JP2000195796A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理基板の成膜処理に悪影響を及ぼす物質の
装置内部での濃度を容易に所定値以下に保持し、製品の
品質の向上を図る。 【解決手段】被処理基板への成膜処理に悪影響を及ぼす
不要物質の装置内部での濃度を測定する濃度測定手段１
８、２９、３１、４１、４３と、装置内部を真空排気す
る排気手段と、装置内部を大気圧復帰させるガスパージ
手段と、前記濃度測定手段の測定値が所定値以下になる
迄装置内部の真空排気と大気圧復帰とを繰返す様前記排
気手段とガスパージ手段を制御する制御手段５０、４
４，４５，４６，４７，４８、５３と、を具備し、被処
理基板の成膜処理に悪影響を及ぼす物質の装置内部での
濃度を所定値以下に保持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェー
ハ、ＬＣＤ基板等被処理基板に成膜処理を施す基板処理
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板処理装置はシリコンウェーハ、ＬＣ
Ｄ基板等被処理基板に成膜処理を施し半導体素子を製造
するものであり、該基板処理装置には被処理基板を１枚
或は複数枚ずつ処理する枚葉式と一度に多数の被処理基
板を処理するバッチ式とがある。

【０００３】前記枚葉式、バッチ式のいずれの方式の場
合に於いても、酸素、水分、パーティクル等は被処理基
板への成膜処理に悪影響を及ぼす要因となるものであ
り、特に被処理基板の自然酸化膜の生成や基板処理装置
の爆発を防止する上で、処理室に隣接する移載室やカセ
ット室の酸素濃度を所定値以下に保持することは極めて
重要である。従って、基板処理装置では装置内での酸素
濃度を所定値以下に保持する様にしている。

【０００４】図７に於いて、従来の基板処理装置を説明
する。

【０００５】図中１は移載室であり、該移載室１の前面
側に並列に第１カセット室２、第２カセット室３がそれ
ぞれ第１ゲートバルブ４、第２ゲートバルブ５を介して
気密に連設されている。又、前記移載室１の後面側には
放射状に第１反応室６、第２反応室７がそれぞれ第３ゲ
ートバルブ８、第４ゲートバルブ９を介して気密に連設
されている。

【０００６】前記移載室１内にはウェーハ搬送ロボット
１０が設けられ、該ウェーハ搬送ロボット１０は屈伸自
在の３節リンクの搬送アーム１１を具備している。該搬
送アーム１１の先端位置のリンクは２股状のツィーザ１
２となっており、該ツィーザ１２にウェーハ１３が載置
される様になっている。

【０００７】又、前記移載室１には第１窒素ガス導入管
１４、第１排気管１５が接続され、前記第１窒素ガス導
入管１４は窒素ガス供給源（図示せず）に接続され、前
記第１排気管１５の末端は図示しない排気装置に接続さ
れている。前記第１窒素ガス導入管１４には第１流量コ
ントローラ４４が設けられ、前記第１排気管１５には第
１バイパス管１６が接続され、該第１バイパス管１６に
は上流側から第１バルブ１７、第１酸素濃度計１８が設
けられている。

【０００８】前記第１カセット室２、第２カセット室３
の前面側にはウェーハカセット１９を搬入搬出する為の
第５ゲートバルブ２０、第６ゲートバルブ２１がそれぞ
れ設けられ、前記第１カセット室２の側面には第２窒素
ガス導入管２２、第２排気管２３が接続され、前記第２
カセット室３の側面には第３窒素ガス導入管２４、第３
排気管２５が接続され、前記第２窒素ガス導入管２２、
第３窒素ガス導入管２４は窒素ガス供給源（図示せず）
に接続され、前記第２排気管２３及び第３排気管２５の
末端は図示しない排気装置に接続されている。前記第２
窒素ガス導入管２２、第３窒素ガス導入管２４には第２
流量コントローラ４５、第３流量コントローラ４６が設
けられ、前記第２排気管２３、第３排気管２５には前記
第１排気管１５と同様にそれぞれ第２バイパス管２６、
第３バイパス管２７が設けられ、該第２バイパス管２
６、第３バイパス管２７には前記第１バイパス管１６と
同様にそれぞれ第２バルブ２８、第２酸素濃度計２９及
び第３バルブ３０、第３酸素濃度計３１が設けられてい
る。

