JP5634037B2 - 排気構造、プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents

Description

本発明は、真空容器内を排気するための排気構造、プラズマ処理装置及び方法に関する。

真空容器の底部に排気口を設け、当該排気口の直下にターボ分子ポンプ等の真空ポンプを設け、真空容器内の雰囲気を均一に排気して、プロセス処理の均一性を向上させる処理装置が、従来技術として知られている（特許文献１、２）。

特開平９−１６７７６２号公報 特開２００２−２０８５８４号公報

真空容器と真空ポンプとの間には、真空容器内の圧力制御のため、圧力制御弁が用いられている。近年は、基板の大口径化に伴い、ターボ分子ポンプによる効率的な排気を行うため、振り子式ゲート弁が用いられている。このような構成を有する従来のプラズマ処理装置の断面図を図４に示し、その概略と問題点を説明する。なお、ここでは、処理装置の一例として、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を示して説明を行う。又、図４において、プラズマ発生機構、ガス供給機構、基板支持構造等の図示は省略する。

図４に示すように、従来のプラズマ処理装置３０は、内部が真空にされる円筒状の真空チャンバ３１と、真空チャンバ３１の内部に配置され、基板３３を載置する載置台３２と、接続部材３４を介して、真空チャンバ３１の下部に接続され、真空チャンバ３１内部の圧力の制御を行う振り子式ゲート弁３５と、振り子式ゲート弁３５の下部に接続され、真空チャンバ３１内部の雰囲気を排気するターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump;以降、ＴＭＰと呼ぶ。）３７とを有している。接続部材３４は、真空チャンバ３１の下部へ取り付けられており、振り子式ゲート弁３５は、上方から差し込まれたボルト３６により、接続部材３４のフランジ３４ｃに取り付けられており、ＴＭＰ３７は、下方から差し込まれたボルト３６により、ＴＭＰ３７自体のフランジが振り子式ゲート弁３５に取り付けられている。又、真空チャンバ３１内部の粗引きのために、真空チャンバ３１の側壁のポート３１ａには粗引き配管３８が接続されており、バルブ３９及び排気配管４１を介して、粗引き用真空ポンプ４２と接続されている。この排気配管４１は、バルブ４０を介して、ＴＭＰ３７の排気ポートに接続されている。

そして、プラズマ処理装置３０では、載置台３２上に基板３３を載置し、所望のガスを真空チャンバ３１内部に供給し、図示していない圧力制御装置により、振り子式ゲート弁３５の開口部３５ａの開口率を弁体３５ｂで制御することにより、真空チャンバ３１内部の圧力を制御し、真空チャンバ３１内にプラズマを生成することにより、基板３３に所望のプラズマ処理を施している。

ここで、真空チャンバ３１、接続部材３４、振り子式ゲート弁３５の接続位置について、上方から見た図を図５に示す。この図５は、図４におけるＢ−Ｂ線矢視断面図になる。図５に示すように、円筒状の真空チャンバ３１の軸中心Ｃｃに、接続部材３４の開口部３４ａの中心及び振り子式ゲート弁３５の開口部３５ａの中心が一致するように、接続部材３４、振り子式ゲート弁３５は配置されており、又、ＴＭＰ３７の接続部中心も軸中心Ｃｃに一致するように配置されている。

上記位置関係となるように配置すれば、振り子式ゲート弁３５の開口部３５ａが全開の場合には、真空チャンバ３１内の雰囲気を均一に排気することができる。しかしながら、真空チャンバ３１内部を所望の圧力に制御する場合には、開口部３５ａが全開となることはなく、通常は、開口部３５ａの一部を弁体３５ｂにより閉じ、その開口率を制御することにより、所望の圧力に制御している。そして、振り子式ゲート弁３５における開口部３５ａの開口領域Ｍは、円形の開口部３５ａに対する円形の弁体３５ｂの移動により、皆既日食のように変化していくため、排気の偏りが生じている。

