JP3517076B2 - 半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法Info
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- JP3517076B2 JP3517076B2 JP10306097A JP10306097A JP3517076B2 JP 3517076 B2 JP3517076 B2 JP 3517076B2 JP 10306097 A JP10306097 A JP 10306097A JP 10306097 A JP10306097 A JP 10306097A JP 3517076 B2 JP3517076 B2 JP 3517076B2
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D16/00—Control of fluid pressure
- G05D16/20—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
- G05D16/2006—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
- G05D16/2013—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means
- G05D16/2026—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means with a plurality of throttling means
- G05D16/2046—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means with a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a single pressure from a plurality of converging pressures
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ装置、ス
パッタリング装置、ドライエッチング装置等の半導体製
造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造
方法に関する。
パッタリング装置、ドライエッチング装置等の半導体製
造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２２は従来の半導体製造装置の一部を
示す構成図である。この半導体製造装置の動作を図２３
を用いて説明する。半導体ウェハ等の処理対象物ＯＢＪ
が処理室の一部であるカセット室１内から大気中に搬送
されるとき、カセット室１内の内部圧は図２３に示す従
来の内部圧調節方法に基づいて調節される。
示す構成図である。この半導体製造装置の動作を図２３
を用いて説明する。半導体ウェハ等の処理対象物ＯＢＪ
が処理室の一部であるカセット室１内から大気中に搬送
されるとき、カセット室１内の内部圧は図２３に示す従
来の内部圧調節方法に基づいて調節される。
【０００３】まず、ステップＳ０１を参照して、初めに
（時刻がゼロのとき）、カセット室１内の内部圧は、バ
ルブＶ１１を開けて真空ポンプＰａによって排気される
ことで、真空になっている。バルブＶ１２及びゲートＧ
１は閉じられた状態である。
（時刻がゼロのとき）、カセット室１内の内部圧は、バ
ルブＶ１１を開けて真空ポンプＰａによって排気される
ことで、真空になっている。バルブＶ１２及びゲートＧ
１は閉じられた状態である。
【０００４】次に、ステップＳ０２を参照して、バルブ
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
【０００５】次に、ステップＳ０３を参照して、時刻が
ｔ1のとき、バルブＶ１２を開くことによって、カセッ
ト室１内にパージガスを導入する。
ｔ1のとき、バルブＶ１２を開くことによって、カセッ
ト室１内にパージガスを導入する。
【０００６】次に、ステップＳ０４を参照して、内部圧
が大気圧であるかどうかを内部圧を測定するための圧力
計ＰＧに基づいて判定する。
が大気圧であるかどうかを内部圧を測定するための圧力
計ＰＧに基づいて判定する。
【０００７】次に、ステップＳ０５を参照して、圧力計
ＰＧが大気圧を示したとする。このとき、バルブＶ１２
を閉じることにより、カセット室１内の内部圧は一定に
保たれる。
ＰＧが大気圧を示したとする。このとき、バルブＶ１２
を閉じることにより、カセット室１内の内部圧は一定に
保たれる。
【０００８】次に、ステップＳ０６を参照して、ゲート
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。ここでは、この時刻をｔ3とす
る。
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。ここでは、この時刻をｔ3とす
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は次のような問題点がある。圧力計ＰＧは、一般に、使
用する時間とともに、実際の圧力と異なる不正確な圧力
を示す。図２４は圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力
を示す場合の内部圧の変動を示す。この場合、圧力計Ｐ
Ｇは実際の圧力より低い圧力を示すため、圧力計ＰＧが
示す圧力Ｐ＋は実際の大気圧Ｐｔよりも高い。一方、図
２５は圧力計ＰＧが実際の圧力より高い圧力を示す場合
の内部圧の変動を示す。この場合、圧力計ＰＧは実際の
圧力より高い圧力を示すため、圧力計ＰＧが示す圧力Ｐ
−は実際の大気圧Ｐｔよりも低い。これらの図に示すよ
うに、時刻ｔ3において、ゲートＧ１を開けたとき、内
部圧と大気圧との間に大きな差があるため、カセット室
１と大気との間に急激なガスの流れが生じる。このガス
の流れによって、大気中の塵埃（パーティクル）がカセ
ット室１内に流れ込んだり、カセット室１内の塵埃が舞
い上がったりして、処理対象物ＯＢＪ表面上に塵埃が付
着するという問題点が生じる。処理対象物ＯＢＪ表面上
に多数の塵埃が付着していると、後の工程や歩留り等に
悪影響を及ぼす。
は次のような問題点がある。圧力計ＰＧは、一般に、使
用する時間とともに、実際の圧力と異なる不正確な圧力
を示す。図２４は圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力
を示す場合の内部圧の変動を示す。この場合、圧力計Ｐ
Ｇは実際の圧力より低い圧力を示すため、圧力計ＰＧが
示す圧力Ｐ＋は実際の大気圧Ｐｔよりも高い。一方、図
２５は圧力計ＰＧが実際の圧力より高い圧力を示す場合
の内部圧の変動を示す。この場合、圧力計ＰＧは実際の
圧力より高い圧力を示すため、圧力計ＰＧが示す圧力Ｐ
−は実際の大気圧Ｐｔよりも低い。これらの図に示すよ
うに、時刻ｔ3において、ゲートＧ１を開けたとき、内
部圧と大気圧との間に大きな差があるため、カセット室
１と大気との間に急激なガスの流れが生じる。このガス
の流れによって、大気中の塵埃（パーティクル）がカセ
ット室１内に流れ込んだり、カセット室１内の塵埃が舞
い上がったりして、処理対象物ＯＢＪ表面上に塵埃が付
着するという問題点が生じる。処理対象物ＯＢＪ表面上
に多数の塵埃が付着していると、後の工程や歩留り等に
悪影響を及ぼす。
【００１０】本発明は、この問題点を解決するためにな
されたものであり、処理室と大気との間に生じるガスの
流れを防止することで、処理対象物に塵埃が付着するこ
と防止できる半導体製造装置及びその内部圧調節方法並
びに半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
されたものであり、処理室と大気との間に生じるガスの
流れを防止することで、処理対象物に塵埃が付着するこ
と防止できる半導体製造装置及びその内部圧調節方法並
びに半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、処理対象物が搬出入するゲートを有す
る処理室と、前記処理室の内部圧を測定する圧力計と、
前記処理室を真空に排気する排気手段と、前記処理室に
パージガスを導入するパージガス導入手段と、バルブ
と、前記バルブを介して前記処理室に接続された一端、
大気圧に保たれた他端とを有し、前記一端と前記他端と
の間で一方向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備え
る。前記バルブは、前記パージガス導入手段から分岐し
て設けられる。
課題解決手段は、処理対象物が搬出入するゲートを有す
る処理室と、前記処理室の内部圧を測定する圧力計と、
前記処理室を真空に排気する排気手段と、前記処理室に
パージガスを導入するパージガス導入手段と、バルブ
と、前記バルブを介して前記処理室に接続された一端、
大気圧に保たれた他端とを有し、前記一端と前記他端と
の間で一方向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備え
る。前記バルブは、前記パージガス導入手段から分岐し
て設けられる。
【００１２】
【００１３】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
前記逆止弁を流れる気体の流速を測定する流速測定手段
を更に備える。
前記逆止弁を流れる気体の流速を測定する流速測定手段
を更に備える。
【００１４】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
処理対象物が搬出入するゲートを有する処理室と、前記
処理室の内部圧を測定する圧力計と、前記処理室を真空
に排気する排気手段と、前記処理室にパージガスを導入
するパージガス導入手段と、バルブと、前記バルブを介
して前記処理室に接続された一端、大気圧に保たれた他
端とを有し、前記一端と前記他端との間で一方向にのみ
気体の移動を許す逆止弁とを備える。前記逆止弁は前記
他端から前記一端へと向かう方向にのみ気体の移動を許
し、前記他端に接続され、所定のガスを内包して大気中
に設置され、前記所定のガスと大気圧との圧力が等しく
なるように変形可能な袋を更に備える。
処理対象物が搬出入するゲートを有する処理室と、前記
処理室の内部圧を測定する圧力計と、前記処理室を真空
に排気する排気手段と、前記処理室にパージガスを導入
するパージガス導入手段と、バルブと、前記バルブを介
して前記処理室に接続された一端、大気圧に保たれた他
端とを有し、前記一端と前記他端との間で一方向にのみ
気体の移動を許す逆止弁とを備える。前記逆止弁は前記
他端から前記一端へと向かう方向にのみ気体の移動を許
し、前記他端に接続され、所定のガスを内包して大気中
に設置され、前記所定のガスと大気圧との圧力が等しく
なるように変形可能な袋を更に備える。
【００１５】本発明の請求項４に係る課題解決手段は、
処理対象物が搬出入するゲートを有する処理室と、前記
処理室の内部圧を測定する圧力計と、前記処理室を真空
に排気する排気手段と、前記処理室にパージガスを導入
するパージガス導入手段と、バルブと、前記バルブを介
して前記処理室に接続された一端、大気圧に保たれた他
端とを有する配管とを備え、前記バルブは、前記パージ
ガス導入手段から分岐して設けられる。
処理対象物が搬出入するゲートを有する処理室と、前記
処理室の内部圧を測定する圧力計と、前記処理室を真空
に排気する排気手段と、前記処理室にパージガスを導入
するパージガス導入手段と、バルブと、前記バルブを介
して前記処理室に接続された一端、大気圧に保たれた他
端とを有する配管とを備え、前記バルブは、前記パージ
ガス導入手段から分岐して設けられる。
【００１６】