【０００９】前記第１反応室６には第１酸素ガス導入管
３２、第４排気管３３が接続され、前記第２反応室７に
は第２酸素ガス導入管３４、第５排気管３５が接続され
ている。又、前記第１反応室６、前記第２反応室７には
それぞれ第４窒素ガス導入管３６、第５窒素ガス導入管
３７が接続され、前記第１酸素ガス導入管３２及び第２
酸素ガス導入管３４は酸素ガス供給源に（図示せず）接
続され、前記第４窒素ガス導入管３６、第５窒素ガス導
入管３７は窒素ガス供給源（図示せず）に接続され、又
前記第４排気管３３及び前記第５排気管３５の末端は図
示しない排気装置に接続されている。

【００１０】前記第４窒素ガス導入管３６、第５窒素ガ
ス導入管３７には第４流量コントローラ４７、第５流量
コントローラ４８が設けられ、前記第４排気管３３、第
５排気管３５には前記第１排気管１５と同様にそれぞれ
第４バイパス管３８、第５バイパス管３９が設けられ、
該第４バイパス管３８、第５バイパス管３９には前記第
１バイパス管１６と同様にそれぞれ第４バルブ４０、第
４酸素濃度計４１及び第５バルブ４２、第５酸素濃度計
４３が設けられている。

【００１１】以下、前記第１反応室６内で前記ウェーハ
１３に酸化膜生成処理が行われる過程を説明する。

【００１２】前記第５ゲートバルブ２０を介して前記ウ
ェーハ１３を装填した前記ウェーハカセット１９が前記
第１カセット室２内に搬送された後、前記第５ゲートバ
ルブ２０が閉塞され、前記第１カセット室２内が気密に
保たれる。

【００１３】該第１カセット室２内を前記第２排気管２
３を介して排気し真空引きする。該第１カセット室２内
が所定の真空度に到達すると、該第１カセット室２内を
前記第２窒素ガス導入管２２を介して窒素ガスでパージ
し大気圧に復帰させ、前記第１カセット室２内の酸素濃
度を低下させる。この時の窒素ガス導入流量は前記第２
流量コントローラ４５により制御される。

【００１４】前記第２バルブ２８を開放し、前記第２酸
素濃度計２９により前記第１カセット室２内の酸素濃度
を測定し、該測定値が所定値を超えている場合には、前
記第１カセット室２内の酸素濃度が所定値以下になる
迄、手動操作で上記した真空排気及び大気圧復帰を繰返
し行う。

【００１５】前記移載室１、第１反応室６内についても
同様に室内の酸素濃度の測定値が所定値以下になる迄、
該移載室１、第１反応室６内を前記第１排気管１５、第
４排気管３３を介して排気し真空引きした後、前記第１
窒素ガス導入管１４、第４窒素ガス導入管３６を介して
窒素ガスでパージし大気圧に復帰させる。

【００１６】前記第１ゲートバルブ４及び前記第３ゲー
トバルブ８を開放し、前記ウェーハ搬送ロボット１０を
作動させ前記ウェーハ１３を前記ウェーハカセット１９
から前記第１反応室６に搬入する。前記第１ゲートバル
ブ４及び前記第３ゲートバルブ８を閉塞し、前記第１酸
素ガス導入管３２を介して前記第１反応管６内に酸素ガ
ス或は水蒸気を導入しつつ、前記第４排気管３３より排
気し、前記ウェーハ１３に酸化膜生成処理を行う。

【００１７】該ウェーハ１３の処理完了後、酸素ガスの
導入を停止し、前記第１反応室６内を真空引き処理した
後、該第１反応室６内に前記第４窒素ガス導入管３６を
介して窒素ガスを導入し、前記第１反応室６内を大気圧
に復帰させる。

【００１８】前記第１反応室６内の酸素濃度が所定測定
値以下となったところで、前記第３ゲートバルブ８及び
前記第１ゲートバルブ４を開放し、前記ウェーハ搬送ロ
ボット１０により処理済みの前記ウェーハ１３は前記第
１反応室６から前記第１カセット室２内の前記ウェーハ
カセット１９に搬送され、前記第１ゲートバルブ４が閉
塞した状態で該ウェーハカセット１９は前記第５ゲート
バルブ２０を介して外部へ搬出される。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板処
理装置では、装置内の酸素濃度の測定、酸素濃度が所定
値を超えている場合に酸素濃度を低下させる為の真空排
気及び大気圧復帰は手動操作で行っており、非常に手間
が掛かっていた。

