JPH0529263A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0529263A JPH0529263A JP17817291A JP17817291A JPH0529263A JP H0529263 A JPH0529263 A JP H0529263A JP 17817291 A JP17817291 A JP 17817291A JP 17817291 A JP17817291 A JP 17817291A JP H0529263 A JPH0529263 A JP H0529263A
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- lock chamber
- chamber
- reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロードロック室と反応室間の室内容積の違い
や両室の真空引き用のポンプの能力差によるロードロッ
ク室と反応室との内圧の差を解消することにより、両室
間を仕切るバルブを開けた際の、両室の内圧の差による
気流の乱れ、これに伴う粉塵の巻き上がりおよび粉塵の
ウエハへの付着を防止することを可能にした半導体製造
装置を提供する。 【構成】 スリットバルブ６によって仕切られたロード
ロック室１と反応室４とに、室内の内圧をコントロール
可能な圧力コントローラ１９、１１がそれぞれ設けられ
ている。
や両室の真空引き用のポンプの能力差によるロードロッ
ク室と反応室との内圧の差を解消することにより、両室
間を仕切るバルブを開けた際の、両室の内圧の差による
気流の乱れ、これに伴う粉塵の巻き上がりおよび粉塵の
ウエハへの付着を防止することを可能にした半導体製造
装置を提供する。 【構成】 スリットバルブ６によって仕切られたロード
ロック室１と反応室４とに、室内の内圧をコントロール
可能な圧力コントローラ１９、１１がそれぞれ設けられ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スリットバルブによ
って仕切られた減圧可能なロードロック室と減圧可能な
反応室とを備えた半導体製造装置に関する。
って仕切られた減圧可能なロードロック室と減圧可能な
反応室とを備えた半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、図２は、従来の半導体ウエハ
製造装置を示すものであり、図において、ロードロック
室１の一方の側に半導体ウエハ２（以下、単にウエハ２
という）を出し入れするローダ・アンローダ３が設置さ
れ、他方の側にウエハ２の成膜やエッチングなどを行う
反応室４が設置されている。
製造装置を示すものであり、図において、ロードロック
室１の一方の側に半導体ウエハ２（以下、単にウエハ２
という）を出し入れするローダ・アンローダ３が設置さ
れ、他方の側にウエハ２の成膜やエッチングなどを行う
反応室４が設置されている。
【０００３】ロードロック室１とローダ・アンローダ３
との間には、これらの間を仕切る第１スリットバルブ５
（以下、単にバルブ５という）が設けられ、ロードロッ
ク室１と反応室４間には、これらの間を仕切る第２スリ
ットバルブ６（以下、単にバルブ６という）が設けられ
ている。
との間には、これらの間を仕切る第１スリットバルブ５
（以下、単にバルブ５という）が設けられ、ロードロッ
ク室１と反応室４間には、これらの間を仕切る第２スリ
ットバルブ６（以下、単にバルブ６という）が設けられ
ている。
【０００４】また、ロードロック室１にはロードロック
室１内の真空引きをする第１真空ポンプ７（以下、単に
ポンプ７という）が接続され、反応室４には反応室４内
の真空引きをする第２真空ポンプ８（以下、単にポンプ
８という）が接続されている。また、ロードロック室１
とポンプ７とを結ぶラインおよび反応室４とポンプ８と
を結ぶラインには、これらの間を仕切る第１バルブ９と
第２バルブ１０がそれぞれ設けられ、さらに、ポンプ８
と第２バルブ１０とを結ぶラインには、反応室３内の圧
力をコントロールする圧力コントローラ１１が設けられ
ている。
室１内の真空引きをする第１真空ポンプ７（以下、単に
ポンプ７という）が接続され、反応室４には反応室４内
の真空引きをする第２真空ポンプ８（以下、単にポンプ
８という）が接続されている。また、ロードロック室１
とポンプ７とを結ぶラインおよび反応室４とポンプ８と
を結ぶラインには、これらの間を仕切る第１バルブ９と
第２バルブ１０がそれぞれ設けられ、さらに、ポンプ８
と第２バルブ１０とを結ぶラインには、反応室３内の圧
力をコントロールする圧力コントローラ１１が設けられ
ている。
【０００５】また、ロードロック室１および反応室４に
は、Ｎ２ガスを供給するＮ２ガスライン１２と１３がそ
れぞれ接続され、これらのＮ２ライン１２，１３にはＮ
２ガスの供給を遮断する第１Ｎ２ガスバルブ１４（以
下、単にバルブ１４という）と第２Ｎ２ガスバルブ１５
（以下、単にバルブ１５という）がそれぞれ設けられ、
さらに、反応室４には反応ガス排出用の反応ガスライン
１６（以下、単にライン１６という）が接続され、この
ライン１６には反応ガスの流れを遮断する反応ガスバル
ブ１７（以下、単にバルブ１７という）が設けられてい
る。
