JP4839101B2 - 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体に関し、基板の処理条件を検討する基板処理装置に関する。
基板としてのウエハに所定の処理、例えば、プラズマ処理を施す基板処理装置は、通常、１ロットに相当する複数のウエハを処理する間において、これらのウエハに施すプラズマ処理の処理条件を変更することがない。また、基板処理装置が実行するプラズマ処理の処理条件はレシピと呼ばれ、レシピは基板処理装置に接続されたサーバ等に保存される。
基板処理装置は、処理室内において各ウエハにプラズマ処理を施すプロセスユニットと、１ロットに相当する複数のウエハを収容する容器からウエハを取り出し搬送するローダーユニットと、ローダーユニット及びプロセスユニット間のウエハの受け渡しを行うロード・ロックユニットとを備える。基板処理装置が１ロットに対応する複数のウエハを処理する間、各ウエハはプロセスユニット、ローダーユニット及びロード・ロックユニット間において搬送される（例えば、特許文献１参照。）。
ところで、プラズマ処理のレシピの検討は基板処理装置そのものを使用して行われる。具体的には、あるウエハに仮のレシピに応じたプラズマ処理を施したときのプロセスユニットの処理室内におけるプラズマの発光状態を計測し、該計測の結果に基づいて仮のレシピが修正（処理室内の圧力や処理ガスの流量が変更）される。これにより、所望の結果を得るためのプラズマ処理のレシピが見出される。
特開２００４−３１９９６１号公報（図７）
しかしながら、従来の基板処理装置では、１ロットに相当する全てのウエハへプラズマ処理が施されるまではレシピを修正することができず、レシピを修正するためには、全てのウエハにプラズマ処理が施されるまで待つか、若しくは、基板処理装置から全てのウエハを排除する必要があった。具体的には、１ロットに相当する全てのウエハにプラズマ処理が施されていなくても、全てのウエハを容器内に戻す必要があり、レシピの検討に時間を要するものとなっていた。
本発明の目的は、基板の処理条件の検討に時間を要することがない基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置であって、前記基板を搬送する基板搬送ユニットと、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止部と、前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除部と、前記処理条件を修正する修正部と、前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別し、前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止部によって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する判別部と、を備え、前記判別部による判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正部は、前記処理条件を修正することを特徴とする。
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする。
請求項３記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする。
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記１ロットに相当する複数の基板に施す処理の処理条件を設定する設定部と、前記設定された処理条件と内容が異なる処理条件が入力されたときに、該内容が異なる処理条件と前記設定部が設定した処理条件との内容の差異に応じて前記基板処理ユニットが前記基板に施す処理の処理条件を決定する条件決定部とを備えることを特徴とする。
請求項５記載の基板処理装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正部と、前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録部と、前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録部と、前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程順序判別部とを備え、前記処理手順修正部は、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項６記載の基板処理条件検討方法は、基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法であって、前記基板を搬送する基板搬送ステップと、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、前記処理条件を修正する修正ステップと、前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第１の判別ステップと、前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第２の判別ステップとを有し、前記第２の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする。
請求項７記載の基板処理条件検討方法は、請求項６記載の基板処理条件検討方法において、前記修正ステップでは、前記基板処理ユニットで異常が発生したときに、前記処理条件を修正することを特徴とする。
請求項８記載の基板処理条件検討方法は、請求項６又は７記載の基板処理条件検討方法において、前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする。
請求項９記載の基板処理条件検討方法は、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板処理条件検討方法において、前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする。
請求項１０記載の基板処理条件検討方法は、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板処理条件検討方法において、複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正ステップと、前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録ステップと、前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録ステップと、前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程存在判別ステップとを備え、前記処理手順修正ステップでは、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１１記載の記憶媒体は、基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理条件検討方法は、前記基板を搬送する基板搬送ステップと、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、前記処理条件を修正する修正ステップと、前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第１の判別ステップと、前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第２の判別ステップとを有し、前記第２の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする。
請求項１記載の基板処理装置、請求項６記載の基板処理条件検討方法及び請求項１１記載の記憶媒体によれば、１ロットに相当する複数の基板の処理の間において処理条件の変更の禁止が解除され、処理条件が修正されるので、１ロットに相当する複数の全ての基板に処理が施されるのを待つことなく、処理条件を修正することができ、もって、基板の処理条件の検討に時間を要することがない。
また、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されるので、基板処理装置が他の基板処理ユニットを備える場合、処理条件が変更される基板処理ユニットへ誤って基板が搬入されるのを防止するために基板処理装置全体を停止する必要がなく、他の基板処理ユニットにおいて基板の処理を継続することができ、生産性の低下を防止することができる。
さらに、処理条件の修正のための外部装置からの操作に応じて、基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かが判別され、基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されているか否かが判別されるので、基板処理ユニットへ基板が搬入されるまでに２回の判別が実行される。したがって、外部装置からの操作があった場合であっても、処理条件が変更される基板処理ユニットへ誤って基板が搬入されるのを防止することができる。
さらにまた、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたときに、処理条件が修正されるので、基板に無駄な処理を施すことがなく、基板の処理条件の検討を効率よく行うことができる。
請求項２記載の基板処理装置及び請求項８記載の基板処理条件検討方法によれば、基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、外部装置からの操作を受け付けないので、処理条件が誤って変更されるのを確実に防止することができる。
請求項３記載の基板処理装置及び請求項９記載の基板処理条件検討方法によれば、基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、処理条件の外部への転送を禁止するので、処理条件が誤って外部において変更されるのを確実に防止することができる。