【００２０】又、前記第３ゲートバルブ８の開放時に該
第３ゲートバルブ８を介して前記第１反応室６中の残存
酸素或は残存蒸気が前記移載室１に逆拡散し、前記ウェ
ーハ１３に無用の自然酸化膜を生成させる等、該ウェー
ハ１３の成膜処理に悪影響を及ぼす虞れがあった。

【００２１】本発明は斯かる実情に鑑み、被処理基板の
成膜処理に悪影響を及ぼす物質の装置内部での濃度を容
易に所定値以下に保持し、製品の品質の向上を図るもの
である。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板へ
の成膜処理に悪影響を及ぼす不要物質の装置内部での濃
度を測定する濃度測定手段と、装置内部を真空排気する
排気手段と、装置内部を大気圧復帰させるガスパージ手
段と、前記濃度測定手段の測定値が所定値以下になる迄
装置内部の真空排気と大気圧復帰とを繰返す様前記排気
手段とガスパージ手段を制御する制御手段と、を具備す
る基板処理装置に係り、又前記濃度測定手段が酸素濃度
計である基板処理装置に係り、更に又前記制御手段が装
置内部へのパージガス導入量を制御する機能を有する流
量コントローラと、真空排気の実行、パージガス導入の
為のガス導入バルブの開閉制御の実行を行うシーケンサ
と、前記濃度測定手段の検出結果により前記シーケン
サ、流量コントローラを作動する主制御装置とを具備す
る基板処理装置に係るものであり、被処理基板の成膜処
理に悪影響を及ぼす不要物質の装置内部での濃度を所定
値以下に保持する。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２４】本実施の形態に於いて、機器の構成は図７
で示したものと同様であるので、以下は図７を参照し、
図１〜図６に基づき本発明の実施の形態を説明する。

【００２５】主制御装置５０に主操作装置５１が接続さ
れ、該主操作装置５１は図示していないが操作部と表示
部を有し、該操作部より前記ウェーハ搬送ロボット１０
等の動作パターンの設定、処理ウェーハの枚数、ウェー
ハ処理のレシピの設定、或はレシピの選択等の処理条件
を前記主制御装置５０に入力し、又該主制御装置５０か
らウェーハの処理状況に関する情報、装置内の圧力、酸
素濃度の信号等が前記主操作装置５１に出力され、これ
ら処理状況に関する情報が前記表示部によって表示され
る。

【００２６】前記主制御装置５０からの制御信号はメカ
コントローラ５２、シーケンサ５３、プロセスモジュー
ルコントローラ５４に出力される。前記移載室１、第１
カセット室２、第２カセット室３、第１反応室６、第２
反応室７に設けられた圧力計（図示せず）からの圧力検
出信号、第１酸素濃度計１８、第２酸素濃度計２９、第
３酸素濃度計３１、第４酸素濃度計４１、第５酸素濃度
計４３からの酸素濃度検出信号は、前記主制御装置５０
に入力される。

【００２７】該主制御装置５０はこれら検出信号を基に
前記シーケンサ５３を制御して各窒素ガス導入管１４，
２２，２４，３６，３７に設けられたガス導入バルブ
（図示せず）の開閉制御を行い、又前記流量コントロー
ラ４４，４５，４６，４７，４８を制御して前記移載室
１、第１カセット室２、第２カセット室３、第１反応室
６、第２反応室７に導入される窒素ガスの流量を制御す
る。

【００２８】前記主制御装置５０は前記主操作装置５１
から入力されたウェーハの処理条件に基づき前記プロセ
スモジュールコントローラ５４に処理制御信号を発し、
該プロセスモジュールコントローラ５４は前記第１反応
室６、第２反応室７、温度、圧力、酸素ガスの導入流量
等を設定、制御する。

【００２９】前記主制御装置５０はメイン制御部５６、
運転レシピバッチ管理部５７、運転レシピ管理部５８、
装置モード管理部５９、搬送系統制御部６０等のサブプ
ログラムを具備する主制御プログラム７１によって動作
する様になっている。

【００３０】前記運転レシピバッチ管理部５７はウェー
ハカセット１９単位での搬送状態等を管理し、前記運転
レシピ管理部５８は前記ウェーハカセット１９内の各ウ
ェーハ１３の搬送状態を管理する様になっている。

