KR102541181B1 - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램, 기판 처리 방법 및 리크 체크 방법 - Google Patents

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Abstract

기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인하는 리크 체크 공정에서 진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고 산소 분압값이 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 기술이 제공된다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램, 기판 처리 방법 및 리크 체크 방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PROGRAM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND LEAK CHECK METHOD}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램, 기판 처리 방법 및 리크 체크 방법에 관한 것이다.
종래부터 감압에서 웨이퍼(이하, 「기판」이라고도 부른다.)를 처리하는 기판 처리 장치에서, 세트업 작업으로 노(爐) 내의 리크 체크가 수행되고 있다. 예컨대 특허문헌 1에 따르면, 리크 체크 에러의 중도(重度)(리크량)에 따라 다음 스텝(성막 스텝)으로 이행할지를 판정하는 기술이 기재된다. 대기압으로부터 소정의 도달 압력까지 감압하고, 이 도달 압력 시점에서 배기 밸브를 닫고 그 후의 노 내의 압력 상승 상태를 압력 측정하는 리크 체크(빌드업 법)는 도달 압력도 압력 상승값도 전압(全壓)으로 판단하고 있기 때문에 그 안에 산소나 산소 화합물이 어느 정도의 비율로 포함되어 있는지 판단할 수 없고, 같은 조건으로 성막 처리를 해도 양품, 불량품이 되는 경우가 종종 있다.
또한 진공 중의 잔류 가스 분압을 측정하는 방법으로서는 4중극 질량 분석계가 있지만, 수 Pa 정도의 압력에서 측정하는 경우에는 차동 배기 시스템을 이용하여 측정장(測定場)을 고(高)진공으로 할 필요가 있다. 고진공을 확보하기 위해서는 터보 분자 펌프 등의 펌프가 필요해 시스템이 복잡해져 고액으로 되고, 장치에 상설(常設)하기 위해서는 많은 문제를 안고 있었다. 또한 테스트 웨이퍼를 노 내로 넣어서 노 내의 산화도를 체크하는 것도 수행되고 있지만, 웨이퍼를 노 내에 반송할 필요가 있기 때문에 장치 세트업 지체의 원인이 될 가능성이 있다.
1: 일본 특개 2010-074141호 공보
본 발명의 목적은 성막 전에 웨이퍼를 산화시키는 원인이 되는 잔류 가스 또는 처리로(處理爐)로부터의 탈리(脫離) 가스 분압을 측정할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인하는 리크 체크 공정에서, 진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고, 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 리크 체크 공정에서는, 상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우, 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정; 상기 목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및 진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정이 실행되는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 기술에 따르면, 성막 전에 웨이퍼를 산화시키는 원인이 되는 잔류 가스 또는 처리로로부터의 탈리 가스 분압을 측정할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치를 개략적으로 도시하는 종단면도(縱斷面圖).
도 2는 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치에서의 리크 체크를 위한 기능 구성예를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 3은 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치에서의 진공 배기 시의 압력 곡선을 도시하는 이미지도.
도 4는 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 리크 체크 공정을 포함하는 처리의 흐름을 도시하는 흐름도.
도 5는 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 웨이퍼 산화 지표와 산소 분압의 관계를 도시하는 설명도.
도 6은 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 미소(微小) 리크와 웨이퍼 산화의 상관관계를 취득할 때의 평가 구성예를 도시하는 설명도.
도 7은 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 리크 체크 공정의 흐름을 도시하는 흐름도.
도 8은 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 리크 체크 공정의 흐름을 도시하는 다른 흐름도.
<일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 도 1 내지 도 8을 참조하면서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에서 동일 구성 요소에는 동일 부호를 첨부하여 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서 실제 형태에 비해 각(各) 부(部)의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 도시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것이 아니다.
(기판 처리 장치의 개요)
여기서 예로 들어서 설명하는 기판 처리 장치는 반도체 장치(디바이스)의 제조 방법에서의 제조 공정의 일 공정으로서 성막 처리 등의 기판 처리 공정을 실시하기 위한 것이며, 복수 매의 기판을 일괄 처리하는 종형(縱型)의 기판 처리 장치(이하, 단순히 「처리 장치」라고 부른다.)(2)로서 구성된다.
(반응관)
도 1에 도시하는 바와 같이 처리 장치(2)는 원통 형상의 반응관(10)을 구비한다. 반응관(10)은 예컨대 석영이나 탄화규소(SiC) 등의 내열성 및 내식성을 가지는 재료에 의해 형성된다.
반응관(10)의 내부에는 기판으로서의 웨이퍼(W)를 처리하는 처리로(14)가 형성된다. 한편, 반응관(10)의 외주에는 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(12)가 설치되고, 이에 의해 처리로(14) 내를 가열할 수 있도록 구성된다.
