CN109563617B - 低压升降杆腔硬件 - Google Patents

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Abstract

本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。第一泵路径将处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的排气口。第二泵路径将基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的抽气区域。第一阀位于第一泵路径中。第一阀可在第一状态和第二状态之间配置。第二阀位于第二泵路径中。第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。

Description

低压升降杆腔硬件
技术领域
本文所述的实施例总的来说涉及等离子体处理设备，且更具体地涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。
背景技术
通常通过一系列的工艺步骤制造电子器件(诸如平板显示器和集成电路)，其中将层沉积在基板上，并将所沉积的材料蚀刻成所希望的图案。工艺步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。具体而言，等离子体工艺包括将工艺气体混合物供应到真空腔室，以及施加电功率或电磁功率(RF功率)以将工艺气体激发成等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行所希望的沉积或蚀刻工艺的离子物质。
在某些蚀刻应用中，处理设备以非常高的偏压功率运行，这导致经配置用于支撑基板的下电极中演生出大的RF电压。下电极包括形成在其中的开口，所述开口允许升降杆穿过下电极。当高RF电压与开口中的高压结合时，所述高RF电压会导致下电极中的不希望的等离子体放电(即“点亮(light up)”)或电弧，这会造成灾难性故障。常规的系统在开口和泵之间形成泵路径，以在处理期间降低开口中的压力。然而，这样的连续泵送(诸如当不再存在有基板时)引起泵送等离子体副产品，这会导致对腔室部件的侵蚀。
因此，需要改进的泵送系统。
发明内容
本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。所述第一泵路径将所述处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的排气口。所述第二泵路径将所述基板支撑组件的开口耦接至所述处理腔室的抽气区域。所述第一阀位于所述第一泵路径中。所述第一阀在第一状态和第二状态之间配置。所述第二阀位于所述第二泵路径中。所述第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。
在另一个实施例中，本文公开了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括盖组件、腔室主体、基板支撑组件、排气组件、排气口和泵送系统。所述盖组件和腔室主体包围处理区域。所述基板支撑组件设置在所述腔室主体中。所述基板支撑组件具有形成在所述基板支撑组件中的开口。所述排气组件限定所述腔室主体内的抽气区域。所述腔室主体包括绕所述基板支撑组件的中心轴对称设置的多个通道，所述多个通道将所述处理区域与所述抽气区域流体连接。所述排气口穿过腔室主体形成。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。所述第一泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的所述排气口。所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述开口耦接至所述处理腔室的所述抽气区域。所述第一阀位于所述第一泵路径中。所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置。所述第二阀位于所述第二泵路径中。所述第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。
在另一个实施例中，本文公开了一种处理基板的方法。打开第一泵路径，所述第一泵路径被界定在等离子体处理设备的基板支撑组件的开口与所述等离子体处理设备的排气口之间。对所述基板施行处理步骤。关闭所述第一泵路径并打开第二泵路径，所述第二泵路径界定在所述基板支撑组件的所述开口至所述等离子体处理设备的抽气区域之间。在所述等离子体处理设备中施行清洗工艺。
