JP4900903B2

JP4900903B2 - 基板処理装置、基板処理装置のパラメータ管理システム、基板処理装置のパラメータ管理方法、プログラム、及び記憶媒体

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Publication number: JP4900903B2
Application number: JP2006048475A
Authority: JP
Inventors: 嘉宏山本; 善之中村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-02-24
Filing date: 2006-02-24
Publication date: 2012-03-21
Anticipated expiration: 2026-02-24
Also published as: JP2007227759A

Description

本発明は、複数のパラメータに基づいて基板に対して処理を実行する基板処理装置に関し、特に、これらのパラメータを変更可能にする基板処理装置のパラメータ管理システム、基板処理装置のパラメータ管理方法、プログラム、及び記憶媒体に関する。

基板に対して種々の処理を行う従来の基板処理装置は、装置を制御するために必要な膨大なパラメータを有している。これらのパラメータは基板処理装置においてデータベース化されて管理されている。基板処理装置においては、これらのパラメータに基づいてソフトウエアによる情報処理が実行されることにより各部が動作する。基板処理装置おいて幾つもの機能の追加や変更を行うためにソフトウエアのバージョンを新バージョンにバージョンアップする際にはパラメータも追加や変更されるため、ソフトウエアのバージョンアップ時には、パラメータデータベースの旧データベースから新データベースへのコンバート処理（バージョンアップ処理）がなされる。

基板処理装置のパラメータが適切に設定されていない場合、装置が正しく動作しなかったり、故障したりする。このため、処理条件の有効範囲を示すパラメータ等のようにパラメータの種類によってはユーザが装置の操作部を介して自由に設定することができず、専用のソフトウエア等のパラメータ変更ツールを用いることによりパラメータの変更が可能になっている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開平１０−１２５５８７号公報特開２０００−２２８３４８号公報

しかしながら、上述のパラメータ変更ツールを用いてパラメータを変更するためには、パラメータ変更ツールを装置に展開して実行し、実行終了後これを削除し、パラメータの変更内容を記録する等の作業を行わなければならない。上述のように、基板処理装置の有するパラメータは膨大であり、１つのパラメータ変更ツールで変更することができるパラメータの数は限られているため、ソフトウエアのバージョンアップには上述のパラメータ変更ツールが多数必要になる。このため上述の作業を何度も実行しなければならない。

このように、従来の基板処理装置においては、処理条件の有効範囲を示すパラメータ等を変更する場合には、特殊なツールを用いて同じ作業を繰り返し行う必要があり、パラメータの変更に手間がかかり効率が悪く、また作業ミスが発生しやすかった。作業ミスは装置の誤作動の原因になる場合があった。

本発明の目的は、基板に対する処理を実行するためのパラメータをユーザが容易に変更することができる基板処理装置、基板処理装置のパラメータ管理装置、基板処理装置のパラメータ、プログラム、及び記憶媒体を提供することある。

上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板に対して処理を行う基板処理装置でおいて、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置と、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択装置とを備え、前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする。

請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項３記載の基板処理装置は、請求項１又は２記載の基板処理装置において、前記パラメータカテゴリ変更装置が前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更装置によるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止装置を備えることを特徴とする。

請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項５記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項６記載の基板処理装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記パラメータ変更装置は、ユーザに前記パラメータを変更可能にするユーザインタフェースを備えることを特徴とする。

請求項７記載の基板処理装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記パラメータ選択装置が選択するパラメータは変更可能であることを特徴とする。

請求項８記載の基板処理装置の管理方法は、基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法であって、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更ステップと、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更ステップと、前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択ステップとを備え、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする。

請求項９記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項１０記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８又は９記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータカテゴリ変更ステップにおいて前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更ステップによるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止ステップを備えることを特徴とする。

請求項１１記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項１２記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。

請求項１３記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータ変更ステップは、前記基板処理装置が備えるユーザインタフェースを介して前記パラメータを変更可能にすることを特徴とする。

請求項１４記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータ選択ステップで選択されるパラメータは変更可能であることを特徴とする。

請求項１５記載のプログラムは、基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記基板処理装置は、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備え、前記プログラムは、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールと、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択モジュールとを備え、前記パラメータカテゴリ変更モジュールは、前記パラメータ選択モジュールによって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする。

請求項１６記載の記憶媒体は、基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納する記憶媒体であって、前記基板処理装置は、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備え、前記プログラムは、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールと、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択モジュールとを備え、前記パラメータカテゴリ変更モジュールは、前記パラメータ選択モジュールによって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする。

請求項１記載の基板処理装置、請求項８記載の基盤処理装置のパラメータ管理方法、請求項１５記載のプログラム、及び請求項１６記載の記憶媒体は、複数のカテゴリに分類されているパラメータの内指定されたパラメータのカテゴリを変更し、カテゴリに応じてパラメータを変更可能にする。このため、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、そのカテゴリを変更してパラメータを変更可能にすることができる。従って、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、基板に対する処理を実行するためのパラメータをユーザは確実に且つ容易に変更することができる。また、ユーザはパラメータを確実に且つ容易に変更することができるため、パラメータ変更の誤作業の発生を低減することができ、基板処理装置の誤作動を抑制することができる。

請求項２記載の基板処理装置、及び請求項９記載の基盤処理装置の管理方法によれば、カテゴリが変更された後に基板処理装置が再起動された場合に、変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻されるので、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。

請求項３記載の基板処理装置、及び請求項１０記載の基盤処理装置の管理方法によれば、指定されたパラメータのカテゴリが変更された後に、パラメータのカテゴリの変更が禁止される。従って、カテゴリが変更されたパラメータに対するカテゴリ変更の二重実行を防止することができる。これにより、変更可能になったパラメータが再度変更できなくなることを防止することができる。

請求項４記載の基板処理装置、及び請求項１１記載の基盤処理装置の管理方法によれば、記憶装置に格納されているパラメータ情報及びカテゴリ情報が複製されて複製記憶装置に格納され、複製されたパラメータ情報から指定されたパラメータに対応するパラメータ情報が検索される。そして、複製されたカテゴリ情報の内検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報が変更されてパラメータが変更可能にされ、基板処理装置が再起動された場合に、複製記憶装置に格納された情報が削除されることより変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。このように、カテゴリが変更されてパラメータが変更可能にされた後に基板処理装置が再起動された場合、変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。

