JPH09306972A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH09306972A JPH09306972A JP14653796A JP14653796A JPH09306972A JP H09306972 A JPH09306972 A JP H09306972A JP 14653796 A JP14653796 A JP 14653796A JP 14653796 A JP14653796 A JP 14653796A JP H09306972 A JPH09306972 A JP H09306972A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大口径半導体基板の減圧処理をするうえにお
いて、ロードロック室の減圧、加圧に要する時間を最小
とし、スループットを低下させることなく、半導体基板
への防塵も同時に達成することのできる、新規な減圧、
加圧手段を備えた半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 低圧下でのプラズマ処理を行う処理室と
それに併設されるロードロック室を有する半導体製造装
置において、ロードロック室の減圧動作を高速且つ、ご
みの巻上げを起こさせることなく実行する為に、複数の
圧力予備タンクを直列に接続した排気ラインと、同様に
パージ動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせること
なく実行するめ、複数の容量の異なる圧力予備タンクを
直列に接続したパージラインを設け、またそれとは別
に、ロードロック室と真空ポンプおよびパージガス供給
口をバルブのみを介して連結する排気ラインおよびパー
ジラインをも合わせて設た装置。
いて、ロードロック室の減圧、加圧に要する時間を最小
とし、スループットを低下させることなく、半導体基板
への防塵も同時に達成することのできる、新規な減圧、
加圧手段を備えた半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 低圧下でのプラズマ処理を行う処理室と
それに併設されるロードロック室を有する半導体製造装
置において、ロードロック室の減圧動作を高速且つ、ご
みの巻上げを起こさせることなく実行する為に、複数の
圧力予備タンクを直列に接続した排気ラインと、同様に
パージ動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせること
なく実行するめ、複数の容量の異なる圧力予備タンクを
直列に接続したパージラインを設け、またそれとは別
に、ロードロック室と真空ポンプおよびパージガス供給
口をバルブのみを介して連結する排気ラインおよびパー
ジラインをも合わせて設た装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被処理物であるウエハー
を処理する処理室と、それに併設されるロードロック室
を持つ半導体製造装置において、特にロードロック室の
加圧、減圧手段に特徴を有する半導体製造装置に関す
る。
を処理する処理室と、それに併設されるロードロック室
を持つ半導体製造装置において、特にロードロック室の
加圧、減圧手段に特徴を有する半導体製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のロードロック室を持つ半導体製造
装置は、例えば特開平４−１００２１６や特開平５−２
９２６３のように、低圧下での処理を行う処理室と被処
理物が置かれる大気圧室は、両側をゲートバルブによっ
て仕切られたロードロック室により接続され、そのロー
ドロック室には圧力調整バルブや開閉バルブを介し真空
ポンプに接続された真空排気ラインと、ロードロック室
を大気圧に戻すためのパージラインを備えていた。又、
このロードロック室は近年の半導体基板の大口径化や、
スループットに対する要求による複数枚同時搬送、同時
処理の為大容量化が進み、それによりロードロック室の
真空引きやパージに係る時間がこれまでに比べ格段に増
加している。
装置は、例えば特開平４−１００２１６や特開平５−２
９２６３のように、低圧下での処理を行う処理室と被処
理物が置かれる大気圧室は、両側をゲートバルブによっ
て仕切られたロードロック室により接続され、そのロー
ドロック室には圧力調整バルブや開閉バルブを介し真空
ポンプに接続された真空排気ラインと、ロードロック室
を大気圧に戻すためのパージラインを備えていた。又、
このロードロック室は近年の半導体基板の大口径化や、
スループットに対する要求による複数枚同時搬送、同時
処理の為大容量化が進み、それによりロードロック室の
真空引きやパージに係る時間がこれまでに比べ格段に増
加している。
【０００３】この様な従来例を図２により説明すると、
図においてローダ・アンローダ０３の上にウエハ０２の
入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動させ
る。通常、バルブ０９は開いた状態にあってロードロッ
ク室０１は真空引きされているが、装置が作動し始める
