JPH06224097A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
- Publication number
- JPH06224097A JPH06224097A JP2856393A JP2856393A JPH06224097A JP H06224097 A JPH06224097 A JP H06224097A JP 2856393 A JP2856393 A JP 2856393A JP 2856393 A JP2856393 A JP 2856393A JP H06224097 A JPH06224097 A JP H06224097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure control
- exhaust line
- line
- vacuum
- high vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Self-Closing Valves And Venting Or Aerating Valves (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Structures Of Non-Positive Displacement Pumps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】真空排気装置に於いて、排気時間を短縮し、プ
ロセス状態での圧力制御を容易にし、更にメンテナンス
性を向上させる。 【構成】真空容器1に高真空排気ライン13とプロセス
圧力制御用排気ライン12とを接続し、前記高真空排気
ラインにはエアバルブ3、排気用ポンプ5,7を設け、
前記プロセス圧力制御用排気ラインにはエアバルブ1
1、可変コンダクタンスバルブ17を設け、該プロセス
圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ライン
の前記排気用ポンプの上流側に接続し、真空容器内が大
気圧又はプロセス終了時の状態である場合は、高真空圧
力排気ラインにより排気し、所定の圧力に達するとプロ
セス圧力制御用排気ラインにより排気する。
ロセス状態での圧力制御を容易にし、更にメンテナンス
性を向上させる。 【構成】真空容器1に高真空排気ライン13とプロセス
圧力制御用排気ライン12とを接続し、前記高真空排気
ラインにはエアバルブ3、排気用ポンプ5,7を設け、
前記プロセス圧力制御用排気ラインにはエアバルブ1
1、可変コンダクタンスバルブ17を設け、該プロセス
圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ライン
の前記排気用ポンプの上流側に接続し、真空容器内が大
気圧又はプロセス終了時の状態である場合は、高真空圧
力排気ラインにより排気し、所定の圧力に達するとプロ
セス圧力制御用排気ラインにより排気する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等、真
空室を具備する各種装置の真空排気装置に関するもので
ある。
空室を具備する各種装置の真空排気装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来の真空排気装置を図2に於いて説明
する。
する。
【0003】図中、1は半導体製造装置の反応室を構成
する真空容器であり、該真空容器1に反応ガス導入管2
が接続されると共に排気ライン16が接続され、該排気
ライン16には、前記真空容器1側から、エアバルブ
3、可変コンダクタンスバルブ4、ターボ分子ポンプ
5、エアバルブ6、ロータリポンプ7が設けられる。
又、前記真空容器1内の上下には、カソード電極8、ア
ノード電極9が対峙して設けられ、両電極8,9間に高
周波電力が印加されてプラズマが発生され、前記アノー
ド電極9に載置した基板10に所要の薄膜を生成する。
又、図中14は真空容器1内の圧力を検出する圧力検出
器、15は前記バルブを制御する制御器である。
する真空容器であり、該真空容器1に反応ガス導入管2
が接続されると共に排気ライン16が接続され、該排気
ライン16には、前記真空容器1側から、エアバルブ
3、可変コンダクタンスバルブ4、ターボ分子ポンプ
5、エアバルブ6、ロータリポンプ7が設けられる。
又、前記真空容器1内の上下には、カソード電極8、ア
ノード電極9が対峙して設けられ、両電極8,9間に高
周波電力が印加されてプラズマが発生され、前記アノー
ド電極9に載置した基板10に所要の薄膜を生成する。
又、図中14は真空容器1内の圧力を検出する圧力検出
器、15は前記バルブを制御する制御器である。
【0004】上記従来の真空排気装置に於いて、前記真
空容器1内を排気する場合、前記エアバルブ3,6を
開、前記可変コンダクタンスバルブ4を全開とし、前記
ロータリポンプ7、ターボ分子ポンプ5を動作させ真空
引きする。初めに、前記ロータリポンプ7により、前記
真空容器1内の真空粗引きを所要の値(1Torr)迄行
い、次に前記ターボ分子ポンプ5により高真空の圧力
(1×10-6Torr)に真空引きする。
空容器1内を排気する場合、前記エアバルブ3,6を
開、前記可変コンダクタンスバルブ4を全開とし、前記
ロータリポンプ7、ターボ分子ポンプ5を動作させ真空
引きする。初めに、前記ロータリポンプ7により、前記
真空容器1内の真空粗引きを所要の値(1Torr)迄行
い、次に前記ターボ分子ポンプ5により高真空の圧力
(1×10-6Torr)に真空引きする。
【0005】ここで前記基板10が前記真空容器1内に
搬入されると、前記真空容器1内をプロセス圧力(0.