請求項５記載の基板処理装置、及び請求項１２記載の基盤処理装置の管理方法によれば、記憶装置に格納されているパラメータ情報及びカテゴリ情報が複製されて複製記憶装置に格納され、記憶装置に格納されたパラメータ情報から指定されたパラメータに対応するパラメータ情報が検索される。そして、記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報が変更されてパラメータが変更可能にされ、基板処理装置が再起動された場合に、記憶装置に格納された情報が複製記憶装置に格納された情報によって上書きされることにより変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。

請求項６記載の基板処理装置、及び請求項１３記載の基盤処理装置の管理方法によれば、ユーザはユーザインタフェースを介してパラメータを変更することができる。従って、カテゴリが変更されて変更可能になったパラメータをユーザインタフェースを介して容易に変更することができる。

請求項７記載の基板処理装置、及び請求項１４記載の基盤処理装置の管理方法によれば、選択するパラメータが変更可能であるので、指定するパラメータを所望のパラメータとすることができる。従って、ユーザはカテゴリを変更して変更可能にしたいパラメータを任意に選ぶことができ、ユーザは容易にパラメータを変更することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

本実施の形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハにＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理やＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment
）処理を実行する。ＣＯＲ処理は、被処理体の酸化膜とガス分子（アンモニアガス及び弗化水素ガス）を化学反応させて生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲ処理が施された被処理体を加熱して、ＣＯＲ処理の化学反応によって被処理体に生成した生成物を気化・熱酸化（Thermal Oxidation）させて被処理体から除去する処理である。以上のように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理、特に、ＣＯＲ処理は、プラズマを用いず且つ水成分を用いずに被処理体の酸化膜を除去する処理であるため、プラズマレスエッチング処理及びドライクリーニング処理（乾燥洗浄処理）に該当する。尚、本基板処理装置は、エッチング処理の他、ＣＶＤ処理や熱処理等の他の処理装置としても適用可能である。

図１において、基板処理装置１０は、電子デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）（基板）Ｗに反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す第１のプロセスシップ１１と、該第１のプロセスシップ１１と平行に配置され、ウエハＷに後述するＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す第２のプロセスシップ１２と、第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット１３とを備える。

ローダーユニット１３には、上述した第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２の他、２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ウエハＷの表面状態を計測する第１及び第２のＩＭＳ（Integrated Metrology System、Therma-Wave, Inc.）１７，１８とが接続されている。

第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２は、ローダーユニット１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置され、第１のＩＭＳ１７はローダーユニット１３の長手方向に関する他端に配置され、第２のＩＭＳ１８は３つのフープ載置台１５と並列に配置される。

ローダーユニット１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２０とを有する。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷを第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２、オリエンタ１６、第１のＩＭＳ１７や第２のＩＭＳ１８へ搬出入する。

第１のＩＭＳ１７は光学系のモニタであり、搬入されたウエハＷを載置する載置台２１と、該載置台２１に載置されたウエハＷに指向する光学センサ２２とを有し、ウエハＷの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のＣＤ（Critical Dimension）値を測定する。第２のＩＭＳ１８も光学系のモニタであり、第１のＩＭＳ１７と同様に、載置台２３と光学センサ２４とを有し、ウエハＷの表面におけるパーティクル数を計測する。

第１のプロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す第１の真空処理室としての第１のプロセスユニット２５と、該第１のプロセスユニット２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第１の搬送アーム２６を内蔵する第１のロード・ロックユニット２７とを有する。

第１のプロセスユニット２５は、円筒状の処理室容器（チャンバ）と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極を有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにＲＩＥ処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２８をその頂部に有する。

第１のプロセスユニット２５では、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。

第１のプロセスシップ１１では、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第１のプロセスユニット２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、第１のロード・ロックユニット２７は、第１のプロセスユニット２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。

第１のロード・ロックユニット２７の内部には、略中央部に第１の搬送アーム２６が設置され、該第１の搬送アーム２６より第１のプロセスユニット２５側に第１のバッファ３１が設置され、第１の搬送アーム２６よりローダーユニット１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、第１の搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとの第１のプロセスユニット２５における円滑な入れ換えを可能とする。

第２のプロセスシップ１２は、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２の真空処理室としての第２のプロセスユニット３４と、該第２のプロセスユニット３４に真空ゲートバルブ３５を介して接続された、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す第３の真空処理室としての第３のプロセスユニット３６と、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第２の搬送アーム３７を内蔵する第２のロード・ロックユニット４９とを有する。

図２は、図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。

図２（Ａ）において、第２のプロセスユニット３４は、円筒状の処理室容器（チャンバ）３８と、該チャンバ３８内に配置されたウエハＷの載置台としてのＥＳＣ３９と、チャンバ３８の上方に配置されたシャワーヘッド４０と、チャンバ３８内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）４１と、チャンバ３８及びＴＭＰ４１の間に配置され、チャンバ３８内の圧力を制御する可変式バルブとしてのＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ４２とを有する。

ＥＳＣ３９は、内部に直流電圧が印加される電極板（図示しない）を有し、直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハＷを吸着して保持する。また、ＥＳＣ３９は調温機構として冷媒室（図示しない）を有する。この冷媒室には所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン液が循環供給され、当該冷媒の温度によってＥＳＣ３９の上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。さらに、ＥＳＣ３９は、ＥＳＣ３９の上面とウエハＷの裏面との間に伝熱ガス（ヘリウムガス）を満遍なく供給する伝熱ガス供給系統（図示しない）を有する。伝熱ガスは、ＣＯＲ処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたＥＳＣ３９とウエハＷとの熱交換を行い、ウエハＷを効率よく且つ均一に冷却する。

また、ＥＳＣ３９は、その上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン５６を有し、これらのプッシャーピン５６は、ウエハＷがＥＳＣ３９に吸着保持されるときにはＥＳＣ３９に収容され、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷをチャンバ３８から搬出するときには、ＥＳＣ３９の上面から突出してウエハＷを上方へ持ち上げる。

シャワーヘッド４０は２層構造を有し、下層部４３及び上層部４４のそれぞれに第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６を有する。第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６はそれぞれガス通気孔４７，４８を介してチャンバ３８内に連通する。すなわち、シャワーヘッド４０は、第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６にそれぞれ供給されるガスのチャンバ３８内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた２つの板状体（下層部４３、上層部４４）からなる。

ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室４５にはＮＨ_３（アンモニア）ガスが後述するアンモニアガス供給管５７から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給されると共に、第２のバッファ室４６にはＨＦ（弗化水素）ガスが後述する弗化水素ガス供給管５８から供給され、該供給された弗化水素ガスはガス通気孔４８を介してチャンバ３８内へ供給される。

また、シャワーヘッド４０はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、好ましくは、上層部４４上に配置されて第２のバッファ室４６内の弗化水素ガスの温度を制御する。

また、図２（Ｂ）に示すように、ガス通気孔４７，４８におけるチャンバ３８内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガスや弗化水素ガスをチャンバ３８内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔４７，４８は断面がくびれ形状を呈するので、チャンバ３８で発生した堆積物がガス通気孔４７，４８、引いては、第１のバッファ室４５や第２のバッファ室４６へ逆流するのを防止することができる。なお、ガス通気孔４７，４８は螺旋状の通気孔であってもよい。

この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を調整することによってウエハＷにＣＯＲ処理を施す。また、この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内において初めてアンモニアガス及び弗化水素ガスが混合するように設計されている（ポストミックス設計）ため、チャンバ３８内に上記２種類のガスが導入されるまで、該２種類のガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとがチャンバ３８内への導入前に反応するのを防止する。

また、第２のプロセスユニット３４では、チャンバ３８の側壁がヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵し、チャンバ３８内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、ＣＯＲ処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによってチャンバ３８内に発生した副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。

図１に戻り、第３のプロセスユニット３６は、筐体状の処理室容器（チャンバ）５０と、該チャンバ５０内に配置されたウエハＷの載置台としてのステージヒータ５１と、該ステージヒータ５１の周りに配置され、ステージヒータ５１に載置されたウエハＷを上方に持ち上げるバッファアーム５２と、チャンバ内及び外部雰囲気を遮断する開閉自在な蓋としてのＰＨＴチャンバリッド（図示しない）とを有する。

ステージヒータ５１は、表面に酸化皮膜が形成されたアルミからなり、内蔵された電熱線等によって載置されたウエハＷを所定の温度まで加熱する。具体的には、ステージヒータ５１は載置したウエハＷを少なくとも１分間に亘って１００〜２００℃、好ましくは約１３５℃まで直接加熱する。

ＰＨＴチャンバリッドにはシリコンゴム製のシートヒータが配される。また、チャンバ５０の側壁にはカートリッジヒータ（図示しない）が内蔵され、該カートリッジヒータはチャンバ５０の側壁の壁面温度を２５〜８０℃に制御する。これにより、チャンバ５０の側壁に副生成物が付着するのを防止し、付着した副生成物に起因するパーティクルの発生を防止してチャンバ５０のクリーニング周期を延伸する。なお、チャンバ５０の外周は熱シールドによって覆われている。

ウエハＷを上方から加熱するヒータとして、上述したシートヒータの代わりに、紫外線放射（UV radiation）ヒータを配してもよい。紫外線放射ヒータとしては、波長１９０〜４００ｎｍの紫外線を放射する紫外線ランプ等が該当する。

バッファアーム５２は、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷを一時的に第２の搬送アーム３７における支持部５３の軌道の上方に待避させることにより、第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６におけるウエハＷの円滑な入れ換えを可能とする。

この第３のプロセスユニット３６は、ウエハＷの温度を調整することによってウエハＷにＰＨＴ処理を施す。

第２のロード・ロックユニット４９は、第２の搬送アーム３７を内蔵する筐体状の搬送室（チャンバ）７０を有する。また、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６の内部圧力は真空に維持される。そのため、第２のロード・ロックユニット４９は、第３のプロセスユニット３６との連結部に真空ゲートバルブ５４を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ５５を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。

図３は、図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。

図３において、第２のプロセスユニット３４は、第１のバッファ室４５へアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給管５７と、第２のバッファ室４６へ弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給管５８と、チャンバ３８内の圧力を測定する圧力ゲージ５９と、ＥＳＣ３９内に配設された冷却系統に冷媒を供給するチラーユニット６０とを備える。

アンモニアガス供給管５７にはＭＦＣ（Mass Flow Controller）（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第１のバッファ室４５へ供給するアンモニアガスの流量を調整すると共に、弗化水素ガス供給管５８にもＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第２のバッファ室４６へ供給する弗化水素ガスの流量を調整する。アンモニアガス供給管５７のＭＦＣと弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣは協働して、チャンバ３８へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。

また、第２のプロセスユニット３４の下方には、ＤＰ（Dry Pump）（図示しない）に接続された第２のプロセスユニット排気系６１が配置される。第２のプロセスユニット排気系６１は、チャンバ３８とＡＰＣバルブ４２の間に配設された排気ダクト６２と連通する排気管６３と、ＴＭＰ４１の下方（排気側）に接続された排気管６４とを有し、チャンバ３８内のガス等を排気する。なお、排気管６４はＤＰの手前において排気管６３に接続される。

第３のプロセスユニット３６は、チャンバ５０へ窒素（Ｎ_２）ガスを供給する窒素ガス供給管６５と、チャンバ５０内の圧力を測定する圧力ゲージ６６と、チャンバ５０内の窒素ガス等を排気する第３のプロセスユニット排気系６７とを備える。

窒素ガス供給管６５にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ５０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第３のプロセスユニット排気系６７は、チャンバ５０に連通すると共にＤＰに接続された本排気管６８と、該本排気管６８の途中に配されたＡＰＣバルブ６９と、本排気管６８からＡＰＣバルブ６９を回避するように分岐し、且つＤＰの手前において本排気管６８に接続される副排気管６８ａとを有する。ＡＰＣバルブ６９は、チャンバ５０内の圧力を制御する。

第２のロード・ロックユニット４９は、チャンバ７０へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管７１と、チャンバ７０内の圧力を測定する圧力ゲージ７２と、チャンバ７０内の窒素ガス等を排気する第２のロード・ロックユニット排気系７３と、チャンバ７０内を大気開放する大気連通管７４とを備える。