또한 반응관(10)에는 후술하는 노즐(44a, 44b)이 각각 설치된다. 또한 반응관(10)에는 온도 검출기로서의 온도 검출부(미도시)가 반응관(10)의 외벽을 따라 입설(立設)된다.
또한 반응관(10)의 하단 개구부(開口部)에는 원통형의 매니폴드(18)가 O링 등의 씰 부재(20)를 개재하여 연결되고, 반응관(10)의 하단을 지지한다. 매니폴드(18)는 예컨대 스텐레스 등의 금속 재료에 의해 형성된다. 매니폴드(18)의 하단 개구부는 원반 형상의 덮개부(22)에 의해 개폐된다. 덮개부(22)는 예컨대 금속 재료에 의해 형성된다. 덮개부(22)의 상면에는 O링 등의 씰 부재(20)가 설치되고, 이에 의해 반응관(10) 내와 외기가 기밀하게 밀봉된다. 덮개부(22) 상에는 중앙에 상하에 걸쳐서 공(孔)이 형성된 단열부(24)가 재치된다. 단열부(24)는 예컨대 석영에 의해 형성된다.
(처리로)
이와 같은 반응관(10)의 내부에 형성되는 처리로(14)는 기판으로서의 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 것으로, 그 내부에 기판 보지구로서의 보트(26)를 수용하도록 형성된다. 처리로(14)는 예컨대 석영이나 SiC 등의 내열성 및 내식성을 가지는 재료에 의해 일체적으로 형성되어 이루어진다.
(보트)
처리로(14)에 수용되는 기판 보지구로서의 보트(26)는 복수 매, 예컨대 25매 내지 150매의 웨이퍼(W)를 수직 방향으로 선반 형상으로 지지한다. 보트(26)는 예컨대 석영이나 SiC 등의 재료에 의해 형성된다.
또한 보트(26)는 덮개부(22) 및 단열부(24)를 관통하는 회전축(28)에 의해 단열부(24)의 상방(上方)에 지지된다. 덮개부(22)의 회전축(28)이 관통하는 부분에는 예컨대 자성(磁性) 유체(流體) 씰이 설치되고, 회전축(28)은 덮개부(22)의 하방(下方)에 설치된 회전 기구(30)에 접속된다. 이에 의해 보트(26)는 처리로(14)의 내부를 기밀하게 밀봉한 상태에서 회전 기구(30)에 의해 회전 가능하도록 지지된다.
덮개부(22)는 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(32)에 의해 상하 방향으로 구동(驅動)된다. 이에 의해 보트(26)는 보트 엘리베이터(32)에 의해 덮개부(22)와 일체적으로 승강되고, 반응관(10)의 내부에 형성되는 처리로(14)에 대하여 반입출된다.
(가스 공급부)
처리 장치(2)는 기판 처리에 사용되는 가스를 처리로(14) 내의 보트(26)에 공급하는 가스 공급부로서의 가스 공급 기구(34)를 구비한다. 가스 공급 기구(34)가 공급하는 가스는 성막되는 막의 종류에 따라 변경된다. 여기서는 가스 공급 기구(34)는 원료 가스 공급부, 반응 가스 공급부 및 불활성 가스 공급부를 포함한다.
원료 가스 공급부는 미도시의 원료 가스 공급원에 접속된 가스 공급관(36a)을 구비한다. 가스 공급관(36a)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 흐름 컨트롤러(MFC)(38a) 및 개폐 밸브인 밸브(40a)가 설치된다. 가스 공급관(36a)은 매니폴드(18)의 측벽을 관통하는 노즐(44a)에 접속된다. 노즐(44a)은 상하 방향을 따라 연장되도록 입설(立設)된 튜브 형상(관 형상)이며, 보트(26)에 보지되는 웨이퍼(W)를 향하여 개구되는 가스 공급공으로서의 세로로 긴 형상의 슬릿(45a)이 형성된다. 이러한 구성의 원료 가스 공급부는 노즐(44a)의 슬릿(45a)을 통해서 원료 가스를 확산시켜 웨이퍼(W)에 대하여 원료 가스를 공급한다.
반응 가스 공급부는 원료 가스 공급부와 마찬가지로 구성되고, 공급관(36b), MFC(38b) 및 밸브(40b)를 포함하고, 노즐(44b)을 개재하여 미도시의 반응 가스 공급원으로부터의 반응 가스를 웨이퍼(W)에 대하여 공급한다. 노즐(44b)은 상하 방향을 따라 연장되도록 입설된 튜브 형상(관 형상)이며, 보트(26)에 보지되는 웨이퍼(W)를 향하여 개구되는 복수의 가스 공급공(45b)이 형성된다.
불활성 가스 공급부는 공급관(36a, 36b)에 접속되는 공급관(36c, 36d), 그 공급관(36c, 36d)에 설치된 MFC(38c, 38d) 및 밸브(40c, 40d)를 포함하고, 노즐(44a, 44b)을 개재하여 미도시의 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스를 캐리어 가스 또는 퍼지 가스로서 웨이퍼(W)에 대하여 공급한다.