とバルブ０９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、パー
ジガスライン１２よりロードロック室０１内に例えば窒
素ガスからなるパージガスが供給され、ロードロック室
０１内の気圧は大気圧と略同じになる。
図においてローダ・アンローダ０３の上にウエハ０２の
入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動させ
る。通常、バルブ０９は開いた状態にあってロードロッ
ク室０１は真空引きされているが、装置が作動し始める
とバルブ０９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、パー
ジガスライン１２よりロードロック室０１内に例えば窒
素ガスからなるパージガスが供給され、ロードロック室
０１内の気圧は大気圧と略同じになる。
【０００４】ロードロック室０１内の気圧が大気圧と略
同じになると、バルブ１４は閉じ、ゲートバルブ０５が
開く。そして、ロードロック室０１内のウエハ搬送シス
テムによってローダ・アンローダ０３の上のウエハ０２
がロードロック室０１内に搬入され、ゲートバルブ０５
が再び閉じる。バルブ０５が閉じると同時に、バルブ０
９が開き、ロードロック室０１は再び真空引きされる。
同じになると、バルブ１４は閉じ、ゲートバルブ０５が
開く。そして、ロードロック室０１内のウエハ搬送シス
テムによってローダ・アンローダ０３の上のウエハ０２
がロードロック室０１内に搬入され、ゲートバルブ０５
が再び閉じる。バルブ０５が閉じると同時に、バルブ０
９が開き、ロードロック室０１は再び真空引きされる。
【０００５】ロードロック室０１内の圧力が一定の真空
度に達したら、バルブ１４を開けてロードロック室０１
内にパージガスをわずかに供給するとともに、圧力コン
トローラ１９によってロードロック室０１内の圧力をあ
る一定の内圧に保つ。これと同時に、バルブ１５を開け
て反応室０４にもわずかのパージガスを供給するととも
に、圧力コントローラ１１によって反応室０４内の内圧
をロードロック室０１内の内圧と同じになるようにコン
トロールする。
度に達したら、バルブ１４を開けてロードロック室０１
内にパージガスをわずかに供給するとともに、圧力コン
トローラ１９によってロードロック室０１内の圧力をあ
る一定の内圧に保つ。これと同時に、バルブ１５を開け
て反応室０４にもわずかのパージガスを供給するととも
に、圧力コントローラ１１によって反応室０４内の内圧
をロードロック室０１内の内圧と同じになるようにコン
トロールする。
【０００６】反応室０４内の内圧がロードロック室０１
内の内圧と同一になるようにコントロールされると、ゲ
ートバルブ０６が開き、ロードロック室０１内のウエハ
０２が搬送システムによって反応室０４内に搬入され
る。ウエハ０２が反応室０４内に搬入されると、ゲート
バルブ０６は閉じるが、ロードロック室０１内の真空度
は、依然一定に保持される。一方、反応室０４内では、
ウエハ０２に対する成膜やエッチングなどの作業が行わ
れる。これらの作業が終了したら、バルブ１５を開けて
反応室０４内にわずかのパージガスを供給するととも
に、圧力コントローラ１１によって反応室０４内の内圧
をロードロック室０１内の内圧と同じになるようにコン
トロールする。
内の内圧と同一になるようにコントロールされると、ゲ
ートバルブ０６が開き、ロードロック室０１内のウエハ
０２が搬送システムによって反応室０４内に搬入され
る。ウエハ０２が反応室０４内に搬入されると、ゲート
バルブ０６は閉じるが、ロードロック室０１内の真空度
は、依然一定に保持される。一方、反応室０４内では、
ウエハ０２に対する成膜やエッチングなどの作業が行わ
れる。これらの作業が終了したら、バルブ１５を開けて
反応室０４内にわずかのパージガスを供給するととも
に、圧力コントローラ１１によって反応室０４内の内圧
をロードロック室０１内の内圧と同じになるようにコン
トロールする。
【０００７】反応室０４内の内圧がロードロック室０１
内の内圧と同一になるようにコントロールされると、ゲ
ートバルブ０６が開き、作業が終了したウエハ０２が搬
送システムによって反応室０４よりロードロック室０１
に搬送される。搬送が終了すると、ゲートバルブ０６及
びバルブ０９は閉じるが、バルブ１４が開いた状態にあ
るため、ロードロック室０１内は大気圧に戻される。そ
の後、バルブ１４が閉じてパージガスの供給が止まり、
これと同時にゲートバルブ０５が開く。そして、ロード
ロック室０１内のウエハ０２が搬送システムによってロ
ーダ・アンローダ０３の上に搬出され、ウエハカッセト
１８の中に収納される。なお、図２中の符号Ｐは夫々真
空ポンプである。
内の内圧と同一になるようにコントロールされると、ゲ
ートバルブ０６が開き、作業が終了したウエハ０２が搬
送システムによって反応室０４よりロードロック室０１
に搬送される。搬送が終了すると、ゲートバルブ０６及
びバルブ０９は閉じるが、バルブ１４が開いた状態にあ
るため、ロードロック室０１内は大気圧に戻される。そ
の後、バルブ１４が閉じてパージガスの供給が止まり、
