JPH07217537A - 排気装置及び排気方法 - Google Patents

排気装置及び排気方法

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JPH07217537A
JPH07217537A JP1057994A JP1057994A JPH07217537A JP H07217537 A JPH07217537 A JP H07217537A JP 1057994 A JP1057994 A JP 1057994A JP 1057994 A JP1057994 A JP 1057994A JP H07217537 A JPH07217537 A JP H07217537A
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JP
Japan
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exhaust
container
flow rate
gas
adjusting
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JP1057994A
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English (en)
Inventor
Akihito Ehana
章仁 江花
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 排気装置の改善に関し、被真空容器内の単位
時間当たりの圧力変化を小さく抑え、単位時間内に最も
効率良く真空引きし、塵埃の舞い上がりを極力阻止す
る。 【構成】 被真空容器16とポンプ手段12との間に設
けられ、及び、該被真空容器16からの排気流量を調整
する第1の調整手段11と、被真空容器16を真空引き
をして所定真空度を保持するポンプ手段12と、このポ
ンプ手段12に圧力調整用のダミーガスGを供給するガ
ス供給手段13と、ガス供給手段13とポンプ手段12
との間に設けられ、及び、ダミーガスGの注入流量を調
整する第2の調整手段14とを備える。第1の調整手段
11は、被真空容器16とポンプ手段12とを接続又は
遮断する開閉バルブ11A及び、被真空容器16からの排
気流量を調整する流量バルブ11Bを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、排気装置及び排気方法
に関するものであり、更に詳しく言えば、電子ビーム露
光装置の鏡筒内や半導体製造装置のチャンバ内を真空引
きする装置及びその方法の改善に関するものである。近
年,半導体集積回路(以下LSIという)装置の高密度
化及び超微細化に伴い、半導体ウエハの露光処理の際や
その各種プラズマ処理の際に、高精度な真空環境が要求
される。例えば、電子ビーム装置の鏡筒内やプラズマ装
置のチャンバ内を真空引きするために排気装置が使用さ
れる。
【0002】これによれば、排気調整系は排気速度を調
整するために、主配管にバイパス配管が設けられ、この
バイパス配管にエアオペレートバルブが設けられる。し
かし、真空引きに際して当該バルブを開くと、チャンバ
側の圧力(大気圧)とポンプ側の圧力の差が大きいこと
から、単位時間当たりの圧力変化が大きくなる場合があ
る。このことは、チャンバ内に塵埃の舞い上がりを引き
起こす原因となる。
【0003】そこで、チャンバ内の単位時間当たりの圧
力変化を小さく抑え、単位時間内に最も効率良く真空引
きし、塵埃の舞い上がりを極力阻止することができる装
置及び方法が望まれている。
【0004】
【従来の技術】図5は、従来例に係る排気装置の構成図
を示している。例えば、CVD装置のチャンバ(被真空
容器)16内を真空引きする排気装置は、図5に示すよ
うに、排気調整系1,あら引きポンプ系2及び真空維持
ポンプ系3を備える。排気調整系1は1/4インチバル
ブ1A,ニードルバルブ1B,3/8インチバルブ1C
及び1インチバルブ1Dを有する。一般にバルブ1Aに
はエアオペレートバルブが用いられる。あら引きポンプ
系2はロータリポンプ2A及び仕切りバルブ2Bを有
し、真空維持ポンプ系3は、主ポンプ3A及び仕切りバ
ルブ3Bをそれぞれ有する。
【0005】当該装置の機能は、例えば、大気状態にあ
るチャンバ16内を真空状態にする場合、予め閉じられ
ている各バルブ1A〜1D,2B,3Bを順次操作す
る。まず、バルブ1A及び2Aを開き、あら引きの準備