또한 불활성 가스 공급부는 덮개부(22)를 관통하는 공급관(36e), 그 공급관(36e)에 설치된 MFC(38e) 및 밸브(40e)를 포함하고, 처리로(14) 내에 공급된 가스가 단열부(24)의 측에 회입(回入)되는 것을 방지하기 위해서 미도시의 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스를 반응관(10)의 내부에 공급한다.
(배기부)
반응관(10)에는 배기관(46)이 설치된다. 배기관(46)에는 처리로(14) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(48) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(50)를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(52)가 접속된다. 이러한 구성에 의해 처리로(14) 내의 압력을 처리에 따른 처리 압력에서 할 수 있다.
(컨트롤러)
회전 기구(30), 보트 엘리베이터(32), 가스 공급 기구(34)의 MFC(38a 내지 38e) 및 밸브(40a 내지 40e), APC 밸브(50)에는 이들을 제어하는 컨트롤러(100)가 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(100)는 예컨대 CPU(Central Processing Unit)을 구비한 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지고, 처리 장치(2)의 동작을 제어하도록 구성된다. 컨트롤러(100)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(102)가 접속된다.
또한 컨트롤러(100)에는 기억 매체로서의 기억부(104)가 접속된다. 기억부(104)에는 처리 장치(2)의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 처리 장치(2)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램(「레시피 프로그램」이라고도 부른다.)이 판독 가능하도록 격납된다.
기억부(104)는 컨트롤러(100)에 내장된 기억 장치(하드 디스크나 플래시 메모리)이어도 좋고, 가반성(可搬性)의 외부 기록 장치[자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)이어도 좋다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 수행해도 좋다. 프로그램은 필요에 따라, 입출력 장치(102)로부터의 지시 등으로 기억부(104)로부터 판독되고, 판독된 레시피 프로그램을 따른 처리를 컨트롤러(100)가 실행하는 것에 의해 처리 장치(2)는 컨트롤러(100)의 제어 하에서 원하는 처리를 실행한다.
(2) 기판 처리의 순서
다음으로 반도체 장치의 제조 방법의 일례로서 전술한 처리 장치(2)를 이용하여 기판으로서의 웨이퍼(W) 상에 막을 형성하는 처리(성막 처리)를 수행하는 경우의 기본적인 순서에 대해서 설명한다. 여기서는 웨이퍼(W)에 대하여 원료 가스로서의 HCDS(Si2Cl6: 헥사클로로디실란) 가스와, 반응 가스로서의 NH3(암모니아) 가스를 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W) 상에 실리콘질화(SiN)막을 형성하는 예에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 처리 장치(2)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(100)에 의해 제어된다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
웨이퍼(W)에 대한 처리 시에는 먼저 보트(26)에의 웨이퍼(W)의 장전(裝塡)(웨이퍼 차지)을 수행한다.
웨이퍼(W)가 보트(26)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 보트(26)는 보트 엘리베이터(32)에 의해 처리로(14) 내에 반입(보트 로드)된다. 그리고 반응관(10)의 하부 개구는 덮개부(22)에 의해 기밀하게 폐색(閉塞)(씰)된 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
웨이퍼 차지 및 보트 로드 후에는 처리로(14) 내가 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 펌프(52)에 의해 진공 배기(감압 배기)가 이루어진다. 처리로(14) 내의 압력은 압력 센서(48)에서 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(50)가 피드백 제어된다. 또한 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)가 소정의 온도가 되도록 히터(12)에 의해 가열된다. 이때 처리로(14)가 소정의 온도 분포가 되도록 온도 검출부가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(12)로의 통전 상태가 피드백 제어된다. 또한 회전 기구(30)에 의한 보트(26) 및 웨이퍼(W)의 회전을 시작한다.
(성막 처리)
처리로(14) 내의 온도가 미리 설정된 처리 온도로 안정되면, 상세를 후술하는 리크 체크 공정을 경과한 후에 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 수행한다. 성막 처리는 원료 가스 공급 공정, 원료 가스 배기 공정, 반응 가스 공급 공정, 반응 가스 배기 공정의 각 공정을 거쳐서 수행한다.
[원료 가스 공급 공정]
먼저, 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 HCDS 가스를 공급한다. HCDS 가스는 MFC(38a)로 원하는 유량이 되도록 제어되고, 가스 공급관(36a), 노즐(44a)을 개재하여 처리로(14) 내에 공급된다.
[원료 가스 배기 공정]
다음으로 HCDS 가스의 공급을 정지하고, 진공 펌프(52)에 의해 처리로(14) 내를 진공 배기한다. 이때 불활성 가스 공급부로부터 불활성 가스로서 N2 가스를 처리로(14) 내에 공급해도 좋다(불활성 가스 퍼지).
