JP6990297B2 - 部品の診断方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム - Google Patents
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Description
本発明は基板処理装置に係り、特に基板処理装置の構成部品の診断技術に関する。
基板処理装置のセットアップ(立上げ)には、基板処理装置の筐体等の設置作業、電気設備の配線作業、ガス供給ライン及び排気ラインの接続作業、基板処理装置を構成する部品の初期診断チェックなどの動作チェック(部品チェック)作業等を含む種々の作業(総称して、セットアップ作業)が実施されるため、より計画的、且つ効率的なスケジュール管理が必要となり、種々の対応がなされている。
例えば、特許文献1によれば、セットアップ作業、調整における作業内容を順番通りに操作画面に表示させると共に、各セットアップ作業で使用したレシピ名称を操作画面に表示するように構成されている。
また、特許文献2によれば、「入出力バルブI/Oチェック」、「インターロックチェック」、「チャンバ真空チェック」等のセットアップ作業項目を各モジュール(PM1,PM2,PF)で並行に実施してセットアップを行うことが開示されている。
現状、半導体装置の製造工程において用いられる基板処理装置(以下、半導体製造装置とも称する)一台には数台から数十台の流量制御器であるMFC(マスフローコントローラ)が接続されているため、1台ずつ個別に初期診断を行うと多大な確認時間が必要となる。更に、装置筐体の扉を開けて、PCをMFCに接続する必要があり、MFCの動作環境を損ねる可能性がある。
本発明の目的は、一度に複数台のMFCの初期診断チェックを行い、基板処理装置の立ち上げを効率的に行う技術を提供することにある。
本発明の一態様によれば、ガス種に応じてスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する工程と、診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピを実行する工程と、を有し、診断用レシピを実行する工程は、部品のスイッチを不活性ガスに切替える工程と、不活性ガスを部品に供給し、部品に流れる不活性ガスの流量を予め診断用レシピで設定された所定流量となるように部品を調整する工程と、所定流量に調整後、流量をゼロに設定する工程と、流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間と予め設定された時間範囲を比較する工程と、部品のスイッチを不活性ガスから使用予定のガス種に切替える工程と、を含む技術が提供される。
本発明によれば、一度に複数台のMFCの初期診断チェックを行うことができるので、装置立ち上げ時間の短縮が可能となる。
従来、MFCの部品チェックは、装置運用中に確認を実施しており、装置立ち上げ時のMFCの初期不良の確認は一部の種類しかできていなかった。例えば、圧力式MFC(PS-MFC)は自己診断機能を備えており、初期診断を行うためMFCメーカ独自のツールを導入したパーソナルコンピュータ(PC)とMFCとを接続して、1個ずつMFCの初期不良の確認が行われていた。
そこで、発明者等は、この課題を解決するために、一度に複数のMFCの初期診断を行うことができるように、MFCの初期診断用レシピをMFC毎に設定可能にし、更に、MFC毎の初期診断の結果を一括して取得することができる仕組みを構築した。
本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、「初期診断チェック」とは、メーカ出荷時の値と装置立ち上げ時の値の偏差がチェック対象となり、この偏差がメーカ指定の閾値以上の場合に異常と判断され、この異常が発生した場合、アラームを発生させ、ブザー鳴動、ステップHOLD、アラームレシピ実施等の指定のエラー処理を実施するものをいう。「スイッチ」とは、MFCにガス種毎に設けられている登録番号を切替えることであり、また、その切替部品のことを示す場合もある。例えば、MFCに流すガスをN2ガスからO2ガスに変更する時に、つまり、本明細書において、N2ガス用登録番号(例えば、「CH1」で示される)からO2ガス用登録番号(例えば、「CH2」で示される)に変更するときに「スイッチ」を切替えると記載する。診断対象の部品として、主に圧力式MFC(PS-MFC)を、不活性ガスとしてN2ガスを例示して説明する。PS-MFCは、真空状態、例えばMFCの二次側が400Torr以下の減圧状態で用いられる。このため、基板処理装置に用いられるMFCは、初期診断チェック機能を有するMFC(PS-MFC)だけでなく、初期診断機能を有していないMFCと混在して用いられる。
図1に本実施形態において使用される基板処理装置の一構成例を示す。同図において、1-12はエアバルブ(AV1-12)を示している。N2ガス源33からのN2ガス等は、AV1-12を経由して、ポンプ(PUMP)36で排気される。同図で(閉)と表示されたバルブはMFCの初期診断の実行時は常に閉じられているものを示している。ガスa、b、c・・・としては、例えばNH3ガス、O2ガス、F2ガス、H2ガス、N2Oガス、NOガス、DCSガスなどが使用される。例えば、プロセスや膜種等に応じて適宜選択される。
また、AV8からの配管が処理室34をバイパスしてメイン排気ラインに接続されているが、このような形態には限定されず、例えば、AV8が無く、処理室34、APC(Auto Pressure Control)35を経由してPUMP36で排気する構成であっても良い。要するに、対象のMFCに施された初期化の内容(または条件)に合わせて、対象のMFCの初期診断を実行することが可能な構成であれば良い。
MFC1-3各々には、診断チェック結果を提供する機能が備えられている。MFC1-3から取得する初期診断チェック結果を示すデータは、例えば、N2ガスで所定の流量波形で制御した後、プロセス制御モジュール32により取得されるよう構成されている。この初期診断チェックに関しては後述する。