窒素ガス供給管７１にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ７０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第２のロード・ロックユニット排気系７３は１本の排気管からなり、該排気管はチャンバ７０に連通すると共に、ＤＰの手前において第３のプロセスユニット排気系６７における本排気管６８に接続される。また、第２のロード・ロックユニット排気系７３及び大気連通管７４はそれぞれ開閉自在な排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６を有し、該排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６は協働してチャンバ７０内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する。

図４は、図３における第２のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。

図４において、第２のロード・ロックユニット４９のユニット駆動用ドライエア供給系７７のドライエア供給先としては、大気ドアバルブ５５が有するスライドドア駆動用のドアバルブシリンダ、Ｎ_２パージユニットとしての窒素ガス供給管７１が有するＭＦＣ、大気開放用のリリーフユニットとしての大気連通管７４が有するリリーフバルブ７６、真空引きユニットとしての第２のロード・ロックユニット排気系７３が有する排気バルブ７５、及び真空ゲートバルブ５４が有するスライドゲート駆動用のゲートバルブシリンダが該当する。

ユニット駆動用ドライエア供給系７７は、第２のプロセスシップ１２が備える本ドライエア供給管７８から分岐された副ドライエア供給管７９と、該副ドライエア供給管７９に接続された第１のソレノイドバルブ８０及び第２のソレノイドバルブ８１とを備える。

第１のソレノイドバルブ８０は、ドライエア供給管８２，８３，８４，８５の各々を介してドアバルブシリンダ、ＭＦＣ、リリーフバルブ７６及びゲートバルブシリンダに接続され、これらへのドライエアの供給量を制御することによって各部の動作を制御する。また、第２のソレノイドバルブ８１は、ドライエア供給管８６を介して排気バルブ７５に接続され、排気バルブ７５へのドライエアの供給量を制御することによって排気バルブ７５の動作を制御する。

なお、窒素ガス供給管７１におけるＭＦＣは窒素（Ｎ_２）ガス供給系８７にも接続されている。

また、第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６も、上述した第２のロード・ロックユニット４９のユニット駆動用ドライエア供給系７７と同様の構成を有するユニット駆動用ドライエア供給系を備える。

図１に戻り、基板処理装置１０は、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションコントローラ８８とを備える。

オペレーションコントローラ８８は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、該表示部は基板処理装置１０の各構成要素の動作状況を表示する。また、ユーザはオペレーションコントローラ８８を介して基板処理装置１０に対して種々の操作を行うことができる。

また、図５に示すように、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、３つのＭＣ（Module Controller）９０，９１，９２と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ９３とを備える。該システムコントローラはＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１７０を介して、基板処理装置１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１７１に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。

ＥＣ８９は、各ＭＣを統括して基板処理装置１０全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ等を有し、オペレーションコントローラ８８においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理方法、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてＣＰＵが、各ＭＣに制御信号を送信することにより、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する。

スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。

ＭＣ９０，９１，９２は、それぞれ第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール９７，９８，９９にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。

Ｉ／Ｏモジュール９８は、第２のプロセスシップ１２における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９８においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、第２のプロセスユニット３４におけるアンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、圧力ゲージ５９及びＡＰＣバルブ４２、第３のプロセスユニット３６における窒素ガス供給管６５のＭＦＣ、圧力ゲージ６６、ＡＰＣバルブ６９、バッファアーム５２及びステージヒータ５１、第２のロード・ロックユニット４９における窒素ガス供給管７１のＭＦＣ、圧力ゲージ７２及び第２の搬送アーム３７、並びにユニット駆動用ドライエア供給系７７における第１のソレノイドバルブ８０及び第２のソレノイドバルブ８１等が該当する。

なお、Ｉ／Ｏモジュール９７，９９は、Ｉ／Ｏモジュール９８と同様の構成を有し、第１のプロセスシップ１１に対応するＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係、並びにローダーユニット１３に対応するＭＣ９２及びＩ／Ｏモジュール９９の接続関係も、上述したＭＣ９１及びＩ／Ｏモジュール９８の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。

また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。

基板処理装置１０において、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際には、ＣＯＲ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、スイッチングハブ９３、ＭＣ９１、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９８におけるＩ／Ｏ部１００を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４においてＣＯＲ処理を実行する。

具体的には、ＣＰＵが、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ及び弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣに制御信号を送信することによってチャンバ３８におけるアンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を所望の値に調整し、ＴＭＰ４１及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９がチャンバ３８内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９のＣＰＵに送信し、該ＣＰＵは送信されたチャンバ３８内の圧力値に基づいて、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、ＡＰＣバルブ４２やＴＭＰ４１の制御パラメータを決定する。

また、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す際には、ＰＨＴ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第３のプロセスユニット３６においてＰＨＴ処理を実行する。

具体的には、ＣＰＵが、窒素ガス供給管６５のＭＦＣ及びＡＰＣバルブ６９に制御信号を送信することによってチャンバ５０内の圧力を所望の値に調整し、ステージヒータ５１に制御信号を送信することによってウエハＷの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ６６がチャンバ５０内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９のＣＰＵに送信し、該ＣＰＵは送信されたチャンバ５０内の圧力値に基づいて、ＡＰＣバルブ６９や窒素ガス供給管６５のＭＦＣの制御パラメータを決定する。

図５のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。

また、ＥＣ８９のＣＰＵが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス、及び当該Ｉ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。

図６は、図５のシステムコントローラにおけるＥＣ８９の概略構成を示すブロック図である。

図６に示すように、ＥＣ８９は、基板処理装置１０の各構成要素を制御するＣＰＵ１１１と、ＣＰＵ１１１による演算処理の作業領域としてのＲＡＭ１１２と、記憶領域としてのＲＯＭ１１３と、ＨＤ、フロッピー（登録商標）ディスク、ＭＯ、又はＣＤ−ＲＯＭ等の外部記憶装置からデータを読み込んだり、これらにデータを書き込んだりする外部記憶媒体ドライブ１１４を備える。

ＲＯＭ１１３には、上述のように基板処理装置１０において実行される種々の処理に対応するレシピを示すプログラムや、レシピに応じて各構成要素を制御するための種々の制御パラメータ等が記憶されている。ＲＯＭ１１３は、後述するパラメータ定義ファイルを格納するパラメータ定義ファイル格納領域１１５と、バックアップファイルを作成するためのバックアップ領域１１６とを備える。また、ＲＯＭ１１３には、後述するパラメータカテゴリ変更ツールが格納されている。