附图说明
为了以能够详细理解本发明的以上记载特征的方式，可以通过参考实施例来对以上简要概括的本公开文本的实施例进行更具体的描述，这些实施例中的一些在所附附图中被示出。然而，值得注意的是，附图仅示出了本公开文本的典型实施例，而由于本公开文本可允许其他等效的实施例，因此附图并不会视为对本公开文本范围的限制。
图1示出根据一个实施例的具有改进泵送系统的处理腔室的截面图。
图2示出根据一个实施例的图1的处理腔室的简化示图。
图3是根据一个实施例的处理基板的方法的流程图。
图4示出根据一个实施例的计算平台。
为了清楚起见，在可适用的情况下，使用相同的参考标记代表附图之间相同的元件。另外，一个实施例的元件可以有利地适用于在本文中所述的其他实施例中的使用。
具体实施方式
图1是根据一个实施例的等离子体处理设备100的示意性截面图，所述等离子体处理设备100具有耦接至升降杆体积的泵送系统150。等离子体处理设备100可以是等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他合适的真空处理腔室，诸如可自加州圣克拉拉的应用材料公司购得的Sym3处理腔室。
等离子体处理设备100总的来说包括源模块110、腔室主体组件140和排气组件190，所述源模块110、腔室主体组件140和排气组件190共同地包围处理区域102和抽气区域104。在实践中，将处理气体引入处理区域102中，并使用RF功率将处理气体点燃(ignite)为等离子体。基板105位于基板支撑组件160上并暴露于处理区域102中所产生的等离子体，以对基板105施行等离子体工艺(诸如蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、植入、等离子体退火、等离子体处理、消除或其他等离子体工艺)。通过排气组件190在处理区域102中保持真空，所述排气组件将所耗费的处理气体和副产品通过抽气区域104从等离子体工艺去除。
在一个实施例中，源模块110可以是电感耦合等离子体源。源模块110总的来说包括上电极112(或阳极)，所述上电极112与腔室主体组件140和腔室盖件114隔离且由腔室主体组件140和腔室盖件114支撑，所述腔室盖件114包围上电极112。上电极112可包括外线圈组件120和内线圈组件122。外线圈组件120和内线圈组件122可连接至射频(RF)电源124。可沿着腔室主体组件140的中心轴(CA)设置气体入口管126。所述气体入口管可与气体源132耦接以将一种或多种处理气体供应至处理区域102。
腔室主体组件140包括腔室主体142，所述腔室主体142由耐抗处理环境的导电材料制成。基板支撑组件160居中地设置在腔室主体142内。所述基板支撑组件经定位以在处理区域102中绕中心轴对称地支撑基板105。
通过设置在腔室主体142中的狭缝阀管道(tunnel)141进出处理区域102，所述狭缝阀管道141允许基板105进入及移除。上衬垫组件144具有穿过所述上衬垫组件144设置的槽151，所述槽151与狭缝阀管道141匹配以允许基板105穿过所述槽151。腔室主体组件140包括狭缝阀门组件191，所述狭缝阀门组件191包括致动器152，所述致动器152经定位及配置以使狭缝阀门153垂直地延伸以密封狭缝阀管道141和槽151，并且使狭缝阀门153垂直地缩回以允许经由狭缝阀管道141和槽151进出。可提供背衬垫，所述背衬垫附接于上衬垫组件144的槽并覆盖上衬垫组件144的槽。背衬垫还与上衬垫组件144导电接触，以保持与上衬垫组件144的电接触和热接触。
基板支撑组件160总的来说包括下电极161(或阴极)和中空基座162。基板支撑组件160由中心支撑构件157支撑，所述中心支撑构件157设置在中心区域156中并由腔室主体142支撑。通过匹配网络(未图示)和缆线(未图示)将下电极161耦接至RF电源124，所述缆线被布线穿过基座162。当将RF功率供应给上电极112和下电极161时，在上电极112和下电极161之间形成的电场将处理区域102中存在的处理气体点燃成为等离子体。
将中心支撑构件157(诸如通过紧固件和O形环(未图示))密封至腔室主体142。将下电极161(诸如通过波纹管)密封至中心支撑构件157。因此，将中心区域156与处理区域102密封隔开并且可将中心区域156保持在大气压力，而同时将处理区域102保持在真空状态。