【００３１】前記装置モード管理部５９は装置全体の状
態を管理し、前記主操作装置５１からの前記ウェーハ搬
送ロボット１０等各機器の動作パターンの設定、ウェー
ハ処理条件の設定を監視し、該設定の変更があった場合
には変更された設定情報を前記シーケンサ５３、プロセ
スモジュールコントローラ５４に指令する様になってい
る。

【００３２】又、前記搬送系統制御部６０は前記運転レ
シピバッチ管理部５７により割当てられた前記ウェーハ
カセット１９の搬送経路に関する情報を前記メカコント
ローラ５２へ指示する様になっている。

【００３３】前記メカコントローラ５２は主にウェーハ
搬送動作を制御するコントローラであり、メイン制御部
６１、ゲートバルブ制御部６２、モニタ制御部６３、移
載室制御部６４、第１カセット室制御部６５、第２カセ
ット室制御部６６等のサブプログラムを具備するメカコ
ントロールプログラム７２により動作する様になってい
る。

【００３４】前記ゲートバルブ制御部６２は、前記第１
ゲートバルブ４、第２ゲートバルブ５、第３ゲートバル
ブ８、第４ゲートバルブ９、第５ゲートバルブ２０及び
第６ゲートバルブ２１の開閉動作を制御する機能を有
し、前記モニタ制御部６３は前記主制御装置５０から前
記第１カセット室２、第２カセット室３、移載室１内の
圧力状態の情報を得て、各室間の前記各ゲートバルブ
４，５，８，９を開放可能な状態かどうか或は前記ウェ
ーハ搬送ロボット１０が動作可能な状態かどうかを常時
監視する機能を有している。

【００３５】前記移載室制御部６４は前記ウェーハ搬送
ロボット１０を駆動するモータ（図示せず）或はエアシ
リンダ等のアクチュエータを駆動制御し、前記第１カセ
ット室制御部６５及び第２カセット室制御部６６はそれ
ぞれウェーハの搬送に必要なウェーハ搬送ロボット１０
との同期制御、或は前記第１カセット室２及び第２カセ
ット室３に対する前記ウェーハカセット１９の投入及び
払出し、更に前記第１カセット室２及び第２カセット室
３内での前記ウェーハ１３の姿勢合わせ等の為の各機器
を制御する様になっている。

【００３６】前記主操作装置５１はマルチタスク制御部
６７、キー入力制御部６８、画面更新部６９、アラーム
制御部７０等のサブプログラムを具備する操作プログラ
ム７３に基づき動作する様になっている。

【００３７】前記キー入力制御部６８はキー入力の有無
を監視し、入力されたキー信号を判別し、更に制御内容
を決定し、前記主制御装置５０に制御情報を発する機能
を有し、前記画面更新部６９は画面の切換時に最新画面
に更新する様になっている。又、前記アラーム制御部７
０はアラームの発生及び回復を画面に表示すると共にア
ラーム発生時のインターロック移行先の設定を行う様に
なっている。

【００３８】前記主操作装置５１からは処理前或は処理
中を問わず、真空排気、大気圧復帰処理の自動制御、手
動制御モードの選択が可能であり、又、手動制御モード
を選択した場合の真空排気、大気圧復帰処理の対象室の
選択、真空排気及び大気圧復帰処理のコマンド種別、実
行回数の設定がＧＵＩ(Graphical User Interface)上で
設定可能となっている。更に、前記主操作装置５１から
オペレータによる強制終了操作が行われる迄前記制御を
繰返す連続処理モードの設定が可能となっている。

【００３９】手動制御による真空排気、大気圧復帰処理
のコマンドには図５に示す様に真空排気、大気圧復帰の
繰返し制御を行った後最後に真空状態にするサイクルエ
バックと、図６に示す様に該サイクルエバックと反対に
最後に大気圧状態とするサイクルリークとがある。