は、Ｎ２ガスを供給するＮ２ガスライン１２と１３がそ
れぞれ接続され、これらのＮ２ライン１２，１３にはＮ
２ガスの供給を遮断する第１Ｎ２ガスバルブ１４（以
下、単にバルブ１４という）と第２Ｎ２ガスバルブ１５
（以下、単にバルブ１５という）がそれぞれ設けられ、
さらに、反応室４には反応ガス排出用の反応ガスライン
１６（以下、単にライン１６という）が接続され、この
ライン１６には反応ガスの流れを遮断する反応ガスバル
ブ１７（以下、単にバルブ１７という）が設けられてい
る。
【０００６】従来の半導体製造装置は前記のように構成
され、たとえば、ローダ・アンロ−ダ３の上にウエハ２
の入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動せ
さる。通常、バルブ９は開いた状態にあって、ロードロ
ック室１は真空引きされているが、装置が作動し始める
とバルブ９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、Ｎ２ラ
イン１２よりロ−ドロック室１内にＮ２ガスが供給さ
れ、ロードロック室１内の気圧は大気圧と略同じにな
る。
され、たとえば、ローダ・アンロ−ダ３の上にウエハ２
の入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動せ
さる。通常、バルブ９は開いた状態にあって、ロードロ
ック室１は真空引きされているが、装置が作動し始める
とバルブ９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、Ｎ２ラ
イン１２よりロ−ドロック室１内にＮ２ガスが供給さ
れ、ロードロック室１内の気圧は大気圧と略同じにな
る。
【０００７】ロードロック室１内の気圧が大気圧と略同
じになると、バルブ１４は閉じ、バルブ５が開く。そし
て、ロードロック室１内のウエハ搬送システム（図省
略）によってローダ・アンローダ３の上のウエハ２がロ
ードロック室１内に搬入され、バルブ５が閉じる。バル
ブ５が閉じると同時に、バルブ９が開き、ロードロック
室１は再び真空引きされる。
じになると、バルブ１４は閉じ、バルブ５が開く。そし
て、ロードロック室１内のウエハ搬送システム（図省
略）によってローダ・アンローダ３の上のウエハ２がロ
ードロック室１内に搬入され、バルブ５が閉じる。バル
ブ５が閉じると同時に、バルブ９が開き、ロードロック
室１は再び真空引きされる。
【０００８】ロード・ロック室１内の圧力が一定の真空
度に達し、安定すると、バルブ９が閉じてバルブ６が開
き、ロードロック室１内のウエハ２がウエハ搬送システ
ムによって反応室４内に搬入される。このとき、バルブ
１０は開いており、また、圧力コントローラ１１はフル
オープンな状態にあって反応室４は真空引きされてい
る。反応室４にウエハ２が搬入されると、バルブ６は閉
じ、バルブ９が開いてロードロック室１内は、再び真空
引きされる。一方、反応室４内では、ウエハ２に対する
成膜やエッチングなどの作業が行われる。これらの作業
が終了すると、バルブ９は閉じるが、バルブ１０が開い
た状態にあり、圧力コントローラ１１はフルオープンに
あるため反応室４内は真空引きされる。
度に達し、安定すると、バルブ９が閉じてバルブ６が開
き、ロードロック室１内のウエハ２がウエハ搬送システ
ムによって反応室４内に搬入される。このとき、バルブ
１０は開いており、また、圧力コントローラ１１はフル
オープンな状態にあって反応室４は真空引きされてい
る。反応室４にウエハ２が搬入されると、バルブ６は閉
じ、バルブ９が開いてロードロック室１内は、再び真空
引きされる。一方、反応室４内では、ウエハ２に対する
成膜やエッチングなどの作業が行われる。これらの作業
が終了すると、バルブ９は閉じるが、バルブ１０が開い
た状態にあり、圧力コントローラ１１はフルオープンに
あるため反応室４内は真空引きされる。
【０００９】反応室４内の真空度が一定に達すると、バ
ルブ６が開いて、作業が終了したウエハ２が反応室４よ
りロードロック室１内に搬送される。ウエハ２が搬送さ
れるとバルブ６およびバルブ９は閉じ、バルブ１４が開
く。そして、Ｎ２ライン１２よりロードロック室１内に
Ｎ２ガスが供給され、ロードロック室１内は大気圧と略
同じになる。ロードロック室１内の気圧が大気圧と略同
じになると、バルブ１４は閉じ、Ｎ2ガスの供給は止ま
る。そして、バルブ５が開き、ロードロック室１内のウ
エハ２が搬送システムによって搬出され、ローダ・アン
ローダ３の上のカセット１８の中に収納される。
ルブ６が開いて、作業が終了したウエハ２が反応室４よ
りロードロック室１内に搬送される。ウエハ２が搬送さ
れるとバルブ６およびバルブ９は閉じ、バルブ１４が開
く。そして、Ｎ２ライン１２よりロードロック室１内に
Ｎ２ガスが供給され、ロードロック室１内は大気圧と略
同じになる。ロードロック室１内の気圧が大気圧と略同
じになると、バルブ１４は閉じ、Ｎ2ガスの供給は止ま
る。そして、バルブ５が開き、ロードロック室１内のウ
エハ２が搬送システムによって搬出され、ローダ・アン
ローダ３の上のカセット１８の中に収納される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の半
導体製造装置では、ロードロック室１と反応室４とを仕