ＥＣ８９においては、上述のように、ＣＰＵ１１１が各処理のレシピに対応するプログラムをＲＯＭ１１３から読み出して実行し、各構成要素の状態に応じてＲＯＭ１１３から対応する制御パラメータを検索し、これを制御信号としてエンドデバイスに出力して各エンドデバイスを制御し、各処理を実行する。

ＲＯＭ１１３には、基板処理装置１０の各構成要素を制御するために多数の制御パラメータが格納されている。制御パラメータには、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣや弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、窒素ガス供給管６５のＭＦＣ等のガス供給量等が含まれる。

これらの制御パラメータの属性は、パラメータ定義ファイルによって定義されている。各パラメータの属性情報としては、各パラメータを特定するためのパラメータＩＤ情報（以下、ＧＰＩＤと称する）、各パラメータの属するカテゴリを示すカテゴリ情報、各パラメータに設定された選択肢を示す選択肢情報、及び各パラメータの項目名やカテゴリ、選択肢をオペレーションコントローラ８８に表示するためのテキスト情報が含まれる。パラメータの属するカテゴリは、各パラメータの重要度を表し、例えば、カテゴリ０，１，２，３，４の５つのカテゴリからなる。本実施の形態のおいてはカテゴリが低い方が重要度が高いパラメータとなっている。

パラメータ定義ファイルには、図７に示すように、パラメータ定義ファイルの名称（パラメータ定義ファイル名）を示す情報、ＧＰＩＤ、カテゴリ情報、テキスト情報、及び選択肢情報が格納されている。パラメータ定義ファイルは、複数の制御パラメータに対応する属性情報が設定可能であり、ＲＯＭ１１３のパラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納されている。パラメータの値はパラメータ定義ファイルには記録されてなく、ＲＯＭ１１３の所定の領域に格納されている。また、パラメータの値とパラメータ定義ファイルとはＧＰＩＤによって関連付けられている。

パラメータ定義ファイルのテキスト情報及び選択肢は、図８に示すように、オペレーションコントローラ８８に表示される。図８のオペレーションコントローラ８８のパラメータ定義ファイル情報表示画面において、項目名欄１２１に各パラメータの項目名及びカテゴリが、選択肢欄１２２に各パラメータに設定された選択肢が表示される。項目名欄１２１において、項目名の左側に表示される数字がそのパラメータが属するカテゴリを示す。例えば、パラメータ定義ファイル情報表示画面の最上段に表示されたパラメータの項目名は、「ＡＲＡＭＳステート強制変更」であり、カテゴリは４である。また、ＡＲＡＭＳステート強制変更のパラメータ値として現在「無効」が選択されている。従って、現在、ＡＲＡＭＳステート強制変更のパラメータは無効に設定されている。また、パラメータ定義ファイル情報表示画面の２番目の段に表示されたパラメータの項目名は、「ＰＡＣ（Process Automation Control）レシピ通過タイムアウト」であり、カテゴリは３である。また、ＰＡＣレシピ通過タイムアウトのパラメータ値として現在「１０（秒）」が選択されている。尚、ＰＡＣはＲ２ＲやＦＤＣを含む。

ＥＣ８９は、カテゴリの高い重要度の低いパラメータ、本実施の形態においてはカテゴリ２，３，４に属するパラメータをユーザがオペレーションコントローラ８８を介して任意の値に設定することができるように構成されている。一方、ＥＣ８９は、カテゴリの低い重要度の高いパラメータ、本実施の形態においてはカテゴリ０，１に属するパラメータをユーザが変更することができないように構成されている。これにより、パラメータ変更に関する安全性が確保されている。

具体的には、カテゴリ２，３，４に属するパラメータは、図８に示すパラメータ定義ファイル情報表示画面においてその選択肢及びパラメータの値を変更可能である。一方、カテゴリ０，１に属するパラメータは、その選択肢及びパラメータの値を変更することができない。尚、パラメータの変更は、ユーザの操作によりＲＯＭ１１３に記憶されたパラメータ変更プログラムをＣＰＵ１１１が実行することにより行われる。パラメータ変更プログラムにはＲＯＭ１１３に格納されているパラメータ定義ファイルがリンクされており、ＣＰＵ１１１はパラメータ変更プログラムの実行の際に、ＲＯＭ１１３内のパラメータ定義ファイル（図７）を参照してユーザに指定されたパラメータがカテゴリ２，３，４に属する場合にそのパラメータの変更を可能にする。

上述のように、ＥＣ８９において、カテゴリ０，１に設定されているパラメータの値は変更することができないようにされておりパラメータ変更に関する安全性が確保されているが、ユーザがカテゴリ０，１のパラメータを変更することができないことはユーザにとって不便である。これに対して、基板処理装置１０は、図１０で後述するパラメータカテゴリ変更処理が実行可能に構成されている。具体的には、ＥＣ８９のＲＯＭ１１３には、パラメータカテゴリ変更処理を実行するためのプログラム（パラメータカテゴリ変更ツール）が格納されている。

外部記憶装置ドライブ１１４には、パラメータカテゴリ変更処理を実行してカテゴリ０，１に属するパラメータを変更するために、カテゴリを変更したいパラメータを示すカテゴリ変更定義ファイルが記憶された外部記憶メディア１１７が挿入される。外部記憶メディア１１７に記憶されるカテゴリ変更定義ファイルには、図９に示すように、カテゴリを高くしてオペレーションコントローラ８８を介してユーザがパラメータの値を任意に変更可能にしたいパラメータのＧＰＩＤとパラメータ定義ファイル名が記憶されている。尚、カテゴリ変更定義ファイルは、１以上のＧＰＩＤを登録可能に構成されている。ＣＰＵ１１１は、ユーザの操作に応じて外部記憶装置ドライブ１１４を介して外部記憶メディア１１７に記憶されているカテゴリ変更定義ファイルを読み込み、ＲＯＭ１１３に格納する。

以下に、パラメータカテゴリ変更処理について詳細に説明する。

図１０は、基板処理装置１０が実行するパラメータカテゴリ変更処理のフローチャートである。

本パラメータカテゴリ変更処理は、ユーザがオペレーションコントローラ８８を介して所定の操作を行うことによりＥＣ８９のＣＰＵ１１１によって実行される。具体的には、ユーザが図１１に示すパラメータカテゴリ変更処理実行画面をオペレーションコントローラ８８に表示して、このパラメータカテゴリ変更処理実行画面において、パラメータのカテゴリ変更ボタン１３１を選択することにより開始される。