また、本実施形態は、MFCと流量検出器(流量計)であるMFM(マスフローメータ)を直列に接続しているガス供給ラインを有している。具体的には、初期診断機能が無いMFC4、MFC5と、それらにそれぞれ直列するMFM1、MFM2を有する供給ラインが追加されている。これらMFC4、MFC5は、ガス供給圧を検知するセンサと、各ガス種の流量を制御する弁を含む。
これらMFC4とMFM1、MFC5とMFM2が直列接続された供給ライン各々において、MFCで出力される流量を示すセンサの圧力値と、MFMで出力される流量を示す値が一致していることを確認することにより、MFC4、MFC5の診断を行う。そのため、これらの供給ラインにN2ガスを流すため、AV9-12を開とし、MFC4、MFC5でそれぞれ流量制御させ、流量制御された流量をMFM1,2でそれぞれ検出させ、MFC4とMFM1の流量差、MFC5とMFM2の流量差を確認する。これらの供給ラインへのN2ガス供給も制御モジュール32によって行われる。このような部品の診断方法は、MFC4、5のように初期診断機能が無いMFCの初期診断方法として有効である。また、MFM1,2は初期診断チェック終了後、製品基板を処理する、プロセスガスを流すまでに待機する時間が長くあれば、供給ラインから取外すようにしてもよい。
操作部としての主操作モジュール31は、MFC自己診断用を含む各種レシピ作成機能や、各種データの表示機能を備え、任意のMFC1-5に初期診断を実施させるための指示コマンドをレシピに設定することができる。制御部としてのプロセス制御モジュール32は、操作部31で編集されたMFC自己診断用レシピを予めダウンロードしておき、操作部31からのレシピ実行指示に従い、初期診断ステップ実施時にMFC1-5に対して設定された指示コマンドに応じて初期診断を実施する。つまり、制御部32は、後述する診断用レシピを実行することにより、処理室34の機構部分の制御、ヒータの制御、AV1-12の制御、MFC1-5の制御などを行う様に構成されている。なお、操作部31で自己診断用レシピを作成することなく、操作部31からの直接指示により、MFC1-5に対して初期診断を実施する構成でも良い。
図2に、操作部31及び制御部32を含む基板処理装置の制御システムの一構成例を示す。コントローラ260は、入出力装置31と、制御部32とを少なくとも含む構成となっている。
制御部32は、CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory)260b、記憶装置260c、I/Oポート260dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM260b、記憶装置260c、I/Oポート260dは、内部バス260eを介して、CPU260aとデータ交換可能なように構成されている。
演算部としてのCPU260aは、記憶装置260cからの制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置31からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置260cからファイルを読み出すように構成されている。また、受信部285から入力された設定値と、記憶装置260cに記憶されたファイルや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、RAM260bは、CPU260aによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
記憶装置260cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置260c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、レシピ編集用の編集画面やセットアップ用の設定画面等の画面ファイルと、本実施形態におけるガス種に応じて複数のスイッチを切替えて使用される診断対象である部品の診断用レシピ、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、基板を搬送するためのレシピ等を含む各種のファイル、又、各センサから検出されるデータなどを含み、また、ウエハ14への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ等が、読み出し可能に格納されている。
入出力装置31の操作画面には、上述した初期化に使用された条件と同じ条件で診断用レシピを作成する編集画面と、診断対象の部品を選択する選択画面がそれぞれ表示される。例えば、タッチパネル等として構成された入出力装置31は、外部記憶装置262が接続可能に構成されている。さらに、コントローラ260には、受信部285を通じてネットワーク263が接続可能に構成されている。このことは、コントローラ260がネットワーク263上に存在するホストコンピュータ等の上位装置とも接続可能であることを意味する。よって、入出力装置31がネットワーク263上に存在すればコントローラ260と接続可能である。つまり、入出力装置31は、上記実施形態に限らず基板処理装置から離れた場所にあってもよい。
以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を含む各ファイルを総称して、単にプログラムともいうことがある。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
なお、コントローラ260は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置(例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリやメモリカード等の半導体メモリ)262を用意し、かかる外部記憶装置262を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ260を構成することができる。
コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置262を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク263(インターネットや専用回線)等の通信手段を用い、外部記憶装置262を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。