請求項４記載の基板処理装置によれば、１ロットに相当する複数の基板に施す処理の処理条件が設定され、該設定された処理条件と内容が異なる処理条件が入力されたときに、該内容が異なる処理条件と設定された処理条件との内容の差異に応じて基板処理ユニットが基板に施す処理の処理条件が決定されるので、設定された処理条件と内容が大幅に異なる処理条件で基板に処理が施されるのを防止することができる。設定された処理条件と内容が大幅に異なる処理条件で基板に処理が施されると、該処理条件に応じた処理の結果は設定された処理条件の修正に有用とならない。したがって、無駄な処理条件の変更が行われるのを防止することができ、もって、基板の処理条件の検討をより効率よく行うことができる。
請求項５記載の基板処理装置及び請求項１０記載の基板処理条件検討方法によれば、処理手順の各工程における基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報が記録され、処理手順の各工程の順序を含む処理条件が記録され、工程識別子及び処理条件の識別子を有する処理条件において各工程の順序を認めるか否か、又は、各工程の順序が存在しているか否かが判別され、各工程の順序が認められないか、又は各工程の順序が存在していない場合には、警告、各工程の順序の変更又は各工程の存在の変更によって処理手順が修正されるので、処理手順が修正されるまでに少なくとも１回の判別が実行される。したがって、安易に処理手順が修正されるのを防止することができる。
請求項７記載の基板処理条件検討方法によれば、基板処理ユニットで異常が発生したときに、処理条件が修正されるので、異常が発生する処理条件で基板に再度処理が施されることがなく、基板に無駄な処理を施すことがなく、基板の処理条件の検討を効率よく行うことができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
図１において、基板処理装置１０は、電子デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）（基板）Ｗに反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す第１のプロセスシップ１１と、該第１のプロセスシップ１１と平行に配置され、第１のプロセスシップ１１においてＲＩＥ処理が施されたウエハＷに後述するＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す第２のプロセスシップ１２と、第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット１３とを備える。
ここで、ＣＯＲ処理は、被処理体の酸化膜とガス分子を化学反応させて生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲ処理が施された被処理体を加熱して、ＣＯＲ処理の化学反応によって被処理体に生成した生成物を気化・熱酸化（Thermal Oxidation）させて被処理体から除去する処理である。以上のように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理、特に、ＣＯＲ処理は、プラズマを用いず且つ水成分を用いずに被処理体の酸化膜を除去する処理であるため、プラズマレスエッチング処理及びドライクリーニング処理（乾燥洗浄処理）に該当する。
ローダーユニット１３には、上述した第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２の他、１ロットに相当する２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ウエハＷの表面状態を計測する第１及び第２のＩＭＳ（Integrated Metrology System、Therma-Wave, Inc.）１７，１８とが接続されている。
第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２は、ローダーユニット１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置され、第１のＩＭＳ１７はローダーユニット１３の長手方向に関する他端に配置され、第２のＩＭＳ１８は３つのフープ載置台１５と並列に配置される。
ローダーユニット１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２０とを有する。各ロードポート２０は対応する各フープ載置台１５が載置するフープ１４と接続する。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷを第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２、オリエンタ１６、第１のＩＭＳ１７や第２のＩＭＳ１８へ搬出入する。
第１のＩＭＳ１７は光学系のモニタであり、搬入されたウエハＷを載置する載置台２１と、該載置台２１に載置されたウエハＷを指向する光学センサ２２とを有し、ウエハＷの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のＣＤ（Critical Dimension）値を測定する。第２のＩＭＳ１８も光学系のモニタであり、第１のＩＭＳ１７と同様に、載置台２３と光学センサ２４とを有し、ウエハＷの表面におけるパーティクル数を計測する。
第１のプロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す第１のプロセスユニット２５と、該第１のプロセスユニット２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第１の搬送アーム２６を内蔵する第１のロード・ロックユニット２７とを有する。
第１のプロセスユニット２５は、円筒状の処理室容器（チャンバ）と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極を有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにＲＩＥ処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２８をその頂部に有する。
第１のプロセスユニット２５では、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。
第１のプロセスシップ１１では、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第１のプロセスユニット２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、第１のロード・ロックユニット２７は、第１のプロセスユニット２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
第１のロード・ロックユニット２７の内部には、略中央部に第１の搬送アーム２６が設置され、該第１の搬送アーム２６より第１のプロセスユニット２５側に第１のバッファ３１が設置され、第１の搬送アーム２６よりローダーユニット１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、第１の搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとの第１のプロセスユニット２５における円滑な入れ換えを可能とする。
第２のプロセスシップ１２は、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２のプロセスユニット３４と、該第２のプロセスユニット３４に真空ゲートバルブ３５を介して接続された、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す第３のプロセスユニット３６と、第２のプロセスユニット３４及び第２のプロセスユニット３６にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第２の搬送アーム３７を内蔵する第２のロード・ロックユニット４９とを有する。
図２は、図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
図２（Ａ）において、第２のプロセスユニット３４は、円筒状の処理室容器（チャンバ）３８と、該チャンバ３８内に配置されたウエハＷの載置台としてのＥＳＣ３９と、チャンバ３８の上方に配置されたシャワーヘッド４０と、チャンバ３８内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）４１と、チャンバ３８及びＴＭＰ４１の間に配置され、チャンバ３８内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ４２とを有する。
ＥＳＣ３９は、内部に直流電圧が印加される電極板（図示しない）を有し、直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハＷを吸着して保持する。また、ＥＳＣ３９は調温機構として冷媒室（図示しない）を有する。この冷媒室には所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン液が循環供給され、当該冷媒の温度によってＥＳＣ３９の上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。さらに、ＥＳＣ３９は、ＥＳＣ３９の上面とウエハの裏面との間に伝熱ガス（ヘリウムガス）を満遍なく供給する伝熱ガス供給系統（図示しない）を有する。伝熱ガスは、ＣＯＲ処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたＥＳＣ３９とウエハとの熱交換を行い、ウエハを効率よく且つ均一に冷却する。
また、ＥＳＣ３９は、その上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン５６を有し、これらのプッシャーピン５６は、ウエハＷがＥＳＣ３９に吸着保持されるときにはＥＳＣ３９に収容され、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷをチャンバ３８から搬出するときには、ＥＳＣ３９の上面から突出してウエハＷを上方へ持ち上げる。