致动组件163位于中心区域156内并附接于腔室主体142和/或中心支撑构件157。致动组件163包括致动器164(如电机)、导螺杆165和附接于基座162的螺母166。在实践中，致动器164旋转导螺杆165，导螺杆165进而升高或降低螺母166，从而升高或降低基座162。由于下电极161由基座162支撑，致动组件163提供下电极161相对于腔室主体142、中心支撑构件157和上电极112的垂直运动。下电极161在处理区域102内的这种垂直运动在下电极161和上电极112之间提供了可变缝隙，这允许增加对下电极161和上电极112之间形成的电场的控制，进而提供对处理区域102中形成的等离子体的密度的更大的控制。此外，由于基板105由下电极161支撑，所以也可改变基板105与喷头板116之间的缝隙，使得更好地控制跨基板105的工艺气体分配。
还提供了等离子体屏159(该等离子体屏159由下电极161支撑且与上衬垫组件144的内壁149重叠)以保护基板支撑组件160和波纹管158免受处理区域102中的等离子体影响。由于等离子体屏159与基座162耦接且与基座162一起垂直移动，所以等离子体屏159与上衬垫组件144的内壁149之间的重叠足以允许基座162在等离子体屏159与上衬垫组件144没有变为脱离的情况下享有全范围的运动，并允许基座162下方的区域暴露而变为暴露于工艺气体。
基板支撑组件160进一步包括升降杆组件167，以便于基板105的装载和卸除。升降杆组件167包括附接于升降杆板169的升降杆168。升降杆板169设置在下电极161内的开口170内，并且升降杆168延伸穿过设置在开口170与处理区域102之间的升降杆孔171。升降杆板169耦接至导螺杆172，所述导螺杆172延伸穿过下电极161中的孔洞173并进入中空基座162。致动器195(如电机)可位于基座162上。致动器195旋转螺母，所述螺母使导螺杆172推进或缩回。导螺杆172耦接至升降杆板169。由此，当致动器195使得导螺杆172升高或降低升降杆板169时，升降销168延伸或缩回。因此，无论下电极161如何垂直定位，致动器195皆允许升降杆168延伸或缩回。通过提供升降杆168的这种单独致动，基板105的垂直定位可与下电极161的垂直定位分开改变，从而允许在基板105的加载和卸除期间以及在基板105的处理期间对定位有更大的控制，例如通过在处理期间提升基板以允许背侧气体从基板下方逸出。
基板支撑组件160进一步包括泵送系统150。泵送系统150经配置用于泵送可能经由升降杆孔171泄漏到开口170中的任何处理气体。在某些蚀刻应用中，处理设备以非常高的偏压功率运行，这导致在下电极161中演生出大的RF电压。当高RF电压与开口170中的高压结合时，高RF电压会导致下电极161中的不希望的等离子体放电(即“点亮(light up)”)或电弧，这会造成灾难性故障。常规的泵送系统提供从开口170到抽气区域104或是从开口170到排气口196的单一泵路径。由于蚀刻应用中所需的高偏压功率，可调节开口170中的压力，以最小化寄生等离子体在其中的形成。
在第一常规泵送系统中，泵管路位于开口170与排气口196之间，以形成从开口170中的高压到排气口196的低压的低压泵送路径。尽管这充分地确保了低压开口170，但是当基板不再存在于下电极上时(例如，在清洗工艺期间)，从开口170到排气口196的持续泵送引起等离子体副产品被泵送穿过下电极161。穿过下电极161泵送等离子体副产品导致对腔室部件(诸如密封件、下电极本身和沿着泵路径的密封表面)的侵蚀。
在第二常规泵送系统中，排气管路位于开口170与抽气区域104之间。尽管这形成了简化的泵送路径，但是这种泵管路没有解决在基板处理期间降低开口170中的压力的问题。例如，耦接开口170与抽气区域104之间的泵管路仅在其中不存在有基板的工艺期间是有益的。当等离子体处理设备100中的压力不再均衡时，这种配置导致等离子体电弧和“点亮”。
改进的泵送系统150实现了第一和第二常规泵送系统的积极方面的优点，而没有第一和第二常规泵送系统两者的副作用。图2示出耦接至简化版本的等离子体处理设备100的改进的泵送系统150的示意图。改进的泵送系统150包括泵管路174、第一阀202和第二阀204。泵管路174在开口170与第一阀202和第二阀204之间形成泵路径。第二泵管路206在第一阀门202与排气口196之间延伸，形成第一平行泵路径208。第一阀202可在打开和关闭状态之间配置。第三泵管路214在第二阀204与抽气区域104之间延伸，形成第二平行泵路径212。第二阀204可在打开和关闭状态之间配置。改进的泵送系统150进一步包括耦接至第一阀202和第二阀204的控制器290。控制器290经配置用于控制第一阀202和第二阀204在打开和关闭状态之间的切换。
在操作中，在基板位于下电极161上的同时，第一阀202处于打开状态，并且第二阀204处于关闭状态。在打开状态下，第一阀202形成从开口170到排气口196的第一泵路径208。第一泵路径208形成从高压开口170到排气口196中的低压的低压路径，使得开口170中的压力降低，而同时在下电极161中演生出高的RF电压。由此，减小了等离子体放电和点亮的可能性。