また、記憶装置260cや外部記憶装置262は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置260c単体のみを含む場合、外部記憶装置262単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。
ところで、コントローラ260は、CPU260aが記憶装置260cから基板処理装置のMFCの初期診断チェックなどの部品チェックを行う部品の初期診断技術が提供される診断用レシピを読み出して実行することにより、以下のような手順を基板処理装置に実行させるよう構成されている。
具体的には、コントローラ260は、コンピュータとしての機能により、ガス種に応じてスイッチを切替えて使用される診断対象の部品(MFC1-3)を選択する処理と、診断対象の部品(MFC1-3)の初期化に使用された条件と同じ条件を含む診断用レシピを実行する処理と、を含むMFCの診断技術を基板処理装置に実行させ、
更に部品(MFC1-3)のスイッチを不活性ガスに切替える処理と、不活性ガス(例えば、N2ガス)を部品(MFC1-3)に供給し、該部品(MFC1-3)を流れる不活性ガスの流量を予め診断用レシピで設定された所定流量となるように該部品(MFC1-3)を調整する処理と、所定流量に調整後、流量をゼロに設定する処理と、流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間と予め診断用レシピで設定された時間範囲を比較する処理と、部品(MFC1-3)のスイッチを不活性ガスから使用予定のガス種に切替える処理と、を含むMFCの診断技術を基板処理装置に実行させる。
更に部品(MFC1-3)のスイッチを不活性ガスに切替える処理と、不活性ガス(例えば、N2ガス)を部品(MFC1-3)に供給し、該部品(MFC1-3)を流れる不活性ガスの流量を予め診断用レシピで設定された所定流量となるように該部品(MFC1-3)を調整する処理と、所定流量に調整後、流量をゼロに設定する処理と、流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間と予め診断用レシピで設定された時間範囲を比較する処理と、部品(MFC1-3)のスイッチを不活性ガスから使用予定のガス種に切替える処理と、を含むMFCの診断技術を基板処理装置に実行させる。
また、ガス供給圧を検知するセンサと、各ガス種の流量を制御する弁を含む、ガス種に応じてスイッチを切替えて使用されないMFC4,5と、及び流量を検出するMFM1,2とを少なくとも含む供給ラインが並行して備えられている場合であっても、コントローラ260は、コンピュータとしての機能により、不活性ガスをMFC4,5に供給し、MFC4,5に流れる不活性ガスの流量を、予め診断用レシピで設定された所定流量となるようにMFC4,5を調整する処理と、該MFC4,5で出力される流量(を示す値)と、MFM1,2で出力される流量(を示す値)を比較する処理を含むMFCの診断技術を基板処理装置に実行させることが可能である。
次に、図3に対応する制御部32と各MFC1~Nとの間の初期診断シーケンスの一例を示す。制御部32では、自己診断用レシピの初期診断指示があるステップ実施時、または直接指示ステップ実行時に、指定されたMFCに対して、同図に示す診断処理フローによりこの初期診断シーケンスを実施する。診断開始にあたって、図1に示したガス供給系はAV1-8を開としてN2パージされている。
初期診断開始時、図1で閉と表示されたバルブを閉じ、AV4、8を開、AV1-3、5-7を閉とする。また、PUMP36をオンにし、真空引きを行う。これらは全て、制御部32からのデジタルI/O指示による。所定の圧力に到達後、制御部32からの指示で、AV5-7を開にする。
(S21)本ステップでは図示の様に、制御部32は、診断対象のMFC1、2・・・NのスイッチをN2ガスに切替え指示を同時に発行し、複数の診断対象のMFCに対して、各MFCのスイッチをN2ガスに切替える。例えば、制御部32からのE-CAT等の通信による指示で、診断対象であるMFC1-3のスイッチを不活性ガスであるN2ガスに設定する(または切替える)。これは、N2ガスにて初期診断チェックの基準となる初期化を行っているためである。ここで、スイッチは、複数ガス対応のMFCの1つのガスの登録番号を意味する。このスイッチの切替えにより、MFCは、予め複数登録したガスの中から指定された番号に設定されたガスを制御可能となる。
(S22)(S21)終了後、引き続き診断対象のMFCの流量を第1流量として予め決定されている所定流量になるように調整し、所定時間経過後、更に診断対象のMFCの流量を第2流量(流量ゼロ)になるように調整する。具体的には、制御部32からの指示で、AV4を閉、N2ガス源33をオン、AV1-3、5-7を開とする。例えば、MFC1-3に流量20%を設定する。MFC1-3は、不活性ガスの係数を用い、MFC内の流量換算用圧力センサの値をもとに、流量制御バルブの開度を調整して流量制御することにより、流量20%になるよう制御する。なお、このように所定流量にMFCを制御し、所定流量で例えば10秒等の所定時間待つ様にしてもよく、また、所定流量に収束すると直ぐに流量ゼロに設定するようにしてもよい。
(S23)制御部32は、所定時間待機して部品チェックとしての初期診断チェックの終了(MFCの流量がゼロ)を確認する。尚、予め流量ゼロになる時間が予測できるので、MFCの流量を第2流量(流量ゼロ)から所定時間したら部品チェック終了するようにしてもよい。このように、プロセス制御モジュール32は、対象MFC内の弁を閉にし(若しくは設定流量0%になるように調整し)、流量ゼロに収束する部品チェック終了時(収束時間)を確認する。
(S24)制御部32は、診断対象のMFCから同時に部品チェック結果情報(例えば、時間)を取得する。MFCは所定の流量(流量ゼロ)をトリガに診断チェック結果情報を取得し、初期化情報と比較する。また、MFCは所定の時間をトリガに診断チェック結果情報を出力するようにしてもよい。具体的には、制御部32は、ゼロ流量で収束するか、あるいは3秒等の所定の時間経過後に初期診断チェック結果情報として、圧力変化を示す圧力、流量ゼロに到達した時間若しくは収束した時間、温度等を取得する。