【００１７】本発明の請求項５に係る課題解決手段は、
処理対象物が搬出入する処理室と、パージガスを供給す
るパージガス供給手段と、前記処理室に接続された一端
と、前記パージガス供給手段に接続された他端とを有す
る第１のバルブと、前記第１のバルブの前記他端に接続
された一端と、他端とを有する第２のバルブと、前記第
２のバルブの前記他端に接続された一端と、大気圧に保
たれた他端とを有し、前記一端と前記他端との間で一方
向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備えた半導体製造
装置において、前記第１のバルブが閉じられた状態で真
空に排気された前記処理室に対し、前記第１のバルブを
開いて前記パージガスを導入する第１のステップと、前
記第２のバルブを開く第２のステップと、前記処理室の
内部圧の安定を待って、前記処理対象物の搬出入を行う
第３のステップとを備える。
処理対象物が搬出入する処理室と、パージガスを供給す
るパージガス供給手段と、前記処理室に接続された一端
と、前記パージガス供給手段に接続された他端とを有す
る第１のバルブと、前記第１のバルブの前記他端に接続
された一端と、他端とを有する第２のバルブと、前記第
２のバルブの前記他端に接続された一端と、大気圧に保
たれた他端とを有し、前記一端と前記他端との間で一方
向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備えた半導体製造
装置において、前記第１のバルブが閉じられた状態で真
空に排気された前記処理室に対し、前記第１のバルブを
開いて前記パージガスを導入する第１のステップと、前
記第２のバルブを開く第２のステップと、前記処理室の
内部圧の安定を待って、前記処理対象物の搬出入を行う
第３のステップとを備える。
【００１８】本発明の請求項６に係る課題解決手段にお
いて、前記半導体製造装置は、前記逆止弁を流れる気体
の流速を測定する流速測定手段を更に備え、前記第３の
ステップでは前記流速測定手段が前記逆止弁に気体が流
れていないことを検出したことを以て、前記内部圧の安
定を検出する。
いて、前記半導体製造装置は、前記逆止弁を流れる気体
の流速を測定する流速測定手段を更に備え、前記第３の
ステップでは前記流速測定手段が前記逆止弁に気体が流
れていないことを検出したことを以て、前記内部圧の安
定を検出する。
【００１９】本発明の請求項７に係る課題解決手段にお
いて、半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造工程
において請求項５及び請求項６のいずれかに記載の半導
体製造装置の内部圧調節方法を用いる。
いて、半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造工程
において請求項５及び請求項６のいずれかに記載の半導
体製造装置の内部圧調節方法を用いる。
【００２０】
実施の形態１．図１は本発明の半導体製造装置の例を示
す概略構成図である。この半導体製造装置は、ＣＶＤ装
置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置等であ
る。この半導体製造装置は、半導体ウェハ等の処理対象
物ＯＢＪが搬出入するゲートＧ１〜Ｇ３を有する処理室
１００と、処理室１００の気体を導入又は排出するため
の気体導入排出装置２００とを備えている。本発明の実
施の形態の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造
工程において本発明の半導体製造装置を用い、処理対象
物ＯＢＪに処理を施してこの処理対象物ＯＢＪ上に半導
体集積回路等の半導体装置を製造する。
す概略構成図である。この半導体製造装置は、ＣＶＤ装
置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置等であ
る。この半導体製造装置は、半導体ウェハ等の処理対象
物ＯＢＪが搬出入するゲートＧ１〜Ｇ３を有する処理室
１００と、処理室１００の気体を導入又は排出するため
の気体導入排出装置２００とを備えている。本発明の実
施の形態の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造
工程において本発明の半導体製造装置を用い、処理対象
物ＯＢＪに処理を施してこの処理対象物ＯＢＪ上に半導
体集積回路等の半導体装置を製造する。
【００２１】処理室１００は、処理対象物を一時的に格
納しておくためのカセット室１と、半導体ウェハ等の処
理対象物ＯＢＪに対してスパッタリング、エッチング等
の処理を施すための処理室本体３と、カセット室１と処
理室本体３との間に介在し、これらの間において処理対
象物ＯＢＪを搬送するためのロボットＲＢＴを含むロボ
ット室２と、大気とカセット室１との間に介在し、開閉
するゲートＧ１と、カセット室１とロボット室２との間
に介在し、開閉するゲートＧ２と、ロボット室２と処理
室本体３との間に介在し、開閉するゲートＧ３とを備え
ている。
納しておくためのカセット室１と、半導体ウェハ等の処
理対象物ＯＢＪに対してスパッタリング、エッチング等
の処理を施すための処理室本体３と、カセット室１と処
理室本体３との間に介在し、これらの間において処理対
象物ＯＢＪを搬送するためのロボットＲＢＴを含むロボ
ット室２と、大気とカセット室１との間に介在し、開閉
するゲートＧ１と、カセット室１とロボット室２との間
に介在し、開閉するゲートＧ２と、ロボット室２と処理
室本体３との間に介在し、開閉するゲートＧ３とを備え
ている。
【００２２】気体導入排出装置２００は、Ｎ2からなる
パージガスの源であるパージガス源Ｐｄと、上記室１、
２及び３内のそれぞれにパージガスを導入するために開
閉するバルブＶ１２、Ｖ２２及びＶ３２と、プロセスガ
スの源であるプロセスガス源Ｐｃと、上記室３内にプロ
セスガスを導入するために開閉するバルブＶ３３と、プ
ロセスガスの量を制御するための制御装置ＭＦＣと、上
記室３内のガスを排出するための真空ポンプＰｂと、上
記室３内のガスの排出を止めるために開閉するバルブＶ
３１と、上記室１及び２内のガスを排出するための真空
ポンプＰａと、上記室１内のガスの排出を止めるために
開閉するバルブＶ１１と、上記室２内のガスの排出を止
めるために開閉するバルブＶ２１と、上記室１内の内部
圧を測定するための圧力計ＰＧとを備えている。パージ
ガス源ＰｄとバルブＶ１２、Ｖ２２及びＶ３２は処理室
１００内にパージガスを導入するパージガス導入手段を
構成する。真空ポンプＰａ、Ｐｂ、バルブＶ１１、Ｖ２
１及びＶ３３は処理室１００内を真空に排気する排気手
段を構成する。
パージガスの源であるパージガス源Ｐｄと、上記室１、
２及び３内のそれぞれにパージガスを導入するために開
閉するバルブＶ１２、Ｖ２２及びＶ３２と、プロセスガ
スの源であるプロセスガス源Ｐｃと、上記室３内にプロ
セスガスを導入するために開閉するバルブＶ３３と、プ
ロセスガスの量を制御するための制御装置ＭＦＣと、上
記室３内のガスを排出するための真空ポンプＰｂと、上
記室３内のガスの排出を止めるために開閉するバルブＶ
３１と、上記室１及び２内のガスを排出するための真空
ポンプＰａと、上記室１内のガスの排出を止めるために
開閉するバルブＶ１１と、上記室２内のガスの排出を止
めるために開閉するバルブＶ２１と、上記室１内の内部
圧を測定するための圧力計ＰＧとを備えている。パージ
ガス源ＰｄとバルブＶ１２、Ｖ２２及びＶ３２は処理室
１００内にパージガスを導入するパージガス導入手段を
構成する。真空ポンプＰａ、Ｐｂ、バルブＶ１１、Ｖ２
１及びＶ３３は処理室１００内を真空に排気する排気手
段を構成する。
【００２３】次に、図１の半導体製造装置の動作につい
て説明する。大気中に存在する処理対象物ＯＢＪは、ゲ
ートＧ１、カセット室１、ゲートＧ２、ロボット室２、
ゲートＧ３を介して処理室本体３内に搬送されて、処理
室本体３内で所定の処理が施される。そして処理対象物
ＯＢＪは、処理室本体３内で所定の処理が施されると、
逆の順で、処理室本体３内から大気中に搬送される。
て説明する。大気中に存在する処理対象物ＯＢＪは、ゲ
ートＧ１、カセット室１、ゲートＧ２、ロボット室２、
ゲートＧ３を介して処理室本体３内に搬送されて、処理
室本体３内で所定の処理が施される。そして処理対象物
ＯＢＪは、処理室本体３内で所定の処理が施されると、
逆の順で、処理室本体３内から大気中に搬送される。
【００２４】図２は本発明の実施の形態１におけるカセ
ット室１に関わる部分の構成図である。カセット室１
は、配管Ｔｄ、バルブＶ１２及び配管Ｔｅを介してパー
ジガス供給源Ｐｄに接続されている。また、本発明の半
導体製造装置は、図１の説明に加え、開閉するバルブＶ
１３と、バルブＶ１３を介してカセット室１側に接続さ
れた一端と大気圧に保たれた他端とを有しこの一端と他
端との間で、カセット室１内の内部圧と大気圧との圧力
差に基づいて、前記一端から前記他端へと向かう一方向
にのみ気体の移動を許す逆止弁Ｃａとをさらに備えてい
る。
ット室１に関わる部分の構成図である。カセット室１
は、配管Ｔｄ、バルブＶ１２及び配管Ｔｅを介してパー
ジガス供給源Ｐｄに接続されている。また、本発明の半
導体製造装置は、図１の説明に加え、開閉するバルブＶ
１３と、バルブＶ１３を介してカセット室１側に接続さ
れた一端と大気圧に保たれた他端とを有しこの一端と他
端との間で、カセット室１内の内部圧と大気圧との圧力
差に基づいて、前記一端から前記他端へと向かう一方向
にのみ気体の移動を許す逆止弁Ｃａとをさらに備えてい
る。
【００２５】カセット室１から大気へと向かう順に、直
列に接続された配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ、逆
止弁Ｃａ及び配管Ｔｃは第１の気体流出手段を構成す
る。配管Ｔｃは大気へと開放されている。また、配管Ｔ
ａ、Ｔｂ及びＴｃの配管径は、ゲートＧ１の径よりも十
分に細く、例えば１／４インチ以下に設定される。図２
内のその他の符号は、図１内の符号に対応している。
列に接続された配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ、逆
止弁Ｃａ及び配管Ｔｃは第１の気体流出手段を構成す
る。配管Ｔｃは大気へと開放されている。また、配管Ｔ
ａ、Ｔｂ及びＴｃの配管径は、ゲートＧ１の径よりも十
分に細く、例えば１／４インチ以下に設定される。図２
内のその他の符号は、図１内の符号に対応している。
【００２６】次に、本実施の形態におけるカセット室１
に関わる部分の動作について図２〜図４を用いて詳細に
説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内から大気
中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧は図３に
示す内部圧調節方法に基づいて調節される。ここでは、
圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力を示す場合を考え
る。
に関わる部分の動作について図２〜図４を用いて詳細に
説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内から大気
中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧は図３に
示す内部圧調節方法に基づいて調節される。ここでは、
圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力を示す場合を考え
る。
【００２７】処理対象物ＯＢＪがロボット室２内からカ
セット室１内に搬送された後に、バルブＶ１１を開くこ
とにより、カセット室１内の内部圧は真空になっている
（ステップＳ１１、図４の時刻ゼロ）。バルブＶ１２、
Ｖ１３及びゲートＧ１は閉じられ、カセット室１内を大