[반응 가스 공급 공정]
다음으로 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 NH3 가스를 공급한다. NH3 가스는 MFC(38b)로 원하는 유량이 되도록 제어되고, 가스 공급관(36b), 노즐(44b)을 개재하여 처리로(14) 내에 공급된다.
[반응 가스 배기 공정]
다음으로 NH3 가스의 공급을 정지하고, 진공 펌프(52)에 의해 처리로(14) 내를 진공 배기한다. 이때 불활성 가스 공급부로부터 N2 가스를 처리로(14) 내에 공급해도 좋다(불활성 가스 퍼지).
전술한 4개의 공정을 수행하는 사이클을 소정 횟수(1회 이상) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(W) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiN막을 형성할 수 있다.
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
소정 조성 및 소정 막 두께의 SiN막을 형성한 후에는 불활성 가스 공급부로부터 N2 가스가 공급되고, 처리로(14) 내의 분위기가 N2 가스로 치환되는 것과 함께 처리로(14)의 압력이 상압으로 복귀된다. 그 후, 보트 엘리베이터(32)에 의해 덮개부(22)가 강하되어 보트(26)가 반응관(10)으로부터 반출(보트 언로드)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(W)는 보트(26)로부터 취출(取出)된다(웨이퍼 디스차지).
웨이퍼(W)에 SiN막을 형성할 때의 처리 조건은 예컨대 다음과 같다.
처리 온도(웨이퍼 온도): 300℃ 내지 700℃
처리 압력(처리로 내 압력): 1Pa 내지 4,000Pa
HCDS 가스: 100sccm 내지 10,000sccm
NH3 가스: 100sccm 내지 10,000sccm
N2 가스: 100sccm 내지 10,000sccm
각각의 처리 조건을 각각의 범위 내의 값으로 설정하는 것에 의해 성막 처리를 적절하게 진행시키는 것이 가능해진다.
(3) 리크 체크 공정
다음으로 전술한 일련의 처리의 과정에서 수행하는 리크 체크 공정에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 리크 체크 공정에 필요한 처리 장치(2)에서의 동작은 처리 장치(2)의 제어부로서 기능하는 컨트롤러(100)에 의해 제어된다.
리크 체크 공정은 웨이퍼(W)를 처리하는 기판 처리 공정인 성막 공정을 수행하기 전에, 그 성막 공정을 수행하는 처리로(14)로부터의 리크를 확인하는 공정이다.
리크 체크 공정을 수행하기 위해서 처리 장치(2)는 도 2에 도시하는 구성을 구비한다. 즉 처리 장치(2)는 실리콘 기판 등의 웨이퍼(W)를 보트(26)에 다단으로 탑재하고 히터(12)로 열처리하여 프로세스 가스에 의해 성막이 가능한 처리로(14), 처리로(14)에 프로세스 가스를 공급하는 가스 공급 기구(34), 성막 처리 후의 가스를 처리로(14)로부터 배기하는 배기관(46) 등을 구비해서 구성된다. 배기관(46)에는 처리로(14) 내의 압력을 검출하는 압력 센서(48)가 설치되고, 압력 센서(48)는 보트 로드 후의 압력 조정으로부터 성막 처리 전의 진공도의 확인, 성막 시의 압력 제어까지는 적어도 상시 사용된다.
배기관(46)에는 그 압력 센서(48)의 근방에 산소 분압이나 산소 화합물의 분압을 측정할 수 있는 분압 센서(60)가 설치된다. 분압 센서(60)로서는 예컨대 지르코니아식의 산소 농도계나, 콜드 캐소드 게이지(COLD CATHODE GAUGE)에 방전 발광 파장 측정 기능으로 가스 분압을 측정할 수 있는 것 등을 이용할 수 있다. 본 실시 형태에서의 분압 센서(60)를 이용하면, 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같은 진공 배기 시의 압력곡선을 얻을 수 있다.
여기서 도 4, 도 7, 도 8을 이용하여 리크 체크 공정을 포함하는 처리의 흐름을 설명한다. 또한 도 4, 도 7, 도 8에 도시하는 처리 흐름에서 처리 장치(2)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(100)에 의해 제어된다.
도 4에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 지지한 보트(26)를 처리로(14)에 반입하는 공정으로서 웨이퍼 차지 및 보트 로드(보트 업)를 수행한다. 그리고 웨이퍼 차지 및 보트 로드 후, 처리로(14) 내가 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기(감압 배기)를 하고, 히터 가열에 의해 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 한다.
그 후, 처리로(14) 내의 온도가 안정되면, 계속해서 리크 체크 공정을 수행한다. 즉 리크 체크 공정은 웨이퍼(W)를 처리하는 기판 처리 공정인 성막 처리에 앞서서 수행한다. 리크 체크 공정에서는 진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관(46)에 설치된 분압 센서(60)에 의해 계측하고, 이 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교한다. 그 결과, 산소 분압값이 임계값을 초과한 경우, N2 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행한다. 또한 진공 배기 후의 잔류 산소의 산소 분압값을 임계값의 비교하기 위해서 웨이퍼 산화에 기인하는 잔류 가스가 발생하기 쉬운 압력(예컨대 도달 진공 압력)으로 산소 분압값과 임계값의 비교가 수행된다.