【００４０】更に、前記真空排気処理のコマンド種別に
は、ゲートバルブを閉塞し処理室内を気密に保持した状
態で該処理室内を減圧し、所定の真空度到達後も前記ゲ
ートバルブを閉塞した状態で排気のみを行うＥＶＡＣ
１、該ＥＶＡＣ１後、少量の窒素ガスを前記処理室内に
導入しながら、所定の真空度を保ちつつ排気するＥＶＡ
Ｃ２、反応室内の反応副生成物が前記移載室１に逆拡散
するのを防ぐ為、前記ＥＶＡＣ１後、該移載室１にのみ
窒素ガスを導入し該移載室１内の圧力を前記反応室内の
圧力より若干高めに保つＥＶＡＣ３、及びウェーハ１３
の搬送時、各処理室内に一定量の窒素ガスを導入しなが
ら該各処理室内を低真空圧に保つＥＶＡＣ４がある。
又、前記大気圧復帰処理のコマンド種別には、窒素ガス
のパージによる大気圧復帰のＬＥＡＫ１、該ＬＥＡＫ１
後、窒素ガスを空気で再度置換するＬＥＡＫ２がある。

【００４１】以下、前記主操作装置５１により前記移載
室１、第１カセット室２及び第１反応室６に対して真空
排気、大気圧復帰処理の自動制御モードが選択されてい
る場合の作用を説明する。

【００４２】先ず、処理が完了してウェーハカセット１
９を移載室１に払出す場合について説明する。

【００４３】前記第１反応室６でのウェーハ処理が完了
すると、前記プロセスモジュールコントローラ５４は処
理終了信号を前記主制御装置５０へ送出し、該主制御装
置５０は前記シーケンサ５３へ排気処理開始信号を送出
する。該シーケンサ５３は前記第４排気管３３に設けら
れた排気バルブ（図示せず）を開放し、該第４排気管３
３を介して前記第１反応室６内を排気し真空引きする。

【００４４】前記第１反応室６内が所定の真空度に到達
すると、前記シーケンサ５３は前記第４窒素ガス導入管
３６に設けられた窒素ガス導入バルブ（図示せず）を開
放する。前記第４流量コントローラ４７が前記第１反応
室６への窒素ガス導入量を制御しつつ、前記第４窒素ガ
ス導入管３６から前記第１反応室６内へ所要流量で窒素
ガスが導入される。該窒素ガスにより前記第１反応室６
内はパージされ大気圧に復帰し、該第１反応室６内の酸
素濃度は低下する。

【００４５】前記主制御装置５０により前記第４バルブ
４０が開放され、前記第４酸素濃度計４１により前記第
１反応室６内の酸素濃度の測定が開始される。一定時
間、前記第１反応室６内の酸素濃度が測定された後、該
測定値のデータが前記主制御装置５０へ送出される。該
主制御装置５０の前記運転レシピ管理部５８により前記
測定値と予め前記主操作装置５１を介して前記運転レシ
ピ管理部５８に設定された酸素濃度の値とが比較され、
前記測定値が設定酸素濃度値を越える場合には、前記主
制御装置５０は前記シーケンサ５３へ真空排気、大気圧
復帰制御続行信号を再度送出する。該シーケンサ５３は
前記排気バルブ（図示せず）を開放し、前記第１反応室
６内は再度前記第４排気管３３を介して真空引きされ
る。

【００４６】以降、前述したのと同様に大気圧復帰処理
が行われ、前記第１反応室６内の測定酸素濃度が所定値
以下になる迄前記真空排気、大気圧復帰処理が繰返し行
われる。

【００４７】前記測定値が前記設定酸素濃度値以下であ
ると前記運転レシピ管理部５８が判断した場合には、前
記主制御装置５０は前記シーケンサ５３への真空排気、
大気圧復帰制御続行信号の送出を停止すると共に前記第
４バルブ４０を閉塞して、酸素濃度の測定を完了する。
該シーケンサ５３は前記第１反応室６内が窒素ガスパー
ジにより大気圧に復帰した状態で前記排気バルブ等を閉
鎖し、前記第１カセット室２内の真空排気、大気圧復帰
制御を停止させる。

【００４８】第１反応室６から第１カセット室２へのウ
ェーハ１３の搬送は、前記第１反応室６、移載室１、第
１カセット室２が連通状態になるので、前記移載室１、
第１カセット室２に対しても同様の手順で室内の酸素濃
度の測定値が所定値以下になる迄前述したのと同様の手
順で真空排気、大気圧復帰処理がそれぞれ独立して行わ
れる。