例えば、振り子式ゲート弁３５における開口率の使用推奨値の中心値が３０％である場合には、図５に示すように、開口領域Ｍは、開口部３５ａの一方側に偏った三日月状であり、その面積中心Ｍｃは、当然ながら、軸中心Ｃｃとは一致していない。従って、実際のプロセス時においては、真空チャンバ３１に対して、均一な排気がなされておらず、偏った排気がなされており、そのために、プロセスへ悪い影響を及ぼすおそれがある。

又、振り子式ゲート弁３５を用いる場合には、その構造上、以下のような問題も生じていた。
振り子式ゲート弁３５には、弁体３５ｂのメンテナンスのため、弁体３５ｂの待機部３５ｅが設けられており、回転軸３５ｃを中心に弁体３５ｂを回転させることにより、弁体３５ｃを待機部３５ｅの位置へ移動させている（図中の点線部分参照）。そして、フランジ３５ｄにおいて、待機部３５ｅを取り外すことにより、弁体３５ｂのメンテナンスが可能となる。従って、メンテナンスのためには、待機部３５ｅは、真空チャンバ３１の側壁より外側に配置することが望ましい。ところが、近年の基板の大口径化に伴い、真空チャンバ３１の大きさ（直径）は大きくなってきた。ＴＭＰや振り子式ゲート弁の開口部の径は、十分な排気能力があれば大きくする必要性が無いため、真空チャンバ３１の軸中心Ｃｃと振り子式ゲート弁３５の開口部３５ａの中心とを一致するように配置すると、待機部３５ｅの一部が真空チャンバ３１の側壁より内側に入り込んでしまい、メンテナンス性の低下を招いていた。ＴＭＰや振り子式ゲート弁の開口部の径を真空チャンバの直径に合わせて大きくした場合は、ＴＭＰや振り子式ゲート弁の高さが高くなるため、基板の搬送高さも高くする必要が生じる。搬送高さに応じて装置全体の高さを上げることは、基板を扱う上で人間工学的な見地から避けるべきである。

又、上述したように、待機部３５ｅは、外部からアクセスできる位置に配置しているが、振り子式ゲート弁３５を接続部材３４に取り付けるボルト３６のうち、待機部３５ｅの反対側にあるボルト３６は、処理装置の奥に位置することになり、そのボルト３６の締め付け、取り外しが困難となってしまっていた。

更に、真空チャンバ３１の直下に、振り子式ゲート弁３５、ＴＭＰ３７を配置しているため、粗引き配管３８、バルブ３９は、真空チャンバ３１の側壁に接続せざるを得ず、メンテナンス性の低下を招くと共に、空間の有効利用の点では効率が良いものでは無かった。

本発明は上記課題に鑑みなされたもので、均一な排気を可能とすると共に、メンテナンス性を向上させた排気構造、プラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決する第１の発明に係る排気構造は、
円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内に載置した処理対象物に所望の処理を施す処理装置に用いられる排気構造であって、
前記真空容器の軸中心に対して、前記振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心が、前記振り子式ゲート弁の開口部の開閉を行う弁体の開方向に偏心するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第２の発明に係る排気構造は、
円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内に載置した処理対象物に所望の処理を施す処理装置に用いられる排気構造であって、
前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第３の発明に係る排気構造は、
上記第１又は第２の発明に記載の排気構造において、
前記振り子式ゲート弁の側方に隣接して、前記接続部材の前記傾斜部に他の真空ポンプへの排気配管や弁を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第４の発明に係るプラズマ処理装置は、
所望のガスが内部に供給される円筒状の真空容器と、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と、前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記真空容器内の圧力を制御し、前記ガスのプラズマを生成して、前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記真空容器の軸中心に対して、前記振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心が、前記振り子式ゲート弁の開口部の開閉を行う弁体の開方向に偏心するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第５の発明に係るプラズマ処理装置は、
所望のガスが内部に供給される円筒状の真空容器と、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と、前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記真空容器内の圧力を制御し、前記ガスのプラズマを生成して、前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第６の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第４又は第５の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記振り子式ゲート弁の側方に隣接して、前記接続部材の前記傾斜部に他の真空ポンプへの排気配管や弁を設けたことを特徴とする。