리크 체크 공정에서는 압력 센서(48)에 더해서 추가한 분압 센서(60)로 산소나 산소 화합물의 분압을 계측하고, 계측한 산소 분압값과 임계값을 비교하는 것에 의해 다음 스텝, 즉 성막 처리를 진행할 수 있는지에 대한 판단을 수행한다. 그리고 계측한 산소 분압값이 미리 설정한 임계값을 충족하지 못한 경우에는 처리로(14) 내에 N2 가스(불활성 가스)를 공급하는 N2 퍼지를 수행하고, 혹은 배기관(46)을 통해서 처리로(14) 내를 진공 배기하는 진공 흡입을 수행하고, 또는 N2 퍼지와 진공 흡입의 양방(兩方)을 수행한 후에 리크 체크를 다시 수행하고, 분압 센서(60)로 계측한 산소 분압값이 임계값 이하가 될 때까지 반복한다. 이때 이용하는 임계값에 대해서는 상세를 후술한다.
여기서 도 2를 이용하여 진공 흡입 및 퍼지에 대해서 설명한다. 진공 흡입이란 처리로(14) 내의 압력을 진공 도달 압력까지 배기하는 것이다. 여기서 본 명세서에서는 진공 펌프의 흡인량이 제로가 되었을 때 도달할 수 있는 최저 압력을 진공 도달 압력이라고 말한다. 도 2에서는 밸브 AV를 닫힘 상태, 밸브 APC를 열림 상태에서 진공 펌프 Pump을 가동시키게 된다. 또한 퍼지는 밸브 AV를 열림 상태로 하여 예컨대 불활성 가스를 흘리면서 진공 펌프 Pump을 가동시켜서 배기하는 경우도 있고, 밸브 AV를 열림 상태 또한 밸브 APC를 닫힘 상태로 하여 처리로(14) 내에 퍼지 가스를 저장해서 처리로(14) 내의 압력을 상승시키는 경우도 있다.
다음으로 도 7을 이용하여 리크 체크 공정에 대해서 구체적으로 설명한다. 리크 체크 공정에서는 먼저 처리로(14) 내를 진공 흡입하면서 처리로(14) 내의 압력이 압력 센서(48)에 의해 검출된다. 처리로(14) 내의 압력이 소정 압력 이하가 되면, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압의 검출을 수행한다. 또한 이 소정 압력은 분압 센서(60)의 사양에 따라 미리 결정되는 압력이며, 본 실시 형태에서의 소정 압력은 수십 Pa 정도다.
한편, 처리로(14) 내의 진공 흡입에 의한 진공 도달 압력이 소정 압력보다 높을 때, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압의 검출을 수행하지 않고, 또한 다음 스텝의 기판 처리(성막) 공정을 실행하지 않고, 성막 공정 후의 퍼지 스텝으로 이행하여 처리로(14) 내를 N2 가스 등의 불활성 가스로 대기압으로 한다. 이와 같이 진공 흡입해서 도달 압력이 되어도 처리로(14) 내의 압력이 소정 압력보다 높으면, 처리로(14) 내에 리크가 발생하고 있을 가능성이 높기 때문이다.
또한 소정 압력에서 분압 센서(60)의 검출을 시작하고 처리로(14) 내의 압력이 웨이퍼 산화에 기인하는 잔류 가스가 발생하기 쉬운 압력에 달하면, 분압 센서(60)로 계측한 산소 분압값이 임계값 미만인지가 판정된다. 분압 센서(60)로 측정한 산소 분압값이 임계값보다 작으면 다음 스텝으로 진행시킬 수 있다고 판단하고, 웨이퍼(W)를 처리하는 성막 공정을 실행한다.
또한 분압 센서(60)로 측정한 산소 분압값이 임계값 이상일 때, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압값의 계측이 중단되고, 목표 압력(예컨대 소정 압력 이상의 임의의 압력)에 도달할 때까지 처리로(14) 내가 퍼지(N2 퍼지)된다. 이 목표 압력은 임의로 설정 가능하며, 소정 압력보다 작은 압력이어도 상관없다. 그리고 목표 압력으로부터 진공 흡입이 재개되고 계속해서 소정 압력이 되면 분압 센서(60)에 의한 산소 분압값의 계측이 재개된다. 그리고 진공 도달 압력이 되면, 또한 분압 센서(60)로 측정한 산소 분압값과 임계값이 재비교된다.