気から遮断した状態である。
セット室１内に搬送された後に、バルブＶ１１を開くこ
とにより、カセット室１内の内部圧は真空になっている
（ステップＳ１１、図４の時刻ゼロ）。バルブＶ１２、
Ｖ１３及びゲートＧ１は閉じられ、カセット室１内を大
気から遮断した状態である。
【００２８】次に、ステップＳ１２を参照して、バルブ
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
【００２９】次に、ステップＳ１３を参照して、時刻が
ｔ1のとき、バルブＶ１２を開くことによって、カセッ
ト室１内にパージガスを導入する。
ｔ1のとき、バルブＶ１２を開くことによって、カセッ
ト室１内にパージガスを導入する。
【００３０】次に、ステップＳ１４を参照して、内部圧
が大気圧であるかどうかを圧力計ＰＧに基づいて判定す
る。このように、ステップＳ１２〜Ｓ１４によって、バ
ルブＶ１３が閉じられた状態で真空に排気されたカセッ
ト室１に対し、圧力計ＰＧによってカセット室１内の内
部圧が大気圧であると検出されるまで、パージガスをカ
セット室１内に導入する。
が大気圧であるかどうかを圧力計ＰＧに基づいて判定す
る。このように、ステップＳ１２〜Ｓ１４によって、バ
ルブＶ１３が閉じられた状態で真空に排気されたカセッ
ト室１に対し、圧力計ＰＧによってカセット室１内の内
部圧が大気圧であると検出されるまで、パージガスをカ
セット室１内に導入する。
【００３１】次に、ステップＳ１５を参照して、ここで
は、圧力計ＰＧが大気圧を示す時刻をｔ2とする。圧力
計ＰＧは実際の圧力より低い圧力を示すため、この時刻
ｔ2で圧力計ＰＧが大気圧を示していても、カセット室
１内の内部圧Ｐ＋は大気圧Ｐｔよりも高い。時刻ｔ2に
おいて、バルブＶ１３を開く。カセット室１内の内部圧
が大気圧Ｐｔよりも高いため、第１の気体流出手段は、
逆止弁Ｃａの両端の圧力差に基づいて、カセット室１内
から大気中にパージガスを流す。
は、圧力計ＰＧが大気圧を示す時刻をｔ2とする。圧力
計ＰＧは実際の圧力より低い圧力を示すため、この時刻
ｔ2で圧力計ＰＧが大気圧を示していても、カセット室
１内の内部圧Ｐ＋は大気圧Ｐｔよりも高い。時刻ｔ2に
おいて、バルブＶ１３を開く。カセット室１内の内部圧
が大気圧Ｐｔよりも高いため、第１の気体流出手段は、
逆止弁Ｃａの両端の圧力差に基づいて、カセット室１内
から大気中にパージガスを流す。
【００３２】次に、ステップＳ１６を参照して、バルブ
Ｖ１２を閉じることによって、パージガスの導入を止め
る。内部圧は、カセット室１内から大気中に第１の気体
流出手段を介してパージガスが流れているため、徐々に
下がり、圧力計ＰＧが示す圧力も変動する。このよう
に、ステップＳ１５及びＳ１６によって、カセット室１
内の内部圧は大気圧へと移行する。第１の気体流出手段
に含まれる配管は細いため、徐々にカセット室１内から
大気中にパージガスが流れ、カセット室１内において発
塵することが抑制される。
Ｖ１２を閉じることによって、パージガスの導入を止め
る。内部圧は、カセット室１内から大気中に第１の気体
流出手段を介してパージガスが流れているため、徐々に
下がり、圧力計ＰＧが示す圧力も変動する。このよう
に、ステップＳ１５及びＳ１６によって、カセット室１
内の内部圧は大気圧へと移行する。第１の気体流出手段
に含まれる配管は細いため、徐々にカセット室１内から
大気中にパージガスが流れ、カセット室１内において発
塵することが抑制される。
【００３３】次に、ステップＳ１７を参照して、圧力計
ＰＧが示す圧力が安定することを検出するまでの所定時
間、ステップＳ１６後の状態を継続する。ここでは、圧
力計ＰＧが示す圧力が安定した時刻をｔ3とする。この
時刻では、大気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。
ＰＧが示す圧力が安定することを検出するまでの所定時
間、ステップＳ１６後の状態を継続する。ここでは、圧
力計ＰＧが示す圧力が安定した時刻をｔ3とする。この
時刻では、大気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。
【００３４】次に、ステップＳ１８を参照して、ゲート
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。ゲートＧ１を開けたとき、内部
圧と大気圧Ｐｔは同じであるため、発塵することはな
い。次に、ステップＳ１９を参照して、バルブＶ１３を
閉じる。
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。ゲートＧ１を開けたとき、内部
圧と大気圧Ｐｔは同じであるため、発塵することはな
い。次に、ステップＳ１９を参照して、バルブＶ１３を
閉じる。
【００３５】また、大気中からカセット室１内への処理
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ１２〜Ｓ
１９の処理を行う。
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ１２〜Ｓ
１９の処理を行う。
【００３６】図５は日時に対する発塵数を示すグラフで
ある。処理対象物ＯＢＪは８インチの半導体ウェハであ
る。図５において、縦軸は、処理対象物ＯＢＪ表面上に
付着した０．２μｍ以上の塵埃の数（発塵数）を示し、
横軸は、ｄ１より前は従来の内部圧調節方法を適用した
とき、ｄ１以後は本発明の内部圧調節方法を適用したと
きを示している。図５に示すように、ｄ１以後では、ｄ
１前に比べて、処理対象物ＯＢＪ表面上に付着した発塵
数は少ない。
ある。処理対象物ＯＢＪは８インチの半導体ウェハであ
る。図５において、縦軸は、処理対象物ＯＢＪ表面上に
付着した０．２μｍ以上の塵埃の数（発塵数）を示し、
横軸は、ｄ１より前は従来の内部圧調節方法を適用した
とき、ｄ１以後は本発明の内部圧調節方法を適用したと
きを示している。図５に示すように、ｄ１以後では、ｄ
１前に比べて、処理対象物ＯＢＪ表面上に付着した発塵
数は少ない。
【００３７】本実施の形態による効果は次の通りであ
る。すなわち、第１の気体流出手段を設けたことによ
り、圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力を示しても、
ゲートＧ１を開けたとき、処理対象物ＯＢＪに塵埃が付
着すること防止できる。
る。すなわち、第１の気体流出手段を設けたことによ
り、圧力計ＰＧが実際の圧力より低い圧力を示しても、
ゲートＧ１を開けたとき、処理対象物ＯＢＪに塵埃が付
着すること防止できる。
【００３８】実施の形態２．図６は本発明の実施の形態
２におけるカセット室１に関わる部分の構成図である。
本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１の半導
体製造装置に加え、配管Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔ
ｃ’をさらに備えている。逆止弁ＣｂはバルブＶ１３を
介してカセット室１側に接続された一端と大気圧に保た
れた他端とを有しこの一端と他端との間で、カセット室
１内の内部圧と大気圧との圧力差に基づいて、前記他端
から前記一端へと向かう一方向にのみ気体の移動を許
す。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配管Ｔｂ’、逆止
弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’の直列接続を介して大気中と接続
されている。図６内のその他の符号は、図２内の符号に
対応している。配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ及び
Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’は第２の気体流出手
段を構成する。また配管Ｔｂ’、Ｔｃ’の径も１／４イ
ンチと細いものが採用される。
２におけるカセット室１に関わる部分の構成図である。
本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１の半導
体製造装置に加え、配管Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔ
ｃ’をさらに備えている。逆止弁ＣｂはバルブＶ１３を
介してカセット室１側に接続された一端と大気圧に保た
れた他端とを有しこの一端と他端との間で、カセット室
１内の内部圧と大気圧との圧力差に基づいて、前記他端
から前記一端へと向かう一方向にのみ気体の移動を許
す。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配管Ｔｂ’、逆止
弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’の直列接続を介して大気中と接続
されている。図６内のその他の符号は、図２内の符号に
対応している。配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ及び
Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’は第２の気体流出手
段を構成する。また配管Ｔｂ’、Ｔｃ’の径も１／４イ
ンチと細いものが採用される。
【００３９】本実施の形態におけるカセット室１に関わ
る部分の動作は、実施の形態１における動作に加えて、
次の通りである。ここで、圧力計ＰＧは、実際の圧力よ
り高い圧力を示すとする。まず、図３に示すステップＳ
１１〜Ｓ１４の処理を行う。ステップＳ１１〜Ｓ１４は
実施の形態１における説明と同様である。また、図７は
本発明における内部圧の変動例を示すグラフであり、図
７内の符号は、図４内の符号に対応している。
る部分の動作は、実施の形態１における動作に加えて、
次の通りである。ここで、圧力計ＰＧは、実際の圧力よ
り高い圧力を示すとする。まず、図３に示すステップＳ
１１〜Ｓ１４の処理を行う。ステップＳ１１〜Ｓ１４は
実施の形態１における説明と同様である。また、図７は
本発明における内部圧の変動例を示すグラフであり、図
７内の符号は、図４内の符号に対応している。
【００４０】次に、ステップＳ１５を参照して、ここで
は、圧力計ＰＧは実際の圧力より高い圧力を示すため、
図７に示す時刻ｔ2で圧力計ＰＧが大気圧を示していて
も、カセット室１内の内部圧Ｐ−は大気圧Ｐｔよりも低
い。時刻ｔ2において、バルブＶ１３を開く。カセット
室１内の内部圧が大気圧Ｐｔよりも低いため、第２の気
体流出手段は、逆止弁Ｃｂの両端の圧力差に基づいて、
大気中からカセット室１内に空気を流す。
は、圧力計ＰＧは実際の圧力より高い圧力を示すため、
図７に示す時刻ｔ2で圧力計ＰＧが大気圧を示していて
も、カセット室１内の内部圧Ｐ−は大気圧Ｐｔよりも低
い。時刻ｔ2において、バルブＶ１３を開く。カセット
室１内の内部圧が大気圧Ｐｔよりも低いため、第２の気
体流出手段は、逆止弁Ｃｂの両端の圧力差に基づいて、
大気中からカセット室１内に空気を流す。
【００４１】次に、ステップＳ１６を参照して、バルブ
Ｖ１２を閉じることによって、パージガスの導入を止め
る。内部圧は、大気中からカセット室１内に第２の気体
流出手段を介して空気が流れているため、徐々に上が
り、圧力計ＰＧが示す圧力も変動する。このように、ス
テップＳ１５及びＳ１６によって、カセット室１内の内
部圧は大気圧へと移行する。第２の気体流出手段に含ま
れる配管は細いため、徐々に大気中からカセット室１内
に空気が流れ、カセット室１内において、発塵すること
が抑制される。
Ｖ１２を閉じることによって、パージガスの導入を止め
る。内部圧は、大気中からカセット室１内に第２の気体
流出手段を介して空気が流れているため、徐々に上が
り、圧力計ＰＧが示す圧力も変動する。このように、ス