当基板不再位于下电极161上时，控制器290将第一阀从打开状态切换到关闭状态，并且将第二阀204从关闭状态切换到打开状态。在打开状态下，第二阀204形成从开口170到抽气区域104的第二泵路径212。并非将等离子体副产品泵送穿过下电极161(这会导致对腔室部件的侵蚀)，而是第二泵路径212的形成通过将开口170耦接至排气口196均衡了开口170中的压力。
在第一泵路径208和第二泵路径212之间的切换允许改进的泵送系统150具有第一常规泵系统和第二常规泵系统的所有优点，而不具有它们中任一系统的致命性缺点(downfall)。改进的泵送系统150在具有高RF电压和高压的蚀刻工艺期间最小化下电极161的开口170中的寄生等离子体的形成，并当基板不再存在于腔室中时防止对腔室部件的侵蚀。
参考回图1，基板支撑组件160还可包括气体端口176，所述气体端口176设置成穿过基板支撑组件160且经由气体供应管线178耦接至惰性气体供应177。气体供应177将惰性气体(诸如氦气)通过气体供应管线178和气体端口176供应到基板105的背侧，以帮助防止处理气体处理基板105的背侧。还将气体供应管线178布线穿过中空基座162并通过多个出入管(access tube)180中的一个出入管从腔室主体142出来。
基板支撑组件160可进一步包括一个或多个流体入口管线179和流体出口管线181，流体入口管线179和流体出口管线181从热交换流体源198布线到下电极161中的一个或多个热交换通道(未图示)，以在处理期间为下电极161提供温度控制。流体入口管线179和流体出口管线181从下电极161布线穿过中空基座162并通过多个出入管180中的一个出入管从腔室主体142出来。
一个或多个出入管180在腔室主体组件140的辐条(spokes)(未图示)内。如图所示，绕等离子体处理设备100的中心轴(CA)以轮辐图案对称地布置辐条和出入管180。在所示的实施例中，三个相同的出入管180设置穿过腔室主体142到中心区域156中，以利于从腔室主体142的外部向下电极161供应多个管道和缆线。为了利于下电极161的垂直移动，穿过每个出入管180的开口183近似等于下电极161的垂直轨迹(vertical travel)。
为了进一步利于缆线布线到下电极161，在多个出入管180之间划分缆线布线。因此，在出入管180之间划分从腔室主体142的外部到下电极161所布缆线的数量和体积，以便最小化出入管180的尺寸，同时提供足够的空隙以利于下电极161的移动。
抽气通道绕中心轴(CA)对称地位于上衬垫组件144中。抽气通道188允许通过抽气区域104从处理区域102抽出气体，并且通过排气口196将气体排出腔室主体142。排气口196绕腔室主体组件140的中心轴(CA)定中心，使得气体均匀地被抽吸穿过抽气通道188。抽气衬垫187可分别位于设置在腔室主体142中的抽气通道188中的每个抽气通道188下方，以便在抽气期间保护腔室主体142免受处理气体影响。抽气衬垫187可由与如上所述的上衬垫组件144的材料类似的材料构成。
排气组件190位于邻近腔室主体142的底部处的抽气区域104。排气组件可包括耦接至真空泵194的节流阀192。节流阀192可以是与真空泵194相结合使用的提升式阀门(poppet style valve)，以通过经抽气通道188将排出气体从处理区域102对称地抽出并经置于中心的排气口196将排出气体抽离腔室来控制处理区域102内的真空条件，从而进一步提供对处理区域102中的等离子体条件更大的控制。如图1所示，提升式阀门提供了均匀的360度的缝隙，通过所述均匀的360度的缝隙将抽出气体经排气口196抽出。相比之下，常规的阻尼式节流阀对于排出气体的流动提供了不均匀的缝隙。例如，当阻尼式阀打开时，阀的一侧比阀的另一侧抽了更多的气体。因此，提升式节流阀相比于等离子体处理腔室中常规使用的传统阻尼式节流阀对偏斜气体传导(skewing gas conductance)具有较少的影响。
等离子体处理设备100进一步包括控制器136。控制器136经配置以有助于控制等离子体处理设备100的工艺参数。例如，控制器136可经配置用于执行最终用户针对待处理的基板所上传的工艺制法。控制器136可与控制器290进行通信，使得可实现对工艺参数及泵送系统150的有效控制。在一些实施例中，可将控制器136和控制器290结合为被配置用于管理工艺参数和泵送系统150这两者的单个控制器。