シャワーヘッド４０は２層構造を有し、下層部４３及び上層部４４のそれぞれに第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６を有する。第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６はそれぞれガス通気孔４７，４８を介してチャンバ３８内に連通する。すなわち、シャワーヘッド４０は、第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６にそれぞれ供給されるガスのチャンバ３８内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた２つの板状体（下層部４３、上層部４４）からなる。
ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室４５にはＮＨ３（アンモニア）ガスが後述するアンモニアガス供給管５７から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給されると共に、第２のバッファ室４６にはＨＦ（弗化水素）ガスが後述する弗化水素ガス供給管５８から供給され、該供給された弗化水素ガスはガス通気孔４８を介してチャンバ３８内へ供給される。
また、シャワーヘッド４０はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、好ましくは、上層部４４上に配置されて第２のバッファ室４６内の弗化水素ガスの温度を制御する。
また、図２（Ｂ）に示すように、ガス通気孔４７，４８におけるチャンバ３８内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガスや弗化水素ガスをチャンバ３８内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔４７，４８は断面がくびれ形状を呈するので、チャンバ３８で発生した堆積物がガス通気孔４７，４８、引いては、第１のバッファ室４５や第２のバッファ室４６へ逆流するのを防止することができる。なお、ガス通気孔４７，４８は螺旋状の通気孔であってもよい。
この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を調整することによってウエハＷにＣＯＲ処理を施す。また、この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内において初めてアンモニアガス及び弗化水素ガスが混合するように設計されている（ポストミックス設計）ため、チャンバ３８内に上記２種類のガスが導入されるまで、該２種類の混合ガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとがチャンバ３８内への導入前に反応するのを防止する。
また、第２のプロセスユニット３４では、チャンバ３８の側壁がヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵し、チャンバ３８内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、ＣＯＲ処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによってチャンバ３８内に発生した副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。
図１に戻り、第３のプロセスユニット３６は、筐体状の処理室容器（チャンバ）５０と、該チャンバ５０内に配置されたウエハＷの載置台としてのステージヒータ５１と、該ステージヒータ５１の周りに配置され、ステージヒータ５１に載置されたウエハＷを上方に持ち上げるバッファアーム５２と、チャンバ内及び外部雰囲気を遮断する開閉自在な蓋としてのＰＨＴチャンバリッド（図示しない）とを有する。
ステージヒータ５１は、表面に酸化皮膜が形成されたアルミからなり、内蔵された電熱線等によって載置されたウエハＷを所定の温度まで加熱する。具体的には、ステージヒータ５１は載置したウエハＷを少なくとも１分間に亘って１００〜２００℃、好ましくは約１３５℃まで直接加熱する。
ＰＨＴチャンバリッドにはシリコンゴム製のシートヒータが配される。また、チャンバ５０の側壁にはカートリッジヒータ（図示しない）が内蔵され、該カートリッジヒータはチャンバ５０の側壁の壁面温度を２５〜８０℃に制御する。これにより、チャンバ５０の側壁に副生成物が付着するのを防止し、付着した副生成物に起因するパーティクルの発生を防止してチャンバ５０のクリーニング周期を延伸する。なお、チャンバ５０の外周は熱シールドによって覆われている。
ウエハＷを上方から加熱するヒータとして、上述したシートヒータの代わりに、紫外線放射（UV radiation）ヒータを配してもよい。紫外線放射ヒータとしては、波長１９０〜４００ｎｍの紫外線を放射する紫外線ランプ等が該当する。
バッファアーム５２は、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷを一時的に第２の搬送アーム３７における支持部５３の軌道の上方に待避させることにより、第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６におけるウエハＷの円滑な入れ換えを可能とする。
この第３のプロセスユニット３６は、ウエハＷの温度を調整することによってウエハＷにＰＨＴ処理を施す。
第２のロード・ロックユニット４９は、第２の搬送アーム３７を内蔵する筐体状の搬送室（チャンバ）７０を有する。また、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６の内部圧力は真空に維持される。そのため、第２のロード・ロックユニット４９は、第３のプロセスユニット３６との連結部に真空ゲートバルブ５４を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ５５を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
図３は、図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。
図３において、第２のプロセスユニット３４は、第１のバッファ室４５へアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給管５７と、第２のバッファ室４６へ弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給管５８と、チャンバ３８内の圧力を測定する圧力ゲージ５９と、ＥＳＣ３９内に配設された冷却系統に冷媒を供給するチラーユニット６０とを備える。
アンモニアガス供給管５７にはＭＦＣ（Mass Flow Controller）（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第１のバッファ室４５へ供給するアンモニアガスの流量を調整すると共に、弗化水素ガス供給管５８にもＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第２のバッファ室４６へ供給する弗化水素ガスの流量を調整する。アンモニアガス供給管５７のＭＦＣと弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣは協働して、チャンバ３８へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。
また、第２のプロセスユニット３４の下方には、ＤＰ（Dry Pump）（図示しない）に接続された第２のプロセスユニット排気系６１が配置される。第２のプロセスユニット排気系６１は、チャンバ３８とＡＰＣバルブ４２の間に配設された排気ダクト６２と連通する排気管６３と、ＴＭＰ４１の下方（排気側）に接続された排気管６４とを有し、チャンバ３８内のガス等を排気する。なお、排気管６４はＤＰの手前において排気管６３に接続される。
第３のプロセスユニット３６は、チャンバ５０へ窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素ガス供給管６５と、チャンバ５０内の圧力を測定する圧力ゲージ６６と、チャンバ５０内の窒素ガス等を排気する第３のプロセスユニット排気系６７とを備える。
窒素ガス供給管６５にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ５０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第３のプロセスユニット排気系６７は、チャンバ５０に連通すると共にＤＰに接続された本排気管６８と、該本排気管６８の途中に配されたＡＰＣバルブ６９と、本排気管６８からＡＰＣバルブ６９を回避するように分岐し、且つＤＰの手前において本排気管６８に接続される副排気管６８ａとを有する。ＡＰＣバルブ６９は、チャンバ５０内の圧力を制御する。
第２のロード・ロックユニット４９は、チャンバ７０へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管７１と、チャンバ７０内の圧力を測定する圧力ゲージ７２と、チャンバ７０内の窒素ガス等を排気する第２のロード・ロックユニット排気系７３と、チャンバ７０内を大気開放する大気連通管７４とを備える。
窒素ガス供給管７１にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ７０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第２のロード・ロックユニット排気系７３は１本の排気管からなり、該排気管はチャンバ７０に連通すると共に、ＤＰの手前において第３のプロセスユニット排気系６７における本排気管６８に接続される。また、第２のロード・ロックユニット排気系７３及び大気連通管７４はそれぞれ開閉自在な排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６を有し、該排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６は協働してチャンバ７０内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する。
図１に戻り、基板処理装置１０は、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル８８を備える。
オペレーションパネル８８は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、該表示部は基板処理装置１０の各構成要素の動作状況を表示する。