1〜1Torr)にする為に、前記反応ガス導入管2より不
活性ガス若しくは所定流量のプロセスガスが導入され、
前記可変コンダクタンスバルブ4によりプロセス圧力に
制御される。これらの圧力制御は、前記圧力検出器14
からの信号を前記制御器15に入力し、該制御器15に
より、前記エアバルブ3、可変コンダクタンスバルブ4
の開度を調整することで行っている。
搬入されると、前記真空容器1内をプロセス圧力(0.
1〜1Torr)にする為に、前記反応ガス導入管2より不
活性ガス若しくは所定流量のプロセスガスが導入され、
前記可変コンダクタンスバルブ4によりプロセス圧力に
制御される。これらの圧力制御は、前記圧力検出器14
からの信号を前記制御器15に入力し、該制御器15に
より、前記エアバルブ3、可変コンダクタンスバルブ4
の開度を調整することで行っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した従
来のものでは下記の問題がある。
来のものでは下記の問題がある。
【0007】 高真空の圧力(1×10-6Torr程度)
とプロセス圧力(0.1〜1Torr)の排気ライン16が
同一の為、高真空排気時には、可変コンダクタンスバル
ブ4の径を大きくしコンダクタンスを大きくする必要が
ある。然し、プロセス圧力での圧力制御は、非常に小さ
なコンダクタンスを必要とするため、バタフライ形可変
コンダクタンスバルブ4ではハンチングを起こして圧力
制御不能となる。又、バタフライバルブの代わりにスリ
ット形可変コンダクタンスバルブを使用することもでき
るが、スリット形可変コンダクタンスバルブでは反応動
作が遅いため制御時間が長くなる。
とプロセス圧力(0.1〜1Torr)の排気ライン16が
同一の為、高真空排気時には、可変コンダクタンスバル
ブ4の径を大きくしコンダクタンスを大きくする必要が
ある。然し、プロセス圧力での圧力制御は、非常に小さ
なコンダクタンスを必要とするため、バタフライ形可変
コンダクタンスバルブ4ではハンチングを起こして圧力
制御不能となる。又、バタフライバルブの代わりにスリ
ット形可変コンダクタンスバルブを使用することもでき
るが、スリット形可変コンダクタンスバルブでは反応動
作が遅いため制御時間が長くなる。
【0008】 可変コンダクタンスバルブによる制御
状態では、流速が遅くなる分、膜生成物が付着しやす
い。又、メンテナンスの対象となるラインが排気ライン
系統な為、ターボ分子ポンプ5等を含む一連の排気ライ
ンを全て取外さなければならず、作業が煩雑で非常に時
間を費やす。
状態では、流速が遅くなる分、膜生成物が付着しやす
い。又、メンテナンスの対象となるラインが排気ライン
系統な為、ターボ分子ポンプ5等を含む一連の排気ライ
ンを全て取外さなければならず、作業が煩雑で非常に時
間を費やす。
【0009】本発明は斯かる実情に鑑みなしたものであ
り、圧力制御の可変コンダクタンスバルブの反応動作性
を高め、且メンテナンス性を向上しようとするものであ
る。
り、圧力制御の可変コンダクタンスバルブの反応動作性
を高め、且メンテナンス性を向上しようとするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器に高
真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを接
続し、前記高真空排気ラインにはエアバルブ、排気用ポ
ンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインにはエ
アバルブ可変コンダクタンスバルブを設け、該プロセス
圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ライン
の前記排気用ポンプの上流側に接続したことを特徴とす
るものである。
真空排気ラインとプロセス圧力制御用排気ラインとを接
続し、前記高真空排気ラインにはエアバルブ、排気用ポ
ンプを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインにはエ
アバルブ可変コンダクタンスバルブを設け、該プロセス
圧力制御用排気ラインの下流端を前記高真空排気ライン
の前記排気用ポンプの上流側に接続したことを特徴とす
るものである。
【0011】
【作用】真空容器内が大気圧又はプロセス終了時の状態
である場合は、高真空圧力排気ラインにより排気し、所
定の圧力に達するとプロセス圧力制御用排気ラインによ
り排気する。
である場合は、高真空圧力排気ラインにより排気し、所
定の圧力に達するとプロセス圧力制御用排気ラインによ
り排気する。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【0013】尚、第1図中、第2図中で示したものと同
一のものには同符号を付してある。
一のものには同符号を付してある。
【0014】真空容器1に反応ガス導入管2から噴出す
るガスの流れに偏りが発生しない位置にプロセス圧力制
御用排気ライン12と高真空圧力排気ライン13が接続
され、該高真空圧力排気ライン13には、前記真空容器
1から、エアバルブ3、ターボ分子プンプ5、エアバル
ブ6、ロータリポンプ7が設けられる。前記プロセス圧