上記課題を解決する第７の発明に係るプラズマ処理方法は、
上記第４〜第６の発明のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記真空容器内にガスを供給し、
前記圧力制御弁及び前記真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御し、
前記ガスのプラズマを生成し、
前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする。

第１の発明によれば、真空容器の軸中心に対して、振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心が弁体の開方向に偏心するように、傾斜部を設けた接続部材を介して、振り子式ゲート弁を真空容器に取り付けたので、従来の排気構造、即ち、真空容器の軸中心と振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心とを一致するように配置した場合と比較して、処理時の排気の流れがより均一になる。又、振り子式ゲート弁を偏心して真空容器に取り付けた結果、メンテナンスの際に取り外す振り子式ゲート弁の待機部や振り子式ゲート弁を真空容器に取り付けるボルトが、従来と比較して、より外側に配置されることになり、メンテナンスが容易となる。又、振り子式ゲート弁を偏心して真空容器に取り付けても、接続部材の傾斜部により、ガスがスムーズに排気される構造とすることができる。

第２の発明によれば、振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が真空容器の軸中心に一致するように、傾斜部を設けた接続部材を介して、振り子式ゲート弁を偏心して真空容器に取り付けたので、従来の排気構造と比較して、処理時の排気の流れがより均一になる。又、振り子式ゲート弁を偏心して真空容器に取り付けた結果、メンテナンスの際に取り外す振り子式ゲート弁の待機部や振り子式ゲート弁を真空容器に取り付けるボルトが、従来と比較して、より外側に配置されることになり、メンテナンスが容易となる。又、振り子式ゲート弁を偏心して真空容器に取り付けても、接続部材の傾斜部により、ガスがスムーズに排気される構造とすることができる。

第３の発明によれば、振り子式ゲート弁の側方に隣接して、接続部材の傾斜部に他の真空ポンプへの排気配管を設けたので、処理装置内部の空間を効率的に使用することになり、又、当該排気配管へのアクセスも、従来と比較して、より容易となり、メンテナンス性が向上する。

第４〜第７の発明によれば、上記第１〜第３の発明に記載の排気構造をプラズマ処理装置及び方法に適用することにより、比較的高い圧力の真空度のプロセス、例えば、プラズマクリーニングの際に、排気の流れがより均一な状態でプロセスすることになり、プラズマクリーニングを偏り無く、均一に行うことができる。これにより、使用ガスの無駄を低減すると共に、プラズマによるチャンバ内面へのダメージの低減も図ることになる。

本発明に係る排気構造の実施形態の一例を示す断面図であり、プラズマＣＶＤ装置における排気構造を図示している。 図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。 図１に示した接続部材の変形例を示す斜視図である。 従来のプラズマ処理装置の断面図である。 図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。

本発明に係る排気構造、プラズマ処理装置及び方法の実施形態例について、図１〜図３を参照して、その説明を行う。なお、ここでは、一例として、プラズマＣＶＤ装置を例示するが、プラズマＣＶＤ装置に限らず、プラズマエッチング装置にも適用可能であり、更には、真空容器内において、均一な排気を必要とする装置であれば、他の処理装置にも適用可能である。

（実施例１）
図１、図２は、本発明に係る排気構造の実施形態の一例を示す断面図であり、図１は、プラズマＣＶＤ装置における排気構造を図示し、図２は、図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。なお、図１、図２において、プラズマ発生機構、ガス供給機構等の図示は省略している。