これと同時にゲートバルブ０５が開く。そして、ロード
ロック室０１内のウエハ０２が搬送システムによってロ
ーダ・アンローダ０３の上に搬出され、ウエハカッセト
１８の中に収納される。なお、図２中の符号Ｐは夫々真
空ポンプである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
上記のごときロードロック室を持つ半導体製造装置で
は、スループットを維持するためにロードロック室に接
続された真空排気ラインやパージラインにより、これま
でより高速での排気、パージが必要となり、そのためロ
ードロック室に付着している塵埃を舞上げてロードロッ
ク室内の半導体基板に付着させるという欠点がある。ま
た、真空排気、パージの両ラインに流量調整弁を設け、
減圧、加圧を実施すると、それに要する時間が多くかか
りスループットの低下を招くという欠点もあった。
上記のごときロードロック室を持つ半導体製造装置で
は、スループットを維持するためにロードロック室に接
続された真空排気ラインやパージラインにより、これま
でより高速での排気、パージが必要となり、そのためロ
ードロック室に付着している塵埃を舞上げてロードロッ
ク室内の半導体基板に付着させるという欠点がある。ま
た、真空排気、パージの両ラインに流量調整弁を設け、
減圧、加圧を実施すると、それに要する時間が多くかか
りスループットの低下を招くという欠点もあった。
【０００９】そこで、本発明では、大口径半導体基板の
減圧処理をするうえにおいてもロードロック室の減圧、
加圧に要する時間を最小とし、スループットを低下させ
ることなく、半導体基板への防塵も同時に達成すること
のできる、新規な減圧、加圧手段を備えた半導体製造装
置を提供する。
減圧処理をするうえにおいてもロードロック室の減圧、
加圧に要する時間を最小とし、スループットを低下させ
ることなく、半導体基板への防塵も同時に達成すること
のできる、新規な減圧、加圧手段を備えた半導体製造装
置を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、低圧下でのプ
ラズマ処理を行う処理室とそれに併設されるロードロッ
ク室を有する半導体製造装置において、ロードロック室
の減圧動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせること
なく実行する為に、複数の圧力予備タンクを直列に接続
した排気ラインと、同様にパージ動作を高速且つ、ごみ
の巻上げを起こさせることなく実行するめ、複数の容量
の異なる圧力予備タンクを直列に接続したパージライン
を設け、またそれとは別に、ロードロック室と真空ポン
プおよびパージガス供給口をバルブのみを介して連結す
る排気ラインおよびパージラインをも合わせて設たこと
によりロード、ロック室内の排気、パージ動作を高速且
つ、クリーンに行うことを可能にした装置。
ラズマ処理を行う処理室とそれに併設されるロードロッ
ク室を有する半導体製造装置において、ロードロック室
の減圧動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせること
なく実行する為に、複数の圧力予備タンクを直列に接続
した排気ラインと、同様にパージ動作を高速且つ、ごみ
の巻上げを起こさせることなく実行するめ、複数の容量
の異なる圧力予備タンクを直列に接続したパージライン
を設け、またそれとは別に、ロードロック室と真空ポン
プおよびパージガス供給口をバルブのみを介して連結す
る排気ラインおよびパージラインをも合わせて設たこと
によりロード、ロック室内の排気、パージ動作を高速且
つ、クリーンに行うことを可能にした装置。
【００１１】
【実施例】本発明に係る半導体製造装置の一実施例を図
１により説明する。半導体製造装置の概略は従来の装置
と同様に、カセット２８内の基板２２を処理室２４内に
おいて処理するために、それらの中間にロ−ドロック室
２１を有する形式のものであって、カセットからの基板
２２はゲ−トバルブ２５を介してロ−ドロック室内の搬
送ロボット３０により該室内に移送され、さらにゲ−ト
バルブ２６を介して処理室２４に送られる構成である。
１により説明する。半導体製造装置の概略は従来の装置
と同様に、カセット２８内の基板２２を処理室２４内に
おいて処理するために、それらの中間にロ−ドロック室
２１を有する形式のものであって、カセットからの基板
２２はゲ−トバルブ２５を介してロ−ドロック室内の搬
送ロボット３０により該室内に移送され、さらにゲ−ト
バルブ２６を介して処理室２４に送られる構成である。
【００１２】しかし、本発明の製造装置においては、同
時に２枚に基板を処理するために、カセット２８を２基
有しており、ロ−ドロック２１内の搬送ロボット３０も
同時に２枚の基板を移送し得るものである。本発明の特
徴であるロ−ドロック室２１には、先ず真空ポンプ３１
が減圧バルブ３４、制御バルブ３５を介して第一減圧ラ
イン３２により連結されており、さらに該ライン３２と
並列に、第一補助タンク３６、第二補助タンク３７およ
び減圧バルブ３８、３９、４０を介して第二減圧ライン
３３により連結されている。
