ｂが設
けられている為に、そのスリット３ｂから、空間９に向
かって、マイクロ波が放射される。
【０１０１】マイクロ波は、マイクロ波透過窓４ａを通
過して空間９内に供給される。
過して空間９内に供給される。
【０１０２】空間９内には、処理ガスが存在しており、
この処理ガスはマイクロ波励起されプラズマを発生させ
る。
この処理ガスはマイクロ波励起されプラズマを発生させ
る。
【０１０３】被処理体Ｗの表面には、このプラズマを利
用して表面処理が施される。
用して表面処理が施される。
【０１０４】図１０は、マイクロ波供給手段３の外観及
び断面を示す模式図である。
び断面を示す模式図である。
【０１０５】図１１は、マイクロ波供給手段３とマイク
ロ波導波管５との接続部の断面図である。
ロ波導波管５との接続部の断面図である。
【０１０６】図１２は、マイクロ波供給手段３のスロッ
ト３ｂが設けられたＨ面を下方から見た図である。
ト３ｂが設けられたＨ面を下方から見た図である。
【０１０７】図９のマイクロ波供給手段３は、矩形導波
管のＥ面３ｄが曲面化になるように、矩形導波管を曲げ
て、環状にしたものと等価である。従って、対向する２
つのＨ面はそれぞれ同一平面上に存在する。
管のＥ面３ｄが曲面化になるように、矩形導波管を曲げ
て、環状にしたものと等価である。従って、対向する２
つのＨ面はそれぞれ同一平面上に存在する。
【０１０８】導波管５から伝搬してきたマイクロ波は、
接続部にあるマイクロ波分配器１０により相反する方向
に分配される。
接続部にあるマイクロ波分配器１０により相反する方向
に分配される。
【０１０９】無終端環状の導波路３ａを伝搬するマイク
ロ波は、その進行方向ＭＤと交差する方向に延びるスロ
ット３ｂから放出されつつ、伝搬していく。
ロ波は、その進行方向ＭＤと交差する方向に延びるスロ
ット３ｂから放出されつつ、伝搬していく。
【０１１０】このような、マイクロ波供給手段を、平板
状スロット付環状導波管とか、平板状マルチスロットア
ンテナ（ＰＭＡ）と呼ぶ。
状スロット付環状導波管とか、平板状マルチスロットア
ンテナ（ＰＭＡ）と呼ぶ。
【０１１１】無終端環状の導波路３ａ内では、マイクロ
波はスロットからのエネルギー放出により減衰しながら
進行し伝搬する。しかも進行方向が両方向である為、進
行するマイクロ波同士が干渉し、空間９内には均一な強
度のマイクロ波が放射される。
波はスロットからのエネルギー放出により減衰しながら
進行し伝搬する。しかも進行方向が両方向である為、進
行するマイクロ波同士が干渉し、空間９内には均一な強
度のマイクロ波が放射される。
【０１１２】図１３は、本発明の排気装置により排気可
能なロードロック室１１１を有するマルチチャンバ式処
理装置の模式図である。
能なロードロック室１１１を有するマルチチャンバ式処
理装置の模式図である。
【０１１３】１１１は、ロードロック室であり、ゲート
バルブ１１５を開けることで、大気開放され、閉じるこ
とで大気と遮断される真空容器である。
バルブ１１５を開けることで、大気開放され、閉じるこ
とで大気と遮断される真空容器である。
【０１１４】ロッドロック室内には、必要に応じて被処
理体の搬送ロボット８７が収容されている。
理体の搬送ロボット８７が収容されている。
【０１１５】処理室８１、８３、８６はそれぞれゲート
バルブ８２、８４、８５を介してロードロック室１１１
に結合されている。
バルブ８２、８４、８５を介してロードロック室１１１
に結合されている。
【０１１６】各処理室８１、８３、８６では、ＣＶＤや
スパッタリング等の成膜処理、プラズマクリーニングや
プラズマエッチング等の不要物の除去処理、熱処理等が
行われる。
スパッタリング等の成膜処理、プラズマクリーニングや
プラズマエッチング等の不要物の除去処理、熱処理等が
行われる。
【０１１７】処理室の個数は、採用するデバイス作製プ
ロセスに応じて１〜１０個程度に増減できる。
ロセスに応じて１〜１０個程度に増減できる。
【０１１８】図１３の装置の動作は以下のとおりであ
る。
る。
【０１１９】ゲートバルブ１１５を開けて、被処理体を
ロードロック室１１１内に収容する。この時他のゲート
バルブ８２、８４、８５は閉じている。前述した排気方
法により、ロードロック室１１１内を所望の圧力まで排
気する。
ロードロック室１１１内に収容する。この時他のゲート
バルブ８２、８４、８５は閉じている。前述した排気方
法により、ロードロック室１１１内を所望の圧力まで排
気する。
【０１２０】ゲートバルブ８２を開いて、所定の圧力に
ある処理室８１とロードロック室１１１とを連通させ、
被処理体をロードロック室１１１から処理室８１内にロ
ボット８７で移送する。この時、処理室８１とロードロ
ック室１１１との圧力がほぼ等しいようにすれば、パー
ティクルの舞い上がりは生じない。
ある処理室８１とロードロック室１１１とを連通させ、
被処理体をロードロック室１１１から処理室８１内にロ
ボット８７で移送する。この時、処理室８１とロードロ
ック室１１１との圧力がほぼ等しいようにすれば、パー
ティクルの舞い上がりは生じない。
【０１２１】その後、処理室８３や８６内で必要な処理
を行った後、ロードロック室１１１に不図示の処理ガス
供給手段よりパージガスとして、Ｎ2，Ｈｅ，Ａｒ，ク
リーンエア等を導入して、ロードロック室内の圧力を大
気圧に近づける。
を行った後、ロードロック室１１１に不図示の処理ガス
供給手段よりパージガスとして、Ｎ2，Ｈｅ，Ａｒ，ク
リーンエア等を導入して、ロードロック室内の圧力を大
気圧に近づける。
【０１２２】その後、バルブ１１５を開いて、ロードロ
ック室１１１から被処理体を取り出す。
ック室１１１から被処理体を取り出す。
【０１２３】本発明をこうしたロードロック室の排気装
置に適用すれば、パーティクルを舞い上がらせることな
く、スムーズにロードロック室の排気を行うことができ
る。
置に適用すれば、パーティクルを舞い上がらせることな
く、スムーズにロードロック室の排気を行うことができ
る。
【０１２４】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明の排気方法をより
具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。
具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。
【０１２５】（参考例１） 図１に示した排気装置と図２の１に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用したアッシングの例を示す。
タンス制御バルブを使用したアッシングの例を示す。
【０１２６】今回使用したアッシングリアクタ１０１の
容積は１２リットルであった。
容積は１２リットルであった。
【０１２７】被処理体をアッシングリアクタ１０１に搬
入した。被処理体としては、層間ＳｉＯ2膜をエッチン
グし、ビアホールを形成した直後のシリコン基板（直径
８インチのＳｉウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３
を動作させた。回転角速度制御型排気コンダクタンス制
御バルブ１０５を全閉状態にした後、排気バルブ１０６
を開いた。続いてバルブ１０５の弁座を徐々に開くこと
でアッシングリアクタ１０１内を大気圧から排気し始め
た。この時の排気コンダクタンス制御バルブ１０５のコ
ンダクタンスを徐々にＣ（ｔ）＝１２／（６−ｔ）とな
るよう増加した。ここでＣ（ｔ）はコンダクタンス，ｔ
は排気時間である。
入した。被処理体としては、層間ＳｉＯ2膜をエッチン
グし、ビアホールを形成した直後のシリコン基板（直径
８インチのＳｉウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３
を動作させた。回転角速度制御型排気コンダクタンス制
御バルブ１０５を全閉状態にした後、排気バルブ１０６
を開いた。続いてバルブ１０５の弁座を徐々に開くこと
でアッシングリアクタ１０１内を大気圧から排気し始め
た。この時の排気コンダクタンス制御バルブ１０５のコ
ンダクタンスを徐々にＣ（ｔ）＝１２／（６−ｔ）とな
るよう増加した。ここでＣ（ｔ）はコンダクタンス，ｔ
は排気時間である。
【０１２８】約８ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒｒ（約１．
３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。