をする。ここで、あら引きとは、大気圧の状態から主ポ
ンプが作動し得る圧力まで排気することをいうものとす
る。
【0006】その後、バルブ1Bを開いてチャンバ16
からの排気流量を調整する。また、バルブ1Cを開いて
チャンバ16からの排気流量をさらに調整する。これに
より、チャンバ16内の大気がロータリポンプ2Aによ
り排気され、その内圧力が徐々に低下し、あら引きが完
了する。次に、バルブ1D及び3Bを開いて、バルブ1
A〜1C及び2Aを閉じ、ほぼ目的の内圧力に到達して
いるチャンバ16内を主ポンプ3Aにより真空引きをす
る。これにより、チャンバ16内が所望の真空雰囲気に
維持される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば、図5に示すように排気調整系1は排気速度を調整
するために、1インチの主配管に1/4インチ及び3/
8インチのバイパス配管が設けられ、この1/4インチ
配管にエアオペレートバルブ1Aが設けられる。しか
し、あら引きに際して当該バルブ1Aを開くと、チャン
バ側の圧力(大気圧)とポンプ側の圧力の差が大きいこ
とから、単位時間当たりの圧力変化が大きくなる。この
圧力変化は、チャンバ16内に塵埃の舞い上がりを引き
起こす。塵埃は、プラズマ処理の際の生成物の残渣等と
考えられる。
【0008】また、ニードルバルブ1Bは、仕切りバル
ブ1Dに比べて口径が小さいことから、塵埃がつまり易
くなる。塵埃がつまった状態では、所定の排気流量を単
位時間内に通過させることが困難となる。反対に、塵埃
がないクリーンな状態では、図5の破線円内図に示した
チャンバ16の排気特性図に見られるように急激な圧力
変化を示す。これは、エアオペレートバルブ1Aを開い
たときに、ニードルバルブ1B内を急激に大気が通過す
るためである。これがチャンバ16内に塵埃を舞い上げ
る原因となる。
【0009】これにより、チャンバ(以下被真空容器と
もいう)16内にセットされた半導体ウエハ上に塵埃が
付着し、その生産歩留りが低下するという問題がある。
また、排気装置の信頼性の低下につながる。本発明は、
かかる従来例の問題点に鑑み創作されたものであり、被
真空容器の単位時間当たりの圧力変化を小さく抑え、単
位時間内に最も効率良く真空引きし、塵埃の舞い上がり
を極力阻止することが可能となる排気装置及び排気方法
の提供を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係る排気
装置の原理図である。本発明の排気装置は、図1に示す
ように、被真空容器16とポンプ手段12との間に設け
られ、及び、該被真空容器16からの排気流量を調整す
る第1の調整手段11と、前記被真空容器16を真空引
きをして所定真空度を維持するポンプ手段12と、前記
ポンプ手段12に圧力調整用のダミーガスGを供給する
ガス供給手段13と、前記ガス供給手段13とポンプ手
段12との間に設けられ、及び、前記ダミーガスGの注
入流量を調整する第2の調整手段14とを備えることを
特徴とする。
【0011】本発明の排気装置において、第1の調整手
段11は、前記被真空容器16とポンプ手段12とを接
続又は遮断する開閉バルブ11A及び、前記被真空容器1
6からの排気流量を調整する流量バルブ11Bを有するこ
とを特徴とする。本発明の排気装置において、ポンプ手
段12は、前記被真空容器16を粗く真空引きをする第
1のポンプ系12A及び、粗く真空引きされた前記被真空
容器16を細緻に真空引きして所定真空度を維持する第
2のポンプ系12Bを有することを特徴とする。
【0012】本発明の排気装置において、被真空容器1
6の圧力変化を検出し、該圧力変化に基づいて前記被真
空容器16からの排気流量及び、前記ガス供給手段13
からのダミーガスGの注入流量を調整する制御手段15
が設けられることを特徴とする。本発明の排気装置にお
いて、ダミーガスGには、窒素ガスを用いることを特徴
とする。
【0013】本発明の排気方法は、真空引き系の圧力と
被真空容器16内の圧力との差を調整するダミーガスG
の注入流量及び、前記被真空容器16からの排気流量を
調整しながら該被真空容器16を真空引きすることを特
徴とし、上記目的を達成する。
【0014】
【作用】本発明の排気装置の動作を説明する。例えば、
大気状態にある被真空容器16を目的の真空状態にする
場合、図1において、まず、圧力調整用のダミーガスG
がガス供給手段13からポンプ手段12に供給される。
この際に、ダミーガスGの注入流量が制御手段15を介