(S25)部品チェック結果情報を取得後、制御部32は、診断対象のMFCに対して同時に使用ガスへのスイッチ切替え指定を発行し、診断対象のMFCのスイッチを使用ガスに切替える。制御部32は、取得した部品チェック結果情報が、予め設定された基準値以下、若しくは基準範囲に含まれるか否か確認する。取得した部品チェック結果情報が、予め設定された時間範囲に収まっていれば、スイッチを使用予定のガス、例えばO2ガスなどの使用ガスに速やかに切替え、診断終了となる。そして、診断終了したMFCは使用ガスの係数を用い、流量制御を行う。
一方、制御部32は、取得した部品チェック結果情報、例えば、到達時間が予め設定された時間範囲に収まっていない場合、アラームを発生し、使用ガスに切替えることなく、所定のエラー処理を行うと共に診断フローを終了させる。
そして、この初期診断チェックエラーが発生したMFCは更に新しいMFCと交換された後、同様に上述したS21からS25の初期診断チェックが行われる。例えば、MFC1、MFC2の診断チェック結果情報が基準値以下、若しくは基準範囲に含まれ、MFC3だけが診断チェック結果情報が基準値より大きい(または高い)、若しくは基準範囲に含まれない場合、制御部32は、使用予定のガスにMFC1,MFC2の各々のスイッチを切替え初期診断を終了させ、エラーが発生したMFC3のスイッチは切替えずに初期診断を終了させる。そして、交換後のMFC3が設けられた供給ラインだけ再度初期診断チェックが行われる。この時、制御部32は、初期診断チェックを再実行されたMFC3に対する診断チェック結果情報(到達時間)が予め設定された時間範囲に収まっていない場合、使用予定のガス種に切替える工程を実行しないでアラームを発生し初期診断を終了する。
なお、全てのMFCのうち、MFC2のみ診断チェック結果情報が基準値以下、若しくは基準範囲に含まれ、それ以外の診断チェック結果情報が基準値以下、若しくは基準範囲に含まれない場合、全体のMFCに対して初期診断チェックをやり直すようにしてもよい。セットアップ工程の後であって、プロセスレシピを実行して製品を処理する前に、該初期診断シーケンスを含む診断用レシピにより初期化情報と比較させるように構成するようにしてもよい。
なお、図3のシーケンス図は、診断対象のMFCから周期的に取得する情報に部品の初期化情報が含まれている例である。周期的に取得する情報に初期化情報が無い場合は、診断対象のMFCに対して部品チェック結果情報取得要求指示を発行し、部品チェック結果情報を取得するシーケンスが必要である。また、図3において、このスイッチの切り替えを、制御部32により実行されているが、手動(マニュアル)で切り替えるように構成してもよい。
本実施形態によれば、診断対象のMFCへの接続作業を行うこと無く、一度に複数台のMFCから初期診断チェックを行うことができ、また、その結果を示す情報を取得することができるので、装置立ち上げ時に、診断対象部品(MFC)の初期不良の把握にかかる時間の短縮が可能となる。
本実施形態によれば、SiNからSiO2のように製造する膜種の変更に伴い、(NH3ガスなどのガスcからO2ガスなどのガスdへ交換する場合、半導体製造装置全体を安全状態であるRESET状態(処理室を密閉し、ガスを流さない状態)にして、MFCの交換を行い、上述した診断処理フローに従い、交換して接続したMFCの初期診断のみを行い、装置全体としての初期診断方法は実行しなくて良いため、セットアップ作業に係る時間を短縮できる。
ここで、本実施形態におけるセットアップ作業は、上述の基板処理装置の筐体等の設置作業、電気設備の配線作業、ガス供給ライン及び排気ラインの接続作業、基板処理装置を構成する部品の初期診断チェックなどの動作チェック(部品チェック)作業の他、基板収納容器に収納された基板を処理室に搬送するためのレシピを実行する搬送チェック作業と、処理室を所定の圧力まで減圧するリークチェックレシピを実行するリークチェック作業と、を更に含んでいる。そして、上記の搬送チェック作業は、基板を保持する基板保持具に基板を装填する作業を有してもよい。更に、処理室を構成する反応管をアニールするレシピを実行する空焼き作業を含み、この空焼き作業は、基板だけでなく基板を保持する基板保持具を処理室34内に装填しないで、処理室34で処理される温度よりも高い温度で実行されるよう構成される。尚、セットアップ作業時間を短縮するため、これらの搬送チェック作業と空焼き作業を並行して実行することができる。
図5に本実施形態における診断用レシピの一例を示す。同図に示すように、本実施例の制御部32のレシピステップ構成は、真空引きステップ1、MFCへの診断並行動作指示を行う自己診断指示ステップとしてのステップ2、全MFCの自己診断終了後、所定の次ステップを行うステップ3からなる。ステップ2のMFCへの指示51、52は、図1に示すMFC1-3が設けられた供給ラインと、MFC4,5が設けられた供給ラインで異ならせている。これは、圧力式MFC(PS-MFC)と熱式センサのMFMとの流量検出方法の違いから別供給ラインでそれぞれ診断が行われるためである。尚、制御部32が、各供給ラインに設けられるMFC1-5にそれぞれ適宜指示51,52を出力し、MFC側でこれらの指示に応じて診断が実行される。
本実施形態によれば、図1に示すようにPS-MFCと、PS-MFCとは異なる、例えば、デジタルMFC等が混在する装置に好適となる。また、図5に示すように、真空引きした状態において同一ステップでの部品チェックコマンドと、流量偏差チェックの実施により、PS-MFCとこのMFC以外のMFCに対して同時並行して初期診断チェックを実施できるので、効率よく結果を得ることが可能となる。
また、本実施形態によれば、図1に示すPS-MFCが設けられるガス供給ラインを診断用レシピで実行し、PS-MFCの初期診断を行い、次に、自己診断機能がないMFCとMFMがそれぞれ設けられたガス供給ラインの流量偏差チェックを行い、MFCの初期診断を行うようにしてもよい。上述の各供給ラインを同時並行させる手段よりは時間がかかるかも知れないが、従来よりも格段に初期診断チェックに係る時間を短縮できる。