切るバルブ６が開くのは、各室が、個々に接続されたポ
ンプ７，８によって真空引きされて一定の真空度に達し
たときであるため、両者のポンプに能力差があったり、
ロードロック室１と反応室４との室内容積が違っていた
りすると、バルブ６を開けた際に両室の内圧の差によっ
て気流が乱れることがあり、その結果として、室内の粉
塵が巻き上がり、ウエハ２に付着してウエハ２の品質を
著しく低下させてしまうという課題があった。
導体製造装置では、ロードロック室１と反応室４とを仕
切るバルブ６が開くのは、各室が、個々に接続されたポ
ンプ７，８によって真空引きされて一定の真空度に達し
たときであるため、両者のポンプに能力差があったり、
ロードロック室１と反応室４との室内容積が違っていた
りすると、バルブ６を開けた際に両室の内圧の差によっ
て気流が乱れることがあり、その結果として、室内の粉
塵が巻き上がり、ウエハ２に付着してウエハ２の品質を
著しく低下させてしまうという課題があった。
【００１１】この発明は、前記従来の課題を解決するた
めに提案されたもので、真空引き用ポンプの能力差やロ
ードロック室と反応室との室内容積の違いによるロード
ロック室と反応室との内圧の差を無くし、両室間を仕切
るバルブを開けた際の両室の内圧の差による気流の乱
れ、これに伴う粉塵の巻き上りおよび粉塵のウエハへの
付着を防止することを可能にした半導体製造装置を提供
することを目的とする。
めに提案されたもので、真空引き用ポンプの能力差やロ
ードロック室と反応室との室内容積の違いによるロード
ロック室と反応室との内圧の差を無くし、両室間を仕切
るバルブを開けた際の両室の内圧の差による気流の乱
れ、これに伴う粉塵の巻き上りおよび粉塵のウエハへの
付着を防止することを可能にした半導体製造装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
製造装置においては、バルブによって仕切られたロード
ロック室および反応室の両方に、室内の内圧を自由にコ
ントロール可能な圧力コントローラがそれぞれ接続され
ている。
製造装置においては、バルブによって仕切られたロード
ロック室および反応室の両方に、室内の内圧を自由にコ
ントロール可能な圧力コントローラがそれぞれ接続され
ている。
【００１３】
【作用】上記の半導体製造装置においては、ロードロッ
ク室および反応室に、それぞれ接続された圧力コントロ
ーラがロードロック室および反応室の内圧を自由にコン
トロールすることにより、真空引き用ポンプの能力差や
ロードロック室と反応室との室内容積の違いによるロー
ドロック室と反応室との内圧の差が簡単に解決される。
ク室および反応室に、それぞれ接続された圧力コントロ
ーラがロードロック室および反応室の内圧を自由にコン
トロールすることにより、真空引き用ポンプの能力差や
ロードロック室と反応室との室内容積の違いによるロー
ドロック室と反応室との内圧の差が簡単に解決される。
【００１４】
【実施例】実施例１ 図１はこの発明の一実施例を示す半導体製造装置の構成
図であるが、図において、ロードロック室１、ウエハ
２、ローダ・アンローダ３、反応室４、バルブ５，６、
ポンプ７，８、バルブ９，１０、圧力コントローラ１
１、Ｎ2ライン１２，１３、バルブ１４，１５、ライン
１６、バルブ１７およびウエハカセット１８は、前記の
従来例と全く同じであるため、符号のみを付し、その説
明を省略する。
図であるが、図において、ロードロック室１、ウエハ
２、ローダ・アンローダ３、反応室４、バルブ５，６、
ポンプ７，８、バルブ９，１０、圧力コントローラ１
１、Ｎ2ライン１２，１３、バルブ１４，１５、ライン
１６、バルブ１７およびウエハカセット１８は、前記の
従来例と全く同じであるため、符号のみを付し、その説
明を省略する。
【００１５】ロードロック室１に接続されたポンプ７と
バルブ９とを結ぶラインにはロードロック室１内の内圧
をコントロールする圧力コントローラ１９が設けられて
いる。
バルブ９とを結ぶラインにはロードロック室１内の内圧
をコントロールする圧力コントローラ１９が設けられて
いる。
【００１６】次に、動作について説明すると、従来例の
場合と同様に、ローダ・アンロ−ラ１の上にウエハ２の
入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動せさ
る。通常、バルブ９は開いた状態にあってロードロック
室１は、真空引きされているが、装置が作動し始めると
バルブ９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、Ｎ2ライ
ン１２よりロ−ドロック室１内にＮ2ガスが供給され、
ロードロック室１内の気圧は大気圧と略同じになる。
場合と同様に、ローダ・アンロ−ラ１の上にウエハ２の
入ったウエハカセット１８をセットし、装置を作動せさ
る。通常、バルブ９は開いた状態にあってロードロック
室１は、真空引きされているが、装置が作動し始めると
バルブ９は閉じ、バルブ１４が開く。そして、Ｎ2ライ
ン１２よりロ−ドロック室１内にＮ2ガスが供給され、
ロードロック室１内の気圧は大気圧と略同じになる。
【００１７】ロードロック室１内の気圧が大気圧と略同
じになると、バルブ１４は閉じ、バルブ５が開く。そし
て、ロードロック室１内のウエハ搬送システム（図省
略）によってローダ・アンローダ３の上のウエハ２がロ