비교한 결과, 산소 분압값이 임계값보다 작을 때, 다음 스텝으로 진행시킬 수 있다고 판단하고 웨이퍼(W)를 처리하는 성막 공정이 실행된다. 그리고 비교한 결과, 산소 분압값이 임계값보다 높은 경우, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압값의 계측이 중단되고, 비교한 횟수가 소정 횟수가 되었는지 확인된다. 소정 횟수에 이르지 않은 경우, 목표 압력에 도달할 때까지 처리로(14) 내가 다시 퍼지된다. 이와 같이 산소 분압값이 임계값 이상이어도 소정 횟수까지 퍼지와 진공 흡입이 반복된다. 소정 횟수 비교를 수행해도 산소 분압값이 임계값보다 작아지지 않은 경우, 도 4에 도시하는 퍼지 스텝으로 이행하고, 본 처리 흐름이 강제적으로 종료된다.
도 8은 도 7의 변형예이다. 여기서는 도 7과 중복되는 부분(스텝)은 도 7과 마찬가지이며, 흐름 설명은 생략 또는 간략하고, 도 7과 다른 부분을 주로 이하에 설명한다.
먼저 진공 흡입하면서 소정 압력에서 배기관(46)에 설치된 분압 센서(60)에 의해 계측을 시작하고, 도달 압력 시의 잔류 산소를 분압 센서(60)에 의해 계측하고, 이 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교한다. 산소 분압값이 임계값보다 작은 경우, 다음 성막 공정으로 이행한다. 한편, 산소 분압값이 임계값을 초과하면, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압값의 계측이 중단되는 것과 함께 비교한 횟수가 2회째 이후인지 확인 후, 첫 회이므로 N2 퍼지를 수행하고, 처리로(14) 내의 압력이 재차 목표 압력이 되면 진공 흡입하면서 분압 센서(60)에 의해 계측하면서 도달 압력에서 분압 센서(60)에 의해 검출된 산소 분압값과 임계값을 재비교한다. 이때 산소 분압값이 임계값보다 작을 때, 다음 성막 공정으로 이행하여 처리를 종료한다.
재비교한 결과, 산소 분압값이 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 2회째 이후인지가 확인된다. 2회째 이후에서는 또한 계측된 산소 분압값이 개선되었는지에 대한 여부가 확인된다. 예컨대 임계값보다 크지만 전회의 산소 분압값보다 작을 때, 컨트롤러(100)는 산소 분압값이 개선되었다고 판정한다.
구체적으로는 재비교한 결과, 산소 분압값이 임계값 이상이고, 산소 분압값에 변화가 없거나 혹은 전회의 산소 분압값보다 큰 값이 되었을 때, 분압 센서(60)에 의한 검출을 정지하고, 또한 도 4에 도시하는 기판 처리 공정 후의 처리로(14) 내를 불활성 가스로 대기압으로 되돌리는 퍼지 공정으로 이행하고, 리크 체크 공정은 종료한다. 한편, 산소 분압값이 임계값 이상이고, 전회의 산소 분압값보다 산소 분압값이 작게 개선된 경우, 분압 센서(60)에 의한 산소 분압값의 계측을 중단하고, 재차 압력 센서(48)에서 검출하면서 목표 압력까지 처리로(14)가 퍼지된다. 그리고 진공 흡입이 재개된다. 진공 도달 압력이 되면 분압 센서(60)에 의해 측정되는 산소 분압값과 임계값이 비교된다. 이와 같이 도 8에서의 흐름에서는 산소 분압값이 개선되고 있다고 판정되는 동안, 목표 압력까지의 퍼지, 목표 압력으로부터의 진공 도달 압력까지의 진공 흡입의 각 공정이 산소 분압값이 임계값에 도달할 때까지 반복된다.
기판 처리 공정에서는 전술한 바와 같이 원료 가스 공급 공정, 원료 가스 배기 공정, 반응 가스 공급 공정, 반응 가스 배기 공정의 각 공정을 거쳐서 처리로(14) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 수행한다. 그리고 성막 처리가 완료되면, 처리로(14) 내의 분위기를 N2 가스로 치환하여 퍼지한 후에 처리 후의 웨이퍼(W)를 처리로(14)로부터 반출하는 공정으로서 보트 언로드(보트 다운), 웨이퍼(W)의 냉각 및 웨이퍼 디스차지를 수행한다.
여기서 리크 체크 공정에서 이용하는 임계값에 대해서 설명한다.
리크 체크 공정에서 이용하는 임계값은 도 5에 도시하는 바와 같이 미리 취득한 성막 조건에서의 웨이퍼 산화도에 기초하여 설정한다. 웨이퍼의 산화도의 확인은 예컨대 질화티타늄(TiN)막을 형성한 웨이퍼를 처리하고, 그 웨이퍼의 시트 저항값으로 판단하는 것이 가능하다. 즉 임계값은 미리 취득한 산소 분압값과 TiN막을 형성한 웨이퍼의 시트 저항값의 관계에 의해 미리 결정된 값이다. 또한 산소 분압값과 시트 저항값의 관계는 TiN막을 형성한 웨이퍼를 포함하는 테스트 웨이퍼를 준비하고 그 테스트 웨이퍼를 처리로(14) 내에 반입했을 때의 시트 저항값으로 결정할 수 있다.