本パラメータカテゴリ変更処理において、まず、ＲＯＭ１１３内にカテゴリ変更定義ファイルが存在するか否かを判別する（ステップＳ１）。ＲＯＭ１１３内にカテゴリ変更定義ファイルが存在しない場合は、本処理を終了する。カテゴリ変更定義ファイルがＲＯＭ１１３内にない場合はエラーとしてその後の処理を実行しない。一方、ＲＯＭ１１３内にカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合はステップＳ２の処理に移行する。

ステップＳ２においては、バックアップ領域１１６に後述するステップＳ１２において作成されるＲＯＭ１１３の上記カテゴリ変更定義ファイルをコピーしたカテゴリ変更定義ファイル（以下、コピーカテゴリ変更定義ファイルと称する）が存在するか否かを判別する。バックアップ領域１１６にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合は、本処理を終了する。バックアップ領域１１６にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合は、エラーとしてその後の処理を実行しない。一方、バックアップ領域１１６にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在しない場合は、ステップＳ３の処理に移行する。

ステップＳ３においては、ＲＯＭ１１３内のカテゴリ変更定義ファイルのパラメータ定義ファイル名からまだステップＳ３において選択されていないパラメータ定義ファイル名を選択する。

次いで、ステップＳ３において選択したパラメータ定義ファイル名に該当するパラメータ定義ファイルをＲＯＭ１１３のパラメータ定義ファイル格納領域１１５から検索して、該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域１１５内に存在するか否かを判別する（ステップＳ４）。該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域１１５内に存在しない場合は後述するステップＳ１１の処理に移行する。つまり、ステップＳ３において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップする。この場合は、選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップした旨をオペレーションコントローラ８８に表示する。

一方、該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域１１５に存在する場合は、この該当するパラメータ定義ファイルのコピーがバックアップ領域１１６に既にコピー済みか否かを判別する（ステップＳ５）。即ち、この該当するパラメータ定義ファイルのコピー（以下、コピーパラメータ定義ファイルと称する）がバックアップ領域１１６に存在するか否かを判別する。

コピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在しない場合は、ステップＳ４において検索されたパラメータ定義ファイルをバックアップ領域１１６にコピーしてバックアップ領域１１６にコピーパラメータ定義ファイルを作成し（ステップＳ６）、ステップＳ７の処理に移行する。

一方、コピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在する場合はステップＳ１１の処理に移行する。ステップＳ５においてコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在する場合は、既に該当するパラメータ定義ファイルのカテゴリが後述する処理によって変更されているため、後に検索されたパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップする。この場合、オペレーションパネル８８に後者をスキップした旨を表示する。

ステップＳ７においては、ステップＳ３において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するＧＰＩＤの内まだステップＳ７において選択されていないＧＰＩＤをＲＯＭ１１３に読み込まれたカテゴリ変更定義ファイルから選択し（ステップＳ７）、この選択したＧＰＩＤと同一のＧＰＩＤがステップＳ６においてバックアップ領域１１６に作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在するか否かを判別する（ステップＳ８）。

ステップＳ７において選択したＧＰＩＤがステップＳ６において作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在する場合は、コピーパラメータ定義ファイル内のこのＧＰＩＤの示すパラメータのカテゴリ０又は１のカテゴリ情報をカテゴリ２に変更し（ステップＳ９）、ステップＳ１０の処理に移行する。このとき、カテゴリ情報をカテゴリ２に変更したコピーパラメータ定義ファイルを元のパラメータ定義ファイルに代えて上記パラメータ変更プログラムとリンク付ける。これにより、本パラメータカテゴリ変更処理実行後にユーザがパラメータ変更プログラムを実行させた場合に、ＣＰＵ１１１はコピーパラメータ定義ファイルを参照するため、外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルによって指定されたパラメータを変更することができる。一方、ステップＳ７において選択したＧＰＩＤがステップＳ６において作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在しない場合は、直接ステップＳ１０の処理に移行する。

ステップＳ１０においては、ステップＳ３において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するＧＰＩＤの内まだステップＳ７において選択されていないＧＰＩＤがＲＯＭ１１３のカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する。未選択ＧＰＩＤがカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合は、ステップＳ７の処理に戻り、未選択ＧＰＩＤがカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、ステップＳ３においてまだ選択されていないパラメータ定義ファイル名がＲＯＭ１１３のカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する（ステップＳ１１）。

未選択パラメータ定義ファイル名がＲＯＭ１１３のカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合はステップＳ３に戻る。一方、未選択のパラメータ定義ファイル名がＲＯＭ１１３のカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、カテゴリ変更定義ファイルをＲＯＭ１１３のバックアップ領域１１６にコピーしてコピーカテゴリ変更定義ファイルをバックアップ領域１１６に作成し（ステップＳ１２）、本処理を終了する。

尚、本処理は外部記憶装置ドライブ１１４によってＲＯＭ１１３に読み込まれた外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルの各々に対して実行される。また、上記パラメータカテゴリ変更処理の実行中は、装置の初期化や全保守移行等の操作が禁止される。

上述のパラメータカテゴリ変更処理により、カテゴリ０，１に属するパラメータのＧＰＩＤ及びそのパラメー変更ファイル名を外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルに指定することにより、外部記憶メディア１１７に指定されたパラメータのカテゴリがカテゴリ２に変更されたコピーパラメータ定義ファイルが作成され、このコピーパラメータ定義ファイルが元のパラメータ定義ファイルに代えてパラメータ変更プログラムとリンク付けられる。これにより、本パラメータカテゴリ変更処理実行後にユーザがパラメータ変更プログラムを実行させた場合に、ＣＰＵ１１１はコピーパラメータ定義ファイルを参照するため、外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルによって指定されたパラメータをユーザはオペレーションコントローラ８８を介して変更することができる。