して第2の調整手段14により調整される。
【0015】この状態で、被真空容器16とポンプ手段
12とが第1の調整手段11の開閉バルブ11Aの動作に
より接続されると、第1のポンプ系12Aにより、被真空
容器16が粗く真空引き(以下単にあら引きともいう)
される。このとき、被真空容器16の圧力変化が検出さ
れ、その検出情報が制御手段15に転送される。これに
より、制御手段14を介して第1の調整手段11の流量
バルブ11Bにより、被真空容器16からの排気流量が調
整され、及び、ガス供給手段13からのダミーガスGの
注入流量が自動調整される。
【0016】その後、あら引き引きされた被真空容器1
6が第2のポンプ系12Bにより、細緻に真空引きされ、
該容器16が所定真空度に維持される。このため、被真
空容器16のあら引きの際に、開閉バルブ11Aを全開し
ても、ダミーガスGが注入され、ポンプ側の圧力が予め
低くされることから、当該容器16側の圧力(大気圧)
とポンプ側の圧力の差が従来例に比べて小さくなる。こ
の際に、調整バルブ11A内に被真空容器16からの大気
を緩やかに通過させることができる。
【0017】これにより、被真空容器16の単位時間当
たりの圧力変化を小さく抑えることが可能となる。この
圧力変化が小さくなることで、被真空容器16内に不本
意に生じた塵埃の舞い上がりを極力抑制することが可能
となる。本発明の排気方法によれば、ダミーガスGの注
入流量及び、被真空容器16からの排気流量を調整しな
がら、真空引き系の圧力と被真空容器16内の圧力との
バランスを採りながら真空容器16を真空引きすること
ができる。
【0018】このため、真空容器16内を単位時間内に
最も効率良く真空引きすることができ、容器内にセット
された半導体ウエハ等の試料をクリーンな状態に維持す
ることができる。これにより、半導体ウエハ等の生産歩
留りの向上を図ることが可能となる。
【0019】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図2〜4は、本発明の実施例に係る排
気装置及び排気方法の説明図である。図2は、その排気
装置の全体構成図をそれぞれ示している。例えば、CV
D装置に適用可能な排気装置は、図2に示すように、大
気/真空仕切り系21,あら引きポンプ系22A,真空維
持ポンプ系22B,窒素ガスボンベ23,ダミーガス調整
系24及び排気制御装置25を備える。
【0020】すなわち、大気/真空仕切り系21は原理
図1の第1の調整手段11の一例であり、被真空容器
(以下単にチャンバという)16とポンプ系22Aや22B
との間に設けられる。例えば、当該仕切り系21とポン
プ系22Aや22Bとは口径1インチの耐酸性の配管により
接続される。大気/真空仕切り系21は、エアオペレー
トバルブ21A,ニードルバルブ21B,主仕切りバルブ21
C及び流量センサ21Dを有する。
【0021】バルブ21Aは開閉バルブ11Aの一例であ
り、チャンバ16とポンプ系とを補助的に接続又は遮断
するものである。当該バルブ21Aはバタフライバルブが
適用され、チャンバ側やポンプ側の配管に対して、口径
1/4インチの耐酸性の配管により接続される。接続は
違口径のT型ユニオンが適用される。ニードルバルブ21
Bは流量バルブ11Bの一例であり、例えば、制御信号S
D1に基づいてチャンバ16からの排気流量を調整する
ものである。当該バルブ21Bは口径1/4インチの耐酸
性の配管により接続される。
【0022】主仕切りバルブ21Cは開閉バルブ11Aの他
の一例であり、チャンバ16とポンプ系とを直接的に接
続又は遮断するものである。当該バルブ21Cはバタフラ
イバルブが適用され、チャンバ16やポンプ系22Aや22
Bに対して口径1インチの耐酸性の配管により接続され
る。流量センサ21Dは、バルブ21Bを通過する排気流量
を検出し、流量検出信号SA2を排気制御装置25に出
力するものである。
【0023】あら引きポンプ系22A及び真空維持ポンプ
系22Bはポンプ手段12の一例である。あら引きポンプ
系22Aは第1のポンプ系12Aの一例であり、バタフライ
バルブ221 及びロータリポンプ222 を有する。当該ポン
プ222 はモータMにより駆動され、チャンバ16をあら
引きをするものである。当該モータMの駆動は、例え
ば、制御信号SM1に基づいてインバータ制御方法が採
用される。この方法は、周波数を低く設定して回転数を
落とし、低出力を得るものである。
【0024】真空維持ポンプ系22Bは第2のポンプ系12
Bの一例であり、バタフライバルブ223 及び第1,第2