テップＳ１５及びＳ１６によって、カセット室１内の内
部圧は大気圧へと移行する。第２の気体流出手段に含ま
れる配管は細いため、徐々に大気中からカセット室１内
に空気が流れ、カセット室１内において、発塵すること
が抑制される。
【００４２】次に、ステップＳ１７〜Ｓ１９の処理を行
う。ステップＳ１７〜Ｓ１９は実施の形態１における説
明と同様である。
う。ステップＳ１７〜Ｓ１９は実施の形態１における説
明と同様である。
【００４３】本実施の形態による効果は、実施の形態１
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、第２の気
体流出手段を設けたことにより、圧力計ＰＧが実際の圧
力より高い圧力を示しても、ゲートＧ１を開けたとき、
処理対象物ＯＢＪに塵埃が付着すること防止できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、第２の気
体流出手段を設けたことにより、圧力計ＰＧが実際の圧
力より高い圧力を示しても、ゲートＧ１を開けたとき、
処理対象物ＯＢＪに塵埃が付着すること防止できる。
【００４４】実施の形態３．図８は本発明の実施の形態
３におけるカセット室１に関わる部分の構成図である。
本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１の半導
体製造装置に加え、配管Ｔｃの一端に接続され、逆止弁
Ｃａを流れる気体の流速を測定するフローメータ（Ｆ
Ｍ）と呼ばれる流速測定器（流速測定手段）ＦＭａと、
これに接続される配管Ｔｆが設けられている。配管Ｔｆ
は大気へと開放されている。図８内のその他の符号は、
図２内の符号に対応している。配管Ｔａ、バルブＶ１
３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭ
ａ及び配管Ｔｆは第３の気体流出手段を構成する。
３におけるカセット室１に関わる部分の構成図である。
本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１の半導
体製造装置に加え、配管Ｔｃの一端に接続され、逆止弁
Ｃａを流れる気体の流速を測定するフローメータ（Ｆ
Ｍ）と呼ばれる流速測定器（流速測定手段）ＦＭａと、
これに接続される配管Ｔｆが設けられている。配管Ｔｆ
は大気へと開放されている。図８内のその他の符号は、
図２内の符号に対応している。配管Ｔａ、バルブＶ１
３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭ
ａ及び配管Ｔｆは第３の気体流出手段を構成する。
【００４５】本実施の形態におけるカセット室１に関わ
る部分の動作は、実施の形態１における動作に加えて、
次の通りである。図９は本発明の実施の形態３における
内部圧調節方法を示すフローチャートである。本実施の
形態のステップＳ１７’では、圧力計ＰＧが示す圧力が
安定することを検出し、かつ、流速測定器ＦＭａが逆止
弁Ｃａに気体が流れていないことを検出するまでの所定
時間、ステップＳ１６後の状態を継続する。圧力計ＰＧ
が示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａが逆止弁
Ｃａに気体が流れていないということはカセット室１内
の内部圧が大気圧Ｐｔに一致したことを意味し、図４の
時刻ｔ3に相当する。図９内のその他の符号は図３内の
符号に対応している。
る部分の動作は、実施の形態１における動作に加えて、
次の通りである。図９は本発明の実施の形態３における
内部圧調節方法を示すフローチャートである。本実施の
形態のステップＳ１７’では、圧力計ＰＧが示す圧力が
安定することを検出し、かつ、流速測定器ＦＭａが逆止
弁Ｃａに気体が流れていないことを検出するまでの所定
時間、ステップＳ１６後の状態を継続する。圧力計ＰＧ
が示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａが逆止弁
Ｃａに気体が流れていないということはカセット室１内
の内部圧が大気圧Ｐｔに一致したことを意味し、図４の
時刻ｔ3に相当する。図９内のその他の符号は図３内の
符号に対応している。
【００４６】本実施の形態による効果は、実施の形態１
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭａを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加えて、流速測定器ＦＭａによって大気圧と内
部圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭａを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加えて、流速測定器ＦＭａによって大気圧と内
部圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
【００４７】実施の形態４．図１０は本発明の実施の形
態４におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態２の
半導体製造装置に加え、流速測定器ＦＭａ、ＦＭｂ、配
管Ｔｆ及びＴｆ’をさらに備えている。配管Ｔｃの一端
は、流速測定器ＦＭａ及び配管Ｔｆを介して大気中と接
続されている。配管Ｔｃ’の一端は、流速測定器ＦＭｂ
及び配管Ｔｆ’を介して大気中と接続されている。図１
０内のその他の符号は、図６内の符号に対応している。
配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管
Ｔｃ、流速測定器ＦＭａ及び配管Ｔｆは実施の形態３で
示された第３の気体流出手段を構成する。配管Ｔａ、バ
ルブＶ１３、配管Ｔｂ、Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ、配管Ｔ
ｃ’、流速測定器ＦＭｂ及び配管Ｔｆ’は第４の気体流
出手段を構成する。
態４におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態２の
半導体製造装置に加え、流速測定器ＦＭａ、ＦＭｂ、配
管Ｔｆ及びＴｆ’をさらに備えている。配管Ｔｃの一端
は、流速測定器ＦＭａ及び配管Ｔｆを介して大気中と接
続されている。配管Ｔｃ’の一端は、流速測定器ＦＭｂ
及び配管Ｔｆ’を介して大気中と接続されている。図１
０内のその他の符号は、図６内の符号に対応している。
配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管
Ｔｃ、流速測定器ＦＭａ及び配管Ｔｆは実施の形態３で
示された第３の気体流出手段を構成する。配管Ｔａ、バ
ルブＶ１３、配管Ｔｂ、Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ、配管Ｔ
ｃ’、流速測定器ＦＭｂ及び配管Ｔｆ’は第４の気体流
出手段を構成する。
【００４８】本実施の形態におけるカセット室１に関わ
る部分の動作は、実施の形態２における動作に加えて、
次の通りである。この動作は、図９に示す内部圧調節方
法と同様である。本実施の形態のステップＳ１７’で
は、圧力計ＰＧが示す圧力が安定することを検出し、か
つ、流速測定器ＦＭａ及びＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ
及びＣｂに気体が流れていないことを検出するまでの所
定時間、ステップＳ１６後の状態を継続する。圧力計Ｐ
Ｇが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａ及びＦ
Ｍｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂに気体が流れていな
いということは、カセット室１内の内部圧が大気圧Ｐｔ
に一致したことを意味し、図４、図７の時刻ｔ3に相当
する。
る部分の動作は、実施の形態２における動作に加えて、
次の通りである。この動作は、図９に示す内部圧調節方
法と同様である。本実施の形態のステップＳ１７’で
は、圧力計ＰＧが示す圧力が安定することを検出し、か
つ、流速測定器ＦＭａ及びＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ
及びＣｂに気体が流れていないことを検出するまでの所
定時間、ステップＳ１６後の状態を継続する。圧力計Ｐ
Ｇが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａ及びＦ
Ｍｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂに気体が流れていな
いということは、カセット室１内の内部圧が大気圧Ｐｔ
に一致したことを意味し、図４、図７の時刻ｔ3に相当
する。
【００４９】本実施の形態による効果は、実施の形態３
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭｂを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加え、流速測定器ＦＭｂによって大気圧と内部
圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭｂを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加え、流速測定器ＦＭｂによって大気圧と内部
圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
【００５０】実施の形態５．図１１は本発明の実施の形
態５におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１に
おける第１の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ及び配管Ｔｃの直列接続を介して大気中
と接続されている。図１１内のその他の符号は、図２内
の符号に対応している。
態５におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態１に
おける第１の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ及び配管Ｔｃの直列接続を介して大気中
と接続されている。図１１内のその他の符号は、図２内
の符号に対応している。
【００５１】次に、本実施の形態におけるカセット室１
に関わる部分の動作について図１１及び図１２を用いて
詳細に説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内か
ら大気中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧
は、図１２に示す内部圧調節方法に基づいて調節され
る。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大
気圧Ｐｔより高い圧力で出力する場合を考え、このパー
ジガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ＋とする。
に関わる部分の動作について図１１及び図１２を用いて
詳細に説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内か
ら大気中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧
は、図１２に示す内部圧調節方法に基づいて調節され
る。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大
気圧Ｐｔより高い圧力で出力する場合を考え、このパー
ジガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ＋とする。