【００４９】前記移載室１及び第１カセット室２内の酸
素濃度が所定値以下になると、前記第３ゲートバルブ８
及び第１ゲートバルブ４が開放される。前記移載室制御
部６４により前記ウェーハ搬送ロボット１０が駆動さ
れ、前記ウェーハ１３が前記第１反応室６から前記第１
カセット室２のウェーハカセット１９に移載される。次
に、未処理のウェーハ１３が前記ウェーハカセット１９
より前記第１カセット室２に搬入される。一連のウェー
ハ１３搬送が完了すると、前記第３ゲートバルブ８が閉
塞され、前記第１反応室６内が気密に保たれ、更にウェ
ーハ１３の処理が行われる。

【００５０】而して前記第３ゲートバルブ８が開放され
た場合、前記第１反応室６内の酸素濃度は所定値以下と
なっているので、第１反応室６から移載室１内への酸素
の逆流はない。

【００５１】次に、第１カセット室２内にウェーハカセ
ット１９が投入された場合の第１カセット室２から移載
室１の酸素、或はパーティクルの逆流の防止について説
明する。

【００５２】前記ゲートバルブ制御部６２により第５ゲ
ートバルブ２０が開放され、ウェーハ１３が装填された
ウェーハカセット１９が前記第５ゲートバルブ２０を通
って前記第１カセット室２内に投入される。該第１カセ
ット室２内に於ける前記ウェーハカセット１９の投入及
び前記ウェーハ１３のオリフラ合わせ等の為の各機器は
前記第１カセット室制御部６５により制御される。その
後、前記ゲートバルブ制御部６２により前記第５ゲート
バルブ２０が閉塞され前記第１カセット室２内が気密に
保たれる。

【００５３】該第１カセット室２内への前記ウェーハカ
セット１９の搬送が完了すると、前記メカコントローラ
５２は搬送完了信号を前記主制御装置５０へ送出し、該
主制御装置５０は前記シーケンサ５３へ排気処理開始信
号を送出する。該シーケンサ５３は前記第２排気管２３
に設けられた排気バルブ（図示せず）を開放し、前記第
２排気管２３を介して前記第１カセット室２内を排気し
真空引きする。

【００５４】前記第１カセット室２内が所定の真空度に
到達すると、前記シーケンサ５３は前記第２窒素ガス導
入管２２に設けられた窒素ガス導入バルブ（図示せず）
を開放する。前記第２流量コントローラ４５が前記第１
カセット室２への窒素ガス導入量を制御しつつ、第２窒
素ガス導入管２２から前記第１カセット室２内へ所要量
の窒素ガスが導入される。該窒素ガスにより前記第１カ
セット室２内はパージされ大気圧に復帰し、該第１カセ
ット室２内の酸素濃度は低下する。

【００５５】前記主制御装置５０により前記第２バルブ
２８が開放され、前記第２酸素濃度計２９により前記第
１カセット室２内の酸素濃度の測定が開始される。一定
時間、前記第１カセット室２内の酸素濃度が測定された
後、該測定値のデータが前記主制御装置５０へ送出され
る。該主制御装置５０の前記運転レシピ管理部５８によ
り前記測定値と予め前記主操作装置５１を介して前記運
転レシピ管理部５８に設定された酸素濃度の値とが比較
され、前記測定値が設定酸素濃度値を越える場合には、
前記主制御装置５０は前記シーケンサ５３へ真空排気、
大気圧復帰制御続行信号を再度送出する。該シーケンサ
５３は前記排気バルブ（図示せず）を開放し、前記第１
カセット室２内は再度前記第２排気管２３を介して排気
され真空引きされる。

【００５６】以降、前述したのと同様に大気圧復帰処理
が行われ、前記第１カセット室２内の測定酸素濃度が所
定値以下になる迄前記真空排気、大気圧復帰処理が繰返
し行われる。

【００５７】前記測定値が前記設定酸素濃度値以下であ
ると前記運転レシピ管理部５８が判断した場合には、前
記主制御装置５０は前記シーケンサ５３への真空排気、
大気圧復帰制御続行信号の送出を停止すると共に前記第
１酸素濃度計４０に停止信号を送出する。該シーケンサ
５３は前記排気バルブ等を閉鎖し、前記第１カセット室
２内の真空排気、大気圧復帰制御を停止させる。

【００５８】以降、前記移載室１、第１反応室６内につ
いても、室内の酸素濃度の測定値が所定値以下になる迄
前述したのと同様の手順で前記真空排気、大気圧復帰処
理が繰返される。