力制御用排気ライン12の下流端を前記ターボ分子ポン
プ5の上流側に接続し、前記プロセス圧力制御用排気ラ
イン12には、エアバルブ11、プロセス圧力制御用に
適した径の可変コンダクタンスバルブ17を設ける。
るガスの流れに偏りが発生しない位置にプロセス圧力制
御用排気ライン12と高真空圧力排気ライン13が接続
され、該高真空圧力排気ライン13には、前記真空容器
1から、エアバルブ3、ターボ分子プンプ5、エアバル
ブ6、ロータリポンプ7が設けられる。前記プロセス圧
力制御用排気ライン12の下流端を前記ターボ分子ポン
プ5の上流側に接続し、前記プロセス圧力制御用排気ラ
イン12には、エアバルブ11、プロセス圧力制御用に
適した径の可変コンダクタンスバルブ17を設ける。
【0015】尚、ターボ分子ポンプ5の吸気側には、タ
ーボを破損させるようなゴミを取り除くフィルタ(図示
せず)が装着されている。
ーボを破損させるようなゴミを取り除くフィルタ(図示
せず)が装着されている。
【0016】制御器15は、圧力検出器14からの信号
に基づき、前記エアバルブ3、エアバルブ11、及び前
記両真空ポンプ5,7、前記可変コンダクタンスバルブ
4を動作させるようになっている。
に基づき、前記エアバルブ3、エアバルブ11、及び前
記両真空ポンプ5,7、前記可変コンダクタンスバルブ
4を動作させるようになっている。
【0017】以下、作動を説明する。
【0018】真空容器1を真空引きする場合、前記エア
バルブ3,6を開、前記エアバルブ11を閉とし、前記
ロータリポンプ7を駆動する。該ロータリポンプ7によ
り、パーティクル発生数が落ちつく所要の値(およそ1
Torr)の真空状態にした後、前記ロータリポンプ7と共
にターボ分子ポンプ5を駆動し、該ターボ分子ポンプ5
により高真空(1×10-6Torr)に真空引きする。
バルブ3,6を開、前記エアバルブ11を閉とし、前記
ロータリポンプ7を駆動する。該ロータリポンプ7によ
り、パーティクル発生数が落ちつく所要の値(およそ1
Torr)の真空状態にした後、前記ロータリポンプ7と共
にターボ分子ポンプ5を駆動し、該ターボ分子ポンプ5
により高真空(1×10-6Torr)に真空引きする。
【0019】基板10が真空容器1内に装入され、前記
真空容器1内をプロセス圧力にする為に、エアバルブ3
を閉、可変コンダクタンスバルブ17を全開、エアバル
ブ11を開とする。前記反応ガス導入管2よりガスが導
入され、可変コンダクタンスバルブ17の調整により、
前記真空容器1内がプロセス圧力に制御される。
真空容器1内をプロセス圧力にする為に、エアバルブ3
を閉、可変コンダクタンスバルブ17を全開、エアバル
ブ11を開とする。前記反応ガス導入管2よりガスが導
入され、可変コンダクタンスバルブ17の調整により、
前記真空容器1内がプロセス圧力に制御される。
【0020】前述した様に、プロセス圧力制御用排気ラ
イン12を別途設けたので、プロセス圧力制御に適した
径の可変コンダクタンスバルブ17の使用が可能にな
り、真空容器1内の圧力制御が容易となる。又、可変コ
ンダクタンスバルブ17の容量が小さくなり、流速が速
くなるので、膜生成物の堆積が減少する。排気ラインを
高真空圧力用とプロセス圧力用とに分け2系統設けるの
で、メンテナンスの対象となる部分が少なくなり、前記
ポンプ5,7の取外しなしに可変コンダクタンスバルブ
17の取外しができ、作業性が向上し、生産性の向上を
計ることができると共に可変コンダクタンスバルブを小
径とし得、低コストで製作が可能となる。
イン12を別途設けたので、プロセス圧力制御に適した
径の可変コンダクタンスバルブ17の使用が可能にな
り、真空容器1内の圧力制御が容易となる。又、可変コ
ンダクタンスバルブ17の容量が小さくなり、流速が速
くなるので、膜生成物の堆積が減少する。排気ラインを
高真空圧力用とプロセス圧力用とに分け2系統設けるの
で、メンテナンスの対象となる部分が少なくなり、前記
ポンプ5,7の取外しなしに可変コンダクタンスバルブ
17の取外しができ、作業性が向上し、生産性の向上を
計ることができると共に可変コンダクタンスバルブを小
径とし得、低コストで製作が可能となる。
【0021】基板10の処理が完了すると、前記エアバ
ルブ11を閉、エアバルブ3を開とし、前記ロータリポ
ンプ7、ターボ分子ポンプ5により排気を行う。
ルブ11を閉、エアバルブ3を開とし、前記ロータリポ
ンプ7、ターボ分子ポンプ5により排気を行う。
【0022】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、排気ラ
インを高真空圧力排気ラインとプロセス圧力制御用排気
ラインの2系統としたので、プロセス圧力制御を行う際
に使用する可変コンダクタンスバルブの径をプロセス圧
力制御用に適したサイズにでき、プロセス圧力での圧力
制御が容易になり、高真空圧力排気ラインは大容量の排
気を行える様構成できるので、排気時間の短縮となる。
更に、2系統になる為、メンテナンスの対象をプロセス
圧力制御用排気ラインに限定でき、ターボ分子ポンプ等
を取外す必要がなくなり、作業性が向上し、メンテナン
ス時間の短縮、生産性の向上を図ることができる等、種
々の優れた効果を発揮する。