【００５２】まず、ステップＳ５１を参照して、カセッ
ト室１内の内部圧は、処理対象物ＯＢＪがロボット室２
内からカセット室１内に搬送された後に、バルブＶ１２
（第１のバルブ）、Ｖ１３（第２のバルブ）及びゲート
Ｇ１は閉じられ、カセット室１内を大気から遮断してい
る状態で、バルブＶ１１を開くことにより、真空になっ
ている。
ト室１内の内部圧は、処理対象物ＯＢＪがロボット室２
内からカセット室１内に搬送された後に、バルブＶ１２
（第１のバルブ）、Ｖ１３（第２のバルブ）及びゲート
Ｇ１は閉じられ、カセット室１内を大気から遮断してい
る状態で、バルブＶ１１を開くことにより、真空になっ
ている。
【００５３】次に、ステップＳ５２を参照して、バルブ
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。
【００５４】次に、ステップＳ５３を参照して、バルブ
Ｖ１２及びバルブＶ１３を開く。カセット室１内の内部
圧が大気圧よりも低いため、パージガスは、バルブＶ１
３よりもバルブＶ１２の方へ流れやすく、カセット室１
内に導入される。このように、パージガスの圧力がカセ
ット室１内に直接にかかるのではなく、逆止弁Ｃａの作
用によって、大気圧に近い圧力でカセット室１へとパー
ジガスが導入される。パージガス供給源Ｐｄはパージガ
スを大気圧Ｐｔより高い圧力で出力するが、カセット室
１内の内部圧は大気圧Ｐｔを超えない。内部圧が大気圧
以上に上昇しようとすると、パージガスは第１の気体流
出手段を介して、配管Ｔｃから大気中に流れるからであ
る。このように、ステップＳ５２及びＳ５３によって、
バルブＶ１２が閉じられた状態で真空に排気されたカセ
ット室１に対し、バルブＶ１２を開いてパージガスをカ
セット室１内に導入して、バルブＶ１３を開く。また、
徐々にカセット室１内にパージガスが流れ、カセット室
１内において、発塵することが抑制される。
Ｖ１２及びバルブＶ１３を開く。カセット室１内の内部
圧が大気圧よりも低いため、パージガスは、バルブＶ１
３よりもバルブＶ１２の方へ流れやすく、カセット室１
内に導入される。このように、パージガスの圧力がカセ
ット室１内に直接にかかるのではなく、逆止弁Ｃａの作
用によって、大気圧に近い圧力でカセット室１へとパー
ジガスが導入される。パージガス供給源Ｐｄはパージガ
スを大気圧Ｐｔより高い圧力で出力するが、カセット室
１内の内部圧は大気圧Ｐｔを超えない。内部圧が大気圧
以上に上昇しようとすると、パージガスは第１の気体流
出手段を介して、配管Ｔｃから大気中に流れるからであ
る。このように、ステップＳ５２及びＳ５３によって、
バルブＶ１２が閉じられた状態で真空に排気されたカセ
ット室１に対し、バルブＶ１２を開いてパージガスをカ
セット室１内に導入して、バルブＶ１３を開く。また、
徐々にカセット室１内にパージガスが流れ、カセット室
１内において、発塵することが抑制される。
【００５５】ステップＳ５４を参照して、圧力計ＰＧが
示す圧力が安定した時刻では、大気圧Ｐｔと内部圧とは
同じになっている。したがって、圧力計ＰＧが示す圧力
が安定していればよいため、圧力計ＰＧが実際の圧力を
示していなくてもよい。
示す圧力が安定した時刻では、大気圧Ｐｔと内部圧とは
同じになっている。したがって、圧力計ＰＧが示す圧力
が安定していればよいため、圧力計ＰＧが実際の圧力を
示していなくてもよい。
【００５６】次に、ステップＳ５５を参照して、バルブ
Ｖ１２を閉じる。次に、ステップＳ５６を参照して、バ
ルブＶ１３を閉じる。次に、ステップＳ５７を参照し
て、ゲートＧ１を開けて、カセット室１内から大気中へ
の処理対象物ＯＢＪの移動を行う。ゲートＧ１を開けた
とき、内部圧と大気圧Ｐｔは同じであるため、発塵する
ことが抑制される。
Ｖ１２を閉じる。次に、ステップＳ５６を参照して、バ
ルブＶ１３を閉じる。次に、ステップＳ５７を参照し
て、ゲートＧ１を開けて、カセット室１内から大気中へ
の処理対象物ＯＢＪの移動を行う。ゲートＧ１を開けた
とき、内部圧と大気圧Ｐｔは同じであるため、発塵する
ことが抑制される。
【００５７】また、大気中からカセット室１内への処理
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ５２〜Ｓ
５７の処理を行う。このように、ステップＳ５４〜ステ
ップＳ５７は、カセット室１内の内部圧の安定を待っ
て、処理対象物ＯＢＪの搬出入を行う。
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ５２〜Ｓ
５７の処理を行う。このように、ステップＳ５４〜ステ
ップＳ５７は、カセット室１内の内部圧の安定を待っ
て、処理対象物ＯＢＪの搬出入を行う。
【００５８】本実施の形態による効果は次の通りであ
る。すなわち、第１の気体流出手段を気体導入排出装置
２００に含ませたことにより、圧力計ＰＧが実際の圧力
を示していなくても、ゲートＧ１を開けたとき、処理対
象物ＯＢＪに塵埃が付着すること防止できる。
る。すなわち、第１の気体流出手段を気体導入排出装置
２００に含ませたことにより、圧力計ＰＧが実際の圧力
を示していなくても、ゲートＧ１を開けたとき、処理対
象物ＯＢＪに塵埃が付着すること防止できる。
【００５９】実施の形態６．図１３は本発明の実施の形
態６におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態２に
おける第２の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ及び配管Ｔｃの直列接続を介して大気中
と接続されている。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配
管Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’の直列接続を介し
て大気中と接続されている。図１３内のその他の符号
は、図６内の符号に対応している。
態６におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態２に
おける第２の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ及び配管Ｔｃの直列接続を介して大気中
と接続されている。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配
管Ｔｂ’、逆止弁Ｃｂ及び配管Ｔｃ’の直列接続を介し
て大気中と接続されている。図１３内のその他の符号
は、図６内の符号に対応している。
【００６０】次に、本実施の形態におけるカセット室１
に関わる部分の動作は、実施の形態５における動作に加
えて、次の通りである。ここでは、パージガス供給源Ｐ
ｄはパージガスを大気圧Ｐｔより低い圧力Ｐ−で出力す
る場合を考える。
に関わる部分の動作は、実施の形態５における動作に加
えて、次の通りである。ここでは、パージガス供給源Ｐ
ｄはパージガスを大気圧Ｐｔより低い圧力Ｐ−で出力す
る場合を考える。
【００６１】まず、図１２に示すステップＳ５１及びＳ
５２の処理を行う。これらのステップは実施の形態５に
おける説明と同様である。
５２の処理を行う。これらのステップは実施の形態５に
おける説明と同様である。
【００６２】次に、ステップＳ５３を参照して、バルブ
Ｖ１２及びバルブＶ１３を開く。パージガスがバルブ１
２を介してカセット室１内に導入され、一方、配管Ｔ
ａ、Ｔｂ、Ｔｂ’、Ｔｃ’及びバルブＶ１３を介して、
大気中のガスも導入される。このように、ステップＳ５
２及びＳ５３によって、バルブＶ１２が閉じられた状態
で真空に排気されたカセット室１に対し、バルブＶ１２
を開いてパージガスをカセット室１内に導入して、バル
ブＶ１３を開く。また、徐々にカセット室１内にパージ
ガスが流れ、カセット室１内において、発塵することが
抑制される。
Ｖ１２及びバルブＶ１３を開く。パージガスがバルブ１
２を介してカセット室１内に導入され、一方、配管Ｔ
ａ、Ｔｂ、Ｔｂ’、Ｔｃ’及びバルブＶ１３を介して、
大気中のガスも導入される。このように、ステップＳ５
２及びＳ５３によって、バルブＶ１２が閉じられた状態
で真空に排気されたカセット室１に対し、バルブＶ１２
を開いてパージガスをカセット室１内に導入して、バル
ブＶ１３を開く。また、徐々にカセット室１内にパージ
ガスが流れ、カセット室１内において、発塵することが
抑制される。
【００６３】次に、ステップＳ５４を参照して、圧力計
ＰＧが示す圧力が安定するまでの所定時間、この状態を
継続する。圧力計ＰＧが示す圧力が安定した時点では、
大気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。したがっ
て、圧力計ＰＧが示す圧力が安定していればよいため、
圧力計ＰＧが実際の圧力を示していなくてもよい。
ＰＧが示す圧力が安定するまでの所定時間、この状態を
継続する。圧力計ＰＧが示す圧力が安定した時点では、
大気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。したがっ
て、圧力計ＰＧが示す圧力が安定していればよいため、
圧力計ＰＧが実際の圧力を示していなくてもよい。
【００６４】次に、ステップＳ５５〜Ｓ５７の処理を行
う。これらのステップは実施の形態５における説明と同
様である。
う。これらのステップは実施の形態５における説明と同
様である。
【００６５】本実施の形態による効果は、実施の形態５
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、第２の気
体流出手段を気体導入排出装置２００に含ませたことに
より、パージガス供給源Ｐｄの圧力が大気圧より低くて
も、空気を導入することによって内部圧が大気圧にな
り、ゲートＧ１を開けたとき、処理対象物ＯＢＪに塵埃
が付着すること防止できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、第２の気
体流出手段を気体導入排出装置２００に含ませたことに
より、パージガス供給源Ｐｄの圧力が大気圧より低くて
も、空気を導入することによって内部圧が大気圧にな
り、ゲートＧ１を開けたとき、処理対象物ＯＢＪに塵埃
が付着すること防止できる。
【００６６】実施の形態７．図１４は本発明の実施の形
態７におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態３に
おける第３の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭａ及び配管
Ｔｆの直列接続を介して大気中と接続されている。図１
４内のその他の符号は、図８内の符号に対応している。
態７におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態３に
おける第３の気体流出手段を図１に示す気体導入排出装
置２００に含ませた構成である。すなわち、配管Ｔｅは
その途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１３、配管Ｔ
ｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭａ及び配管
Ｔｆの直列接続を介して大気中と接続されている。図１
４内のその他の符号は、図８内の符号に対応している。
【００６７】次に、本実施の形態におけるカセット室１
に関わる部分の動作について図１４及び図１５を用いて
詳細に説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内か
ら大気中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧
は、図１５に示す内部圧調節方法に基づいて調節され
る。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大