구체적으로는 미소 리크량(즉 잔류 산소나 산소 화합물의 분압량)과 웨이퍼 산화도의 상관관계는 도 6에 도시하는 장치 구성으로 실험을 수행하는 것에 의해 도출하는 것이 가능하다. 이러한 장치 구성에서는 장치의 가스 공급측에 산소 또는 대기(大氣)를 도입할 수 있는 라인(34a)을 설치하고, 처리로(14)로의 도입 바로 전에 미소 유량의 컨트롤이 가능한 니들 밸브(34b)를 설치한다. 이 니들 밸브(34b)의 개도(開度)를 조정해서 잔류 산소나 산소 화합물의 분압을 변화시켜 미소 리크의 상태를 만든다. 그리고 잔류 산소나 산소 화합물 분압의 값을 변화시켜서 각각의 조건 하에서의 웨이퍼의 산화도의 모니터용으로서 TiN 테스트 웨이퍼를 열처리하고, 그 결과의 시트 저항값으로부터 잔류 산소나 산소 화합물의 분압값과 웨이퍼 산화도의 상관관계를 얻는다. 이와 같이 잔류 산소나 산소 화합물의 분압의 임계값은 TiN 테스트 웨이퍼의 규정의 시트 저항값으로 결정할 수 있다.
(4) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 1개 또는 복수의 효과를 얻을 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 성막 전에 웨이퍼(W)를 산화시키는 원인이 되는 잔류 가스 또는 처리로(14)로부터의 탈리 가스의 분압을 측정할 수 있으므로, 성막 전의 처리로(14)의 컨디션을 종래보다 고도로 확인할 수 있다. 결과적으로 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 산화를 억제할 수 있고, 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 산화에 기인하는 잔류 가스의 절대량(분압)을 뱃치(batch)마다 관리할 수 있다. 이에 의해 종래의 리크량을 측정하는 리크 체크에서는 측정할 수 없는 성막 전의 처리로(14)로부터의 탈리 가스의 분압을 측정할 수 있으므로, 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 산화를 억제할 수 있고, 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 산화에 기인하는 잔류 가스가 발생하기 쉬운 감압 시(예컨대 진공 도달 시)에서의 잔류 가스의 분압(산소 분압)을 임계값과 비교하므로, 성막 전의 처리로(14)의 컨디션을 보다 정확하게 파악할 수 있고, 그 결과, 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 산화를 억제할 수 있고, 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 임계값을 처리로(14)의 메인터넌스 후의 컨디션 확인용 TiN 테스트 웨이퍼를 처리로(14)에 반송했을 때의 실측값으로 결정하고 있으므로, 성막 전의 처리로(14)의 컨디션을 보다 정확하게 파악할 수 있고, 그 결과, 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 산화를 억제할 수 있고, 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 산화에 기인하는 잔류 가스가 발생하기 쉬운 감압 시(예컨대 진공 도달 시)에서의 잔류 가스의 분압(산소 분압)을 측정하면서 퍼지 및/또는 진공 흡입을 반복 수행하는 것에 의해 처리로(14)의 컨디션을 청정하게 할 수 있다. 그 결과, 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 산화를 억제할 수 있고, 품질을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 반복 수행하는 것에 의해 성막 처리 전에 처리로(14)의 컨디션을 청정하게 하고 나서 기판 처리 공정으로 진행시킬 수 있으므로, 처리 정지에 따른 로트 아웃을 저감할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 세트업 작업에서 처리로(14)의 메인터넌스 후의 컨디션 확인용의 TiN 테스트 웨이퍼가 불필요가 되는 것과 함께 TiN 테스트 웨이퍼 확인 뱃치가 불필요해지기 때문에 세트업 작업의 효율화를 도모할 수 있고, 장치 가동률이 오른다. 또한 처리로(14)의 메인터넌스 후 등에 He 리크 디텍터를 사용하지 않아도 용이하게 외부 리크를 확인할 수 있으므로, 세트업 작업의 효율화를 도모할 수 있고, 또한 장치 가동률이 오른다.
<다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명했지만 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
전술한 실시 형태에서는 주로 반도체 제조 공정에서 이용되는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명했지만 본 발명은 이것들에 한정되지 않고, 예컨대 액정 표시(LCD) 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 그 제조 방법에도 적용 가능하다.
또한 성막 공정에 대해서는 노 내를 감압해서 기판을 처리하는 것이라면 좋고, 또한 막종에 대해서는 산화막 이외라면 어떤 막에도 적용할 수 있다.
또한 성막 공정에서 수행하는 성막 처리에는 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리 등을 포함한다.
또한 전술한 실시 형태 또는 변형예에서는 성막 처리를 수행하는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것들에 한정되지 않고, 예컨대 그 외의 기판 처리 장치(노광 장치, 리소그래피 장치, 도포 장치, 플라즈마를 이용한 CVD 장치 등)에도 적용할 수 있다.