ここで、本実施形態における診断用レシピは、指示51により図3に示す初期診断シーケンスが初期診断ステップ(ステップ2)で行われるように構成されている。また、図5に示す診断用レシピを2つのレシピで別々に構成してもよい。例えば、真空引きステップ1と、指示51により初期診断シーケンスを行うステップ2と、ステップ3を診断用レシピとし、真空引きステップと、指示52により流量偏差チェックを行うステップ2と、ステップ3を流量チェックレシピとにそれぞれ独立したレシピにすることができる。
次に、図6(A)(B)に操作部31の表示部の画面例を示す。図6の(A)に、操作部31の設定画面例を示す。例えば、診断用レシピの初期診断ステップにおいて、MFC1,MFC2・・・MFCN毎に、自己診断チェックを行うか否かを設定する項目が設けられている。尚、図6において、PS-MFCが設けられているMFC1,MFC2は自己診断を行う指示コマンドが設定される。
これにより、自己診断レシピが実行されると、自己診断指示ステップにおいて、この指示コマンド(図では「自己診断」)が設定されたMFCには図5に示す指示51が、制御部32から出力され、自己診断を行わないMFC3には図5に示す指示52が、制御部32から出力される。なお、この自己診断レシピは、指示コマンドが設定されたMFCに対して図3に示す自己診断シーケンスが実行される。
本実施形態によれば、操作部31からの指示にて一度に複数台のMFC1、2・・・Nから初期診断チェック結果情報を取得して表示することができるので、MFCに触れることなく、短時間でMFCの初期不良の有無を把握可能となる。
また、本実施形態によれば、MFC毎に設定する為、診断用レシピが実行できるようにしていれば、膜種が異なる装置が混在していたり、異なる装置構成が混在していたりしても関係なく、一斉にMFCの初期診断チェックが可能であるため、セットアップ作業の効率が向上する。
図6の(B)に示すように、図5で示す診断用レシピが実施されると、制御部32は、各MFCから診断チェック実施の結果情報を取得し、各MFCの初期化情報との比較を開始する。そして、制御部32は、この比較結果を含む診断結果情報を操作部31に転送する。このとき、プロセス制御モジュール制御部は、エラーが発生していたらエラー発生を示す情報も一緒に転送する。そして、操作部31は、診断結果情報を含む初期診断チェックに関する情報を操作画面に表示するよう構成される。
図6(A)、(B)には、特に単位が表示されていないが、MFC1,2は、表示される初期化情報との偏差の値は圧力値であり、MFC3は、表示される流量の偏差値である。例えば、閾値と比較してエラーが発生していた場合等は反転表示させる等明示するように構成されている。
本実施形態によれば、診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピを表示する画面、ガス種に応じて複数のスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する画面をそれぞれ表示可能な操作画面を備えた操作部を有するので、プロセス制御モジュール制御部32が取得したMFC1、2・・・Nの初期診断結果情報(時間等)を受信し、その操作画面に表示することにより、ユーザが診断結果を確認することが可能となる。
図7は、プロセスA→プロセスB→プロセスCと連続して基板処理を行う半導体製造装置ライン37を示している。プロセスA、プロセスB、プロセスCのうちいずれかの処理を行う処理室を備えた装置で半導体製造装置ラインが形成されており、それぞれの装置は、図示しないが、プロセスA、プロセスB、プロセスCのいずれかの処理を行うために、少なくとも一つのガス種に応じて複数のスイッチを切替えて使用される診断対象の部品であるMFCを有している。
なお、図7の処理室38、39、40は診断対象のMFC、AVなど、図1に示した基板処理装置としての部品を備えているが、簡略化のためそれらの図示を省略してある。処理室38、39、40については後述する。
プロセスAを処理する4つの処理室38で少なくとも一つの診断対象の部品が初期診断チェックでOKであれば、この半導体製造装置ライン37に製品基板を投入できる。初期診断チェックNGのMFCを有する装置は製造ラインから切り離すことができるので、製品基板を半導体製造装置ライン37に投入でき、セットアップ時間短縮を実現できる。
また、初期診断チェックNGのMFCを有する装置は引き続きセットアップ作業を基板投入後も並行して行うことができる。装置に設けられる診断対象のMFCの初期診断チェックがOKになれば、この半導体製造装置ラインに適宜接続して製品基板を処理することができる。
本実施例の構成では、複数の処理室にそれぞれ設けられる複数のMFCに対して、診断チェックが可能であり、プロセスAを処理する4つの処理室38、プロセスBを処理する5つの処理室39、プロセスCを処理する2つの処理室40にそれぞれ設けられた診断対象のMFCに対してプロセスの違いに関係なく、一斉に初期診断チェックを行うことができる。プロセスA~プロセスCを処理する処理室のうちそれぞれのプロセスで少なくとも一つの処理室に関して、初期診断チェックがOKであれば、半導体製造ライン37に製品基板を投入することができるので、セットアップの時間短縮を大幅に実現できる。
(処理炉)
次に、図4に本実施形態における好適に用いられる処理炉について説明する。
次に、図4に本実施形態における好適に用いられる処理炉について説明する。
処理炉42は、反応管41を備えている。反応管41は、例えば石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。
反応管41の筒内には、処理室34が形成されている。処理室34内には、基板保持体としてのボート30が下方から挿入されて、ボート30によって水平姿勢に保持されたウエハ14が鉛直方向に多段に整列した状態で収容されるように構成されている。処理室34内に収容されるボート30は、回転機構43によって回転軸44を回転させることで、処理室34内の気密を保持したまま、複数のウエハ14を搭載した状態で回転可能に構成されている。