３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。
【０１２９】次に処理ガス導入手段１１６から酸素ガス
をアッシングリアクタ１０１内に流量２ｓｌｍ導入し圧
力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシング
リアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波管を
介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１０１
内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはアッシ
ングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾンと
なり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフォト
レジストを酸化し、気化・除去された。アッシング後、
アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評価し
た。
をアッシングリアクタ１０１内に流量２ｓｌｍ導入し圧
力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシング
リアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波管を
介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１０１
内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはアッシ
ングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾンと
なり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフォト
レジストを酸化し、気化・除去された。アッシング後、
アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評価し
た。
【０１３０】得られたアッシング速度は、８．６μｍ／
ｍｉｎ±８．５％と極めて大きく、表面電荷密度も−
１．３×１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スルー
プットは１５０枚／Ｈｏｕｒであった排気方法として、
従来の排気方法を用いた場合のスループット１２１枚／
Ｈｏｕｒに比較して２４％増の生産性が得られた。
ｍｉｎ±８．５％と極めて大きく、表面電荷密度も−
１．３×１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スルー
プットは１５０枚／Ｈｏｕｒであった排気方法として、
従来の排気方法を用いた場合のスループット１２１枚／
Ｈｏｕｒに比較して２４％増の生産性が得られた。
【０１３１】（参考例２） 図１に示した排気装置と図２の２に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用したアッシングの例を示す。
タンス制御バルブを使用したアッシングの例を示す。
【０１３２】今回使用したアッシングリアクタ１０１の
容積は１０リットルであった。
容積は１０リットルであった。
【０１３３】被処理体をアッシングリアクタ１０１に搬
入する。被処理体としては、層間ＳｉＯ2膜をエッチン
グし、ビアホールを形成した直後のシリコン基板（直径
８インチのＳｉウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３
を動作させた。移動速度制御型排気コンダクタンス制御
バルブ１０５を全閉状態にした後、排気バルブ１０６を
開く。次いでバルブ１０５を徐々に開き始めて、アッシ
ングリアクタ１０１内を大気圧から排気し始めた。この
時排気コンダクタンス制御バルブ１０５のコンダクタン
スを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝１０／（５−ｔ） に従うように増加させた。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏ
ｒｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。酸素
ガスをアッシングリアクタ１０１内に流量１ｓｌｍ導入
し圧力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシ
ングリアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
電源より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波
管を介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１
０１内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはア
ッシングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾ
ンとなり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフ
ォトレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング
後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評
価した。
入する。被処理体としては、層間ＳｉＯ2膜をエッチン
グし、ビアホールを形成した直後のシリコン基板（直径
８インチのＳｉウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３
を動作させた。移動速度制御型排気コンダクタンス制御
バルブ１０５を全閉状態にした後、排気バルブ１０６を
開く。次いでバルブ１０５を徐々に開き始めて、アッシ
ングリアクタ１０１内を大気圧から排気し始めた。この
時排気コンダクタンス制御バルブ１０５のコンダクタン
スを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝１０／（５−ｔ） に従うように増加させた。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏ
ｒｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。酸素
ガスをアッシングリアクタ１０１内に流量１ｓｌｍ導入
し圧力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシ
ングリアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
電源より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波
管を介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１
０１内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはア
ッシングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾ
ンとなり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフ
ォトレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング
後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評
価した。
【０１３４】得られたアッシング速度は、８．２μｍ／
ｍｉｎ±７．６％と極めて大きく、表面電荷密度も−
１．２×１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スルー
プットは１４５枚／Ｈｏｕｒであった排気方法として従
来の排気方法を用いた場合のスループット１２１枚／Ｈ
ｏｕｒに比較して２０％増の生産性が得られた。
ｍｉｎ±７．６％と極めて大きく、表面電荷密度も−