気圧Ｐｔより高い圧力で出力する場合を考え、このパー
ジガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ＋とする。
に関わる部分の動作について図１４及び図１５を用いて
詳細に説明する。処理対象物ＯＢＪがカセット室１内か
ら大気中に搬送されるとき、カセット室１内の内部圧
は、図１５に示す内部圧調節方法に基づいて調節され
る。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大
気圧Ｐｔより高い圧力で出力する場合を考え、このパー
ジガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ＋とする。
【００６８】まず、ステップＳ７１を参照して、カセッ
ト室１内の内部圧は、処理対象物ＯＢＪがロボット室２
内からカセット室１内に搬送された後に、バルブＶ１
２、Ｖ１３及びゲートＧ１は閉じられ、カセット室１内
を大気から遮断している状態で、バルブＶ１１を開くこ
とにより、真空になっている。
ト室１内の内部圧は、処理対象物ＯＢＪがロボット室２
内からカセット室１内に搬送された後に、バルブＶ１
２、Ｖ１３及びゲートＧ１は閉じられ、カセット室１内
を大気から遮断している状態で、バルブＶ１１を開くこ
とにより、真空になっている。
【００６９】次に、ステップＳ７２を参照して、バルブ
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。次に、ステップＳ７３を参照して、バル
ブＶ１２を開くことによって、パージガスをカセット室
１内に導入する。
Ｖ１１を閉じることによって、カセット室１内のガスの
排出を止める。次に、ステップＳ７３を参照して、バル
ブＶ１２を開くことによって、パージガスをカセット室
１内に導入する。
【００７０】次に、ステップＳ７４を参照して、圧力計
ＰＧが示す内部圧が安定していることを確認する。ここ
では、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大気圧Ｐｔ
より高い圧力Ｐ＋で出力するため、内部圧が安定した時
点での内部圧は大気圧Ｐｔよりも高い。この後バルブＶ
１３を開く（ステップＳ７５）。内部圧が大気圧Ｐｔよ
りも高いため、カセット室１内のパージガスは配管Ｔ
ｄ、バルブＶ１２、配管Ｔｅ及び第１の気体流出手段を
介して大気中に流れる。内部圧は、徐々に下がり、圧力
計ＰＧが示す圧力も変動する。また、徐々にカセット室
１内にパージガスが流れ、カセット室１内において、発
塵することが抑制される。
ＰＧが示す内部圧が安定していることを確認する。ここ
では、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大気圧Ｐｔ
より高い圧力Ｐ＋で出力するため、内部圧が安定した時
点での内部圧は大気圧Ｐｔよりも高い。この後バルブＶ
１３を開く（ステップＳ７５）。内部圧が大気圧Ｐｔよ
りも高いため、カセット室１内のパージガスは配管Ｔ
ｄ、バルブＶ１２、配管Ｔｅ及び第１の気体流出手段を
介して大気中に流れる。内部圧は、徐々に下がり、圧力
計ＰＧが示す圧力も変動する。また、徐々にカセット室
１内にパージガスが流れ、カセット室１内において、発
塵することが抑制される。
【００７１】次に、ステップＳ７６を参照して、圧力計
ＰＧが示す圧力が安定するまでの所定時間、この状態を
継続する。さらに、流速測定器ＦＭａが逆止弁Ｃａにお
いて気体が流れていないことを示していることを確認す
る。圧力計ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器
ＦＭａが逆止弁Ｃａにおいて気体が流れていないことを
示している時点では、大気圧Ｐｔと内部圧とは同じにな
っている。このように、ステップＳ７２〜Ｓ７６によっ
て、バルブＶ１２が閉じられた状態で真空に排気された
カセット室１に対し、バルブＶ１２を開いてパージガス
をカセット室１内に導入して、バルブＶ１３を開く。ま
た、ステップＳ７４では流速測定器ＦＭａが逆止弁Ｃａ
に気体が流れていないことを検出したことを以て、カセ
ット室１内の内部圧の安定を検出する。
ＰＧが示す圧力が安定するまでの所定時間、この状態を
継続する。さらに、流速測定器ＦＭａが逆止弁Ｃａにお
いて気体が流れていないことを示していることを確認す
る。圧力計ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器
ＦＭａが逆止弁Ｃａにおいて気体が流れていないことを
示している時点では、大気圧Ｐｔと内部圧とは同じにな
っている。このように、ステップＳ７２〜Ｓ７６によっ
て、バルブＶ１２が閉じられた状態で真空に排気された
カセット室１に対し、バルブＶ１２を開いてパージガス
をカセット室１内に導入して、バルブＶ１３を開く。ま
た、ステップＳ７４では流速測定器ＦＭａが逆止弁Ｃａ
に気体が流れていないことを検出したことを以て、カセ
ット室１内の内部圧の安定を検出する。
【００７２】次に、ステップＳ７７を参照して、ゲート
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。
Ｇ１を開けて、カセット室１内から大気中への処理対象
物ＯＢＪの移動を行う。
【００７３】また、大気中からカセット室１内への処理
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ７２〜Ｓ
７７の処理を行う。このように、ステップＳ７７は、カ
セット室１内の内部圧の安定を待って、処理対象物ＯＢ
Ｊの搬出入を行う。
対象物ＯＢＪの移動を行うときも、ステップＳ７２〜Ｓ
７７の処理を行う。このように、ステップＳ７７は、カ
セット室１内の内部圧の安定を待って、処理対象物ＯＢ
Ｊの搬出入を行う。
【００７４】本実施の形態による効果は、実施の形態５
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭａを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加えて、流速測定器ＦＭａによって大気圧と内
部圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭａを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加えて、流速測定器ＦＭａによって大気圧と内
部圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
【００７５】実施の形態８．図１６は本発明の実施の形
態６におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態４に
おける第３及び第４の気体流出手段を図１に示す気体導
入排出装置２００に含ませた構成である。すなわち、配
管Ｔｅはその途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１
３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭ
ａ及び配管Ｔｆの直列接続を介して大気中と接続されて
いる。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配管Ｔｂ’、逆
止弁Ｃｂ、配管Ｔｃ’、流速測定器ＦＭｂ及び配管Ｔ
ｆ’の直列接続を介して大気中と接続されている。図１
６内のその他の符号は、図１０内の符号に対応してい
る。
態６におけるカセット室１に関わる部分の構成図であ
る。本実施の形態の半導体製造装置は、実施の形態４に
おける第３及び第４の気体流出手段を図１に示す気体導
入排出装置２００に含ませた構成である。すなわち、配
管Ｔｅはその途中が分岐して、配管Ｔａ、バルブＶ１
３、配管Ｔｂ、逆止弁Ｃａ、配管Ｔｃ、流速測定器ＦＭ
ａ及び配管Ｔｆの直列接続を介して大気中と接続されて
いる。配管Ｔｂはその途中が分岐して、配管Ｔｂ’、逆
止弁Ｃｂ、配管Ｔｃ’、流速測定器ＦＭｂ及び配管Ｔ
ｆ’の直列接続を介して大気中と接続されている。図１
６内のその他の符号は、図１０内の符号に対応してい
る。
【００７６】本実施の形態におけるカセット室１に関わ
る部分の動作は、実施の形態７における動作に加えて、
次の通りである。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパ
ージガスを大気圧Ｐｔより低い圧力で出力する場合を考
え、このパージガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ−と
する。
る部分の動作は、実施の形態７における動作に加えて、
次の通りである。ここでは、パージガス供給源Ｐｄはパ
ージガスを大気圧Ｐｔより低い圧力で出力する場合を考
え、このパージガス供給源Ｐｄが出力する圧力をＰ−と
する。
【００７７】まず、ステップＳ７１〜Ｓ７３までは、動
作及び状態は実施の形態７と同様である。このように、
ステップＳ７２〜Ｓ７３によって、カセット室１内のガ
スの量を調節することにより、カセット室１内の内部圧
をパージガスの圧力Ｐ−へ近づける。
作及び状態は実施の形態７と同様である。このように、
ステップＳ７２〜Ｓ７３によって、カセット室１内のガ
スの量を調節することにより、カセット室１内の内部圧
をパージガスの圧力Ｐ−へ近づける。
【００７８】次に、ステップＳ７４を参照して、圧力計
ＰＧが示す内部圧が安定していることを確認する。ここ
では、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大気圧Ｐｔ
より低い圧力Ｐ−で出力するため、内部圧が安定した時
点の内部圧は大気圧Ｐｔよりも低い。このころ、バルブ
Ｖ１３を開く（ステップＳ７５）。内部圧が大気圧Ｐｔ
よりも低いため、大気中のガスは第４の気体流出手段、
配管Ｔｅ、バルブＶ１２及び配管Ｔｄを介してカセット
室１内に流れる。内部圧は、徐々に上がり、圧力計ＰＧ
が示す圧力も変動する。
ＰＧが示す内部圧が安定していることを確認する。ここ
では、パージガス供給源Ｐｄはパージガスを大気圧Ｐｔ
より低い圧力Ｐ−で出力するため、内部圧が安定した時
点の内部圧は大気圧Ｐｔよりも低い。このころ、バルブ
Ｖ１３を開く（ステップＳ７５）。内部圧が大気圧Ｐｔ
よりも低いため、大気中のガスは第４の気体流出手段、
配管Ｔｅ、バルブＶ１２及び配管Ｔｄを介してカセット
室１内に流れる。内部圧は、徐々に上がり、圧力計ＰＧ
が示す圧力も変動する。
【００７９】次に、ステップＳ７６を参照して、圧力計
ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａ及び
ＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂにおいて気体が流
れていないことを示すまでの所定時間、この状態を継続
する。圧力計ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定
器ＦＭａ及びＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂにお
いて気体が流れていないことを示している時点では、大
気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。このように、
ステップＳ７２〜Ｓ７６によって、バルブＶ１２が閉じ
られた状態で真空に排気されたカセット室１に対し、バ
ルブＶ１２を開いてパージガスをカセット室１内に導入
して、バルブＶ１３を開く。また、ステップＳ７４では
流速測定器ＦＭａ及びＦＭｂが逆止弁Ｃａ及びＣｂに気
体が流れていないことを検出したことを以て、カセット
室１内の内部圧の安定を検出する。
ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定器ＦＭａ及び
ＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂにおいて気体が流
れていないことを示すまでの所定時間、この状態を継続
する。圧力計ＰＧが示す圧力が安定し、かつ、流速測定
器ＦＭａ及びＦＭｂがそれぞれ逆止弁Ｃａ及びＣｂにお
いて気体が流れていないことを示している時点では、大
気圧Ｐｔと内部圧とは同じになっている。このように、
ステップＳ７２〜Ｓ７６によって、バルブＶ１２が閉じ
られた状態で真空に排気されたカセット室１に対し、バ
ルブＶ１２を開いてパージガスをカセット室１内に導入
して、バルブＶ１３を開く。また、ステップＳ７４では
流速測定器ＦＭａ及びＦＭｂが逆止弁Ｃａ及びＣｂに気
体が流れていないことを検出したことを以て、カセット
室１内の内部圧の安定を検出する。
【００８０】ステップＳ７７による動作及び大気中から
カセット室１内への処理対象物ＯＢＪの移動を行うとき
も、実施の形態７と同様である。
カセット室１内への処理対象物ＯＢＪの移動を行うとき
も、実施の形態７と同様である。
【００８１】本実施の形態による効果は、実施の形態７
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭｂを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加え、流速測定器ＦＭｂによって大気圧と内部
圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
の効果に加えて、次の通りである。すなわち、流速測定
器ＦＭｂを設けたことにより、圧力計ＰＧによる圧力安
定確認に加え、流速測定器ＦＭｂによって大気圧と内部
圧とが同じになっていることが正確に確認できる。
【００８２】変形例．図１７は実施の形態８の変形例を
示す図である。図１７に示すように、気体流出手段を配
管Ｔａ、Ｔｂ及びバルブＶ１３のみで構成してもよい。
この変形例では、気体流出手段の構成を簡単にして、実
施の形態８の効果を得ることができる。
示す図である。図１７に示すように、気体流出手段を配
管Ｔａ、Ｔｂ及びバルブＶ１３のみで構成してもよい。
この変形例では、気体流出手段の構成を簡単にして、実
施の形態８の効果を得ることができる。
【００８３】図１８〜図２１はそれぞれ実施の形態２、
４、６及び８の変形例を示す図である。図１８〜図２１
に示すように、気体流出手段に、大気中からカセット室
１内に流れる気体としてパージガスを含む袋Ｄ１を加え
た構成である。袋Ｄ１は、配管Ｔｃ’又はＴｆ’の一端
に接続され、大気中に存在し、材質は例えばポリエステ
ル等の大気圧に応じて変形し易い材質である。したがっ
て、袋Ｄ１内の圧力と大気圧とは常に等しい。実施の形
態２、４、６及び８では、気体流出手段を介して大気中
の水蒸気が塵埃としてカセット室１内に流れ込んでしま
う可能性がある。そのような場合には、この水蒸気がカ
セット室１内で膨張して、同室１内に結露が生じる。そ
こで、袋Ｄ１を備えることにより、第２の気体流出手段
を介して袋Ｄ１内のパージガスをカセット室１内に流す
ことにより、大気中の塵埃がカセット室１内に流れ込む
ことを防止できる。
４、６及び８の変形例を示す図である。図１８〜図２１
に示すように、気体流出手段に、大気中からカセット室
１内に流れる気体としてパージガスを含む袋Ｄ１を加え
た構成である。袋Ｄ１は、配管Ｔｃ’又はＴｆ’の一端
に接続され、大気中に存在し、材質は例えばポリエステ
ル等の大気圧に応じて変形し易い材質である。したがっ
て、袋Ｄ１内の圧力と大気圧とは常に等しい。実施の形
態２、４、６及び８では、気体流出手段を介して大気中
の水蒸気が塵埃としてカセット室１内に流れ込んでしま
う可能性がある。そのような場合には、この水蒸気がカ
セット室１内で膨張して、同室１内に結露が生じる。そ
こで、袋Ｄ１を備えることにより、第２の気体流出手段
を介して袋Ｄ１内のパージガスをカセット室１内に流す
ことにより、大気中の塵埃がカセット室１内に流れ込む
ことを防止できる。
【００８４】実施の形態５〜８と実施の形態６及び８の
変形例は、実施の形態１〜４のように気体導入排出装置
２００と気体流出手段とを独立してカセット室１に接続
する場合よりも、カセット室１内の内壁に接続される配
管の数を少なくすることができるため、カセット室１内
の内壁に塵埃がたまる場所を少なくできる。また、実施
の形態２〜８及び変形例を実施することにより、実施の
形態１で説明された図５が示すように、発塵数は低減さ
れる。
変形例は、実施の形態１〜４のように気体導入排出装置
２００と気体流出手段とを独立してカセット室１に接続
する場合よりも、カセット室１内の内壁に接続される配
管の数を少なくすることができるため、カセット室１内
の内壁に塵埃がたまる場所を少なくできる。また、実施
の形態２〜８及び変形例を実施することにより、実施の
形態１で説明された図５が示すように、発塵数は低減さ
れる。
【００８５】
【発明の効果】本発明請求項１によると、排気手段によ
って真空排気された処理室に対して、パージガスを用い
て処理室の内部圧を大気圧に戻す際に、圧力計によって
大気圧であると測定された内部圧が実際には大気圧と異
なっている場合であっても、バルブを開くことによって
逆止弁が気体を徐々に移動させて内部圧を大気圧へと移
行させるので、その後に開かれるゲートにおける発塵及
びこれによる塵埃が処理対象物に付着することはない。
例えば、圧力計の測定する圧力が実際の内部圧よりも低
めである場合に、実際には内部圧が大気圧よりも高い状
態までパージガスが導入されてはじめて圧力計は内部圧
を大気圧であるかのように示すが、逆止弁が一端から他
端へ向かう方向にのみ気体の移動を許せば、パージガス
が逆止弁によってリークされて内部圧は大気圧へと移行
する。逆に、圧力計の測定する圧力が実際の内部圧より
も高めである場合に、実際には内部圧が大気圧よりも低
い状態までしかパージガスが導入されていないのに圧力
計は内部圧を大気圧であるかのように示すが、逆止弁が
他端から一端へ向かう方向にのみ気体の移動を許せば、
大気圧に保たれた気体が逆止弁によってリークされて内
部圧は大気圧へと移行する。勿論、後者の場合におい
て、処理室を排気する時点ではバルブを閉めておけばよ
い。そしてバルブを処理室に接続する場合と比較する
と、処理室に直接にパージガスの圧力がかかるのではな
く、バルブを介して設けられた逆止弁の作用によって、
大気圧に近い圧力で処理室へとパージガスが導入され
る。しかも処理室に接続される配管の数を少なくするこ
とができるため、処理室の内壁に塵埃がたまる場所を少
なくできる。よって発塵を一層抑制することができる。
って真空排気された処理室に対して、パージガスを用い
て処理室の内部圧を大気圧に戻す際に、圧力計によって
大気圧であると測定された内部圧が実際には大気圧と異
なっている場合であっても、バルブを開くことによって
逆止弁が気体を徐々に移動させて内部圧を大気圧へと移
行させるので、その後に開かれるゲートにおける発塵及
びこれによる塵埃が処理対象物に付着することはない。
例えば、圧力計の測定する圧力が実際の内部圧よりも低
めである場合に、実際には内部圧が大気圧よりも高い状
態までパージガスが導入されてはじめて圧力計は内部圧
を大気圧であるかのように示すが、逆止弁が一端から他
端へ向かう方向にのみ気体の移動を許せば、パージガス
が逆止弁によってリークされて内部圧は大気圧へと移行
する。逆に、圧力計の測定する圧力が実際の内部圧より
も高めである場合に、実際には内部圧が大気圧よりも低
い状態までしかパージガスが導入されていないのに圧力
計は内部圧を大気圧であるかのように示すが、逆止弁が
他端から一端へ向かう方向にのみ気体の移動を許せば、
大気圧に保たれた気体が逆止弁によってリークされて内
部圧は大気圧へと移行する。勿論、後者の場合におい
て、処理室を排気する時点ではバルブを閉めておけばよ
い。そしてバルブを処理室に接続する場合と比較する
と、処理室に直接にパージガスの圧力がかかるのではな
く、バルブを介して設けられた逆止弁の作用によって、
大気圧に近い圧力で処理室へとパージガスが導入され
る。しかも処理室に接続される配管の数を少なくするこ
とができるため、処理室の内壁に塵埃がたまる場所を少
なくできる。よって発塵を一層抑制することができる。
【００８６】
【００８７】本発明請求項２によると、流速測定手段に
よって逆止弁に気体が流れていないことを確認すること
により、内部圧が大気圧と一致することをより正確に把
握することができる。
よって逆止弁に気体が流れていないことを確認すること
により、内部圧が大気圧と一致することをより正確に把
握することができる。
【００８８】本発明請求項３によると、パージガスによ
っては処理室の内部圧を大気圧にまで高められなかった
場合に、逆止弁を介して所定のガスによって処理室の内
部圧を大気圧にまで高めることができる。しかも、所定
のガスとして任意の気体を用いることができるので、大
気のように湿度を含む気体を導入する場合と比較して有
利である。
っては処理室の内部圧を大気圧にまで高められなかった
場合に、逆止弁を介して所定のガスによって処理室の内
部圧を大気圧にまで高めることができる。しかも、所定
のガスとして任意の気体を用いることができるので、大
気のように湿度を含む気体を導入する場合と比較して有
利である。
【００８９】本発明請求項４によると、排気手段によっ
て真空排気された処理室に対して、パージガスを用いて
処理室の内部圧を大気圧に戻す際に、圧力計によって大
気圧であると測定された内部圧が実際には大気圧と異な
っている場合であっても、バルブを開くことによって配
管が気体を徐々に移動させて内部圧を大気圧へと移行さ
せるので、その後に開かれるゲートにおける発塵及びこ
れによる塵埃が処理対象物に付着することはない。さら
に、処理室に接続される配管の数を少なくすることがで
きるため、処理室の内壁に塵埃がたまる場所を少なくで
きる。よって発塵を一層抑制することができる。
て真空排気された処理室に対して、パージガスを用いて
処理室の内部圧を大気圧に戻す際に、圧力計によって大
気圧であると測定された内部圧が実際には大気圧と異な
っている場合であっても、バルブを開くことによって配
管が気体を徐々に移動させて内部圧を大気圧へと移行さ
せるので、その後に開かれるゲートにおける発塵及びこ
れによる塵埃が処理対象物に付着することはない。さら
に、処理室に接続される配管の数を少なくすることがで
きるため、処理室の内壁に塵埃がたまる場所を少なくで
きる。よって発塵を一層抑制することができる。
【００９０】
【００９１】本発明請求項５によると、パージガスの圧
力が大気圧と等しくなくても、第２のバルブが、第１の
バルブを流れる気体の圧力を大気圧に調整するので、圧
力の急変を回避し、以て発塵を抑制することができる。
力が大気圧と等しくなくても、第２のバルブが、第１の
バルブを流れる気体の圧力を大気圧に調整するので、圧
力の急変を回避し、以て発塵を抑制することができる。
【００９２】本発明請求項６によると、処理室の内部圧
の安定を精度良く検出することができる。
の安定を精度良く検出することができる。
【００９３】本発明請求項７によると、処理対象物に塵
埃が付着することが抑制されるため、後の製造工程や半
導体装置の歩留り等への悪影響が改善されるという効果
を奏す。
埃が付着することが抑制されるため、後の製造工程や半
導体装置の歩留り等への悪影響が改善されるという効果
を奏す。
【図１】 本発明の半導体製造装置の例を示す概略構成
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施の形態１における半導体製造装
置の一部を示す構成図である。
置の一部を示す構成図である。
【図３】 本発明の実施の形態１、２における内部圧力
調節方法を示すフローチャートである。