反応管41の下方には、この反応管41と同心円状にマニホールド45が配設されている。マニホールド45は、例えばステンレス鋼等の金属材料から構成され、上端部および下端部が開放された円筒形状となっている。このマニホールド45により、反応管41は、下端部側から縦向きに支持される。つまり、処理室34を形成する反応管41がマニホールド45を介して鉛直方向に立脚されて、処理炉42が構成されることになる。マニホールド45の下端部は、図示せぬボートエレベータが上昇した際に、シールキャップ46により気密に封止されるように構成されている。マニホールド45の下端部とシールキャップ46との間には、処理室34内を気密に封止するOリング等の封止部材46aが設けられている。
また、マニホールド45には、処理室34内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管47と、処理室34内のガスを排気するための排気管48とが、それぞれ接続されている。
反応管41の外周には、反応管41と同心円状に加熱手段(加熱機構)としてのヒータユニット49が配されている。ヒータユニット49は、処理室34内が全体にわたって均一または所定の温度分布となるように、処理室34内に対する加熱を行うように構成されている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置を用いて、半導体デバイス製造の一工程として、ウエハ14に対する処理を行う場合の動作手順について説明する。
(ポッド搬送工程)
基板処理装置にてウエハ14に対する処理を行う場合は、先ず、ポッドステージに複数枚のウエハ14を収容したポッドを載置する。そして、ポッド搬送装置20によりポッドをポッドステージから回転ポッド棚に移載する。
基板処理装置にてウエハ14に対する処理を行う場合は、先ず、ポッドステージに複数枚のウエハ14を収容したポッドを載置する。そして、ポッド搬送装置20によりポッドをポッドステージから回転ポッド棚に移載する。
(ウエハ供給工程)
その後、ポッド搬送装置20により、回転ポッド棚に載置されたポッドをポッドオープナに搬送する。そして、ポッドオープナによりポッドの蓋を開き、ポッドに収容されているウエハ14の枚数を基板枚数検知器により検知する。
その後、ポッド搬送装置20により、回転ポッド棚に載置されたポッドをポッドオープナに搬送する。そして、ポッドオープナによりポッドの蓋を開き、ポッドに収容されているウエハ14の枚数を基板枚数検知器により検知する。
(搬入前移載工程)
ポッドの蓋を開いたら、次いで、移載室内に配置された基板移載機28が、ポッドからウエハ14を取り出す。そして、ポッド16から取り出した未処理状態のウエハ14を、基板移載機28と同じく移載室内に位置するボート30に移載する。つまり、基板移載機28は、移載室内にて、処理室34内へ搬入する前のボート30に未処理状態のウエハ14を装填するウエハチャージ動作を行う。これにより、ボート30は、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成す積層状態で保持することになる。
ポッドの蓋を開いたら、次いで、移載室内に配置された基板移載機28が、ポッドからウエハ14を取り出す。そして、ポッド16から取り出した未処理状態のウエハ14を、基板移載機28と同じく移載室内に位置するボート30に移載する。つまり、基板移載機28は、移載室内にて、処理室34内へ搬入する前のボート30に未処理状態のウエハ14を装填するウエハチャージ動作を行う。これにより、ボート30は、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成す積層状態で保持することになる。
(搬入工程)
ウエハチャージ動作後は、ボートエレベータの昇降動作により、未処理状態のウエハ14を複数枚保持したボート30を処理室34内へ搬入(ボートローディング)する。つまり、ボートエレベータを動作させて、未処理状態のウエハ14を保持したボート30を、移載室内から処理室34内へ搬入する。これにより、シールキャップ46は、封止部材46aを介してマニホールド45の下端をシールした状態となる。
ウエハチャージ動作後は、ボートエレベータの昇降動作により、未処理状態のウエハ14を複数枚保持したボート30を処理室34内へ搬入(ボートローディング)する。つまり、ボートエレベータを動作させて、未処理状態のウエハ14を保持したボート30を、移載室内から処理室34内へ搬入する。これにより、シールキャップ46は、封止部材46aを介してマニホールド45の下端をシールした状態となる。
(処理工程)
ボートローディング後は、処理室34内に搬入されたボート30が保持する未処理状態のウエハ14に対して、所定の処理を行う。具体的には、例えば熱CVD反応による成膜処理を行う場合であれば、排気管48を用いて排気を行い、処理室34内が所望の圧力(真空度)となるようにする。そして、ヒータユニット49を用いて処理室34内に対する加熱を行うとともに、回転機構43を動作させてボート30を回転させ、これに伴いウエハ14も回転させる。ウエハ14の回転は、後述するウエハ14の搬出まで継続する。さらには、ガス導入管47により処理室34内へ原料ガスやパージガス等を供給する。これにより、ボート30に保持された未処理状態のウエハ14の表面には、熱による分解反応や化学反応等を利用した薄膜形成が行われる。
ボートローディング後は、処理室34内に搬入されたボート30が保持する未処理状態のウエハ14に対して、所定の処理を行う。具体的には、例えば熱CVD反応による成膜処理を行う場合であれば、排気管48を用いて排気を行い、処理室34内が所望の圧力(真空度)となるようにする。そして、ヒータユニット49を用いて処理室34内に対する加熱を行うとともに、回転機構43を動作させてボート30を回転させ、これに伴いウエハ14も回転させる。ウエハ14の回転は、後述するウエハ14の搬出まで継続する。さらには、ガス導入管47により処理室34内へ原料ガスやパージガス等を供給する。これにより、ボート30に保持された未処理状態のウエハ14の表面には、熱による分解反応や化学反応等を利用した薄膜形成が行われる。