のメカニカルブースタポンプ224 ,225 及び水封ポンプ
226を有する。各ポンプ224 ,225 及び226 は、各制御
信号SM2〜SM4に基づいてインバータ制御方法が採
用される。当該ポンプ系22Bの機能は、あら引きされた
チャンバ16内を細緻に真空引きして所定真空度を維持
する。
【0025】窒素ガスボンベ23はガス供給手段13の
一例であり、ポンプ系に圧力調整用のダミーガスGを供
給するものである。本実施例では、ダミーガスGに窒素
ガスを用いる。ボンベ23はダミーガス調整系24に配
管される。ダミーガス調整系24は第2の調整手段14
の一例であり、窒素ガスボンベ23とポンプ系との間に
設けられる。例えば、ガス調整系24はバタフライバル
ブ24A,ニードルバルブ24B及び流量センサ24Cを有す
る。バルブ24Bはチャンバ側の配管に対して、同口径の
T型ユニオンにより配管される。また、バルブ24Bは制
御信号SD2に基づいてポンプ系22Aに注入するN2
スGの注入流量を調整するものである。流量センサ24C
は、バルブ24Bを通過するN2 ガス流量を検出し、流量
検出信号SGを排気制御装置25に出力するものであ
る。
【0026】排気制御装置25は制御手段15の一例で
あり、チャンバ16の圧力変化を検出し、該圧力変化に
基づいてチャンバ16からの排気流量及び、窒素ガスボ
ンベ23からのN2 ガスGの注入流量を調整するもので
ある。排気制御装置25は中央処理装置(CPU),メ
モリ,インタフェース及びその他の機能回路等から成
る。例えば、CPUは、メモリ,インタフェース及びそ
の他の機能回路の入出力の制御をし、メモリは制御目標
となる理想排気特性のデータを記憶する。インタフェー
スは各種検出信号SA1,SA2,制御信号SD1,S
D2及びSM1〜SM4の入出力を補助するものであ
り、その他の機能回路はCPUからのデータや各種検出
信号SA1,SA2に基づいて各種制御信号SD1,S
D2及びSM1〜SM4を発生するものである。
【0027】なお、チャンバ16は半導体ウエハ等の試
料をCVD処理する反応室であり、本発明の実施例で
は、容量5000cc程度のものである。また、圧力セ
ンサ16Aはチャンバ16の圧力を検出し、圧力検出信号
SA1を排気制御装置25に出力するものである。次
に、本発明の実施例に係る排気方法について、当該装置
の動作を説明する。図3は、本発明の実施例に係る排気
装置の制御フローチャートであり、図4は、それを補足
する排気特性図をそれぞれ示している。
【0028】例えば、図2に示したようなチャンバ16
を大気状態から所望の真空状態にする場合、図3の処理
フローチャートにおいて、まず、ステップP1であら引
きポンプ用の仕切りバルブ221 を「開」にしてあら引き
の準備をする。なお、当該排気装置の各バルブは予め
「閉」状態にされ、各ポンプ系22及び22Aの真空度が保
たれているものとする。
【0029】次いで、一方のステップP2Aでロータリポ
ンプ222 の制御を開始する。例えば、制御信号SM1に
基づいてロータリポンプ222 がインバータ出力制御され
る。この制御は、周波数を低く設定して回転数を落と
し、低出力を得るものである。また、他方のステップP2
Bでダミーガス調整系24のバタフライバルブ24Aを
「開」にして、N2 ガスGの注入し始める。この際に、
窒素ガスボンベ23からポンプ系にN2 ガスGが供給さ
れる。バルブ24Bを通過するN2 ガスGの注入流量は流
量センサ24Cにより検出され、その流量検出信号SGが
排気制御装置25に出力される。さらに、制御信号SD
2に基づいてバルブ24Bにより、あら引きポンプ系22A
に注入するN2 ガスGの注入流量が自動調整される。例
えば、N2ガスGが初期の流量から順次減らされる。
【0030】次いで、ステップP3Aで大気/真空仕切り
系21のエアオペレートバルブ21Aを「開」にしてチャ
ンバ16内を排気する。この際に、ロータリポンプ222
は、チャンバ16をあら引きする。このとき、チャンバ
16の圧力が圧力センサ16Aにより検出され、その圧力
検出信号SA1が排気制御装置25に出力される。ま
た、制御信号SD1に基づいてチャンバ16からの排気
流量がニードルバルブ21Bにより調整される。バルブ21
Bを通過する排気流量は流量センサ21Dにより検出さ
れ、その流量検出信号SA2は排気制御装置25に出力
される。
【0031】これにより、チャンバ16の圧力変化が排
気制御装置25により認識され、該圧力変化に基づいて