時に２枚に基板を処理するために、カセット２８を２基
有しており、ロ−ドロック２１内の搬送ロボット３０も
同時に２枚の基板を移送し得るものである。本発明の特
徴であるロ−ドロック室２１には、先ず真空ポンプ３１
が減圧バルブ３４、制御バルブ３５を介して第一減圧ラ
イン３２により連結されており、さらに該ライン３２と
並列に、第一補助タンク３６、第二補助タンク３７およ
び減圧バルブ３８、３９、４０を介して第二減圧ライン
３３により連結されている。
【００１３】さらに、ロ−ドロック室２１はパ−ジバル
ブ４４を介して第一のパ−ジライン４２によりパ−ジガ
ス供給口４１に連結されているとともに、該ライン４２
と並列して、第一のパ−ジ補助タンク４５と該タンク４
５より容量の大きな第二のパ−ジ補助タンク４６および
パ−ジバルブ４７、４８、４９を介して第二のパ−ジラ
イン４３により連結されている。また、処理室２４は真
空ポンプ５１に制御バルブ５３等を介して真空ライン５
２により接続されており、さらに、ロ−ドロック室２１
と処理室２４とはバイパスバルブ５０を介して互いに接
続されている。
ブ４４を介して第一のパ−ジライン４２によりパ−ジガ
ス供給口４１に連結されているとともに、該ライン４２
と並列して、第一のパ−ジ補助タンク４５と該タンク４
５より容量の大きな第二のパ−ジ補助タンク４６および
パ−ジバルブ４７、４８、４９を介して第二のパ−ジラ
イン４３により連結されている。また、処理室２４は真
空ポンプ５１に制御バルブ５３等を介して真空ライン５
２により接続されており、さらに、ロ−ドロック室２１
と処理室２４とはバイパスバルブ５０を介して互いに接
続されている。
【００１４】上記構成において、ロードロック室２１は
ゲートバルブ２５により大気と、ゲートバルブ２６によ
り処理室２４と分離されてイニシャル状態としては、各
室の圧力は、大気＞ロードロック室＞処理室となってお
りロードロック室２１、処理室２４とも各々別々の真空
ポンプ３１、５１に接続され各々のラインに設けられた
制御バルブ３５、５３により一定圧力に制御されてい
る。また、その時点ではすでに、減圧用補助タンク３６
は所定のタイミングでバルブ３４とバルブ３８を閉じる
ことにより任意の圧力に維持され、各圧力は、減圧用補
助タンク３６＞減圧補助タンク３７＝ロードロック室２
１に保たれている。
ゲートバルブ２５により大気と、ゲートバルブ２６によ
り処理室２４と分離されてイニシャル状態としては、各
室の圧力は、大気＞ロードロック室＞処理室となってお
りロードロック室２１、処理室２４とも各々別々の真空
ポンプ３１、５１に接続され各々のラインに設けられた
制御バルブ３５、５３により一定圧力に制御されてい
る。また、その時点ではすでに、減圧用補助タンク３６
は所定のタイミングでバルブ３４とバルブ３８を閉じる
ことにより任意の圧力に維持され、各圧力は、減圧用補
助タンク３６＞減圧補助タンク３７＝ロードロック室２
１に保たれている。
【００１５】更に、パージ用補助タンクはロードロック
室２１へのパージガス供給の為の準備として、そのライ
ンに接続されたクリンドライエアもしくは窒素ラインの
圧力と同圧に加圧されている。ただし、パージ用補助タ
ンク４５の容量＜パージ用補助タンク４６の容量となる
ように設計されておりロードロック室２１の容量によ
り、パージ用タンクの容量、個数が決定される。
室２１へのパージガス供給の為の準備として、そのライ
ンに接続されたクリンドライエアもしくは窒素ラインの
圧力と同圧に加圧されている。ただし、パージ用補助タ
ンク４５の容量＜パージ用補助タンク４６の容量となる
ように設計されておりロードロック室２１の容量によ
り、パージ用タンクの容量、個数が決定される。
【００１６】次に、上記の装置における稼働シーケンス
を説明する。 （１）パージバルブ４４を開けロードロック室２１のパ
ージを開始。 （２）パージバルブ４７を開けパージ補助タンク４５内
のガスをロードロック室２１へ供給。 （３）パージバルブ４８を開けパージ補助タンク４６内
のガスをロードロック室２１へ供給。（１）〜（３）の
シーケンス中もパージバルブ４４は開のままであり
（１）〜（３）の間にロードロック室２１は大気圧にな
る。この時（パージ補助タンク４５の容量＋パージ補助
タンク４６の容量）×パージガス圧力≧ロードロック室
２１の容量）であればパージ時間は最短となる。 （４）ゲートバルブ２５を開けた後、搬送ロボット３０
は基板２２をピックアップしロードロック室２１内へ該
基板を入れ、ゲートバルブ２５は閉じる。 （５）ロードロック室２１の真空引シーケンスの開始 減圧バルブ３４を開けた後減圧バルブ３８を開け減圧補
助タンク３６の容量分の真空引きを行い、その後速やか
に減圧バルブ３９を開けて減圧補助タンク３７の容量分
の真空引きを行う。その間、減圧バルブ３４は開状態の
ままであり、ロードロック室２１は最短時間で到達圧力
に達する。なお、本シーケンス中にパージ補助タンク４
５、４６はパージバルブ４４、４７を閉じた状態にてパ
ージガスの供給を受け続け、一定時間後にパージバルブ
４８、４９を閉じる。
を説明する。 （１）パージバルブ４４を開けロードロック室２１のパ
ージを開始。 （２）パージバルブ４７を開けパージ補助タンク４５内