図４に示すように、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、３つのＭＣ（Module Controller）９０，９１，９２と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ９３とを備える。該システムコントローラはＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１７０を介して、基板処理装置１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１７１に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
ＥＣ８９は、各ＭＣを統括して基板処理装置１０全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、オペレーションパネル８８においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理条件、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じて制御信号を送信することにより、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する。
図１４に示すように、ＥＣ８９は、具体的に、プラズマ処理のレシピを修正する修正部、操作者によって入力されたレシピをプラズマ処理のレシピとして設定する設定部、プラズマ処理の後述するレシピバッファリング機能を無効にする解除部、レシピの修正内容に応じて実行するプラズマ処理のレシピを決定する条件決定部、レシピの修正入力を受け付けない禁止部、及び所定のプロセスユニットへのウエハの搬入を禁止する搬入禁止部を有し、修正部、設定部、解除部、条件決定部、禁止部及び搬入禁止部は互いにバスによって接続される。
スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。
ＭＣ９０，９１，９２は、それぞれ第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール９７，９８，９９にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。
Ｉ／Ｏモジュール９８は、第２のプロセスシップ１２における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９８においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、第２のプロセスユニット３４におけるアンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、圧力ゲージ５９及びＡＰＣバルブ４２、第３のプロセスユニット３６における窒素ガス供給管６５のＭＦＣ、圧力ゲージ６６、ＡＰＣバルブ６９、バッファアーム５２及びステージヒータ５１、並びに、第２のロード・ロックユニット４９における窒素ガス供給管７１のＭＦＣ、圧力ゲージ７２及び第２の搬送アーム３７等が該当する。
なお、Ｉ／Ｏモジュール９７，９９は、Ｉ／Ｏモジュール９８と同様の構成を有し、第１のプロセスシップ１１に対応するＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係、並びにローダーユニット１３に対応するＭＣ９２及びＩ／Ｏモジュール９９の接続関係も、上述したＭＣ９１及びＩ／Ｏモジュール９８の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。
また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。
基板処理装置１０において、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際には、ＣＯＲ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９が、スイッチングハブ９３、ＭＣ９１、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９８におけるＩ／Ｏ部１００を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４においてＣＯＲ処理を実行する。
具体的には、ＥＣ８９が、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ及び弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣに制御信号を送信することによってチャンバ３８におけるアンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を所望の値に調整し、ＴＭＰ４１及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９がチャンバ３８内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９に送信し、該ＥＣ８９は送信されたチャンバ３８内の圧力値に基づいて、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、ＡＰＣバルブ４２やＴＭＰ４１の制御パラメータを決定する。
また、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す際には、ＰＨＴ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９が、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第３のプロセスユニット３６においてＰＨＴ処理を実行する。
具体的には、ＥＣ８９が、窒素ガス供給管６５のＭＦＣ及びＡＰＣバルブ６９に制御信号を送信することによってチャンバ５０内の圧力を所望の値に調整し、ステージヒータ５１に制御信号を送信することによってウエハＷの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ６６がチャンバ５０内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９に送信し、該ＥＣ８９は送信されたチャンバ５０内の圧力値に基づいて、ＡＰＣバルブ６９や窒素ガス供給管６５のＭＦＣの制御パラメータを決定する。
図４のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
また、ＥＣ８９が送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス及び当該Ｉ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
上述した基板処理装置１０において、複数のウエハＷにＲＩＥ処理、ＣＯＲ処理やＰＨＴ処理を施すことによって電子デバイスを量産する場合、操作者はオペレーションパネル８８を通じてレシピバッファリング機能を「有効」に設定する。レシピバッファリング機能は各処理のレシピの修正を禁止する機能である。このとき、ＥＣ８９（禁止部）は１つのフープ１４に収容された１ロットに相当するウエハＷに各処理が施される間、操作者による第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４又は第３のプロセスユニット３６のレシピの修正入力を受け付けない。また、ＥＣ８９はＭＣ９０やＭＣ９１を制御して第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４又は第３のプロセスユニット３６のレシピをそのまま維持する。
また、基板処理装置１０において、電子デバイスを量産する前において各処理のレシピを検討する場合、操作者はオペレーションパネル８８を通じてロットスタート設定機能を「有効」に設定する。ロットスタート設定機能は１ロットに相当するウエハＷの処理の開始時に、ＥＣ８９がオペレーションパネル８８を通じて操作者にレシピバッファリング機能を有効にするか、無効にするかを問い合わせる機能である。ロットスタート設定機能が「無効」に設定されている場合、ロードポート２０から第１のプロセスシップ１１や第２のプロセスシップ１２へのウエハＷの搬送パターン、例えば、搬送順序や搬送経路（基板搬送条件）の変更が禁止され、ロットスタート設定機能が「有効」に設定されている場合、ウエハＷの搬送パターンの変更の禁止が解除されると共に、操作者はオペレーションパネル８８を通じてレシピバッファリング機能を有効にするか、無効にするかを入力することができる。
図５は、ロットスタート設定機能が「有効」に設定された場合においてオペレーションパネルの表示部に表示されるロードポート情報画面を示す図である。ロードポート情報画面は各ロードポート２０に対応して表示される。
図５において、ロードポート情報画面１７２は、該ロードポート情報画面１７２に対応するロードポート２０の名称と、該ロードポート２０が接続するフープ１４の位置とを示す対応ロードポート表示部１７３と、ロットスタート設定機能が「有効」に設定された場合に表示される「Ｒ＆Ｄ」ボタン１７４と、その他のボタンとを有する。
「Ｒ＆Ｄ」ボタン１７４はオンオフ表示部１７５を有する。オンオフ表示部１７５はレシピバッファリング機能が有効であるか無効であるかを表示する表示部である。また、「Ｒ＆Ｄ」ボタン１７４が押下されると、レシピバッファリング設定ダイアログ１７６が表示される。レシピバッファリング設定ダイアログ１７６は「ＯＮ」ボタン１７７と「ＯＦＦ」ボタン１７８とを有する。ＥＣ８９（解除部）は「ＯＮ」ボタン１７７が押下されるとレシピバッファリング機能を無効にし、「ＯＦＦ」ボタン１７８が押下されるとレシピバッファリング機能を有効にする。これにより、操作者は、ロードポート２０に接続するフープ１４に収容された１ロットに相当するウエハＷの処理においてレシピの修正を禁止し、若しくはレシピの修正の禁止を解除することができる。すなわち、１ロット毎（引いてはロードポート２０毎）にレシピバッファリング機能の有効又は無効を切り替えることができる。