調節方法を示すフローチャートである。
【図４】 本発明における内部圧の変動例を示すグラフ
である。
である。
【図５】 本発明を実施したときの発塵数を示すグラフ
である。
である。
【図６】 本発明の実施の形態２における半導体製造装
置の一部を示す構成図である。
置の一部を示す構成図である。
【図７】 本発明における内部圧の変動例を示すグラフ
である。
である。
【図８】 本発明の実施の形態３における半導体製造装
置の一部を示す構成図である。
置の一部を示す構成図である。
【図９】 本発明の実施の形態３、４における内部圧力
調節方法を示すフローチャートである。
調節方法を示すフローチャートである。
【図１０】 本発明の実施の形態４における半導体製造
装置の一部を示す構成図である。
装置の一部を示す構成図である。
【図１１】 本発明の実施の形態５における半導体製造
装置の一部を示す構成図である。
装置の一部を示す構成図である。
【図１２】 本発明の実施の形態５、６における内部圧
力調節方法を示すフローチャートである。
力調節方法を示すフローチャートである。
【図１３】 本発明の実施の形態６における半導体製造
装置の一部を示す構成図である。
装置の一部を示す構成図である。
【図１４】 本発明の実施の形態７における半導体製造
装置の一部を示す構成図である。
装置の一部を示す構成図である。
【図１５】 本発明の実施の形態７、８における内部圧
力調節方法を示すフローチャートである。
力調節方法を示すフローチャートである。
【図１６】 本発明の実施の形態８における半導体製造
装置の一部を示す構成図である。
装置の一部を示す構成図である。
【図１７】 本発明の実施の形態８の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図１８】 本発明の実施の形態２の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図１９】 本発明の実施の形態４の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図２０】 本発明の実施の形態６の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図２１】 本発明の実施の形態８の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図２２】 従来の半導体製造装置の一部を示す構成図
である。
である。
【図２３】 従来の内部圧力調節方法を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図２４】 従来における内部圧の変動を示すグラフで
ある。
ある。
【図２５】 従来における内部圧の変動を示すグラフで
ある。
ある。
１００ 処理室、２００ 気体導入排出装置、ＯＢＪ
処理対象物、Ｇ１ ゲート、Ｖ１３ バルブ、Ｄ１
袋、ＦＭａ、ＦＭｂ 流速測定器。
処理対象物、Ｇ１ ゲート、Ｖ１３ バルブ、Ｄ１
袋、ＦＭａ、ＦＭｂ 流速測定器。
Claims (7)
- 【請求項１】 処理対象物が搬出入するゲートを有する
処理室と、 前記処理室の内部圧を測定する圧力計と、 前記処理室を真空に排気する排気手段と、 前記処理室にパージガスを導入するパージガス導入手段
と、 バルブと、 前記バルブを介して前記処理室に接続された一端、大気
圧に保たれた他端とを有し、前記一端と前記他端との間
で一方向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備え、 前記バルブは、前記パージガス導入手段から分岐して設
けられる半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記逆止弁を流れる気体の流速を測定す
る流速測定手段を更に備える、請求項１記載の半導体製
造装置。 - 【請求項３】 処理対象物が搬出入するゲートを有する
処理室と、 前記処理室の内部圧を測定する圧力計と、 前記処理室を真空に排気する排気手段と、 前記処理室にパージガスを導入するパージガス導入手段
と、 バルブと、 前記バルブを介して前記処理室に接続された一端、大気
圧に保たれた他端とを有し、前記一端と前記他端との間
で一方向にのみ気体の移動を許す逆止弁とを備え、 前記逆止弁は前記他端から前記一端へと向かう方向にの
み気体の移動を許し、 前記他端に接続され、所定のガスを内包して大気中に設
置され、前記所定のガスと大気圧との圧力が等しくなる
ように変形可能な袋を更に備える 半導体製造装置。 - 【請求項４】 処理対象物が搬出入するゲートを有する
処理室と、 前記処理室の内部圧を測定する圧力計と、 前記処理室を真空に排気する排気手段と、 前記処理室にパージガスを導入するパージガス導入手段
と、 バルブと、 前記バルブを介して前記処理室に接続された一端、大気
圧に保たれた他端とを有する配管とを備え、 前記バルブは、前記パージガス導入手段から分岐して設
けられる、 半導体製造装置。 - 【請求項５】 処理対象物が搬出入する処理室と、 パージガスを供給するパージガス供給手段と、 前記処理室に接続された一端と、前記パージガス供給手
段に接続された他端とを有する第１のバルブと、 前記第１のバルブの前記他端に接続された一端と、他端
とを有する第２のバルブと、 前記第２のバルブの前記他端に接続された一端と、大気
圧に保たれた他端とを有し、前記一端と前記他端との間
で一方向にのみ気体の移動を許す逆止弁と、を備えた半
導体製造装置において、 前記第１のバルブが閉じられた状態で真空に排気された
前記処理室に対し、前記第１のバルブを開いて前記パー
ジガスを導入する第１のステップと、 前記第２のバルブを開く第２のステップと、 前記処理室の内部圧の安定を待って、前記処理対象物の
搬出入を行う第３のステップとを備えた半導体製造装置
の内部圧調節方法。 - 【請求項６】 前記半導体製造装置は、前記逆止弁を流
れる気体の流速を測定する流速測定手段を更に備え、 前記第３のステップでは前記流速測定手段が前記逆止弁
に気体が流れていないことを検出したことを以て、前記
内部圧の安定を検出する、請求項５記載の 半導体製造装
置の内部圧調節方法。 - 【請求項７】 半導体装置の製造工程において請求項５
及び請求項６のいずれかに記載の半導体製造装置の内部
圧調節方法を用いた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306097A JP3517076B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法 |
| TW086110239A TW334584B (en) | 1997-04-21 | 1997-07-18 | The apparatus and the method of producing semiconductor |
| KR1019970042109A KR100258896B1 (ko) | 1997-04-21 | 1997-08-28 | 반도체 제조장치 및 그 내부압 조절방법 |
| US08/936,741 US5979480A (en) | 1997-04-21 | 1997-09-25 | Semiconductor production device, method of adjusting its internal pressure and method of processing an object of processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306097A JP3517076B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294283A JPH10294283A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3517076B2 true JP3517076B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=14344140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10306097A Expired - Fee Related JP3517076B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及びその内部圧調節方法並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3517076B2 (ja) |
| KR (1) | KR100258896B1 (ja) |
| TW (1) | TW334584B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US7316240B2 (en) * | 2005-04-21 | 2008-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Exhaust system and mini-exhaust static pressure controlling apparatus thereof |
| JP6064307B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-01-25 | 信越半導体株式会社 | 常圧気相成長装置又は常圧気相成長装置の配管 |
| JP7238461B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-03-14 | 株式会社島津製作所 | バルブ制御装置および真空バルブ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3227003B2 (ja) * | 1992-01-28 | 2001-11-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
| US5277215A (en) * | 1992-01-28 | 1994-01-11 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Method for supplying and discharging gas to and from semiconductor manufacturing equipment and system for executing the same |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP10306097A patent/JP3517076B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-18 TW TW086110239A patent/TW334584B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-28 KR KR1019970042109A patent/KR100258896B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-25 US US08/936,741 patent/US5979480A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10294283A (ja) | 1998-11-04 |
| US5979480A (en) | 1999-11-09 |
| KR19980079334A (ko) | 1998-11-25 |
| TW334584B (en) | 1998-06-21 |
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