チャンバ16からの排気流量及び、窒素ガスボンベ23
からのN2 ガスGの注入流量が調整される。他方、ステ
ップP3BでN2 ガスGを注入流量を調整制御の終了判断
をする。この際に、調整制御が終了しない場合(NO)
には、ステップP2Bに戻ってその制御を継続する。その
調整制御が終了した場合(YES)には、仕切りバルブ24
Aを「閉」にして、N2 ガスGを停止してステップP4
に移行する。
【0032】ステップP4ではチャンバ16からの排気
流量のあら引き制御の終了判断をする。この際に、あら
引き制御が終了しない場合(NO)には、ステップP2A
に戻ってその制御を継続する。あら引き制御が終了した
場合(YES)には、ステップP5に移行する。ステップ
P5では、あら引きポンプ系22Aから真空度維持ポンプ
系22Bに切り替える。ここで、仕切りバルブ221 を
「閉」にし、バルブ21Bを「開」にする。続いて、バル
ブ223 を「開」にする。チャンバ16とポンプ系とが主
仕切りバルブ21Cを「開」することで直接的に接続され
る。
【0033】その後、ステップP6でチャンバ16を所
望の真空状態に維持する。ここで、あら引き引きされた
チャンバ16が真空維持ポンプ系22Bの第1,第2のメ
カニカルブースタポンプ224 ,225 及び水封ポンプ226
により、各制御信号SM2〜SM4に基づいてインバー
タ出力制御される。これにより、チャンバ16内が細緻
に真空引きされ、該容器16が所定真空度に維持され、
それが大気状態から所望の真空状態にされる。
【0034】このようにして、本発明の実施例に係る排
気装置によれば、ポンプ系に圧力調整用のN2 ガスGを
供給する窒素ガスボンベ23やチャンバ16の圧力変化
を検出し、該圧力変化に基づいてチャンバ16からの排
気流量及び、窒素ガスボンベ23からのN2 ガスGの注
入流量を調整する排気制御装置25が設けられる。この
ため、チャンバ16のあら引きの際に、エアオペレーシ
ョンバルブ21Aを全開しても、N2 ガスGが注入され、
ポンプ側の圧力が予め低くされることから、当該容器1
6側の圧力(大気圧)とポンプ側の圧力の差が従来例に
比べて小さくなる。この際に、ニードルバルブ21B内に
チャンバ16からの大気を緩やかに通過させることがで
きる。このことで、塵埃の舞い上がりを極力阻止するこ
とが可能となる。
【0035】これにより、図4の排気特性に示すように
チャンバ16の単位時間当たりの圧力変化を小さく抑え
ることが可能となる。なお、図4において、縦軸はチャ
ンバ内の圧力P(等分目盛)であり、横軸は時間(等分
目盛)tである。θはグラフの傾きであり、45°であ
る。この特性は圧力変化と時間変化との比が1:1にな
っている。
【0036】これによれば、ポンプ側にN2 ガスGを流
すことにより、容器側とポンプ側との圧力差が小さくな
り、圧力変化が大幅に抑えられる。すなわち、従来例で
は、特性Bに示すように、圧力は急激に変化する。これ
は、エアオペレートバルブ21Aを開けた際に、ポンプ側
と真空容器側での圧力差が大きいためである。ここで、
両特性A,Bを比較すると、従来例の特性Bが、単位時
間当たりの排気量が多くなっている。それに比べて本発
明の特性Aでは、滑らかになるので、塵埃の舞い上がり
等も少なくなる。このように圧力変化が小さくなること
で、チャンバ16内に不本意に生じた塵埃の舞い上がり
を極力抑制することが可能となる。
【0037】また、本発明の実施例に係る排気方法によ
れば、N2 ガスGの注入流量及び、チャンバ16からの
排気流量を調整しながら、真空引き系の圧力とチャンバ
16内の圧力とのバランスを採りながらチャンバ16を
真空引きすることができる。このため、チャンバ16内
を単位時間内に最も効率良く真空引きすることができ、
また、チャンバ16内の塵埃の舞い上がりが抑えられ
る。
【0038】これにより、容器内にセットされた半導体
ウエハ等の試料をクリーンな状態に維持することがで
き、その生産歩留りの向上を図ることが可能となる。ま
た、当該排気装置を適用したCVD装置やエッチング装
置等の信頼性の向上に寄与する。さらに、大気/真空仕
切り系21の主仕切りバルブ21Cが流量調整機能を有す
る場合には、バイパスラインを使用せずに真空引きをす
ることができ、部品点数の削減化が図れる。これによ
り、設備の種類によって多少変化はあるが、大気/真空
状態を繰り返すプラズマ装置や電子ビーム露光装置等の
排気効率を向上させることが可能となる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の排気装置