１．２×１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スルー
プットは１４５枚／Ｈｏｕｒであった排気方法として従
来の排気方法を用いた場合のスループット１２１枚／Ｈ
ｏｕｒに比較して２０％増の生産性が得られた。
【０１３５】（参考例３） 図１に示した排気装置と図２の１に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用したアッシングの別の例を示
す。
タンス制御バルブを使用したアッシングの別の例を示
す。
【０１３６】今回使用したアッシングリアクタ１０１の
容積は１０リットルであった。
容積は１０リットルであった。
【０１３７】被処理体をアッシングリアクタ１０１に搬
入する。被処理体としては、ゲート電極形成後Ａｓイオ
ンを注入した直後のシリコン基板（直径８インチのＳｉ
ウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３を動作させた。
回転角速度制御型排気コンダクタンス制御バルブ１０５
を全閉状態にした後、排気バルブ１０６を開いた。次に
バルブ１０５を徐々に開き始めアッシングリアクタ１０
１内を大気圧から排気し始めた。この時排気コンダクタ
ンス制御バルブ１０５のコンダクタンスを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝１０／（５−ｔ） に従うように増加した。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。酸素ガ
スをアッシングリアクタ１０１内に流量１ｓｌｍ導入し
圧力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシン
グリアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電
源より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波管
を介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１０
１内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはアッ
シングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾン
となり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフォ
トレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング
後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評
価した。
入する。被処理体としては、ゲート電極形成後Ａｓイオ
ンを注入した直後のシリコン基板（直径８インチのＳｉ
ウエハ）を使用した。真空ポンプ１０３を動作させた。
回転角速度制御型排気コンダクタンス制御バルブ１０５
を全閉状態にした後、排気バルブ１０６を開いた。次に
バルブ１０５を徐々に開き始めアッシングリアクタ１０
１内を大気圧から排気し始めた。この時排気コンダクタ
ンス制御バルブ１０５のコンダクタンスを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝１０／（５−ｔ） に従うように増加した。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られた。酸素ガ
スをアッシングリアクタ１０１内に流量１ｓｌｍ導入し
圧力を１Ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）に保った。アッシン
グリアクタ１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電
源より１．５ｋＷの電力を平板状スロット付環状導波管
を介して供給した。かくして、アッシングリアクタ１０
１内にプラズマを発生させた。この際、酸素ガスはアッ
シングリアクタ１０１内で励起、分解、反応してオゾン
となり、シリコン基板の方向に輸送され、基板上のフォ
トレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング
後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評
価した。
【０１３８】得られたアッシング速度は、５．２μｍ／
ｍｉｎ±９．２％と大きく、表面電荷密度も−１．２×
１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スループットは
８８枚／Ｈｏｕｒで、排気方法として従来の排気方法を
用いた場合のスループット７３枚／Ｈｏｕｒに比較して
２０％増の生産性が得られた。
ｍｉｎ±９．２％と大きく、表面電荷密度も−１．２×
１０11／ｃｍ2と充分低い値を示した。スループットは
８８枚／Ｈｏｕｒで、排気方法として従来の排気方法を
用いた場合のスループット７３枚／Ｈｏｕｒに比較して
２０％増の生産性が得られた。
【０１３９】（実施例） 図４に示した排気装置及び図９〜図１２に示した装置を
用いて被処理体としてのＳｉウエハ上のホトレジストの
アッシング処理の例について述べる。
用いて被処理体としてのＳｉウエハ上のホトレジストの
アッシング処理の例について述べる。
【０１４０】バルブ２０６として、ＭＫＳ社製のバルブ
（Ｖ２−０５０−ＡＫ−２２５−ＣＮＶ）を、排気コン
ダクタンス制御バルブ２０５としてＭＫＳ社製変速開閉
スロットルバルブ（６５３Ｂ−２−５０−１）を、バイ
パス排気バルブ２０４としてフジキン社製ニードルバル
ブ（ＦＵＢＦＮ−９１−１２．７）を、それぞれ用い
た。
（Ｖ２−０５０−ＡＫ−２２５−ＣＮＶ）を、排気コン
ダクタンス制御バルブ２０５としてＭＫＳ社製変速開閉
スロットルバルブ（６５３Ｂ−２−５０−１）を、バイ
パス排気バルブ２０４としてフジキン社製ニードルバル
ブ（ＦＵＢＦＮ−９１−１２．７）を、それぞれ用い
た。
【０１４１】又、真空ポンプとしてアルカテル社製のド
ライポンプを用いた。
ライポンプを用いた。
【０１４２】図１４に上記スロットルバルブの可動弁座
の開き角と排気速度の関係を示す。図１４に示すよう
に、このバルブは０ｄｅｇ．／４５ｄｅｇ．の開き角の
範囲内でコンダクタンスを漸増し得る。
の開き角と排気速度の関係を示す。図１４に示すよう
に、このバルブは０ｄｅｇ．／４５ｄｅｇ．の開き角の
範囲内でコンダクタンスを漸増し得る。
【０１４３】上記スロットルバルブのコンダクタンス可
変範囲は０．７ｌ／秒〜３００ｌ／秒であるが、上記ド
ライポンプの排気速度の最大値が８４．４ｌ／秒である
為、約４５ｄｅｇ．の開き角でコンダクタンスは飽和し
ている。
変範囲は０．７ｌ／秒〜３００ｌ／秒であるが、上記ド
ライポンプの排気速度の最大値が８４．４ｌ／秒である
為、約４５ｄｅｇ．の開き角でコンダクタンスは飽和し
ている。
【０１４４】又、アッシング用のリアクタ（１、２０
１）として容積１２リットルの容器を用いた。
１）として容積１２リットルの容器を用いた。
【０１４５】被処理体として、８インチ（約２００ｍｍ
径）のＳｉウエハ上に硬化したホトレジストを有するも
のを用いた。
径）のＳｉウエハ上に硬化したホトレジストを有するも
のを用いた。
【０１４６】リアクタ１を開けて、ホトレジスト付Ｓｉ
ウエハを保持手段２の上に載置した。そして、リアクタ
１を閉めて、リアクタ１内を密封した。
ウエハを保持手段２の上に載置した。そして、リアクタ
１を閉めて、リアクタ１内を密封した。
【０１４７】そして、ドライポンプを動かした。バルブ
２０６、２０５を閉状態としたまま、バルブ２０４を開
いた。次にバルブ２０６を開いてバイパス排気路２２０
によるスロー排気を３秒間行った。
２０６、２０５を閉状態としたまま、バルブ２０４を開
いた。次にバルブ２０６を開いてバイパス排気路２２０
によるスロー排気を３秒間行った。
【０１４８】次に、バルブ２０５の弁座を７秒間かけて
開き角０ｄｅｇ．から９０ｄｅｇ．まで徐々に開いた。
開き角０ｄｅｇ．から９０ｄｅｇ．まで徐々に開いた。
【０１４９】すると、排気開始から７秒で約１．３Ｐａ
の圧力までリアクタ１内を排気できた。この時の減圧速
度及びリアクタ内圧力の経時変化を図１５に示す。
の圧力までリアクタ１内を排気できた。この時の減圧速
度及びリアクタ内圧力の経時変化を図１５に示す。