图3是示出根据一个实施例在等离子体处理设备(如等离子体处理设备100)中处理基板的方法300的流程图。方法300在框302处开始，在框302中基板已经定位在等离子体处理设备100中。在开始工艺步骤之前，控制器290将第一阀202配置为打开位置，并将第二阀204配置为关闭位置。相应地，控制器290打开从高压开口170到低压排气口196的第一泵路径208，同时关闭从开口170到抽气区域104的第二泵路径212。这样的配置有助于减少开口170中的压力，而同时在工艺步骤期间在下电极161中演生出高的RF电压。
在框304处，定位于等离子体处理设备100中的基板经历工艺步骤。例如，基板可经历以下工艺之一：等离子体蚀刻工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、等离子体处理工艺、离子植入工艺或任何其他合适的半导体制造工艺。
在框306处，在工艺步骤完成之后，基板经历解吸附工艺，所述解吸附工艺包含从下电极161机械地去除基板。在解吸附工艺期间，控制器290在第一泵路径208和第二泵路径212之间切换。相应地，控制器290将第一阀202从打开位置配置到关闭位置，并将第二阀204从关闭位置配置到打开位置。如此一来，开口170中的压力均衡了。
在框308处，在从等离子体处理设备100移除基板之后，设备经历清洁工艺。控制器290将第一阀202保持在关闭位置并将第二阀204保持在打开位置。如此一来，泵送系统150不会通过下电极161泵送等离子体副产品。这有助于防止对流动路径中的腔室部件的侵蚀。
在第一泵路径208和第二泵路径212之间的切换允许改进的泵送系统150具有第一常规泵系统和第二常规泵系统的所有益处，而不具有它们中任一系统的致命性缺点。改进的泵送系统150在具有高RF电压和高压的蚀刻工艺期间使下电极161的开口170中的寄生等离子体的形成最小化，并且当基板不再存在于腔室中时防止对腔室部件的侵蚀。
图4示出根据一个实施例的计算平台400。计算平台400包括控制器290和控制器136。如图所示，控制器290包括处理器402、存储器404、储存器406和网络接口408。在一些实施例中，控制器290可进一步包括耦接至控制器290的一个或多个I/O装置410。所述处理器402被包括以代表单个处理器、多个处理器、具有多个处理核心的单个处理器等。
存储器404包括程序代码422。程序代码422经配置用于执行管理泵送系统150的指令。例如，程序代码422经配置用于基于等离子体处理设备100的状态来执行在第一泵路径208和第二泵路径212之间的切换。例如，控制器290可与控制器136进行通信以确定这种状态。
储存器406可以是磁盘驱动储存器。尽管被示为单个的单元，但储存器406可以是固定的存储设备和/或可移除存储设备的组合，诸如固定的磁盘驱动器、可移除的存储卡、光学储存器、网络附属存储(NAS)或存储区域网络(SAN)。网络接口408可以是允许控制器经由网络405(诸如例如控制器136)与其他计算机进行通信的任何类型的网络通信。
控制器136包括处理器452、存储器454、储存器456和网络接口458。处理器452复取并执行存储在存储器454中的编程指令(诸如程序代码462)。所述处理器452被包括以代表单个处理器、多个处理器、具有多个处理核心的单个处理器等。
存储器454包括程序代码462和工艺制法464。程序代码422经配置用于执行存储在存储器454中的工艺制法464。例如，程序代码462经配置用于执行针对以下工艺之一的工艺制法464：等离子体蚀刻工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、等离子体处理工艺、离子植入工艺或任何其他合适的半导体制造工艺。
储存器456可以是磁盘驱动储存器。尽管被示为单个的单元，但储存器506可以是固定的存储设备和/或可移除存储设备的组合，诸如固定的磁盘驱动器、可移除的存储卡、光学储存器、网络附属存储(NAS)或存储区域网络(SAN)。网络接口458可以是允许控制器136经由网络405(诸如例如控制器290)与其他计算机进行通信的任何类型的网络通信。
尽管前文针对特定实施例，但在不背离本公开文本的基本范围的前提下，可设计其他与进一步的实施例，并且本公开文本的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种用于等离子体处理设备的泵送系统，包括：
第一泵路径，所述第一泵路径将处理腔室的基板支撑组件的升降销开口耦接至所述处理腔室的排气口；
第二泵路径，所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述升降销开口耦接至所述处理腔室的抽气区域，所述处理腔室的抽气区域定位在所述处理腔室的腔室主体内、在所述处理腔室的排气口上游；
第一阀，所述第一阀位于所述第一泵路径中，所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置；以及