ードロック室２内に搬入され、バルブ５が再び閉じる。
バルブ５が閉じると同時に、バルブ９が開き、ロードロ
ック室１は再び真空引きされる。
じになると、バルブ１４は閉じ、バルブ５が開く。そし
て、ロードロック室１内のウエハ搬送システム（図省
略）によってローダ・アンローダ３の上のウエハ２がロ
ードロック室２内に搬入され、バルブ５が再び閉じる。
バルブ５が閉じると同時に、バルブ９が開き、ロードロ
ック室１は再び真空引きされる。
【００１８】ロード・ロック室１内の圧力が一定の真空
度に達したら、バルブ１４を開けてロードロック室１内
にＮ2ガスをわずかに供給するとともに、圧力コントロ
ーラ１９によってロードロック室１内の圧力をある一定
の内圧に保つ。これと同時に、バルブ１５を開けて反応
室４にもわずかのＮ2ガスを供給するとともに、圧力コ
ントローラ１１によって反応室４内の内圧をロードロッ
ク室１内の内圧と同じになるようにコントロールする。
度に達したら、バルブ１４を開けてロードロック室１内
にＮ2ガスをわずかに供給するとともに、圧力コントロ
ーラ１９によってロードロック室１内の圧力をある一定
の内圧に保つ。これと同時に、バルブ１５を開けて反応
室４にもわずかのＮ2ガスを供給するとともに、圧力コ
ントローラ１１によって反応室４内の内圧をロードロッ
ク室１内の内圧と同じになるようにコントロールする。
【００１９】反応室４内の内圧がロードロック室１内の
内圧と同一になるようにコントロールされると、バルブ
６が開き、ロードロック室１内のウエハ２が搬送システ
ムによって反応室４内に搬入される。ウエハ２が反応室
４内に搬入されると、バルブ６は閉じるが、ロードロッ
ク室１内の真空度は、依然一定に保持される。一方、反
応室４内では、ウエハ２に対する成膜やエッチングなど
の作業が行われる。これらの作業が終了したら、バルブ
１５を開けて反応室４内にわずかのＮ2ガスを供給する
とともに、圧力コントローラ１１によって反応室４内の
内圧をロードロック室１内の内圧と同じになるようにコ
ントロールする。
内圧と同一になるようにコントロールされると、バルブ
６が開き、ロードロック室１内のウエハ２が搬送システ
ムによって反応室４内に搬入される。ウエハ２が反応室
４内に搬入されると、バルブ６は閉じるが、ロードロッ
ク室１内の真空度は、依然一定に保持される。一方、反
応室４内では、ウエハ２に対する成膜やエッチングなど
の作業が行われる。これらの作業が終了したら、バルブ
１５を開けて反応室４内にわずかのＮ2ガスを供給する
とともに、圧力コントローラ１１によって反応室４内の
内圧をロードロック室１内の内圧と同じになるようにコ
ントロールする。
【００２０】反応室４内の内圧がロードロック室１内の
内圧と同一になるようにコントロールされると、バルブ
６が開き、作業が終了したウエハ２が搬送システムによ
って反応室４よりロードロック室１に搬送される。搬送
が終了すると、バルブ６および９は閉じるが、バルブ１
４が開いた状態にあるため、ロードロック室１内は大気
圧に戻される。その後、バルブ１４が閉じてＮ2 ガスの
供給が止まり、これと同時にバルブ５が開く。そして、
ロードロック室１内のウエハ２が搬送システムによって
ローダ・アンローダ３の上に搬出され、ウエハカセット
１８の中に収納される。
内圧と同一になるようにコントロールされると、バルブ
６が開き、作業が終了したウエハ２が搬送システムによ
って反応室４よりロードロック室１に搬送される。搬送
が終了すると、バルブ６および９は閉じるが、バルブ１
４が開いた状態にあるため、ロードロック室１内は大気
圧に戻される。その後、バルブ１４が閉じてＮ2 ガスの
供給が止まり、これと同時にバルブ５が開く。そして、
ロードロック室１内のウエハ２が搬送システムによって
ローダ・アンローダ３の上に搬出され、ウエハカセット
１８の中に収納される。
【００２１】実施例２ なお、前記実施例では、ロードロック室１とローダ・ア
ンローダ３とが別室になっている場合を示したが、ロー
ダ・アンローダ３がロードロック室１を兼ねている場合
も同じである。また、コントロールする圧力、ガスの種
類およびガス流量などは、任意である。
ンローダ３とが別室になっている場合を示したが、ロー
ダ・アンローダ３がロードロック室１を兼ねている場合
も同じである。また、コントロールする圧力、ガスの種
類およびガス流量などは、任意である。
【００２２】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２３】ロードロック室および反応室に室内の内圧
を自由にコントロールすることができる圧力コントロー
ラがそれぞれ設けられているため、真空引き用ポンプの
能力差やロードロック室と反応室との室内容積の違いに
よるロードロック室と反応室との内圧の差を簡単に解消
することができる。したがって、両室間を仕切るバルブ
を開けた際の両室の内圧の差による気流の乱れ、これに
伴う粉塵の巻き上がりおよび粉塵のウエハへの付着を防
止することができ、粉塵付着によるウエハの品質低下を
防止することができる。
を自由にコントロールすることができる圧力コントロー
ラがそれぞれ設けられているため、真空引き用ポンプの
能力差やロードロック室と反応室との室内容積の違いに
よるロードロック室と反応室との内圧の差を簡単に解消