2: 기판 처리 장치 W: 웨이퍼(기판)
14: 처리로 26: 보트(지지구)
34: 가스 공급 기구 46: 배기관
48: 압력 센서 60: 분압 센서
100: 컨트롤러(제어부)

Claims (17)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인하는 리크 체크 공정에서,
    진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고, 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및
    진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정이 실행되는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기관에 상기 처리로 내의 압력을 검출하는 압력 센서가 더 설치되고,
    상기 압력 센서의 근방에 상기 분압 센서가 배치되는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는
    상기 처리로 내를 진공 흡입하면서 상기 압력 센서에 의해 상기 처리로 내의 압력을 검출하고,
    상기 처리로 내의 압력이 소정 압력 이하일 때, 상기 분압 센서에 의해 상기 산소 분압값을 계측하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는
    상기 소정 압력까지 진공 흡입되면 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하고,
    진공 도달 압력까지 진공 흡입되었을 때의 상기 산소 분압값을 상기 임계값과 비교하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    진공 도달 압력까지 진공 흡입되었을 때의 상기 처리로 내의 압력이 상기 소정 압력보다 높을 때, 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압의 검출을 수행하지 않고, 상기 기판 처리 공정 후의 상기 처리로 내를 불활성 가스로 대기압으로 하는 퍼지 공정으로 이행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값보다 작을 때, 상기 기판 처리 공정으로 이행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력이 되면 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및
    상기 진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정
    을 소정 횟수 수행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정은 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교한 횟수를 확인하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상이고, 상기 비교한 횟수가 2회 이상인 경우,
    전회의 산소 분압값으로부터 상기 산소 분압값에 변화가 없거나, 혹은 전회의 산소 분압값보다 상기 산소 분압값이 크게 된 경우, 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 정지시키고, 또한 상기 기판 처리 공정 후의 상기 처리로 내를 불활성 가스로 대기압으로 되돌리는 퍼지 공정으로 이행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상이고, 상기 비교한 횟수가 2회 이상인 경우,
    상기 산소 분압값이 전회의 산소 분압값보다 작아진 경우,
    상기 분압 센서에 의한 산소 분압값의 계측을 중단하고, 상기 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력으로부터 진공 흡입을 시작하는 것과 함께 상기 소정 압력으로부터 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및
    상기 진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정
    을 더 실행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 산소 분압값이 전회의 산소 분압값보다 작게 개선되는 동안,
    상기 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력이 되면 진공 흡입을 시작하는 공정; 및
    상기 진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정
    을 상기 산소 분압값이 상기 임계값 미만이 될 때까지 수행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 임계값은 미리 취득한 산소 분압값과 TiN막을 형성한 기판의 시트 저항값과의 관계에 의해 미리 결정된 값인 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 산소 분압값과 상기 시트 저항값의 관계는 상기 TiN막을 형성한 기판을 포함하는 테스트 기판을 상기 처리로 내에 반입했을 때의 시트 저항값으로 결정되는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 기판을 처리하는 처리로;
    상기 기판에 대하여 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급부;
    퍼지 가스로서 상기 기판에 대하여 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부; 및
    적어도 상기 원료 가스 공급부 및 상기 불활성 가스 공급부를 제어하도록 구성된 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는 상기 처리로로부터의 리크를 확인할 때, 진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고, 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하도록 구성되고,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하고, 목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하고, 진공 도달 압력에서 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인할 때 진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 순서에서,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 순서;
    목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 순서; 및
    진공 도달 압력에서 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 순서
    를 컴퓨터를 개재하여 기판 처리 장치에 실행시키는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  16. 기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인하는 리크 체크 공정에서,
    진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고, 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및
    진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정
    이 실행되는 기판 처리 방법.
  17. 기판을 처리하는 기판 처리 공정 전에 처리로로부터의 리크를 확인하는 리크 체크 방법으로서,
    진공 배기 후의 잔류 산소를 배기관에 설치된 분압 센서에 의해 계측하고, 계측된 산소 분압값과 임계값을 비교하고, 상기 산소 분압값이 상기 임계값을 초과한 경우, 퍼지 및/또는 진공 흡입을 수행하는 리크 체크 공정을 포함하고,
    상기 리크 체크 공정에서는,
    상기 산소 분압값이 상기 임계값 이상일 때, 비교한 횟수가 1회째인 경우,
    상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 중단하고, 목표 압력이 될 때까지 상기 처리로를 퍼지하는 공정;
    상기 목표 압력으로부터 진공 흡입을 재개하는 것과 함께 상기 분압 센서에 의한 상기 산소 분압값의 계측을 시작하는 공정; 및
    진공 도달 압력에서의 상기 산소 분압값과 상기 임계값을 비교하는 공정이 실행되는 리크 체크 방법.
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