第二阀，所述第二阀位于所述第二泵路径中，所述第二阀可在所述第一状态和所述第二状态之间配置。
2.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：
第一泵管路，所述第一泵管路将所述基板支撑组件的所述升降销开口耦接至所述第一阀和所述第二阀。
3.如权利要求2所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：
第二泵管路，所述第二泵管路将所述第一阀耦接至所述等离子体处理设备中的所述排气口以形成所述第一泵路径。
4.如权利要求2所述的泵送系统，其特征在于，进一步包括：
第三泵管路，所述第三泵管路将所述第二阀耦接至所述处理腔室中的所述抽气区域以形成所述第二泵路径。
5.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所述第一阀处于所述第一状态，并且所述第二阀处于所述第二状态。
6.如权利要求5所述的泵送系统，其特征在于，所述第一状态是将所述基板支撑组件的所述开口流体耦接至所述排气口的打开状态，并且其中所述第二状态是不允许所述基板支撑件组件与所述抽气区域之间有流体连通的关闭状态。
7.一种等离子体处理设备，包括：
盖组件和腔室主体，所述盖组件和所述腔室主体包围处理区域；
基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑组件具有形成在所述基板支撑组件中的升降销开口；
排气组件，所述排气组件界定所述腔室主体内的抽气区域，其中所述腔室主体包括绕所述基板支撑组件的中心轴对称设置的多个通道，所述多个通道将所述处理区域与所述抽气区域流体连接；
排气口，所述排气口穿过所述腔室主体形成；以及
用于等离子体处理设备的泵送系统，所述泵送系统包括：
第一泵路径，所述第一泵路径将所述基板支撑组件的所述升降销开口耦接至所述处理腔室的所述排气口；
第二泵路径，所述第二泵路径将所述基板支撑组件的所述升降销开口耦接至所述处理腔室的所述抽气区域，所述抽气区域定位在所述腔室主体内、在所述腔室主体的排气口上游；
第一阀，所述第一阀位于所述第一泵路径中，所述第一阀可在第一状态和第二状态之间配置；以及
第二阀，所述第二阀位于所述第二泵路径中，所述第二阀可在所述第一状态和所述第二状态之间配置。
8.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述基板支撑组件包括：
支撑底座；以及
下电极，其中所述升降销开口形成在所述下电极中。
9.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，进一步包括：
第一泵管路，所述第一泵管路将所述基板支撑组件的所述升降销开口耦接至所述第一阀和所述第二阀。
10.如权利要求9所述的等离子体处理设备，其特征在于，进一步包括：
第二泵管路，所述第二泵管路将所述第一阀耦接至所述等离子体处理设备中的所述排气口以形成所述第一泵路径。
11.如权利要求9所述的等离子体处理设备，其特征在于，进一步包括：
第三泵管路，所述第三泵管路将所述第二阀耦接至所述处理腔室中的所述抽气区域以形成所述第二泵路径。
12.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，进一步包括：
控制器，所述控制器耦接至所述第一阀和所述第二阀，所述控制器经配置用于将所述第一阀在所述第一状态和所述第二状态之间切换，并且将所述第二阀在所述第一状态和所述第二状态之间切换。
13.如权利要求9所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一阀处于所述第一状态，并且所述第二阀处于所述第二状态。
14.如权利要求13所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一状态是将所述基板支撑组件的所述升降销开口流体耦接至所述排气口的打开状态，并且其中所述第二状态是不允许所述基板支撑件组件与所述抽气区域之间有流体连通的关闭状态。
15.一种处理基板的方法，包括以下步骤：
打开第一泵路径，所述第一泵路径被界定在等离子体处理设备的基板支撑组件的升降销开口与所述等离子体处理设备的排气口之间；
对所述基板施行处理步骤；
关闭所述第一泵路径并打开第二泵路径，所述第二泵路径被界定在所述基板支撑组件的所述升降销开口至所述等离子体处理设备的抽气区域之间，所述等离子体处理设备的抽气区域定位在所述等离子体处理设备的腔室主体内、在所述等离子体处理设备的排气口上游；以及
在所述等离子体处理设备中施行清洁工艺。
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