【０１５０】ここで、容積Ｖ（ｌ），初期圧力Ｐiの真
空容器を排気速度Ｓ（ｌ／ｓｅｃ）の排気系で排気する
場合、排気開始ｔ（ｓｅｃ）後の真空容器内の圧力Ｐ
（ｔ）は、以下の式で表される。
空容器を排気速度Ｓ（ｌ／ｓｅｃ）の排気系で排気する
場合、排気開始ｔ（ｓｅｃ）後の真空容器内の圧力Ｐ
（ｔ）は、以下の式で表される。
【０１５１】Ｐ（ｔ）＝Ｐiｅｘｐ〔−（Ｓ／Ｖ）ｔ〕 また、減圧速度は以下の式で表される。
【０１５２】−ｄＰ／ｄｔ＝〔Ｐ（ｔ）−Ｐi〕／ｔ
【０１５３】ステップ間隔０．１ｓｅｃとし、各ステッ
プ毎にその前のステップ計算データを用いて、上記式を
用いて圧力と減圧速度の計算を行い、時間に対してプロ
ットすることにより図１５に示す減圧速度曲線を求め
た。
プ毎にその前のステップ計算データを用いて、上記式を
用いて圧力と減圧速度の計算を行い、時間に対してプロ
ットすることにより図１５に示す減圧速度曲線を求め
た。
【０１５４】バルブ２０５を開く前までは、減圧速度は
２００Ｔｏｒｒ／秒から徐々に低下し、バルブを開く直
前には約９０Ｔｏｒｒ／秒の極小値をとっている。
２００Ｔｏｒｒ／秒から徐々に低下し、バルブを開く直
前には約９０Ｔｏｒｒ／秒の極小値をとっている。
【０１５５】この時、圧力は約３００Ｔｏｒｒである。
【０１５６】バルブ２０５を開き始めると減圧速度は徐
々に大きくなり、極大値に達した後、再び低下し始め
る。極大値に達した後は、主排気路のコンダクタンス
が、バイパス排気路よりも充分大きい為、圧力及び減圧
速度は急激に下降し、バルブ２０５の開動作途中（約７
秒後）には、圧力は目標到達値１．３Ｐａと成り、その
後は飽和する。
々に大きくなり、極大値に達した後、再び低下し始め
る。極大値に達した後は、主排気路のコンダクタンス
が、バイパス排気路よりも充分大きい為、圧力及び減圧
速度は急激に下降し、バルブ２０５の開動作途中（約７
秒後）には、圧力は目標到達値１．３Ｐａと成り、その
後は飽和する。
【０１５７】次に処理ガス導入手段から酸素をリアクタ
内にマスフローコントローラを通じて２Ｓｌｍ導入し、
リアクタ内の圧力を約１３３Ｐａとした。
内にマスフローコントローラを通じて２Ｓｌｍ導入し、
リアクタ内の圧力を約１３３Ｐａとした。
【０１５８】マイクロ波源より２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を発生させ図９のマイクロ波供給手段のスロットか
らリアクタ内にマイクロ波を供給し、グロー放電プラズ
マを発生させた。
ロ波を発生させ図９のマイクロ波供給手段のスロットか
らリアクタ内にマイクロ波を供給し、グロー放電プラズ
マを発生させた。
【０１５９】こうしてマイクロ波励起により得られたオ
ゾンを利用してＳｉウエハ上のホトレジストを灰化し
た。
ゾンを利用してＳｉウエハ上のホトレジストを灰化し
た。
【０１６０】灰化されたホトレジストの大部分はリアク
タ外へ排気され、Ｓｉウエハ上のホトレジストが除去さ
れた。
タ外へ排気され、Ｓｉウエハ上のホトレジストが除去さ
れた。
【０１６１】又、次のようにして排気タイミングを変え
て、上記同様の処理を行った。
て、上記同様の処理を行った。
【０１６２】排気コンダクタンス制御バルブとしてのス
ロットルバルブの開動作開始のタイミングを変え、バイ
パス排気路による排気を４秒又は５秒行った後に、５秒
間又は４秒間かけて、スロットルバルブを全閉状態から
全開状態に徐々に開いた。
ロットルバルブの開動作開始のタイミングを変え、バイ
パス排気路による排気を４秒又は５秒行った後に、５秒
間又は４秒間かけて、スロットルバルブを全閉状態から
全開状態に徐々に開いた。
【０１６３】いずれにおいても排気開始から７〜８秒以
内に目標圧力まで到達できた。
内に目標圧力まで到達できた。
【０１６４】しかも、減圧速度の極大値が、排気開始直
後の値（初期値）より大きくなることはなかった。
後の値（初期値）より大きくなることはなかった。
【０１６５】又、主排気を行う前にバイパス排気路を用
いて排気する代わりに、図８に示したような装置を用い
て、弁座に設けられた貫通孔を通してバイパス排気と等
価な排気を３乃至５秒行った後、排気コンダクタンス制
御バルブの開動作を７乃至４秒かけて行い、コンダクタ
ンスを漸増させる。この場合も、図６や図１５同様の減
圧速度曲線が得られる。
いて排気する代わりに、図８に示したような装置を用い
て、弁座に設けられた貫通孔を通してバイパス排気と等
価な排気を３乃至５秒行った後、排気コンダクタンス制
御バルブの開動作を７乃至４秒かけて行い、コンダクタ
ンスを漸増させる。この場合も、図６や図１５同様の減
圧速度曲線が得られる。
【０１６６】（参考例４） 図１に示した排気装置と図２の４に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用し、図１３に示したマルチチャ
ンバ式の装置のロードロック室を排気する例を示す。
タンス制御バルブを使用し、図１３に示したマルチチャ
ンバ式の装置のロードロック室を排気する例を示す。
【０１６７】ロードロック室１０１の容積は８リットル
とする。
とする。
【０１６８】被処理体が収容されたカセットをロードロ
ック室に搬入する。真空ポンプ１０３を動作させた。曲
面壁型排気コンダクタンス制御バルブを全閉状態にした
後、排気バルブを開く。次に排気コンダクタンス制御バ
ルブを徐々に開き始めロードロック室内を大気圧から排
気し始めた。この時排気コンダクタンス制御バルブのコ
ンダクタンスを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加させる。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏ
ｒｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られる。基体
を図１３の処理室８１のようなＣＶＤリアクタに搬入し
薄膜形成を行った。
ック室に搬入する。真空ポンプ１０３を動作させた。曲
面壁型排気コンダクタンス制御バルブを全閉状態にした
後、排気バルブを開く。次に排気コンダクタンス制御バ
ルブを徐々に開き始めロードロック室内を大気圧から排
気し始めた。この時排気コンダクタンス制御バルブのコ
ンダクタンスを徐々に略略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加させる。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏ
ｒｒ（約１．３３Ｐａ）以下の真空度が得られる。基体
を図１３の処理室８１のようなＣＶＤリアクタに搬入し
薄膜形成を行った。
【０１６９】得られるスループットは、６５枚／Ｈｏｕ
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いる場合のス
ループット６２枚／Ｈｏｕｒに比較して５％増の生産性
が得られる。
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いる場合のス
ループット６２枚／Ｈｏｕｒに比較して５％増の生産性
が得られる。
【０１７０】（参考例５） 図１に示した排気装置と図２の５に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用し、図１３に示したマルチチャ
ンバ式の装置のロードロック室を排気する例を示す。
タンス制御バルブを使用し、図１３に示したマルチチャ
ンバ式の装置のロードロック室を排気する例を示す。
【０１７１】ロードロック室としてのリアクタの容積は
８リットルである。
８リットルである。
【０１７２】処理用基体が収容されたカセットをロード
ロック室に搬入する。開口漸増型排気コンダクタンス制
御バルブを全閉状態にした後、排気バルブを開くことに
より、ロードロック室内を大気圧から排気し始める。排
気コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスを徐々に
略略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加する。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度が得られた。基体を図１３の処理室８１
のようなスパッタリングリアクタに搬入し薄膜形成を行
う。
ロック室に搬入する。開口漸増型排気コンダクタンス制
御バルブを全閉状態にした後、排気バルブを開くことに
より、ロードロック室内を大気圧から排気し始める。排
気コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスを徐々に
略略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加する。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度が得られた。基体を図１３の処理室８１
のようなスパッタリングリアクタに搬入し薄膜形成を行
う。
【０１７３】得られるスループットは、８５枚／Ｈｏｕ
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いる場合のス
ループット８２枚／Ｈｏｕｒに比較して４％増の生産性
が得られる。
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いる場合のス
ループット８２枚／Ｈｏｕｒに比較して４％増の生産性
が得られる。
【０１７４】（参考例６） 図１に示した排気装置と図２の３に示した排気コンダク
タンス制御バルブを使用し、金属堆積用のＣＶＤ装置の
ロードロック室を排気する例を示す。
タンス制御バルブを使用し、金属堆積用のＣＶＤ装置の
ロードロック室を排気する例を示す。
【０１７５】ロードロック室としてのリアクタの容積は
８リットルである。
８リットルである。
【０１７６】処理用基体が収容されたカセットをロード
ロック室に搬入する。曲面弁型排気コンダクタンス制御
バルブを全閉状態にした後、排気バルブを開くことによ
り、ロードロック室内を大気圧から排気し始める。排気
コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスを徐々に略
略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加する。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度が得られる。基体をＣＶＤリアクタに搬
入しその後、有機金属化合物のガスをリアクタに供給し
て金属膜形成を行う。
ロック室に搬入する。曲面弁型排気コンダクタンス制御
バルブを全閉状態にした後、排気バルブを開くことによ
り、ロードロック室内を大気圧から排気し始める。排気
コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスを徐々に略
略 Ｃ（ｔ）＝８／（５−ｔ） に従うように増加する。約７ｓｅｃ後に０．０１Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度が得られる。基体をＣＶＤリアクタに搬
入しその後、有機金属化合物のガスをリアクタに供給し
て金属膜形成を行う。
【０１７７】得られるスループットは、８５枚／Ｈｏｕ
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いた場合のス
ループット８２枚／Ｈｏｕｒに比較して４％増の生産性
が得られる。以上は、図１の排気装置をロードロックの
排気に用いる例であるが、図４の排気装置を用いてロー
ドロック室の排気を行うこともできる。
ｒで、排気方法として従来の排気方法を用いた場合のス
ループット８２枚／Ｈｏｕｒに比較して４％増の生産性
が得られる。以上は、図１の排気装置をロードロックの
排気に用いる例であるが、図４の排気装置を用いてロー
ドロック室の排気を行うこともできる。
【０１７８】
【発明の効果】以上説明したように、排気コンダクタン
ス制御バルブのコンダクタンスを排気時間に対して連続
的に増加せしめる、特に、コンダクタンスを、排気時間
に対して、連続的に増加せしめることにより、パーティ
クル発生を抑えた上で、高速ソフト排気が実現可能にな
る方法及び装置を提供できる。
ス制御バルブのコンダクタンスを排気時間に対して連続
的に増加せしめる、特に、コンダクタンスを、排気時間
に対して、連続的に増加せしめることにより、パーティ
クル発生を抑えた上で、高速ソフト排気が実現可能にな
る方法及び装置を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態による排気装置を示す模式
図。
図。
【図２】本発明に用いられる各種の排気コンダクタンス
制御バルブの構造を示す模式図。
制御バルブの構造を示す模式図。
【図３】本発明に用いられる２値制御される排気バルブ
の構造を示す模式図。
の構造を示す模式図。
【図４】本発明の別の実施の形態による排気装置を示す
模式図。
模式図。
【図５】減圧速度の時間依存性（減圧速度曲線）の例を
示す図。
示す図。
【図６】本発明の好適な実施の形態による減圧速度の時
間依存性（減圧速度曲線）の例を示す図。
間依存性（減圧速度曲線）の例を示す図。
【図７】本発明の好適な実施の形態による排気方法のフ
ローチャートを示す図。
ローチャートを示す図。
【図８】本発明の別の実施の形態による排気装置と排気
コンダクタンス制御バルブを示す模式図。
コンダクタンス制御バルブを示す模式図。
【図９】本発明に用いられる真空装置の一例を示す模式
的断面図。
的断面図。
【図１０】図９に示す真空装置のマイクロ波供給手段の
構造を示す模式図。
構造を示す模式図。
【図１１】図９に示す真空装置のマイクロ波供給手段の
導波管接続部の構造を示す模式図。
導波管接続部の構造を示す模式図。
【図１２】図９に示す真空装置のマイクロ波供給手段の
スロットの構造を示す模式図。
スロットの構造を示す模式図。
【図１３】本発明を適用しうるロードロック室付き真空
装置の模式図。
装置の模式図。
【図１４】本発明に用いられる排気コンダクタンス制御
バルブの排気速度の弁座開き角依存性のグラフを示す
図。
バルブの排気速度の弁座開き角依存性のグラフを示す
図。
【図１５】本発明の一実施例による減圧速度の時間依存
性（減圧速度曲線）の例を示す図。
性（減圧速度曲線）の例を示す図。
【図１６】従来の真空装置の一例を示す模式図。
【図１７】従来の真空装置の別の例を示す模式図。
１、２、３、４、５、６ 排気コンダクタンス制御バル
ブ １２、２２、３２、４２、５２ 可動弁座 １０１、２０１ 真空容器（リアクタ） １０３、２０３ 真空ポンプ １０５、２０５ 排気コンダクタンス制御バルブ １０６、２０６ 排気バルブ １１６、２１６ 処理ガス導入手段 ２０４ バイパス排気バルブ ２２０ バイパス排気路 ２２１ 主排気路 ２２２ 排気路
ブ １２、２２、３２、４２、５２ 可動弁座 １０１、２０１ 真空容器（リアクタ） １０３、２０３ 真空ポンプ １０５、２０５ 排気コンダクタンス制御バルブ １０６、２０６ 排気バルブ １１６、２１６ 処理ガス導入手段 ２０４ バイパス排気バルブ ２２０ バイパス排気路 ２２１ 主排気路 ２２２ 排気路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/203 21/205 21/205 21/30 ５７２Ａ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 14/00 C23F 4/00 H01L 21/02 H01L 21/027 H01L 21/203 H01L 21/205
Claims (30)
- 【請求項１】 真空容器内への処理ガスの導入前に、該
真空容器内を排気する排気方法において、 バイパス排気路を通して、該真空容器内圧力の減圧速度
が減圧開始直後から徐々に減少するように、排気を行う
第１の工程と、 該第１の工程の途中又は終了後に、主排気路に設けられ
た排気コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスが排
気時間とともに徐々に増加するように、該排気コンダク
タンス制御バルブを開く第2の工程を含み、 該真空容器内圧力の減圧速度曲線が極小値と極大値とを
有し、該極小値が減圧開始直後の値の０．２倍以上とな
り且つ該極大値が該減圧開始直後の値以下となるよう
に、該排気コンダクタンス制御バルブを開き始めるタイ
ミングを制御することを特徴とする排気方法。 - 【請求項２】 該真空容器内圧力の減圧速度の最大値が
４．０×１０4Ｐａ／秒以下である請求項１記載の排気
方法。 - 【請求項３】 該真空容器内圧力の減圧速度の最大値が
２．７×１０4Ｐａ／秒以下である請求項１記載の排気
方法。 - 【請求項４】 該真空容器内の排気開始初期の圧力は大
気圧である請求項１記載の排気方法。 - 【請求項５】 該排気コンダクタンス制御バルブとして