また、レシピバッファリング機能が無効にされた場合、ＥＣ８９（修正部）は、１ロットに相当するウエハＷに処理が施される間であっても、操作者の求めに応じてオペレーションパネル８８にレシピ修正画面（図示しない）を表示する。操作者は該レシピ修正画面によってウエハＷに施されるプラズマ処理のレシピを修正する。
また、ロードポート情報画面１７２は、レシピバッファリング機能の有効又は無効を切り替えるプロセスユニットを指定するユニット指定ボタン（図示しない）を有する。これにより、操作者はプロセスユニットを指定して該プロセスユニットにおけるレシピバッファリング機能の有効又は無効を切り替えることができる。
上述した基板処理装置１０において、レシピバッファリング機能を無効にした場合、操作者はオペレーションパネル８８を通じてウエハ搬入禁止機能を「有効」に設定する。ウエハ搬入禁止機能は各プロセスユニットへのウエハの搬入を禁止する機能である。このとき、ＥＣ８９（搬入禁止部）は、後述するプロセスユニット情報画面においてウエハ搬入禁止機能が「有効」に設定された場合、該プロセスユニット情報画面に対応するプロセスユニットへのウエハの搬入を禁止する。
図６は、オペレーションパネルの表示部に表示されるプロセスユニット情報画面を示す図であり、図６（Ａ）はプロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されていない場合の図であり、図６（Ｂ）はプロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されている場合の図である。プロセスユニット情報画面は各プロセスユニット（第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４又は第３のプロセスユニット３６）に対応して表示される。なお、プロセスユニット情報画面はレシピバッファリング機能が無効にされた場合等に表示される。
図６（Ａ）において、プロセスユニット情報画面１７９は、該プロセスユニット情報画面１７９に対応するプロセスユニットの名称と、該プロセスユニットの位置とを示す対応プロセスユニット表示部１８０と、プロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されていない場合に表示される「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１と、その他のボタンとを有する。「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１が押下されると、Ｐａｕｓｅ設定ダイアログ１８２が表示される。Ｐａｕｓｅ設定ダイアログ１８２は「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８３と「Ｃａｎｃｅｌ」ボタン１８４とを有する。ＥＣ８９は「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８３が押下されるとウエハ搬入禁止機能を有効にし、「Ｃａｎｃｅｌ」ボタン１８４が押下されるとウエハ搬入禁止機能を無効のまま維持する。操作者は、所望のプロセスユニットに対応するプロセスユニット情報画面１７９において「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１及び「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８３を押下することによって所望のプロセスユニットへのウエハの搬入を禁止することができる。なお、「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１はレシピバッファリング機能が無効にされている場合にのみ表示するようにしてもよい。
図６（Ｂ）において、プロセスユニット情報画面１７９は、対応プロセスユニット表示部１８０と、プロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されている場合に表示される「Ｒｅｓｕｍｅ」ボタン１８５と、その他のボタンとを有する。「Ｒｅｓｕｍｅ」ボタン１８５が押下されると、Ｒｅｓｕｍｅ設定ダイアログ１８８が表示される。Ｒｅｓｕｍｅ設定ダイアログ１８８は「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８６と「Ｃａｎｃｅｌ」ボタン１８７とを有する。ＥＣ８９は「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８６が押下されるとウエハ搬入禁止機能を無効にし、「Ｃａｎｃｅｌ」ボタン１８７が押下されるとウエハ搬入禁止機能を有効のまま維持する。操作者は、所望のプロセスユニットに対応するプロセスユニット情報画面１７９において「Ｒｅｓｕｍｅ」ボタン１８５及び「Ａｃｃｅｐｔ」ボタン１８６を押下することによって所望のプロセスユニットへのウエハの搬入禁止を解除することができる。
ＥＣ８９は、ウエハ搬入禁止機能が有効にされたときに、操作者の求めに応じてオペレーションパネル８８にレシピ修正画面を表示し、操作者は該レシピ修正画面によってウエハＷに施されるプラズマ処理のレシピを修正してもよい。また、修正に応じてＥＣ８９（修正部）はレシピを修正してもよい。
図７は、レシピバッファリング機能及びウエハ搬入禁止機能を用いてレシピの修正を行う場合を説明する工程図である。
まず、操作者は１ロット分のウエハＷを用いてレシピの検討を行う際、オペレーションパネル８８を通じて、当該１ロット分のウエハＷを収容するフープ１４とレシピの修正を行うプロセスユニット（図では第１のプロセスユニット２５）との間のウエハＷの搬送経路（図中矢印で示す）を設定する（図７（Ａ））。また、操作者はオペレーションパネル８８を通じて所望のレシピを第１のプロセスユニット２５のレシピとして入力し、ＥＣ８９（設定部）は入力されたレシピを第１のプロセスユニット２５において１ロット分のウエハＷに施されるＲＩＥ処理のレシピとして設定する。該レシピは第１のプロセスユニット２５に展開される。さらに、操作者は当該フープ１４が接続されたロードポート２０に対応するロードポート情報画面１７２において第１のプロセスユニット２５のレシピバッファリング機能を無効にする。
基板処理装置１０はフープ１４からのウエハＷを搬出し、ウエハＷをローダーユニット１３、オリエンタ１６、第１のプロセスユニット２５及び第１のロード・ロックユニット２７内において搬送する（図７（Ｂ））。このとき、第１のプロセスユニット２５では展開されたレシピに応じたＲＩＥ処理がウエハＷに施される。
第１のプロセスユニット２５に展開されたレシピの修正を行う場合、操作者は、第１のプロセスユニット２５に対応するプロセスユニット情報画面１７９において、第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能を有効にする。このとき、第１のプロセスユニット２５でＲＩＥ処理が施されたウエハＷは第１のプロセスユニット２５から第１のロード・ロックユニット２７へ搬出され、また、他のウエハＷは第１のロード・ロックユニット２７、オリエンタ１６又はローダーユニット１３内に留められ、第１のプロセスユニット２５へ搬入されることがない。また、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷが第１のプロセスユニット２５から搬出されると、オペレーションパネル８８にレシピ修正画面が表示され、操作者はオペレーションパネル８８を通じて第１のプロセスユニット２５のレシピを修正する。該修正されたレシピは第１のプロセスユニット２５において展開される（図７（Ｃ））。
修正されたレシピが第１のプロセスユニット２５に展開されると、操作者は第１のプロセスユニット２５に対応するプロセスユニット情報画面１７９において、第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能を無効にする。これに応じて、第１のロード・ロックユニット２７内に留められていたウエハＷが第１のプロセスユニット２５へ搬入され、修正されたレシピに応じたＲＩＥ処理がウエハＷに施される（図７（Ｄ））。
なお、第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能が有効にされた場合、各ウエハＷは第１のロード・ロックユニット２７、オリエンタ１６又はローダーユニット１３内に留められるだけでなく、フープ１４へ戻されてもよい。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理について説明する。
レシピ検討処理はＥＣ８９がプログラムや操作者による入力等に応じて第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御することによって実行される。また、レシピ検討処理は第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６のいずれにも適用可能であるが、以下、簡単のために、第１のプロセスユニット２５に適用される場合について説明する。
図８は、本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理のフローチャートである。
図８において、１ロット分のウエハＷにＲＩＥ処理を施す間においてレシピの検討を行う際、最初に、操作者により、１ロット分のウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとしてレシピＡが入力され、且つレシピバッファリング機能が無効にされてレシピの修正の禁止が解除されると、ＥＣ８９は、１ロット分のウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとしてレシピＡを設定し、該レシピＡを第１のプロセスユニット２５に展開し且つ第１のプロセスユニット２５のレシピバッファリング機能を無効にする（ステップＳ８０１）。このとき、オペレーションパネル８８の表示部は第１のプロセスユニット２５のプロセスユニット情報画面１７９を表示する。また、プロセスユニット情報画面１７９は、プロセスユニットへのウエハＷの搬入が禁止されていないため、「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１を表示する。