ウエハ14の表面への薄膜形成の完了後は、ヒータユニット49による加熱を停止して、処理済状態のウエハ14の温度を所定温度まで降温させる。そして、予め設定された時間が経過したら、処理室34内へのガス供給を停止するとともに、当該処理室34内への不活性ガスの供給を開始する。これにより、処理室34内を不活性ガスで置換するとともに、処理室34内の圧力を常圧に復帰させる。
(搬出工程)
その後は、ボートエレベータの昇降動作により、シールキャップ46を下降させてマニホールド45の下端を開口させるとともに、処理済状態のウエハ14を保持したボート30をマニホールド45の下端から処理室34外へ搬出(ボートアンローディング)する。
その後は、ボートエレベータの昇降動作により、シールキャップ46を下降させてマニホールド45の下端を開口させるとともに、処理済状態のウエハ14を保持したボート30をマニホールド45の下端から処理室34外へ搬出(ボートアンローディング)する。
(搬出後移載工程)
待機させたボート30のウエハ14が所定温度(例えば室温程度)まで冷えた後は、移載室内に配置された基板移載機28が、ボート30からのウエハ14の脱装を行う。そして、ボート30から脱装した処理済状態のウエハ14を、ポッドオープナに載置されている空のポッドに搬送して収容するウエハディスチャージ動作を行う。その後は、ポッド搬送装置20により、処理済状態のウエハ14を収容したポッド16を、回転ポッド棚またはポッドステージ上へ搬送する。このようにして、基板処理装置による基板処理工程の一連の処理動作が完了する。
待機させたボート30のウエハ14が所定温度(例えば室温程度)まで冷えた後は、移載室内に配置された基板移載機28が、ボート30からのウエハ14の脱装を行う。そして、ボート30から脱装した処理済状態のウエハ14を、ポッドオープナに載置されている空のポッドに搬送して収容するウエハディスチャージ動作を行う。その後は、ポッド搬送装置20により、処理済状態のウエハ14を収容したポッド16を、回転ポッド棚またはポッドステージ上へ搬送する。このようにして、基板処理装置による基板処理工程の一連の処理動作が完了する。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明のより良い理解のために詳細に説明したのであり、必ずしも説明の全ての構成を備えるものに限定されものではない。例えば、上記実施例のおいては、基板処理装置で処理される膜種として、酸化膜(SiO等)や窒化膜(SiN等)を例示したが、その他色々な膜種に適用可能である。また、基板処理装置は、半導体製造装置だけでなく液晶デバイス(LCD)装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。
1-12 エアバルブ(AV)
31 主操作モジュール(操作部)
32 プロセス制御モジュール(制御部)
34 処理室
31 主操作モジュール(操作部)
32 プロセス制御モジュール(制御部)
34 処理室
Claims (16)
- ガス種に応じてスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する工程と、診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピを実行する工程と、を有し、
前記診断用レシピを実行する工程は、
前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスに切替える工程と、
前記不活性ガスを前記部品に供給し、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量が予め前記診断用レシピで設定された所定流量となるように前記部品を調整する工程と、
前記所定流量に調整後、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量をゼロに設定する工程と、
前記流量がゼロに収束後、前記流量がゼロに達した到達時間と予め前記診断用レシピで設定された時間範囲を比較する工程と、
前記部品のスイッチを前記不活性ガスから使用予定のガス種である使用ガスに切替える工程と、を含む部品の診断方法。 - 前記比較する工程において、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていた前記診断対象の部品のスイッチのみ、前記不活性ガスから前記使用ガスに切替える工程を実行するように構成されている請求項1に記載の部品の診断方法。
- 前記比較する工程において、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていない場合、アラームを発生すると共に前記不活性ガスから前記使用ガスに切替える工程を実行しないように構成されている請求項1に記載の部品の診断方法。
- 前記比較する工程において、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていない前記診断対象の部品については、前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスに維持したまま、前記所定流量に調整する工程と、前記流量をゼロに設定する工程と、前記比較する工程を再実行する様構成されている請求項1に記載の部品の診断方法。
- 再実行された前記比較する工程において、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていない前記診断対象の部品については、前記不活性ガスから前記使用予定のガス種に切替える工程を実行しないように構成されている請求項4に記載の部品の診断方法。
- 更に、ガス供給圧を検知するセンサと、各ガス種の流量を制御する弁を含む、ガス種に応じてスイッチを切替えて使用されない部品、及び流量を検出する流量検出器とを少なくとも含む供給ラインを備え、
前記不活性ガスを前記スイッチを切替えて使用されない部品に供給し、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量が予め前記診断用レシピで設定された所定流量となるように前記部品を調整する工程と、