のガスをロードロック室２１へ供給。 （３）パージバルブ４８を開けパージ補助タンク４６内
のガスをロードロック室２１へ供給。（１）〜（３）の
シーケンス中もパージバルブ４４は開のままであり
（１）〜（３）の間にロードロック室２１は大気圧にな
る。この時（パージ補助タンク４５の容量＋パージ補助
タンク４６の容量）×パージガス圧力≧ロードロック室
２１の容量）であればパージ時間は最短となる。 （４）ゲートバルブ２５を開けた後、搬送ロボット３０
は基板２２をピックアップしロードロック室２１内へ該
基板を入れ、ゲートバルブ２５は閉じる。 （５）ロードロック室２１の真空引シーケンスの開始 減圧バルブ３４を開けた後減圧バルブ３８を開け減圧補
助タンク３６の容量分の真空引きを行い、その後速やか
に減圧バルブ３９を開けて減圧補助タンク３７の容量分
の真空引きを行う。その間、減圧バルブ３４は開状態の
ままであり、ロードロック室２１は最短時間で到達圧力
に達する。なお、本シーケンス中にパージ補助タンク４
５、４６はパージバルブ４４、４７を閉じた状態にてパ
ージガスの供給を受け続け、一定時間後にパージバルブ
４８、４９を閉じる。
【００１７】（６）処理開始 ロードロック室２１≒処理室２４という圧力関係より、
バイパスバルブ５０を開けることにより両室は同圧とな
りゲートバルブ２６を開けることができる。ゲートバル
ブ２６を開けた後、搬送ロボット３０により処理室２１
へ基板２２の搬送を行い、ゲートバルブ２６を閉じた後
処理が開始される。ゲートバルブ２６が閉じたと同時に
次の基板２２の処理の準備として、カセット２８からの
基板２２のピックアップを行わなければならないため、
（１）〜（４）までのシーケンスを行うが、その時すで
に、パージ補助タンク４５、４６にはパージガスが供給
されており、速やかにそのシーケンスが実施される。ま
た、パージシーケンス実施中に減圧補助タンク３６、３
７の真空引きが行われる。
バイパスバルブ５０を開けることにより両室は同圧とな
りゲートバルブ２６を開けることができる。ゲートバル
ブ２６を開けた後、搬送ロボット３０により処理室２１
へ基板２２の搬送を行い、ゲートバルブ２６を閉じた後
処理が開始される。ゲートバルブ２６が閉じたと同時に
次の基板２２の処理の準備として、カセット２８からの
基板２２のピックアップを行わなければならないため、
（１）〜（４）までのシーケンスを行うが、その時すで
に、パージ補助タンク４５、４６にはパージガスが供給
されており、速やかにそのシーケンスが実施される。ま
た、パージシーケンス実施中に減圧補助タンク３６、３
７の真空引きが行われる。
【００１８】（１）〜（６）の繰り返しにより基板２２
の処理が続けられるが、以上の様に補助タンクへのパー
ジガスの供給や減圧は、各々のロードロック室へのパー
ジ、減圧動作中に実施されるため、装置のスループット
を落とすことはない。
の処理が続けられるが、以上の様に補助タンクへのパー
ジガスの供給や減圧は、各々のロードロック室へのパー
ジ、減圧動作中に実施されるため、装置のスループット
を落とすことはない。
【００１９】
【効果】本発明によると、大口径半導体基板の製造装置
においてロードロック室の減圧、加圧に要する時間を最
小とし、その結果スループットを低下させることがな
く、かつ、真空排気ライン、パージラインの高速化によ
る塵埃の舞上がり等の不具合を防止できる。
においてロードロック室の減圧、加圧に要する時間を最
小とし、その結果スループットを低下させることがな
く、かつ、真空排気ライン、パージラインの高速化によ
る塵埃の舞上がり等の不具合を防止できる。
【００２０】
【図１】本発明の半導体製造装置に係る１実施例を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】従来公知の半導体製造装置を示す概略説明図で
ある。
ある。
２１ ロードロック室 ２２ 基板 ２４ 処理室 ３０ 搬送ロボット ３１ 真空ポンプ ３２ 第一減圧ライン ３３ 第二減圧ライン ３６ 第一減圧用補助タンク ３７ 第二減圧用補助タンク ４１ パージガス供給口 ４２ 第一パージライン ４５ 第一パージ補助タンク ４６ 第二パージ補助タンク ５１ 真空ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 低圧下でプラズマ処理を行う処理室とそ
れに併設されるロードロック室を有する半導体製造装置
において、ロードロック室を大気圧に戻すためのガスパ
ージラインとロードロック室を大気圧から所定の真空度
にするための真空排気ラインを備え、かつ、該各ライン
と並列に夫々加圧、減圧の為の圧力容器を開閉バルブを
介してロードロック室に接続されたラインを有する半導
体製造装置。 - 【請求項２】 上記並列に設けられたラインの加圧、減
圧の為の圧力容器が夫々２個以上である、請求項１に記