回転弁座式バルブを用い、その回転角速度を制御する請
求項１記載の排気方法。 - 【請求項６】 該排気コンダクタンス制御バルブとして
弁の形状が平板ではない回転弁座式バルブを用い、その
回転角速度が一定になるように制御する請求項１記載の
排気方法。 - 【請求項７】 該排気コンダクタンス制御バルブとして
移動弁座式バルブを用い、その移動速度を制御する請求
項１記載の排気方法。 - 【請求項８】 該排気コンダクタンス制御バルブとして
開口形状が矩形又は円形のいずれでもない移動弁座式バ
ルブを用い、その移動速度が一定になるように制御する
請求項１記載の排気方法。 - 【請求項９】 該排気コンダクタンス制御バルブとは別
のバルブが該排気コンダクタンス制御バルブと直列に設
けられている請求項１記載の排気方法。 - 【請求項１０】 該真空容器が所定の圧力に達した後、
該処理ガスを流量制御手段を介して該真空容器内に導入
し、該排気コンダクタンス制御バルブを制御することに
より、該真空容器内の圧力を維持する請求項１記載の排
気方法。 - 【請求項１１】 該真空容器はロードロック室であり、
該処理ガスはパージガスである請求項１記載の排気方
法。 - 【請求項１２】 請求項１記載の排気方法により排気さ
れた該真空容器内でプラズマ処理を行うプラズマ処理方
法。 - 【請求項１３】 該プラズマ処理はマイクロ波プラズマ
処理である請求項１２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１４】 該プラズマ処理はアッシングである請
求項１２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１５】 無終端環状導波路の平面状のＨ面に設
けられた複数のスロットからプラズマを発生させる為の
マイクロ波エネルギーを該真空容器内に供給するととも
に、被処理体を該Ｈ面に対向させて保持する請求項１２
記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１６】 真空容器内への処理ガスの導入前に、
該真空容器内を排気する為の排気装置において、 該真空容器内圧力の減圧速度が減圧開始直後から徐々に
減少するように排気を行うバイパス排気路と、 該バイパス排気路と並列に設けられた主排気路と、 該主排気路に設けられた排気コンダクタンス制御バルブ
と、 該バイパス排気路による排気工程の途中又は終了後に、
該排気コンダクタンス制御バルブのコンダクタンスが排
気時間とともに徐々に増加するように、該排気コンダク
タンス制御バルブを開く手段と、を備え、 該手段は、該真空容器内圧力の減圧速度曲線が極小値と
極大値とを有し、該極小値が減圧開始直後の値の０．２
倍以上となり且つ該極大値が該減圧開始直後の値以下と
なるように、該排気コンダクタンス制御バルブを開き始
めるタイミングを制御することを特徴とする排気装置。 - 【請求項１７】 該真空容器内圧力の減圧速度の最大値
が４．０×１０4Ｐａ／秒以下となるように制御する請
求項１６記載の排気装置。 - 【請求項１８】 該真空容器内圧力の減圧速度の最大値
が２．７×１０4Ｐａ／秒以下となるように制御する請
求項１６記載の排気装置。 - 【請求項１９】 該真空容器は大気開放型である請求項
１６記載の排気装置。 - 【請求項２０】 該排気コンダクタンス制御バルブは回
転弁座式バルブであり、その回転角速度を該手段により
制御する請求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２１】 該排気コンダクタンス制御バルブは弁
の形状が平板ではない回転弁座式バルブであり、その回
転角速度が一定になるように該手段により制御を行う請
求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２２】 該排気コンダクタンス制御バルブは移
動弁座式バルブであり、その移動速度を該手段により制
御する請求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２３】 該排気コンダクタンス制御バルブは開
口形状が矩形又は円形のいずれでもない移動弁座式バル
ブであり、その移動速度が一定になるように該手段によ
り制御を行う請求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２４】 該排気コンダクタンス制御バルブとは
別のバルブが該排気コンダクタンス制御バルブと直列に
設けられている請求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２５】 該真空容器が所定の圧力に達した後、
該処理ガスを流量制御手段を介して該真空容器内に導入
し、該排気コンダクタンス制御バルブを制御することに
より、該真空容器内の圧力を維持するコントローラーを
有する請求項１６記載の排気装置。 - 【請求項２６】 該真空容器はロードロック室であり、
該処理ガスはパージガスである請求項１６記載の排気装
置。 - 【請求項２７】 請求項１６記載の排気装置により排気
された該真空容器内でプラズマ処理を行うプラズマ処理
装置。 - 【請求項２８】 プラズマを発生させる為のマイクロ波
エネルギーを供給するマイクロ波供給手段を有する請求
項２７記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２９】 該プラズマ処理はアッシングである請
求項２７記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３０】 無終端環状導波路と該無終端環状導波
路の平面状のＨ面に設けられた複数のスロットとを有
し、プラズマを発生させる為のマイクロ波エネルギーを
該真空容器内に供給する為のマイクロ波供給手段と、被
処理体を該Ｈ面に対向させて保持する為の保持手段と、
を具備する請求項２７記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102611A JP2942239B2 (ja) | 1997-05-23 | 1998-04-14 | 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US09/081,021 US6080679A (en) | 1997-05-23 | 1998-05-19 | High-speed soft evacuation process and system |
| KR1019980018700A KR100294606B1 (ko) | 1997-05-23 | 1998-05-23 | 고속소프트배기방법및장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-133525 | 1997-05-23 | ||
| JP13352597 | 1997-05-23 | ||
| JP10102611A JP2942239B2 (ja) | 1997-05-23 | 1998-04-14 | 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140549A JPH1140549A (ja) | 1999-02-12 |
| JP2942239B2 true JP2942239B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=26443298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10102611A Expired - Fee Related JP2942239B2 (ja) | 1997-05-23 | 1998-04-14 | 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080679A (ja) |
| JP (1) | JP2942239B2 (ja) |
| KR (1) | KR100294606B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6299691B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for processing a substrate under a reduced pressure |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961079B1 (de) * | 1998-05-25 | 2002-10-23 | Alstom | Anordnung zum wahlweisen Einleiten von Brennstoff und/oder Wasser in eine Brennkammer |