することができる。したがって、両室間を仕切るバルブ
を開けた際の両室の内圧の差による気流の乱れ、これに
伴う粉塵の巻き上がりおよび粉塵のウエハへの付着を防
止することができ、粉塵付着によるウエハの品質低下を
防止することができる。
【図１】この発明の半導体製造装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図２】従来の半導体製造装置の一例を示す構成図であ
る。
る。
１ ロードロック室 ４ 反応室 ６ スリットバルブ １１ 圧力コントローラ １９ 圧力コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｚ 7738−4Ｍ 21/31 Ａ 8518−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 バルブによって仕切られた減圧可能なロ
−ドロック室と減圧可能な反応室とを備えた半導体製造
装置において、前記ロードロック室および反応室に室内
の内圧をコントロール可能な圧力コントローラをそれぞ
れ設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17817291A JPH0529263A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17817291A JPH0529263A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529263A true JPH0529263A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16043871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17817291A Pending JPH0529263A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529263A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427816B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2004-04-30 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
| US7658200B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and control method thereof |
| JP2011009762A (ja) * | 2000-03-29 | 2011-01-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法及び基板処理装置 |
| JP6485536B1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-03-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17817291A patent/JPH0529263A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427816B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2004-04-30 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
| JP2011009762A (ja) * | 2000-03-29 | 2011-01-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造方法及び基板処理装置 |
| US7658200B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and control method thereof |
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| WO2019130826A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| JP2019121642A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| KR20200066679A (ko) * | 2017-12-28 | 2020-06-10 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치 및 제조 방법 |
| US11414780B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-08-16 | Sumco Corporation | Apparatus and method for manufacturing epitaxial wafer |
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