載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14653796A JPH09306972A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14653796A JPH09306972A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306972A true JPH09306972A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15409900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14653796A Pending JPH09306972A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306972A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010107138A (ko) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | 윤종용 | 화학 기상 증착 장비 |
| JP2005019684A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Sony Corp | 半導体製造装置および移載ロボット |
| KR100470998B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 로드락챔버에서 진공형성방법 |
| WO2007003479A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Edwards Limited | Method and apparatus for evacuating an enclosure |
| JP2009052432A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Tadashi Kamimura | 真空排気幇助装置と真空排気幇助方法 |
| KR100905396B1 (ko) * | 2007-08-01 | 2009-06-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 로드락 챔버의 진공장치 및 이를 이용한 로드락 챔버의압력 전환 방법 |
| JP2010067992A (ja) * | 2003-06-02 | 2010-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
| JP2017022215A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP14653796A patent/JPH09306972A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010107138A (ko) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | 윤종용 | 화학 기상 증착 장비 |
| KR100470998B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 로드락챔버에서 진공형성방법 |
| JP2010067992A (ja) * | 2003-06-02 | 2010-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
| JP2005019684A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Sony Corp | 半導体製造装置および移載ロボット |
| JP4570852B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-10-27 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置 |
| WO2007003479A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Edwards Limited | Method and apparatus for evacuating an enclosure |
| KR100905396B1 (ko) * | 2007-08-01 | 2009-06-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 로드락 챔버의 진공장치 및 이를 이용한 로드락 챔버의압력 전환 방법 |
| JP2009052432A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Tadashi Kamimura | 真空排気幇助装置と真空排気幇助方法 |
| JP2017022215A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
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