インを高真空圧力排気ラインとプロセス圧力制御用排気
ラインの2系統としたので、プロセス圧力制御を行う際
に使用する可変コンダクタンスバルブの径をプロセス圧
力制御用に適したサイズにでき、プロセス圧力での圧力
制御が容易になり、高真空圧力排気ラインは大容量の排
気を行える様構成できるので、排気時間の短縮となる。
更に、2系統になる為、メンテナンスの対象をプロセス
圧力制御用排気ラインに限定でき、ターボ分子ポンプ等
を取外す必要がなくなり、作業性が向上し、メンテナン
ス時間の短縮、生産性の向上を図ることができる等、種
々の優れた効果を発揮する。
【図1】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図2】従来例を示す説明図である。
1 真空容器 3 エアバルブ 5 ターボ分子ポンプ 6 エアバルブ 7 ロータリポンプ 11 エアバルブ 12 プロセス圧力制御用排気ライン 13 高真空圧力排気ライン 17 可変コンダクタンスバルブ
Claims (1)
- 【請求項1】 真空容器に高真空排気ラインとプロセス
圧力制御用排気ラインとを接続し、前記高真空排気ライ
ンにはエアバルブ、排気用ポンプを設け、前記プロセス
圧力制御用排気ラインにはエアバルブ可変コンダクタン
スバルブを設け、前記プロセス圧力制御用排気ラインの
下流端を前記高真空排気ラインの前記排気用ポンプの上
流側に接続したことを特徴とする真空排気装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02856393A JP3347794B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02856393A JP3347794B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06224097A true JPH06224097A (ja) | 1994-08-12 |
JP3347794B2 JP3347794B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=12252116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02856393A Ceased JP3347794B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3347794B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100294606B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2001-08-07 | 미다라이 후지오 | 고속소프트배기방법및장치 |
KR100678453B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2007-02-05 | 삼성전자주식회사 | 진공장치 |
US7472581B2 (en) * | 2005-03-16 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus |
JP2009287582A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Covalent Materials Corp | 減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置 |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP02856393A patent/JP3347794B2/ja not_active Ceased
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100294606B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2001-08-07 | 미다라이 후지오 | 고속소프트배기방법및장치 |
KR100678453B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2007-02-05 | 삼성전자주식회사 | 진공장치 |
US7472581B2 (en) * | 2005-03-16 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus |
JP2009287582A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Covalent Materials Corp | 減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3347794B2 (ja) | 2002-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RVOP | Cancellation by post-grant opposition |