【００５９】而して、前記第１カセット室２内の酸素濃
度が所定値以下に制御されることで、第１カセット室２
から移載室１内への酸素の逆流、更にパーティクルの逆
流も防止される。従って、ウェーハ搬送過程での無用の
自然酸化膜の生成を防止することができる。同様に、パ
ーティクルがウェーハへ付着することによる品質の低下
を防止できる。

【００６０】前記主操作装置５１から真空排気、大気圧
復帰処理の手動制御モードが選択されている場合には、
該主操作装置５１により選択された室に対して選択され
たコマンド種別の真空排気或は大気圧復帰処理が設定さ
れた実行回数繰返し行われ、前記選択された室内の酸素
濃度は低下する。設定された回数の所要の真空排気、大
気圧復帰処理が完了した後、前記選択された室内の酸素
濃度が所定値を越えている場合には、前記主操作装置５
１からの再度の設定により、更に真空排気、大気圧復帰
制御を実行させ、前記選択された室内の酸素濃度を所定
値以下に低下させることができる。

【００６１】尚、上記実施の形態に於いては、酸素濃度
計を測定手段とし酸素濃度を所定値以下に低下させる場
合について説明したが、他の測定手段を使用してパーテ
ィクルや水分等被処理基板への成膜処理に悪影響を及ぼ
す他の物質を所定値以下に低減させる場合についても実
施可能であることは言う迄もない。

【００６２】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、被処理
基板への成膜処理に悪影響を及ぼす酸素等、不要物質濃
度が所定値以下になる迄装置内部の真空排気と大気圧復
帰とを自動で繰返し行う様制御されるので省力化が図
れ、不要物質濃度を容易且つ確実に低減することができ
るので、装置内部に残置した不要物質が酸素である場合
は自然酸化膜の生成が防止でき、或は不要物質がパーテ
ィクルである場合はパーティクル付着による品質の低下
を防止でき、品質の向上を図ることができる等の優れた
効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示すブロック図である。

【図２】該実施の形態に於ける主制御装置を動作させる
プログラムの構成図である。

【図３】該実施の形態に於けるメカコントローラを動作
させるプログラムの構成図である。

【図４】該実施の形態に於ける主操作装置を動作させる
プログラムの構成図である。

【図５】該実施の形態に於けるサイクルエバックの動作
を示す説明図である。

【図６】該実施の形態に於けるサイクルリークの動作を
示す説明図である。

【図７】基板処理装置の構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１４ 第１窒素ガス導入管 １５ 第１排気管 １８ 第１酸素濃度計 ２２ 第２窒素ガス導入管 ２３ 第２排気管 ２４ 第３窒素ガス導入管 ２５ 第３排気管 ２９ 第２酸素濃度計 ３１ 第３酸素濃度計 ３３ 第４排気管 ３５ 第５排気管 ３６ 第４窒素ガス導入管 ３７ 第５窒素ガス導入管 ４１ 第４酸素濃度計 ４３ 第５酸素濃度計 ４４ 第１流量コントローラ ４５ 第２流量コントローラ ４６ 第３流量コントローラ ４７ 第４流量コントローラ ４８ 第５流量コントローラ ５０ 主制御装置 ５１ 主操作装置 ５２ メカコントローラ ５３ シーケンサ ５４ プロセスモジュールコントローラ ５５ オペレーションコントローラ ５６ メイン制御部 ６１ メイン制御部 ６７ マルチタスク制御部 ７１ 主制御プログラム ７２ メカコントロールプログラム ７３ 操作プログラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 信明 東京都千代田区飯田橋４丁目７番11号 国 際電気アルファ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AC11 DQ17 EB12 EG05 GB07 GB15

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板への成膜処理に悪影響を及ぼ
   す不要物質の装置内部での濃度を測定する濃度測定手段
   と、装置内部を真空排気する排気手段と、装置内部を大
   気圧復帰させるガスパージ手段と、前記濃度測定手段の
   測定値が所定値以下になる迄装置内部の真空排気と大気
   圧復帰とを繰返す様前記排気手段とガスパージ手段を制
   御する制御手段と、を具備することを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 前記濃度測定手段が酸素濃度計である請
   求項１の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段が装置内部へのパージガス
   導入量を制御する機能を有する流量コントローラと、真
   空排気の実行、パージガス導入の為のガス導入バルブの
   開閉制御の実行を行うシーケンサと、前記濃度測定手段
   の検出結果により前記シーケンサ、流量コントローラを
   作動する主制御装置とを具備する請求項１の基板処理装
   置。