例えば、図８に示されたパラメータの内、カテゴリ０又は１のパラメータ１２５，１２６，１２７，１２８のＧＰＩＤ及びパラメータ定義ファイル名を外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルに記載してカテゴリを変更したいパラメータとしてパラメータ１２５，１２６，１２７，１２８を指定し、この外部記憶メディア１１７を外部記憶装置ドライブ１１４によってＲＯＭ１１３に読み込み、図１０のパラメータカテゴリ変更処理を実行することにより、指定されたパラメータ１２５，１２６，１２７，１２８のカテゴリがカテゴリ２に変更される（図１２参照）。従って、ユーザは、オペレーションコントローラ８８において所定の操作を行ってパラメータ変更プログラムを実行することにより、オペレーションコントローラ８８を介して容易に指定したパラメータ１２５，１２６，１２７，１２８の値を変更することができる。例えば、図１３に示すように、カテゴリが変更されたパラメータ１２８（図１２参照）をオペレーションコントローラ８８において選択して、その選択肢を「無効」から「有効」に変更することができる。

上述のステップＳ１２の処理において、カテゴリを変更したいパラメータを指定したカテゴリ変更定義ファイルの内、既に指定するパラメータのカテゴリがカテゴリ２に変更されたカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域１１６にコピーされる。また、ステップＳ２において、既にステップＳ１２においてバックアップ領域１１６にコピーが作成されているカテゴリ変更定義ファイルに対しては、パラメータカテゴリ変更処理を実行しない。従って、同一のカテゴリ変更定義ファイルに対してパラメータカテゴリ変更処理が二重実行されることが防止されている。

次いで、上述のパラメータカテゴリ変更処理においてカテゴリが変更されたパラメータのカテゴリを元のカテゴリに戻すパラメータカテゴリ戻し処理について説明する。このパラメータカテゴリ戻し処理は、ＣＰＵ１１１が上記パラメータカテゴリ変更ツールを実行することにより行われる。

図１４は、パラメータカテゴリ戻し処理のフローチャートである。

本処理は、上記図１０のパラメータカテゴリ変更処理が実行された後、基板処理装置１０が再起動された後に実行される。

まず、コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在するか否かを判別する（ステップＳ２１）。コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在しない場合は、本処理を終了する。一方、コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在する場合はステップＳ２２の処理に移行する。

ステップＳ２２においては、コピーカテゴリ変更定義ファイルに格納されたパラメータ定義ファイル名の内ステップＳ２２においてまだ選択されていないパラメータ定義ファイル名を選択し、この選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在するか否かを判別する（ステップＳ２３）。選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在する場合は、この該当するコピーパラメータ定義ファイルを消去し（ステップＳ２４）、ステップＳ２５の処理に移行する。このとき、コピーパラメータパラメータ変更プログラムのリンク先をコピーパラメータ定義ファイルから元のＲＯＭ１１３内のパラメータ定義ファイルに変更する。これにより、図１０のパラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリがカテゴリ２に変更されてその値が変更可能になったパラメータのカテゴリが元のカテゴリ０又は１に戻り、再度パラメータの変更ができなくなる。一方、選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域１１６に存在しない場合は、直接ステップＳ２５の処理に移行する。この場合、選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルのカテゴリ戻し処理をスキップした旨をオペレーションコントローラ８８に表示する。

ステップＳ２５においては、ステップＳ２２においてまだ選択していないパラメータ定義ファイル名が上記コピーカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する。未選択のパラメータ定義ファイル名がコピーカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合は、ステップＳ２２の戻る。一方、未選択のパラメータ定義ファイル名がコピーカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、このコピーカテゴリ変更定義ファイルをバックアップ領域１１６から消去し（ステップＳ２６）、本処理を終了する。

本パラメータカテゴリ戻し処理により、図１０のパラメータカテゴリ変更処理によってパラメータ変更プログラムのリンク先とされたコピーパラメータ定義ファイルが削除されて元のパラメータ定義ファイルがリンク先となるので、外部記憶メディア１１７に指定されたパラメータの変更が再度できなくなる。

また、図１０のパラメータカテゴリ変更処理によってバックアップ領域１１６に作成されたコピーカテゴリ変更定義ファイルが削除されるので、再度このカテゴリ変更定義ファイルに基づくパラメータカテゴリ変更処理が実行可能になる。

上述のように、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１０によれば、カテゴリ０，１に属するパラメータを示すＧＰＩＤ及びそのパラメータ定義ファイル名を外部記憶メディア１１７のカテゴリ変更定義ファイルに記録してその値を変更したいパラメータを指定することにより、指定されたパラメータのカテゴリが２に変更される。これにより、ユーザはパラメータの値を変更することができる。従って、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを外部記憶メディア１１７によって指定することにより、ユーザはパラメータをオペレーションコントローラ８８を介して容易に変更することができる。また、ユーザはパラメータを容易に変更することができるため、パラメータ変更の誤作業の発生を低減することができ、基板処理装置１０の誤作動を抑制することができる。

パラメータカテゴリ変更処理において、指定するカテゴリが変更されたカテゴリ変更定義ファイルはバックアップ領域１１６にコピーが作成されて、このカテゴリ変更定義ファイルに基づくパラメータカテゴリ変更処理が実行できなくなる。従って、カテゴリが変更されたパラメータに対するカテゴリ変更の二重実行を防止することができる。これにより、変更可能になったパラメータが再度変更できなくなることを防止することができる。

また、基板処理装置１０によれば、パラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更された後に基板処理装置１０が再起動された場合、パラメータカテゴリ戻し処理が実行されてパラメータカテゴリ変更処理によって変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、カテゴリが変更された状態が継続することによりパラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。

次いで、パラメータカテゴリ変更処理及びパラメータカテゴリ戻し処理の変形例について説明する。図１５はパラメータカテゴリ変更処理の変形例のフローチャートであり、図１６はパラメータカテゴリ戻し処理の変形例のフローチャートである。以下の説明においては、図１０のパラメータカテゴリ変更処理及び図１４のパラメータカテゴリ戻し処理に対して異なる部分のみ説明し、同一の部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。