前記スイッチを切替えて使用されない部品で出力される流量と、前記流量検出器で出力される流量を比較する工程と、を更に含むように構成されている請求項1に記載の部品の診断方法。 - ガス種に応じてスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する工程と、診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピを実行する工程と、基板を処理室に搬送するためのレシピを実行する工程と、前記処理室に搬送された前記基板を処理する工程と、を有し、
前記診断用レシピを実行する工程は、
前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスに切替える工程と、
前記不活性ガスを前記部品に供給し、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量が予め前記診断用レシピで設定された所定流量となるように前記部品を調整する工程と、
前記所定流量に調整後、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量をゼロに設定する工程と、
前記流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間を取得し、該到達時間と予め前記診断用レシピで設定された時間範囲を比較する工程と、
前記部品のスイッチを不活性ガスから使用予定のガス種に切替える工程と、を含む、
半導体装置の製造方法。 - 基板収納容器に収納された基板を処理室に搬送するためのレシピを実行する搬送チェック工程と、前記処理室を所定の圧力まで減圧するリークチェックレシピを実行するリークチェック工程と、を更に含む請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記搬送チェック工程は、
基板を保持する基板保持具に前記基板を装填する工程を含む請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記処理室を構成する反応管をアニールするレシピを実行する空焼き工程を更に含み、
前記空焼き工程は、前記基板保持具を前記処理室内に装填しないで、前記処理室で処理される温度よりも高い温度で実行するように構成されている請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記搬送チェック工程と前記空焼き工程を並行して実行するように構成されている
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピの実行結果を表示する画面と、ガス種に応じてスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する選択画面をそれぞれ表示可能な操作画面を備えた操作部と、前記診断用レシピを実行する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記部品のスイッチを不活性ガスに切替え、前記不活性ガスを前記部品に供給し、前記診断対象の部品に流れる前記不活性ガスの流量を予め前記診断用レシピで設定された所定流量となるように前記診断対象の部品を調整後、前記診断対象の部品を流れる前記不活性ガスの流量をゼロに設定し、前記流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間と予め前記診断用レシピで設定された時間範囲を比較し、前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスから使用予定の使用ガスに切替えるよう制御するように構成されている基板処理装置。 - 前記制御部は、前記比較の結果、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていた前記スイッチのみ、前記不活性ガスから前記使用ガスに切替えるよう制御するように構成されている請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記比較の結果、前記到達時間が前記診断用レシピで設定された時間範囲に収まっていない場合、アラームを発生すると共に前記不活性ガスから前記使用ガスに切替える工程を実行しないよう制御するように構成されている請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記比較の結果、前記到達時間が前記予め設定された時間範囲に収まっていない前記診断対象の部品については、前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスに維持したまま、前記所定流量に調整後、前記診断対象の部品に供給する流量をゼロに設定し、前記流量がゼロに収束後、流量がゼロに達した到達時間と予め診断用レシピで設定された時間範囲を比較するよう制御するように構成されている請求項12に記載の基板処理装置。
- ガス種に応じて複数のスイッチを切替えて使用される診断対象の部品を選択する手順と、診断対象の部品の初期化に使用された条件と同じ条件で作成された診断用レシピを実行する手順と、をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記診断用レシピを実行する手順において、
前記診断対象の部品のスイッチを不活性ガスに切替える手順と、
前記不活性ガスを前記部品に供給し、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量が予め前記診断用レシピで設定された所定流量となるように前記部品を調整する手順と、
前記所定流量に調整後、前記部品を流れる前記不活性ガスの流量をゼロに設定する手順と、
前記流量がゼロに収束後、前記流量がゼロに達した到達時間と予め前記診断用レシピで設定された時間範囲を比較する手順と、
前記部品のスイッチを前記不活性ガスから使用予定のガス種である使用ガスに切替える手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に更に実行させるプログラム。
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