次いで、フープ１４からローダーユニット１３や第１のロード・ロックユニット２７を介して第１のプロセスユニット２５へウエハＷを搬入し（ステップＳ８０２）、レシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ８０３）。このとき、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
次いで、第１のプロセスユニット２５からＲＩＥ処理が実行されたウエハＷを搬出し（ステップＳ８０４）、プラズマの発光状態の計測の結果に基づいてレシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切であったか否かを判別する（ステップＳ８０５）。
ステップＳ８０５の判別の結果、レシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切であった場合（ステップＳ８０５でＹＥＳ）、本処理を終了し、レシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切でなかった場合（ステップＳ８０５でＮＯ）、ステップＳ８０６に進む。
次いで、操作者によって「Ｐａｕｓｅ」ボタン１８１が押下されると、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能を有効にする（ステップＳ８０６）。このとき、プロセスユニット情報画面１７９は「Ｒｅｓｕｍｅ」ボタン１８５を表示する。また、第１のプロセスユニット２５内のウエハＷが搬出されると、オペレーションパネル８８がレシピ修正画面を表示する。ＥＣ８９は操作者によるレシピＡの修正入力に応じてレシピＡを修正し（ステップＳ８０７）、該修正されたレシピＡを第１のプロセスユニット２５において展開する（ステップＳ８０８）。ここでレシピＡの修正とは、レシピＡにおけるパラメータの少なくとも１つの値を変更する程度の変更であり、レシピＡをＥＣ８９のＨＤＤ等に格納されているレシピＡと名前が異なる他のレシピ（例えば、レシピＢ）に変更することではない。なお、通常、あるレシピと該レシピを修正したレシピと内容の差異は小さく、これら２つのレシピに応じたプラズマ処理は関連性があるが、２つのレシピの名前が互いに異なる場合、内容の差異は大きく、これら２つのレシピに応じたプラズマ処理は関連性がない。
修正されたレシピＡが展開された後、操作者によって「Ｒｅｓｕｍｅ」ボタン１８５が押下されると、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能を無効にする（ステップＳ８０９）。
次いで、次のウエハＷを第１のプロセスユニット２５へ搬入し（ステップＳ８１０）、修正されたレシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ８１１）。このときも、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。その後、ウエハＷを第１のプロセスユニット２５から搬出し（ステップＳ８１２）、ステップＳ８０５に戻る。
図８の処理によれば、レシピバッファリング機能が無効にされて１ロット分のウエハＷにＲＩＥ処理を施す間におけるレシピの修正の禁止が解除され、第１のプロセスユニット２５に展開されたレシピＡが修正されるので、１ロット分の全てのウエハＷにＲＩＥ処理が施されるのを待つことなく、レシピＡを修正することができ、もって、レシピの検討に時間を要することがない。
上述した図８の処理では、第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能が有効にされるので、第１のプロセスユニット２５へのウエハＷの誤搬入を防止するために第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６へのウエハＷの搬入を中止する必要が無く、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６においてＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を継続することができ、生産性の低下を防止することができる。また、第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能が有効にされたときに、レシピＡが修正されるので、次のウエハＷに無駄なＲＩＥ処理（レシピＡに応じたＲＩＥ処理）を施すことがなく、レシピの検討を効率よく行うことができる。
以上、レシピの検討においてレシピＡが修正される場合について説明したが、以下にレシピＡがレシピＢに変更される場合について説明する。
図９は、本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理の変形例のフローチャートである。なお、図８の処理におけるステップと同じステップには同じステップ番号を付し、その説明を省略する。
図９において、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５のウエハ搬入禁止機能を有効にし（ステップＳ８０６）、第１のプロセスユニット２５内のウエハＷが搬出されると、オペレーションパネル８８がレシピ修正画面を表示する。操作者によるレシピＢへの変更入力に応じて、ＥＣ８９は変更されたレシピＢを第１のプロセスユニット２５において展開する（ステップＳ９０１）。レシピＢはレシピＡと名前が異なり、内容の差異も大きいため、これら２つのレシピに応じたＲＩＥ処理は関連性がない。
変更されたレシピＢを展開し、次のウエハＷを第１のプロセスユニット２５へ搬入した（ステップＳ８１０）後、ＥＣ８９（条件決定部）はレシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ９０２）。このときも、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
上述した図８及び図９の処理では、１ロット分のウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとしてレシピＡが設定された場合、レシピＡが修正されると、該修正されたレシピＡが第１のプロセスユニット２５に展開され且つ該レシピＡに応じたＲＩＥ処理がウエハＷに対して実行され、レシピＡがレシピＢへ変更されると、該変更されたレシピＢが第１のプロセスユニット２５に展開されるが、レシピＢではなくレシピＡに応じたＲＩＥ処理がウエハＷに対して実行される。すなわち、レシピＡが修正又は変更された場合、レシピＡと修正後又は変更後のレシピとの内容の差異に応じて第１のプロセスユニット２５がウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピ（修正されたレシピＡ又はレシピＡ）が決定されるので、レシピＡと内容が大幅に異なるレシピであるレシピＢに応じてウエハＷにＲＩＥ処理が施されるのを防止することができる。レシピＢに応じたウエハＷに処理が施されると、該処理はレシピＡに応じた処理と関連性がないため、レシピＢに応じたＲＩＥ処理の結果はレシピＡの修正に有用とならない。したがって、無駄なレシピの変更が行われるのを防止することができ、もって、レシピの検討をより効率よく行うことができる。
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、実行されるレシピ検討処理が上述した第１の実施の形態と異なるのみである。したがって、同様の構成や作用については説明を省略し、以下に第１の実施の形態と異なる作用についてのみ説明を行う。
本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理も、第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６のいずれにも適用可能であるが、以下、簡単のために、第１のプロセスユニット２５に適用される場合について説明する。
図１０は、本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理のフローチャートである。
図１０において、まず、１ロット分のウエハＷにＲＩＥ処理を施す間においてレシピの検討を行う際、操作者により、１ロット分のウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとしてレシピＡが入力され、且つレシピバッファリング機能が無効にされてレシピの修正の禁止が解除されると、ＥＣ８９は、１ロット分のウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとしてレシピＡを設定し、該レシピＡを第１のプロセスユニット２５に展開し且つ第１のプロセスユニット２５のレシピバッファリング機能を無効にする（ステップＳ１００１）。
次いで、フープ１４からローダーユニット１３や第１のロード・ロックユニット２７を介して第１のプロセスユニット２５へウエハＷを搬入し（ステップＳ１００２）、レシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１００３）。このとき、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
次いで、第１のプロセスユニット２５において、レシピＡに応じたＲＩＥ処理の途中でエラーが発生する（ステップＳ１００４）と、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断する。このとき、ウエハＷは第１のプロセスユニット２５から搬出されず、第１のプロセスユニット２５内に留められる。そして、オペレーションパネル８８がレシピ修正画面を表示する。ＥＣ８９は操作者によるレシピＡの修正入力に応じてレシピＡを修正し、該修正されたレシピＡを第１のプロセスユニット２５において展開する（ステップＳ１００５）。
次いで、修正されたレシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１００６）。このとき、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
次いで、第１のプロセスユニット２５からＲＩＥ処理が実行されたウエハＷを搬出し（ステップＳ１００７）、プラズマの発光状態の計測の結果に基づいて修正されたレシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切であったか否かを判別する（ステップＳ１００８）。