図１に示すように、本実施例のプラズマ処理装置１０は、内部に所望のガスが供給されると共に、内部の圧力が制御される円筒状の真空チャンバ（真空容器）１１と、真空チャンバ１１の内部に配置され、所望の処理が施される基板（処理対象物）１３を載置する載置台１２と、接続部材１４を介して、真空チャンバ１１の下部に取り付けられ、真空チャンバ１１内部の圧力の制御を行う振り子式ゲート弁１５と、振り子式ゲート弁１５の下部に取り付けられ、真空チャンバ１１内部の雰囲気を排気するＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）１７とを有している。なお、載置台１２は円筒状の形状であり、その下部が真空チャンバ１１の側壁に確実に支持される構造であるが、ここでは、その図示は省略する。又、接続部材１４は、真空チャンバ１１の下部へ取り付けられており、振り子式ゲート弁１５は、上方から差し込まれたボルト１６により、接続部材１４のフランジ１４ｃに取り付けられており、ＴＭＰ１７は、下方から差し込まれたボルト１６により、ＴＭＰ１７自体のフランジが振り子式ゲート弁１５に取り付けられている。

そして、本実施例においては、振り子式ゲート弁１５を偏心して真空チャンバ１１に取り付けている。具体的には、図２に示すように、円筒状の真空チャンバ１１の軸中心Ｃｃと振り子式ゲート弁１５の開口領域Ｍの面積中心Ｍｃが一致するように、振り子式ゲート弁１５は配置されている。開口領域Ｍは、振り子式ゲート弁１５の開口率により当然ながら変化するが、本実施例では、振り子式ゲート弁１５における開口率の使用推奨値（１０％〜５０％）の中心値３０％の開口領域Ｍを基準にして、その開口領域Ｍの面積中心Ｍｃを求め、軸中心Ｃｃと面積中心Ｍｃが一致するように、振り子式ゲート弁１５を偏心配置している。従って、振り子式ゲート弁１５の開口部１５ａの全開時の中心Ｇｃは、真空チャンバ１１の軸中心Ｃｃに対して、開口部１５ａの開閉を行う弁体１５ｂの開方向Ｄに偏心することになる。なお、ＴＭＰ１７の接続部中心は、振り子式ゲート弁１５の開口部１５ａの中心と一致するように配置されている。

従って、上記位置関係となるように配置すれば、振り子式ゲート弁１５における開口率を３０％近傍で制御して、真空チャンバ１１内部を所望の圧力に制御するときには、真空チャンバ３１内の雰囲気を均一に排気することができる。３０％から離れた開口率で、真空チャンバ１１内部を所望の圧力に制御するときには、開口率３０％のときと比較して、やや不均一にはなるが、その場合でも、従来の場合より均一に排気することができる。

この効果は、比較的高い圧力の真空度のプロセスで顕著に表れる。例えば、プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマクリーニングは、比較的高い圧力の真空度で実施される。従来は、プラズマクリーニングに偏りがあり、所定のクリーニングを実施するために、余分なガスを消費したり、一部余分にクリーニングが行われて、プラズマダメージが発生したりすることがあった。これに対し、本実施例では、上述した排気構造を用いることにより、真空チャンバ１１、載置台１２に対して、均一なプラズマクリーニングが施され、その結果、無駄なガスの使用やプラズマによるダメージが低減され、メンテナンス頻度の低減や部品の長寿命化を図ることができる。

又、振り子式ゲート弁１５を偏心して取り付けたために、接続部材１４の開口部１４ａも偏心して設けており、この偏心方向も、弁体１５ｂの開方向Ｄに偏心させている。その結果、偏心させた反対側の部分にスペースが生まれ、振り子式ゲート弁１５の側方に隣接して、真空チャンバ１１の下部に、粗引き用排気配管１８のためのポート１４ｂを設けたり、ポートが真空チャンバ１１の側壁にあっても真空チャンバ１１の直下に粗引き配管１８、バルブ（弁）１９等を配置したりすることが可能となる。そこで、本実施例では、真空チャンバ１１内部の粗引きのために、真空チャンバ１１の側壁ではなく、その底部となるポート１４ｂに、粗引き配管１８を接続し、バルブ１９及び排気配管２１を介して、粗引き用真空ポンプ２２と接続しており、又、バルブ２０を介して、ＴＭＰ１７の排気ポートに排気配管２１を接続している。このように、真空チャンバ１１の直下に粗引き配管１８、バルブ１９等を配置することができ、処理装置の内部空間に、ＴＭＰ１７等と共に効率的に配置することが可能となる。