によれば、圧力調整用のダミーガスをポンプ手段に供給
するガス供給手段や被真空容器の圧力変化を検出し、該
圧力変化に基づいて排気流量及び、ダミーガスの注入流
量を調整する制御手段が設けられる。
【0040】このため、被真空容器のあら引きの際に、
第1の調整手段の開閉バルブを全開しても、ポンプ側の
圧力がダミーガスを注入することによって、予め低くさ
れることから、当該容器側の圧力(大気圧)とポンプ側
の圧力の差が従来例に比べて小さくなる。また、制御手
段を介して第1の調整手段の調整バルブ内に被真空容器
からの大気を緩やかに通過させることができる。このこ
とで、塵埃の舞い上がりを極力阻止することが可能とな
る。
【0041】また、本発明の排気方法によれば、ダミー
ガスの注入流量及び、被真空容器からの排気流量を調整
しながら、真空引き系の圧力と被真空容器内の圧力との
バランスを採りながら真空容器を真空引きすることがで
きる。このため、被真空容器の単位時間当たりの圧力変
化を小さく抑えることが可能となる。このことで、被真
空容器内に不本意に生じた塵埃の舞い上がりを極力抑制
することが可能となり、当該容器内にセットされた半導
体ウエハ等の試料をクリーンな状態に維持することがで
き、その生産歩留りの向上を図ることが可能となる。
【0042】これにより、当該排気装置を適用したCV
D装置やエッチング装置等の信頼性の向上に寄与すると
ころが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る排気装置の原理図である。
【図2】本発明の実施例に係る排気装置の全体構成図で
ある。
【図3】本発明の実施例に係る排気装置の制御フローチ
ャートである。
【図4】本発明の実施例に係るチャンバの排気特性図で
ある。
【図5】従来例に係る排気装置の構成図である。
【符号の説明】
11…第1の調整手段、 11A…開閉バルブ、 11B…調整バルブ、 12…ポンプ手段、 12A…第1のポンプ系、 12B…第2のポンプ系、 13…ガス供給手段、 14…第2の調整手段、 15…制御手段、 G…ダミーガス。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被真空容器(16)とポンプ手段(1
    2)との間に設けられ、及び、該被真空容器(16)か
    らの排気流量を調整する第1の調整手段(11)と、 前記被真空容器(16)を真空引きをして所定真空度を
    保持するポンプ手段(12)と、 前記ポンプ手段(12)に圧力調整用のダミーガス
    (G)を供給するガス供給手段(13)と、 前記ガス供給手段(13)とポンプ手段(12)との間
    に設けられ、及び、前記ダミーガス(G)の注入流量を
    調整する第2の調整手段(14)とを備えることを特徴
    とする排気装置。
  2. 【請求項2】 第1の調整手段(11)は、前記被真空
    容器(16)とポンプ手段(12)とを接続又は遮断す
    る開閉バルブ(11A)及び、前記被真空容器(16)か
    らの排気流量を調整する流量バルブ(11B)を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の排気装置。
  3. 【請求項3】 ポンプ手段(12)は、前記被真空容器
    (16)を粗く真空引きをする第1のポンプ系(12A)
    及び、 粗く真空引きされた前記被真空容器(16)を細緻に真
    空引きして所定真空度を維持する第2のポンプ系(12
    B)を有することを特徴とする請求項1記載の排気装
    置。
  4. 【請求項4】 被真空容器(16)の圧力変化を検出
    し、該圧力変化の検出情報に基づいて前記被真空容器
    (16)からの排気流量及び、 前記ガス供給手段(13)からのダミーガス(G)の注
    入流量を調整する制御手段(15)が設けられることを
    特徴とする請求項1記載の排気装置。
  5. 【請求項5】 ダミーガス(G)には、窒素ガスを用い
    ることを特徴とする請求項1記載の排気装置。
  6. 【請求項6】 真空引き系の圧力と被真空容器(16)
    内の圧力との差を調整するダミーガス(G)の注入流量
    及び、 前記被真空容器(16)からの排気流量を調整しながら
    該被真空容器(16)を真空引きすることを特徴とする
    排気方法。
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