ステップＳ１００８の判別の結果、修正されたレシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切であった場合（ステップＳ１００８でＹＥＳ）、本処理を終了し、修正されたレシピＡがＲＩＥ処理のレシピとして適切でなかった場合（ステップＳ１００８でＮＯ）、ステップＳ１００９に進む。
次いで、次のウエハＷを第１のプロセスユニット２５へ搬入し（ステップＳ１００９）、修正されたレシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１０）。このときも、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。その後、ウエハＷを第１のプロセスユニット２５から搬出し（ステップＳ１０１１）、ステップＳ１００８に戻る。
図１０の処理によれば、１ロット分のウエハＷにＲＩＥ処理を施す間において、レシピＡに応じたＲＩＥ処理の途中でエラーが発生すると、第１のプロセスユニット２５に展開されたレシピＡが修正されるので、１ロット分の全てのウエハＷにＲＩＥ処理が施されるのを待つことなく、レシピＡを修正することができ、もって、レシピの検討に時間を要することがない。また、エラーが発生するレシピでウエハＷに再度ＲＩＥ処理が施されることがなく、ウエハＷに無駄なＲＩＥ処理を施すことがなく、レシピの検討を効率よく行うことができる。
以上、レシピの検討においてレシピＡが修正される場合について説明したが、以下にレシピＡがレシピＢに変更される場合について説明する。
図１１は、本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理の変形例のフローチャートである。なお、図１０の処理におけるステップと同じステップには同じステップ番号を付し、その説明を省略する。
図１１において、第１のプロセスユニット２５において、レシピＡに応じたＲＩＥ処理の途中でエラーが発生する（ステップＳ１００４）と、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断する。そして、オペレーションパネル８８がレシピ修正画面を表示する。操作者によるレシピＢへの変更入力に応じてＥＣ８９は、変更されたレシピＢを第１のプロセスユニット２５において展開する（ステップＳ１１０１）。
次いで、変更されたレシピＢに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１１０２）。このとき、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
次いで、変更されたレシピＢがＲＩＥ処理のレシピとして適切でなかった場合（ステップＳ１００８でＮＯ）、次のウエハＷを第１のプロセスユニット２５へ搬入し（ステップＳ１００９）、ＥＣ８９（条件決定部）はレシピＡに応じたＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１１０３）。このときも、第１のプロセスユニット２５内におけるプラズマの発光状態が計測される。
上述した図１０及び図１１の処理では、第１のプロセスユニット２５において、レシピＡに応じたＲＩＥ処理の途中でエラーが発生した場合、ウエハＷが第１のプロセスユニット２５内に留められる。このとき、レシピＡが修正されると、該修正されたレシピＡが第１のプロセスユニット２５に展開され且つ該修正されたレシピＡに応じたＲＩＥ処理が第１のプロセスユニット２５内に留められたウエハＷ及びこれに続くウエハＷ（以下、「継続ウエハＷ」という。）に対して実行される。また、レシピＡがレシピＢへ変更されると、該変更されたレシピＢが第１のプロセスユニット２５に展開され且つ該変更されたレシピＢに応じたＲＩＥ処理が第１のプロセスユニット２５内に留められたウエハＷに実行されるが、継続ウエハＷに対してはレシピＢではなくレシピＡに応じたＲＩＥ処理が実行される。すなわち、レシピＡが修正又は変更された場合、レシピＡと修正後又は変更後のレシピとの内容の差異に応じて継続ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピ（修正されたレシピＡ又はレシピＡ）が決定されるので、レシピＡと内容が大幅に異なるレシピであるレシピＢに応じて継続ウエハＷにＲＩＥ処理が施されるのを防止することができる。したがって、無駄なレシピの変更が行われるのを防止することができ、もって、レシピの検討をより効率よく行うことができる。
上述した図８〜図１１の処理が第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６に適用される場合、ウエハＷの表面に形成されたトレンチの形状等によって修正されたレシピ等がＣＯＲ処理やＰＨＴ処理のレシピとして適切か否かが判別される。
上述した各実施の形態では、操作者がオペレーションパネル８８を通じてレシピを修正・変更するが、外部装置であるＰＣ１７１（ＭＥＳ）がレシピを修正・変更するための操作指示を基板処理装置１０に送信してもよい。この場合、上記操作指示に応じて、ウエハＷの搬送パターンの変更が禁止されているか否かが判別され、搬送パターンの変更が禁止されていない場合には、さらに、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されているか否かが判別される。また、搬送パターンの変更が禁止されている場合には、ＰＣ１７１からの操作指示を受け付けず、レシピの基板処理装置１０の外部への転送が禁止される。これにより、搬送パターンの変更が禁止されていない場合には、レシピが修正・変更される第１のプロセスユニット２５や第２のプロセスユニット３４へへウエハＷが搬入されるまでに２回の判別が実行される。したがって、ＰＣ１７１からの操作指示があった場合であっても、レシピが修正・変更される第１のプロセスユニット２５等へ誤ってウエハＷが搬入されるのを防止することができる。また、搬送パターンの変更が禁止されている場合には、レシピが誤って変更されるのを基板処理装置１０においても、該基板処理装置１０の外部においても、確実に防止することができる。
また、各実施の形態では、複数の工程からなるウエハＷの処理フロー（処理手順）において、各工程の属性を変更することによって処理フローが修正されてもよく、これにより、簡便に処理フローを修正することができる。さらに、基板処理装置１０では、処理フローの各工程における処理内容を示す工程識別子（工程ＩＤ）を含む工程関連情報が記録され、処理フローの各工程の順序を含むレシピが記録され、工程ＩＤ、搬送パターンの識別子（ＣＪ−ＩＤ）及びプラズマ処理のレシピの識別子（ＰＪ−ＩＤ）を有するレシピにおいて各工程の順序を認めるか否か、又は、各工程の順序が存在しているか否かが判別され、各工程の順序が認められないか、又は各工程の順序が存在していない場合には、操作者への警告、各工程の順序の変更又は工程の存在の変更によって処理フローを修正する。これにより、処理フローが修正されるまでに少なくとも１回の判別が実行される。したがって、安易に処理フローが修正されるのを防止することができる。
上述した各実施の形態に係る基板処理装置は、２つのプロセスシップの構造が互いに異なるが、２つのプロセスシップの構造が同一、例えば、いずれのプロセスシップもウエハＷにＲＩＥ処理を施す構造であってもよい。
また、上述した各実施の形態に係る基板処理装置においてＲＩＥ処理等が施される基板は電子デバイス用の半導体ウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
上述した各実施の形態に係る基板処理装置は、図１に示すような互いに平行に配されたプロセスシップを２つ備えるパラレルタイプの基板処理装置に限られず、図１２や図１３に示すように、ウエハＷに所定の処理を施す真空処理室としての複数のプロセスユニットが放射状に配置された基板処理装置も該当する。
図１２は、上述した各実施の形態に係る基板処理装置の第１の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図１２においては、図１の基板処理装置１０における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１２において、基板処理装置１３７は、平面視六角形のトランスファユニット１３８と、該トランスファユニット１３８の周囲において放射状に配置された４つのプロセスユニット１３９〜１４２と、ローダーユニット１３と、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３の間に配置され、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３を連結する２つのロード・ロックユニット１４３，１４４とを備える。
トランスファユニット１３８及び各プロセスユニット１３９〜１４２は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット１３８と各プロセスユニット１３９〜１４２とは、それぞれ真空ゲートバルブ１４５〜１４８を介して接続される。
基板処理装置１３７では、ローダーユニット１３の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット１３８の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックユニット１４３，１４４は、それぞれトランスファユニット１３８との連結部に真空ゲートバルブ１４９，１５０を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ１５１，１５２を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックユニット１４３，１４４はローダーユニット１３及びトランスファユニット１３８の間において受渡されるウエハＷを一時的に載置するためのウエハ載置台１５３，１５４を有する。
トランスファユニット１３８はその内部に配置された屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの搬送アーム１５５を有し、該搬送アーム１５５は、各プロセスユニット１３９〜１４２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