まず、パラメータカテゴリ変更処理の変形例について説明する。

本パラメータカテゴリ変更処理においては、図１０のパラメータカテゴリ変更処理のステップＳ８に代えて、ステップＳ７において選択したＧＰＩＤと同一のＧＰＩＤがＲＯＭ１１３のパラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納されたパラメータ定義ファイルに存在するか否かを判別する（ステップＳ３１）。パラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納されたパラメータ定義ファイルにステップＳ７において選択したＧＰＩＤと同一のＧＰＩＤが存在しない場合は、ステップＳ１０の処理に移行し、パラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納されたパラメータ定義ファイルにステップＳ７において選択したＧＰＩＤと同一のＧＰＩＤが存在する場合は、図１０のパラメータカテゴリ変更処理のステップＳ９に代えて実行されるステップＳ３２の処理に移行する。ステップＳ３２においては、ステップＳ７において選択したＧＰＩＤと同一のＧＰＩＤを有するパラメータ定義ファイル格納領域１１５のパラメータ定義ファイルにおいて、この選択したＧＰＩＤが示すパラメータのカテゴリ情報をカテゴリ０又は１からカテゴリ２に変更する。

上述のように、本パラメータカテゴリ変更処理は、図１０のパラメータカテゴリ変更処理に対して、バックアップ領域に作成せれたコピーパラメータ定義ファイルではなく、ＲＯＭ１１３のパラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納された元のパラメータ定義ファイルのカテゴリ情報を変更する点で異なる。これにより、パラメータ変更プラグラムのリンク先を変更する処理を省略することができる。また、図１０のパラメータカテゴリ変更処理と同様の効果を奏することができる。

次いで、パラメータカテゴリ戻し処理の変形例について説明する。

本パラメータカテゴリ戻し処理においては、図１４のパラメータカテゴリ戻し処理のステップＳ２４に代えて、バックアップ領域１１６の該当コピーパラメータ定義ファイルをパラメータ定義ファイル格納領域１１５内の対応するパラメータ定義ファイル（以下、該当パラメータ定義ファイルと称する）に上書きして、このバックアップ領域１１６の該当コピーパラメータ定義ファイルを消去することが異なる（ステップＳ４１）。これにより図１５のパラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更されたパラメータ定義ファイル格納領域１１５内の該当パラメータ定義ファイルが、パラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更される前の元のパラメータ定義ファイルのコピーである該当コピーパラメータ定義ファイルに書き換えられるので、パラメータ定義ファイル格納領域１１５内のパラメータ定義データが元に戻り、カテゴリ０，１のパラメータが変更できなくなる。

上述のように、本パラメータカテゴリ戻し処理は、図１４のパラメータカテゴリ戻し処理に対して、バックアップ領域に作成せれたコピーパラメータ定義ファイルを直ちに消去するのではなく、ＲＯＭ１１３のパラメータ定義ファイル格納領域１１５に格納されたカテゴリ情報が変更されたパラメータ定義ファイルをカテゴリ情報が変更されていない元のパラメータ定義ファイルである該当コピーパラメータ定義ファイルに書き換えてから該当コピーパラメータ定義ファイルを消去する点で異なる。これにより、パラメータ変更プラグラムのリンク先を変更する処理を省略することができる。また、図１４のパラメータカテゴリ変更処理と同様の効果を奏することができる。

本発明においては、基板処理装置の構造は上述の基板処理装置１０の構造に限られるものではなく、種々の構造の基板処理装置であってもよい。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。図１におけるプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。図３におけるロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。図１の基板処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。図５のシステムコントローラにおけるＥＣの概略構成を示すブロック図である。図６におけるパラメータ定義ファイル格納領域に格納されるパラメータ定義ファイルを例示する図である。図７のパラメータ定義ファイルのオペレーションコントローラにおける表示例を示す図である。図６における外部記憶メディアに格納されるカテゴリ変更定義ファイルを例示する図である。図１の基板処理装置が実行するパラメータカテゴリ変更処理のフローチャートである。図１０のパラメータカテゴリ変更処理を開始するための操作を説明する図である。図１０のパラメータカテゴリ変更処理によって変更されたパラメータ定義ファイルの情報を例示する図である。図１０のパラメータカテゴリ変更処理によってパラメータの変更が可能になったパラメータの変更操作を例示する図である。図１の基板処理装置が実行するパラメータカテゴリ戻し処理のフローチャートである。パラメータカテゴリ変更処理の変形例のフローチャートである。パラメータカテゴリ戻し処理の変形例のフローチャートである。

符号の説明

１０基板処理装置
８８オペレーションコントローラ
８９ＥＣ
１１１ＣＰＵ
１１２ＲＡＭ
１１３ＲＯＭ
１１４外部記憶装置ドライブ
１１５パラメータ定義ファイル格納領域
１１６バックアップ領域
１１７外部記憶メディア

Claims

基板に対して処理を行う基板処理装置でおいて、
前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、
前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置と、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、
前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択装置とを備え、
前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする基板処理装置。
前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記パラメータカテゴリ変更装置が前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更装置によるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止装置を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記パラメータ選択装置によって選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記パラメータ変更装置は、ユーザに前記パラメータを変更可能にするユーザインタフェースを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記パラメータ選択装置が選択するパラメータは変更可能であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法であって、
前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理方法において、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更ステップと、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更ステップと、
前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択ステップとを備え、
前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記パラメータカテゴリ変更ステップにおいて前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更ステップによるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止ステップを備えることを特徴とする請求項８又は９記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記パラメータ選択ステップで選択されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報を前記複製記憶装置に格納されたパラメータ情報及びカテゴリ情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記パラメータ変更ステップは、前記基板処理装置が備えるユーザインタフェースを介して前記パラメータを変更可能にすることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
前記パラメータ選択ステップで選択されるパラメータは変更可能であることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法。
基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記基板処理装置は、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備え、
前記プログラムは、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールと、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、
前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択モジュールとを備え、
前記パラメータカテゴリ変更モジュールは、前記パラメータ選択モジュールによって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とするプログラム。
基板に対して処理を行う基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納する記憶媒体であって、
前記基板処理装置は、前記処理を制御するためのパラメータであって、ユーザが変更することができないパラメータの一のカテゴリのものと、ユーザが変更することができるパラメータの他のカテゴリのものとを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記基板処理装置に前記処理を行わせる制御装置とを備え、
前記プログラムは、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールと、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、
前記パラメータの内前記カテゴリを変更すべきパラメータを選択するパラメータ選択モジュールとを備え、
前記パラメータカテゴリ変更モジュールは、前記パラメータ選択モジュールによって選択されたパラメータのカテゴリが前記一のカテゴリのときは、当該選択されたパラメータのカテゴリを前記他のカテゴリに変更することを特徴とする記憶媒体。