| US6520218B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-02-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Container chemical guard |
| US7077159B1 (en) | 1998-12-23 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
| DE19929519A1 (de) * | 1999-06-28 | 2001-01-04 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Mehrkammer-Vakuumanlage |
| US6652709B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method |
| US6598615B1 (en) * | 2000-11-07 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Compact independent pressure control and vacuum isolation for a turbomolecular pumped plasma reaction chamber |
| US20050189074A1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-09-01 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus and method and computer storage medium storing program for controlling same |
| US20040094086A1 (en) * | 2001-03-29 | 2004-05-20 | Keiichi Shimaoka | Production device and production method for silicon-based structure |
| DE10159835B4 (de) * | 2001-12-06 | 2012-02-23 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Vakuumpumpsystem |
| GB0214273D0 (en) * | 2002-06-20 | 2002-07-31 | Boc Group Plc | Apparatus for controlling the pressure in a process chamber and method of operating same |
| CN1791699B (zh) * | 2003-05-19 | 2010-04-28 | 株式会社大岛电机制作所 | 成型体的成膜方法、被成膜成型体的制造方法及被成膜成型体制造用膜具 |
| EP1780414B1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-08-13 | Helix Technology Corporation | Integration of automated cryopump safety purge |
| GB0329933D0 (en) * | 2003-12-24 | 2004-01-28 | Boc Group Plc | Load lock |
| KR100697280B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법 |
| JP4731580B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2009252953A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP5084608B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2012-11-28 | コバレントマテリアル株式会社 | 減圧排気弁 |
| CN101779269B (zh) * | 2008-07-23 | 2014-05-07 | 新动力等离子体株式会社 | 多工件处理室以及包括该多工件处理室的工件处理系统 |
| JP5318533B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-10-16 | コバレントマテリアル株式会社 | 減圧排気弁 |
| JP5219206B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-06-26 | コバレントマテリアル株式会社 | 減圧排気弁 |
| JP2010153737A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP5634037B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-12-03 | 三菱重工業株式会社 | 排気構造、プラズマ処理装置及び方法 |
| US8877291B2 (en) | 2010-06-16 | 2014-11-04 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing thin film which suppresses unnecessary scattering and deposition of a source material |
| WO2011158452A1 (ja) | 2010-06-16 | 2011-12-22 | パナソニック株式会社 | 薄膜の製造方法 |
| US9418880B2 (en) * | 2011-06-30 | 2016-08-16 | Semes Co., Ltd. | Apparatuses and methods for treating substrate |
| US8880210B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing substrates using model-based control |
| US9267605B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-02-23 | Lam Research Corporation | Pressure control valve assembly of plasma processing chamber and rapid alternating process |
| JP2016035086A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及びその真空排気方法 |
| CN105390362B (zh) * | 2015-10-29 | 2017-06-23 | 上海华力微电子有限公司 | 用于更换压力控制阀上的o型圈的系统及方法 |
| JP6738485B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2020-08-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 低圧リフトピンキャビティハードウェア |
| US10559451B2 (en) * | 2017-02-15 | 2020-02-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898916A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2662695B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1997-10-15 | 住友電気工業株式会社 | 気相結晶成長装置 |