各プロセスユニット１３９〜１４２は、それぞれ処理が施されるウエハＷを載置する載置台１５６〜１５９を有する。ここで、プロセスユニット１３９，１４０は基板処理装置１０における第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１４１は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有し、プロセスユニット１４２は第３のプロセスユニット３６と同様の構成を有する。
なお、基板処理装置１３７における各構成要素の動作は、基板処理装置１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
図１３は、上述した各実施の形態に係る基板処理装置の第２の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図１３においては、図１の基板処理装置１０及び図１２の基板処理装置１３７における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１３において、基板処理装置１６０は、図１２の基板処理装置１３７に対して、２つのプロセスユニット１６１，１６２が追加され、これに対応して、トランスファユニット１６３の形状も基板処理装置１３７におけるトランスファユニット１３８の形状と異なる。追加された２つのプロセスユニット１６１，１６２は、それぞれ真空ゲートバルブ１６４，１６５を介してトランスファユニット１６３と接続されると共に、ウエハＷの載置台１６６，１６７を有する。プロセスユニット１６１は第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１６２は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有する。
また、トランスファユニット１６３は、２つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット１６８を備える。該搬送アームユニット１６８は、トランスファユニット１６３内に配設されたガイドレール１６９に沿って移動し、各プロセスユニット１３９〜１４２，１６１，１６２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
なお、基板処理装置１６０における各構成要素の動作も、基板処理装置１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、ＥＣ８９に供給し、ＥＣ８９のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。 図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。 図１の基板処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。 ロットスタート設定機能が「有効」に設定された場合においてオペレーションパネルの表示部に表示されるロードポート情報画面を示す図である。 オペレーションパネルの表示部に表示されるプロセスユニット情報画面を示す図であり、図６（Ａ）はプロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されていない場合の図であり、図６（Ｂ）はプロセスユニットへのウエハの搬入が禁止されている場合の図である。 レシピバッファリング機能及びウエハ搬入禁止機能を用いてレシピの修正を行う場合を説明する工程図である。 本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理のフローチャートである。 本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理の変形例のフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理のフローチャートである。 本実施の形態に係る基板処理装置において実行されるレシピ検討処理の変形例のフローチャートである。 本発明の各実施の形態に係る基板処理装置の第１の変形例の概略構成を示す平面図である。 本発明の各実施の形態に係る基板処理装置の第２の変形例の概略構成を示す平面図である。 図４におけるＥＣの構成を示すブロック図である。
符号の説明
Ｗ ウエハ
１０，１３７，１６０ 基板処理装置
１１ 第１のプロセスシップ
１２ 第２のプロセスシップ
１３ ローダーユニット
１４ フープ
２０ ロードポート
２５ 第１のプロセスユニット
３４ 第２のプロセスユニット
３６ 第３のプロセスユニット
３８，５０，７０ チャンバ
４９ 第２のロード・ロック室
８８ オペレーションパネル
８９ ＥＣ
９０，９１，９２ ＭＣ
９３ スイッチングハブ
１３８，１６３ トランスファユニット
１３９，１４０，１４１，１４２，１６１，１６２ プロセスユニット
１７０ ＬＡＮ
１７１ ＰＣ

Claims (11)

  1. 基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置であって、
    前記基板を搬送する基板搬送ユニットと、
    前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止部と、
    前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除部と、
    前記処理条件を修正する修正部と、
    前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別し、前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止部によって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する判別部と、を備え、
    前記判別部による判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正部は、前記処理条件を修正することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記１ロットに相当する複数の基板に施す処理の処理条件を設定する設定部と、
    前記設定された処理条件と内容が異なる処理条件が入力されたときに、該内容が異なる処理条件と前記設定部が設定した処理条件との内容の差異に応じて前記基板処理ユニットが前記基板に施す処理の処理条件を決定する条件決定部とを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正部と、
    前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録部と、
    前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録部と、
    前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程順序判別部とを備え、
    前記処理手順修正部は、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法であって、
    前記基板を搬送する基板搬送ステップと、
    前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、
    前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、
    前記処理条件を修正する修正ステップと、
    前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第１の判別ステップと、
    前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第２の判別ステップとを有し、
    前記第２の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする基板処理条件検討方法。
  7. 前記修正ステップでは、前記基板処理ユニットで異常が発生したときに、前記処理条件を修正することを特徴とする請求項６記載の基板処理条件検討方法。
  8. 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする請求項６又は７記載の基板処理条件検討方法。
  9. 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板処理条件検討方法。
  10. 複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正ステップと、
    前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録ステップと、
    前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録ステップと、
    前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程存在判別ステップとを備え、
    前記処理手順修正ステップでは、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板処理条件検討方法。
  11. 基板に処理を施す基板処理ユニットと、１ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理条件検討方法は、
    前記基板を搬送する基板搬送ステップと、
    前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、
    前記１ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、
    前記処理条件を修正する修正ステップと、
    前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第１の判別ステップと、
    前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第２の判別ステップとを有し、
    前記第２の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする記憶媒体。
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