又、振り子式ゲート弁１５を偏心して接続しているため、従来と比較して、真空チャンバ１１の側壁から、弁体１５ｂの待機部１５ｅをより外側に配置することになる。従って、フランジ１５ｄの位置もより外側となり、待機部１５ｅへのアクセスも容易となる。従って、回転軸１５ｃを中心に弁体１５ｂを回転させて、弁体１５ｂを待機部１５ｅの位置へ移動させることにより、弁体１５ｂへのメンテナンスが可能となり、振り子式ゲート弁１５に対するメンテナンス性を向上させることもできる。

振り子式ゲート弁１５を偏心して接続していることは、待機部１５ｅの反対側にあるボルト１６を、従来と比較して、より手前側に配置することになり、そのボルト１６の締め付け、取り外しの困難性を低減させることもできる。

なお、図１、図２において、接続部材１４は、円形平板状の部材に偏心した開口部１４ａを設けた単純な構造であったが、よりスムーズな排気を行うため、図３に示す接続部材２４のような構成としてもよい。接続部材２４は、具体的には、接続部材１４と同様に、偏心した開口部２４ａ、粗引き配管用のポート２４ｂを有するものであるが、接続部材２４の上部の開口部分から開口部２４ａにかけて、傾斜部２４ｃが形成されており、開口部２４ａに向かって、スムーズに排気される構造となっている。なお、接続部材２４においては、上部フランジ２４ｄが真空チャンバ１１へ接続され、下部フランジ２４ｅが振り子式ゲート弁１５へ接続される。

本発明は、半導体装置の製造に用いるプラズマＣＶＤやプラズマエッチング等のプラズマ処理装置及び方法に好適なものであるが、真空容器の下部に排気口を有する装置であれば、半導体装置の製造に限らず、他のものを製造する装置にも適用可能である。

１０ プラズマＣＶＤ装置
１１ 真空チャンバ
１２ 載置台
１３ 基板
１４、２４ 接続部材
１５ 振り子式ゲート弁
１６ ボルト
１７ ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）
１８ 粗引き配管
１９、２０ バルブ
２１ 排気配管
２２ 真空ポンプ

Claims (7)

1. 円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内に載置した処理対象物に所望の処理を施す処理装置に用いられる排気構造であって、
   前記真空容器の軸中心に対して、前記振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心が、前記振り子式ゲート弁の開口部の開閉を行う弁体の開方向に偏心するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
   前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする排気構造。
2. 円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内に載置した処理対象物に所望の処理を施す処理装置に用いられる排気構造であって、
   前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
   前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とする排気構造。
3. 請求項１又は請求項２に記載の排気構造において、
   前記振り子式ゲート弁の側方に隣接して、前記接続部材の前記傾斜部に他の真空ポンプへの排気配管や弁を設けたことを特徴とする排気構造。
4. 所望のガスが内部に供給される円筒状の真空容器と、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と、前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記真空容器内の圧力を制御し、前記ガスのプラズマを生成して、前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
   前記真空容器の軸中心に対して、前記振り子式ゲート弁の開口部の全開時の中心が、前記振り子式ゲート弁の開口部の開閉を行う弁体の開方向に偏心するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
   前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 所望のガスが内部に供給される円筒状の真空容器と、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と、前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記真空容器内の圧力を制御し、前記ガスのプラズマを生成して、前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
   前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、接続部材を介して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けると共に、
   前記接続部材において、前記真空容器に接続する上部フランジと前記振り子式ゲート弁に接続する下部フランジとの間に傾斜部を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 請求項４又は請求項５に記載のプラズマ処理装置において、
   前記振り子式ゲート弁の側方に隣接して、前記接続部材の前記傾斜部に他の真空ポンプへの排気配管や弁を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 請求項４から請求項６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
   前記真空容器内にガスを供給し、
   前記圧力制御弁及び前記真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御し、
   前記ガスのプラズマを生成し、
   前記真空容器内に載置した基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。

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