| JPH03116413A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH03157585A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Hitachi Ltd | 真空装置およびその使用方法 |
| JPH0830260B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1996-03-27 | アネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
| JPH04196313A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Kawasaki Steel Corp | 半導体製造装置 |
| JPH04305244A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Canon Inc | 照明装置とこれによる光励起プロセス装置 |
| JP3323530B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2004089046A1 (ja) * | 1991-11-05 | 2004-10-14 | Nobumasa Suzuki | 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置 |
| US5223001A (en) * | 1991-11-21 | 1993-06-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
| US5433238A (en) * | 1992-12-18 | 1995-07-18 | Vlsi Technology, Inc. | Pumping system for evacuating reactor chambers |
| JP3347794B2 (ja) * | 1993-01-25 | 2002-11-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
| US5981399A (en) * | 1995-02-15 | 1999-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for fabricating semiconductor devices |
| US5556473A (en) * | 1995-10-27 | 1996-09-17 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including dry vacuum pump system and downstream cold trap |
| US5803975A (en) * | 1996-03-01 | 1998-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma processing apparatus and method therefor |
| JP3199162B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2001-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 連続真空処理装置 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10102611A patent/JP2942239B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-19 US US09/081,021 patent/US6080679A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-23 KR KR1019980018700A patent/KR100294606B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6299691B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for processing a substrate under a reduced pressure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6080679A (en) | 2000-06-27 |
| JPH1140549A (ja) | 1999-02-12 |
| KR100294606B1 (ko) | 2001-08-07 |
| KR19980087321A (ko) | 1998-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2942239B2 (ja) | 排気方法及び排気装置、それを用いたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR102460164B1 (ko) | 에칭 방법 | |
| US8980758B1 (en) | Methods for etching an etching stop layer utilizing a cyclical etching process | |
| JP5253149B2 (ja) | プラズマ加速原子層成膜のシステムおよび方法 | |
| US6143128A (en) | Apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof | |
| KR102385488B1 (ko) | 피처리체를 처리하는 방법 | |
| US5242539A (en) | Plasma treatment method and apparatus | |
| US11328904B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP4979576B2 (ja) | プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置 | |
| US5627105A (en) | Plasma etch process and TiSix layers made using the process | |
| JP6366454B2 (ja) | 被処理体を処理する方法 | |
| WO2019003663A1 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| KR20090037465A (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
| KR102363778B1 (ko) | 에칭 방법 | |
| WO2009048792A1 (en) | Neutral beam source and method for plasma heating | |
| JPH05269361A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3447647B2 (ja) | 試料のエッチング方法 | |
| JP3472456B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH10233388A (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| TW202008464A (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| CN113767453B (zh) | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | |
| TWI832350B (zh) | 基板處理設備及驅動門組合件的方法 | |
| JPH04196321A (ja) | 成膜方法および装置 | |
| JPS62229841A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3321584B2 (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |